DE112014006882T5

DE112014006882T5 - Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger

Info

Publication number: DE112014006882T5
Application number: DE112014006882.9T
Authority: DE
Inventors: Jhihyong Chen; Chaowei Yang
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2014-08-22
Filing date: 2014-08-28
Publication date: 2017-05-04
Anticipated expiration: 2034-08-29
Also published as: TW201608818A; DE112014006882B4; WO2016026163A1; TWI513176B; CN104158474A; CN104158474B

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger, der zum Tragen eines bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels dient und einen Klemmabschnitt und eine Seitenwand enthält. Hierbei bildet der Klemmabschnitt einen Aufnahmebereich zur Aufnahme des bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels aus, während die Seitenwand unterhalb des Klemmabschnitts ausgebildet ist und eine Innenseitenfläche, eine Außenseitenfläche und einen Lichteintrittskanal aufweist. Der Lichteintrittskanal durchsetzt die Innenseitenfläche und die Außenseitenfläche und verfügt an der Außenseitenfläche über eine Lichteintrittsöffnung und an der Innenseitenfläche über eine Lichtaustrittsöffnung. Darüber hinaus weist der Lichteintrittskanal eine konkav ausgebildete obere Innenfläche, die einen Oberrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Oberrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet, und eine konkav ausgebildete untere Innenfläche auf, die einen Unterrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet, wobei der Oberrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt und der Unterrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Unterrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt.

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger, insbesondere einen solchen, mit dem der Nutzungsgrad der Lichtenergie erhöht werden kann.
Technischer Hintergrund
Heutzutage stellen neben der Energiegewinnung, d. h. bergmännisches Gewinnen sowie Entwicklung von Energieträgern, auch die Energienachhaltigkeit und -einsparung, der Umweltschutz sowie die Effizienz der Energienutzung die wichtigen, Energie betreffenden, Themen dar. Im Gegensatz zu der Gewinnung fossiler Brennstoffe, wie beispielsweise Kohle, Petroleum und Erdgas, und erschöpfbarer Energieressourcen, wie etwa Kernbrennstoff und Mineral, trägt die Entwicklung erneuerbarer Energieträger, wie z. B. Wasser- und Windkraft, Gezeiten, Erdwärme und Sonnenenergie, zur Energienachhaltigkeit bei und stellt auch die zukünftige Energieverwendung sicher.
Bei der Entwicklung der Sonnenenergie ist es bekannt, ein Solarpanel oder ein Solarzellenmodul als Mittel zur Umwandlung der Sonnenenergie in elektrische Energie zu verwenden. Wie beispielsweise in 1 gezeigt ist, enthält ein Solarzellenmodul 9 als photoelektrisches Umwandlungsmodul einen Träger 90 (Außenrahmen) und ein u. a. aus transparentem Glas, Ethylenvinylacetat (EVA) und Solarzellen bestehendes Solarpanel 80, wobei der Träger 90 den äußersten Ring des Solarzellenmoduls bildet und dem Tragen, Schützen und Aufrechterhalten des gesamten Solarzellenmoduls dient. Um die Wirkung und das Aussehen des Solarzellenmoduls beizubehalten, muss der Träger 90 zudem hinsichtlich seiner Formgebung und Eigenschaften beständig gegen den Klimawechsel ausgebildet sein. Insbesondere muss der Träger 90 wärme-, kälte-, korrosions-, erdbeben-, starkwind- und feuchtigkeitsbeständig sein, um sich beim Betrieb des Solarzellenmoduls an verschiedene klimatische Veränderungen anzupassen und eine dauerhafte Aufrechterhaltung der Wirkung und des Aussehens des Solarzellenmoduls zu gewährleisten.
Insgesamt erweisen sich der Aufbau und die mechanische Festigkeit eines Solarzellenmoduls bzw. eines photoelektrischen Umwandlungsmoduls als ausschlaggebend für den Schutz und die Aufrechterhaltung des Solarzellenmoduls bzw. des photoelektrischen Umwandlungsmoduls. Wenn aber das Licht einer seitlichen oder rückwärtigen Lichtquelle, wie in 2A–2B dargestellt, in das photoelektrische Umwandlungsmodul, wie etwa das Solarzellenmodul 9 gemäß 1, eintritt, bildet der das Solarpanel 80 umschließende Träger 90 gleichzeitig auch eine Barriere für das Licht, wodurch die Ausnutzung der Lichtenergie begrenzt wird. So wird das Licht z. B. einer seitlichen Lichtquelle, nachdem es auf den herkömmlichen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 90 aufgetroffen ist, an einer Seitenwand 92 reflektiert, so dass das Licht der seitlichen Lichtquelle nur schwer zu dem Solarpanel 80 gelangen kann.
Daher strebt die vorliegende Erfindung an, einen Modulträger zu schaffen, bei dem die Effizienz der Energienutzung besonders berücksichtigt wird und der in Bezug auf den Aufbau und die Wirkung anders und besser als herkömmliche Träger ausgebildet ist.
