DE112012005867B4 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
Halbleitervorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE112012005867B4 DE112012005867B4 DE112012005867.4T DE112012005867T DE112012005867B4 DE 112012005867 B4 DE112012005867 B4 DE 112012005867B4 DE 112012005867 T DE112012005867 T DE 112012005867T DE 112012005867 B4 DE112012005867 B4 DE 112012005867B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- synthetic resin
- cooler
- heat sink
- semiconductor element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Halbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleiterelement (1);einen mit dem Halbleiterelement (1) verbundenen Kühlkörper (9, 15);ein das Halbleiterelement (1) verkapselndes Kunstharz (10); undeinen Kühler (11, 17) mit einer Öffnung (12, 18),wobei ein Teil des Kühlkörpers (9, 15) aus einer Hauptfläche des Kunstharzes (10) heraus ragt,der aus dem Kunstharz (10) heraus ragende Kühlkörper (9, 15) in die Öffnung (12, 18) des Kühlers (11, 17) eingesetzt ist, unddie Hauptfläche des Kunstharzes (10) und der Kühler (11, 17) miteinander durch ein Verbindungsmaterial (13, 19) verbunden sind, das dazwischen vorgesehen ist, undwobei das Verbindungsmaterial (13, 19) ein Klebstoff ist und sowohl mit der Hauptfläche des Kunstharzes (10) als auch mit dem Kühler (11, 17) direkt in Verbindung steht.
Description
- Technisches Gebiet
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, bei welcher ein kunstharzgeformtes Halbleitergehäuse mit einer Kühlvorrichtung verbunden ist.
- Technischer Hintergrund
- Herkömmliche Leistungsmodule des Gehäusetyps benötigen eine Gelverkapselung der Halbleiterelemente. Eine große Anzahl von Montageprozessschritten und hohe Teilekosten sind für solche Leistungsmodule erforderlich. Es werden deshalb Leistungsmodule mit spritzgepressten Halbleiterelementen entwickelt (siehe z. B. Patentliteratur 1). Ein kunstharzgeformtes Halbleitergehäuse muss an einer Kühlvorrichtung befestigt werden, um gekühlt zu werden, und es wurde ein Verfahren zum Befestigen eines solchen Halbleitergehäuses mittels Schrauben oder dergleichen vorgeschlagen (siehe z. B. Patentliteratur 2).
US 2011/0304039 A1
JP 2005 064131 A
US 2010/0282459 A1
US 2004/0096584 A1
US 2012 / 0 001 318 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung umfassend ein Halbleiterpaket und einen Kühler. Das Halbleiterpaket umfasst ein Halbleiterelement, ein Metallelement und ein Gusselement. Das Metallelement weist einen mit dem Halbleiterelement thermisch verbundenen Abschnitt, eine Isolierschicht und eine Leitungsschicht auf. Die Leitungsschicht und der Kühler sind miteinander elektrisch verbunden. - Entgegenhaltungsliste
- Patentliteratur
-
- Patentliteratur 1:
JP 2001-250890 A - Patentliteratur 2:
JP 4583122 B - Zusammenfassung der Erfindung
- Technisches Problem
- Bei dem Verfahren der Befestigung mittels Schrauben oder dergleichen gibt es ein Problem, dass die Anzahl der Bauteile erhöht ist und das Gesamtgewicht erhöht ist. Andererseits werden Verfahren zum Verbinden eines Halbleitergehäuses mit einer Kühlvorrichtung ohne Schrauben oder dergleichen untersucht. Es wurde jedoch kein Erfolg erzielt beim Gewährleisten einer Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung, da der Kühlabschnitt und die Verbindung zusammenfallen.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, und es ist ihre Aufgabe, eine Halbleitervorrichtung vorzusehen, die eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung gewährleisten und eine Verringerung der Anzahl an Bauteilen und eine Reduzierung des Gewichts erzielen kann.
- Maßnahmen zum Lösen der Probleme
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält ein Halbleiterelement; einen mit dem Halbleiterelement verbundenen Kühlkörper; ein das Halbleiterelement verkapselndes Kunstharz; und einen Kühler mit einer Öffnung, wobei ein Teil des Kühlkörpers aus einer Hauptfläche des Kunstharzes heraus ragt, der aus dem Kunstharz heraus ragende Kühlkörper in die Öffnung des Kühlers eingesetzt ist und die Hauptfläche des Kunstharzes und der Kühler miteinander durch ein Verbindungsmaterial verbunden sind.
- Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung macht es möglich, eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung zu gewährleisten und eine Verringerung der Anzahl der Bauteile und eine Reduzierung des Gewichts zu erzielen.
- Figurenliste
-
-
1 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel1 der vorliegenden Erfindung. -
2 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung. -
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. -
4 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel4 der vorliegenden Erfindung. - Beschreibung der Ausführungsbeispiele
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird bezugnehmend auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen Bauteile sind mit den gleichen Symbolen gekennzeichnet und auf ihre wiederholte Beschreibung kann verzichtet werden.
- Ausführungsbeispiel 1
-
1 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel1 der vorliegenden Erfindung. Ein Halbleiterelement1 ist ein Leistungshalbleiterelement wie beispielsweise ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT). Ein Steueranschluss (Gate) des Halbleiterelements1 ist durch einen Draht 2 mit einer Signalelektrode 3 verbunden. Eine Unterseite (Kollektor) des Halbleiterelements ist durch ein auf einer Isolierplatte4 vorgesehenes Schaltungsmuster 5 mit einer Hochspannungselektrode 6 verbunden. Eine Oberseite (Emitter) des Halbleiterelements ist durch ein Lot 7 mit einer Hochspannungselektrode 8 verbunden. - Eine Kühlrippe
9 ist mit der Unterseite des Halbleiterelements1 durch das Schaltungsmuster und die Isolierplatte4 verbunden. Bauteile einschließlich des Halbleiterelements1 sind in einem Kunstharz10 verkapselt (spritzgepresst). Ein Teil der Kühlrippe9 ragt aus einer Unterseite des Kunstharzes10 heraus. Die Signalelektrode 3 und die Hochspannungselektroden 6 und 8 sind ebenfalls aus dem Kunstharz10 herausgeführt. - Dieses kunstharzgeformte Halbleitergehäuse ist mit einem Kühler
11 verbunden. Der Kühler11 hat eine Öffnung12 . Die aus dem Kunstharz10 heraus ragende Kühlrippe9 ist in die Öffnung12 des Kühlers11 eingesetzt. Die Unterseite des Kunstharzes10 und der Kühler11 sind miteinander mittels eines Verbindungsmaterials13 wie beispielsweise eines Klebstoffs verbunden. Der Kühler11 führt ein Kühlmedium zur Kühlrippe9 in der Öffnung12 , wodurch das Halbleiterelement1 durch die Kühlrippe9 gekühlt wird. - Eine Vereinbarkeit zwischen der Wärmeleitfähigkeit und der Festigkeit der Verbindung kann durch ein eindeutiges Trennen des Kühlabschnitts und der Verbindung voneinander wie oben beschrieben gewährleistet werden. Selbst wenn z. B. das Halbleiterelement
1 einen Hochtemperaturbetrieb durchführt, so dass die Temperatur des Kühlabschnitts auf eine hohe Temperatur erhöht wird, kann die Temperaturveränderung der Verbindung begrenzt werden. Deshalb kann ein SiC-Halbleiterelement, das als Produkt mit garantiertem Hochtemperaturbetrieb vorgesehen ist, als das Halbleiterelement1 verwendet werden. Eine Verringerung der Anzahl der Bauteile und eine Reduzierung des Gewichts können ebenfalls erzielt werden, da kein Bedarf an zusätzlichen Bauteilen wie beispielsweise Schrauben existiert. - Bei der herkömmlichen Vorrichtung ist ein wärmeleitendes Material zwischen den Kühlkörper und den Kühler gesetzt, und deshalb verformt sich die Halbleitervorrichtung entsprechend der Dicke des wärmeleitenden Materials. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die Kühlleistung ohne Beeinflussung durch eine Verformung der Vorrichtung sichergestellt werden, da die Kühlrippe in die Öffnung
12 des Kühlers11 eingesetzt ist. - Ferner ermöglicht das Vorsehen der Isolierplatte
4 zwischen dem Halbleiterelement1 und der Kühlrippe9 die Verwendung eines elektrisch leitfähigen Fluids wie beispielsweise Wasser als Kühlmedium. Die Kühlleistung kann dadurch sichergestellt werden. Falls das Kühlmedium eine Isolierplatte wie beispielsweise Luft oder ein isolierendes Fluid ist, kann die Isolierplatte4 entfernt werden, und das Halbleiterelement1 und das Schaltungsmuster 5 können auf der Kühlrippe9 vorgesehen werden. - Vorzugsweise wird eine Oberflächenbehandlung zum Erhöhen der Festigkeit der Verbindung mit dem Verbindungsmaterial
13 an der Unterseite des Kunstharzes10 durchgeführt. Z. B. wird eine Hydrophilisierungsbehandlung zum Aufrauen der Verbindungsfläche durchgeführt. - Ausführungsbeispiel 2
-
2 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 2 der vorliegenden Erfindung. In der Unterseite des Kunstharzes10 ist eine Ausnehmung14 vorgesehen, und das Verbindungsmaterial13 umfließt in die Ausnehmung14 , um einen Anker zu bilden. Die Verbindungsfläche wird dadurch vergrößert, so dass die Festigkeit der Verbindung verbessert wird. Im Übrigen ist die Konstruktion gleich derjenigen in Ausführungsbeispiel1 . - Ausführungsbeispiel 3
-
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die vorliegende Erfindung auf eine doppelseitige Kühlkonstruktion zum Verbessern des Kühlvermögens angewendet. - Eine nachfolgend beschriebene Konstruktion ist zu der Konstruktion von Ausführungsbeispiel
1 hinzugefügt. D. h., eine Kühlrippe15 ist mit der Oberseite des Halbleiterelements1 durch die Hochspannungselektrode 8 und eine Isolierplatte 16 verbunden. Ein Kühler17 hat eine Öffnung18 . Ein Teil der Kühlrippe15 ragt aus einer Oberseite des Kunstharzes10 heraus. Die aus dem Kunstharz10 heraus ragende Kühlrippe15 ist in die Öffnung18 des Kühlers17 eingesetzt. Die Oberseite des Kunstharzes10 und der Kühler17 sind miteinander mittels eines Verbindungsmaterials19 verbunden. - Die oberhalb des Halbleiterelements
1 vorgesehene Kühlkonstruktion kann die gleiche Wirkung wie jene der unterhalb des Halbleiterelements1 vorgesehenen Kühlkonstruktion wie in Ausführungsbeispiel1 beschrieben haben. Eine Verankerungskonstruktion wie jene in Ausführungsbeispiel 2 kann in der Ober- und der Unterseite des Kunstharzes10 vorgesehen sein. - Ausführungsbeispiel 4
-
3 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsbeispiel 3 der vorliegenden Erfindung. Eine Kühlrippe9 besteht aus einer Verbundkonstruktion aus einem isolierenden Keramikmaterial20 und einem elektrisch leitfähigen Material21 mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Im Übrigen ist die Konstruktion gleich derjenigen in Ausführungsbeispiel1 . - Die Wärmeleitfähigkeit der Kühlrippe
9 kann durch Einbetten des elektrisch leitfähigen Materials21 in dem Isoliermaterial20 wie oben beschrieben verbessert werden. Da das elektrisch leitfähige Material21 von dem Halbleiterelement1 durch das Isoliermaterial20 elektrisch isoliert ist, kann die gewünschte Isolation auch sichergestellt werden. - In einem in die Öffnung
12 des Kühlers11 eingesetzten Abschnitt kann das elektrisch leitfähige Material21 aus dem Isoliermaterial20 heraus freiliegen. Eine Verbundkonstruktion der Kühlrippe9 wie beispielsweise jene im vorliegenden Ausführungsbeispiel kann auch auf die Ausführungsbeispiele 2 und 3 angewendet werden. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Halbleiterelement
- 4
- Isolierplatte
- 9
- Kühlrippe (erster Kühlkörper)
- 10
- Kunstharz
- 11
- Kühler (erster Kühler)
- 12
- Öffnung (erste Öffnung)
- 13
- Verbindungsmaterial (erstes Verbindungsmaterial)
- 14
- Ausnehmung
- 15
- Kühlrippe (zweiter Kühlkörper)
- 17
- Kühler (zweiter Kühler)
- 18
- Öffnung (zweite Öffnung)
- 19
- Verbindungsmaterial (zweites Verbindungsmaterial)
- 20
- Isoliermaterial
- 21
- leitfähiges Material
Claims (7)
- Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleiterelement (1); einen mit dem Halbleiterelement (1) verbundenen Kühlkörper (9, 15); ein das Halbleiterelement (1) verkapselndes Kunstharz (10); und einen Kühler (11, 17) mit einer Öffnung (12, 18), wobei ein Teil des Kühlkörpers (9, 15) aus einer Hauptfläche des Kunstharzes (10) heraus ragt, der aus dem Kunstharz (10) heraus ragende Kühlkörper (9, 15) in die Öffnung (12, 18) des Kühlers (11, 17) eingesetzt ist, und die Hauptfläche des Kunstharzes (10) und der Kühler (11, 17) miteinander durch ein Verbindungsmaterial (13, 19) verbunden sind, das dazwischen vorgesehen ist, und wobei das Verbindungsmaterial (13, 19) ein Klebstoff ist und sowohl mit der Hauptfläche des Kunstharzes (10) als auch mit dem Kühler (11, 17) direkt in Verbindung steht.
- Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , bei welcher der Kühler (11, 17) dem Kühlkörper (9, 15) in der Öffnung (12, 18) ein Kühlmedium zuführt. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , ferner mit einer Isolierplatte (4), die zwischen dem Halbleiterelement (1) und dem Kühlkörper (9, 15) vorgesehen ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , bei welcher die Hauptfläche des Kunstharzes (10) aufgeraut ist, damit eine Festigkeit der Verbindung mit dem Verbindungsmaterial (13, 19) erhöht wird. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , bei welcher eine Ausnehmung (14) in der Hauptfläche des Kunstharzes (10) vorgesehen ist, in der das Verbindungmaterial (13, 19) gefüllt ist, das einen Anker bildet. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis5 , bei welcher der Kühlkörper (9, 15) einen ersten Kühlkörper (9), der mit einer Unterseite des Halbleiterelements (1) verbunden ist, und einen zweiten Kühlkörper (15), der mit einer Oberseite des Halbleiterelements (1) verbunden ist, enthält, der Kühler (11, 17) einen ersten Kühler (11) mit einer ersten Öffnung (12) und einen zweiten Kühler (17) mit einer zweiten Öffnung (18) enthält, ein Teil des ersten Kühlkörpers (9) aus einer Unterseite des Kunstharzes (10) heraus ragt, ein Teil des zweiten Kühlkörpers (15) aus einer Oberseite des Kunstharzes (10) heraus ragt, der aus dem Kunstharz (10) heraus ragende erste Kühlkörper (9) in die erste Öffnung (12) des ersten Kühlers (11) eingesetzt ist, der aus dem Kunstharz (10) heraus ragende zweite Kühlkörper (15) in die zweite Öffnung (18) des zweiten Kühlers (17) eingesetzt ist, die Unterseite des Kunstharzes (10) und der erste Kühler (11) miteinander durch ein erstes Verbindungsmaterial (13) verbunden sind, und die Oberseite des Kunstharzes (10) und der zweite Kühler (17) miteinander durch ein zweites Verbindungsmaterial (19) verbunden sind. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , bei welcher ein Kühlkörper (9, 15) aus einer Verbundkonstruktion besteht, die aus einem Isoliermaterial (20) und einem leitfähigen Material (21) gebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2012/053375 WO2013121521A1 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112012005867T5 DE112012005867T5 (de) | 2014-11-13 |
DE112012005867B4 true DE112012005867B4 (de) | 2021-10-07 |
Family
ID=48983685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112012005867.4T Active DE112012005867B4 (de) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9324630B2 (de) |
JP (1) | JP5786972B2 (de) |
CN (1) | CN104126225B (de) |
DE (1) | DE112012005867B4 (de) |
WO (1) | WO2013121521A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101570946B1 (ko) | 2012-02-15 | 2015-11-20 | 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 | 디지털 콘텐트의 콘택스트적 이용 및 만료 |
DE102016222909A1 (de) * | 2016-11-21 | 2018-05-24 | Robert Bosch Gmbh | Kühlkörper zur Kühlung eines Leistungsmoduls und Verfahren zur Herstellung eines Kühlkörpers |
US20190357386A1 (en) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | GM Global Technology Operations LLC | Vascular polymeric assembly |
US11764126B2 (en) * | 2018-11-12 | 2023-09-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP7176397B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2022-11-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
DE102020205979A1 (de) | 2020-05-12 | 2021-11-18 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leistungsmodul mit einer Wärmesenke |
EP4060724B1 (de) * | 2021-03-19 | 2023-08-23 | Hitachi Energy Switzerland AG | Leistungsmodul mit mindestens einem halbleitermodul und verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001250890A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20040096584A1 (en) | 1998-11-13 | 2004-05-20 | Enthone Inc. | Process for metallizing a plastic surface |
JP2005064131A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Denso Corp | 半導体装置 |
US20100282459A1 (en) | 2008-01-22 | 2010-11-11 | Matthias Leonhardt | Heat sink and method for manufacturing a heat sink |
JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US20110304039A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060055056A1 (en) * | 2003-11-21 | 2006-03-16 | Denso Corporation | Semiconductor equipment having a pair of heat radiation plates |
JP2006310363A (ja) | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | パワー半導体装置 |
JP4569473B2 (ja) | 2006-01-04 | 2010-10-27 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型パワー半導体モジュール |
JP5018355B2 (ja) | 2007-09-05 | 2012-09-05 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
JP4586087B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-11-24 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JP2010177529A (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Honda Motor Co Ltd | パワーモジュールのシール部構造 |
JP5382049B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-01-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5432085B2 (ja) * | 2010-08-24 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
-
2012
- 2012-02-14 WO PCT/JP2012/053375 patent/WO2013121521A1/ja active Application Filing
- 2012-02-14 CN CN201280069780.4A patent/CN104126225B/zh active Active
- 2012-02-14 JP JP2013558613A patent/JP5786972B2/ja active Active
- 2012-02-14 US US14/357,669 patent/US9324630B2/en active Active
- 2012-02-14 DE DE112012005867.4T patent/DE112012005867B4/de active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040096584A1 (en) | 1998-11-13 | 2004-05-20 | Enthone Inc. | Process for metallizing a plastic surface |
JP2001250890A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005064131A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2010-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US20100282459A1 (en) | 2008-01-22 | 2010-11-11 | Matthias Leonhardt | Heat sink and method for manufacturing a heat sink |
US20110304039A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112012005867T5 (de) | 2014-11-13 |
US9324630B2 (en) | 2016-04-26 |
US20150108629A1 (en) | 2015-04-23 |
CN104126225B (zh) | 2017-04-12 |
JPWO2013121521A1 (ja) | 2015-05-11 |
WO2013121521A1 (ja) | 2013-08-22 |
JP5786972B2 (ja) | 2015-09-30 |
CN104126225A (zh) | 2014-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE112012005867B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102014212376B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112013007390B4 (de) | Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug | |
DE112013007047B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE112012006656B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112014002061T5 (de) | Halbleitermodul | |
DE102017203024B4 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE112013007447B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112015000446B4 (de) | Wasserdichte elektronische Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102009042399B4 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE112014005694B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE102018124171A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102009011233A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102011082781B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit einer plattenelektrode zum verbinden einer mehrzahl an halbleiterchips | |
DE102012224355A1 (de) | Leistungsmodul | |
DE102016208034B4 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE112019000595T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102014113376A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines chip-package, chip-package, verfahren zum herstellen einer chip-baugruppe und chip-baugruppe | |
DE102016203581A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE112008002559T5 (de) | Drahtlose Halbleiterbaugruppe für effiziente Wärmeabfuhr | |
DE102014111786A1 (de) | Kühlplatte, Bauelement, das eine Kühlplatte umfasst, und Verfahren zum Herstellen einer Kühlplatte | |
DE102016000264B4 (de) | Halbleiterchipgehäuse, das sich lateral erstreckende Anschlüsse umfasst, und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE112014001491T5 (de) | Halbleitermodul | |
DE102014102364A1 (de) | Mehrchipbaugruppe mit getrennten zwischenverbindungen zwischen chips | |
DE102014118080A1 (de) | Wärmespreizer, elektronisches Modul mit einem Wärmespreizer und Verfahren zur Herstellung davon |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PRUEFER & PARTNER GBR, DE Representative=s name: PRUEFER & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANW, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R084 | Declaration of willingness to licence | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |