DE112016000126B4 - Herstellungsverfahren für Verbundwerkstoff-Substrat - Google Patents

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Abstract

Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat, umfassend:(a) einen Schritt zum Hochglanz-Polieren einer piezoelektrischen Substrat-Seite von einem laminierten Substrat, das einen Durchmesser von 5·10m (2 inch) oder mehr aufweist und durch Bonden eines piezoelektrische Substrats und eines Trägersubstrats hergestellt wurde, bis eine Dicke des piezoelektrischen Substrats von 20 µm oder weniger erreicht worden ist;(b) einen Schritt zum Ausführen von Fräsen unter Verwendung eines lonenstrahls oder eines neutralen Atomstrahls, so dass die Dicke vom äußeren Randbereich des piezoelektrischen Substrats größer als die Dicke vom inneren Randbereich ist und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des inneren Randbereichs des piezoelektrischen Substrats über eine gesamte Oberfläche 100 nm oder weniger ist; und(c) einen Schritt zum Glätten der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, um mindestens einen Teil von einer durch das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls in dem Schritt (b) gebildeten, veränderten Schicht durch Ausführen von CMP unter Verwendung eines Polierkissens mit einem Durchmesser von 5 mm oder mehr und 30 mm oder weniger und Rotieren und Bewegen des Polierkissens bezüglich des piezoelektrischen Substrats unter Halten einer konstanten Druckkraft des Polierkissens, zu entfernen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat.
  • Es wird erwartet, eine unkonventionelle elastische Wellenvorrichtung bei einer hohen Frequenz funktionsbereit zu realisieren, indem man einen piezoelektrischen Dünnfilm, der eine sehr geringe Dicke aufweist, verwendet. Vorzugsweise ist der piezoelektrische Dünnfilm ein piezoelektrischer Einkristall-Dünnfilm, der hohe Kristallinität, eine willkürliche Kristallachse und gleichförmige Dicke aufweist. Als Verfahren zum Gewinnen eines solchen piezoelektrischen Dünnfilms schlägt PTL 1 zum Beispiel vor, dass eine piezoelektrische Substratseite von einem laminierten Substrat mit einem Durchmesser von 1·10-1 m (4 inch) oder mehr und erhalten durch Bonden eines piezoelektrischen Substrats und eines Trägersubstrats, Hochglanz-poliert wird, Daten hinsichtlich einer Dickenverteilung des polierten piezoelektrischen Substrats erzeugt werden und lonenstrahlfräsen auf der Basis der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung ausgeführt wird.
  • Zitatenliste
  • Patent-Literatur
  • PTL 1: WO 2014/ 104 098 A1
  • Während durch lonenstrahlfräsen auf einer Oberfläche des piezoelektrischen Substrats manchmal eine veränderte Schicht gebildet wird, ist es zuweilen erwünscht, eine solche veränderte Schicht zu minimieren. Wenn jedoch zum Entfernen der veränderten Schicht Polieren ausgeführt wird, tritt in einem äußeren Randbereich Verformung bzw. Konkavierung auf und dies vermindert die Dicke des piezoelektrischen Substrats. Im Ergebnis kann dieser Bereich nicht verwendet werden. Aus diesem Grund gibt es hier einen Bedarf für ein Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat, welches eine veränderte Schicht minimieren kann und das Auftreten von Verformung unterdrücken kann.
  • Die vorliegende Erfindung erfolgte, um ein solches Problem zu lösen und eine Hauptaufgabe der Erfindung besteht darin, ein Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat bereitzustellen, welches eine veränderte Schicht minimieren kann und das Auftreten von Verformung unterdrücken kann.
  • Im Ergebnis von ernsthafter Untersuchung zum Lösen des vorstehenden Problems kam den Erfindern die Idee zum Ausführen von Fräsen unter Verwendung eines lonenstrahls oder eines neutralen Atomstrahls derart, dass die Dicke eines piezoelektrischen Substrats in einem äußeren Randbereich groß ist, und zum Ausführen von CMP während des Rotierens und Bewegens eines Polierkissens mit einem Durchmesser kleiner als jener des piezoelektrische Substrats mit einer konstanten Druckkraft. Die Erfinder haben ebenfalls gefunden, dass eine veränderte Schicht des piezoelektrischen Substrats minimiert wurde und das Auftreten von Verformung in einem erhaltenen Verbundwerkstoff-Substrat unterdrückt wurde und schufen die vorliegende Erfindung.
  • Ein Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst
    1. (a) einen Schritt zum Hochglanz-Polieren einer piezoelektrischen Substrat-Seite von einem laminierten Substrat, das einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch) oder mehr aufweist und durch Bonden eines piezoelektrischen Substrats und eines Trägersubstrats hergestellt wurde, bis eine Dicke des piezoelektrischen Substrats von 20 µm oder weniger erreicht worden ist;
    2. (b) einen Schritt zum Ausführen von Fräsen unter Verwendung eines lonenstrahls oder eines neutralen Atomstrahls, so dass die Dicke vom äußeren Randbereich des piezoelektrischen Substrats größer als die Dicke vom inneren Randbereich ist und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des inneren Randbereichs des piezoelektrischen Substrats über eine gesamte Oberfläche 100 nm oder weniger ist; und
    3. (c) einen Schritt zum Glätten der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, um mindestens einen Teil von einer durch das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls in dem Schritt (b) gebildeten, veränderten Schicht durch Ausführen von CMP unter Verwendung eines Polierkissens mit einem Durchmesser von 5 mm oder mehr und 30 mm oder weniger und Rotieren und Bewegen des Polierkissens bezüglich des piezoelektrischen Substrats unter Halten einer konstanten Druckkraft des Polierkissens, zu entfernen.
  • Da mindestens ein Teil von einer durch Fräsen unter Verwendung eines lonenstrahls oder eines neutralen Atomstrahls gebildeten veränderten Schicht bei dem Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung entfernt wird, ist es möglich, ein Verbundwerkstoff-Substrat bereitzustellen, in welchem die veränderte Schicht weiterhin vermindert ist. Zu diesem Zeitpunkt wird CMP unter geeigneten Bedingungen auf dem Verbundwerkstoff-Substrat, das lonenstrahlfräsen so unterzogen wurde, dass die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem äußeren Randbereich groß ist, durchgeführt. Folglich kann das Auftreten von Verformung auf Grund von CMP unterdrückt werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht von einem laminierten Substrat 10.
    • 2 zeigt erläuternde Ansichten von einem Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat 20.
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht von einem polierenden Teil in einer typischen CMP-Maschine 30.
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht von einem polierenden Teil in einer CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser.
    • 5 ist eine erläuternde Ansicht der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser.
    • 6 zeigt TEM-Photographien des Querschnitts vor und nach Schritt (c).
    • 7 ist eine Messreihe von einem piezoelektrischen Substrat.
    • 8 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 1.
    • 9 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 2 .
    • 10 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 3 .
    • 11 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Vergleichs-Beispiel 1.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun nachstehend mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Ein Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der Ausführungsform schließt nachstehend beschriebene Schritte (a) bis (c) ein. 1 ist eine perspektivische Ansicht von einem laminierten Substrat 10, das in der Ausführungsform verwendet wird. 2 schließt erläuternde Ansichten von einem Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat 20 gemäß der Ausführungsform ein. 3 ist eine perspektivische Ansicht von einem polierenden Teil in einer typischen CMP-Maschine 30, die zum Beispiel in Schritt (a) verwendet wird. 4 ist eine perspektivische Ansicht von einem polierenden Teil in einer CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser, die zum Beispiel in Schritt (c) verwendet wird, und 5 ist eine erläuternde Ansicht der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser.
