DE1115293B - Impulsverstaerker mit Transistor zur Speisung einer veraenderlichen Impedanz - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Impulsverstärker mit Transistor zur Speisung einer veränderlichen Impedanz, z. B. einer Reihe von Wicklungen ferromagnetischer Gedächtniselemente, mit Stromimpulsen mit nahezu konstanter, von der über der Belastungsimpedanz auftretenden Gegenspannung nahezu unabhängiger Amplitude, wobei Steuerimpulse der Basiselektrode des Transistors zugeführt werden und die Belastungsimpedanz in Reihe mit einer Begrenzungsimpedanz und mit einer Kollektor-Spannungsquelle im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des Transistors liegt.

Bei Rechenmaschinen und anderen ähnlichen Anwendungen der Impulstechnik ist es häufig erwünscht, Stromimpulse mit nahezu konstanter Amplitude durch eine Impedanz zu schicken. Dabei kommt es häufig vor, daß sich diese Impedanz entsprechend den Betriebsverhältnissen ändert. Um dabei die Amplitude des Stromimpulses nahezu konstant zu halten, muß die Stromquelle eine verhältnismäßig hohe Eigenimpedanz besitzen. Bei solchen Anwendungen verwendet man mehr und mehr Transistoren, da sie gegenüber anderen Impulsquellen wesentliche Vorteile bieten: Sie beanspruchen sehr wenig Raum, die erforderliche Speisespannung ist verhältnismäßig niedrig, und der Wirkungsgrad eines als Schalter wirkenden Transistors ist viel größer als z. B. der einer Röhre, so daß sehr wenig Energie unnötig in Wärme umgesetzt wird. Andererseits werden auch immer mehr sehr kleine Kerne aus einem ferromagnetischen Material mit praktisch rechteckiger Hystereseschleife als Gedächtniselemente verwendet, insbesondere in Rechenmaschinen und anderen ähnlichen Geräten. Die Kombination von kleinen Ferromagnetkernen als Gedächtniselemente und Transistoren als Ablese- und/oder Steuerelemente ist sehr verlockend. Es ist aber meist notwendig, eine ganze Reihe von Gedächtniselementen mittels derselben Impulsquelle steuern zu können. Je nachdem ein Gedächtniskern vor dem Steuern entgegengesetzt magnetisiert war oder nicht, erzeugt er aber beim Steuern eine gegenelektromotorische Kraft oder nicht, so daß die effektive Belastungsimpedanz, die mit einer eine Reihe solcher Kerne steuernden Stromimpulsquelle verbunden ist, sich entsprechend dem magnetischen Zustand dieser Kerne ändert. Sind z. B. sämtliche Kerne entgegengesetzt vormagnetisiert, so hat die Belastungsimpedanz einen Höchstwert, während bei entgegengesetzter Vormagnetisierung nur eines oder zweier Kerne aus einer Reihe von z. B. vierzig Kernen die Belastungsimpedanz einen viel geringeren Wert hat.

Impulsverstärker mit Transistor
zur Speisung einer veränderlichen Impedanz

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)

Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Beanspruchte Priorität:
Belgien vom 31. Juli 1956 (Nr. 433 338)

Heine Andries Rodrigues de Miranda
und Theodoras Joannes TuIp,

Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden

Eine sehr einfache Transistorschaltung zur Steuerung einer Reihe von ferromagnetischen Gedächtniselementen ist in Fig. 1 dargestellt. Die Reihe ferromagnetischer Gedächtniselemente 5 liegt im Kollektorelektrodenkreis eines Transistors 1, und Steuerimpulse werden mittels der Sekundärwicklungen 2 eines Eingangstransformators der Basiselektrode dieses Transistors zugeführt. Eine Gleichstromquelle 4, ζ. Β. eine Batterie, liegt im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis in Reihe mit den Gedächtniselementen, und die Emitterelektrode des Transistors 1 ist über einen Widerstand 3 mit einer Klemme dieser Spannungsquelle verbunden, so daß der von den Steuerimpulsen im Basis-Emitter-Elektrodenkreis dieses Transistors erzeugte Strom durch diesen Widerstand begrenzt wird.

Zur Steuerung eines beliebigen Kernes aus der Reihe von Gedächtniselementen 5 der Schaltung nach Fig. 1 ist ein Mindeststrom I₀ erforderlich (s. Fig. 2). Bei Annahme, daß der Transistor 1 einen zweimal größeren Strom I₀ durchlassen kann und vermieden werden soll, daß der durchgelassene Strom sich entsprechend dem magnetischen Zustand der Kerne zu stark ändert und sich dabei gegebenenfalls dem Mindestwert I₀ nähert, so muß für den Gesamtwiderstand im Stromkreis der Stromquelle 4 ein

109 709/271

3 4

verhältnismäßig hoher Wert gewählt werden. Die durch den Widerstand des ganzen Belastungskreises Spannung dieser Stromquelle wird dann entsprechend der Stromquelle fließen zu lassen, einige Male größer hoch und überschreitet bald die höchste für den ist als die für den Transistor höchstzulässige Kollektor-Transistor zulässige Kollektor-Emitter-Spannung; da- spannung Vc.

bei wird angenommen, daß der Transistor 1 unterhalb 5 Die Erfindung bezweckt, diese Schwierigkeit zu der Krümmung seiner /₀—F_e-Kennlinie arbeitet, so vermeiden. Der Impulsverstärker nach der Erfindung daß seine Verlustleistung verhältnismäßig klein weist das Kennzeichen auf, daß die Begrenzungsbleiben kann. Diese Betriebsverhältnisse sind im impedanz eine Induktanz ist und daß ein Regelkreis Diagramm der Fig. 2 dargestellt, in dem die Linien Ic₁, _mit dieser Induktanz gekoppelt ist und durch den Ic₁₀, k_i0, Ar₃₀ und k_ia entsprechend der gegenelektro- io Spannungsabfall über der Begrenzungsinduktanz derart motorischen Kraft gezogen sind, die ein Kern bzw. eine gesteuert wird, daß er normalerweise eine verhältnis-Gruppe von z. B. zehn, zwanzig, dreißig oder vierzig mäßig niedrige Impedanz aufweist und die Impedanz Kernen bei einer bestimmten Amplitude des Strom- der Begrenzungsinduktanz entsprechend herabsetzt impulses erzeugen, während die Linie B eine den und daß er bei einer plötzlichen Kollektorstromhöchstzulässigen Werten des Kollektorstromes und 15 zunähme mit einer Amplitude größer als ein durch die der Kollektorspannung entsprechende Belastungs- Begrenzungsinduktanz und den Regelkreis bestimmter kurve darstellt. ^ Schwellenwert eine sehr hohe Impedanz aufweist, so

Wird einer Wicklung eines vormagnetisierten daß die Begrenzungsinduktanz bei diesem Schwellen-Magnetkernes mit rechteckiger Hystereseschleife ein wert völlig wirksam wird und die weitere Zunahme des ummagnetisierender Stromimpuls mit einer Intensität / 20 Kollektorstromes während der Dauer des Steuergrößer als I₀ zugeführt, so daß die zum Umschlag des impulses auf einen Bruchteil des Schwellenwertes Kernes erforderliche Amperewindungszahl erreicht begrenzt.

oder überschritten wird, so schlägt der Kern mit einer Die Erfindung wird an Hand der Fig. 3 und 4 der

Geschwindigkeit um, die mit /—1₀ proportional Zeichnung näher erläutert, welche Schemata von zwei

zunimmt. Ein durch den Umschlag des Kernes 25 verschiedenen Ausführungsbeispielen darstellen,

erzeugter Ableseimpuls hat eine entsprechende Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 hat große

Länget. Der Kern ist unter anderem durch einen Ähnlichkeit mit der Schaltung nach Fig. 1. Es besitzt

bestimmten Δ Φ max, d. h. durch die gesamte Fluß- aber eine regelbare Impedanz, bestehend aus einer

änderung zwischen den beiden entgegengesetzten Induktanz 9' von z. B. 300 μΗ in Reihe mit einer

