DE112021002506T5

DE112021002506T5 - Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät

Info

Publication number: DE112021002506T5
Application number: DE112021002506.6T
Authority: DE
Inventors: Dai NAKAGAWA; Takanori Uejima; Naoya Matsumoto; Ryohei OKABE; Hiromichi Kitajima; Yuji TAKEMATSU
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2020-04-24
Filing date: 2021-02-24
Publication date: 2023-03-02
Also published as: US20230066774A1; CN115485980A; WO2021215108A1

Abstract

Die Wärmeableitungseigenschaften eines Schallwellenfilters wurden verbessert. Ein Hochfrequenzmodul (100) umfasst ein Trägersubstrat (9), ein Schallwellenfilter (1), eine Harzschicht (5) und eine Abschirmschicht (6). Das Trägersubstrat (9) hat eine erste Hauptoberfläche (91) und eine zweite Hauptoberfläche (92), die einander gegenüberliegen. Der Schallwellenfilter (1) ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet. Die Harzschicht (5) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet und bedeckt eine äußere Umfangsfläche (803) des Schallwellenfilters (1). Die Abschirmschicht (6) bedeckt die Harzschicht (5) und das Schallwellenfilter (1). Die Abschirmschicht (6) steht in Kontakt mit einer zweiten Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Hochfrequenzmodule und Kommunikationsgeräte und insbesondere auf ein Hochfrequenzmodul mit einem Schallwellenfilter und ein Kommunikationsgerät mit einem Hochfrequenzmodul.
STAND DER TECHNIK
In Patentdokument 1 wird ein Hochfrequenzmodul offenbart, das ein Trägersubstrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen, einen auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats montierten Sendeleistungsverstärker, ein den Sendeleistungsverstärker abdeckendes Harzteil und eine Abschirmelektrodenschicht umfasst.
Bei dem in Patentdokument 1 offenbarten Hochfrequenzmodul ist die Abschirmelektrodenschicht so ausgebildet, dass sie die Oberseite und die Seitenflächen des Harzteils bedeckt.
In Patentdokument 1 wird zudem ein Kommunikationsgerät mit einem Hochfrequenzmodul offenbart.
Zitierliste
Patentdokument
Patentdokument 1: Internationale Veröffentlichung Nr. 2019/181590
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Technisches Problem
Es kann eine Verbesserung der Wärmeableitungseigenschaften eines Hochfrequenzmoduls erforderlich sein, damit der Temperaturanstieg eines elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) verringert werden kann.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Hochfrequenzmodul und ein Kommunikationsgerät bereitzustellen, die in der Lage sind, die Wärmeableitungseigenschaften eines Schallwellenfilters zu verbessern.
Lösung des Problems
Ein Hochfrequenzmodul gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst ein Trägersubstrat, ein Schallwellenfilter, eine Harzschicht und eine Abschirmschicht. Das Trägersubstrat hat eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen. Das Schallwellenfilter ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet. Die Harzschicht ist auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet und bedeckt eine äußere Umfangsfläche des Schallwellenfilters. Die Abschirmschicht bedeckt die Harzschicht und das Schallwellenfilter. Die Abschirmschicht steht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche des Schallwellenfilters, die weit vom Trägersubstrat entfernt ist.
Ein Kommunikationsgerät gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst das oben erwähnte Hochfrequenzmodul und eine Signalverarbeitungsschaltung. Die Signalverarbeitungsschaltung ist mit dem Hochfrequenzmodul verbunden und führt eine Signalverarbeitung für ein Hochfrequenzsignal durch.
Vorteilhafte Effekte der Erfindung
Ein Hochfrequenzmodul und ein Kommunikationsgerät gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung sind in der Lage, die Wärmeableitungseigenschaften eines Schallwellenfilters zu verbessern.
Figurenliste

1 ist ein Schaltungskonfigurationsdiagramm eines Kommunikationsgeräts mit einem Hochfrequenzmodul gemäß einer ersten Ausführungsform.
2 ist eine Querschnittsansicht des Hochfrequenzmoduls.
3 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils des Hochfrequenzmoduls.
4 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul.
5 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer ersten Modifikation der ersten Ausführungsform.
6 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zweiten Modifikation der ersten Ausführungsform.
7 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer dritten Modifikation der ersten Ausführungsform.
8 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer vierten Modifikation der ersten Ausführungsform.
9 ist eine Querschnittsansicht eines vergrößerten Teils eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer fünften Modifikation der ersten Ausführungsform.
10 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform.
11 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform.
12 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer vierten Ausführungsform.
13 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer fünften Ausführungsform.
14 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer sechsten Ausführungsform.
15 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer siebten Ausführungsform.
16 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer achten Ausführungsform.
17 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul.
18 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer neunten Ausführungsform.
19 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zehnten Ausführungsform.
20 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul.
21 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer Modifikation der zehnten Ausführungsform.
22 ist ein Schaltungskonfigurationsdiagramm eines Kommunikationsgeräts mit einem Hochfrequenzmodul gemäß einer elften Ausführungsform.
23 ist eine Querschnittsansicht des Hochfrequenzmoduls.
24 ist eine Querschnittsansicht eines Hochfrequenzmoduls gemäß einer zwölften Ausführungsform.

BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die 2 bis 21, 23 und 24, auf die in den nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen und dergleichen Bezug genommen wird, sind schematische Darstellungen. Das Größen- und Dickenverhältnis von Bauteilen in den Zeichnungen entspricht nicht unbedingt den tatsächlichen Größenverhältnissen.
(Erste Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100 gemäß einer ersten Ausführungsform umfasst, wie in 2 dargestellt, ein Trägersubstrat 9, ein Schallwellenfilter 1, eine Harzschicht 5 und eine Abschirmschicht 6. Das Trägersubstrat 9 hat eine erste Hauptoberfläche 91 und eine zweite Hauptoberfläche 92, die einander gegenüberliegen. Das Schallwellenfilter 1 ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Die Harzschicht 5 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet und bedeckt eine äußere Umfangsfläche 803 des Schallwellenfilters 1. Die Abschirmschicht 6 bedeckt die Harzschicht 5 und das Schallwellenfilter 1. Die Abschirmschicht 6 steht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit vom Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit kann das Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 verbessern. „In der Nähe einer ersten Hauptoberfläche angeordnet sein“ umfasst hier einen Zustand, in dem das Schallwellenfilter 1 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet ist, und einen Zustand, in dem das Schallwellenfilter 1 auf einer Hauptoberfläche eines zweiten elektronischen Bauteils angeordnet (gestapelt) ist, das auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet ist, wobei die Hauptoberfläche des zweiten elektronischen Bauteils weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist.
Das Hochfrequenzmodul 100 und ein Kommunikationsgerät 300 gemäß der ersten Ausführungsform werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die 1 bis 9 beschrieben.
(1) Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät
(1.1) Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls und des Kommunikationsgeräts
Eine Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 und des Kommunikationsgeräts 300 gemäß der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 1 beschrieben.
Das Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform wird z.B. für das Kommunikationsgerät 300 verwendet. Das Kommunikationsgerät 300 ist z.B. ein Mobiltelefon (z.B. ein Smartphone). Das Kommunikationsgerät 300 ist jedoch nicht notwendigerweise ein Mobiltelefon und kann beispielsweise ein tragbares Endgerät (z.B. eine Smartwatch) sein. Das Hochfrequenzmodul 100 ist beispielsweise ein Modul, das 4G-Standards (vierte Generation der mobilen Kommunikation) und 5G-Standards (fünfte Generation der mobilen Kommunikation) unterstützt. Bei den 4G-Standards handelt es sich zum Beispiel um 3GPP (Third Generation Partnership Project) LTE (Long Term Evolution) Standards. Bei den 5G-Standards handelt es sich zum Beispiel um 5G NR (New Radio). Das Hochfrequenzmodul 100 ist ein Modul, das Trägeraggregation und duale Konnektivität unterstützt.
Das Hochfrequenzmodul 100 ist beispielsweise so konfiguriert, dass es in der Lage ist, ein von einer Signalverarbeitungsschaltung 301 eingegebenes Sendesignal (Hochfrequenzsignal) zu verstärken und das verstärkte Sendesignal an eine Antenne 310 auszugeben. Darüber hinaus ist das Hochfrequenzmodul 100 so konfiguriert, dass es in der Lage ist, ein von der Antenne 310 eingegebenes Empfangssignal (Hochfrequenzsignal) zu verstärken und das verstärkte Empfangssignal an die Signalverarbeitungsschaltung 301 auszugeben. Die Signalverarbeitungsschaltung 301 ist kein Bauteilelement des Hochfrequenzmoduls 100, sondern ein Bauteileelement des Kommunikationsgeräts 300, das das Hochfrequenzmodul 100 enthält. Das Hochfrequenzmodul 100 wird z.B. durch die Signalverarbeitungsschaltung 301 gesteuert, die in dem Kommunikationsgerät 300 vorgesehen ist. Das Kommunikationsgerät 300 umfasst das Hochfrequenzmodul 100 und die Signalverarbeitungsschaltung 301. Das Kommunikationsgerät 300 umfasst außerdem die Antenne 310. Das Kommunikationsgerät 300 umfasst ferner ein Schaltungssubstrat, auf dem das Hochfrequenzmodul 100 montiert ist. Bei dem Schaltungssubstrat handelt es sich beispielsweise um eine gedruckte Schaltungsplatte. Das Schaltungssubstrat enthält eine Erdungselektrode, an die ein Erdungspotential angelegt wird.
Die Signalverarbeitungsschaltung 301 umfasst beispielsweise eine HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 und eine Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303. Die HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 ist beispielsweise ein RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit) und führt die Signalverarbeitung für ein Hochfrequenzsignal durch. Beispielsweise führt die HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 eine Signalverarbeitung wie eine Aufwärtskonvertierung für ein Hochfrequenzsignal (Sendesignal) durch, das von der Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 ausgegeben wird, und gibt das signalverarbeitete Hochfrequenzsignal aus. Darüber hinaus führt die HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 beispielsweise eine Signalverarbeitung wie eine Abwärtswandlung für ein Hochfrequenzsignal (Empfangssignal) durch, das von dem Hochfrequenzmodul 100 ausgegeben wird, und gibt das signalverarbeitete Hochfrequenzsignal an die Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 aus. Die Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 ist beispielsweise ein BBIC (Baseband Integrated Circuit). Die Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 erzeugt ein I-Phasensignal und ein Q-Phasensignal aus einem Basisbandsignal. Ein Basisbandsignal ist z.B. ein Audiosignal, ein Bildsignal oder ähnliches, das von außen eingegeben wird. Die Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 mischt ein I-Phasensignal mit einem Q-Phasensignal, um eine IQ-Modulationsverarbeitung durchzuführen, und gibt ein Sendesignal aus. Zu diesem Zeitpunkt wird das Sendesignal als ein Modulationssignal (IQ-Signal) erzeugt, das durch Amplitudenmodulation eines Trägersignals einer vorbestimmten Frequenz mit einer Periode, die länger als die Periode des Trägersignals ist, erhalten wird. Ein in der Basisband-Signalverarbeitungsschaltung 303 verarbeitetes Empfangssignal wird beispielsweise als Bildsignal für die Bildanzeige oder als Audiosignal für ein Gespräch verwendet. Das Hochfrequenzmodul 100 sendet Hochfrequenzsignale (Empfangssignal und Sendesignal) zu und von der Antenne 310 und der HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 der Signalverarbeitungsschaltung 301.
Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst einen Leistungsverstärker 111 und einen rauscharmen Verstärker 121. Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst auch mehrere (bei dem Beispiel in der Zeichnung zwei) Sendefiltern 112A und 112B und mehrere (bei dem Beispiel in der Zeichnung zwei) Empfangsfiltern 122A und 122B. Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst auch eine Ausgangsanpassungsschaltung 113 und eine Eingangsanpassungsschaltung 123. Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst auch einen ersten Schalter 104, einen zweiten Schalter 105 und einen dritten Schalter 106. Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst auch ein Steuergerät 115. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform konfiguriert das Sendefilter 112A das oben beschriebene Schallwellenfilter 1. Mit anderen Worten, das Schallwellenfilter 1 ist das Sendefilter 112A, das in einem Signalpfad T1 für Sendesignale vorgesehen ist.
Darüber hinaus umfasst das Hochfrequenzmodul 100 mehrere Anschlüsse 80 für externe Verbindungen. Die mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen umfassen einen Antennenanschluss 81, einen Signaleingangsanschluss 82, einen Signalausgangsanschluss 83 und mehrere Erdungsanschlüsse 85 (siehe 2).
Die mehreren Erdungsanschlüsse 85 sind Anschlüsse, die elektrisch mit der Erdungselektrode auf dem oben beschriebenen Schaltungssubstrat verbunden sind, das in dem Kommunikationsgerät 300 vorgesehen ist, und das Erdungspotential wird somit an die mehreren Erdungsanschlüsse 85 angelegt.
Der Leistungsverstärker 111 ist auf dem Signalweg T1 für Sendesignale vorgesehen. Der Leistungsverstärker 111 umfasst einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss. Der Leistungsverstärker 111 verstärkt ein Sendesignal eines ersten Frequenzbereichs, das über den Eingangsanschluss eingegeben wird, und gibt das verstärkte Sendesignal an den Ausgangsanschluss aus. Der erste Frequenzbereich umfasst zum Beispiel ein erstes Kommunikationsband und ein zweites Kommunikationsband. Das erste Kommunikationsband entspricht den Sendesignalen, die das Sendefilter 112A passieren, und ist beispielsweise das Band 11 der 3GPP-LTE-Standards. Das zweite Kommunikationsband entspricht den Sendesignalen, die das Sendefilter 112B passieren, und ist z.B. Band 22 der 3GPP-LTE-Standards.
Der Eingangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 ist mit dem Signaleingangsanschluss 82 verbunden. Der Eingangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 ist mit der Signalverarbeitungsschaltung 301 verbunden, wobei der Signaleingangsanschluss 82 dazwischen angeordnet ist. Der Signaleingangsanschluss 82 ist ein Anschluss, der es ermöglicht, ein Hochfrequenzsignal (Sendesignal) von einer externen Schaltung (zum Beispiel der Signalverarbeitungsschaltung 301) in das Hochfrequenzmodul 100 einzugeben. Der Ausgangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 ist mit einem gemeinsamen Anschluss 150 des zweiten Schalters 105 verbunden, wobei die Ausgangsanpassungsschaltung 113 dazwischen geschaltet ist. Der Leistungsverstärker 111 wird durch das Steuergerät 115 gesteuert.
Der rauscharme Verstärker 121 ist in einem Signalweg R1 für Empfangssignale vorgesehen. Der rauscharme Verstärker 121 umfasst einen Eingangsanschluss und einen Ausgangsanschluss. Der rauscharme Verstärker 121 verstärkt ein Empfangssignal eines zweiten Frequenzbereichs, das in den Eingangsanschluss eingegeben wird, und gibt das verstärkte Empfangssignal über den Ausgangsanschluss aus. Zum Beispiel ist der zweite Frequenzbereich der gleiche wie der erste Frequenzbereich und umfasst ein erstes Kommunikationsband und ein zweites Kommunikationsband.
