DE1232614B - Halbleiterkippschaltung als Ersatz fuer ein Thyratron - Google Patents
Halbleiterkippschaltung als Ersatz fuer ein ThyratronInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
H03k
Deutsche Kl.: 21 al -36/18
Nummer: 1232 614
Aktenzeichen: G 41811 VIII a/21 al
Anmeldetag: 19. Oktober 1964
Auslegetag: 19. Januar 1967
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron.
In der vorliegenden Erfindung wird ein mit drei Elektroden ausgestattetes Halbleiterschaltelement,
beispielsweise eine steuerbare Siliciumzelle, benutzt. Steuerbare Halbleitergleichrichter haben Anode,
Kathode und Steuerelektrode. In gleicher Weise wie beim Thyratron wird die Anode und Kathode als
Hauptstrompfad benutzt, so daß durch das Halbleiterelement von Anode zu Kathode der Strom fließt.
In gleicherweise wie beim Thyratron wird der steuerbare Halbleitergleichrichter über eine Steuerelektrode
mittels eines Steuersignals geschaltet, und zwar von einem Zustand hoher in einen Zustand niedriger
Impedanz.
Auf Grund der Gleichartigkeit der Wirkungsweise wird der steuerbare Halbleitergleichrichter oft als das
Festkörperthyratron bezeichnet, weil auch die analogen Funktionen durch beide Elemente hervorgerufen
werden können. Jedoch ist der direkte Ersatz eines Thyratrons durch einen steuerbaren Halbleitergleichrichter
nicht ohne außergewöhnliche Schaltungsänderungen möglich.
Während das Gitter des Thyratrons einen sehr hohen Eingangswiderstand aufweist und ein niedriges
Leistungssignal zur Zündung benutzt werden kann, zeigt der Steuerelektrodeneingangswiderstand der
steuerbaren Halbleitergleichrichteranordnung einen relativ niedrigen Wert, der ein bedeutend höheres
Steuersignal zur Zündung erforderlich macht.
Wegen dieses Unterschiedes in der Eingangscharakteristik der beiden Anordnungen konnte ursprünglich
der steuerbare Halbleitergleichrichter nicht ohne weiteres als direkter Ersatz für das Thyratron benutzt
werden. Die vorliegende Erfindung ermöglicht jetzt den direkten Ersatz eines Thyratrons durch eine
Halbleiterkippschaltung. Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterkippschaltung mit den gleichen
elektrischen Eigenschaften wie ein Thyratron.
Diese Vorteile werden erzielt in einer erfindungsgemäßen Anordnung, die einen Transistor für
niedrige Leistung aufweist, der einen Eingangswiderstand der Größenordnung wie bei einem Thyratron
zeigt, und zur Steuerung eines steuerbaren Halbleitergleichrichters, der einen relativ niedrigen Eingangswiderstand
hat, dient. In dieser Weise wächst die Stromempfindlichkeit des steuerbaren Halbleitergleichrichters
nahezu auf die Empfindlichkeit eines Thyratrons. Der Transistor, der steuerbare Halbleitergleichrichter
und die entsprechend notwendigen Schaltungsbauelemente sind in einem Gehäuse, das
mit äußeren Anschlüssen versehen ist, eingebaut.
Halbleiterkippschaltung als Ersatz
für ein Thyratron
für ein Thyratron
Anmelder:
General Electric Company, New York, N. Y.
(V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Reuther, Patentanwalt,
Frankfurt/M. 70, Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Tage Peter Sylvan, Liverpool, N. Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 18. Oktober 1963 (317 274)
Dieses Gehäuse kann in gleicher Weise ausgeführt sein wie die Röhre eines Thyratrons.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron und besteht darin, daß
sie einen steuerbaren Halbleitergleichrichter mit einer gegenüber einem Thyratron geringen und einen Transistor
mit einer gegenüber dem steuerbaren HaIbleitergleichrichter hohen Eingangsimpedanz enthält,
daß der Transistor zusammen mit einem Reihenwiderstand parallel zur Anode und Kathode des
steuerbaren Halbleitergleichrichters geschaltet und die Emitter- oder Kollektorelektrode des Transistors
direkt mit der Steuerelektrode des steuerbaren Halbleitergleichrichters elektrisch verbunden ist und daß
die Anode des steuerbaren Halbleitergleichrichters, die Kathode des steuerbaren Halbleitergleichrichters
und die Basiselektrode des Transistors einzeln mit je einem von drei Außenanschlüssen elektrisch verbunden
sind.
