DE1221075B - Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang - Google Patents
Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergangInfo
- Publication number
- DE1221075B DE1221075B DES49165A DES0049165A DE1221075B DE 1221075 B DE1221075 B DE 1221075B DE S49165 A DES49165 A DE S49165A DE S0049165 A DES0049165 A DE S0049165A DE 1221075 B DE1221075 B DE 1221075B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor element
- arrangement
- surface treatment
- electrolytic surface
- transition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/12—Etching of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
- C25F3/30—Polishing of semiconducting materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
C23b
Deutsche Kl.: 48 a - 3/04
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1221075
S49165VIb/48a
22.Juni 1956
14. Juli 1966
S49165VIb/48a
22.Juni 1956
14. Juli 1966
Gegenstand des Patentes 1160 547 ist unter anderem eine Anordnung zur elektrolytischen Oberflächenbehandlung
eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit
pn-übergang, insbesondere eines scheibenförmigen Silizium-Gleichrichterelementes, das ruhend als bipolare
Elektrode an einer im Elektrolysebad quer zur Stromrichtung angeordneten Isolierblende derart
gehaltert ist, daß es die Blendenöffnung im wesentlichen abdeckt. Mit Hilfe dieser Anordnung können
beispielsweise solche Gleichrichterelemente, bei denen eine Donatorsubstanz enthaltende Kontaktelektrode
in eine Flachseite einer einkristallinen Siliziumscheibe, deren gegenüberliegende Seite von
einer Akzeptorstörstellen enthaltenden Legierungselektrode und einer Molybdänscheibe bedeckt ist,
einlegiert ist, in bipolarer Anordnung elektrolytisch behandelt werden, wie im Hauptpatent beschrieben.
Damit auch Gleichrichterelemente mit umgekehrter Durchlaßrichtung in gleicher Weise behandelt wer- ao
den können, ist erfindungsgemäß die Blendenöffnung von einem isolierenden Abstandstück kragenförmig
umgeben.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der so verbesserten Anordnung dargestellt. In ein säurefestes
Gefäß G, z. B. aus Polystyrol, in welchem sich der Elektrolyt, vorzugsweise eine etwa 4%ige Flußsäurelösung
HF/H2O, befindet, tauchen zwei Platinelektroden
Pt, die mit der angegebenen Polung an eine Spannungsquelle Q angeschlossen werden. Da
hier der stromleitende Querschnitt des Elektrolysebades viel größer ist als die Fläche der Halbleiterscheibe,
so ist es in diesem Fall notwendig, den stromleitenden Querschnitt.des Elektrolysebades an
der Stelle, an der sich das Halbleiterelement befindet, einzuengen. Deshalb steckt zwischen den Elektroden
Pi eine isolierende Trennwand W, die beispielsweise
ebenfalls aus Polystyrol bestehen kann. Diese Trennwand hat eine kreisrunde Öffnung, welche
durch das eingesetzte Halbleiterelement H abgedeckt wird. Die Trennwand W bildet also mit ihrer Öffnung
gewissermaßen eine isolierende Blende. Wenn diese Blende nicht bis an die Seitenwandungen und
bis auf den Boden des Elektrolysebades reicht, so fließen um sie herum Leckströme, welche einen unnötigen
Verlust darstellen. Deshalb ist es vorteilhaft, die Trennwand W so groß zu machen, daß sie den
ganzen Badquerschnitt außerhalb ihrer Öffnung ausfüllt. Zum Auswechseln des Gleichrichters kann die
Trennwand W aus dem Gefäß G herausgezogen werden. Die Blendenöffnung wird vorteilhaft kleiner
gemacht als die ihr zugekehrte Fläche des Halbleiter-Anordnung zur elektrolytischen
Oberflächenbehandlung eines im wesentlichen
einkristallinen, metallisch kontaktierten
Halbleiterelementes mit pn-übergang
Oberflächenbehandlung eines im wesentlichen
einkristallinen, metallisch kontaktierten
Halbleiterelementes mit pn-übergang
Zusatz zum Patent: 1160 547
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Norbert Schink,
Erlangen
körpers. Auf diese Weise wird eine besonders einfache und leicht lösbare Befestigung des Halbleiterelementes
durch Festklemmen ermöglicht. Das Halbleiterelement H besteht aus einer kreisrunden p-leitenden
Siliziumscheibe Si mit beispielsweise durch ein Legierungsverfahren aufgebrachten Kontaktelektroden.
Eine Aluminiumelektrode^/ bedeckt nur einen verhältnismäßig kleinen Teil in der Mitte der
Siliziumscheibe Si. Die andere Seite ist von einer Gold-Antimon-Elektrode AuISb vollständig bedeckt.
Diese Elektrode greift auch noch um den äußeren Rand der Siliziumscheibe herum. Der pn-übergang
ist durch eine gestrichelte Linie angedeutet. Die äußere pn-Grenze befindet sich also bei diesem Halbleiterelement
auf derselben Seite wie die Aluminiumelektrode AI. Ihr Abstand vom Rand der letzteren
ist aber größer als die Länge der direkten Strombahn im Innern des Siliziumkristalls. Dadurch ist dieses
Halbleiterelement weniger empfindlich gegen Überbrückungen der äußeren pn-Grenze.