Der Eingangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 ist mit einem gemeinsamen Anschluss 160 des dritten Schalters 106 verbunden, wobei die Eingangsanpassungsschaltung 123 dazwischen geschaltet ist. Der Ausgangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 ist mit dem Signalausgangsanschluss 83 verbunden. Zum Beispiel ist der Ausgangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 mit der Signalverarbeitungsschaltung 301 verbunden, wobei der Signalausgangsanschluss 83 dazwischen liegt. Der Signalausgangsanschluss 83 ist ein Anschluss, der die Ausgabe eines Hochfrequenzsignals (Empfangssignal) vom rauscharmen Verstärker 121 an eine externe Schaltung (z.B. die Signalverarbeitungsschaltung 301) ermöglicht.
Das Sendefilter 112A ist beispielsweise ein Filter, das ein Sendeband des ersten Kommunikationsbandes als Durchlassband verwendet. Das Sendefilter 112B ist z.B. ein Filter, das ein Sendeband des zweiten Kommunikationsbandes als Durchlassband verwendet.
Das Empfangsfilter 122A ist beispielsweise ein Filter, das ein Empfangsband des ersten Kommunikationsbandes als Durchlassband verwendet. Das Empfangsfilter 122B ist zum Beispiel ein Filter, das ein Empfangsband des zweiten Kommunikationsbandes als Durchlassband verwendet.
Der erste Schalter 104 umfasst einen gemeinsamen Anschluss 140 und mehrere (im Beispiel der Zeichnung zwei) Auswahlanschlüsse 141 und 142. Der gemeinsame Anschluss 140 ist mit dem Antennenanschluss 81 verbunden. Die Antenne 310 ist mit dem Antennenanschluss 81 verbunden. Der Auswahlanschluss 141 ist mit einem Verbindungspunkt zwischen dem Ausgangsanschluss des Sendefilters 112A und dem Eingangsanschluss des Empfangsfilters 122A verbunden. Der Auswahlanschluss 142 ist mit einem Verbindungspunkt zwischen dem Ausgangsanschluss des Sendefilters 112B und dem Eingangsanschluss des Empfangsfilters 122B verbunden. Der erste Schalter 104 ist beispielsweise ein Schalter, der in der Lage ist, mindestens einen der mehreren Auswahlanschlüsse 141 und 142 mit dem gemeinsamen Anschluss 140 zu verbinden. Der erste Schalter 104 ist zum Beispiel ein Schalter, der eine Eins-zu-Eins-Verbindung und eine Eins-zu-Viel-Verbindung herstellen kann.
Der erste Schalter 104 ist sowohl auf dem Signalweg T1 (T11 und T12) für Sendesignale als auch auf dem Signalweg R1 (R11 und R12) für Empfangssignale vorgesehen. Genauer gesagt ist der erste Schalter 104 auf dem Signalpfad T11 für Sendesignale vorgesehen, auf dem der Leistungsverstärker 111, die Ausgangsanpassungsschaltung 113, der zweite Schalter 105 und das Sendefilter 112A vorgesehen sind. Darüber hinaus ist der erste Schalter 104 auf dem Signalpfad T12 für Sendesignale vorgesehen, auf dem der Leistungsverstärker 111, die Ausgangsanpassungsschaltung 113, der zweite Schalter 105 und das Sendefilter 112B vorgesehen sind. Außerdem ist der erste Schalter 104 auf dem Signalpfad R11 für Empfangssignale vorgesehen, auf dem das Empfangsfilter 122A, der dritte Schalter 106, die Eingangsanpassungsschaltung 123 und der rauscharme Verstärker 121 vorgesehen sind. Darüber hinaus ist der erste Schalter 104 auf dem Signalpfad R12 für Empfangssignale vorgesehen, auf dem das Empfangsfilter 122B, der dritte Schalter 106, die Eingangsanpassungsschaltung 123 und der rauscharme Verstärker 121 vorgesehen sind.
Der erste Schalter 104 wird z.B. von der Signalverarbeitungsschaltung 301 gesteuert. Der erste Schalter 104 schaltet den Verbindungszustand zwischen dem gemeinsamen Anschluss 140 und jedem der mehreren Auswahlanschlüsse 141 und 142 in Übereinstimmung mit einem Steuersignal von der HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 der Signalverarbeitungsschaltung 301. Der erste Schalter 104 ist z.B. ein Schalt-IC (Integrated Circuit).
Der zweite Schalter 105 umfasst den gemeinsamen Anschluss 150 und mehrere (in dem Beispiel der Zeichnung zwei) Auswahlanschlüssen 151 und 152. Der gemeinsame Anschluss 150 ist mit dem Ausgangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 verbunden, wobei die Ausgangsanpassungsschaltung 113 dazwischen geschaltet ist. Der Auswahlanschluss 151 ist mit dem Eingangsanschluss des Sendefilters 112A verbunden. Der Auswahlanschluss 152 ist mit dem Eingangsanschluss des Sendefilters 112B verbunden. Der zweite Schalter 105 ist beispielsweise ein Schalter, der in der Lage ist, mindestens einen der mehreren Auswahlanschlüsse 151 und 152 mit dem gemeinsamen Anschluss 150 zu verbinden. Der zweite Schalter 105 ist zum Beispiel ein Schalter, der eine Eins-zu-Eins-Verbindung und eine Eins-zu-Viel-Verbindung herstellen kann. Der zweite Schalter 105 ist ein Schalter mit einer Funktion zum Umschalten zwischen den Signalpfaden T11 und T12 für Sendesignale verschiedener Kommunikationsbänder.
Der zweite Schalter 105 wird z.B. von der Signalverarbeitungsschaltung 301 gesteuert. Der zweite Schalter 105 schaltet den Verbindungszustand zwischen dem gemeinsamen Anschluss 150 und jedem der mehreren Auswahlanschlüsse 151 und 152 in Übereinstimmung mit einem Steuersignal von der HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 der Signalverarbeitungsschaltung 301. Der zweite Schalter 105 ist zum Beispiel ein Schalt-IC.
Der dritte Schalter 106 umfasst den gemeinsamen Anschluss 160 und mehrere (in dem Beispiel in der Zeichnung zwei) Auswahlanschlüssen 161 und 162. Der gemeinsame Anschluss 160 ist mit dem Eingangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 verbunden, wobei die Eingangsanpassungsschaltung 123 dazwischen geschaltet ist. Der Auswahlanschluss 161 ist mit dem Ausgangsanschluss des Empfangsfilters 122A verbunden. Der Auswahlanschluss 162 ist mit dem Ausgangsanschluss des Empfangsfilters 122B verbunden. Der dritte Schalter 106 ist beispielsweise ein Schalter, der in der Lage ist, mindestens einen der mehreren Auswahlanschlüsse 161 und 162 mit dem gemeinsamen Anschluss 160 zu verbinden. Der dritte Schalter 106 ist zum Beispiel ein Schalter, der eine Eins-zu-Eins-Verbindung und eine Eins-zu-Viel-Verbindung herstellen kann. Der dritte Schalter 106 ist ein Schalter mit einer Funktion zum Umschalten zwischen den Signalpfaden R11 und R12 für Empfangssignale verschiedener Kommunikationsbänder.
Der dritte Schalter 106 wird z.B. von der Signalverarbeitungsschaltung 301 gesteuert. Der dritte Schalter 106 schaltet den Verbindungszustand zwischen dem gemeinsamen Anschluss 160 und jedem der mehreren Auswahlanschlüsse 161 und 162 in Übereinstimmung mit einer Steuerung von der HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 der Signalverarbeitungsschaltung 301. Der dritte Schalter 106 ist zum Beispiel ein Schalt-IC.
Die Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist in einem Signalweg zwischen dem Ausgangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 und dem gemeinsamen Anschluss 150 des zweiten Schalters 105 vorgesehen. Die Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist eine Schaltung zum Erreichen einer Impedanzanpassung zwischen dem Leistungsverstärker 111 und den Sendefiltern 112A und 112B. Die Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist zum Beispiel eine Induktivität. Die Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist jedoch nicht auf eine Induktivität beschränkt und kann beispielsweise mehrere Induktivitäten und mehrere Kondensatoren umfassen.
Die Eingangsanpassungsschaltung 123 ist in einem Signalweg zwischen dem Eingangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 und dem gemeinsamen Anschluss 160 des dritten Schalters 106 vorgesehen. Die Eingangsanpassungsschaltung 123 ist eine Schaltung zum Erreichen einer Impedanzanpassung zwischen dem rauscharmen Verstärker 121 und den Empfangsfiltern 122A und 122B. Die Eingangsanpassungsschaltung 123 ist zum Beispiel eine Induktivität. Die Eingangsanpassungsschaltung 123 ist jedoch nicht auf eine Induktivität beschränkt und kann beispielsweise mehrere Induktivitäten und mehrere Kondensatoren umfassen.
Das Steuergerät 115 ist mit dem Leistungsverstärker 111 verbunden. Das Steuergerät 115 steuert den Leistungsverstärker 111 in Übereinstimmung mit einem Steuersignal von der HF-Signalverarbeitungsschaltung 302 der Signalverarbeitungsschaltung 301.
(1.2) Aufbau des Hochfrequenzmoduls
Nachfolgend wird der Aufbau des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform anhand der 2 bis 4 beschrieben.
Das Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform umfasst, wie in 2 dargestellt, das Trägersubstrat 9, mehrere elektronische Bauteile 8 und die mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen. Zu den mehreren elektronischen Bauteilen 8 gehören der Leistungsverstärker 111, der rauscharme Verstärker 121, die mehreren Sendefilter 112A und 112B, die mehreren Empfangsfilter 122A und 122B, die Ausgangsanpassungsschaltung 113 und die oben beschriebene Eingangsanpassungsschaltung 123. Die mehreren elektronischen Bauteile 8 umfassen auch den oben beschriebenen ersten Schalter 104, den zweiten Schalter 105 und den dritten Schalter 106. Das heißt, die mehreren elektronischen Bauteile 8 umfassen ein erstes elektronisches Bauteil 1 und ein zweites elektronisches Bauteil 2. Das erste elektronische Bauteil 1 ist zum Beispiel das Sendefilter 112A. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist z.B. das Empfangsfilter 122A.
Das Trägersubstrat 9 hat eine erste Hauptoberfläche 91 und eine zweite Hauptoberfläche 92, die einander in einer Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 gegenüberliegen. Das Trägersubstrat 9 ist beispielsweise ein Mehrschichtsubstrat mit mehreren dielektrischen Schichten und mehreren leitenden Schichten. Die mehreren dielektrischen Schichten und die mehreren leitenden Schichten sind in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 laminiert. Die mehreren leitenden Schichten sind in spezifischen Mustern ausgebildet, die für die einzelnen Schichten festgelegt sind. Jede der mehreren leitenden Schichten enthält ein oder mehrere leitende Teile in einer Ebene orthogonal zur Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9. Jede der leitenden Schichten besteht z.B. aus Kupfer. Die mehreren leitenden Schichten umfassen auch eine Erdungsschicht. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 sind die mehreren Erdungsanschlüsse 85 und die Erdungsschicht elektrisch mit Durchgangsleitern oder dergleichen verbunden, die in dem Trägersubstrat 9 vorgesehen sind und dazwischen angeordnet sind. Das Trägersubstrat 9 ist z.B. ein LTCC-(Low Temperature Co-fired Ceramics)-Substrat. Das Trägersubstrat 9 ist nicht notwendigerweise ein LTCC-Substrat und kann z.B. eine Leiterplatte, ein HTCC-(High Temperature Co-fired Ceramics)-Substrat oder ein Harz-Mehrschichtsubstrat sein.
Zudem muss das Trägersubstrat 9 nicht unbedingt ein LTCC-Substrat sein, sondern kann z.B. auch eine Verdrahtungsstruktur sein. Die Verdrahtungsstruktur ist z.B. eine Mehrschichtstruktur. Die Mehrschichtstruktur umfasst mindestens eine Isolierschicht und mindestens eine leitende Schicht. Die Isolierschicht ist in einem vorgegebenen Muster ausgebildet. Wenn mehrere Isolierschichten vorhanden sind, werden sie in vorgegebenen Mustern ausgebildet, die für die einzelnen Schichten festgelegt sind. Die leitende Schicht wird in einem vorgegebenen Muster ausgebildet, das sich von dem vorgegebenen Muster der isolierenden Schicht unterscheidet. Wenn mehrere leitende Schichten vorhanden sind, werden sie in vorgegebenen Mustern ausgebildet, die für die einzelnen Schichten festgelegt sind. Die leitende Schicht kann ein oder mehrere Umverdrahtungsteile enthalten. In der Verdrahtungsstruktur ist von zwei Flächen, die sich in einer Dickenrichtung der Mehrschichtstruktur gegenüberliegen, eine erste Fläche die erste Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 und eine zweite Fläche die zweite Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9. Bei der Verdrahtungsstruktur kann es sich zum Beispiel um eine Zwischenschicht handeln. Die Zwischenschicht kann eine Zwischenschicht sein, die ein Siliziumsubstrat oder ein Substrat mit mehreren Schichten umfasst.
Die erste Hauptoberfläche 91 und die zweite Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 sind in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 voneinander entfernt und schneiden sich in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9. Die erste Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 ist beispielsweise orthogonal zur Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9. Die erste Hauptoberfläche 91 kann jedoch beispielsweise als eine Oberfläche, die nicht orthogonal zur Dickenrichtung D1 ist, eine Seitenfläche eines leitenden Teils oder Ähnliches umfassen. Darüber hinaus ist beispielsweise die zweite Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 orthogonal zur Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9. Die zweite Hauptoberfläche 92 kann jedoch beispielsweise als eine Oberfläche, die nicht orthogonal zur Dickenrichtung D1 ist, eine Seitenfläche eines leitenden Teils oder ähnliches umfassen. Außerdem können in der ersten Hauptoberfläche 91 und der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 feine Unebenheiten, Vertiefungen oder Vorsprünge ausgebildet sein. Das Trägersubstrat 9 hat in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 eine rechteckige Form.
Das Trägersubstrat 9 muss jedoch nicht unbedingt eine rechteckige Form haben, sondern kann auch eine quadratische Form haben.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform sind die mehreren elektronischen Bauteile 8 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 montiert. „Montiert sein“ umfasst hier einen Zustand, in dem die elektronischen Bauteile 8 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet (mechanisch mit ihr verbunden) sind, und einen Zustand, in dem die elektronischen Bauteile 8 elektrisch mit dem Trägersubstrat 9 (einem geeigneten leitenden Teil davon) verbunden sind. Somit sind im Hochfrequenzmodul 100 die mehreren elektronischen Bauteile 8 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Jedes der mehreren elektronischen Bauteile 8 hat eine erste Hauptoberfläche 801 und die zweite Hauptoberfläche 802, die einander gegenüberliegen. Jedes der mehreren elektronischen Bauteile 8 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 so angeordnet, dass die erste Hauptoberfläche 801 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 nahe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 liegt. Somit ist die zweite Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8 eine Hauptoberfläche, die in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 weit von diesem entfernt ist. Darüber hinaus enthält jedes der mehreren elektronischen Bauteile 8 eine äußere Umfangsfläche 803, die die erste Hauptoberfläche 801 mit der zweiten Hauptoberfläche 802 verbindet. Das Hochfrequenzmodul 100 kann ein Schaltungselement enthalten, das in dem Trägersubstrat 9 vorgesehen ist, sowie die mehreren elektronischen Bauteile 8, die auf dem Trägersubstrat 9 montiert sind.
Der Leistungsverstärker 111 ist beispielsweise ein IC-Chip mit einem Substrat, das eine erste und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, die einander gegenüberliegen, und einer Schaltungseinheit (IC-Einheit) mit einem Transistor, der in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist zum Beispiel ein Galliumarsenid-Substrat. Die Schaltungseinheit hat eine Funktion zur Verstärkung eines Sendesignals, das in den Eingangsanschluss des Leistungsverstärkers 111 eingegeben wird. Der Transistor ist z.B. ein HBT (Heterojunction Bipolar Transistor). Der Leistungsverstärker 111 kann z.B. einen Gleichstromsperrkondensator enthalten. Der IC-Chip, der den Leistungsverstärker 111 enthält, ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 so montiert, dass die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats nahe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 liegt. Die äußere Umfangsform des IC-Chips, der den Leistungsverstärker 111 enthält, ist in der Draufsicht von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen eine viereckige Form. Das Substrat des IC-Chips mit dem Leistungsverstärker 111 ist nicht unbedingt ein Galliumarsenid-Substrat und kann ein Siliziumsubstrat, ein Silizium-Germanium-Substrat, ein Galliumnitrid-Substrat oder ähnliches sein. Außerdem ist der Transistor nicht notwendigerweise ein bipolarer Transistor wie ein HBT, sondern kann z.B. ein FET (Feldeffekttransistor) sein. Der FET ist zum Beispiel ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).
Der rauscharme Verstärker 121 ist beispielsweise ein IC-Chip mit einem Substrat, das eine erste und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, die einander zugewandt sind, und einer Schaltungseinheit (IC-Einheit), die in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist z.B. ein Siliziumsubstrat. Die Schaltungseinheit hat eine Funktion zur Verstärkung eines Empfangssignals, das in den Eingangsanschluss des rauscharmen Verstärkers 121 eingegeben wird. Der rauscharme Verstärker 121 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 in einer solchen Weise als Flip-Chip montiert, dass die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 liegt. Die äußere Umfangsform des rauscharmen Verstärkers 121 ist, in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 gesehen, viereckig.
Jedes der mehreren Sendefilter 112A und 112B und der mehreren Empfangsfilter 122A und 122B ist z.B. ein Leiterfilter und umfasst mehrere (z.B. vier) Resonatoren mit Reihenarm und mehrere (z.B. drei) Resonatoren mit Parallelarm. Jedes der mehreren Sendefilter 112A und 112B und der mehreren Empfangsfilter 122A und 122B ist z.B. ein Schallwellenfilter. Das Schallwellenfilter ist so konfiguriert, dass jeder der mehreren Serienarmresonatoren und der mehreren Parallelarmresonatoren ein Schallwellenresonator ist. Das Schallwellenfilter ist zum Beispiel ein Oberflächenschallwellenfilter, der Oberflächenschallwellen verwendet. Das heißt, bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ist das Sendefilter 112A, das das erste elektronische Bauteil 1 ist, ein Schallwellenfilter (im Folgenden kann auch auf ein „Schallwellenfilter 1“ Bezug genommen werden).
Bei dem Oberflächenschallwellenfilter ist jeder der mehreren Reihenarmresonatoren und der mehreren Parallelarmresonatoren beispielsweise ein SAW-(Surface-Acoustic-Wave-) Resonator.
Das Oberflächenschallwellenfilter umfasst beispielsweise ein Substrat mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen, und eine Schaltungseinheit, die in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist ein piezoelektrisches Substrat. Das piezoelektrische Substrat ist z.B. ein Lithiumniobat-Substrat. Die Schaltungseinheit umfasst mehrere IDT-(Interdigital-Transducer-)Elektroden, die mit den mehreren Serienarmresonatoren in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind, und mehrere IDT-Elektroden, die mit den mehreren Parallelarmresonatoren in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind.
Jedes der mehreren Sendefilter 112A und 112B und der mehreren Empfangsfilter 122A und 122B ist beispielsweise ein Schallwellenfilter ohne Chip. Die äußere Umfangsform jedes der mehreren Sendefilter 112A und 112B und der mehreren Empfangsfilter 122A und 122B ist in der Draufsicht von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen viereckig. Jedes der mehreren Sendefilter 112A und 112B und der mehreren Empfangsfilter 122A und 122B ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 in einer solchen Weise als Flip-Chip montiert, dass die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats in der Nähe des Trägersubstrats 9 liegt.
Jeder von dem ersten Schalter 104, dem zweiten Schalter 105 und dem dritten Schalter 106 ist ein Schalt-IC. Genauer gesagt ist jeder von dem ersten Schalter 104, dem zweiten Schalter 105 und dem dritten Schalter 106 beispielsweise ein IC-Chip, der ein Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen, und eine Schaltungseinheit (IC-Einheit) mit einem FET (Feldeffekttransistor), der in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist, umfasst. Das Substrat ist z.B. ein Siliziumsubstrat. Die Schaltungseinheit ist eine Funktionseinheit mit einer Funktion zum Umschalten des Verbindungszustands zwischen einem gemeinsamen Anschluss und jedem von mehreren Auswahlanschlüssen. Die äußere Umfangsform eines IC-Chips, der jeden von dem ersten Schalter 104, dem zweiten Schalter 105 und dem dritten Schalter 106 konfiguriert, ist in der Draufsicht von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen eine viereckige Form. Jeder von dem ersten Schalter 104, dem zweiten Schalter 105 und dem dritten Schalter 106 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 in einer solchen Weise als Flip-Chip montiert, dass die erste Hauptoberfläche aus der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats nahe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 liegt.
Eine Induktivität der Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist z.B. eine Chip-Induktivität. Die Induktivität der Ausgangsanpassungsschaltung 113 ist beispielsweise auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angebracht. Die Induktivität der Ausgangsanpassungsschaltung 113 muss jedoch nicht unbedingt auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angebracht sein. Die äußere Umfangsform der Induktivität ist in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 viereckig.
Eine Induktivität der Eingangsanpassungsschaltung 123 ist z.B. eine Chip-Induktivität. Die Induktivität der Eingangsanpassungsschaltung 123 ist beispielsweise auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angebracht. Die Induktivität der Eingangsanpassungsschaltung 123 muss jedoch nicht unbedingt auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angebracht sein. Die äußere Umfangsform der Induktivität ist in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 viereckig.
Die mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen sind auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Die mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen bestehen beispielsweise aus Metall (wie Kupfer, Kupferlegierung usw.).
Zu den mehreren Anschlüssen 80 für externe Verbindungen gehören neben dem oben beschriebenen Antennenanschluss 81, dem Signaleingangsanschluss 82 und dem Signalausgangsanschluss 83 auch die mehreren Erdungsanschlüsse 85. Die mehreren Erdungsanschlüsse 85 sind elektrisch mit der Erdungsschicht des Trägersubstrats 9 verbunden, wie oben beschrieben. Die Erdungsschicht ist eine Schaltungserdung des Hochfrequenzmoduls 100. Die mehreren elektronischen Bauteile 8 umfassen ein elektronisches Bauteil 8, das elektrisch mit der Erdungsschicht verbunden ist.
Die Harzschicht 5 bedeckt in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 zumindest einen Teil jedes der mehreren elektronischen Bauteile 8, die auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet sind. Die Harzschicht 5 besteht aus Harz. Die Harzschicht 5 kann neben dem Harz auch einen Füllstoff enthalten. Die Harzschicht 5 bedeckt die äußere Umfangsfläche 803 jedes der mehreren elektronischen Bauteile 8. Darüber hinaus bedeckt die Harzschicht 5 auch die zweite Hauptoberfläche 802 eines Teils der mehreren elektronischen Bauteile 8.
Die Abschirmschicht 6 bedeckt eine Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5, die vom Trägersubstrat 9 entfernt ist, eine äußere Umfangsfläche 53 der Harzschicht 5 und eine äußere Umfangsfläche 93 des Trägersubstrats 9. Die Abschirmschicht 6 besteht beispielsweise aus einer oder mehreren Arten von Metall. Das Material der Abschirmschicht 6 ist z.B. Silber. Die Abschirmschicht 6 steht in Kontakt mit der Erdungsschicht des Trägers 9. Diese Struktur ermöglicht es, dass das Potenzial der Abschirmschicht 6 gleich dem Potenzial der Erdungsschicht ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform umfasst, wie in 3 dargestellt, das erste elektronische Bauteil 1 ein erstes Substrat 10, eine erste Schaltungseinheit 14 und mehrere erste Padelektroden 16. Die erste Schaltungseinheit 14 umfasst mehrere IDT-Elektroden 15. Die mehreren ersten Padelektroden 16 sind in der Nähe einer ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 ausgebildet und mit der ersten Schaltungseinheit 14 verbunden. Das Hochfrequenzmodul 100 umfasst ferner mehrere erste Höcker 101, die mit den mehreren ersten Padelektroden 16 und dem Trägersubstrat 9 verbunden sind. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 sind die mehreren IDT-Elektroden 15 eines Bare-Chip-Schallwellenfilters, der das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, in einem ersten Raum SP1 angeordnet, der zwischen dem ersten Substrat 10 und dem Trägersubstrat 9 durch die mehreren ersten Padelektroden 16, die mehreren ersten Höcker 101, das erste Substrat 10, das Trägersubstrat 9 und die Harzschicht 5 gebildet wird.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform sind die Dicke eines Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, und die Dicke eines Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert, voneinander verschieden. Insbesondere ist bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die Dicke des Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, größer als die Dicke des Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert.
Was das erste elektronische Bauteil 1 betrifft, so kann in dem Fall, in dem eine zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 rau ist, der enge Kontakt mit der Abschirmschicht 6 im Vergleich zu dem Fall, in dem die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 nicht rau ist, verbessert werden. Daher ist es im Hinblick auf die Verbesserung des engen Kontakts mit der Abschirmschicht 6 wünschenswert, dass die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 rau ist. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 rauer (der Grad der Oberflächenrauhigkeit ist höher) als die Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des elektronischen Bauteils 8, das auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet und mit der Harzschicht 5 bedeckt ist, wobei die Hauptoberfläche weit vom Trägersubstrat 9 entfernt ist. In diesem Fall ist die maximale Höhenrauhigkeit (Rz) der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 größer als die maximale Höhenrauhigkeit der zweiten Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8, wobei die zweite Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8 mit der Harzschicht 5 bedeckt ist. Was die Oberflächenrauheit betrifft, so stellt die maximale Höhenrauheit einen Messwert dar, der aus einem STEM-Bild (Rastertransmissionselektronenmikroskop) gewonnen wird, indem der Querschnitt des Hochfrequenzmoduls 100 mit einem STEM betrachtet wird. Die maximale Höhenrauhigkeit ist die Summe des Maximalwerts einer Spitzenhöhe und des Maximalwerts einer Taltiefe der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 und der zweiten Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8 in dem STEM-Bild. Das heißt, die maximale Höhenrauhigkeit jeder der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 und der zweiten Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8 stellt einen Spitzen-Tal-Wert der Rauheit dar. Beispielsweise kann die Oberflächenrauhigkeit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 in Abhängigkeit von einem Bearbeitungszustand geändert werden, um die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 durch Schleifen oder Ähnliches zum Zeitpunkt der Herstellung rau zu machen. Wenn es um das relative Größenverhältnis der Oberflächenrauheit geht, ist eine Oberflächenrauheit nicht unbedingt ein Wert, der aus einem STEM-Bild gewonnen wird, sondern kann auch ein Wert sein, der z.B. aus einem SEM-Bild (Rasterelektronenmikroskop) gewonnen wird.
Darüber hinaus enthält die Abschirmschicht 6 des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, wie in 4 dargestellt, eine Identifikationsmarkierung 600. Die Identifikationsmarkierung 600 umfasst einen ersten Teil 601. Der erste Teil 601 ist ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich mit dem Schallwellenfilter 1 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt. Im Folgenden wird ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich nicht mit dem Schallwellenfilter 1 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt, als zweiter Teil 602 bezeichnet. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform sind beispielsweise der Reflexionsgrad des von außen auf den ersten Teil 601 einfallenden Lichts und der Reflexionsgrad des von außen auf den zweiten Teil 602 einfallenden Lichts unterschiedlich. Somit sind bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die Farbe des ersten Teils 601 und die Farbe des zweiten Teils 602 für das menschliche Auge unterschiedlich. 4 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul 100. Zum besseren Verständnis der Unterscheidung zwischen dem ersten Teil 601 und dem zweiten Teil 602 ist der erste Teil 601 mit Punkten schraffiert. Die Hauptoberfläche des ersten Teils 601, die vom ersten Substrat 10 entfernt ist, kann Vertiefungen und Vorsprünge aufweisen, die Vertiefungen und Vorsprünge in der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 widerspiegeln.
(2) Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzmoduls
Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform kurz erläutert.
Ein Verfahren zur Herstellung des Hochfrequenzmoduls 100 umfasst zum Beispiel einen ersten Schritt, einen zweiten Schritt, einen dritten Schritt und einen vierten Schritt. Der erste Schritt ist ein Schritt zum Anordnen der mehreren elektronischen Bauteile 8, einschließlich des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1, auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9. Der zweite Schritt ist ein Schritt zum Ausbilden einer Harzmaterialschicht, aus der die Harzschicht 5 hergestellt wird und die mehreren elektronischen Bauteile 8 in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 bedeckt. Der dritte Schritt ist ein Schritt zum Schleifen der Harzmaterialschicht, so dass das erste Substrat 10 des ersten elektronischen Bauteils 1 außerhalb der Hauptoberfläche der Harzmaterialschicht, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, freigelegt wird, und dann Schleifen der Harzmaterialschicht und des ersten Substrats 10, um die Harzschicht 5 zu bilden und das erste Substrat 10 zu verdünnen. Der vierte Schritt ist ein Schritt zur Bildung der Abschirmschicht 6, die in Kontakt mit der Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 und der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 stehen soll, beispielsweise durch Sputtern, Abscheiden, Drucken oder dergleichen.
(3) Zusammenfassung
(3.1) Hochfrequenz-Modul
Das Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform umfasst das Trägersubstrat 9, das Schallwellenfilter 1, die Harzschicht 5 und die Abschirmschicht 6. Das Trägersubstrat 9 hat eine erste Hauptoberfläche 91 und eine zweite Hauptoberfläche 92, die einander gegenüberliegen. Das Schallwellenfilter 1 ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägers 9 angeordnet. Die Harzschicht 5 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet und bedeckt die äußere Umfangsfläche 803 des Schallwellenfilters 1. Die Abschirmschicht 6 bedeckt die Harzschicht 5 und das Schallwellenfilter 1. Die Abschirmschicht 6 steht in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 802 des Schallwellenfilters 1, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100 nach der ersten Ausführungsform ist, wie oben beschrieben, die zweite Hauptoberfläche 802 des Schallwellenfilters 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Dadurch kann die am Schallwellenfilter 1 erzeugte Wärme an die Abschirmschicht 6 übertragen werden. Dadurch kann eine Verbesserung der Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 erreicht werden. Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ist es im Hinblick auf die Verbesserung der Wärmeableitungseigenschaften wünschenswert, dass die Abschirmschicht 6 mit der gesamten zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 in Kontakt ist. Die Abschirmschicht 6 muss jedoch nicht unbedingt mit der gesamten zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 in Kontakt sein.
Darüber hinaus kann in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die am Schallwellenfilter 1 erzeugte Wärme über die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 und die Abschirmschicht 6 abgeleitet werden. Somit kann in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ein Temperaturanstieg eines Lithiumniobatsubstrats, das das erste Substrat 10 bildet, reduziert werden. Daher können in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform stabile Temperatureigenschaften des Schallwellenfilters 1 und stabile Eigenschaften des Hochfrequenzmoduls 100 erreicht werden.
Darüber hinaus ist in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 rauer als die Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des elektronischen Bauteils 8, das mit der Harzschicht 5 bedeckt ist, wobei die Hauptoberfläche weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Auf diese Weise kann bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform der enge Kontakt zwischen dem ersten elektronischen Bauteil 1 und der Abschirmschicht 6 verbessert werden.
Darüber hinaus können in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform unerwünschte Wellen (z.B. unerwünschte Volumenwellen), die sich in einer Richtung entlang der Dickenrichtung des Lithiumniobatsubstrats, das das erste Substrat 10 bildet, ausbreiten, dazu gebracht werden, an der Grenzfläche zwischen dem ersten Substrat 10 und der Abschirmschicht 6 zu streuen, und die Filtereigenschaften des Schallwellenfilters 1 können so verbessert werden. Zu den Verbesserungen der Filtereigenschaften gehören zum Beispiel die Verringerung der harmonischen Verzerrung und ähnliches.
Darüber hinaus enthält im Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die Abschirmschicht 6 die Identifikationsmarkierung 600. So kann bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform z.B. ein Mensch die Identifikationsmarkierung 600 visuell erkennen.
(3.2) Kommunikationsgerät
Das Kommunikationsgerät 300 gemäß der ersten Ausführungsform umfasst das oben beschriebene Hochfrequenzmodul 100 und die Signalverarbeitungsschaltung 301. Die Signalverarbeitungsschaltung 301 ist mit dem Hochfrequenzmodul 100 verbunden und führt eine Signalverarbeitung für ein Hochfrequenzsignal durch.
Das Kommunikationsgerät 300 gemäß der ersten Ausführungsform enthält das Hochfrequenzmodul 100. Dadurch können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 verbessert werden.
Beispielsweise können mehrere elektronische Bauteile, die die Signalverarbeitungsschaltung 301 konfigurieren, auf dem oben beschriebenen Schaltungssubstrat oder auf einem anderen Schaltungssubstrat (zweites Schaltungssubstrat) angebracht werden, das sich von dem Schaltungssubstrat (erstes Schaltungssubstrat) unterscheidet, auf dem das Hochfrequenzmodul 100 angebracht ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform ist das erste Substrat 10, das den Schallwellenfilter 1 bildet, ein Lithiumniobat-Substrat. Das erste Substrat 10 ist jedoch nicht notwendigerweise ein Lithiumniobat-Substrat und kann zum Beispiel ein Lithiumtantalat-Substrat sein. In dem Fall, in dem das erste Substrat 10 ein Lithiumtantalat-Substrat ist, sind die Temperatureigenschaften des ersten Substrats 10 schlechter als in dem Fall, in dem das erste Substrat 10 ein Lithiumniobat-Substrat ist, und die Temperatureigenschaften des Schallwellenfilters 1 können sich daher verschlechtern. Indem jedoch die zweite Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt gebracht wird, kann ein Anstieg der Temperatur des ersten Substrats 10 verringert werden, so dass stabile Temperatureigenschaften des Schallwellenfilters 1 erreicht werden können.
Darüber hinaus handelt es sich bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform bei dem zweiten elektronischen Bauteil 2 um den Empfangsfilter 122A. Das zweite elektronische Bauteil 2 kann aber auch ein anderes Schaltungselement wie der Leistungsverstärker 111 sein.
(4) Modifikationen
Nachfolgend werden Modifikationen der ersten Ausführungsform beschrieben. Die nachstehend beschriebenen Modifikationen können in geeigneter Weise kombiniert werden.
(4.1) Erste Modifikation
Ein Hochfrequenzmodul 100a gemäß einer ersten Modifikation der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 5 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100a gemäß der ersten Modifikation, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauteile entfällt.
Das Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform dadurch, dass das erste elektronische Bauteil 1, das das Schallwellenfilter 1 konfiguriert, als Bauteilelemente einer ersten Baugruppenstruktur eine erste Abstandsschicht 17, ein erstes Abdeckelement 18 und mehrere erste Anschlüssen 19 umfasst.
Die erste Abstandsschicht 17 ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 angeordnet. Die erste Abstandsschicht 17 umgibt die mehreren IDT-Elektroden 15, wenn man sie in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 betrachtet. Die erste Abstandsschicht 17 hat in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 eine rechteckige Rahmenform. Die erste Abstandsschicht 17 hat elektrisch isolierende Eigenschaften. Die erste Abstandsschicht 17 ist aus Epoxidharz, Polyimid oder ähnlichem hergestellt.
Das erste Abdeckelement 18 ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 angeordnet. Das erste Abdeckelement 18 hat die Form einer flachen Platte. Das erste Abdeckelement 18 ist auf der ersten Abstandsschicht 17 so angeordnet, dass das erste Abdeckelement 18 dem ersten Substrat 10 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 gegenüberliegt. Das erste Abdeckelement 18 überlappt die mehreren IDT-Elektroden 15 in Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 und ist in Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 von den mehreren IDT-Elektroden 15 entfernt. Das erste Abdeckelement 18 hat elektrisch isolierende Eigenschaften. Das erste Abdeckelement 18 ist aus Epoxidharz, Polyimid oder ähnlichem hergestellt.
Das erste elektronische Bauteil 1 hat einen ersten Raum S1, der von dem ersten Substrat 10, der ersten Abstandsschicht 17 und dem ersten Abdeckelement 18 umgeben ist. Der erste Raum S1 ist mit Gas wie Luft oder Inertgas (z.B. Stickstoffgas) gefüllt.
Die mehreren ersten Anschlüsse 19 sind aus dem ersten Abdeckelement 18 heraus exponiert. Jeder der mehreren ersten Anschlüsse 19 ist z.B. ein Höcker. Der Höcker ist z.B. ein Lötzinnhöcker. Der Höcker ist nicht notwendigerweise ein Lötzinnhöcker und kann z.B. ein Goldhöcker sein.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10, wie in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Mit anderen Worten, in dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 verbessert werden, wie bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
(4.2) Zweite Modifikation
Ein Hochfrequenzmodul 100b gemäß einer zweiten Modifikation der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100b gemäß der zweiten Modifikation, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet und die Beschreibung dieser Bauteile entfällt.
Das Hochfrequenzmodul 100b gemäß der zweiten Modifikation unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform dadurch, dass das erste elektronische Bauteil 1, das das Schallwellenfilter 1 konfiguriert, als Bauteilelemente der ersten Baugruppenstruktur ein erstes Baugruppensubstrat 173, mehrere Höcker 174 und eine erste Versiegelungsharzeinheit 175 umfasst, zusätzlich zu einem ersten Filterchip 171, der das erste Substrat 10, die erste Schaltungseinheit 14 und die mehreren ersten Padelektroden 16 enthält.
Das erste Baugruppensubstrat 173 umfasst einen ersten Trägerkörper 1730, mehrere Elektroden 1733 und mehrere Elektroden 1734 für externe Verbindungen. Der erste Trägerkörper 1730 hat eine flache Plattenform und weist eine erste Hauptoberfläche 1731 und eine zweite Hauptoberfläche 1732 auf, die einander gegenüberliegen. Die mehreren Elektroden 1733 sind auf der ersten Hauptoberfläche 1731 des ersten Tragkörpers 1730 angeordnet. Darüber hinaus sind mehrere Elektroden 1734 für externe Verbindungen auf der zweiten Hauptoberfläche 1732 des ersten Trägerkörpers 1730 angeordnet.
Das erste Baugruppensubstrat 173 enthält ferner mehrere Durchgangselektroden 1735, die die mehreren Elektroden 1733 mit den mehreren Elektroden 1734 für externe Verbindungen in einer Eins-zu-Eins-Beziehung elektrisch verbinden. Der erste Trägerkörper 1730 hat elektrisch isolierende Eigenschaften. Der erste Trägerkörper 1730 ist beispielsweise ein Keramiksubstrat (z.B. ein Aluminiumoxid-Substrat). Die äußere Umfangsform des ersten Baugruppensubstrats 173 hat eine rechteckige Form. Das erste Baugruppensubstrat 173 muss jedoch nicht unbedingt eine rechteckige Form haben, sondern kann beispielsweise auch eine quadratische Form aufweisen.
Die mehreren Höcker 174 verbinden die mehreren ersten Padelektroden 16 des ersten Filterchips 171 mit den mehreren Elektroden 1733 des ersten Baugruppensubstrats 173.
Die erste Versiegelungsharzeinheit 175 ist auf dem ersten Baugruppensubstrat 173 angeordnet und bedeckt eine äußere Umfangsfläche des ersten Filterchips 171. Bei dem ersten elektronischen Bauteil 1 ist der erste Raum S1 gebildet, der von dem ersten Filterchip 171, dem ersten Baugruppensubstrat 173 und der ersten Versiegelungsharzeinheit 175 umgeben ist.
Das erste elektronische Bauteil 1 ist ein Schallwellenfilter vom Typ CSP (Chip Size Package). Der erste Filterchip 171 ist auf dem ersten Baugruppensubstrat 173 Flip-Chip-montiert, und die äußere Umfangsfläche des ersten Filterchips 171 auf dem ersten Baugruppensubstrat 173 ist von der ersten Versiegelungsharzeinheit 175 bedeckt. Die Größe des ersten Baugruppensubstrats 173 und der ersten Versiegelungsharzeinheit 175 ist geringfügig größer als die Chipgröße des ersten Filterchips 171, wenn man die Dickenrichtung des ersten Filterchips 171 betrachtet.
Das Hochfrequenzmodul 100b umfasst ferner mehrere erste Höcker 191, die mit den mehreren Elektroden 1734 für externe Verbindungen des Schallwellenfilters 1 und dem Trägersubstrat 9 verbunden sind.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100b gemäß der zweiten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10, wie in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Mit anderen Worten, in dem Hochfrequenzmodul 100b gemäß der zweiten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100b gemäß der zweiten Modifikation die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 verbessert werden, wie bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
(4.3) Dritte Modifikation
Ein Hochfrequenzmodul 100c gemäß einer dritten Modifikation der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100c gemäß der dritten Modifikation, die denen des Hochfrequenzmoduls 100a gemäß der ersten Modifikation der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauteile entfällt.
Das Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation dadurch, dass das erste elektronische Bauteil 1, das das Schallwellenfilter 1 konfiguriert, ein BAW-Filter ist. Bei dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation ist das erste Substrat 10 des ersten elektronischen Bauteils 1 ein Siliziumsubstrat, und jeder der mehreren Schallwellenresonatoren ist ein erster BAW-(Bulk Acoustic Wave)- Resonator 180. Das heißt, in dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation ist das erste Substrat 10 ein Trägersubstrat aus einem Siliziumsubstrat.
Der erste BAW-Resonator 180 umfasst eine erste Elektrode 181, eine piezoelektrische Schicht 182 und eine zweite Elektrode 183. Die piezoelektrische Schicht 182 ist auf der ersten Elektrode 181 ausgebildet. Die zweite Elektrode 183 ist auf der piezoelektrischen Schicht 182 ausgebildet.
Der erste BAW-Resonator 180 umfasst außerdem eine elektrisch isolierende Schicht 185, die auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 ausgebildet ist. Die elektrisch isolierende Schicht 185 besteht z.B. aus Siliziumoxid. Die piezoelektrische Schicht 182 besteht z.B. aus AIN, ScAIN oder PZT.
Der erste BAW-Resonator 180 hat einen Hohlraum 184 auf einer Oberfläche der ersten Elektrode 181, die von der piezoelektrischen Schicht 182 entfernt ist. Der erste BAW-Resonator 180 ist in der Lage, die Ausbreitung von Schallwellenenergie in Richtung des ersten Substrats 10 zu unterdrücken, indem er das akustische Impedanzverhältnis zwischen der ersten Elektrode 181 und einem Medium unmittelbar unter der ersten Elektrode 181 erhöht, und er ist in der Lage, einen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten im Vergleich zu dem Fall zu erhöhen, in dem kein Hohlraum 184 vorgesehen ist. Der erste BAW-Resonator 180 ist ein FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator).
Bei dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10, wie bei dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation. Mit anderen Worten, bei dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 wie bei dem Hochfrequenzmodul 100a gemäß der ersten Modifikation verbessert werden.
(4.4) Vierte Modifikation
Ein Hochfrequenzmodul 100d gemäß einer vierten Modifikation einer ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 8 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100d gemäß der vierten Modifikation, die denen des Hochfrequenzmoduls 100c gemäß der dritten Modifikation der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauteile wird weggelassen.
Das Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation dadurch, dass die ersten BAW-Resonatoren 180 eine akustische Reflektorschicht A1 enthalten, die zwischen dem ersten Substrat 10 und den ersten Elektroden 181 der ersten BAW-Resonatoren 180 angeordnet ist. Bei dem Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation ist das erste Substrat 10 ein Trägersubstrat, das aus einem Siliziumsubstrat besteht.
Die akustische Reflektorschicht A1 ist auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 angebracht. Die mehreren ersten Elektroden 181 sind auf der akustischen Reflektorschicht A1 angeordnet. Die akustische Reflektorschicht A1 umfasst mindestens eine (im Beispiel in der Zeichnung drei) Schicht mit niedriger akustischer Impedanz A11 und mindestens eine (im Beispiel in der Zeichnung zwei) Schicht mit hoher akustischer Impedanz A12. Die akustische Impedanz der Schichten mit niedriger akustischer Impedanz A11 ist niedriger als die akustische Impedanz der Schichten mit hoher akustischer Impedanz A12.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation sind die ersten BAW-Resonatoren 180 SMRs (Solidly Mounted Resonators). Die mehreren Schichten A12 mit hoher akustischer Impedanz bestehen z.B. aus Platin. Die mehreren Schichten A11 mit niedriger akustischer Impedanz bestehen z.B. aus Siliziumoxid. Die mehreren Schichten A12 mit hoher akustischer Impedanz müssen nicht unbedingt aus Platin bestehen, sondern können auch aus einem Metall wie Wolfram oder Tantal gefertigt sein. Außerdem müssen die mehreren Schichten A12 mit hoher akustischer Impedanz nicht unbedingt aus Metall bestehen, sondern können z.B. aus einem Isolator gefertigt sein. Die mehreren Schichten A12 mit hoher akustischer Impedanz müssen nicht notwendigerweise aus denselben Materialien bestehen, sondern können z.B. aus verschiedenen Materialien hergestellt werden. Auch die mehreren Schichten A11 mit niedriger akustischer Impedanz müssen nicht unbedingt aus denselben Materialien bestehen und können beispielsweise aus unterschiedlichen Materialien hergestellt werden. Darüber hinaus sind die Anzahl der Schichten A12 mit hoher akustischer Impedanz und die Anzahl der Schichten A11 mit niedriger akustischer Impedanz nicht unbedingt gleich und können unterschiedlich sein.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10, wie in dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation. Mit anderen Worten, in dem Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100d gemäß der vierten Modifikation die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 wie bei dem Hochfrequenzmodul 100c gemäß der dritten Modifikation verbessert werden.
(4.5) Fünfte Modifikation
Ein Hochfrequenzmodul 100e gemäß einer fünften Modifikation der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100e gemäß der fünften Modifikation, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet und die Beschreibung dieser Bauteile entfällt.
