DE112022002949T5

DE112022002949T5 - Druckempfindliche haftmittellage

Info

Publication number: DE112022002949T5
Application number: DE112022002949.8T
Authority: DE
Inventors: Takumi Yutou; Kazumichi Kato; Kota Nakao
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2021-07-13
Filing date: 2022-06-30
Publication date: 2024-04-04
Also published as: CN117642476A; JPWO2023286619A1; TW202338049A; KR20240032112A; WO2023286619A1

Abstract

Es wird eine PSA-Lage bereitgestellt, bei der eine verminderte Haftmittelübertragung während der Entfernung und ein gutes Anpassungsvermögen an die Fügeteil-Oberflächenstruktur in einer gut ausgewogenen Weise kombiniert sind. Die bereitgestellte PSA-Lage weist ein Substrat und eine PSA-Schicht auf, die mindestens auf einer Seite des Substrats angeordnet ist. Die PSA-Lage weist eine Eindruckhärte H1 von 0,10 MPa oder mehr und 0,50 MPa oder weniger an der PSA-Schichtoberfläche und eine Eindruckhärte H2 von 0,001 MPa oder mehr und 0,090 MPa oder weniger, die in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der PSA-Schichtoberfläche in einem Querschnitt der PSA-Lage gemessen wird, auf.

Description

[Technisches Gebiet]
Die vorliegende Erfindung betrifft eine druckempfindliche Haftmittellage bzw. eine Haftklebstofflage. Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der japanischen Patentanmeldung Nr. 2021-115926 , die am 13. Juli 2021 eingereicht worden ist, und deren gesamter Inhalt ist unter Bezugnahme hierin einbezogen.
[Stand der Technik]
Bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen, einschließlich Halbleiterchips, können die Halbleiterchips zum Verhindern von deren Beschädigung, Erweitern einer Metallverdrahtung, usw., mit einem Harz eingekapselt werden. Das Harzeinkapseln wird im Hinblick auf das Be- bzw. Verarbeitungsvermögen, usw., manchmal auf einer druckempfindlichen Haftmittel (PSA)-Lage durchgeführt. Beispielsweise werden auf der PSA-Schicht der PSA-Lage als Material zum vorübergehenden Fixieren mehrere Halbleiterchips angeordnet und alle auf einmal auf der PSA-Schicht eingekapselt. Anschließend wird die PSA-Lage in einem bestimmten Nachbearbeitungsverfahren von der Struktur entfernt, die das Einkapselungsharz und die Halbleiterchips umfasst.
[Dokumentenliste]
[Patentdokumente]

[Patentdokument 1] Japanische Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2001-308116
[Patentdokument 2] Japanische Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2001-313350

[Technisches Problem]
Bezüglich der PSA-Lage, die in dem vorstehenden Verfahren verwendet wird, darf diese dann, wenn sie von der Struktur mit dem Einkapselungsharz und den Halbleiterchips entfernt wird, keine Haftmittelübertragung (zurückgebliebener Haftmittelrückstand) auf die Struktur verursachen. Zum Vermindern der Haftmittelübertragung ist in der PSA-Lage die PSA-Schicht, auf der die Halbleiterchips angeordnet werden, im Allgemeinen aus einem PSA mit einem sehr hohen Elastizitätsmodul ausgebildet. Wenn die PSA-Schicht einen hohen Elastizitätsmodul aufweist, wird das PSA aufgrund der potenziell unebenen Oberfläche der Halbleiterchips aufgrund einer im Vorhinein ausgebildeten Metallverdrahtung, usw., jedoch nicht fest genug an der unebenen Chipoberfläche haften, was mit einer größeren Wahrscheinlichkeit zu einem Problem mit dem Einkapselungsharz führt, das in die Grenzfläche zwischen den Chips und dem PSA eindringt.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf den vorstehenden Umstand mit der Aufgabe gemacht, eine PSA-Lage bereitzustellen, bei der eine verminderte Haftmittelübertragung während der Entfernung und ein gutes Anpassungsvermögen an die Fügeteil-Oberflächenstruktur (Oberflächenstruktur) in einer gut ausgewogenen Weise kombiniert sind.
[Lösung des Problems]
Die PSA-Lage, die durch diese Beschreibung bereitgestellt wird, weist ein Substrat und eine PSA-Schicht, die mindestens auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, auf. Gemäß einer Eindruckhärtemessung unter Verwendung eines Nanoindenters weist die PSA-Lage eine Eindruckhärte H1 von 0,10 MPa oder mehr und 0,50 MPa oder weniger an der PSA-Schichtoberfläche und eine Eindruckhärte H2 von 0,001 MPa oder mehr und 0,090 MPa oder weniger, die in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der PSA-Schichtoberfläche in einem Querschnitt der PSA-Lage gemessen wird, auf. Wenn die Eindruckhärte H1, die an der PSA-Schichtoberfläche (oder nachstehend an der „Messstelle A“) gemessen wird, 0,10 MPa oder größer ist, kann eine Haftmittelübertragung während der Entfernung vermindert werden. Wenn die Eindruckhärte H2, die innerhalb der Messstelle A (auf der Substratseite; insbesondere in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der PSA-Schichtoberfläche in einem Querschnitt der PSA-Lage (oder nachstehend an der „Messstelle B“)) gemessen wird, 0,090 MPa oder weniger beträgt, kann das Anpassungsvermögen an die Fügeteil-Oberflächenstruktur verbessert werden. Folglich können bei der PSA-Lage mit H1 und H2 innerhalb dieser Bereiche eine verminderte Haftmittelübertragung während der Entfernung und ein gutes Anpassungsvermögen der Fügeteiloberfläche in einer gut ausgewogenen Weise kombiniert sein.
In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Eindruckhärte H2 (MPa) zu der Eindruckhärte H1 (MPa) (H2/H1) 0,002 oder höher und 0,90 oder niedriger. Gemäß dem PSA mit einer Eindruckhärte H2 an der Messstelle B (im Inneren) ≤ 0,90-fachen der Eindruckhärte H1 an der Messstelle A (Oberfläche) kann eine verminderte Haftmittelübertragung in einer vorteilhaften Weise mit einem guten Oberflächenanpassungsvermögen kombiniert sein.
In einigen Ausführungsformen weist die PSA-Schichtoberfläche in einer Fadenziehprüfung unter Verwendung eines Nanoindenters einen Fadenziehindex D1 von 50 nm oder mehr und 500 nm oder weniger auf. Die PSA-Schichtoberfläche (Messstelle A) mit einem Fadenziehindex D1 ≤ 500 nm ist im Hinblick auf das Vermindern einer Haftmittelübertragung vorteilhaft. In der Fadenziehprüfung weist sie vorzugsweise einen Fadenziehindex D2 von 150 nm oder mehr und 1000 nm oder weniger auf, der in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der PSA-Schichtoberfläche (an der Messstelle B) in einem Querschnitt der PSA-Lage bestimmt wird. Die PSA-Schicht mit einem Fadenziehindex D2 in diesem Bereich führt zu einem guten Oberflächenanpassungsvermögen.
In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis des Fadenziehindex D2 (nm) zu dem Fadenziehindex D1 (nm) (D2/D1) 0,3 oder höher und 20,0 oder niedriger. Es ist wahrscheinlich, dass bei der PSA-Lage mit einem Verhältnis D2/D1 in diesem Bereich in einer vorteilhaften Weise eine Verminderung der Haftmittelübertragung und ein Oberflächenanpassungsvermögen kombiniert sind.
In einigen Ausführungsformen weist bei der PSA-Schicht mit einer anfänglichen Dicke von T0 (µm), nachdem auf die PSA-Schichtoberfläche 4-t-Butylphenylglycidylether getropft worden ist und nach einem Stehenlassen für 1 Minute, die PSA-Schicht eine Dicke T1 (µm) mit einer Differenz (T1 - T0; nachstehend auch als die „Dickenänderung“ bezeichnet) von 20 µm oder weniger auf. Die PSA-Lage mit einer nur geringen Dickenänderung ist bevorzugt, da es beispielsweise in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, weniger wahrscheinlich ist, dass eine Ungleichmäßigkeit (ein Abstehen) zwischen den Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz erzeugt wird.
Die PSA-Lage gemäß einigen Ausführungsformen weist ein Nadelsondeneindringen von 3,50 µm oder mehr und 20,0 µm oder weniger von der PSA-Schichtoberfläche auf, das unter Verwendung eines thermomechanischen Analysegeräts (TMA) bei einer Messumgebungstemperatur von 23 °C und einer Eindruckbelastung von 0,01 N für eine Eindruckzeit von 60 Minuten bestimmt wird. Beispielsweise kann bei Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf einer PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, die PSA-Lage mit einem Eindringen in diesem Bereich sowohl ein Halbleiterchip-Anpassungsvermögen als auch eine Verminderung des Einbettens von Halbleiterchips in die PSA-Lage in einer gut ausgewogenen Weise erreichen.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist die PSA-Schicht eine Dicke von 5 µm oder mehr und 110 µm oder weniger auf. Die PSA-Schicht mit einer solchen Dicke kann in einer vorteilhaften Weise den Effekt der Eigenschaftsunterschiede zwischen den Messstellen A und B hervorrufen.
In einigen Ausführungsformen ist das Substrat eine Substratfolie, die aus einem Harzmaterial mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) von 25 °C oder höher ausgebildet ist. Beispielsweise ermöglicht in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht der PSA-Lage angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, selbst wenn während dieses Vorgangs ein Erwärmen stattfindet, die PSA-Lage mit der PSA-Schicht auf einer solchen Substratfolie eine Verminderung des Einbettens der Halbleiterchips darin und eine Verminderung der Halbleiterchip/Einkapselungsharz-Ungleichmäßigkeit (Abstehen).
Die PSA-Lage gemäß einiger Ausführungsformen weist eine Haftfestigkeit von 0,05 N/20 mm oder mehr und 1,00 N/20 mm oder weniger auf einer Polyethylenterephthalat (PET)-Folie auf. Innerhalb eines solchen Bereichs kann sie vorzugsweise ein Fügeteil (z.B. einen Halbleiterchip) fixieren und die Belastung des Fügeteils beim Entfernen der PSA-Lage vermindern.
In einigen Ausführungsformen weist die PSA-Schicht eine Verankerungsfestigkeit von 4,00 N/20 mm oder mehr an dem Substrat auf, die bei 23 °C nach dem Erwärmen der PSA-Lage bei 150 °C für eine Stunde bestimmt wird. Die PSA-Lage mit einer solchen Verankerungsfestigkeit ist bevorzugt, da bei der PSA-Lage beispielsweise in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht der PSA-Lage angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, selbst wenn während dieses Vorgangs ein Erwärmen stattfindet, eine Haftmittelübertragung in dem nachfolgenden Entfernungsvorgang vermindert werden kann.
In einigen Ausführungsformen ist das PSA, das mindestens die PSA-Schichtoberfläche bildet, ein Acryl-PSA, das ein Acrylpolymer als Basispolymer umfasst. Die hier offenbarte Technik kann vorzugsweise als PSA-Lage mit einer PSA-Schicht implementiert werden, in der mindestens die Oberfläche (Haftfläche) aus einem Acryl-PSA ausgebildet ist.
In einigen Ausführungsformen weist das Acrylpolymer einen SP-Wert von 18,0 bis 20,0 auf. Wenn die Haftfläche aus einem Acryl-PSA ausgebildet ist, dessen Basispolymer ein Acrylpolymer mit dem SP-Wert in diesem Bereich ist, unterstützt dies beim Erhalten einer Eindruckhärte H1 in dem vorstehend genannten Bereich. Darüber hinaus unterstützt es beispielsweise selbst in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, beim Verhindern einer übermäßigen Zunahme der Haftfestigkeit auf dem Einkapselungsharz.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage umfasst die PSA-Schicht eine Schicht (Schicht A), welche die PSA-Schichtoberfläche bildet, und eine Schicht (Schicht B), die angrenzend an das Substrat angeordnet ist, zwischen der Schicht A und dem Substrat. Entsprechend kann die hier offenbarte PSA-Lage vorzugsweise in einer Ausführungsform hergestellt werden, die eine PSA-Schicht aufweist, die eine Schicht A (Oberflächenschicht) und eine Schicht B (Haftvermittlerschicht) umfasst.
Die Schicht A weist vorzugsweise eine Dicke L1 von beispielsweise 1 µm oder mehr und 10 µm oder weniger auf. Es ist wahrscheinlich, dass bei der Schicht A mit einer solchen Dicke in einer vorteilhaften Weise eine Verminderung einer Haftmittelübertragung und ein Oberflächenanpassungsvermögen kombiniert sind.
Die Schicht B weist vorzugsweise eine Dicke L2 von beispielsweise 4 µm oder mehr und 100 µm oder weniger auf. Es ist wahrscheinlich, dass bei einer Schicht B mit einer solchen Dicke in einer vorteilhaften Weise eine Verminderung einer Haftmittelübertragung und ein Oberflächenanpassungsvermögen kombiniert sind.
Das Verhältnis der Dicke L2 (µm) der Schicht B zur Dicke L1 (µm) der Schicht A (L2/L1) ist vorzugsweise 1,0 bis 100,0.
In einigen Ausführungsformen weist die Schicht A eine T_2s von 45 µs oder weniger auf und die Schicht B weist eine T₂, von mehr als 45 µs auf, wobei T_2s die kurze (S) T₂-Relaxationszeitkomponente gemäß einer Puls-NMR ist. Es ist wahrscheinlich, dass bei der PSA-Lage, die eine PSA-Schicht aufweist, welche die Schichten A und B umfasst, welche die Relaxationszeit (T_2s) erfüllen, in einer vorteilhaften Weise ein Oberflächenanpassungsvermögen mit einer Verminderung der Bestandteilsübertragung zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz kombiniert sind.
In einigen Ausführungsformen ist die Schicht A mit einem Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis vernetzt und die Schicht B ist mit einem Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis vernetzt. Die hier offenbarte PSA-Lage kann vorzugsweise in einer Ausführungsform hergestellt werden, die eine PSA-Schicht mit einem solchen Aufbau aufweist.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist die PSA-Lage das Substrat, die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht), die auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, und eine zweite PSA-Schicht, die auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats von der PSA-Schicht angeordnet ist, auf. Die PSA-Lage in einer solchen Ausführungsform ist zweckmäßig, da beispielsweise, während sie an einem geeigneten Träger unter Verwendung der zweiten PSA-Schicht fixiert ist, ein Harzeinkapseln auf der ersten PSA-Schicht durchgeführt werden kann.
In einigen Ausführungsformen ist mindestens die zweite PSA-Schichtoberfläche aus einem PSA ausgebildet, das durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst. Die PSA-Lage in einer solchen Ausführungsform ist bevorzugt, da durch gegebenenfalls Erwärmen, wenn dies zum Ausdehnen der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen angemessen ist, die Verbindung zwischen der zweiten PSA-Schicht und dem Fügeteil einfach gelöst werden kann.
Der Umfang der Erfindung, für welche die vorliegende Patentanmeldung Patentschutz begehrt, umfasst eine geeignete Kombination der jeweiligen hier beschriebenen Merkmale.
[Kurze Beschreibung der Zeichnungen]

1 zeigt ein Querschnittsdiagramm, das schematisch die Struktur der PSA-Lage gemäß einer Ausführungsform zeigt.
2 (i) bis (iv) zeigen ein Diagramm, das ein Beispiel des Schritts des Harzeinkapselns von Halbleiterchips zeigt, der unter Verwendung der in der 1 gezeigten PSA-Lage durchgeführt wird.
3 zeigt ein Querschnittsdiagramm, das schematisch die Struktur der PSA-Lage gemäß einer weiteren Ausführungsform zeigt.
4 zeigt ein Querschnittsdiagramm, das schematisch die Struktur der PSA-Lage gemäß einer weiteren Ausführungsform zeigt.
5 zeigt ein schematisches Diagramm, das die Definition des Fadenziehindex zeigt.

