DE1245422B - Datenspeichervorrichtung - Google Patents
DatenspeichervorrichtungInfo
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
GlIc
Deutsche Kl.: 21 al - 37/06
Nummer: 1245422
Aktenzeichen: N17847IX c/21 al
Anmeldetag: 6. Februar 1960
Auslegetag: 27. Juli 1967
Die Erfindung betrifft eine Datenspeichervorrichtung mit einem einen nichtmagnetischen, mit einem
ferromagnetischen Überzug mit bevorzugter Magnetisierungsrichtung versehenen Träger aufweisenden
Speicherkörper, dessen Oberfläche rillenförmige, die bevorzugte Magnetisierungsrichtung bestimmende
Vertiefungen aufweist.
Bekannt ist eine derartige, allgemein als »Twistor« bezeichnete magnetische Datenspeichervorrichtung.
Sie besteht aus einem Stück nichtmagnetischem elektrisch leitendem Draht als gemeinsamem Kern sowie
einer koaxialen Schicht eines sättigungsfähigen ferromagnetischen Materials, das auf die Oberfläche des
Kerns stranggepreßt wird. Der Kern wird zusammen mit der ferromagnetischen Schicht gespannt, gleichzeitig
verdreht und seine Enden während des Arbeitens der Vorrichtung in einer festen Lage gehalten.
Dadurch bildet sich eine spiralförmige magnetische Vorzugsrichtung aus. Um die Vorrichtung werden
mehrere gleichartige Spulen in bestimmten Abständen gewickelt, so daß sie eine entsprechende Anzahl
schraubenförmiger Bahnabschnitte ferromagnetischen Materials abgrenzen. Die Speicherung einer
Information erfolgt durch Anlegen eines Halbwählimpulses an den leitenden Drahtkern und eines Halbwählimpulses
an die ausgewählte Spule. Die daraus resultierende vektorielle Summe der beiden Magnetfelder
weist in die gleiche Richtung wie die der magnetischen Vorzugsrichtung des Überzugs.
In dem älteren deutschen Patent 1161586 ist ein
Twistor beansprucht, bei dem während des Fertigungsprozesses der Träger »vorverdreht« wird und
anschließend in seine ursprüngliche Lage zurückgeht, wodurch die magnetische Schicht verdreht
wird. Bei dem sogenannten »Wickeltransistor« wird die magnetische Vorzugsrichtung durch spiralförmiges
Umwickeln eines Trägers mit einem dünnen magnetischen Draht oder Band erzeugt.
Bei dieser Datenspeichervorrichtung ist das Fertigungsverfahren relativ aufwendig und besonders
bei Verwendung sehr dünner Drähte und Bändchen sehr schwierig.
Neben diesen »vorverdrehten« Twistoren sind auch Vorrichtungen bekannt, bei denen eine magnetische
Vorzugsrichtung ohne Anwendung von Zugoder Verdrillkräften erzeugt wird.
Die belgische Patentschrift 569 044 zeigt eine Datenspeichervorrichtung, bei der magnetische Vorzugsrichtungen
dadurch erzeugt werden, daß man in den aus magnetischem Material bestehenden Leiter
wendeiförmige Vertiefungen auf dessen Oberfläche anbringt.
Datenspeichervorrichtung
Anmelder:
The National Cash Register Company,
Dayton, Ohio (V. St. A.)
Vertreter:
Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt,
Düsseldorf, Feldstr. 80
Beanspruchte Priorität:
V. St v. Amerika vom 6. Februar 1959 (791695)
In den genannten Datenspeichervorrichtungen entstehen durch den dort verwendeten Volldraht relativ
a° große Wirbelströme, die sich ungünstig auf die Ummagnetisierungsgeschwindigkeit
und damit auf die Arbeitsgeschwindigkeit sowie auf die Größe des Ausgangssignals auswirken.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte Datenspeicheranordnung herzustellen, die die genannten
Nachteile nicht aufweist.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die rillenförmigen Vertiefungen an der Oberfläche
des Speicherkörpers parallel zueinander, eng nebeneinanderliegend angeordnet sind und daß die Oberflächenform
des Speicherkörpers durch entsprechende rillenförmige Vertiefungen in der Oberfläche
des Trägers, an dessen Oberfläche sich der dünne ferromagnetische Überzug genau anpaßt, bedingt ist.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der bevorzugte Ausführungsbeispiele darstellenden Zeichnungen
erläutert. In diesen zeigen die
F i g. 1 bis 8 Oszillogramme magnetischer Hysteresisschleifen
der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebauten ferromagnetischen Vorrichtungen,
F i g. 9 und 10 Beispiele aufgeschnittener magnetischer Datenspeichervorrichtungen gemäß der Erfindung
und
Fig. 11 einen Schnitt der magnetischen Datenspeichervorrichtung nach Fig. 10 entlang der Linie 11-11.
