DE1274676B - Oszillatorschaltung mit einem Transistor - Google Patents
Oszillatorschaltung mit einem TransistorInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
H03b
Deutsche Kl.: 21 a4 -13
Nummer: 1274 676
Aktenzeichen: P 12 74 676.8-35 (R 36939)
Anmeldetag: 9. Januar 1964
Auslegetag: 8. August 1968
Die Erfindung betrifft Oszillatorschaltungen mit einem Transistor, dessen Basis an einem zwischen
zwei Klemmen einer Betriebsspannungsquelle geschalteten Widerstandsspannungsteiler angeschlossen
ist und dessen Emitter und Kollektor mit den Enden des Spannungsteilers gekoppelt sind, ferner mit einem
frequenzbestimmenden Resonanzkreis, der zwischen die Basis und das mit dem Emitter gekoppelte Ende
des Spannungsteilers geschaltet ist, und mit zwei miteinander in Reihe und dem Resonanzkreis parallel xo
geschalteten Kondensatoren, deren Verbindungspunkt über einen Mitkopplungszweig mit dem
Emitter gekoppelt ist. _
Bei einem bekannten Transistoroszillator dieser Art arbeitet der Transistor in Kollektorschaltung,
und die Basisvorspannung wird durch einen Widerstandsspannungsteiler erzeugt, der zwischen Kollektor-
und Emitterelektrode des Transistors liegt. Die Emitterelektrode ist über einen Arbeitswiderstand
mit der einen Klemme einer Betriebsspannungsquelle ao verbunden, während die andere Klemme der Spannungsquelle
direkt an den Kollektor angeschlossen ist. Die Basiselektrode ist über einen Blockkondensator
mit einer Klemme eines frequenzbestimmenden Kreises verbunden, dessen andere Klemme an der
emitterseitigen Betriebsspannungsquellenklemme liegt. Dem frequenzbestimmenden Kreis, der einen
Schwingquarz oder eine Induktivität enthalten kann, ist ein kapazitiver Spannungsteiler aus zwei in Reihe
geschalteten Kondensatoren parallel geschaltet, deren Verbindungspunkt mit dem Emitter des Transistors
gekoppelt ist. Das Ausgangssignal der Schaltung wird parallel zum Emitterwiderstand abgenommen (USA.-Patentschrift
2 930 002).
Es ist auch bereits bekannt, daß die Betriebsfrequenz eines Transistoroszillators der obengenannten
Art durch Betriebsspannungsschwankungen beeinflußt wird, wenn nicht besondere Maßnahmen getroffen
werden. Bei der obenerwähnten bekannten Oszillatorschaltung soll eine möglichst weitgehende
Unabhängigkeit der Betriebsfrequenz des Oszillators dadurch erreicht werden, daß der Kapazitätswert des
kapazitiven Spannungsteilers im Vergleich zur Eigenkapazität des Transistors relativ hoch gewählt und
ein nur reelle Widerstände enthaltender, frequenzabhängiger Mitkopplungszweig verwendet wird.
Durch die Erhöhung der Kapazität des die Mitkopplungsspannung liefernden kapazitiven Spannungsteilers
werden aber die Güte des frequenzbestimmenden Kreises und die Ausgangsspannung in unerwünschter
Weise herabgesetzt.
Änderungen der Betriebsspannung beeinflussen die Oszillatorschaltung mit einem Transistor
Anmelder:
Radio Corporation of America, New York, N. Y.
(V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
8000 München, Dunantstr. 6
Als Erfinder benannt:
Karl Wesley Angel, Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 9. Januar 1963 (250 267)
Betriebsfrequenz eines Transistoroszillators auf zweierlei Weise: Einerseits wirkt eine Erhöhung der
Betriebsspannung im Sinne einer Frequenzerniedrigung, da sie die Emitter-Basis-Kapazität des Transistors,
die in die Eingangskapazität der vorliegenden Schaltung eingeht, erhöht. In gleicher Richtung wirkt
die bei Erhöhung der Betriebsspannung zunehmende Phasenverzögerung im Basiskreis des Transistors, die
durch die Änderungen der Basis-Emitter-Kapazität und des Eingangs-Basenreihenwiderstandes verursacht
wird. Die Verringerung des Eingangswiderstandes wirkt andererseits wegen der Verringerung
der Belastung des frequenzbestimmenden Kreises im Sinne einer Erhöhung der Betriebsfrequenz.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß durch geeignete zusätzliche Kompensationsmaßnahmen
erreicht werden kann, daß sich die in entgegengesetztem Sinne wirkenden Einflüsse von Betriebsspannungsänderungen
weitestgehend kompensieren, so daß die Betriebsfrequenz praktisch unabhängig von Betriebsspannungsschwankungen wirkt.