[Beschreibung von Ausführungsformen]
Nachstehend sind bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Gegenstände, die zur Ausführung dieser Erfindung erforderlich sind und die von denjenigen verschieden sind, auf die in dieser Beschreibung spezifisch Bezug genommen wird, sind für einen Fachmann auf der Basis der Anweisung bezüglich Implementierungen der Erfindung gemäß dieser Beschreibung und dem üblichen technischen Fachwissen in dem vorliegenden Bereich ersichtlich. Die vorliegende Erfindung kann auf der Basis des Inhalts, der in dieser Beschreibung offenbart ist, und des allgemeinen technischen Fachwissens in dem vorliegenden Bereich ausgeführt werden.
In den Zeichnungen, auf die nachstehend Bezug genommen wird, kann Elementen oder Stellen, welche die gleichen Effekte erzeugen, ein gemeinsames Bezugszeichen zugeordnet werden, und doppelte Beschreibungen werden manchmal weggelassen oder vereinfacht. Die in den Zeichnungen beschriebenen Ausführungsformen sind für eine klare Darstellung der vorliegenden Erfindung schematisiert und stellen nicht notwendigerweise die genauen Größen oder Verkleinerungsmaßstäbe von tatsächlich bereitgestellten Produkten dar.
Wie hier verwendet, bezieht sich das „Basispolymer“ eines PSA auf ein Kautschukartiges Polymer in dem PSA. Abgesehen davon ist es nicht auf eine bestimmte Interpretation beschränkt. Das Kautschuk-artige Polymer bezieht sich auf ein Polymer, das bei etwa Raumtemperatur eine Kautschukelastizität aufweist. Wie hier verwendet, bezieht sich der „Hauptbestandteil“ (Primärbestandteil) auf einen Bestandteil, der mehr als 50 Gew.-% ausmacht.
Wie hier verwendet, bezieht sich das „Acrylpolymer“ auf ein Polymer, das eine Monomereinheit umfasst, die von einem Monomer abgeleitet ist, das mindestens eine (Meth)acryloylgruppe pro Molekül aufweist. Nachstehend wird ein Monomer, das mindestens eine (Meth)acryloylgruppe pro Molekül aufweist, als „Acrylmonomer“ bezeichnet. Folglich ist, wie hier verwendet, das Acrylpolymer als Polymer definiert, das eine Monomereinheit umfasst, die von einem Acrylmonomer abgeleitet ist. Typische Beispiele für das Acrylpolymer umfassen ein Polymer, in dem das Acrylmonomer mehr als 50 Gew.-% (vorzugsweise mehr als 70 Gew.-%, z.B. mehr als 90 Gew.-%) aller Monomere ausmacht, die bei der Synthese des Acrylpolymers verwendet werden. Nachstehend werden die Monomere, die zur Synthese des Polymers verwendet werden, auch als die Monomere bezeichnet, die das Polymer bilden (Polymer-bildende Monomere).
Wie hier verwendet, soll der Begriff „(Meth)acryloyl“ Acryloyl und Methacryloyl umfassen. Entsprechend steht „(Meth)acrylat“ für Acrylat und Methacrylat und „(Meth)acryl“ soll Acryl bzw. Methacryl umfassen. Demgemäß kann das Konzept des Acrylmonomers hier sowohl ein Acrylmonomer (ein Monomer mit einer Acryloylgruppe) als auch ein Methacrylmonomer (ein Monomer mit einer Methacryloylgruppe) umfassen.
<Überblick über die PSA-Lage>
Die hier offenbarte PSA-Lage kann zweckmäßig als Material zum vorübergehenden Fixieren zur Harzeinkapselung von Halbleiterchips verwendet werden. Die PSA-Lage dieser Erfindung kann insbesondere durch Anordnen von Halbleiterchips auf einer PSA-Schicht davon, Bedecken derselben mit einem Einkapselungsharz (typischerweise einem Epoxidharz) und Aushärten des Einkapselungsharzes als Material zum vorübergehenden Fixieren für die Halbleiterchips bei deren Harzeinkapseln verwendet werden. Nach dem Harzeinkapseln der Halbleiterchips wird während bestimmter nachfolgender Vorgänge (z.B. Wegschleifen des Einkapselungsharzes, Strukturbildung, Hügelbildung, Chipbildung (Schneiden)) die PSA-Lage von der Struktur entfernt, die das Einkapselungsharz und Halbleiterchips umfasst. Das Einkapselungsharz weist ein Epoxyäquivalentgewicht von beispielsweise 50 g/Äq. bis 500 g/Äq. auf.
Die 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht, die eine Ausführungsform der hier offenbarten PSA-Lage zeigt. Die PSA-Lage 100 weist ein Substrat 10 und eine PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) 20 auf, die auf einer Seite des Substrats 10 angeordnet ist. Die PSA-Lage 100 weist eine Eindruckhärte H1 von 0,10 MPa oder mehr an der Messstelle A auf der Oberfläche der PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) 20 (d.h., an der Messstelle A, die durch den Pfeil A in der 1 bezeichnet ist) auf und weist eine Eindruckhärte H2 von 0,09 MPa oder weniger, die in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat 10 in der Richtung der Oberfläche der PSA-Schicht 20 (d.h., an der Messstelle B, die durch den Pfeil B in der 1 bezeichnet ist) in einem Querschnitt der PSA-Lage 100 bestimmt wird, auf.
Die PSA-Lage 100 kann beispielsweise zur Harzeinkapselung von Halbleiterchips verwendet werden, wie es in der 2 gezeigt ist. Zuerst werden mehrere Halbleiterchips 1 auf die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) der PSA-Lage 100 aufgebracht (Schritt (i)). Dann werden die Halbleiterchips 1 mit einem teilausgehärteten Einkapselungsharz 2' bedeckt (Schritt (ii)). Das teilausgehärtete Einkapselungsharz 2' wird aushärten gelassen, so dass die Halbleiterchips 1 mit dem Einkapselungsharz 2 eingekapselt werden (Schritt (iii)). Beispielsweise kann das teilausgehärtete Einkapselungsharz 2' unter Verwendung einer Zusammensetzung gebildet werden, die ein bifunktionelles Epoxidharz auf Naphthalin-Basis (144 Epoxyäquivalente) umfasst. Anschließend wird während eines bestimmten nachfolgenden Vorgangs die PSA-Lage 100 von der Struktur 50 entfernt, die Halbleiterchips 1 und das Einkapselungsharz 2 umfasst (Schritt (iv)).
Mit einer Eindruckhärte H1 von 0,10 MPa oder mehr an der Messstelle A ist es weniger wahrscheinlich, dass die hier offenbarte PSA-Lage eine Haftmittelübertragung auf die Struktur 50 in dem Schritt (iv) verursacht, der in der 2 gezeigt ist. Mit einer Eindruckhärte H2 von 0,09 MPa oder weniger innerhalb der PSA-Schicht (insbesondere an der Messstelle B) kann sich die PSA-Schicht gut an die Fügeteil-Oberflächenstruktur (z.B. Metalldraht-Vorwölbungen und dergleichen, die an der Oberfläche der Seite der PSA-Schicht eines Halbleiterchips 1 vorliegen können) anpassen und das Auftreten eines Formaustriebs („mold flash“) (eines Problems dahingehend, dass das Einkapselungsharz 2 in die Grenzfläche zwischen der PSA-Lage und dem Halbleiterchip 1 eindringt) kann verhindert werden.
Die 3 zeigt ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine weitere Ausführungsform der hier offenbarten PSA-Lage zeigt. In der PSA-Lage 200 umfasst die PSA-Schicht 20 in der PSA-Lage 100, die in der 1 gezeigt ist, die Schicht A 22, welche die Oberfläche (Haftfläche) der PSA-Schicht 20 bildet, sowie die Schicht B 24, die angrenzend an das Substrat 10 zwischen der Schicht A 22 und dem Substrat 10 angeordnet ist. Die PSA-Schicht 20 mit einem solchen Aufbau unterstützt bei der Einstellung der Eindruckhärte H1 und H2 an den Messstellen A bzw. B auf geeignete Bereiche. Entsprechend kann die hier offenbarte PSA-Lage vorzugsweise in einer Ausführungsform hergestellt werden, die eine PSA-Schicht 20 aufweist, die Schichten A 22 und B 24 mindestens auf einer Fläche des Substrats 10 umfasst.
Die 4 zeigt ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine weitere Ausführungsform der hier offenbarten PSA-Lage zeigt. Die PSA-Lage 300 wies ferner eine zweite PSA-Schicht 30 auf der Rückseite des Substrats 10 auf (d.h., auf der Seite, die der PSA-Schicht 20 gegenüberliegt). Mit anderen Worten, die PSA-Lage 300 weist eine PSA-Schicht 20, ein Substrat 10 und eine zweite PSA-Schicht 30 in dieser Reihenfolge auf. Mit der zweiten PSA-Schicht 30 kann beispielsweise dann, wenn eine Harzeinkapselung auf einem Träger durchgeführt wird, die PSA-Lage 300 durch Anbringen der Seite der zweiten PSA-Schicht 30 an dem Träger leicht an dem Träger angebracht werden.
In einigen Ausführungsformen ist in der zweiten PSA-Schicht mindestens die Oberfläche mit einem PSA ausgebildet, das durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst. Ein solches durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchenenthaltendes PSA kann auf eine bestimmte Temperatur oder höher erwärmt werden, so dass sich die Mikrokügelchen zur Bildung von Unregelmäßigkeiten auf der PSA-Schichtoberfläche ausdehnen, wodurch die Haftfestigkeit vermindert werden oder verloren gehen kann. Mit mindestens der zweiten PSA-Schichtoberfläche, die mit dem durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltenden PSA ausgebildet ist, wird dann, wenn die PSA-Lage über die zweite PSA-Schicht angebracht wird (z.B. an einem Träger), die erforderliche Haftung erhalten; und wenn die PSA-Lage entfernt wird (z.B. von dem Träger), wird die Haftfestigkeit durch Erwärmen vermindert oder geht verloren, wodurch eine gute Entfernbarkeit erhalten wird. Zwischen dem Substrat und dem durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltenden PSA kann eine elastische Zwischenschicht (gegebenenfalls eine PSA-Schicht) angeordnet werden, die frei von durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen ist oder eine geringe (begrenzte) Menge davon enthält.
(Eindruckhärte)
Im Hinblick auf die Verminderung einer Haftmittelübertragung weist die hier offenbarte PSA-Lage eine Eindruckhärte H1 von zweckmäßig 0,10 MPa oder mehr (z.B. mehr als 0,10 MPa) oder vorzugsweise 0,12 MPa oder mehr auf. In einigen Ausführungsformen kann die Eindruckhärte H1 0,15 MPa oder mehr, 0,18 MPa oder mehr oder sogar 0,20 MPa oder mehr betragen. Im Allgemeinen ist es in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf einer PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, für die PSA-Schicht im Hinblick auf die Verminderung einer potenziellen Unebenheit (Abstehen) zwischen den Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz tendenziell vorteilhaft, dass sie eine hohe Eindruckhärte H1 aufweist. Die Eindruckhärte H1 beträgt zweckmäßig 0,50 MPa oder weniger oder vorzugsweise 0,40 MPa oder weniger. Im Hinblick auf ein Unterstützen beim Erhalten einer sehr guten Haftung an der Fügeteiloberfläche und einer geeigneten Klebrigkeit an der PSA-Schichtoberfläche kann die Eindruckhärte H1 in einigen Ausführungsformen z.B. 0,30 MPa oder weniger, 0,28 MPa oder weniger, 0,25 MPa oder weniger, 0,23 MPa oder weniger oder sogar 0,21 MPa oder weniger betragen.
Die hier offenbarte PSA-Lage weist zweckmäßig eine Eindruckhärte H2 auf, die niedriger ist als die Eindruckhärte H1. Im Hinblick auf ein Verbessern des Anpassungsvermögens an die Fügeteil-Oberflächenstruktur beträgt sie vorzugsweise 0,090 MPa oder weniger. Zum Erhalten eines besseren Anpassungsvermögens kann die Eindruckhärte H2 in einigen Ausführungsformen auch 0,080 MPa oder weniger, 0,060 MPa oder weniger oder sogar 0,050 MPa oder weniger betragen. Die minimale Eindruckhärte H2 ist nicht speziell beschränkt. Sie kann beispielsweise 0,001 MPa oder mehr betragen. Im Hinblick auf das Verhindern eines Kohäsionsversagens innerhalb der PSA-Schicht beträgt die Eindruckhärte H2 in einigen Ausführungsformen zweckmäßig 0,005 MPa oder mehr, vorzugsweise 0,010 MPa oder mehr, gegebenenfalls 0,030 MPa oder mehr, 0,040 MPa oder mehr, 0,050 MPa oder mehr oder sogar 0,060 MPa oder mehr.
Das Verhältnis der Eindruckhärte H2 (MPa) zu der Eindruckhärte H1 (MPa) (H2/H1) ist beispielsweise zweckmäßig 0,90 oder niedriger, vorzugsweise 0,70 oder niedriger, gegebenenfalls 0,50 oder niedriger, 0,40 oder niedriger oder sogar 0,30 oder niedriger. Das Verhältnis (H2/H1) ist beispielsweise zweckmäßig 0,002 oder höher, vorzugsweise 0,005 oder höher oder mehr bevorzugt 0,01 oder höher. Bei einer PSA-Lage mit einem Verhältnis H2/H1 in einem solchen Bereich sind in einer einfachen Weise die Verminderung einer Haftmittelübertragung und ein Oberflächenanpassungsvermögen in einer gut ausgewogenen Weise kombiniert.
(Fadenziehindex)
In der hier offenbarten PSA-Lage ist der Bereich des Fadenziehindex D1 an der Messstelle A nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann er 800 nm oder weniger betragen. In einigen Ausführungsformen beträgt der Fadenziehindex D1 im Hinblick auf ein besseres Verhindern einer Haftmittelübertragung zweckmäßig 500 nm oder weniger, vorzugsweise 300 nm oder weniger, gegebenenfalls 250 nm oder weniger, 200 nm oder weniger oder sogar 150 nm oder weniger. Im Hinblick auf das Erhalten einer geeigneten Klebrigkeit an der PSA-Schichtoberfläche (z.B. zum Erleichtern des Anordnens von Halbleiterchips auf der PSA-Schicht) beträgt der Fadenziehindex D1 zweckmäßig 50 nm oder mehr, gegebenenfalls 80 nm oder mehr, 100 nm oder mehr oder sogar 120 nm oder mehr.
In der hier offenbarten PSA-Lage ist der Bereich des Fadenziehindex D2 an der Messstelle B nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann er 100 nm oder mehr betragen. Im Hinblick auf eine Verbesserung des Anpassungsvermögens an die Fügeteil-Oberflächenstruktur beträgt er vorzugsweise 150 nm oder mehr oder mehr bevorzugt 200 nm oder mehr. In einigen Ausführungsformen kann der Fadenziehindex D2 300 nm oder mehr, 400 nm oder mehr oder sogar 500 nm oder mehr betragen. Der Fadenziehindex D2 kann beispielsweise 2500 nm oder weniger betragen. Im Hinblick auf das Verhindern eines Kohäsionsversagens innerhalb der PSA-Schicht beträgt er vorzugsweise 1500 nm oder weniger, mehr bevorzugt 1000 nm oder weniger, gegebenenfalls 800 nm oder weniger oder sogar 600 nm oder weniger.
Das Verhältnis des Fadenziehindex D2 (nm) zu dem Fadenziehindex D1 (nm) (D2/D1) kann beispielsweise 0,3 oder höher, 0,5 oder höher oder sogar 1,0 oder höher sein. In einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis (D2/D1) vorzugsweise über 1,0 (z.B. 1,2 oder höher), gegebenenfalls 2,5 oder höher, 3,5 oder höher oder sogar 5,0 oder höher. Das Verhältnis (D2/D1) ist beispielsweise zweckmäßig 20,0 oder niedriger, vorteilhaft 15,0 oder niedriger, vorzugsweise 10,0 oder niedriger, gegebenenfalls 8,0 oder niedriger, 7,0 oder niedriger oder sogar 6,0 oder niedriger. Gemäß der PSA-Lage mit dem Verhältnis D2/D1 in dem Bereich, der durch jedwede Kombination dieser Ober- und Untergrenzen festgelegt ist, kann eine Verminderung der Haftmittelübertragung in einer gut ausgewogenen Weise einfach mit einem Oberflächenanpassungsvermögen kombiniert werden.
Die Eindruckhärte H1, H2 und die Fadenziehindizes D1 und D2 werden wie folgt bestimmt: Unter Verwendung eines Nanoindenters wird ein Eindruckkörper vertikal von der Probenoberfläche an einer vorgegebenen Messstelle zu einer vorgegebenen Tiefe gedrückt und dann herausgezogen. Die Änderung der Belastung, die auf den Eindruckkörper (vertikale Achse) während dieses Vorgangs ausgeübt wird, wird gegen die Verschiebung des Eindruckkörpers (horizontale Achse) bezogen auf die Probenoberfläche aufgetragen, so dass eine Belastung (Drücken)-Entlastung (Zurückziehen)-Kurve erhalten wird. H1, H2, D1 und D2 werden aus der Kurve bestimmt. Dabei liegt für die Messung der Eindruckhärte H1 und des Fadenziehindex D1 die Messstelle (A) an der PSA-Schichtoberfläche. Für die Messung der Eindruckhärte H2 und des Fadenziehindex D2 liegt die Messstelle (B) in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der PSA-Schichtoberfläche in einem Querschnitt der PSA-Lage.
Die Eindruckhärte (MPa) wird durch Dividieren der maximalen Belastung (Pmax) (µN) auf der Belastungskurve, die der vorgegebenen Tiefe des Eindringens des Eindruckkörpers entspricht, durch die vorgewölbte Kontaktfläche (A) des Eindruckkörpers, d.h., durch die folgende Gleichung, bestimmt: $Eindruckh \ddot{a} rte (MPa) = Pmax / A$
Die Eindruckhärte kann durch zweckmäßiges Auswählen der PSA-Schichtstruktur und der Zusammensetzung des PSA, das die PSA-Schicht bildet (z.B. der Zusammensetzung des Basispolymers, des Vernetzungsgrads, der Art des Vernetzungsmittels, usw.) auf die vorstehenden Bereiche eingestellt werden.
Wie es schematisch in der 5 gezeigt ist, ist der Fadenziehindex (nm) als die Verschiebung festgelegt, wenn die Entlastungskurve bei einer Belastung von Null auf der negativen Verschiebungsseite vorliegt. Der Fadenziehindex kann durch zweckmäßiges Auswählen der Zusammensetzung des PSA (z.B. der Zusammensetzung des Basispolymers, des Vernetzungsgrads, der Art des Vernetzungsmittels, usw.) auf die vorstehenden Bereiche eingestellt werden.
Die Eindruckhärte und die Fadenzieheigenschaften werden unter Verwendung eines Nanoindenters (TRIBOINDENTER TI-950, erhältlich von Hysitron (gegenwärtig Bruker)) bei den nachstehend gezeigten Bedingungen analysiert.
[Messbedingungen]
Verwendeter Eindruckkörper: Berkovich (trigonale Pyramide)-Diamanteindruckkörper

Messverfahren: Einzeleindruckmessung
Messtemperatur: Raumtemperatur (25 °C)
Eindrucktiefe: 800 nm an der Messstelle A, 1000 nm an der Messstelle B Eindruckgeschwindigkeit: 200 nm/s
Entfernungsgeschwindigkeit: 200 nm/s

(Quelleigenschaften)
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist bei einer anfänglichen Dicke T0 (µm) der PSA-Schicht (erste PSA-Schicht), nachdem die PSA-Schichtoberfläche einem Tropfen von 4-t-Butylphenylglycidylether (TBPGE) darauf ausgesetzt wird und für 1 Minute stehengelassen wird, die PSA-Schicht eine Dicke T1 (µm) mit einer Differenz von T0 (T1 - T0; d.h., Dickenänderung) von 20 µm oder weniger auf. Beispielsweise weist in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht angeordnet sind und mit einem Harz eingekapselt werden, die PSA-Lage, die nur eine geringe Dickenänderung durch ein TBPGE-Quellen zeigt, tendenziell eine verminderte Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz auf, wodurch gegebenenfalls eine Ungleichmäßigkeit (Abstehen) zwischen den Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz vermindert wird. In einigen Ausführungsformen beträgt die Dickenänderung diesbezüglich vorzugsweise 15 µm oder weniger oder mehr bevorzugt 10 µm oder weniger. Je näher die Dickenänderung an 0 (Null) µm liegt, desto mehr ist dies bevorzugt. Sie kann 0 µm betragen. In einigen Ausführungsformen kann in praktischer Hinsicht, wie z.B. der Ausgewogenheit mit anderen Eigenschaften, Kosten, usw., die Dickenänderung beispielsweise 0,1 µm oder weniger, 0,5 µm oder weniger, 1 µm oder weniger, 2 µm oder weniger oder sogar 3 µm oder weniger betragen.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage ist nach dem Tropfen von TBPGE auf die PSA-Schichtoberfläche der Haftmittellage und Stehenlassen derselben für 1 Minute die prozentuale Änderung der Dicke der PSA-Schicht vorzugsweise 160 % oder niedriger oder mehr bevorzugt 150 % oder niedriger. Wenn die PSA-Lage eine PSA-Schicht mit einer verminderten prozentualen Änderung der Dicke durch TBPGE-Quellen aufweist, wird beispielsweise in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht einem Harzeinkapseln unterzogen werden, tendenziell eine Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz vermindert, wodurch gegebenenfalls ein Abstehen vermindert wird. Diesbezüglich kann die prozentuale Änderung der Dicke in einigen Ausführungsformen beispielsweise 120 % oder niedriger, 100 % oder niedriger, 80 % oder niedriger oder sogar 60 % oder niedriger sein. Je niedriger die prozentuale Änderung der Dicke ist, desto mehr ist dies bevorzugt. Die Untergrenze ist nicht speziell beschränkt. In einigen Ausführungsformen kann in praktischer Hinsicht, wie z.B. der Ausgewogenheit mit anderen Eigenschaften, Kosten, usw., die prozentuale Dickenänderung beispielsweise 5 % oder höher, 10 % oder höher oder sogar 20 % oder höher sein.
Die Dickenänderung wird in der folgenden Weise bestimmt: Eine vorgegebene Menge von TBPGE (0,02 g unter Verwendung einer Spritze mit einem Durchmesser von 22 mm) wird auf die PSA-Schichtoberfläche getropft und für 1 Minute in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) stehengelassen. Nach dem Abwischen von restlichem TBPGE auf der PSA-Schicht wird die Dicke der PSA-Schicht T1 an der Stelle erhalten, bei der TBPGE aufgetropft worden ist. Aus T1 und T0 (der anfänglichen Dicke der PSA-Schicht an derselben Stelle vor dem Auftropfen von TBPGE) wird die Dickenänderung durch die Gleichung T1 - T0 bestimmt. Aus T1 und T0 wird die prozentuale Änderung der Dicke durch die Gleichung (T1 - T0)/T0 bestimmt. Beispielsweise können die Dickenänderung und die prozentuale Änderung der Dicke durch zweckmäßiges Auswählen der Zusammensetzung des Basispolymers (z.B. des Acrylpolymers) der Schicht A, welche mindestens die PSA-Schichtoberfläche bildet, des Vernetzungsgrads, der Art des Vernetzungsmittels, usw., auf die vorstehenden Bereiche eingestellt werden. Beispielsweise wenn das Acrylpolymer aus einem Monomergemisch gebildet wird, das mindestens 30 % (mehr bevorzugt mindestens 40 %) (bezogen auf das Gewicht) eines Alkyl(meth)acrylats mit einer Alkylgruppe mit vielen Kohlenstoffatomen (z.B. 4 oder mehr, vorzugsweise 8 oder mehr) am Esterende umfasst, kann die resultierende PSA-Schicht eine geringe Dickenänderung und/oder eine geringe prozentuale Änderung der Dicke aufweisen.
(TMA-Eindringtiefe)
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage kann die PSA-Lage in einer Umgebung bei 23 °C eine Eindringtiefe gemäß TMA von etwa 20,0 µm oder weniger (z.B. etwa 1,00 µm oder mehr und 20,0 µm oder weniger) aufweisen. Dabei steht die Eindringtiefe der PSA-Lage gemäß TMA bei 23 °C (oder nachstehend „TMA-Eindringtiefe“) für die Eindringtiefe 60 Minuten nach dem Inkontaktbringen der Sonde mit der PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) unter Verwendung eines thermomechanischen Analysegeräts (TMA). Die TMA-Eindringtiefe wird bei den folgenden Bedingungen gemessen: Sonde: Mit Nadel (zylindrisch, Spitzendurchmesser ø 1 mm); Stickstoff-Flussrate: 50,0 ml/min; Eindruckbelastung: 0,01 N. Als das thermomechanische Analysegerät kann das Produkt mit der Bezeichnung TMA Q400, das von TA Instruments erhältlich ist, oder ein äquivalentes Produkt verwendet werden.
Wenn die PSA-Lage eine PSA-Schicht nur auf einer Seite des Substrats aufweist (d.h., wenn sie die nachstehend genannte zweite PSA-Schicht nicht aufweist), wird die Messung durchgeführt, nachdem die der PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) gegenüberliegende Seite des Substrats mit einer Standard-PSA-Schicht versehen worden ist. Die Standard-PSA-Schicht ist 45 µm dick und wird unter Verwendung einer PSA-Zusammensetzung gebildet, die durch Mischen von 100 Gewichtsteilen eines Acrylpolymers (das aus den folgenden Monomeren ausgebildet ist: Ethylacrylat (EA)/2-Ethylhexylacrylat (2EHA)/Methylmethacrylat (MMA)/2-Hydroxyethylacrylat (HEA) = 30/70/5/5 (bezogen auf das Gewicht); Gewichtsmittel des Molekulargewichts 45*10⁴), 10 Gewichtsteilen eines Klebrigmachers (Produktbezeichnung MIGHTY ACE G125, erhältlich von Yasuhara Chemical Co., Ltd.), 2 Gewichtsteilen eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), 30 Gewichtsteilen von durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen (Produktbezeichnung MATSUMOTO MICROSPHERE F-190D, erhältlich von Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.) und Toluol erhalten wird.
In einigen Ausführungsformen beträgt die TMA-Eindringtiefe vorzugsweise 15,0 µm oder weniger, mehr bevorzugt 10,0 µm oder weniger, gegebenenfalls 9,00 µm oder weniger oder sogar 6,00 µm oder weniger. Beispielsweise vermindert in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, die PSA-Lage mit einer geringeren TMA-Eindringtiefe tendenziell das Einbetten der Halbleiterchips in die PSA-Lage aufgrund der Aufbringkraft auf die Halbleiterchips während des Harzeinkapselns (z.B. Schritte (ii) und (iii) in der 2). In der Struktur mit den Chips und dem Einkapselungsharz kann eine Verminderung des Einbettens die Halbleiter/Einkapselungsharz-Ungleichmäßigkeit (Abstehen), die durch das Einbetten verursacht wird, vermindern. Eine Verminderung der Ungleichmäßigkeit ist auch im Hinblick auf ein besseres Verhindern der Haftmittelübertragung bevorzugt, wenn die PSA-Lage von der Struktur entfernt wird.
In einigen Ausführungsformen beträgt im Hinblick auf ein Verbessern des Anpassungsvermögens an die Fügeteil-Oberfläche (z.B. gegebenenfalls eine Ungleichmäßigkeit auf der Halbleiterchip-Oberfläche) die TMA-Eindringtiefe beispielsweise gegebenenfalls 1,50 µm oder mehr, zweckmäßig 2,00 µm oder mehr, ferner gegebenenfalls 2,50 µm oder mehr, 3,00 µm oder mehr oder sogar 3,50 µm oder mehr. In der PSA-Lage, die eine solche TMA-Eindringtiefe aufweist, kann das Anpassungsvermögen an die Halbleiterchip-Oberfläche in einer vorteilhaften Weise mit einer Verminderung des Einbettens der Halbleiterchips in die PSA-Lage kombiniert werden.
Die TMA-Eindringtiefe kann durch zweckmäßiges Auswählen beispielsweise der PSA-Schichtstruktur (Dicke, Schichtzusammensetzung, usw.), der Zusammensetzung und des Vernetzungsgrads des Basispolymers (z.B. des Acrylpolymers) des PSA, das die PSA-Schicht bildet, der Art des Vernetzungsmittel, der Art des Substrats, usw., auf diese Bereiche eingestellt werden.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist die PSA-Lage in einer Umgebung bei 145 °C eine Eindringtiefe gemäß TMA (oder nachstehend „Hochtemperatur-TMA-Eindringtiefe“) von zweckmäßig 2,00 µm oder mehr und 60 µm oder weniger, beispielsweise gegebenenfalls 3,00 µm oder mehr und 50 µm oder weniger oder sogar 4,00 µm oder mehr und 40 µm oder weniger auf. The PSA-Lage mit einer Hochtemperatur-TMA-Eindringtiefe innerhalb dieser Bereiche kann in einer vorteilhaften Weise das Einbetten von Halbleiterchips in die PSA-Lage selbst dann vermindern, wenn sie Hochtemperaturumgebungen (z.B. der Erwärmungsumgebung während des Harzeinkapselns) ausgesetzt ist. Wenn die Messatmosphärentemperatur auf 145 °C eingestellt ist, wird die Hochtemperatur-TMA-Eindringtiefe in der gleichen Weise wie die TMA-Eindringtiefe in der 23 °C-Umgebung bestimmt.
(Sondenklebrigkeitswert)
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) einen Sondenklebrigkeitswert von vorzugsweise 50 N/ø5mm oder mehr, mehr bevorzugt 75 N/ø5mm oder mehr oder noch mehr bevorzugt 100 N/ø5mm oder mehr, der an der Oberfläche bestimmt wird, auf. Ein Sondenklebrigkeitswert innerhalb dieser Bereiche ist im Hinblick auf das Verhindern einer Verschiebung des Fügeteils (z.B. von Halbleiterchips), das auf der PSA-Schicht angeordnet ist, bevorzugt. Der Sondenklebrigkeitswert kann in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) mit einem handelsüblichen Sondenklebrigkeitsprüfgerät bei den folgenden Bedingungen bestimmt werden: Durchmesser und Material des Sondenbereichs: ø 5 mm SUS (rostfreier Stahl); Sondenabsenkgeschwindigkeit: 30 mm/min; Kontaktbelastung: 100 gf; Kontaktdauer: 1 s; und Prüfgeschwindigkeit: 30 mm/min.
(Haftfestigkeit auf PET)
Die Haftfestigkeit auf PET (Haftfestigkeit auf einer Polyethylenterephthalat-Folie) der hier offenbarten PSA-Lage ist nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann sie 5,00 N/20 mm oder weniger, 3,00 N/20 mm oder weniger oder sogar 2,00 N/20 mm oder weniger betragen. In einigen Ausführungsformen beträgt die Haftfestigkeit auf PET im Hinblick auf das Verhindern einer Beschädigung des Fügeteils aufgrund der Belastung während der Entfernung der PSA-Lage vorzugsweise 1,00 N/20 mm oder weniger oder mehr bevorzugt 0,05 N/20 mm oder weniger. In einigen Ausführungsformen beträgt die Haftfestigkeit auf PET im Hinblick auf ein bevorzugtes Fixieren des Fügeteils (z.B. von Halbleiterchips) der PSA-Lage zweckmäßig 0,03 N/20 mm oder mehr, vorzugsweise 0,05 N/20 mm oder mehr, gegebenenfalls 0,10 N/20 mm oder mehr oder sogar 0,15 N/20 mm oder mehr.
Die Haftfestigkeit auf PET wird durch Kleben einer PET-Folie (25 µm dick) als das Fügeteil (durch einmal Zurück- und Vorrollen einer 2 kg-Walze) an die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) der PSA-Lage mit einer Breite von 20 mm und einer Länge von 140 mm, Belassen des erhaltenen Gegenstands in einer Umgebung bei einer Temperatur von 23 °C für 30 Minuten und Durchführen einer Zugprüfung (bei einem Ablösewinkel von 180° und einer Zuggeschwindigkeit von 300 mm/min) bestimmt.
(Zugmodul)
In einigen Ausführungsformen weist die erste PSA-Schicht einen Zugmodul bei 25 °C von vorzugsweise weniger als 100 MPa, mehr bevorzugt 0,1 MPa bis 50 MPa oder noch mehr bevorzugt 0,1 MPa bis 10 MPa auf. Es ist wahrscheinlich, dass die erste PSA-Schicht innerhalb dieser Bereiche eine geeignete Haftfestigkeit in der resultierenden PSA-Lage aufweist. Der Zugmodul kann auf der Basis von JIS K 7161:2008 bestimmt werden.
<PSA-Schicht (erste PSA-Schicht)>
In der hier offenbarten PSA-Lage kann als das PSA, das die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) bildet, die mindestens auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, ein beliebiges geeignetes PSA verwendet werden, solange die Effekte dieser Erfindung erhalten werden können. Beispielsweise kann die PSA-Lage eine, zwei oder mehr Art(en) umfassen, die aus verschiedenen bekannten PSAs ausgewählt sind, wie z.B. ein Acryl-PSA, ein PSA auf Kautschuk-Basis (auf der Basis von Naturkautschuk, synthetischem Kautschuk, einem Gemisch davon, usw.), ein PSA auf Silikon-Basis, ein PSA auf Polyester-Basis, ein PSA auf Urethan-Basis, ein PSA auf Polyether-Basis, ein PSA auf Polyamid-Basis und ein PSA auf Fluor-Basis. In der PSA-Schicht, die zwei oder mehr Arten von PSAs umfasst, kann es sich um zwei oder mehr Arten handeln, die aus PSAs des gleichen Typs (z.B. Acryl-PSAs) ausgewählt sind; oder es kann sich um eine, zwei oder mehr Art(en) handeln, die aus jedem von zwei oder mehr verschiedenen Typen von PSAs (z.B. Acryl-PSAs und PSAs auf Polyester-Basis) ausgewählt ist/sind. In der PSA-Schicht, die zwei oder mehr Arten von PSA umfasst, können diese PSAs einheitlich miteinander gemischt sein, an verschiedenen Positionen (z.B. schichtartig) in der Dickenrichtung angeordnet sein oder an verschiedenen Stellen (z.B. getrennt aufgebracht) in der Ebenenrichtung angeordnet sein. Sie können auch eine kombinierte oder dazwischenliegende Anordnung derselben aufweisen.
Die Dicke der ersten PSA-Schicht beträgt vorzugsweise 5 µm oder mehr. Wenn die erste PSA-Schicht eine Dicke von mindestens 5 µm aufweist, ist es wahrscheinlich, dass sie ein gutes Anpassungsvermögen an Fügeteil-Oberflächenstrukturen aufweist. Die maximale Dicke der ersten PSA-Schicht ist nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann sie 200 µm oder weniger oder sogar 150 µm oder weniger betragen. In einigen Ausführungsformen beträgt die Dicke der ersten PSA-Schicht im Hinblick auf das Verhindern einer Haftmittelübertragung aufgrund eines Kohäsionsversagens der PSA-Schicht, das Verhindern eines Einbettens von Halbleiterchips in der PSA-Lage in Nutzungssituationen, bei denen der Harzeinkapselungsvorgang für Halbleiterchips auf der PSA-Schicht durchgeführt wird, usw., zweckmäßig 110 µm oder weniger, vorzugsweise 60 µm oder weniger oder mehr bevorzugt 20 µm oder weniger.
<Schicht A>
Die PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) umfasst typischerweise die Schicht A, die mindestens die PSA-Schichtoberfläche bildet. In einigen Ausführungsformen kann die PSA-Schicht eine Einschichtstruktur aufweisen, die aus der Schicht A ausgebildet ist. In diesem Fall wird die Schicht A durch direktes Verbinden der gegenüberliegenden Seite der PSA-Schichtoberfläche mit der Oberfläche von einer Seite des Substrats gebildet. In weiteren Ausführungsformen kann die PSA-Schicht zwischen der Schicht A und der einen Substratoberfläche eine weitere PSA-Schicht umfassen (z.B. die später beschriebene Schicht B), die von der Schicht A verschieden ist. In einer solchen Ausführungsform können die Unterschiede zwischen dem Schicht A-bildenden PSA und dem PSA, das die weitere PSA-Schicht bildet, beispielsweise einer, zwei oder mehr der folgenden sein: Unterschiede beim Basispolymer (z.B. Unterschiede bei der Zusammensetzung von Monomeren, die das Basispolymer bilden, beim Gewichtsmittel des Molekulargewichts, bei der Polymerkettenstruktur, usw.); Unterschiede beim Vernetzungsmittel (z.B. bei der Art und der Menge, die verwendet werden); Unterschiede beim Klebrigmacherharz (z.B. Vorliegen/Fehlen, einbezogene Menge, Art des Klebrigmacherharzes, usw.); Vorliegen/Fehlen von weiteren Zusätzen, Unterschiede bei deren Mengen und Arten; usw.
In einigen bevorzugten Ausführungsformen ist das PSA, das die Schicht A bildet, ein Acryl-PSA, das ein Acrylpolymer als Basispolymer umfasst. Wenn mindestens die erste PSA-Schichtoberfläche aus dem Acryl-PSA ausgebildet ist, kann der Effekt der hier offenbarten Erfindung in einer vorteilhaften Weise erhalten werden.
(Acrylpolymer)
Das Acrylpolymer als das Basispolymer des Acryl-PSA ist ein Polymerisationsprodukt von Monomeren (eines Monomergemischs), die ein Alkyl(meth)acrylat als das primäre Monomer umfassen und die ferner gegebenenfalls ein sekundäres Monomer umfassen können, das mit dem primären Monomer copolymerisierbar ist. Dabei bezieht sich das primäre Monomer auf den Hauptbestandteil der Monomere, die das Acrylpolymer bilden, d.h., einen Bestandteil, der mehr als 50 Gew.-% der Monomere ausmacht.
Beispielsweise kann eine Verbindung, die durch die folgende Formel (A) dargestellt ist, in einer vorteilhaften Weise als das Alkyl(meth)acrylat verwendet werden. CH₂=C(R¹)COOR² (A)
Dabei ist R¹ in der Formel (A) ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe. R² ist eine acyclische Alkylgruppe mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen (nachstehend kann ein solcher Bereich der Anzahl von Kohlenstoffatomen als „C_1-20“ angegeben werden und ein Alkyl(meth)acrylat mit einer Alkylgruppe mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen kann als „C_1-20-Alkyl(meth)acrylat“ angegeben werden). Im Hinblick auf ein einfaches Einstellen von Hafteigenschaften, usw., ist ein Alkyl(meth)acrylat, in dem R² eine acyclische C_1-18-Alkylgruppe ist, bevorzugt, und ein Alkyl(meth)acrylat, in dem R² eine acyclische C_1-12-Alkylgruppe ist, ist mehr bevorzugt.
Spezifische Beispiele für das Alkyl(meth)acrylat umfassen C_1-20-Alkyl(meth)acrylate, wie z.B. Methyl(meth)acrylat, Ethyl(meth)acrylat, Propyl(meth)acrylat, Isopropyl(meth)acrylat, Butyl(meth)acrylat, Isobutyl(meth)acrylat, s-Butyl(meth)acrylat, t-Butyl(meth)acrylat, Pentyl(meth)acrylat, Hexyl(meth)acrylat, Heptyl(meth)acrylat, Octyl(meth)acrylat, 2-Ethylhexyl(meth)acrylat, Isooctyl(meth)acrylat, Nonyl(meth)acrylat, Isononyl(meth)acrylat, Decyl(meth)acrylat, Isodecyl(meth)acrylat, Undecyl(meth)acrylat, Dodecyl(meth)acrylat, Tridecyl(meth)acrylat, Tetradecyl(meth)acrylat, Pentadecyl(meth)acrylat, Hexadecyl(meth)acrylat, Heptadecyl(meth)acrylat, Octadecyl(meth)acrylat, Nonadecyl(meth)acrylat und Eicosyl(meth)acrylat. Insbesonders ist es bevorzugt, ein Alkyl(meth)acrylat mit einer unverzweigten oder verzweigten C_4-20- (mehr bevorzugt C_6-20-, mehr bevorzugt C_8-18-) Alkylgruppe (z.B. 2-Ethylhexyl(meth)acrylat) zu verwenden.
In einigen Ausführungsformen macht ein unverzweigtes oder verzweigtes C₄₊-Alkyl(meth)acrylat (d.h., ein Alkyl(meth)acrylat mit einer Struktur, in der R² in der Formel (A) eine unverzweigte oder verzweigte Alkylgruppe mit 4 oder mehr Kohlenstoffatomen ist (vorzugsweise 8 oder mehr; und vorzugsweise 18 oder weniger, z.B. 12 oder weniger)) mindestens 30 Gew.-% der Acrylpolymer-bildenden Monomere aus. Die Verwendung eines solchen Alkyl(meth)acrylats kann die Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz vermindern. Die Menge des Alkyl(meth)acrylats in den Monomeren, die für die Acrylpolymersynthese verwendet werden, ist vorzugsweise 40 Gew.% oder höher. In einigen Ausführungsformen kann sie 50 Gew.-% oder höher oder sogar 70 Gew.-% oder höher sein. Im Hinblick auf eine Unterstützung bei der Einstellung der Eindruckhärte H1 an der Messstelle A auf einen geeigneten Bereich ist der Alkyl(meth)acrylat-Gehalt in den Monomeren zweckmäßig 99,5 Gew.-% oder niedriger, vorzugsweise 99 Gew.-% oder niedriger, gegebenenfalls 98 Gew.-% oder niedriger oder sogar 97 Gew.-% oder niedriger.
Ein sekundäres Monomer, das mit dem Alkyl(meth)acrylat (primären Monomer) copolymerisierbar ist, kann bei der Einführung von Vernetzungspunkten in das Acrylpolymer oder beim Erhöhen der Kohäsionsfestigkeit und der Wärmebeständigkeit des Acrylpolymers unterstützen. Das sekundäre Monomer kann beim Einstellen der Eindruckhärte H1 unterstützen. Als das sekundäre Monomer kann beispielsweise von den nachstehend genannten funktionelle Gruppe-enthaltenden Monomeren nur eine Art oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden.
Carboxygruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Acrylsäure, Methacrylsäure, Carboxyethylacrylat, Carboxypentylacrylat, Itaconsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Crotonsäure;
Säureanhydridmonomere, wie z.B. Maleinsäureanhydrid und Itaconsäureanhydrid; Hydroxygruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Hydroxyethyl(meth)acrylat, Hydroxypropyl(meth)acrylat, Hydroxybutyl(meth)acrylat, Hydroxyhexyl(meth)acrylat, 8-Hydroxyoctyl(meth)acrylat, Hydroxydecyl(meth)acrylat, Hydroxylauryl(meth)acrylat und (4-Hydroxymethylcyclohexyl)methyl(meth)acrylat;
Monomere auf Amido-Basis (N-substitutiert), wie z.B. (Meth)acrylamid, N,N-Dimethyl(meth)acrylamid, N-Butyl(meth)acrylamid und N-Methylol(meth)acrylamid sowie N-Methylolpropan(meth)acrylamid;
Monomere mit einem Stickstoffatom-enthaltenden Ring, wie z.B. N-Vinyl-2-pyrrolidon, N-Methylvinylpyrrolidon, N-Vinylpyridin, N-Vinylpiperidon, N-Vinylpyrimidin, N-Vinylpiperazin, N-Vinylpyrazin, N-Vinylpyrrol, N-Vinylimidazol, N-Vinyloxazol, N-Vinylmorpholin, N-Vinylcaprolactam und N-(Meth)acryloylmorpholin;
Aminogruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Aminoethyl(meth)acrylat, N,N-Dimethylaminoethyl(meth)acrylat und t-Butylaminoethyl(meth)acrylat;
Epoxygruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Glycidyl(meth)acrylat. Cyanogruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Acrylnitril und Methacrylnitril;
Sulfonatgruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Styrolsulfonat, Allylsulfonat, 2-(Meth)acrylamid-2-methylpropansulfonat, (Meth)acrylamidpropansulfonat, Sulfopropyl(meth)acrylat und (Meth)acryloyloxynaphthalinsulfonat;
Monomere auf Maleimid-Basis, wie z.B. N-Cyclohexylmaleimid, N-Isopropylmaleimid, N-Laurylmaleimid und N-Phenylmaleimid;
Monomere auf Itaconimid-Basis, wie z.B. N-Methylitaconimid, N-Ethylitaconimid, N-Butylitaconimid, N-Octylitaconimid, N-2-Ethylhexylitaconimid, N-Cyclohexylitaconimid und N-Laurylitaconimid;
Monomere auf Succinimid-Basis, wie z.B. N-(Meth)acryloyloxymethylensuccinimid, N-(Meth)acryloyl-6-oxyhexamethylensuccinimid und N-(Meth)acryloyl-8-oxyoctamethylensuccinimid;
Alkoxysilylgruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Alkoxysilylgruppe-enthaltende (Meth)acrylate, wie z.B. (3-(Meth)acryloxypropyl)trimethoxysilan, (3-(Meth)acryloxypropyl)triethoxysilan, (3-(Meth)acryloxypropyl)methyldimethoxysilan und (3-(Meth)acryloxypropyl)methyldiethoxysilan.
Neben den vorstehend beispielhaft genannten funktionelle Gruppe-enthaltenden Monomeren können die Monomere weitere copolymerisierbare Monomere (Comonomere) zur Verbesserung des Kohäsionsvermögens, usw., umfassen. Beispiele für solche weiteren Comonomere umfassen Vinylestermonomere, wie z.B. Vinylacetat, Vinylpropionat und Vinyllaurat; aromatische Vinylverbindungen, wie z.B. Styrol, substitutiertes Styrol (α-Methylstyrol und dergleichen) und Vinyltoluol; Cycloalkyl(meth)acrylate, wie z.B. Cyclohexyl(meth)acrylat, Cyclopentyl(meth)acrylat und Isobornyl(meth)acrylat; aromatischer Ring-enthaltende (Meth)acrylate, wie z.B. Aryl(meth)acrylate (z.B. Phenyl(meth)acrylat), Aryloxyalkyl(meth)acrylate (z.B. Phenoxyethyl(meth)acrylat) und Arylalkyl(meth)acrylate (z.B. Benzyl(meth)acrylat); olefinische Monomere, wie z.B. Ethylen, Propylen, Isopren, Butadien und Isobutylen; Chlor-enthaltende Monomere, wie z.B. Vinylchlorid und Vinylidenchlorid; Isocyanatgruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. 2-(Meth)acryloyloxyethylisocyanat; Alkoxygruppe-enthaltende Monomere, wie z.B. Methoxyethyl(meth)acrylat und Ethoxyethyl(meth)acrylat; Vinylethermonomere, wie z.B. Methylvinylether und Ethylvinylether; Monomere auf Glykol-Basis, wie z.B. Polyethylenglykol(meth)acrylat, Polypropylenglykol(meth)acrylat, Methoxyethylenglykol(meth)acrylat und Methoxypolypropylenglykol; und weitere Monomere, einschließlich Heteroring-enthaltende Monomere, wie z.B. Tetrahydrofurfuryl(meth)acrylat, Fluor(meth)acrylate und Silikon(meth)acrylat.
Als das weitere Comonomer können die Monomere ein polyfunktionelles Monomer für Vernetzungszwecke, usw., umfassen. Nicht-beschränkende mögliche Beispiele für solche polyfunktionellen Monomere umfassen Hexandioldi(meth)acrylat, (Poly)ethylenglykoldi(meth)acrylat, (Poly)propylenglykoldi(meth)acrylat, Neopentylglykoldi(meth)acrylat, Pentaerythritdi(meth)acrylat, Trimethylolpropantri(meth)acrylat, Pentaerythrittri(meth)acrylat, Dipentaerythrithexa(meth)acrylat, polyfunktionelle Epoxyacrylate, polyfunktionelle Polyesteracrylate und polyfunktionelle Urethanacrylate. Als das polyfunktionelle Monomer kann nur eine Art oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden.
In einigen bevorzugten Ausführungsformen umfasst das Acrylpolymer vorzugsweise eine Bestandteilseinheit (monomere Einheit) (a), die von einem Monomer mit einer Homopolymer-Glasübergangstemperatur (Tg) von -5 °C bis 150 °C (vorzugsweise 50 °C bis 150 °C, mehr bevorzugt 80 °C bis 120 °C) abgeleitet ist. Das Einbeziehen einer solchen Bestandteilseinheit kann beim Erhalten einer Schicht A unterstützen, in der die molekulare Bewegung des Acrylpolymers beschränkt ist und die S T₂-Relaxationszeitkomponente gemäß einer Puls-NMR zweckmäßig eingestellt ist. Mit der Schicht A, die mindestens die erste PSA-Schichtoberfläche bildet, kann die resultierende PSA-Lage ein hervorragendes Niedertemperatur-Haftvermögen aufweisen. Bezogen auf alle Bestandteilseinheiten, die das Acrylpolymer bilden, beträgt die Menge der Bestandteilseinheit a vorzugsweise 0,1 bis 20 Gew.-%, mehr bevorzugt 1 bis 10 Gew.-%, besonders bevorzugt 1,5 bis 8 Gew.-% oder insbesondere 3 bis 6 Gew.-%.
Beispiele für Monomere mit einer Homopolymer-Tg von -5 °C bis 150 °C umfassen 2-Hydroxyethylacrylat (Tg: -3 °C), 2-Hydroxyethylmethacrylat (Tg: 77 °C), Acrylsäure (Tg: 102 °C), Cyclohexylmethacrylat (Tg: 83 °C), Dicyclopentanylacrylat (Tg: 120 °C), Dicyclopentanylmethacrylat (Tg: 175 °C), Isobornylacrylat (Tg: 94 °C), Isobornylmethacrylat (Tg: 150 °C), t-Butylmethacrylat (Tg: 118 °C), Methylmethacrylat (Tg: 105 °C), Styrol (Tg: 80 °C), Acrylnitril (Tg: 97 °C) und N-Acryloylmorpholin (Tg: 145 °C). Als Glasübergangstemperaturen von Homopolymeren von weiteren Monomeren, die von den vorstehenden Monomeren verschieden sind, werden Werte verwendet, die in „Polymer Handbook“ (3. Auflage, John Wiley & Sons, Inc., Jahr 1989) angegeben sind. Wenn das „Polymer Handbook“ mehr als einen Wert für ein bestimmtes Monomer angibt, wird der höchste Wert verwendet. Wenn in den bekannten Dokumenten eine bestimmte Homopolymer-Tg nicht angegeben ist, soll der Wert verwendet werden, der durch das Messverfahren gemäß der japanischen Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2007-51271 erhalten wird.
Von diesen Monomeren kann nur eine Art oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden. Insbesondere erhöht Methylmethacrylat die Transparenz der PSA-Schicht und ist folglich bevorzugt, wenn die Sichtbarkeit des Fügeteils während der Verarbeitung erhöht werden soll. Acrylsäure stellt eine stärkere Haftung an dem Fügeteil durch intermolekulare Wechselwirkungen bereit und ist folglich bevorzugt, wenn eine starke Haftung erforderlich ist. 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat ist mit verschiedenen Vernetzungsmitteln hochreaktiv, so dass es zur Bildung eines PSA mit einer kurzen T₂-Relaxationszeit geeignet ist, wie es später beschrieben ist.
In einigen bevorzugten Ausführungsformen kann das Acrylpolymer eine Struktureinheit umfassen, die von einem Carboxygruppe-enthaltenden Monomer („Carboxylmonomer“) abgeleitet ist. Die Menge der Carboxylmonomer-abgeleiteten Struktureinheiten bezogen auf alle Struktureinheiten, die das Acrylpolymer bilden, beträgt vorzugsweise 0,1 Gew.-% oder mehr, mehr bevorzugt 1 Gew.-% oder mehr, noch mehr bevorzugt 2 Gew.-% oder mehr; und vorzugsweise 15 Gew.-% oder weniger, mehr bevorzugt 10 Gew.-% oder weniger oder noch mehr bevorzugt 7 Gew.-% oder weniger.
In einigen bevorzugten Ausführungsformen umfasst das Acrylpolymer eine Struktureinheit, die von einem Hydroxygruppe-enthaltenden Monomer („Hydroxylmonomer“) abgeleitet ist. Die Menge von Hydroxylmonomer-abgeleiteten Struktureinheiten bezogen auf alle Struktureinheiten, die das Acrylpolymer bilden, beträgt vorzugsweise 0,01 Gew.-% oder mehr, mehr bevorzugt 0,03 Gew.-% oder mehr, beispielsweise 0,05 Gew.-% oder mehr; und vorzugsweise 20 Gew.-% oder weniger oder mehr bevorzugt 10 Gew.-% oder weniger, beispielsweise 7 Gew.-% oder weniger.
(SP-Wert)
In einigen Ausführungsformen weist das Basispolymer (vorzugsweise ein Acrylpolymer) des Schicht A-bildenden PSA einen SP-Wert von beispielsweise zweckmäßig 10 oder höher und 30 oder niedriger, vorzugsweise 15 oder höher und 25 oder niedriger oder besonders bevorzugt 18 oder höher und 20 oder niedriger auf. Innerhalb dieser Bereiche kann eine Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz bevorzugt verhindert werden. Es sollte beachtet werden, dass die Einheit von Zahlenwerten, die SP-Werte angeben, für alle (cal/cm³)^1/2 ist.
Dabei wird der SP-Wert aus der Grundstruktur der Verbindung durch das Verfahren bestimmt, das von Fedors vorgeschlagen wird. Insbesondere wird der SP-Wert aus der Verdampfungsenergie Δe (cal) von jedem Atom oder jeder Atomgruppe bei 25 °C sowie dem Molvolumen Δv (cm³) des Atoms oder der Atomgruppe bei der gleichen Temperatur durch die folgende Gleichung bestimmt: $SP - Wert (δ) = {(\sum Δ e / \sum Δ v)}^{1 / 2}$
(Referenz: Hideki Yamamoto, „SP-value fundamentals, application, and calculation method"(4. Auflage), veröffentlicht von Johokiko Co., Ltd., 3. April 2006, Seiten 66-67).
Wenn das Polymer ein Copolymer ist, wird dessen SP-Wert durch Berechnen der SP-Werte von Homopolymeren der jeweiligen Bestandteilseinheiten, die das Copolymer bilden, Multiplizieren dieser SP-Werte durch die Molenbrüche der jeweiligen Bestandteilseinheiten und Addieren der Produkte bestimmt. In diesem Fall wird zur Analyse der jeweiligen Bestandteilseinheiten (Analyse der Polymerzusammensetzung) nur die PSA-Schicht zweckmäßig von der PSA-Lage entnommen und in ein organisches Lösungsmittel, wie z.B. Dimethylformamid (DMF), Aceton, Methanol, Tetrahydrofuran (THF), usw., eingetaucht. Der resultierende in dem Lösungsmittel lösliche Teil kann gesammelt und mittels Gelpermeationschromatographie (GPC), kernmagnetischer Resonanzspektroskopie (NMR), Infrarotspektroskopie (IR) und Massenspektrometrie analysiert werden.
(Vernetzungsmittel)
Im Hinblick auf eine Unterstützung beim Erhalten der vorstehend genannten bevorzugten Eindruckhärte H1 ist das Basispolymer der Schicht A vorzugsweise in dem PSA vernetzt, das die Schicht A bildet. Beispielsweise kann unter Verwendung einer PSA-Zusammensetzung, die ein Basispolymer und ein geeignetes Vernetzungsmittel umfasst, eine Schicht A erhalten werden, die aus einem PSA ausgebildet ist, in dem das Basispolymer mit dem Vernetzungsmittel vernetzt ist.
Die Art des Vernetzungsmittels ist nicht speziell beschränkt und eine geeignete Art kann beispielsweise aus Vernetzungsmitteln auf Isocyanat-Basis, Vernetzungsmitteln auf Epoxid-Basis, Vernetzungsmitteln auf Melamin-Basis, Vernetzungsmitteln auf Peroxid-Basis, Vernetzungsmitteln auf Harnstoff-Basis, Vernetzungsmitteln auf Metallalkoxid-Basis, Vernetzungsmitteln auf Metallchelat-Basis, Vernetzungsmitteln auf Metallsalz-Basis, Vernetzungsmitteln auf Carbodiimid-Basis, Vernetzungsmitteln auf Oxazolin-Basis, Vernetzungsmitteln auf Aziridin-Basis und Vernetzungsmitteln auf Amin-Basis ausgewählt und verwendet werden. Als das Vernetzungsmittel kann nur eine Art oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden. Besonders bevorzugte Vernetzungsmittel umfassen Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis und Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis.
Beispiele für Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis umfassen N,N,N',N'-Tetraglycidylm-xyloldiamin, Diglycidylanilin, 1,3-Bis(N,N-diglycidylaminomethyl)cyclohexan (Produktbezeichnung TETRAD C, erhältlich von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.), 1,6-Hexandioldiglycidylether (Produktbezeichnung EPOLIGHT 1600, erhältlich von Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Neopentylglykoldiglycidylether (Produktbezeichnung EPOLIGHT 1500NP, erhältlich von Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Ethylenglykoldiglycidylether (Produktbezeichnung EPOLIGHT 40E, erhältlich von Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Propylenglykoldiglycidylether (Produktbezeichnung EPOLIGHT 70P, erhältlich von Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Polyethylenglykoldiglycidylether (Produktbezeichnung EPIOL E-400, erhältlich von NOF Corporation), Polypropylenglykoldiglycidylether (Produktbezeichnung EPIOL P-200, erhältlich von NOF Corporation), Sorbitpolyglycidylether (Produktbezeichnung DENACOL EX-611, erhältlich von Nagase ChemteX Corporation), Glycerinpolyglycidylether (Produktbezeichnung DENACOL EX-314, erhältlich von Nagase ChemteX Corporation), Pentaerythritpolyglycidylether, Polyglycerinpolyglycidylether (Produktbezeichnung DENACOL EX-512, erhältlich von Nagase ChemteX Corporation), Sorbitanpolyglycidylether, Trimethylolpropanpolyglycidylether, Diglycidyladipat, Diglycidyl-o-phthalat, Triglycidyltris(2-hydroxyethyl)isocyanurat, Resorcindiglycidylether, Bisphenol S-diglycidylether und ein Epoxidharz mit zwei oder mehr Epoxygruppen im Molekül. (Ein) Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis kann/können in einer geeigneten beliebigen Menge gemäß den gewünschten Eigenschaften verwendet werden. In einigen Ausführungsformen beträgt die Menge des Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis, die für 100 Gewichtsteile des Basispolymers verwendet wird, beispielsweise gegebenenfalls 0,01 Gewichtsteile oder mehr und 50 Gewichtsteile oder weniger, vorzugsweise 0,6 Gewichtsteile oder mehr und 15 Gewichtsteile oder weniger, mehr bevorzugt 2 Gewichtsteile oder mehr und 13 Gewichtsteile oder weniger oder noch mehr bevorzugt 3 Gewichtsteile oder mehr und 10 Gewichtsteile oder weniger.
Spezifische Beispiele für Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis umfassen niedere aliphatische Polyisocyanate, wie z.B. Butylendiisocyanat und Hexamethylendiisocyanat; alicyclische Isocyanate, wie z.B. Cyclopentylendiisocyanat, Cyclohexylendiisocyanat und Isophorondiisocyanat; aromatische Isocyanate, wie z.B. 2,4-Tolylendiisocyanat, 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat und Xylylendiisocyanat; Isocyanat-Addukte, wie z.B. Trimethylolpropan/Tolylendiisocyanat-Trimeraddukt (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), Trimethylolpropan/Hexamethylendiisocyanat-Trimeraddukt (Produktbezeichnung CORONATE HL, erhältlich von Tosoh Corporation) und das Isocyanurat von Hexamethylendiisocyanat (Produktbezeichnung CORONATE HX, erhältlich von Tosoh Corporation). Das Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis kann in einer beliebigen Menge verwendet werden, die zweckmäßig gemäß der gewünschten Haftfestigkeit ausgewählt wird. In einigen Ausführungsformen beträgt die Menge des Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis bezogen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers typischerweise 0,1 Gewichtsteile oder mehr und 20 Gewichtsteile oder weniger oder vorzugsweise 1 Gewichtsteil oder mehr und 10 Gewichtsteile oder weniger.
In einigen Ausführungsformen kann als das Vernetzungsmittel, das in der Schicht A verwendet wird, vorzugsweise ein Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis verwendet werden. Mit der Schicht A, die eine Vernetzungsstruktur aufweist, in der das Basispolymer mit einem Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis vernetzt ist, kann eine hier offenbarte bevorzugte Eindruckhärte H1 in einer vorteilhaften Weise erhalten werden. Die resultierende PSA-Lage kann auch vorzugsweise eine Halbleiterchip/Einkapselungsharz-Ungleichmäßigkeit vermindern. Die PSA-Schicht kann auch mit einer hohen Kohäsionsfestigkeit ausgebildet werden, um ein Verschieben des Fügeteils effektiv zu verhindern.
In einigen Ausführungsformen ist es bevorzugt, als das Vernetzungsmittel ein Vernetzungsmittel mit einem Stickstoffatom (N) zu verwenden. Das N-enthaltende Vernetzungsmittel ist vorteilhaft, da die katalytische Aktivität von Stickstoffatomen die Vernetzungsreaktion (die Reaktion mit Carboxygruppen in dem Basispolymer) beschleunigt, so dass die Erhöhung des Gelanteils von PSA unterstützt wird. Spezifische Beispiele für das N-enthaltende Vernetzungsmittel umfassen Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis, wie z.B. diejenigen, die vorstehend beschrieben sind, und N-enthaltende Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis (z.B. Glycidylaminogruppe-enthaltende Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis, wie z.B. N,N,N',N'-Tetraglycidyl-m-xyloldiamin und 1,3-Bis(N,N-glycidylaminomethyl)cyclohexan). In einigen Ausführungsformen, bei denen ein N-enthaltendes Vernetzungsmittel eingesetzt wird, wird das Vernetzungsmittel vorzugsweise in einer Menge verwendet, die so eingestellt ist, dass die nachstehend genannte Menge des gebildeten Stickstoffgases 0,06 Gew.-% oder mehr und 1,0 Gew.-% oder weniger (mehr bevorzugt 0,06 Gew.-% oder mehr und 0,9 Gew.-% oder weniger) beträgt. Die Verwendung in einer solchen Menge unterstützt beim Erhalten einer PSA-Lage, bei der Eigenschaften dahingehend, dass kein Rückstand zurückbleibt, und ein Oberflächenanpassungsvermögen vorteilhaft kombiniert sind.
In einigen Ausführungsformen ist das quantitative Verhältnis des Vernetzungsmittels (vorzugsweise eines Vernetzungsmittels, das bei der Reaktion mit Carboxygruppen eine Vernetzungsstruktur bildet, z.B. eines Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis, eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis, usw.) zu Carboxygruppen in dem Basispolymer (z.B. einem Acrylpolymer) vorzugsweise 0,08 Moläquivalente oder höher und 2 Moläquivalente oder niedriger oder mehr bevorzugt 0,1 Moläquivalente oder höher und 1 Moläquivalent oder niedriger. Die Verwendung in einer solchen Menge kann eine hier offenbarte bevorzugte Eindruckhärte H1 bewirken. Wenn das Vernetzungsmittel in einer solchen Menge verwendet wird und ermöglicht wird, dass es einer Vernetzungsreaktion mit Carboxygruppen in dem Basispolymer unterliegt, kann eine PSA-Lage mit wenigen restlichen Carboxygruppen in der PSA-Schicht erhalten werden.
(Weitere Zusätze)
Das Schicht A-bildende PSA kann gegebenenfalls einen geeigneten, vorstehend nicht genannten Zusatz als einen optionalen Bestandteil umfassen. Beispiele für solche Zusätze umfassen einen Klebrigmacher, einen Weichmacher (z.B. einen Weichmacher auf Trimellitatester-Basis, einen Weichmacher auf Pyromellitatester-Basis, usw.), ein Pigment, einen Farbstoff, einen Füllstoff, ein Alterungsschutzmittel, leitende Materialien, ein Antistatikmittel, einen UV-Absorber, einen Lichtstabilisator, ein Ablösungseinstellmittel, einen Plastifikator, ein grenzflächenaktives Mittel, ein Flammverzögerungsmittel und ein Antioxidationsmittel.
Als Klebrigmacher kann ein geeigneter beliebiger Klebrigmacher verwendet werden, beispielsweise ein Klebrigmacherharz. Spezifische Beispiele des Klebrigmacherharzes umfassen Klebrigmacherharze auf Kolophonium-Basis (z.B. unmodifiziertes Kolophonium, modifiziertes Kolophonium, Kolophonium-Phenol-Harze, Kolophoniumesterharze, usw.), Klebrigmacherharze auf Terpen-Basis (z.B. Harze auf Terpen-Basis, Terpen-Phenol-Harze, Styrol-modifizierte Terpenharze, aromatisch modifizierte Terpenharze, hydrierte Terpenharze), Kohlenwasserstoff-Klebrigmacherharze (z.B. aliphatische Kohlenwasserstoffharze, aliphatische cyclische Kohlenwasserstoffharze, aromatische Kohlenwasserstoffharze (z.B. Styrolharze, Xylolharze, usw.), aliphatische/aromatische Erdölharze, aliphatische/alicyclische Erdölharze, hydrierte Kohlenwasserstoffharze, Cumaronharze, Cumaron-Inden-Harze, usw.), phenolische Klebrigmacherharze (z.B. Alkylphenolharze, Xylol-Formaldehyd-Harze, Resol, Novolak, usw.), Keton-Klebrigmacherharze, Polyamid-Klebrigmacherharze, Epoxid-Klebrigmacherharze und Elastomer-Klebrigmacherharze. Besonders bevorzugte Beispiele umfassen Kolophonium-Klebrigmacherharze, Terpen-Klebrigmacherharze und Kohlenwasserstoff-Klebrigmacherharze (Styrolharze). Als der Klebrigmacher kann nur eine Art oder eine Kombination von zwei oder mehr Arten verwendet werden.
In einigen Ausführungsformen wird als das Klebrigmacherharz ein Harz mit einem hohen Erweichungspunkt (Sp) oder einer hohen Glasübergangstemperatur (Tg) verwendet. Wenn ein Harz mit einem hohen Sp oder einer hohen Tg verwendet wird, kann selbst in einer Hochtemperaturumgebung (z.B. bei einer Verarbeitung für ein Halbleiterchip-Einkapseln, usw.), eine stark haftende PSA-Schicht gebildet werden. Der Sp des Klebrigmachers beträgt vorzugsweise 100 °C bis 180 °C, mehr bevorzugt 110 °C bis 180 °C oder noch mehr bevorzugt 120 °C bis 180 °C. Die Tg des Klebrigmachers beträgt vorzugsweise 100 °C bis 180 °C, mehr bevorzugt 110 °C bis 180 °C oder noch mehr bevorzugt 120 °C bis 180 °C.
In einigen Ausführungsformen wird als das Klebrigmacherharz ein Klebrigmacherharz mit niedriger Polarität verwendet. Es ist vorteilhaft, ein Klebrigmacherharz mit niedriger Polarität im Hinblick auf das Bilden einer PSA-Schicht mit einer niedrigen Affinität zu dem Einkapselungsmaterial zu verwenden. Beispiele für das Klebrigmacherharz mit niedriger Polarität umfassen Klebrigmacherharze auf Kohlenwasserstoff-Basis, wie z.B. aliphatische Kohlenwasserstoffharze, aliphatische cyclische Kohlenwasserstoffharze, aromatische Kohlenwasserstoffharze (z.B. Styrolharze, Xylolharze, usw.), aliphatische/aromatische Erdölharze (die als C5/C9-Erdölharze bezeichnet werden können), aliphatische/alicyclische Erdölharze und hydrierte Kohlenwasserstoffharze. Von diesen sind aliphatische/aromatische Erdölharze bevorzugt. Ein solches Klebrigmacherharz weist eine niedrige Polarität sowie eine hervorragende Verträglichkeit mit Acrylpolymeren auf und kann eine sehr stabile PSA-Schicht ohne Phasentrennung über einem breiten Temperaturbereich bilden.
Das Klebrigmacherharz weist eine Säurezahl von vorzugsweise 40 oder niedriger, mehr bevorzugt 20 oder niedriger oder noch mehr bevorzugt 10 oder niedriger auf. In einem solchen Bereich kann eine PSA-Schicht mit einer niedrigen Affinität mit dem Einkapselungsmaterial gebildet werden. Das Klebrigmacherharz weist eine Hydroxylzahl von vorzugsweise 60 oder niedriger, mehr bevorzugt 40 oder niedriger oder noch mehr bevorzugt 20 oder niedriger auf. In einem solchen Bereich kann eine PSA-Schicht gebildet werden, die eine niedrige Affinität mit dem Einkapselungsmaterial aufweist und zum Verhindern einer Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz geeignet ist.
Die Menge des Klebrigmacherharzes, die für 100 Gewichtsteile des Basispolymers verwendet wird, beträgt beispielsweise gegebenenfalls 5 Gewichtsteile oder mehr und 100 Gewichtsteile oder weniger oder vorzugsweise 8 Gewichtsteile oder mehr und 50 Gewichtsteile oder weniger. In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage beträgt im Hinblick auf ein leichtes Ablösen von Fügeteilen, das Verhindern einer Haftmittelübertragung, usw., die Menge des Klebrigmacherharzes bezogen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers des Schicht A-bildenden PSA zweckmäßig weniger als 3 Gewichtsteile, weniger als 1 Gewichtsteil oder weniger als 0,5 Gewichtsteile. Es ist bevorzugt, dass dem Schicht A-bildenden PSA kein Klebrigmacher (insbesondere Klebrigmacherharz) zugesetzt wird.
(T₂-Relaxationszeit)
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage weist die Schicht A vorzugsweise eine kurze (S) T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) von 45 µs oder weniger gemäß einer Puls-NMR auf. Gemäß der PSA-Lage, bei der mindestens die erste PSA-Schichtoberfläche aus einer Schicht A mit T_2s ≤ 45 µs ausgebildet ist, kann beispielsweise in Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht angeordnet und mit einem Harz eingekapselt werden, eine Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz vermindert werden, während die Ungleichmäßigkeit zwischen den Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz in einer vorteilhaften Weise vermindert wird.
Die Relaxationszeit steht für die Zeit, die nach der Bestrahlung der zu analysierenden Atome mit einer geeigneten Energie für die angeregten Atome (Gruppen) erforderlich ist, um in den Grundzustand zurückzukehren. Der angeregte Zustand von Atomen (Gruppen) kann durch das Ausmaß und die Zeit der Energiebestrahlung eingestellt werden. Es gibt verschiedene bekannte Energierelaxationsmechanismen für angeregte Atome (Gruppen) zur Rückkehr in den Grundzustand und die Relaxationszeit hängt von dem Relaxationsmechanismus ab (z.B. „Overview of Modern NMR for Chemists“, Kagaku Doujin (1997)). Nach der Anregung von ¹H-Atomen eines Acryl-PSA (im Wesentlichen des Acrylpolymers in dem PSA) bei den nachstehend gezeigten Bedingungen, gefolgt von der Messung des anschließenden Relaxationsverhaltens und einer Analyse der Messwerte haben die vorliegenden Erfinder gefunden, dass von diesen Werten die S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) nützliche Informationen zum Verständnis der molekularen Bewegung bezogen auf den Vernetzungsgrad des Basispolymers (typischerweise eines Acrylpolymers) in dem PSA, das die PSA-Schicht bildet, liefert; und haben ferner gefunden, dass der vorstehend genannte Effekt durch Festlegen der S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) erhalten werden kann. Eine kurze T_2s gibt an, dass die molekulare Bewegung, die mit dem Vernetzungsgrad zusammenhängt, in dem Basispolymer beschränkt ist, d.h., dass das Vernetzen fortgeschritten ist, wodurch die Mobilität des Polymers als Ganzes vermindert wird. In dem PSA in einem solchen Zustand weist das Basispolymer nur geringe Zwischenpolymerräume mit einer Tendenz zu einer verminderten Übertragung der PSA-Schichtbestandteile zu dem Einkapselungsharz und einer verminderten Wanderung von Bestandteilen mit niedrigem Molekulargewicht in dem Einkapselungsharz zu der PSA-Schicht auf. Als Ergebnis wird dann, wenn Halbleiterchips auf der PSA-Lage einem Harzeinkapseln unterzogen werden und die PSA-Lage später entfernt wird, eine Ungleichmäßigkeit zwischen den Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz verhindert.
Im Hinblick auf ein besseres Vermindern der Übertragung von Bestandteilen von dem Einkapselungsharz beträgt die S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) der Schicht A gemäß einer Puls-NMR vorzugsweise 40 µs oder weniger oder mehr bevorzugt 35 µs oder weniger (z.B. 30 µs oder weniger). Die minimale Relaxationszeit T_2s der Schicht A ist nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann sie 5 µs oder mehr betragen. Im Hinblick auf eine Unterstützung beim Erhalten einer geeigneten Klebrigkeit an der PSA-Schichtoberfläche kann T_2s der Schicht A in einigen Ausführungsformen 10 µs oder mehr, 15 µs oder mehr oder sogar 20 µs oder mehr betragen. Es ist bevorzugt, dass die Schicht A im Hinblick auf eine Verstärkung der Haftung zwischen der Schicht A und deren angrenzenden Schicht (gegebenenfalls ein Substrat, ein Fügeteil, die nachstehend genannte Schicht B, usw.) keine übermäßig kurze T_2s aufweist.
Die T_2s der Schicht A-Schicht kann durch Erhalten einer T₂-Relaxationskurve, die durch das Festkörper-Echoverfahren unter Verwendung von etwa 100 mg des die Schicht A bildenden PSA als Messprobe und Anpassen der T₂-Relaxationskurve an die nachstehend gezeigte Gleichung (1) gemessen wird, bestimmt werden. Die nachstehend genannte S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) der Schicht B gemäß einer Puls-NMR kann auch in der gleichen Weise bestimmt werden.
$M (t) = α \cdot exp (- (1 / Wa) {(t / T_{2s})}^{Wa}) + β \cdot exp (- (1 / Wa) {(t / T_{2L})}^{Wa})$

