DE112020002865T5 - Halbleitermodul-herstellungsverfahren, herstellungsverfahren für ein elektronisches gerät, halbleitermodul und elektronisches gerät - Google Patents

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Abstract

Chipkomponente (400), die eine erste Elektrode (410) und eine zweite Elektrode (420) enthält, eine Halbleitervorrichtung (100), die eine erste Lötstelle (130E) und eine zweite Lötstelle (130G) enthält, und eine gedruckte Leiterplatte (200) werden hergestellt. Eine erste Lötpaste (P1) und eine zweite Lötpaste (P2) werden der gedruckten Leiterplatte (200) zugeführt. Die Chipkomponente (400) wird auf der gedruckten Leiterplatte platziert, sodass sich die erste Elektrode (410) mit der ersten Lötpaste (P1) in Kontakt befindet und sich die zweite Elektrode (420) mit der zweiten Lötpaste (P2) in Kontakt befindet. Die Halbleitervorrichtung (100) wird auf der gedruckten Leiterplatte platziert, sodass die erste Lötstelle (130E) der ersten Elektrode (410) zugewandt ist und die zweite Lötstelle (130G) der zweiten Elektrode (420) zugewandt ist. Die Lötpaste wird erwärmt und geschmolzen, die erste Lötstelle (130E) und die erste Elektrode (410) werden aneinander gebondet und die zweite Lötstelle (130G) und die zweite Elektrode (420) werden aneinander gebondet.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Technologie eines Halbleitermoduls mit einer Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein elektronisches Gerät, wie z. B. eine mobile Vorrichtung, beinhaltet ein Halbleitermodul mit einer Halbleitervorrichtung, die mit einer anderen Halbleitervorrichtung, wie z. B. einem Speicher, kommuniziert, und einer gedruckten Leiterplatte, auf welcher die Halbleitervorrichtung angebracht ist. Eine Halbleitervorrichtung ist eine Halbleiterbaugruppe mit einem Halbleiterelement und einem Baugruppensubstrat. Eine Anordnungsstruktur von in der Halbleitervorrichtung enthaltenen Anschlüssen ist beispielsweise ein Ball Grid Array (BGA). Beim elektronischen Gerät haben eine Hochgeschwindigkeitskommunikation und eine Niederspannungskommunikation der Halbleitervorrichtung Fortschritte gemacht, und es ist erforderlich, ein in der Halbleitervorrichtung erzeugtes Rauschen zu verringern. Außerdem ist es bei einer Verkleinerung und einer Verschmälerung des elektronischen Geräts erwünscht, den Rasterabstand zwischen benachbarten Anschlüssen in der Halbleitervorrichtung zu verringern.
  • Als eines der Mittel zum Verringern von Rauschen wird erwogen, einen Glättungskondensator zwischen einen Stromanschluss und einen Masseanschluss der Halbleitervorrichtung zu schalten. Der Glättungskondensator ist im Allgemeinen auf einer Fläche benachbart zur Halbleitervorrichtung in der gedruckten Leiterplatte oder auf einer Fläche entgegengesetzt zu einer Fläche angebracht, auf welcher die Halbleitervorrichtung in der gedruckten Leiterplatte durch eine Oberflächenmontagetechnologie (SMT) angebracht ist. Jedoch ist es bei diesem Verfahren erforderlich, einen Draht zu bilden, welcher die Halbleitervorrichtung und den Kondensator auf der gedruckten Leiterplatte elektrisch verbindet, und eine Induktivität des Drahts trägt zur Erzeugung von Rauschen bei, welches eine Erhöhung der Kommunikationsgeschwindigkeit in der Halbleitervorrichtung behindert. Inzwischen offenbart Patentliteratur 1 eine Technologie zum direkten Anbringen des Glättungskondensators an einem Stromversorgungspad und einem Massepad einer BGA-Baugruppe mit Lot.
  • Zitierliste
  • Patentliteratur
  • Patentliteratur 1: JP 2006-1 73407 A
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Technisches Problem
  • Jedoch ist es bei der Technologie des Patentdokuments 1 erforderlich, eine Lötkugel auf jeder von einem Paar Elektroden des Kondensators im Voraus zu bilden, bevor die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht wird. Der Kondensator ist eine kompakte elektronische Komponente. Aus diesem Grund ist es hinsichtlich der Herstellung schwierig, die Lötkugeln auf den Elektroden des Kondensators zu bilden. Da ein Prozess zum Bilden der Lötkugeln auf den Elektroden des Kondensators erforderlich ist, wird außerdem der Herstellungsprozess aufwendiger. Daher ist es erforderlich geworden, die Produktivität des Halbleitermoduls im Vergleich zum Stand der Technik zu verbessern. Ein derartiges Problem tritt auch auf, wenn eine andere kleine elektronische Komponente als der Kondensator, wie beispielsweise ein Induktor oder ein Widerstand, mit der Halbleitervorrichtung verbunden wird. Wenn diese elektronischen Komponenten mit einer Halbleitervorrichtung verbunden werden, ist ferner eine Bondfestigkeit erforderlich.
  • Daher wurde eine Technologie zum Verbessern der Produktivität des Halbleitermoduls erhofft. Außerdem wurde erhofft, dass die Bondfestigkeit der mit dem Halbleitermodul verbundenen elektronischen Komponente erhöht wird.
  • Lösung des Problems
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleitermodul-Herstellungsverfahren bereitgestellt, das enthält: Bereitstellen einer Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode enthält, die in Intervallen in einer vorbestimmten Richtung angeordnet sind, einer Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle enthält, und einer gedruckten Leiterplatte; Zuführen einer ersten Lötpaste und einer zweiten Lötpaste zur gedruckten Leiterplatte in Intervallen; Platzieren der Chipkomponente auf der gedruckten Leiterplatte, sodass sich die erste Elektrode mit der ersten Lötpaste in Kontakt befindet und die zweite Elektrode mit der zweiten Lötpaste in Kontakt befindet; Platzieren der Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte, sodass die erste Lötstelle der ersten Elektrode zugewandt ist und die zweite Lötstelle der zweiten Elektrode zugewandt ist; Erwärmen und Schmelzen der ersten Lötpaste und der zweiten Lötpaste; und Bonden der ersten Lötstelle und der ersten Elektrode aneinander mit Lot und Bonden der zweiten Lötstelle und der zweiten Elektrode aneinander mit Lot durch Abkühlen und Verfestigen von benetzungsverteiltem geschmolzenem Lot an einer jeweiligen der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleitermodul bereitgestellt, das enthält: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle enthält, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode enthält, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, der die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, der die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack enthält, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, die Chipkomponente dem Lötstopplack zugewandt ist, eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle in einer Draufsicht mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt in Richtung der ersten Lötstelle vom Lötstopplack erstreckt, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt in Richtung der zweiten Lötstelle vom Lötstopplack erstreckt.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleitermodul bereitgestellt, das enthält: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle enthält, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode enthält, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, welcher die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, welcher die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat, eine dritte Lötstelle, die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist und durch den ersten Lötbondabschnitt elektrisch mit der ersten Lötstelle verbunden ist, und eine vierte Lötstelle enthält, die auf der Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist und durch den zweiten Lötbondabschnitt elektrisch mit der zweiten Lötstelle verbunden ist, wobei eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle in der Draufsicht mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode überlappt, mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der dritten Lötstelle und der vierten Lötstelle überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, wobei der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt von der dritten Lötstelle zur ersten Lötstelle erstreckt, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt von der vierten Lötstelle zur zweiten Lötstelle erstreckt.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Halbleitermodul bereitgestellt, das enthält: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle enthält, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode enthält, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, welcher die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, welcher die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack enthält, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, wobei der Lötstopplack einen Öffnungsabschnitt aufweist, in den ein Abschnitt der Chipkomponente eingeführt ist, wobei eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in einer Draufsicht überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, wobei der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt von einem Abschnitt der Hauptfläche des isolierenden Substrats, der durch den Öffnungsabschnitt des Lötstopplacks freigelegt ist, zur ersten Lötstelle erstreckt, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt vom Abschnitt der Hauptfläche des isolierenden Substrats, der durch den Öffnungsabschnitt des Lötstopplacks freigelegt ist, zur zweiten Lötstelle erstreckt.
  • Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Produktivität eines Halbleitermoduls verbessert.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich. In den beigefügten Zeichnungen werden gleiche oder ähnliche Konfigurationen mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein erläuterndes Diagramm eines Beispiels eines elektronischen Geräts gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht eines Verarbeitungsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 2B ist eine schematische Querschnittsansicht des Verarbeitungsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt des Verarbeitungsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform vergrößert ist.
    • 4A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht des Verarbeitungsmoduls gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 4B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen einer Halbleitervorrichtung, einem Kondensator und einer gedruckten Leiterplatte gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5A ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe eines Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5B ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5C ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5D ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5E ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 5F ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt eines Verarbeitungsmoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform vergrößert ist.
    • 7A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht eines Verarbeitungsmoduls gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 7B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen einer Halbleitervorrichtung, einem Kondensator und einer gedruckten Leiterplatte gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8A ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe eines Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8B ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8C ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8D ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8E ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 8F ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform.
    • 9 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt eines Verarbeitungsmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform vergrößert ist.
    • 10A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht des Verarbeitungsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 10B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen einer Halbleitervorrichtung, einem Kondensator und einer gedruckten Leiterplatte gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11A ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe eines Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11B ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11C ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11D ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11E ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 11F ist ein Diagramm zum Erläutern einer Stufe des Verarbeitungsmodul-Herstellungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform.
    • 12A ist eine schematische Querschnittsansicht eines Verarbeitungsmoduls von Beispiel 1.
    • 12B ist eine schematische Querschnittsansicht eines Verarbeitungsmoduls von Beispiel 2.
    • 12C ist eine schematische Querschnittsansicht eines Verarbeitungsmoduls von Vergleichsbeispiel 1.
    • 13 ist ein Diagramm, das Berechnungsergebnisse von Induktivitäten in Beispiel 1, Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 1 darstellt.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden werden Modi zum Ausführen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 ist ein erläuterndes Diagramm einer Digitalkamera 600, die eine Abbildungsvorrichtung als ein Beispiel eines elektronischen Geräts gemäß einer ersten Ausführungsform ist. Die Digitalkamera 600 als eine Abbildungsvorrichtung ist eine Digitalkamera mit austauschbarem Objektiv und enthält einen Kamerakörper 601. Eine Objektiveinheit (Objektivtubus) 602, die ein Objektiv enthält, ist vom Kamerakörper 601 abnehmbar. Der Kamerakörper 601 enthält ein Gehäuse 611 sowie ein Verarbeitungsmodul 300 und ein Sensormodul 900, bei denen es sich um gedruckte Leiterplatten handelt, die innerhalb des Gehäuses 611 angeordnet sind. Das Verarbeitungsmodul 300 ist ein Beispiel eines Halbleitermoduls. Das Verarbeitungsmodul 300 und das Sensormodul 900 sind durch ein Kabel 950 elektrisch miteinander verbunden.
  • Das Sensormodul 900 enthält einen Bildsensor 700 als ein Abbildungselement und eine gedruckte Leiterplatte 800. Der Bildsensor 700 ist auf der gedruckten Leiterplatte 800 angebracht. Der Bildsensor 700 ist beispielsweise ein CMOS-Bildsensor (Complementary Metal Oxide Semiconductor) oder ein CCD-Bildsensor (Charge Coupled Device). Der Bildsensor 700 weist eine Funktion zum Umwandeln von über die Objektiveinheit 602 einfallendem Licht in ein elektrisches Signal auf.
  • Das Verarbeitungsmodul 300 enthält eine Halbleitervorrichtung 100 und eine gedruckte Leiterplatte 200, bei der es sich um eine erste Leiterplatte handelt. Die Halbleitervorrichtung 100 ist auf der gedruckten Leiterplatte 200 angebracht. Die gedruckte Leiterplatte 200 ist ein starres Substrat. Die Halbleitervorrichtung 100 ist beispielsweise ein Digitalsignalprozessor und weist eine Funktion zum Erfassen eines elektrischen Signals vom Bildsensor 700, zum Durchführen einer Verarbeitung zum Korrigieren des erfassten elektrischen Signals und zum Erzeugen von Bilddaten auf.
