CN116368199A - 粘合片 - Google Patents

粘合片 Download PDF

Info

Publication number
CN116368199A
CN116368199A CN202180069545.6A CN202180069545A CN116368199A CN 116368199 A CN116368199 A CN 116368199A CN 202180069545 A CN202180069545 A CN 202180069545A CN 116368199 A CN116368199 A CN 116368199A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive sheet
adhesive
pressure
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180069545.6A
Other languages
English (en)
Inventor
由藤拓三
加藤和通
中尾航大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN116368199A publication Critical patent/CN116368199A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1802—C2-(meth)acrylate, e.g. ethyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1808—C8-(meth)acrylate, e.g. isooctyl (meth)acrylate or 2-ethylhexyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

提供一种粘合片，其对用于将半导体芯片密封的密封树脂和半导体芯片具有适度的粘合性，能够从该密封树脂容易地剥离，难以产生剥离时的残胶，且将粘合片剥离后难以产生半导体芯片与密封树脂的高度差。本发明的粘合片具备基材和配置在该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含丙烯酸系粘合剂，该粘合片的、使用TMA的23℃环境下的凹陷量为5μm以下，该粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。

Description

粘合片
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
近年来，在包含半导体芯片的半导体部件的制造中，为了防止半导体芯片的损伤、扩张金属布线等，有时对该半导体芯片进行树脂密封。在树脂密封工序中，从操作性等观点出发，有时在粘合片上对半导体芯片进行树脂密封。例如，为了防止半导体芯片的移动，将多个半导体芯片配置在规定的作为临时固定材料的粘合片上，在该粘合片上将半导体芯片一次性地密封。然后，在规定的后工序中，将上述粘合片从用于密封半导体芯片的树脂剥离。
在如上所述的工序中，若使用以往的粘合片，则在将该粘合片从包含密封树脂和半导体芯片的结构体剥离时，有在该结构体上产生残胶的问题。另外，进行密封时，半导体芯片被压入至粘合片中，结果，有将粘合片剥离后产生半导体芯片与密封树脂的高度差的问题。这样的高度差会成为半导体芯片的保护不充分、或无法形成金属布线之类的不良情况的原因。另外，也容易产生因该高度差造成的残胶。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-308116号公报
专利文献2：日本特开2001-313350号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述以往的课题而作出的，其目的在于提供一种粘合片，其对用于将半导体芯片密封的密封树脂和半导体芯片具有适度的粘合性，能够从该密封树脂容易地剥离，难以产生剥离时的残胶，且将粘合片剥离后难以产生半导体芯片与密封树脂的高度差。
用于解决问题的方案
本发明的粘合片具备基材和配置在该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含丙烯酸系粘合剂，该粘合片的、使用TMA的23℃环境下的凹陷量为5μm以下，该粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。
在一个实施方式中，在上述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化率为160％以下。
在一个实施方式中，在上述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化量为20μm以下。
在一个实施方式中，上述粘合剂层包含粘合剂，该粘合剂包含sp值为18(cal/cm3)1/2～20(cal/cm3)1/2的基础聚合物。
在一个实施方式中，上述丙烯酸系粘合剂包含丙烯酸系聚合物的交联物作为基础聚合物。
在一个实施方式中，上述丙烯酸系粘合剂包含环氧系交联剂。
在一个实施方式中，上述环氧系交联剂的配混量相对于丙烯酸系聚合物100重量份为0.6重量份～15重量份。
在一个实施方式中，上述基材是由玻璃化转变温度(Tg)为25℃以上的树脂构成的树脂片。
在一个实施方式中，上述基材的厚度相对于粘合片的总厚为20％～90％。
在一个实施方式中，上述粘合片的、使用TMA的145℃环境下的凹陷量为1μm～35μm。
在一个实施方式中，对上述粘合剂层进行加热处理时的氮气的产生量为0.06重量％～1重量％。
在一个实施方式中，上述粘合片具备：上述基材、配置在该基材的单侧的上述粘合剂层、以及配置在该基材的与该粘合剂层相反一侧的第2粘合剂层。
在一个实施方式中，上述粘合片为在半导体芯片的树脂密封工序中使用的临时固定材料。
在一个实施方式中，上述粘合片在将密封树脂在上述粘合片上固化时使用。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种粘合片，其对用于将半导体芯片密封的密封树脂和半导体芯片具有适度的粘合性，能够从该密封树脂容易地剥离，难以产生剥离时的残胶，且将粘合片剥离后难以产生半导体芯片与密封树脂的高度差。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的粘合片的截面示意图。
图2的(a)为对将以往的粘合片用于半导体芯片树脂密封工序时的一例进行说明的图。(b)为对将本发明的粘合片用于半导体芯片树脂密封工序时的一例进行说明的图。
图3为本发明的另一实施方式的粘合片的截面示意图。
具体实施方式
A.粘合片的概要
图1为本发明的一个实施方式的粘合片的截面示意图。粘合片100具备基材10和配置在基材10的至少单侧的粘合剂层(第1粘合剂层)20。粘合剂层包含丙烯酸系粘合剂。
本发明的粘合片可以适宜地用作对半导体芯片进行树脂密封时的临时固定材料。更详细而言，本发明的粘合片可以用作如下材料：在该粘合片的粘合剂层上排列半导体芯片，用树脂(通常为环氧系树脂)覆盖该半导体芯片，通过使该密封树脂固化来对半导体芯片进行树脂密封时的、该半导体芯片的临时固定材料。对半导体芯片进行树脂密封后，在规定的后工序(例如密封树脂的背面磨削、图案形成、凸块形成、芯片化(切断))时，上述粘合片可以从由密封树脂和半导体芯片构成的结构体剥离。密封树脂的环氧当量例如为50g/eq～500g/eq。
上述粘合片的、使用TMA的23℃环境下的凹陷量为5μm以下。另外，粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。根据具有这些特征的粘合片，将半导体芯片在粘合片上进行树脂密封后剥离粘合片时，可防止半导体芯片与密封树脂的高度差的产生。
作为产生上述半导体芯片与密封树脂的高度差的要因，认为有粘合剂层成分向密封树脂的迁移；因树脂密封时对半导体芯片施加的力而造成的半导体芯片向粘合剂层的埋入；等。使用图2的(a)进行更详细的说明。图2的(a)示出将以往的粘合片100’用于半导体芯片的树脂密封时的一例。粘合片100’具有粘合剂层，将该粘合剂层外表面作为贴附面。以往，对半导体芯片进行树脂密封时，首先，在粘合片100’上贴附半导体芯片1(a-i)。然后，以对半导体芯片1进行密封的方式涂布包含成为密封树脂2的前体的单体的组合物2’(a-ii)，然后，使该组合物2’固化(a-iii)。需要说明的是，作为上述组合物，例如可使用包含萘型2官能环氧树脂(环氧当量：144)的组合物。接着，在规定的后工序时，从包含半导体芯片1和密封树脂2的结构体A将粘合片100’剥离(a-iv)。在这样的操作中，(a-ii)所示的工序和(a-iii)所示的工序中会产生粘合剂层与密封树脂间的成分迁移，在密封树脂中形成粘合剂成分与密封树脂成分的混合相。若形成该混合相，则在将粘合片剥离时混合相被破坏，密封树脂的一部分与粘合片一同被剥离，其结果，产生半导体芯片与密封树脂的高度差。另外，在(a-ii)所示的工序和(a-iii)所示的工序中，由于对半导体芯片施加的力，半导体芯片的一部分埋入至粘合剂层中。半导体芯片在粘合剂层中的埋入也会成为半导体芯片与密封树脂的高度差的要因。
本发明中，通过将使用了TMA的23℃环境下的凹陷量设为5μm以下，能够防止粘合剂层成分向密封树脂的迁移和半导体芯片向粘合剂层的埋入(特别是半导体芯片向粘合剂层中的埋入)(图2的(b))。另外，通过将粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)设为45μsec以下，能够防止粘合剂层成分向密封树脂的迁移和半导体芯片向粘合剂层的埋入(特别是粘合剂层成分向密封树脂的迁移)(图2的(b))。
粘合片的、使用了TMA的23℃环境下的凹陷量优选为4μm以下、更优选为3.5μm、进一步优选为3μm以下。若为这样的范围，则本发明的效果变得显著。粘合片的、使用了TMA的23℃环境下的凹陷量越小越优选，其下限优选为0.1μm(优选为0.01μm)。例如可以通过适当调整构成粘合剂层的粘合剂的组成、该粘合剂所含的基础聚合物的结构(特别是交联密度)而设为上述范围的凹陷量。
“粘合片的、使用了TMA的23℃环境下的凹陷量”是指使用热机械分析机，使探头接触粘合剂层(第1粘合剂层)并经过60分钟后的凹陷量。测定条件设为：探头：带有针、氮气流量：50.0ml/min、压痕载荷：0.01N。另外，在粘合片仅在基材的单侧具有粘合剂层时(即，不具有后述第2粘合剂层时)，在基材的与粘合剂层(第1粘合剂层)相反一侧的面上形成标准粘合剂层后进行上述测定。标准粘合剂层为涂覆如下的粘合剂层形成用组合物而形成的厚度45μm的粘合剂层，所述粘合剂层形成用组合物是将丙烯酸系共聚物(丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸乙酯(EA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)和丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)的共聚物、2EHA结构单元：EA结构单元：MMA结构单元：HEA结构单元＝30：70：5：5(重量比)(分子量(Mw＝45万)))100重量份、增粘剂(YASUHARACHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“Mightyace G125”)10重量份、异氰酸酯系交联剂(东曹株式会社制、商品名“CORONATE L”)2重量份、热膨胀性微球(松本油脂制药株式会社制、商品名“Matsumoto Microsphere F-190D”)30重量份和甲苯混合而得到的。
粘合片的、使用了TMA的145℃环境下的凹陷量优选为1μm～35μm、更优选为1μm～34μm、进一步优选为2μm～34μm。若为这样的范围，则本发明的效果变得显著。另外，即使在经历了高温环境(例如树脂密封时的加热处理环境)的情况下，也可防止半导体芯片对粘合剂层的埋入。
图3为本发明的另一实施方式的粘合片的截面示意图。粘合片200在基材10的与粘合剂层20相反一侧进一步具备第2粘合剂层30。即，粘合片200依次具备粘合剂层20、基材10和第2粘合剂层30。通过具备第2粘合剂层30，在台座上进行树脂密封时能够将第2粘合剂层30侧贴附于该台座，从而固定性良好地配置粘合片200。
在一个实施方式中，第2粘合剂层包含热膨胀性微球。该热膨胀性微球能够在规定温度下膨胀。对于包含这种热膨胀性微球的粘合剂层，通过加热至规定温度以上，热膨胀性微球发生膨胀，在粘合面(即第2粘合剂层表面)产生凹凸，粘合力降低或消失。若形成包含热膨胀性微球的第2粘合剂层，则在将粘合片固定(例如固定于台座)时会显现所需的粘合性，在将粘合片剥离时(例如从台座剥离时)，粘合力通过加热而降低或消失，显现良好的剥离性。
本发明的粘合片在将粘合剂层贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯时的23℃下的粘合力A优选为0.05N/20mm～1N/20mm、更优选为0.1N/20mm～10N/20mm、进一步优选为0.1N/20mm～5N/20mm、特别优选为0.2N/20mm～2N/20mm、最优选为0.2N/20mm～1N/20mm。若为这样的范围，则能够得到可优选地固定被粘物(例如半导体芯片)且剥离时的残胶少的粘合片。需要说明的是，本说明书中，“将粘合剂层贴附于聚对苯二甲酸乙二醇酯时的23℃下的粘合力”是指在聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度25μm)上贴合粘合片(宽度20mm×长度140mm)的粘合剂层(贴合条件：2kg辊往返1次)并在23℃的环境温度下放置30分钟后，将该试样供于拉伸试验(剥离速度：300mm/min、剥离角度180°)而测得的粘合力。
本发明的粘合片在粘合剂层贴附有硅芯片时的150℃下的剪切粘接力B优选为500g以上、更优选为700g～1500g、进一步优选为800g～1200g。若为这样的范围，则粘合剂的内聚力高，即使在高温下(例如用于使密封树脂固化的加热工序)也具有优选的粘合力，且能够防止配置在粘合片上的被粘物(例如半导体芯片)的位置偏移。剪切粘接力可以通过如下方式来测定：将硅芯片(尺寸：5mm×5mm)的镜面以不碰到芯片角的方式垂直粘贴于粘合剂层后，以130℃加热30分钟而使硅芯片与粘合剂表面密合，然后在测定温度(剪切粘接力B测定时为150℃)下，以剪切速度500μm/sec沿着与芯片水平方向施加外力，根据由此得到的载荷-位移曲线读取最大破坏载荷。作为测定装置，例如使用Nordson公司制dage4000。另外，上述测定时的测定端子可设为粘合剂层表面上、高度250μm的位置。
本发明的粘合片在粘合剂层贴附有硅芯片时的190℃下的剪切粘接力优选为300g～1000g、更优选为350g～750g、进一步优选为400g～600g。若为这样的范围，则在上述粘合片具有包含热膨胀性微球的第2粘合剂层的情况下，使该第2粘合剂层侧显现剥离性时，即、为了使该热膨胀性微球发生膨胀而进行加热时，能够优选地固定粘合剂层上的被粘物。
本发明的粘合片的厚度优选为3μm～300μm、更优选为5μm～150μm、进一步优选为10μm～100μm。
B.粘合剂层
上述粘合剂层由包含基础聚合物的粘合剂构成。如上所述，粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。弛豫时间是指：在脉冲NMR测定中，照射对于激发作为测定对象的原子而言适当的能量后，直至被激发的原子(群)恢复到基态为止的时间。使原子(群)为何种激发状态可通过能量照射的量、时间来控制。另外，为了使被激发的原子(群)恢复到基态，已知有各种能量弛豫机理，弛豫时间根据该弛豫机理而确定(例如，“面向化学者的最新NMR概论”、化学同人(1997))。发明人等在下述条件下激发丙烯酸系粘合剂(实质上为粘合剂所含的丙烯酸系聚合物)的1H原子并测定其后的弛豫行为，进而对测定值进行了分析，结果发现，其中，作为得知与构成粘合剂层的粘合剂所含的基础聚合物(代表性地为丙烯酸系聚合物)的交联程度有关的分子运动的信息，T2弛豫时间的S成分(T2s)是有用的，发现通过确定该T2弛豫时间的S成分(T2s)，可得到上述效果。T2s短表示与基础聚合物的交联程度有关的分子运动受到限制的状态，即，表示即使交联推进，聚合物整体也为运动的自由度降低的状态。在这种状态的丙烯酸系粘合剂中，基础聚合物之间的间隙小，粘合剂层成分向密封树脂的迁移、以及密封树脂所含的低分子量成分向粘合剂层的迁移受到抑制。其结果，将半导体芯片在粘合片上进行树脂密封后剥离粘合片时，可防止半导体芯片与密封树脂的高度差的产生。
粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)优选为10μsec～50μsec、更优选为10μsec～45μsec、进一步优选为10μsec～40μsec。若为这样的范围，则上述效果显著。
关于基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)，可以将粘合剂层100mg作为测定样品并得到通过固体回波(Solid echo)法测定的T2弛豫曲线，将该T2弛豫曲线用下述式(1)进行拟合而求出。
M(t)＝α·exp(-(1/Wa)(t/T2s)Wa)+β·exp(-(1/Wa)(t/T2L)Wa)···(1)
M(t)：自由感应衰减
α：弛豫时间短的成分(S成分)的质子比率(％)
T2s：S成分的T2弛豫时间(msec)
β：弛豫时间长的成分(L成分)的质子比率(％)
T2L：L成分的T2弛豫时间(msec)
t：观测时间(msec)
Wa：形状系数(＝1)
上述测定中的测定条件如以下所示。
·90°脉冲宽度：2.1μsec
·重复时间：1sec
·累积次数：32次
·测定温度：30℃
在上述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化率优选为160％以下、更优选为150％以下、进一步优选为120％以下、特别优选为100％以下。该厚度变化率为这样的范围的粘合剂层的交联密度高，可防止粘合剂层/密封树脂间的成分迁移，其结果，将半导体芯片在粘合片上进行树脂密封后剥离粘合片时，可防止半导体芯片与密封树脂的高度差的产生。上述厚度变化率越小则越优选，其下限例如为20％(优选为10％)。上述厚度变化率(和后述厚度变化量)例如可以通过优选地选择丙烯酸系粘合剂所含的基础聚合物(代表性地为丙烯酸系聚合物)而设为上述范围。例如，通过使用碳数多(例如4以上、优选为8以上)的丙烯酸系聚合物。可以形成厚度变化率(和后述的厚度变化量)小的粘合剂层。关于上述的厚度变化率，在粘合剂层的表面滴加规定量(使用22mm径的注射器、0.02g)的4-叔丁基苯基缩水甘油醚，在23℃50％RH的环境下放置1分钟，根据擦掉4-叔丁基苯基缩水甘油醚后的该滴加部位的厚度(Dt)和上述滴加操作前的该部位的厚度(It)，通过(Dt-It)/It的数学式求出。
在上述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化量优选为20μm以下、更优选为15μm以下、进一步优选为10μm以下、特别优选为6μm以下。该厚度变化量为这样的范围的粘合剂层的交联密度高，可防止粘合剂层/密封树脂间的成分迁移，其结果，将半导体芯片在粘合片上进行树脂密封后剥离粘合片时，可防止半导体芯片与密封树脂的高度差的产生。上述厚度变化量越小则越优选，其下限例如为3μm(优选为1μm)。上述厚度变化量根据上述Dt和It，通过Dt-It的数学式求出。
上述粘合剂层的凝胶率优选为75％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。若为这样的范围，则通过交联而优选地限制基础聚合物的分子运动，能够得到防止了粘合剂层/密封树脂间的成分迁移的粘合剂层。粘合剂层的凝胶率越高则越优选，其上限例如为99.5％。需要说明的是，关于凝胶率，将经交联的粘合剂在乙酸乙酯中浸渍7天后干燥，通过(浸渍后的干燥重量/浸渍前的干燥重量)×100而求出。
对上述粘合剂层进行加热处理时的氮气的产生量优选为0.06重量％～1.0重量％、更优选为0.06重量％～0.9重量％。对粘合剂层进行加热处理时的氮气的产生量为这样的范围时，丙烯酸系粘合剂充分地发挥内聚力，抑制密封树脂的低分子量成分向粘合剂层的迁移，由此，不会形成粘合剂层成分与密封树脂成分的混合层，在半导体芯片与密封树脂的界面不易产生高度差。关于对粘合剂层进行加热处理时的氮气量，针对采取粘合剂层2mg放入陶瓷板并用微天平计量的样品，使用TN(微量全氮分析)装置求出以热分解炉800℃/氧化炉900℃的条件加热而产生的氮气量。测定时的各条件可以如以下所示地设置。
·载气：O2(300mL/min)、Ar(300mL/min)
·标准试样：吡啶/甲苯溶液
·检测器：减压化学发光检测器
·范围：高浓度
上述粘合剂层的厚度优选为1μm～50μm、更优选为3μm～30μm、进一步优选为5μm～20μm。若为这样的范围，则能够得到即使通过密封工序时的加压，半导体芯片也难以向树脂埋入的粘合片。
上述粘合剂层的25℃下的基于纳米压痕法的弹性模量优选低于100MPa、更优选为0.1MPa～50MPa、进一步优选为0.1MPa～10MPa。若为这样的范围，则能够得到具有适当的粘合力的粘合片。基于纳米压痕法的弹性模量是指：从加载时到卸载时连续地测定将压头压入试样时的对压头的加载载荷和压痕深度，根据得到的加载载荷-压痕深度曲线求出的弹性模量。本说明书中，基于纳米压痕法的弹性模量是指将测定条件设为载荷：1mN、加载/卸载速度：0.1mN/s、保持时间：1s并如上所述地测得的弹性模量。
上述粘合剂层的25℃下的拉伸模量优选低于100MPa、更优选为0.1MPa～50MPa、进一步优选为0.1MPa～10MPa。若为这样的范围，则能够得到具有适当的粘合力的粘合片。需要说明的是，拉伸模量可以按照JIS K 7161：2008来测定。
上述粘合剂层的探头粘合力值优选为
Figure BDA0004171122500000111
以上、更优选为/>
Figure BDA0004171122500000112
以上、进一步优选为/>
Figure BDA0004171122500000113
以上。若为这样的范围，则能够防止配置在粘合片上的被粘物(例如半导体芯片)的位置偏移。探头粘合力值的测定条件设为探头加工速度：30mm/min、测试速度：30mm/min、密合载荷：100gf、密合保持时间：1秒、探头区域：/>
Figure BDA0004171122500000114
上述基础聚合物的sp值优选为10(cal/cm3)1/2～30(cal/cm3)1/2、更优选为15(cal/cm3)1/2～25(cal/cm3)1/2、进一步优选为18(cal/cm3)1/2～20(cal/cm3)1/2。若为这样的范围，则能够优选地防止粘合剂层/密封树脂间的成分迁移。
(丙烯酸系粘合剂)
作为上述丙烯酸系粘合剂，例如可列举出以将(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为预聚物，将该预聚物的交联物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂等。需要说明的是，本说明书中，粘合剂层中的丙烯酸系粘合剂所含的“基础聚合物”是指使预聚物(未交联聚合物)交联而形成的聚合物。在一个实施方式中，上述基础聚合物具有基于丙烯酸系聚合物和环氧交联剂的交联物结构。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。其中，优选使用具有碳数为4～20(更优选为6～20、特别优选为8～18)的直链状或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，更优选为(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
在一个实施方式中，使用具有碳数为4以上(优选为8以上)的直链状或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。若使用(甲基)丙烯酸烷基酯，则可优选地防止粘合剂层/密封树脂间的成分迁移。
出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的，上述丙烯酸系聚合物(预聚物)根据需要可以包含对应于能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分的单元。作为这样的单体成分，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以单独使用或组合使用两种以上。
在一个实施方式中，上述丙烯酸系聚合物(预聚物)进一步包含源自制成均聚物时的玻璃化转变温度(Tg)成为-5℃～150℃(优选为50℃～150℃、更优选为80℃～120℃)的单体的结构单元a。若包含这样的结构单元a，则丙烯酸系聚合物的分子运动受到限制，能够得到优选地调整了基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)的丙烯酸系聚合物。另外，能够得到低温粘合性优异的粘合片。上述结构单元a的含量相对于构成丙烯酸系聚合物的全部结构单元优选为0.1重量％～20重量％、更优选为1重量％～10重量％、特别优选为1.5重量％～8重量％、最优选为3重量％～6重量％。
作为玻璃化转变温度(Tg)成为-5℃～150℃的单体，例如可列举出丙烯酸2-羟基乙酯(Tg：-3℃)、甲基丙烯酸2-羟基乙酯(Tg：77℃)、丙烯酸(Tg：102℃)、甲基丙烯酸环己酯(Tg：83℃)、丙烯酸二环戊基酯(Tg：120℃)、甲基丙烯酸二环戊基酯(Tg：175℃)、丙烯酸异冰片酯(Tg：94℃)、甲基丙烯酸异冰片酯(Tg：150℃)、甲基丙烯酸叔丁酯(Tg：118℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)、苯乙烯(Tg：80℃)、丙烯腈(Tg：97℃)、N-丙烯酰氧基吗啉(Tg：145℃)等。其中，甲基丙烯酸甲酯由于会提高粘合剂层的透明性，因此在提高加工时的被粘物辨识性的情况下是优选的，另外，丙烯酸通过分子间相互作用而牢固地粘合于被粘物，因此在需要强粘合时是优选的，丙烯酸羟基乙酯显示与多种交联剂的高反应性，因此在控制弛豫时间方面更优选。
在一个实施方式中，上述丙烯酸系聚合物(预聚物)进一步包含源自含羟基单体的结构单元。源自含羟基单体的结构单元的含量相对于构成丙烯酸系聚合物的全部结构单元优选为0.1重量％～20重量％、更优选为0.5重量％～10重量％、特别优选为1重量％～7重量％。
上述丙烯酸系粘合剂根据需要可以包含任意适当的添加剂。作为该添加剂，例如可列举出交联剂、增粘剂、增塑剂(例如偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四酸酯系增塑剂等)、颜料、染料、填充剂、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调整剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
作为上述丙烯酸系粘合剂所含的交联剂，例如可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。
在一个实施方式中，相对于丙烯酸系聚合物(预聚物)的羧基，交联剂的配混量优选为0.08摩尔当量～2摩尔当量、更优选为0.1摩尔当量～1摩尔当量。若为这样的范围，则能够形成交联密度高的丙烯酸系粘合剂，可优选地防止粘合剂层/密封树脂间的成分迁移。此处的交联剂的配混量是指丙烯酸系聚合物进行交联前的交联剂的含量。
作为上述丙烯酸系粘合剂所含的上述异氰酸酯系交联剂的具体例，可列举出：亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类；三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制、商品名“CORONATE L”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物(日本聚氨酯工业株式会社制、商品名“CORONATE HL”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(日本聚氨酯工业株式会社制、商品名“CORONATE HX”)等异氰酸酯加成物等。异氰酸酯系交联剂的配混量可以根据期望的粘合力而设定为任意适当的量，相对于丙烯酸系聚合物100重量份，代表性地为0.1重量份～20重量份、更优选为1重量份～10重量份。若为这样的范围，则能够得到粘合剂层中的成分的残留羧基少的粘合片。此处的交联剂的配混量是指丙烯酸系聚合物进行交联前的交联剂的含量。
在一个实施方式中，作为上述交联剂，优选使用环氧系交联剂。若使用环氧系交联剂，则能够得到可优选地降低半导体芯片与密封树脂的高度差的粘合片。另外，能够形成内聚力高的粘合剂层，能够更有效地防止被粘物的位置偏移。
作为上述丙烯酸系粘合剂所含的前述环氧系交联剂，例如可列举出：N,N,N’,N’-四缩水甘油基间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷(三菱瓦斯化学株式会社制、商品名“TETRAD C”)、1,6-己二醇二缩水甘油醚(共荣社化学株式会社制、商品名“EPOLIGHT 1600”)、新戊二醇二缩水甘油醚(共荣社化学株式会社制、商品名“EPOLIGHT 1500NP”)、乙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学株式会社制、商品名“EPOLIGHT 40E”)、丙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学株式会社制、商品名“EPOLIGHT70P”)、聚乙二醇二缩水甘油醚(日本油脂株式会社制、商品名“EPIOL E-400”)、聚丙二醇二缩水甘油醚(日本油脂株式会社制、商品名“EPIOL P-200”)、山梨醇聚缩水甘油醚(NagaseChemteX Corporation制、商品名“DENACOL EX-611”)、甘油聚缩水甘油醚(Nagase ChemteXCorporation制、商品名“DENACOL EX-314”)、季戊四醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚(Nagase ChemteX Corporation制、商品名“DENACOL EX-512”)、山梨醇酐聚缩水甘油醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚、分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。环氧系交联剂的配混量可以根据期望的粘合力而设定为任意适当的量，相对于丙烯酸系聚合物100重量份，代表性地为0.01重量份～50重量份、更优选为0.6重量份～15重量份、进一步优选为2重量份～13重量份、特别优选为3重量份～10重量份。若为这样的范围，则能够得到粘合剂层中的成分的残留羧基少的粘合片。此处的交联剂的配混量是指丙烯酸系聚合物进行交联前的交联剂的含量。
在一个实施方式中，作为环氧系交联剂，可使用包含N原子的交联剂。若使用包含N原子的交联剂，则通过催化作用而促进交联反应，从容易使粘合剂高凝胶化的方面来看是有利的。
作为上述丙烯酸系粘合剂所含的上述增粘剂，可使用任意适当的增粘剂。作为增粘剂，例如可使用增粘树脂。作为该增粘树脂的具体例，可列举出：松香系增粘树脂(例如未改性松香、改性松香、松香酚系树脂、松香酯系树脂等)、萜烯系增粘树脂(例如萜烯系树脂、萜烯酚系树脂、苯乙烯改性萜烯系树脂、芳香族改性萜烯系树脂、氢化萜烯系树脂)、烃系增粘树脂(例如脂肪族系烃树脂、脂肪族系环状烃树脂、芳香族系烃树脂(例如苯乙烯系树脂、二甲苯系树脂等)、脂肪族/芳香族系石油树脂、脂肪族/脂环族系石油树脂、氢化烃树脂、香豆酮系树脂、香豆酮茚系树脂等)、酚系增粘树脂(例如烷基酚系树脂、二甲苯甲醛系树脂、甲阶酚醛、酚醛清漆等)、酮系增粘树脂、聚酰胺系增粘树脂、环氧系增粘树脂、弹性体系增粘树脂等。其中优选为松香系增粘树脂、萜烯系增粘树脂或烃系增粘树脂(苯乙烯系树脂等)。增粘剂可以单独使用或组合使用2种以上。上述增粘剂的添加量相对于基础聚合物100重量份优选为5重量份～100重量份、更优选为8重量份～50重量份。
优选使用软化点或玻璃化转变温度(Tg)高的树脂作为上述增粘树脂。若使用软化点或玻璃化转变温度(Tg)高的树脂，则即使在高温环境下(例如半导体芯片密封时的加工等中的高温环境下)也可形成能够显现高粘合性的粘合剂层。增粘剂的软化点优选为100℃～180℃、更优选为110℃～180℃、进一步优选为120℃～180℃。增粘剂的玻璃化转变温度(Tg)优选为100℃～180℃、更优选为110℃～180℃、进一步优选为120℃～180℃。
优选使用低极性的增粘树脂作为上述增粘树脂。若使用低极性的增粘树脂，则能够形成与密封材料的亲和性低的粘合剂层。作为低极性的增粘树脂，例如可列举出脂肪族系烃树脂、脂肪族系环状烃树脂、芳香族系烃树脂(例如苯乙烯系树脂、二甲苯系树脂等)、脂肪族/芳香族系石油树脂、脂肪族/脂环族系石油树脂、氢化烃树脂等烃系增粘树脂。其中，优选碳数为5～9的增粘剂。这是因为，这样的增粘剂为低极性，并且与丙烯酸系聚合物的相容性优异，在宽的温度范围内不会发生相分离，能够形成稳定性优异的粘合剂层。
上述增粘树脂的酸值优选为40以下、更优选为20以下、进一步优选为10以下。若为这样的范围，则能够形成与密封材料的亲和性低的粘合剂层。上述增粘树脂的羟值优选为60以下、更优选为40以下、进一步优选为20以下。若为这样的范围，则能够形成与密封材料的亲和性低的粘合剂层。
C.基材
作为上述基材，例如可列举出树脂片、无纺布、纸、金属箔、织布、橡胶片、发泡片、它们的层叠体(尤其是包含树脂片的层叠体)等。作为构成树脂片的树脂，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳纶)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯硫醚(PPS)、氟系树脂、聚醚醚酮(PEEK)等。作为无纺布，可列举出：包含马尼拉麻的无纺布等基于具有耐热性的天然纤维的无纺布；聚丙烯树脂无纺布、聚乙烯树脂无纺布、酯系树脂无纺布等合成树脂无纺布等。作为金属箔，可列举出铜箔、不锈钢箔、铝箔等。作为纸，可列举出日本纸、牛皮纸等。
在一个实施方式中，由玻璃化转变温度(Tg)为25℃以上(优选为40℃以上、更优选为50℃以上)的树脂构成的树脂片可优选用作基材。若使用这样的树脂片，则即使通过密封工序时的加热，也可维持基材的形状，可防止半导体芯片向树脂的埋入。作为构成这样的树脂片的树脂，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯等。
上述基材的厚度可根据期望的强度或柔软性、以及使用目的等而设定为任意适当的厚度。基材的厚度优选为1000μm以下、更优选为25μm～1000μm、进一步优选为40μm～500μm、特别优选为60μm～300μm、最优选为80μm～250μm。在一个实施方式中，使用厚度为25μm以上的基材。若使用这样的基材，则即使通过密封工序时的加压，也可维持基材的形状，可防止半导体芯片对粘合剂层的埋入。
在一个实施方式中，基材的厚度相对于粘合片的总厚为20％～90％(优选为20％～89％、更优选为20％～88％)。若为这样的范围，则可防止半导体芯片对粘合剂层的埋入。
上述基材可以实施了表面处理。作为表面处理，例如可列举出电晕处理、铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理、基于底涂剂的涂布处理等。
作为上述有机涂布材料，例如可列举出塑料硬涂材料II(CMC出版、(2004))中记载的材料。优选使用氨基甲酸酯系聚合物，更优选使用聚丙烯酸氨基甲酸酯、聚酯氨基甲酸酯或它们的前体。这是因为对基材的涂覆/涂布简便，且工业上可选择多种材料，能够廉价地获取。该氨基甲酸酯系聚合物例如为由异氰酸酯单体与含醇性羟基的单体(例如含羟基的丙烯酸系化合物或含羟基的酯化合物)的反应混合物形成的聚合物。有机涂布材料可以包含多胺等扩链剂、抗老化剂、氧化稳定剂等作为任选的添加剂。有机涂布层的厚度没有特别限定，例如适合为0.1μm～10μm左右，优选为0.1μm～5μm左右、更优选为0.5μm～5μm左右。
D.第2粘合剂层
上述第2粘合剂层可以是由任意适当的粘合剂构成的粘合剂层。在一个实施方式中，如上所述，第2粘合剂层进一步包含热膨胀性微球。
上述第2粘合剂层所含的粘合剂可以是固化型粘合剂(例如活性能量射线固化型粘合剂)，也可以是压敏型粘合剂。作为压敏型粘合剂，例如可列举出丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等。第2粘合剂层所含的粘合剂的详情例如可以参照日本特开2018-009050号公报的记载。该公报的全部记载作为参考而援引至本说明书中。
作为上述热膨胀性微球，只要是能够通过加热而膨胀或发泡的微球，就可以使用任意适当的热膨胀性微球。作为上述热膨胀性微球，例如可以使用将通过加热而容易地膨胀的物质内包于具有弹性的壳内的微球。这样的热膨胀性微球可以通过任意适当的方法、例如凝聚(Coacervate)法、界面聚合法等来制造。
作为通过加热而容易地膨胀的物质，例如可列举出：丙烷、丙烯、丁烯、正丁烷、异丁烷、异戊烷、新戊烷、正戊烷、正己烷、异己烷、庚烷、辛烷、石油醚、甲烷的卤化物、四烷基硅烷等低沸点液体；通过热分解而气化的偶氮二甲酰胺；等。
作为构成上述壳的物质，例如可列举出由丙烯腈、甲基丙烯腈、α-氯丙烯腈、α-乙氧基丙烯腈、富马腈等腈单体；丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、柠康酸等羧酸单体；偏二氯乙烯；乙酸乙烯酯；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸β-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯等苯乙烯单体；丙烯酰胺、取代丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、取代甲基丙烯酰胺等酰胺单体等构成的聚合物。由这些单体构成的聚合物可以是均聚物也可以是共聚物。作为该共聚物，例如可列举出偏二氯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈-甲基丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-甲基丙烯腈-衣康酸共聚物等。
作为上述热膨胀性微球，可以使用无机系发泡剂或有机系发泡剂。作为无机系发泡剂，例如可列举出碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、各种叠氮类等。另外，作为有机系发泡剂，例如可列举出：三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟烷烃系化合物；偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3′-二磺酰肼、4,4′-氧双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4,4′-氧双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻***等***系化合物；N,N′-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N′-二甲基-N,N′-二亚硝基对苯二甲酰胺；等N-亚硝基系化合物等。
上述热膨胀性微球也可以使用市售品。作为市售品的热膨胀性微球的具体例，可列举出松本油脂制药株式会社制的商品名“Matsumoto microsphere”(等级：F-30、F-30D、F-36D、F-36LV、F-50、F-50D、F-65、F-65D、FN-100SS、FN-100SSD、FN-180SS、FN-180SSD、F-190D、F-260D、F-2800D)、Japan FilliteCo.,Ltd.制的商品名“Expacel”(等级：053-40、031-40、920-40、909-80、930-120)、吴羽化学工业株式会社制“DYFOAM”(等级：H750、H850、H1100、S2320D、S2640D、M330、M430、M520)、积水化学工业株式会社制“Advacell”(等级：EML101、EMH204、EHM301、EHM302、EHM303、EM304、EHM401、EM403、EM501)等。
上述热膨胀性微球的加热前的粒径优选为0.5μm～80μm、更优选为5μm～45μm、进一步优选为10μm～20μm、特别优选为10μm～15μm。由此，若以平均粒径来表示上述热膨胀性微球的加热前的颗粒尺寸，则优选为6μm～45μm、更优选为15μm～35μm。上述粒径和平均粒径是通过激光散射法中的粒度分布测定法而求出的值。
上述热膨胀性微球优选具有直至体积膨胀率优选为5倍以上、更优选为7倍以上、进一步优选为10倍以上也不破裂的适度的强度。使用这样的热膨胀性微球时，能够通过加热处理来高效地降低粘合力。
上述粘合剂层中的热膨胀性微球的含有比率可以根据期望的粘合力的降低性等而适当设定。热膨胀性微球的含有比率相对于形成第2粘合剂层的基础聚合物100重量份例如为1重量份～150重量份、优选为10重量份～130重量份、进一步优选为25重量份～100重量份。
上述粘合剂层包含热膨胀性微球时，热膨胀性微球发生膨胀前(即、加热前)的粘合剂层的算术平均粗糙度Ra优选为500nm以下、更优选为400nm以下、进一步优选为300nm以下。若为这样的范围，则能够得到对被粘物的密合性优异的粘合片。这种表面平滑性优异的粘合剂层例如可通过将粘合剂层的厚度设为上述范围、在具备其它粘合剂层的情况下通过在剥离衬垫上涂布粘合剂层并转印等而得到。需要说明的是，如上述A项中所说明的那样，本发明的粘合片在进一步具备其它粘合剂层时，该其它粘合剂层可以包含热膨胀性微球。其它粘合剂层包含热膨胀性微球时，该粘合剂层的算术平均粗糙度Ra也优选为上述范围。
上述粘合剂层包含热膨胀性微球时，上述粘合剂层优选包含由80℃下的动态储能模量处于5kPa～1MPa(更优选为10kPa～0.8MPa)的范围的基础聚合物构成的粘合剂。若为这样的粘合剂层，则能够形成在加热前具有适度的粘合性、通过加热而粘合力容易降低的粘合片。需要说明的是，动态储能模量可以使用动态粘弹性测定装置(例如Rheometric公司制的商品名“ARES”)，通过频率1Hz、升温速度10℃/min的测定条件进行测定。
E.粘合片的制造方法
本发明的粘合片可以通过任意适当的方法来制造。关于本发明的粘合片，例如可列举出：在基材上直接涂覆包含丙烯酸系粘合剂的组合物的方法；或者，将在任意适当的基体上涂覆包含丙烯酸系粘合剂的组合物而形成的涂覆层转印至基材的方法等。包含丙烯酸系粘合剂的组合物可以包含任意适当的溶剂。
形成包含热膨胀性微球的粘合剂层时，可以将包含热膨胀性微球、粘合剂和任意适当的溶剂的组合物涂覆于基材而形成该粘合剂层。或者，也可以在对粘合剂涂覆层撒上热膨胀性微球后使用层压机等将该热膨胀性微球埋入至粘合剂中，从而形成包含热膨胀性微球的粘合剂层。
作为上述粘合剂和各组合物的涂覆方法，可以采用任意适当的涂覆方法。例如可以在涂布后进行干燥来形成各层。作为涂布方法，例如可列举出使用了多功能涂布机、模涂机、凹版涂布机、涂抹器等的涂布方法。作为干燥方法，例如可列举出自然干燥、加热干燥等。加热干燥时的加热温度可根据成为干燥对象的物质的特性而设定为任意适当的温度。
实施例
以下通过实施例来具体说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。实施例中的评价方法如下所示。另外，在实施例中，只要没有特别记载，则“份”和“％”为重量基准。
(1)粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)
使用Bruker公司制的商品名“TD-NMR the minispec mq20”，将粘合剂层100mg作为测定样品并得到通过固体回波法测定的T2弛豫曲线，将该T2弛豫曲线用下述式(1)进行拟合，从而求出粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)。
M(t)＝α·exp(-(1/Wa)(t/T2s)Wa)+β·exp(-(1/Wa)(t/T2L)Wa)···(1)
M(t)：自由感应衰减
α：弛豫时间短的成分(S成分)的质子比率(％)
T2s：S成分的T2弛豫时间(msec)
β：弛豫时间长的成分(L成分)的质子比率(％)
T2L：L成分的T2弛豫时间(msec)
t：观测时间(msec)
Wa：形状系数(＝1)
上述测定中的测定条件如以下所示。
·90°脉冲宽度：2.1μsec
·重复时间：1sec
·累积次数：32次
·测定温度：30℃
(2)使用了TMA的23℃环境下的凹陷量
使用TMA Q400(TA-instrument公司制)，在探头：带有针、氮气流量：50.0ml/min、压痕载荷：0.01N、测定气氛温度：23.0℃、压痕载荷时间：60min的条件下测定第1粘合剂层的凹陷量。测定以N＝5来实施，将去掉这些测定值中的最大值和最小值的N＝3的平均值作为样品的凹陷量。
(3)由4-叔丁基苯基缩水甘油醚滴加造成的厚度变化
在粘合剂层的表面滴加规定量(使用22mm径的注射器、0.02g)的4-叔丁基苯基缩水甘油醚，在23℃50％RH的环境下放置1分钟，根据擦掉4-叔丁基苯基缩水甘油醚后的该滴加部位的厚度(Dt)和上述滴加操作前的该部位的厚度(It)，求出厚度变化率((Dt-It)/It)和厚度变化量(Dt-It)。
(4)粘合力(对PET)
在粘合片(宽度20mm×长度140mm)的与粘合剂层相反一侧的面的整面借助双面粘接胶带(日东电工株式会社制、商品名“No.531”)、使用2kg手压辊贴附SUS304板。
接着，在粘合剂层的表面整面贴附聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S-10”、厚度：25μm、宽度：30mm)(温度：23℃、湿度：65％、2kg辊往返1次)。
将如上述那样地得到的评价用试样供于拉伸试验。作为拉伸试验机，使用株式会社岛津制作制的商品名“岛津Autograph AG-120kN”。在拉伸试验机中设置评价用试样后，在23℃的环境温度下放置30分钟，然后开始拉伸试验。拉伸试验的条件设为剥离角度：180°、剥离速度(拉伸速度)：300mm/min。测定从上述PET薄膜将粘合片剥离时的载荷，将此时的最大载荷作为粘合片的粘合力。
(5)粘合力(对密封树脂)
在粘合片(宽度50mm×长度140mm)的第1粘合剂层上贴合模板(模具尺寸：35mm×90mm的长方形、厚度：564μm)，在模板内撒满颗粒状的环氧树脂系密封材料(住友电木株式会社制、G730)以使得固化后的树脂厚度为0.3mm，然后覆盖有机硅处理剥离衬垫，使用Meisho-press Co.,Ltd.制的“油压成形机NS-VPF-50”，在温度145℃、成形时间600秒、加压条件0.3MPa(300mm□的台尺寸)、真空时间600秒、真空度-0.1MPa的条件下，将密封树脂在粘合层上加热成形。
然后，使密封树脂在150℃×7小时的加热环境下的烘箱内进行固化。密封树脂的固化结束后，将样品在23℃50％RH下静置2小时，然后将密封树脂与第1粘合剂层接触的部分切成宽度20mm×长度88mm。
将如上述那样地得到的评价用试样供于拉伸试验。作为拉伸试验机，使用株式会社岛津制作制的商品名“岛津Autograph AG-120kN”。在拉伸试验机中设置评价用试样后，在23℃的环境温度下放置30分钟，然后开始拉伸试验。拉伸试验的条件设为剥离角度：180°、剥离速度(拉伸速度)：300mm/min。测定从上述密封树脂将粘合片剥离时的载荷，将此时的平均载荷作为粘合片的粘合力。
(6)半导体芯片与密封树脂的高度差
在下述记载的条件下在粘合胶带的该粘合剂表面上实施密封工序，测定半导体芯片(Si芯片)与密封树脂界面的高度差高度(stand-off)。
载具：SUS制载具220mmΦ
芯片：Si镜面芯片7mm×7mm×400μm厚度
接合装置：FC3000W(TORAY ENGINEERING Co.,Ltd制)
接合条件：如下所示
压接时间：6秒
压接压力：10N
压接温度：23℃
密封设备：MS-150HP(APIC YAMADA CORPORATION制)
密封树脂：G730(住友电木制)
预热条件：130℃×30秒
预热～密封开始的时间：1小时
密封温度：145℃
真空时间：5秒
密封时间：600秒
夹紧力：3.6MPa
密封厚度：600μm
密封操作按照以下的步骤实施。
1)在SUS载具上粘贴粘合片。
粘贴条件：23℃气氛下
粘贴圆筒压力：0.1MPa
粘贴速度：0.5m/min
SUS粘贴面设为第2粘合剂层外表面。
粘合片为单面胶带(不具备第2粘合剂层)时，利用无基材的含有热膨胀微球的粘合剂层48μm将SUS载具与单面胶带固定并实施评价，所述无基材的含有热膨胀微球的粘合剂层是使用PET薄膜厚度38μm的有机硅剥离衬垫(MRF38、三菱化学制)和PET薄膜厚度75μm的有机硅剥离衬垫(PET-75-SCA0、FUJICO制)而制作的。
2)在粘贴于SUS载具的粘合片的该粘合剂层上，使用接合装置将Si镜面芯片配置1个芯片。
3)将粘贴有Si镜面芯片的状态的SUS载具以规定时间实施预热。