M(t): Freier Induktionszerfall
α: % Protonen der kurzen (S) Relaxationszeitkomponente
T_2s: S T₂-Relaxationszeitkomponente (ms)
β: % Protonen der langen (L) Relaxationszeitkomponente
T_2L: L T₂-Relaxationszeitkomponente (ms)
t: Erfassungszeit (ms)
Wa: Formfaktor (= 1)

Die Messung wurde bei den folgenden Bedingungen durchgeführt:

• 90°-Pulsbreite: 2,1 µs
• Wiederholungszeit: 1 s
• Anzahl der Scans: 32
• Messtemperatur: 30 °C

(Gelanteil)
Das Schicht A-bildende PSA weist einen Gelanteil von vorzugsweise 75 % oder höher, mehr bevorzugt 85 % oder höher oder noch mehr bevorzugt 90 % oder höher auf. Innerhalb dieser Bereiche kann die molekulare Bewegung des Basispolymers vorzugsweise durch Vernetzungen beschränkt werden, um eine Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz zu vermindern. Im Hinblick auf die Verminderung der Bestandteilsübertragung ist es umso vorteilhafter, je höher der Gelanteil des Schicht A-bildenden PSA ist. Im Hinblick auf die Ausgewogenheit mit anderen Eigenschaften (z.B. eine Klebrigkeit, ein Haftvermögen, ein Fügeteil-Oberflächenanpassungsvermögen und dergleichen an der PSA-Schichtoberfläche, die geeignet sind), kann der Gelanteil des Schicht A-bildenden PSA in einigen Ausführungsformen beispielsweise 99,5 % oder höher oder sogar 99 % oder höher sein. Der Gelanteil wird durch Eintauchen des PSA, das von der Schicht A erhalten worden ist, in Ethylacetat für 7 Tage, Trocknen desselben und dann Berechnen (Trockengewicht des PSA nach dem Eintauchen/Gewicht des PSA vor dem Eintauchen) × 100 bestimmt.
(Menge des gebildeten Stickstoffgases)
In der PSA-Lage gemäß einigen Ausführungsformen erzeugt und setzt das Schicht A-bildende PSA beim Erwärmen Stickstoff (Gas) entsprechend vorzugsweise 0,06 bis 1,0 Gew.-% oder mehr bevorzugt 0,06 bis 0,9 Gew.-% des nicht erwärmten PSA (100 Gew.-%) frei. Wenn die Menge des freigesetzten Stickstoffs mindestens 0,06 Gew.-% beträgt, zeigt das PSA eine ausreichende Kohäsionsfestigkeit und es ist durch Vermindern der Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz tendenziell weniger wahrscheinlich, dass es eine Ungleichmäßigkeit zwischen Halbleiterchips und dem Einkapselungsharz verursacht. Es ist im Hinblick auf eine Verminderung des Verschiebens des Fügeteils, das auf der Schicht A angeordnet ist, vorteilhaft, dass die Stickstofffreisetzung bis zu 1,0 Gew.-% beträgt.
Die Menge des freigesetzten Stickstoffs wird wie folgt bestimmt: Eine 2 mg-Probe des PSA, das erhalten und auf einer Keramikplatte abgewogen worden ist, wird in einem Pyrolyseofen (800 °C)/Oxidationsofen (900 °C) erhitzt; und die Menge des freigesetzten Stickstoffs wird durch ein TN (Gesamtstickstoffanalyse)-Gerät bestimmt. Die analytischen Bedingungen können wie folgt sein:

• Trägergas: O₂ (300 mL/min), Ar (300 mL/min)
• Standardprobe: Pyridin/Toluol-Lösung
• Detektor: Chemilumineszenzdetektor mit vermindertem Druck • Bereich: Hohe Konzentration