  • 2A ist eine perspektivische Ansicht des Verarbeitungsmoduls 300 gemäß der ersten Ausführungsform. 2B ist eine schematische Querschnittsansicht des Verarbeitungsmoduls 300 entlang der Linie IIB-IIB in 2A. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt des in 2B dargestellten Verarbeitungsmoduls 300 vergrößert ist. Im Folgenden wird eine Beschreibung unter Bezugnahme auf die 2A, 2B und 3 gegeben.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 ist eine Bereichsarray-Halbleiter-Baugruppe und ist eine BGA-Halbleiter-Baugruppe in der ersten Ausführungsform. Die Halbleitervorrichtung 100 umfasst ein Halbleiterelement 101 und ein Baugruppensubstrat 102, bei dem es sich um eine zweite Leiterplatte handelt. Das Baugruppensubstrat 102 ist ein starres Substrat.
  • Das Halbleiterelement 101 ist auf dem Baugruppensubstrat 102 angebracht. Das Baugruppensubstrat 102 enthält ein isolierendes Substrat 120. Das isolierende Substrat 120 weist eine Hauptfläche 121 und eine Hauptfläche 122 entgegengesetzt zur Hauptfläche 121 auf. Ein Material des isolierenden Substrats 120 ist beispielsweise Keramik wie Aluminiumoxid oder ein Epoxidharz, das Glas enthält. Das Halbleiterelement 101 ist beispielsweise ein Halbleiterchip und ist auf der Hauptfläche 121 des isolierenden Substrats 120 in einer nach oben gerichteten Weise oder einer nach unten gerichteten Weise, in der ersten Ausführungsform in der nach unten gerichteten Weise, angebracht. Ein Versiegelungsharz 106 zum Versiegeln des Halbleiterelements 101 ist auf der Hauptfläche 121 des isolierenden Substrats 120 bereitgestellt. Das Baugruppensubstrat 102 weist mehrere Lötstellen 130 auf, die auf der Hauptfläche 122 des isolierenden Substrats 120 angeordnet sind. Ein Anordnungsmuster der mehreren Lötstellen 130 kann eine Gitterform, das heißt eine Matrixform, oder eine versetzte Form aufweisen. Die Lötstelle 130 ist ein Anschluss, der aus einem leitfähigen Metallmaterial wie Kupfer oder Gold hergestellt ist, und ist beispielsweise ein Signalanschluss, ein Stromanschluss, ein Masseanschluss oder ein Dummy-Anschluss. Ein Lötstopplack 108 ist auf der Hauptfläche 122 bereitgestellt. Der Lötstopplack 108 ist ein Film, der aus einem Lötstopplackmaterial hergestellt ist. Eine jeweilige der mehreren Lötstellen 130 ist durch einen im Lötstopplack 108 ausgebildeten Öffnungsabschnitt freigelegt. Die Lötstelle 130 kann eine Lötstelle entweder einer Lot-definierten Maske (SMD für engl. „solder mask defined“) oder einer nicht-Lot-definierten Maske (NSMD für engl. „non-solder mask defined“) sein, ist aber in der ersten Ausführungsform eine SMD-Lötstelle. Obwohl nicht dargestellt, kann ein Kühlkörper auf der oberen Fläche des Halbleiterelements 101 angeordnet sein.
  • Das Halbleiterelement 101 enthält mehrere Stromanschlüsse, mehrere Masseanschlüsse und mehrere Signalanschlüsse, und jeder Anschluss ist durch Drahtbonden oder Flip-Chip-Bonden (nicht dargestellt) an das Baugruppensubstrat 102 gebondet. 2B und 3 stellen einen Stromanschluss 111E dar, bei dem es sich um einen der mehreren Stromanschlüsse handelt, und stellen einen Masseanschluss 111G dar, bei dem es sich um einen der mehreren Masseanschlüsse handelt. Das heißt, das Halbleiterelement 101 enthält den Stromanschluss 111E und den Masseanschluss 111G.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200 enthält ein isolierendes Substrat 220. Das isolierende Substrat 220 weist eine Hauptfläche 221 und eine Hauptfläche 222 entgegengesetzt zur Hauptfläche 221 auf. Die gedruckte Leiterplatte 200 weist mehrere Lötstellen 230 auf, die auf der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 angeordnet sind. Die Lötstelle 230 ist ein Anschluss, der aus einem leitfähigen Metallmaterial wie Kupfer oder Gold hergestellt ist, und ist beispielsweise ein Signalanschluss, ein Stromanschluss, ein Masseanschluss oder ein Dummy-Anschluss. Ein Material des isolierenden Substrats 220 ist ein isolierendes Material wie ein Epoxidharz.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200 enthält einen Lötstopplack 208. Der Lötstopplack 208 ist ein Film, der aus einem Lötstopplackmaterial hergestellt ist. Der Lötstopplack 208 ist auf der Hauptfläche 221 bereitgestellt. Eine jeweilige der mehreren Lötstellen 230 ist durch einen im Lötstopplack 208 ausgebildeten Öffnungsabschnitt freigelegt. Die Lötstelle 230 kann entweder eine SMD- oder eine NSMD-Lötstelle sein, ist aber in der ersten Ausführungsform eine SMD-Lötstelle.
  • Die mehreren Lötstellen 130 enthalten eine als Stromanschluss dienende Lötstelle 130E und eine als Masseanschluss dienende Lötstelle 130G. Die mehreren Lötstellen 130 sind in Intervallen von 0,4 mm oder weniger angeordnet. Die Lötstelle 130E ist eine erste Lötstelle und die Lötstelle 130G ist eine zweite Lötstelle. Die Lötstelle 130E ist über einen auf dem isolierenden Substrat 120 ausgebildeten Durchkontaktierungsleiter 112E elektrisch mit dem Stromanschluss 111E des Halbleiterelements 101 verbunden. Die Lötstelle 130G ist über einen auf dem isolierenden Substrat 120 ausgebildeten Durchkontaktierungsleiter 112G elektrisch mit dem Masseanschluss 111G des Halbleiterelements 101 verbunden.
  • Die mehreren Lötstellen 130 enthalten eine Lötstelle 130S, die sich von den Lötstellen 130E und 130G unterscheidet. Die Lötstelle 130S ist eine Lötstelle, die als Signalanschluss, Stromanschluss, Masseanschluss oder Dummy-Anschluss dient. In der ersten Ausführungsform handelt es sich bei einer jeweiligen der mehreren Lötstellen 130S um eine fünfte Lötstelle, und bei einer jeweiligen der mehreren Lötstellen 230 um eine sechste Lötstelle. Die Lötstelle 130S und die Lötstelle 230 sind durch einen Lötbondabschnitt 193, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten dritten Lötbondabschnitt handelt, aneinander gebondet. Eine Höhe des Lötbondabschnitts 193 ist höher als eine Höhe eines später beschriebenen Kondensators 400. Insbesondere beträgt die Höhe das 1,3-fache oder weniger der Höhe des Kondensators. Dies liegt daran, dass während eines thermischen Bondprozesses ein Verzug von einer Mitte in Richtung einer Außenumfangskante des Halbleiterelements 101 auftritt.
  • Das Verarbeitungsmodul 300 enthält einen Kondensator 400, bei dem es sich um ein Beispiel einer Chipkomponente handelt. Der Kondensator 400 ist eine passive Komponente und eine Chipkomponente. Eine Größe der Chipkomponente in einer Draufsicht ist vorzugsweise eine 0402-Baugröße oder kleiner, wie z. B. eine 0402-Baugröße von 0,4 mm × 0,2 mm oder eine 0201-Baugröße von 0,25 mm × 0,125 mm. Bezeichnungen wie z. B. 0402-Baugröße und 0201-Baugröße entsprechen dem Größenbezeichnungsverfahren (mm-Standard) von elektronischen Komponenten in Japanischen Industriestandards.
    Der Kondensator 400 enthält einen Elementkörper 401, der eine im Wesentlichen rechteckige Parallelepipedform aufweist, die sich in einer Längsrichtung als ein Beispiel einer vorbestimmten Richtung erstreckt, und ein Paar Elektroden 410 und 420, die auf beiden Seiten des Elementkörpers 401 in der Längsrichtung vorgesehen sind. Das Paar Elektroden 410 und 420 ist am Elementkörper 401 in Intervallen in der Längsrichtung befestigt. In 2B und 3 ist die Längsrichtung des Kondensators 400, d. h., des Elementkörpers 401, eine X-Richtung. Eine kurze Richtung des Kondensators 400, d. h., des Elementkörpers 401, ist eine Y-Richtung. Die Y-Richtung ist eine Breitenrichtung orthogonal zur X-Richtung. Eine vertikale Richtung des Kondensators 400, d. h., des Elementkörpers 401, ist eine Z-Richtung. Die Z-Richtung ist eine Richtung orthogonal zur X-Richtung und zur Y-Richtung. Die Z-Richtung ist auch eine Richtung senkrecht zu den Hauptflächen 121, 122, 221 und 222.
  • Eine Elektrode 410 des Paars Elektroden 410 und 420 ist eine erste Elektrode, und die andere Elektrode 420 ist eine zweite Elektrode. Eine jeweilige der Elektroden 410 und 420 enthält eine Basis und einen die Basis bedeckenden äußeren Film. Ein Material des äußeren Films der Elektrode 410, 420 ist ein leitfähiges Metallmaterial wie Zinn.
  • Der Kondensator 400 ist ein Glättungskondensator. Die Elektrode 410 des Kondensators 400 ist elektrisch mit der Lötstelle 130E verbunden, und die Elektrode 420 des Kondensators 400 ist elektrisch mit der Lötstelle 130G verbunden.
  • Ein Stromversorgungsrauschen wird durch eine Induktivität eines Drahts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und dem Stromanschluss 111E und eine Induktivität eines Drahts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und dem Masseanschluss 111G erzeugt. Das Stromversorgungsrauschen bezieht sich auf eine Spannungsschwankung einer Stromversorgungsleitung, die durch den Betrieb der Halbleitervorrichtung 100 verursacht wird. Diese Spannungsschwankung tritt auf, wenn sich ein Stromversorgungsstrom aufgrund einer parasitären Induktivität oder eines parasitären Widerstands in der Stromversorgungsleitung ändert. Um das Stromversorgungsrauschen durch Verringern der Induktivität des Drahts zu verringern, ist der Kondensator 400 vorzugsweise unmittelbar unter dem Halbleiterelement 101 angeordnet, sodass der Draht zwischen dem Kondensator 400 und dem Stromanschluss 111E und der Draht zwischen dem Kondensator 400 und dem Masseanschluss 111G der Halbleitervorrichtung 100 minimiert werden. Das heißt, dass sich das Halbleiterelement 101 und der Kondensator 400 in einer Draufsicht des Verarbeitungsmoduls 300 von der Seite der Halbleitervorrichtung 100 vorzugsweise überlappen.
  • Daher ist der Kondensator 400 in der ersten Ausführungsform auf der Seite der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 der gedruckten Leiterplatte 200 angeordnet, das heißt zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und der gedruckten Leiterplatte 200. Die Elektrode 410 des Kondensators 400 ist durch einen Lötbondabschnitt 191, der ein aus Lot gebildeter erster Lötbondabschnitt ist, an die Lötstelle 130E gebondet. Die Elektrode 420 des Kondensators 400 ist durch einen Lötbondabschnitt 192, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten zweiten Lötbondabschnitt handelt, an die Lötstelle 130G gebondet. Dementsprechend ist die Elektrode 410 des Kondensators 400 durch den Lötbondabschnitt 191 elektrisch direkt mit der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 verbunden, ohne dass die gedruckte Leiterplatte 200 dazwischen angeordnet ist. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130E verringert werden. Ferner ist die Elektrode 420 des Kondensators 400 direkt durch den Lötbondabschnitt 192 elektrisch mit der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 verbunden, ohne dass die gedruckte Leiterplatte 200 dazwischen angeordnet ist. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130G verringert werden. Da die Induktivität des Drahts verringert wird, wird das erzeugte Stromversorgungsrauschen verringert, und eine Kommunikationsgeschwindigkeit in der Halbleitervorrichtung 100 kann erhöht werden.
  • In der ersten Ausführungsform befinden sich die Lötbondabschnitte 191 und 192 mit dem Lötstopplack 208 in Kontakt, befinden sich aber nicht mit der Lötstelle 230 der gedruckten Leiterplatte 200 in Kontakt.
