DE1141333B - Transistor circuit as signal level detector with time delay - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Signalpegeldetektorschaltung mit Zeitverzögerung, insbesondere als Zeitverzögerungs-Auslöseschaltung. The invention relates to a signal level detector circuit with a time delay, in particular as a time delay trigger circuit.

Signalpegeldetektorschaltungen mit Zeitverzögerung haben bekanntlich folgende Aufgabe: Ankommende Steuersignale sollen nach ihrem Betrag klassifiziert werden; soweit dieser Betrag einen bestimmten Schwellenwert nicht übersteigt, sollen sie wirkungslos bleiben, soweit der Schwellenwert überstiegen wird, soll hierdurch eine bestimmte physikalische Steuerwirkung, beispielsweise die Auslösung eines Relais erzielt werden; je stärker dabei der Betrag der ankommenden Steuersignale den vorgegebenen Schwellenwert übersteigt, um so schneller soll die Auslösung der Steuerwirkung erfolgen, und umgekehrt. Eines der bekanntesten Anwendungsgebiete derartiger Signalpegeldetektorschaltungen mit Zeitverzögerung sind die sogenannten Zeitüberstromrelais. Meßtechnisch ist es bekannt, diese Unterscheidung der ankommenden Steuersignale mit Hilfe einer im Eingangskreis des Signalpegeldetektors vorgesehenen Meß- und Zeitverzögerungsschaltung aus einem Reihenwiderstand und einem Nebenschluß-Meßkondensator vorzunehmen. Der Kondensator des Zeitverzögerungsgliedes wird durch ein möglichst leistungsarm steuerbares Organ auf seinen Aufladezustand hin überwacht; sobald dieser einen vorgegebenen Schwellenwert übersteigt, erfolgt die Auslösung. Die Zeitverzögerungswirkung der ÄC-Kombination ergibt dabei gleichzeitig die gewünschte Diskriminierung der ankommenden Steuersignale, je nach dem Grade, zu welchem sie den Schwellenwert übersteigen.Signal level detector circuits with time delay are known to have the following task: Incoming Control signals should be classified according to their amount; as far as this amount is a certain Does not exceed the threshold value, they should remain ineffective if the threshold value is exceeded, this is intended to have a certain physical control effect, for example the triggering of a relay be achieved; the greater the amount of incoming control signals the predetermined threshold value exceeds, the faster the triggering of the control effect should take place, and vice versa. One of the best known areas of application of such signal level detector circuits with time delay are the so-called time overcurrent relays. From a metrological point of view, it is known to distinguish between the incoming Control signals with the aid of a measuring and measuring device provided in the input circuit of the signal level detector Make time delay circuit from a series resistor and a shunt measuring capacitor. The capacitor of the time delay element is controllable with as little power as possible Organ monitored for its state of charge; as soon as this reaches a predetermined threshold tripping occurs. The time delay effect of the ÄC combination results in this at the same time the desired discrimination of the incoming control signals, depending on the degree which they exceed the threshold.

Wegen der bekannten vorteilhaften Eigenschaften von Transistoren (Einfachheit, Betriebsverläßlichkeit, niedrige Spannungsversorgung) ist es dabei erwünscht, als steuerbares, hochempfindliches Organ, das den Kondensator der Zeitverzögerungsschaltung auf seinen Aufladezustand hin überwacht, einen Transistor zu verwenden, derart, daß der Transistor normalerweise gesperrt ist und erst in den leitenden Zustand umgeschaltet wird, sobald der Aufladungszustand des Kondensators den vorgegebenen Wert übersteigt.Because of the known advantageous properties of transistors (simplicity, operational reliability, low voltage supply) it is desirable as a controllable, highly sensitive organ that the The capacitor of the time delay circuit is monitored for its state of charge, a transistor to use in such a way that the transistor is normally blocked and only in the conductive State is switched as soon as the charge state of the capacitor reaches the specified value exceeds.

