DE112019005627B4

DE112019005627B4 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112019005627B4
Application number: DE112019005627.1T
Authority: DE
Inventors: Hiroki Sugiyama; Yoshihide Ohue; Manabu Mizuno; Kentaro Okuyama
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2018-12-05
Filing date: 2019-12-04
Publication date: 2023-06-29
Anticipated expiration: 2039-12-05
Also published as: DE112019005627T5; CN113168060B; US20210286226A1; CN113168060A; US20220244606A1; JP7181776B2; WO2020116533A1; US11340508B2; US11835830B2; JP2020091400A

Abstract

Anzeigevorrichtung, die umfasst:ein Anordnungssubstrat, das mehrere erste lichtdurchlässige Elektroden aufweist, die jeweils in einem entsprechenden Pixel angeordnet sind;ein Gegensubstrat, das Positionen aufweist, die die ersten lichtdurchlässigen Elektroden in einer Draufsicht überlappen und mit einer zweiten lichtdurchlässigen Elektrode versehen sind;eine Flüssigkristallschicht, die polymerdispergierte Flüssigkristalle enthält, die zwischen das Anordnungssubstrat und das Gegensubstrat gefüllt sind; undmindestens einen Lichtemitter, der dazu ausgelegt ist, Licht in Richtung einer Seitenfläche des Gegensubstrats zu emittieren, wobeidas Anordnungssubstrat in jedem der Pixel eine dritte lichtdurchlässige Elektrode und eine leitfähige Metallschicht aufweist, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode die erste lichtdurchlässige Elektrode in der Draufsicht mit einer anorganischen Isolierschicht dazwischen zumindest teilweise überlappt und die leitfähige Metallschicht auf der dritten lichtdurchlässigen Elektrode gestapelt ist, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode über die Pixel hinweg bereitgestellt ist, das Anordnungssubstrat ferner eine organische Isolierschicht aufweist und die dritte lichtdurchlässige Elektrode auf oder über der organischen Isolierschicht ausgebildet ist.

Description

Gebiet
Hier wird eine Anzeigevorrichtung offenbart.
Hintergrund
Das Patentdokument 1 beschreibt eine Anzeigevorrichtung , die ein erstes lichtdurchlässiges Substrat, ein zweites lichtdurchlässiges Substrat, das so angeordnet ist, dass es sich gegenüber dem ersten lichtdurchlässigen Substrat befindet, eine Flüssigkristallschicht, die polymerdispergierte Flüssigkristalle enthält, die zwischen das erste lichtdurchlässige Substrat und das zweite lichtdurchlässige Substrat gefüllt sind, und mindestens einen Lichtemitter, der so angeordnet ist, dass er sich mindestens gegenüber einer der Seitenflächen des ersten lichtdurchlässigen Substrats und des zweiten lichtdurchlässigen Substrats befindet. Patentdokument 2 betrifft ein Aktivmatrixsubstrat mit einer Vielzahl von Source-Verdrahtungsleitungen und einer Vielzahl von Gate-Verdrahtungsleitungen, die in einem Matrixmuster angeordnet sind; und Bildelementen, von denen jedes einen Dünnfilmtransistor aufweist, und eine Bildelementelektrode, die mit dem Dünnfilmtransistor verbunden ist. In dem Aktivmatrixsubstrat ist ein Basiselement so vorgesehen, dass sich die Source-Verdrahtungsleitungen und die Gate-Verdrahtungsleitungen kreuzen, und auf dem Basiselement sind der Verbindungsabschnitt einer Hilfskondensatorelektrode und der Verbindungsabschnitt einer Hilfskondensator-Verdrahtungsleitung miteinander verbunden, indem sich dazwischen ein Nitridfilm befindet, der aus einem Metall material mit hohem Schmelzpunkt besteht. Patentdokument 3 betrifft Anzeigevorrichtung mit einem ersten lichtdurchlässiges Substrat; einem zweiten lichtdurchlässiges Substrat, das so angeordnet ist, dass es dem ersten lichtdurchlässigen Substrat zugewandt ist; einer Flüssigkristallschicht mit in Polymer dispergierten Flüssigkristallen, die zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Substrat und dem zweiten lichtdurchlässigen Substrat eingeschlossen ist; mindestens einer lichtemittierende Vorrichtung, die so angeordnet ist, dass sie mindestens einer Seitenfläche des ersten lichtdurchlässigen Substrats oder einer Seitenfläche des zweiten lichtdurchlässigen Substrats zugewandt ist und mindestens einem Reflektor, der auf mindestens einer Seitenfläche des ersten lichtdurchlässigen Substrats oder einer Seitenfläche des zweiten lichtdurchlässigen Substrats angeordnet ist.
Entgegenhaltungsliste
Patentdoku ment(e)

Patentdokument 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. JP 2018 21 974 A
Patentdokument 2: US 2012 / 0 182 274 A1
Patentdokument 3: US 2018 / 0 031 758 A1

Zusammenfassung
Technisches Problem
Da die in Patentdokument 1 beschriebene Anzeigevorrichtung von einem sogenannten feldsequenziellen System angesteuert wird, ist es vorzuziehen, die Zeit zum Auswählen von Abtastzeilen zu reduzieren und gleichzeitig eine Verschlechterung der Anzeigequalität wie das Auftreten von Flimmern zu verhindern.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die von dem feldsequenziellen System angesteuert wird und in der Lage ist, die Sichtbarkeit von auf einer Anzeigetafel angezeigten Bildern zu verbessern.
Lösung für das Problem
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt umfasst: ein Anordnungssubstrat, das mehrere erste lichtdurchlässige Elektroden aufweist, die jeweils in einem entsprechenden Pixel angeordnet sind; ein Gegensubstrat, das Positionen aufweist, die die ersten lichtdurchlässigen Elektroden in einer Draufsicht überlappen und mit einer zweiten lichtdurchlässigen Elektrode versehen sind; eine Flüssigkristallschicht, die polymerdispergierte Flüssigkristalle enthält, die zwischen das Anordnungssubstrat und das Gegensubstrat gefüllt sind; und mindestens einen Lichtemitter, der dazu ausgelegt ist, Licht in Richtung einer Seitenfläche des Gegensubstrats zu emittieren. Das Anordnungssubstrat weist in jedem der Pixel eine dritte lichtdurchlässige Elektrode und eine leitfähige Metallschicht auf. Die dritte lichtdurchlässige Elektrode überlappt die erste lichtdurchlässige Elektrode in der Draufsicht zumindest teilweise, wobei eine anorganische Isolierschicht dazwischen liegt, und die leitfähige Metallschicht ist auf der dritten lichtdurchlässigen Elektrode gestapelt. Die dritte lichtdurchlässige Elektrode ist über die Pixel hinweg bereitgestellt, das Anordnungssubstrat weist ferner eine organische Isolierschicht auf und die dritte lichtdurchlässige Elektrode ist auf oder über der organischen Isolierschicht ausgebildet.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform darstellt.
2 ist ein Blockdiagramm, das die Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt.
3 ist ein Zeitdiagramm, das eine Zeitvorgabe der Lichtemission durch eine Lichtquelle in einem feldsequenziellen System gemäß der ersten Ausführungsform erläutert.
4 ist eine erläuternde Darstellung, die eine Beziehung zwischen einer an eine Pixelelektrode angelegten Spannung und einem Streuzustand eines Pixels darstellt.
5 ist eine Schnittansicht, die einen beispielhaften Schnitt der Anzeigevorrichtung von 1 darstellt.
6 ist eine Draufsicht, die eine planare Oberfläche der Anzeigevorrichtung von 1 darstellt.
7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die durch Vergrößern eines Flüssigkristallschichtabschnitts von 5 erhalten wird.
8 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Nicht-Streuzustands in der Flüssigkristallschicht.
9 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung des Streuzustands in der Flüssigkristallschicht.
10 ist eine Draufsicht, die eine Abtastleitung, eine Signalleitung und ein Schaltelement in dem Pixel darstellt.
11 ist eine Draufsicht, die eine Haltekapazitätsschicht in dem Pixel darstellt.
12 ist eine Draufsicht, die eine Hilfsmetallschicht und einen Öffnungsbereich in dem Pixel darstellt.
13 ist eine Draufsicht, die eine Pixelelektrode in dem Pixel darstellt.
14 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 12.
15 ist eine Schnittansicht entlang XV-XV' von 12.
16 ist eine Schnittansicht eines Umfangsbereichs.
17 ist eine Draufsicht, die die Abtastleitung, die Signalleitung und das Schaltelement in dem Pixel gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt.
18 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt.
19 ist eine Draufsicht, die die Pixelelektrode in dem Pixel gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt.
20 ist eine perspektivische Teilansicht des Pixels gemäß der zweiten Ausführungsform.
21 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 17.
22 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß einer dritten Ausführungsform darstellt.
23 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß einer vierten Ausführungsform darstellt.
24 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 12 in dem Pixel gemäß einer fünften Ausführungsform.
25 ist eine Schnittansicht entlang XV-XV' von 12 im Pixel gemäß der fünften Ausführungsform.