<Schicht B>
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage umfasst die erste PSA-Schicht die Schicht A, die mindestens die PSA-Schichtoberfläche bildet, und die Schicht B, die angrenzend an das Substrat zwischen der Schicht A und dem Substrat angeordnet ist. Mit anderen Worten, die Außenoberfläche (Fügeteil-seitige Oberfläche) der ersten PSA-Schicht ist aus der Schicht A ausgebildet und die Innenoberfläche (Substrat-seitige Oberfläche) der ersten PSA-Schicht ist aus der Schicht B ausgebildet. Gemäß der ersten PSA-Schicht mit einem solchen Aufbau kann beispielsweise durch Auswählen bestimmter PSAs zur Bildung der Schichten A und B und durch Auswählen der Dicke von jeder Schicht, usw., ein Einstellen der Eigenschaften (Eindruckhärte, Fadenziehindizes, S T₂-Relaxationszeitkomponente, usw.) an den Messstellen A und B sowie von deren Verhältnis leicht durchgeführt werden.
Als das Schicht B-bildende PSA kann ein geeignetes beliebiges PSA verwendet werden. Beispielsweise kann die Schicht B eine, zwei oder mehr Art(en) von PSA, ausgewählt aus verschiedenen bekannten PSAs, wie z.B. ein Acryl-PSA, ein PSA auf Kautschuk-Basis, ein PSA auf Silikon-Basis, ein PSA auf Polyester-Basis, ein PSA auf Urethan-Basis, ein PSA auf Polyether-Basis, ein PSA auf Polyamid-Basis und ein PSA auf Fluor-Basis, umfassen.
In einigen bevorzugten Ausführungsformen ist die Schicht B aus einem Acryl-PSA ausgebildet, das ein Acrylpolymer als das Basispolymer umfasst. In einer Ausführungsform, bei der die Schicht A aus einem Acryl-PSA ausgebildet ist, ist es im Hinblick auf eine Verbesserung der Zwischenschichthaftung der Schichten in der ersten PSA-Schicht besonders bevorzugt, ein Acryl-PSA als das Schicht B-bildende PSA zu verwenden.
In einer Ausführungsform, bei der die Schicht B aus einem Acryl-PSA ausgebildet ist, kann das Acrylpolymer als das Basispolymer des Acryl-PSA zweckmäßig aus den gleichen Acrylpolymer-Arten ausgewählt werden, die vorstehend als das Basispolymer der Schicht A angegeben sind. Die Acrylpolymere als Basispolymere der Schichten A und B können gleich oder verschieden sein. In einigen bevorzugten Ausführungsformen weisen die Acrylpolymere als Basispolymere der Schichten A und B verschiedene Monomerzusammensetzungen auf. In einigen Ausführungsformen kann im Hinblick auf die Haftung zwischen den Schichten A und B das gleiche Acrylpolymer als die Basispolymere der Schichten A und B verwendet werden. In einer solchen Ausführungsform können deren relative Mengen und Eigenschaften an den Messstellen A und B unter Verwendung von weiteren Materialien (Vernetzungsmittel, Klebrigmacher, usw.) neben dem Basispolymer oder nicht, und Auswählen bestimmter Arten, Mengen davon, usw., eingestellt werden.
Das Basispolymer der Schicht B ist vorzugsweise in dem Schicht B-bildenden PSA vernetzt. Beispielsweise kann eine PSA-Zusammensetzung, die ein Basispolymer und ein geeignetes Vernetzungsmittel umfasst, zum Erhalten der Schicht B verwendet werden, die aus einem PSA hergestellt ist, dessen Basispolymer mit dem Vernetzungsmittel vernetzt ist. Die Art des Vernetzungsmittels, das in der Schicht B verwendet wird, ist nicht speziell beschränkt. Beispielsweise kann eine geeignete Art aus den Beispielen des Vernetzungsmittels ausgewählt werden, das in der Schicht A verwendet werden kann. Die Vernetzungsmittel, die in den Schichten A und B verwendet werden, können von der gleichen Art (z.B. die gleichen oder verschiedene Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis) oder verschiedenartig sein (z.B. ist eines auf Epoxid-Basis und das andere auf Isocyanat-Basis).
In einigen bevorzugten Ausführungsformen wird ein Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis in der Schicht A verwendet und ein Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis wird in der Schicht B verwendet. Im Allgemeinen neigen verglichen mit Vernetzungsmitteln auf Epoxid-Basis Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis zur Bildung einer flexibleren Vernetzungsstruktur. Folglich kann gemäß diesen Ausführungsformen in einer vorteilhaften Weise eine erste PSA-Schicht mit Eindruckhärte H2 > Eindruckhärte H1 erhalten werden.
Wenn ein Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis als das Vernetzungsmittel in der Schicht B verwendet wird, ist die Menge des Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis, die für 100 Gewichtsteile des Basispolymers der Schicht B (z.B. des Acrylpolymers) verwendet wird, nicht speziell beschränkt und kann zum Erhalten von gewünschten Eigenschaften zweckmäßig eingestellt werden. In einigen Ausführungsformen beträgt z.B. die Menge des Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis bezogen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers der Schicht B bezogen auf das Gewicht beispielsweise 0,1 Teile oder mehr und 20 Teile oder weniger, vorzugsweise 1 Teil oder mehr und 10 Teile oder weniger, mehr bevorzugt 1 Teil oder mehr und 7 Teile oder weniger, gegebenenfalls 1 Teil oder mehr und 5 Teile oder weniger, 1 Teil oder mehr und 5 Teile oder weniger, bezogen auf das Gewicht, oder sogar 2 Teile oder mehr und 5 Teile oder weniger.
Für ein effektiveres Fortschreiten der Vernetzungsreaktion kann auch ein Vernetzungskatalysator verwendet werden. Beispiele für den Vernetzungskatalysator umfassen Vernetzungskatalysatoren auf Metallbasis, wie z.B. Tetra-n-butyltitanat, Tetraisopropyltitanat, Eisen(III)-acetylacetonat, Butylzinnoxid und Dioctylzinndilaurat. Die Menge des Vernetzungskatalysators ist nicht speziell beschränkt. In einigen Ausführungsformen kann im Hinblick auf die Ausgewogenheit zwischen der Vernetzungsreaktionsgeschwindigkeit und der Topfzeit der PSA-Zusammensetzung die Menge des Vernetzungskatalysator, die jeweils für 100 Gewichtsteile des Basispolymers verwendet wird, beispielsweise 0,0001 Gewichtsteile oder mehr und 1 Gewichtsteil oder weniger (vorzugsweise 0,001 Gewichtsteile oder mehr und 0,5 Gewichtsteile oder weniger) betragen. Der Vernetzungskatalysator kann in der Schicht A oder in beiden Schichten A und B verwendet werden.
In einigen Ausführungsformen der hier offenbarten PSA-Lage, bei denen die Schicht B die erste PSA-Schicht bildet, weist die Schicht B im Hinblick auf eine Verbesserung des Anpassungsvermögens an die Oberflächenstruktur eines Fügeteils, das auf der Schicht Ader PSA-Schicht angeordnet ist, gemäß einer Puls-NMR vorzugsweise eine längere T_2s auf als die Schicht A (T_2s: S T₂-Relaxationszeitkomponente). Die Differenz bei T_2s zwischen den Schichten A und B beträgt beispielsweise gegebenenfalls 5 µs oder mehr, vorteilhaft 10 µs oder mehr, mehr bevorzugt 15 µs oder mehr, mehr bevorzugt 20 µs oder mehr, ferner gegebenenfalls 25 µs oder mehr oder sogar 30 µs oder mehr. Im Hinblick auf das Verhindern eines Kohäsionsversagens der PSA-Schicht beträgt, da T_2s der Schicht B übermäßig lang ist, die Differenz bei T_2s zwischen den Schichten A und B beispielsweise zweckmäßig 70 µs oder weniger, vorzugsweise 60 µs oder weniger, mehr bevorzugt 50 µs oder weniger, gegebenenfalls 40 µs oder weniger oder sogar 35 µs oder weniger.
In einigen Ausführungsformen ist es geeignet, dass T_2s der Schicht B länger ist als T_2s der Schicht A und auch 30 µs oder mehr (z.B. 35 µs oder mehr, 40 µs oder mehr oder 45 µs oder mehr) beträgt. Im Hinblick auf eine Verbesserung des Anpassungsvermögens an die Fügeteil-Oberfläche beträgt sie vorzugsweise mehr als 45 µs, gegebenenfalls 47 µs oder mehr oder sogar 50 µs oder mehr. Im Hinblick auf das Verhindern eines Kohäsionsversagens der Schicht B beträgt T_2s der Schicht B zweckmäßig 80 µs oder weniger, vorzugsweise 70 µs oder weniger, gegebenenfalls 65 µs oder weniger, 60 µs oder weniger oder sogar 57 µs oder weniger.
In einigen Ausführungsformen der PSA-Lage mit einer PSA-Schicht, welche die Schichten A und B umfasst, weist die Schicht B eine Dicke von beispielsweise gegebenenfalls 3 µm oder mehr oder zweckmäßig 4 µm oder mehr auf. Im Hinblick auf ein effektiveres Verleihen eines Oberflächenanpassungsvermögens beträgt die Dicke der Schicht B vorzugsweise 5 µm oder mehr, gegebenenfalls 7 µm oder mehr, 10 µm oder mehr oder sogar 15 µm oder mehr. Die maximale Dicke der Schicht B ist nicht speziell beschränkt. Sie kann beispielsweise 300 µm oder weniger, 250 µm oder weniger, 150 µm oder weniger oder 130 µm oder weniger betragen. In Nutzungssituationen, bei denen Halbleiterchips auf der PSA-Schicht mit einem Harz eingekapselt werden, beträgt die Dicke der Schicht B im Hinblick auf ein Vermindern des Einbettens der Halbleiterchips in die PSA-Lage zweckmäßig 100 µm oder weniger, vorzugsweise 90 µm oder weniger, gegebenenfalls 70 µm oder weniger, 50 µm oder weniger, 30 µm oder weniger oder sogar 20 µm oder weniger.
In der PSA-Lage mit einer PSA-Schicht, welche die Schichten A und B umfasst, kann die Schicht A eine Dicke von beispielsweise 1 µm oder mehr und 20 µm oder weniger aufweisen. Zum vorteilhaften Erhalten des Effekts zum Verbessern des Anpassungsvermögens durch den Beitrag der Schicht B beträgt die Dicke der Schicht A in einigen Ausführungsformen zweckmäßig 15 µm oder weniger, vorzugsweise 10 µm oder weniger, gegebenenfalls 8 µm oder weniger oder sogar 6 µm oder weniger. Zum vorteilhaften Vermindern einer Übertragung von Bestandteilen zwischen der PSA-Schicht und dem Einkapselungsharz durch den Beitrag der Schicht A beträgt die Dicke der Schicht A in einigen Ausführungsformen vorteilhaft 2 µm oder mehr, vorzugsweise 3 µm oder mehr, gegebenenfalls 4 µm oder mehr oder sogar 5 µm oder mehr.
In der PSA-Lage mit einer PSA-Schicht, welche die Schichten A und B umfasst, ist das Verhältnis (L2/L1) der Dicke L1 (µm) der Schicht A zu der Dicke L2 (µm) der Schicht B nicht speziell beschränkt. Es kann beispielsweise etwa 0,5 bis 100,0 betragen. In einigen Ausführungsformen ist im Hinblick auf eine Unterstützung dahingehend, dass die Schichten A und B die jeweiligen Funktionen effektiv ausführen, das Verhältnis L2/L1 zweckmäßig 0,5 oder höher, vorzugsweise 0,7 oder höher, gegebenenfalls 0,8 oder höher, 0,9 oder höher oder sogar 1,0 oder höher. In der gleichen Hinsicht ist das Verhältnis L2/L1 zweckmäßig 20,0 oder niedriger, 15,0 oder niedriger, 10,0 oder niedriger, 5,0 oder niedriger, 3,0 oder niedriger oder sogar 2,0 oder niedriger.
<Substrat>
Das Substrat der hier offenbarten PSA-Lage kann beispielsweise eine Harzlage, ein Vlies, ein Papier, eine Metallfolie, ein Gewebe, eine Kautschuklage, ein Laminat davon (insbesondere ein Laminat, das eine Harzlage umfasst), usw., sein. Beispiele für das Harz, das die Harzlage bildet, umfassen Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polybutylenterephthalat (PBT), Polyethylen (PE), Polypropylen (PP), Ethylen-Propylen-Copolymer, Ethylen-Vinylacetat-Copolymer (EVA), Polyamid (Nylon), vollständig aromatisches Polyamid (Aramid), Polyimid (PI), Polyvinylchlorid (PVC), Polyphenylensulfid (PPS), ein Fluorharz und Polyetheretherketon (PEEK). Beispiele für das Vlies umfassen ein Vlies, das aus einer wärmebeständigen Naturfaser hergestellt ist, wie z.B. ein Manilahanfenthaltendes Vlies; ein synthetisches Harz-Vlies, wie z.B. ein Polypropylenharz-Vlies, ein Polyethylenharz-Vlies und ein Esterharz-Vlies. Beispiele für die Metallfolie umfassen eine Kupferfolie, eine Folie aus rostfreiem Stahl und eine Aluminiumfolie. Beispiele für ein Papier umfassen Japanpapier und Kraftpapier.
In einigen Ausführungsformen ist es bevorzugt, als das Substrat eine Harzlage zu verwenden, die aus einem Harz mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) von 25 °C oder höher (vorzugsweise 40 °C oder höher, mehr bevorzugt 50 °C oder höher) ausgebildet ist. Wenn eine solche Harzlage verwendet wird, behält das Substrat dessen Form selbst dann bei, wenn es in dem Einkapselungsvorgang erwärmt wird, wodurch verhindert wird, dass Halbleiterchips in die PSA-Lage eingebettet werden. Als das Harz, das eine solche Harzlage bildet, ist ein aromatischer Ring-enthaltendes Polymer bevorzugt. Spezifische Beispiele umfassen Polyethylenterephthalat (PET), Polyimid und Polyethylennaphthalat.
Das Substrat kann eine geeignete beliebige Dicke gemäß der gewünschten Festigkeit oder Flexibilität sowie der Verwendung, dem Zweck, usw., aufweisen. Die Substratdicke beträgt vorzugsweise 1000 µm oder weniger, mehr bevorzugt 25 µm oder mehr und 1000 µm oder weniger, noch mehr bevorzugt 40 µm oder mehr und 500 µm oder weniger, besonders bevorzugt 60 µm oder mehr und 300 µm oder weniger oder insbesondere 80 µm oder mehr und 250 µm oder weniger. In einer Ausführungsform wird ein Substrat mit einer Dicke von 25 µm oder größer verwendet. Mit einem Substrat mit einer solchen Dicke behält das Substrat selbst dann einfach dessen Form bei, wenn es in dem Einkapselungsvorgang gedrückt wird, und ist dazu geeignet, ein Einbetten von Halbleiterchips in die PSA-Lage zu verhindern.
In einer Ausführungsform macht von der Gesamtdicke der PSA-Lage die Substratdicke 20 % oder mehr und 90 % oder weniger (vorzugsweise 20 % oder mehr und 89 % oder weniger, mehr bevorzugt 20 % oder mehr und 88 % oder weniger) aus. In einem solchen Bereich kann in einer vorteilhaften Weise verhindert werden, dass Halbleiterchips in die PSA-Lage eingebettet werden.
Das Substrat kann einer Oberflächenbehandlung unterzogen werden. Beispiele für die Oberflächenbehandlung umfassen eine Koronaentladungsbehandlung, eine Chromsäurebehandlung, ein Aussetzen gegenüber Ozon, ein Aussetzen gegenüber einer Flamme, eine Hochspannungsschockbehandlung, eine Behandlung mit ionisierter Strahlung und ein Beschichten mit einem Haftvermittler.
Als Haftvermittler kann ein organisches Beschichtungsmaterial verwendet werden. Beispiele für das organische Beschichtungsmaterial umfassen die Materialien, die in „Plastic Hard Coating Materials II“ (veröffentlicht 2004, CMC Publishing Co., Ltd.) beschrieben sind. Es ist bevorzugt, Polymere auf Urethan-Basis, mehr bevorzugt Polyacrylurethan, Polyesterurethan oder deren Vorstufen zu verwenden, da sie einfach auf ein Substrat aufgebracht und darauf verteilt werden können, wobei verschiedene gewerbliche bzw. industrielle Arten kostengünstig ausgewählt werden können. Das Polymer auf Urethan-Basis wird beispielsweise aus einem Reaktionsgemisch aus einem Isocyanat-Monomer und einem alkoholische Hydroxygruppe-enthaltenden Monomer (z.B. einer Hydroxygruppe-enthaltenden Acryl- oder Esterverbindung) ausgebildet. Als optionale Zusätze kann das organische Beschichtungsmaterial ein Kettenverlängerungsmittel, wie z.B. ein Polyamin, ein Alterungsschutzmittel, einen Oxidationsstabilisator, usw., umfassen. Die Dicke der organischen Beschichtungsschicht ist nicht speziell beschränkt. Beispielsweise beträgt sie zweckmäßig etwa 0,1 µm bis 10 µm , vorzugsweise etwa 0,1 µm bis 5 µm oder mehr bevorzugt etwa 0,5 µm bis 5 µm.
<Zweite PSA-Schicht>
Die PSA-Lage gemäß einigen Ausführungsformen weist das Substrat, die PSA-Schicht, die auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, und eine zweite PSA-Schicht auf, die gegenüber der PSA-Schicht auf dem Substrat angeordnet ist. Die PSA-Lage in einer solchen Ausführungsform (doppelseitige haftende PSA-Lage mit Substrat) ist zweckmäßig, da beispielsweise, während sie mit der zweiten PSA-Schicht an einem geeigneten Träger (z.B. einer SUS-Platte bzw. einem SUS-Blech, einer Glasplatte, usw.) angebracht ist, der Harzeinkapselungsvorgang auf der ersten PSA-Schicht durchgeführt werden kann. Die zweite PSA-Schicht kann aus einem geeigneten beliebigen PSA ausgebildet sein.
In der PSA-Lage gemäß einigen Ausführungsformen ist mindestens die Oberfläche der zweiten PSA-Schicht mit einem PSA ausgebildet, das durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen (oder einfach „Mikrokügelchen“) umfasst. Die PSA-Lage in einer solchen Ausführungsform ist bevorzugt, da die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen durch Erwärmen bei einem geeigneten Zeitpunkt gegebenenfalls ausgedehnt werden können, so dass die Verbindung zwischen der zweiten PSA-Schicht und dem Fügeteil (z.B. dem Träger) leicht gelöst wird.
Das Mikrokügelchen-enthaltende PSA kann ein aushärtbares (härtendes) PSA (z.B. ein mit aktiven Energiestrahlen aushärtbares PSA) oder ein druckempfindliches Haftmittel sein. Beispiele für das druckempfindliche Haftmittel umfassen ein Acryl-PSA und ein PSA auf Kautschuk-Basis. Bezüglich Details des PSA in der zweiten PSA-Schicht kann beispielsweise auf die japanische Patentanmeldung mit der Veröffentlichungsnummer 2018-009050 verwiesen werden. Die gesamte Beschreibung dieser Veröffentlichung ist unter Bezugnahme hierin einbezogen.
Als die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen können geeignete beliebige durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen verwendet werden, wobei sich die Mikrokügelchen beim Erwärmen ausdehnen oder schäumen können. Als die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen können beispielsweise Mikrokügelchen mit einer leicht durch Wärme ausdehnbaren Substanz, die in elastischen Hüllen eingekapselt ist, verwendet werden. Solche durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen können durch ein geeignetes beliebiges Verfahren hergestellt werden, beispielsweise durch eine Koazervation, eine Grenzflächenpolymerisation, usw.
Beispiele für die leicht durch Wärme ausdehnbare Substanz umfassen Flüssigkeiten mit niedrigem Siedepunkt, wie z.B. Propan, Propylen, Buten, n-Butan, Isobutan, Isopentan, Neopentan, n-Pentan, n-Hexan, Isohexan, Heptan, Octan, Petrolether, Methanhalogenid und Tetraalkylsilan; und Azodicarbonamid, das durch eine thermische Zersetzung gasförmig wird.
Beispiele für die Hülle-bildende Substanz umfassen Polymere, die aus Nitrilmonomeren, wie z.B. Acrylnitril, Methacrylnitril, α-Chloracrylnitril, α-Ethoxyacrylnitril und Fumaronitril; Carbonsäuremonomeren, wie z.B. Acrylsäure, Methacrylsäure, Itaconsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Citraconsäure; Vinylidenchlorid; Vinylacetat; (Meth)acrylsäureestern, wie z.B. Methyl(meth)acrylat, Ethyl(meth)acrylat, n-Butyl(meth)acrylat, Isobutyl(meth)acrylat, t-Butyl(meth)acrylat, Isobornyl(meth)acrylat, Cyclohexyl(meth)acrylat, Benzyl(meth)acrylat und β-Carboxyethylacrylat; Styrolmonomeren, wie z.B. Styrol, α-Methylstyrol und Chlorstyrol; und Amidmonomeren, wie z.B. Acrylamid, substituiertes Acrylamid, Methacrylamid und substituiertes Methacrylamid, ausgebildet sind. Das Polymer, das aus diesen Monomeren ausgebildet ist, kann ein Homopolymer oder ein Copolymer sein. Beispiele für das Copolymer umfassen ein Vinylidenchlorid-Methylmethacrylat-Acrylnitril-Copolymer, ein Methylmethacrylat-Acrylnitril-Methacrylnitril-Copolymer, ein Methylmethacrylat-Acrylnitril-Copolymer und ein Acrylnitril-Methacrylnitril-Itaconsäure-Copolymer.
Als die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen kann ein anorganisches oder organisches Schäummittel verwendet werden. Beispiele für das anorganische Schäummittel umfassen Ammoniumcarbonat, Ammoniumhydrogencarbonat, Natriumhydrogencarbonat, Ammoniumnitrit, Natriumborhydrid und verschiedene Azide. Beispiele für das organische Schäummittel umfassen Chlorfluoralkanverbindungen, wie z.B. Trichlormonofluormethan und Dichlormonofluormethan; Azoverbindungen, wie z.B. Azobisisobutyronitril, Azodicarbonamid und Bariumazodicarboxylat; Hydrazinverbindungen, wie z.B. para-Toluolsulfonylhydrazid, Diphenylsulfon-3,3'-disulfonylhydrazid, 4,4'-Oxybis(benzolsulfonylhydrazid) und Allylbis(sulfonylhydrazid); Semicarbazidverbindungen, wie z.B. p-Toluylensulfonylsemicarbazid und 4,4'-Oxybis(benzolsulfonylsemicarbazid); Triazolverbindungen, wie z.B. 5-Morpholyl-1,2,3,4-thiatriazol; und N-Nitrosoverbindungen, wie z.B. N,N'-Dinitrosopentamethylentetramin und N,N'-Dimethyl-N,N'dinitrosoterephthalamid.
Als die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen können auch handelsübliche Produkte verwendet werden. Spezifische Beispiele für handelsübliche, durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfassen die Produktbezeichnung MATSUMOTO MICROSPHERE (Qualität: F-30, F-30D, F-36D, F-36LV, F-50, F-50D, F-65, F-65D, FN-100SS, FN-100SSD, FN-180SS, FN-180SSD, F-190D, F-260D, F-2800D), erhältlich von Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.; die Produktbezeichnung EXPANCEL (Qualität: 053-40, 031-40, 920-40, 909-80, 930-120), erhältlich von Japan Fillite Co., Ltd.; die Produktbezeichnung DAIFOAM (Qualität: H750, H850, H1100, S2320D, S2640D, M330, M430, M520), erhältlich von Kureha Chemical Industry Co., Ltd.; und die Produktbezeichnung ADVANCEL (Qualität: EML101, EMH204, EHM301, EHM302, EHM303, EM304, EHM401, EM403, EM501), erhältlich von Sekisui Chemical Co., Ltd.
Die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen weisen eine Teilchengröße vor dem Erwärmen (nicht erwärmt) von vorzugsweise 0,5 µm bis 80 µm , mehr bevorzugt 5 µm bis 45 µm, noch mehr bevorzugt 10 µm bis 20 µm oder besonders bevorzugt 10 µm bis 15 µm auf. Hinsichtlich des mittleren Teilchendurchmessers beträgt die Teilchengröße vor dem Erwärmen der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen vorzugsweise 6 µm bis 45 µm oder mehr bevorzugt 15 µm bis 35 µm. Die Teilchengröße und der mittlere Teilchendurchmesser werden mittels einer Laserstreuung-Teilchengrößenverteilungsanalyse bestimmt.
Die Dicke der PSA-Schicht, die aus dem durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltenden PSA ausgebildet ist, ist nicht speziell beschränkt. Sie kann beispielsweise 3 µm oder mehr betragen. Im Hinblick auf das Verhindern einer Abnahme der Glätte der Haftoberfläche aufgrund des Einbeziehens von durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen beträgt die Dicke der PSA-Schicht typischerweise zweckmäßig 7 µm oder mehr, vorzugsweise mehr als 10 µm , gegebenenfalls mehr als 15 µm, mehr als 25 µm oder sogar mehr als 35 µm. Die maximale Dicke der PSA-Schicht ist nicht speziell beschränkt. Sie beträgt typischerweise zweckmäßig 300 µm oder weniger, gegebenenfalls 200 µm oder weniger, 150 µm oder weniger, 100 µm oder weniger oder sogar 70 µm oder weniger. Es kann vorteilhaft sein, dass die PSA-Schicht im Hinblick auf das Vermeiden eines Kohäsionsversagens der PSA-Schicht aufgrund einer Ausdehnung der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen eine nicht zu große Dicke aufweist. In einigen Ausführungsformen kann die Dicke der PSA-Schicht 60 µm oder weniger, 50 µm oder weniger oder sogar 45 µm oder weniger betragen.
Die PSA-Schicht weist vorzugsweise eine Dicke Ta auf, die größer ist als der mittlere Teilchendurchmesser D der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen vor dem Erwärmen. D.h., Ta/D ist vorzugsweise über 1,0. Im Hinblick auf die Glätte der Haftfläche ist Ta/D in einigen Ausführungsformen vorzugsweise 2,0 oder höher, gegebenenfalls 3,0 oder höher oder sogar 4,0 oder höher. Im Hinblick auf das Erleichtern der Trennung durch eine Ausdehnung der Mikrokügelchen ist Ta/D typischerweise zweckmäßig 50 oder niedriger, vorzugsweise 20 oder niedriger, 15 oder niedriger oder sogar 10 oder niedriger.
Die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen weisen eine geeignete Festigkeit auf, die einer Ausdehnung ohne Platzen bis zu einem volumetrischen Ausdehnungsverhältnis von mindestens dem 5-fachen, mehr bevorzugt mindestens dem 7-fachen oder noch mehr bevorzugt mindestens dem 10-fachen widerstehen kann. Wenn solche durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen verwendet werden, kann die Haftfestigkeit durch Erwärmen effizient vermindert werden.
Der Gehalt der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen in dem PSA kann zweckmäßig abhängig davon eingestellt werden, wie stark die Haftfestigkeit vermindert werden soll. Der Gehalt der durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen bezogen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers des durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltenden PSA beträgt beispielsweise 1 Teil bis 150 Teile, vorzugsweise 10 Teile bis 130 Teile oder mehr bevorzugt 20 Teile bis 100 Teile (alle bezogen auf das Gewicht).
Wenn das PSA, das die zweite PSA-Schichtoberfläche bildet, durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst, weist die zweite PSA-Schichtoberfläche vor der Ausdehnung (d.h., vor dem Erwärmen (nicht erwärmt)) einen arithmetischen Mittenrauwert Ra von vorzugsweise 500 nm oder weniger, mehr bevorzugt 400 nm oder weniger oder noch mehr bevorzugt 300 nm oder weniger auf. Innerhalb eines solchen Bereichs kann eine PSA-Lage erhalten werden, die eine hervorragende Haftung an Fügeteilen auf der Seite der zweiten PSA-Schicht aufweist. Die zweite PSA-Schicht kann eine solche hervorragende Oberflächenglätte aufweisen, wenn beispielsweise die Dicke der PSA-Schicht innerhalb dieser Bereiche liegt; wenn eine durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltende PSA-Zusammensetzung auf eine Trennlage aufgebracht und Trocknen gelassen wird und die resultierende PSA-Schicht direkt auf ein Substrat oder auf eine Zwischenschicht (z.B. eine elastische Zwischenschicht), die auf dem Substrat ausgebildet ist, übertragen wird; usw.
Wenn die zweite PSA-Schicht durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst, umfasst die PSA-Schicht vorzugsweise ein PSA, das aus einem Basispolymer mit einem dynamischen Speichermodul im Bereich von 5 kPa bis 1 MPa (mehr bevorzugt 10 kPa bis 0,8 MPa) bei 80 °C ausgebildet ist. Mit einer solchen PSA-Schicht kann eine PSA-Lage gebildet werden, die ein geeignetes Haftvermögen vor dem Erwärmen aufweist, deren Haftfestigkeit beim Erwärmen jedoch leicht abnimmt. Der dynamische Speichermodul kann bei einer Frequenz von 1 Hz bei einer Erwärmungsgeschwindigkeit von 10 °C/min unter Verwendung eines dynamischen Viskoelastizität-Analysegeräts (Produktbezeichnung ARES, erhältlich von Rheometrics Scientific, Inc.) bestimmt werden.
<Verfahren zur Herstellung der PSA-Lage>
Die PSA-Lage dieser Erfindung kann durch ein geeignetes beliebiges Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise kann die PSA-Lage dieser Erfindung durch ein Verfahren zur Bildung einer PSA-Schicht durch direktes Aufbringen einer PSA-Zusammensetzung welche die Bestandteile der PSA-Schicht (gegebenenfalls der ersten PSA-Schicht, der Schichten A und B, welche die erste PSA-Schicht, die zweite PSA-Schicht, usw., bilden) umfasst, auf ein Substrat oder eine Zwischenschicht (z.B. die Schicht B, eine elastische Mittelschicht, usw.) auf dem Substrat, durch ein Verfahren, bei dem die PSA-Zusammensetzung auf ein geeignetes beliebiges trennbares prozessinternes Material (z.B. eine Trennlage) zur Bildung einer PSA-Schicht darauf aufgebracht wird und die PSA-Schicht auf ein Substrat oder eine Zwischenschicht auf dem Substrat übertragen wird; oder durch ein Verfahren, bei dem diese kombiniert werden, usw., hergestellt werden. Die PSA-Zusammensetzung kann eine PSA-Zusammensetzung auf Lösungsmittelbasis sein, die ein geeignetes beliebiges Lösungsmittel umfasst.
Die durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltende PSA-Schicht kann durch Aufbringen einer Zusammensetzung auf ein Substrat gebildet werden, wobei die Zusammensetzung durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen, ein PSA und ein geeignetes Lösungsmittel umfasst. Alternativ kann sie durch Ausbreiten von durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen auf einer PSA-beschichteten Schicht und dann Einbetten der Mikrokügelchen in das PSA unter Verwendung eines Laminiergeräts, usw., gebildet werden.
Bezüglich der Verfahren zum Aufbringen des PSA und der jeweiligen Zusammensetzungen können geeignete beliebige Beschichtungsverfahren verwendet werden. Beispielsweise können sie zur Bildung der jeweiligen Schichten aufgebracht und dann getrocknet werden. Die Beschichtungsverfahren nutzen z.B. eine Mehrzweckbeschichtungsvorrichtung, eine Düsenbeschichtungsvorrichtung, eine Gravurbeschichtungsvorrichtung oder eine Aufbringvorrichtung bzw. einen Applikator. Beispiele für das Trocknungsverfahren umfassen ein natürliches Trocknen und ein Wärmetrocknen. Zum Wärmetrocknen kann die Erwärmungstemperatur auf eine geeignete beliebige Temperatur gemäß den Eigenschaften der zu trocknenden Substanz eingestellt werden.
[Beispiele]
Nachstehend werden mehrere Beispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese spezifischen Beispiele beschränkt. In der nachstehenden Beschreibung beziehen sich „Teile“ und „%“ auf das Gewicht, falls nichts anderes angegeben ist.
<Prüfverfahren>
1. Eindruckhärte
Unter Verwendung eines Nanoindenters TRIBOINDENTER TI-950, erhältlich von Hysitron (gegenwärtig Bruker), wurde die Eindruckhärte H1 und H2 mit dem vorstehend genannten Verfahren bestimmt.
2. Fadenziehindex
Unter Verwendung eines Nanoindenters TRIBOINDENTER TI-950, erhältlich von Hysitron (gegenwärtig Bruker), wurden die Fadenziehindizes D1 und D2 mit dem vorstehend genannten Verfahren bestimmt.
3. Quellprüfung
Unter Verwendung einer Spritze (ø 22 mm) wurden 0,02 g TBPGE auf die erste PSA-Schichtoberfläche getropft und für 1 Minute in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) stehengelassen. Nachdem restlicher TBPGE auf der PSA-Schicht mit Wischtüchern adsorbiert und entfernt worden ist, wurde die Dicke der PSA-Schicht T1 (µm) an der Stelle gemessen, auf die TBPGE getropft worden ist. Aus T0 (µm) (der anfänglichen Dicke der PSA-Schicht an der gleichen Stelle vor dem Auftropfen von TBPGE) und T1 (µm) wurden die Änderung und die prozentuale Änderung der Dicke der PSA-Schicht durch die folgenden Gleichungen berechnet: $Dicken \ddot{a} nderung (μ m) = T 1 - T 0$
$% \ddot{A} nderung der Dicke = ((T 1 - T 0) / T 0) \times 100$
4. TMA-Eindringtiefe
Unter Verwendung eines thermomechanischen Analysegeräts mit der Produktbezeichnung TMA Q400, das von TA Instruments erhältlich ist, mit einer Nadelspitzensonde (zylindrisch, Spitzendurchmesser ø 1 mm) wurde bei einer Temperatur der Messatmosphäre von 23 °C die Eindringtiefe von der ersten PSA-Schichtoberfläche in einem Stickstoffstrom von 50,0 mL/min und einer Eindruckbelastung von 0,01 N für eine Belastungszeit von 60 min gemessen. Fünf Messungen (N = 5) wurden durchgeführt. Unter Ausschluss des maximalen und des minimalen Werts von den Messwerten wurde der Durchschnittswert (N = 3) als die TMA-Eindringtiefe erhalten.
Wenn nur auf einer Seite des Substrats eine PSA-Schicht (erste PSA-Schicht) vorliegt und die gegenüberliegende Seite (Rückseite) des Substrats frei von einer zweiten PSA-Schicht in der PSA-Lage ist, wurde die TMA-Eindringtiefe nach der Bildung einer Standard-PSA-Schicht (45 µm dicke PSA-Schicht, die 10 Teile eines Klebrigmachers, 2 Teile eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis und 30 Teile von durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst) für jeweils 100 Teile eines Acrylpolymers (EA/2EHA/MMA/HEA = 30/70/5/5 (Gewichtsverhältnis)) bestimmt.
5. Relaxationszeit
Von dem Schicht A-bildenden PSA wurden etwa 100 mg des PSA durch Abkratzen entnommen. Unter Verwendung desselben als Messprobe wurde eine T₂-Relaxationskurve durch eine Puls-NMR-Analyse erhalten. Die Kurve wurde unter Verwendung der vorstehend genannten Gleichung (1) durch eine Analysesoftware (TDNMR-A) angepasst und einer Komponente (α) genähert, so dass die S T₂-Relaxationszeitkomponente bestimmt wurde. Die Analyse wurde durchgeführt, während alle Wa-Werte auf 1 eingestellt waren. Die kürzeste Relaxationszeit, die durch das Analyseverfahren berechnet worden ist, wurde als die S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) der Schicht A gemäß einer Puls-NMR verwendet. In der gleichen Weise wurde die S T₂-Relaxationszeitkomponente (T_2s) der Schicht B gemäß einer Puls-NMR bestimmt. Puls-NMR-Messungen wurden mit dem Festkörper-Echoverfahren unter Verwendung eines Zeitdomäne-NMR-Geräts (Modellbezeichnung TD-NMR the minispec mq20, erhältlich von Bruker) mit einer 90°-Pulsbreite von 2,1 µs und einer Wiederholungszeit 1 s bei einer Messtemperatur von 30 °C (32 Scans akkumuliert) durchgeführt.
6. Festigkeit des druckempfindlichen Haftmittels auf PET
Die PSA-Lage wurde zu einer Größe mit einer Breite von 20 mm und einer Länge von 140 mm geschnitten. Mittels eines doppelseitigen Klebebands (Produkt Nr. 531, erhältlich von Nitto Denko Corporation) wurde die gesamte Oberfläche der Rückseite (gegenüber der Seite, die mit der ersten PSA-Schicht versehen ist) unter Verwendung einer 2 kg-Handwalze an einer SUS304-Platte angebracht. Bezüglich einer PSA-Lage mit einer zweiten PSA-Schicht auf der Rückseite eines Substrats wurde anstelle der Verwendung des doppelseitigen Klebebands Nr. 531 die Rückseite der PSA-Lage über die zweite PSA-Schicht an die SUS304-Platte geklebt.
In einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) wurde an der Haftfläche der PSA-Lage mit der an der SUS304-Platte angebrachten Rückseite eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie (Produktbezeichnung LUMIRROR S10, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 25 µm dick, 30 mm breit) mit einer einmal zurück- und vorbewegten 2 kg-Walze angebracht. Nachdem der erhaltene Gegenstand in der Umgebung für 30 Minuten stehengelassen worden ist, wurde die Belastung mit einem Zugprüfgerät gemessen, während die PET-Folie von der PSA-Lage bei einem Ablösewinkel von 180° bei einer Zuggeschwindigkeit von 300 mm/min abgelöst wurde. Die durchschnittliche Belastung währenddessen wurde als die Haftfestigkeit der PSA-Lage auf PET verwendet. Als das Zugprüfgerät wurde eines mit der Produktbezeichnung AUTOGRAPH AG-120kN, erhältlich von Shimadzu Corporation, verwendet.
7. Verankerungsfestigkeit nach dem Erwärmen
Die PSA-Lage wurde zu einer Größe mit einer Breite von 20 mm und einer Länge von 140 mm geschnitten. Mittels eines doppelseitigen Klebebands (Produkt Nr. 531, erhältlich von Nitto Denko Corporation) wurde die gesamte Oberfläche der Rückseite (gegenüber der Seite, die mit der ersten PSA-Schicht versehen ist) unter Verwendung einer 2 kg-Handwalze an einer SUS304-Platte angebracht. Bezüglich einer PSA-Lage mit einer zweiten PSA-Schicht auf der Rückseite eines Substrats wurde anstelle der Verwendung des doppelseitigen Klebebands Nr. 531 die PSA-Lage über die zweite PSA-Schicht an der SUS304-Platte angebracht. Der erhaltene Gegenstand wurde in einer Umgebung bei 150 °C für 1 Stunde stehengelassen und dann in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) für 2 Stunden stehengelassen. Anschließend wurde in der Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) mit einem Schneidmesser ein tiefer Schnitt von der ersten PSA-Schichtoberfläche durch die Substratoberfläche durchgeführt. Auf den Schnitt wurde ein handelsübliches Acryl-PSA-Band (Produkt Nr. 315, erhältlich von Nitto Denko Corporation) mit Druck mit einer einmal zurück- und vorbewegten 2 kg-Walze geklebt. Der erhaltene Gegenstand wurde für 30 Minuten stehengelassen. Anschließend wurde die Belastung mit dem Zugprüfgerät gemessen, während das Acryl-PSA-Band bei einem Zugwinkel von 180° bei einer Zuggeschwindigkeit von 50 mm/min abgelöst wurde. Die maximale Belastung währenddessen wurde als die Verankerungsfestigkeit nach dem Erwärmen aufgezeichnet.
8. Haftfestigkeit auf einem Einkapselungsharz
Die PSA-Lage wurde zu einer Größe mit einer Breite von 50 mm und einer Länge von 140 mm geschnitten. Auf der ersten PSA-Schicht wurde ein Rahmen (mit einer rechteckigen Öffnung mit einer Breite von 35 mm und einer Länge von 90 mm, 564 µm dick) angebracht. Der Bereich innerhalb des Rahmens wurde mit Körnern eines Einkapselungsmaterials auf Epoxidharz-Basis (G730, erhältlich von Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) bis zu einer Dicke des ausgehärteten Harzes von 0,3 mm bestreut und dann mit einer Silikon-behandelten Trennlage bedeckt. Unter Verwendung einer hydraulischen Formmaschine NS-VPF-50, die von Meisho-Press Co., Ltd. erhältlich ist, wurde das Einkapselungsharz bei den folgenden Bedingungen auf die erste PSA-Schicht warmgeformt: Einer Temperatur von 145 °C, einer Formzeit von 600 Sekunden, einem Druck von 0,3 MPa (Tisch mit einer Größe von 300 mm im Quadrat), einer Vakuumzeit von 600 Sekunden und einem Vakuumgrad von -0,1 MPa. Der resultierende Gegenstand wurde bei 150 °C für 7 Stunden erwärmt, so dass das Einkapselungsharz ausgehärtet wurde, und dann in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) für 2 Stunden stehengelassen. Der Teil, bei dem das Einkapselungsharz mit der ersten PSA-Schicht in Kontakt ist, wurde zu einer Größe mit einer Breite von 20 mm und einer Länge von 88 mm geschnitten, so dass eine Prüfprobe hergestellt wurde. Die Prüfprobe wurde in der Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) für 30 Minuten stehengelassen. Anschließend wurde unter Verwendung des Zugprüfgeräts die Belastung gemessen, während die PSA-Lage von dem Einkapselungsharz bei einem Ablösewinkel von 180° bei einer Zuggeschwindigkeit von 300 mm/min abgelöst wurde. Die durchschnittliche Belastung währenddessen wurde als die Haftfestigkeit der PSA-Lage auf dem Einkapselungsharz verwendet.
9. Eigenschaften dahingehend, dass kein Rückstand zurückbleibt
Bei der Messung der Haftfestigkeit auf einem Einkapselungsharz wurde nach der Entfernung der PSA-Lage das Vorliegen/Fehlen eines übriggebliebenen Haftmittelrückstands auf dem Einkapselungsharz visuell untersucht. Auf der Basis der Ergebnisse wurden die Eigenschaften dahingehend, dass kein Rückstand zurückbleibt, als „P“ (schlecht) bewertet, wenn ein Haftmittelrückstand festgestellt wurde, und als „G“ (gut) bewertet, wenn kein Haftmittelrückstand festgestellt wurde.
10. Formaustrieb („mold flash“)-Prüfung
Auf der ersten Haftfläche der PSA-Lage wurden Halbleiterchips bei den nachstehend gezeigten Bedingungen einem Harzeinkapseln unterzogen, und das Vermögen, ein Eintreten des Einkapselungsharzes in die Chip/Einkapselungsharz-Grenzfläche (Formaustrieb („mold flash“)) zu verhindern, wurde bewertet.