  • 4A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht des Verarbeitungsmoduls 300 gemäß der ersten Ausführungsform. 4B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen der Halbleitervorrichtung 100, dem Kondensator 400 und der gedruckten Leiterplatte 200 bei Betrachtung in der Z-Richtung. In 4A und 4B sind Darstellungen von Lötbondabschnitten 191 und 192 weggelassen. In 4B sind die Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung durch gestrichelte Linien angezeigt.
  • Wie in 4A dargestellt, weist die Elektrode 410 drei Seitenflächen 411, 412 und 413, eine obere Fläche 414 und eine untere Fläche 415, bei denen es sich um Elektrodenflächen handelt, auf. Die Seitenflächen 411, 412 und 413, die obere Fläche 414 und die untere Fläche 415 weisen bei Betrachtung aus einer Richtung senkrecht zu einer jeweiligen Fläche rechteckige Formen auf. Unter den drei Seitenflächen 411, 412 und 413 sind die zwei Seitenflächen 412 und 413 einander in einem Intervall in der Y-Richtung gegenüberliegend. Die obere Fläche 414 und die untere Fläche 415 sind einander in einem Intervall in der Z-Richtung gegenüberliegend. Die Seitenfläche 411 ist orthogonal zu und benachbart zu den Seitenflächen 412 und 413, der oberen Fläche 414 und der unteren Fläche 415. Die Elektrode 420 weist drei Seitenflächen 421, 422 und 423, eine obere Fläche 424 und eine untere Fläche 425, bei denen es sich um Elektrodenflächen handelt, auf. Die Seitenflächen 421, 422 und 423, die obere Fläche 424 und die untere Fläche 425 weisen bei Betrachtung aus einer Richtung senkrecht zu einer jeweiligen Fläche rechteckige Formen auf. Unter den drei Seitenflächen 421, 422 und 423 sind die zwei Seitenflächen 422 und 423 einander in einem Intervall in der Y-Richtung gegenüberliegend. Die obere Fläche 424 und die untere Fläche 425 sind einander in einem Intervall in der Z-Richtung gegenüberliegend. Die Seitenfläche 421 ist orthogonal zu und benachbart zu den Seitenflächen 422 und 423, der oberen Fläche 424 und der unteren Fläche 425. Die Seitenfläche 411 der Elektrode 410 und die Seitenfläche 421 der Elektrode 420 sind so angeordnet, dass sie einander in einem Intervall in der X-Richtung gegenüberliegend sind. Die obere Fläche 414 der Elektrode 410 ist der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 415 der Elektrode 410 ist dem Lötstopplack 208 der gedruckten Leiterplatte 200 zugewandt. Die obere Fläche 424 der Elektrode 420 ist der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 ist dem Lötstopplack 208 der gedruckten Leiterplatte 200 zugewandt.
  • Wie in 4B dargestellt, sind die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G in Intervallen in der X-Richtung angeordnet. Die Lötstelle 130E überlappt zumindest einen Abschnitt der Elektrode 410 des Kondensators 400, die gesamten Elektroden 410 in der ersten Ausführungsform in einer Draufsicht, das heißt, bei Betrachtung in der Z-Richtung. Die Lötstelle 130G überlappt zumindest einen Abschnitt der Elektrode 420 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 420 in der ersten Ausführungsform, bei Betrachtung in der Z-Richtung. In der ersten Ausführungsform ist eine Fläche S130E der Lötstelle 130E bei Betrachtung in der Z-Richtung größer als eine Fläche S410 der Elektrode 410. Bei Betrachtung in der Z-Richtung ist eine Fläche S130G der Lötstelle 130G größer als eine Fläche S420 der Elektrode 420. Die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G erstrecken sich bei Betrachtung in der Z-Richtung in der X-Richtung vom Kondensator 400 nach außen.
  • Wie in 3 dargestellt, weist ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191 und 192 eine Kehlform auf, in der sich die Außenfläche - vom Lötstopplack 208 in Richtung einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G - vom Kondensator 400 weg ausbreitet. Insbesondere weist der Lötbondabschnitt 191 eine Kehlform auf, in der sich der Lötbondabschnitt 191 in der X-Richtung von der Elektrode 410, das heißt in der X1-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 191 vom Lötstopplack 208 in Richtung der Lötstelle 130E erstreckt. Der Lötbondabschnitt 192 weist eine Kehlform auf, in der sich der Lötbondabschnitt 192 in der X-Richtung von der Elektrode 420, das heißt in der X2-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 192 vom Lötstopplack 208 in Richtung der Lötstelle 130G erstreckt. Die X1-Richtung ist eine Richtung weg von der Elektrode 410 in der X-Richtung. Die X2-Richtung ist eine Richtung entgegengesetzt zur X1-Richtung in der X-Richtung und ist eine Richtung weg von der Elektrode 420. Infolgedessen nimmt die Bondfestigkeit zwischen einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G und einer jeweiligen der Elektroden 410 und 420 zu. Ferner wird, wie in 2B dargestellt, verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191 und 192 eine Form aufweist, die sich in der X-Richtung wölbt, und es wird verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191 und 192 mit dem benachbarten Lötbondabschnitt 193 kurzgeschlossen wird.
  • Wie in 4B dargestellt, weist eine jeweilige der Lötstellen 130E und 130G bei Betrachtung in der Z-Richtung eine rechteckige Form auf, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Lötstellen 130E und 130G bei Betrachtung in der Z-Richtung eine beliebige Form aufweisen, wie etwa eine polygonale Form, eine kreisförmige Form oder eine elliptische Form.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300 beschrieben. 5A bis 5F sind erläuternde Diagramme des Verfahrens zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300 gemäß der ersten Ausführungsform. Wie in 5A dargestellt, wird die gedruckte Leiterplatte 200 bereitgestellt (Schritt S1). In Schritt S1 werden auch die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 bereitgestellt. Als Nächstes werden, wie in 5B dargestellt, eine Lötpaste P1 als eine erste Lötpaste, eine Lötpaste P2 als eine zweite Lötpaste und eine Lötpaste P3 als eine dritte Lötpaste auf die gedruckte Leiterplatte 200 in Intervallen zugeführt (Schritt S2). In der ersten Ausführungsform werden in Schritt S2 die Lötpaste P1 und die Lötpaste P2 auf den Lötstopplack 208 zugeführt. In Schritt S2 wird die Lötpaste P3 auf die Lötstelle 230 der gedruckten Leiterplatte 200 zugeführt.
  • Die Lötpasten P1, P2 und P3 enthalten Lötpulver. Die Lötpasten P1, P2 und P3 können ferner eine Flusskomponente enthalten, die zum Löten erforderlich ist. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Lötpasten P1, P2 und P3 alle aus dem gleichen Material, sind aber nicht auf das gleiche Material beschränkt, solange die Lötpasten P1, P2 und P3 einen ähnlichen Schmelzpunkt aufweisen. In Schritt S2 werden die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200 durch Siebdruck unter Verwendung der Metallmaske 23 zugeführt. Das Verfahren zum Zuführen der Lötpasten P1, P2 und P3 ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200 durch einen Dispenser zugeführt werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 5C dargestellt, der in Schritt S1 bereitgestellte Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200 platziert, sodass sich die Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt befindet und sich die Elektrode 420 mit der Lötpaste P2 in Kontakt befindet (Schritt S3). Infolgedessen kommt die untere Fläche 415 der Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 mit der Lötpaste P2 in Kontakt. Es ist nicht erforderlich, Lötkugeln im Voraus an den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 anzubringen. In Schritt S3 wird der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200 unter Verwendung einer Montagevorrichtung (nicht dargestellt) angebracht. Zu diesem Zeitpunkt wird der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte positioniert und platziert, sodass die Elektrode 410 und die Lötpaste P1 einander zugewandt sind und die Elektrode 420 und die Lötpaste P2 einander zugewandt sind.
  • Als Nächstes wird, wie in 5D dargestellt, die in Schritt S1 bereitgestellte Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200 angebracht, sodass die Lötstelle 130E der Elektrode 410 zugewandt ist und die Lötstelle 130G der Elektrode 420 zugewandt ist (Schritt S4). In Schritt S4 wird die Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200 unter Verwendung einer Montagevorrichtung (nicht dargestellt) angebracht. Zu diesem Zeitpunkt wird die Halbleitervorrichtung 100 ausgerichtet und auf der gedruckten Leiterplatte platziert, sodass die Lötstelle 130E der Elektrode 410 zugewandt ist, die Lötstelle 130G der Elektrode 420 zugewandt ist und die Lötstelle 130S der Lötstelle 230 zugewandt ist. Hier werden die Lötkugeln nicht auf den Lötstellen 130E und 130G der in Schritt S1 bereitgestellten Halbleitervorrichtung 100 bereitgestellt, und Lötkugeln B werden als Kugel-Anschlüsse auf den Lötstellen 130S bereitgestellt. Daher wird die Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200 derart platziert, dass die Mitte der Lötkugel B mit der Mitte der Lötstelle 230 übereinstimmt. In Schritt S4 wird die Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200 platziert, um die auf den Lötstellen 130S ausgebildeten Lötkugeln B mit der Lötpaste P3 in Kontakt zu bringen. In 5D befinden sich die obere Fläche 414 der Elektrode 410 und die Lötstelle 130E nicht in Kontakt miteinander, und die obere Fläche 424 der Elektrode 420 und die Lötstelle 130G befinden sich nicht in Kontakt miteinander, aber diese können miteinander in Kontakt gebracht werden.
  • In Schritt S4 ist eine Positionsbeziehung zwischen der gedruckten Leiterplatte 200, dem Kondensator 400 und der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung aus der Z-Richtung wie in 4B dargestellt. Wenn der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200 platziert wird, überlappt eine jeweilige der Lötstelle 130E und der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der Elektrode 410 und der Elektrode 420 und erstreckt sich in der X-Richtung vom Kondensator 400 nach außen.
  • Als Nächstes wird in einem Zustand, in dem die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200 platziert sind, die gedruckte Leiterplatte 200 zu einem Aufschmelzofen (nicht dargestellt) befördert. Dann wird in in 5E dargestelltem Schritt S5-1 eine Temperatur der Atmosphäre im Aufschmelzofen auf eine Temperatur eingestellt, die gleich oder höher als der Schmelzpunkt des Lots ist, und die Lötpasten P1, P2 und P3 und die Lötkugel B von 5D werden wie in 5E dargestellt geschmolzen. Die Lötpaste P1 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M1 zu bilden, und die Lötpaste P2 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M2 zu bilden. Wenn die Lötpaste P3 und die Lötkugel B geschmolzen sind, wird ein fließfähiges geschmolzenes Lot M3 erhalten.
  • Anschließend an Schritt S5-1 wird in in 5F dargestelltem Schritt S5-2 das Erwärmen fortgesetzt, um zu bewirken, dass die geschmolzenen Lote M1 und M2 fließen. Da die Elektrode 410, 420 eine bessere Benetzbarkeit für das geschmolzene Lot aufweist als der Lötstopplack 208, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 die Seitenflächen 411 und 421 in einer Aufwärtsrichtung hoch, die durch einen wie in 5E dargestellten Pfeil Z1 angezeigt wird. Danach bewegen sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 aufgrund der Benetzungsverteilungseigenschaft zu den oberen Flächen 414 und 424, wie in 5F dargestellt. Obwohl in 5E nicht dargestellt, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 auch in der durch den Pfeil Z1 angezeigten Aufwärtsrichtung auf den Seitenflächen 412 und 413 der Elektrode 410 und den Seitenflächen 422 und 423 der Elektrode 420 hoch.
  • Außerdem wird der Kondensator 400 durch die geschmolzenen Lote M1 und M2 in Richtung der Halbleitervorrichtung 100 nach oben gedrückt, der Abstand zwischen der oberen Fläche 414 der Elektrode 410 und der Lötstelle 130E wird verringert, und der Abstand zwischen der oberen Fläche 424 der Elektrode 420 und der Lötstelle 130G wird verringert. Die die oberen Flächen 414 und 424 erreichenden geschmolzenen Lote M1 und M2 kommen mit den Lötstellen 130E und 130G in Kontakt, benetzungsverteilen sich auf den Lötstellen 130E und 130G und weisen eine Kehlform auf, in der sich der Rand erweitert, während er vom Lötstopplack 208 in Richtung der Lötstellen 130E und 130G verläuft.
