DE112006003435B4 - Light emitting diode in head radiation and side emission type - Google Patents

Light emitting diode in head radiation and side emission type Download PDF

Info

Publication number
DE112006003435B4
DE112006003435B4 DE112006003435T DE112006003435T DE112006003435B4 DE 112006003435 B4 DE112006003435 B4 DE 112006003435B4 DE 112006003435 T DE112006003435 T DE 112006003435T DE 112006003435 T DE112006003435 T DE 112006003435T DE 112006003435 B4 DE112006003435 B4 DE 112006003435B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
substrate
light
terminals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE112006003435T
Other languages
German (de)
Other versions
DE112006003435T5 (en
Inventor
Seung Ryeol Ryu
Jae Ho Cho
Seok Jin Kang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of DE112006003435T5 publication Critical patent/DE112006003435T5/en
Application granted granted Critical
Publication of DE112006003435B4 publication Critical patent/DE112006003435B4/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Abstract

Lichtemittierende Diode (300, 400, 500), umfassend: ein Substrat (310, 410, 510) mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche; einen ersten und einen zweiten Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c), die auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c), der auf der Oberseite auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) angebracht ist; wobei der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats (310, 410, 510) verlaufen und der erste und...A light emitting diode (300, 400, 500) comprising: a substrate (310, 410, 510) having a top and a back surface, and first and second side surfaces; a first and a second connection (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) which are on the top of the substrate (310, 410, 510) are formed so as to be spaced from each other with a predetermined gap; and a light emitting diode chip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c) mounted on top of any of the first and second terminals (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) is attached; wherein the first and second terminals (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) are formed to be on the same first side surface and the back surface of the substrate (310, 410, 510) and the first and ...

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtemittierende Diode, und im Spezielleren auf eine lichtemittierende Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart mit einer Anschlussanordnung, die nicht nur in einer Kopfabstrahlungsbauart, sondern auch in einer Seitenabstrahlungsbauart verwendbar ist.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly to a light emitting diode of combined head and side emitting type having a terminal arrangement usable not only in a head radiation type but also in a side emission type.

Stand der TechnikState of the art

Eine lichtemittierende Diode ist prinzipiell eine Halbleiterdiode mit PN-Übergang. Wenn Halbleiter der P-Art und N-Art miteinander verbunden werden und eine Spannung daran angelegt wird, bewegen sich Defektelektronen bzw. Löcher des Halbleiters der P-Art in Richtung zum Halbleiter der N-Art, um sich dort in einer Mittenschicht von ihm anzusammeln, wohingegen sich Elektronen des Halbleiters der N-Art in Richtung zum Halbleiter der P-Art bewegen, um sich in einer Mittenschicht anzusammeln, bei der es sich um den niedrigsten Ort in einem Leitungsband handelt. Die Elektronen fallen in natürlicher Weise in Löcher in einem Valenzband. Dabei wird die Energie abgestrahlt, die dem Niveauunterschied – d. h. einer Energielücke – zwischen dem Leitungsband und dem Valenzband entspricht. Die Energie wird in Form von Licht abgestrahlt.A light-emitting diode is in principle a semiconductor diode with PN junction. When P-type and N-type semiconductors are connected to each other and a voltage is applied thereto, holes of the P-type semiconductor move toward the N-type semiconductor to accumulate therefrom in a center layer thereof whereas electrons of the N-type semiconductor move toward the P-type semiconductor to accumulate in a center layer, which is the lowest location in a conduction band. The electrons naturally fall into holes in a valence band. The energy is radiated, the difference in level - d. H. an energy gap - between the conduction band and the valence band. The energy is radiated in the form of light.

Da eine solche lichtemittierende Diode Licht mit hohem Wirkungsgrad bei niedriger Spannung aussenden kann, wurde die lichtemittierende Diode für elektrische Geräte, Fernsteuerungen, elektronische Anzeigetafeln, Anzeigen und verschiedene automatische Vorrichtungen verwendet. Da insbesondere Informationstelekommunikationsgeräte klein und schmal werden, werden auch Widerstände, Kondensatoren, Rauschfilter und dergleichen, bei denen es sich um verschiedene Gerätebauteile handelt, immer kleiner. Um lichtemittierende Dioden direkt auf einer Leiterplatte oder dergleichen anzubringen, sind lichtemittierende Dioden in SMD-Bauart (SMD = Surface Mount Device = oberflächenmontierbares Bauteil) hergestellt worden. Solche lichtemittierenden Dioden in SMD-Bauart werden je nach Einsatzfall in Kopf- oder Seitenabstrahlungsbauart hergestellt.Since such a light-emitting diode can emit high-efficiency light at a low voltage, the light-emitting diode has been used for electric appliances, remote controls, electronic scoreboards, displays, and various automatic devices. In particular, since information telecommunication devices become small and narrow, resistors, capacitors, noise filters and the like, which are various device components, become smaller and smaller. In order to mount light-emitting diodes directly on a printed circuit board or the like, SMD (Surface Mount Device) type light emitting diodes have been fabricated. Such SMD-type light-emitting diodes are manufactured in head or Seitenabstrahlungsbauart depending on the application.

Eine gewöhnliche lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart wird mit Bezug auf 1 und 2 erläutert.An ordinary head emitting type light emitting diode will be described with reference to FIG 1 and 2 explained.

