DE1242192B - Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkoerpers - Google Patents
Verfahren zum Dotieren eines HalbleiterkoerpersInfo
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Description
DEUTSCHES
/P-ATENTA-MT.
AlJSLEGESOtIRIFT
'.DeutscheKl,: .■:.· 12g-17/34
Nummer: 1242192 ., ,■
Aktenzeichen: S 67707IV c/12 g
Ahrneldetag: .;':' 24. März I960::
Äuslegetag: 15. Juni 1967
Es ist bekannt, eine pulverisierte Silicium-Bor-Legierung
am Boden einer Aussparung in dem einen Teil einer Hilfsform anzuordnen, über dieser in die
Aussparung reines Zinn einzupressen, dessen über
den Rand der Form heraustretenden Überschuß bis
in die durch den Rand der Hilfsform bestimmte Ebene abzutragen bzw. abzuschneiden, auf dieser
Ebene :eirie zu dotierende Siliciumplatte innerhalb
eines über den Rand des ersten HilfsformenteÜes "aufgeschobenen
zweiten Hilfsformenteil festzuspannen und die Siliciüm-Bor-Legierung in einer inerten Gasatmosphäre
in einem Ofen mit dem Zinn und dem Silicium:zu'legieren, wobei die Platte einen Weg von
10 Minuten bis" zum'Erreichen der heißesten Zone, ■
von 3 Minuten durchr diese Zone hindurch, von
M) Minuten für die Wiederverfestigung des Legierungsmaterials
durch den anschließenden Ofenteil bis zum Austritt aus demselben zurücklegte und schließlich
noch einem Abkühlungsprozeß während einer :.;■
Zeitdauer von 10 Minuten unterworfen wurde.
Bei diesem'"bekannten: Verfahren' wird also das
schmelzflüssige: Material durch Schmelzen von Zinn
erzeugt, welches isi'Chi Ut Kontakt mit: ,dem'ISiliciümkörper
und der Borlegierung befindet.
Es ist weiterhin bekannt, eine Zinn-Silicium-Bor-Legierung
aus Zinn und der Silicium-Bor-Legierung herzustellen und dann die Zinn-Silicium-Bor-Legierung
entweder in Kontakt mit dem Siliciumhalbleiterkörper zu schmelzen oder getrennt zu schmelzen
und dann in geschmolzenem Zustand auf den Halbleiterkörper aufzubringen.
Zinn dient in jedem Falle als Trägersubstanz.
Nach einem anderen bekannten Verfahren zum Herstellen von pn-Übergängen in einem Siliciumkörper
wurden Bor und Aluminium als Akzeptorstörstellenstoffe gemeinsam in einer Legierung benutzt,
welche ferner ein Lösungsmetall enthalten konnte, um unterstützend in der Lösung des Werkstoffes
der Halbleiterplatte zu wirken, welcher an das auf die Halbleitertablette aufgebrachte Elektrodenmaterial
angrenzt, wobei als Beispiel für ein solches geeignetes Lösungsmetall Wismut angegeben war.
Ziel war die Schaffung einer wiederauskristallisierten, Bor und Aluminium enthaltenden Zone, wobei die
Zahl der in dieser vorhandenen Boratome im wesentliehen gleich der Segregationskonstante von Bor in
Silicium mal der Konzentration von Bor in der flüssigen Lösung war, wenn diese Segregationskonstante
definiert ist als das Verhältnis der Konzentration von Boratomen in der festen Lösung aus Silicium und
Bor, zu der Konzentration von Boratomen in der flüssigen Lösung aus Bor, Aluminium und Silicium.
Verfahren zum Dotieren eines Halbleitefkörpers
Anmelder: ...v. ; ·
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München;
Erlangen, Werner-yon-Siemens-Str. 50 · ■ .
Als Erfinder benannt: :.-.,. , / i
Dipl.-Ing. Udo Lob," München --
: Bei diesem Verfahren bildete also in dem aufgei brachten Elektrodenmaterial !entweder Aluriimiuffl
den Trägerstoff für das Bor öder das Wismut dein
Träg"erstdff für Aluminium; und Bor." ::':■ ? :' ^
: : Wismut und Aluminium' ebenso wie-Zinn sind aber
unedle Metalle. ,Sie; ergeben: daher :bei. Durchführung
eines; :sölchenJEinlegierühgsveTfahrens:izurr'Erzeaguncg
von Dotierungsbereichen mit großflächigen Übergängen zu einem Nachbarbereich im Halbleiterkörper,
insbesondere zur Erzeugung von pn-Ubergängen, Schwierigkeiten zufolge der Oxydhäute, welche sich
an den Oberflächen dieser Metalle bilden und daher eine einwandfreie, gleichmäßige Benetzung der Oberfläche
des Halbleiterkörpers, von welcher aus einlegiert werden soll, bei der Einleitung dieses Legierungsprozesses
behindern.
