DE1115293B - Impulsverstaerker mit Transistor zur Speisung einer veraenderlichen Impedanz - Google Patents
Impulsverstaerker mit Transistor zur Speisung einer veraenderlichen ImpedanzInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Impulsverstärker mit Transistor zur Speisung einer veränderlichen
Impedanz, z. B. einer Reihe von Wicklungen ferromagnetischer Gedächtniselemente, mit
Stromimpulsen mit nahezu konstanter, von der über der Belastungsimpedanz auftretenden Gegenspannung
nahezu unabhängiger Amplitude, wobei Steuerimpulse der Basiselektrode des Transistors zugeführt werden
und die Belastungsimpedanz in Reihe mit einer Begrenzungsimpedanz und mit einer Kollektor-Spannungsquelle
im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des Transistors liegt.
Bei Rechenmaschinen und anderen ähnlichen Anwendungen der Impulstechnik ist es häufig erwünscht,
Stromimpulse mit nahezu konstanter Amplitude durch eine Impedanz zu schicken. Dabei kommt es häufig
vor, daß sich diese Impedanz entsprechend den Betriebsverhältnissen ändert. Um dabei die Amplitude
des Stromimpulses nahezu konstant zu halten, muß die Stromquelle eine verhältnismäßig hohe Eigenimpedanz
besitzen. Bei solchen Anwendungen verwendet man mehr und mehr Transistoren, da sie
gegenüber anderen Impulsquellen wesentliche Vorteile bieten: Sie beanspruchen sehr wenig Raum, die
erforderliche Speisespannung ist verhältnismäßig niedrig, und der Wirkungsgrad eines als Schalter
wirkenden Transistors ist viel größer als z. B. der einer Röhre, so daß sehr wenig Energie unnötig in
Wärme umgesetzt wird. Andererseits werden auch immer mehr sehr kleine Kerne aus einem ferromagnetischen
Material mit praktisch rechteckiger Hystereseschleife als Gedächtniselemente verwendet,
insbesondere in Rechenmaschinen und anderen ähnlichen Geräten. Die Kombination von kleinen Ferromagnetkernen
als Gedächtniselemente und Transistoren als Ablese- und/oder Steuerelemente ist sehr verlockend.
Es ist aber meist notwendig, eine ganze Reihe von Gedächtniselementen mittels derselben Impulsquelle
steuern zu können. Je nachdem ein Gedächtniskern vor dem Steuern entgegengesetzt magnetisiert
war oder nicht, erzeugt er aber beim Steuern eine gegenelektromotorische Kraft oder nicht, so daß die
effektive Belastungsimpedanz, die mit einer eine Reihe solcher Kerne steuernden Stromimpulsquelle verbunden
ist, sich entsprechend dem magnetischen Zustand dieser Kerne ändert. Sind z. B. sämtliche
Kerne entgegengesetzt vormagnetisiert, so hat die Belastungsimpedanz einen Höchstwert, während bei
entgegengesetzter Vormagnetisierung nur eines oder zweier Kerne aus einer Reihe von z. B. vierzig Kernen
die Belastungsimpedanz einen viel geringeren Wert hat.
Impulsverstärker mit Transistor
zur Speisung einer veränderlichen Impedanz
zur Speisung einer veränderlichen Impedanz
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Belgien vom 31. Juli 1956 (Nr. 433 338)
Belgien vom 31. Juli 1956 (Nr. 433 338)
Heine Andries Rodrigues de Miranda
und Theodoras Joannes TuIp,
und Theodoras Joannes TuIp,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
Eine sehr einfache Transistorschaltung zur Steuerung einer Reihe von ferromagnetischen Gedächtniselementen
ist in Fig. 1 dargestellt. Die Reihe ferromagnetischer Gedächtniselemente 5 liegt im Kollektorelektrodenkreis
eines Transistors 1, und Steuerimpulse werden mittels der Sekundärwicklungen 2 eines Eingangstransformators
der Basiselektrode dieses Transistors zugeführt. Eine Gleichstromquelle 4, ζ. Β. eine
Batterie, liegt im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis in Reihe mit den Gedächtniselementen, und die
Emitterelektrode des Transistors 1 ist über einen Widerstand 3 mit einer Klemme dieser Spannungsquelle verbunden, so daß der von den Steuerimpulsen
im Basis-Emitter-Elektrodenkreis dieses Transistors erzeugte Strom durch diesen Widerstand begrenzt
wird.