Das erste elektronische Bauteil 1, das den Schallwellenfilter 1 konfiguriert, ist ein Bare-Chip-Schallwellenfilter. Das erste elektronische Bauteil 1 umfasst, wie in 9 dargestellt, das erste Substrat 10, eine Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit, eine piezoelektrische Schicht 194, die mehreren IDT-Elektroden 15 und die mehreren ersten Padelektroden 16. Die Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit ist auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 angebracht. Die piezoelektrische Schicht 194 ist auf der Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit aufgebracht. Die mehreren IDT-Elektroden 15 sind auf der piezoelektrischen Schicht 194 angeordnet. Die mehreren ersten Padelektroden 16 sind auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 angeordnet. Das erste elektronische Bauelement 1 hat eine rechteckige Form, wenn man es in der Draufsicht in Richtung seiner Dicke betrachtet. Das erste elektronische Bauelement 1 muss jedoch nicht unbedingt eine rechteckige Form haben, sondern kann beispielsweise auch eine quadratische Form aufweisen.
Die Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit ist in der Draufsicht auf die Dicke des Schallwellenfilters 1 vom Außenumfang des ersten Substrats 10 entfernt. Das Schallwellenfilter 1 enthält außerdem eine Isolierschicht 195. Die Isolierschicht 195 bedeckt einen Bereich der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10, der nicht mit der Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit bedeckt ist. Die Isolierschicht 195 hat elektrisch isolierende Eigenschaften. Die Isolierschicht 195 wird entlang des äußeren Umfangs des ersten Substrats 10 auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 gebildet. Die Isolierschicht 195 umgibt die mehreren IDT-Elektroden 15. Die Isolierschicht 195 hat eine Rahmenform (z.B. eine rechteckige Rahmenform), wenn man sie in der Draufsicht auf die Dickenrichtung des Schallwellenfilters 1 betrachtet. Ein Teil der Isolierschicht 195 überlappt mit einem äußeren peripheren Teil der piezoelektrischen Schicht 194 in der Dickenrichtung des Schallwellenfilters 1. Die äußere Umfangsfläche der piezoelektrischen Schicht 194 und die äußere Umfangsfläche der Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit sind mit der Isolierschicht 195 bedeckt. Die Isolierschicht 195 besteht aus Epoxidharz, Polyimid oder dergleichen.
Die mehreren ersten Padelektroden 16 sind auf der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 mit der dazwischen liegenden Isolierschicht 195 angeordnet.
Die piezoelektrische Schicht 194 besteht z.B. aus Lithiumniobat oder Lithiumtantalat. Die Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit besteht z.B. aus Siliziumoxid. Die Schallgeschwindigkeit von Volumenwellen, die sich in der Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit ausbreiten, ist geringer als die Schallgeschwindigkeit von Volumenwellen, die sich in der piezoelektrischen Schicht 194 ausbreiten. Die Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit muss nicht unbedingt aus Siliziumoxid bestehen und kann beispielsweise aus Siliziumoxid, Glas, Siliziumoxynitrid, Tantaloxid, einer Verbindung, die durch Zugabe von Fluor, Kohlenstoff oder Bor zu Siliziumoxid erhalten wird, oder einem Material, das ein oben genanntes Material als Hauptbestandteil enthält, hergestellt werden.
Das erste Substrat 10 ist z.B. ein Siliziumsubstrat. Die Schallgeschwindigkeit von Volumenwellen, die sich im ersten Substrat 10 ausbreiten, ist höher als die Schallgeschwindigkeit von Schallwellen, die sich in der piezoelektrischen Schicht 194 ausbreiten. Eine sich im ersten Substrat 10 ausbreitende Volumenwelle ist die Volumenwelle mit der niedrigsten Schallgeschwindigkeit unter mehreren von sich im ersten Substrat 10 ausbreitenden Volumenwellen. Bei dem Hochfrequenzmodul 100e gemäß der fünften Modifikation bilden das erste Substrat 10 und die auf dem ersten Substrat 10 vorgesehene Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit. Außerdem ist in dem Hochfrequenzmodul 100e gemäß der fünften Modifikation das erste Substrat 10 ein Trägersubstrat, das aus einem Siliziumsubstrat besteht.
Die Dicke der piezoelektrischen Schicht 194 beträgt z.B. 3,5 λ oder weniger, wobei die Wellenlänge einer akustischen Welle, die durch eine Elektrodenfingerperiode der IDT-Elektroden 15 definiert ist, durch λ dargestellt wird. Die Dicke der Schicht 193 mit geringer Schallgeschwindigkeit beträgt beispielsweise 2,0 λ oder weniger.
Das Schallwellenfilter 1 kann außerdem eine Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit enthalten, die zwischen dem ersten Substrat 10 und der Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit 193 angeordnet ist. Die Schallgeschwindigkeit von Volumenwellen, die sich in der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit ausbreiten, ist höher als die Schallgeschwindigkeit von Schallwellen, die sich in der piezoelektrischen Schicht 194 ausbreiten. Die Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit besteht beispielsweise aus einem Material mindestens eines Typs, der aus einer Gruppe ausgewählt wird, die diamantähnlichen Kohlenstoff, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Silikon, Saphir, piezoelektrische Körper (Lithiumtantalat, Lithiumniobat oder Quarz), Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Cordierit, Mullit, Steatit, Forsterit, Magnesiumoxid und Diamant umfasst. Das Material der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit kann ein Material sein, das eines der oben genannten Materialien als Hauptbestandteil enthält, oder ein Material, das eine Mischung enthält, die eines der oben genannten Materialien als Hauptbestandteil enthält.
Das Schallwellenfilter 1 kann eine Nahkontaktschicht enthalten, die zwischen der Schicht 193 mit niedriger Schallgeschwindigkeit und der piezoelektrischen Schicht 194 liegt. Die Nahkontaktschicht besteht zum Beispiel aus Harz (Epoxidharz oder Polyimidharz). Darüber hinaus kann das Schallwellenfilter 1 eine dielektrische Schicht zwischen der Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit 193 und der piezoelektrischen Schicht 194, über der piezoelektrischen Schicht 194 oder unter der Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit 193 enthalten.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100e gemäß der fünften Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10, wie in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Mit anderen Worten, in dem Hochfrequenzmodul 100e gemäß der fünften Modifikation ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der Hauptoberfläche (zweite Hauptoberfläche 802) des Schallwellenfilters 1, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100e gemäß der fünften Modifikation die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 wie bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform verbessert werden.
(Zweite Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100f gemäß einer zweiten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 10 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100f gemäß der zweiten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100f ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 ein Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1“ bezeichnet). Das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist. Die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, ragt in einer Richtung weg von dem Trägersubstrat 9 (in Richtung der Abschirmschicht 6) relativ zu der Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, hervor. Daher ist die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6, und ein Teil der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1 ist in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Das heißt, in dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 802 und einem Teil der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1, das das Schallwellenfilter 1 bildet.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform sind die Dicke eines Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, und die Dicke eines Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert, unterschiedlich. Insbesondere ist in dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform die Dicke des Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, größer als die Dicke des Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert.
Außerdem enthält die Abschirmschicht 6 des Hochfrequenzmoduls 100f gemäß der zweiten Ausführungsform die Identifikationsmarkierung 600. Die Identifikationsmarkierung 600 umfasst, wie in 10 dargestellt, den ersten Teil 601. Der erste Teil 601 ist ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich mit dem ersten elektronischen Bauteil (Schallwellenfilter) 1 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt. In der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 ragt der erste Teil 601 in einer Richtung weg vom Trägersubstrat 9 relativ zum zweiten Teil 602, der ein anderer Teil der Abschirmschicht 6 als der erste Teil 601 ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform sind, wie oben beschrieben, die zweite Hauptoberfläche 802 und ein Teil der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Somit kann die an dem ersten elektronischen Bauteil 1 erzeugte Wärme über die zweite Hauptoberfläche 802 und die äußere Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden. Im Vergleich zu dem Fall, in dem nur die zweite Hauptoberfläche 802 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt ist, können daher die Wärmeableitungseigenschaften des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 weiter verbessert werden.
Darüber hinaus steht bei dem Hochfrequenzmodul 100f gemäß der zweiten Ausführungsform, wie oben beschrieben, in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 der erste Teil 601 der Abschirmschicht 6 in Richtung weg vom Trägersubstrat 9 relativ zum zweiten Teil 602 vor. Somit können der erste Teil 601 und der zweite Teil 602 voneinander unterschieden werden, und die Ausrichtung des Hochfrequenzmoduls 100f kann anhand der Position des ersten Teils 601 bestimmt werden. Das heißt, der erste Teil 601 der Abschirmschicht 6 fungiert als Identifikationsmarkierung 600 des Hochfrequenzmoduls 100f.
(Dritte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100g gemäß einer dritten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 11 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100g gemäß der dritten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100g ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 ein Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1“ bezeichnet). Das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist. Bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform, wie in 11 dargestellt, sind die zweite Hauptoberfläche 802 und die äußere Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1, das den Schallwellenfilter 1 bildet, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Mit anderen Worten, wie in 11 dargestellt, umfasst die Abschirmschicht 6 einen ersten Kontaktteil 61 und einen zweiten Kontaktteil 62.
Der erste Kontaktteil 61 ist ein Teil, der in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 steht. Der zweite Kontaktteil 62 ist ein Teil, der in Kontakt mit der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1 steht. Darüber hinaus bilden bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5, die vom Trägersubstrat 9 entfernt ist, im Wesentlichen dieselbe Ebene.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform sind die Dicke eines Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, und die Dicke eines Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert, unterschiedlich. Insbesondere ist bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform die Dicke des Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 bildet, größer als die Dicke des Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 bildet.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform stehen die zweite Hauptoberfläche 802 und die äußere Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Somit kann die am Schallwellenfilter 1 erzeugte Wärme über die zweite Hauptoberfläche 802 und die äußere Umfangsfläche 803 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden. Im Vergleich zu dem Fall, in dem nur die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt ist, können daher die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 weiter verbessert werden.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100g gemäß der dritten Ausführungsform bilden die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 im Wesentlichen die gleiche Ebene. Die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 kann jedoch relativ zu der Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 in einer Richtung weg von dem Trägersubstrat 9 vorstehen.
(Vierte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100h gemäß einer vierten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 12 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100h gemäß der vierten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100h ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 ein Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1“ bezeichnet). Das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil (Schallwellenfilter) 1 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 mit mehreren dazwischen angeordneten ersten Höckern 201 montiert. Darüber hinaus sind andere elektronische Bauteile 8, einschließlich des zweiten elektronischen Bauteils 2, auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 mit mehreren dazwischen angeordneter zweiten Höckern 202 montiert.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform, wie in 12 dargestellt, ist die Größe jedes der mehreren ersten Höcker 201 größer als die Größe jedes der mehreren zweiten Höcker 202. Insbesondere beträgt der Durchmesser jedes der ersten Höcker 201 beispielsweise 180 Nanometer und der Durchmesser jedes der zweiten Höcker 202 beispielsweise 80 Nanometer. Darüber hinaus ist bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform die Dicke eines Substrats, das das erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, und die Dicke eines Substrats, das das zweite elektronische Bauteil 2 konfiguriert, im Wesentlichen gleich.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform kann die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt gebracht werden, indem die Größe der ersten Höcker 201 größer als die Größe der zweiten Höcker 202 ist.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform ist in einem Zustand, in dem das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 auf dem Trägersubstrat 9 montiert sind, die erste Hauptoberfläche 801 des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1, das sich in der Nähe des Trägersubstrats 9 befindet, weiter von dem Trägersubstrat 9 entfernt als die erste Hauptoberfläche 801 des zweiten elektronischen Bauteils 2, das sich in der Nähe des Trägersubstrats 9 befindet.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform kann die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt gebracht werden, indem die Größe der ersten Höcker 201 größer als die Größe der zweiten Höcker 202 gemacht wird, und die an dem ersten elektronischen Bauteil 1 erzeugte Wärme kann durch die zweite Hauptoberfläche 802 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden.
Darüber hinaus sind bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform, wie oben beschrieben, die Position der ersten Hauptoberfläche 801 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die Position der ersten Hauptoberfläche 801 des zweiten elektronischen Bauteils 2 unterschiedlich. In dem Fall, in dem sowohl das erste elektronische Bauteil 1 als auch das zweite elektronische Bauteil 2 ein Filter ist, wie in dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform, kann die Interferenz eines Signals zwischen dem ersten elektronischen Bauteil 1 und dem zweiten elektronischen Bauteil 2 reduziert werden. Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform ist das zweite elektronische Bauteil 2 ein zweites Element.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform wird durch Änderung der Größe der ersten Höcker 201 die Position des ersten elektronischen Bauteils 1 relativ zum Trägersubstrat 9 geändert. Die Größe der ersten Höcker 201 muss jedoch nicht unbedingt geändert werden, um die Position des ersten elektronischen Bauteils 1 relativ zum Trägersubstrat 9 zu ändern. Beispielsweise können mehrere Höcker mit der gleichen Größe wie die zweiten Höcker 202 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 angeordnet werden, so dass die Position des ersten elektronischen Bauteils 1 relativ zum Trägersubstrat 9 verändert wird.
Darüber hinaus bilden bei dem Hochfrequenzmodul 100h gemäß der vierten Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 im Wesentlichen die gleiche Ebene. Die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 kann jedoch relativ zu der Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 in einer Richtung weg von dem Trägersubstrat 9 vorstehen.
(Fünfte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100i gemäß einer fünften Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 13 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100i gemäß der fünften Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100i ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 ein Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1“ bezeichnet). Das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist.
Das zweite elektronische Bauteil 2 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägers 9 angeordnet. Das erste elektronische Bauteil 1 ist auf der zweiten Hauptoberfläche 802 des zweiten elektronischen Bauteils 2 angeordnet. Das heißt, bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform sind das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 gestapelt. Darüber hinaus ist bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauelements 1, das das Schallwellenfilter 1 bildet, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Darüber hinaus bilden bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die vom Trägersubstrat 9 entfernte Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 im Wesentlichen die gleiche Ebene. Bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform ist das zweite elektronische Bauteil 2 ein Hochfrequenzelement.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Somit kann die an dem ersten elektronischen Bauteil 1 erzeugte Wärme über die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden. Daher können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 verbessert werden. Insbesondere steht von dem als erstes elektronisches Bauteil 1 ausgebildeten Sendefilter 112A und dem als zweites elektronisches Bauteil 2 ausgebildeten Empfangsfilter 122A das Sendefilter 112A, das eine relativ große Wärmeentwicklung aufweist, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Dadurch kann ein stabiles Temperaturverhalten des Hochfrequenzmoduls 100i erreicht werden. Indem die am Sendefilter 112A erzeugte Wärme durch die Abschirmschicht 6 abgeleitet wird, kann außerdem die Wärmediffusion zu anderen elektronischen Bauteilen 8 (einschließlich des zweiten elektronischen Bauteils 2 als Empfangsfilter 122A) verringert werden, und die Schwankungen der Eigenschaften der anderen elektronischen Bauteile 8 können reduziert werden.
Darüber hinaus ist in dem Hochfrequenzmodul 100i gemäß der fünften Ausführungsform das erste elektronische Bauteil 1 auf der zweiten Hauptoberfläche 802 des zweiten elektronischen Bauteils 2 angeordnet. Somit kann im Vergleich zu dem Fall, in dem sowohl das erste elektronische Bauteil 1 als auch das zweite elektronische Bauteil 2 auf dem Trägersubstrat 9 angeordnet sind, der Bereich der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 verkleinert werden, und eine Größenreduzierung, von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen, kann erreicht werden.