  • Schritt (a)
  • In Schritt (a) wird ein laminiertes Substrat 10, das einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch) oder mehr aufweist und durch Bonden eines piezoelektrischen Substrats 12 und eines Trägersubstrats 14 gebildet wurde, verwendet (2(A)). Beispiele des Materials des piezoelektrischen Substrats 12 schließen Lithiumtantalat, Lithiumniobat, einen Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Feststoff-Lösung-Einkristall, Lithiumborat, Langasit und Kristall ein. Beispiele des Materials des Trägersubstrats 14 schließen Silizium, Saphir, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Alkali-freies Glas, Borsilikatglas, Quarzglas, Lithiumtantalat, Lithiumniobat, einen Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Feststoff-Lösung-Einkristall, Lithiumborat, Langasit und Kristall ein. Die Größe des piezoelektrischen Substrats 12 kann dabei derart sein, dass der Durchmesser 5·10-2 m (2 inch) oder mehr, vorzugsweise 1·10-1 m (4 inch) oder mehr und bevorzugter 1·10-1 bis 2·10-1 m (4 bis 8 inch) ist und die Dicke 100 bis 1000 µm und vorzugsweise 150 bis 500 µm ist. Die Größe des Trägersubstrats 14 kann dabei derart sein, dass der Durchmesser gleich jenem des piezoelektrischen Substrats 12 ist und die Dicke 100 bis 1000 µm und vorzugsweise 150 bis 500 µm ist. Obwohl das laminierte Substrat 10 eine Orientierungsebene (OF) einschließen kann, wie in 1 erläutert, mag es kein OF einschließen.
  • Das laminierte Substrat 10 kann durch Bonden des piezoelektrischen Substrats 12 und des Trägersubstrats 14 mit einer dazwischen eingefügten organischen Haftschicht oder Vereinigen des piezoelektrischen Substrats 12 und des Trägersubstrats 14 durch direktes Bonden erhalten werden. Das Material der organischen Haftschicht ist zum Beispiel Epoxidharz oder Acrylharz. Direktes Bonden kann durch Aktivieren von Bondungs-Oberflächen des piezoelektrischen Substrats und des Trägersubstrats und dann Pressen der Substrate, die entgegengesetzt zueinander sind, mit den Bondungs-Oberflächen gegeneinander, ausgeführt werden. Die Bondungs-Oberflächen können zum Beispiel durch Bestrahlung mit einem lonenstrahl von einem Inertgas (wie Argon) oder Bestrahlung mit Plasma oder einem neutralen Atomstrahl aktiviert werden.
  • In Schritt (a) wird eine piezoelektrische Substrat-12-Seite des laminierten Substrats 10 mit einem Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch) oder mehr und erhalten durch Bonden des piezoelektrischen Substrats 12 und des Trägersubstrats 14 Hochglanz-poliert, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 20 µm oder weniger erreicht (2(B)). Die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 wird bei 20 µm oder weniger eingestellt, um gute Filter-Charakteristika zu erreichen (zum Beispiel zum Verbessern von Temperatur-Charakteristika). Diese Dicke ist vorzugsweise 0,1 µm oder mehr und 20 µm oder weniger, bevorzugter 0,5 µm oder mehr und 15 µm oder weniger und insbesondere 0,5 µm oder mehr und 5 µm oder weniger. Der untere Grenzwert der Dicke kann unter Berücksichtigung der Genauigkeit von mechanischem Fräsen und Unterdrückung von Verschlechterung der Filter-Charakteristika auf Grund von Reflexion einer Volumenwelle bei einer Bonden-Grenzfläche eingestellt werden. Die Dicke ist vorzugsweise 0,1 µm oder mehr, weil dies eine relativ hohe Dickengenauigkeit erzielen kann und Verschlechterung der Filter-Charakteristika auf Grund von Reflexion der Volumenwelle unterdrücken kann. Die Dicke ist bevorzugter 0,5 µm oder mehr, weil dies eine ausreichende Dickengenauigkeit erzielen kann und die Verschlechterung der Filter-Charakteristika auf Grund von Reflexion der Volumenwelle ausreichend unterdrücken kann.
  • In Schritt (a) kann zum Beispiel die piezoelektrische Substrat-12-Seite des laminierten Substrats 10 zuerst mit einem Schleifer poliert werden, kann dann mit einer Läppmaschine poliert werden und kann weiterhin mit einer CMP-Maschine Hochglanz-poliert werden, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 20 µm oder weniger erreicht. Dies kann die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 auf 20 µm oder weniger effizient vermindern. Hier ist der Begriff CMP eine Abkürzung von chemisch-mechanischem Polieren.
  • In Schritt (a) kann zum Beispiel eine typische CMP-Maschine 30, erläutert in 3, wie die CMP-Maschine, verwendet werden. Die CMP-Maschine 30 schließt eine Scheiben-förmige Polier-Platte 32, ausgestattet mit einem Polierkissen 34 und mit einem großen Durchmesser, einen Scheiben-förmigen Substratträger 36 mit einem kleinen Durchmesser, ein Rohr 38, das Schleifkörner enthaltenden Schlamm dem Polierkissen 34 zuführt, und einen Konditionierer 40, der das Polierkissen 34 konditioniert, ein. Die Polier-Platte 32 schließt eine Welle und einen Antriebsmotor, welche nicht veranschaulicht werden, in der Mitte von einer unteren Oberfläche davon, und sich axial zusammen mit Rotationsantrieb der Welle durch den Antriebsmotor dreht (rotiert), ein. Der Substratträger 36 und der Konditionierer 40 haben ihre jeweiligen Wellen in der Mitte der oberen Oberflächen davon, und drehen axial (rotieren) zusammen mit dem Rotationsantrieb der Wellen durch nicht veranschaulichte Antriebsmotoren. Der Substratträger 36 ist bei einer Position angeordnet, die von der Mitte der Polier-Platte 32 abweicht. Zum Polieren des laminierten Substrats 10 mit der CMP-Maschine 30 wird das laminierte Substrat 10 auf eine untere Oberfläche des Substratträgers 36 mit seiner piezoelektrischen Substrat-12-Seite, die abwärts zeigt, geladen und das laminierte Substrat 10 wird zwischen dem Polierkissen 34 der Polier-Platte 32 und dem Substratträger 36 gehalten. Dann wird Schleifkörner enthaltender Schlamm aus dem Rohr 38 auf das Polierkissen 34 zugeführt. Somit wird der Schlamm zwischen dem laminierten Substrat 10 und dem Polierkissen 24 der Polier-Platte 32 zugeführt. In diesem Zustand wird CMP durch Drehen der Polier-Platte 32 und des Substratträgers 36 ausgeführt, während man durch den Substratträger 36 das laminierte Substrat 10 gegen das Polierkissen 34 presst.
  • Schritt (b)
  • In Schritt (b) wird die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 12 lonenstrahlfräsen unterzogen, so dass die Dicke von einem äußeren Randbereich 16 des piezoelektrischen Substrats 12 größer als jene von einem inneren Randbereich (eine Fläche auf einer inneren Seite des äußeren Randbereichs 16) ist und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 100 nm oder weniger über die gesamte Oberfläche (2(C)) ist.
