DE1292259B - Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch Legieren - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch LegierenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Transistoren, insbesondere Hochfrequenztransistoren,
durch Legieren, bei dem die Erwärmung auf die Legierungstemperatur möglichst rasch und die Abkühlung
nach Erreichen der Legierungstemperatur zunächst langsamer und dann schneller erfolgt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Legierungsverfahren anzugeben, welches im Anschluß
an die Legierungszeit möglichst kurze Ätzbehandlung erfordert. Dies ist vor allem für Hochfrequenztransistören
von Bedeutung, da unter einer längeren Ätzbehandlung die bei Hochfrequenztransistoren ohnehin
dünnen Halbleiterplättchen so dünn werden, daß ihre mechanische Stabilität darunter leidet. Dies hat zur
Folge, daß bereits geringe Erschütterungen bei Transistoren mit sehr dünnen Halbleiterplättchen ein erhebliches
Rauschen verursachen.
Zur Lösung der gestellten Aufgabe wird nach der Erfindung vorgeschlagen, daß der rasche Anstieg bis
zur Legierungstemperatur nach einer Funktion dritten Grades in einer Temperaturzone erfolgt, deren Temperatur
über der Legierungstemperatur liegt, und daß nach Erreichen der Legierungstemperatur bis zu einer
oberhalb des Erstarrungspunktes liegenden Abkühlungstemperatur zunächst langsam nach einer linearen
Funktion und von dieser Abkühlungstemperatur bis zur Erstarrungstemperatur beschleunigt nach einer
e-Funktion abgekühlt wird.
Bei einem bekannten Verfahren erfolgt die Erwärmung auf die Legierungstemperatur nach einer Temperaturzeitf
unktion mit einem sehr steilen Anstieg, die Abkühlung dagegen nach zwei verschiedenen Temperaturzeitfunktionen
mit unterschiedlicher Steilheit. Während bei dem bekannten Verfahren zunächst langsamer
abgekühlt wird, wird im letzten Abschnitt der Abkühlung schnell abgekühlt. Bei dem bekannten Verfahren
setzt jedoch im Gegensatz zur Erfindung die Abkühlung nicht nach Erreichen der Legierungstemperatur
ein, sondern es wird zunächst die Legierungstemperatur eine Zeitlang gehalten. Darüber hinaus ist
dem bekannten Verfahren auch nicht die Lehre zu entnehmen, die Erwärmung auf die Legierungstemperatur
in einer Temperaturzone vorzunehmen, deren Temperatur über der vorgesehenen Legierungstemperatur
liegt. Schließlich erfolgt die Abkühlung bei dem bekannten Verfahren im Anschluß an die lineare Abkühlung
auch nicht nach einer e-Funktion, sondern nach einer anderen Funktion. Die Erfindung hat gegenüber
diesem bekannten Verfahren den Vorteil, daß durch die höhere Temperatur im Legierungsofen die
Benetzung noch verbessert wird, während durch die unmittelbar nach Erreichen der Legierungstemperatur
einsetzende lineare Abkühlung eine besonders günstige Rekristallisation der Schmelze erzielt wird.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Wie die Figur erkennen läßt, zerfällt der Gesamttemperaturverlauf bei einem Legierungsverfahren nach
der Erfindung in drei Bereiche. Der Bereich 1 erfaßt den Erwärmungsvorgang, durch den das Legierungsgut auf die Legierungstemperatur gebracht wird. Die
Legierungstemperatur beträgt bei Verwendung von Blei—Indium und Germanium ungefähr 65O0C. Der
Temperaturanstieg erfolgt nach einer Funktion dritten Grades. Tl ist dabei die Legierungstemperatur und tx
die zur Legierungstemperatur gehörige Zeit, die in dem gewählten Beispiel 3 Minuten beträgt. Die Gesamtlegierungszeit
beträgt ungefähr 10 Minuten.
Die Abkühlung erfolgt zunächst linear bis zu einer Temperatur von 55O0C nach der Funktion
/(O = Tl-(Tl-Ta) (t-tj / (*,-/,).
Ta ist diejenige Temperatur, bis zu der die Abkühlung linear verläuft. Die Zeit, nach der die Abkühlungstemperatur erreicht ist, beträgt etwa 8 bis 9 Minuten
und ist mit t% bezeichnet. Der weitere Abkühlungsverlauf
erfolgt erheblich steiler nach einer e-Funktion.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Herstellen von Transistoren, insbesondere Hochfrequenztransistoren, durch Legieren, bei dem die Erwärmung auf die Legierungstemperatur möglichst rasch und die Abkühlung nach Erreichen der Legierungstemperatur zunächst langsamer und dann schneller erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß der rasche Anstieg bis zur Legierungstemperatur nach einer Funktion dritten Grades in einer Temperaturzone erfolgt, deren Temperatur über der Legierungstemperatur liegt, und daß nach Erreichen der Legierungstemperatur bis zu einer oberhalb des Erstarrungspunktes liegenden Abkühlungstemperatur zunächst langsam nach einer linearen Funktion und von dieser Abkühlungstemperatur bis zur Erstarrungstemperatur beschleunigt nach einer e-Funktion abgekühlt wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1959T0016220 DE1292259B (de) | 1959-02-04 | 1959-02-04 | Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch Legieren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1959T0016220 DE1292259B (de) | 1959-02-04 | 1959-02-04 | Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch Legieren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1292259B true DE1292259B (de) | 1969-04-10 |
Family
ID=7548167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1959T0016220 Pending DE1292259B (de) | 1959-02-04 | 1959-02-04 | Verfahren zum Herstellen von Transistoren durch Legieren |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1292259B (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1109535A (fr) * | 1954-07-30 | 1956-01-30 | Csf | Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p |
| DE1018557B (de) * | 1954-08-26 | 1957-10-31 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper |
| BE561486A (de) * | 1957-10-03 | 1958-04-09 |
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1959
- 1959-02-04 DE DE1959T0016220 patent/DE1292259B/de active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1109535A (fr) * | 1954-07-30 | 1956-01-30 | Csf | Perfectionnements aux procédés de fabrication des jonctions nu-p |
| DE1018557B (de) * | 1954-08-26 | 1957-10-31 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von gleichrichtenden Legierungskontakten auf einem Halbleiterkoerper |
| BE561486A (de) * | 1957-10-03 | 1958-04-09 |
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