  • Danach werden die geschmolzenen Lote M1 und M2, die an jeder Ecke der Lötstellen 130E und 130G benetzungsverteilt sind, abgekühlt und verfestigt. Als ein Ergebnis wird das geschmolzene Lot M1 in einer Kehlform auf der Lötstelle 130E abgekühlt und verfestigt. Das geschmolzene Lot M2 wird in einer Kehlform auf der Lötstelle 130G abgekühlt und verfestigt. Gleichzeitig wird auch das geschmolzene Lot M3 abgekühlt und verfestigt. Infolgedessen wird, wie in 3 dargestellt, der Lötbondabschnitt 191, in dem die Lötstelle 130E und die Elektrode 410 durch Lot gebondet sind, ausgebildet, und der Lötbondabschnitt 192, in dem die Lötstelle 130G und die Elektrode 420 durch Lot gebondet sind, wird ausgebildet. Außerdem wird der Lötbondabschnitt 193, in dem die Lötstelle 130S und die Lötstelle 230 durch Lot gebondet sind, ausgebildet. Wie oben beschrieben, wird das in 3 dargestellte Verarbeitungsmodul 300 hergestellt.
  • Danach wird das in 3 dargestellte Verarbeitungsmodul 300 im in 1 dargestellten Gehäuse 611 untergebracht, wodurch der Kamerakörper 601, das heißt die Digitalkamera 600, hergestellt wird.
  • Wie oben beschrieben, kann durch Schmelzen der der gedruckten Leiterplatte 200 zugeführten Lötpasten P1 und P2 das Lot den Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 über die Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 zugeführt werden. Infolgedessen ist es nicht erforderlich, Lötkugeln auf den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 im Voraus zu bilden, und der Prozess zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300 kann verschlankt werden. Da das Verarbeitungsmodul 300 leicht hergestellt werden kann, wird daher die Produktivität des Verarbeitungsmoduls 300 verbessert.
  • Wenn die Benetzbarkeit des Lots in den Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 F1 ist und die Benetzbarkeit des Lots in den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 F2 ist, wird hier vorzugsweise eine Beziehung F1 ≥ F2 erfüllt. Indem beispielsweise Gold als das Material der Oberfläche der Lötstelle 130 verwendet wird, d. h. das Material der Flächen der Lötstellen 130E und 130G, wird die Beziehung F1 ≥ F2 hergestellt, und die geschmolzenen Lote M1 und M2 benetzungsverteilen sich leicht in den Lötstellen 130E und 130G. Als Ergebnis neigen die Lötbondabschnitte 191 und 192 dazu, eine Kehlform auf den Lötstellen 130E und 130G aufzuweisen. Selbst wenn die Menge an Lot in den Lötbondabschnitten 191 und 192 verringert wird, können daher die Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 und die Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 zuverlässig verbunden werden. Selbst wenn die Lötstellen 130 der Halbleitervorrichtung 100 mit einer hohen Dichte angeordnet sind, kann dementsprechend verhindert werden, dass ein Bondversagen auftritt.
  • Zweite Ausführungsform
  • Eine zweite Ausführungsform wird beschrieben. 6 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt eines Verarbeitungsmoduls gemäß der zweiten Ausführungsform vergrößert ist. 6 stellt schematisch einen Querschnitt eines Verarbeitungsmoduls 300A gemäß der zweiten Ausführungsform dar. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Komponenten wie jene der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre ausführliche Beschreibung wird weggelassen.
  • Das Verarbeitungsmodul 300A gemäß der zweiten Ausführungsform enthält die Halbleitervorrichtung 100 mit der gleichen Konfiguration wie jene der ersten Ausführungsform und eine gedruckte Leiterplatte 200A. Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform sind die die erste Lötstelle darstellende Lötstelle 130E, die die die zweite Lötstelle darstellende Lötstelle 130G und die die fünfte Lötstelle darstellende Lötstelle 130S auf der Hauptfläche 122 des isolierenden Substrats 120 angeordnet, das in der Halbleitervorrichtung 100 enthalten ist.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200A enthält das isolierende Substrat 220, welches demjenigen der ersten Ausführungsform ähnelt. Das isolierende Substrat 220 weist eine Hauptfläche 221 und eine Hauptfläche 222 entgegengesetzt zur Hauptfläche 221 auf. Die gedruckte Leiterplatte 200A enthält eine eine dritte Lötstelle darstellende Lötstelle 230E, eine eine vierte Lötstelle darstellende Lötstelle 230G und eine eine sechste Lötstelle darstellende Lötstelle 230S, die auf der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 angeordnet sind.
  • Die Lötstellen 230E, 230G und 230S sind Anschlüsse, die aus einem leitfähigen Metallmaterial wie Kupfer oder Gold gebildet sind. Bei der Lötstelle 230E handelt es sich um einen Stromanschluss und bei der Lötstelle 230G um einen Masseanschluss. Die Lötstelle 230S ist ein Signalanschluss, ein Stromanschluss, ein Masseanschluss oder ein Dummy-Anschluss. Ein auf dem isolierenden Substrat 220 ausgebildeter Durchkontaktierungsleiter 212E ist mit der Lötstelle 230E verbunden. Der auf dem isolierenden Substrat 220 ausgebildete Durchkontaktierungsleiter 212G ist mit der Lötstelle 230G verbunden.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200A enthält den Lötstopplack 208A. Der Lötstopplack 208A ist ein Film, der aus einem Lötstopplackmaterial hergestellt ist. Der Lötstopplack 208A ist auf der Hauptfläche 221 bereitgestellt. Die Lötstelle 230S ist durch einen im Lötstopplack 208A ausgebildeten Öffnungsabschnitt freigelegt. Die Lötstelle 230E und die Lötstelle 230G sind durch einen im Lötstopplack 208A ausgebildeten Öffnungsabschnitt HA freigelegt. Es sei angemerkt, dass eine jeweilige der Lötstelle 230E und der Lötstelle 230G durch einen jeweiligen von zwei unabhängig ausgebildeten Öffnungsabschnitten freigelegt sein kann.
  • Die Lötstelle 130E und die Lötstelle 230E sind durch einen Lötbondabschnitt 191A, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten ersten Lötbondabschnitt handelt, aneinander gebondet. Die Lötstelle 130G und die Lötstelle 230G sind durch einen Lötbondabschnitt 192A, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten zweiten Lötbondabschnitt handelt, gebondet. Die Lötstelle 130S und die Lötstelle 230S sind durch einen Lötbondabschnitt 193A, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten dritten Lötbondabschnitt handelt, aneinander gebondet.
  • Das Verarbeitungsmodul 300A enthält einen Kondensator 400, der wie bei der ersten Ausführungsform als Glättungskondensator verwendet wird. Der Kondensator 400 ist auf der Seite der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 der gedruckten Leiterplatte 200A angeordnet, das heißt zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und der gedruckten Leiterplatte 200A. Die Elektrode 410 des Kondensators 400 ist durch den Lötbondabschnitt 191A an die Lötstelle 130E gebondet. Die Elektrode 420 des Kondensators 400 ist durch den Lötbondabschnitt 192A an die Lötstelle 130G gebondet. Somit ist die Elektrode 410 des Kondensators 400 durch den Lötbondabschnitt 191A elektrisch direkt mit der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130E verringert werden. Ferner ist die Elektrode 420 des Kondensators 400 durch den Lötbondabschnitt 192A elektrisch direkt mit der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130G verringert werden. Da die Induktivität des Drahts verringert wird, wird das erzeugte Stromversorgungsrauschen verringert, und eine Kommunikationsgeschwindigkeit in der Halbleitervorrichtung 100 kann erhöht werden.
  • In der zweiten Ausführungsform ist die Lötstelle 230E durch den Lötbondabschnitt 191A elektrisch mit der Lötstelle 130E verbunden. Die Lötstelle 230G ist durch den Lötbondabschnitt 192A elektrisch mit der Lötstelle 130E verbunden. Ein Stromversorgungs-IC (nicht dargestellt), der elektrisch mit den in 6 dargestellten Durchkontaktierungsleitern 212E und 212G verbunden ist, ist auf der gedruckten Leiterplatte 200A angebracht. Der Stromversorgungs-IC kann dem Halbleiterelement 101 der Halbleitervorrichtung 100 über den Lötbondabschnitt 191A und den Lötbondabschnitt 192A Strom zuführen.
  • 7A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht des Verarbeitungsmoduls 300A gemäß der zweiten Ausführungsform. 7B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen der Halbleitervorrichtung 100, dem Kondensator 400 und der gedruckten Leiterplatte 200A bei Betrachtung in der Z-Richtung. In 7A und 7B sind Darstellungen von Lötbondabschnitten 191A und 192A weggelassen. In 7B sind die Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung durch gestrichelte Linien angezeigt.
  • Wie in 7A dargestellt, ist die obere Fläche 414 der Elektrode 410 der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 415 der Elektrode 410 ist der Lötstelle 230E der gedruckten Leiterplatte 200A zugewandt. Die obere Fläche 424 der Elektrode 420 ist der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 ist der Lötstelle 230G der gedruckten Leiterplatte 200A zugewandt.
  • Wie in 7B dargestellt, sind die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G in Intervallen in der X-Richtung angeordnet. Die Lötstelle 130E überlappt bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Elektrode 410 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 410 in der zweiten Ausführungsform. Die Lötstelle 130G überlappt bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Elektrode 420 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 420 in der zweiten Ausführungsform. Die Lötstelle 230E und die Lötstelle 230G sind in Intervallen in der X-Richtung angeordnet. Die Lötstelle 230E überlappt bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Elektrode 410 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 410 in der zweiten Ausführungsform. Die Lötstelle 230G überlappt bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Elektrode 420 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 420 in der zweiten Ausführungsform. Außerdem überlappt die Lötstelle 130E bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Lötstelle 230E, die gesamte Lötstelle 230E in der zweiten Ausführungsform. Außerdem überlappt die Lötstelle 130G bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt der Lötstelle 230G, die gesamte Lötstelle 230G in der zweiten Ausführungsform. In der zweiten Ausführungsform ist die Fläche S130E der Lötstelle 130E bei Betrachtung in der Z-Richtung größer als die Fläche S410 der Elektrode 410. Bei Betrachtung in der Z-Richtung ist eine Fläche S130G der Lötstelle 130G größer als eine Fläche S420 der Elektrode 420. Die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G erstrecken sich bei Betrachtung in der Z-Richtung in der X-Richtung vom Kondensator 400 nach außen.
  • In der zweiten Ausführungsform ist, wie in 7B dargestellt, die Fläche S130E der Lötstelle 130E bei Betrachtung in der Z-Richtung größer als die Fläche S230E der Lötstelle 230E. Bei Betrachtung in der Z-Richtung ist die Fläche S130G der Lötstelle 130G größer als die Fläche S230G der Lötstelle 230G. Ferner ist, bei Betrachtung in der Z-Richtung, eine Fläche SHA des Öffnungsabschnitt HA größer als eine Fläche S400 des Kondensators 400.
  • Wie in 6 dargestellt, weist ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191A und 192A eine Kehlform auf, in der sich die Außenfläche vom Kondensator 400 weg ausbreitet, während sich ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191A und 192A von einer jeweiligen der Lötstellen 230E und 230G in Richtung einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G erstreckt. Insbesondere weist der Lötbondabschnitt 191A eine Kehlform auf, die sich in der X-Richtung von der Elektrode 410, das heißt in der X1-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 191A von der Lötstelle 230E in Richtung der Lötstelle 130E erstreckt. Der Lötbondabschnitt 192A weist eine Kehlform auf, die sich in der X-Richtung von der Elektrode 420, das heißt in der X2-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 192A von der Lötstelle 230G in Richtung der Lötstelle 130G erstreckt. Die X1-Richtung ist eine Richtung weg von der Elektrode 410 in der X-Richtung. Die X2-Richtung ist eine Richtung entgegengesetzt zur X1-Richtung in der X-Richtung und ist eine Richtung weg von der Elektrode 420. Als Ergebnis nimmt die Bondfestigkeit zwischen einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G und einer jeweiligen der Elektroden 410 und 420 zu. Ferner wird verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191A und 192A eine Form aufweist, die sich in der X-Richtung wölbt, und es wird verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191A und 192A mit dem benachbarten Lötbondabschnitt 193A kurzgeschlossen wird.