Fig. 11 einen Schnitt der magnetischen Datenspeichervorrichtung nach Fig. 10 entlang der Linie 11-11.
In einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspeichervorrichtungen der vorliegenden
Erfindung wird der ferromagnetische Überzug auf den Träger aufgalvanisiert, der aus einem beliebigen
elektrisch leitenden Stoff, wie beispielsweise einer Kupfer-, Silber-, Aluminium-, Messing-,
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Bronzelegierung usw. oder einem beliebigen der be- Bevor mit einer eingehenden Beschreibung der
kannten elektrisch leitenden Elemente hergestellt magnetischen Eigenschaften der gemäß der vorliesein
kann. Die äußere Form der Oberflächenart des genden Erfindung hergestellten magnetischen Spei-Trägers
ist nicht ausschlaggebend, so daß es sich cherelemente begonnen wird, sei festgelegt, daß die
hierbei um eine Röhre, einen Ring, eine Platte, einen 5 Bezeichnung »longitudinale« Hysteresisschleife für
Stab oder ein Band handeln kann. Dieser Träger die ß-i/-Kennlinie des gezeigten ferromagnetische!!
kann auch ein sehr dünner elektrisch leitender Film Elementes verwendet wird, die durchlaufen wird,
sein, der durch ein isolierendes Material, wie bei- wenn ein Wechselstrom durch eine um das Element
spielsweise Glas, Kunststoff, keramisches Material, gelegte Wicklung geschickt wird, so daß das entabgestützt
wird. In den gezeigten Ausführungsbei- io stehende magnetische Feld von H Oersted in einer
spielen (Fig. 9 und 10) weist der Träger jedoch die axialen Richtung in bezug auf das Element verläuft
Form eines Hohldrahtes 20 aus Phosphorbronze auf, und die in einer gleichartigen Wicklung induzierte
der einen äußeren Durchmesser von etwa 0,4 mm EMK die Größe der Änderung derjenigen Fluß-
und einen inneren Durchmesser von etwa 0,2 mm komponente anzeigt, die in bezug auf das ElefHeTfl
besitzt. 15 in axialer Richtung verläuft; das Integral dieser
Wie in F i g. 9 gezeigt, ist der Hohldraht 20 zu- EMK ist proportional der Flußdichte B. Der Ausnächst
mit einer Anzahl V-förmiger und gleichmäßig druck »transversale« Hysteresisschleife sei definiert
voneinander beabstandeter spiralförmig verlaufen- als die B-H-Kennlinie des ferromagnetischen Eic·
der Rillen 21 versehen. Die Rillen 21 können auf mentes, für das durch einen auf eine um seinen
dem Hohldraht 20 mittels eines der zahlreichen all- 20 Umfang verlaufende Wicklung fließenden Wechselgemein bekannten Verfahren, wie beispielsweise strom erzeugte magnetische Feld von H Oersted,
Ätzen, Gravieren od. dgl. ausgebildet werden. Die das ebenfalls in einer axialen Richtung in bezug auf
Abmessungen und der Querschnitt der Rillen 21 sind das Element verläuft, und bei dem Hohldraht die
bis zu einem gewissen Grad kritisch. Es wurden im Träger 20 induzierte EMK ein Ergebnis der
jedoch bereits magnetische Datenspeichervorrichtun- 25 Änderung derjenigen Flußkomponente ist, die in
gen mit Erfolg gebaut, in denen die Rillen eine Tiefe bezug auf das angelegte Feld quer verläuft.