Träger: SUS-Träger (ø 220 mm)
Chip: Dummy-Chip mit einer ungleichmäßigen Oberfläche (ein Dummy-Chip mit einem 7 mm × 7 mm × 400 µm dicken Siliziumsubstrat mit einer Kupfer-Kontaktstelle auf einer Seite (Kontaktstellen-Zielhöhe: 5,5 µm, Maske: GNC-300mm-G03-A-300S), erhältlich von Global Net Corporation)
Verbindungsvorrichtung: FC3000W, erhältlich von Toray Engineering Co. Ltd.
Verbindungsbedingungen: Pressverbindungszeit 6 Sekunden, Pressverbindungsdruck 10 N und Pressverbindungstemperatur 23 °C
Einkapselungsgerät: MS-150HP, erhältlich von Apic Yamada Corporation
Einkapselungsharz: G730, erhältlich von Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
Vorwärmbedingung: 130 °C für 30 s
Zeit vom Vorwärmen bis zum Beginn des Einkapselns: 1 Stunde Einkapselungstemperatur: 145 °C
Vakuumzeit: 5 s
Einkapselungszeit: 600 s
Klemmkraft: 3,6 MPa
Einkapselungsdicke: 600 µm

Der Einkapselungsvorgang wurde mit dem folgenden Verfahren durchgeführt.

1) Die Rückseite der PSA-Lage wurde mittels einer durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltenden PSA-Schicht an einen SUS-Träger geklebt (in einer Atmosphäre bei 23 °C, Verbindungszylinderdruck 0,1 MPa, Verbindungsgeschwindigkeit 0,5 m/min).