Die in 1 und 2 gezeigte lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 20 mit einer darin ausgebildeten Reflexionsöffnung 25, einen in der Reflexionsöffnung 25 angebrachten lichtemittierenden Diodenchip 10, einen ersten und zweiten Anschluss 30 und 40, die auf der Oberseite des Substrats 20 ausgebildet sind, ein Formteil 50, in das der lichtemittierende Diodenchip 10 eingekapselt ist, und einen ersten und zweiten Draht 60 bzw. 70. Vorzugsweise liegen bestimmte Bereiche des ersten und zweiten Anschlusses 30 und 40 zur Außenumgebung des Formteils 50 hin frei. Das Formteil 50 kann in verschiedenen Formen gebildet werden.In the 1 and 2 A top-emitting type light emitting diode shown comprises a substrate 20 with a reflection opening formed therein 25 , one in the reflection opening 25 mounted light emitting diode chip 10 , a first and second connection 30 and 40 on the top of the substrate 20 are formed, a molding 50 into which the light emitting diode chip 10 is encapsulated, and a first and second wire 60 respectively. 70 , Preferably, certain areas of the first and second terminals are located 30 and 40 to the outside environment of the molding 50 free. The molding 50 can be formed in different shapes.

Gemäß einer lichtemittierenden Diode mit einem vorstehend beschriebenen Aufbau wird das vom lichtemittierenden Diodenchip 10 ausgesendete Licht nach oben durch die Reflexionsöffnung 25 geworfen und durch das Formteil 50 hindurch nach außen abgestrahlt.According to a light emitting diode having a structure as described above, that of the light emitting diode chip 10 emitted light up through the reflection opening 25 thrown and through the molding 50 through to the outside.

Eine gewöhnliche lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart wird mit Bezug auf 3 und 4 erläutert. Die in 3 und 4 gezeigte lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 110, einen ersten und zweiten Anschluss 120 und 130, die auf dem Substrat 110 ausgebildet sind, einen lichtemittierenden Diodenchip 140, der am zweiten Anschluss angebracht ist, einen am Substrat ausgebildeten Reflektor 150, um das vorn lichtemittierenden Diodenchip 140 ausgesendete Licht in eine seitliche Richtung zu reflektieren, und ein Formteil 180, in welches der lichtemittierende Diodenchip 140 eingekapselt ist.An ordinary side emitting type light emitting diode will be described with reference to FIG 3 and 4 explained. In the 3 and 4 The side emitting type light emitting diode shown comprises a substrate 110 , a first and second connection 120 and 130 that on the substrate 110 are formed, a light emitting diode chip 140 , which is attached to the second terminal, a reflector formed on the substrate 150 to the front light-emitting diode chip 140 reflected light in a lateral direction, and a molded part 180 into which the light-emitting diode chip 140 encapsulated.

Bei der in Seitenabstrahlungsbauart ausgeführten lichtemittierenden Diode mit einem vorstehend beschriebenen Aufbau sind der erste und zweite Anschluss mit einer vorbestimmten Leiterplatte so verbunden, dass das vorn lichtemittierenden Diodenchip ausgesendete Licht seitlich abgestrahlt wird. Eine solche lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart wird hauptsächlich als Lichtquelle einer Hintergrundbeleuchtungseinheit in einer Flüssigkristallanzeige für ein mobiles Kommunikationsendgerät verwendet.In the side emitting type light emitting diode having a structure as described above, the first and second terminals are connected to a predetermined circuit board so that the light emitted from the light emitting diode chip is emitted laterally. Such a side emitting type light emitting diode is mainly used as a light source of a backlight unit in a liquid crystal display for a mobile communication terminal.

Wie vorstehend beschrieben ist, sollten, da die lichtemittierenden Dioden in Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart verschiedene Konstruktionen haben, die jeweiligen lichtemittierenden Dioden entsprechend einem Einsatzfall eines anwendungsbezogenen Produkts auf unterschiedlichem Weg hergestellt werden. Wenn Produktgruppen diversifiziert werden, besteht von daher ein Problem, dass für jedes Produkt zusätzliche Produktionsmöglichkeiten erforderlich sind.As described above, since the head and side emitting type light emitting diodes have different constructions, the respective light emitting diodes should be manufactured in different ways according to an application case of an application-related product. When diversifying product groups, there is a problem that additional product capabilities are required for each product.

Dabei gilt, dass die Helligkeit einer lichtemittlerenden Diode proportional zu einem an den lichtemittlerenden Diodenchip angelegten Strom ist, und der an den lichtemittierenden Diodenchip angelegte Strom ist proportional zur Wärme, die von ihm abgestrahlt wird. Demzufolge sollte an eine lichtemittierende Diode ein hoher Strom angelegt werden, um deren Helligkeit zu steigern. Da jedoch der lichtemittierende Diodenchip durch die von Ihm abgestrahlte Wärme beschädigt wird, besteht Insofern ein Problem, als dass ein hoher Strom nicht unbegrenzt angelegt werden kann. Bei der vorstehend erwähnten, herkömmlichen lichtemittierenden Diode wird die vom lichtemittierenden Diodenchip abgestrahlte Wärme durch einen Anschluss abgeführt. Da ein solcher Anschluss oder eine derartige Wärmeableitung in einer einzigen Richtung ausgebildet ist, besteht auch ein Problem dahin gehend, dass die Wärmeabstrahlung nicht effektiv ist.Here, the brightness of a light emitting diode is proportional to a current applied to the light emitting diode chip, and the current applied to the light emitting diode chip is proportional to the heat radiated from it. Accordingly, should be to a light emitting diode, a high current can be applied to increase their brightness. However, since the light-emitting diode chip is damaged by the heat radiated by it, there is a problem in that a high current can not be applied indefinitely. In the above-mentioned conventional light emitting diode, the heat radiated from the light emitting diode chip is dissipated through a terminal. Since such a terminal or heat dissipation is formed in a single direction, there is also a problem that the heat radiation is not effective.