  • Die Beschreibung, dass die Dicke des äußeren Randbereichs 16 des piezoelektrischen Substrats 12 größer als jene des inneren Randbereichs ist, bedeutet, dass die Dicke des äußeren Randbereichs 16 größer als jene des inneren Randbereichs ist, wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 entlang einer willkürlichen geraden Linie (auch als eine Messlinie bezeichnet), die durch die Mitte 0 des piezoelektrischen Substrats 12 gelangt (wenn das piezoelektrische Substrat 12 wie ein Kreis geformt ist, ist die Mitte 0 die Mitte des Kreises, oder wenn die OF bereitgestellt wird, ist die Mitte 0 die Mitte des Kreises, von dem angenommen wird, keine OF zu haben), gemessen wird. Zum Beispiel ein Bereich, der 60% bis 100% des äußeren Durchmessers des piezoelektrischen Substrats 12 (vorzugsweise 80% bis 100%) entspricht, kann als der äußere Randbereich 16 bezeichnet werden, ein Bereich auf der inneren Seite des äußeren Randbereichs 16 kann als der innere Randbereich bezeichnet werden und die Dicke des äußeren Randbereichs 16 in dem gesamten Bereich kann größer sein als jene von jedem Teil des inneren Randbereichs auf der Messreihe. Alternativ kann zum Beispiel ein Bereich in 20 mm von dem äußersten Rand des piezoelektrischen Substrats 12 (vorzugsweise 10 mm von dem äußersten Rand) als der äußere Randbereich 16 bezeichnet werden, ein Bereich auf der inneren Seite des äußeren Randbereichs 16 kann als der innere Randbereich bezeichnet werden und die Dicke des äußeren Randbereichs 16 in dem gesamten Bereich kann größer als jene von jedem Teil des inneren Randbereichs auf der Messreihe sein. Während die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des inneren Randbereichs des piezoelektrischen Substrats 12 100 nm oder weniger über die gesamte Oberfläche sein kann, ist sie vorzugsweise 50 nm oder weniger und bevorzugter 20 nm oder weniger. Der Mittelwert (oder der Zentrumswert) der Dicke des äußeren Randbereichs 16 ist vorzugsweise um 10 bis 50 nm größer als der Mittelwert (oder der Zentrumswert) der Dicke des inneren Randbereichs.
  • In Schritt (b) ist es bevorzugt, Fräsen so auszuführen, dass die Dicke zu dem äußersten Rand im Bereich entsprechend 90% bis 100% des äußeren Durchmessers des piezoelektrischen Substrats 12 (oder im Bereich in 5 mm von dem äußersten Rand) zunimmt. Es ist bevorzugter, Fräsen so auszuführen, dass die Dicke zu dem äußersten Rand im Bereich entsprechend 80% bis 100% des äußeren Durchmessers (oder im Bereich in 10 mm von dem äußersten Rand) zunimmt und es ist stärker bevorzugt, Fräsen so auszuführen, dass die Dicke zu dem äußersten Rand im Bereich entsprechend 60% bis 100% des äußeren Durchmessers (oder im Bereich in 20 mm von dem äußersten Rand) zunimmt.
  • Zum Beispiel kann die Zunahmerate der Dicke in den vorstehenden Bereichen 0,5 nm/mm oder mehr und 10 nm/mm oder weniger, vorzugsweise 1 nm/mm oder mehr und 5 nm/mm oder weniger und bevorzugter 2 nm/mm oder mehr und 4 nm/mm oder weniger sein. Die Beschreibung, dass die Dicke zu dem äußersten Rand zunimmt, schließt nicht nur einen Fall ein, in welchem die Dicke bei einer konstanten Zunahmerate zunimmt, sondern auch einen Fall, in welchem die Dicke während des Änderns der Zunahmerate zunimmt, zum Beispiel ein Fall, in welchem die Dicke in einer solchen Tendenz zunimmt, dass die Zunahmerate zu dem äußersten Rand zunimmt oder abnimmt. Die Zunahmerate der Dicke kann der Mittelwert des Änderns der Zunahmerate sein. In Schritt (b) kann zum Beispiel Fräsen so ausgeführt werden, dass die Dicke des äußeren Randbereichs 16 konstant und gleich der Dicke am äußersten Rand ist. In Schritt (b) kann Fräsen so ausgeführt werden, dass die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 am äußersten Rand größer um 20 nm oder mehr, vorzugsweise um 30 nm und bevorzugter um 40 nm oder mehr als jene des dünnsten Bereichs ist.
  • In Schritt (b) können Daten hinsichtlich einer Dickenverteilung des vor dem lonenstrahlfräsen Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 erzeugt werden, und lonenstrahl-Fräsen kann auf der Basis der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 ausgeführt werden. Die Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 können durch Messen der Dicke des Hochglanz-polierten piezoelektrische Substrats 12 mit einem optischen Dicke-Messgerät unter Verwendung von Laser-Interferometrie erzeugt werden. Dies ermöglicht die Erzeugung von genauen Daten hinsichtlich der Dickenverteilung.
  • In Schritt (b) können Daten hinsichtlich einer Dicken-Differenz-Verteilung unter Verwendung der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 und Daten hinsichtlich einer gewünschten Dickenverteilung nach lonenstrahl-Fräsen des piezoelektrischen Substrats 12 erzeugt werden und lonenstrahl-Fräsen kann auf der Basis der Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung ausgeführt werden. In Schritt (b) kann die Bestrahlungszeit bei jedem Punkt auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 12 durch Eingeben der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 oder der vorstehend beschriebenen Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung zu einer lonenstrahl-Fräse bestimmt werden und Fräsen kann unter Verwendung der Bestrahlungszeit ausgeführt werden. Dies ermöglicht genaues Fräsen. In diesem Fall ist der Strahlausgabewert fest, und die Bestrahlungszeit ist erhöht, wenn die vorstehend beschriebene Dicken-Differenz zunimmt. Alternativ kann in Schritt (b) der Strahlausgabewert bei jedem Punkt auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 12 durch Eingeben der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats 12 oder den vorstehend beschriebenen Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung zu der lonenstrahl-Fräse bestimmt werden und Fräsen kann unter Verwendung des Strahlausgabewerts ausgeführt werden. Dies ermöglicht auch genaues Fräsen. In diesem Fall ist die Bestrahlungszeit festgelegt und der Strahlausgabewert ist erhöht, wenn die vorstehend beschriebene Dicken-Differenz zunimmt.
  • In Schritt (b) wird lonenstrahl-Fräsen vorzugsweise unter Verwendung einer lonenstrahl-Fräse, ausgestattet mit einer Gleichstrom-angeregten Ar-Strahlenquelle, ausgeführt. Als die lonenstrahl-Fräse kann eine mit einer Plasma-angeregten Ar-Strahlenquelle ausgestattete lonenstrahl-Fräse verwendet werden, jedoch wird bevorzugter die mit der Gleichstrom-angeregten Ar-Strahlenquelle ausgestattete lonenstrahl-Fräse verwendet, weil eine auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 12 gebildete veränderte Schicht 18 weiterhin vermindert wird.
  • In dem in Schritt (b) erhaltenen laminierten Substrat 10 kann zum Beispiel die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 20 µm oder weniger sein, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke kann 100 nm oder weniger über die gesamte Oberfläche, einschließlich des äußeren Randbereichs 16, sein und das piezoelektrische Substrat 12 kann solche Kristallinität aufweisen, dass die volle Breite bei einem halben Maximum einer durch Röntgenbeugung erhaltenen Schwingungskurve 100 arcs oder weniger ist. Ein solches laminiertes Substrat 10 schließt einen Piezo-Einkristall-Dünnfilm (piezoelektrisches Substrat 12) mit hoher Kristallinität, eine willkürliche Kristallachse und eine gleichförmige Dicke ein und kann geeigneterweise für zum Beispiel eine elastische Wellenvorrichtung nach Schritt (c) verwendet werden.
  • Schritt (c)
  • In Schritt (c) wird ein Polierkissen mit einem Durchmesser von 5 mm oder mehr und 30 mm oder weniger verwendet, und CMP wird durch Rotieren und Bewegen des Polierkissens bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 ausgeführt, um unter Halten einer konstanten Druckkraft des Polierkissens poliert zu werden, wobei mindestens ein Teil der durch das lonenstrahl-Fräsen gebildeten veränderten Schicht 18 entfernt wird und die gesamte Oberfläche des piezoelektrische Substrats 12 abgeflacht ist (die Differenz in der Dicke zwischen dem äußeren Randbereich 16 und dem inneren Randbereich vermindert ist) (2(D)).
  • In Schritt (c) kann das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 in einer solchen Tendenz bewegt werden, dass die Verweilzeit in dem äußeren Randbereich 16 (wenn die Mitte des Polierkissens in dem äußeren Randbereich 16 angeordnet ist) kürzer als in dem inneren Randbereich ist. In dem äußeren Randbereich 16 wird sich die Belastung wahrscheinlich konzentrieren, wenn der äußere Randbereich 16 in Kontakt mit dem Polierkissen ist, und die Poliermenge pro Einheitszeit größer als in dem inneren Randbereich ist. Folglich kann Polieren ausreichend ausgeführt werden, auch wenn die Verweilzeit des Polierkissens in dem dickeren äußeren Randbereich kurz ist. Da die Verweilzeit des Polierkissens in dem äußeren Randbereich 16 zudem kürzer als in dem inneren Randbereich ist, tritt zum Beispiel Verformung auf Grund von CMP kaum auf. In Schritt (c) kann das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 in einer solchen Tendenz bewegt werden, dass die Verweilzeit abnimmt, wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 abnimmt. Dies kann die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 gleichförmiger machen. In Schritt (c) kann das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 in einer solchen Tendenz bewegt werden, dass die Verweilzeit in dem äußeren Randbereich 16 kürzer als in dem inneren Randbereich ist und eine solche Tendenz, dass die Verweilzeit abnimmt, wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 abnimmt. In diesem Fall kann das Polierkissen bezüglich des piezoelektrische Substrats 12 so bewegt werden, dass die Verweilzeit in dem äußeren Randbereich 16 kürzer als die Verweilzeit ist, die der Dicke entspricht. Dies kann die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 gleichförmiger gestalten und kann weiterhin Verformung auf Grund von CMP unterdrücken.
  • In Schritt (c) können Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Ionenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats 12 vor der Entfernung der veränderten Schicht 18 erzeugt werden und die Verweilzeit des Polierkissens kann auf der Basis der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Ionenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats 12 geändert werden. Die Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des lonenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats 12, können durch Messen der Dicke des piezoelektrischen Substrats 12, das lonenstrahlfräse unterzogen wurde, mit einem Dicken-Messgerät, wie einem optischen Dicken-Messgerät, unter Verwendung von Laser-Interferometrie erzeugt werden. In Schritt (c) kann die Verweilzeit des Polierkissens an jedem Bereich auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 12 durch Eingeben der Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des lonenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats 12, der CMP-Maschine bestimmt werden und CMP kann unter Verwendung der Verweilzeit ausgeführt werden.
  • In Schritt (c) kann zum Beispiel die Verweilzeit wie nachstehend bestimmt werden. Zuerst wird die Dickenverteilung des lonenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats 12 mit dem Dicken-Messgerät, wie einem optischen Dicke-Messgerät, gemessen, wobei eine Dicke Zn des piezoelektrischen Substrats 12 bei (Xn, Yn) Koordinaten die Ausgabe als (Xn, Yn, Zn) Daten (n ist eine natürliche Zahl) ist. Von diesen Daten wird eine Bewegungsgeschwindigkeit F(Xn, Yn) der Mitte des Polierkissens bei den (Xn, Yn) Koordinaten des piezoelektrischen Substrats 12 gemäß Vergleichsausdruck F(Xn, Yn) = K · f/Zn (Ausdruck (1)) gefunden, und die Verweilzeit (= α/F(Xn,Yn)) wird bestimmt. In den vorstehenden Ausdrücken sind K und α Koeffizienten, und f gibt die Bezugs-Bewegungsgeschwindigkeit wieder. Diese Werte können versuchsmäßig gefunden werden.
  • In Schritt (c) kann als die für CMP verwendete Maschine zum Beispiel eine CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser, erläutert in 4 und 5, verwendet werden. Die CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser schließt einen Scheiben-förmigen Kopf 56 mit einem kleinen Durchmesser und ausgestattet mit einem Polierkissen 54, eine Scheiben-förmige Bühne 52 mit einem großen Durchmesser und ein Rohr 58, das Schleifkörner enthaltenden Schlamm dem Polierkissen 54 zuführt, ein. Die Bühne 52 schließt einen nicht veranschaulichten Antriebsteil ein und bewegt sich in der horizontalen Ebene (X-Achsen- und Y-Achsen-Richtungen). Der Kopf 56 hat eine Welle in der Mitte von einer oberen Oberfläche davon, und wird zusammen mit dem Rotationsantrieb der Welle durch einen nicht veranschaulichten Antriebsmotor axial gedreht (rotiert). Die Welle des Kopfes 56 ist an einem Träger 60 angebracht, fixiert an einem Antriebsteil 62, der in der vertikalen Richtung mit einem nicht veranschaulichten befestigenden Teil dazwischen beweglich eingefügt ist, und sich in die vertikale Richtung (Z-Achsen-Richtung) bewegt. Der Antriebsteil 62, der Antriebsteil der Bühne 52, der Antriebsteil des Kopfes 56 und so weiter sind mit einer nicht veranschaulichten Steuereinheit verbunden und werden zum Drehen gesteuert und bewegen das Polierkissen 54 bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12, um unter Halten einer konstanten Druckkraft des Polierkissens 54 poliert zu werden.
  • Zum Polieren des laminierten Substrats 10 mit der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser wird das laminierte Substrat 10 auf eine obere Oberfläche der Bühne 52 mit ihrer piezoelektrischen Substrat-12-Seite, die aufwärts weist, geladen und das laminierte Substrat 10 wird zwischen der Bühne 52 und dem Polierkissen 54 gehalten. Dann wird der Schleifkörner enthaltende Schlamm von dem Rohr 58 dem Polierkissen 54 zugeführt. Somit wird der Schlamm zwischen dem laminierten Substrat 10 und dem Polierkissen 54 zugeführt. Das Polierkissen 54 wird bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 durch Bewegen der Bühne 52 in die horizontale Richtung in diesem Zustand bewegt und die Druckkraft des Polierkissens 54 wird durch Steuern der Aufwärts- und Abwärtsbewegungen des Antriebsteils 62 konstant gehalten. Das laminierte Substrat 10 wird während Rotieren des Polierkissens 54 CMP unterzogen. Zu diesem Zeitpunkt können zum Beispiel das Polierkissen 54 und das piezoelektrische Substrat 12 bezüglich einander so bewegt werden, dass die Mitte des Polierkissens 54 sich in einer Zick-Zack-Form (siehe ein Weg P in 4) auf dem piezoelektrischen Substrat 12 bewegt oder sich in einer Spiralform bewegt.
  • Während des Polierens mit der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser wird die auf das Polierkissen 54 angewendete Druckkraft mit einer Kraftmesseinheit 70 (zum Beispiel einer Kraftmessdose oder einem Dynamometer), angeordnet zwischen dem Träger 60 und dem Antriebsteil 62, gemessen und der gemessene Wert wird der vorstehend beschriebenen Steuereinheit eingegeben. Die Steuereinheit steuert Aufwärts- und Abwärts-Bewegungen des Antriebsteils 62 auf der Basis der Eingabe des gemessenen Werts. Auf diese Weise kann die Druckkraft des Polierkissens 54 konstant gehalten werden. Während das Polierkissen 54 bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 durch Bewegung des piezoelektrischen Substrats 12 in der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser bewegt wird, kann es bezüglich des piezoelektrischen Substrats 12 durch seine eigene Bewegung bewegt werden. Weiterhin kann sich, während das Polierkissen 54 sich in die vertikale Richtung bewegt, das piezoelektrische Substrat 12 in die vertikale Richtung bewegen.
  • In Schritt (c) kann CMP so ausgeführt werden, dass die Dicke des piezoelektrischen Substrats 12 20 µm oder weniger und vorzugsweise 0,1 µm oder mehr und 10 µm oder weniger ist und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke 100 nm oder weniger, vorzugsweise 50 nm oder weniger und bevorzugter 10 nm oder mehr und 20 nm oder weniger über die gesamte Oberfläche ist, einschließlich des äußeren Randbereichs 16. In Schritt (c) kann CMP so ausgeführt werden, dass die Dicke der veränderten Schicht 18 3 nm oder weniger, vorzugsweise 2 nm oder weniger und bevorzugter 1 nm oder weniger ist.
  • Der Verzug von einem erhaltenen Verbundwerkstoff-Substrat 20 ist vorzugsweise 100 µm oder weniger, bevorzugter 50 µm oder weniger und stärker bevorzugt 10 µm oder weniger.
  • In dem vorstehend beschriebenen Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der Ausführungsform ist es möglich, da mindestens ein Teil der veränderten Schicht 18, die sich aus Ionenstrahlfräsen ergibt, entfernt wird, ein Verbundwerkstoff-Substrat bereitzustellen, in welchem die veränderte Schicht 18 weiterhin vermindert ist. Zu diesem Zeitpunkt wird CMP mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser auf dem laminierten Substrat 10 durchgeführt, welches Ionenstrahlfräsen unterzogen wird, so dass die Dicke des äußeren Randbereichs 16 in dem piezoelektrischen Substrat 12 unter geeigneten Bedingungen groß ist. Folglich tritt zum Beispiel Verformung auf Grund von CMP mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser kaum auf. Auch wenn Fräsen ausgeführt wird, so dass die Dicke des äußeren Randbereichs 16 in dem piezoelektrischen Substrat 12 größer als in dem inneren Randbereich ist, kann sie genauer durch Anpassen von lonenstrahlfräsen ausgeführt werden. Dies kann die Dickenverteilung des piezoelektrischen Substrats 12 hinreichender machen.
  • Das durch das Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellte Verbundwerkstoff-Substrat kann zum Beispiel als eine elastische Wellenvorrichtung durch Bilden eines Elektrodenmusters auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats verwendet werden.
  • Es ist unnötig zu sagen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform begrenzt ist und in verschiedenen Ausführungsformen ausgeführt werden kann, so lange wie sie zu dem technischen Umfang der Erfindung gehört. Zum Beispiel kann sie, während die Oberfläche des piezoelektrische Substrats 12 unter Verwendung des lonenstrahls in Schritt (b) der vorstehend beschriebenen Ausführungsform gefräst wird, unter Verwendung eines neutralen Atomstrahls (wie ein neutraler Ar-Atomstrahl) anstelle des lonenstrahls gefräst werden. Dies kann auch Vorteile ähnlich zu jenen der vorstehend beschriebenen Ausführungsform bringen.
  • Beispiele
  • Fälle, in welchen das Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung ausgeführt wurde, werden nachstehend als Beispiele beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die nachstehenden Beispiele begrenzt.
  • [Beispiel 1]
  • Ein Silizium-Substrat (Trägersubstrat) und ein LiNbO3-Substrat (piezoelektrisches Substrat), jedes von ihnen wurde auf beiden Oberflächen poliert und hatte eine Dicke von 230 µm und einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch), wurden hergestellt. Diese Substrate wurden in eine Vakuumkammer unter Halten eines Vakuumgrads in der Größenordnung von 10-6 Pa eingeführt und wurden mit deren Bondungs-Oberflächen gehalten, die entgegengesetzt zueinander sind. Die Bondungs-Oberflächen des Substrats wurden mit einem Ar-Strahl für 80 Sekunden zum Entfernen inaktiver Schichten und zum Aktivieren der Oberflächen bestrahlt. Nun wurden die Substrate miteinander in Kontakt gebracht und wurden unter einer Belastung von 1200 kgf zusammen gebondet. Nachdem ein somit erhaltenes laminiertes Substrat herausgenommen wurde, wurde eine piezoelektrische Substrat-Seite davon mit einem Schleifer geschliffen, bis die Dicke 10 µm erreichte. Nun wurde das laminierte Substrat auf einer Läppmaschine angeordnet und wurde durch die Verwendung von einem Diamant-Schlamm poliert, bis die Dicke des piezoelektrische Substrats 3 µm erreichte. Weiterhin wurde die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit einer CMP-Maschine Hochglanz-poliert, bis die Dicke 0,8 µm erreichte. Zu diesem Zeitpunkt wurde kolloidales Siliziumdioxid als das Schleifmittel (Schritt (a)) verwendet.
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats wurde mit einem optischen Dicke-Messgerät unter Verwendung von Laser-Interferometrie gemessen. Im Ergebnis war die Dicke im Bereich von 0,8 µm ±0,1 µm über der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, einschließlich eines äußeren Randbereichs. Die Messung wurde bei einer Gesamtheit von 80 Punkten über der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats ausgeführt, ausgenommen für abgeschrägte Kanten.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde auf einer lonenstrahl-Fräse, ausgestattet mit einer Plasma-angeregten Ar-Strahlenquelle, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich einer Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicke-Messgerät gemessen und Daten hinsichtlich einer gewünschten Dickenverteilung nach Ionenstrahlfräsen (die Dicke des äußeren Randbereichs war größer als jene des inneren Randbereichs) in die lonenstrahl-Fräse eingebracht, um Daten hinsichtlich einer Dicken-Differenz-Verteilung zu erzeugen. Durch Verwendung der Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung wurde der Grad des lonenstrahlfräsens bei entsprechenden Messpunkten in dem piezoelektrischen Substrat, hier die Längen der Bestrahlungszeit mit dem Ar-Strahl, bestimmt. Die Bestrahlungszeit wurde durch die Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats eingestellt. Während des Änderns der Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats wurde die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem Ar-Strahl bei einer konstanten Ausgabe bzw. Leistung bestrahlt. Der Strahlpunkt war 6 mm im Durchmesser. RF-Plasma wurde unter festen Bedingungen angeregt, wobei die lonenbeschleunigungsspannung 1300 eV war und der lonenstrom 30 mA war. Die tatsächliche Fräszeit war etwa 5 Minuten (Schritt (b)).
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem gefrästen laminierten Substrat wurde erneut gemessen. Im Ergebnis war die zentrale Dicke 450 nm und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke war 65 nm über die gesamte Oberfläche, einschließlich des äußeren Randbereichs. Wenn eine Schwingungskurve mit einem Röntgenspektrographen gemessen wurde, war die volle Breite bei einem halben Maximum (FWHM) davon 80 arcs und diese war gleich jener des Bulk-Einkristalls.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde in der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser, erläutert in 4 und 5, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des lonenstrahlfräsens unterzogenen piezoelektrischen Substrats mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicke-Messgerät gemessen, bei der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser eingebracht und die Verweilzeit des Polierkissens 54 wurde gemäß vorstehend beschriebenem Ausdruck (1) bestimmt. Dann wurde CMP mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser durch Betreiben der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser unter Verwendung dieser Verweilzeit (Schritt (c)) ausgeführt. Auf diese Weise wurde ein Verbundwerkstoff-Substrat von Beispiel 1 erhalten.
  • Vor und nach Schritt (c) wurde eine Querschnitt des piezoelektrischen Substrats nahe der Oberfläche mit einer TEM beobachtet. 6 zeigt TEM-Photographien des Querschnitts vor und nach Schritt (c). Vor Schritt (c) wurde eine veränderte Schicht auf der Oberfläche gefunden. Die Dicke der veränderten Schicht (eine schwarze Schicht auf der Oberfläche) war 5 nm. Im Gegensatz dazu wurde die veränderte Schicht nach Schritt (c) nicht gefunden.
  • Vor und nach Schritt (c) wurde die Dickenverteilung des piezoelektrischen Substrats des laminierten Substrats auf einer Messreihe, erläutert in 7, gemessen. 8 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 1. 8(A) zeigt die Dickenverteilung vor Schritt (c) und 8(B) zeigt die Dickenverteilung nach Schritt (c). In Beispiel 1 wurde die Verformung in dem äußeren Randbereich nach Schritt (c) nicht bestätigt, wie in 8 (B) gezeigt.
  • Verzug (SORI) des Verbundwerkstoff-Substrats von Beispiel 1 (nach Schritt (c)) wurde in Übereinstimmung mit dem SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International)-Standard gemessen. Bei der Messung wurde FlatMaster, hergestellt von Corning Tropel Corporation, verwendet. SORI des Verbundwerkstoff-Substrats von Beispiel 1 war 5 µm.
  • [Beispiel 2]
  • Ein Silizium-Substrat (Trägersubstrat) und ein LiNbO3-Substrat (piezoelektrisches Substrat), jedes von ihnen wurde auf beiden Oberflächen poliert und hatte eine Dicke von 230 µm und einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch), wurden hergestellt. Diese Substrate wurden in eine Vakuumkammer unter Halten eines Vakuumgrad in der Größenordnung von 10-6 Pa eingeführt und wurden mit deren Bondungs-Oberflächen, die entgegengesetzt zueinander sind, gehalten. Die Bondungs-Oberflächen des Substrats wurden mit einem Ar-Strahl für 80 Sekunden zum Entfernen inaktiver Schichten und zum Aktivieren der Oberflächen bestrahlt. Nun wurden die Substrate in Kontakt miteinander gebracht und wurden unter einer Belastung von 1200 kgf zusammen gebondet. Nachdem ein somit erhaltenes laminiertes Substrat herausgenommen wurde, wurde eine piezoelektrische Substrat-Seite davon mit einem Schleifer geschliffen, bis die Dicke 10 µm erreichte. Nun wurde das laminierte Substrat auf einer Läppmaschine angeordnet und wurde durch die Verwendung von einem Diamant-Schlamm poliert, bis die Dicke der Piezo-Dicke 5 µm erreichte. Weiterhin wurde die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit einer CMP-Maschine Hochglanz-poliert, bis die Dicke 2,5 µm erreichte. Zu diesem Zeitpunkt wurde kolloidales Siliziumdioxid als das Schleifmittel (Schritt (a)) verwendet.
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats wurde mit einem optischen Dicke-Messgerät unter Verwendung von Laser-Interferometrie gemessen. Im Ergebnis war die Dicke im Bereich von 2,5 µm ±0,1 µm über der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, einschließlich des äußeren Randbereichs. Die Messung wurde bei einer Summe von 80 Punkten über der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats ausgeführt, ausgenommen für abgeschrägte Kanten.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde auf einer lonenstrahl-Fräse, ausgestattet mit einer Plasma-angeregten Ar-Strahlenquelle, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich einer Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicke-Messgerät gemessen und Daten hinsichtlich einer gewünschten Dickenverteilung nach lonenstrahlfräsen (die Dicke des äußeren Randbereichs war größer als jene des inneren Randbereichs) in die lonenstrahl-Fräse eingebracht, um Daten auf einer Dicken-Differenz-Verteilung zu erzeugen. Durch Verwendung der Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung wurde der Grad des Ionenstrahlfräsens bei entsprechenden Messpunkten in dem piezoelektrischen Substrat, hier die Länge der Bestrahlungszeit mit dem Ar-Strahl, bestimmt. Die Bestrahlungszeit wurde durch die Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats eingestellt. Während des Änderns der Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats wurde die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem Ar-Strahl bei einer konstanten Ausgabe bestrahlt. Der Strahlpunkt war 6 mm im Durchmesser. RF-Plasma wurde unter festen Bedingungen angeregt, wobei die lonenbeschleunigungsspannung 1300 eV war und der lonenstrom 30 mA war. Die tatsächliche Fräszeit war etwa 5 Minuten (Schritt (b)).
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem gefrästen laminierten Substrat wurde erneut gemessen. Im Ergebnis war die zentrale Dicke 1910 nm und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke war 40 nm über die gesamte Oberfläche, einschließlich des äußeren Randbereichs. Wenn eine Schwingungskurve mit einem Röntgenspektrograph gemessen wurde, war die volle Breite bei einem halben Maximum (FWHM) davon 80 arcs und diese war gleich jener des Bulk-Einkristalls.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde in der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser, erläutert in 4 und 5, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des Ionenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats, mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicke-Messgerät gemessen, bei der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser eingebracht und die Verweilzeit des Polierkissens 54 wurde gemäß vorstehend beschriebenem Ausdruck (1) bestimmt. Dann wurde Werkzeug-CMP mit kleinem Durchmesser durch Betreiben der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser unter Verwendung dieser Verweilzeit (Schritt (c)) ausgeführt. Auf diese Weise wurde ein Verbundwerkstoff-Substrat von Beispiel 2 erhalten.
  • Vor und nach Schritt (c) wurde eine Dickenverteilung des piezoelektrischen Substrats des laminierten Substrats auf der Messreihe, veranschaulicht in 7, gemessen. 9 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 1. 9(A) zeigt die Dickenverteilung vor Schritt (c) und 9(B) zeigt die Dickenverteilung nach Schritt (c). In Beispiel 2 wurde die Verformung in dem äußeren Randbereich nach Schritt (c) nicht bestätigt, wie in 9(B) gezeigt.