  • Wie in 7B dargestellt, weist eine jeweilige der Lötstellen 230E und 230G bei Betrachtung in der Z-Richtung eine rechteckige Form auf, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Lötstellen 230E und 230G bei Betrachtung in der Z-Richtung eine beliebige Form aufweisen, wie etwa eine polygonale Form, eine kreisförmige Form oder eine elliptische Form.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300A beschrieben. 8A bis 8F sind erläuternde Diagramme eines Verfahrens zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300A gemäß der zweiten Ausführungsform. Wie in 8A dargestellt, wird die gedruckte Leiterplatte 200A bereitgestellt (Schritt S11). In Schritt S11 werden auch die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 bereitgestellt. Als Nächstes werden, wie in 8B dargestellt, die die erste Lötpaste darstellende Lötpaste P1, die die zweite Lötpaste darstellende Lötpaste P2 und die die dritte Lötpaste darstellende Lötpaste P3 auf die gedruckte Leiterplatte 200A in Intervallen zugeführt (Schritt S12). In der zweiten Ausführungsform wird in Schritt S12 die Lötpaste P1 auf die Lötstelle 230E zugeführt, die durch den im Lötstopplack 208A ausgebildeten Öffnungsabschnitt HA freigelegt ist. Außerdem wird die Lötpaste P2 auf die Lötstelle 230G zugeführt, die durch den im Lötstopplack 208A ausgebildeten Öffnungsabschnitt HA freigelegt ist. In Schritt S12 wird die Lötpaste P3 auf die Lötstelle 230S der gedruckten Leiterplatte 200A zugeführt.
  • In Schritt S12 werden die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200A durch Siebdruck unter Verwendung der Metallmaske 23 zugeführt. Das Verfahren zum Zuführen der Lötpasten P1, P2 und P3 ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200A durch einen Dispenser zugeführt werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 8C dargestellt, der in Schritt S11 bereitgestellte Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200A platziert, sodass sich die Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt befindet und sich die Elektrode 420 mit der Lötpaste P2 in Kontakt befindet (Schritt S13). Infolgedessen kommt die untere Fläche 415 der Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 kommt mit der Lötpaste P2 in Kontakt. Es ist nicht erforderlich, Lötkugeln im Voraus an den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 anzubringen.
  • Als Nächstes wird, wie in 8D dargestellt, die in Schritt S11 bereitgestellte Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200A angebracht, sodass die Lötstelle 130E der Elektrode 410 zugewandt ist und die Lötstelle 130G der Elektrode 420 zugewandt ist (Schritt S14). In Schritt S14 wird die Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200A platziert, um die Lötkugeln B, die auf den Lötstellen 130S bereitgestellte Kugel-Anschlüsse sind, mit der Lötpaste P3 in Kontakt zu bringen. In 8D befinden sich die obere Fläche 414 der Elektrode 410 und die Lötstelle 130E und die obere Fläche 424 der Elektrode 420 und die Lötstelle 130G nicht in Kontakt miteinander, aber diese können miteinander in Kontakt gebracht werden.
  • In Schritt S14 ist die Positionsbeziehung zwischen der gedruckten Leiterplatte 200A, dem Kondensator 400 und der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung aus der Z-Richtung wie in 7B dargestellt. Wenn der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200A platziert wird, überlappt eine jeweilige der Lötstelle 130E und der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der Elektrode 410 und der Elektrode 420 und erstreckt sich vom Kondensator 400 in der X-Richtung nach außen.
  • Als Nächstes wird in einem Zustand, in dem die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200A platziert sind, die gedruckte Leiterplatte 200A zu einem Aufschmelzofen (nicht dargestellt) befördert. Dann wird in in 8E dargestelltem Schritt S15-1 die Temperatur der Atmosphäre im Aufschmelzofen auf eine Temperatur eingestellt, die gleich oder höher als der Schmelzpunkt des Lots ist, und die Lötpasten P1, P2 und P3 und die Lötkugel B von 8D werden wie in 8E dargestellt geschmolzen. Die Lötpaste P1 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M1 zu bilden, und die Lötpaste P2 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M2 zu bilden. Wenn die Lötpaste P3 und die Lötkugel B geschmolzen sind, wird ein fließfähiges geschmolzenes Lot M3 erhalten.
  • Anschließend an Schritt S15-1 wird in in 8F dargestelltem Schritt S15-2 das Erwärmen fortgesetzt, um zu bewirken, dass die geschmolzenen Lote M1 und M2 fließen. Wie in 8E dargestellt, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 die Seitenflächen 411 und 421 in der durch den Pfeil Z1 angezeigten Aufwärtsrichtung hoch. Danach bewegen sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 zu den oberen Flächen 414 und 424, wie in 8F dargestellt. Obwohl nicht in 8E dargestellt, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 auch in der durch den Pfeil Z1 angezeigten Aufwärtsrichtung auf den Seitenflächen 412 und 413 der Elektrode 410 und den Seitenflächen 422 und 423 der Elektrode 420 hoch.
  • Außerdem wird der Kondensator 400 durch die geschmolzenen Lote M1 und M2 in Richtung der Halbleitervorrichtung 100 nach oben gedrückt, der Abstand zwischen der oberen Fläche 414 der Elektrode 410 und der Lötstelle 130E wird verringert, und der Abstand zwischen der oberen Fläche 424 der Elektrode 420 und der Lötstelle 130G wird verringert. Die die oberen Flächen 414 und 424 erreichenden geschmolzenen Lote M1 und M2 kommen mit den Lötstellen 130E und 130G in Kontakt, benetzungsverteilen sich auf den Lötstellen 130E und 130G und weisen eine Kehlform auf, in der sich die Schürze erweitert, während sie vom Lötstopplack 208A in Richtung der Lötstellen 130E und 130G verläuft.
  • Danach werden die geschmolzenen Lote M1 und M2, die an jeder Ecke der Lötstellen 130E und 130G benetzungsverteilt sind, abgekühlt und verfestigt. Als Ergebnis wird das geschmolzene Lot M1 in einer Kehlform auf der Lötstelle 130E abgekühlt und verfestigt. Das geschmolzene Lot M2 wird in einer Kehlform auf der Lötstelle 130G abgekühlt und verfestigt. Gleichzeitig wird auch das geschmolzene Lot M3 abgekühlt und verfestigt. Als Ergebnis werden die Lötbondabschnitte 191A, 192A und 193A ausgebildet, wie in 6 dargestellt. Wie oben beschrieben, wird das in 6 dargestellte Verarbeitungsmodul 300A hergestellt.
  • Danach wird das in 6 dargestellte Verarbeitungsmodul 300A im in 1 dargestellten Gehäuse 611 untergebracht, wodurch ein Kamerakörper einer Digitalkamera hergestellt wird, die ein Beispiel für das elektronische Gerät ist.
  • Wie oben beschrieben, kann durch Schmelzen der der gedruckten Leiterplatte 200A zugeführten Lötpasten P1 und P2 das Lot den Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 über die Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 zugeführt werden. Infolgedessen ist es nicht erforderlich, Lötkugeln auf den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 im Voraus zu bilden, und der Prozess zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300A kann verschlankt werden. Da das Verarbeitungsmodul 300A leicht hergestellt werden kann, wird daher die Produktivität des Verarbeitungsmoduls 300A verbessert.
  • Außerdem sind die Lötstelle 130E und die Lötstelle 230E durch den Lötbondabschnitt 191A elektrisch verbunden, und die Lötstelle 130G und die Lötstelle 230G sind durch den Lötbondabschnitt 192A elektrisch verbunden. Infolgedessen können die Lötbondabschnitte 191A und 192A zum Bonden des Kondensators 400 an die Halbleitervorrichtung 100 als Stromversorgungsleitungen zum Zuführen von Strom zum Halbleiterelement 101 der Halbleitervorrichtung 100 verwendet werden. Dies erhöht den Freiheitsgrad des Schaltungsentwurfs im Verarbeitungsmodul 300A.
  • In der zweiten Ausführungsform sind, wie in 7B dargestellt, die Flächen S130E und S130G der Lötstellen 130E und 130G bei Betrachtung in der Z-Richtung größer als die Flächen S230E und S230G der Lötstellen 230E und 230G. Da die geschmolzenen Lote M1 und M2 in den Lötstellen 130E und 130G leicht benetzungsverteilt werden, ist es möglich, mehr der geschmolzenen Lote M1 und M2 anzuregen, sich unter Verwendung dieser Eigenschaft zu den Lötstellen 130E und 130G zu bewegen. Selbst wenn es eine Variation der Zuführmenge der Lötpasten P1 und P2 gibt, nimmt infolgedessen die zulässige Menge für die Variation der Lötpasten P1 und P2 zu, wenn die Flächen der Lötstellen 130E und 130G breiter sind. Daher ist es möglich, eine Erzeugung von Seitenkugeln und dergleichen in den Lötbondabschnitten 191A und 192A zu verhindern, und infolgedessen ist es möglich, Kurzschlussdefekte in den Lötbondabschnitten 191A und 192A zu verhindern.
  • Dritte Ausführungsform
  • Eine dritte Ausführungsform wird beschrieben. 9 ist eine schematische Querschnittsansicht, in der ein Abschnitt des Verarbeitungsmoduls gemäß der dritten Ausführungsform vergrößert ist. 9 stellt schematisch einen Querschnitt eines Verarbeitungsmoduls 300B gemäß der dritten Ausführungsform dar. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Komponenten wie jene der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und ihre ausführliche Beschreibung wird weggelassen.
  • Das Verarbeitungsmodul 300B gemäß der dritten Ausführungsform enthält die Halbleitervorrichtung 100 mit der gleichen Konfiguration wie jene der ersten Ausführungsform und eine gedruckte Leiterplatte 200B. Ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform sind die die erste Lötstelle darstellende Lötstelle 130E, die die zweite Lötstelle darstellende Lötstelle 130G und die die fünfte Lötstelle darstellende Lötstelle 130S auf der Hauptfläche 122 des isolierenden Substrats 120 angeordnet, das in der Halbleitervorrichtung 100 enthalten ist.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200B weist das isolierende Substrat 220, welches demjenigen der ersten Ausführungsform ähnelt, auf. Das isolierende Substrat 220 weist eine Hauptfläche 221 und eine Hauptfläche 222 entgegengesetzt zur Hauptfläche 221 auf. Die Lötstelle 230 ist wie bei der ersten Ausführungsform auf der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 angeordnet.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200B enthält einen Lötstopplack 208B. Der Lötstopplack 208B ist ein Film, der aus einem Lötstopplackmaterial hergestellt ist. Der Lötstopplack 208B ist auf der Hauptfläche 221 bereitgestellt. Die Lötstelle 230 ist durch einen Öffnungsabschnitt freigelegt, der im Lötstopplack 208B ausgebildet ist.
  • Das Verarbeitungsmodul 300B enthält den Kondensator 400, der wie bei der ersten Ausführungsform als Glättungskondensator verwendet wird. Der Kondensator 400 ist auf der Seite der Hauptfläche 221 des isolierenden Substrats 220 der gedruckten Leiterplatte 200B angeordnet, das heißt zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und der gedruckten Leiterplatte 200B. Die Elektrode 410 des Kondensators 400 ist durch einen Lötbondabschnitt 191B, bei dem es sich um einen aus Lot gebildeten ersten Lötbondabschnitt handelt, an die Lötstelle 130E gebondet. Die Elektrode 420 des Kondensators 400 ist durch einen Lötbondabschnitt 192B, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten zweiten Lötbondabschnitt handelt, an die Lötstelle 130G gebondet. Somit ist die Elektrode 410 des Kondensators 400 durch den Lötbondabschnitt 191B elektrisch direkt mit der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130E verringert werden. Die Elektrode 420 des Kondensators 400 ist durch den Lötbondabschnitt 192B elektrisch direkt mit der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Daher kann die Induktivität des Drahts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130G verringert werden. Da die Induktivität des Drahts verringert wird, wird das erzeugte Stromversorgungsrauschen verringert, und eine Kommunikationsgeschwindigkeit in der Halbleitervorrichtung 100 kann erhöht werden.