Offenbarung der Erfindung
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger bereitzustellen, mit dem der Nutzungsgrad der Lichtenergie erhöht und eine optische Verstärkung erzielt werden kann.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger gelöst, der zum Tragen eines bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels dient und Folgendes enthält:

– einen Klemmabschnitt, der einen Aufnahmebereich zur Aufnahme des bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels ausbildet, und
– eine Seitenwand, die unterhalb des Klemmabschnitts ausgebildet ist und eine Innenseitenfläche, eine Außenseitenfläche und einen Lichteintrittskanal aufweist, welcher Lichteintrittskanal die Innenseitenfläche und die Außenseitenfläche durchsetzt und an der Außenseitenfläche über eine Lichteintrittsöffnung und an der Innenseitenfläche über eine Lichtaustrittsöffnung verfügt, wobei der Lichteintrittskanal Folgendes aufweist:
– eine obere Innenfläche, die einen Oberrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Oberrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet und als konkave Fläche ausgebildet ist, wobei der Oberrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt, und
– eine untere Innenfläche, die einen Unterrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet und als konkave Fläche ausgebildet ist, wobei der Unterrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Unterrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt.

Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass der Abstand zwischen dem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung und dem Klemmabschnitt in der Sache nicht größer als der Abstand zwischen dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung und dem Klemmabschnitt ist.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass der Abstand zwischen dem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung und dem Klemmabschnitt in der Sache dem Abstand zwischen dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung und dem Klemmabschnitt gleicht.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die obere Innenfläche und die untere Innenfläche einen Reflexionsgrad von größer als 60% haben.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen Innenfläche zu dem Krümmungsradius der unteren Innenfläche bei 23:20 bis 23:40 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen Innenfläche zu dem Krümmungsradius der unteren Innenfläche bei 23:32 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die obere Innenfläche einen geringeren Krümmungsradius als die untere Innenfläche hat.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Abstands zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung zu dem Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung bei 100:85 bis 100:110 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Abstands zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung zu dem Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung bei 100:93 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass der Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung größer als der Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung ist.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die untere Innenfläche von außerhalb der Außenseitenfläche stammendes Licht empfängt und es zur oberen Innenfläche reflektiert, von welcher dieses Licht weiter zu dem Aufnahmebereich reflektiert wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe ferner durch einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger gelöst, der zum Tragen eines bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels dient und Folgendes enthält:

– einen Klemmabschnitt, der einen Aufnahmebereich zur Aufnahme des bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels ausbildet,
– eine Seitenwand, die unterhalb des Klemmabschnitts ausgebildet ist, wobei sich das dem Klemmabschnitt gegenüberliegende Ende der Seitenwand auf einer Seite einer Lichteintrittsöffnung befindet, und
– eine Reflexionsfläche, die an der Innenseite der Seitenwand angeordnet ist und sich an einer Seite in dem Raum zwischen dem Aufnahmebereich und der Lichteintrittsöffnung befindet, wobei es sich bei der Reflexionsfläche um eine in Richtung der Seitenwand zurückgesetzte konkave Fläche handelt, die das durch die Lichteintrittsöffnung eintretende Licht zu dem Aufnahmebereich reflektiert.

Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die Reflexionsfläche eine der Seitenwand am nächsten liegende zurückgesetzte Position, eine obere gekrümmte Fläche, die sich von der zurückgesetzten Position zum Klemmabschnitt hin erstreckt, und eine untere gekrümmte Fläche enthält, die sich von der zurückgesetzten Position in eine vom Klemmabschnitt wegweisende Richtung erstreckt, wobei die Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand größer als die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand ist.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand in einem Verhältnis zu der Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand von 1,1:1,9 bis 0,9:2,1 steht.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand in einem Verhältnis zu der Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand von 1:2 steht.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche zu dem Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche bei 15:20 bis 15:25 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche zu dem Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche bei 15:23 liegt.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass der Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche geringer als der Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche ist.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die sich ausgehend von der Seitenwand erstreckende Länge einer Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf einer senkrecht zur Seitenwand verlaufenden Ebene größer als die sich ausgehend von der Seitenwand erstreckende Länge einer Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf einer senkrecht zur Seitenwand verlaufenden Ebene ist.
Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger ist es vorgesehen, dass die Reflexionsfläche einen größeren Reflexionsgrad als die Seitenwand hat.
Neben der Einstrahlrichtung des Sonnenlichts kann der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodulträger auch aus allen anderen Richtungen Licht empfangen und ermöglicht dadurch eine Seitenlicht- bzw. Rücklichkompensation des jeweiligen Moduls. Daher lässt sich das Umgebungslicht, egal ob es von der Sonne stammt oder nicht, durch das erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodul in einen verwendbaren Energieträger umwandeln.
Darstellung der Abbildungen
Es zeigen
1 ein bekanntes photoelektrisches Umwandlungsmodul und einen Teil davon in vergrößerter Ansicht,
2A–2B ein Lichtwegdiagramm des bekannten photoelektrischen Umwandlungsmoduls,
3 in schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls,
4A einen schematischen Schnitt entlang der Schnittlinie B-B in 3,
4B eine Seitenansicht des in 4A dargestellten Ausführungsbeispiels,
4C ein Lichtwegdiagramm des in 4A dargestellten Ausführungsbeispiels,
5 eine schematische Darstellung des in 4B dargestellten Ausführungsbeispiels mit Größenangaben,
6 in schematischer Darstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls,
7A einen schematischen Schnitt entlang der Schnittlinie C-C in 6,
7B eine Seitenansicht des in 7A dargestellten Ausführungsbeispiels,
7C ein Lichtwegdiagramm des in 7A dargestellten Ausführungsbeispiels und
8 eine schematische Darstellung des in 7B dargestellten Ausführungsbeispiels mit Größenangaben.
Konkrete Ausführungsformen
Es ist in 3 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls, in 4A ein schematischer Schnitt entlang der Schnittlinie B-B in 3 und in 4B–4C jeweils eine Seitenansicht des in 4A dargestellten Ausführungsbeispiels gezeigt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel enthält das photoelektrische Umwandlungsmodul ein photoelektrisches Umwandlungspanel 70 und einen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a. Der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a kann zum Tragen des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 dienen. Wie sich aus 3 ergibt, ist das photoelektrische Umwandlungspanel 70 bevorzugterweise als beidseitig Licht empfangendes Solarpanel ausgebildet und weist eine erste Lichtempfangsfläche 71 und eine zweite Lichtempfangsfläche 72 auf. Der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a ist formkorrespondierend zu dem photoelektrischen Umwandlungspanel 70 ausgebildet und besitzt vorzugsweise die Form eines Rechteckes. Bei dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a kann es sich um einen Rahmen handeln, welcher den Umfangsrand des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 umschließt und dabei das photoelektrische Umwandlungspanel 70 trägt. Der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a kann aus Aluminium und einer Aluminiumlegierung bestehen. Weiterhin ist der Aluminium-/Aluminiumlegiemngsträger für photoelektrische Umwandlungsmodule als Aluminium-Strangpressträger ausgebildet. Überdies kann der Aluminium-/Aluminiumlegierungsträger einer weiteren Bearbeitung, z. B. einer Anodisierung, unterzogen werden, um einen abriebfesten, korrosionsbeständigen und harten Oxidfilm zum Schutz der Oberfläche des Aluminiumwerkstoffes zu erzeugen.
Gemäß dem in 3 und 4A dargestellten Ausführungsbeispiel enthält der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a des photoelektrischen Umwandlungsmoduls 1a einen Klemmabschnitt 100 und eine unterhalb des Klemmabschnitts 100 ausgebildete Seitenwand 200a, wobei die Seitenwand 200a vorzugsweise mit den beiden Seitenpaaren des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 korrespondierend so angeordnet ist, dass sie um den Umfangsrand des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 herum verläuft. Alternativ dazu kann sie aber auch an irgendeinem der beiden Seitenpaare angeordnet sein. Der Klemmabschnitt 100 kann eine an der Innenseite des photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 10a ausgebildete Ausnehmung 105 umfassen, wobei das photoelektrische Umwandlungspanel 70 an einem Ende in der Ausnehmung 105 eingesteckt und dadurch in dem Klemmabschnitt 100 eingeklemmt ist. Des Weiteren ist durch den Innenraum des Klemmabschnitts 100 und den von diesem umschlossenen Bereich ein Aufnahmebereich 150 zur Aufnahme des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 definiert. In einem Ausführungsbeispiel mit einem rechteckigen photoelektrischen Umwandlungspanel 70 kann der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a entsprechend die Form eines rechteckigen Rahmens haben, so dass der Aufnahmebereich 150 im Wesentlichen ein von diesem rechteckigen Rahmen umschlossener rechteckiger Bereich ist. Dabei erstreckt sich der Aufnahmebereich 150 mit seinem Umfangsbereich bevorzugt bis in die Ausnehmung 105, so dass das photoelektrische Umwandlungspanel 70 bei Anordnen in dem Aufnahmebereich 150 durch Eingreifen in der Ausnehmung 105 positioniert ist. Wenn der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a in Form eines rechteckigen Rahmens das photoelektrische Umwandlungspanel 70 trägt, verläuft der rechteckige Rahmen im Wesentlichen parallel zu dem Panel, wobei das photoelektrische Umwandlungspanel 70 in dem Aufnahmebereich 150 aufgenommen und mit seinem Umfangsrand in dem Klemmabschnitt 100 eingeklemmt ist. In den Ausführungsbeispielen der Erfindung kann das rechteckige photoelektrische Umwandlungsmodul eine Größe von 1639 mm (Länge)·983 mm (Breite)·40 mm (Höhe) haben.
Wie oben erwähnt wurde, ist die Seitenwand 200a des photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 10a entlang der Schenkel des Rahmens angeordnet. Zudem erstreckt sie sich auch noch im Wesentlichen in einer senkrecht zu der Ebene (wie der beispielhaft dargestellten x-y-Ebene) des Rahmens verlaufenden Richtung. Wenn der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10a das (bifaciale) photoelektrische Umwandlungspanel 70 trägt, verläuft die senkrecht zu der Ebene des Rahmens verlaufende Erstreckungsrichtung z (nachfolgend als Höhenrichtung bezeichnet) der Seitenwand 200a im Wesentlichen senkrecht zu dem in dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a eingeklemmten (bifacialen) photoelektrischen Umwandlungspanel 70. Darüber hinaus hat der Aufnahmebereich 150 eine im Wesentlichen senkrecht zur Seitenwand 200a verlaufende Tiefenrichtung, wie etwa die x-Richtung. Das (bifaciale) photoelektrische Umwandlungspanel 70 hat eine Flächenerstreckung, die sich in der x-y-Ebene befindet und in dem Aufnahmebereich 150 aufgenommen ist. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung erstreckt sich die Seitenwand 200a auf der Seite der zweiten Lichtempfangsfläche 72 des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 senkrecht dazu. Mit anderen Worten erstreckt sich die Seitenwand 200a in eine von der ersten Lichtempfangsfläche 71 wegweisende Richtung. Wenn das photoelektrische Umwandlungspanel 70 mit der ersten Lichtempfangsfläche 71 im Wesentlichen dem Sonnenlicht zugewandt in dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a angeordnet ist, kann die erste Lichtempfangsfläche 71 auch als frontseitige Lichtempfangsfläche angesehen werden. Demgegenüber gilt die zweite Lichtempfangsfläche 72 als rückseitige Lichtempfangsfläche. Ferner wird die den Klemmabschnitt 100 aufweisende Seite des photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 10a in der Regel als Frontseite (oder Oberseite) und die gegenüberliegende Seite als Rückseite (oder Unterseite) angesehen. Insofern enthält die Rückseite des photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 10a das dem Klemmabschnitt 100 abgewandte Ende der Seitenwand 200a. Wenn das photoelektrische Umwandlungspanel 70 in dem photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a angeordnet ist, sind seine frontseitige und rückseitige Lichtempfangsfläche vorzugsweise jeweils der Frontseite (oder Oberseite) bzw. der Rückseite (oder Unterseite) des photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 10a zugeordnet. Insofern weist das photoelektrische Umwandlungsmodul 10a eine Front- und Rückseite (bzw. eine Ober- und Unterseite) auf.
Wie 3 und 4A–4B zu entnehmen ist, weist die Seitenwand 200a eine Innenseitenfläche 210, eine Außenseitenfläche 220 und einen Lichteintrittskanal 300 auf. Da die Seitenwand 200a entlang des Rahmens angeordnet ist, erstreckt sich der Lichteintrittskanal 300 vorzugsweise auch entlang der Längenrichtung der Seitenwand 200a. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Lichteintrittskanal 300 um ein in der Seitenwand 200a ausgebildetes Langloch, das eine sich entlang der Seitenwand 200a, d. h. entlang der Schenkellängenrichtung x oder y des rechteckigen Rahmens, erstreckende längliche Öffnung aufweist. Wie aus 4A ersichtlich ist, durchsetzt der Lichteintrittskanal 300 die Seitenwand 200a und verfügt an der Außenseitenfläche 220 über eine Lichteintrittsöffnung 310 und an der Innenseitenfläche 210 über eine Lichtaustrittsöffnung 320. So kann das Licht durch die Lichteintrittsöffnung 310 in den Lichteintrittskanal 300 eintreten und durch die Lichtaustrittsöffnung 320 den Lichteintrittskanal 300 verlassen.
Wie in 4B gezeigt ist, wird der dem Klemmabschnitt 100 zugewandte Bereich der Lichteintrittsöffnung 310 hier als Oberrand 310a der Lichteintrittsöffnung 310 bezeichnet. Hingegen befindet sich der Unterrand 310b an einem dem Klemmabschnitt 100 abgewandten Ende der Lichteintrittsöffnung 310. Die Lichtaustrittsöffnung 320 weist ebenfalls einen Oberrand 320a und einen Unterrand 320b auf. Bevorzugterweise ist der Lichteintrittskanal 300 ausgehend von der Außenseitenfläche 220 schräg zur Innenseitenfläche 210 hin in der Seitenwand 200a ausgebildet. Mit anderen Worten erstreckt sich der Lichteintrittskanal 300 nicht parallel zur Tiefenrichtung (im vorliegenden Fall der x-Richtung) des Aufnahmebereiches 150. Überdies bildet der schräg verlaufende Lichteintrittskanal 300 an verschiedenen Höhenlagen an der Seitenwand 200a eine Lichteintrittsöffnung 310 und eine Lichtaustrittsöffnung 320 aus. Hierbei wird davon ausgegangen, dass der dem Klemmabschnitt 100 zugewandte Bereich der Seitenwand 200a als verhältnismäßig hohe Lage und der gegenüberliegende Bereich als verhältnismäßig tiefe Lage definiert wird. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung erstreckt sich der Lichteintrittskanal 300 von der Außenseitenfläche 220 in Richtung der Innenseitenfläche 210 schräg zu dem Klemmabschnitt 100 hin, wobei sich die Lichtaustrittsöffnung 320 im Vergleich zu der Lichteintrittsöffnung 310 an einer höheren Lage an der Seitenwand 200a befindet, um das von der Außenseitenfläche 220 her eintretende Licht bis zur Innenseitenfläche 210 zu führen und weiterhin zur zweiten Lichtempfangsfläche 72 des photoelektrischen Umwandlungspanels 70 gelangen zu lassen.
Andererseits ist die Innenwand des Lichteintrittskanals 300 als konkave Fläche ausgeführt. Im Einzelnen enthält der Lichteintrittskanal 300 eine obere Innenfläche 330 und eine untere Innenfläche 340, wobei mit der oberen Innenfläche der dem Klemmabschnitt 100 zugewandte Bereich und mit der unteren Innenfläche der dem Klemmabschnitt 100 abgewandte Bereich der Innenfläche des Kanals bezeichnet wird. Die obere Innenfläche 330 des Lichteintrittskanals 300 verbindet den Oberrand 310a der Lichteintrittsöffnung 310 mit dem Oberrand 320a der Lichtaustrittsöffnung 320 und ist als konkave Fläche ausgebildet, wobei der Oberrand 320a der Lichtaustrittsöffnung 320 im Vergleich zu dem Oberrand 310a der Lichteintrittsöffnung 310 näher an dem Klemmabschnitt 100 liegt. Hingegen verbindet die untere Innenfläche 340 des Lichteintrittskanals 300 den Unterrand 310b der Lichteintrittsöffnung 310 mit dem Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 und ist als konkave Fläche ausgebildet, wobei vorzugsweise auch der Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 im Vergleich zu dem Unterrand 310b der Lichteintrittsöffnung 310 näher an dem Klemmabschnitt 100 liegt.
Gegenüber dem in 1 und 2A dargestellten bekannten photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 90 lässt sich mit dem erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a der Nutzungsgrad einer seitlichen Lichtquelle erhöhen. Unter der seitlichen Lichtquelle kann eine im Wesentlichen Licht in Richtung auf die von dem Träger 10a (oder 90) umschlossenen seitlichen Bereiche des photoelektrischen Umwandlungsmoduls 1a (oder 9) abstrahlende Lichtquelle verstanden, welche Umgebungslicht und reflektiertes Licht enthält. Daher kann das Licht einer seitlichen Lichtquelle (nachfolgend als Seitenlicht bezeichnet) mit hoher Wahrscheinlichkeit auf die Seitenwand 200a (oder 92) des Trägers 10a (oder 90) auftreffen. Im Fall eines herkömmlichen photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 90 kann das Licht einer seitlichen Lichtquelle jedoch nur schwer das bifaciale photoelektrische Umwandlungspanel 80 erreichen, weil es beim Auftreffen auf den Träger von der Seitenwand 92 reflektiert wird. Im Gegensatz dazu gelangt das auf den erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10a auftreffende Seitenlicht, wie 4C zeigt, zunächst durch die Lichteintrittsöffnung 310 hindurch zur unteren Innenfläche 340 des Lichteintrittskanals 300, wird dann zur oberen Innenfläche 330 reflektiert und tritt anschließend durch die Lichtaustrittsöffnung 320 aus und erreicht die zweite Lichtempfangsfläche 72. Hierbei weisen die obere Innenfläche 330 und die untere Innenfläche 340 bevorzugt einen Reflexionsgrad von größer als 60% auf. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträgers 90 kann daher eine Seitenlichtkompensation erzielt und somit der Nutzungsgrad der Lichtenergie erhöht werden. Des Weiteren sind sowohl die obere Innenfläche 330 als auch die untere Innenfläche 340 vorzugsweise als konkave Fläche ausgebildet, welche Licht sammeln kann, wodurch eine effiziente Lichtreflexion und -leitung und eine Reduzierung des durch Streuung bedingten Lichtenergieverlusts gewährleistet werden.
Wie aus 5 hervorgeht, ist der Abstand D2 zwischen dem Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 und dem Klemmabschnitt 100 in der Sache nicht größer als der Abstand D1 zwischen dem Oberrand 310a der Lichteintrittsöffnung 310 und dem Klemmabschnitt 100, wobei der Abstand D2 dem Abstand D1 gleicht. Darüber hinaus können die Öffnungsgröße der Lichteintrittsöffnung 310 und der Lichtaustrittsöffnung 320, die Position des Öffnungsrandes der Lichteintrittsöffnung 310 und/oder der Lichtaustrittsöffnung 320, die Krümmung der konkaven Fläche usw. so gewählt werden, dass die vorgenannte Seitenlichtkompensation und der Nutzungsgrad der Lichtenergie verbessert werden und eine gleichmäßige Verteilung von Licht auf der Lichtempfangsfläche erreicht wird. Dazu kann z. B. auf die Berechnungssoftware zurückgegriffen werden, um den geeignesten Parameterbereich zu errechnen. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt das Verhältnis des Abstands d1 zwischen Oberrand 310a und Unterrand 310b der Lichteintrittsöffnung 310 zu dem Abstand d2 zwischen Oberrand 320a und Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 bei 100:85 bis 100:110, siehe hierzu 5. Als besonders vorteilhaft hat es sich dabei herausgestellt, wenn der Abstand d1 zwischen Oberrand 310a und Unterrand 310b der Lichteintrittsöffnung 310 größer als der Abstand d2 zwischen Oberrand 320a und Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 ist. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt das Verhältnis des Abstands d1 zwischen Oberrand 310a und Unterrand 310b der Lichteintrittsöffnung 310 zu dem Abstand d2 zwischen Oberrand 320a und Unterrand 320b der Lichtaustrittsöffnung 320 bei 100:93. Ferner liegt das Verhältnis des Krümmungsradius R3 der oberen Innenfläche 330 zu dem Krümmungsradius R4 der unteren Innenfläche 340 bei 23:20 bis 23:40. Als besonders vorteilhaft hat es sich dabei herausgestellt, wenn der Krümmungsradius R3 der oberen Innenfläche 330 vorzugsweise geringer als der Krümmungsradius R4 der unteren Innenfläche 340 ist. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt das Verhältnis des Krümmungsradius R3 der oberen Innenfläche 330 zu dem Krümmungsradius R4 der unteren Innenfläche 340 bei 23:32. So kann der Krümmungsradius R3 beispielsweise 23 mm und der Krümmungsradius R4 beispielsweise 32 mm betragen.
Zusätzlich hierzu wurde der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodulträger einer Simulationsanalyse z. B. mittels TracePro unterzogen. Die Prüfung hat gezeigt, dass die oben angegebenen bevorzugten Verhältnisse bei dem erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger zu einer Seitenlichtkompensation und gegenüber dem herkömmlichen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger zu einer optischen Verstärkung von 17% führen. Das heißt, bei gleichem Trägerwerkstoff und gleicher Fläche der seitlichen Bereiche des Trägers erhält die Lichtempfangsfläche des erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls von einer rückwärtigen Lichtquelle eine um 17% größere Lichtmenge als das herkömmliche photoelektrische Umwandlungsmodul, wobei diese Lichtmenge auf die Lichtempfangsfläche verteilt ist. Bei der Prüfung wurden sowohl der herkömmliche photoelektrische Umwandlungsträger als auch der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsträger in der Farbe Silber, wie z. B. diejenige Farbe, welche ein Aluminiumträger naturgemäß zeigt, bereitgestellt. Hierbei besitzt diese Lichtmenge einen Wellenlängenbereich von 250–1250 nm, welcher sich praktisch als vorteilhaft für die photoelektrische Umwandlung erwiesen hat.
Es ist in 6 eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls, in 7A ein schematischer Schnitt entlang der Schnittlinie C-C in 6 und in 7B eine Seitenansicht des in 7A dargestellten Ausführungsbeispiels gezeigt. Wie aus 6 und 7A–7B zu ersehen ist, enthält der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10b einen Klemmabschnitt 100 und eine unterhalb des Klemmabschnitts 100 ausgebildete Seitenwand 200b. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel weist der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10b des Weiteren an einem dem Klemmabschnitt 100 gegenüberliegenden Ende der Seitenwand 200a eine Lichteintrittsöffnung 250 auf.
Hat der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10b beispielsweise die Form eines rechteckigen Rahmens, so ist die Seitenwand 200b entlang des Rahmens angeordnet und erstreckt sich im Wesentlichen in einer senkrecht zu der Ebene des Rahmens verlaufenden Richtung z. Dabei bildet die Seitenwand 200b an ihrem dem Klemmabschnitt 100 abgewandten Ende eine umlaufende rechteckige Öffnung aus, die als Lichteintrittsöffnung 250 dienen kann. Somit kann das von der Rückseite (oder Unterseite) des photoelektrische Umwandlungsmoduls 10b her stammende Licht durch die Lichteintrittsöffnung 250 in den Raum zwischen Klemmabschnitt 100 und Lichteintrittsöffnung 250 eintreten und bis zu dem Aufnahmeraum 150 gelangen.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel enthält der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10b, wie in 7A und 7B dargestellt, zusätzlich einen Bodenabschnitt 400, der entsteht, indem sich das dem Klemmabschnitt 100 abgewandte Ende der Seitenwand 200b nach innen erstreckt. Hierbei bildet der Bodenabschnitt 400 mit seinem von der Seitenwand 200b wegweisenden Stirnrand die umlaufende Lichteintrittsöffnung 250 aus. Bei einem rechteckigen photoelektrischen Umwandlungsmodul mit einer Größe von 1639 mm (Länge)·983 mm (Breite)·40 mm (Höhe) beträgt der Abstand zwischen dem von der Seitenwand 200b wegweisenden Stirnrand des Bodenabschnitts 400 und der Außenseite der Seitenwand 200b beispielsweise 32 mm.
Überdies enthält der photoelektrische Umwandlungsmodulträger 10b eine an der Innenseitenfläche 210 der Seitenwand 200b angeordnete Reflexionsfläche 500, die sich an einer Seite in dem Raum zwischen Aufnahmebereich 150 und Lichteintrittsöffnung 250 befindet. Dabei kann sich die Reflexionsfläche 500 derart auf der Seitenwand 200b und dem Bodenabschnitt 400 abstützen, dass sie zwischen dem Aufnahmebereich 150 und der Lichteintrittsöffnung 250 angeordnet ist. Die Reflexionsfläche 500 kann aus einem anderen Werkstoff als der Grundkörper des Trägers 10b bestehen und zudem einen anderen Reflexionsgrad als der Grundkörper des Trägers 10b besitzen, wobei der Reflexionsgrad der Reflexionsfläche vorzugsweise größer als der der Seitenwand 200b ist.
Bei der Reflexionsfläche 500 handelt es sich insbesondere um eine in Richtung der Seitenwand 200b zurückgesetzte konkave Fläche, die das durch die Lichteintrittsöffnung 250 eintretende Licht zu dem Aufnahmebereich 150 reflektiert. Die Reflexionsfläche 500 weist eine der Seitenwand 200b am nächsten liegende zurückgesetzte Position P auf und enthält eine obere gekrümmte Fläche 550 und eine untere gekrümmte Fläche 560. Hierbei verläuft die obere gekrümmte Fläche 550 von der zurückgesetzten Position P zum Klemmabschnitt 100 hin und kann sich bis zur Unterseite des Klemmabschnitts 100 erstrecken, während die untere gekrümmte Fläche 560 von der zurückgesetzten Position P in eine vom Klemmabschnitt 100 wegweisende Richtung verläuft und sich bis zum Bodenabschnitt 400 erstrecken kann, wobei sich die untere gekrümmte Fläche 560 im Vergleich zur oberen gekrümmten Fläche 550 weiter nach innen erstreckt. Darüber hinaus hat die zurückgesetzte Position P bevorzugt einen größeren Abstand zum Bodenabschnitt 400 als zum Aufnahmebereich 150.
Gegenüber dem in 1 und 2B dargestellten bekannten photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 90 lässt sich mit dem erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10b der Nutzungsgrad einer rückwärtigen Lichtquelle erhöhen. Unter der rückwärtigen Lichtquelle kann eine im Wesentlichen Licht in Richtung auf die Rückseite (oder Unterseite) des photoelektrischen Umwandlungsmoduls 1a (oder 9) abstrahlende Lichtquelle verstanden. Im Folgenden wird das von einer rückwärtigen Lichtquelle stammende Licht als Rücklicht bezeichnet. Wie in 7C erkennbar ist, wird das durch die Lichteintrittsöffnung 250 in den erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger 10b eintretende Rücklicht an der Reflexionsfläche 500 reflektiert und tritt auf die Lichtempfangsfläche auf. So wird das Rücklicht z. B. von der oberen gekrümmten Fläche 550 zur unteren gekrümmten Fläche 560 und dann von dieser zum Aufnahmebereich 150 hin reflektiert. Weiterhin trägt die Reflexionsfläche 500 auch dazu, entfernt von der Lichtempfangsfläche abgestrahltes Licht aufzufangen. So kann die Reflexionsfläche 500 z. B. aus der Lichtempfangsfläche austretendes Licht und/oder von der Lichtempfangsfläche reflektiertes Licht auffangen und solche Lichtmengen wieder zur Lichtempfangsfläche reflektieren, um den Nutzungsgrad der Lichtenergie zu erhöhen.
Wie sich aus 8 ergibt, können die Größe der oberen gekrümmten Fläche 550 und der unteren gekrümmten Fläche 560, die Höhen H5 und H6 der Projektionen der oberen gekrümmten Fläche 550 und der unteren gekrümmten Fläche 560 auf der Seitenwand 200b, die Krümmung der oberen oder unteren gekrümmten Fläche usw. so gewählt werden, dass die vorgenannte Rücklichtkompensation und der Nutzungsgrad der Lichtenergie verbessert werden und ein gleichmäßiges Auftreffen von Licht auf die Lichtempfangsfläche erreicht wird. So ist z. B. die Höhe H6 der Projektion der unteren gekrümmten Fläche 560 auf der Seitenwand 200b vorzugsweise größer als die Höhe H5 der Projektion der oberen gekrümmten Fläche 550 auf der Seitenwand 200b. Wie 8 ferner entnehmbar ist, steht die Höhe H5 der Projektion der oberen gekrümmten Fläche 550 auf der Seitenwand 200b in einem Verhältnis zu der Höhe H6 der Projektion der unteren gekrümmten Fläche 560 auf der Seitenwand 200b von 1,1:1,9 bis 0,9:2,1. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung liegt das Verhältnis der Höhe H5 zur Höhe H6 bei 1:2. So beträgt die Höhe H5 z. B. 100 mm und die Höhe H6 z. B. 200 mm. Ferner liegt das Verhältnis des Krümmungsradius R5 der oberen gekrümmten Fläche 550 zu dem Krümmungsradius R6 der unteren gekrümmten Fläche 560 bei 15:20 bis 15:25. Als besonders vorteilhaft hat es sich dabei herausgestellt, wenn der Krümmungsradius R5 der oberen gekrümmten Fläche 550 geringer als der Krümmungsradius R6 der unteren gekrümmten Fläche 560 ist. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung stehen der Krümmungsradius R5 der oberen gekrümmten Fläche 550 und der Krümmungsradius R6 der unteren gekrümmten Fläche 560 in einem Verhältnis von 15:23 zueinander und betragen jeweils z. B. 15 mm bzw. 23 mm.
Aus 8 geht zudem hervor, dass die Projektion der unteren gekrümmten Fläche 560 auf einer senkrecht zur Seitenwand 200b verlaufenden Ebene eine sich ausgehend von der Seitenwand 200b erstreckende Länge L1 und die Projektion der oberen gekrümmten Fläche 550 auf einer senkrecht zur Seitenwand 200b verlaufenden Ebene eine sich ausgehend von der Seitenwand 200b erstreckende Länge L2 aufweist. In bevorzugten Ausführungsbeispielen muss L1 größer als L2 sein, um eine vorteilhafte gleichmäßige Lichtverteilung gewährzuleisten.
Zusätzlich hierzu wurde der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodulträger einer Simulationsanalyse z. B. mittels TracePro unterzogen. Die Prüfung hat gezeigt, dass bei dem erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger eine rückwärtige Lichtkompensation stattfindet und gegenüber dem herkömmlichen photoelektrischen Umwandlungsmodulträger eine optische Verstärkung von 4,2% erzielt wird. Das heißt, bei gleicher Lichteintrittsöffnung (d. h. der erfindungsgemäßen Lichteintrittsöffnung 250 und der Lichteintrittsöffnung 95 eines herkömmlichen Trägers) und gleicher Fläche des Trägerbodens erhält die Lichtempfangsfläche des erfindungsgemäßen photoelektrischen Umwandlungsmoduls von einer rückwärtigen Lichtquelle eine um 4,2% größere Lichtmenge als das herkömmliche photoelektrische Umwandlungsmodul, wobei diese Lichtmenge auf die Lichtempfangsfläche verteilt ist. Bei der Prüfung wurden herkömmliche photoelektrische Umwandlungsmodulträger in den Farben Schwarz und Silber bereitgestellt. Wurde der erfindungsgemäße photoelektrische Umwandlungsmodulträger in der Farbe Silber bereitgestellt, wurde eine rückwärtige Lichtkompensation beobachtet.
Bisher wurde die Erfindung anhand betreffender Ausführungsbeispiele beschrieben, welche jedoch lediglich beispielhafte Ausführungen der Erfindung dienen. Es wird darauf hingewiesen, dass die offenbarten Ausführungsbeispiele keine Einschränkung des Rahmens der Erfindung darstellen. Vielmehr ist jede Abänderung oder gleichwertige Anordnung, welche von den in den Ansprüchen enthaltenen Grundideen der Erfindung ausgeht, vom Schutzumfang der Erfindung umfasst.
Bezugszeichenliste

1a, 1b: Photoelektrisches Umwandlungsmodul
10a, 10b: Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger
100: Klemmabschnitt
105: Ausnehmung
150: Aufnahmebereich
200a, 200b: Seitenwand
210: Innenseitenfläche
220: Außenseitenfläche
250: Lichteintrittsöffnung
300: Lichteintrittskanal
310: Lichteintrittsöffnung
310a: Oberrand
310b: Unterrand
320: Lichtaustrittsöffnung
320a: Oberrand
320b: Unterrand
330: Obere Innenfläche
340: Untere Innenfläche
400: Bodenabschnitt
500: Reflexionsfläche
P: Zurückgesetzte Position
550: Obere gekrümmte Fläche
560: Untere gekrümmte Fläche
70: Bifaciales photoelektrisches Umwandlungspanel
71: Erste Lichtempfangsfläche
72: Zweite Lichtempfangsfläche
9: Photoelektrisches Umwandlungsmodul/Solarzellenmodul
90: Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger
92: Seitenwand
95: Lichteintrittsöffnung
80: Bifaciales photoelektrisches Umwandlungspanel/Solarpanel

Claims

Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er zum Tragen eines bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels dient und Folgendes enthält: – einen Klemmabschnitt, der einen Aufnahmebereich zur Aufnahme des bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels ausbildet, und – eine Seitenwand, die unterhalb des Klemmabschnitts ausgebildet ist und eine Innenseitenfläche, eine Außenseitenfläche und einen Lichteintrittskanal aufweist, welcher Lichteintrittskanal die Innenseitenfläche und die Außenseitenfläche durchsetzt und an der Außenseitenfläche über eine Lichteintrittsöffnung und an der Innenseitenfläche über eine Lichtaustrittsöffnung verfügt, wobei der Lichteintrittskanal Folgendes aufweist: – eine obere Innenfläche, die einen Oberrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Oberrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet und als konkave Fläche ausgebildet ist, wobei der Oberrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt, und – eine untere Innenfläche, die einen Unterrand der Lichteintrittsöffnung mit einem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung verbindet und als konkave Fläche ausgebildet ist, wobei der Unterrand der Lichtaustrittsöffnung im Vergleich zu dem Unterrand der Lichteintrittsöffnung näher an dem Klemmabschnitt liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstand zwischen dem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung und dem Klemmabschnitt in der Sache nicht größer als der Abstand zwischen dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung und dem Klemmabschnitt ist.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 2, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstand zwischen dem Unterrand der Lichtaustrittsöffnung und dem Klemmabschnitt in der Sache dem Abstand zwischen dem Oberrand der Lichteintrittsöffnung und dem Klemmabschnitt gleicht.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die obere Innenfläche und die untere Innenfläche einen Reflexionsgrad von größer als 60% haben.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen Innenfläche zu dem Krümmungsradius der unteren Innenfläche bei 23:20 bis 23:40 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 5, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen Innenfläche zu dem Krümmungsradius der unteren Innenfläche bei 23:32 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die obere Innenfläche einen geringeren Krümmungsradius als die untere Innenfläche hat.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Abstands zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung zu dem Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung bei 100:85 bis 100:110 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 8, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Abstands zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung zu dem Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung bei 100:93 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichteintrittsöffnung größer als der Abstand zwischen Oberrand und Unterrand der Lichtaustrittsöffnung ist.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 1, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die untere Innenfläche von außerhalb der Außenseitenfläche stammendes Licht empfängt und es zur oberen Innenfläche reflektiert, von welcher dieses Licht weiter zu dem Aufnahmebereich reflektiert wird.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger, dadurch gekennzeichnet, dass er zum Tragen eines bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels dient und Folgendes enthält: – einen Klemmabschnitt, der einen Aufnahmebereich zur Aufnahme des bifacialen photoelektrischen Umwandlungspanels ausbildet, – eine Seitenwand, die unterhalb des Klemmabschnitts ausgebildet ist, wobei sich das dem Klemmabschnitt gegenüberliegende Ende der Seitenwand auf einer Seite einer Lichteintrittsöffnung befindet, und – eine Reflexionsfläche, die an der Innenseite der Seitenwand angeordnet ist und sich an einer Seite in dem Raum zwischen dem Aufnahmebereich und der Lichteintrittsöffnung befindet, wobei es sich bei der Reflexionsfläche um eine in Richtung der Seitenwand zurückgesetzte konkave Fläche handelt, die das durch die Lichteintrittsöffnung eintretende Licht zu dem Aufnahmebereich reflektiert.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 12, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Reflexionsfläche eine der Seitenwand am nächsten liegende zurückgesetzte Position, eine obere gekrümmte Fläche, die sich von der zurückgesetzten Position zum Klemmabschnitt hin erstreckt, und eine untere gekrümmte Fläche enthält, die sich von der zurückgesetzten Position in eine vom Klemmabschnitt wegweisende Richtung erstreckt, wobei die Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand größer als die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand ist.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 13, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand in einem Verhältnis zu der Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand von 1,1:1,9 bis 0,9:2,1 steht.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 14, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Höhe der Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf der Seitenwand in einem Verhältnis zu der Höhe der Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf der Seitenwand von 1:2 steht.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 13, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche zu dem Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche bei 15:20 bis 15:25 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 16, der dadurch gekennzeichnet ist, dass das Verhältnis des Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche zu dem Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche bei 15:23 liegt.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 13, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Krümmungsradius der oberen gekrümmten Fläche geringer als der Krümmungsradius der unteren gekrümmten Fläche ist.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 13, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die sich ausgehend von der Seitenwand erstreckende Länge einer Projektion der unteren gekrümmten Fläche auf einer senkrecht zur Seitenwand verlaufenden Ebene größer als die sich ausgehend von der Seitenwand erstreckende Länge einer Projektion der oberen gekrümmten Fläche auf einer senkrecht zur Seitenwand verlaufenden Ebene ist.
Photoelektrischer Umwandlungsmodulträger gemäß Anspruch 12, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Reflexionsfläche einen größeren Reflexionsgrad als die Seitenwand hat.