(Sechste Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100j gemäß einer sechsten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 14 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100j gemäß der sechsten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100i gemäß der fünften Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente entfällt. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100j ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 ein Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1“ bezeichnet). Das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Das zweite elektronische Bauteil 2 ist das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist.
Das zweite elektronische Bauteil 2 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägers 9 angeordnet. Das erste elektronische Bauelement 1 ist auf der zweiten Hauptoberfläche 802 des zweiten elektronischen Bauelements 2 angeordnet. Das heißt, bei dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform sind das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 gestapelt. Außerdem ist bei dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauelements 1, das das Schallwellenfilter 1 bildet, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Bei dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform ist das zweite elektronische Bauteil 2 ein Hochfrequenzelement.
Darüber hinaus steht bei dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 in einer Richtung weg vom Trägersubstrat 9 (in Richtung der Abschirmschicht 6) relativ zur Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5, die weit vom Trägersubstrat 9 entfernt ist, vor. Daher ist die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 in Kontakt mit der Abschirmschicht 6, und ein Teil der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1 ist in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Das heißt, in dem Hochfrequenzmodul 100j gemäß der sechsten Ausführungsform ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 802 und einem Teil der äußeren Umfangsfläche 803 des ersten elektronischen Bauteils 1, das den Schallwellenfilter 1 bildet. Im Vergleich zu dem Fall, in dem nur die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt ist, können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 somit weiter verbessert werden.
Darüber hinaus enthält die Abschirmschicht 6 des Hochfrequenzmoduls 100j gemäß der sechsten Ausführungsform die Identifikationsmarkierung 600. Die Identifikationsmarkierung 600 umfasst, wie in 14 dargestellt, den ersten Teil 601. Der erste Teil 601 ist ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich mit dem ersten elektronischen Bauteil (Schallwellenfilter) 1 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt. In der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 ragt der erste Teil 601 in Richtung weg vom Trägersubstrat 9 relativ zum zweiten Teil 602, der ein anderer Teil der Abschirmschicht 6 als der erste Teil 601 ist. Somit können der erste Teil 601 und der zweite Teil 602 voneinander unterschieden werden, und die Ausrichtung des Hochfrequenzmoduls 100f kann anhand der Position des ersten Teils 601 identifiziert werden. Das heißt, der erste Teil 601 der Abschirmschicht 6 fungiert als Identifikationsmarkierung 600 des Hochfrequenzmoduls 100j.
(Siebte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100k gemäß einer siebten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 15 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100k gemäß der siebten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100k ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100k gemäß der siebten Ausführungsform ist das erste elektronische Bauteil 1 beispielsweise ein elektronisches Ein-Chip-Bauteil mit dem Sendefilter 112A und dem Empfangsfilter 122A. Somit kann bei dem Hochfrequenzmodul 100k gemäß der siebten Ausführungsform im Vergleich zu dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform der Bereich der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 verkleinert werden, und es kann eine Größenreduzierung, von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen, erreicht werden. Bei dem Hochfrequenzmodul 100k gemäß der siebten Ausführungsform ist der Sendefilter 112A von dem Sendefilter 112A und dem Empfangsfilter 122A, die in dem ersten elektronischen Bauteil 1 enthalten sind, ein Schallwellenfilter (im Folgenden kann auch auf einen „Schallwellenfilter 1“ Bezug genommen werden).
Darüber hinaus ist bei dem Hochfrequenzmodul 100k gemäß der siebten Ausführungsform die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 (siehe 3), wie bei dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Dadurch können die Wärmeableitungseigenschaften des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 verbessert werden.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100k gemäß der siebten Ausführungsform bilden die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 und die Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 im Wesentlichen die gleiche Ebene. Die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1 kann jedoch relativ zu der Hauptoberfläche 51 der Harzschicht 5 in Richtung weg von dem Trägersubstrat 9 vorstehen.
(Achte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100m gemäß einer achten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf die 16 und 17 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100m gemäß der achten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100m ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform sind das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1 und 2“ bezeichnet). Darüber hinaus sind in dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform die Schallwellenfilter 1 und 2 Oberflächenschallwellenfilter. Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ist das Schallwellenfilter 1 das Sendefilter 112A, das auf dem Signalweg T1 (siehe 1) für Sendesignale vorgesehen ist. Ferner ist in dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform das Schallwellenfilter 2 das Empfangsfilter 122A, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 1) für Empfangssignale vorgesehen ist.
Jedes der Schallwellenfilter 1 und 2 umfasst beispielsweise ein Substrat mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen, und eine Schaltungseinheit, die in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist ein piezoelektrisches Substrat. Das piezoelektrische Substrat ist z.B. ein Lithiumtantalat-Substrat. Die Schaltungseinheit umfasst mehrere IDT-Elektroden, die mit mehreren Resonatoren mit seriellen Armen in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind, und mehrere IDT-Elektroden, die mit mehreren Resonatoren mit parallelen Armen in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind.
Jedes der Schallwellenfilter 1 und 2 ist auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 so montiert, dass die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats in der Nähe des Trägersubstrats 9 liegt. Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 802 jedes der Schallwellenfilter 1 und 2, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 802 jedes der Schallwellenfilter 1 und 2, die weit von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Somit kann die an jedem der Schallwellenfilter 1 und 2 erzeugte Wärme durch die zweite Hauptoberfläche 802 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden, wodurch die Wärmeableitungseigenschaften jedes der Schallwellenfilter 1 und 2 verbessert werden können. Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ist der Schallwellenfilter (zweites elektronisches Bauteil) 2 ein elektronisches Bauteil.
Außerdem ist in dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ein Substrat, das jeden der Schallwellenfilter 1 und 2 konfiguriert, ein Lithiumtantalat-Substrat, dessen Temperatureigenschaften schlechter sind als die eines Lithiumniobat-Substrats. Indem die zweite Hauptoberfläche des Substrats jedes der Schallwellenfilter 1 und 2 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt gebracht wird, können die Temperatureigenschaften der Schallwellenfilter 1 und 2 verbessert werden.
Darüber hinaus enthält die Abschirmschicht 6 des Hochfrequenzmoduls 100m gemäß der achten Ausführungsform die Identifikationsmarkierung 600. Die Identifikationsmarkierung 600 umfasst einen ersten Teil 601 und einen dritten Teil 603, wie in 17 dargestellt. Der erste Teil 601 ist ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich mit dem ersten elektronischen Bauteil (Schallwellenfilter) 1 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt. Der dritte Teil 603 ist ein Teil der Abschirmschicht 6, der sich mit dem zweiten elektronischen Bauteil 2 in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappt. Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform unterscheidet sich beispielsweise der Reflexionsgrad des von außen auf den ersten Teil 601 und den dritten Teil 603 einfallenden Lichts von dem Grad der Reflexion des von außen auf den zweiten Teil 602 einfallenden Lichts. Somit sind die Farben des ersten Teils 601 und des dritten Teils 603 in dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform für das menschliche Auge unterschiedlich zu der Farbe des zweiten Teils 602. In 17 ist eine Draufsicht auf das Hochfrequenzmodul 100m dargestellt. Zum besseren Verständnis der Unterscheidung des ersten Teils 601 und des dritten Teils 603 vom zweiten Teil 602 sind der erste Teil 601 und der dritte Teil 603 mit Punkten schraffiert.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100m gemäß der achten Ausführungsform ist jedes der Schallwellenfilter 1 und 2 ein Lithiumtantalat-Substrat. Ein Substrat von mindestens einem der Schallwellenfilter 1 und 2 kann jedoch beispielsweise ein Lithiumniobat-Substrat sein. Auch in diesem Fall können die Temperatureigenschaften der Schallwellenfilter 1 und 2 verbessert werden, indem jeder der Schallwellenfilter 1 und 2 mit der Abschirmschicht 6 in Kontakt gebracht wird.
(Neunte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100n gemäß einer neunten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 18 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100n gemäß der neunten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100n ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform umfassen die mehreren elektronischen Bauteile 8 das erste elektronische Bauteil 1, das zweite elektronische Bauteil 2 und ein drittes elektronisches Bauteil 3. Das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 sind auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Das dritte elektronische Bauteil 3 ist auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägers 9 angeordnet. Das heißt, die mehreren elektronischen Bauteile 8 sind sowohl auf der ersten Hauptoberfläche 91 als auch auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägers 9 angebracht. Somit kann im Vergleich zum Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform die Größe des Hochfrequenzmoduls 100n gemäß der neunten Ausführungsform, von der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 aus gesehen, klein gemacht werden. Bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform ist das dritte elektronische Bauteil 3 ein Schaltungselement.
Darüber hinaus enthält in dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform jeder der mehreren Anschüsse 80 für externe Verbindungen eine säulenförmige Elektrode 800. Jede der säulenförmigen Elektroden 800 ist zum Beispiel eine säulenförmige Elektrode.
Das Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform enthält ferner eine Harzschicht 7. Die Harzschicht 7 bedeckt die äußere Umfangsfläche 803 des dritten elektronischen Bauteils 3, das auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet ist, und eine äußere Umfangsfläche jeder der säulenförmigen Elektroden 800.
Die Harzschicht 7 wird so geformt, dass die zweite Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8, das das dritte elektronische Bauteil 3 bildet, freiliegt. Die Harzschicht 7 enthält Harz (z.B. Epoxidharz). Die Harzschicht 7 kann sowohl einen Füllstoff als auch Harz enthalten. Die Harzschicht 7 kann aus demselben Material wie die Harzschicht 5 oder aus einem anderen Material als die Harzschicht 5 hergestellt sein. Bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform bedeckt die Abschirmschicht 6 auch eine äußere Umfangsfläche 73 der Harzschicht 7.
Darüber hinaus bilden bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform die zweite Hauptoberfläche 802 des elektronischen Bauteils 8, das das dritte elektronische Bauteil 3 konfiguriert, und eine Hauptoberfläche 71 der Harzschicht 7, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, im Wesentlichen dieselbe Ebene.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 (siehe 3) wie in dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Dadurch können die Wärmeableitungseigenschaften des ersten elektronischen Bauteils (Schallwellenfilter) 1 verbessert werden.
Darüber hinaus ist bei dem Hochfrequenzmodul 100n gemäß der neunten Ausführungsform die Harzschicht 7 so ausgebildet, dass die zweite Hauptoberfläche 802 des dritten elektronischen Bauteils 3 freiliegt. Dadurch kann ein Temperaturanstieg des dritten elektronischen Bauteils 3 reduziert werden. Außerdem kann bei der Konfiguration, bei der das elektronische Bauteil 8 auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet ist, die Höhe des Hochfrequenzmoduls 100n gemäß der neunten Ausführungsform verringert werden.
(Zehnte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100p gemäß einer zehnten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf die 19 und 20 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100p gemäß der zehnten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100k gemäß der siebten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente entfällt. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100p ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100 gemäß der ersten Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 1 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform umfassen die mehreren elektronischen Bauteile 8 das erste elektronische Bauteil 1 und das dritte elektronische Bauteil 3. Das erste elektronische Bauteil 1 ist zum Beispiel ein elektronisches Ein-Chip-Bauteil, das den Sendefilter 112A (siehe 1) und den Empfangsfilter 122A (siehe 1) enthält. Das dritte elektronische Bauteil 3 ist z.B. ein IC-Chip mit dem rauscharmen Verstärker 121 (siehe 1). Darüber hinaus enthält das Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform auf dem Trägersubstrat 9 eine Innenschichtinduktivität 94 (siehe 20). Die Innenschichtdrossel 94 ist beispielsweise eine Drossel zwischen dem Empfangsfilter 122A und dem Auswahlanschluss 161 des dritten Schalters 106. Bei dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform ist das dritte elektronische Bauteil 3 ein Schaltungselement.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform, wie in 20 dargestellt, überlappen zumindest ein Teil des ersten elektronischen Bauelements 1, zumindest ein Teil des dritten elektronischen Bauelements 3 und die Innenschichtinduktivität 94 einander in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9. Auf diese Weise kann die Streukapazität, die zwischen der Innenschichtinduktivität 94 und der Erdungsschicht erzeugt wird, reduziert werden, und der Leistungsverlust kann somit verringert werden.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform liegt die gesamte zweite Hauptoberfläche 802 des dritten elektronischen Bauteils 3 frei. Es kann jedoch auch nur ein Teil der zweiten Hauptoberfläche 802 freigelegt sein.
(Modifikation der zehnten Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100r gemäß einer Modifikation der zehnten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 21 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100p gemäß der zehnten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet und die Beschreibung dieser Bauteile entfällt.
Das Hochfrequenzmodul 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform dadurch, dass die mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen Kugelhöcker sind. Ferner unterscheidet sich das Hochfrequenzmodul 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform von dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform dadurch, dass das Hochfrequenzmodul 100r nicht die Harzschicht 7 des Hochfrequenzmoduls 100p gemäß der zehnten Ausführungsform aufweist.
Ein Kugelhöcker, der jeden der mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen konfiguriert, besteht zum Beispiel aus Gold, Kupfer oder Lötzinn.
Einige der mehreren Anschlüsse 80 für externe Verbindungen können Kugelhöcker sein, andere Anschlüsse 80 für externe Verbindungen können säulenförmige Elektroden sein.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform ist die Abschirmschicht 6 in Kontakt mit der zweiten Hauptoberfläche 12 des ersten Substrats 10 (siehe 3) wie in dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform. Somit können bei dem Hochfrequenzmodul 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters 1 wie bei dem Hochfrequenzmodul 100p gemäß der zehnten Ausführungsform verbessert werden. Bei dem Hochfrequenzmodul 100r gemäß der Modifikation der zehnten Ausführungsform ist das dritte elektronische Bauteil 3 ein Schaltungselement.
(Elfte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100s und ein Kommunikationsgerät 300s gemäß einer elften Ausführungsform werden unter Bezugnahme auf die 22 und 23 beschrieben. Bauteile des Hochfrequenzmoduls 100s und des Kommunikationsgeräts 300s gemäß der elften Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100 und des Kommunikationsgeräts 300 gemäß der ersten Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauteile wird weggelassen.
Das Hochfrequenzmodul 100s gemäß der elften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 100 gemäß der ersten Ausführungsform dadurch, dass ein Sendefilter 112C und ein Empfangsfilter 122C ein Sendefilter und ein Empfangsfilter sind, die einen Duplexer 132A konfigurieren, und ein Sendefilter 112D und ein Empfangsfilter 122D ein Sendefilter und ein Empfangsfilter sind, die einen Duplexer 132B konfigurieren.
Das Kommunikationsgerät 300s gemäß der elften Ausführungsform enthält das Hochfrequenzmodul 100s anstelle des oben beschriebenen Hochfrequenzmoduls 100. Darüber hinaus umfasst das Kommunikationsgerät 300s gemäß der elften Ausführungsform ferner die Signalverarbeitungsschaltung 301 und die Antenne 310.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100s gemäß der elften Ausführungsform sind das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1 und 2“ bezeichnet). Das Schallwellenfilter 1 ist beispielsweise das Sendefilter 112C, das auf dem Signalpfad T1 (siehe 22) für Sendesignale vorgesehen ist. Das Schallwellenfilter 2 ist beispielsweise das Empfangsfilter 122C, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 22) für Empfangssignale vorgesehen ist. Das heißt, das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112C des Duplexers 132A, bei dem der Abstand zwischen dem Sendeband und dem Empfangsband am geringsten ist, unter den Duplexern 132A und 132B. Außerdem ist das zweite elektronische Bauteil 2 das Empfangsfilter 122C des Duplexers 132A, bei dem der Abstand zwischen dem Sendeband und dem Empfangsband unter den Duplexern 132A und 132B am geringsten ist.
Das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 bestehen beispielsweise aus einem Substrat mit einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander zugewandt sind, und einer Schaltungseinheit, die in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist ein piezoelektrisches Substrat. Das piezoelektrische Substrat ist z.B. ein Lithiumniobat-Substrat. Die Schaltungseinheit umfasst mehrere IDT-Elektroden, die mit mehreren Serienarmresonatoren in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind, und mehrere IDT-Elektroden, die mit mehreren Parallelarmresonatoren in einer Eins-zu-Eins-Beziehung verbunden sind.
Das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 sind jeweils auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 so montiert, dass die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Substrats in der Nähe des Trägersubstrats 9 liegt. Bei dem Hochfrequenzmodul 100s gemäß der elften Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 802 sowohl des ersten elektronischen Bauteils 1 als auch des zweiten elektronischen Bauteils 2, die von dem Trägersubstrat 9 entfernt ist, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Daher kann Wärme, die an dem ersten elektronischen Bauteil 1 und dem zweiten elektronischen Bauteil 2 erzeugt wird, durch die zweite Hauptoberfläche 802 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden. Daher kann Wärme, die sich von dem ersten elektronischen Bauteil 1 zu dem zweiten elektronischen Bauteil 2 ausbreitet, auch durch die zweite Hauptoberfläche 802 des zweiten elektronischen Bauteils 2 an die Abschirmschicht 6 übertragen werden, und eine Verschlechterung der Eigenschaften des Empfangsfilters 122C, der als das zweite elektronische Bauteil 2 ausgebildet ist, kann reduziert werden. Darüber hinaus können auch die Temperatureigenschaften des ersten elektronischen Bauteils 1 und des zweiten elektronischen Bauteils 2 verbessert werden. Auf diese Weise kann auch die Verschlechterung von Eigenschaften wie der Isolierung zwischen dem als erstes elektronisches Bauteil 1 konfigurierten Sendefilter 112C und dem als zweites elektronisches Bauteil 2 konfigurierten Empfangsfilter 122C verringert werden.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100s gemäß der elften Ausführungsform ist das piezoelektrische Substrat, das sowohl das erste elektronische Bauteil 1 als auch das zweite elektronische Bauteil 2 bildet, ein Lithiumniobat-Substrat. Mindestens eines der piezoelektrischen Substrate, die das erste elektronische Bauelement 1 und das zweite elektronische Bauelement 2 bilden, kann jedoch beispielsweise ein Lithiumtantalat-Substrat oder ein Kristallsubstrat sein.
(Zwölfte Ausführungsform)
Ein Hochfrequenzmodul 100t gemäß einer zwölften Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 24 beschrieben. Bauelemente des Hochfrequenzmoduls 100t gemäß der zwölften Ausführungsform, die denen des Hochfrequenzmoduls 100s gemäß der elften Ausführungsform ähnlich sind, werden mit denselben Zeichen gekennzeichnet, und die Beschreibung dieser Bauelemente wird weggelassen. Die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100t ist ähnlich der Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzmoduls 100s gemäß der elften Ausführungsform, die oben unter Bezugnahme auf 22 beschrieben wurde.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform umfassen die mehreren elektronischen Bauteile 8 das erste elektronische Bauteil 1, das zweite elektronische Bauteil 2 und das dritte elektronische Bauteil 3. Das erste elektronische Bauteil 1, das zweite elektronische Bauteil 2 und das dritte elektronische Bauteil 3 sind Schallwellenfilter (im Folgenden auch als „Schallwellenfilter 1, 2 und 3“ bezeichnet). Bei dem Schallwellenfilter 1 handelt es sich beispielsweise um den Sendefilter 112C, der auf dem Signalweg T1 (siehe 22) für Sendesignale vorgesehen ist. Das Schallwellenfilter 3 ist beispielsweise das Empfangsfilter 122C, das auf dem Signalpfad R1 (siehe 22) für Empfangssignale vorgesehen ist. Das heißt, das erste elektronische Bauteil 1 ist das Sendefilter 112C des Duplexers 132A, bei dem der Abstand zwischen dem Sendeband und dem Empfangsband am geringsten ist, unter den Duplexern 132A und 132B. Das dritte elektronische Bauteil 3 ist der Empfangsfilter 122C des Duplexers 132A, bei dem der Abstand zwischen dem Sendeband und dem Empfangsband unter den Duplexern 132A und 132B am geringsten ist. Darüber hinaus ist das Schallwellenfilter 2 beispielsweise das Sendefilter 112D, das auf dem Signalweg T1 (siehe 22) für Sendesignale vorgesehen ist.
Das erste elektronische Bauteil 1, das zweite elektronische Bauteil 2 und das dritte elektronische Bauteil 3 bestehen beispielsweise aus einem Substrat mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen, und einer Schaltungseinheit, die in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist. Das Substrat ist ein piezoelektrisches Substrat. Das piezoelektrische Substrat des ersten elektronischen Bauteils 1 und des zweiten elektronischen Bauteils 2 ist z.B. ein Lithiumtantalat-Substrat. Das piezoelektrische Substrat des dritten elektronischen Bauelements 3 ist z.B. ein Lithiumniobat-Substrat. Die Schaltungseinheit umfasst mehrere IDT-Elektroden, die in einer Eins-zu-Eins-Beziehung mit mehreren Serienarmresonatoren verbunden sind, und mehrere IDT-Elektroden, die in einer Eins-zu-Eins-Beziehung mit mehreren Parallelarmresonatoren verbunden sind.
Das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 sind jeweils mit einem Flip-Chip auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägers 9 so montiert, dass sich die erste Hauptoberfläche von der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Trägers in der Nähe des Trägers 9 befindet. Das dritte elektronische Bauteil 3 ist auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 so montiert, dass die erste Hauptoberfläche des Substrats, d. h. die erste Hauptoberfläche und die zweite Hauptoberfläche, sich in der Nähe des Trägersubstrats 9 befinden. Das heißt, das erste elektronische Bauteil 1 und das zweite elektronische Bauteil 2 sind auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet, und das dritte elektronische Bauteil 3 ist auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform sind die mehreren elektronischen Bauteile 8 sowohl auf der ersten Hauptoberfläche 91 als auch auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet. Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform ist das dritte elektronische Bauteil 3 ein Schaltungselement.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform ermöglicht eine Durchgangselektrode 95, die das Trägersubstrat 9 in Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 durchdringt, die Verbindung zwischen dem ersten elektronischen Bauelement 1, das sich auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 befindet, und dem dritten elektronischen Bauelement 3, das sich auf der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 befindet. Die Durchgangselektrode 95 ist z.B. ein TSV (Through Silicon Via). Zwischen der Durchgangselektrode 95 und dem Trägersubstrat 9 befindet sich ein elektrisch isolierendes Teil. Der elektrisch isolierende Teil besteht z.B. aus Siliziumoxid. Die Durchgangselektrode 95 hat z.B. die Form einer Säule.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform überlappen sich ein Teil des ersten elektronischen Bauteils 1 und ein Teil des dritten elektronischen Bauteils 3 mit der Durchgangselektrode 95 in der Draufsicht auf die Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9.
Bei dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform sind die zweiten Hauptoberflächen 802 des ersten elektronischen Bauelements 1 und des zweiten elektronischen Bauelements 2, die auf der ersten Hauptoberfläche 91 des Trägersubstrats 9 angeordnet sind, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Das heißt, in dem Hochfrequenzmodul 100t gemäß der zwölften Ausführungsform ist die zweite Hauptoberfläche 802 des ersten elektronischen Bauteils 1, dessen piezoelektrisches Substrat ein Lithiumtantalat-Substrat ist, in Kontakt mit der Abschirmschicht 6. Auf diese Weise können die Temperatureigenschaften des Duplexers 132A mit dem als erstes elektronisches Bauteil 1 ausgebildeten Sendefilter 112C und dem als drittes elektronisches Bauteil 3 ausgebildeten Empfangsfilter 122C verbessert werden. Darüber hinaus sind der Sendefilter 112C und der Empfangsfilter 122C, die den Duplexer 132A konfigurieren, auf der ersten Hauptoberfläche 91 bzw. der zweiten Hauptoberfläche 92 des Trägersubstrats 9 angeordnet, und der Sendefilter 112C und der Empfangsfilter 122C sind so angeordnet, dass sie einander in der Dickenrichtung D1 des Trägersubstrats 9 überlappen. Dadurch wird die Länge eines Verbindungsteils (Durchgangselektrode 95) zwischen dem Sendefilter 112C und dem Empfangsfilter 122C verkürzt, und eine parasitäre Komponente kann somit reduziert werden.
(Andere Modifikationen)
Die oben beschriebenen ersten bis zwölften Ausführungsformen und dergleichen sind lediglich Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Verschiedene Änderungen können an den ersten bis zwölften Ausführungsformen und dergleichen in Übereinstimmung mit Designs und dergleichen gemacht werden, solange ein Ziel der vorliegenden Erfindung erreicht werden kann.
Obwohl ein BAW-Filter, das das oben beschriebene erste elektronische Bauteil 1 konfiguriert, ein Element einer Baugruppenstruktur enthält, muss das BAW-Filter nicht unbedingt ein Element einer Baugruppenstruktur enthalten und kann ein BAW-Filter ohne Chip sein. Wenn der erste BAW-Resonator 180 des BAW-Filters ein FBAR ist, muss der erste BAW-Resonator 180 nicht unbedingt die in 7 dargestellte Struktur aufweisen. Beispielsweise kann in dem ersten BAW-Resonator 180 ein Teil der elektrischen Isolierschicht 185 so ausgebildet sein, dass zwischen dem Teil der elektrischen Isolierschicht 185 und der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 ein Hohlraum anstelle des im ersten Substrat 10 ausgebildeten Hohlraums 184 gebildet wird. In diesem Fall kann die erste Elektrode 181 weit entfernt von dem Hohlraum in der elektrischen Isolierschicht 185 ausgebildet werden, die piezoelektrische Schicht 182 kann auf der ersten Elektrode 181 ausgebildet werden, und die zweite Elektrode 183 kann auf der piezoelektrischen Schicht 182 ausgebildet werden. Der Hohlraum zwischen einem Teil der elektrischen Isolierschicht 185 und der ersten Hauptoberfläche 11 des ersten Substrats 10 kann z.B. durch eine Opferschicht-Ätztechnik gebildet werden.
Außerdem sind Filter wie die Sendefilter 112A und 112B und die Empfangsfilter 122A und 122B nicht notwendigerweise Leiterfilter, sondern können z.B. Oberflächenschallwellenfilter mit längsgekoppeltem Resonator sein.
Obwohl es sich bei den oben beschriebenen Schallwellenfiltern um Schallwellenfilter handelt, die Oberflächenschallwellen oder Volumenschallwellen verwenden, müssen die Schallwellenfilter nicht notwendigerweise Oberflächenschallwellen oder Volumenschallwellen verwenden, sondern können z.B. Grenzschallwellen, Plattenwellen oder Ähnliches verwenden.
Obwohl es sich bei den mehreren ersten Höckern 101 und 201 und den mehreren zweiten Höckern 202 beispielsweise um Lötzinnhöcker handelt, sind diese Höcker nicht notwendigerweise Lötzinnhöcker und können beispielsweise auch Goldhöcker sein.
Von den mehreren elektronischen Bauteilen 8 sind die elektronischen Bauteile 8 mit Ausnahme des ersten elektronischen Bauteils 1 und des zweiten elektronischen Bauteils 2 nicht notwendigerweise elektrisch mit dem Trägersubstrat 9 verbunden, wobei zwischen ihnen Höcker eingefügt sind, und können beispielsweise elektrisch mit dem Trägersubstrat 9 verbunden sein, wobei zwischen ihnen ein Bonddraht eingefügt ist.
Die Schaltungskonfigurationen der Hochfrequenzmodule 100 bis 100t sind nicht auf die oben beschriebenen Beispiele beschränkt. Darüber hinaus kann jedes der Hochfrequenzmodule 100 bis 100t als Schaltungskonfiguration zum Beispiel eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung enthalten, die MIMO (Multi Input Multi Output) unterstützt.
Darüber hinaus kann das Kommunikationsgerät 300 gemäß der ersten Ausführungsform eines der Hochfrequenzmodule 100a bis 100r anstelle des Hochfrequenzmoduls 100 enthalten. Darüber hinaus kann das Kommunikationsgerät 300s gemäß der elften Ausführungsform das Hochfrequenzmodul 100t anstelle des Hochfrequenzmoduls 100s enthalten.
Obwohl es sich bei dem oben beschriebenen ersten elektronischen Bauteil 1 um den Sendefilter 112A handelt, der auf dem Signalpfad T1 für Sendesignale vorgesehen ist, ist das erste elektronische Bauteil 1 nicht notwendigerweise der Sendefilter 112A und kann z.B. ein Sende- und Empfangsfilter sein. Der Sende- und Empfangsfilter ist auf dem Signalpfad T1 für Sendesignale vorgesehen. Außerdem ist der Sende- und Empfangsfilter auf dem Signalpfad R1 für Empfangssignale vorgesehen. Der Sende- und Empfangsfilter ist mit einem Leistungsverstärker verbunden, wobei ein Schalter auf dem Signalweg T1 dazwischengeschaltet ist, so dass ein vom Leistungsverstärker verstärktes Sendesignal den Sende- und Empfangsfilter durchläuft. Außerdem ist das Sende- und Empfangsfilter mit einem rauscharmen Verstärker verbunden, wobei der oben erwähnte Schalter auf dem Signalpfad R1 dazwischen geschaltet ist, so dass ein Empfangssignal, das das Sende- und Empfangsfilter passiert hat, an den rauscharmen Verstärker ausgegeben wird. Das Sende- und Empfangsfilter ist zum Beispiel ein TDD-Filter.
(Aspekte)
Die nachstehend beschriebenen Aspekte werden hier offengelegt.
Gemäß einem ersten Aspekt umfasst ein Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) ein Trägersubstrat (9), ein Schallwellenfilter (1), eine Harzschicht (5) und eine Abschirmschicht (6). Das Trägersubstrat (9) hat eine erste Hauptoberfläche (91) und eine zweite Hauptoberfläche (92), die einander zugewandt sind. Das Schallwellenfilter (1) ist in der Nähe der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet. Die Harzschicht (5) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet und bedeckt eine äußere Umfangsfläche (803) des Schallwellenfilters (1). Die Abschirmschicht (6) bedeckt die Harzschicht (5) und das Schallwellenfilter (1). Die Abschirmschicht (6) steht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt umfasst das Schallwellenfilter (1) in dem Hochfrequenzmodul (100; 100a; 100b) gemäß dem ersten Aspekt ein piezoelektrisches Substrat (10). Die Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) ist eine Hauptoberfläche (12) des piezoelektrischen Substrats (10), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Dadurch kann der Temperaturanstieg des Schallwellenfilters (1) verringert werden, und es können stabile Eigenschaften erreicht werden.
Gemäß einem dritten Aspekt umfasst das Schallwellenfilter (1) in dem Hochfrequenzmodul (100e) gemäß dem ersten Aspekt eine piezoelektrische Schicht (194), eine IDT-Elektrode (15) und ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit (das erste Substrat 10 und eine Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit 193). Die IDT-Elektrode (15) ist auf der piezoelektrischen Schicht (194) angeordnet. Das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit ist gegenüber der IDT-Elektrode (15) angeordnet, wobei sich die piezoelektrische Schicht (194) dazwischen befindet. Die Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit ausbreitet, ist höher als die Schallgeschwindigkeit einer Schallwelle, die sich in der piezoelektrischen Schicht (194) ausbreitet. Das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit umfasst das Trägersubstrat (10), das aus einem Siliziumsubstrat besteht. Die Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) ist die Hauptoberfläche (12) des Trägersubstrats (10), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Dadurch können die Filtereigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Gemäß einem vierten Aspekt umfasst das Schallwellenfilter (1) in dem Hochfrequenzmodul (100c; 100d) gemäß dem ersten Aspekt das Trägersubstrat (10), das aus einem Siliziumsubstrat besteht. Die Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) ist die Hauptoberfläche (12) des Trägersubstrats (10), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Dadurch können die Filtereigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Gemäß einem fünften Aspekt ist in dem Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) nach einem der ersten bis vierten Aspekte das Schallwellenfilter (1) ein Sendefilter (112A) oder ein Sende- und Empfangsfilter, das auf einem Signalweg (T1) für ein Sendesignal vorgesehen ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Sendefilters (112A) oder des Sende- und Empfangsfilters verbessert werden.
Gemäß einem sechsten Aspekt enthält die Abschirmschicht (6) in dem Hochfrequenzmodul (100g) nach einem der ersten bis fünften Aspekte einen ersten Kontaktteil (61) und einen zweiten Kontaktteil (62). Der erste Kontaktteil (61) ist ein Teil, der mit der Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) in Kontakt steht. Das zweite Kontaktteil (62) ist ein Teil, das mit der äußeren Umfangsfläche (803) des Schallwellenfilters (1) entlang einer Dickenrichtung (D1) des Trägersubstrats (9) in Kontakt ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) weiter verbessert werden.
Gemäß einem siebten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100i; 100j) nach einem der ersten bis sechsten Aspekte ferner ein Hochfrequenzelement (2). Das Hochfrequenzelement (2) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet. Das Schallwellenfilter (1) ist auf der Hauptoberfläche (802) des Hochfrequenzelements (2) angeordnet, die vom Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden, während der Bereich der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) reduziert wird.
Gemäß einem achten Aspekt ist in dem Hochfrequenzmodul (100i; 100j) gemäß dem siebten Aspekt das Schallwellenfilter (1) das Sendefilter (112A), das auf dem Signalweg (T1) für ein Sendesignal vorgesehen ist. Das Hochfrequenzelement (2) ist das Empfangsfilter (122A), das in einem Signalpfad (R1) für ein Empfangssignal vorgesehen ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden, während die Fläche der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) reduziert wird.
Gemäß einem neunten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100h) nach einem der ersten bis achten Aspekte ferner ein zweites Element (2). Das zweite Element (2) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet. Die Hauptoberfläche (801) des Schallwellenfilters (1), die sich in der Nähe des Trägersubstrats (9) befindet, ist weiter von dem Trägersubstrat (9) entfernt als die Hauptoberfläche (801) des zweiten Elements (2), die sich in der Nähe des Trägersubstrats (9) befindet.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Gemäß einem zehnten Aspekt enthält das Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) nach einem der ersten bis neunten Aspekte ferner ein zweites elektronisches Bauteil (8). Das zweite elektronische Bauelement (8) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet und mit der Harzschicht (5) bedeckt. Eine maximale Höhenrauhigkeit der Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) ist größer als eine maximale Höhenrauhigkeit der Hauptoberfläche (802) des zweiten elektronischen Bauteils (8), das mit der Harzschicht (5) bedeckt ist, wobei die Hauptoberfläche (802) des zweiten elektronischen Bauteils (8) weit von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Hierdurch kann der enge Kontakt zwischen dem Schallwellenfilter (1) und der Abschirmschicht (6) verbessert werden.
Gemäß einem elften Aspekt enthält bei dem Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) nach einem der ersten bis neunten Aspekte die Abschirmschicht (6) eine Identifikationsmarkierung (600). Die Identifikationsmarkierung (600) ist ein Teil der Abschirmschicht (6), der sich mit dem Schallwellenfilter (1) in der Dickenrichtung (D1) des Trägersubstrats (9) überlappt.
Gemäß diesem Aspekt ist eine Person in der Lage, die Identifikationsmarkierung (600) visuell zu erkennen.
Gemäß einem zwölften Aspekt steht bei dem Hochfrequenzmodul (100f; 100j) nach einem der ersten bis elften Aspekte die Hauptoberfläche (802) des Schallwellenfilters (1) in Richtung der Abschirmung (6) relativ zu einer Hauptoberfläche (51) der Harzschicht (5) vor, die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) weiter verbessert werden.
Gemäß einem dreizehnten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100m) nach einem der ersten bis zwölften Aspekte ferner ein elektronisches Bauteil (2). Das elektronische Bauteil (2) ist auf der ersten Hauptoberfläche (91) des Trägersubstrats (9) angeordnet. Die Abschirmschicht (6) ist in Kontakt mit der vom Trägersubstrat (9) entfernten Hauptoberfläche (802) des elektronischen Bauteils (2).
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) und des elektronischen Bauteils (2) verbessert werden.
Gemäß einem vierzehnten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100s) gemäß einem der ersten bis dreizehnten Aspekte ein Sendefilter (112C) und ein Empfangsfilter (122C), die einen Duplexer (132A) als Schallwellenfilter (1) konfigurieren. Die Abschirmschicht (6) ist in Kontakt mit der Hauptoberfläche (802) sowohl des Sendefilters (112C) als auch des Empfangsfilters (122C), die von dem Trägersubstrat (9) entfernt ist.
Dadurch können die Wärmeableitungseigenschaften des Sendefilters (112C) und des Empfangsfilters (122C) verbessert werden.
Gemäß einem fünfzehnten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100n; 100p; 100r; 100t) gemäß einem der ersten bis vierzehnten Aspekte ferner ein Schaltungselement (3). Das Schaltungselement (3) ist auf der zweiten Hauptoberfläche (92) des Trägersubstrats (9) angeordnet.
Dadurch kann eine Größenreduzierung in Richtung der Dicke (D1) des Trägers (9) erreicht werden.
Gemäß einem sechzehnten Aspekt ist bei dem Hochfrequenzmodul (100n; 100p; 100r) gemäß dem fünfzehnten Aspekt die vom Trägersubstrat (9) entfernte Hauptoberfläche (802) des Schaltungselements (3) freigelegt.
Dadurch kann eine Größenreduzierung in Richtung der Dicke (D1) des Trägers (9) erreicht werden.
Gemäß einem siebzehnten Aspekt umfasst das Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) gemäß einem der ersten bis sechzehnten Aspekte ferner einen Anschluss (80) für externe Verbindungen. Der Anschluss (80) für externe Verbindungen ist auf der zweiten Hauptoberfläche (92) des Trägersubstrats (9) angeordnet.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Gemäß einem achtzehnten Aspekt enthält ein Kommunikationsgerät (300; 300s) das Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) gemäß einem der ersten bis siebzehnten Aspekte und eine Signalverarbeitungsschaltung (301). Die Signalverarbeitungsschaltung (301) ist mit dem Hochfrequenzmodul (100; 100a bis 100t) verbunden und führt eine Signalverarbeitung für ein Hochfrequenzsignal durch.
Gemäß diesem Aspekt können die Wärmeableitungseigenschaften des Schallwellenfilters (1) verbessert werden.
Bezugszeichenliste

100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h, 100i, 100j, 100k, 100m, 100n, 100p, 100r, 100s, 100t: Hochfrequenzmodul
1: erstes elektronisches Bauteil (Schallwellenfilter)
10: erstes Substrat (piezoelektrisches Substrat, Trägersubstrat)
11: erste Hauptoberfläche
12: zweite Hauptoberfläche
13: äußere Umfangsfläche
14: erste Schaltungseinheit
15: IDT-Elektrode
16: erste Padelektrode
17: erste Abstandsschicht
18: erstes Abdeckelement
19: erster Anschluss
193: Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit
194: piezoelektrische Schicht
195: Isolierschicht
2: zweites elektronisches Bauteil (Hochfrequenz-Element, zweites Element, elektronisches Bauteil)
3: drittes elektronisches Bauteil (Schaltungselement)
5: Harzschicht
51: Hauptoberfläche
53: äußere Umfangsfläche
6: Abschirmschicht
61: erster Kontaktteil
62: zweiter Kontaktteil
600: Identifikationsmarkierung
601: erster Teil
602: zweiter Teil
603: dritter Teil
7: Harzschicht
71: Hauptoberfläche
8: elektronisches Bauteil
801: erste Hauptoberfläche
802: zweite Hauptoberfläche
803: äußere Umfangsfläche
9: Trägersubstrat
91: erste Hauptoberfläche
92: zweite Hauptoberfläche
93: äußere Umfangsfläche
80: Anschluss für externe Verbindungen
81: Antennenanschluss
82: Signaleingangsanschluss
83: Signalausgangsanschluss
85: Erdungsanschluss
101: erster Höcker
104: erster Schalter
140: gemeinsamer Anschluss
141, 142: Auswahlanschluss
105: zweiter Schalter
150: gemeinsamer Anschluss
151, 152: Auswahlanschluss
106: dritter Schalter
160: gemeinsamer Anschluss
161, 162: Auswahlanschluss
111: Leistungsverstärker
112A, 112B, 112C, 112D: Sendefilter
113: Ausgangsanpassungsschaltung
115: Steuergerät
121: rauscharmer Verstärker
122A, 122B, 122C, 122D: Empfangsfilter
123: Eingangsanpassungsschaltung
132A, 132B: Duplexer
171: erster Filterchip
173: erstes Baugruppensubstrat
1730: erster Trägerkörper
1731: erste Hauptoberfläche
1732: zweite Hauptoberfläche
1733: Elektrode
1734: Elektrode für externe Verbindungen
1735: Durchgangselektrode
174: Höcker
175: erste Versiegelungsharzeinheit
180: erster BAW-Resonator
181: erste Elektrode
182: piezoelektrische Schicht
183: zweite Elektrode
184: Hohlraum
185: elektrische Isolierschicht
201: erster Höcker
202: zweiter Höcker
300, 300s: Kommunikationsgerät
301: Signalverarbeitungsschaltung
302: HF-Signalverarbeitungsschaltung
303: Basisband-Signalverarbeitungsschaltung
310: Antenne
A1: akustische Reflektorschicht
A11: Schicht mit niedriger akustischer Impedanz
A12: Schicht mit hoher akustischer Impedanz
D1: Dickenrichtung
S1: erster Raum
SP1: erster Raum

Claims

Hochfrequenzmodul, umfassend: ein Trägersubstrat, das eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, die einander gegenüberliegen, ein Schallwellenfilter, das in der Nähe der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, eine Harzschicht, die auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist und eine äußere Umfangsfläche des Schallwellenfilters bedeckt, und eine Abschirmschicht, die die Harzschicht und das Schallwellenfilter bedeckt, wobei die Abschirmschicht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche des Schallwellenfilters steht, die weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei das Schallwellenfilter ein piezoelektrisches Substrat enthält und wobei die Hauptoberfläche des Schallwellenfilters eine Hauptoberfläche des piezoelektrischen Substrats ist, die weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei das Schallwellenfilter eine piezoelektrische Schicht, eine IDT-Elektrode, die auf der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist, und ein Element mit hoher Schallgeschwindigkeit, das gegenüber der IDT-Elektrode angeordnet ist, umfasst, wobei die piezoelektrische Schicht dazwischen angeordnet ist, wobei die Schallgeschwindigkeit einer Volumenwelle, die sich in dem Element mit hoher Schallgeschwindigkeit ausbreitet, höher ist als die Schallgeschwindigkeit einer Schallwelle, die sich in der piezoelektrischen Schicht ausbreitet, wobei das Element mit hoher Schallgeschwindigkeit ein Trägersubstrat aus einem Siliziumsubstrat umfasst und wobei die Hauptoberfläche des Schallwellenfilters eine Hauptoberfläche des Trägersubstrats ist, die weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei das Schallwellenfilter ein Trägersubstrat aus einem Siliziumsubstrat enthält und wobei die Hauptoberfläche des Schallwellenfilters eine Hauptoberfläche des Trägersubstrats ist, die weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Schallwellenfilter ein Sendefilter oder ein Sende- und Empfangsfilter ist, das auf einem Signalweg für ein Sendesignal vorgesehen ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Abschirmschicht umfasst: ein erstes Kontaktteil, das mit der Hauptoberfläche des Schallwellenfilters in Kontakt steht, und ein zweites Kontaktteil, das mit einer äußeren Umfangsfläche des Schallwellenfilters entlang einer Dickenrichtung des Trägersubstrats in Kontakt steht.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner ein Hochfrequenzelement umfassend, das auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, wobei das Schallwellenfilter auf einer Hauptoberfläche des Hochfrequenzelements angeordnet ist, die weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 7, wobei das Schallwellenfilter ein Sendefilter ist, das auf einem Signalpfad für ein Sendesignal vorgesehen ist, und wobei das Hochfrequenzelement ein Empfangsfilter ist, das in einem Signalweg für ein Empfangssignal vorgesehen ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner mit einem zweiten Element, das auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, wobei die Hauptoberfläche des Schallwellenfilters, die sich in der Nähe des Trägersubstrats befindet, weiter von dem Trägersubstrat entfernt ist als eine Hauptoberfläche des zweiten Elements, die sich in der Nähe des Trägersubstrats befindet.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner ein zweites elektronisches Bauteil umfassend, das auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet und mit der Harzschicht bedeckt ist, wobei eine maximale Höhenrauhigkeit der Hauptoberfläche des Schallwellenfilters größer ist als eine maximale Höhenrauhigkeit einer Hauptoberfläche des zweiten elektronischen Bauteils, das mit der Harzschicht bedeckt ist, wobei die Hauptoberfläche des zweiten elektronischen Bauteils weit von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Abschirmschicht eine Identifikationsmarkierung enthält, die ein Teil der Abschirmschicht ist, der sich mit dem Schallwellenfilter in einer Dickenrichtung des Trägersubstrats überlappt.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Hauptoberfläche des Schallwellenfilters relativ zu einer Hauptoberfläche der Harzschicht, die vom Trägersubstrat entfernt ist, in Richtung der Abschirmung vorsteht.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ferner ein elektronisches Bauteil umfassend, das auf der ersten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist, wobei die Abschirmschicht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche des elektronischen Bauteils steht, die weit vom Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, ferner ein Sendefilter und ein Empfangsfilter umfassend, die einen Duplexer als Schallwellenfilter konfigurieren, wobei die Abschirmschicht in Kontakt mit einer Hauptoberfläche sowohl des Sendefilters als auch des Empfangsfilters steht, die von dem Trägersubstrat entfernt ist.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 14, ferner ein Schaltungselement umfassend, das auf der zweiten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist.
Hochfrequenzmodul nach Anspruch 15, wobei eine Hauptoberfläche des Schaltungselements, die von dem Trägersubstrat entfernt ist, freiliegt.
Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 16, ferner einen Anschluss für externe Verbindungen umfassend, der auf der zweiten Hauptoberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist.
Kommunikationsgerät, umfassend: das Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 17 und eine Signalverarbeitungsschaltung, die mit dem Hochfrequenzmodul verbunden ist und eine Signalverarbeitung für ein Hochfrequenzsignal durchführt.