An Hand der in den Fig. 1 bis 5 dargestellten Ausführungsbeispiele wird die erfindungsgemäße Anordnung
in ihrem Aufbau und in ihrer Wirkungsweise beschrieben. In
F i g. 1 ist ein Aufriß der Konstruktion, in
Fig.2 in schematischer Form das Schaltbild der Halbleiterkippschaltung, und in
Fig.2 in schematischer Form das Schaltbild der Halbleiterkippschaltung, und in
F i g. 3 bis 5 sind in schematischer Ausführung Ausführungsbeispiele dargestellt.
In F i g. 1 ist im besonderen der mechanische Aufbau eines Gerätes mit einer Halbleiterkippschaltung
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gezeigt, der geeignet ist, direkt als Ersatz eines Thyra- baren Halbleitergleichrichters SCR1 verbundene KoI-trons
eingesetzt zu werden. Die Anordnung selbst lektor 13 des Transistors T1 liegt am Kathodenbesteht
aus einem steuerbaren Halbleitergleichrichter anschluß 6. Die Basiselektrode 14 des Transistors T1
SCR1, der durch einen normalen pnp-Transistor T1 ist über den Widerstand R2 an den Steuerelektrodenmit
einer Eingangsimpedanz der Größenordnung der 5 anschluß 7 der gesamten Anordnung geschaltet. Zwi-Gittereingangsimpedanz
des Thyratrons gesteuert sehen der Basiselektrode 14 und der Emitterelektrode
wird. Der steuerbare Halbleitergleichrichter SCR1 12 des Transistros T1 ist eine Diode D1 gelegt, um
und der Transistor T1 sind in das Gehäuse 1 eingebaut die Sperrspannung an der Basis des Transistors f estmit
den entsprechenden Schaltungsbauelementen, zuhalten. Die Diode D1 ist dann unnötig, wenn die
wobei die Verbindung vorteilhaft durch eine ge- ίο maximal auftretende Eingangsspannung zwischen
druckte Schaltungsplatte 2 durchgeführt wird. Diese dem Anodenanschluß 8 und dem Steuerelektrodea*-
gedruckte Schaltungsplatte 2 wird in dem Röhren- anschluß 7 die Emitterbasisdurchbruchsspannung des
kanal durch das Halteglied 3 gehaltert. Das Ge- Transistors T1 nicht überschreitet,
häuse 1 ist mit einem Grundteil 4 und einem Deck- Die Halbleiterkippschaltung wirkt in der Weise,
teil 5, der das Halteglied 3 aufnimmt, gebildet. Die 15 daß ein positives Signal, wie es normalerweise zur
elektrischen Anschlüsse 6 und 7 sind durch das Zündung von Thyratronen benutzt wird, am Steuer-Grundteil
4 hindurchgeführt, in das Innere des Ge- elektrodenanschluß 7 angelegt, die Zündung des
häuses 1, und mit dem Transistor T1 elektrisch ver- steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 verursacht
bunden sowie direkt zur Kathode und Steuerelek- Ist die Spannung am Steuerelektrodenanschluß 7 in
trode geführt. Ein Anodenanschluß ist auf der ent- 20 bezug auf den Kathodenanschluß 6 genügend negativ,
gegengesetzten Seite der Gehäuseanordnung mit der ist Transistor T1 in Sättigung, und der Strom fließt
Verbindung 8, die auf den abschließenden Teil 5 durch den Widerstand A1 über den Transistor zum
aufgesetzt ist, gegeben. Von diesem Anschluß 8 wird Kathodenanschluß 6. Auf diese Weise wird der Strom
eine elektrische Verbindung zur Anode des Steuer- von der Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleibaren Halbleitergleichrichters SCR1 hergestellt, so 25 tergleichrichters SCR1 abgehalten, und dieses EIedaß
der Anodenanschluß 8 direkt dem Anodenan- ment verbleibt in seinem Zustand hoher Impedanz.