Zur Steuerung eines beliebigen Kernes aus der Reihe von Gedächtniselementen 5 der Schaltung nach Fig. 1
ist ein Mindeststrom I0 erforderlich (s. Fig. 2). Bei
Annahme, daß der Transistor 1 einen zweimal größeren Strom I0 durchlassen kann und vermieden
werden soll, daß der durchgelassene Strom sich entsprechend dem magnetischen Zustand der Kerne
zu stark ändert und sich dabei gegebenenfalls dem Mindestwert I0 nähert, so muß für den Gesamtwiderstand
im Stromkreis der Stromquelle 4 ein
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3 4
verhältnismäßig hoher Wert gewählt werden. Die durch den Widerstand des ganzen Belastungskreises
Spannung dieser Stromquelle wird dann entsprechend der Stromquelle fließen zu lassen, einige Male größer
hoch und überschreitet bald die höchste für den ist als die für den Transistor höchstzulässige Kollektor-Transistor
zulässige Kollektor-Emitter-Spannung; da- spannung Vc.
bei wird angenommen, daß der Transistor 1 unterhalb 5 Die Erfindung bezweckt, diese Schwierigkeit zu
der Krümmung seiner /0—Fe-Kennlinie arbeitet, so vermeiden. Der Impulsverstärker nach der Erfindung
daß seine Verlustleistung verhältnismäßig klein weist das Kennzeichen auf, daß die Begrenzungsbleiben kann. Diese Betriebsverhältnisse sind im impedanz eine Induktanz ist und daß ein Regelkreis
Diagramm der Fig. 2 dargestellt, in dem die Linien Ic1, mit dieser Induktanz gekoppelt ist und durch den
Ic10, ki0, Ar30 und kia entsprechend der gegenelektro- io Spannungsabfall über der Begrenzungsinduktanz derart
motorischen Kraft gezogen sind, die ein Kern bzw. eine gesteuert wird, daß er normalerweise eine verhältnis-Gruppe
von z. B. zehn, zwanzig, dreißig oder vierzig mäßig niedrige Impedanz aufweist und die Impedanz
Kernen bei einer bestimmten Amplitude des Strom- der Begrenzungsinduktanz entsprechend herabsetzt
impulses erzeugen, während die Linie B eine den und daß er bei einer plötzlichen Kollektorstromhöchstzulässigen
Werten des Kollektorstromes und 15 zunähme mit einer Amplitude größer als ein durch die
der Kollektorspannung entsprechende Belastungs- Begrenzungsinduktanz und den Regelkreis bestimmter
kurve darstellt. ^ Schwellenwert eine sehr hohe Impedanz aufweist, so
Wird einer Wicklung eines vormagnetisierten daß die Begrenzungsinduktanz bei diesem Schwellen-Magnetkernes
mit rechteckiger Hystereseschleife ein wert völlig wirksam wird und die weitere Zunahme des
ummagnetisierender Stromimpuls mit einer Intensität / 20 Kollektorstromes während der Dauer des Steuergrößer als I0 zugeführt, so daß die zum Umschlag des impulses auf einen Bruchteil des Schwellenwertes
Kernes erforderliche Amperewindungszahl erreicht begrenzt.
oder überschritten wird, so schlägt der Kern mit einer Die Erfindung wird an Hand der Fig. 3 und 4 der
Geschwindigkeit um, die mit /—10 proportional Zeichnung näher erläutert, welche Schemata von zwei
zunimmt. Ein durch den Umschlag des Kernes 25 verschiedenen Ausführungsbeispielen darstellen,
erzeugter Ableseimpuls hat eine entsprechende Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 hat große
Länget. Der Kern ist unter anderem durch einen Ähnlichkeit mit der Schaltung nach Fig. 1. Es besitzt
bestimmten Δ Φ max, d. h. durch die gesamte Fluß- aber eine regelbare Impedanz, bestehend aus einer
änderung zwischen den beiden entgegengesetzten Induktanz 9' von z. B. 300 μΗ in Reihe mit einer
Sättigungszuständen gekennzeichnet, und es ergibt 30 zweiten Spannungsquelle 10' von verhältnismäßig
sich, daß das Integral des Momentanwertes V der kleiner Spannung, einem Widerstand 12 und einem
Amplitude des Ableseimpulses über die Impuls- Gleichrichter 11. Die Spannungsquelle 10' in Reihe
länge T konstant und proportional ΔΦΜαχ ist. Wenn mit der Induktanz 9' liegt in der Sperrichtung im
1-I0 einen verhältnismäßig geringen Wert hat, so Kollektorelektrodenkreis des Transistors 1, und der
schlägt der Kern nur sehr träge um und erzeugt dabei 35 Gleichrichter 11 in Reihe mit dem Widerstand 12 liegt
einen schwachen Ableseimpuls geringer Amplitude. parallel zur Reihenschaltung der Induktanz 9' und
Bei Verwendung solcher Kerne ist es daher notwendig, der Quelle 10' in der Durchlaßrichtung in bezug auf
Steuerimpulse einer solchen Intensität zu verwenden, diese Spannungsquelle.
daß 1-I0 nicht unterhalb eines bestimmten Mindest- Im Ruhezustand fließt ein Strom von der Quelle 10'
werts herabsinkt. Ferner ist bei Steuerung mittels 40 durch die Induktanz 9', den Gleichrichter 11 und den
eines Transistors der Wert von / durch den höchst- Widerstand 12. Der Widerstand 12 begrenzt diesen
zulässigen Kollektorstrom Ic begrenzt. Daraus ergibt Strom auf den gewünschten Wert, der mit dem Spitzen-
sich die Notwendigkeit einer Begrenzung der Spreizung wert der Stromimpulse in Zusammenhang steht,
Δ I der Impulsströme auf einen möglichst geringen welche durch die Belastungsimpedanz 5 geschickt
Wert. Mit der Belastungskurve B ist I1 (Umschlag 45 werden können. Der Transistor 1 ist gesperrt, und die
eines einzigen Gedächtniselementes) etwa gleich zwischen seinen Emitter- und Basiselektroden und
, Ic—In «1 j r „, ,1 · ™ seiner Kollektorelektrode angelegte Spannung ist
/c T^' wahrend 7«° (Umschla§ von vierziS Ele" nahezu gleich der der Gleichstromquelle^ samt der
menten) etwa gleich Ie - ist. Die Spreizung/ der Quelle 10'. Wenn ein Steuerimpuls der Eingangs-
ίο 50 wicklung 2 zugeführt wird, so wird die Emitterist
somit sehr groß und beträgt etwa 70 % von Ic-I0. Kollektor-Elektrodenstrecke des Transistors 1 plötz-
Durch Erhöhung der Spannung der Impulsquelle lieh geöffnet, so daß die Spannung am Gleichrichter 11
und des in Reihe mit den Gedächtniselementen liegen- stark abnimmt und dieser Gleichrichter gesperrt wird,
den Widerstandes könnte man bei gleichbleibendem Der Strom, der durch den Gleichrichter floß, durch-Wert
des Maximalstromes I0 eine Belastungskurve B' 55 fließt dann die Belastungsimpedanz 5 und den Tran-(Fig.
2) erhalten. Die Spreizung I1-Ii0 wird somit auf sistor 1, und da sich der Wert dieses Stromes infolge
etwa 45 % von I0-I0 herabgesetzt, wobei die Kollektor- der Induktivität der Induktanz 9' nicht schnell ändern
spannung während der Impulse höchstens gleich Vc kann, ist der Anfangswert des Stromimpulses durch
ist. In Fig. 2 ist noch eine dritte Belastungskurve B" die Belastungsimpedanz 5 ungefähr gleich dem Wert
dargestellt, die bei V = 0 durch einen einem Strom Ir" 60 des Stromes, der im Ruhezustand über die Induktanz 9',
kleiner als I0 entsprechenden Punkt geht, wobei die den Gleichrichter 11 und den Widerstand 12 fließt. Die
höchstzulässige Kollektorspannung während der Amplitude des Stromimpulses durch die Belastungs-Impulse
nicht überschritten wird. impedanz 5 ist somit nahezu unabhängig vom Wert
Längs dieser Kurve ist die Spreizung Δ I kleiner als dieser Impedanz, z. B. von der Zahl der entgegen-
10% von Ic-I0 oder kleiner als 20% von Ic"—10. Es 6g gesetzt vormagnetisierten Gedächtniskerne. Nach
liegt aber die Schwierigkeit vor, daß mit der Be- jedem Steuerimpuls muß sich der Ruhestrom durch
lastungskurve B' oder B" die Spannung, die erf order- die Induktanz 9' wieder auf seinen Ruhewert einstellen,
lieh ist, um einen Strom größer als oder gleich /40' Wenn das Zeitintervall zwischen zwei aufeinander-
folgenden Steuerimpulsen zu klein ist, so hat der Ruhestrom noch nicht seinen Einstellwert erreicht im
Augenblick, in dem der zweite Steuerimpuls den Transistor 1 wieder öffnet. Folglich ist der Anfangswert des zweiten Stromimpulses durch die Belastungs-
impedanz 5 kleiner als normal. Um dies zu vermeiden, muß die Zeitkonstante LjRg des Kreises über die
Induktanz 9', den Gleichrichter 11, den Widerstand 12 und die Spannungsquelle 10' wenigstens einige Male
kleiner gewählt werden als das minimale Zeitintervall zwischen zwei aufeinanderfolgenden Steuerimpulsen.
Der Einstellwert des Stromes durch den soeben genannten Kreis ist dann von diesem Zeitintervall
nahezu unabhängig. Um das gestellte Ziel zu erreichen und den Gleichrichter 11 während der Impulse zu
sperren, werden die Spannungen der Quellen 4 und 10', der Mindestwert des Gesamtwiderstandes Rtr des
Emitter-Kollektor-Kreises des Transistors 1 im leitenden Zustand und der Eigenwiderstand der Induktanz 9'
derart gewählt, daß nach Erreichen eines Anfangswertes ungefähr gleich dem Einstellwert des Stromes
durch die Induktanz 9' der Strom durch die Belastungsimpedanz 5 zunimmt. Diese Zunahme muß
jedoch bis zum Ende des Steuerimpulses z. B. auf —10% beschränkt bleiben, da sonst eine Spreizung
in der Form der Ableseimpulse auftreten würde. Die Zeitkonstante L/Rtr ist daher vorzugsweise einige
Male größer als die Länge der Steuerimpulse. * Der Transistor der Schaltung nach Fig. 3 arbeitet
eigentlich wie ein Schalter, der den Strom durch die Induktanz 9' während der Stromimpulse über die
Belastungsimpedanz umschaltet, wobei der Gleichrichter 11 dadurch gesperrt wird, daß das Potential
am gemeinsamen Punkt dieses Gleichrichters und der Induktanz 9' kleiner wird als das Potential am gemeinsamen
Punkt der Spannungsquellen 4 und 10'.
In dem zweiten, in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die regelbare Impedanz aus einer
Induktanz 13, die mit der Belastungsimpedanz 5 in Reihe liegt. Diese Induktion ist auf einem ferromagnetischen
Kern 14 angebracht, der derart vormagnetisiert ist, daß die Induktanz gesättigt ist und
eine niedrige Impedanz aufweist. Diese Vormagnetisierung wird mittels einer zweiten Wicklung 15 herbeigeführt,
die auf dem Kern 14 angebracht und an eine Gleichstromquelle angeschlossen ist. Nach Fig. 4
wird die Speisespannungsquelle 4 des Emitter-Kollektor-Kreises des Transistors 1 gleichzeitig für die Vormagnetisierung
des Kernes 14 benutzt. Die Wicklung ist einerseits an den gemeinsamen Punkt der Quelle 4
und des Belastungskreises 5, 13 und andererseits an die Emitterelektrode des Transistors 1 über einen
Widerstand 16 angeschlossen. Wenn an die Eingangswicklung 2 ein Steuerimpuls gelegt wird, so fließt ein
Stromimpuls durch die Belastungsimpedanz 5 und die Wicklung 13. Die Wickelrichtungen der Wicklungen 13
und 15 sind derart gewählt, daß dieser Stromimpuls die Vormagnetisierung des Kernes 14 wenigstens aufhebt.
Folglich wird die Impedanz der Wicklung 13 wesentlich erhöht, so daß die Amplitude der Stromimpulse
durch diese Wicklung und durch die Belastungsimpedanz 5 durch die Impedanz dieser Wicklung
beschränkt wird und vom Wert der Belastungsimpedanz nahezu unabhängig ist. Das Verhältnis
zwischen der Windungszahl H1 der Wicklung 13 und
der Windungszahl «2 der Wicklung 15, die Spannung
der Vormagnetisierungsstromquelle und der Wert des Widerstandes 16 werden derart gewählt, daß der Strom
durch die Wicklung 15 den Kern 14 bei nichtleitendem
Transistor sättigt, jedoch kleiner ist als — · a! · i.
«2
Darin ist a' der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor des Transistors 1 und i der vom Steuerimpuls
durch den Basis-Emitter-Kreis dieses Transistors erzeugte Strom.
Am Ende jedes Stromimpulses durch die Belastungsimpedanz 5 und die Wicklung 13 wird in der Wicklung
15 ein Stromimpuls induziert, der dem Vormagnetisierungsstrom entgegenwirkt. Wenn dieser
Strom durch den Widerstand 16 fließt, so wird er durch diesen Widerstand begrenzt, und die in der Induktanz
13 und in ihrem Kern 14 angehäufte Energie wird teilweise in diesem Widerstand aufgebraucht und
erzeugt gleichzeitig an den Klemmen der Wicklung 13 eine Rückschlagspannung, welche die zulässige Kollektorspannung
überschreiten kann. Um diesen Rückschlag zu vermeiden, ist ein Gleichrichter 17 parallel
zum Widerstand 16 und in bezug auf die Spannungsquelle 4 in der Sperrichtung geschaltet, so daß der
Vormagnetisierungsstrom durch den Widerstand 16 bestimmt wird. Für den am Ende jedes Stromimpulses
durch die Wicklung 15 induzierten Stromimpuls ist der Gleichrichter 17 jedoch leitend, so daß dieser
Stromimpuls über den Gleichrichter 17 an die Spannungsquelle 4 zurückgeführt wird. Ist diese Spannungsquelle z. B. eine Batterie, so wird sie vom zurückgeführten
Stromimpuls wieder aufgeladen, so daß sehr wenig Energie in den Wicklungen 15,13 und im Kern 14
nutzlos aufgebraucht wird.
Claims (9)
1. Impulsverstärker mit Transistor zur Speisung einer veränderlichen Impedanz, z. B. einer Reihe
von Wicklungen ferromagnetischer Gedächtniselemente, mit Stromimpulsen mit nahezu konstanter,
von der über der Belastungsimpedanz auftretenden Gegenspannung nahezu unabhängiger
Amplitude, wobei Steuerimpulse der Basiselektrode des Transistors zugeführt werden und die Belastungsimpedanz
in Reihe mit einer Begrenzungsimpedanz und mit einer Kollektorspannungs quelle im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des Transistors
liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsimpedanz eine Induktanz ist und daß
ein Regelkreis mit dieser Induktanz gekoppelt ist und durch den Spannungsabfall über der Begrenzungsinduktanz
derart gesteuert wird, daß er normalerweise eine verhältnismäßig niedrige Impedanz
aufweist und die Impedanz der Begrenzungsinduktanz entsprechend herabsetzt und daß er bei
einer plötzlichen Kollektorstromzunahme mit einer Amplitude größer als ein durch die Begrenzungsinduktanz
und den Regelkreis bestimmter Schwellenwert eine sehr hohe Impedanz aufweist, so daß
die Begrenzungsinduktanz bei diesem Schwellenwert völlig wirksam wird und die weitere Zunahme
des Kollektorstromes während der Dauer des Steuerimpulses auf einen Bruchteil des Schwellenwertes
begrenzt.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Regelkreis einen über
der Induktanz und wenigstens einem Teil der Kollektorspannungsquelle geschalteten Gleichrichter
enthält, welcher in bezug auf diesen Teil der Spannungsquelle in der Durchlaßrichtung geschaltet
ist, so daß die Induktanz die Stromimpulse
auf eine nahezu konstante Amplitude begrenzt und die bei gesperrtem Transistor an dessen
Kollektorelektrode angelegte Ruhespannung um die Spannung des betreffenden Teiles der Spannungsquelle
herabgesetzt wird.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Teil der Spannungsquelle und der Gesamtwiderstand des Kreises über
die Induktanz und den Gleichrichter in der Durchlaßrichtung derart gewählt sind, daß bei gesperrtem
Transistor ein Strom mit einer Stärke ungefähr gleich dem gewünschten konstanten Amplitudenwert der Stromimpulse sich durch diese Induktanz
und durch den erwähnten Gleichrichter einstellt, wobei der Anfangswert der Stromimpulse infolge
der Trägheit der Induktanz ungefähr auf den gewünschten Wert der Amplitude bestimmt wird.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitkonstante L/Rg des erwähnten
Kreises über die Induktanz und den Gleichrichter wenigstens einige Male kleiner ist als das minimale
Zeitintervall zwischen zwei aufeinanderfolgenden Steuerimpulsen, so daß der Einstellwert des
Stromes durch diesen Kreis vom erwähnten Zeitintervall nahezu unabhängig ist, wobei L die Induktivität
der Begrenzungsinduktanz und Rg den
Gesamtwiderstand des Kreises über die Induktanz und den Gleichrichter in der Durchlaßrichtung
bedeutet.
5. Schaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitkonstante L/Rtr des
erwähnten Kreises über die Induktanz, die Belastungsimpedanz und die Kollektor-Emitter-Elektrodenstrecke
des stromführenden Transistors wenigstens einige Male größer ist als die Länge der
verwendeten Steuerimpulse, so daß die nach dem Erreichen des erwähnten Anfangswertes auftretende
Stromzunahme durch die Belastungsimpedanz innerhalb zulässiger Grenzen gehalten wird, wobei
L die Induktivität der Begrenzungsinduktanz und Rtr den Gesamtwiderstand des Emitter-Kollektor-Kreises
des Transistors im leitenden Zustand, einschließlich des Eigenwiderstandes der Induktanz
bedeutet.
6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die betreffende Induktanz mit einem
ferromagnetischen Kern versehen ist, der derart vormagnetisiert ist, daß die Induktanz gesättigt
ist und eine niedrige Impedanz besitzt und daß die Stromimpulse ihre Impedanz durch Aufhebung
der Vormagnetisierung erhöhen, so daß die Amplitude dieser Stromimpulse durch diese Induktanz
begrenzt wird.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende ferromagnetische
Kern mittels einer zweiten Wicklung vormagnetisiert wird, die über einen Widerstand an eine
Spannungsquelle angeschlossen ist, wobei die Zahl der Windungen K1 und H2 der betreffenden
Induktanz und der erwähnten zweiten Wicklung, die Spannung der erwähnten Quelle und der
Widerstand derart gewählt sind, daß bei gesperrtem Transistor der Strom durch die zweite Wicklung
den Kern sättigt, jedoch kleiner ist als — · a' · i,
»2
wobei a' der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor des Transistors und i der von den Steuerimpulsen
durch seinen Basiskreis erzeugte Strom ist.
8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurcfi gekenn» zeichnet, daß die erwähnte Spannungsqueile gleichzeitig
im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des erwähnten Transistors aufgenommen ist.
9. Schaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Widerstand
durch einen in bezug auf die erwähnte Spannungsquelle in der Sperrichtung geschalteten Gleichrichter
überbrückt ist, wodurch die am Ende jedes Stromimpulses erzeugte Rückschlagspannung unterdrückt
und der durch die zweite Wicklung induzierte Strom an die erwähnte Spannungsquelle
zurückgeführt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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