  • Die Lötstelle 130S und die Lötstelle 230 sind durch einen Lötbondabschnitt 193B, bei dem es sich um einen aus Lot hergestellten dritten Lötbondabschnitt handelt, aneinander gebondet. In der dritten Ausführungsform weist der Lötstopplack 208B einen Öffnungsabschnitt HB auf, der einen Abschnitt 221B der Hauptfläche 221 freilegt.
  • 10A ist eine perspektivische Explosionsteilansicht des Verarbeitungsmoduls 300B gemäß der dritten Ausführungsform. 10B ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer Anordnungsbeziehung zwischen der Halbleitervorrichtung 100, dem Kondensator 400 und der gedruckten Leiterplatte 200B bei Betrachtung in der Z-Richtung. In 10A und 10B sind die Lötbondabschnitte 191B und 192B nicht dargestellt. In 10B sind die Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung durch gestrichelte Linien angezeigt.
  • Wie in 10A dargestellt, ist die obere Fläche 414 der Elektrode 410 der Lötstelle 130E der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 415 der Elektrode 410 ist dem Abschnitt 221B der Hauptfläche 221 der gedruckten Leiterplatte 200B zugewandt. Die obere Fläche 424 der Elektrode 420 ist der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 zugewandt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 ist dem Abschnitt 221B der gedruckten Leiterplatte 200B zugewandt.
  • Wie in 10B dargestellt, sind die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G in Intervallen in der X-Richtung angeordnet. Die Lötstelle 130E überlappt mindestens einen Abschnitt der Elektrode 410 des Kondensators 400, die gesamte Elektrode 410 in der dritten Ausführungsform in einer Draufsicht, das heißt, bei Betrachtung in der Z-Richtung. Bei Betrachtung in der Z-Richtung überlappt die Lötstelle 130G mindestens einen Abschnitt der Elektrode 420 des Kondensators 400 und in der dritten Ausführungsform die gesamte Elektrode 420. In der dritten Ausführungsform ist die Fläche S130E der Lötstelle 130E größer als die Fläche S410 der Elektrode 410 bei Betrachtung in der Z-Richtung. Bei Betrachtung in der Z-Richtung ist eine Fläche S130G der Lötstelle 130G größer als eine Fläche S420 der Elektrode 420. Die Lötstelle 130E und die Lötstelle 130G erstrecken sich bei Betrachtung in der Z-Richtung in der X-Richtung vom Kondensator 400 nach außen.
  • Wie in 9 dargestellt, weist ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191B und 192B eine Kehlform auf, in der sich die Außenfläche vom Kondensator 400 weg ausbreitet, während sich ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191B und 192B vom Abschnitt 221B, der durch den Öffnungsabschnitt HB freigelegt ist, in Richtung einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G erstreckt. Insbesondere weist der Lötbondabschnitt 191B eine Kehlform auf, die sich in der X-Richtung von der Elektrode 410, das heißt in der X1-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 191B vom durch den Öffnungsabschnitt HB freigelegten Abschnitt 221B in Richtung der Lötstelle 130E erstreckt. Der Lötbondabschnitt 192B weist eine Kehlform auf, die sich in der X-Richtung von der Elektrode 420, das heißt in der X2-Richtung, nach außen ausbreitet, während sich der Lötbondabschnitt 192B vom durch den Öffnungsabschnitt HB freigelegten Abschnitt 221B in Richtung der Lötstelle 130G erstreckt. Die X1-Richtung ist eine Richtung weg von der Elektrode 410 in der X-Richtung. Die X2-Richtung ist eine Richtung entgegengesetzt zur X1-Richtung in der X-Richtung und ist eine Richtung weg von der Elektrode 420. Als Ergebnis nimmt die Bondfestigkeit zwischen einer jeweiligen der Lötstellen 130E und 130G und einer jeweiligen der Elektroden 410 und 420 zu. Außerdem wird verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191B und 192B eine Form aufweist, die sich in der X-Richtung wölbt, und es wird verhindert, dass ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 191B und 192B mit dem benachbarten Lötbondabschnitt 193B kurzgeschlossen wird.
  • In der dritten Ausführungsform ist, wie in 10B dargestellt, die Fläche SHB des Öffnungsabschnitts HB, das heißt die Fläche S221B des durch den Öffnungsabschnitt HB freigelegten Abschnitts 221B, bei Betrachtung in der Z-Richtung größer als die Fläche S400 des Kondensators 400. Daher wird, wie in 9 dargestellt, ein Abschnitt des Kondensators 400 in der Z-Richtung in den Öffnungsabschnitt HB eingesetzt, und der Abstand zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und der gedruckten Leiterplatte 200B wird verringert.
  • Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300B beschrieben. 11A bis 11F sind erläuternde Diagramme des Verfahrens zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300B gemäß der dritten Ausführungsform. Wie in 11A dargestellt, wird die gedruckte Leiterplatte 200B bereitgestellt (Schritt S21). In Schritt S21 werden auch die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 bereitgestellt. Als Nächstes werden, wie in 11B dargestellt, die die erste Lötpaste darstellende Lötpaste P1, die die zweite Lötpaste darstellende Lötpaste P2 und die die dritte Lötpaste darstellende Lötpaste P3 auf die gedruckte Leiterplatte 200B in Intervallen zugeführt (Schritt S22). In der dritten Ausführungsform werden in Schritt S22 die Lötpasten P1 und P2 auf den Abschnitt 221B zugeführt, der durch den im Lötstopplack 208B ausgebildeten Öffnungsabschnitt HB in Intervallen freigelegt ist. In Schritt S22 wird die Lötpaste P3 auf die Lötstelle 230 der gedruckten Leiterplatte 200B zugeführt.
  • In Schritt S22 werden die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200B durch Siebdruck unter Verwendung der Metallmaske 23 zugeführt. Das Verfahren zum Zuführen der Lötpasten P1, P2 und P3 ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise können die Lötpasten P1, P2 und P3 der gedruckten Leiterplatte 200B durch einen Dispenser zugeführt werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 11C dargestellt, der in Schritt S21 bereitgestellte Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200B platziert, sodass sich die Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt befindet und sich die Elektrode 420 mit der Lötpaste P2 in Kontakt befindet (Schritt S23). Infolgedessen kommt die untere Fläche 415 der Elektrode 410 mit der Lötpaste P1 in Kontakt und die untere Fläche 425 der Elektrode 420 kommt mit der Lötpaste P2 in Kontakt. Es ist nicht erforderlich, Lötkugeln im Voraus an den Elektroden 410 und 420 des Kondensators 400 anzubringen.
  • Als Nächstes wird, wie in 11D dargestellt, die in Schritt S21 bereitgestellte Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200B angebracht, sodass die Lötstelle 130E der Elektrode 410 zugewandt ist und die Lötstelle 130G der Elektrode 420 zugewandt ist (Schritt S24). In Schritt S24 wird die Halbleitervorrichtung 100 auf der gedruckten Leiterplatte 200B platziert, um die Lötkugeln B, die auf den Lötstellen 130S bereitgestellte Kugel-Anschlüsse sind, mit der Lötpaste P3 in Kontakt zu bringen. In 11D befinden sich die obere Fläche 414 der Elektrode 410 und die Lötstelle 130E und die obere Fläche 424 der Elektrode 420 und die Lötstelle 130G nicht in Kontakt miteinander, aber diese können sich in Kontakt miteinander befinden.
  • In Schritt S24 ist die Positionsbeziehung zwischen der gedruckten Leiterplatte 200B, dem Kondensator 400 und der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung aus der Z-Richtung wie in 10B dargestellt. Wenn der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200B platziert wird, überlappt eine jeweilige der Lötstelle 130E und der Lötstelle 130G der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung in der Z-Richtung mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der Elektrode 410 und der Elektrode 420 und erstreckt sich vom Kondensator 400 in der X-Richtung nach außen.
  • Als Nächstes wird in einem Zustand, in dem die Halbleitervorrichtung 100 und der Kondensator 400 auf der gedruckten Leiterplatte 200B platziert sind, die gedruckte Leiterplatte 200B zu einem Aufschmelzofen (nicht dargestellt) befördert. Dann wird in in 11E dargestelltem Schritt S25-1 die Temperatur der Atmosphäre im Aufschmelzofen auf eine Temperatur eingestellt, die gleich oder höher als der Schmelzpunkt des Lots ist, und die Lötpasten P1, P2 und P3 und die Lötkugel B in 11D werden wie in 11E dargestellt geschmolzen. Die Lötpaste P1 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M1 zu bilden, und die Lötpaste P2 wird geschmolzen, um ein fließfähiges geschmolzenes Lot M2 zu bilden. Wenn die Lötpaste P3 und die Lötkugel B geschmolzen sind, wird ein fließfähiges geschmolzenes Lot M3 erhalten.
  • Anschließend an Schritt S25-1 wird in in 11F dargestelltem Schritt S25-2 das Erwärmen fortgesetzt, um zu bewirken, dass die geschmolzenen Lote M1 und M2 fließen. Wie in 11E dargestellt, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 die Seitenflächen 411 und 421 in der durch den Pfeil Z1 angezeigten Aufwärtsrichtung hoch. Danach bewegen sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 zu den oberen Flächen 414 und 424, wie in 11F dargestellt. Obwohl nicht in 11 dargestellt, kriechen die geschmolzenen Lote M1 und M2 auch in der durch den Pfeil Z1 angezeigten Aufwärtsrichtung auf der Seitenfläche 412, 413 der Elektrode 410 und den Seitenflächen 422 und 423 der Elektrode 420 hoch.
  • Außerdem wird der Kondensator 400 durch die geschmolzenen Lote M1 und M2 in Richtung der Halbleitervorrichtung 100 nach oben gedrückt, der Abstand zwischen der oberen Fläche 414 der Elektrode 410 und der Lötstelle 130E wird verringert, und der Abstand zwischen der oberen Fläche 424 der Elektrode 420 und der Lötstelle 130G wird verringert. Die die oberen Flächen 414 und 424 erreichenden geschmolzenen Lote M1 und M2 kommen mit den Lötstellen 130E und 130G in Kontakt, benetzungsverteilen sich auf den Lötstellen 130E und 130G und weisen eine Kehlform auf, in der sich die Schürze erweitert, während sie vom Lötstopplack 208B in Richtung der Lötstellen 130E und 130G verläuft.
  • Danach werden die geschmolzenen Lote M1 und M2, die an den Lötstellen 130E und 130G benetzungsverteilt sind, abgekühlt und verfestigt. Als Ergebnis wird das geschmolzene Lot M1 in einer Kehlform auf der Lötstelle 130E abgekühlt und verfestigt. Das geschmolzene Lot M2 wird in einer Kehlform auf der Lötstelle 130G abgekühlt und verfestigt. Gleichzeitig wird auch das geschmolzene Lot M3 abgekühlt und verfestigt. Infolgedessen werden Lötbondabschnitte 191B, 192B und 193B ausgebildet, wie in 9 dargestellt. Wie oben beschrieben, wird das in 9 dargestellte Verarbeitungsmodul 300B hergestellt.
  • Danach wird das in 9 dargestellte Verarbeitungsmodul 300B im in 1 dargestellten Gehäuse 611 untergebracht, wodurch ein Kamerakörper einer Digitalkamera hergestellt wird, die ein Beispiel für das elektronische Gerät ist.
  • Wie oben beschrieben, kann durch Schmelzen der der gedruckten Leiterplatte 200B zugeführten Lötpasten P1 und P2 das Lot den Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 über die Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 zugeführt werden. Infolgedessen ist es nicht erforderlich, Lötkugeln auf den Elektroden 410, 420 des Kondensators 400 im Voraus zu bilden, und der Prozess zum Herstellen des Verarbeitungsmoduls 300B kann verschlankt werden. Da das Verarbeitungsmodul 300B leicht hergestellt werden kann, wird daher die Produktivität des Verarbeitungsmoduls 300B verbessert.
  • Da ein Abschnitt des Kondensators 400 in den Öffnungsabschnitt HB eingesetzt wird, kann in der dritten Ausführungsform die Höhe der Lötbondabschnitte 191B, 192B und 193B in der Z-Richtung, d. h. das Intervall zwischen der Halbleitervorrichtung 100 und der gedruckten Leiterplatte 200B in der Z-Richtung, verringert werden. Daher kann die Menge an Lot in den Lötbondabschnitten 191B, 192B und 193B verringert werden, und die Herstellungskosten des Verarbeitungsmoduls 300B können verringert werden.