Schluß des Thyratrons entspricht. Der Grundteil 4 Dieser Zustand bleibt so lange erhalten, solange die
enthält die Verbindungsdurchführungen wie bei der Sättigungsspannung des Transistors unter dem Mini-Thyratronröhre,
so daß der Anschluß nach außen mum des Steuerelektrodenzündstroms der steuergewährleistet
ist. 30 baren Siliciumzelle SCR1 liegt. Wächst die Spannung
Eine solche kompakte vollständige Anordnung auf dem Steuerelektrodenanschluß 7 an, so wird der
wird in ein herkömmliches Thyratrongehäuse ein- Basisstrom des Transistors T1 vermindert, und der
gepaßt und kann als direkter Ersatz für ein Thyratron Transistor kommt aus seinem Sättigungszustand, wo-
dienen. Das gezeigte Ausführungsbeispiel, bei dem bei ein Strom durch den Widerstand R1 zur Steuer-
die Anodenkappe als Anodenanschluß verwendet 35 elektrode 11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters
wird, ist besonders geeignet für relativ hohe Span- SCR1 fließt und der steuerbare Halbleitergleichrichter
nungen. In anderen Anordnungsfällen, beispielsweise in seinen niederohmigen Zustand übergeführt wird,
bei Thyratronen für niedrige Spannungen, ist der Der Wert des Widerstandes R1 wird so gewählt, daß
Anodenanschluß vom Grundteil der Anordnung in der zum Zünden des steuerbaren Halbleitergleichrich-
gleicher Entfernung wie der Steuerelektroden- und 40 ters SCR1 erforderliche Steuerstrom bei einer mög-
der Kathodenanschluß. liehst geringen Spannung zwischen Anode und
In F i g. 2 wird eine schaltungstechnische Ausfüh- Kathode des Halbleitergleichrichters fließen kann,
rung einer solchen Anordnung gezeigt, die als direk- Wird die Spannung am Steuerelektrodenanschluß 7
ter Ersatz für ein Thyratron in das Gehäuse eingebaut positiver als die Spannung am Kathodenanschluß 6,
werden kann. Für gleiche Elemente sind in beiden 45 so wird der Emitter 12 des Transistors T1 in Sperrich-Figuren
die gleichen Bezugszeichen benutzt. Der tung beaufschlagt, und der Transistor wird damit
steuerbare Halbleitergleichrichter SCR1 ist ein Gleich- vollständig ausgeschaltet, so daß der gesamte Strom
richter mit äquivalentem Leistungsverhalten wie das über den Widerstand R1 zur Steuerelektrode 11 des
zu ersetzende Thyratron. Die Kathode 9 und die steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 fließt.
Anode 10 des steuerbaren Halbleitergleichrichters 50 Daraus ergibt sich, daß der Halbleiterschalter nach
SCR1 sind, wie für Fig. 1 beschrieben, mit dem Fig.2 durch ein niedriges positives Signal gezündet
Kathodenanschluß 6 und dem Anodenanschluß 8 werden kann, so wie es zur Zündung eines Thyratrons
verbunden. Der Pfeil im Symbol für den steuerbaren benutzt wird, und daß die Schaltung nach F i g. 2 als
Halbleitergleichrichter SCR1 und für die Diode zei- ein direkter Ersatz für ein Thyratron benutzt werden
gen in Durchlaßrichtung des jeweiligen Elementes. 55 kann.
Der normale Stromfluß durch den steuerbaren Halb- Die notwendige Spannung an der Steuerelekleitergleichrichter
SCR1 ist demnach vom Anoden- trode 7, die zur Zündung des steuerbaren Halbleiteranschluß
8 zum Kathodenanschluß 6 gerichtet. gleichrichters SCR1 dient, entspricht einer Funktion
Die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter- der Anodenspannung und der Stromverstärkung des
gleichrichters SCR1 ist an den Emitter 12 eines pnp- 60 Transistors, und zwar in Übereinstimmung mit der
Transistors T1 geschaltet. Dieser Transistor ist jeweils Gleichung:
so ausgewählt, daß seine Empfindlichkeit und seine η I V \
Eingangsimpedanz näherungsweise den Eigenschaften Vgf = —— (—— Igf) . (1)
eines Thyratrons entsprechen. Der Emitter 12 des "fe \ Ri I
Transistors T1 ist über einen geeigneten Strombegren- 65
zungswiderstand R1 an die Anode 8 des steuerbaren In dieser Gleichung bedeutet VGP die Spannung
Halbleitergleichrichters und damit an den Anodenan- zwischen Steuerelektrodenanschluß 7 und Kathodenschluß