  • [Beispiel 3]
  • Ein Silizium-Substrat (Trägersubstrat) und ein LiNbO3-Substrat (piezoelektrisches Substrat), jedes von ihnen wurde auf beiden Oberflächen poliert und hatte eine Dicke von 230 µm und einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch), wurden hergestellt. Diese Substrate wurden in eine Vakuumkammer unter Halten eines Vakuumgrads in der Größenordnung von 10-6 Pa eingeführt und wurden mit deren Bondungs-Oberflächen, die entgegengesetzt zueinander sind, gehalten. Die Bondungs-Oberflächen des Substrats wurden mit einem Ar-Strahl für 80 Sekunden zum Entfernen inaktiver Schichten und zum Aktivieren der Oberflächen bestrahlt. Nun wurden die Substrate in Kontakt miteinander gebracht und wurden unter einer Belastung von 1200 kgf zusammen gebondet. Danach wurde ein somit erhaltenes laminiertes Substrat herausgenommen, eine piezoelektrische Substrat-Seite davon wurde mit einem Schleifer geschliffen, bis die Dicke 10 µm erreichte. Nun wurde das laminierte Substrat auf einer Läppmaschine angeordnet und wurde durch die Verwendung von einem Diamant-Schlamm poliert, bis die Dicke der piezoelekrischen Dicke 4 µm erreichte. Weiterhin wurde die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit einer CMP-Maschine Hochglanz-poliert, bis die Dicke 1,8 µm erreichte. Zu diesem Zeitpunkt wurde kolloidales Siliziumdioxid als das Schleifmittel (Schritt (a)) verwendet.
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats wurde mit einem optischen Dicken-Messgerät unter Verwendung von Laser-Interferometrie gemessen. Im Ergebnis war die Dicke im Bereich von 1,8 µm ±0,1 µm über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, einschließlich des äußeren Randbereichs. Die Messung wurde bei einer Summe von 80 Punkten über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats ausgeführt, ausgenommen für abgeschrägte Kanten.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde auf einer lonenstrahl-Fräse, ausgestattet mit einer Plasma-angeregten Ar-Strahlenquelle, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich einer Dickenverteilung des Hochglanz-polierten piezoelektrischen Substrats mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicke-Messgerät gemessen und Daten hinsichtlich einer nach lonenstrahlfräsen gewünschten Dickenverteilung (die Dicke des äußeren Randbereichs war größer als jene des inneren Randbereichs), in die lonenstrahl-Fräse eingebracht, um Daten hinsichtlich einer Dicken-Differenz-Verteilung zu erzeugen. Durch Verwendung der Daten hinsichtlich der Dicken-Differenz-Verteilung wurde der Grad des lonenstrahlfräsens bei entsprechenden Messpunkten in dem piezoelektrischen Substrat, hier die Länge der Bestrahlungszeit mit dem Ar-Strahl, bestimmt. Die Bestrahlungszeit wurde durch die Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats eingestellt. Während des Änderns der Zuführgeschwindigkeit des laminierten Substrats wurde die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem Ar-Strahl bei einer konstanten Ausgabe bestrahlt. Der Strahlpunkt war 6 mm im Durchmesser. RF-Plasma wurde unter festen Bedingungen angeregt, wobei die lonenbeschleunigungsspannung 1300 eV war und der lonenstrom 30 mA war. Die tatsächliche Fräszeit war etwa 5 Minuten (Schritt (b)).
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem gefrästen laminierten Substrat wurde erneut gemessen. Im Ergebnis war die zentrale Dicke 1185 nm und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke war 95 nm über die gesamte Oberfläche, einschließlich des äußeren Randbereichs. Wenn eine Schwingungskurve mit einem Röntgenspektrograph gemessen wurde, war die volle Breite bei einem halben Maximum (FWHM) davon 80 arcs, und diese war gleich jener des Bulk-Einkristalls.
  • Das somit erhaltene laminierte Substrat wurde in der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser, erläutert in 4 und 5, angeordnet. Nun wurden Daten hinsichtlich der Dickenverteilung des lonenstrahlfräsen unterzogenen piezoelektrischen Substrats mit dem vorstehend beschriebenen optischen Dicken-Messgerät gemessen, bei der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser eingebracht und die Verweilzeit des Polierkissens 54 wurde gemäß vorstehend beschriebenem Ausdruck (1) bestimmt. Dann wurde CMP mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser durch Betreiben der CMP-Maschine 50 mit einem Werkzeug mit kleinem Durchmesser unter Verwendung dieser Verweilzeit (Schritt (c)) ausgeführt. Auf diese Weise wurde ein Verbundwerkstoff-Substrat von Beispiel 3 erhalten.
  • Vor und nach Schritt (c) wurde eine Dickenverteilung des piezoelektrischen Substrats des laminierten Substrats hinsichtlich der Messreihe, erläutert in 7, gemessen. 10 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Beispiel 1. 10(A) zeigt die Dickenverteilung vor Schritt (c) und 10(B) zeigt die Dickenverteilung nach Schritt (c). In Beispiel 3 wurde die Verformung in dem äußeren Randbereich nach Schritt (c) nicht bestätigt, wie in 10(B) gezeigt.
  • [Vergleichs-Beispiel 1]
  • Ein Verbundwerkstoff-Substrat von Vergleichs-Beispiel 1 wurde ähnlich zu Beispiel 1 hergestellt, ausgenommen, dass in Schritt (b) lonenstrahlfräsen ausgeführt wurde, so dass die Dicke von einem äußeren Randbereich und die Dicke von einem inneren Randbereich zueinander gleich waren.
  • Die Dicke von einem piezoelektrischen Substrat in einem laminierten Substrat nach Schritt (b) in Vergleichs-Beispiel 1 wurde gemessen. Im Ergebnis war die zentrale Dicke 450 nm und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke war 100 nm über der gesamten Oberfläche, einschließlich des äußeren Randbereichs. Wenn eine Schwingungskurve mit einem Röntgenspektrograph gemessen wurde, war die volle Breite bei einem halben Maximum (FWHM) davon 80 arcs und diese war gleich jener des Bulk-Einkristalls.
  • Vor und nach Schritt (c) wurde eine Dickenverteilung des piezoelektrischen Substrats des laminierten Substrats auf der Messreihe, erläutert in 7, gemessen. 11 zeigt Dickenverteilungen des piezoelektrischen Substrats vor und nach Schritt (c) in Vergleichs-Beispiel 1. 11(A) zeigt die Dickenverteilung vor Schritt (c) und 11 (B) zeigt die Dickenverteilung nach Schritt (c). In Vergleichs-Beispiel 1 trat die Verformung in dem äußeren Randbereich auch nach Schritt (c) auf, wie in 11 (B) gezeigt, und die Dicke auf dem äußersten Rand war um 100 nm oder mehr vermindert.
  • Die vorliegende Erfindung ist zum Beispiel auf eine elastische Wellenvorrichtung, wie ein SAW-Filter, anwendbar.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    laminiertes Substrat
    12
    piezoelektrisches Substrat
    14
    Trägersubstrat
    16
    äußerer Randbereich
    18
    veränderte Schicht
    20
    Verbundwerkstoff-Substrat
    30
    CMP-Maschine
    32
    Scheiben-förmige Polier-Platte
    34
    Polierkissen
    36
    Scheiben-förmiger Substratträger
    38
    Rohr
    40
    Konditionierer
    50
    Werkzeug-CMP-Maschine mit kleinem Durchmesser
    52
    Bühne
    54
    Polierkissen
    56
    Kopf
    58
    Rohr
    60
    Träger
    62
    Antriebsteil
    70
    Kraftmesseinheit
    P
    Weg.

