DE1196933B - Process for etching silicon semiconductor bodies - Google Patents

Description

Verfahren zum Ätzen von Silizium-Halbleiterkörpern Die bekannten Ätzverfahren für Silizium-Halbleiterkristalle haben den Nachteil, daß die Oberfläche des Silizumkörpers nach dem Ätzprozeß noch eine zu große Rauhigkeit aufweist. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß bei den bekannten Verfahren die chemische Reaktion zu schnell abläuft, so daß eine Kontrolle des Ätzprozesses erschwert wird.Process for etching silicon semiconductor bodies The known etching processes for silicon semiconductor crystals have the disadvantage that the surface of the silicon body still has too great a roughness after the etching process. Another disadvantage is that in the known methods the chemical reaction is too fast runs, so that a control of the etching process is difficult.

Zur Vermeidung dieser Nachteile wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die Halbleiterkristalle mit einer Perchlorsäure enthaltenden Ätzlösung behandelt werden.To avoid these disadvantages, it is proposed according to the invention that that the semiconductor crystals are treated with an etching solution containing perchloric acid will.

Es empfiehlt sich, als weitere Bestandteile der Ätzlösung Salpetersäure, Flußsäure und Essigsäure zu verwenden. Gute Ergebnisse wurden erzielt mit einer Ätzlösung, die 100 Teile Salpetersäure, 10 Teile Perchlorsäure, 10 Teile Flußsäure und 1.5 Teile Essigsäure enthält. Es hat sich bei diesen Versuchen herausgestellt, daß die Oberfläche des behandelten Siliziumkörpers nach dem Ätzen besonders glatt war.It is recommended to use nitric acid as additional components of the etching solution, Use hydrofluoric acid and acetic acid. Good results have been achieved with a Etching solution containing 100 parts of nitric acid, 10 parts of perchloric acid, 10 parts of hydrofluoric acid and contains 1.5 parts of acetic acid. It has been found in these experiments that the surface of the treated silicon body is particularly smooth after the etching was.

Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Es handelt sich dabei um eine Dickenätzung eines Halbleiterkörpers aus Silizium, bei dem eine Abtragungsgeschwindigkeit von etwa 1 u pro Minute erzielt werden soll. Bei dieser Dickenätzung soll gleichzeitig eine ausgezeichnete Oberflächenqualität des behandelten Siliziumkörpers erreicht werden. Die gestellte Aufgabe wurde mit einer Ätzlösung erzielt, welche folgende Zusammensetzung hatte: 100 ml konz. Salpetersäure (HNO3, 65o/oig) + 10 ml Perchlorsäure (HC104, 70o/oig) -h 14 ml Eisessig (CH3COOH) -f- 10 ml Flußsäure (HF, 40o/oig) Soll eine schnellere Abtragung des Halbleitermaterials erfolgen, so empfiehlt es sich, die Lösung wie folgt abzuändern: 100 ml konz. Salpetersäure (HNO3, 65%ig) -h 15M1 Perchlorsäure (HC104, 60o/oig) -I- 14 ml Eisessig (CH3COOH) -i- 13 ml Flußsäure (HF, 40o/oig) Wie die Ausführungsbeispiele zeigen, läßt sich der Anteil der einzelnen Bestandteile je nach angestrebter Abtragungsgeschwindigkeit und Oberflächenglätte variieren.The invention is to be explained in more detail using an exemplary embodiment. It is a thickness etching of a semiconductor body made of silicon, in which a removal rate of about 1 u per minute is to be achieved. This thickness etching should also have an excellent surface quality of the treated silicon body can be achieved. The given task was with achieved an etching solution, which had the following composition: 100 ml conc. nitric acid (HNO3, 65o / oig) + 10 ml perchloric acid (HC104, 70o / oig) -h 14 ml glacial acetic acid (CH3COOH) -f- 10 ml hydrofluoric acid (HF, 40o / oig) is intended for faster removal of the semiconductor material take place, it is advisable to change the solution as follows: 100 ml conc. nitric acid (HNO3, 65%) -h 15M1 perchloric acid (HC104, 60o / oig) -I- 14 ml glacial acetic acid (CH3COOH) - 13 ml of hydrofluoric acid (HF, 40%) As the examples show, can the proportion of the individual components depending on the desired removal rate and surface smoothness vary.

Claims (3)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Ätzen von Silizium-Halbleiterkristallen,dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer Perchlorsäure enthaltenden Ätzlösung behandelt werden. Claims: 1. Method for etching silicon semiconductor crystals, thereby characterized in that the semiconductor crystals with a perchloric acid containing Etching solution to be treated. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer aus 100 ml 65o/oiger Salpetersäure, 10 ml 70o/oiger Perchlorsäure, 10 ml 40o/oiger Flußsäure und 14 ml Eisessig bestehenden Ätzlösung behandelt werden. 2. The method according to claim 1, characterized in that that the semiconductor crystals with a 100 ml 65o / oiger nitric acid, 10 ml 70% perchloric acid, 10 ml 40% hydrofluoric acid and 14 ml glacial acetic acid Etching solution to be treated. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterkristalle mit einer aus 100 ml 65 o/oiger Salpetersäure, 15 ml 60 o/oiger Perchlorsäure, 13 ml 40o/oiger Flußsäure und 14 ml Eisessig bestehenden Ätzlösung behandelt werden. In Betracht gezogene Druckschriften: »Zeitschrift für Metallkunde«, 1955, S. 227.3. The method according to claim 1, characterized in that the semiconductor crystals are treated with an etching solution consisting of 100 ml of 65% nitric acid, 15 ml of 60% perchloric acid, 13 ml of 40% hydrofluoric acid and 14 ml of glacial acetic acid. Publications considered: "Zeitschrift für Metallkunde", 1955, p. 227.