geschaltet. Der mit der Kathode 10 des Steuer- anschluß 6, bei welcher der steuerbare Halbleiter-
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gleichrichter SCR1 gezündet wird. /<#.■ ist der Steuer- lieh durch den Einsatz eines npn-Transistors an Stelle
elektrodenstrom, der zum Zünden des steuerbaren eines pup-Transistors T1. Die Wirkung ist dabei so,
Halbleitergleichrichters SCR1 erforderlich ist. VAC ist daß ein positives Signal, wie es zur Zündung der zu
die momentane Anoden-Kathoden-Spannung, die zur ersetzenden Thyratrone benutzt wird, am Gitteran-Zündung
des steuerbaren Halbleitergleichrichters 5 Schluß 7 angelegt, die Zündung des steuerbaren HaIb-SCi?3
notwendig ist, und hPE ist die Stromverstärkung leitergleichrichters SCR1 bewirkt. Liegt ein solches
des Transistors. Es ist natürlich möglich, das Gerät Signal am Steuerelektrodenanschluß 7 nicht vor, dann
nach F i g. 2 unabhängig von der Anodenspannung zu ist der Transistor T2 ausgeschaltet. Das Anlegen
machen, indem eine Zenerdiode zwischen einen Mit- eines positiven Signals am Steuerelektrodenantelabgriff
des Widerstandes JR1 und den Kathoden- io schluß 7 bewirkt die Überführung des Transistors T2
abschluß 6 geschaltet wird, um eine Bezugsspannung in den leitenden Zustand, wobei ein positiver Impuls
über den Transistor T1 herzustellen. Außerdem ist in der Lastimpedanz A4 entsteht, der wiederum an
gezeigt, daß der Transistor T1 nur eine sehr geringe die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter-Spannung
braucht, wenn die maximale Spannung gleichrichters SCR1 gelangt und dort die Einschalüber
dem Transistor auf einem niedrigen Niveau 15 tung des steuerbaren Halbleitergleichrichters in seigehalten
wird. nen niederohmigen Zustand hervorruft.
Eine solche erfindungsgemäße Halbleiterkippschal- In F i g. 4 ist eine Halbleiterkippschaltung gezeigt,
tung dient als direkter Ersatz für ein Thyratron, bei wie sie bereits gemäß F i g. 2 beschrieben wurde,
dem die unerwünschten Eigenschaften eines Thyra- wobei jedoch ein npn-Transistor benutzt wird an
trons in Wegfall kommen, wie beispielsweise die für 20 Stelle eines pnp-Transistors. Die Schaltung in F i g. 4
die Heizung erforderliche Leistung, die Zerbrechlich- wird dadurch gesteuert, daß ein negatives Signal am
keit und der relativ hohe Durchlaßspannungsabfall. Steuerelektrodenanschluß 7 angelegt wird, im Gegen-
Die erfindungsgemäße Schaltung ergibt einen viel satz zur Schaltung nach F i g. 2, die durch ein posi-
größeren Wirkungsgrad und weist eine größere Le- tives Signal gesteuert wird. Ein negatives Signal kann
bensdauer als ein äquivalentes Thyratron auf. 25 jedoch zur Aussteuerung eines Thyratrons nicht
In den F i g. 3 bis 5 sind Weiterbildungen der erfin- benutzt werden, so daß die erfindungsgemäße Schaldungsgemäßen
Anordnung gezeigt, die in Wirkung tung in dieser Hinsicht eine Erweiterung des Anwen-
und Funktion mit der Anordnung in F i g. 2 überein- dungsbereiches zuläßt. Die Steuerelektrode 11 des
stimmen. In diesen Fig.3 bis 5 sind die den in steuerbaren Halbleitergleichrichters SCjR1 wird am
F i g. 2 entsprechenden Bauelemente mit den gleichen 30 Kollektor 18 des npn-Transistors T3 angeschlossen.
Bezugszeichen belegt. Der Kollektor des Transistors T3 ist über einen geeig-
In F i g. 3 ist eine schematische Darstellung gezeigt, neten Strombegrenzungswiderstand R5 an den Anoin
der ein steuerbarer Halbleitergleichrichter SCR1 denanschluß 8 geschaltet, während der Emitter 19
mit den notwendigen Schaltungszusätzen als Ersatz des Transistors T3 am Kathodenanschluß 6 liegt. Die
eines Thyratrons dient. Die Anode 9 und die Kathode 35 Basis 20 des Transistors T3 ist über einen Wider-10
des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 sind stand R2 in der bereits unter Bezugnahme auf F i g. 2
zum Anodenanschluß 8 und zum Kathodenan- beschriebenen Weise an den Steuerelektrodenanschluß
6 geführt, wie bereits in F i g. 2 beschrieben. schluß 7 geschaltet.
Die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbleiter- Zwischen den Anodenanschluß 8 und die Basisgleichrichters
SCjR1 ist mit dem Emitter 15 des npn- 40 elektrode des Transistors T3 ist ein Widerstand R6
Transistors T2 zusammengeschaltet. Der Transistor geschaltet, der dafür sorgt, daß bei Fehlen eines Einist
so gewählt, wie bereits in bezug auf Fig.2 be- gangssignals am Steuerelektrodenanschluß 7 der
schrieben, daß seine Empfindlichkeit und seine Ein- Transistor T3 in Sättigung gehalten wird. Eine Diode
gangsimpedanz denen des zu ersetzenden Thyratrons D5 wird zwischen die Basis 20 und den Emitter 19
entsprechen. Der Transistor T2 wird als Emitterstufe 45 des Transistors T5 geschaltet, um eine Sperrspanverwendet,
wobei der Kollektor 16 an dem Anoden- nungsbeanspruchung des Transistors vom Emitter zur
anschluß 8 über einen entsprechenden Strombegren- Basis zu verhindern.
Zungswiderstand R3 gelegt ist. Die Wirkungsweise der in F i g. 4 gezeigten Schal-
Zungswiderstand R3 gelegt ist. Die Wirkungsweise der in F i g. 4 gezeigten Schal-
Der Emitter 15 ist mit der Steuerelektrode 11 des tung ist gleich der in F i g. 2 gezeigten und untersteuerbaren Halbleitergleichrichters SCjR1 und über 50 scheidet sich lediglich durch die Verwendung eines
einen Widerstand i?4 mit der Kathode 10 des Steuer- negativen Signals zur Steuerung. Bei Fehlen eines
baren Halbleitergleichrichters SCR, verbunden. Die solchen negativen Steuerimpulses an der Steuerelek-Basis
17 des Transistors T2 wird über einen Wider- trode 7 ist der Transistor T3 gesättigt und überbrückt
stand R2 an den Steuerelektrodenanschluß 7 der Ge- damit die Steuerelektrode 11 des steuerbaren Halbsamtanordnung
gelegt. Zwischen den Emitter 15 und 55 leitergleichrichters SCR1. Wird ein negatives Signal
die Basis 17 ist eine Diode D2 geschaltet, die zum an die Steuerelektrode 7 angelegt, so wird der Tran-Schutze
des Transistors dient und eine Sperrspan- sistor T3 ausgeschaltet und dadurch der Stromfluß
nungsbeanspruchung zwischen Emitter und Basis durch den Widerstand R5 zur Steuerelektrode 11 des
nicht zuläßt. Zwei in Reihe geschaltete Dioden D3 steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 bewirkt
und D4 liegen zwischen dem Kollektor 16 des Tran- 60 und dieses Element in seinen niederohmigen Zustand
sistors T2 und dem Kathodenanschluß 6 und dienen übergeführt.
zur Begrenzung der Kollektorspannung. An Stelle der In F i g. 5 ist eine Schaltungsanordnung gezeigt,
Dioden D3 und D4 kann auch eine einzelne Zener- die der in F i g. 3 entspricht, worin ein pnp-Transistor
diode (nicht dargestellt) in Antiparallelschaltung zum benutzt wird, und zwar vorteilhafter als ein npn-Tran-
Transistor T2, d. h. entgegen der Polarität der gezeig- 65 sistor, wie in F i g. 3 beschrieben. Zur Steuerung der
ten Dioden D3 und D4, geschaltet werden. Schaltung nach F i g. 5 wird wieder, wie in bezug
Die in F i g. 3 gezeigte Halbleiterkippschaltung auf F i g. 4 bereits beschrieben, ein negatives Signal
unterscheidet sich von dem in F i g. 2 gezeigten ledig- verwendet, im Gegensatz zu der mit positiver Steue-
rung arbeitenden Schaltung in F i g. 3. Der pnp-Transistor T4 ist in Emitterschaltung angeordnet. Dabei ist
der Kollektor 21 des Transistors T4 an die Steuerelektrode
11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 geschaltet und über einen geeigneten niedrigen
Widerstand R1 an den Kathodenanschluß 6 gelegt. Der Emitter 22 des Transistors T4 wird über einen
geeigneten Strombegrenzungswiderstand R8 an die Anode 8 in der Weise geschaltet, wie bereits unter
Bezug auf die vorangehenden Figuren beschrieben wurde. Die Basis 23 des Transistors T4 ist über einen
Widerstand R2 zum Steuerelektrodenanschluß 7 geführt
und gleichzeitig auch über die Diode D6 zum Emitter 22 geschaltet. Wie bereits unter Bezugnahme
auf die Ausführung in F i g. 3 beschrieben, wird eine Reihenschaltung aus den Dioden D7 und D8 zwischen
den Emitter 22 des Transistors T4 und den Kathodenanschluß
6 der Anordnung zur Begrenzung der Spannung am Transistor geschaltet.