(D) zwischen 2 bis 25 μ, eine Breite (W) von 25 μ In F i g. 4 ist die transversale Hysteresisschleife
oder weniger, einen Abstand (S) von etwa 2 bis eines ferromagnetischen Elementes gezeigt, bei dem
400 μ und eine Neigung (Φ) von etwa 45° aufweisen. vor dem Galvanisieren in dem Träger spiralenförmig
Der Abstand zwischen den Rillen ist so klein wie 30 um diesen rechtsgängig verlaufende Rillen ausgebilmöglich
zu halten. Das theoretische Minimum des det wurden, und das in einem Bad, das 5 g Ferri-Rillenabstandes
(S) wäre die Breite eines einzigen chlorid, 20gNickelchlorid, IgNatriummolybdat, 10g
Kristalls des als galvanischer Überzug aufzubringen- Ammoniumzitrat und 50 g Ammoniumchlorid pro
den magnetischen Materials. Liter Wasser enthält, galvanisiert wurde. F i g. 5
Nach Ausbildung der Rillen 21 auf dem Hohl- 35 zeigt die transversale Hysteresisschleife der ferrodraht20
erhält der letztere in einem Galvanisier- magnetischen, im gleichen Bad galvanisierten Vorbad
einen ferromagnetischen Überzug. Der Überzug richtung, bei der jedoch vor dem Galvanisieren keine
sollte eine Dicke in der Größenordnung von etwa Rillen nach der vorliegenden Erfindung in dem
2 μ haben, so daß in ihr auftretende Stromverluste Träger angebracht wurden. F i g. 6 zeigt schließlich
so niedrig wie möglich gehalten werden und die 40 die transversale Hysteresisschleife des für F i g. 5
dennoch dicht genug sind, um als Speicherelement verwendeten ferromagnetischen Elementes, das jeeine
ausreichende Lesespannung zu gewährleisten. doch, wie der eingangs erwähnte »Twistor«, nach
Der Überzug 22 wird auf dem ganzen Umfang des dem Galvanisieren einer mechanischen Torsions-Hohldrahtes
20 gebildet, der sich an die Konturen vorspannung unterworfen wurde,
seiner Oberfläche eng anpaßt. Eine solche Beschich- 45 Es zeigt sich deutlich, daß durch Anbringen der
tung besitzt nicht nur eine im wesentlichen recht- Rillen in dem Träger vor dem Galvanisieren in der
eckige Hysteresisschleife, sondern außerdem eine eben beschriebenen Weise ein ferromagnetisches
»leichte« Magnetisierungsrichtung, die im wesent- Element entsteht, das im wesentlichen die gleichen
liehen in derselben Richtung verläuft, wie die Rillen magnetischen Eigenschaften aufweist, wie die älteren
21. Die Bezugszahl 23 bezeichnet einen Schutzüber- 50 »Twistoren«, das jedoch weder vor noch während des
zug aus Kupfer oder einem ähnlichen nichtmagne- Galvanisierens oder seiner Verwendung einer Tortischen
Material, der anschließend auf dem Über- sionsvorspannung unterworfen werden muß. Ohne
zug 22 gebildet wird. die Rillen oder ohne eine Torsionsvorspannung,
Man nimmt an, daß eine solche, in einer bestimm- d. h. eine Verdrehung, besitzt die Vorrichtung nicht
ten Richtung verlaufende »leichte« Magnetisierung 55 im entferntesten eine rechteckige Hysteresisschleife
nicht nur das direkte Ergebnis einer mechanischen und ist demzufolge für eine Verwendung als magne-Umformung
des Überzuges durch die in dem Träger tische Speichervorrichtung ungeeignet,
ausgebildeten Rillen ist, sondern daß außerdem die In F i g. 7 ist die transversale Hysteresisschleife
ferromagnetischen traubenförmigen Formationen einer Vorrichtung gezeigt, die im vorgenannten Bad,
während der Galvanisierung dazu neigen, in der- 60 von dem jedoch das Natriummolybdat weggelassen
selben Richtung zu »wachsen«, wie die eng neben- wurde, galvanisiert wurde, und in der vor dem
einanderliegenden Rillen in dem Träger. Ungeachtet Galvanisieren in dem Träger spiralenförmig um dieder
Erscheinung, auf die dies zurückzuführen ist, sen verlaufende rechtsgängige Rillen ausgebildet
besitzen solche Vorrichtungen ausgezeichnete ma- wurden. F i g. 8 zeigt die transversale Hysteresisgnetische
Eigenschaften und eignen sich vortrefflich 65 schleife der im vorgenannten Bad galvanisierten
dazu, als Speicherelemente in moderne Elektronen- Vorrichtung, bei der die Rillen jedoch in entgegenrechner
und Datenverarbeitungsgeräte eingebaut zu gesetzter Richtung, d. h. linksgängig im Gegenzeigerwerden,
sinn verlaufen. Daraus geht hervor, daß durch erae ,
»Änderung« des Rillenverlaufs eine entsprechende Änderung oder Umkehr der Hysteresisschleife der
Vorrichtung erzielt wird.
F i g. 1 zeigt die longitudinale Hysteresisschleife der Vorrichtung, deren Hysteresisschleife in F i g. 7
dargestellt ist. F i g. 2 zeigt die longitudinale Hysteresisschleife einer im erstgenannten Bad galvanisierten
ferromagnetischen Vorrichtung ohne Rillen. F i g. 3 zeigt schließlich die longitudinale Hysteresisschleife
einer im erstgenannten Bad galvanisierten ferro- ίο magnetischen Vorrichtung, in der jedoch vor dem
Galvanisieren eine Anzahl längs verlaufender Rillen 21, die, wie in F i g. 10 gezeigt, sich parallel zu der
Achse des Hohldrahtes 20 erstrecken, ausgebildet· wurden.
Aus dem Vorangehenden lassen sich eine Reihe von Schlüssen ziehen. Vor allem zeigt sich, daß es
durch Anbringen von Rillen in dem Träger vor dem Galvanisieren möglich ist, einem ferromagnetischen
Überzug nicht nur magnetische Hysteresiseigenschaften zu geben, wie sie durch eine rechteckige Hysteresisschleife
zum Ausdruck kommen, sondern außerdem die magnetischen Eigenschaften ferromagnetischer
Überzüge zu verbessern, die vorher schon eine annähernd rechteckige Hysteresisschleife hatten. Will
man die Änderung der in bezug auf das Element in Längsrichtung verlaufenden Flußkomponente verwenden,
so ist es zweckmäßig, daß die Rillen, wie in Fig. 10 gezeigt, in Längsrichtung und nicht, wie
in F i g. 9 veranschaulicht, spiralenförmig verlaufen. Will man die Änderung der in bezug auf das Element
transversale Flußkomponente benutzen, so ist es zv/eckmäßig, daß die Rillen, wie in F i g. 9 gezeigt,
spiralenförmig und nicht, wie in Fig. 10 dargestellt, in Längsrichtung verlaufen.
Der Fachmann erkennt aus dem Studium der vorliegenden Erfindung, daß die erfindungsgemäßen
magnetischen Datenspeichervorrichtungen in beliebiger Form, wie beispielsweise Platten, Stangen, Röhren
oder Ringe, in einfacher und wirtschaftlicher Weise hergestellt und gebaut werden können. Sie
besitzen im Vergleich zu den bisherigen Datenspeichervorrichtungen wesentlich bessere magnetische
und andere Eigenschaften und eignen sich vortrefflich zum Einbau in moderne Datenverarbeitungsanlagen.
Verwendet man als Träger für die magnetische Speichervorrichtung einen elektrisch leitenden,
auf einem dielektrischen Kern, wie beispielsweise Glas, keramisches Material, Kunststoff, abgelagerten
Film, dann besitzt bei Ausbildung einer Anzahl längs verlaufender Rillen auf der Oberfläche des eben
beschriebenen Kernes vor oder nach Ablagerung des Silberfilms auf dieser der ferromagnetische
Überzug, der anschließend auf dem Silberfilm aufgalvanisiert wird, erheblich verbesserte Eigenschaften
gegenüber der genannten Anordnung.
Claims (5)
1. Datenspeichervorrichtung mit einem einen nichtmagnetischen, mit einem ferromagnetischen
Überzug mit bevorzugter Magnetisierungsrichtung versehenen Träger aufweisenden Speicherkörper,
dessen Oberfläche rillenförmige, die bevorzugte Magnetisierungsrichtung bestimmende Vertiefungen
aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die rillenförmigen Vertiefungen an der Oberfläche
des Speicherkörpers parallel zueinander, eng nebeneinanderliegend angeordnet sind und
daß die Oberflächenform des Speicherkörpers durch entsprechende rillenförmige Vertiefungen
in der Oberfläche des Trägers, an dessen Oberfläche sich der dünne ferromagnetische Überzug
genau anpaßt, bedingt ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug auf den Träger
aufgalvanisiert ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger zylindrisch
ist und die in seiner Oberfläche ausgebildeten Rillen die Form eines mehrgängigen Gewindes
haben.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger zylindrisch
ist und die in seiner Oberfläche ausgebildeten Rillen sich parallel zur Zylinderachse erstrecken.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Träger ein Hohlzylinder ist, durch den mindestens ein elektrischer Leiter geführt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Belgische Patentschriften Nr. 569 044, 573 063.
Belgische Patentschriften Nr. 569 044, 573 063.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 618/398 7.67 © Bundesdruckerei Berlin
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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