Wird Zinn als Trägersubstanz benutzt, so liegt der Schmelzpunkt einer solchen Zinnlegierung außerdem
derart niedrig, daß bei der Benutzung eines Verfahrens zum Herstellen von Hochleistungsflächengleichrichtern
mit einem Halbleiterkörper aus Silicium die sonst an sich mit Rücksicht auf das Silicium zulässige Betriebstemperatur bereits sehr
nahe der Temperatur des Schmelzbereiches der Legierung zu liegen kommt und ein solcher Gleichrichter
bzw. eine solche Halbleiteranordnung mit pn-übergang dann sehr leicht thermisch gefährdet ist oder aus
thermischen Gründen betriebsmäßig nicht ausgelastet werden kann.
Bei einem Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers mit Bor als Dotierungsstoff durch Einlegieren
oder Einlegieren und Eindiffundieren einer ternären Borlegierung, die aus einer binären, Bor
und Germanium, Silicium oder Aluminium enthaltenden Legierung und einer Trägersubstanz hergestellt
wird, kann die Trägersubstanz mindestens bei den Vi .} ','C-A'i'i CStf
709 590/287
für eine Einlegierung benutzten Behandlungstemperaturen keine stabilen Oxyde bilden, und es können
sich daher auch keine Benetzungsschwierigkeiten ergeben, wenn erfindungsgemäß als Trägersubstanz ein
Edelmetall verwendet wird.
Vorzugsweise werden Gold oder Silber als Trägersubstanz verwendet. .
Der Halbleiterkörper kann dabei aus Germanium oder Silicium bestehen und bereits eine Ausgangsdotierung
vom p- oder n-Leitungstyp besitzen. Die Halbleiteranordnung kann ein Flächengleichrichter,
ein Flächentransistor oder ein Halbleiterstromtor sein.
Damit ergeben sich glatte Fronten an den Grenzflächen
bzw. Übergängen zwischen den verschiedenen Dotierungsbereichen des Halbleiterkörpers, insbesondere
an dem pn-übergang bzw. den pn-Übergähgen im Halbleiterkörper. Außerdem sind solche
Trägerstofle aus Edelmetall gegenüber Ätzmittellösungen, wie sie im Verlaufe der Fertigung von
Halbleiterelementen für deren Ätzung zur Anwendung kommen, beständiger und lassen daher den
sonst für vorübergehende . Abdeckungen erforderlichen Aufwand einsparen und vermeiden eine unerwünschte
Verunreinigung des Ätzmittels.
Gold und Silber bilden in dem Halbleiterkörper
auch keine unerwünschten Störstellen, auf keinen Fall jedoch solche, die das Halbleitermaterial entgegengesetzt
zur Wirkung des Bors dotieren würden.
Gold und Silber sind schließlich Trägerstoffe, welche für die binäre Legierung aus Bor einerseits
und Silicium, Germanium oder Aluminium andererseits ein gutes Lösungsmittel für die Erzeugung einer
homogenen Legierung ternären Charakters liefern, so daß eine gleichmäßige Verteilung des Bors in der
dotierten Zone des Halbleitermaterials gewährleistet ist und ein solcher Halbleiterkörper bzw. ein solches
Halbleiterelement bei seinem praktischen Einsatz dann über die gesamte Flächenausdehnung des Überganges
vom bordotierten Bereich zum Nachbarbereich gleichmäßig elektrisch und damit auch thermisch
belastet wird.
Aus einer solchen ternären Legierung lassen sich auch sehr leicht Folien walzen, die in entsprechenden
Anteilen von gleichmäßiger Dicke auf,den entsprechenden Oberflächenteil des Halbleiterkörpers
aufgebracht werden können, von welcher aus einlegiert werden soll.
Das aus der ternären Legierung bestehende Elektrodenmaterial
kann auf die entsprechende Halbleiterkörperoberfläche aber auch in einer anderen als der
Folienform aufgebracht werden, z. B. durch einen Metallspritzprozeß.
Gold als Trägersubstanz der binären Legierung
kann z. B. bei etwa 600 bis 800° C, Silber bei etwa bis 900° C in Silicium einlegiert werden.
Claims (3)
1. Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkörpers mit Bor als Dotierungsstoff durch Einlegieren
oder Einlegieren und Eindiffundieren einer ternären Borlegierung, die aus einer binären,
Bor und Germanium, Silicium oder Aluminium enthaltenden Legierung und einer Trägersubstanz
hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß als Trägersubstanz ein Edelmetall verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-*
kennzeichnet, daß Gold oder Silber als Trägersubstanz verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine ternäre Legierung verwendet wird, die aus 98,9% Gold, 1% Silicium
und 0,1 %ηΒογ besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 794 674;
USA.-Patentschrift Nr. 2 829 999.
Britische Patentschrift Nr. 794 674;
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709 590/287 6.67 © Bundesdruckerei Berlin
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- 1961-01-10 CH CH29961A patent/CH390399A/de unknown
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GB794674A (en) * | 1954-08-31 | 1958-05-07 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to methods of forming a junction in a semiconductor |
US2829999A (en) * | 1956-03-30 | 1958-04-08 | Hughes Aircraft Co | Fused junction silicon semiconductor device |
Also Published As
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CH390399A (de) | 1965-04-15 |
GB914293A (en) | 1963-01-02 |
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