Als die durch Wärme ausdehnbare Mikrokügelchen-enthaltende PSA-Schicht wurde, wenn die PSA-Lage eine zweite PSA-Schicht, die durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst, auf der Substratrückseite aufwies, die zweite PSA-Schicht als solche verwendet. Wenn die PSA-Lage die zweite PSA-Schicht auf der Substratrückseite nicht aufwies, wurde eine vorstehend genannte Standard-PSA-Schicht (eine 45 µm dicke PSA-Schicht, die für jeweils 100 Teile des Acrylpolymers 30 Teile von durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen (Produktbezeichnung MATSUMOTO MICROSPHERE F-190D, erhältlich von Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.) umfasst) gebildet und die Rückseite der PSA-Lage wurde mittels der Standard-PSA-Schicht an dem SUS-Träger angebracht.
2) Unter Verwendung der Verbindungsvorrichtung wurden auf der ersten PSA-Schicht der PSA-Lage, die an dem SUS-Träger angebracht ist, insgesamt 25 der vorstehend genannten Dummy-Chips entlang acht radialen Geraden mit 45°-Zentralwinkeln angeordnet, wobei sich der Abstand von der Mitte in der Richtung des Außenumfangs erweiterte. Die Chips wurden so angeordnet, dass ihre ungleichmäßige Oberfläche (Fläche mit Kontaktstelle) der ersten PSA-Schicht gegenüberliegt.
3) Der SUS-Träger wurde bei den vorgegebenen Bedingungen vorgewärmt, während er die Dummy-Chips aufweist, wobei die ungleichmäßige Oberfläche auf der ersten PSA-Schicht der PSA-Lage angeordnet ist.
4) Nach dem Vorwärmen wurde der erhaltene Gegenstand in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) für 1 Stunde stehengelassen; dann wurde das vorgegebene Einkapselungsharz gleichmäßig manuell auf den Dummy-Chips verteilt; und die Chips wurden unter Verwendung des vorgegebenen Einkapselungsgeräts bei den vorgegebenen Einkapselungsbedingungen eingekapselt.
5) Das resultierende Laminat wurde bei 150 °C für 4 Stunden zum Aushärten des Einkapselungsharzes erwärmt.
6) Nach dem Stehenlassen in einer Umgebung bei 23 °C und 50 % relativer Feuchtigkeit (RH) für 5 Tage wurde das wärmeausgehärtete Laminat auf einer Heizplatte erwärmt, so dass die durch Wärme ausdehnungsfähigen Mikrokügelchen in der PSA-Schicht, welche die PSA-Lage an dem SUS-Träger fixiert, ausgedehnt wurden und der SUS-Träger von dem Laminat getrennt wurde.
7) Nach dem Trennen des SUS-Trägers wurde die PSA-Lage von dem Laminat abgelöst, so dass eine Struktur erhalten wurde, die aus dem Einkapselungsharz und den Dummy-Chips mit der ungleichmäßigen Oberfläche ausgebildet ist.
Bezüglich der Struktur wurde die Oberfläche, die mit der ersten Haftfläche in Kontakt war, mit einem Laserkonfokalmikroskop (OLS-4000, erhältlich von OLYMPUS) untersucht, um zu bestätigen, ob das Einkapselungsharz auf die Dummy-Chips mit der ungleichmäßigen Oberfläche eingedrungen ist oder nicht. Wenn ein PSA-Rückstand (Haftmittelrückstand) auf der Oberfläche festgestellt wurde, wurden Untersuchungen durchgeführt, nachdem der Rückstand mit Toluol entfernt worden ist. Als Ergebnis wurde, wenn ein Eindringen eines Einkapselungsharzes in irgendeinem der Dummy-Chips festgestellt wurde, dies als „P“ (schlecht: Schlechte Anti-Formaustrieb („mold flash“)-Eigenschaften) bewertet. Wenn ein Eindringen eines Einkapselungsharzes in keinem der Dummy-Chips festgestellt wurde, wurde dies als „G“ (gut: Gute Anti-Formaustrieb („mold flash“)-Eigenschaften) bewertet.
11. Prüfung des Abstehens
Auf der ersten Haftfläche der PSA-Lage wurden in der gleichen Weise wie bei der Formaustrieb („mold flash“)-Prüfung, jedoch unter Verwendung von Si-Spiegelchips (7 mm × 7 mm × 400 µm dick) als die Halbleiterchips (Si-Chips), die Halbleiterchips (Si-Chips) mit einem Harz eingekapselt, so dass eine Struktur erhalten wurde, die aus dem Einkapselungsharz und Si-Spiegelchips ausgebildet war.
Bezüglich der Struktur wurde die Oberfläche, die mit der ersten Haftfläche in Kontakt war, mit einem Laserkonfokalmikroskop (OLS-4000, erhältlich von OLYMPUS) untersucht und die Abstehhöhe (Höhendifferenz an der Grenzfläche zwischen dem Si-Chip und dem Einkapselungsharz auf der vorstehenden Oberfläche) wurde für den Si-Chip gemessen, der in der Mitte angeordnet ist. Wenn ein PSA-Rückstand (Haftmittelrückstand) auf der Oberfläche festgestellt wurde, wurden Messungen durchgeführt, nachdem der Rückstand mit Toluol entfernt worden ist. Als Ergebnis wurde, wenn die Abstehhöhe weniger als 3,3 µm betrug, diese als „G“ (gut: Abstehen war stark vermindert) bewertet. Wenn die Abstehhöhe 3,3 µm oder mehr betrug, wurde diese als „P“ (schlecht: Verminderung des Abstehens war unzureichend) bewertet.
<Beispiel 1>
Einer Toluollösung, die 100 Teile eines Polymers P1 (eines Acrylpolymers, das aus den Monomeren 2-Ethylhexylacrylat (2EHA)/Acrylsäure (AA) = 95/5 (Gewichtsverhältnis) ausgebildet ist; SP-Wert 19,3) umfasst, wurden 5 Teile eines Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis (Produktbezeichnung TETRAD C, erhältlich von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) und Toluol zum Verdünnen (auf insgesamt 100 Teile) zugesetzt und gemischt, so dass eine PSA-Zusammensetzung 1a hergestellt wurde. Die PSA-Zusammensetzung 1a wurde auf die Trennfläche einer Trennfolie R1 (Produktbezeichnung CERAPEEL MDAR, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 38 µm dick), die aus Polyethylenterephthalat (PET) ausgebildet war, das auf einer Seite mit einem Trennmittel auf Silikon-Basis behandelt worden ist, aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 1A (Dicke L1 = 10 µm) auf der Trennfolie R1 gebildet wurde.
In der gleichen Weise wie bei der Herstellung der PSA-Zusammensetzung 1a, jedoch unter Verwendung von 3 Teilen eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation) anstelle von 5 Teilen des Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis, wurde eine PSA-Zusammensetzung 1b hergestellt. Die PSA-Zusammensetzung 1b wurde auf eine Fläche einer PET-Folie (Produktbezeichnung LUMIRROR S10, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 38 µm dick) als das Substrat aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 1B (Dicke L2 = 10 µm) auf der Fläche des Substrats gebildet wurde.
Die Haftfläche der PSA-Schicht 1A, die auf der Trennfolie R1 ausgebildet ist, wurde an die Haftfläche der PSA-Schicht 1B geklebt, so dass eine PSA-Lage mit einer ersten PSA-Schicht, die aus den PSA-Schichten 1B und 1A ausgebildet war, auf einer Fläche des Substrats erhalten wurde (eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat/PSA-Schicht 1B (Schicht B)/PSA-Schicht 1A (Schicht A)).
<Beispiel 2>
Die Menge des verwendeten Vernetzungsmittels und die Dicken der Schichten A und B waren derart, wie es in der Tabelle 1 gezeigt ist. Ansonsten wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 1 eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat! PSA-Schicht 2B (Schicht B)/PSA-Schicht 2A (Schicht A) erhalten.
<Beispiel 3>
Einer Toluollösung, die 100 Teile eines Polymers P2 (eines Acrylpolymers, das aus den Monomeren n-Butylacrylat (BA)/Ethylacrylat (EA)/AA = 50/50/5 (Gewichtsverhältnis) ausgebildet ist; SP-Wert 19,6) umfasst, wurden 5 Teile eines Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis (Produktbezeichnung TETRAD C, erhältlich von Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) und Toluol zum Verdünnen (auf insgesamt 100 Teile) zugesetzt und gemischt, so dass eine PSA-Zusammensetzung 3a hergestellt wurde. Die PSA-Zusammensetzung 3a wurde auf die Trennfläche der Trennfolie R1 aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass die PSA-Schicht 3A (Dicke L1 = 5 µm) auf der Trennfolie R1 gebildet wurde.
In der gleichen Weise wie bei der Herstellung der PSA-Zusammensetzung 3a, jedoch unter Verwendung von 3 Teilen eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation) anstelle von 5 Teilen des Vernetzungsmittels auf Epoxid-Basis, wurde eine PSA-Zusammensetzung 3b hergestellt. Die PSA-Zusammensetzung 3b wurde auf eine Fläche einer PET-Folie (Produktbezeichnung LUMIRROR S10, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 38 µm dick) als das Substrat aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 3B (Dicke L2 = 35 µm) auf der Fläche des Substrats gebildet wurde.
Die Haftfläche der PSA-Schicht 3A, die auf der Trennfolie R1 ausgebildet ist, wurde an die Haftfläche der PSA-Schicht 3B geklebt, so dass eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat/PSA-Schicht 3B (Schicht B)/PSA-Schicht 3A (Schicht A)) erhalten wurde.
<Beispiel 4>
Die Schichten A und B wurden so ausgebildet, dass sie die Dicken aufwiesen, die in der Tabelle 1 gezeigt sind. Ansonsten wurde in der gleichen Weise wie im Beispiel 3 eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat/PSA-Schicht 4B (Schicht B)/PSA-Schicht 1A (Schicht A)) erhalten.
<Beispiel 5>
Einer Toluollösung, die 100 Teile eines Polymers P3 (eines Acrylpolymers, das aus den Monomeren EA/2EHA/Methylmethacrylat (MMA)/2-Hydroxyethylacrylat (HEA) = 30/70/5/4 (Gewichtsverhältnis) ausgebildet ist; SP-Wert 20,7) umfasst, wurden 30 Teile durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen (Produktbezeichnung MATSUMOTO MICROSPHERE F-190D, erhältlich von Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.), 1,4 Teile eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), 10 Teile eines Klebrigmachers (Produktbezeichnung MIGHTY ACE G125, erhältlich von Yasuhara Chemical Co., Ltd.) und Toluol zum Verdünnen (auf insgesamt 100 Teile) zugesetzt. Das resultierende Produkt wurde zur Herstellung einer PSA-Zusammensetzung 5c gemischt. Die PSA-Zusammensetzung 5c wurde auf die Trennfläche der Trennfolie R1 aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 5C (45 µm dick) auf der Trennfolie R1 gebildet wurde.
Auf die Substratrückseite der PSA-Lage gemäß Beispiel 4 wurde die Haftfläche der PSA-Schicht 5C, die auf der Trennfolie R1 ausgebildet ist, geklebt, so dass eine doppelseitige PSA-Lage mit einer Struktur aus PSA-Schicht 5C (zweite PSA-Schicht)/Substrat/PSA-Schicht 4B (Schicht B)/PSA-Schicht 4A (Schicht A) erhalten wurde.
<Beispiel 6>
Einer Toluollösung, die 100 Teile des Polymers P3 umfasst, wurden 1,5 Teile eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), 10 Teile eines Klebrigmachers (Produktbezeichnung MIGHTY ACE G125, erhältlich von Yasuhara Chemical Co., Ltd.) und Toluol zum Verdünnen (auf insgesamt 100 Teile) zugesetzt und gemischt. Das resultierende Produkt wurde zur Herstellung einer PSA-Zusammensetzung 6a gemischt. Die PSA-Zusammensetzung 6a wurde auf die Trennfläche der Trennfolie R1 aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 6A (30 µm dick) auf der Trennfolie R1 gebildet wurde.
Einer Toluollösung, die 100 Teile des Polymers P3 umfasst, wurde 1 Teil eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation) und Toluol zum Verdünnen (auf insgesamt 100 Teile) zugesetzt und gemischt, so dass eine PSA-Zusammensetzung 6b hergestellt wurde. Die PSA-Zusammensetzung 6b wurde auf eine Fläche einer PET-Folie (Produktbezeichnung LUMIRROR S10, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 38 µm dick) als das Substrat aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 6B (Dicke L2 = 20 µm) auf der Fläche des Substrats erhalten wurde.
Die Haftfläche der PSA-Schicht 6A, die auf der Trennfolie R1 ausgebildet ist, wurde auf die Haftfläche der PSA-Schicht 6B geklebt, so dass eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat/PSA-Schicht 6B (Schicht B)/PSA-Schicht 6A (Schicht A)) erhalten wurde.
<Beispiel 7>
Einer Toluollösung, die 100 Teile eines Polymers P4 (eines Acrylpolymers, das aus den Monomeren 2EHA/Acryloylmorpholin (ACMO)/HEA = 75/25/22 (Gewichtsverhältnis) ausgebildet ist und ferner mit 11 Mol 2-Isocyanatoethylmethacrylat (KARENZ MOI, erhältlich von Showa Denko K. K) bezogen auf 22 Mol HEA modifiziert ist) umfasst, wurden 5 Teile eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), 10 Teile eines UV-aushärtbaren Oligomers (Produktbezeichnung ARONIX M321, erhältlich von Toagosei Co., Ltd.), 3 Teile eines Photoinitiators (Produktbezeichnung OMNIRAD 651, erhältlich von IGM Resins) und Ethylacetat zum Verdünnen zugesetzt und gemischt, so dass eine PSA-Zusammensetzung 7a hergestellt wurde. Die PSA-Zusammensetzung 7a wurde auf die Trennfläche der Trennfolie R1 aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 7A (Dicke L1 = 5 µm) auf der Trennfolie R1 erhalten wurde.
Einer Toluollösung, die 100 Teile des Polymers P2 umfasst, wurden 1 Teil eines Vernetzungsmittels auf Isocyanat-Basis (Produktbezeichnung CORONATE L, erhältlich von Tosoh Corporation), 10 Teile eines UV-aushärtbaren Oligomers (Produktbezeichnung ARONIX M321, erhältlich von Toagosei Co., Ltd.), 3 Teile eines Photoinitiators (Produktbezeichnung OMNIRAD 651, erhältlich von IGM Resins) und Ethylacetat zum Verdünnen zugesetzt und gemischt, so dass eine PSA-Zusammensetzung 7b hergestellt wurde. Die PSA-Zusammensetzung 7b wurde auf eine Fläche einer PET-Folie (Produktbezeichnung LUMIRROR S10, erhältlich von Toray Industries, Inc.; 38 µm dick) als das Substrat aufgebracht und Trocknen gelassen, so dass eine PSA-Schicht 7B (Dicke L2 = 150 µm) auf der Fläche des Substrats gebildet wurde.
Die Haftfläche der PSA-Schicht 7A, die auf der Trennfolie R1 ausgebildet ist, wurde auf die Haftfläche der PSA-Schicht 7B geklebt, so dass eine PSA-Lage mit einer Struktur aus Substrat/PSA-Schicht 7B (Schicht B)/PSA-Schicht 7A (Schicht A)) erhalten wurde.

Die resultierenden PSA-Lagen wurden mit den vorstehend beschriebenen Verfahren bewertet. Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 gezeigt. Es sollte beachtet werden, dass sich bei der Messung der Verankerungsfestigkeit nach dem Erwärmen stets eine Trennung an der Grenzfläche zwischen dem Acryl-PSA-Band und der interessierenden Haftoberfläche entwickelte und an der Grenzfläche mit dem Substrat (PET-Folie) kein Verankerungsversagen festgestellt wurde.
[Tabelle 1] Tabelle 1

Beispiel				1	2	3	4	5	6	7
1 PSA-Schicht	Schicht A (Teile)		P1	100	100	-	-	-	-	-
			P2	-	-	100	100	100	-	-
		Polymer	P3	-	-	-	-	-	100	-
			P4	-	-	-	-	-	-	100
		Isocyanat-Vernetzungsmittel Epoxid-Vernetzungsmittel							1,5	4,5
		Isocyanat-Vernetzungsmittel Epoxid-Vernetzungsmittel		5	10	5	5	5
		Klebrigmacher UV-aushärtbares Oligomer Photoinitiator		-	-	-	-	-	10	-
				-	-	-	-	-	-	10
				-	-	-	-	-	-	3
	Dicke der Schicht A L1 (µm)			10	5	5	6	6	30	5
	Schicht B (Teile)		P1	100	100	-	-	-	-	-
		Polymer	P2	-	-	100	100	100	-	100
			P3	-	-	-	-	-	100	-
		Isocyanat-Vernetzungsmittel		3	3	3	3	3	1	1
		UV-aushärtbares Oligomer Photoinitiator		-	-	-	-	-	-	10
		UV-aushärtbares Oligomer Photoinitiator		-	-	-	-	-	-	3
	Dicke der Schicht B L2 (µm)			10	5	35	10	10	20	150
	Dickenverhältnis (L2/L1)			1,0	1,0	7,0	1,7	1,7	0,7	30,0
		Gesamtdicke (L1 + L2) (µm)		20	10	40	16	16	50	155
Substratdicke (µm)				38	38	38	38	38	38	38
Dicke der zweiten PSA-Schicht (µm)				-	-	-	-	45	-	-
Prüfungen		Eindruckhärte	H1 (MPa)	0,161	0,204	0,224	0,224	0,224	0,050	0,098
			H2 (MPa)	0,074	0,074	0,046	0,046	0,046	0,037	0,010
			Verhältnis (H2/H1)	0,46	0,36	0,20	0,20	0,20	0,74	0,10
		Fadenziehindex	D1 (nm)	124	106	135	135	135	1550	1105
			D2 (nm)	796	796	534	534	534	18600	3771
			Verhältnis (D2/D1)	6,42	7,51	3,96	3,96	3,96	12,00	3,41
		Quellprüfung	Anfängliche Dicke T0 (µm) Dicke nach dem Quellen T1 (µm)	20	10	40	16	16	50	51
			Anfängliche Dicke T0 (µm) Dicke nach dem Quellen T1 (µm)	29	16	52	24	24	75	71
			Dickenänderung (µm)	9	6	12	8	8	25	20
			% Änderung der Dicke	45 %	60%	30 %	50 %	50%	50 %	39 %
		TMA-Eindringtiefe (µm)		4,20	4,00	9,80	4,80	4,80	8,60	10,70
		T_2s-Relaxationszeit	Schicht A (µs)	28	22	26	26	26	52	48
		T_2s-Relaxationszeit	Schicht B (µs)	56	56	53	53	53	55	61
		Haftfestigkeit auf PET (N/20 mm)		0,30	0,20	0,85	0,54	0,54	5,40	7,15
		Verankerungsfestigkeit nach dem Erwärmen (N/20 mm)		5,80	5,50	6,10	6,20	6,20	9,40	17,75
		Haftfestigkeit auf dem Einkapselungsharz (N/20 mm)		1,60	1,50	2,50	2,10	2,10	10,20	11,50
		Eigenschaften dahingehend, dass kein Rückstand zurückbleibt Formaustrieb („mold flash“)-Prüfung Abstehprüfung		G	G	G	G	G	P	P
				G	G	G	G	G	G	G
				G	G	G	G	G	P	P

Wie es in der Tabelle 1 gezeigt ist, zeigten die PSA-Lagen der Beispiele 1 bis 5 (0,10 MPa ≤ H1 ≤ 0,50 MPa, 0,001 MPa ≤ H2 ≤ 0,090 MPa) gute Anti-Formaustrieb („mold flash“)-Eigenschaften mit guten Eigenschaften dahingehend, dass kein Rückstand zurückbleibt.
Obwohl vorstehend spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben worden sind, dienen diese lediglich der Veranschaulichung und beschränken den Umfang der Ansprüche nicht. Die Technik gemäß den Ansprüchen umfasst verschiedene Modifizierungen und Änderungen, die mit den vorstehend gezeigten spezifischen Ausführungsformen durchgeführt worden sind.
[Bezugszeichenliste]

1: Halbleiterchip
2: Einkapselungsharz
10: Substrat (Substratfolie)
20: PSA-Schicht (erste PSA-Schicht)
22: Schicht A
24: Schicht B
30: Zweite PSA-Schicht
100, 200, 300: PSA-Lage
A: Messstelle A
B: Messstelle B

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2021115926 [0001]
JP 2001308116 [0002]
JP 2001313350 [0002]
JP 2018009050 [0127]

Zitierte Nicht-Patentliteratur

Hideki Yamamoto, „SP-value fundamentals, application, and calculation method”(4. Auflage), veröffentlicht von Johokiko Co., Ltd., 3. April 2006, Seiten 66-67 [0083]

Claims

Druckempfindliche Haftmittellage, die ein Substrat und eine druckempfindliche Haftmittelschicht, die mindestens auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, aufweist, wobei die druckempfindliche Haftmittellage gemäß einer Eindruckhärtemessung unter Verwendung eines Nanoindenters eine Eindruckhärte H1 von 0,10 MPa oder mehr und 0,50 MPa oder weniger an der druckempfindlichen Haftmittelschichtoberfläche und eine Eindruckhärte H2 von 0,001 MPa oder mehr und 0,090 MPa oder weniger, die in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der druckempfindlichen Haftmittelschichtoberfläche in einem Querschnitt der druckempfindlichen Haftmittellage gemessen wird, aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 1, wobei das Verhältnis der Eindruckhärte H2 (MPa) zu der Eindruckhärte H1 (MPa) (H2/H1) 0,002 oder höher und 0,90 oder niedriger ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 1 oder 2, wobei die druckempfindliche Haftmittelschichtoberfläche in einer Fadenziehprüfung unter Verwendung eines Nanoindenters einen Fadenziehindex D1 von 50 nm oder mehr und 500 nm oder weniger; und einen Fadenziehindex D2 von 150 nm oder mehr und 1000 nm oder weniger, der in einem Abstand von 4 µm von dem Substrat in der Richtung der druckempfindlichen Haftmittelschichtoberfläche in einem Querschnitt der druckempfindlichen Haftmittellage bestimmt wird, aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 3, wobei das Verhältnis des Fadenziehindex D2 (nm) zu dem Fadenziehindex D1 (nm) (D2/D1) 0,3 oder höher und 20,0 oder niedriger ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei, wenn die druckempfindliche Haftmittelschicht eine anfängliche Dicke T0 (µm) aufweist, nachdem auf die druckempfindliche Haftmittelschichtoberfläche 4-t-Butylphenylglycidylether getropft worden ist und nach einem Stehenlassen für 1 Minute, die druckempfindliche Haftmittelschicht eine Dicke T1 (µm) mit einer Differenz von der anfänglichen Dicke (T1 - T0) von 20 µm oder weniger aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 5, die ein Nadelsondeneindringen von 3,50 µm oder mehr und 20,0 µm oder weniger von der druckempfindlichen Haftmittelschichtoberfläche aufweist, das unter Verwendung eines thermomechanischen Analysegeräts bei einer Messumgebungstemperatur von 23 °C und einer Eindruckbelastung von 0,01 N für eine Eindruckzeit von 60 Minuten gemessen wird.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die druckempfindliche Haftmittelschicht eine Dicke von 5 µm oder mehr und 110 µm oder weniger aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Substrat eine Substratfolie ist, die aus einem Harzmaterial mit einer Glasübergangstemperatur von 25 °C oder höher ausgebildet ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die eine Haftfestigkeit von 0,05 N/20 mm oder mehr und 1,00 N/20 mm oder weniger auf einer Polyethylenterephthalat (PET)-Folie aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die eine Verankerungsfestigkeit von 4,00 N/20 mm oder mehr an dem Substrat aufweist, die bei 23 °C nach dem Erwärmen der druckempfindlichen Haftmittellage bei 150 °C für eine Stunde bestimmt wird.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei mindestens die druckempfindliche Haftmittelschichtoberfläche aus einem druckempfindlichen Acryl-Haftmittel ausgebildet ist, das ein Acrylpolymer als dessen Basispolymer umfasst.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 11, wobei das Acrylpolymer einen SP-Wert von 18,0 bis 20,0 aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die druckempfindliche Haftmittelschicht eine Schicht (A), welche die druckempfindliche Haftmittelschichtoberfläche bildet, und eine Schicht (B), die angrenzend an das Substrat zwischen der Schicht A und dem Substrat angeordnet ist, umfasst.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 13, wobei die Schicht A eine Dicke L1 von 1 µm oder mehr und 10 µm oder weniger aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach Anspruch 13 oder 14, wobei die Schicht B eine Dicke L2 von 4 µm oder mehr und 100 µm oder weniger aufweist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei das Verhältnis der Dicke L2 (µm) der Schicht B zu der Dicke L1 (µm) der Schicht A (L2/L1) 1,0 bis 100,0 ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei die Schicht A eine T_2s von 45 µs oder weniger aufweist und die Schicht B eine T_2s von mehr als 45 µs aufweist, wobei T_2s die kurze T₂-Relaxationszeitkomponente gemäß einer Puls-NMR ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei die Schicht A mit einem Vernetzungsmittel auf Epoxid-Basis vernetzt ist und die Schicht B mit einem Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis vernetzt ist.
Druckempfindliche Haftmittellage nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei die druckempfindliche Haftmittellage das Substrat aufweist, die druckempfindliche Haftmittelschicht auf einer Seite des Substrats angeordnet ist, und eine zweite druckempfindliche Haftmittelschicht auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats bezogen auf die druckempfindliche Haftmittelschicht angeordnet ist, wobei mindestens die zweite druckempfindliche Haftmittelschichtoberfläche aus einem druckempfindlichen Haftmittel ausgebildet ist, das durch Wärme ausdehnungsfähige Mikrokügelchen umfasst.