Die Wirkung der Schaltungsanordnung in F i g. 4 ist derjenigen in F i g. 3 gleich, jedoch ist zur Zündung
am pnp-Transistor T4 ein negatives Signal notwendig.
Dieser Transistor wird normalerweise durch ein positives Signal am Steuerelektrodenanschluß 7
ausgeschaltet. Das Anlegen eines negativen Steuerimpulses an die Basis 23 des Transistors T4 bewirkt
die Überführung des Transistors T4 in den leitenden
Zustand. Dadurch wird ein positiver Steuerimpuls im Lastwiderstand R7 erzeugt und der Steuerelektrode
11 des steuerbaren Halbleitergleichrichters SCR1 zugeführt,
wodurch dieses Element in seinen niederohmigen Zustand geschaltet wird.
Claims (9)
1. Halbleiterkippschaltung als Ersatz für ein Thyratron, dadurch gekennzeichnet,
daß sie einen steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR1) mit einer gegenüber einem Thyratron geringen
und einen Transistor (J1) mit einer gegenüber
dem steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR1) hohen Eingangsimpedanz enthält, daß der
Transistor (T1) zusammen mit einem Reihenwiderstand
(R1) parallel zur Anode (9) und Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters
(SCR1) geschaltet und die Emitter- oder Kollektorelektrode (12, 13) des Transistors (T1)
direkt mit der Steuerelektrode (11) des steuerbaren Halbleitergleichrichters elektrisch verbunden
ist und daß die Anode (9) des steuerbaren Halbleitergleichrichters, die Kathode (10) des
steuerbaren Halbleitergleichrichters und die Basiselektrode (14) des Transistors (T1) einzeln
mit je einem von drei Außenanschlüssen (8, 6, 7) elektrisch verbunden sind.
2. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie in ein Gehäuse
(1), vorzugsweise in Form einer Thyratronröhre, eingebaut ist, das mindestens drei Außenanschlüsse
(6, 7, 8) aufweist.
3. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor
(T1) ein pnp-Transistor ist, dessen Emitterelektrode
(12) über einen Widerstand (U1) mit der Anode (9) und dessen Kollektorelektrode (13)
mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR1) verbunden ist.
4. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (!F1)
beim Anlegen eines positiven Signals an die Basiselektrode (14) vom leitenden in den nichtleitenden
Zustand übergeht und dabei den steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR1) zündet.
5. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Transistor ein pnp-Transistor (T4) ist, dessen Emitterelektrode (22) über einen Widerstand (i?8)
an die Anode (9) und dessen Kollektorelektrode (21) einmal direkt mit der Steuerelektrode (11)
und zum anderen über einen weiteren Widerstand (R1) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters
(SCR1) verbunden ist.
6. Halbleiterkippschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistor (T5)
beim Anlegen eines negativen Signals an die Basiselektrode (23) vom nichtleitenden in den
leitenden Zustand übergeht und dabei den steuerbaren Halbleitergleichrichter (SCR1) zündet.
7. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der Transistor ein npn-Transistor (T3) ist, dessen Kollektorelektrode (18) über einen Widerstand
(Rs) mit der Anode (9) und dessen Emitterelektrode
(19) mit der Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR1) verbunden ist.
8. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Transistor ein npn-Transistor (T2) ist, dessen Kollektorelektrode
(16) über einen Widerstand (Rs) mit der Anode (9) und dessen Emitterelektrode
(15) über einen weiteren Widerstand (R4) mit der
Kathode (10) des steuerbaren Halbleitergleichrichters (SCR1) verbunden ist.
9. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß
parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Transistors (T1 bzw. T2 bzw. T3 bzw. T4) eine Diode (D1 bzw.
D2 bzw. D5 bzw. D6) liegt.
"10. Halbleiterkippschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß
parallel zur Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors (T2 bzw. T4) eine Diodenschaltung, vorzugsweise'aus
einer oder mehreren Zenerdioden (D3, D4 bzw. D7, D3) liegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609 758 271 1.67 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
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-
1964
- 1964-10-16 FR FR991701A patent/FR1413314A/fr not_active Expired
- 1964-10-19 DE DEG41811A patent/DE1232614B/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1413314A (fr) | 1965-10-08 |
US3371227A (en) | 1968-02-27 |
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