  • (Beispiel 1)
  • Beispiel 1, das der ersten Ausführungsform entspricht, wird beschrieben. Bei der in 3 dargestellten Halbleitervorrichtung 100 betrug ein Mindestrasterabstand der Lötkugeln B (5D), die zwei benachbarte ungebondete Kugel-Anschlüsse sind, 0,4 [mm]. Ein Material der Lötstelle 130 war Cu. Ein Material von einem jeweiligen der Lötbondabschnitte 191, 192 und 193 war Sn-3,0% Ag 0,5% Cu. Die Fläche S400 des Kondensators 400 bei Betrachtung aus der Z-Richtung dargestellt in 4B betrug 0,4 [mm] × 0,2 [mm]. Das heißt, der Kondensator 400 war eine 0402-Chipkomponente.
  • Eine Dicke der in 5B dargestellten Metallmaske 23, die im Herstellungsprozess des Verarbeitungsmoduls 300 verwendet wurde, wurde auf 0,08 [mm] aus dem minimalen Rasterabstand der Lötkugeln B, welche die zwei benachbarten Kugel-Anschlüsse sind, vor dem Bonden in der Halbleitervorrichtung 100 und der Größe des Kondensators 400 eingestellt.
  • In den in 5E und 5F dargestellten Schritten S5-1 und S5-2 wurden die Lötpasten P1, P2 und P3 bei einer Spitzentemperatur der Atmosphäre im Aufschmelzofen von 230°C oder höher geschmolzen. Danach wurden die geschmolzenen Lote M1, M2 und M3 abgekühlt und verfestigt. Es wurde bestätigt, dass der Kondensator 400 durch den Lötbondabschnitt 191, 192 an die Halbleitervorrichtung 100 gebondet wurde. Der Lötbondabschnitt 191, 192 hatte eine Kehlform auf den Lötstellen 130E und 130G.
  • Die Bewegung der geschmolzenen Lote M1, M2 und M3 in den Schritten S5-1 und S5-2 wurde wie folgt durch Beobachtung bestätigt. Zuerst werden die Lötpaste P3 und die Lötkugel B integral geschmolzen. Zu diesem Zeitpunkt bewegt sich die Halbleitervorrichtung 100 durch das zu verrundende geschmolzene Lot M3 zur gedruckten Leiterplatte 200. Da die geschmolzenen Lote M1 und M2 nicht in Kontakt mit der Lötstelle der gedruckten Leiterplatte 200 sind, bewegen sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 zur Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 und erreichen die oberen Flächen 414 und 424 entlang der Seitenflächen 411 und 412. Der Kondensator 400 ist in Bezug auf die Fläche des Lötstopplacks 208 durch die geschmolzenen Lote M1 und M2 erhöht. Der erhöhte Betrag hängt von den Mengen der Lötpasten P1 und P2 ab, betrug aber in Beispiel 1 etwa 0,01 bis 0,015 [mm]. Als Ergebnis werden die oberen Flächen 414 und 424 des Kondensators 400 nahe an die Lötstellen 130E und 130G gebracht. Die die oberen Flächen 414 und 424 erreichenden geschmolzenen Lote M1 und M2 kommen mit den Lötstellen 130E und 130G in Kontakt und benetzungsverteilen sich auf den Lötstellen 130E und 130G. Die Bewegung der geschmolzenen Lote M1, M2 und M3, wie oben beschrieben, bildet den Lötbondabschnitt 191, 192 mit einer Kehlform auf den Lötstellen 130E und 130G.
  • (Beispiel 2)
  • Beispiel 2, das der zweiten Ausführungsform entspricht, wird beschrieben. In der in 6 dargestellten Halbleitervorrichtung 100 betrug ein Mindestabstand der Lötkugeln (8D), welche zwei benachbarte ungebondete Kugel-Anschlüsse sind, 0,4 [mm]. Ein Material der Lötstelle 130 war Cu. Die Lötbondabschnitte 191A, 192A und 193A waren aus Sn-3,0% Ag 0,5% Cu hergestellt. Die Fläche S400 des Kondensators 400 bei Betrachtung aus der Z-Richtung dargestellt in 7B betrug 0,4 [mm] × 0,2 [mm]. Das heißt, der Kondensator 400 war eine 0402-Chipkomponente.
  • Die Größen der Lötstellen 130E und 130G in der Halbleitervorrichtung 100 bei Betrachtung aus der Z-Richtung wurden auf 0,6 [mm] × 0,22 [mm] eingestellt. Die Größen der Lötstellen 230E und 230G in der gedruckten Leiterplatte 200A bei Betrachtung aus der Z-Richtung wurden auf 0,5 [mm] × 0,2 [mm] eingestellt. Die Flächen S130E und S130G der Lötstellen 130E und 130G betrugen 0,132 mm2. Die Flächen S230E und S230G der Lötstellen 230E und 230G betrugen 0,1 mm2. Wie oben beschrieben, wird die Beziehung zwischen den Flächen S130E und S130G der Lötstellen 130E und 130G und den Flächen S230E und S230G der Lötstellen 230E und 230G als S230E und S230G < S130E und S130G eingestellt.
  • Die Menge der Lötpasten P1 und P2 wurde im Vergleich zu Beispiel 1 erhöht, und um die Kehlform zu bestätigen, wurde die Dicke der in Schritt S12 verwendeten Metallmaske 23, die in 8B dargestellt ist, auf 0,10 [mm], dicker als 0,08 [mm], eingestellt.
  • Da die Flächen S130E und S130G der Lötstellen 130E und 130G größer sind als die Flächen S230E und S230G der Lötstellen 230E und S230G, benetzungsverteilen sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 zu den großen Flächen der Lötstellen 130E und 130G in den Schritten S15-1 und S15-2. Daher wurde in Beispiel 2 bestätigt, dass eine Erzeugung von Seitenkugeln und ein Anschwellen von Kehlen in den Lötbondabschnitten 191A und 192A verhindert wurden und Kurzschlussdefekte verhindert wurden.
  • (Beispiel 3)
  • Als Nächstes wird ein drittes Beispiel beschrieben. Beispiel 3 entspricht der ersten Ausführungsform, aber die Materialien der Lötstellen 130E und 130G unterscheiden sich von jenen von Beispiel 1.
  • Die Benetzbarkeit des geschmolzenen Lots in den Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 ist F1 und die Benetzbarkeit des geschmolzenen Lots in der Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 ist F2. In Beispiel 3 wurden die Materialien der Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 und der Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 derart ausgewählt, dass eine Beziehung F1 ≥ F2 erfüllt wird. Die Benetzbarkeit des geschmolzenen Lots bezieht sich auf eine leichte Anpassung des geschmolzenen Lots.
  • Damit sich das geschmolzene Lot an der Fläche der Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 und den Flächen der Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 benetzungsverteilt, ist es wichtig, dass die Flächen des geschmolzenen Lots und des Zielmetalls nicht kontaminiert sind. Da das geschmolzene Lot und die Metallfläche sauberer sind, wird der Atomabstand dazwischen näher, und das geschmolzene Lot benetzt und verteilt sich an der Metallfläche, sodass es in engem Kontakt mit der Metallfläche ist. Aus diesem Grund werden die Lötstellen 130E und 130G der Halbleitervorrichtung 100 einer Au-Plattierung unterzogen, die kaum oxidiert wird. Außerdem wird die Elektrode 410, 420 des Kondensators 400 mit Sn plattiert, das leicht oxidiert wird und eine niedrige Reduktionsrate aufweist.
  • Die Dicke der in 5B dargestellten Metallmaske 23 wurde auf 0,05 [mm] eingestellt. Die Zuführmengen der Lötpasten P1, P2 und P3 waren kleiner als jene in Beispiel 1. Die Größen der Halbleitervorrichtung 100 und des Kondensators 400 waren die gleichen wie jene in Beispiel 1.
  • In den Schritten S5-1 und S5-2 in 5E und 5F wurde bestätigt, dass sich die geschmolzenen Lote M1 und M2 von der Sn-plattierten Elektrode 410, 420 zu den Lötstellen 130E und 130G bewegten, auf denen die Au-Plattierung mit hoher Benetzbarkeit aufgebracht wurde. Infolgedessen wurde bestätigt, dass der Kondensator 400 durch den Lötbondabschnitt 191, 192 vorteilhaft an die Halbleitervorrichtung 100 gebondet wurde.
  • (Berechnung der Induktivität)
  • Als Nächstes wurde die Induktivität der Verdrahtung zwischen dem Halbleiterelement und dem Kondensator für Beispiel 1, Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 1 berechnet. 12A ist eine schematische Querschnittsansicht des Verarbeitungsmoduls 300 von Beispiel 1. 12B ist eine schematische Querschnittsansicht des Verarbeitungsmoduls 300A von Beispiel 2. 12C ist eine schematische Querschnittsansicht eines Verarbeitungsmoduls 300X von Vergleichsbeispiel 1.
  • Das Verarbeitungsmodul 300X von Vergleichsbeispiel 1, das in 12C dargestellt ist, enthält die Halbleitervorrichtung 100, den Kondensator 400 und eine gedruckte Leiterplatte 200X. Die Halbleitervorrichtung 100 enthält das Halbleiterelement 101 und das Baugruppensubstrat 102. Das Halbleiterelement 101 ist auf dem Baugruppensubstrat 102 angebracht. Das Baugruppensubstrat 102 enthält die Lötstelle 130E und eine Lötstelle 130G.
  • Die gedruckte Leiterplatte 200 enthält ein isolierendes Substrat 220X. Das isolierende Substrat 220X weist eine Hauptfläche und die andere Hauptfläche entgegengesetzt zur einen Hauptfläche auf. Die Lötstelle 230EX und die Lötstelle 230GX sind auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats 220X angeordnet. Die Lötstelle 130E und die Lötstelle 230EX sind durch einen Lötbondabschnitt 191X gebondet. Die Lötstelle 130G und die Lötstelle 230GX sind durch einen Lötbondabschnitt 192X gebondet.
  • Der Kondensator 400 ist auf der Seite der anderen Hauptfläche des isolierenden Substrats 220X der gedruckten Leiterplatte 200X angeordnet. Eine Lötstelle 240EX, die durch Lot an die Elektrode 410 des Kondensators 400 gebondet ist, und eine Lötstelle 240GX, die durch Lot an die Elektrode 420 des Kondensators 400 gebondet ist, sind auf der anderen Hauptfläche des isolierenden Substrats 220X angeordnet. Die Lötstelle 230EX und die Lötstelle 240EX sind durch einen auf dem isolierenden Substrat 220X ausgebildeten Durchkontaktierungsleiter 291X elektrisch verbunden. Die Lötstelle 230GX und die Lötstelle 240GX sind durch den auf dem isolierenden Substrat 220X ausgebildeten Durchkontaktierungsleiter 292X elektrisch verbunden.
  • Im Folgenden werden Berechnungsbedingungen dargestellt. Bei der Halbleitervorrichtung 100, bei der es sich um eine BGA-Halbleiter-Baugruppe handelt, wurde der Rasterabstand zwischen zwei benachbarten Kugel-Anschlüssen auf 0,4 [mm] eingestellt. Die Dicke des Baugruppensubstrats 102 wurde auf 0,4 [mm] eingestellt. Ein jeweiliger der Lötbondabschnitte 193, 193A, 191X und 192X hatte eine Höhe von 0,220 [mm] und eine Breite von 0,250 [mm]. Der Kondensator 400 war ein Chipkondensator mit einer 0402-Baugröße . Die Dicke einer jeweiligen der gedruckten Leiterplatten 200, 200A, 200X wurde auf 0,8 [mm] eingestellt. Für die Berechnung der Induktivität wurde eine Berechnungsformel der Induktivität bei parallelem leitendem Draht verwendet.
  • Ein Berechnungsergebnis von Beispiel 1, das in 12A dargestellt ist, wird beschrieben. Der Induktivitätswert eines jeweiligen der Durchkontaktierungsleiter 112E und 112G im Baugruppensubstrat 102 betrug 266 pH. Ein jeweiliger des Induktivitätswerts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130E und des Induktivitätswerts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und der Lötstelle 130G betrug 180 pH. Daher betrug ein jeweiliger des Induktivitätswerts zwischen dem Stromanschluss 111E des Halbleiterelements 101 und der Elektrode 410 des Kondensators 400 und des Induktivitätswerts zwischen dem Masseanschluss 111G des Halbleiterelements 101 und der Elektrode 420 des Kondensators 400 466 pH. Das Berechnungsergebnis von Beispiel 2, das in 12B dargestellt ist, ähnelt demjenigen von Beispiel 1.