4)预热后在23℃50％RH环境下静置1小时后，利用规定的密封设备、树脂、条件实施密封。用手在SUS载具上撒满密封树脂，实施密封操作。
5)使用烘箱对由密封操作得到的层叠体进行150℃×4小时的加热固化。
6)将进行了加热固化的层叠体在23℃50％RH环境下放置5天后，将该层叠体在热板上加热，使与SUS载具粘贴的粘合剂发泡剥离，将SUS载具分离。
7)从分离SUS载具后的层叠体将粘合胶带剥离，得到密封树脂与Si芯片的密封体。
8)使用激光共焦显微镜(OLS-4000OLYMPUS制)，测定该密封树脂与Si芯片的密封体的、与粘合剂接触的表面的Si芯片与密封树脂的界面的高度差，测定密封树脂与Si芯片的界面的高度差高度。
[实施例1]
将丙烯酸系共聚物A(丙烯酸2-乙基己酯与丙烯酸的共聚物、丙烯酸2-乙基己酯结构单元：丙烯酸结构单元＝95：5(重量比))100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学株式会社制、商品名“TETRAD C”)5重量份、甲苯100重量份混合，制备粘合剂层形成用组合物。
将该粘合剂层形成用组合物涂覆在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S10”、厚度38μm)的单面，得到由基材和第1粘合剂层(厚度10μm)构成的粘合片(1)。
在该粘合片(1)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与第1粘合剂层相反一侧的面涂布将丙烯酸系共聚物C(丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物、丙烯酸2-乙基己酯结构单元：丙烯酸乙酯结构单元：甲基丙烯酸甲酯结构单元：丙烯酸结构单元＝30：70：5：4(重量比))100重量份、热膨胀性微球(松本油脂制药株式会社制、商品名“Matsumoto mircosphere F-190D”)30重量份、异氰酸酯系交联剂(东曹株式会社制、商品名“CORONATE L”)1.4重量份、增粘剂(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“Mightyace G125”)10重量份、甲苯100重量份混合而制备的粘合剂层形成用组合物，形成第2粘合剂层(厚度45μm)，得到双面粘合片。
[实施例2]
将丙烯酸系共聚物A(丙烯酸2-乙基己酯与丙烯酸的共聚物、丙烯酸2-乙基己酯结构单元：丙烯酸结构单元＝95：5(重量比))100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学株式会社制、商品名“TETRAD C”)5重量份、增粘剂(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“Mightyace G125”)10重量份、甲苯100重量份混合，制备粘合剂层形成用组合物。
将该粘合剂层形成用组合物涂覆在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S10”、厚度38μm)的单面，得到由基材和第1粘合剂层(厚度10μm)构成的粘合片(2)。
在该粘合片(2)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与第1粘合剂层相反一侧的面上与实施例1同样地形成第2粘合剂层，得到双面粘合片。
[实施例3]
将丙烯酸系共聚物B(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸和丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物、丙烯酸乙酯结构单元：丙烯酸丁酯结构单元：丙烯酸结构单元：丙烯酸羟基乙酯结构单元＝50：50：5：0.1(重量比))100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学株式会社制、商品名“TETRAD C”)5重量份、增粘剂(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“MightyaceG125”)10重量份、甲苯100重量份混合，制备粘合剂层形成用组合物。
将该粘合剂层形成用组合物涂覆在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S10”、厚度38μm)的单面，得到由基材和第1粘合剂层(厚度10μm)构成的粘合片(3)。
在该粘合片(3)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与第1粘合剂层相反一侧的面上与实施例1同样地形成第2粘合剂层，得到双面粘合片。
[实施例4]
作为基材，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“LumirrorS10”、厚度100μm)，除此以外，与实施例2同样地得到双面粘合片。
[比较例1]
将丙烯酸系共聚物C(丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物、丙烯酸2-乙基己酯结构单元：丙烯酸乙酯结构单元：甲基丙烯酸甲酯结构单元：丙烯酸2-羟基乙酯结构单元＝30：70：5：4(重量比))100重量份、异氰酸酯系交联剂(东曹株式会社制、商品名“CORONATE L”)1.5重量份、增粘剂(YASUHARA CHEMICAL CO.,LTD.制、商品名“Mightyace G125”)5重量份、甲苯100重量份混合，制备粘合剂层形成用组合物。
将该粘合剂层形成用组合物涂覆在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S10”、厚度38μm)的单面，得到由基材和粘合剂层(厚度10μm)构成的粘合片(4)。
在该粘合片(4)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与第1粘合剂层相反一侧的面上与实施例1同样地形成第2粘合剂层，得到双面粘合片。
[比较例2]
将丙烯酸系共聚物D(丙烯酸2-乙基己酯与丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物、丙烯酸2-乙基己酯结构单元：丙烯酸2-羟基乙酯结构单元＝100：4(重量比))100重量份、异氰酸酯系交联剂(东曹株式会社制、商品名“CORONATE L”)1.5重量份、甲苯100重量份混合，制备粘合剂层形成用组合物。
将该粘合剂层形成用组合物涂覆在作为基材的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽株式会社制、商品名“Lumirror S10”、厚度38μm)的单面，得到由基材和粘合剂层(厚度10μm)构成的粘合片(5)。
在该粘合片(5)的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与第1粘合剂层相反一侧的面上与实施例1同样地形成第2粘合剂层，得到双面粘合片。
[表1]
Figure BDA0004171122500000291
附图标记说明
10 基材
20 粘合剂层
30 第2粘合剂层
100、200 粘合片

Claims (14)

1.一种粘合片，其具备基材和配置在该基材的至少单侧的粘合剂层，
该粘合剂层包含丙烯酸系粘合剂，
该粘合片的、使用TMA的23℃环境下的凹陷量为5μm以下，
该粘合剂层的基于脉冲NMR的S成分的T2弛豫时间(T2s)为45μsec以下。
2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，在所述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化率为160％以下。
3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，在所述粘合剂层表面滴加4-叔丁基苯基缩水甘油醚并静置1分钟后的该粘合剂层的厚度变化量为20μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，