Diese erwünschte Verwendung von Transistoren als Detektorelement in derartigen Schaltungen stößt jedoch auf zwei mit den besonderen Transistoreigenschaften in Zusammenhang stehende Schwierigkeiten: Als stromgesteuerte Vorrichtung ist für den Transistor kein beliebig hoher Eingangswiderstand zulässig, wie er andererseits für eine derartige Detektorschaltung zur Erzielung auch längerer Zeitverzögerungen erforderlich wäre (die andere Möglichkeit, den Konden-Transistorschaltung This desirable use of transistors as a detector element in such circuits comes across however, to two difficulties related to the special transistor properties: As a current-controlled device, no arbitrarily high input resistance is permissible for the transistor, such as on the other hand, it is necessary for such a detector circuit to achieve longer time delays (the other option would be the condenser transistor circuit

als Signalpegeldetektoras a signal level detector

mit Zeitverzögerungwith time delay

Anmelder:Applicant:

The English Electric Company Limited, LondonThe English Electric Company Limited, London

Vertreter: Dipl.-Ing. C.Wallach, Patentanwalt,
München 2, Kaufingerstr. 8Representative: Dipl.-Ing. C. Wallach, patent attorney,
Munich 2, Kaufingerstr. 8th

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 11. Juni 1959 (Nr. 20 034)Claimed priority:
Great Britain June 11, 1959 (No. 20 034)

Eugeniusz Antoszewski, Stafford (Großbritannien), ist als Erfinder genannt wordenEugeniusz Antoszewski, Stafford (Great Britain), has been named as the inventor

sator besonders groß zu wählen, scheidet wegen der Kostspieligkeit und der geringen Zuverläßlichkeit großer Elektrolytkondensatoren aus). Die andere Schwierigkeit ist in der bekannten starken Temperaturabhängigkeit der Transistoren sowie in ihrer Abhängigkeit von geringen Schwankungen der Spannungsversorgung begründet; für Präzisionsmessungen ist es jedoch erforderlich, daß der Auslösepunkt des Detektors von kleinen Spannungsschwankungen der Stromversorgung sowie von Temperatureinflüssen unabhängig ist.Choosing a particularly large sator differs because of the cost and the low reliability large electrolytic capacitors). The other difficulty is the well-known strong temperature dependence of the transistors as well as their dependence on small fluctuations in the voltage supply justified; however, for precision measurements it is necessary that the trigger point of the Detector of small voltage fluctuations in the power supply as well as temperature influences is independent.

Die Erfindung betrifft somit eine Transistorschaltung als Signalpegeldetektor mit Zeitverzögerung, insbesondere als Zeitverzögerungs-Auslöseschaltung, beispielsweise zur Anwendung in Zeitüberstromrelais, bei welcher im Basis-Emitter-Kreis des Transistors eine Zeitverzögerungsschaltung aus einem Reihenwiderstand und einem Nebenschlußkondensator vorgesehen ist. Durch die vorliegende Erfindung sollen die bei Verwendung von Transistoren als Detektorelement in derartigen Signalpegeldetektorschaltungen auftretenden Schwierigkeiten — Begrenzung der erzielbaren Zeitverzögerung, Abhängigkeit von Schwankungen der Spannungsversorgung und der Temperatur — vermieden werden.The invention thus relates to a transistor circuit as a signal level detector with a time delay, in particular as a time delay trigger circuit, for example for use in time overcurrent relays, in which in the base-emitter circuit of the transistor a time delay circuit consisting of a series resistor and a shunt capacitor is provided. The present invention is intended to when using transistors as a detector element in such signal level detector circuits occurring difficulties - limitation of the achievable time delay, dependence on fluctuations the voltage supply and the temperature - must be avoided.

Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung bei einer derartigen Schaltung vorgesehen, daß in Reihe mit dem Emitter des Transistors in an sich bekannterFor this purpose it is provided according to the invention in such a circuit that in series with the emitter of the transistor in per se known

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Weise eine Zenerdiode so geschaltet ist, daß sie vom Emitterstrom in Sperrichtung durchflossen wird, wobei die Schaltanordnung so getroffen ist, daß dasjenige Potential des Kondensators, bei welchem der Transistor leitend wird, in erster Linie von der Schwellspannung in Sperrichtung (Zenerspanmmg) der Zenerdiode abhängt und von Meinen Schwankungen der Spannungsversorgung des Transistors im wesentlichen unabhängig wird.Way a Zener diode is connected so that it is traversed by the emitter current in the reverse direction, the switching arrangement is made so that that Potential of the capacitor at which the transistor becomes conductive, primarily from the Threshold voltage in reverse direction (Zenerspanmmg) of the Zener diode depends and on my fluctuations the voltage supply of the transistor is essentially independent.

Durch diese Maßnahme werden einerseits lange Zeitverzögerungen erzielbar, und zwar ohne daß der Reihenwiderstand der im Eingangskreis liegenden Zeitverzögerungsschaltung einen unzulässig hohen Wert erhalten muß. Gleichzeitig wird durch die Ausbildung gemäß der Erfindung auch der Einfluß von Temperaturschwankungen weitgehend ausgeschaltet. Indem die Emitterelektrode des als Detektorelement dienenden Transistors mittels einer in Reihe liegenden Zenerdiode vorgespannt wird, wird erreicht, daß der Transistor während des Hauptteiles der Zeitverzögerungsperiode in nichtleitendem Zustand gehalten wird. Da die Temperaturschwankungen sich in wesentlicher Stärke nur während des Leitfähigkeitszustandes des Transistors auswirken, wird der Einfluß von Temperaturschwankungen somit weitgehend herabgesetzt.By this measure, long time delays can be achieved on the one hand, without the Series resistance of the time delay circuit in the input circuit has an impermissibly high value Must receive value. At the same time, the design according to the invention also the influence of Temperature fluctuations largely eliminated. By using the emitter electrode as a detector element serving transistor is biased by means of a series Zener diode, it is achieved that the transistor is held in the non-conductive state for the major part of the time delay period will. Since the temperature fluctuations are only significant during the conductivity state of the transistor, the influence of temperature fluctuations will thus largely be degraded.

Die Einschaltung einer Zenerdiode in Sperrichtung in Reihe mit dem Emitter eines Transistors ist in anderem Zusammenhang, nämlich als Element zur Erzeugung einer konstanten Vorspannung bei einem Transistor-Niederfrequenzverstärker, an sich bekannt.The connection of a reverse zener diode in series with the emitter of a transistor is in different context, namely as an element for generating a constant bias in a Transistor low frequency amplifier, known per se.

Nach einer Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß der Transistor ein n-p-n-Siliziumtransistor ist und mit seinem Emitter mit der Kathode der Zenerdiode verbunden ist.According to one embodiment of the invention it is provided that the transistor is an n-p-n silicon transistor and its emitter is connected to the cathode of the Zener diode.

Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß der Transistor ein Unipolartransistor ist, dessen Stromzuführungs-, Stromentnahme- bzw. Steueranschlüsse der Emitter-, Kollektor- bzw. Basiselektrode eines normalen Transistors entsprechen und dessen Stromzuführungsanschluß mit der Kathode der Zenerdiode verbunden ist.According to a further embodiment of the invention it is provided that the transistor is a unipolar transistor whose power supply, power withdrawal or control connections of the emitter, collector or base electrode of a normal transistor and its power supply terminal with the cathode of the zener diode is connected.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, daß der Ausgang des Transistors über eine Schmitt-Trigger-Stufe, welche zwei mit ihren Emittern auf gemeinsamem Potential liegende p-n-p-Germaniumtransistoren aufweist, mit einem Hilfsrelais verbunden ist.In a preferred embodiment of the invention it is provided that the output of the transistor via a Schmitt trigger stage, which two have a common potential with their emitters has lying p-n-p germanium transistors, is connected to an auxiliary relay.

Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung zweier Ausführungsbeispiele an Hand der Zeichnung; in dieser zeigtFurther advantages and details of the invention emerge from the description of two exemplary embodiments on the basis of the drawing; in this shows

Fig. 1 eine Relais-Meß- und Auslöseschaltung mit einer Widerstands-Kondensator-Zeitverzögerungs-Eingangsstufe und einem n-p-n-Siliziumtransistor,1 shows a relay measuring and triggering circuit with a resistor-capacitor time delay input stage and an n-p-n silicon transistor,

Fig. 2 eine entsprechende Schaltung mit einem Unipolartransistor.2 shows a corresponding circuit with a unipolar transistor.

Die in Fig. 1 dargestellte Relais-Meß- und Auslöseschaltung weist eine Zeitverzögerungs-Eingangsstufe, eine als Signalpegeldetektorstufe wirkende Transistor-Dioden-Schaltung sowie eine die Auslösung bewirkende Transistor-Auslösestufe mit einem Hilfsrelais, auf, das von der Bauart mit elektromagnetisch betätigten Kontakten sein kann.The relay measuring and triggering circuit shown in Fig. 1 has a time delay input stage, a transistor-diode circuit acting as a signal level detector stage and a trigger effecting transistor tripping stage with an auxiliary relay, which is of the type with electromagnetic actuated contacts can be.

Die Zeitverzögerungs-Eingangsstufe besteht aus einer Reihenschaltung eines Widerstands Rl und eines Kondensators C, die durch ein den Eingangsklemmen des Systems zugeführtes Eingangssignal gespeist wird.The time delay input stage consists of a series connection of a resistor R1 and a capacitor C, which is fed by an input signal fed to the input terminals of the system.

Die Transistor-Dioden-Schaltung ist ein Dreipol und weist einen Siliziumtransistor Tl vom n-p-n-Typ sowie eine Zenerdiode D in der gezeigten Schaltung auf. Die drei Anschlußpole der Schaltung sind mit P, ß,i? bezeichnet. Der Anschluß P ist mit der Basiselektrode des Transistors verbunden und wird von der gemeinsamen Verbindung des Widerstandes R1 und des Kondensators C gespeist. Der Anschluß Q ist mit der Kollektorelektrode des Transistors verbunden.The transistor-diode circuit is a three-pole, and has a silicon transistor Tl of the npn type, and a zener diode D in the circuit shown on. The three connection poles of the circuit are marked with P, ß, i? designated. The terminal P is connected to the base electrode of the transistor and is fed by the common connection of the resistor R 1 and the capacitor C. The terminal Q is connected to the collector electrode of the transistor.

ίο Der Anschluß R ist mit der Diode D verbunden und wird von der mit dem Kondensator C verbundenen Eingangsklemme gespeist. Die Zenerdiode D ist so geschaltet, daß sie vom Transistor-Emitter-Strom in ihrer Sperrichtung durchflossen wird.ίο The connection R is connected to the diode D and is fed by the input terminal connected to the capacitor C. The Zener diode D is connected so that the transistor emitter current flows through it in its reverse direction.

Eine Zenerdiode hat eine Schwellspannung in Sperrichtung, die erreicht sein muß, bevor sie einen nennenswerten Stromfluß in Sperrichtung durchläßt. Im Betrieb der Transistor-Dioden-Schaltung wird daher der Transistor nur dann sich im voll leitfähigen Zustand befinden, wenn die Eingangsspannung zwischen den Polen P und R einen durch die Schwellspannung der Zenerdiode fixierten Pegel übersteigt. Dies tritt in Fig. 1 dann ein, wenn der Kondensator C eine bestimmte Aufladung erreicht hat und kann durch das Auftreten von Stromfluß durch die Klemme Q der Schaltung nachgewiesen werden.A Zener diode has a threshold voltage in the reverse direction, which must be reached before it allows a significant flow of current in the reverse direction. When the transistor-diode circuit is in operation, the transistor will therefore only be in the fully conductive state when the input voltage between the poles P and R exceeds a level fixed by the threshold voltage of the Zener diode. This occurs in Fig. 1 when the capacitor C has reached a certain charge and can be detected by the occurrence of current flow through the terminal Q of the circuit.

Dieser Nachweis erfolgt durch die als Auslöser wirkende Transistor-Auslösestufe, welche zwei p-n-p-Germaniumtransistoren Γ 2 und Γ 3 aufweist, die mitThis evidence is provided by the transistor trigger stage, which acts as a trigger and which has two p-n-p germanium transistors Γ 2 and Γ 3, which with

ihren auf einem gemeinsamen Potential liegenden Emittern verbunden sind und eine Schmitt-Trigger-Schaltung bilden. Die Basiselektrode des Transistors T2 erhält ein Schaltsignal von der Verbindungsstelle der beiden Widerstände R 2 und R 3, die in Serie zwischen dem Kollektor des Transistors Tl und einer 18-V-Spannungsquelle liegen. Die Emitter der Transistoren T 2 und Γ 3 liegen über einen gemeinsamen Widerstand/?4 an einer 14-V-Spannungsquelle.
Das Hilf srelais/1 liegt zwischen der Massenklemme der Spannungsquellen und einer Schaltverbindung zwischen der Kollektorelektrode des Transistors T 2 und dem einen Ende einer Reihenschaltung von zwei Widerständen R 5 und R 6, deren anderes Ende mit der 18-V-Spannungsquelle verbunden ist und deren gemeinsame Verbindung mit der Basiselektrode des Transistors Γ 3 verbunden ist. Ferner ist der Kollektor des Transistors Γ 3 über einen Widerstand R 7 mit Masse verbunden.
Im Betrieb befindet sich, wenn der Transistor Tl im nichtleitenden Zustand ist, die Basis des Transistors Γ 2 auf einem höheren Potential als sein Emitter. Dies bewirkt, daß Transistor Γ 2 sich im nichtleitenden Zustand befindet. Der Stromweg durch die Widerständei?6 und R 5 und das Relais A erlaubt einen ausreichenden Stromfluß, um die Basiselektrode des Transistors Γ 3 auf ein Potential vorzuspannen, das unterhalb dem seines Emitters liegt, läßt jedoch keinen zur Betätigung des Relais A ausreichenden Stromfluß zu. Der Transistor T 3 befindet sich somit im leitenden Zustand. Der Strom durch diesen Transistor wird durch den Widerstand R 7 bestimmt. Sobald der Transistor Π leitend wird, fällt das Basispotential des Transistors Γ 2 unter das seines Emitters, wodurch dieser Transistor leitend wird und dieser das Relais A durch eine Schaltwirkung auslöst, die infolge des am Widerstand A4 hervorgerufenen Spannungsabfalls den Transistor T 3 in seinen nichtleitenden Zustand vorspannt.their emitters lying at a common potential are connected and form a Schmitt trigger circuit. The base electrode of the transistor T2 receives a switching signal from the junction of the two resistors R 2 and R 3, which are in series between the collector of the transistor Tl and an 18 V voltage source. The emitters of the transistors T 2 and Γ 3 are connected to a 14 V voltage source via a common resistor / 4.
The auxiliary srelais / 1 is located between the ground terminal of the voltage sources and a switching connection between the collector electrode of the transistor T 2 and one end of a series circuit of two resistors R 5 and R 6, the other end of which is connected to the 18 V voltage source and whose common connection with the base electrode of the transistor Γ 3 is connected. Furthermore, the collector of the transistor Γ 3 is connected to ground via a resistor R 7.
In operation, when the transistor Tl is in the non-conductive state, the base of the transistor Γ 2 is at a higher potential than its emitter. This causes transistor Γ 2 to be in the non-conductive state. The current path through the resistors 6 and R 5 and the relay A allows sufficient current to flow to bias the base electrode of the transistor Γ 3 to a potential below that of its emitter, but does not allow sufficient current to flow to actuate the relay A. The transistor T 3 is thus in the conductive state. The current through this transistor is determined by the resistor R 7. As soon as the transistor Π becomes conductive, the base potential of the transistor Γ 2 falls below that of its emitter, whereby this transistor becomes conductive and this triggers the relay A by a switching effect that, as a result of the voltage drop across the resistor A4, puts the transistor T 3 in its non-conductive state pretensioned.

Ein Vorteil der in Fig. 1 gezeigten Schaltung besteht darin, daß das Potential des Kondensators C, bei welchem diese Triggerwirkung eintritt, in erster Linie von der Sperr-Bezugsspannung der Zenerdiode abhängt und insofern unabhängig von kleinen Schwankungen der Spannungsversorgung für die Transistoren wird. Durch Verwendung eines Siliziumtransistors wird der Temperaturfehler weitgehend verringert, da ein derartiger Transistor nur einen sehr kleinen Ableitstrom hat und normalerweise dieser Ableitstrom eines Transistors die normalerweise stark temperaturempfindliche Größe ist.An advantage of the circuit shown in Fig. 1 is that the potential of the capacitor C, at which this trigger effect occurs, primarily from the reverse reference voltage of the Zener diode depends and insofar independent of small fluctuations in the voltage supply for the Transistors will. By using a silicon transistor, the temperature error is largely reduced, since such a transistor has only a very small leakage current and normally this Leakage current of a transistor, which is normally highly temperature-sensitive.

Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung stimmt mit der Schaltung nach Fig. 1 überein, mit der Ausnahme, daß der Transistor Tl in diesem Fall ein Unipolartransistor (anderweitig als »Technetron« oder einfach als auf der Ausnutzung von Feldeffekten beruhender Halbleiter bekannt) ist. Bei einem typischen Unipolartransistor werden die beiden ohmsehen Anschlüsse, nämlich Stromzuführung und Stromentnähme, an η-Germanium hergestellt und in Reihe mit einer Gleichstromquelle und einem Lastwiderstand geschaltet. Ein beispielsweise durch Indium erzeugter p-Bereich, der als »Schalt- oder Steuerelektrode« (»gate«) bezeichnet wird, umgibt einen begrenzten Bereich des durch das Germanium führenden Strompfades; ein zwischen der Schaltelektrode (»gate«) und der »Quelle« angelegtes Signal steuert den Hauptstrom von der »Quelle« zu der »Ableitung«. Der »Unipolar«-Transistor ist zur Anwendung in einer Schaltung nach Art der in Fig. 2 gezeigten, auf Grund seines hohen Eingangswiderstandes besonders geeignet, da dieser die Erzielung langer Zeitverzögerungen mit Hilfe der in der Figur gezeigten, einfachen Widerstands-Kondensator-Zeitverzögerungsstufe ermöglicht. The circuit shown in Fig. 2 corresponds to the circuit of Fig. 1, with the exception that the transistor Tl in this case a unipolar transistor (otherwise called "Technetron" or simply known as a semiconductor based on the exploitation of field effects). For a typical unipolar transistor the two ohmic connections, namely power supply and power consumption, made of η-germanium and in series with a direct current source and a load resistor switched. A p-area generated by indium, for example, which is used as a »switching or control electrode« ("Gate") surrounds a limited area of the current path leading through the germanium; a signal applied between the switching electrode ("gate") and the "source" controls the Main stream from the "source" to the "discharge". The "unipolar" transistor is used in a circuit of the type shown in FIG. 2, particularly due to its high input resistance suitable as this makes it possible to achieve long time delays with the aid of the simple ones shown in the figure Resistance-capacitor time delay stage allows.