Claims (8)

  1. Herstellungsverfahren für ein Verbundwerkstoff-Substrat, umfassend: (a) einen Schritt zum Hochglanz-Polieren einer piezoelektrischen Substrat-Seite von einem laminierten Substrat, das einen Durchmesser von 5·10-2 m (2 inch) oder mehr aufweist und durch Bonden eines piezoelektrische Substrats und eines Trägersubstrats hergestellt wurde, bis eine Dicke des piezoelektrischen Substrats von 20 µm oder weniger erreicht worden ist; (b) einen Schritt zum Ausführen von Fräsen unter Verwendung eines lonenstrahls oder eines neutralen Atomstrahls, so dass die Dicke vom äußeren Randbereich des piezoelektrischen Substrats größer als die Dicke vom inneren Randbereich ist und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des inneren Randbereichs des piezoelektrischen Substrats über eine gesamte Oberfläche 100 nm oder weniger ist; und (c) einen Schritt zum Glätten der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrats, um mindestens einen Teil von einer durch das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls in dem Schritt (b) gebildeten, veränderten Schicht durch Ausführen von CMP unter Verwendung eines Polierkissens mit einem Durchmesser von 5 mm oder mehr und 30 mm oder weniger und Rotieren und Bewegen des Polierkissens bezüglich des piezoelektrischen Substrats unter Halten einer konstanten Druckkraft des Polierkissens, zu entfernen.
  2. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach Anspruch 1, wobei im Schritt (c) das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats in einer solchen Tendenz bewegt wird, dass eine Verweilzeit davon im äußeren Randbereich kürzer als im inneren Randbereich ist.
  3. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach Anspruch 1, wobei im Schritt (c) das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats in einer solchen Tendenz bewegt wird, dass eine Verweilzeit davon abnimmt, wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats abnimmt.
  4. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach Anspruch 1, wobei im Schritt (c) das Polierkissen bezüglich des piezoelektrischen Substrats in einer solchen Tendenz bewegt wird, dass eine Verweilzeit davon im äußeren Randbereich kürzer als im inneren Randbereich ist und in einer solchen Tendenz, dass die Verweilzeit abnimmt, wenn die Dicke des piezoelektrischen Substrats im inneren Randbereich abnimmt.
  5. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei im Schritt (b) das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls so ausgeführt wird, dass ein Mittelwert der Dicke des äußeren Randbereichs des piezoelektrischen Substrats um 10 bis 50 nm größer ist, als ein Mittelwert der Dicke des inneren Randbereichs.
  6. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei im Schritt (b) das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls so ausgeführt wird, dass die Dicke des piezoelektrischen Substrats zu einem äußersten Rand in einem Bereich, der 90% bis 100% von einem äußeren Durchmesser des piezoelektrischen Substrats entspricht, oder in einem Bereich innerhalb 5 mm von dem äußersten Rand zunimmt.
  7. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach Anspruch 6, wobei im Schritt (b) das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls so ausgeführt wird, dass eine Zunahmerate der Dicke im Bereich 0,5 nm/mm oder mehr und 10 nm/mm oder weniger liegt.
  8. Herstellungsverfahren für das Verbundwerkstoff-Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei im Schritt (b) das Fräsen unter Verwendung des lonenstrahls oder des neutralen Atomstrahls so ausgeführt wird, dass die Dicke des piezoelektrischen Substrats auf einem äußersten Rand um 20 nm oder mehr größer als eine Dicke von einem dünnsten Bereich ist.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD174921S (zh) * 2014-12-17 2016-04-11 日本碍子股份有限公司 複合基板之部分
JP6393015B1 (ja) * 2017-05-02 2018-09-19 日本碍子株式会社 弾性波素子およびその製造方法
TWI780103B (zh) * 2017-05-02 2022-10-11 日商日本碍子股份有限公司 彈性波元件及其製造方法
JP2019029941A (ja) * 2017-08-02 2019-02-21 株式会社ディスコ 弾性波デバイス用基板の製造方法
DE112018003634B4 (de) 2017-08-25 2024-05-02 Ngk Insulators, Ltd. Verbundener Körper und elastische Welle-Element
WO2019039475A1 (ja) * 2017-08-25 2019-02-28 日本碍子株式会社 接合体および弾性波素子
DE112019002458B4 (de) * 2018-05-16 2022-10-27 Ngk Insulators, Ltd. Verbundener Körper aus piezoelektrischem Materialsubstrat und Trägersubstrat
CN109273586A (zh) * 2018-08-17 2019-01-25 福建晶安光电有限公司 一种压电晶片及其制作方法
JP7378894B2 (ja) * 2019-11-06 2023-11-14 株式会社ディスコ 加工装置
CN111092148B (zh) * 2019-12-27 2022-08-09 厦门市三安集成电路有限公司 一种压电材料复合基板的制造方法
CN111740008B (zh) * 2020-06-17 2022-07-22 上海新硅聚合半导体有限公司 一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118812A (ja) * 1999-08-09 2001-04-27 Nikon Corp 化学機械研磨装置および半導体デバイス製造方法
JP2001308049A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板加工における加工手段の移動速度の補正方法
WO2002013248A1 (fr) 2000-08-03 2002-02-14 Nikon Corporation Appareil de polissage chimique-mecanique, tampon de polissage, et procede de fabrication de dispositif a semiconducteur
US7314402B2 (en) 2001-11-15 2008-01-01 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for controlling slurry distribution
DE102004045181B4 (de) * 2004-09-17 2016-02-04 Epcos Ag SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung
JP4870377B2 (ja) * 2005-03-31 2012-02-08 京セラキンセキ株式会社 水晶部品のべべリング加工方法
US20070257580A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Fujifilm Dimatix, Inc. Polishing Piezoelectric Material
KR101196990B1 (ko) 2007-12-25 2012-11-05 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 복합 압전 기판의 제조방법
JP5317092B2 (ja) * 2008-03-23 2013-10-16 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法
JP5276035B2 (ja) * 2009-04-13 2013-08-28 日本電波工業株式会社 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス
WO2011013553A1 (ja) * 2009-07-30 2011-02-03 日本碍子株式会社 複合基板及びその製造方法
CN103765773B (zh) 2012-08-17 2015-11-25 日本碍子株式会社 复合基板、弹性表面波器件以及复合基板的制造方法
CN103999366B (zh) * 2012-11-14 2016-07-06 日本碍子株式会社 复合基板及其制法
KR101511001B1 (ko) * 2012-11-14 2015-04-10 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판
DE112013006227T5 (de) * 2012-12-26 2015-10-01 Ngk Insulators, Ltd. Verbundsubstrat, Herstellungsverfahren dafür und akustische-Wellen-Vorrichtung
WO2014128754A1 (ja) * 2013-02-19 2014-08-28 株式会社Ｌｅａｐ Ｃｍｐ装置及びｃｍｐ方法
JPWO2014129433A1 (ja) * 2013-02-19 2017-02-02 日本碍子株式会社 複合基板及び半導体デバイスの製法
EP2833550B1 (de) * 2013-03-27 2017-05-10 NGK Insulators, Ltd. Verbundsubstrat und elastische wellenvorrichtung
WO2015012005A1 (ja) * 2013-07-25 2015-01-29 日本碍子株式会社 複合基板及びその製法
JP6220279B2 (ja) * 2014-02-04 2017-10-25 日本碍子株式会社 複合基板の研磨方法

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