Beschreibung von Ausführungsformen
Nachfolgend werden Formen (Ausführungsformen) zum Ausführen der vorliegenden Offenbarung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Beschreibung der nachstehend angegebenen Ausführungsformen beschränkt. Nachstehend zu beschreibende Komponenten umfassen solche, die für Fachleute leicht vorstellbar sind, oder solche, die im Wesentlichen damit identisch sind. Darüber hinaus können die nachstehend zu beschreibenden Komponenten in geeigneter Weise kombiniert werden. Die Offenbarung ist lediglich ein Beispiel, und die vorliegende Offenbarung umfasst natürlich geeignete Abwandlungen, die für Fachleute leicht vorstellbar sind und gleichzeitig den Kern der Offenbarung erhalten. Um die Beschreibung weiter zu verdeutlichen, sind in den Zeichnungen in einigen Fällen Breiten, Dicken, Formen und dergleichen verschiedener Teile im Vergleich zu tatsächlichen Aspekten davon schematisch dargestellt. Dies sind jedoch lediglich Beispiele und die Auslegung der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Das gleiche Element wie das in einer bereits erörterten Zeichnung beschriebene wird in der Beschreibung und den Zeichnungen mit demselben Bezugszeichen bezeichnet und eine genaue Beschreibung davon wird gegebenenfalls in einigen Fällen nicht wiederholt.
Erste Ausführungsform
1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt. 2 ist ein Blockdiagramm, das die Anzeigevorrichtung von 1 darstellt. 3 ist ein Zeitdiagramm, das eine Zeitvorgabe der Lichtemission durch eine Lichtquelle in einem feldsequenziellen System erläutert.
Wie es in 1 gezeigt ist, umfasst eine Anzeigevorrichtung 1 eine Anzeigetafel 2, eine Seitenlichtquelle 3 und eine Ansteuerschaltung 4. Eine PX-Richtung bezeichnet eine Richtung in der Ebene der Anzeigetafel 2. Eine zweite Richtung PY bezeichnet eine Richtung orthogonal zu der PX Richtung. Eine dritte Richtung PZ bezeichnet eine Richtung orthogonal zu einer PX-PY-Ebene.
Die Anzeigetafel 2 umfasst ein Anordnungssubstrat 10, ein Gegensubstrat 20 und eine Flüssigkristallschicht 50 (siehe 5). Das Gegensubstrat 20 ist einer Oberfläche des Anordnungssubstrats 10 in einer dazu orthogonalen Richtung (in der PZ-Richtung in 1) gegenübergestellt. Polymerdispergierte Flüssigkristalle LC (die später beschrieben sind) sind in der Flüssigkristallschicht 50 (siehe 5) durch das Anordnungssubstrat 10, das Gegensubstrat 20 und einen Dichtungsteil 18 versiegelt.
Wie es in 1 gezeigt ist, weist die Anzeigetafel 2 einen Anzeigebereich AA, der Bilder anzeigen kann, und einen Umfangsbereich FR außerhalb des Anzeigebereichs AA auf. Mehrere Pixel Pix sind in einer Matrix mit einer Zeilen-Spalten-Konfiguration in dem Anzeigebereich AA angeordnet. In der vorliegenden Offenbarung bezieht sich eine Zeile auf eine Pixelzeile mit m Pixeln Pix, die in einer Richtung angeordnet sind, und eine Spalte bezieht sich auf eine Pixelspalte mit n Pixeln Pix, die in einer Richtung orthogonal zu der Richtung angeordnet sind, in der sich die Zeilen erstrecken. Die Werte m und n sind gemäß einer Anzeigeauflösung in vertikaler Richtung und einer Anzeigeauflösung in horizontaler Richtung definiert. Mehrere Abtastleitungen GL sind den Zeilen entsprechend angeordnet und mehrere Signalleitungen SL sind den Spalten entsprechend angeordnet.
Die Seitenlichtquelle 3 umfasst mehrere Lichtemitter 31. Wie es in 2 dargestellt ist, ist ein Lichtquellen-Controller 32 in der Ansteuerschaltung 4 enthalten. Der Lichtquellen-Controller (Lichtquellen-Steuereinheit) 32 kann eine von der Ansteuerschaltung 4 getrennte Schaltung sein. Die Lichtemitter 31 sind durch Verdrahtung in dem Anordnungssubstrat 10 mit dem Lichtquellen-Controller 32 elektrisch gekoppelt.
Wie es in 1 gezeigt ist, ist die Ansteuerschaltung 4 an der Oberfläche des Anordnungssubstrats 10 fixiert. Wie es in 2 gezeigt ist, umfasst die Ansteuerschaltung 4 eine Signalverarbeitungsschaltung 41, eine Pixelsteuerschaltung 42, eine Gate-Ansteuerschaltung 43, eine Source-Ansteuerschaltung 44 und eine gemeinsame Potentialansteuerschaltung 45. Das Anordnungssubstrat 10 hat in einer XY-Ebene eine Fläche, die größer als die des Gegensubstrats 20, und die Ansteuerschaltung 4 ist auf einem vorstehenden Abschnitt des Anordnungssubstrats 10 bereitgestellt, der von dem Gegensubstrat 20 freigelegt ist.
Die Signalverarbeitungsschaltung 41 empfängt ein Eingangssignal (wie etwa ein Rot-Grün-Blau-Signal (RGB-Signal)) aus einem Bildausgabeteil 91 eines externen Host-Controllers 9 durch ein flexibles Substrat 92.
Die Signalverarbeitungsschaltung 41 umfasst einen Eingangssignalanalysator 411, einen Speicher 412 und einen Signalanpasser 413. Der Eingangssignalanalysator 411 erzeugt ein zweites Eingangssignal VCS basierend auf einem von außen empfangenen ersten Eingangssignal VS.
Das zweite Eingangssignal VCS ist ein Signal zum Bestimmen eines Abstufungswerts, der jedem der Pixel Pix der Anzeigetafel 2 basierend auf dem ersten Eingangssignal VS gegeben werden soll. Mit anderen Worten ist das zweite Eingangssignal VCS ein Signal, das Abstufungsinformationen über den Abstufungswert jedes der Pixel Pix enthält.
Der Signalanpasser 413 erzeugt ein drittes Eingangssignal VCSA aus dem zweiten Eingangssignal VCS. Der Signalanpasser 413 sendet das dritte Eingangssignal VCSA an die Pixelsteuerschaltung 42 und sendet ein Lichtquellensteuersignal LCSA an den Lichtquellen-Controller 32. Das Lichtquellensteuersignal LCSA ist ein Signal, das Informationen über Lichtmengen der Lichtemitter 31 enthält, die beispielsweise in Übereinstimmung mit Eingabeabstufungswerten, die den Pixeln Pix gegeben sind, festgelegt sind. Beispielsweise werden die Lichtmengen der Lichtemitter 31 kleiner eingestellt, wenn ein dunkleres Bild angezeigt wird, und größer eingestellt, wenn ein helleres Bild angezeigt wird.
Die Pixelsteuerschaltung 42 erzeugt ein horizontales Ansteuersignal HDS und ein vertikales Ansteuersignal VDS basierend auf dem dritten Eingangssignal VCSA. In der vorliegenden Ausführungsform werden, da die Anzeigevorrichtung 1 von dem feldsequenziellen System angesteuert wird, das horizontale Ansteuersignal HDS und das vertikale Ansteuersignal VDS für jede Farbe erzeugt, die von dem Lichtemitter 31 emittiert werden kann.
Die Gate-Ansteuerschaltung 43 wählt während einer vertikalen Abtastperiode sequenziell die Abtastzeilen GL der Anzeigetafel 2 basierend auf dem horizontalen Ansteuersignal HDS aus. Die Abtastzeilen GL können in beliebiger Reihenfolge ausgewählt werden.
Die Source-Ansteuerschaltung 44 liefert während einer horizontalen Abtastperiode basierend auf dem vertikalen Ansteuersignal VDS ein Abstufungssignal in Abhängigkeit von dem Ausgabeabstufungswert jedes der Pixel Pix an eine entsprechende der Signalleitungen SL der Anzeigetafel 2.
In der vorliegenden Ausführungsform ist die Anzeigetafel 2 eine Aktivmatrixtafel. Daher umfasst die Anzeigetafel 2 in einer Draufsicht die Signalleitungen (Source-Leitungen) SL, die sich in der zweiten Richtung PY erstrecken, und die Abtastleitungen (Gate-Leitungen) GL, die sich in der ersten Richtung PX erstrecken, und umfasst Schaltelemente Tr an Schnittabschnitten zwischen den Signalleitungen SL und den Abtastleitungen GL.
Ein Dünnschichttransistor wird als jedes der Schaltelemente Tr verwendet. Ein Transistor mit unterem Gate oder ein Transistor mit oberem Gate kann als Beispiel für den Dünnschichttransistor verwendet werden. Obwohl beispielhaft ein Dünnschichttransistor mit einem Gate als Schaltelement Tr dargestellt ist, kann das Schaltelement Tr ein Transistor mit zwei Gates sein. Ein der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Schaltelements Tr ist mit einer entsprechenden der Signalleitungen SL gekoppelt und die Gate-Elektrode des Schaltelements Tr ist mit einer entsprechenden der Abtastleitungen GL gekoppelt. Die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode ist mit einem Ende einer Kapazität (die später beschrieben wird) des polymerdispergierten Flüssigkristalls LC gekoppelt. Die Kapazität des polymerdispergierten Flüssigkristalls LC ist an einem Ende davon über eine Pixelelektrode PE mit dem Schaltelement Tr und am anderen Ende mit der gemeinsamen Potentialverdrahtung COML über eine gemeinsame Elektrode CE gekoppelt. Eine Haltekapazität HC ist zwischen der Pixelelektrode PE und einer Haltekapazitätselektrode IO, die mit der gemeinsamen Potentialverdrahtung COML elektrisch gekoppelt ist, ausgebildet. Ein Potential der gemeinsamen Potentialverdrahtung COML wird von der gemeinsamen Potentialansteuerschaltung 45 geliefert.
Jeder der Lichtemitter 31 umfasst einen Lichtemitter 33R einer ersten Farbe (wie z. B. Rot), einen Lichtemitter 33G einer zweiten Farbe (wie z. B. Grün) und einen Lichtemitter 33B einer dritten Farbe (wie z. B. Blau). Der Lichtquellen-Controller 32 steuert den Lichtemitter 33R der ersten Farbe, den Lichtemitter 33G der zweiten Farbe und den Lichtemitter 33B der dritten Farbe, um auf der Grundlage des Lichtquellensteuersignals LCSA Licht zeitlich unterteilt zu emittieren. Auf diese Weise werden der Lichtemitter 33R der ersten Farbe, der Lichtemitter 33G der zweiten Farbe und der Lichtemitter 33B der dritten Farbe basierend auf dem feldsequenziellen System angesteuert.
Wie es in 3 gezeigt ist, emittiert in einem ersten Teilrahmen (in einer ersten vorbestimmten Zeit) RF der Lichtemitter 33R der ersten Farbe Licht während einer ersten Farblichtemissionsperiode RON und die Pixel Pix, die während einer vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählt werden, streuen Licht, um eine Anzeige vorzunehmen. Wenn das Abstufungssignal, das dem Ausgabeabstufungswert jedes der während der einen vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählten Pixel Pix entspricht, einer entsprechenden der oben beschriebenen Signalleitungen SL zugeführt wird, leuchtet auf der gesamten Anzeigetafel 2 nur die erste Farbe während der ersten Farblichtemissionsperiode RON auf.
Dann emittiert in einem zweiten Teilrahmen (in einer zweiten vorbestimmten Zeit) GF der Lichtemitter 33G der zweiten Farbe Licht während einer zweiten Farblichtemissionsperiode GON und die Pixel Pix, die während der einen vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählt werden, streuen Licht, um eine Anzeige vorzunehmen. Wenn das Abstufungssignal, das dem Ausgabeabstufungswert jedes der während der einen vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählten Pixel Pix entspricht, einer entsprechenden der oben beschriebenen Signalleitungen SL zugeführt wird, leuchtet auf der gesamten Anzeigetafel 2 nur die zweite Farbe während der zweiten Farblichtemissionsperiode GON auf.
Ferner emittiert in einem dritten Teilrahmen (einer dritten vorbestimmten Zeit) BF der Lichtemitter 33B der dritten Farbe Licht während einer dritten Farblichtemissionsperiode BON und die Pixel Pix, die während der einen vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählt werden, streuen Licht, um eine Anzeige vorzunehmen. Wenn das Abstufungssignal, das dem Ausgabeabstufungswert jedes der während der einen vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählten Pixel Pix entspricht, einer entsprechenden der oben beschriebenen Signalleitungen SL zugeführt wird, leuchtet auf der gesamten Anzeigetafel 2 nur die dritte Farbe während der dritten Farblichtemissionsperiode BON auf.
Da ein menschliches Auge ein begrenztes zeitliches Auflösungsvermögen hat und ein Nachbild erzeugt, wird in einem Zeitraum von einem Rahmen (1F) ein Bild mit einer Kombination von drei Farben erkannt. Das feldsequenzielle System kann den bedarf an einem Farbfilter beseitigen und somit einen Absorptionsverlust durch den Farbfilter verringern. Infolgedessen kann eine höhere Durchlässigkeit erhalten werden. In dem Farbfiltersystem besteht ein Pixel aus Teilpixeln, die durch Unterteilen jedes der Pixel Pix in die Teilpixel der ersten Farbe, der zweiten Farbe und der dritten Farbe erhalten werden. Im Gegensatz dazu muss in dem feldsequenziellen System das Pixel nicht auf diese Weise in die Teilpixel unterteilt werden. Ein vierter Teilrahmen kann ferner enthalten sein, um Licht in einer vierten Farbe zu emittieren, die sich von jeglichen der ersten Farbe, der zweiten Farbe und der dritten Farbe unterscheidet.
4 ist eine erläuternde Darstellung, die eine Beziehung zwischen einer an die Pixelelektrode angelegten Spannung und dem Streuzustand des Pixels darstellt. 5 ist eine Schnittansicht, die einen beispielhaften Schnitt der Anzeigevorrichtung von 1 darstellt. 6 ist eine Draufsicht, die eine planare Oberfläche der Anzeigevorrichtung von 1 darstellt. 5 zeigt einen V-V'-Schnitt von 6. 7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die durch Vergrößern des Flüssigkristallschichtabschnitts von 5 erhalten wird. 8 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Nicht-Streuzustands in der Flüssigkristallschicht. 9 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung des Streuzustands in der Flüssigkristallschicht.
Wenn das Abstufungssignal in Abhängigkeit von dem Ausgabeabstufungswert jedes der Pixel Pix den oben beschriebenen Signalleitungen SL für die Pixel Pix zugeführt wird, die während einer vertikalen Abtastperiode GateScan ausgewählt werden, ändert sich eine an die Pixelelektrode PE angelegte Spannung mit dem Abstufungssignal. Die Änderung der an die Pixelelektrode PE angelegten Spannung ändert die Spannung zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE. Der Streuzustand der Flüssigkristallschicht 50 für jedes der Pixel Pix wird gemäß der an die Pixelelektrode PE angelegten Spannung gesteuert und, wie es in 4 gezeigt ist, ändert sich die Streurate in den Pixeln Pix.
Wie es in 4 gezeigt ist, die Änderung der Streurate in dem Pixel Pix kleiner, wenn die an die Pixelelektrode PE angelegte Spannung größer oder gleich einer Sättigungsspannung Vsat ist. Daher ändert die Ansteuerschaltung 4 die an die Pixelelektrode PE angelegte Spannung gemäß dem vertikalen Ansteuersignal VDS in einem Spannungsbereich Vdr, der niedriger als die Sättigungsspannung Vsat ist.
Wie es in 5 und 6 gezeigt ist, hat das Anordnungssubstrat 10 eine erste Hauptfläche 10A, eine zweite Hauptfläche 10B, eine erste Seitenfläche 10C, eine zweite Seitenfläche 10D, eine dritte Seitenfläche 10E und eine vierte Seitenfläche 10F. Die erste Hauptfläche 10A und die zweite Hauptfläche 10B sind parallele Flächen. Die erste Seitenfläche 10C und die zweite Seitenfläche 10D sind parallele Flächen. Die dritte Seitenfläche 10E und die vierte Seitenfläche 10F sind parallele Flächen.
Wie es in 5 und 6 gezeigt ist, hat das Gegensubstrat 20 eine erste Hauptfläche 20A, eine zweite Hauptfläche 20B, eine erste Seitenfläche 20C, eine zweite Seitenfläche 20D, eine dritte Seitenfläche 20E und eine vierte Seitenfläche 20F. Die erste Hauptfläche 20A und die zweite Hauptfläche 20B sind parallele Flächen. Die erste Seitenfläche 20C und die zweite Seitenfläche 20D sind parallele Flächen. Die dritte Seitenfläche 20E und die vierte Seitenfläche 20F sind parallele Flächen.
Wie es in 5 und 6 gezeigt ist, sind die Lichtemitter 31 der zweiten Seitenfläche 20D des Gegensubstrats 20 gegenübergestellt. Wie es in 5 gezeigt ist, emittieren die Lichtemitter 31 Lichtquellenlicht L auf die zweite Seitenfläche 20D des Gegensubstrats 20. Die den Seitenemittern 31 gegenübergestellte zweite Seitenfläche 20D des Gegensubstrats 20 dient als Oberfläche des Lichteinfalls.
Wie es in 5 gezeigt ist, breitet sich das aus dem Lichtemitter 31 emittierte Lichtquellenlicht L in einer Richtung weg von der zweiten Seitenfläche 20D aus, während es von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 und der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 reflektiert wird. Wenn sich das Lichtquellenlicht L von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 oder der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 nach außen bewegt, tritt das Lichtquellenlicht L von einem Medium mit einem höheren Brechungsindex in ein Medium mit einem niedrigeren Brechungsindex ein. Wenn daher der Einfallswinkel des Lichtquellenlichts L, das auf die erste Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 oder die erste Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 einfällt, größer als ein kritischer Winkel ist, wird das Lichtquellenlicht L. vollständig von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 oder der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 reflektiert.
Wie es in 5 gezeigt ist, wird das Lichtquellenlicht L, das sich in dem Anordnungssubstrat 10 und dem Gegensubstrat 20 ausgebreitet hat, durch die Pixel Pix, die die in dem Streuzustand befindlichen Flüssigkristalle enthalten, gestreut und der Einfallswinkel des gestreuten Lichts wird kleiner als der kritische Winkel. Somit wird das Emissionslicht 68 oder 68A von der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 oder der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 nach außen emittiert. Das Emissionslicht 68 oder 68A, das von der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 oder der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 nach außen emittiert wird, wird von dem Betrachter gesehen. Im Folgenden sind die polymerdispergierten Flüssigkristalle, die in den Streuzustand gebracht wurden, und die polymerdispergierten Flüssigkristalle in dem Nicht-Streuzustand unter Verwendung von 7 bis 9 beschrieben.
Wie es in 7 gezeigt ist, ist das Anordnungssubstrat 10 mit einem ersten Ausrichtungsfilm AL1 versehen, und das Gegensubstrat 20 ist mit einem zweiten Ausrichtungsfilm AL2 versehen. Der erste und der zweite Ausrichtungsfilm AL1 und AL2 sind beispielsweise vertikale Ausrichtungsfilme.
Eine Lösung, die die Flüssigkristalle und ein Monomer enthält, wird zwischen das Anordnungssubstrat 10 und das Gegensubstrat 20 gefüllt. Dann wird in einem Zustand, in dem das Monomer und die Flüssigkristalle durch den ersten und den zweiten Ausrichtungsfilm AL1 und AL2 ausgerichtet sind, fas Monomer durch ultraviolette Strahlen oder Wärme polymerisiert, um eine Masse 51 zu bilden. Dieser Prozess bildet die Flüssigkristallschicht 50, die polymerdispergierte Umkehrmodus-Flüssigkristalle LC enthält und in der die Flüssigkristalle in Lücken eines in einer Maschenform ausgebildeten Polymernetzwerks dispergiert sind.
Auf diese Weise enthalten die polymerdispergierten Flüssigkristalle LC die aus dem Polymer gebildete Masse 51 und mehrere feine Partikel 52, die in der Masse 51 dispergiert sind. Die feinen Partikel 52 enthalten die Flüssigkristalle. Sowohl die Masse 51 als auch die feinen Partikel 52 weisen eine optische Anisotropie auf.
Die Ausrichtung der in den feinen Partikeln 52 enthaltenen Flüssigkristalle wird durch eine Spannungsdifferenz zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE gesteuert. Die Ausrichtung der Flüssigkristalle wird durch die an die Pixelelektrode PE angelegte Spannung geändert. Der Streuungsgrad von Licht, das durch die Pixel Pix fällt, ändert sich mit der Änderung der Ausrichtung der Flüssigkristalle.
Wenn beispielsweise, wie es in 8 gezeigt ist, keine Spannung zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE angelegt ist, ist die Richtung einer optischen Achse Ax1 der Masse 51 gleich der Richtung einer optischen Achse Ax2 der feinen Partikel 52. Die optische Achse Ax2 der feinen Partikel 52 ist parallel zu der PZ-Richtung der Flüssigkristallschicht 50. Die optische Achse Ax1 der Masse 51 ist parallel zu der PZ-Richtung der Flüssigkristallschicht 50, unabhängig davon, ob eine Spannung angelegt ist.
Die Brechungsindizes für gewöhnliche Strahlen der Masse 51 und der feinen Partikel 52 sind gleich. Wenn zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE keine Spannung angelegt ist, ist die Differenz des Brechungsindex zwischen der Masse 51 und den feinen Partikeln 52 in allen Richtungen null. Die Flüssigkristallschicht 50 befindet sich in dem Nicht-Streuzustand, in dem das Lichtquellenlicht L nicht gestreut wird. Das Lichtquellenlicht L breitet sich in einer Richtung weg von dem Lichtemitter 31 aus, während es von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 und der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 reflektiert wird. Wenn sich die Flüssigkristallschicht 50 in dem Nicht-Streuzustand befindet, in dem das Lichtquellenlicht L nicht gestreut wird, ist ein Hintergrund auf der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 aus sichtbar und ein Hintergrund auf der Seite der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 ist von der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 aus sichtbar.
Wie es in 9 gezeigt ist, ist in dem Raum zwischen der Pixelelektrode PE, an die eine Spannung angelegt ist, und der gemeinsamen Elektrode CE die optische Achse Ax2 der feinen Partikel 52 durch ein elektrisches Feld, das zwischen der Pixelelektrode PE und der gemeinsamen Elektrode CE erzeugt wird, geneigt. Da die optische Achse Ax1 der Masse 51 nicht durch das elektrische Feld verändert wird, unterscheidet sich die Richtung der optischen Achse Ax1 der Masse 51 von der Richtung der optischen Achse Ax2 der feinen Partikel 52. Das Licht der Lichtquelle L wird in dem Pixel Pix gestreut, das die Pixelelektrode PE aufweist, an die eine Spannung angelegt ist. Wie es oben beschrieben ist, sieht der Betrachter einen Teil des gestreuten Lichtquellenlichts L, der von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 oder der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 nach außen emittiert wird.
In dem Pixel Pix, das die Pixelelektrode PE aufweist, an die keine Spannung angelegt ist, ist der Hintergrund auf der Seite der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 von der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 und der Hintergrund auf der Seite der ersten Hauptfläche 10A des Anordnungssubstrats 10 von der ersten Hauptfläche 20A des Gegensubstrats 20 aus sichtbar. Wenn bei der Anzeigevorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform das erste Eingangssignal VS aus dem Bildausgabeteil 91 eingegeben wird, wird an die Pixelelektrode PE des Pixels Pix eine Spannung angelegt, um ein Bild anzuzeigen, und das auf dem dritten Eingangssignal VCSA basierende Bild wird zusammen mit dem Hintergrund sichtbar.
Das Lichtquellenlicht L wird in dem Pixel Pix, das die Pixelelektrode PE aufweist, an die eine Spannung angelegt ist, gestreut und nach außen emittiert, um das Bild anzuzeigen, das so angezeigt wird, dass es dem Hintergrund überlagert ist. Mit anderen Worten kombiniert die Anzeigevorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform das Emissionslicht 68 oder das Emissionslicht 68A mit dem Hintergrund, um das Bild so anzuzeigen, dass es dem Hintergrund überlagert ist.
Ein Potential jeder der Pixelelektroden PE (siehe 7), das während der in 3 dargestellten vertikalen Abtastperiode GateScan geschrieben wird, muss während mindestens einer der ersten Farblichtemissionsperiode RON, der zweiten Farblichtemissionsperiode GON und der dritten Farblichtemissionsperiode BON gehalten werden, die nach der einen vertikalen Abtastperiode GateScan kommen. Wenn das geschriebene Potential jeder der Pixelelektroden PE (siehe 7) nicht während mindestens einer der ersten Farblichtemissionsperiode RON, der zweiten Farblichtemissionsperiode GON und der dritten Farblichtemissionsperiode BON gehalten werden kann, die nach der einen vertikalen Abtastperiode GateScan kommen, tritt wahrscheinlich sogenanntes Flimmern auf. Mit anderen Worten ist es, um die eine vertikale Abtastperiode GateScan zu verkürzen, die als Zeit zum Auswählen der Abtastleitungen dient, und die Sichtbarkeit beim Ansteuern unter Verwendung des sogenannten feldsequenziellen Systems zu erhöhen, erforderlich, das geschriebenen Potential jeder der Pixelelektroden PE (siehe 7) während jeweils der ersten Farblichtemissionsperiode RON, der zweiten Farblichtemissionsperiode GON und der dritten Farblichtemissionsperiode BON leicht zu halten.
10 ist eine Draufsicht, die die Abtastleitungen, die Signalleitungen und das Schaltelement in dem Pixel darstellt. 11 ist eine Draufsicht, die eine Haltekapazitätsschicht in dem Pixel darstellt. 12 ist eine Draufsicht, die eine Hilfsmetallschicht und einen Öffnungsbereich in dem Pixel darstellt. 13 ist eine Draufsicht, die die Pixelelektrode in dem Pixel darstellt. 14 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 12. 15 ist eine Schnittansicht entlang XV-XV' von 12. 16 ist eine Schnittansicht des Umfangsbereichs. Wie es in 1, 2 und 10 gezeigt ist, ist das Anordnungssubstrat 10 so mit den Signalleitungen SL und den Abtastleitungen GL versehen, das in der Draufsicht ein Gitter gebildet wird. Mit anderen Worten ist eine Oberfläche des Anordnungssubstrats 10 mit den Signalleitungen, die in der ersten Richtung PX mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, und den Abtastleitungen, die in der zweiten Richtung PY mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, versehen. Ein Bereich, der von den benachbarten Abtastleitungen GL und den benachbarten Signalleitungen SL umgeben ist, entspricht dem Pixel Pix. Das Pixel Pix ist mit der Pixelelektrode PE und dem Schaltelement Tr versehen. In der vorliegenden Ausführungsform ist das Schaltelement Tr ein Dünnschichttransistor mit unterem Gate. Das Schaltelement Tr umfasst eine Halbleiterschicht SC, die in der Draufsicht eine Gate-Elektrode GE überlappt, die mit einer entsprechenden der Abtastleitungen GL elektrisch gekoppelt ist.
Wie es in 10 gezeigt ist, sind die Abtastleitungen GL eine Verdrahtungen eines Metalls wie Molybdän (Mo) oder Aluminium (Al), ein mehrschichtiger Körper dieser Metalle oder einer Legierung davon. Die Signalleitungen SL sind Verdrahtungen aus einem Metall wie Aluminium oder einer Legierung davon.
Wie es in 10 gezeigt ist, ist die Halbleiterschicht SC so bereitgestellt, dass sie in der Draufsicht nicht aus der Gate-Elektrode GE vorsteht. Infolgedessen wird das Lichtquellenlicht L, das sich von der Seite der Gate-Elektrode GE zu der Halbleiterschicht SC bewegt, reflektiert und es ist weniger wahrscheinlich, dass ein Lichtverlust in der Halbleiterschicht SC auftritt.
Wie es in 10 gezeigt ist, sind die Source-Elektroden SE so ausgebildet, dass sich zwei elektrische Leiter, die der Signalleitung SL entsprechen, von der Signalleitung SL in der gleichen Schicht wie die Signalleitung SL und in einer Richtung, die die Signalleitung schneidet, erstrecken. Bei dieser Konfiguration überlappen die mit der Signalleitung SL elektrisch gekoppelten Source-Elektroden SE in der Draufsicht ein Ende der Halbleiterschicht SC.
Wie es in 10 gezeigt ist, ist in der Draufsicht eine Drain-Elektrode DE in einer Position zwischen den benachbarten elektrischen Leitern der Source-Elektroden SE bereitgestellt. Die Drain-Elektrode DE überlappt die Halbleiterschicht SC in der Draufsicht. Ein Teil der Halbleiterschicht SC, der weder die Source-Elektroden SE noch die Drain-Elektrode DE überlappt, dient als Kanal des Schaltelements Tr. Wie es in 13 gezeigt ist, ist eine Kontaktelektrode DEA, die mit der Drain-Elektrode DE elektrisch gekoppelt ist, durch ein Kontaktloch CH mit der Pixelelektrode PE elektrisch gekoppelt.
Wie es in 14 gezeigt ist, umfasst das Anordnungssubstrat 10 eine erste lichtdurchlässige Basis 19, die beispielsweise aus Glas besteht. Das Material der ersten lichtdurchlässigen Basis 19 kann ein beliebiges Material mit Fähigkeit zur Lichtdurchlässigkeit sein und kann beispielsweise ein Harz wie Polyethylenterephthalat sein.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist eine erste Isolierschicht 11 auf der ersten lichtdurchlässigen Basis 19 bereitgestellt und die Abtastleitung GL (siehe 10) und die Gate-Elektrode GE sind auf der ersten Isolierschicht 11 bereitgestellt.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist eine erste Isolierschicht 11 bereitgestellt, um die Abtastleitung GL und die Gate-Elektrode GE abzudecken. Die erste Isolierschicht 11 und die zweite Isolierschicht 12 bestehen beispielsweise aus einem transparenten anorganischen Isoliermaterial wie Siliziumnitrid.
Die Halbleiterschicht SC ist auf der ersten Isolierschicht 11 gestapelt. Die Halbleiterschicht SC besteht beispielsweise aus amorphem Silizium, kann jedoch auch aus Polysilicium oder einem Oxidhalbleiter bestehen.
Die Source-Elektroden SE, die Abschnitte der Halbleiterschicht SC bedecken, die Signalleitung SL und die Drain-Elektrode DE, die einen Abschnitt der Halbleiterschicht SC bedeckt, sind auf der ersten Isolierschicht 11 bereitgestellt. Die Drain-Elektrode DE ist aus dem gleichen Material wie die Signalleitung SL ausgebildet. Eine dritte Isolierschicht 13 ist über der Halbleiterschicht SC, der Signalleitung SL und der Drain-Elektrode DE bereitgestellt. Die dritte Isolierschicht 13 besteht beispielsweise aus einem lichtdurchlässigen organischen Isoliermaterial wie einem Acrylharz. Die dritte Isolierschicht 13 hat eine Filmdicke, die größer ist als dir anderer Isolierfilme, die aus einem anorganischen Material gebildet sind. Im Ergebnis sind das Schaltelement Tr, die Abtastleitung GL und die Signalleitung SL durch einen relativ großen Abstand von der Haltekapazitätselektrode IO getrennt und werden daher weniger durch das gemeinsame Potential aus der Haltekapazitätselektrode IO beeinflusst.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist die Haltekapazitätselektrode IO auf der dritten Isolierschicht 13 bereitgestellt. Die Haltekapazitätselektrode IO ist aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO) ausgebildet. Wie es in 11 gezeigt ist, ist die Haltekapazitätselektrode IO aus einem festen Film ausgebildet und nur Abschnitte davon, die die Kontaktlöcher CH und die umgebenden Abschnitte davon überlappen, sind ausgebohrt. Die Haltekapazitätselektrode IO erstreckt sich über die benachbarten Pixel Pix und ist über den Pixeln Pix bereitgestellt.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist ein Abschnitt auf der Haltekapazitätselektrode IO mit einer leitfähigen Metallschicht TM versehen. Die leitfähige Metallschicht TM ist eine Verdrahtung eines Metalls wie Molybdän (Mo) oder Aluminium (Al), ein mehrschichtiger Körper dieser Metalle oder eine Legierung davon. Wie es in 12 gezeigt ist, ist die Metallschicht TM in Bereichen bereitgestellt, die die Signalleitungen SL, die Abtastleitungen GL und die Schaltelemente Tr in der Draufsicht überlappen. Bei dieser Konfiguration ist die Metallschicht TM in einer Gitterform ausgebildet und Öffnungen AP, die von der Metallschicht TM umgeben sind, sind ausgebildet.
Wie es in 12 gezeigt ist, ist das Schaltelement Tr in einem Bereich bereitgestellt, der von den Abtastleitungen GL und den Signalleitungen SL umgeben ist. Zumindest das Schaltelement Tr ist mit der dritten Isolierschicht 13, die als organische Isolierschicht dient, bedeckt und die Metallschicht TM mit einer größeren Fläche als der des Schaltelements Tr befindet sich über der dritten Isolierschicht 13. Diese Konfiguration kann den Lichtverlust des Schaltelements Tr verringern.
Die Metallschicht TM kann sich unterhalb der Haltekapazitätselektrode IO befinden und muss nur mit der Haltekapazitätselektrode IO gestapelt sein. Da die Metallschicht TM einen niedrigeren elektrischen Widerstand als die Haltekapazitätselektrode IO aufweist, wird verhindert, dass das Potential der Haltekapazitätselektrode IO in seiner Position variiert.
Wie es in 12 gezeigt ist, ist die Breite der Metallschicht TM, die die Signalleitung SL überlappt, in der Draufsicht größer als die Breite der Signalleitung SL. Diese Konfiguration verhindert, dass reflektiertes Licht, das von Kanten der Signalleitung SL reflektiert wird, aus der Anzeigetafel 2 emittiert wird. Die Breite der Metallschicht TM und die Breite der Signalleitung SL sind Längen in einer Richtung, die die Ausdehnungsrichtung der Signalleitung SL schneidet. Die Breite der Metallschicht TM, die die Abtastleitung GL überlappt, ist größer als die Breite der Abtastleitung GL. Die Breite der Metallschicht TM und die Breite der Abtastleitung GL sind Längen in einer Richtung, die die Ausdehnungsrichtung der Abtastleitung GL schneidet.
Eine vierte Isolierschicht 14 ist auf der Oberseite der Haltekapazitätselektrode IO und der Metallschicht TM bereitgestellt. Die vierte Isolierschicht 14 besteht beispielsweise aus einem transparenten anorganischen Isoliermaterial wie Siliziumnitrid.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist die Pixelelektrode PE auf der vierten Isolierschicht 14 bereitgestellt. Die Pixelelektrode PE ist aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material wie ITO ausgebildet. Die Pixelelektrode PE ist mit der Kontaktelektrode DEA durch das Kontaktloch CH elektrisch gekoppelt, das in der vierten Isolierschicht 14 und der dritten Isolierschicht 13 bereitgestellt ist. Wie es in 13 gezeigt ist, ist jede der Pixelelektroden PE auf Basis der Pixel Pix abgetrennt. Der erste Ausrichtungsfilm AL1 ist auf der Oberseite der Pixelelektrode PE bereitgestellt.
Wie es in 14 gezeigt ist, umfasst das Gegensubstrat 20 eine zweite lichtdurchlässige Basis 29, die beispielsweise aus Glas besteht. Das Material der zweiten lichtdurchlässigen Basis 29 kann ein beliebiges Material mit einer Fähigkeit zur Lichtdurchlässigkeit sein und kann beispielsweise ein Harz wie Polyethylenterephthalat sein. Die zweite lichtdurchlässige Basis 29 ist mit der gemeinsamen Elektrode CE versehen. Die gemeinsame Elektrode CE besteht aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material wie ITO. Der zweite Ausrichtungsfilm AL2 ist auf einer Oberfläche der gemeinsamen Elektrode CE bereitgestellt.
Wie es in 12 und 15 gezeigt ist, ist bei der Anzeigevorrichtung der ersten Ausführungsform eine Lichtblockierschicht GS, die in der gleichen Schicht wie die Abtastleitung GL angeordnet ist, so bereitgestellt, dass sie sich entlang der Signalleitung SL erstreckt und einen Abschnitt der Signalleitung SL überlappt. Die Lichtblockierschicht GS besteht aus dem gleichen Material wie die Abtastleitung GL. Die Lichtblockierschicht GS ist nicht an einem Abschnitt bereitgestellt, an dem die Abtastleitung GL die Signalleitung SL in der Draufsicht schneidet.
Wie es in 15 gezeigt ist, ist die Lichtblockierschicht GS gegenüber der Metallschicht TM bereitgestellt, wobei die Signalleitung SL dazwischen liegt. Die Breite der Lichtblockierschicht GS ist größer als die der Signalleitung SL und kleiner als die der Metallschicht TM. Die Breite der Lichtblockierschicht GS, die Breite der Metallschicht TM und die Breite der Signalleitung SL sind Längen in einer Richtung, die die Ausdehnungsrichtung der Signalleitung SL schneidet. Auf diese Weise hat die Lichtblockierschicht GS eine größere Breite als die der Signalleitung SL und verhindert somit, dass das von den Kanten der Signalleitung SL reflektierte Licht aus der Anzeigetafel 2 emittiert wird. Im Ergebnis wird die Sichtbarkeit von Bildern in der Anzeigevorrichtung 1 verbessert.
Wie es in 14 und 15 gezeigt ist, ist das Gegensubstrat 20 mit einer Lichtblockierschicht LS versehen. Die Lichtblockierschicht LS ist in einem Bereich bereitgestellt, der die Signalleitung SL, die Abtastleitung GL und das Schaltelement Tr in der Draufsicht überlappt. Wie es in 15 gezeigt ist, hat die Lichtblockierschicht LS eine größere Breite als die der Metallschicht TM. Diese Konfiguration verhindert, dass reflektiertes Licht, das von Kanten der Signalleitung SL, der Abtastleitung GL und der Metallschicht TM reflektiert wird, aus der Anzeigetafel 2 emittiert wird. Infolgedessen wird die Sichtbarkeit von Bildern in der Anzeigevorrichtung 1 verbessert.
Wie es in 14 gezeigt ist, ist ein Abstandshalter SP zwischen dem Anordnungssubstrat 10 und dem Gegensubstrat 20 angeordnet und verbessert die Gleichmäßigkeit des Abstands zwischen dem Anordnungssubstrat 10 und dem Gegensubstrat 20.
Wie es in 16 gezeigt ist, ist die gemeinsame Potentialverdrahtung COML in dem Umfangsbereich FR verlegt. Die gemeinsame Potentialverdrahtung COML umfasst beispielsweise die erste gemeinsame Potentialverdrahtung COM1 und die zweite gemeinsame Potentialverdrahtung COM2. Die erste gemeinsame Potentialverdrahtung COM1 ist über ein leitfähiges Element CP mit elektrischer Leitfähigkeit mit der gemeinsamen Elektrode CE des Gegensubstrats 20 elektrisch gekoppelt. Das leitfähige Element CP kann eine leitfähige Säule sein oder kann ein Dichtungsmaterial sein, das leitfähige Partikel wie Au-Partikel enthält.
Wie es in 16 gezeigt ist, ist in dem Umfangsbereich FR die Haltekapazitätselektrode IO mit der zweiten gemeinsamen Potentialverdrahtung COM2 elektrisch gekoppelt. Die Metallschicht TM ist in dem Anzeigebereich AA angeordnet.
Wie es oben beschrieben ist, umfasst die Anzeigevorrichtung 1 das Anordnungssubstrat 10, das Gegensubstrat 20, die Flüssigkristallschicht 50 und die Lichtemitter 31. Das Anordnungssubstrat 10 umfasst die Pixelelektroden PE, die als erste lichtdurchlässige Elektroden dienen und jeweils in einem entsprechenden der Pixel Pix angeordnet sind. Das Gegensubstrat 20 weist Positionen auf, die die Pixelelektroden PE in der Draufsicht überlappen und mit der gemeinsamen Elektrode CE versehen sind, die als zweite lichtdurchlässige Elektrode dient. Die Flüssigkristallschicht 50 enthält die polymerdispergierten Flüssigkristalle LC, die zwischen das Anordnungssubstrat 10 und das Gegensubstrat 20 gefüllt sind. Die Lichtemitter 31 emittieren das Licht, das sich in dem Anordnungssubstrat 10 und in dem Gegensubstrat 20 ausbreitet, in Richtung einer der Seitenflächen des Gegensubstrats 20. Die Lichtemitter 31 können das Licht, das sich in dem Anordnungssubstrat 10 und dem Gegensubstrat 20 ausbreitet, in Richtung einer der Seitenflächen des Anordnungssubstrats 10 emittieren.
Das Anordnungssubstrat weist in jedem der Pixel Pix die Haltekapazitätselektrode IO auf, die als dritte lichtdurchlässige Elektrode dient und die Pixelelektrode PE in der Draufsicht zumindest teilweise überlappt, wobei die Isolierschicht dazwischen liegt. Eine konstante Spannung wird von der gemeinsamen Potentialverdrahtung COML an die gemeinsame Elektrode CE und die Haltekapazitätselektrode IO angelegt, damit sie das gemeinsame Potential haben. Dieses Anlegen von Spannung erzeugt die Haltekapazität HC zwischen der Pixelelektrode PE und der Haltekapazitätselektrode IO. Infolgedessen wird das geschriebene Potential jeder der Pixelelektroden PE (siehe 7) während der ersten Farblichtemissionsperiode RON, der zweiten Farblichtemissionsperiode GON und der dritten Farblichtemissionsperiode BON, die nach der einen vertikalen Abtastperiode GateScan kommen, leicht gehalten. Zudem kann die Zeit zum Auswählen der Abtastleitungen reduziert werden und gleichzeitig die Verschlechterung der Anzeigequalität wie etwa das Auftreten von Flimmern verhindert werden. Die Sichtbarkeit von Bildern, die auf der Anzeigetafel 2 angezeigt werden, kann verbessert werden.
(Zweite Ausführungsform)
17 ist eine Draufsicht, die die Abtastleitung, die Signalleitung und das Schaltelement in dem Pixel gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt. 18 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt. 19 ist eine Draufsicht, die die Pixelelektrode in dem Pixel gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt. 20 ist eine perspektivische Teilansicht des Pixels gemäß der zweiten Ausführungsform. 21 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 17. Die gleichen Komponenten wie die in der oben beschriebenen Ausführungsform beschriebenen werden mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und die doppelte Beschreibung davon wird nicht wiederholt.
Wie es in 17 gezeigt ist, ist in dem Pixel Pix der zweiten Ausführungsform die Source-Elektrode SE als ein Stück aus der Signalleitung SL gezogen und in zwei Zweige unterteilt. Die Lichtblockierschicht GS überlappt in der Draufsicht einen Abschnitt der Source-Elektrode SE, der als das eine Stück aus der Signalleitung SL gezogen ist. Diese Konfiguration verhindert, dass reflektiertes Licht, das von Kanten der Source-Elektrode SE reflektiert wird, aus der Anzeigetafel 2 emittiert wird. Infolgedessen wird die Sichtbarkeit von Bildern in der Anzeigevorrichtung 1 verbessert.
Wie es in 18 gezeigt ist, ist die Haltekapazitätselektrode IO aus dem festen Film ausgebildet und nur Abschnitte davon, die die Kontaktlöcher CH und die umgebenden Abschnitte davon überlappen, sind ausgebohrt. Die Haltekapazitätselektrode IO erstreckt sich über die benachbarten Pixel Pix.
Wie es in 19 gezeigt ist, ist jede der Pixelelektroden PE auf Basis der Pixel Pix abgetrennt und ein Abschnitt der Pixelelektrode PE überlappt die Signalleitung SL in der Draufsicht. Die Pixelelektrode PE überlappt die Abtastleitung GL auf einer Seite davon in der Draufsicht und ist auf dem benachbarten Pixel Pix angeordnet, überlappt jedoch die Abtastleitung GL auf der anderen Seite davon in der Draufsicht nicht.
Wie es in 20 gezeigt ist, befindet sich die Pixelelektrode PE über einer schrägen Oberfläche der dritten Isolierschicht 13, die die Signalleitung SL bedeckt. Diese Konfiguration vergrößert den Bereich der Pixelelektrode PE und vergrößert die Fläche des effektiven Pixels Pix.
Wie es in 21 gezeigt ist, hat das Pixel Pix der zweiten Ausführungsform einen Bereich, der die dritte Isolierschicht 13 enthält, und einen Bereich, der die dritte Isolierschicht 13 nicht enthält. Wie es in 20 gezeigt ist, befindet sich der Bereich, der die dritte Isolierschicht 13 enthält, über der Abtastleitung GL und über der Signalleitung SL. Wie es in 20 gezeigt ist, hat die dritte Isolierschicht 13 eine Gitterform, die die Abtastleitungen GL und die Signalleitungen SL entlang der Abtastleitungen GL und der Signalleitungen SL bedeckt. Wie es in 21 gezeigt ist, befindet sich der Bereich, der die dritte Isolierschicht 13 enthält, über der Halbleiterschicht SC, d. h. über dem Schaltelement Tr. Infolgedessen weist das Anordnungssubstrat 10 Bereiche auf, die von den Abtastleitungen GL und den Signalleitungen SL umgeben sind und in denen die dritte Isolierschicht 13 nicht vorhanden ist, und weist somit Bereiche auf, in denen die Dicke der Isolierschichten geringer als die der Isolierschichten, die die Abtastleitungen GL und die Signalleitungen SL in der Draufsicht überlappen. Die Bereiche, die von den Abtastleitungen GL und den Signalleitungen SL umgeben sind, weisen eine relativ höhere optische Durchlässigkeit und eine höhere Lichtübertragungsfähigkeit auf als diejenigen über den Abtastleitungen GL und über den Signalleitungen SL.
Wie es in 1 gezeigt ist, tritt das Licht in der zweiten Richtung PY aus der Seitenlichtquelle 3 ein. Die Lichteintrittsrichtung ist eine Richtung entlang der zweiten Richtung PY. Dementsprechend ist, wie es in 17 gezeigt ist, eine Lichtblockierstruktur SGS auf einer Seite des Schaltelements Tr, die näher an den Lichtemittern 31 der Seitenlichtquelle 3 liegt, in der Lichteintrittsrichtung bereitgestellt. In der ersten Richtung PX, die die Lichteintrittsrichtung schneidet, ist die Länge der Lichtblockierstruktur SGS länger als die Länge des Schaltelements Tr. Diese Konfiguration ermöglicht, dass die Lichtblockierstruktur SGS einen Lichtweg des sich in Richtung des Schaltelements Tr ausbreitenden Lichts zu blockieren und den Lichtverlust des Schaltelements Tr zu verringern.
Die Lichtblockierstruktur SGS ist so ausgebildet, dass sich die Gate-Elektrode GE des Schaltelements Tr erstreckt, und eine erste Lichtblockierschicht SM aus einem leitfähigen Material, die sich in der gleichen Schicht wie die der Signalleitung befindet, ist auf der Oberseite eines leitfähigen Materials, das sich in der gleichen Schicht wie die der Abtastleitung befindet, gestapelt. Eine zweite Lichtblockierschicht TS, die aus dem gleichen leitfähigen Material wie die Metallschicht gebildet ist, ist auf der Oberseite der ersten Lichtblockierschicht SM gestapelt.
Wie es in 21 gezeigt ist, ist die Halbleiterschicht SC des Schaltelements Tr mit der dritten Isolierschicht 13 bedeckt, die als organische Isolierschicht dient, und die schräge Oberfläche der dritten Isolierschicht 13 in der Lichteintrittsrichtung, in der sich die Lichtblockierstruktur SGS befindet, ist mit der Metallschicht TM bedeckt. Diese Konfiguration ermöglicht es, dass die Metallschicht TM den Lichtweg des sich in Richtung des Schaltelements Tr ausbreitenden Lichts blockiert und den Lichtverlust des Schaltelements Tr verringert.
Die Pixelelektrode PE ist über der zweiten Lichtblockierschicht TS gestapelt, wobei die vierte Isolierschicht 14 dazwischen liegt. Mit dieser Konfiguration kann der polymerdispergierte Flüssigkristall LC oberhalb der Lichtblockierstruktur SGS ebenfalls zur Streuung beitragen.
Wie es in 19 und 21 gezeigt ist, ist die Pixelelektrode PE, die über der Lichtblockierstruktur SGS angeordnet ist, in dem Pixel Pix angeordnet, das sich von dem Pixel Pix unterscheidet, in dem die Pixelelektrode über dem Schaltelement Tr angeordnet ist. Die über der Lichtblockierstruktur SGS angeordnete Pixelelektrode PE und die über dem Schaltelement Tr angeordnete Pixelelektrode sind voneinander entkoppelt und schließen sich nicht kurz.
(Dritte Ausführungsform)
22 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß einer dritten Ausführungsform darstellt. Die gleichen Komponenten wie die in einer der oben beschriebenen Ausführungsformen beschriebenen werden mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und die doppelte Beschreibung davon wird nicht wiederholt.
Die Form der Haltekapazitätselektrode IO für die Pixel Pix der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von der für die Pixel Pix der ersten Ausführungsform. In der dritten Ausführungsform weist die Haltekapazitätselektrode IO einen Bereich IOX auf, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, in jedem der Bereiche auf, die von den Abtastleitungen GL und den Signalleitungen SL umgeben sind.
Beispielsweise weist die Haltekapazitätselektrode IO der dritten Ausführungsform eine Gitterform auf, die die Abtastleitungen GL und die Signalleitungen SL entlang der Abtastleitungen GL und der Signalleitungen SL abdeckt. Diese Konfiguration verringert die Kapazität der Haltekapazität HC zwischen dem Bereich IOX, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, und der Pixelelektrode PE und somit wird die Haltekapazität HC durch die Größe des Bereichs IOX, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, angepasst.
Die Haltekapazitätselektrode IO der dritten Ausführungsform kann auf die Pixel Pix der zweiten Ausführungsform angewendet werden.
(Vierte Ausführungsform)
23 ist eine Draufsicht, die die Haltekapazitätsschicht in dem Pixel gemäß einer vierten Ausführungsform darstellt. Die gleichen Komponenten wie die in einer der oben beschriebenen Ausführungsformen beschriebenen werden mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und die doppelte Beschreibung davon wird nicht wiederholt.
Die Form der Haltekapazitätselektrode IO für die Pixel Pix der vierten Ausführungsform unterscheidet sich von der für die Pixel Pix der zweiten Ausführungsform. In der vierten Ausführungsform weist die Haltekapazitätselektrode IO mehrere Bereiche IOX, die kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthalten, in jedem der Bereiche auf, die von den Abtastleitungen GL und den Signalleitungen SL umgeben sind,. Der Bereich der Haltekapazitätselektrode IO, der das lichtdurchlässige leitfähige Material enthält, überlappt die Abtastleitung GL oder die Signalleitung SL und erstreckt sich zu dem benachbarten Pixel Pix. Diese Konfiguration verringert die Kapazität der Haltekapazität HC zwischen den Bereichen IOX, die kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthalten, und der Pixelelektrode PE und somit wird die Haltekapazität HC durch die Größe der Bereiche IOX, die kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthalten, angepasst.
(Fünfte Ausführungsform)
24 ist eine Schnittansicht entlang XIV-XIV' von 12 in dem Pixel gemäß einer fünften Ausführungsform. 25 ist eine Schnittansicht entlang XV-XV' von 12 in dem Pixel gemäß der fünften Ausführungsform. Die gleichen Komponenten wie die in einer der oben beschriebenen Ausführungsformen beschriebenen werden mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und die doppelte Beschreibung davon wird nicht wiederholt.
Das Pixel Pix der fünften Ausführungsform unterscheidet sich von dem Pixel Pix der ersten Ausführungsform in der Stapelreihenfolge der Haltekapazitätselektrode IO und der Metallschicht TM. Wie es in 24 und 25 gezeigt ist, befindet sich die Metallschicht TM auf der Unterseite der Haltekapazitätselektrode IO. Mit anderen Worten ist die Haltekapazitätselektrode IO auf der Oberseite der Metallschicht TM gestapelt. Die Metallschicht TM ist mit der Haltekapazitätselektrode IO bedeckt. Da die Metallschicht TM einen niedrigeren elektrischen Widerstand als die Haltekapazitätselektrode IO aufweist, wird verhindert, dass das Potential der Haltekapazitätselektrode IO mit der Position variiert.
(Abwandlungen)
Obwohl die erste bis fünfte Ausführungsform unter der Annahme beschrieben wurden, dass das Schaltelement Tr eine Struktur mit unterem Gate aufweist, ist das Schaltelement Tr nicht auf die Struktur mit unterem Gate beschränkt und kann eine Struktur mit oberem Gate aufweisen, wie es oben beschrieben ist. Wenn das Schaltelement Tr die Struktur mit oberem Gate aufweist, ist unter Bezugnahme auf die Isolierfilm-Stapelstruktur von 14 die Struktur derart, dass die Halbleiterschicht SC zwischen der ersten lichtdurchlässigen Basis 19 und der ersten Isolierschicht angeordnet ist, die Gate-Elektrode GE zwischen der ersten Isolierschicht 11 und der zweiten Isolierschicht 12 angeordnet ist und der Source-Elektrode SE und die Kontaktelektrode DEA zwischen der zweiten Isolierschicht 12 und der dritten Isolierschicht 13 ausgebildet sind.
Zudem kann eine Gleichspannung als gemeinsames Potential zugeführt werden. Mit anderen Worten kann das gemeinsame Potential konstant sein. Alternativ kann eine Wechselstromspannung als gemeinsames Potential gemeinsam genutzt werden. Mit anderen Worten kann das gemeinsame Potential zwei Werte in Form eines oberen Grenzwerts und eines unteren Grenzwerts haben. Unabhängig davon, ob das gemeinsame Potential ein Gleichstrompotential oder ein Wechselstrompotential ist, wird das gemeinsame Potential der Haltekapazitätselektrode IO und der gemeinsamen Elektrode CE zugeführt.
Als dritte Isolierschicht 13 der dritten Ausführungsform, die als gitterförmiger organischer Isolierfilm dient, der in 20 und 21 dargestellt ist, ist die Struktur offenbart, bei der die dritte Isolierschicht 13 innerhalb des gitterförmigen Bereichs vollständig entfernt ist und die zweite Isolierschicht 12 und die Haltekapazitätselektrode IO in den unteren Schichten freigelegt sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Beispielsweise kann die Struktur derart sein, dass unter Verwendung einer Halbtonbelichtungstechnik ein dünner Teil der Filmdicke der dritten Isolierschicht 13 innerhalb des gitterförmigen Bereichs verbleibt, der von den Signalleitungen SL und den Abtastleitungen GL umgeben ist. Bei dieser Struktur ist die Filmdicke der dritten Isolierschicht 13 innerhalb des gitterförmigen Bereichs geringer als die Filmdicke des gitterförmigen Bereichs, der von den Signalleitungen SL und den Abtastleitungen GL umgeben ist.
Während die bevorzugten Ausführungsformen oben beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt. Der in den Ausführungsformen offenbarte Inhalt ist lediglich ein Beispiel und kann innerhalb des Umfangs, der nicht vom Kern der vorliegenden Offenbarung abweicht, auf verschiedene Weise abgewandelt werden. Alle Abwandlungen, die in innerhalb des Geltungsbereichs, der nicht vom Kern der vorliegenden Offenbarung abweicht, vorgenommen werden, gehören natürlich auch zum technischen Geltungsbereich der vorliegenden Offenbarung.
Bezugszeichenliste

1: Anzeigevorrichtung
2: Anzeigetafel
3: Seitenlichtquelle
4: Ansteuerschaltung
9: Host-Controller
10: Anordnungssubstrat
11: Erste Isolierschicht
12: Zweite Isolierschicht
13: Dritte Isolierschicht
14: Vierte Isolierschicht
20: Gegensubstrat
31: Lichtemitter
41: Signalverarbeitungsschaltung
42: Pixelsteuerschaltung
43: Gate-Ansteuerschaltung
44: Source-Ansteuerschaltung
45: Gemeinsame Potentialansteuerschaltung
50: Flüssigkristallschicht
AL1: Ausrichtungsfilm
AL2: Ausrichtungsfilm
AP: Öffnung
CE: Gemeinsame Elektrode
CH: Kontaktloch
COML: Gemeinsame Potentialverdrahtung
CP: Leitfähiges Element
DE: Drain-Elektrode
DEA: Kontaktelektrode
FR: Umfangsbereich
GE: Gate-Elektrode
GL: Abtastleitung
GON: Lichtemissionsperiode
GS: Lichtblockierschicht
HC: Haltekapazität
HDS: Horizontales Ansteuersignal
IO: Haltekapazitätselektrode
IOX: Bereich, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält
LC: Polymerdispergierter Flüssigkristall
LS: Lichtblockierschicht
PE: Pixelelektrode
SC: Halbleiterschicht
SE: Source-Elektrode
SL: Signalleitung
SGS: Lichtblockierstruktur
TM: Metallschicht
Tr: Schaltelement
TS: Lichtblockierschicht

Claims

Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Anordnungssubstrat, das mehrere erste lichtdurchlässige Elektroden aufweist, die jeweils in einem entsprechenden Pixel angeordnet sind; ein Gegensubstrat, das Positionen aufweist, die die ersten lichtdurchlässigen Elektroden in einer Draufsicht überlappen und mit einer zweiten lichtdurchlässigen Elektrode versehen sind; eine Flüssigkristallschicht, die polymerdispergierte Flüssigkristalle enthält, die zwischen das Anordnungssubstrat und das Gegensubstrat gefüllt sind; und mindestens einen Lichtemitter, der dazu ausgelegt ist, Licht in Richtung einer Seitenfläche des Gegensubstrats zu emittieren, wobei das Anordnungssubstrat in jedem der Pixel eine dritte lichtdurchlässige Elektrode und eine leitfähige Metallschicht aufweist, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode die erste lichtdurchlässige Elektrode in der Draufsicht mit einer anorganischen Isolierschicht dazwischen zumindest teilweise überlappt und die leitfähige Metallschicht auf der dritten lichtdurchlässigen Elektrode gestapelt ist, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode über die Pixel hinweg bereitgestellt ist, das Anordnungssubstrat ferner eine organische Isolierschicht aufweist und die dritte lichtdurchlässige Elektrode auf oder über der organischen Isolierschicht ausgebildet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine gemeinsame Spannung an die zweite lichtdurchlässige Elektrode und die dritte lichtdurchlässige Elektrode angelegt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Oberfläche des Anordnungssubstrats mit mehreren Signalleitungen, die in einer ersten Richtung mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, und mehreren Abtastleitungen, die in einer zweiten Richtung mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, versehen ist, die organische Isolierschicht die Signalleitungen und die Abtastleitungen in der Draufsicht überlappt und in einer Gitterform angeordnet ist, und die Metallschicht die Signalleitungen und die Abtastleitungen in der Draufsicht überlappt und in der Gitterform auf oder über der organischen Isolierschicht angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine Breite der Metallschicht, die jede der Signalleitungen überlappt, größer als eine Breite der Signalleitung ist und eine Breite der Metallschicht, die jede der Abtastleitungen überlappt, größer als eine Breite der Abtastleitung ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Anordnungssubstrat ferner Lichtblockierschichten aufweist, wobei sich jede Lichtblockierschicht entlang einer entsprechenden der Signalleitungen erstreckt, einen Abschnitt der Signalleitung in der Draufsicht überlappt und gegenüber der Metallschicht bereitgestellt ist, wobei die Signalleitung dazwischen liegt, und eine Breite der Lichtblockierschicht größer als die Breite der Signalleitung und kleiner als die Breite der Metallschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei ein Schaltelement in einem Bereich bereitgestellt ist, der von den Abtastleitungen und den Signalleitungen umgeben ist, zumindest das Schaltelement mit der organischen Isolierschicht bedeckt ist und die Metallschicht, die eine größere Fläche als die des Schaltelements aufweist, sich auf oder über der organischen Isolierschicht befindet.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei ein Bereich, der von den Abtastleitungen und den Signalleitungen des Anordnungssubstrats umgeben ist, einen Bereich umfasst, in dem eine Dicke der organischen Isolierschicht geringer als eine Dicke der organischen Isolierschicht ist, die die Abtastleitungen und die Signalleitungen in der Draufsicht überlappt.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die ersten lichtdurchlässigen Elektroden über schrägen Oberflächen der organischen Isolierschicht angeordnet sind, die eine Gitterform aufweist und die Signalleitungen bedeckt.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode einen Bereich, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, in einem Bereich, der von den Abtastleitungen und den Signalleitungen umgeben ist, aufweist.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode eine Gitterform aufweist, die die Abtastleitungen und die Signalleitung entlang der Abtastleitungen und der Signalleitungen bedeckt.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die dritte lichtdurchlässige Elektrode einen Bereich, der kein lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, in einem Bereich, der von den Abtastleitungen und den Signalleitungen umgeben ist, aufweist und ein Bereich, der lichtdurchlässiges leitfähiges Material enthält, die Abtastleitung oder die Signalleitung überlappt und sich zu einem benachbarten der Pixel erstreckt.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei eine Oberfläche des Anordnungssubstrats mit mehreren Signalleitungen, die in einer ersten Richtung mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, und mehreren Abtastleitungen, die in einer zweiten Richtung mit Zwischenräumen dazwischen angeordnet sind, versehen ist, und ein Schaltelement in einem Bereich, der von den Abtastleitungen und den Signalleitungen umgeben ist, bereitgestellt ist und sich eine Lichtblockierstruktur in der Draufsicht auf einer Seite des Schaltelements, die in einer Lichteintrittsrichtung näher an dem Lichtemitter ist, befindet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei in einer Richtung, die die Lichteintrittsrichtung schneidet, eine Länge der Lichtblockierstruktur länger ist als eine Länge des Schaltelements.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei in der Lichtblockierstruktur ein leitfähiges Material, das sich in der gleichen Schicht wie die Abtastleitungen befindet, und ein leitfähiges Material, das sich in der gleichen Schicht wie die Signalleitungen befindet, gestapelt sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei in der Lichtblockierstruktur das gleiche leitfähige Material wie das der Abtastleitungen, das gleiche leitfähige Material wie das der Signalleitungen und das gleiche leitfähige Material wie das der Metallschicht gestapelt sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei mindestens das Schaltelement mit der organischen Isolierschicht bedeckt ist und eine schräge Oberfläche der organischen Isolierschicht in der Lichteintrittsrichtung mit der Metallschicht bedeckt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 16, wobei die erste lichtdurchlässige Elektrode, die über der Lichtblockierstruktur angeordnet ist, in einem Pixel angeordnet ist, das sich von einem Pixel unterscheidet, in dem die erste lichtdurchlässige Elektrode über dem Schaltelement angeordnet ist.