所述粘合剂层包含粘合剂，
该粘合剂包含sp值为18(cal/cm3)1/2～20(cal/cm3)1/2的基础聚合物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述丙烯酸系粘合剂包含丙烯酸系聚合物的交联物作为基础聚合物。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合片，其中，所述丙烯酸系粘合剂包含环氧系交联剂。
7.根据权利要求6所述的粘合片，其中，所述环氧系交联剂的配混量相对于丙烯酸系聚合物100重量份为0.6重量份～15重量份。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的粘合片，其中，所述基材是由玻璃化转变温度(Tg)为25℃以上的树脂构成的树脂片。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的粘合片，其中，所述基材的厚度相对于粘合片的总厚为20％～90％。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合片的、使用TMA的145℃环境下的凹陷量为1μm～35μm。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的粘合片，其中，对所述粘合剂层进行加热处理时的氮气的产生量为0.06重量％～1.0重量％。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的粘合片，其具备：所述基材、配置在该基材的单侧的所述粘合剂层、以及配置在该基材的与该粘合剂层相反一侧的第2粘合剂层。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的粘合片，其为在半导体芯片的树脂密封工序中使用的临时固定材料。
14.根据权利要求13所述的粘合片，其在将密封树脂在所述粘合片上固化时使用。
CN202180069545.6A 2020-12-07 2021-10-22 粘合片 Pending CN116368199A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020202667 2020-12-07
JP2020-202667 2020-12-07
PCT/JP2021/039065 WO2022123932A1 (ja) 2020-12-07 2021-10-22 粘着シート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116368199A true CN116368199A (zh) 2023-06-30

Family

ID=81972872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180069545.6A Pending CN116368199A (zh) 2020-12-07 2021-10-22 粘合片

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPWO2022123932A1 (zh)
KR (1) KR20230061511A (zh)
CN (1) CN116368199A (zh)
DE (1) DE112021005267T5 (zh)
TW (1) TW202233778A (zh)
WO (1) WO2022123932A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112022003007T5 (de) * 2021-07-13 2024-04-11 Nitto Denko Corporation Druckempfindliche Haftmittellage
KR20240032112A (ko) * 2021-07-13 2024-03-08 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트
JPWO2023286620A1 (zh) * 2021-07-13 2023-01-19

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4403631B2 (ja) 2000-04-24 2010-01-27 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法、並びにその製造に用いる擬似ウエーハの製造方法
JP2001313350A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウエーハ及びその製造方法
JP5366781B2 (ja) * 2009-12-14 2013-12-11 日東電工株式会社 樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP5548077B2 (ja) * 2010-09-15 2014-07-16 日東電工株式会社 樹脂封止用粘着テープ及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2012149182A (ja) * 2011-01-19 2012-08-09 Nitto Denko Corp 両面粘着テープ又はシート、および被着体の加工方法
CN104073179B (zh) * 2013-03-29 2019-05-07 日东电工（上海松江）有限公司 电化学装置用粘合带
JP6378501B2 (ja) * 2014-03-05 2018-08-22 日東電工株式会社 粘着シート
JP6783570B2 (ja) 2016-07-11 2020-11-11 日東電工株式会社 粘着シート
JP7133355B2 (ja) * 2018-05-17 2022-09-08 日東電工株式会社 粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230061511A (ko) 2023-05-08
JPWO2022123932A1 (zh) 2022-06-16
TW202233778A (zh) 2022-09-01
WO2022123932A1 (ja) 2022-06-16
DE112021005267T5 (de) 2023-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5349803B2 (ja) 熱剥離型両面粘着テープ又はシートおよび被着体の加工方法
KR102076986B1 (ko) 열 박리형 점착 시트
US7641760B2 (en) Method of thermal adherend release and apparatus for thermal adherend release
CN116368199A (zh) 粘合片
KR101492371B1 (ko) 열박리형 점착 테이프 및 전자 부품의 절단 방법
JPWO2005087888A1 (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
JP2006321873A (ja) 加熱剥離型粘着シートおよび該加熱剥離型粘着シートを用いた被着体の加工方法
JP5132064B2 (ja) 加熱剥離性粘着シート
CN116323850A (zh) 粘合片
WO2023286619A1 (ja) 粘着シート
WO2023286620A1 (ja) 粘着シート
TWI806256B (zh) 黏著片材
WO2023021773A1 (ja) 粘着シート
WO2023286621A1 (ja) 粘着シート
CN116917432A (zh) 粘合片
CN118359996A (zh) 粘合片
CN116917431A (zh) 带衬垫的双面粘合片
CN118240494A (zh) 粘合片
CN116897196A (zh) 带衬垫的双面粘合片
KR20240115743A (ko) 점착 시트

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination