DE112017004729T5 - Anzeigevorrichtung und elektronische vorrichtung - Google Patents

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Takuma Fujii
Naobumi Toyomura
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Abstract

[Problem] Ermöglichen weiterer Verbesserungen der Zuverlässigkeit.[Lösung] Es ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die mit Folgendem versehen ist: einer Pixeleinheit, die durch Anordnen mehrerer Pixelschaltkreise, die aus Lichtemissionselementen und Ansteuerungsschaltkreisen zum Ansteuern der Lichtemissionselemente bestehen, in einer Matrixform dargestellt wird; Scanleitungen, die mittels einer Verdrahtung mit jedem der Pixelschaltkreise verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken, die jeder Zeile der mehreren Pixelschaltkreise entspricht; und Signalleitungen, die mittels einer Verdrahtung mit jedem der Pixelschaltkreise verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken, die jeder Spalte der mehreren Pixelschaltkreise entspricht. Welche der Scanleitungen und Signalleitungen auch immer mehr Leitungen aufweisen, die für einen einzigen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, werden in einer niedrigeren Verdrahtungsschicht positioniert und Elektroden für Kapazitätselemente, die in den Ansteuerungsschaltkreisen enthalten sind, sind in einer beliebigen Verdrahtungsschicht für die Scanleitungen oder Signalleitungen positioniert.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine elektronische Einrichtung.
  • Stand der Technik
  • Eine Anzeigevorrichtung, die durch ein sogenanntes Aktivmatrixsystem ansteuerbar ist, weist üblicherweise eine Konfiguration auf, bei der ein Lichtemissionselement und ein Pixelschaltkreis einschließlich eines Ansteuerungsschaltkreises zum Bewirken, dass das Lichtemissionselement angesteuert wird, bei einer Position bereitgestellt sind, die jedem der Schnittpunkte mehrerer Scanleitungen, die sich entlang einer lateralen Richtung (nachfolgend gelegentlich als eine horizontale Richtung bezeichnet) einer Anzeigefläche erstrecken und so platziert sind, dass sie in einer senkrechten Richtung (nachfolgend gelegentlich als eine vertikale Richtung bezeichnet) der Anzeigeoberfläche angeordnet sind, und mehrerer Datenleitungen (Signalleitungen), die sich entlang der vertikalen Richtung erstrecken und so platziert sind, dass sie in der horizontalen Richtung angeordnet sind, entspricht. Ein Pixelschaltkreis entspricht einem Pixel oder Subpixel. Die elektrischen Potentiale der Scanleitung und der Signalleitung werden zu geeigneten Zeitpunkten geändert; dadurch wird das Ein/Aus-Schalten eines aktiven Elements (eines Transistors oder dergleichen), das in dem Ansteuerungsschaltkreis in dem Pixelschaltkreis bereitgestellt ist, angemessen gesteuert und wird die Lichtemission des Lichtemissionselements in dem Pixelschaltkreis gesteuert. Als eine Anzeigevorrichtung, die durch ein Aktivmatrixsystem ansteuerbar ist, wird zum Beispiel eine Anzeigevorrichtung, bei der eine organische Leuchtdiode (OLED: Organic Light Emitting Diode) als ein Lichtemissionselement verwendet wird, (nachfolgend gelegentlich als organische Elektrolumineszenz(EL)-Anzeigevorrichtung bezeichnet) entwickelt (zum Beispiel Patentliteratur 1 bis 4).
  • Zitatliste
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1: JP 2015-55763A
    • Patentliteratur 2: JP 2016-53636A
    • Patentliteratur 3: JP 2016-53640A
    • Patentliteratur 4: JP 2016-53641A
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Hier muss zum Beispiel bei einer Anzeigevorrichtung eine Pixelgröße reduziert werden, um eine Anzeige mit höherer Auflösung zu realisieren und um sie in einer elektronischen Einrichtung mit relativ kleiner Größe, wie etwa einer Wearable-Vorrichtung, zu montieren. Wenn eine Pixelgröße reduziert wird, wird ein Layout eines Pixelschaltkreises ebenfalls miniaturisiert und dementsprechend können die folgenden Probleme auftreten. Das heißt, die Probleme sind eine Verschlechterung der Emissionsleuchtdichtengleichmäßigkeit, die durch eine Rauschstörung zwischen Elektroden aufgrund einer Zunahme einer parasitären Kapazität zwischen Zwischenverbindungen verursacht wird, eine Verschlechterung einer Leuchtdichtengleichmäßigkeit, die durch eine Verschlechterung einer Rauschwiderstandsfähigkeit aufgrund des Drucks des Bereichs einer Elektrode eines Kapazitätselements versursacht wird, ein Versagen eines Kurzschlusses zwischen Zwischenverbindungen, weil eine Pixelzwischenverbindung dichtbesetzt wird, ein Versagen einer offenen Zwischenverbindung aufgrund einer Zwischenverbindungsstruktur mit einer kleinen Fläche, die nicht normal gebildet ist (so genanntes „Film-Skipping“), und dergleichen. Um eine Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung und höherer Zuverlässigkeit zu realisieren, ist es notwendig, das Auftreten dieser Probleme zu unterdrücken.
  • Folglich schlägt die vorliegende Offenbarung eine neue und verbesserte Anzeigevorrichtung und elektronische Vorrichtung vor, die zum weiteren Verbessern einer Zuverlässigkeit in der Lage sind.
  • Lösung des Problems
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die Folgendes beinhaltet: eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet, Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, und Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
  • Außerdem ist gemäß der vorliegenden Offenbarung auch eine elektronische Einrichtung bereitgestellt, die eine Anzeigevorrichtung beinhaltet, die eine Anzeige basierend auf einem Videosignal durchführt, wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet: eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet, Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, und Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist mit Bezug auf zwei Typen von orthogonalen Zwischenverbindungen (Scanleitungen und Signalleitungen), die für eine Pixeleinheit bereitgestellt sind, einer der zwei Typen von Zwischenverbindungen, die für einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welcher eine größere Anzahl aufweist, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene gebildet. Daher ist es möglich, eine Zwischenverbindungsstruktur in einer Zwischenverbindungsschicht einer höheren Ebene relativ dünnbesetzt zu machen. Außerdem ist eine Elektrode eines Kapazitätselements, das in dem Pixelschaltkreis enthalten ist, in einer Zwischenverbindungsschicht gebildet, in der ein beliebiger der zwei Typen von Zwischenverbindungen bereitgestellt ist. Das heißt, da die Elektrode des Kapazitätselements in einer Zwischenverbindungsschicht mit einer relativ dünnbesetzten Zwischenverbindungsstruktur bereitgestellt werden kann, ist es möglich, dass der Freiheitsgrad einer Anordnung der Elektrode verbessert wird und der Bereich der Elektrode ausreichend sichergestellt wird. Daher ist es möglich, ein Problem, das durch eine relativ dichtbesetzte Zwischenverbindungsstruktur verursacht wird, ein Problem, das durch den Bereich der Elektrode des Kapazitätselements verursacht wird, der nicht ausreichend sichergestellt werden kann, und dergleichen zu lösen. Entsprechend kann eine Anzeigevorrichtung mit höherer Zuverlässigkeit realisiert werden.
  • Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
  • Wie oben beschrieben, ist es gemäß der vorliegenden Offenbarung möglich, eine Zuverlässigkeit weiter zu verbessern. Es wird angemerkt, dass die oben beschriebenen Effekte nicht notwendigerweise beschränkend sind. Mit den oder an Stelle der obigen Effekte(n) kann ein beliebiger der Effekte, die in dieser Beschreibung beschrieben sind, oder können andere Effekte, die aus dieser Beschreibung erhalten werden können, erzielt werden.
  • Figurenliste
    • [1] 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Gesamtkonfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
    • [2] 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Konfiguration einer Pixeleinheit, einer Scaneinheit und einer Auswahleinheit, die in 1 gezeigt sind, ausführlicher zeigt.
    • [3] 3 ist ein schematisches Diagramm, das ein Konfigurationsbeispiel eines in 2 gezeigten Pixelschaltkreises zeigt.
    • [4] 4 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines Betriebes des Pixelschaltkreises gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
    • [5] 5 ist ein schematisches Diagramm, das ein anderes Konfigurationsbeispiel des Pixelschaltkreises gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
    • [6] 6 ist ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine gestapelte Struktur des Pixelschaltkreises zeigt.
    • [7] 7 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines Beispiels für eine Layout einer Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
    • [8] 8 ist ein Diagramm für einen Vergleich mit dem in 7 gezeigten Layout und ist ein Diagramm, das ein Beispiel für ein Layout, falls eine H-Scanleitung und eine V-Signalleitung in einer Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, die von dieser in der vorliegenden Ausführungsform verschieden sind, falls eine H-Scanleitung und eine V-Signalleitung in einer ersten Zwischenverbindungsschicht und einer zweiten Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, zeigt.
    • [9] 9 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines anderen Beispiels für ein Layout der Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
    • [10] 10 ist ein Diagramm für einen Vergleich mit dem in 9 gezeigten Layout und ist ein Diagramm, das ein Beispiel für ein Layout, falls eine H-Scanleitung und eine V-Signalleitung in einer Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, die von dieser in der vorliegenden Ausführungsform verschieden sind, falls eine H-Scanleitung und eine V-Signalleitung in einer ersten Zwischenverbindungsschicht, einer zweiten Zwischenverbindungsschicht und einer dritten Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, zeigt.
    • [11] 11 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Anordnung dritter Vias in drei Subpixeln in einem Fall zeigt, in dem ein Pixel in den drei Subpixeln gebildet ist.
    • [12] 12 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Anordnung dritter Vias in vier Subpixeln in einem Fall zeigt, in dem ein Pixel in den vier Subpixeln gebildet ist.
    • [13] 13 ist eine Querschnittsansicht, die ein spezielles Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
    • [14] 14 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen eines Smartphones zeigt, das ein Beispiel für eine elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann.
    • [15] 15 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen einer digitalen Kamera zeigt, die ein anderes Beispiel für eine elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann.
    • [16] 16 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen einer digitalen Kamera zeigt, die ein anderes Beispiel für eine elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann.
    • [17] 17 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen einer am Kopf getragenen Anzeige zeigt, die ein anderes Beispiel für eine elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann.
  • Ausführungsweise(n) der Erfindung
  • Nachfolgend wird/werden (eine) bevorzugte Ausführungsform(en) der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es ist zu beachten, dass in dieser Beschreibung und den angehängten Zeichnungen strukturelle Elemente, die im Wesentlichen die gleiche Funktion und Struktur aufweisen, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet werden und eine wiederholte Erläuterung dieser strukturellen Elemente ausgelassen wird.
  • Es ist zu beachten, dass in den Zeichnungen die Größen usw. mancher Schichten in der Querschnittsansicht und manche Bereiche in der Draufsicht, die ein Layout zeigen, aus Gründen der Beschreibung übertrieben ausgedrückt sein können. Die in den Zeichnungen gezeigten relativen Größen von Schichten, Bereichen usw. drücken die tatsächlichen Größenbeziehungen zwischen Schichten, Bereichen usw. nicht notwendigerweise genau aus.
  • Ferner ist im Folgenden eine Ausführungsform, bei der die Anzeigevorrichtung eine organische EL-Anzeigevorrichtung ist, als ein Beispiel für die vorliegende Offenbarung beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann die Anzeigevorrichtung, die ein Ziel der vorliegenden Offenbarung ist, verschiedene Anzeigevorrichtungen sein, solange sie Anzeigevorrichtungen sind, die durch ein Ansteuerungssystem vom Aktivmatrixtyp ansteuerbar sind.
  • Es ist zu beachten, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge erfolgt.
    1. 1. Gesamtkonfiguration der Anzeigevorrichtung
    2. 2. Konfiguration des Pixelschaltkreises
    3. 3. Betrieb des Pixelschaltkreises
    4. 4. Layout der Zwischenverbindungsschicht
    5. 5. Spezielles Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung
    6. 6. Anwendungsbeispiele
    7. 7. Ergänzung
  • (Gesamtkonfiguration der Anzeigevorrichtung)
  • Eine Gesamtkonfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird nun unter Bezugnahme auf 1 und 2 beschrieben. 1 ist ein schematisches Diagramm, das eine Gesamtkonfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt. 2 ist ein schematisches Diagramm, das die Konfiguration einer Pixeleinheit, einer Scaneinheit und einer Auswahleinheit, die in 1 gezeigt sind, ausführlicher zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf 1 sind in einer Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine Pixeleinheit 20, eine Scaneinheit 30 und eine Auswahleinheit 40 auf einem Anzeigefeld 10 angeordnet. Wie in 2 gezeigt, sind in der Pixeleinheit 20 mehrere Pixelschaltkreise 210 in einer Matrixform angeordnet. Es wird angemerkt, dass „der Pixelschaltkreis 210“, der in 2 gezeigt ist, obwohl er der Einfachheit halber als der Pixelschaltkreis 210 geschrieben wird, einen Teil ausschließlich einer Zwischenverbindungsschicht des Pixelschaltkreises 210 zeigt; in der Praxis können in dem Pixel schaltkreis 210 Zwischenverbindungen (Zwischenverbindungen, die sich von der Scaneinheit 30 und der Auswahleinheit 40 erstrecken, eine Leistungsversorgungsleitung 332 usw., die später beschrieben werden) mit dem in 2 gezeigten „Pixelschaltkreis 210“ verbunden sein. Das heißt, diese Zwischenverbindungen können gemeinsam für mehrere Pixelschaltkreise 210 bereitgestellt werden, aber sie können auch Teile des Pixelschaltkreises 210 sein; dementsprechend ist in 2 ein Teil ausschließlich der Zwischenverbindungsschicht des Pixelschaltkreises 210 der Einfachheit halber als der Pixelschaltkreis 210 gezeigt. In der vorliegenden Beschreibung kann diese Komponente, falls sie als „der Pixelschaltkreis 210“ geschrieben ist, dementsprechend der Einfachheit halber auf nur einen Teil ausschließlich der Zwischenverbindungsschicht des Pixelschaltkreises 210 verweisen.
  • Ein Pixelschaltkreis 210 entspricht einem Subpixel. Hier ist die Anzeigevorrichtung 1 eine Anzeigevorrichtung, die zur Farbanzeige in der Lage ist, und ein Pixel, das als eine Einheit dient, die ein Farbbild bildet, beinhaltet mehrere Subpixel. Insbesondere beinhaltet ein Pixel drei Subpixel eines Subpixels, das rotes Licht emittiert, eines Subpixels, das grünes Licht emittiert, und eines Subpixels, das blaues Licht emittiert. In 2 wird eine Farbe (R, G oder B), die jedem Subpixel entspricht, simulativ in jeden Pixelschaltkreis 210 geschrieben. Eine Lichtemission in jedem Pixelschaltkreis 210 (d. h. jedem Subpixel) wird angemessen gesteuert und dadurch wird ein gewünschtes Bild in der Pixeleinheit 20 angezeigt. Dementsprechend entspricht die Pixeleinheit 20 einer Anzeigeoberfläche in der Anzeigevorrichtung 1.
  • Jedoch ist bei der vorliegenden Ausführungsform die Kombination von Subpixeln, die in einem Pixel enthalten sind, nicht auf eine Kombination von Subpixeln von drei Primärfarben von RGB beschränkt. Zum Beispiel können in einem Pixel Subpixel einer Farbe oder mehrerer Farben ferner zu Subpixeln von drei Primärfarben hinzugefügt werden. Insbesondere kann zum Beispiel in einem Pixel ein Subpixel, das weißes Licht emittiert, zu Subpixeln von drei Primärfarben hinzugefügt werden, um die Leuchtdichte zu verbessern; oder in einem Pixel kann wenigstens ein Subpixel, das Licht einer Komplementärfarbe emittiert, zu Subpixeln der drei Primärfarben hinzugefügt werden, um den Farbwiedergabebereich zu erweitern. Alternativ dazu existiert in der Anzeigevorrichtung 1 möglicherweise kein Subpixel und kann ein Pixelschaltkreis 210 einem Pixel entsprechen. Außerdem ist alternativ dazu die Anzeigevorrichtung 1 möglicherweise keine, die zur Farbanzeige fähig ist und kann eine sein, die eine Monochromanzeige durchführt.
  • Die Scaneinheit 30 ist auf einer Seite in der horizontalen Richtung der Pixeleinheit 20 platziert. Mehrere Zwischenverbindungen, die dazu vorgesehen sind, in der vertikalen Richtung angeordnet zu werden, erstrecken sich in der horizontalen Richtung von der Scaneinheit 30 zu der Pixeleinheit 20 hin. Insbesondere beinhaltet die Scaneinheit 30, wie in 2 gezeigt, eine Schreibscaneinheit 301, eine erste Ansteuerungsscaneinheit 311 und eine zweite Ansteuerungsscaneinheit 321. Mehrere Schreibscanleitungen 302 erstrecken sich von der Schreibscaneinheit 301 zu den jeweiligen Zeilen der Pixelschaltkreise 210, mehrere erste Ansteuerungsleitungen 312 erstrecken sich von der ersten Ansteuerungsscaneinheit 311 zu den jeweiligen Zeilen der Pixelschaltkreise 210 und mehrere zweite Ansteuerungsleitungen 322 erstrecken sich von der zweiten Ansteuerungsscaneinheit 321 zu den jeweiligen Zeilen der Pixelschaltkreise 210. Jede der mehreren Zwischenverbindungen (die Schreibscanleitungen 302, die ersten Ansteuerungsleitungen 312 und die zweiten Ansteuerungsleitungen 322) ist mit den jeweiligen Pixelschaltkreisen 210 verbunden. Die Schreibabtasteinheit 301, die erste Ansteuerungsscaneinheit 311 und die zweite Ansteuerungsscaneinheit 321 ändern die elektrischen Potentiale dieser mehreren Zwischenverbindungen nach Bedarf und steuern dadurch den Betrieb jedes Pixelschaltkreises 210, so dass ein gewünschtes Bild als die gesamte Anzeigeoberfläche angezeigt werden kann. Einzelheiten des Verbindungszustands zwischen der Schreibscanleitung 302, der ersten Ansteuerungsleitung 312 und der zweiten Ansteuerungsleitung 322 und dem Pixelschaltkreis 210 und Funktionen der Schreibscaneinheit 301, der ersten Ansteuerungsscaneinheit 311 und der zweiten Ansteuerungsscaneinheit 321 werden später unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Die Auswahleinheit 40 ist auf einer Seite in der vertikalen Richtung der Pixeleinheit 20 platziert. Mehrere Zwischenverbindungen, die dazu vorgesehen sind, in der horizontalen Richtung angeordnet zu werden, erstrecken sich in der vertikalen Richtung von der Auswahleinheit 40 zu der Pixeleinheit 20 hin. Insbesondere beinhaltet die Auswahleinheit 40, wie in 2 gezeigt, eine Signalausgabeeinheit 401. Mehrere Signalleitungen 402 erstrecken sich von der Signalausgabeeinheit 401 zu den jeweiligen Spalten der Pixelschaltkreise 210 hin. Jede der mehreren Signalleitungen 402 ist mit den jeweiligen Pixelschaltkreisen 210 in der Pixeleinheit 20 verbunden. Die Signalausgabeeinheit 401 ändert die elektrischen Potentiale der mehreren Signalleitungen 402 nach Bedarf und steuert dadurch den Betrieb jedes Pixelschaltkreises 210, so dass ein gewünschtes Bild als die gesamte Anzeigeoberfläche angezeigt werden kann. Einzelheiten des Verbindungszustands zwischen der Signalleitung 402 und dem Pixelschaltkreis 210 und Funktionen der Signalausgabeeinheit 401 werden später unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Dementsprechend sind Zwischenverbindungen, die sich in der horizontalen Richtung von der Scaneinheit 30 erstrecken, so bereitgestellt, dass sie den jeweiligen Zeilen der in einer Matrixform angeordneten Pixelschaltkreise 210 entsprechen, und sind mit den jeweiligen Pixelschaltkreisen 210 verbunden. Ferner sind Zwischenverbindungen, die sich in der vertikalen Richtung von der Auswahleinheit 40 erstrecken, so bereitgestellt, dass sie den jeweiligen Spalten der in einer Matrixform angeordneten Pixelschaltkreise 210 entsprechen, und sind mit den jeweiligen Pixelschaltkreisen 210 verbunden. Dann werden die elektrischen Potentiale der mehreren Zwischenverbindungen durch die Scaneinheit 30 und die Auswahl einheit 40 nach Bedarf geändert und dadurch wird der Betrieb jedes Pixelschaltkreises 210 der Pixeleinheit 20 gesteuert.
  • (Konfiguration des Pixelschaltkreises)
  • Die Konfiguration des in 2 gezeigten Pixelschaltkreises 210 wird nun unter Bezugnahme auf 3 beschrieben. 3 ist ein schematisches Diagramm, das die Konfiguration des in 2 gezeigten Pixelschaltkreises 210 zeigt. 3 zeigt eine Schaltkreiskonfiguration eines Pixelschaltkreises 210 unter den mehreren in 2 gezeigten Pixelschaltkreisen 210 und zeigt den Verbindungszustand mit Bezug auf den Pixelschaltkreis 210 der Schreibscanleitung 302, der ersten Ansteuerungsleitung 312, der zweiten Ansteuerungsleitung 322 und der Signalleitung 402.
  • Wie in 3 gezeigt, beinhaltet der Pixelschaltkreis 210 eine organische Leuchtdiode 211, die ein Lichtemissionselement ist, und einen Ansteuerungsschaltkreis, der die organische Leuchtdiode 211 durch Hindurchführen eines Stroms durch die organische Leuchtdiode 211 ansteuert. Der Ansteuerungsschaltkreis beinhaltet vier Transistoren, die aktive Elemente sind (einen Ansteuerungstransistor 212, einen Abtasttransistor 213, einen Lichtemissionssteuertransistor 214 und einen Schalttransistor 217), und Kapazitätselemente (eine Haltekapazität 215 und eine Hilfskapazität 216). In dem Pixelschaltkreis 210 sind Zwischenverbindungen (die Schreibscanleitung 302, die erste Ansteuerungsleitung 312, die zweite Ansteuerungsleitung 322 und die Signalleitung 402, die oben erwähnt sind, eine später beschriebene Leistungsversorgungsleitung 332 usw.) mit diesen Elementen verbunden.
  • Es sei angemerkt, dass eine organische Leuchtdiode mit einer gewöhnlichen Struktur als die organische Leuchtdiode 211 verwendet werden kann. Ferner sind sowohl der Ansteuerungstransistor 212, der Abtasttransistor 213, der Lichtemissionssteuertransistor 214 als auch der Schalttransistor 217 ein p-Kanal-Transistor mit vier Anschlüssen (Source/Gate/Drain/Backgate), der auf einem Halbleiter, wie etwa Silicium (Si), gebildet ist, und die Struktur kann einem gewöhnlichen p-Kanal-Transistor mit vier Anschlüssen ähnlich sein. Daher wird eine ausführliche Beschreibung der Strukturen der organischen Leuchtdiode 211, des Ansteuerungstransistors 212, des Abtasttransistors 213, des Lichtemissionssteuertransistors 214 und des Schalttransistors 217 hier ausgelassen.
  • Die Kathode der organischen Leuchtdiode 211 ist mit einer gemeinsamen Leistungsversorgungsleitung 331 (elektrisches Potential: VKATH) verbunden, das gemeinsam für sämtliche Pixelschaltkreise 210 der Pixeleinheit 20 bereitgestellt ist. Die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 ist mit der Anode der organischen Leuchtdiode 211 verbunden.
  • Die Drain-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors 214 ist mit der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 verbunden, und die Source-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors 214 ist mit einer Leistungsversorgungsleitung 332 (elektrisches Potential: Vcc; wobei Vcc das Leistungsversorgungspotential ist) verbunden. Ferner ist die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 mit der Drain-Elektrode des Abtasttransistors 213 verbunden und ist die Source-Elektrode des Abtasttransistors 213 mit der Signalleitung 402 verbunden.
  • Daher wird, indem der Abtasttransistor 213 in einen Leitungszustand gebracht wird, ein elektrisches Potential, das dem elektrischen Potential der Signalleitung 402 entspricht, an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 angelegt (das elektrische Potential der Signalleitung 402 wird geschrieben) und der Ansteuerungstransistor 212 wird in einen Leitungszustand gebracht. Ferner wird bei diesem Ereignis, indem der Lichtemissionssteuertransistor 214 in einen Leitungszustand gebracht wird, ein elektrisches Potential, das dem Signalpotential Vcc entspricht, an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 angelegt, und wird ein Drain-Source-Strom Ids in dem Ansteuerungstransistor 212 erzeugt; dementsprechend wird die organische Leuchtdiode 211 angesteuert. Bei diesem Ereignis ändert sich der Betrag des Drain-Source-Stroms Ids gemäß dem Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 und daher wird die Emissionsleuchtdichte der organischen Leuchtdiode 211 gemäß dem Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212, das heißt dem elektrischen Potential der Signalleitung 402, das durch den Abtasttransistor 213 geschrieben wird, gesteuert.
  • Dementsprechend hat der Ansteuerungstransistor 212 die Funktion des Bewirkens, dass die organische Leuchtdiode 211 durch den Drain-Source-Strom Ids des Ansteuerungstransistors 212 angesteuert wird. Ferner steuert der Abtasttransistor 213 die Gate-Spannung des Ansteuerungstransistors 212 gemäß dem elektrischen Potential der Signalleitung 402, das heißt, steuert das Ein/Aus-Schalten des Ansteuerungstransistors 212; dementsprechend hat der Abtasttransistor 213 die Funktion, das elektrische Potential der Signalleitung 402 auf den Pixelschaltkreis 210 zu schreiben (das heißt, hat die Funktion, einen Pixelschaltkreis 210 abzutasten, um das elektrische Potential der Signalleitung 402 darauf zu schreiben). Ferner steuert der Lichtemissionssteuertransistor 214 das elektrische Potential der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 und steuert dadurch den Drain-Source-Strom Ids des Ansteuerungstransistors 212; dementsprechend hat der Lichtemissionssteuertransistor 214 die Funktion, die Lichtemission/Nichtlichtemission der organischen Leuchtdiode 211 zu steuern.
  • Die Haltekapazität 215 ist zwischen der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 (das heißt der Drain-Elektrode des Abtasttransistors 213) und der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 verbunden. Das heißt, die Haltekapazität 215 hält die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212. Die Hilfskapazität 216 ist zwischen der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 und der Leistungsversorgungsleitung 332 verbunden. Die Hilfskapazität 216 hat die Funktion, das Source-Potential des Ansteuerungstransistors 212 zu unterdrücken, das variiert, wenn das elektrische Potential der Signalleitung 402 geschrieben wird.
  • Die Signalausgabeeinheit 401 steuert das elektrische Potential der Signalleitung 402 (eine Signalleitungsspannung Date) wie angemessen und schreibt dadurch das elektrische Potential der Signalleitung 402 auf den Pixelschaltkreis 210 (insbesondere wird, wie oben beschrieben, das elektrische Potential der Signalleitung 402 auf einen durch den Abtasttransistor 213 ausgewählten Pixelschaltkreis 210 geschrieben). Bei der vorliegenden Ausführungsform gibt die Signalausgabeeinheit 401 selektiv eine Signalspannung Vsig , die einem Videosignal entspricht, eine erste Referenzspannung Vref und eine zweite Referenzspannung Vofs über die Signalleitung 402 aus. Hier ist die erste Referenzspannung Vref eine Referenzspannung zum Bewirken, dass die organische Leuchtdiode 211 zuverlässig gelöscht wird. Ferner ist die zweite Referenzspannung Vofs eine Spannung, die als eine Referenz der Signalspannung Vsig dient, die einem Videosignal entspricht (zum Beispiel einer Spannung, die dem Schwarzpegel eines Videosignals entspricht) und wird verwendet, wenn ein Schwellenkorrekturvorgang, der später beschrieben wird, durchgeführt wird.
  • Die Schreibscanleitung 302 ist mit der Gate-Elektrode des Abtasttransistors 213 verbunden. Die Schreibscaneinheit 301 steuert das Ein/Aus-Schalten des Abtasttransistors 213 durch Ändern des elektrischen Potentials der Schreibscanleitung 302 (einer Scanleitungsspannung WS) und führt die Verarbeitung des Schreibens des elektrischen Potentials der oben beschriebenen Signalleitung 402 (zum Beispiel der Signalspannung Vsig , die einem Videosignal entspricht) auf dem Pixelschaltkreis 210 aus. In der Praxis erstrecken sich, wie unter Bezugnahme auf 2 beschrieben, mehrere Schreibscanleitungen 302 zu den jeweiligen Zeilen mehrerer Pixelschaltkreise 210, die in einer Matrixform angeordnet sind. Wenn das elektrische Potential der Signalleitung 402 auf jeden Pixelschaltkreis 210 geschrieben wird, liefert die Schreibscaneinheit 301 sequentiell die Scanleitungsspannung WS eines vorgeschriebenen Wertes an die mehreren Schreibscanleitungen 302 und scannt dadurch die Pixelschaltkreise 210 auf einer Zeilenbasis einen nach dem anderen.
  • Es sei angemerkt, dass sich auch für die Signalleitung 402 in der Praxis mehrere Signalleitungen 402 zu den jeweiligen Spalten mehrerer Pixelschaltkreise 210 erstrecken, die in einer Matrixform angeordnet sind, wie unter Bezugnahme auf 2 beschrieben ist. Die Signalspannung Vsig , die einem Videosignal entspricht, die erste Referenzspannung Vref und die zweite Referenzspannung Vofs , die alternativ von der Signalausgabeeinheit 401 ausgegeben werden, werden über die mehreren Signalleitungen 402 auf die Pixelschaltkreise 210 in Einheiten von Pixelzeilen, die durch Scannen durch die Schreibscaneinheit 301 ausgewählt werden, geschrieben. Das heißt, die Signalausgabeeinheit 401 schreibt das elektrische Potential der Signalleitung 402 auf einer Zeilenbasis.
  • Die erste Ansteuerungsleitung 312 ist mit der Gate-Elektrode des Lichtemissionssteuertransistors 214 verbunden. Die erste Ansteuerungsscaneinheit 311 steuert das Ein/Aus-Schalten des Lichtemissionssteuertransistors 214 durch Ändern des elektrischen Potentials der ersten Ansteuerungsleitung 312 (eine erste Ansteuerungsleitungsspannung DS) und führt die Verarbeitung des Steuerns der Lichtemission/Nichtlichtemission der oben beschriebenen organischen Leuchtdiode 211 aus. In der Praxis erstrecken sich, wie unter Bezugnahme auf 2 beschrieben, erste mehrere Ansteuerungsleitungen 312 zu den jeweiligen Zeilen mehrerer Pixelschaltkreise 210, die in einer Matrixform angeordnet sind. In Synchronisation mit dem Scannen durch die Schreibscaneinheit 301 liefert die erste Ansteuerungsscaneinheit 311 sequentiell die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS eines vorgeschriebenen Wertes an die mehreren ersten Ansteuerungsleitungen 312 und steuert dadurch die Lichtemission/Nichtlichtemission jedes Pixelschaltkreises 210 wie angemessen.
  • Hier ist ferner in dem Pixelschaltkreis 210 die Source-Elektrode des Schalttransistors 217 mit der Anode der organischen Leuchtdiode 211 verbunden. Die Drain-Elektrode des Schalttransistors 217 ist mit einer Masseleitung 333 (elektrisches Potential: Vss ; wobei Vss das Massepotential ist) verbunden. Ein Strom, der während der Nichtlichtemissionsperiode der organischen Leuchtdiode 211 durch den Ansteuerungstransistor 212 fließt, fließt durch die Masseleitung 333 mittels eines durch den Schalttransistor 217 gebildeten Strompfads.
  • Hier wird, wie später beschrieben wird, wenn der Pixelschaltkreis 210 gemäß der vorliegenden Ausführungsform angesteuert wird, ein Schwellenkorrekturvorgang durchgeführt, der die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 korrigiert, und ferner wird ein Schwellenkorrekturvorbereitungsvorgang als eine Vorstufe zum Durchführen des Schwellenkorrekturvorgangs durchgeführt. In dem Schwellenkorrekturvorbereitungsvorgang wird ein Vorgang, der das Gate-Potential Vg und das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 initialisiert, durchgeführt und folglich wird die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 größer als die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212. Dies liegt daran, dass, falls die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 nicht größer als die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 eingestellt wird, der Schwellenkorrekturvorgang nicht ordnungsgemäß durchgeführt werden kann.
  • Daher kann, falls der Vorgang, der das Gate-Potential Vg und das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 initialisiert, wie oben erwähnt, durchgeführt wird, eine Situation, bei der das Anodenpotential Vano der organischen Leuchtdiode 211 die Schwellenspannung Vthel der organischen Leuchtdiode 211 überschreitet, trotz der Nichtlichtemissionsperiode der organischen Leuchtdiode 211 auftreten. Folglich fließt ein Strom von dem Ansteuerungstransistor 212 in die organische Leuchtdiode 211 und tritt ein Phänomen auf, bei dem die organische Leuchtdiode 211 trotz der Nichtlichtemissionsperiode Licht emittiert.
  • Dementsprechend ist bei der vorliegenden Ausführungsform ein Stromschaltkreis, der den oben beschriebenen Schalttransistor 217 verwendet, bereitgestellt, um ein solches Phänomen zu verhindern. Dadurch fließt der Strom von dem oben erwähnten Ansteuerungstransistor 212 nicht in die organische Leuchtdiode 211, sondern fließt in diesen Stromschaltkreis und kann eine unbeabsichtigte Lichtemission der organischen Leuchtdiode 211 verhindert werden.
  • Die zweite Ansteuerungsleitung 322 ist mit der Gate-Elektrode des Schalttransistors 217 verbunden. Die zweite Ansteuerungsabtasteinheit 321 steuert das Ein/Aus-Schalten des Schalttransistors 217 durch Ändern des elektrischen Potentials der zweiten Ansteuerungsleitung 322 (einer zweiten Ansteuerungsleitungsspannung AZ). Insbesondere ändert die zweite Ansteuerungsscaneinheit 321 die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ wie angemessen und setzt dadurch den Schalttransistor 217 in einen Leitungszustand und öffnet den oben beschriebenen Stromschaltkreis während einer Lichtemissionsempfangsperiode, insbesondere wenigstens während einer Periode, in der die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 größer als die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 eingestellt ist, indem der Schwellenkorrekturvorbereitungsvorgang durchgeführt wird. In der Praxis erstrecken sich, wie unter Bezugnahme auf 2 beschrieben, zweite mehrere Ansteuerungsleitungen 322 zu den jeweiligen Zeilen mehrerer Pixelschaltkreise 210, die in einer Matrixform angeordnet sind. Die zweite Ansteuerungsscaneinheit 321 liefert sequentiell die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ eines vorgeschriebenen Wertes an die mehreren zweiten Ansteuerungsleitungen 322 in Synchronisation mit dem Scannen durch die Schreibscaneinheit 301 und steuert dadurch das Ansteuern des Schalttransistors 217 so, dass sich der Schalttransistor 217 während der oben erwähnten Periode gegebenenfalls in einem Leitungszustand befindet.
  • Man beachte, dass die Schreibscaneinheit 301, die erste Ansteuerungsscaneinheit 311, die zweite Ansteuerungsscaneinheit 321 und die Signalausgabeeinheit 401 unter Verwendung bekannter Techniken mittels verschiedener Schaltkreise erhalten werden können, die zum Erzielen der oben beschriebenen Funktionen in der Lage sind, wie etwa ein Schieberegisterschaltkreis, und daher wird eine Beschreibung ausführlicher Schaltkreiskonfigurationen dieser Einheiten hier ausgelassen.
  • Zuvor wurde die Konfiguration des Pixelschaltkreises 210 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • (Betrieb des Pixelschaltkreises)
  • Der Betrieb des oben beschriebenen Pixelschaltkreises 210 wird nun beschrieben. 4 ist ein Diagramm zum Beschreiben des Betriebs des Pixelschaltkreises 210 gemäß der vorliegenden Ausführungsform. 4 zeigt ein Wellenformzeitverlaufsdiagramm von Signalen in Bezug auf den Betrieb des Pixelschaltkreises 210. Insbesondere zeigt 4 Änderungsweisen in einer horizontalen Periode (einer H-Periode) des elektrischen Potentials der Signalleitung 402 (der Signalleitungsspannung Date), des elektrischen Potentials der Schreibscanleitung 302 (der Scanleitungsspannung WS), des elektrischen Potentials der ersten Ansteuerungsleitung 312 (der ersten Ansteuerungsleitungsspannung DS), des elektrischen Potentials der zweiten Ansteuerungsleitung 322 (der zweiten Ansteuerungsleitungsspannung AZ), des Source-Potentials Vs des Ansteuerungstransistors 212 und des Gate-Potentials Vg des Ansteuerungstransistors 212.
  • Es wird angemerkt, dass sich, da jeder des Abtasttransistors 213, des Lichtemissionssteuertransistors 214 und des Schalttransistors 217 von einem p-Kanal-Typ ist, diese Transistoren in einem EIN-Zustand, das heißt in einem Leitungszustand, befinden, wenn sich die Scanleitungsspannung WS, die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS und die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ jeweils in einem Zustand mit niedrigem elektrischem Potential befinden, und sich diese Transistoren in einem Aus-Zustand, das heißt in einem Nichtleitungszustand, befinden, wenn sich die Scanleitungsspannung WS, die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS und die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ jeweils in einem Zustand mit hohem elektrischem Potential befinden. Auch für den Ansteuerungstransistor 212 befindet sich gleichermaßen der Ansteuerungstransistor 212 in einem Leitungszustand, falls das Gate-Potential Vg ein niedriges elektrisches Potential ist, und befindet sich der Ansteuerungstransistor 212 in einem Nichtleitungszustand, falls das Gate-Potential Vg ein hohes elektrisches Potential ist. Ferner wird, wie oben beschrieben, eine beliebige der Signalspannung Vsig , die einem Videosignal entspricht, der ersten Referenzspannung Vref und der zweiten Referenzspannung Vofs alternativ für die Signalleitungsspannung Date ausgewählt. In dem in 4 gezeigten Wellenformdiagramm gilt beispielsweise Vref = Vcc (das Leistungsversorgungspotential).
  • Zum Zeitpunkt des Beendens einer Lichtemissionsperiode der organischen Leuchtdiode 211 geht die Scanleitungsspannung WS von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential über und wird der Abtasttransistor 213 in einen Leitungszustand gebracht (Zeit t1 ). Andererseits ist zur Zeit t1 die Signalleitungsspannung Date in einem Zustand, in dem sie auf die erste Referenzspannung Vref gesteuert wird. Daher wird durch den Übergang der Scanleitungsspannung WS von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 kleiner als die oder gleich der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 und dementsprechend wird der Ansteuerungstransistor 212 gesperrt. Falls der Ansteuerungstransistor 212 gesperrt ist, wird der Pfad der Stromversorgung zu der organischen Leuchtdiode 211 abgeschnitten und daher nimmt das Anodenpotential Vano der organischen Leuchtdiode 211 allmählich ab. Falls das Anodenpotential Vano kleiner als die oder gleich der Schwellenspannung Vthel der organischen Leuchtdiode 211 wird, tritt die organische Leuchtdiode 211 mit der Zeit vollständig in einen Lichtextinktionszustand ein (die Periode von der Zeit t1 bis zur Zeit t2 ; eine Lichtextinktionsperiode).
  • Anschließend an die Lichtextinktionsperiode wird eine Periode bereitgestellt, in der ein Vorbereitungsvorgang (ein Schwellenkorrekturvorbereitungsvorgang) vor dem Durchführen eines später beschriebenen Schwellenkorrekturvorgangs durchgeführt wird (die Periode von der Zeit t2 bis zur Zeit t3 , eine Schwellenkorrekturvorbereitungsperiode). Insbesondere zur Zeit t2 , die ein Timing ist, bei dem die Schwellenkorrekturvorbereitungsperiode beginnt, geht die Scanleitungsspannung WS von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential über und dadurch tritt der Abtasttransistor 213 in einen Leitungszustand ein. Andererseits befindet sich zur Zeit t2 die Signalleitungsspannung Date in einem Zustand, in dem sie auf die zweite Referenzspannung Vofs gesteuert wird. Indem der Abtasttransistor 213 in einem Zustand, in dem die Signalleitungsspannung Date die zweite Referenzspannung Vofs ist, in einen Leitungszustand eintritt, wird das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 die zweite Referenzspannung Vofs .
  • Zum Zeitpunkt t2 befindet sich ferner die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS in einem Zustand mit niedrigem elektrischem Potential und ist der Lichtemissionssteuertransistor 214 in einen Leitungszustand gesetzt. Daher ist das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 die Leistungsversorgungsspannung Vcc. In diesem Fall ist die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 Vgs = Vofs - Vcc.
  • Um den Schwellenkorrekturvorgang durchzuführen, ist es hier erforderlich, dass die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 größer als die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 eingestellt wird. Daher wird jeder Spannungswert so eingestellt, dass |Vg| = |Vgfs - Vcc| > |Vth| gilt.
  • Somit ist der Initialisierungsvorgang, der das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 auf die zweite Referenzspannung Vofs setzt und das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 auf die Leistungsversorgungsspannung Vcc setzt, der Schwellenkorrekturvorbereitungsvorgang. Das heißt, die zweite Referenzspannung Vofs und die Leistungsversorgungsspannung Vcc sind die Initialisierungsspannungen des Gate-Potentials Vg bzw. des Source-Potentials Vs des Ansteuerungstransistors 212.
  • Falls die Schwellenkorrekturvorbereitungsperiode endet, wird als Nächstes der Schwellenkorrekturvorgang durchgeführt, der die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 korrigiert (Periode der Zeit t3 bis zur Zeit t4 ; eine Schwellenkorrekturperiode). In der Periode, in der der Schwellenkorrekturvorgang durchgeführt wird, geht zuerst zur Zeit t3 , welches das Timing ist, bei dem die Schwellenkorrekturperiode beginnt, die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS von einem niedrigen elektrischen Potential zu einem hohen elektrischen Potential über und tritt der Lichtemissionssteuertransistor 214 in einen Nichtleitungszustand ein. Dadurch tritt das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 in einen potentialfreien Zustand ein. Andererseits befindet sich zur Zeit t3 die Scanleitungsspannung WS in einem Zustand, in dem sie auf ein hohes elektrisches Potential gesteuert wird, und befindet sich der Abtasttransistor 213 in einem Nichtleitungszustand. Daher befindet sich zur Zeit t3 auch das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 in einem potentialfreien Zustand und treten die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 in einem Zustand, in dem sie miteinander potentialfrei sind, in einen Zustand ein, in dem sie über die Haltekapazität 215 miteinander verbunden sind. Dadurch ändern sich, wie veranschaulicht, das Source-Potential Vs und das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 allmählich auf vorgeschriebene Werte gemäß der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212.
  • Somit ist der Vorgang, der unter Verwendung der Initialisierungsspannung Vofs des Gate-Potentials Vg des Ansteuerungstransistors 212 und der Initialisierungsspannung Vcc und des Source-Potentials Vs des Ansteuerungstransistors 212 als Referenzen das Source-Potential Vs und das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 auf vorgeschriebene Werte gemäß der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 in einem potentialfreien Zustand ändert, der Schwellenkorrekturvorgang. Falls der Schwellenkorrekturvorgang fortschreitet, stabilisiert sich die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 212 mit der Zeit auf die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212. Eine Spannung, die äquivalent zu der Schwellenspannung Vth ist, wird in der Haltekapazität 215 gehalten.
  • Selbstverständlich existiert hier ein Gestaltungswert für die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212; aufgrund von Herstellungsvariationen usw. stimmt jedoch die tatsächliche Schwellenspannung Vth nicht immer mit dem Gestaltungswert überein. In dieser Hinsicht kann durch Durchführen eines Schwellwertkorrekturvorgangs wie dem obigen bewirkt werden, dass eine Spannung, die äquivalent zu der tatsächlichen Schwellenspannung Vth ist, in der Haltekapazität 215 gehalten wird, bevor bewirkt wird, dass die organische Leuchtdiode 211 Licht emittiert. Dadurch kann anschließend, wenn bewirkt wird, dass der Ansteuerungstransistor 212 angesteuert wird, um zu bewirken, dass die organische Leuchtdiode 211 Licht emittiert, eine Variation der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 aufgehoben werden, wie später beschrieben ist. Daher kann die Ansteuerung des Ansteuerungstransistors 212 mit einer besseren Genauigkeit gesteuert werden und kann eine gewünschte Leuchtdichte vorteilhafter erhalten werden.
  • Falls die Schwellenkorrekturperiode endet, wird als nächstes ein Signalschreibvorgang durchgeführt, der die einem Videosignal entsprechende Signalspannung Vsig schreibt (die Periode von der Zeit t4 bis zur Zeit ts: eine Signalschreibperiode). In der Signalschreibperiode geht zur Zeit t4 , die das Timing ist, bei dem die Signalschreibperiode beginnt, die Scanleitungsspannung WS von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential über und wird der Abtasttransistor 213 in einen Leitungszustand gebracht. Andererseits befindet sich zur Zeit t4 die Signalleitungsspannung Date in einem Zustand, in dem sie gemäß einem Videosignal auf die Signalspannung Vsig gesteuert wird, und daher wird die Signalspannung Vsig gemäß einem Videosignal auf die Haltekapazität 215 geschrieben. Wenn die Signalspannung Vsig entsprechend einem Videosignal geschrieben wird, spielt die Hilfskapazität 216, die zwischen der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 und der Leistungsversorgungsleitung 332 verbunden ist, die Rolle des Unterdrückens der Variation des Source-Potentials Vs des Ansteuerungstransistors 212. Dann wird zu der Zeit, wenn die Signalspannung Vsig gemäß einem Videosignal geschrieben wird, das heißt, zu der Zeit, wenn die Signalspannung Vsig gemäß einem Videosignal an die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 angelegt wird und der Ansteuerungstransistor 212 angesteuert wird, die Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 durch die Spannung, die äquivalent zu der Schwellenspannung Vth ist, die in der Haltekapazität 215 gehalten wird, als ein Ergebnis des Schwellwertkorrekturvorgangs aufgehoben. Das heißt, indem der oben erwähnte Schwellwertkorrekturvorgang durchgeführt wurde, wird die Variation der Schwellenspannung Vth des Ansteuerungstransistors 212 zwischen den Pixelschaltkreisen 210 aufgehoben.
  • Zur Zeit t5 geht die Scanleitungsspannung WS von einem niedrigen elektrischen Potential zu einem hohen elektrischen Potential über und wird der Abtasttransistor 213 in einen Nichtleitungszustand gebracht; dadurch endet die Signalschreibperiode. Falls die Signalschreibperiode endet, beginnt als nächstes eine Lichtemissionsperiode ab der Zeit t6 . Zur Zeit t6 , die das Timing ist, bei dem die Lichtemissionsperiode beginnt, geht die erste Ansteuerungsleitungsspannung DS von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential über und wird dadurch der Lichtemissionssteuertransistor 214 in einen Leitungszustand gebracht. Dementsprechend wird ein Strom von der Leistungsversorgungsleitung 332 mit der Leistungsversorgungsspannung Vcc über den Lichtemissionssteuertransistor 214 an die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 geleitet.
  • Bei diesem Ereignis ist die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 aufgrund der Tatsache, dass sich der Abtasttransistor 213 in einem Nichtleitungszustand befindet, elektrisch von der Signalleitung 402 getrennt und befindet sich in einem potentialfreien Zustand. Wenn sich die Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 212 in einem potentialfreien Zustand befindet, ist die Haltekapazität 215 zwischen dem Gate und der Source des Ansteuerungstransistors 212 verbunden und variiert dadurch das Gate-Potential Vg in Verbindung mit der Variation des Source-Potentials Vs des Ansteuerungstransistors 212. Das heißt, das Source-Potential Vs und das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 steigen an, während die Gate-Source-Spannung Vgs in der Haltekapazität 215 gehalten wird. Dann steigt das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 bis zu einer Lichtemissionsspannung Voled der organischen Leuchtdiode 211 gemäß dem Sättigungsstrom des Transistors an.
  • Der Betrieb, in dem das Gate-Potential Vg des Ansteuerungstransistors 212 in Verbindung mit der Variation des Source-Potentials Vs auf diese Weise variiert, wird als ein Bootstrap-Betrieb bezeichnet. Mit anderen Worten ist der Bootstrap-Betrieb ein Betrieb, in dem das Gate-Potential Vg und das Source-Potential Vs des Ansteuerungstransistors 212 variieren, während die Gate-Source-Spannung Vgs in der Haltekapazität 215 gehalten wird, das heißt die Spannung zwischen beiden Enden der Haltekapazität 215, gehalten wird.
  • Dann beginnt der Drain-Source-Strom Ids des Ansteuerungstransistors 212 durch die organische Leuchtdiode 211 zu fließen und dadurch steigt das Anodenpotential Vano der organischen Leuchtdiode 211 gemäß dem Drain-Source-Strom Ids an. Falls das Anodenpotential Vano der organischen Leuchtdiode 211 die Schwellenspannung Vthel der organischen Leuchtdiode 211 überschreitet, beginnt ein Ansteuerungsstrom mit der Zeit durch die organische Leuchtdiode 211 zu fließen und beginnt die organische Leuchtdiode 211 die Lichtemission.
  • Die oben beschriebenen Vorgänge werden in jedem Pixelschaltkreis 210 innerhalb einer H-Periode ausgeführt. Es sei angemerkt, dass, wie oben beschrieben, der Schalttransistor 217 einer zum Verhindern einer unbeabsichtigten Lichtemission der organischen Leuchtdiode 211 ist, die aufgrund eines Stroms auftritt, der von dem Ansteuerungstransistor 212 zu der organischen Leuchtdiode 211 in der Nichtlichtemissionsperiode fließt; daher wird die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ so gesteuert, dass sich der Schalttransistor 217 in der Nichtlichtemissionsperiode gegebenenfalls in einem Leitungszustand befindet. Bei dem gezeigten Beispiel geht zur Zeit t1 , zu der eine Lichtemissionsperiode endet, die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ von einem hohen elektrischen Potential zu einem niedrigen elektrischen Potential über; und unmittelbar vor der Zeit t6 , zu der die nächste Lichtemissionsperiode endet oder beginnt, geht die zweite Ansteuerungsleitungsspannung AZ von einem niedrigen elektrischen Potential zu einem hohen elektrischen Potential über.
  • Es ist zu beachten, dass in Bezug auf die Gesamtkonfiguration der Anzeigevorrichtung 1, die Konfiguration des Pixelschaltkreises 210 und den Betrieb des Pixelschaltkreises 210 gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform auf WO 2014/103500 , das eine frühere Anmeldung durch den vorliegenden Anmelder ist, verwiesen werden kann, mit Ausnahme der später in (4. Layout der Zwischenverbindungsschicht) unten beschriebenen Aspekte. Mit anderen Worten können die Gesamtkonfiguration der Anzeigevorrichtung 1, die Konfiguration des Pixelschaltkreises 210 und der Betrieb des Pixelschaltkreises 210 gemäß der vorliegenden Ausführungsform denen ähnlich sein, die in WO 2014/103500 beschrieben sind, mit Ausnahme der später in (4. Layout der Zwischenverbindungsschicht) unten beschriebenen Aspekte. Was oben beschrieben wurde, ist jedoch nur ein Beispiel und die vorliegende Ausführungsform ist nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Es reicht aus, dass die später in (4. Layout der Zwischenverbindungsschicht) unten beschriebenen Aspekte in der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wiedergegeben werden, und verschiedene bekannte Konfigurationen, die in gewöhnlichen Anzeigevorrichtungen verwendet werden, können für die anderen Aspekte verwendet werden.
  • Zum Beispiel beinhaltet der Pixelschaltkreis 210 bei dem oben beschriebenen Konfigurationsbeispiel vier Transistoren, aber eine Konfiguration des Pixelschaltkreises 210 ist nicht auf ein solches Beispiel beschränkt. Ein anderes Konfigurationsbeispiel für einen Pixelschaltkreis, der auf die Anzeigevorrichtung 1 anwendbar ist, ist in 5 gezeigt. 5 ist ein schematisches Diagramm, das ein anderes Konfigurationsbeispiel des Pixelschaltkreises gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt.
  • Unter Bezugnahme auf 5 beinhaltet der Pixelschaltkreis 220 eine organische Leuchtdiode 221, fünf Transistoren 222, 223, 224, 225 und 226 und eine Haltekapazität 227. Eine Konfiguration und ein Betrieb des Pixelschaltkreises 220 sind die gleichen wie eine Konfiguration und ein Betrieb eines allgemeinen Pixelschaltkreises, der fünf Transistoren beinhaltet, und dementsprechend ist eine ausführliche Beschreibung davon hier ausgelassen. Auf diese Weise können bei der vorliegenden Ausführungsform verschiedene bekannte Konfigurationen als eine Konfiguration eines Pixelschaltkreises angewandt werden.
  • (Layout der Zwischenverbindungsschicht)
  • Jeder der oben beschriebenen Pixelschaltkreise 210 und 220 ist durch Stapeln mehrerer Zwischenverbindungsschichten (Metallschichten) mit darin gebildeten Zwischenverbindungen in einer oberen Schicht einer Diffusionsschicht mit darin gebildeten Transistoren und ferner Bilden der organischen Leuchtdiode 211 in der oberen Schicht davon konfiguriert. Ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht in jedem der Pixelschaltkreise 210 und 220 wird beschrieben. Hier wird als ein Beispiel ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht in dem in 5 gezeigten Pixelschaltkreis 220 beschrieben.
  • Es wird angemerkt, dass, obwohl die ausführliche Beschreibung hier ausgelassen ist, eine Zwischenverbindung, die sich in der horizontalen Richtung erstreckt, auch in dem Pixelschaltkreis 220, ähnlich dem Pixelschaltkreis 210, mit einer Gate-Elektrode jedes Transistors (Transistoren 222, 223, 225 und 226 in dem in 5 gezeigten Konfigurationsbeispiel) verbunden ist. Obwohl 5 nur einen Pixelschaltkreis 220 zeigt, sind diese Zwischenverbindungen tatsächlich in jeweiligen Zeilen mehrerer Pixelschaltkreise 220 bereitgestellt, die in einer Matrix angeordnet sind. In der folgenden Beschreibung werden Zwischenverbindungen, die so bereitgestellt sind, dass sie sich in der horizontalen Richtung bezüglich jeweiligen Zeilen mehrerer Pixelschaltkreise 220 erstrecken, auch als H-Scanleitungen bezeichnet. Wie in 5 gezeigt, sind vier H-Scanleitungen 228 in einem Pixelschaltkreis 220 vorhanden (in 5 sind die H-Scanleitungen 228, die die tatsächlichen Formen in der Zwischenverbindungsschicht imitieren, gezeigt).
  • Außerdem sind ähnlich dem Pixelschaltkreis 210 auch in dem Pixelschaltkreis 220 Zwischenverbindungen (Signalleitungen), die sich in der vertikalen Richtung zum Liefern einer Signalspannung, die einem Videosignal und dergleichen entspricht, verbunden. Obwohl in 5 nur ein Pixelschaltkreis 220 gezeigt ist, sind diese Zwischenverbindungen tatsächlich für jeweilige Spalten mehrerer Pixelschaltkreise 220 bereitgestellt, die in einer Matrix angeordnet sind. In der folgenden Beschreibung werden Zwischenverbindungen, die so bereitgestellt sind, dass sie sich in der vertikalen Richtung bezüglich jeweiligen Spalten mehrerer Pixelschaltkreise 220 erstrecken, auch als V-Signalleitungen bezeichnet. Wie in 5 gezeigt, ist eine V-Signalleitung 229 in einem Pixelschaltkreis 220 vorhanden (in 5 ist die V-Signalleitung 229, die die tatsächliche Form in der Zwischenverbindungsschicht imitiert, gezeigt).
  • Zuerst wird eine gestapelte Struktur des Pixelschaltkreises 220 unter Bezugnahme auf 6 beschrieben. 6 ist ein schematisches Querschnittsdiagramm, das eine gestapelte Struktur des Pixelschaltkreises 220 zeigt. In 6 ist eine gestapelte Struktur von einer Diffusionsschicht zu einer Anode der organischen Leuchtdiode 221 schematisch mit Bezug auf den Pixelschaltkreis 220 gezeigt.
  • Unter Bezugnahme auf 6 ist der Pixelschaltkreis 220 mit mehreren Zwischenverbindungsschichten 234, 237 und 240 konfiguriert, die in einer oberen Schicht der Diffusionsschicht 231 gebildet sind. In der Diffusionsschicht 231 werden Transistoren (die Transistoren 222 bis 226) durch Bilden aktiver Gebiete, die als ein Source-Gebiet, ein Drain-Gebiet und ein Kanalgebiet fungieren, eines Gate-Isolationsfilms, einer Gate-Elektrode und dergleichen auf einem Halbleitersubstrat, wie etwa Si, gebildet. Es wird angemerkt, dass in 6 Elemente, wie etwa Transistoren, die in der Diffusionsschicht gebildet werden, der Einfachheit halber nicht gezeigt sind.
  • Eine Isolationsschicht 232 (nachfolgend als eine erste Isolationsschicht 232 bezeichnet) wird auf die Diffusionsschicht 231 gestapelt. Die erste Isolationsschicht 232 wird durch Stapeln eines Isolators, wie etwa Siliciumoxid (SiO2) bis zu einer vorgeschriebenen Dicke gebildet (dasselbe gilt für eine zweite Isolationsschicht 235, eine dritte Isolationsschicht 238 und eine vierte Isolationsschicht 241, die später beschrieben werden).
  • In der ersten Isolationsschicht 232 wird ein Kontakt 233 zum elektrischen Verbinden eines Gebiets, das mit einer Zwischenverbindungsschicht einer oberen Schicht verbunden ist, wie etwa jeder Elektrode (einer Source-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Gate-Elektrode) jedes Transistors der Diffusionsschicht 231, und einer Zwischenverbindung, die in der später zu beschreibenden ersten Zwischenverbindungsschicht 234 in der oberen Schicht gebildet ist, bei einer entsprechenden Position in dem Gebiet gebildet. Der Kontakt 233 wird durch Bilden eines Durchgangslochs (Kontaktlochs) in der ersten Isolationsschicht 232 und dann Einbetten eines Leiters, wie etwa Wolfram (W), in dem Kontaktloch gebildet.
  • Die Zwischenverbindungsschicht 234 (nachfolgend als die erste Zwischenverbindungsschicht 234 bezeichnet) wird auf der ersten Isolationsschicht 232 gebildet, in der der Kontakt 233 gebildet ist. Die erste Zwischenverbindungsschicht 234 wird durch Stapeln eines Leiters, wie etwa Aluminium (Al), bis zu einer vorgeschriebenen Dicke und dann Strukturieren des Leiterfilms in eine vorgeschriebene Form gebildet (dasselbe gilt für die zweite Zwischenverbindungsschicht 237 und die dritte Zwischenverbindungsschicht 240, die später beschrieben werden). In 5 gezeigte Zwischenverbindungen (verschiedene Zwischenverbindungen einschließlich der H-Scanleitung 228 und der V-Signalleitung 229) werden in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und/oder der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet.
  • Die Isolationsschicht 235 (nachfolgend als eine zweite Isolationsschicht 235 bezeichnet) wird auf der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet. Ein Via 236 (nachfolgend als ein erster Via 236 bezeichnet) zum elektrischen Verbinden einer entsprechenden Zwischenverbindung, die in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 einer unteren Schicht gebildet ist, und einer entsprechenden Zwischenverbindung, die in der später zu beschreibenden zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 einer oberen Schicht gebildet wird, miteinander wird in der zweiten Isolationsschicht 235 gebildet. Der erste Via 236 wird durch Bilden eines Durchgangslochs (Via-Loch) in der zweiten Isolationsschicht 235 und dann Einbetten eines Leiters, wie etwa W, in dem Durchgangsloch gebildet (dasselbe gilt für einen zweiten Via 239 und einen dritten Via 242, die später beschrieben werden).
  • Die Zwischenverbindungsschicht 237 (nachfolgend als eine zweite Zwischenverbindungsschicht 237 bezeichnet) wird auf der zweiten Isolationsschicht 235 mit dem ersten Via 236 darin gebildet. Die Isolationsschicht 238 (nachfolgend als eine dritte Isolationsschicht 238 bezeichnet) wird auf der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet. Ein Via 239 (nachfolgend als ein zweiter Via 239 bezeichnet) zum elektrischen Verbinden einer entsprechenden Zwischenverbindung, die in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 einer unteren Schicht gebildet ist, und der später zu beschreibenden dritten Zwischenverbindungsschicht 240 einer oberen Schicht miteinander wird in der dritten Isolationsschicht 238 gebildet.
  • Die Zwischenverbindungsschicht 240 (nachfolgend als eine dritte Zwischenverbindungsschicht 240 bezeichnet) wird auf der dritten Isolationsschicht 238 mit dem zweiten Via 239 darin gebildet. Die Isolationsschicht 241 (nachfolgend als eine vierte Isolationsschicht 241 bezeichnet) wird auf der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet. Ein Via 242 (nachfolgend als ein dritter Via 242 bezeichnet) zum elektrischen Verbinden einer entsprechenden Zwischenverbindung, die in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 einer unteren Schicht gebildet ist, und einer entsprechenden Zwischenverbindung, die in einer später zu beschreibenden Anode 243 einer oberen Schicht gebildet wird, miteinander wird in der vierten Isolationsschicht 241 gebildet.
  • Der Pixelschaltkreis 210 wird durch Bilden der organischen Leuchtdiode 211 auf der vierten Isolationsschicht 241 mit dem dritten Via 242 darin gebildet hergestellt. Obwohl 6 nur die Anode 243 der organischen Leuchtdiode 211 zeigt, wird die organische Leuchtdiode 211 durch sequenzielles Stapeln einer organischen Schicht und einer Kathode, die als Lichtemissionsschicht fungiert, auf der Anode 243 gebildet.
  • Hier wird in der vorliegenden Ausführungsform ein Kapazitätselement (die in 5 gezeigte Haltekapazität 227) in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet. Insbesondere wird eine untere Elektrode (eine untere Kapazitätselementelektrode 251) des Kapazitätselements in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet. Eine obere Elektrode (eine obere Kapazitätselementelektrode 252) des Kapazitätselements wird in der oberen Schicht der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 durch einen Isolator mit einer Dicke entsprechend der Kapazität des Kapazitätselements gebildet. Die obere Kapazitätselementelektrode 252 ist innerhalb der dritten Isolationsschicht 238 bereitgestellt. Das heißt, die dritte Isolationsschicht wird, obwohl die Beschreibung hier ausgelassen ist, tatsächlich in zwei Phasen mit der oberen Kapazitätselementelektrode 252 als Grenze gestapelt. Nachdem die zweite Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet wurde, wird ein Isolator mit einer Dicke entsprechend der Kapazität des Kapazitätselements gestapelt und wird die obere Kapazitätselementelektrode 252 auf dem Isolator durch das gleiche Verfahren wie die Zwischenverbindungsschicht gebildet. Danach wird die dritte Isolationsschicht 238 durch weiteres Stapeln eines Isolators mit einer vorgeschriebenen Dicke gebildet.
  • In der dritten Isolationsschicht 238 ist auch ein zweiter Via 239 bei einer Position bereitgestellt, die der oberen Kapazitätselementelektrode 252 entspricht. Außerdem ist die obere Kapazitätselementelektrode 252 durch den zweiten Via 239 elektrisch mit einer Elektrode 254 verbunden, die in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet ist. Da die Elektrode 254 eine Elektrode zum Extrahieren des Potentials der oberen Kapazitätselementelektrode 252 ist und eine Elektrode mit dem gleichen Potential wie die obere Kapazitätselementelektrode 252 ist, wird die Elektrode 254 nachfolgend auch als die obere Kapazitätselementelektrode 254 bezeichnet.
  • Hier werden Zwischenverbindungen (das heißt die H-Scanleitung 228, die V-Signalleitung 229 und dergleichen), die in dem Pixelschaltkreis 210 enthalten sind, und ein spezielles Layout eines Kapazitätselements (das heißt der Haltekapazität 227) untersucht. Wie oben beschrieben, werden diese Zwischenverbindungen in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und/oder der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet. Außerdem werden die untere Kapazitätselementelektrode 251 und die obere Kapazitätselementelektrode 254 des Kapazitätselements in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 bzw. der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet. Auf diese Weise können die Zwischenverbindungen und die untere Kapazitätselementelektrode 251 und die obere Kapazitätselementelektrode 254 des Kapazitätselements innerhalb derselben Zwischenverbindungsschicht gebildet werden.
  • Hier kann ein Versuch zum Reduzieren einer Pixelgröße aus einem Grund, wie etwa einer Zunahme einer Anzeigeauflösung in der Anzeigevorrichtung 1, zu verschiedenen Problemen führen, die einen normalen Betrieb des Pixelschaltkreises 220 behindern. Beispiele für solche Probleme beinhalten eine Verschlechterung der Emissionsleuchtdichtengleichmäßigkeit, die durch eine Rauschstörung zwischen Elektroden aufgrund einer Zunahme einer parasitären Kapazität zwischen Zwischenverbindungen verursacht wird, eine Verschlechterung einer Leuchtdichtengleichmäßigkeit, die durch eine Verschlechterung einer Rauschwiderstandsfähigkeit aufgrund des Drucks des Bereichs einer Elektrode eines Kapazitätselements versursacht wird, ein Versagen eines Kurzschlusses zwischen Zwischenverbindungen, weil eine Pixelzwischenverbindung dichtbesetzt wird, ein Versagen einer offenen Zwischenverbindung aufgrund von Film-Skipping einer Zwischenverbindungsstruktur mit einer kleinen Fläche und dergleichen. Daher ist es wichtig, falls eine relativ kleine Pixelgröße speziell erforderlich ist, Layouts der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 zu entwickeln, um bis zum Äußersten zu verhindern, dass diese Probleme auftreten, während eine Pixelgröße klein gehalten wird.
  • Die Erfinder haben durch intensive Forschung bevorzugte Layouts der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 entworfen, die zum Vermeiden der oben beschriebenen Probleme in der Lage sind. Nachfolgend werden diese bevorzugten Layouts ausführlich unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • 7 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines Beispiels für ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform. In 7 und 8 bis 10, die später beschrieben werden, sind Layouts der Diffusionsschicht 231, der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 schematisch gezeigt.
  • Es wird angemerkt, dass in 7 und 8 bis 10, die später beschrieben werden, ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht beschrieben ist und daher nur ein Layout des Kontakts 233 mit Bezug auf die Diffusionsschicht 231 gezeigt ist. Außerdem ist ein Verbindungszustand zwischen Zwischenverbindungsschichten mit Bezug auf die erste Zwischenverbindungsschicht 234, die zweite Zwischenverbindungsschicht 237 und die dritte Zwischenverbindungsschicht 240 gezeigt und dementsprechend sind Layouts des ersten Via 236, des zweiten Via 239 und des dritten Via 242 auch zusammen mit Layouts von Zwischenverbindungen innerhalb der Zwischenverbindungsschichten gezeigt.
  • Ferner repräsentieren in 7 und 8 bis 10, die später beschrieben werden, ein Kontakt und ein Via mit „a“ am Ende der Bezugsziffer einen Kontakt und einen Via, die schlussendlich mit der Anode 243 in der oberen Schicht verbunden sind. Gleichermaßen repräsentieren ein Kontakt und ein Via mit „b“ am Ende der Bezugsziffer einen Kontakt und einen Via, die schlussendlich mit der unteren Kapazitätselementelektrode 251 in der oberen Schicht verbunden sind. Gleichermaßen repräsentieren ein Kontakt und ein Via mit „c“ am Ende der Bezugsziffer einen Kontakt und einen Via, die schlussendlich mit der V-Signalleitung 229 in der oberen Schicht verbunden sind. Gleichermaßen repräsentieren ein Kontakt und ein Via mit „d“ am Ende der Bezugsziffer einen Kontakt und einen Via, die schlussendlich mit der H-Scanleitung 228 in der oberen Schicht verbunden sind.
  • Ferner ist in 7 und 8 bis 10, die später beschrieben werden, der Einfachheit der Beschreibung halber eine Zwischenverbindung bezüglich der Anode 243 (das heißt eine Zwischenverbindung mit dem gleichen Potential wie die Anode 243) durch eine gestrichelte Linie angegeben, ist eine Zwischenverbindung bezüglich der unteren Kapazitätselementelektrode 251 (das heißt die untere Kapazitätselementelektrode 251 selbst und eine Zwischenverbindung mit dem gleichen Potential wie die untere Kapazitätselementelektrode 251) durch eine dicke durchgezogene Linie angegeben, ist eine Zwischenverbindung bezüglich der V-Signalleitung 229 (das heißt die V-Signalleitung 229 selbst und eine Zwischenverbindung mit dem gleichen Potential wie die V-Signalleitung 229) durch eine abwechselnd gestrichpunktete Linie angegeben und ist eine Zwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 (das heißt die H-Scanleitung 228 selbst und eine Zwischenverbindung mit dem gleichen Potential wie die H-Scanleitung 228) durch eine dünne durchgezogene Linie mit Bezug auf die erste Zwischenverbindungsschicht 234, die zweite Zwischenverbindungsschicht 237 und die dritte Zwischenverbindungsschicht 240 angegeben.
  • 7 zeigt ein Beispiel für ein Layout, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet sind. Wie in 7 gezeigt, ist bei der vorliegenden Ausführungsform entweder die H-Scanleitung 228 oder die V-Signalleitung 229, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweist, in einer Schicht einer niedrigeren Ebene gebildet. In einem Fall eines in 5 gezeigten Konfigurationsbeispiels des Pixelschaltkreises 220 ist die Anzahl an H-Scanleitungen 228, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt sind, größer als die Anzahl an V-Signalleitungen 229, wie oben beschrieben ist. Daher wird, wie in der Zeichnung gezeigt, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet werden, die H-Scanleitung 228 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet und wird die V-Signalleitung 229 in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet.
  • In diesem Fall werden, wie in 7 gezeigt, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 eine Zwischenverbindung (eine Zwischenverbindung, die durch eine gestrichelte Linie in der Zeichnung angegeben ist und die nachfolgend auch als eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 bezeichnet wird) zum Verbinden einer entsprechenden Elektrode der Diffusionsschicht 231 mit der Anode 243, die in der oberen Schicht der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet ist, eine Zwischenverbindung (eine Zwischenverbindung, die durch eine dicke durchgezogene Linie in der Zeichnung angegeben ist und die nachfolgend auch als eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich des Kapazitätselements bezeichnet wird) zum Verbinden einer entsprechenden Elektrode der Diffusionsschicht 231 mit der unteren Kapazitätselementelektrode 251, die in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet ist, und eine Zwischenverbindung (eine Zwischenverbindung, die durch eine abwechselnd gestrichpunktete Linie in der Zeichnung angegeben ist und die nachfolgend auch als eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der V-Signalleitung 229 bezeichnet wird) zum Verbinden einer entsprechenden Elektrode der Diffusionsschicht 231 mit der V-Signalleitung 229, die in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet ist, zusammen mit den H-Scanleitungen 228 gebildet. Ferner werden in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 die untere Kapazitätselementelektrode 251 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 zusammen mit der V-Signalleitung 229 gebildet. Ferner werden in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 die obere Kapazitätselementelektrode 254 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 gebildet. Es wird angemerkt, dass die Anzahl jeder der Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der Anode 243, Verbindungszwischenverbindungen bezüglich des Kapazitätselements und Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der V-Signalleitung 229, die in jeder Zwischenverbindungsschicht zu bilden sind, eins ist.
  • 8 zeigt hier zum Vergleich ein Beispiel für ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht, die von jener bei der vorliegenden Ausführungsform verschieden ist, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet sind. 8 ist ein Diagramm für einen Vergleich mit dem in 7 gezeigten Layout und ist ein Diagramm, das ein Beispiel für ein Layout, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in einer Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, die von dieser in der vorliegenden Ausführungsform verschieden ist, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet sind, zeigt. Wie in 8 gezeigt, wird im Gegensatz zu dem Layout gemäß der in 7 gezeigten vorliegenden Ausführungsform angenommen, dass entweder die H-Scanleitung 228 oder die V-Signalleitung 229, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweist, in einer Schicht einer höheren Ebene gebildet wird. Das heißt, es wird angenommen, dass die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet wird und die H-Scanleitung 228 in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet wird.
  • In diesem Fall, wie in 8 gezeigt, werden in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243, eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich des Kapazitätselements und eine Zwischenverbindung (eine Verbindung, die durch eine dünne durchgezogene Linie in der Zeichnung angegeben ist und nachfolgend auch als eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 bezeichnet wird) zum Verbinden einer entsprechenden Elektrode in der Diffusionsschicht 231 mit der H-Scanleitung 228, die in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet ist, zusammen mit der V-Signalleitung 229 gebildet. Die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der H-Scanleitung 228, die der Anzahl an H-Scanleitungen 228 entspricht, wird gebildet. Ferner werden in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 die untere Kapazitätselementelektrode 251 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 zusammen mit einer großen Anzahl an H-Scanleitungen 228 gebildet. Ferner werden in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 die obere Kapazitätselementelektrode 254 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 gebildet.
  • Beim Vergleich des in 7 gezeigten Layouts gemäß der vorliegenden Ausführungsform und des in 8 gezeigten Layouts miteinander werden die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet, die eine Schicht einer niedrigeren Ebene in dem Layout gemäß der vorliegenden Erfindung ist, und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 relativ dichtbesetzt. Andererseits werden die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, bei dem in 8 gezeigten Layout nicht in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet, aber es ist notwendig, die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der H-Scanleitung 228, die der Anzahl an H-Scanleitungen 228 entspricht, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 zu bilden. Daher kann gesagt werden, dass die Fläche der Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 kleiner als jene der H-Scanleitung 228 ist und folglich die Dichte einer Zwischenverbindungsstruktur in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 nicht viel niedriger als jene des Layouts gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist.
  • Andererseits werden bei dem Layout gemäß der vorliegenden Ausführungsform die V-Signalleitungen 229, die eine kleinere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 relativ dünnbesetzt. Andererseits werden bei dem in 8 gezeigten Layout die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 relativ dichtbesetzt.
  • Auf diese Weise ist es gemäß der vorliegenden Ausführungsform bezüglich der H-Scanleitung 228 und der V-Signalleitung 229 möglich, eine Zwischenverbindungsstruktur in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237, die eine Schicht einer höheren Ebene ist, dünnbesetzter zu machen, indem Layouts der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 so konfiguriert werden, dass die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt werden, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet werden, die eine Schicht einer niedrigeren Ebene ist.
  • Die Zwischenverbindungsstruktur in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 wird dünnbesetzter und dementsprechend ist es möglich, das Auftreten einer Verschlechterung der Leuchtdichtengleichförmigkeit, die durch eine Zunahme einer parasitären Kapazität zwischen Zwischenverbindungen in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 verursacht wird, ein Versagen eines Kurzschlusses zwischen Zwischenverbindungen und dergleichen, was oben beschrieben ist, zu unterdrücken. Weil die untere Kapazitätselementelektrode 251 in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 bereitgestellt ist, wird ferner bei der vorliegenden Ausführungsform die Zwischenverbindungsstruktur der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 dünnbesetzt und dementsprechend nimmt der Freiheitsgrad des Layouts der unteren Kapazitätselementelektrode 251 zu und ist es möglich, einen ausreichenden Bereich sicherzustellen, in dem eine gewünschte Kapazität mit Bezug auf die untere Kapazitätselementelektrode 251 realisiert werden kann. Daher ist es möglich, das Auftreten einer Verschlechterung einer Leuchtdichtengleichförmigkeit, die durch den Druck eines Bereichs einer Elektrode des Kapazitätselements verursacht wird, ein Versagen einer offenen Zwischenverbindung aufgrund einer Zwischenverbindungsstruktur (Elektrode) mit einer kleinen Fläche, die nicht bereitgestellt ist, und dergleichen zu unterdrücken. Entsprechend ist es möglich, das Auftreten dieser verschiedenen Probleme zu unterdrücken und die Anzeigevorrichtung 1 mit höherer Zuverlässigkeit und höherer Auflösung zu realisieren.
  • 7 zeigt hier ein Beispiel für ein Layout, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 jeweils in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet sind, aber die vorliegende Ausführungsform ist nicht auf ein solches Beispiel beschränkt. Ein Layoutverfahren (das heißt ein Verfahren zum Bilden entweder der H-Scanleitung 228 oder der V-Signalleitung 229, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt ist, welche eine größere Anzahl aufweist, in einer Schicht einer niedrigeren Ebene) kann angewandt werden, selbst wenn die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in anderen Zwischenverbindungsschichten gebildet werden.
  • Ein anderes Beispiel für ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. 9 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines anderen Beispiels für ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
  • 9 zeigt ein Beispiel für ein Layout, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet sind. Wie in 9 gezeigt, ist, selbst in einem solchen Fall, bei der vorliegenden Ausführungsform entweder die H-Scanleitung 228 oder die V-Signalleitung 229, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl als die andere aufweist, in einer Schicht einer niedrigeren Ebene gebildet. Daher wird zum Beispiel, wie in der Zeichnung gezeigt, die H-Scanleitung 228 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet und wird die V-Signalleitung 229 in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet.
  • In diesem Fall werden, wie zum Beispiel in 9 gezeigt, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243, eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich des Kapazitätselements und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der V-Signalleitung 229 zusammen mit manchen (drei H-Scanleitungen bei dem in der Zeichnung gezeigten Beispiel) der H-Scanleitungen 228 gebildet. Ferner werden in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 die untere Kapazitätselementelektrode 251, eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der V-Signalleitung 229 zusammen mit den verbleibenden H-Scanleitungen 228 (eine H-Scanleitung bei dem in der Zeichnung gezeigten Beispiel) gebildet. Ferner werden in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 die obere Kapazitätselementelektrode 254 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 zusammen mit der V-Signalleitung 229 gebildet. Bei dem in 7 gezeigten Beispiel werden die mehreren H-Scanleitungen 228 in derselben Zwischenverbindungsschicht gebildet, aber können die mehreren H-Scanleitungen 228 so auf diese Weise in der vorliegenden Ausführungsform gebildet werden, dass sie auf unterschiedliche Zwischenverbindungsschichten verteilt sind.
  • 10 zeigt hier zum Vergleich ein Beispiel für ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht, die von jener bei der vorliegenden Ausführungsform verschieden ist, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet sind. 10 ist ein Diagramm für einen Vergleich mit dem in 9 gezeigten Layout und ist ein Diagramm, das ein Beispiel für ein Layout, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in einer Zwischenverbindungsschicht gebildet sind, die von dieser in der vorliegenden Ausführungsform verschieden ist, falls die H-Scanleitung 228 und die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet sind, zeigt. Wie in 10 gezeigt, wird im Gegensatz zu dem Layout gemäß der in 9 gezeigten vorliegenden Ausführungsform angenommen, dass entweder die H-Scanleitung 228 oder die V-Signalleitung 229, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweist, in einer Schicht einer höheren Ebene gebildet wird. Hier wird angenommen, dass die V-Signalleitung 229 in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet wird und die H-Scanleitung 228 in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet wird.
  • In diesem Fall werden, wie in 10 gezeigt, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243, eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich des Kapazitätselements und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 zusammen mit der V-Signalleitung 229 gebildet. Ferner werden in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 zusammen mit der unteren Kapazitätselementelektrode 251 gebildet. Es wird angemerkt, dass in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der H-Scanleitung 228, die der Anzahl an H-Scanleitungen 228 entspricht, gebildet wird. Ferner werden in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 die obere Kapazitätselementelektrode 254 und eine Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 zusammen mit einer großen Anzahl an H-Scanleitungen 228 gebildet.
  • Beim Vergleich des in 9 gezeigten Layouts gemäß der vorliegenden Ausführungsform und des in 10 gezeigten Layouts miteinander werden die Hälfte der H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet, die eine Schicht einer niedrigeren Ebene in dem Layout gemäß der vorliegenden Erfindung ist, und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 relativ dichtbesetzt. Andererseits werden die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, bei dem in 8 gezeigten Layout nicht in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 gebildet, aber es ist notwendig, die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der H-Scanleitung 228, die der Anzahl an H-Scanleitungen 228 entspricht, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 zu bilden. Daher kann gesagt werden, dass die Fläche der Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 kleiner als jene der H-Scanleitung 228 ist und folglich die Dichte einer Zwischenverbindungsstruktur in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 nicht viel niedriger als jene des Layouts gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist.
  • Andererseits werden bei dem Layout gemäß der vorliegenden Ausführungsform die V-Signalleitungen 229, die eine kleinere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet und dementsprechend werden Zwischenverbindungsstrukturen der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 relativ dünnbesetzt. Andererseits wird es, weil die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, bei dem in 8 gezeigten Layout in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet sind, notwendig, die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der H-Scanleitung 228, die der Anzahl an H-Scanleitungen 228 entspricht, in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 zu bilden, und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 relativ dichtbesetzt.
  • Auf diese Weise ist es gemäß dem in 9 gezeigten Layout bezüglich der H-Scanleitung 228 und der V-Signalleitung 229 möglich, Zwischenverbindungsstrukturen in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240, die Schichten einer höheren Ebene sind, dünnbesetzter zu machen, indem Layouts der ersten Zwischenverbindungsschicht 234, der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 so konfiguriert werden, dass die H-Scanleitungen 228, die eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen sind, die für einen Pixelschaltkreis 220 bereitgestellt werden, in der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 und der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 gebildet werden, die Schichten einer niedrigeren Ebene sind. Daher sind die gleichen Effekte wie jene in einem Fall möglich, in dem das in 7 gezeigte oben beschriebene Layout angewandt wird, das heißt, die Anzeigevorrichtung 1 mit hoher Auflösung und hoher Zuverlässigkeit zu realisieren.
  • Ferner ist es gemäß der vorliegenden Ausführungsform möglich, die folgenden Effekte aufzuzeigen.
  • Falls es zum Beispiel nicht möglich ist, einen ausreichenden Bereich, in dem die gewünschte Kapazität realisiert werden kann, in der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 bezüglich der unteren Kapazitätselementelektrode 251 sicherzustellen, indem die in 8 und 10 gezeigten Layouts durchgeführt werden, kann es notwendig sein, die Anzahl an Zwischenverbindungsschichten zu erhöhen, um ein Kapazitätselement mit einer gewünschten Kapazität zu bilden und um Kapazitätselemente in den zugelegten Zwischenverbindungsschichten zu bilden. In diesem Fall werden die Anzahl an Masken und die Anzahl an Schritten aufgrund der Zunahme der Anzahl an Zwischenverbindungsschichten erhöht, was Herstellungskosten erhöhen kann. Andererseits ist es gemäß dem Layout der vorliegenden Ausführungsform, weil es möglich ist, einen ausreichenden Bereich der unteren Kapazitätselementelektrode 251, wie oben beschrieben, sicherzustellen, möglich, ein Kapazitätselement mit einer gewünschten Kapazität zu bilden, ohne eine solche Zunahme der Anzahl an Zwischenverbindungsschichten zu verursachen. Auf diese Weise ist es gemäß der vorliegenden Ausführungsform auch möglich, einen Effekt des Unterdrückens einer Zunahme der Herstellungskosten aufzuzeigen.
  • Ferner wird bei der vorliegenden Ausführungsform eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Schicht gebildet und dementsprechend wird eine Zwischenverbindungsstruktur der Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Schicht zu einem nicht geringen Ausmaß im Vergleich zu einem Fall dichtbesetzt, in dem eine größere Anzahl an Zwischenverbindungen in einer Zwischenverbindungsschicht einer oberen Schicht gebildet wird und eine isolierte Verbindungszwischenverbindung (die oben beschriebene Verbindungszwischenverbindung bezüglich der H-Scanleitung 228 und dergleichen) in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Schicht gebildet wird. Auf diese Weise wird eine Zwischenverbindungsstruktur in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Schicht näher zu der Diffusionsschicht 231 mit darin gebildeten Transistoren dichtbesetzt und dementsprechend ist es möglich, einen Effekt des Abschirmens der Transistoren vor Licht zu verbessern. Daher ist es möglich, eine Fluktuation von Charakteristiken der Transistoren aufgrund einer Aussetzung gegenüber Licht stärker zu unterdrücken und eine Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 1 weiter zu verbessern.
  • Außerdem kann eine Zwischenverbindungsstruktur in einer Zwischenverbindungsschicht einer oberen Schichten, insbesondere einer Zwischenverbindungsschicht einer höchsten Ebene, relativ dünnbesetzt gemacht werden und dementsprechend ist es möglich, eine Ebenheit der Anode 243 der organischen Leuchtdiode 221 zu verbessern, die in der oberen Schicht gebildet ist, die sich bei einer höheren Position der Zwischenverbindungsschicht der höchsten Ebene befindet. Dadurch ist es möglich, eine Lichtemissionseffizienz der organischen Leuchtdiode 221 zu verbessern, und kann eine weitere Verbesserung der Anzeigequalität realisiert werden.
  • Außerdem kann eine Zwischenverbindungsstruktur einer Zwischenverbindungsschicht einer oberen Schicht relativ dünnbesetzt gemacht werden und dementsprechend wird der Freiheitsgrad einer Anordnung einer Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243, die in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 gebildet ist, die eine Zwischenverbindungsschicht einer höchsten Ebene ist (das heißt eine Anordnung des dritten Via 242 zum Verbinden der Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 und der Anode 243 in der obersten Schicht miteinander), verbessert. Dadurch wird die Gestaltung von Layouts von Pixeln mehr erleichtert.
  • Dieser Punkt wird unter Bezugnahme auf die 11 und 12 ausführlicher beschrieben. 11 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Anordnung der dritten Vias 242 in drei Subpixeln in einem Fall zeigt, in dem ein Pixel aus diesen drei Subpixeln gebildet ist. 12 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Anordnung der dritten Vias 242 in vier Subpixeln in einem Fall zeigt, in dem ein Pixel aus diesen vier Subpixeln gebildet ist.
  • Die beiden 11 und 12 zeigen eine Draufsicht mit einer Konfiguration, bei der die Anode 243 und eine organische Schicht 261 (eine Schicht, die als eine Lichtemissionsschicht in der lichtemittierenden organischen Leuchtdiode 221 fungiert), die einem Pixel entsprechen, auf der linken Seite der Zeichnung gestapelt sind, und zeigen gleichzeitig eine Anordnung der dritten Vias 242 für eine solche Konfiguration. Außerdem zeigt die rechte Seite der Zeichnung eine Draufsicht einer Konfiguration 262, in der die Diffusionsschicht 231 und Zwischenverbindungsschichten (die erste Zwischenverbindungsschicht 234, die zweite Zwischenverbindungsschicht 237 und die dritte Zwischenverbindungsschicht 240) gestapelt sind, die gleichermaßen einem Pixel entsprechen, und zeigt gleichermaßen eine Anordnung der dritten Vias 242 für eine solche Konfiguration. Hinsichtlich der Konfiguration 262, in der die Diffusionsschicht 231 und die Zwischenverbindungsschichten gestapelt sind, ist eine ausführliche Veranschaulichung des Inneren jeder Schicht der Einfachheit halber weggelassen. Es wird angemerkt, dass in 11 und 12 hinsichtlich der organischen Schicht 261 und der Konfiguration 262, in der die Diffusionsschicht 231 und die Zwischenverbindungsschichten gestapelt sind, ein Buchstabe, der die Farbe seines entsprechenden Subpixels angibt (R: Rot, G: Grün, B: Blau, W: Weiß), an dem Ende einer Bezugsziffer angehängt ist. Da die Farbe jedes Subpixels durch ein Farbfilter (CF: Color Filter) gesteuert wird, das bei einer Schicht einer höheren Ebene als die organische Leuchtdiode 221 bereitgestellt ist, gibt es keinen Unterschied einer Struktur bezüglich der organischen Schicht 261 und der Konfiguration 262, in der die Diffusionsschicht 231 und die Zwischenverbindungsschicht gestapelt sind, aufgrund einer Farbe.
  • Wie in 11 gezeigt, ist die Anordnung der dritten Vias 242, falls ein Pixel aus drei Subpixeln gebildet ist, im Wesentlichen die gleiche in den Subpixeln. Daher gibt es keinen großen Vorteil aufgrund einer Verbesserung des Freiheitsgrads einer Anordnung der drei Vias 242.
  • Andererseits gibt es, wie in 12 gezeigt, falls ein Pixel aus vier Subpixeln gebildet ist, einen Unterschied der Anordnung der drei Vias 242 zwischen den Subpixeln. Das heißt, es ist auch notwendig, eine Anordnung einer Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 für jedes Subpixel zu ändern. In diesem Fall ist zum Beispiel infolge der Ausführung des in 10 gezeigten Layouts, wenn eine Zwischenverbindungsstruktur in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 dichtbesetzt ist, der Freiheitsgrad einer Anordnung der Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 niedrig. Um eine Anordnung der Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 für jedes Subpixel unterschiedlich zu machen, gibt es daher Bedenken, dass es notwendig ist, das gesamte Layout der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 für jedes Subpixel unterschiedlich zu machen. In diesem Fall kann es entsprechend notwendig sein, Layouts der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 niedrigerer Schichten für jedes Subpixel unterschiedlich zu machen, was zu einer enormen Menge an Arbeit für die Layouts und einer schweren Belastung für einen Gestalter führt.
  • Andererseits ist es gemäß der vorliegenden Ausführungsform möglich, ein Zwischenverbindungsmuster aus einer Zwischenverbindungsschicht einer oberen Schicht relativ dünnbesetzt zu machen, und dementsprechend ist der Freiheitsgrad einer Anordnung einer Verbindungszwischenverbindung bezüglich der Anode 243 in der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 relativ hoch. Daher ist es möglich, ein Layout der dritten Zwischenverbindungsschicht 240 so zu konfigurieren, dass nur die Anordnung der Verbindungszwischenverbindung hinsichtlich der Anode 243 für jedes Subpixel verschieden ist und Anordnungen der anderen Zwischenverbindungen für jedes Subpixel gleich sind. In diesem Fall reicht es hinsichtlich der Layouts der zweiten Zwischenverbindungsschicht 237 und der ersten Zwischenverbindungsschicht 234 niedrigerer Schichten aus, dass nur eine Anordnung einer Verbindungszwischenverbindung hinsichtlich der Anode 243 für jedes Subpixel verschieden gemacht wird, und dementsprechend wird der Schwierigkeitsgrad beim Gestalten der Layouts verringert. Auf diese Weise weist ein Layoutverfahren für eine Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform auch einen Effekt des Reduzierens des Schwierigkeitsgrades beim Gestalten eines Layouts eines Pixels auf, falls eine Anordnung des dritten Via 242 (das heißt eines Via zum Verbinden einer Zwischenverbindungsschicht einer höchsten Ebene und der Anode 243 miteinander) für jedes Subpixel verschieden ist, wie in einem Fall, in dem das Pixel aus vier Subpixeln gebildet wird.
  • Ein Layout einer Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform wurde oben beschrieben. Es wird angemerkt, dass, obwohl zwei Beispiele für Layouts in 7 und 9 oben verwendet wurden, es möglich ist, ein Layoutverfahren für eine Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform anzuwenden, selbst wenn die Anzahl an Zwischenverbindungsschichten verschieden von drei Schichten ist, die in der obigen Beschreibung veranschaulicht sind (falls zum Beispiel die Anzahl an Zwischenverbindungsschichten vier oder mehr ist), wenn sich Anordnungspositionen der H-Scanleitung 228 und der V-Signalleitung 229 in den Zwischenverbindungsschichten unterscheiden, wenn sich die Anzahl an H-Scanleitungen 228 und die Anzahl an V-Signalleitungen 229 unterscheiden (falls zum Beispiel die beiden Anzahlen mehr sind), wenn Mengenbeziehungen der Anzahl an H-Scanleitungen 228 und der Anzahl an V-Signalleitungen 229, die für jeden der Pixelschaltkreise 210 und 220 bereitgestellt sind, umgekehrt sind, und dergleichen. Das Layoutverfahren für die Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann auf verschiedene Anzeigevorrichtungen angewandt werden, so lange die Anzeigevorrichtungen Anzeigevorrichtungen sind, die durch ein Aktivmatrixverfahren angesteuert werden. Die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen hinsichtlich der H-Scanleitung 228 oder die Anzahl an Verbindungszwischenverbindungen bezüglich der V-Scanleitungen 229 in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene werden reduziert, indem das Layoutverfahren für die Zwischenverbindungsschicht gemäß der vorliegenden Ausführungsform angewandt wird, unabhängig von der Anzahl an Zwischenverbindungsschichten und dergleichen, und folglich ist es möglich, eine Zwischenverbindungsstruktur einer Zwischenverbindungsschicht einer höheren Ebene relativ dünnbesetzt zu machen. Außerdem ist es möglich, den Bereich einer Elektrode eines Kapazitätselements ausreichend sicherzustellen, indem die Elektrode des Kapazitätselements (die untere Kapazitätselementelektrode 251 und/oder die obere Kapazitätselementelektrode 254) in der Zwischenverbindungsschicht mit einer relativ dünnbesetzten Zwischenverbindungsstruktur bereitgestellt wird. Daher ist es ähnlich der oben beschriebenen Ausführungsform möglich, verschiedene Effekte, wie etwa eine Verbesserung der Zuverlässigkeit, zu erhalten.
  • (Spezielles Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung)
  • Ein spezielleres Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform wird nun beschrieben. 13 ist eine Querschnittsansicht, die ein spezielles Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt. 13 zeigt eine partielle Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung 1.
  • Unter Bezugnahme auf 13 beinhaltet die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf einem ersten Substrat 11 mehrere organische Leuchtdioden 211, von denen jede ein Lichtemissionselement ist, das weißes Licht emittiert, und eine CF-Schicht 33, die auf den organischen Leuchtdioden 211 bereitgestellt ist und in der CFs mancher Farben gebildet sind, so dass sie den organischen Leuchtdioden 211 entsprechen. Ferner ist ein zweites Substrat 34, das ein Material enthält, das für Licht von der organischen Leuchtdiode 211 transparent ist, auf der CF-Schicht 33 platziert. Ferner sind auf dem ersten Substrat 11 Dünnfilmtransistoren (TFTs: Thin Film Transistors) 15 zum Ansteuern der organischen Leuchtdiode 211 bereitgestellt, so dass sie jeder der organischen Leuchtdioden 211 entsprechen. Der TFT 15 entspricht jedem der Transistoren, die in dem oben beschriebenen Pixelschaltkreis 210 enthalten sind (dem Ansteuerungstransistor 212, dem Abtasttransistor 213, dem Lichtemissionssteuertransistor 214 und dem Schalttransistor 217). Eine beliebige organische Leuchtdiode 211 wird durch die TFTs 15 selektiv angesteuert; Licht von der angesteuerten organischen Leuchtdiode 211 durchläuft den entsprechenden CF und die Farbe des Lichts wird angemessen umgewandelt; und das Licht wird von der oberen Seite über das zweite Substrat 34 emittiert, dadurch wird ein gewünschtes Bild, ein gewünschtes Zeichen usw. angezeigt.
  • Es wird angemerkt, dass in der folgenden Beschreibung die Stapelungsrichtung der Schichten in der Anzeigevorrichtung 1 als eine Oben-und-Unten-Richtung bezeichnet wird. In diesem Fall ist die Seite, auf der das erste Substrat 11 platziert ist, als eine untere Seite definiert und ist die Seite, auf der das zweite Substrat 34 platziert ist, als eine obere Seite definiert. Ferner wird eine Ebene senkrecht zu der Oben-und-Unten-Richtung als eine horizontale Ebene bezeichnet.
  • Dementsprechend ist die in 13 gezeigte Anzeigevorrichtung 1 eine obere Emissionsanzeigevorrichtung, die zur Farbanzeige in der Lage ist und die durch ein Aktivmatrixsystem angesteuert wird. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine untere Emissionsanzeigevorrichtung sein, die Licht über das erste Substrat 11 emittiert.
  • (Erstes Substrat und zweites Substrat)
  • Bei dem veranschaulichten Konfigurationsbeispiel beinhaltet das erste Substrat 11 ein Si-Substrat. Ferner enthält das zweite Substrat 34 Quarzglas. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und können verschiedene bekannte Materialien als das erste Substrat 11 und das zweite Substrat 34 verwendet werden. Zum Beispiel können sowohl das erste Substrat 11 als auch das zweite Substrat 34 ein Substrat aus Glas mit hoher Entspannungsgrenze, ein Kalk-Natron-Glas(ein Gemisch aus Na2O, CaO und SiO2)-Substrat, ein Borsilicatglas(ein Gemisch aus Na2O, B2O3 und SiO2)-Substrat, ein Forsterit(Mg2SiO4)-Substrat, ein Bleiglas(ein Gemisch aus Na2O, PbO und SiO2)-Substrat, verschiedene Glassubstrate, bei denen ein Isolationsfilm auf einer Oberfläche gebildet ist, ein Quarzsubstrat, ein Quarzsubstrat, bei dem ein Isolationsfilm auf einer Oberfläche gebildet ist, ein Si-Substrat, bei dem ein Isolationsfilm auf einer Oberfläche gebildet ist, und ein organisches Polymersubstrat (zum Beispiel Polymethylmethacrylat (PMMA), Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylphenol (PVP), Polyethersulfon (PES), ein Polyimid, ein Polycarbonat, Polyethylenterephthalat (PET) oder dergleichen) beinhalten. Die in dem ersten Substrat 11 und dem zweiten Substrat 34 enthaltenen Materialien können die gleichen sein oder können unterschiedlich sein. Da jedoch die Anzeigevorrichtung 1 von dem oberen Emissionstyp ist, wie oben beschrieben ist, enthält das zweite Substrat 34 bevorzugt ein Material mit einem hohen Transmissionsgrad, das das Licht von der organischen Leuchtdiode 211 vorteilhaft transmittieren kann.
  • (Lichtemissionselement und zweites Element)
  • Die organische Leuchtdiode 211 beinhaltet eine erste Elektrode 21, eine organische Schicht 23, die auf der ersten Elektrode 21 bereitgestellt ist, und eine zweite Elektrode 22, die auf der organischen Schicht 23 gebildet ist. Spezieller ist ein zweites Element 52, in dem Öffnungen 25 so bereitgestellt sind, dass wenigstens Teile der ersten Elektrode 21 freigelegt werden, auf der ersten Elektrode 21 gestapelt und ist die organische Schicht 23 auf Teilen der ersten Elektrode 21 bereitgestellt, die an den Unterseiten der Öffnungen 25 freigelegt sind. Das heißt, die organische Leuchtdiode 211 weist eine Konfiguration auf, bei der die erste Elektrode 21, die organische Schicht 23 und die zweite Elektrode 22 in dieser Reihenfolge in der Öffnung 25 des zweiten Elements 52 gestapelt sind. Diese gestapelte Struktur fungiert als ein Lumineszenzabschnitt 24 jedes Pixels. Das heißt, ein Teil der organischen Leuchtdiode 211, der unter die Öffnung 25 des zweiten Elements 52 fällt, dient als eine Lumineszenzoberfläche. Ferner fungiert das zweite Element 52 als ein Pixeldefinitionsfilm, der zwischen Pixeln und Unterteilungen des Bereichs des Pixels bereitgestellt ist.
  • Die organische Schicht 23 beinhaltet eine Lumineszenzschicht, die ein organisches Lumineszenzmaterial enthält, und kann weißes Licht emittieren. Die spezielle Konfiguration der organischen Schicht 23 ist nicht beschränkt und kann verschiedene öffentlich bekannte Konfigurationen sein. Zum Beispiel kann die organische Schicht 23 eine gestapelte Struktur einer Lochtransportschicht, einer Lumineszenzschicht und einer elektronischen Transportschicht, eine gestapelte Struktur einer Lochtransportschicht und einer Lumineszenzschicht, die auch als eine elektronische Transportschicht dient, eine gestapelte Struktur einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Lumineszenzschicht, einer elektronischen Transportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht oder dergleichen aufweisen. Ferner kann, falls diese gestapelten Strukturen oder dergleichen jeweils als eine „Tandemeinheit“ verwendet werden, die organische Schicht 23 eine Tandemstruktur aus zwei Stufen aufweisen, wobei eine erste Tandemeinheit, eine Verbindungschicht und eine zweite Tandemeinheit gestapelt sind. Alternativ dazu kann die organische Schicht 23 eine Tandemstruktur aus drei oder mehr Stufen aufweisen, in denen drei oder mehr Tandemeinheiten gestapelt sind. Falls die organische Schicht 23 mehrere Tandemeinheiten beinhaltet, kann eine organische Schicht 23, die als Ganzes weißes Licht emittiert, erhalten werden, indem Rot, Grün und Blau den Lumineszenzfarben der Lumineszenzschichten der Tandemeinheiten zugewiesen werden.
  • Bei dem veranschaulichten Konfigurationsbeispiel wird die organische Schicht 23 durch Abscheiden eines organischen Materials durch Vakuumgasphasenabscheidung gebildet. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann die organische Schicht 23 durch verschiedene öffentlich bekannte Verfahren gebildet werden. Zum Beispiel können als das Verfahren zum Bilden der organischen Schicht 23 Physikalische-Gasphasenabscheidung-Verfahren (PVD-Verfahren), wie etwa das Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren, Druckverfahren, wie etwa das Siebdruckverfahren und das Tintenstrahldruckverfahren, ein Lasertransferverfahren, bei dem eine gestapelte Struktur aus einer laserabsorbierenden Schicht und einer organischen Schicht, die auf einem Substrat gebildet sind, zum Transfer mit Laserlicht bestrahlt wird, um die organische Schicht auf der laserabsorbierenden Schicht zu separieren, und die organische Schicht transferiert wird, verschiedene Auftragungsverfahren usw. verwendet werden.
  • Die erste Elektrode 21 fungiert als eine Anode. Das heißt, die erste Elektrode 21 entspricht der oben in 6 gezeigten Anode 243. Da die Anzeigevorrichtung 1 von dem oberen Emissionstyp ist, wie oben beschrieben ist, enthält die erste Elektrode 21 ein Material, das zum Reflektieren des Lichts von der organischen Schicht 23 in der Lage ist. Bei dem veranschaulichten Konfigurationsbeispiel enthält die erste Elektrode 21 eine Legierung aus Aluminium und Neodym (Al-Nd-Legierung). Ferner beträgt die Filmdicke der ersten Elektrode 21 zum Beispiel näherungsweise 0,1 µm bis 1 µm. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann die erste Elektrode 21 verschiedene öffentlich bekannte Materialien enthalten, die als das Material einer Elektrode auf der Lichtreflexionsseite verwendet werden, die als eine Anode in einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet wird. Ferner ist die Filmdicke der ersten Elektrode 21 nicht auf das obige Beispiel beschränkt und kann die erste Elektrode 21 nach Bedarf in Filmdickenbereichen gebildet werden, die üblicherweise in organischen EL-Anzeigevorrichtungen eingesetzt werden.
  • Zum Beispiel kann die erste Elektrode 21 ein Metall mit einer hohen Austrittsarbeit, wie etwa Platin (Pt), Gold (Au), Silber (Ag), Chrom (Cr), Wolfram (W), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Kobalt (Co) oder Tantal (Ta), oder eine Legierung mit einer hohen Austrittsarbeit (zum Beispiel eine Ag-Pd-Cu-Legierung, die Silber als eine Hauptkomponente enthält und 0,3 Massen-% bis 1 Massen-% Palladium (Pd) und 0,3 Massen-% bis 1 Massen-% Kupfer enthält, eine Al-Nd-Legierung und dergleichen) enthalten. Alternativ dazu kann die erste Elektrode 21 ein elektrisch leitfähiges Material mit einem kleinen Austrittsarbeitswert und einem hohen Lichtreflexionsgrad, wie etwa Aluminium oder eine aluminiumhaltige Legierung, aufweisen. In diesem Fall ist es zu bevorzugen, Lochinjektionseigenschaften durch Bereitstellen einer angemessenen Lochinjektionsschicht auf der ersten Elektrode 21 oder dergleichen zu verbessern. Alternativ dazu kann die erste Elektrode 21 eine Struktur aufweisen, bei der ein transparentes elektrisch leitfähiges Material mit exzellenten Lochinjektionseigenschaften, wie etwa ein Oxid von Indium und Zinn (ITO: Indium Tin Oxide) oder ein Oxid von Indium und Zink (IZO: Indium Zinc Oxide), auf einem reflektierenden Film mit einem hohen Lichtreflexionsgrad, wie etwa einem dielektrischen Mehrschichtfilm oder Aluminium, gestapelt ist.
  • Die zweite Elektrode 22 fungiert als eine Kathode. Da die Anzeigevorrichtung 1 von dem oberen Emissionstyp ist, wie oben beschrieben ist, enthält die zweite Elektrode 22 ein Material, das zum Transmittieren des Lichts von der organischen Schicht 23 in der Lage ist. Bei dem veranschaulichten Konfigurationsbeispiel enthält die zweite Elektrode 22 eine Legierung aus Magnesium und Silber (Mg-Ag-Legierung). Ferner beträgt die Filmdicke der zweiten Elektrode 22 zum Beispiel näherungsweise 10 nm. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann die zweite Elektrode 22 verschiedene öffentlich bekannte Materialien enthalten, die als das Material einer Elektrode auf der Lichttransmissionsseite verwendet werden, die als eine Kathode in einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet wird. Ferner ist die Filmdicke der zweiten Elektrode 22 nicht auf das obige Beispiel beschränkt und kann die zweite Elektrode 22 nach Bedarf in Filmdickenbereichen gebildet werden, die üblicherweise in organischen EL-Anzeigevorrichtungen eingesetzt werden.
  • Zum Beispiel kann die zweite Elektrode 22 Aluminium, Silber, Magnesium, Calcium (Ca), Natrium (Na), Strontium (Sr), eine Legierung aus einem Alkalimetall und Silber, eine Legierung aus einem Erdalkalimetall und Silber (zum Beispiel eine Legierung aus Magnesium und Silber (Mg-Ag-Legierung)), eine Legierung aus Magnesium und Calcium (Mg-Ca-Legierung), eine Legierung aus Aluminium und Lithium (Al-Li-Legierung) oder dergleichen enthalten. Falls jedes dieser Materialien in einer einzigen Schicht verwendet wird, beträgt die Filmdicke der zweiten Elektrode 22 zum Beispiel näherungsweise 4 nm bis 50 nm. Alternativ dazu kann die zweite Elektrode 22 eine Struktur aufweisen, bei der eine Schicht eines beliebigen der oben beschriebenen Materialien und eine transparente Elektrode, die zum Beispiel ITO oder IZO (mit einer Dicke von zum Beispiel näherungsweise 30 nm bis 1 µm) umfasst, von der Seite der organischen Schicht 23 gestapelt sind. Falls eine solche gestapelte Struktur verwendet wird, kann die Dicke der Schicht von einem beliebigen der oben beschriebenen Materialien zum Beispiel näherungsweise 1 nm bis 4 nm dünn sein. Alternativ dazu kann die zweite Elektrode 22 lediglich eine transparente Elektrode beinhalten. Alternativ dazu kann die zweite Elektrode 22 mit einer Buselektrode (Hilfselektrode) versehen sein, die ein Material mit geringem Widerstand enthält, wie etwa Aluminium, eine Aluminiumlegierung, Silber, eine Silberlegierung, Kupfer, eine Kupferlegierung, Gold oder eine Goldlegierung, um den Widerstand der zweiten Elektrode 22 als Ganzes zu reduzieren.
  • Bei dem veranschaulichten Konfigurationsbeispiel werden sowohl die erste Elektrode 21 als auch die zweite Elektrode 22 gebildet, indem ein Material als ein Film mit einer vorgeschriebenen Dicke durch das Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren und dann Strukturieren des Films durch das Ätzverfahren gebildet wird. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt und können die erste Elektrode 21 und die zweite Elektrode 22 durch verschiedene öffentlich bekannte Verfahren gebildet werden. Beispiele für das Verfahren zum Bilden der ersten Elektrode 21 und der zweiten Elektrode 22 beinhalten Gasphasenabscheidungsverfahren, einschließlich des Elektronenstrahlgasphasenabscheidungsverfahrens, des Heißdraht-Gasphasenabscheidungsverfahrens und des Vakuumgasphasenabscheidungsverfahrens, das Sputterverfahren, das chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren), das metallorganische chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (MOCVD-Verfahren), eine Kombination aus dem Ionenplattierungsverfahren und dem Ätzverfahren, verschiedene Druckverfahren (zum Beispiel das Siebdruckverfahren, das Tintenstrahldruckverfahren, das Metallmaskendruckverfahren usw.), Plattierungsverfahren (das Elektroplattierungsverfahren, das stromlose Plattierungsverfahren usw.), das Liftoff-Verfahren, das Laserablationsverfahren, das Sol-Gel-Verfahren usw.
  • Das zweite Element 52 wird durch Bilden von SiO2 als ein Film mit einer vorgeschriebenen Filmdicke durch das CVD-Verfahren und dann Strukturieren des SiO2-Films unter Verwendung von Fotolithografietechnologie und Ätztechnologie gebildet. Jedoch ist das Material des zweiten Elements 52 nicht auf dieses Beispiel beschränkt und können verschiedene Materialien mit isolierenden Eigenschaften als das Material des zweiten Elements 52 verwendet werden. Beispiele für das Material, das in dem zweiten Element 52 enthalten ist, beinhalten SiO2, MgF, LiF, ein Polyimidharz, ein Acrylharz, ein Fluorharz, ein Siliconharz, ein fluorbasiertes Polymer, ein siliconbasiertes Polymer usw. Jedoch enthält das zweite Element 52, wie später beschrieben ist, ein Material mit einem niedrigeren Brechungsindex als das Material eines ersten Elements 51.
  • (Konfiguration von Teilen unterhalb des Lichtemissionselements)
  • Auf dem ersten Substrat 11 ist die erste Elektrode 21, die in der organischen Leuchtdiode 211 enthalten ist, auf einer Zwischenschichtisolationsschicht 16 bereitgestellt, die SiON enthält. Dann bedeckt die Zwischenschichtisolationsschicht 16 einen Lichtemissionselementansteuerungsabschnitt, der auf dem ersten Substrat 11 gebildet ist.
  • Der Lichtemissionselementansteuerungsabschnitt beinhaltet mehrere TFTs 15. Mit anderen Worten entspricht der Lichtemissionselementansteuerungsabschnitt einem Ansteuerungsschaltkreis des Pixelschaltkreises 210. Der TFT 15 beinhaltet eine Gate-Elektrode 12, die auf dem ersten Substrat 11 gebildet ist, einen Gate-Isolationsfilm 13, der auf dem ersten Substrat 11 und der Gate-Elektrode 12 gebildet ist, und eine Halbleiterschicht 14, die auf dem Gate-Isolationsfilm 13 gebildet ist. Ein Gebiet der Halbleiterschicht 14, das sich direkt oberhalb der Gate-Elektrode 12 befindet, fungiert als ein Kanalgebiet 14A und Gebiete, die derart angeordnet sind, dass sie das Kanalgebiet 14A sandwichartig umschließen, fungieren als Source/Drain-Gebiete 14B. Es wird angemerkt, dass, obwohl bei dem veranschaulichten Beispiel der TFT 15 von einem Unteres-Gate-Typ ist, die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt ist und der TFT 15 von einem Oberes-Gate-Typ sein kann.
  • Eine Zwischenschichtisolationsschicht 16, die zwei Schichten (eine Untere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16A und eine Obere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16B) beinhaltet, ist durch das CVD-Verfahren auf die Halbleiterschicht 14 gestapelt. In diesem Fall werden, nachdem die Untere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16A gestapelt wurde, Kontaktlöcher 17 in Teilen der Untere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16A bereitgestellt, die den Source/Drain-Gebieten 14B entsprechen, so dass die Source/Drain-Gebiete 14B freigelegt werden, indem zum Beispiel Fotolithografietechnologie und Ätztechnologie verwendet werden, und wird eine Zwischenverbindung 18, die Aluminium enthält, gebildet, so dass das Kontaktloch 17 gefüllt wird. Die Zwischenverbindungen 18 werden zum Beispiel durch Kombinieren des Vakuumgasphasenabscheidungsverfahrens und des Ätzverfahrens gebildet. Danach wird die Obere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16B gestapelt.
  • In einem Teil der Obere-Schicht-Zwischenschichtisolationsschicht 16B, wo die Zwischenverbindung 18 bereitgestellt ist, wird ein Kontaktloch 19 bereitgestellt, so dass die Zwischenverbindung 18 freigelegt wird, indem zum Beispiel Fotolithografietechnologie und Ätztechnologie verwendet werden. Dann wird, wenn die erste Elektrode 21 der organischen Leuchtdiode 211 gebildet wird, die erste Elektrode 21 gebildet, so dass sie sich über das Kontaktloch 19 in Kontakt mit der Zwischenverbindung 18 befindet. Dementsprechend ist die erste Elektrode 21 der organischen Leuchtdiode 211 über die Zwischenverbindung 18 elektrisch mit einem Source/Drain-Gebiet 14B eines TFT 15 (bei dem in 3 gezeigten Beispiel für den Pixelschaltkreis entsprechend dem Drain-Gebiet des Ansteuerungstransistors 212) verbunden.
  • Es wird angemerkt, dass, obwohl bei dem obigen Beispiel die Zwischenschichtisolationsschicht 16 SiON enthält, die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt ist. Die Zwischenschichtisolationsschicht 16 kann verschiedene öffentlich bekannte Materialien enthalten, die als eine Zwischenschichtisolationsschicht in einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet werden können. Zum Beispiel können SiO2-basierte Materialien (zum Beispiel SiO2, BPSG, PSG, BSG, AsSG, PbSG, SiON, Spin-On-Glas (SOG), Glas mit niedrigem Schmelzpunkt, eine Glaspaste und dergleichen), SiNbasierte Materialien und isolierende Harze (zum Beispiel ein Polyimidharz, ein novolakbasiertes Harz, ein acrylbasiertes Harz, Polybenzoxazol und dergleichen) alleine oder in Kombination nach Bedarf als das Material, das in der Zwischenschichtisolationsschicht 16 enthalten ist, verwendet werden. Ferner ist das Verfahren zum Bilden der Zwischenschichtisolationsschicht 16 nicht auf das obige Beispiel beschränkt und können öffentlich bekannte Verfahren, wie etwa das CVD-Verfahren, das Auftragungsverfahren, das Sputterverfahren und verschiedene Druckverfahren, zum Bilden der Zwischenschichtisolationsschicht 16 verwendet werden. Des Weiteren ist, obwohl die Zwischenverbindung 18 bei dem obigen Beispiel durch Bilden von Aluminium als ein Film und Strukturieren des Films durch das Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren und das Ätzverfahren gebildet ist, die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Die Zwischenverbindung 18 kann durch Bilden eines beliebigen von verschiedenen Materialien, die als eine Zwischenverbindung in einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet werden, als ein Film und Strukturieren des Films durch verschiedene Verfahren gebildet werden.
  • Ferner zeigt 13 der Einfachheit halber nur eine Zwischenverbindungsschicht. Tatsächlich können, wie oben unter Bezugnahme auf 6 beschrieben, mehrere Zwischenverbindungsschichten auf einer Diffusionsschicht mit dem darin gebildeten TFT 15 gebildet werden und kann die organische Leuchtdiode 211 ferner auf den mehreren Zwischenverbindungsschichten gebildet werden.
  • (Konfiguration von Teilen oberhalb des Lichtemissionselements)
  • Die Öffnung 25, die in dem zweiten Element 52 der organischen Leuchtdiode 211 bereitgestellt ist, ist so gebildet, dass sie eine sich verjüngende Form aufweist, bei der die Seitenwand der Öffnung 25 so geneigt ist, dass die Öffnungsfläche bei Annäherung zu dem Boden zunimmt. Dann wird ein erstes Element 51 in die Öffnung 25 gesetzt. Das heißt, das erste Element 51 ist eine Schicht, die direkt oberhalb der Lumineszenzoberfläche der organischen Leuchtdiode 211 bereitgestellt ist und die Emissionslicht von dem Lichtemissionselement aufwärts propagieren lässt. Ferner weist eine Querschnittsform in der Stapelungsrichtung des ersten Elements 51 (das heißt die veranschaulichte Querschnittsform) durch Bilden der Öffnung 25 des zweiten Elements 52 auf die obige Weise eine im Wesentlichen trapezförmige Form auf und dementsprechend weist das erste Element 51 eine kegel- oder pyramidenstumpfartige Form auf, bei der die untere Oberfläche nach oben zeigt.
  • Das erste Element 51 wird durch Bilden von Si1-xNx als ein Film durch das Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren derart, dass die Öffnung 25 gefüllt wird, und dann Planarisieren der Oberfläche des Si1-xNx-Films durch das chemisch-mechanische Polierverfahren (CMP-Verfahren) oder dergleichen gebildet. Jedoch ist das Material des ersten Elements 51 nicht auf dieses Beispiel beschränkt und können verschiedene Materialien mit isolierenden Eigenschaften als das Material des ersten Elements 51 verwendet werden. Beispiele für das Material, das in dem ersten Element 51 enthalten ist, beinhalten Si1-xNx, ITO, IZO, TiO2, Nb2O5, ein bromhaltiges Polymer, ein schwefelhaltiges Polymer, ein titanhaltiges Polymer, ein zirconiumhaltiges Polymer usw. Das Verfahren zum Bilden des ersten Elements 51 ist ebenfalls nicht auf dieses Beispiel beschränkt und verschiedene öffentlich bekannte Verfahren können als das Verfahren zum Bilden des ersten Elements 51 verwendet werden.
  • Jedoch werden bei der vorliegenden Ausführungsform die Materialien des ersten Elements 51 und des zweiten Elements 52 so ausgewählt, dass der Brechungsindex n1 des ersten Elements 51 und der Brechungsindex n2 des zweiten Elements 52 die Beziehung n1 > n2 erfüllen. Durch das Auswählen der Materialien des ersten Elements 51 und des zweiten Elements 52 derart, dass die Brechungsindizes die oben erwähnte Beziehung erfüllen, wird wenigstens ein Teil des Lichts, das durch das erste Element 51 propagiert wird, an einer Oberfläche des zweiten Elements 52, die dem ersten Element 51 zugewandt ist, reflektiert. Spezieller werden die organische Schicht 23 und die zweite Elektrode 22 der organischen Leuchtdiode 211 zwischen dem ersten Element 51 und dem zweiten Element 52 gebildet und daher wird wenigstens ein Teil des Lichts, das durch das erste Element 51 propagiert ist, an der Grenzfläche zwischen dem zweiten Element 52 und der organischen Schicht 23 reflektiert. Das heißt, die Oberfläche des zweiten Elements 52, die dem ersten Element 51 zugewandt ist, fungiert als ein Lichtreflexionsabschnitt (Reflektor) 53.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform wird das erste Element 51 direkt oberhalb der Lumineszenzoberfläche der organischen Leuchtdiode 211 bereitgestellt, wie oben erwähnt ist. Dann weist das erste Element 51 eine Kegel- oder Pyramidenstumpfform auf, bei der die untere Oberfläche nach oben zeigt, und daher wird das Licht, das von der Lumineszenzoberfläche der organischen Leuchtdiode 211 emittiert wird, aufwärts, was die Lichtemissionsrichtung ist, durch die Grenzfläche zwischen dem ersten Element 51 und dem zweiten Element 52, das heißt den Reflektor 53, reflektiert. Dementsprechend kann gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Effizienz des Extrahierens von Emissionslicht aus der organischen Leuchtdiode 211 durch Bereitstellen des Reflektors 53 verbessert werden und kann die Leuchtdichte als die gesamte Anzeigevorrichtung 1 verbessert werden.
  • Es wird angemerkt, dass eine Untersuchung durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung zeigt, dass zum vorteilhafteren Verbessern der Effizienz des Extrahierens von Emissionslicht aus der organischen Leuchtdiode 211 es zu bevorzugen ist, dass die Brechungsindizes des ersten Elements 51 und des zweiten Elements 52 die Beziehung n1 - n2 ≥ 0,20 erfüllen. Es ist bevorzugter, dass die Brechungsindizes des ersten Elements 51 und des zweiten Elements 52 die Beziehung n1 - n2 ≥ 0,30 erfüllen. Des Weiteren ist es zum weiteren Verbessern der Effizienz des Extrahierens von Emissionslicht aus der organischen Leuchtdiode 211 zu bevorzugen, dass die Form des ersten Elements 51 die Beziehungen 0,5 ≤ R1/R2 ≤ 0,8 und 0,5 ≤ H/R1 ≤ 0,8 erfüllt. Hier repräsentiert R1 den Durchmesser der Lichteinfallsoberfläche des ersten Elements 51 (das heißt eine Oberfläche, die in der Stapelungsrichtung nach unten zeigt und der Lumineszenzoberfläche der organischen Leuchtdiode 211 zugewandt ist), repräsentiert R2 den Durchmesser der Lichtemissionsoberfläche des ersten Elements 51 (das heißt eine Oberfläche, die in der Stapelungsrichtung nach oben zeigt) und repräsentiert H den Abstand zwischen der unteren Oberfläche und der oberen Oberfläche (die Höhe in der Stapelungsrichtung), falls das erste Element 51 als ein Kegel- oder Pyramidenstumpf betrachtet wird.
  • Ein Schutzfilm 31 und ein Planarisierungsfilm 32 sind in dieser Reihenfolge auf dem planarisierten ersten Element 51 gestapelt. Der Schutzfilm 31 ist durch zum Beispiel Stapeln von Si1-yNy mit einer vorgeschriebenen Filmdicke (näherungsweise 3,0 µm) durch das Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren gebildet. Ferner ist der Planarisierungsfilm 32 zum Beispiel durch Stapeln von SiO2 mit einer vorbestimmten Filmdicke (näherungsweise 2,0 µm) durch das CVD-Verfahren und Planarisieren der Oberfläche durch das CMP-Verfahren oder dergleichen gebildet.
  • Jedoch sind die Materialien und die Filmdicke des Schutzfilms 31 und Planarisierungsfilms 32 nicht auf diese Beispiele beschränkt und können der Schutzfilm 31 und der Planarisierungsfilm 32 verschiedene öffentlich bekannte Materialien beinhalten, die als ein Schutzfilm und ein Planarisierungsfilm einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet werden, um dementsprechend eine Filmdicke zu haben, die üblicherweise in einer organischen EL-Anzeigevorrichtung eingesetzt wird.
  • Jedoch ist bei der vorliegenden Ausführungsform zu bevorzugen, dass das Material des Schutzfilms 31 so ausgewählt wird, dass der Brechungsindex n3 des Schutzfilms 31 gleich dem Brechungsindex n1 des ersten Elements 51 oder kleiner als der Brechungsindex n1 des ersten Elements 51 ist. Des Weiteren werden die Materialien des Schutzfilms 31 und des Planarisierungsfilms 32 so ausgewählt, dass der Absolutwert der Differenz zwischen dem Brechungsindex n3 des Schutzfilms 31 und dem Brechungsindex n4 des Planarisierungsfilms 32 bevorzugt kleiner als oder gleich 0,30 und bevorzugter kleiner als oder gleich 0,20 ist. Durch dementsprechendes Auswählen der Materialien des Schutzfilms 31 und des Planarisierungsfilms 32 können die Reflexion oder die Streuung von Emissionslicht von der organischen Leuchtdiode 211 an der Grenzfläche zwischen dem ersten Element 51 und dem Schutzfilm 31 und der Grenzfläche zwischen dem Schutzfilm 31 und dem Planarisierungsfilm 32 unterdrückt werden und kann die Lichtextraktionseffizienz weiter verbessert werden.
  • Die CF-Schicht 33 ist auf dem Planarisierungsfilm 32 gebildet. Dementsprechend ist die Anzeigevorrichtung 1 eine Anzeigevorrichtung eines sogenannten On-Chip-Farbfilter(OCCF)-Systems, bei dem die CF-Schicht 33 auf dem ersten Substrat 11 gebildet ist, auf dem die organische Leuchtdiode 211 gebildet ist. Das zweite Substrat 34 ist mittels zum Beispiel eines Versiegelungsharzfilms 35 aus einem Epoxidharz oder dergleichen an die obere Seite der CF-Schicht 33 angeklebt und dadurch wird die Anzeigevorrichtung 1 gefertigt. Es wird angemerkt, dass das Material des Versiegelungsharzfilms 35 nicht auf dieses Beispiel beschränkt ist und das Material des Versiegelungsharzfilms 35 hinsichtlich hohen Transmissionsvermögens für das Emissionslicht von der organischen Leuchtdiode 211, Exzellenz des Haftvermögens an der CF-Schicht 33, die sich auf der unteren Seite befindet, und dem zweiten Substrat 34, das sich auf der oberen Seite befindet, niedrigen Reflexionsvermögens von Licht an der Grenzfläche mit der CF-Schicht 33, die sich auf der unteren Seite befindet, und der Grenzfläche mit dem zweiten Substrat 34, das sich auf der oberen Seite befindet, usw. wie angemessen ausgewählt werden kann. Jedoch ist die vorliegende Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Die Anzeigevorrichtung 1 kann eine Anzeigevorrichtung eines sogenannten Zugewandtes-CF-Systems sein, die dadurch gefertigt wird, dass die CF-Schicht 33 auf dem zweiten Substrat 34 gebildet wird und das erste Substrat 11 und das zweite Substrat 34 so aneinandergeklebt werden, dass die CF-Schicht 33 der organischen Leuchtdiode 211 zugewandt ist.
  • Die CF-Schicht 33 ist so gebildet, dass ein CF jeder Farbe mit einer vorgeschriebenen Fläche für jede der organischen Leuchtdioden 211 bereitgestellt ist. Die CF-Schicht 33 kann durch zum Beispiel Durchführen einer Belichtung auf ein Resist-Material in einer vorbestimmten Konfiguration und Durchführen einer Entwicklung durch Fotolithografietechnologie gebildet werden. Ferner beträgt die Filmdicke der CF-Schicht 33 zum Beispiel näherungsweise 2 µm. Jedoch sind das Material, das Bildungsverfahren und die Filmdicke der CF-Schicht 33 nicht auf diese Beispiele beschränkt und kann die CF-Schicht 33 so, dass sie eine Filmdicke aufweist, die üblicherweise in einer organischen EL-Anzeigevorrichtung eingesetzt wird, durch Verwenden verschiedener öffentlich bekannter Materialien, die als eine CF-Schicht einer üblichen organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet werden, und verschiedene öffentlich bekannte Verfahren wie angemessen gebildet werden.
  • Bei dem veranschaulichten Beispiel ist die CF-Schicht 33 so bereitgestellt, dass ein rotes CF 33R, ein grünes CF 33G und ein blaues CF 33B jeweils mit einer vorgeschriebenen Fläche kontinuierlich in der horizontalen Ebene verteilt sind. Es wird angemerkt, dass in der folgenden Beschreibung bei einem Fall, bei dem keine Notwendigkeit besteht, besonders zwischen dem CF 33R, dem CF 33G und dem CF 33B zu unterscheiden, eines oder mehrere von diesen einfach als ein CF 33a geschrieben werden können. Ein Subpixel beinhaltet eine Kombination aus einer organischen Leuchtdiode 211 und einem CF 33a.
  • Oben wurde ein spezielles Konfigurationsbeispiel der Anzeigevorrichtung 1 beschrieben. Es wird angemerkt, dass in Bezug auf die oben beschriebene Konfiguration der Anzeigevorrichtung 1, insbesondere die Konfiguration des Reflektors 53, zum Beispiel auf JP 2013-191533A , was eine frühere Anmeldung des vorliegenden Anmelders ist, verwiesen werden kann. Jedoch ist eine Konfiguration der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Wie oben beschrieben, reicht es aus, dass die in (4. Layout der Zwischenverbindungsschicht) oben beschriebenen Aspekte in der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wiedergegeben werden, und verschiedene bekannte Konfigurationen, die in gewöhnlichen Anzeigevorrichtungen verwendet werden, können für die anderen Aspekte verwendet werden.
  • (Anwendungsbeispiele)
  • Anwendungsbeispiele der Anzeigevorrichtung 1 gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform werden nun beschrieben. Hier werden manche Beispiele für elektronische Einrichtungen beschrieben, in denen die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann.
  • 14 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen eines Smartphones zeigt, das ein Beispiel für die elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann. Wie in 14 gezeigt, beinhaltet ein Smartphone 501 einen Operationsabschnitt 503, der eine Taste beinhaltet und eine Operationseingabe durch den Benutzer annimmt, und einen Anzeigeabschnitt 505, der verschiedene Informationen anzeigt. Die Anzeigevorrichtung 1 kann auf den Anzeigeabschnitt 505 angewandt werden.
  • 15 und 16 sind Diagramme, die externe Aussehen einer digitalen Kamera zeigen, die ein anderes Beispiel für die elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann. 15 zeigt ein externes Aussehen einer digitalen Kamera 511 bei Betrachtung von der Vorderseite (der Motivseite) und 16 zeigt ein externes Aussehen der digitalen Kamera 511 bei Betrachtung von der Rückseite. Wie in 15 und 16 gezeigt, beinhaltet die digitale Kamera 511 einen Hauptkörperabschnitt (Kamerakörper) 513, eine Wechselobjektiveinheit 515, einen Griffabschnitt 517, der während des Fotografierens durch den Benutzer ergriffen wird, einen Monitor 519, der verschiedene Informationen anzeigt, und einen elektronischen Sucher (EVF: Electronic View Finder) 521, der ein Durchsichtbild anzeigt, das durch den Benutzer während des Fotografierens beobachtet wird. Die Anzeigevorrichtung 1 kann auf den Monitor 519 und den EVF 521 angewandt werden.
  • 17 ist ein Diagramm, das ein externes Aussehen einer am Kopf getragenen Anzeige (HMD: Head Mounted Display) zeigt, die ein anderes Beispiel für die elektronische Einrichtung ist, in der die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann. Wie in 17 gezeigt, beinhaltet eine HMD 531 einen Anzeigeabschnitt 533 vom Brillentyp, der verschiedene Informationen anzeigt, und Ohrenfixierungsabschnitte 535, die während des Tragens an den Ohren des Benutzers fixiert sind. Die Anzeigevorrichtung 1 kann auf den Anzeigeabschnitt 533 angewandt werden.
  • Oben wurden manche Beispiele für die elektronische Einrichtung beschrieben, in der die Anzeigevorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet werden kann. Es wird angemerkt, dass die elektronische Einrichtung, in der die Anzeigevorrichtung 1 verwendet werden kann, nicht auf jene oben beschriebenen Beispiele beschränkt ist und die Anzeigevorrichtung 1 für Anzeigevorrichtungen verwendet werden kann, die auf elektronischen Einrichtungen in allen Bereichen montiert sein können, die eine Anzeige basierend auf einem Bildsignal, das von außerhalb eingegeben wird, oder einem Bildsignal, das in dem Inneren erzeugt wird, erzeugen, wie etwa eine Fernsehvorrichtung, ein elektronisches Buch, ein Smartphone, ein persönlicher digitaler Assistent (PDA), ein Notebook-PC, eine Videokamera und eine Spieleeinrichtung.
  • (Ergänzung)
  • Die bevorzugte(n) Ausführungsform(en) der vorliegenden Offenbarung wurde(n) oben unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben, wenngleich die vorliegende Offenbarung nicht auf die obigen Beispiele beschränkt ist. Ein Fachmann kann verschiedene Abänderungen und Modifikationen innerhalb des Schutzumfangs der angehängten Ansprüche finden und es versteht sich, dass sie natürlich in dem technischen Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung liegen werden.
  • Zum Beispiel ist, obwohl bei der oben beschriebenen Ausführungsform jeder der Transistoren (der Ansteuerungstransistor 212, der Abtasttransistor 213, der Lichtemissionssteuertransistor 214 und der Schalttransistor 217), die in dem Ansteuerungsschaltkreis des Pixelschaltkreises 210 enthalten sind, ein p-Kanal-Transistor ist, die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Zum Beispiel kann jeder der Transistoren vom n-Kanal-Typ sein.
  • Ferner sind die in dieser Spezifikation beschriebenen Effekte lediglich veranschaulichende oder beispielhafte Effekte und sind nicht beschränkend. Das heißt, die Technologie gemäß der vorliegenden Offenbarung kann mit den oder anstelle der obigen Effekte andere Effekte erzielen, die einem Fachmann aus der Beschreibung dieser Spezifikation ersichtlich sind.
  • Zusätzlich dazu kann die vorliegende Technologie auch wie unten beschrieben konfiguriert sein.
    1. (1) Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:
      • eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet;
      • Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen; und
      • Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen,
      • wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und
      • eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
    2. (2) Die Anzeigevorrichtung nach (1), wobei der Ansteuerungsschaltkreis mehrere Transistoren beinhaltet, und mehrere Zwischenverbindungsschichten, die jeweils die Scanleitungen, die Signalleitungen und das Kapazitätselement darin gebildet aufweisen, auf einer Diffusionsschicht gestapelt sind, in der mehrere Transistoren gebildet sind.
    3. (3) Die Anzeigevorrichtung nach (2), wobei das Lichtemissionselement eine organische Leuchtdiode ist, und die organische Leuchtdiode auf der Zwischenverbindungsschicht einer obersten Schicht positioniert ist.
    4. (4) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (3), wobei ein Subpixel den einen Pixelschaltkreis beinhaltet, und ein Pixel die vier Subpixel beinhaltet.
    5. (5) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (4), wobei die Anzahl der Scanleitungen größer als die Anzahl der Signalleitungen ist.
    6. (6) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (5), wobei die Scanleitungen Zwischenverbindungen sind, die sich in einer horizontalen Richtung erstrecken, und die Signalleitungen Zwischenverbindungen sind, die sich in einer vertikalen Richtung erstrecken.
    7. (7) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (6), wobei alle mehrerer Scanleitungen in einer selben Zwischenverbindungsschicht positioniert sind oder alle mehrerer Signalleitungen in einer selben Zwischenverbindungsschicht positioniert sind.
    8. (8) Die Anzeigevorrichtung nach einem von (1) bis (7), wobei mehrere der Scanleitungen so angeordnet sind, dass sie in mehreren unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten verteilt sind, oder mehrere der Signalleitungen so angeordnet sind, dass sie in mehreren unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten verteilt sind.
    9. (9) Eine elektronische Einrichtung, die Folgendes beinhaltet:
      • eine Anzeigevorrichtung, die eine Anzeige basierend auf einem Videosignal durchführt,
      • wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet:
        • eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet,
        • Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, und
        • Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen,
        • wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und
        • eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Anzeigevorrichtung
    10
    Anzeigefeld
    20
    Pixeleinheit
    30
    Scaneinheit
    40
    Auswahleinheit
    210, 220
    Pixelschaltkreis
    211, 221
    organische Leuchtdiode
    212
    Ansteuerungstransistor
    213
    Abtasttransistor
    214
    Lichtemissionssteuertransistor
    215, 227
    Haltekapazität
    216
    Hilfskapazität
    217
    Schalttransistor
    222, 223, 224, 225, 226
    Transistor
    228
    H-Scanleitung
    229
    V-Signalleitung
    231
    Diffusionsschicht
    232, 235, 238, 241
    Isolationsschicht
    233
    Kontakt
    236, 239, 242
    Via
    234, 237, 240
    Zwischenverbindungsschicht
    243
    Anode
    251
    untere Kapazitätselementelektrode
    252, 254
    obere Kapazitätselementelektrode
    261
    organische Schicht
    301
    Schreibscaneinheit
    302
    Schreibscanleitung
    311
    erste Ansteuerungsscaneinheit
    312
    erste Ansteuerungsleitung
    321
    zweite Ansteuerungsscaneinheit
    322
    zweite Ansteuerungsleitung
    331
    gemeinsame Leistungsversorgungsleitung
    332
    Leistungsversorgungsleitung
    333
    Masseleitung
    401
    Signalausgabeeinheit
    402
    Signalleitung
    501
    Smartphone (elektronische Einrichtung)
    511
    digitale Kamera (elektronische Einrichtung)
    531
    HMD (elektronische Einrichtung)
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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    • WO 2014/103500 [0055]
    • JP 2013191533 A [0138]

Claims (9)

  1. Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet; Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen; und Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Ansteuerungsschaltkreis mehrere Transistoren beinhaltet, und mehrere Zwischenverbindungsschichten, die jeweils die Scanleitungen, die Signalleitungen und das Kapazitätselement darin gebildet aufweisen, auf einer Diffusionsschicht gestapelt sind, in der mehrere Transistoren gebildet sind.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Lichtemissionselement eine organische Leuchtdiode ist, und die organische Leuchtdiode auf der Zwischenverbindungsschicht einer obersten Schicht positioniert ist.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Subpixel den einen Pixelschaltkreis beinhaltet, und ein Pixel die vier Subpixel beinhaltet.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Anzahl der Scanleitungen größer als eine Anzahl der Signalleitungen ist.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Scanleitungen Zwischenverbindungen sind, die sich in einer horizontalen Richtung erstrecken, und die Signalleitungen Zwischenverbindungen sind, die sich in einer vertikalen Richtung erstrecken.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei alle mehrerer Scanleitungen in einer selben Zwischenverbindungsschicht positioniert sind oder alle mehrerer Signalleitungen in einer selben Zwischenverbindungsschicht positioniert sind.
  8. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei mehrere der Scanleitungen so angeordnet sind, dass sie in mehreren unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten verteilt sind, oder mehrere der Signalleitungen so angeordnet sind, dass sie in mehreren unterschiedlichen Zwischenverbindungsschichten verteilt sind.
  9. Elektronische Einrichtung, die Folgendes umfasst: eine Anzeigevorrichtung, die eine Anzeige basierend auf einem Videosignal durchführt, wobei die Anzeigevorrichtung Folgendes beinhaltet: eine Pixeleinheit, die mit mehreren Pixelschaltkreisen konfiguriert ist, die in einer Matrix angeordnet sind, wobei jeder der Pixelschaltkreise ein Lichtemissionselement und einen Ansteuerungsschaltkreis zum Ansteuern des Lichtemissionselements beinhaltet, Scanleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Zeilen mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, und Signalleitungen, die Zwischenverbindungen sind, die mit jeweiligen Pixelschaltkreisen verbunden sind und so bereitgestellt sind, dass sie sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken und jeweiligen Spalten mehrerer der Pixelschaltkreise entsprechen, wobei die Scanleitungen oder die Signalleitungen, die für den einen Pixelschaltkreis bereitgestellt sind, welche eine größere Anzahl aufweisen, in einer Zwischenverbindungsschicht einer niedrigeren Ebene positioniert sind, und eine Elektrode eines Kapazitätselements, die in dem Ansteuerungsschaltkreis enthalten ist, in der Zwischenverbindungsschicht positioniert ist, in der entweder die Scanleitungen oder die Signalleitungen bereitgestellt sind.
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