Bei einer Oszillatorschaltung mit einem Transistor, dessen Basis an einen zwischen zwei Klemmen einer
Betriebsspannungsquelle geschalteten Widerstandsspannungsteiler angeschlossen ist und dessen Emitter
und Kollektor mit den Enden des Spannungsteilers gekoppelt sind, ferner mit einem frequenzbestimmenden
Resonanzkreis, der zwischen die Basis und das mit dem Emitter gekoppelte Ende des Spannungsteilers
geschaltet ist, und mit zwei miteinander in Reihe und dem Resonanzkreis parallel geschalteten
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Kondensatoren, deren Verbindungspunkte über einen Mitkopplungszweig mit dem Emitter gekoppelt sind,
wird dies gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß zwischen die Basis und das mit dem Emitter des
Transistors gekoppelte Ende des Spannungsteilers eine Stabilisierungsanordnung geschaltet ist, die
einen Gleichstrom sperrenden Kondensator und einen mit diesem in Reihe geschalteten Kompensationswiderstand
enthält, dessen Widerstandswert in Abhängigkeit von dem gewählten Widerstandsverhältnis
des Basisspannungsteilers so bemessen ist, daß der Einfluß von durch Betriebsspannungsschwankungen
verursachten Änderungen der Emitter-Basis-Kapazität jdes Transistors auf die Schwingungsfrequenz
möglichst vollständig kompensiert wird.
Vorzugsweise sind der Abgriff des Spannungsteilers und der Wert des Kompensationswiderstandes
unabhängig voneinander einstellbar.
Vorzugsweise enthält der frequenzbdstimmende Kreis in an sich bekannter Weise einen Schwingkristall,
der mit einem Kondensator in Reihe geschaltet ist; es kann jedoch auch ein £C-Kreis verwendet
werden.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels
näher erläutert.
Bei dem in der Zeichnung dargestellten Oszillator dient ein mit einem Abstimmkondensator 62 in Reihe
geschalteter Kristall 61 als frequenzbestimmender Resonanzkreis. Der Resonanzkreis ist durch einen
kapazitiven Spannungsteiler aus zwei in Reihe geschalteten Spannungsteilerkondensatoren 63,64 überbrückt.
Der Kapazitätswert dieser Kondensatoren ist viel größer als der Kapazitätswert des Kondensators
62, so daß die Frequenz in erster Linie von der Ersatzinduktivität
und -kapazität des Kristalls 61 und des mit diesem in Reihe geschalteten Kondensators
62 abhängt, Der Kondensator 63 ist außerdem groß verglichen mit den Änderungen der Transistoreingangskapazität.
Der Verbindungspunkt der in Reihe geschalteten Kondensatoren 63,64 bildet einen
Abgriff, von dem ein Teil der Oszillatorspannung auf den Emitter 88 eines Oszjllatortransistors 72 rückgekoppelt
wird.
Die Basis 71 wird von einer negativen Klemme 74, einer Betriebsspannungsquelle, deren andere Klemme
an Masse liegt, über einen Schleifer 76 eines Potentio»
meterwiderstandes 78 und eine Hochfrequenzdrossel 79 vorgespannt. Der Widerstand 78 ist mit einem
Widerstand 81 in Reihe zwischen die Klemme 74 und einen Leiter 82 geschaltet, der zur positiven Klemme
der nicht dargestellten Betriebsspannungsquelle führt. Ein Widerstand 84 dient als Arbeitswiderstand für
den Kollektor 86. Der Emitter 88 des Transistors ist über einen Widerstand 91 und eine Hochfrequenzdrossel
92 in Flußrichtung bezüglich der Basis 71 vorgespannt. Der Widerstand 91 ist durch einen
Ableitkondensator 94 überbrückt. Die Ausgangsspannung des Oszillators wird vom Kollektor über
einen Kopplungskondensator 96 abgenommen. Ein Widerstand 48 und ein Blockkondensator 49 zur
Sperrung des Gleichstromes sind so geschaltet, daß der Widerstand 48 eine Belastung für den Resonanzkreis
bildet. Bei dem in der Zeichnung dargestellten Oszillatorkreis, der beispielsweise mit einem Transistor
des Typs 2 N1177 bestückt sein kann, nimmt die Basis-Emitter-Kapazität zu, wenn die Spannung
zwischen Basis und Masse höher negativ wird und der Widerstand 48 fehlt. Der Eingangswiderstand,
nämlich der Basis-Emitter-Widerstand, nimmt ab. Die Erhöhung der Betriebsspannung hat außer der
Erhöhung der Basis-Emitter-Kapazität auch eine stärkere Aussteuerung zur Folge. Der Kapazitätsanstieg bewirkt ein Absinken der Frequenz, da das
LC-Produkt des Resonanzkreises größer wird. Die Frequenz nimmt außerdem ab, da die Phasenverzögerung,
die dem Basiskreis des Transistors von Natur aus anhaftet, zunimmt. Die Phasenverzögerung
wird durch einen Phasenschieber verursacht, der die Basis-Emitter-Kapazität und den Eingangs-Basis-Reihenwiderstand
umfaßt. Die Verringerung des Eingangswiderstandes neigt andererseits dazu, die Frequenz
zu erhöhen. Bei der dargestellten Oszillatorschaltung werden der Einfluß der eine Erhöhung des
LC-Produktes bewirkenden Änderung der Basis-Emitter-Kapazität und die Vergrößerung der Phasenverzögerung
im Basiskreis durch eine entsprechende Bemessung der Belastung durch den Widerstand 48
und die Änderung des Eingangswiderstandes weitgehend oder ganz kompensiert. Wenn also der Transistoroszillator
auf einem Pegel arbeitet, bei dem sich die Widerstands- und Kapazitätsänderungen gegenseitig
aufheben, ist eine einwandfreie Kombination in einem weiten Bereich der Betriebsspannung gewährleistet.
Der Widerstand 48 wird also auf einen Wert einjustiert, bei dem die Oszillatorfrequenz je nach der
vorgegebenen Einstellung des Potentiometerschleifers 76 die geringste Abhängigkeit von der Betriebsspannung
zeigt. In entsprechender Weise läßt sich für jeden Wert des Widerstandes 48 eine Einstellung des
Schleifers 76 finden, bei der die Oszillatorfrequenz am wenigsten von der Betriebsspannung abhängt.
Durch Einjustieren des Potentiometerschleifers 76 und des Widerstandes 48 läßt sich eine gewünschte
Oszillatorausgangsspannungsamplitude einstellen und gleichzeitig eine weitgehende Unabhängigkeit der
Frequenz von Betriebsspannungsschwankungen erreichen.
Für die dargestellte Schaltung kann ein Transistor des Typs 2 N1177 verwendet werden. Es handelt
sich dabei um einen Drifttransistor. Die erfindungsgemäßen Oszillatorschaltungen können bei verhältnismäßig
hohen Frequenzen arbeiten, z. B. im Bereich zwischen 12 und 14,5 MHz. Die Frequenzschwankungen
eines Oszillators mit den angegebenen Parametern bleiben bei Betriebsspannungsänderungen
von ± 15 % kleiner als ± 0,00002 »/0. Diese Stabilitätsangabe gilt auch für preiswerte Drifttransistoren,
die sich hinsichtlich ihrer Leistungsverstärkung und ihres Sättigungsstromes eignen. Schwankungen infolge
von Kristallen hoher und niedriger Güte sind ebenfalls in diesen Stabilitätswert eingeschlossen.
Beim Abgleich des Kompensationswiderstandes zur Verringerung von Frequenzänderungen, die durch
Betriebsspannungsschwankungen verursacht werden, geht man im allgemeinen folgendermaßen vor:
1. Die Oszillatorparameter werden ohne den Kompensationswiderstand
in bekannter Weise auf eine gewünschte Frequenz und Ausgangsleistung abgeglichen;
2. die Frequenzänderung Af1 für eine bestimmte
Betriebsspannungsänderung wird gemessen;
3. man schaltet nun als Widerstand 48 einen Belastungswiderstand Ru ein und mißt erneut wie
unter 2 die Frequenzabweichung, die nun Δ /2 ist;
4. der richtige Wert Rd des Widerstandes 48 ist
dann näherungsweise:
Δ /j Afq,
5. vorzugsweise wird das oben beschriebene Interpolationsverfahren
ein oder mehrmals wiederholt, um eine genauere Kompensation zu erreichen.
10
Das Vorzeichen von Af1 kann anfänglich für eine
bestimmte Richtung der Betriebsspannungsänderung positiv gewählt werden. Für dieselbe Richtung der
Vorspannungsänderung wird dann das Vorzeichen von Af2 positiv gewählt, wenn sich die Frequenz in
derselben Richtung ändert wie Af1, und negativ für
eine Frequenzänderung im entgegengesetzten Sinn.
Claims (3)
1. Oszillatorschaltung mit einem Transistor, dessen Basis an einen zwischen zwei Klemmen
einer Betriebsspannungsquelle geschalteten Widerstandsspannungsteiler angeschlossen ist und dessen
Emitter und Kollektor mit den Enden des Spannungsteilers gekoppelt sind, ferner mit einem
frequenzbestimmenden Resonanzkreis, der zwischen die Basis und das mit dem Emitter gekoppelte
Ende des Spannungsteilers geschaltet ist, und mit zwei miteinander in Reihe und dem Resonanzkreis
parallel geschalteten Kondensatoren, deren Verbindungspunkt über einen Mitkopplungszweig
mit dem Emitter gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die
Basis (71) und das mit dem Emitter (88) des Transistors (72) gekoppelte Ende (82) des Spannungsteilers
(78, 81) eine Stabilisierungsanordnung geschaltet ist, die einen Gleichstrom sperrenden
Kondensator (49) und einen mit diesem in Reihe geschalteten Kompensationswiderstand
(48) enthält, dessen Widerstandswert in Abhängigkeit von dem gewählten Widerstandsverhältnis
des Basisspannungsteilers so bemessen ist, daß der Einfluß von durch Betriebsspannungsschwankungen
verursachten Änderungen der Emitter-Basis-Kapazität des Transistors auf die Schwingungsfrequenz
möglichst vollständig kompensiert wird.
2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kompensationswiderstand
(48) und der Abgriff (76) des Spannungsteilers (78, 81), der mit der Basis (71) verbunden
ist, unabhängig voneinander einstellbar sind.
3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Resonanzkreis
einen Schwingkristall (61), dem ein Kondensator (62) in Reihe geschaltet ist, enthält.
In Betracht gezogene Druckschriften:
USA.-Patentschriften Nr. 2 915 708, 2 930 002.
USA.-Patentschriften Nr. 2 915 708, 2 930 002.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3422415A (en) * | 1965-12-20 | 1969-01-14 | Masuo Ichimori | Proximity detecting apparatus |
US3375467A (en) * | 1966-05-27 | 1968-03-26 | Rca Corp | Low noise vhf transistor oscillator |
US3373379A (en) * | 1966-06-17 | 1968-03-12 | Motorola Inc | Crystal oscillator with temperature compensation |
US3641461A (en) * | 1968-08-23 | 1972-02-08 | Rca Corp | Temperature compensated crystal oscillator |
US3525055A (en) * | 1969-07-08 | 1970-08-18 | Rca Corp | Temperature compensated crystal oscillator |
US4096451A (en) * | 1976-11-08 | 1978-06-20 | Rca Corporation | High signal-to-noise ratio negative resistance crystal oscillator |
US8044733B1 (en) * | 2008-08-07 | 2011-10-25 | Marvell International Ltd. | Stress tolerant differential colpitts voltage controlled oscillators |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2915708A (en) * | 1955-08-15 | 1959-12-01 | Motorola Inc | Transistor oscillator with harmonically tuned output circuit |
US2930002A (en) * | 1957-06-24 | 1960-03-22 | Rca Corp | Oscillator |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2894208A (en) * | 1955-09-06 | 1959-07-07 | Motorola Inc | Frequency shift transmitter |
CA652137A (en) * | 1959-02-11 | 1962-11-13 | F. Cerofolini Gabriele | Transistor tone generator and power amplifier |
US3041550A (en) * | 1959-06-18 | 1962-06-26 | Motorola Inc | Crystal oscillator circuit |
-
1963
- 1963-01-09 US US250267A patent/US3256496A/en not_active Expired - Lifetime
-
1964
- 1964-01-06 BE BE642158A patent/BE642158A/xx unknown
- 1964-01-06 GB GB602/64A patent/GB1034592A/en not_active Expired
- 1964-01-08 NL NL646400070A patent/NL151584B/xx unknown
- 1964-01-08 SE SE00202/64A patent/SE325933B/xx unknown
- 1964-01-09 DE DE1964R0036939 patent/DE1274676C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2915708A (en) * | 1955-08-15 | 1959-12-01 | Motorola Inc | Transistor oscillator with harmonically tuned output circuit |
US2930002A (en) * | 1957-06-24 | 1960-03-22 | Rca Corp | Oscillator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6400070A (de) | 1964-07-10 |
BE642158A (de) | 1964-05-04 |
GB1034592A (en) | 1966-06-29 |
SE325933B (de) | 1970-07-13 |
DE1274676C2 (de) | 1974-08-01 |
NL151584B (nl) | 1976-11-15 |
US3256496A (en) | 1966-06-14 |
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