An einem so gestalteten Halbleiterelement wird das Molybdänblech Mo vorteilhaft auf der Goldseite
angebracht. Beim elektrolytischen Ätzen ist dann allerdings auch das Molybdänblech dem anodischen
Angriff ausgesetzt, aber die Abtragung einer geringen Oberflächenschicht des Molybdänbleches bringt
; 609 589/272
keinen praktischen Nachteil mit sich, weil dieses Blech verhältnismäßig dick ist.' -'
Die andere Seite der Siliziumscheibe Si ist durch das ringförmige Abstandstück R, welches die Blendenöffnung
kragenförmig umgibt und aus dem gleichen Material bestehen kann TOe die Trennwand W
und die Wände des Gefäßes G, in zwei konzentrische Flächenbereiche unterteilt. Die äußere Ringfläche,
welche die äußere pn-Grenze enthält, ist dem anodischen Angriff ausgesetzt und wird durch Abtragung
gereinigt. Die innere Fläche dagegen, auf welcher sich der Aluminiumkontakt Al befindet,
wirkt kathodisch, so daß der Aluminiumkontakt beim Stromdurchgang unverändert bleibt.
Da das Gleichrichterelement Η hur in der Riehtung
des eingetragenen Pfeiles -stromdurehlässig ist,
kann Q auch eine Wechselspannungsquelle sein.
Claims (1)
- Patentanspruch:;Anordnung zur elektrolytischen Oberflächenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-übergang, insbesondere eines scheibenförmigen Silizium-Gleichrichterelementes, das ruhend als bipolare Elektrode an einer im Elektrolysebad quer zur Stromrichtung angeordneten Isoüerblende derart gehaltert ist, daß es die Blendenöffnung im wesentlichen abdeckt, nach Patent 1160547, dadurch gekennzeichnet, daß die Blendenöffnung von einem isolierenden Abstandstück (R) umgeben ist.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 753 854, 905 329.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen609 589/272 7.66 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES49165A DE1221075B (de) | 1956-06-16 | 1956-06-22 | Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES49100A DE1160547B (de) | 1956-06-16 | 1956-06-16 | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang |
DES49165A DE1221075B (de) | 1956-06-16 | 1956-06-22 | Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1221075B true DE1221075B (de) | 1966-07-14 |
Family
ID=25995297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES49165A Pending DE1221075B (de) | 1956-06-16 | 1956-06-22 | Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1221075B (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE753854C (de) * | 1938-10-08 | 1953-08-03 | Siemens & Halske A G | Verfahren zur gleichzeitigen elektrolytischen Aufrauhung und/oder Formierung mehrerer Elektroden nach dem Seriensystem |
DE905329C (de) * | 1950-05-24 | 1954-03-01 | Franz Klinke | Verfahren zur Herstellung von Aluminium-Offsetdruckplatten |
-
1956
- 1956-06-22 DE DES49165A patent/DE1221075B/de active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE753854C (de) * | 1938-10-08 | 1953-08-03 | Siemens & Halske A G | Verfahren zur gleichzeitigen elektrolytischen Aufrauhung und/oder Formierung mehrerer Elektroden nach dem Seriensystem |
DE905329C (de) * | 1950-05-24 | 1954-03-01 | Franz Klinke | Verfahren zur Herstellung von Aluminium-Offsetdruckplatten |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1160547B (de) | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang | |
DE1170079B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1221075B (de) | Anordnung zur elektrolytischen Oberflaechenbehandlung eines im wesentlichen einkristallinen, metallisch kontaktierten Halbleiterelementes mit pn-UEbergang | |
DE919303C (de) | Kristallgleichrichter | |
DE2404016A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer gaasfotokathode | |
US2983655A (en) | Treatment of semiconductive bodies | |
DE1172378B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung | |
DE1040134B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergang | |
AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
DE1093910B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung | |
DE1031893B (de) | Verfahren zur aeusseren Formgebung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Gleichrichter- und Verstaerkerzwecke mit Halbleitern aus Germanium oder Silizium | |
DE1105069B (de) | AEtzverfahren eines pn-UEberganges bei der Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
US2246326A (en) | Vapor-electric device | |
DE358699C (de) | Platinanode fuer die Herstellung von aktiven Sauerstoff enthaltenden Laugen oder festen Koerpern | |
US3000797A (en) | Method of selectively plating pn junction devices | |
DE1287400B (de) | ||
DE1143374B (de) | Verfahren zur Abtragung der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls und anschliessenden Kontaktierung | |
DE1951128C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1218621B (de) | Siliziumgleichrichterelement mit einem kreisscheibenfoermigen Siliziumplaettchen | |
DE1206090B (de) | Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors | |
DE1122635B (de) | Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Kontaktierungen auf Halbleiterkoerpern | |
DE1273954B (de) | Verfahren zum galvanischen UEberziehen von p-leitendem Germanium mit Antimon, Blei oder Legierungen dieser Metalle | |
DE1118889B (de) | Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenfoermigen Halbleiterkoerper | |
DE670591C (de) | Elektrischer Gas- oder Dampfentladungsapparat | |
DE1114938B (de) | Verfahren zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer flaechenhafter Halbleiter-anordnungen, insbesondere von Hochfrequenz-Transistoren mit moeglichst duennen Kollektorzonen |