  • Ein Berechnungsergebnis von Vergleichsbeispiel 1, das in 12C dargestellt ist, wird beschrieben. Der Induktivitätswert eines jeweiligen der Durchkontaktierungsleiter 112E und 112G im Baugruppensubstrat 102 betrug 266 pH. Der Induktivitätswert eines jeweiligen der Lötbondabschnitte 191X und 192X betrug 42 pH. Der Induktivitätswert eines jeweiligen der Durchkontaktierungsleiter 291X und 292X in der gedruckten Leiterplatte 200X betrug 545 pH. Ein jeweiliger des Induktivitätswerts zwischen der Elektrode 410 des Kondensators 400 und der Lötstelle 240EX und des Induktivitätswerts zwischen der Elektrode 420 des Kondensators 400 und der Lötstelle 240GX betrug 180 pH. Daher betrug ein jeweiliger des Induktivitätswerts zwischen dem Stromanschluss 111E des Halbleiterelements 101 und der Elektrode 410 des Kondensators 400 und des Induktivitätswerts zwischen dem Masseanschluss 111G des Halbleiterelements 101 und der Elektrode 420 des Kondensators 400 1033 pH.
  • 13 stellt Berechnungsergebnisse von Induktivitäten in Beispiel 1, Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 1 dar. Wie in 13 dargestellt, ist in den Beispielen 1 und 2 der Induktivitätswert kleiner als jener von Vergleichsbeispiel 1. Infolgedessen wird das erzeugte Stromversorgungsrauschen verringert, und es ist möglich, eine Hochgeschwindigkeitskommunikation in der Halbleitervorrichtung 100 zu realisieren. In Beispiel 2 sind, wie in 12B dargestellt, die Halbleitervorrichtung 100 und die gedruckte Leiterplatte 200A durch die Lötbondabschnitte 191A und 192A über den Kondensator 400 verbunden. Infolgedessen kann dem Halbleiterelement 101 über die Lötbondabschnitte 191A und 192A Strom zugeführt werden. Daher kann die Lötstelle 130S für andere Anwendungen als die Stromversorgungsleitung verwendet werden und der Freiheitsgrad im Schaltungsentwurf wird erhöht.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, ein Verarbeitungsmodul herzustellen, das eine Hochgeschwindigkeitskommunikation umsetzt, ohne einen Herstellungsprozess hinzuzufügen.
  • Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist und viele Modifikationen innerhalb der technischen Idee der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können. Außerdem zählen die in den Ausführungsformen beschriebenen Wirkungen lediglich die geeignetsten Wirkungen auf, die sich aus der vorliegenden Erfindung ergeben, und die Wirkungen gemäß der vorliegenden Erfindung sind nicht auf jene beschränkt, die in den Ausführungsformen beschrieben sind.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen wurde der Fall beschrieben, in dem die elektronische Komponente der Kondensator 400 ist, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Die elektronische Komponente kann eine passive Komponente wie beispielsweise ein Widerstand oder ein Induktor sein.
  • In den oben beschriebenen Ausführungsformen wird die Halbleitervorrichtung 100, in der die Lötkugeln B auf der Lötstelle 230S bereitgestellt sind, im Voraus bereitgestellt, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Das heißt, im Schritt zum Bereitgestellen der Halbleitervorrichtung 100 können die Lötkugeln S auf der Lötstelle 230S bereitgestellt werden.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung kann in einem Halbleitermodul implementiert werden, das auf verschiedenen elektronischen Geräten angebracht ist, die eine Digitalkamera beinhalten.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt und verschiedene Änderungen und Modifikationen können vorgenommen werden, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher werden die folgenden Ansprüche angefügt, um den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung öffentlich zu machen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    Halbleitervorrichtung
    130E
    Lötstelle (erste Lötstelle)
    130G
    Lötstelle (zweite Lötstelle)
    200
    gedruckte Leiterplatte
    300
    Verarbeitungsmodul (Halbleitermodul)
    400
    Kondensator (elektronische Komponente)
    410
    Elektrode (erste Elektrode)
    420
    Elektrode (zweite Elektrode)

Claims (20)

  1. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren, umfassend: Bereitstellen einer Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, die in Intervallen in einer vorbestimmten Richtung angeordnet sind, einer Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle umfasst, und einer gedruckten Leiterplatte; Zuführen einer ersten Lötpaste und einer zweiten Lötpaste zur gedruckten Leiterplatte in Intervallen; Platzieren der Chipkomponente auf der gedruckten Leiterplatte, sodass sich die erste Elektrode mit der ersten Lötpaste in Kontakt befindet und sich die zweite Elektrode mit der zweiten Lötpaste in Kontakt befindet; Platzieren der Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte, sodass die erste Lötstelle der ersten Elektrode zugewandt ist und die zweite Lötstelle der zweiten Elektrode zugewandt ist; Erwärmen und Schmelzen der ersten Lötpaste und der zweiten Lötpaste; und Bonden der ersten Lötstelle und der ersten Elektrode aneinander mit Lot und Bonden der zweiten Lötstelle und der zweiten Elektrode aneinander mit Lot durch Abkühlen und Verfestigen von benetzungsverteiltem geschmolzenem Lot an einer jeweiligen der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle.
  2. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in einer Draufsicht überlappt, wenn die Chipkomponente auf der gedruckten Leiterplatte platziert ist, und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt.
  3. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei geschmolzenes Lot, das durch Schmelzen der ersten Lötpaste erhalten wird, abgekühlt und zu einer Kehlform auf der ersten Lötstelle verfestigt wird, und geschmolzenes Lot, das durch Schmelzen der zweiten Lötpaste erhalten wird, abgekühlt und zu einer Kehlform auf der zweiten Lötstelle verfestigt wird.
  4. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack umfasst, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, und die erste Lötpaste und die zweite Lötpaste auf den Lötstopplack zugeführt werden.
  5. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und eine dritte Lötstelle und eine vierte Lötstelle umfasst, die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet sind, und die erste Lötpaste auf die dritte Lötstelle zugeführt wird und die zweite Lötpaste auf die vierte Lötstelle zugeführt wird.
  6. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach Anspruch 5, wobei in einer Draufsicht eine Fläche der ersten Lötstelle größer ist als eine Fläche der dritten Lötstelle und eine Fläche der zweiten Lötstelle größer ist als eine Fläche der vierten Lötstelle.
  7. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack umfasst, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, der Lötstopplack einen Öffnungsabschnitt aufweist, der einen Abschnitt der Hauptfläche des isolierenden Substrats freilegt, und die erste Lötpaste und die zweite Lötpaste einem Abschnitt zugeführt werden, der durch den Öffnungsabschnitt auf der Hauptfläche des isolierenden Substrats freigelegt ist.
  8. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Halbleitervorrichtung eine fünfte Lötstelle umfasst, die mit einer Lötkugel versehen ist, und die gedruckte Leiterplatte eine sechste Lötstelle umfasst, wobei das Verfahren ferner umfasst: Zuführen einer dritten Lötpaste auf die sechste Lötstelle im Falle des Zuführens der ersten Lötpaste und der zweiten Lötpaste in der gedruckten Leiterplatte; Platzieren der Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte, um die Lötkugel mit der dritten Lötpaste in Kontakt zu bringen; Erwärmen und Schmelzen der dritten Lötpaste und der Lötkugel zusammen mit der ersten Lötpaste und der zweiten Lötpaste; und Bonden der fünften Lötstelle und der sechsten Lötstelle aneinander mit Lot durch Abkühlen und Verfestigen des geschmolzenen Lots.
  9. Halbleitermodul-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Halbleitervorrichtung eine BGA-Halbleiter-Baugruppe ist.
  10. Herstellungsverfahren für ein elektronisches Gerät, umfassend: Herstellen des Halbleitermoduls durch das Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9; und Anordnen des Halbleitermoduls innerhalb eines Gehäuses.
  11. Halbleitermodul, umfassend: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle umfasst, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, der die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, der die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack umfasst, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, die Chipkomponente dem Lötstopplack zugewandt ist, eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in einer Draufsicht überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt in Richtung der ersten Lötstelle vom Lötstopplack erstreckt, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt in Richtung der zweiten Lötstelle vom Lötstopplack erstreckt.
  12. Halbleitermodul, umfassend: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle umfasst, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, der die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, der die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat, eine dritte Lötstelle, die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist und durch den ersten Lötbondabschnitt elektrisch mit der ersten Lötstelle verbunden ist, und eine vierte Lötstelle umfasst, die auf der Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist und durch den zweiten Lötbondabschnitt elektrisch mit der zweiten Lötstelle verbunden ist, in einer Draufsicht eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode überlappt, mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der dritten Lötstelle und der vierten Lötstelle überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt in Richtung der ersten Lötstelle von der dritten Lötstelle erstreckt, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt in Richtung der zweiten Lötstelle von der vierten Lötstelle erstreckt.
  13. Halbleitermodul, umfassend: eine gedruckte Leiterplatte; eine Halbleitervorrichtung, die eine erste Lötstelle und eine zweite Lötstelle umfasst, wobei die Halbleitervorrichtung auf der gedruckten Leiterplatte angebracht ist; eine Chipkomponente, die eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode umfasst, die in einer vorbestimmten Richtung voneinander beabstandet sind, wobei die Chipkomponente zwischen der gedruckten Leiterplatte und der Halbleitervorrichtung angeordnet ist; einen ersten Lötbondabschnitt, der die erste Elektrode und die erste Lötstelle aneinander bondet; und einen zweiten Lötbondabschnitt, der die zweite Elektrode und die zweite Lötstelle aneinander bondet, wobei die gedruckte Leiterplatte ein isolierendes Substrat und einen Lötstopplack umfasst, der auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats angeordnet ist, der Lötstopplack einen Öffnungsabschnitt aufweist, in den ein Abschnitt der Chipkomponente eingesetzt ist, eine jeweilige der ersten Lötstelle und der zweiten Lötstelle mindestens einen Abschnitt einer jeweiligen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode in einer Draufsicht überlappt und sich in der vorbestimmten Richtung von der Chipkomponente nach außen erstreckt, der erste Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der erste Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der ersten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der erste Lötbondabschnitt in Richtung der ersten Lötstelle von einem Abschnitt der Hauptfläche des isolierenden Substrats erstreckt, der durch den Öffnungsabschnitt des Lötstopplacks freigelegt ist, und der zweite Lötbondabschnitt eine Kehlform aufweist, in der sich der zweite Lötbondabschnitt in der vorbestimmten Richtung von der zweiten Elektrode nach außen ausbreitet, während sich der zweite Lötbondabschnitt in Richtung der zweiten Lötstelle vom Abschnitt der Hauptfläche des isolierenden Substrats erstreckt, der durch den Öffnungsabschnitt des Lötstopplacks freigelegt ist.
  14. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die erste Lötstelle ein Stromanschluss ist und die zweite Lötstelle ein Masseanschluss ist.
  15. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die Chipkomponente eine Chipkomponente mit einer 0402-Baugröße oder kleiner ist.
  16. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei die Chipkomponente ein Kondensator ist.
  17. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei die Halbleitervorrichtung eine BGA-Halbleiter-Baugruppe ist, in der ein Intervall zwischen Lötstellen 0,4 mm oder weniger beträgt.
  18. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 17, wobei die Halbleitervorrichtung ein Halbleiterelement umfasst, und das Halbleiterelement und die Chipkomponente einander in einer Draufsicht des Halbleitermoduls überlappen.
  19. Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei die Halbleitervorrichtung eine fünfte Lötstelle umfasst, die gedruckte Leiterplatte eine sechste Lötstelle auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrats aufweist, ein dritter Lötbondabschnitt, der die fünfte Lötstelle und die sechste Lötstelle bondet, ferner bereitgestellt ist, und eine Höhe des dritten Lötbondabschnitts höher ist als eine Höhe der Chipkomponente.
  20. Elektronisches Gerät, umfassend: ein Gehäuse; und das Halbleitermodul nach einem der Ansprüche 11 bis 19, das innerhalb des Gehäuses angeordnet ist.
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