Claims (4)

Patentansprüche :Patent claims: 1. Transistorschaltung als Signalpegeldetektor mit Zeitverzögerung, insbesondere als Zeitverzögerungs-Auslöseschaltung, beispielsweise zur Anwendung in Zeitüberstromrelais, bei welcher im Basis-Emitter-Kreis des Transistors eine Zeitverzögerungsschaltung aus einem Reihenwiderstand und einem Nebenschlußkondensator vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe mit dem Emitter des Transistors (Tl) in an sich bekannter Weise eine Zenerdiode (D) so geschaltet ist, daß sie vom Emitterstrom in Sperrrichtung durchflossen wird, wobei die Schaltanordnung so getroffen ist, daß dasjenige Potential des Kondensators (C), bei welchem der Transistor (Γ1) leitend wird, in erster Linie von der Schwellspannung in Sperrichtung (Zenerspannung) der Zenerdiode (D) abhängt und von kleinen Schwankungen der Spannungsversorgung des Transistors im wesentlichen unabhängig wird.1. Transistor circuit as a signal level detector with a time delay, in particular as a time delay trigger circuit, for example for use in time overcurrent relays, in which a time delay circuit is provided from a series resistor and a shunt capacitor in the base-emitter circuit of the transistor, characterized in that in series with the emitter of the transistor (Tl) a Zener diode (D) is connected in a manner known per se so that the emitter current flows through it in the reverse direction, the switching arrangement being such that the potential of the capacitor (C) at which the transistor (Γ1 ) becomes conductive, depends primarily on the threshold voltage in the reverse direction (Zener voltage) of the Zener diode (D) and is essentially independent of small fluctuations in the voltage supply of the transistor. 2. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein n-p-n-Siliziumtransistor ist und mit seinem Emitter mit der Kathode der Zenerdiode (D) verbunden ist (Fig. 1).2. Electrical circuit according to claim 1, characterized in that the transistor is a n-p-n silicon transistor and its emitter is connected to the cathode of the Zener diode (D) is (Fig. 1). 3. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (Tl) ein Unipolartransistor ist, dessen Stromzuführungs-, Stromentnahme- bzw. Steueranschlüsse der Emitter-, Kollektor- bzw. Basiselektrode eines normalen Transistors entsprechen und dessen Stromzuführungsanschluß mit der Kathode der Zenerdiode (D) verbunden ist (Fig. 2).3. Electrical circuit according to claim 1, characterized in that the transistor (Tl) is a unipolar transistor whose power supply, current withdrawal or control connections correspond to the emitter, collector or base electrode of a normal transistor and whose power supply connection to the cathode of the Zener diode (D) is connected (Fig. 2). 4. Elektrische Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang des Transistors (TT) über eine Schmitt-Trigger-Stufe, welche zwei mit ihren Emittern auf gemeinsamem Potential liegende p-n-p-Germaniumtransistoren (T 2, T 3) aufweist, mit einem Hilf srelais (A) verbunden ist.4. Electrical circuit according to one of the preceding claims, characterized in that the output of the transistor (TT) has a Schmitt trigger stage which has two pnp germanium transistors (T 2, T 3) which are at common potential with their emitters, is connected to an auxiliary relay (A) . In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 048 946;
Zeitschrift »Elektronische Rundschau«, März 1959, Bild 6.Considered publications:
German Auslegeschrift No. 1 048 946;
Electronic Rundschau magazine, March 1959, Fig. 6. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings © 209 748/228 12.© 209 748/228 12.