Sättigungszuständen gekennzeichnet, und es ergibt 30 zweiten Spannungsquelle 10' von verhältnismäßig

sich, daß das Integral des Momentanwertes V der kleiner Spannung, einem Widerstand 12 und einem

Amplitude des Ableseimpulses über die Impuls- Gleichrichter 11. Die Spannungsquelle 10' in Reihe

länge T konstant und proportional ΔΦ_Μαχ ist. Wenn mit der Induktanz 9' liegt in der Sperrichtung im

1-I₀ einen verhältnismäßig geringen Wert hat, so Kollektorelektrodenkreis des Transistors 1, und der

schlägt der Kern nur sehr träge um und erzeugt dabei 35 Gleichrichter 11 in Reihe mit dem Widerstand 12 liegt

einen schwachen Ableseimpuls geringer Amplitude. parallel zur Reihenschaltung der Induktanz 9' und

Bei Verwendung solcher Kerne ist es daher notwendig, der Quelle 10' in der Durchlaßrichtung in bezug auf

Steuerimpulse einer solchen Intensität zu verwenden, diese Spannungsquelle.

daß 1-I₀ nicht unterhalb eines bestimmten Mindest- Im Ruhezustand fließt ein Strom von der Quelle 10'

werts herabsinkt. Ferner ist bei Steuerung mittels 40 durch die Induktanz 9', den Gleichrichter 11 und den

eines Transistors der Wert von / durch den höchst- Widerstand 12. Der Widerstand 12 begrenzt diesen

zulässigen Kollektorstrom I_c begrenzt. Daraus ergibt Strom auf den gewünschten Wert, der mit dem Spitzen-

sich die Notwendigkeit einer Begrenzung der Spreizung wert der Stromimpulse in Zusammenhang steht,

Δ I der Impulsströme auf einen möglichst geringen welche durch die Belastungsimpedanz 5 geschickt

Wert. Mit der Belastungskurve B ist I₁ (Umschlag 45 werden können. Der Transistor 1 ist gesperrt, und die

eines einzigen Gedächtniselementes) etwa gleich zwischen seinen Emitter- und Basiselektroden und

, Ic—I_n «1 j r „, ,1 · ™ seiner Kollektorelektrode angelegte Spannung ist

^/c T^' ^{wahrend 7}«° (^Umschla§ ^{von vierzi}S ^Ele" nahezu gleich der der Gleichstromquelle^ samt der

menten) etwa gleich I_e - ist. Die Spreizung/ der Quelle 10'. Wenn ein Steuerimpuls der Eingangs-

ίο 50 wicklung 2 zugeführt wird, so wird die Emitterist somit sehr groß und beträgt etwa 70 % von Ic-I₀. Kollektor-Elektrodenstrecke des Transistors 1 plötz-

Durch Erhöhung der Spannung der Impulsquelle lieh geöffnet, so daß die Spannung am Gleichrichter 11 und des in Reihe mit den Gedächtniselementen liegen- stark abnimmt und dieser Gleichrichter gesperrt wird, den Widerstandes könnte man bei gleichbleibendem Der Strom, der durch den Gleichrichter floß, durch-Wert des Maximalstromes I₀ eine Belastungskurve B' 55 fließt dann die Belastungsimpedanz 5 und den Tran-(Fig. 2) erhalten. Die Spreizung I₁-Ii₀ wird somit auf sistor 1, und da sich der Wert dieses Stromes infolge etwa 45 % von I₀-I₀ herabgesetzt, wobei die Kollektor- der Induktivität der Induktanz 9' nicht schnell ändern spannung während der Impulse höchstens gleich V_c kann, ist der Anfangswert des Stromimpulses durch ist. In Fig. 2 ist noch eine dritte Belastungskurve B" die Belastungsimpedanz 5 ungefähr gleich dem Wert dargestellt, die bei V = 0 durch einen einem Strom Ir" 60 des Stromes, der im Ruhezustand über die Induktanz 9', kleiner als I₀ entsprechenden Punkt geht, wobei die den Gleichrichter 11 und den Widerstand 12 fließt. Die höchstzulässige Kollektorspannung während der Amplitude des Stromimpulses durch die Belastungs-Impulse nicht überschritten wird. impedanz 5 ist somit nahezu unabhängig vom Wert

Längs dieser Kurve ist die Spreizung Δ I kleiner als dieser Impedanz, z. B. von der Zahl der entgegen-

10% von Ic-I₀ oder kleiner als 20% von Ic"—1₀. Es 6g gesetzt vormagnetisierten Gedächtniskerne. Nach

liegt aber die Schwierigkeit vor, daß mit der Be- jedem Steuerimpuls muß sich der Ruhestrom durch

lastungskurve B' oder B" die Spannung, die erf order- die Induktanz 9' wieder auf seinen Ruhewert einstellen,

lieh ist, um einen Strom größer als oder gleich /₄₀' Wenn das Zeitintervall zwischen zwei aufeinander-

folgenden Steuerimpulsen zu klein ist, so hat der Ruhestrom noch nicht seinen Einstellwert erreicht im Augenblick, in dem der zweite Steuerimpuls den Transistor 1 wieder öffnet. Folglich ist der Anfangswert des zweiten Stromimpulses durch die Belastungs- impedanz 5 kleiner als normal. Um dies zu vermeiden, muß die Zeitkonstante LjR_g des Kreises über die Induktanz 9', den Gleichrichter 11, den Widerstand 12 und die Spannungsquelle 10' wenigstens einige Male kleiner gewählt werden als das minimale Zeitintervall zwischen zwei aufeinanderfolgenden Steuerimpulsen. Der Einstellwert des Stromes durch den soeben genannten Kreis ist dann von diesem Zeitintervall nahezu unabhängig. Um das gestellte Ziel zu erreichen und den Gleichrichter 11 während der Impulse zu sperren, werden die Spannungen der Quellen 4 und 10', der Mindestwert des Gesamtwiderstandes Rt_r des Emitter-Kollektor-Kreises des Transistors 1 im leitenden Zustand und der Eigenwiderstand der Induktanz 9' derart gewählt, daß nach Erreichen eines Anfangswertes ungefähr gleich dem Einstellwert des Stromes durch die Induktanz 9' der Strom durch die Belastungsimpedanz 5 zunimmt. Diese Zunahme muß jedoch bis zum Ende des Steuerimpulses z. B. auf —10% beschränkt bleiben, da sonst eine Spreizung in der Form der Ableseimpulse auftreten würde. Die Zeitkonstante L/R_tr ist daher vorzugsweise einige Male größer als die Länge der Steuerimpulse. * Der Transistor der Schaltung nach Fig. 3 arbeitet eigentlich wie ein Schalter, der den Strom durch die Induktanz 9' während der Stromimpulse über die Belastungsimpedanz umschaltet, wobei der Gleichrichter 11 dadurch gesperrt wird, daß das Potential am gemeinsamen Punkt dieses Gleichrichters und der Induktanz 9' kleiner wird als das Potential am gemeinsamen Punkt der Spannungsquellen 4 und 10'.

In dem zweiten, in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel besteht die regelbare Impedanz aus einer Induktanz 13, die mit der Belastungsimpedanz 5 in Reihe liegt. Diese Induktion ist auf einem ferromagnetischen Kern 14 angebracht, der derart vormagnetisiert ist, daß die Induktanz gesättigt ist und eine niedrige Impedanz aufweist. Diese Vormagnetisierung wird mittels einer zweiten Wicklung 15 herbeigeführt, die auf dem Kern 14 angebracht und an eine Gleichstromquelle angeschlossen ist. Nach Fig. 4 wird die Speisespannungsquelle 4 des Emitter-Kollektor-Kreises des Transistors 1 gleichzeitig für die Vormagnetisierung des Kernes 14 benutzt. Die Wicklung ist einerseits an den gemeinsamen Punkt der Quelle 4 und des Belastungskreises 5, 13 und andererseits an die Emitterelektrode des Transistors 1 über einen Widerstand 16 angeschlossen. Wenn an die Eingangswicklung 2 ein Steuerimpuls gelegt wird, so fließt ein Stromimpuls durch die Belastungsimpedanz 5 und die Wicklung 13. Die Wickelrichtungen der Wicklungen 13 und 15 sind derart gewählt, daß dieser Stromimpuls die Vormagnetisierung des Kernes 14 wenigstens aufhebt. Folglich wird die Impedanz der Wicklung 13 wesentlich erhöht, so daß die Amplitude der Stromimpulse durch diese Wicklung und durch die Belastungsimpedanz 5 durch die Impedanz dieser Wicklung beschränkt wird und vom Wert der Belastungsimpedanz nahezu unabhängig ist. Das Verhältnis zwischen der Windungszahl H₁ der Wicklung 13 und der Windungszahl «₂ der Wicklung 15, die Spannung der Vormagnetisierungsstromquelle und der Wert des Widerstandes 16 werden derart gewählt, daß der Strom durch die Wicklung 15 den Kern 14 bei nichtleitendem

Transistor sättigt, jedoch kleiner ist als — · a! · i.

«2

Darin ist a' der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor des Transistors 1 und i der vom Steuerimpuls durch den Basis-Emitter-Kreis dieses Transistors erzeugte Strom.

Am Ende jedes Stromimpulses durch die Belastungsimpedanz 5 und die Wicklung 13 wird in der Wicklung 15 ein Stromimpuls induziert, der dem Vormagnetisierungsstrom entgegenwirkt. Wenn dieser Strom durch den Widerstand 16 fließt, so wird er durch diesen Widerstand begrenzt, und die in der Induktanz 13 und in ihrem Kern 14 angehäufte Energie wird teilweise in diesem Widerstand aufgebraucht und erzeugt gleichzeitig an den Klemmen der Wicklung 13 eine Rückschlagspannung, welche die zulässige Kollektorspannung überschreiten kann. Um diesen Rückschlag zu vermeiden, ist ein Gleichrichter 17 parallel zum Widerstand 16 und in bezug auf die Spannungsquelle 4 in der Sperrichtung geschaltet, so daß der Vormagnetisierungsstrom durch den Widerstand 16 bestimmt wird. Für den am Ende jedes Stromimpulses durch die Wicklung 15 induzierten Stromimpuls ist der Gleichrichter 17 jedoch leitend, so daß dieser Stromimpuls über den Gleichrichter 17 an die Spannungsquelle 4 zurückgeführt wird. Ist diese Spannungsquelle z. B. eine Batterie, so wird sie vom zurückgeführten Stromimpuls wieder aufgeladen, so daß sehr wenig Energie in den Wicklungen 15,13 und im Kern 14 nutzlos aufgebraucht wird.

Claims (9)

PATENTANSPRÜCHE:

1. Impulsverstärker mit Transistor zur Speisung einer veränderlichen Impedanz, z. B. einer Reihe von Wicklungen ferromagnetischer Gedächtniselemente, mit Stromimpulsen mit nahezu konstanter, von der über der Belastungsimpedanz auftretenden Gegenspannung nahezu unabhängiger Amplitude, wobei Steuerimpulse der Basiselektrode des Transistors zugeführt werden und die Belastungsimpedanz in Reihe mit einer Begrenzungsimpedanz und mit einer Kollektorspannungs quelle im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des Transistors liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsimpedanz eine Induktanz ist und daß ein Regelkreis mit dieser Induktanz gekoppelt ist und durch den Spannungsabfall über der Begrenzungsinduktanz derart gesteuert wird, daß er normalerweise eine verhältnismäßig niedrige Impedanz aufweist und die Impedanz der Begrenzungsinduktanz entsprechend herabsetzt und daß er bei einer plötzlichen Kollektorstromzunahme mit einer Amplitude größer als ein durch die Begrenzungsinduktanz und den Regelkreis bestimmter Schwellenwert eine sehr hohe Impedanz aufweist, so daß die Begrenzungsinduktanz bei diesem Schwellenwert völlig wirksam wird und die weitere Zunahme des Kollektorstromes während der Dauer des Steuerimpulses auf einen Bruchteil des Schwellenwertes begrenzt.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Regelkreis einen über der Induktanz und wenigstens einem Teil der Kollektorspannungsquelle geschalteten Gleichrichter enthält, welcher in bezug auf diesen Teil der Spannungsquelle in der Durchlaßrichtung geschaltet ist, so daß die Induktanz die Stromimpulse

auf eine nahezu konstante Amplitude begrenzt und die bei gesperrtem Transistor an dessen Kollektorelektrode angelegte Ruhespannung um die Spannung des betreffenden Teiles der Spannungsquelle herabgesetzt wird.

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Teil der Spannungsquelle und der Gesamtwiderstand des Kreises über die Induktanz und den Gleichrichter in der Durchlaßrichtung derart gewählt sind, daß bei gesperrtem Transistor ein Strom mit einer Stärke ungefähr gleich dem gewünschten konstanten Amplitudenwert der Stromimpulse sich durch diese Induktanz und durch den erwähnten Gleichrichter einstellt, wobei der Anfangswert der Stromimpulse infolge der Trägheit der Induktanz ungefähr auf den gewünschten Wert der Amplitude bestimmt wird.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitkonstante L/R_g des erwähnten Kreises über die Induktanz und den Gleichrichter wenigstens einige Male kleiner ist als das minimale Zeitintervall zwischen zwei aufeinanderfolgenden Steuerimpulsen, so daß der Einstellwert des Stromes durch diesen Kreis vom erwähnten Zeitintervall nahezu unabhängig ist, wobei L die Induktivität der Begrenzungsinduktanz und R_g den Gesamtwiderstand des Kreises über die Induktanz und den Gleichrichter in der Durchlaßrichtung bedeutet.

5. Schaltung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitkonstante L/Rt_r des erwähnten Kreises über die Induktanz, die Belastungsimpedanz und die Kollektor-Emitter-Elektrodenstrecke des stromführenden Transistors wenigstens einige Male größer ist als die Länge der verwendeten Steuerimpulse, so daß die nach dem Erreichen des erwähnten Anfangswertes auftretende Stromzunahme durch die Belastungsimpedanz innerhalb zulässiger Grenzen gehalten wird, wobei L die Induktivität der Begrenzungsinduktanz und Rtr den Gesamtwiderstand des Emitter-Kollektor-Kreises des Transistors im leitenden Zustand, einschließlich des Eigenwiderstandes der Induktanz bedeutet.

6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die betreffende Induktanz mit einem ferromagnetischen Kern versehen ist, der derart vormagnetisiert ist, daß die Induktanz gesättigt ist und eine niedrige Impedanz besitzt und daß die Stromimpulse ihre Impedanz durch Aufhebung der Vormagnetisierung erhöhen, so daß die Amplitude dieser Stromimpulse durch diese Induktanz begrenzt wird.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende ferromagnetische Kern mittels einer zweiten Wicklung vormagnetisiert wird, die über einen Widerstand an eine Spannungsquelle angeschlossen ist, wobei die Zahl der Windungen K₁ und H₂ der betreffenden Induktanz und der erwähnten zweiten Wicklung, die Spannung der erwähnten Quelle und der Widerstand derart gewählt sind, daß bei gesperrtem Transistor der Strom durch die zweite Wicklung

den Kern sättigt, jedoch kleiner ist als — · a' · i,

»2

wobei a' der Basis-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor des Transistors und i der von den Steuerimpulsen durch seinen Basiskreis erzeugte Strom ist.

8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurcfi gekenn» zeichnet, daß die erwähnte Spannungsqueile gleichzeitig im Kollektor-Emitter-Elektrodenkreis des erwähnten Transistors aufgenommen ist.

9. Schaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Widerstand durch einen in bezug auf die erwähnte Spannungsquelle in der Sperrichtung geschalteten Gleichrichter überbrückt ist, wodurch die am Ende jedes Stromimpulses erzeugte Rückschlagspannung unterdrückt und der durch die zweite Wicklung induzierte Strom an die erwähnte Spannungsquelle zurückgeführt wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

© 109 709/271 10.61