Die DE 298 25 062 U1 offenbart ein optoelektronisches Bauelement, bei dem ein optoelektronischer Chip auf einem Chipträgerteil eines Leiterrahmens befestigt ist, bei dem der Leiterrahmen ein in einem Abstand zum Chipträgerteil angeordnetes Anschlussteil aufweist, das mit einem elektrischen Kontakt des optoelektronischen Chips elektrisch leitend verbunden ist, und der optoelektronsische Chip und ein Teil des Leiterrahmens derart von einer Umhüllung umgeben sind, dass externe Anschlüsse, die mit dem Chipträgerteil oder mit dem Anschlussteil elektrisch verbunden sind, aus der Umhüllung herausragen, wobei wenigstens drei externe Anschlüsse vorgesehen sind, die mit dem Chipträgerteil thermisch leitend verbunden sind, an verschiedenen, einen Abstand voneinander aufweisenden Stellen der Umhüllung aus dieser heraus ragen und derart geformt sind, dass sie in einem auf einer für die Montage des Bauelements vorgesehenen Leiterplatte montierten Zustands des Bauelements alle gleichzeitig auf der Anschluss- oder Leiterplatte aufliegen.The DE 298 25 062 U1 discloses an optoelectronic component in which an optoelectronic chip is mounted on a chip carrier part of a leadframe in which the leadframe has a connection part arranged at a distance from the chip carrier part, which is electrically connected to an electrical contact of the optoelectronic chip, and the optoelectronic chip and a portion of the lead frame is surrounded by a cladding such that external terminals electrically connected to the chip carrier portion or to the terminal portion protrude from the cladding, providing at least three external terminals thermally conductively connected to the chip carrier portion various, spaced-apart locations of the enclosure protrude out of this and are shaped so that they all in a connected to a provided for the assembly of the component board state of the device at the same time on the Anschluss- he rest the circuit board.

Die US 6 540 377 B1 offenbart ein lichtemittierendes System, das eine Basis aufweist und bei dem LEDs an einer vorderen Oberfläche der Basis angeordnet sind. Die Anordnung der LEDs umfasst eine erste Gruppe von LEDs, die jeweils eine erste und eine zweite Elektrode an einer lichtemittierenden Oberflächenseite aufweisen, und eine zweite Gruppe von LEDs, die jeweils eine erste Elektrode an der lichtemittlerenden Oberflächenseite und eine zweite Elektrode an der Basisseite aufweisen. Die erste Gruppe und die zweite Gruppe sind abwechselnd in einer Linie an der vorderen Oberfläche der Basis angeordnet. Die erste Gruppe der LEDs umfasst zumindest eine blaue LED und grüne LEDs in einer größeren Anzahl als die blauen LEDs. Die zweite Gruppe von LEDs umfasst rote LEDs in einer größeren Anzahl als die blauen LEDs. Es wird daher eine Vollfarben-Lichtquelleneinheit bereit gestellt, die die erste und zweite Gruppe von LEDs umfasst.The US Pat. No. 6,540,377 B1 discloses a light emitting system having a base and having LEDs disposed on a front surface of the base. The arrangement of the LEDs includes a first group of LEDs each having first and second electrodes on a light emitting surface side and a second group of LEDs each having a first electrode on the light emitting surface side and a second electrode on the base side. The first group and the second group are alternately arranged in a line on the front surface of the base. The first group of LEDs comprises at least one blue LED and green LEDs in a larger number than the blue LEDs. The second group of LEDs includes red LEDs in greater numbers than the blue LEDs. There is therefore provided a full-color light source unit comprising the first and second groups of LEDs.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Technisches ProblemTechnical problem

Die vorliegende Erfindung ist so konzipiert, dass sie die vorstehend erwähnten, im Stand der Technik bestehenden Probleme löst. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine lichtemittierende Diode zur Verfügung zu stellen, die nicht nur in Kopfabstrahlungsbauart, sondern auch in Seitenabstrahlungsbauart verwendet werden kann.The present invention is designed to solve the aforementioned problems of the prior art. An object of the present invention is to provide a light-emitting diode which can be used not only in head radiation type but also in side emission type.

Technische LösungTechnical solution

Eine erfindungsgemäße lichtemittierende Diode ist jeweils in den Ansprüchen 1, 5 und 6 definiert. Weitere, die Erfindung ausgestaltende Merkmale sind in den Unteransprüchen enthalten, Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung zur Lösung der Aufgabe ist eine lichtemittierende Diode bereitgestellt, umfassend ein Substrat mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche, einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf der Oberseite auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind und einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf der Oberseite auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses angebracht ist, wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats verlaufen und der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie sich auch bis auf dieselbe zweite Seitenfläche des erstrecken.A light emitting diode according to the invention is defined in claims 1, 5 and 6, respectively. Further features embodying the invention are set out in the subclaims. According to one aspect of the present invention for achieving the object, there is provided a light emitting diode comprising a substrate having a top surface and a back surface, first and second side surfaces, first and second surfaces second terminal formed on the upper side on the substrate so as to be spaced apart from each other with a predetermined gap, and a light emitting diode chip mounted on the upper side on any one of the first and second terminals, the first and second terminals being formed are that they extend on the same first side surface and the rear surface of the substrate, and the first and second terminals are formed so as to extend to the same second side surface thereof.

Die lichtemittierende Diode kann darüber hinaus ein Formteil umfassen, in das der lichtemittierende Diodenchip eingekapselt ist.The light-emitting diode may further include a molded article in which the light-emitting diode chip is encapsulated.

Die lichtemittierende Diode kann darüber hinaus einen Reflektor umfassen, der auf dem Substrat ausgebildet ist.The light-emitting diode may further include a reflector formed on the substrate.

Der Anschluss, auf dem der lichtemittierende Diodenchip angebracht ist, kann so ausgebildet sein, dass er größer als der andere Anschluss ist.The terminal on which the light emitting diode chip is mounted may be formed to be larger than the other terminal.

Vorteilhafte WirkungenAdvantageous effects

Wie vorstehend beschrieben, sind gemäß der vorliegenden Erfindung Anschlüsse mit unterschiedlicher Polarität auf derselben Seiten- und Rückfläche eines Substrats ausgebildet, wodurch eine lichtemittierende Diode nicht nur in einer Kopf-, sondern auch in einer Seitenabstrahlungsbauart verwendet werden kann. Im Ergebnis besteht ein Vorteil dahingehend, dass es unnötig ist, lichtemittierende Dioden je nach Einsatzfall eines anwendungsbezogenen Produkts auf unterschiedlichem Weg herzustellen, so dass Produktentwicklungskosten verringert werden können und das Produktmanagement vereinfacht werden kann.As described above, according to the present invention, terminals of different polarity are formed on the same side and back surfaces of a substrate, whereby a light emitting diode can be used not only in a head but also in a side emitting type. As a result, there is an advantage in that it is unnecessary to manufacture light-emitting diodes in different ways depending on the application of an application-related product, thereby reducing product development costs and product management can be simplified.

Darüber hinaus besteht ein Vorteil darin, dass die Fläche eines Anschlusses erhöht ist, wodurch der Wärmeabstrahlungswirkungsgrad gesteigert werden kann.In addition, there is an advantage in that the area of a terminal is increased, whereby the heat radiation efficiency can be increased.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 und 2 sind eine perspektivische bzw. eine Schnittansicht einer gewöhnlichen lichtemittierenden Diode in Kopfabstrahlungsbauart. 1 and 2 FIG. 15 are a perspective and a sectional view, respectively, of a conventional head emitting type light emitting diode. FIG.

3 und 4 sind eine perspektivische bzw. eine Schnittansicht einer gewöhnlichen lichtemittierenden Diode in Seitenabstrahlungsbauart. 3 and 4 FIG. 15 are a perspective and a sectional view, respectively, of a conventional side-emitting type light-emitting diode. FIG.

5 bis 8 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem ersten Beispiel zur Erläuterung von Teilaspekten der vorliegenden Erfindung. 5 to 8th FIG. 15 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side radiation type light emitting diode according to a first example for explaining aspects of the present invention. FIG.

9 bis 12 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem zweiten Beispiel zur Erläuterung von Teilaspekten der vorliegenden Erfindung. 9 to 12 Fig. 15 are a perspective view, a plan view, a side view and a rear view, respectively, of a head and side emission type light emitting diode according to a second example for explaining aspects of the present invention.

13 bis 16 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem dritten Beispiel zur Erläuterung von Teilaspekten der vorliegenden Erfindung. 13 to 16 FIG. 12 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side radiation type light emitting diode according to a third example for explaining aspects of the present invention. FIG.

Beste Art und Weise zur Ausführung der ErfindungBest mode for carrying out the invention

Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

5 bis 8 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem ersten Beispiel. 5 to 8th FIG. 12 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side emitting light emitting diode according to a first example. FIG.

Die in 5 bis 8 gezeigte, lichtemittierende Diode 300 in kombinierter Kopf und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 310, einen ersten Anschluss 320, einen zweiten Anschluss 330, einen lichtemittierenden Diodenchip 340, einen Reflektor 350, einen ersten Draht 360, einen zweiten Draht 370 und ein Formteil 380.In the 5 to 8th shown, light emitting diode 300 Combined head and side emission type includes a substrate 310 , a first connection 320 , a second connection 330 , a light emitting diode chip 340 , a reflector 350 , a first wire 360 , a second wire 370 and a molding 380 ,

Der erste und zweite Anschluss 320 und 330 sind auf dem Substrat 310 so ausgebildet, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind. Der erste und zweite Anschluss 320 und 330 verlaufen in derselben Richtung und sind auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats 310 ausgebildet, die freiliegen soll. Somit werden der erste und zweite Anschluss 320 und 330 gleichzeitig auf der Seitenfläche des Substrats gebildet.The first and second connection 320 and 330 are on the substrate 310 formed so that they are spaced from each other with a predetermined gap. The first and second connection 320 and 330 extend in the same direction and are on the same side and back surface of the substrate 310 trained to be exposed. Thus, the first and second connection 320 and 330 simultaneously formed on the side surface of the substrate.

Obwohl der erste und zweite Anschluss bei dem ersten Beispiel auf der Seiten- und Rückfläche des Substrats ausgebildet sind, sind der erste und zweite Anschluss bei einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform so ausgebildet, dass sie sich bis zur anderen Seitenfläche des Substrats erstrecken. Dabei ist festzuhalten, dass, obwohl die lichtemittierende Diode in dieser Ausführungsform in einer rechteckigen Form dargestellt ist, die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt ist. Das heißt, dass die lichtemittierende Diode die Form eines Quadrats annehmen und in verschiedenen Formen gebildet werden kann.Although the first and second terminals are formed on the side and back surfaces of the substrate in the first example, in a first embodiment of the present invention, the first and second terminals are formed to extend to the other side surface of the substrate. It should be noted that although the light-emitting diode is shown in a rectangular shape in this embodiment, the present invention is not limited thereto. That is, the light-emitting diode may take the form of a square and be formed in various shapes.

Der lichtemittierende Diodenchip 340 ist auf dem Substrat 310 ausgebildet. Der erste Draht 360 stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem lichtemittierenden Diodenchip 340 und dem ersten Anschluss 320 her, und der zweite Draht 370 stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem lichtemittierenden Diodenchip 340 und dem zweiten Anschluss 330 her. Dabei kann zur Bildung des Substrats 310 ein Wärme leitendes Harz verwendet werden, damit die vom lichtemittierenden Diodenchip 340 abgegebene Wärme abgestrahlt werden kann. Obwohl in dieser Ausführungsform der lichtemittierende Diodenchip 340 auf dem Substrat 310 ausgebildet ist, kann der lichtemittierende Diodenchip 340 auf dem ersten oder zweiten Anschluss 320 oder 330 ausgebildet sein.The light emitting diode chip 340 is on the substrate 310 educated. The first wire 360 provides an electrical connection between the light emitting diode chip 340 and the first connection 320 ago, and the second wire 370 provides an electrical connection between the light emitting diode chip 340 and the second port 330 ago. It can be used to form the substrate 310 a heat conductive resin may be used to allow the light emitting diode chip 340 emitted heat can be emitted. Although in this embodiment, the light emitting diode chip 340 on the substrate 310 is formed, the light emitting diode chip 340 on the first or second connection 320 or 330 be educated.

Der Reflektor 350 ist so ausgebildet, dass er entlang eines Außenumfangs am Substrat 310 eine vorbestimmte Höhe hat, um dazu zu dienen, das vom lichtemittierenden Diodenchip 340 ausgesendete Licht zu sammeln.The reflector 350 is formed to be along an outer periphery of the substrate 310 has a predetermined height to serve that of the light emitting diode chip 340 to collect emitted light.

Das Formteil 380 ist im Inneren des Reflektors 350 am Substrat so ausgebildet, um den lichtemittierenden Diodenchip 340 einzukapseln. Das Formteil 380 wird hierbei gebildet, indem ein Material wie etwa ein flüssiges Epoxid- oder Silikonharz in den Reflektor 350 eingebracht und dann eine vorbestimmte Zeit lang erwärmt und vernetzt wird. Des Weiteren kann dem Formteil 380 Phosphor zugemischt werden, der das vom lichtemittierenden Diodenchip 340 ausgesendete Licht absorbiert und eine Wellenlänge des Lichts in eine vorbestimmte Wellenlänge umwandelt.The molding 380 is inside the reflector 350 on the substrate so formed to the light emitting diode chip 340 encapsulate. The molding 380 is formed here by a material such as a liquid epoxy or silicone resin in the reflector 350 is introduced and then heated and crosslinked for a predetermined time. Furthermore, the molding can 380 Phosphor be mixed, that of the light emitting diode chip 340 absorbs emitted light and converts a wavelength of the light into a predetermined wavelength.

Gemäß dem vorstehend erwähnten Aufbau ist, da der erste und zweite Anschluss 320 und 330 auf der Seiten- und Rückfläche ausgebildet sind, die Rückfläche des Substrats an einer vorbestimmten Leiterplatte angebracht, wenn die lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart verwendet wird, während die Seitenfläche des Substrats an einer vorbestimmten Leiterplatte angebracht wird, wenn die lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart verwendet wird. Wenn die vorstehend erwähnte lichtemittierende Diode 300 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart verwendet wird, ist es dementsprechend unnötig, entsprechend einem Einsatzfall eines Produkts lichtemittierende Dioden auf unterschiedlichem Wege herzustellen. According to the above-mentioned structure, since the first and second terminals 320 and 330 on the side and back surfaces, the rear surface of the substrate is mounted on a predetermined circuit board when the head emitting type light emitting diode is used, while the side surface of the substrate is mounted on a predetermined circuit board when the side emitting type light emitting diode is used. When the above-mentioned light-emitting diode 300 Accordingly, it is unnecessary to make light-emitting diodes in different ways according to a case of use of a product, in combined head and side radiation type.

9 bis 12 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem zweiten Beispiel. Das zweite Beispiel unterscheidet sich von dem ersten Beispiel darin, dass eine lichtemittierende Diode 400 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß dem zweiten Beispiel mehrere lichtemittierende Diodenchips (in diesem Beispiel drei lichtemittierende Diodenchips) sowie mehrere erste und zweite Anschlüsse hat; die anderen Komponenten der beiden Beispiele sind annähernd dieselben. Von daher werden nachstehend nur Abschnitte beschrieben, die sich voneinander unterscheiden. 9 to 12 FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side radiation type light emitting diode according to a second example. FIG. The second example differs from the first example in that a light emitting diode 400 in combined head and Seitenabstrahlungsbauart according to the second example, a plurality of light-emitting diode chips (in this example, three light-emitting diode chips) and a plurality of first and second terminals; the other components of the two examples are approximately the same. Therefore, only sections that differ from each other will be described below.

Die in 9 bis 12 gezeigte, lichtemittierende Diode 400 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 410, erste Anschlüsse 420a, 420b und 420c, zweite Anschlüsse 430a, 430b und 430c, lichtemittierende Diodenchips 440a, 440b und 440c, einen Reflektor 450, Drähte 460a, 460b und 460c, und ein Formteil 480.In the 9 to 12 shown, light emitting diode 400 in combined head and side radiation type comprises a substrate 410 , first connections 420a . 420b and 420c , second connections 430a . 430b and 430c , light emitting diode chips 440a . 440b and 440c , a reflector 450 , Wires 460a . 460b and 460c , and a molding 480 ,

Die ersten und zweiten Anschlüsse sind so ausgebildet, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind. In dem vorliegenden Beispiel sind die ersten und zweiten Anschlüsse so ausgebildet, dass sie voneinander in der Reihenfolge erster Anschluss 420a, zweiter Anschluss 430a, zweiter Anschluss 430b, erster Anschluss 420b, zweiter Anschluss 430c und erster Anschluss 420c beabstandet sind. Die Anordnungsreihenfolge der ersten und zweiten Anschlüsse ist aber nicht hierauf beschränkt. Das heißt, dass die ersten und zweiten Anschlüsse auch anders angeordnet werden können. Darüber hinaus können die ersten und zweiten Anschlüsse auch in einer Sonderform von Reihenfolgen angeordnet werden.The first and second terminals are formed so as to be spaced from each other with a predetermined clearance. In the present example, the first and second terminals are formed to be in the order of first connection from each other 420a , second connection 430a , second connection 430b , first connection 420b , second connection 430c and first connection 420c are spaced. However, the arrangement order of the first and second terminals is not limited to this. This means that the first and second connections can also be arranged differently. In addition, the first and second ports may also be arranged in a special form of order.

Die ersten und zweiten Anschlüsse sind so ausgebildet, dass sie in derselben Richtung verlaufen, und derart, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats freiliegen. Das heißt, die ersten und zweiten Anschlüsse 420a, 420b, 420c, 430a, 430b und 430c werden gleichzeitig auf der Seitenfläche des Substrats gebildet. Obwohl die ersten und zweiten Anschlüsse bei diesem zweiten Beispiel nur auf der Seiten- und Rückfläche des Substrats gebildet sind, sind bei der zweiten erfindungsgemäßen Ausführungsform die ersten und zweiten Anschlüsse so gebildet, dass sie sich bis zur anderen Seitenfläche des Substrats erstrecken.The first and second terminals are formed to extend in the same direction and to be exposed on the same side and back surfaces of the substrate. That is, the first and second ports 420a . 420b . 420c . 430a . 430b and 430c are simultaneously formed on the side surface of the substrate. Although the first and second terminals are formed only on the side and back surfaces of the substrate in this second example, in the second embodiment of the present invention, the first and second terminals are formed to extend to the other side surface of the substrate.

Die lichtemittierenden Diodenchips 440a, 440b und 440c sind an den zweiten Anschlüssen 430a, 430b bzw. 430c angebracht. Die zweiten Anschlüsse können so gebildet sein, dass sie größer als die ersten Anschlüsse sind. Alternativ können die lichtemittierenden Diodenchips an den ersten Anschlüssen angebracht werden. Dabei können die lichtemittierenden Diodenchips 440a, 440b und 440c lichtemittierende Diodenchips sein, die eine rote Wellenlänge R, grüne Wellenlänge G bzw. blaue Wellenlänge B aussenden. Außerdem können lichtemittierende Diodenchips mit verschiedenen Wellenlängen verwendet werden.The light-emitting diode chips 440a . 440b and 440c are at the second connections 430a . 430b respectively. 430c appropriate. The second terminals may be formed to be larger than the first terminals. Alternatively, the light emitting diode chips may be attached to the first terminals. In this case, the light emitting diode chips 440a . 440b and 440c be light emitting diode chips emitting a red wavelength R, green wavelength G and blue wavelength B. In addition, light emitting diode chips with different wavelengths can be used.

Die Drähte 460a, 460b und 460c stellen eine elektrische Verbindung zwischen den lichtemittierenden Diodenchips und den ersten Anschlüssen her.The wires 460a . 460b and 460c establish an electrical connection between the light emitting diode chips and the first terminals.

Das Formteil 480 ist im Inneren des Reflektors 450 am Substrat so ausgebildet, dass es die lichtemittierenden Diodenchips einkapselt. Des Weiteren kann dem Formteil 480 Phosphor zugemischt werden, der das von den lichtemittierenden Diodenchips ausgesendete Licht absorbiert und eine Wellenlänge des Lichts in eine vorbestimmte Wellenlänge umwandelt.The molding 480 is inside the reflector 450 formed on the substrate so that it encapsulates the light emitting diode chips. Furthermore, the molding can 480 Phosphorus can be mixed, which absorbs the light emitted from the light emitting diode chips emitted light and converts a wavelength of light into a predetermined wavelength.

Obwohl in dieser Ausführungsform die lichtemittierende Diode die drei lichtemittierenden Diodenchips, die drei ersten Anschlüsse und die drei zweiten Anschlüsse hat, ist dies nur eine beispielhafte Ausführungsform zur Beschreibung. Das heißt, dass die Anzahl der lichtemittierenden Diodenchips oder der ersten und zweiten Leiter nicht darauf beschränkt ist.Although in this embodiment the light emitting diode has the three light emitting diode chips, the three first terminals and the three second terminals, this is only an exemplary embodiment for description. That is, the number of the light emitting diode chips or the first and second conductors is not limited thereto.

13 bis 16 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einem dritten Beispiel. Das dritte Beispiel unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform dahingehend, dass eine lichtemittierende Diode 500 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß dem dritten Beispiel der vorliegenden Erfindung über keinen Reflektor verfügt; die anderen Komponenten beider Ausführungsformen sind nahezu dieselben. Von daher werden nachstehend nur Abschnitte beschrieben, die sich voneinander unterscheiden. 13 to 16 FIG. 15 is a perspective view, a plan view, a side view and a rear view, respectively, of a combined head and side emission type light emitting diode according to a third example. FIG. The third example differs from the second embodiment in that a light emitting diode 500 in combined head and Seitenabstrahlungsbauart according to the third example of the present invention has no reflector; the other components of both embodiments are nearly the same. Therefore, only sections that differ from each other will be described below.

Die in 13 bis 16 gezeigte, lichtemittierende Diode 500 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 510, erste Anschlüsse 520a, 520b und 520c und zweite Anschlüsse 530a, 530b und 530c, die auf dem Substrat 510 so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind, lichtemittierende Diodenchips 540a, 540b und 540c, die jeweils an den zweiten Anschlüssen angebracht sind, Drähte 560a, 560b und 560c, die eine elektrische Verbindung zwischen den lichtemittierenden Diodenchips und den ersten Anschlüssen herstellen, und ein Formteil 580, in das die lichtemittierenden Diodenchips eingekapselt sind.In the 13 to 16 shown, light emitting diode 500 in combined head and side radiation type comprises a substrate 510 , first connections 520a . 520b and 520c and second connections 530a . 530b and 530c that on the substrate 510 are formed so as to be spaced from each other with a predetermined gap, light emitting diode chips 540a . 540b and 540c , which are respectively attached to the second terminals, wires 560a . 560b and 560c which make an electrical connection between the light-emitting diode chips and the first terminals, and a molded part 580 in which the light emitting diode chips are encapsulated.

Claims (8)

Lichtemittierende Diode (300, 400, 500), umfassend: ein Substrat (310, 410, 510) mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche; einen ersten und einen zweiten Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c), die auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c), der auf der Oberseite auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) angebracht ist; wobei der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats (310, 410, 510) verlaufen und der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie sich auch bis auf dieselbe zweite Seitenfläche des Substrats (310, 410, 510) erstrecken.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) comprising: a substrate ( 310 . 410 . 510 ) having a top and a rear surface, and a first and a second side surface; a first and a second connection ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ), which are on top of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) are formed so as to be spaced from each other with a predetermined clearance; and a light emitting diode chip ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) located on top of any one of the first and second ports ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) is attached; wherein the first and second terminals ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they on the same first side surface and the rear surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) and the first and second connections ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they extend to the same second side surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ). Lichtemittierende Diode (300, 400, 500) nach Anspruch 1, darüber hinaus ein Formteil (380, 480, 580) umfassend, in das der lichtemittierende Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c) eingekapselt ist.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) according to claim 1, in addition a molded part ( 380 . 480 . 580 ) into which the light-emitting diode chip ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) is encapsulated. Lichtemittierende Diode (300, 400, 500) nach Anspruch 1 oder 2, darüber hinaus einen Reflektor umfassend, der auf dem Substrat (310, 410, 510) ausgebildet ist.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) according to claim 1 or 2, further comprising a reflector mounted on the substrate ( 310 . 410 . 510 ) is trained. Lichtemittierende Diode (300, 400, 500) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Anschluss, auf dem der lichtemittierende Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c) angebracht ist, so ausgebildet ist, dass er größer als der andere Anschluss ist.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) according to claim 1 or 2, wherein the terminal on which the light emitting diode chip ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) is adapted to be larger than the other terminal. Lichtemittierende Diode (300, 400, 500), umfassend: ein Substrat (310, 410, 510) mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche; einen ersten und einen zweiten Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c), die auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c), der auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) angebracht ist, wobei der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats (310, 410, 510) verlaufen und der erste und zweite Anschluss (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie sich auch bis auf dieselbe zweite Seitenfläche des Substrats (310, 410, 510) erstrecken.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) comprising: a substrate ( 310 . 410 . 510 ) having a top and a rear surface, and a first and a second side surface; a first and a second connection ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ), which are on top of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) are formed so as to be spaced from each other with a predetermined clearance; and a light emitting diode chip ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) placed on top of the substrate ( 310 . 410 . 510 ), the first and second terminals ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they on the same first side surface and the rear surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) and the first and second connections ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they extend to the same second side surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ). Lichtemittierende Diode (300, 400, 500), umfassend: ein Substrat (310, 410, 510) mit einer Oberseite und einer Rückfläche, sowie einer ersten und einer zweiten Seitenfläche; mehrere erste Anschlüsse und mehrere zweite Anschlüsse (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c), die auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und mehrere lichtemittierende Diodenchips (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c), wobei die mehreren ersten und zweiten Anschlüsse (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie auf derselben ersten Seitenfläche und der Rückfläche des Substrats (310, 410, 510) verlaufen und die mehreren ersten und zweiten Anschlüsse (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) so ausgebildet sind, dass sie sich auch bis auf dieselbe zweite Seitenfläche des Substrats (310, 410, 510) erstrecken.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) comprising: a substrate ( 310 . 410 . 510 ) having a top and a rear surface, and a first and a second side surface; multiple first ports and multiple second ports ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ), which are on top of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) are formed so as to be spaced from each other with a predetermined clearance; and a plurality of light emitting diode chips ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ), wherein the plurality of first and second ports ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they on the same first side surface and the rear surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) and the plurality of first and second terminals ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are formed so that they extend to the same second side surface of the substrate ( 310 . 410 . 510 ). Lichtemittierende Diode (300, 400, 500) nach Anspruch 6, wobei die mehreren lichtemittierenden Diodenchips (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c) auf der Oberseite an Anschlüssen der mehreren ersten Anschlüsse oder der mehreren zweiten Anschlüsse (320, 420a, 420b, 420c, 520a, 520b, 520c, 330, 430a, 430b, 430c, 530a, 530b, 530c) angebracht sind. Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) according to claim 6, wherein the plurality of light emitting diode chips ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) on top of terminals of the plurality of first ports or the plurality of second ports ( 320 . 420a . 420b . 420c . 520a . 520b . 520c . 330 . 430a . 430b . 430c . 530a . 530b . 530c ) are mounted. Lichtemittierende Diode (300, 400, 500) nach Anspruch 6, wobei die mehreren lichtemittierenden Diodenchips (340, 440a, 440b, 440c, 540a, 540b, 540c) auf der Oberseite auf dem Substrat (310, 410, 510) angebracht sind.Light emitting diode ( 300 . 400 . 500 ) according to claim 6, wherein the plurality of light emitting diode chips ( 340 . 440a . 440b . 440c . 540a . 540b . 540c ) on top of the substrate ( 310 . 410 . 510 ) are mounted.
DE112006003435T 2005-12-20 2006-12-15 Light emitting diode in head radiation and side emission type Active DE112006003435B4 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0126473 2005-12-20
KR1020050126473A KR100719282B1 (en) 2005-12-20 2005-12-20 Light emitting diode for top view type and side vive type
PCT/KR2006/005499 WO2007073062A1 (en) 2005-12-20 2006-12-15 Light emitting diode for top view type and side view type

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112006003435T5 DE112006003435T5 (en) 2008-10-09
DE112006003435B4 true DE112006003435B4 (en) 2012-04-26

Family

ID=38188789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112006003435T Active DE112006003435B4 (en) 2005-12-20 2006-12-15 Light emitting diode in head radiation and side emission type

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR100719282B1 (en)
DE (1) DE112006003435B4 (en)
TW (1) TWI388069B (en)
WO (1) WO2007073062A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013110733A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101134B1 (en) * 2008-07-03 2012-01-05 삼성엘이디 주식회사 Led package and backlight unit having the same
US8258526B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
KR101107770B1 (en) * 2009-05-26 2012-01-20 일진반도체 주식회사 LED package and back light unit
TWI414096B (en) * 2010-01-15 2013-11-01 I Chiun Precision Ind Co Ltd High power light emitting diode bracket
KR20160045453A (en) * 2014-10-17 2016-04-27 서울반도체 주식회사 Back light unit and light emitting device package for side-view
KR101678790B1 (en) * 2015-08-26 2016-11-23 주식회사원광전자 package with LED and illumination sensor
EP3601186B1 (en) 2017-03-20 2022-01-12 Central Glass Company, Limited Infrared rays (ir) reflective laminated glass for a window
EP3544066A1 (en) * 2018-03-23 2019-09-25 Excellence Opto. Inc. High heat dissipation light emitting diode package structure having at least two light cups and lateral light emission

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6540377B1 (en) * 1999-11-11 2003-04-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Full-color light source unit
DE29825062U1 (en) * 1997-07-29 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940003109A (en) * 1992-07-31 1994-02-19 김광호 Light emitting diode and manufacturing method
JP2001210871A (en) * 2000-01-25 2001-08-03 Sharp Corp Side emission type light-emitting diode and manufacturing method thereof, and portable terminal having the same
KR100395306B1 (en) * 2000-04-27 2003-08-25 한국과학기술원 Light emitting diode and its fabrication method
KR100639186B1 (en) * 2004-04-27 2006-10-30 럭스피아 주식회사 Led package for use in back-light unit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29825062U1 (en) * 1997-07-29 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
US6540377B1 (en) * 1999-11-11 2003-04-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Full-color light source unit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013110733A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
US9780269B2 (en) 2013-09-27 2017-10-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support and method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support

Also Published As

Publication number Publication date
KR100719282B1 (en) 2007-05-17
TWI388069B (en) 2013-03-01
DE112006003435T5 (en) 2008-10-09
WO2007073062A1 (en) 2007-06-28
TW200729565A (en) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112006003435B4 (en) Light emitting diode in head radiation and side emission type
DE112004000864B4 (en) Light - emitting diode assembly and light emitting diode system with at least two heat sinks
DE102004009998B4 (en) A light emitting diode and light emitting diode device comprising a light emitting diode
DE112006000920B4 (en) LED unit and LED lighting lamp using the LED unit
EP1566846B1 (en) Optoelectronic device
DE102004044149B4 (en) High-performance light emitting diode device
DE202005021952U1 (en) Housing for a light-emitting device
DE112016002349T5 (en) Light emission device and vehicle lamp with this
EP1770796B1 (en) Radiation-emitting component
DE102008016458A1 (en) Printed circuit board for use in e.g. lighting device, has heat dissipating element arranged in through-hole, and radiation source i.e. LED, arranged on heat dissipating element, where heat dissipating element is electrically conductive
DE102007044684B4 (en) Compact high intensity LED based light source and method of making same
DE112010002822T5 (en) HOUSING FOR LIGHT EMITTING DIODES
DE112013004717B4 (en) Light emitting module
EP2225785B1 (en) Chip assembly, connecting assembly, led and method for producing a chip assembly
DE112015003293T5 (en) Light emitting device
DE102006038099A1 (en) Light emitting device
DE102014213388A1 (en) Semiconductor lamp
DE102010016720B4 (en) Light-emitting diode arrangement for high safety requirements
EP2218118A1 (en) Arrangement comprising at least one optoelectronic semiconductor component
DE112005002855B4 (en) Integrated type LED and manufacturing method thereof
DE112016002072T5 (en) EMISSIONING DEVICE FOR ULTRAVIOLETTE RAYS
DE102012223162A1 (en) FLOOD LIGHTING SYSTEM
DE112013000768B4 (en) LED unit
WO2011080058A1 (en) Radiation emitting light-guiding device for illumination, module having a radiation emitting light-guiding device and method for producing a radiation emitting light-guiding device
WO2010060417A1 (en) Light diode module and light diode component

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0033620000

R018 Grant decision by examination section/examining division
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0033620000

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0033620000

Effective date: 20111215

R020 Patent grant now final

Effective date: 20120727