DE1076277B - Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen - Google Patents
Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen GrundelementenInfo
- Publication number
- DE1076277B DE1076277B DES36135A DES0036135A DE1076277B DE 1076277 B DE1076277 B DE 1076277B DE S36135 A DES36135 A DE S36135A DE S0036135 A DES0036135 A DE S0036135A DE 1076277 B DE1076277 B DE 1076277B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- layer
- halogen
- vapor deposition
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 33
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 33
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000003197 gene knockdown Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/101—Application of the selenium or tellurium to the foundation plate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen Bei der Herstellung von Selengleichrichtern ist es bekannt, die Selenschicht oder mehrere Teil-Selenschichten durch Aufdampfen auf einen Träger niederzuschlagen. Hierbei kann die Aufgabe entstehen, der an der Seite der Sperrschicht liegenden Selen-Teilschicht einen bestimmten Gehalt eines metallischen Elementes zu geben, das geeignet ist, die spätere Bildung der Sperrschicht zu fördern, wie z. B. Thallium. Versucht man, die Schichtkomponenten, also das Selen und den metallischen Zusatz, aus derselben Verdampfungsquelle gleichzeitig zu verdampfen, so erweist es sich als sehr schwierig, auf diese Weise einen eindeutig vorbestimmten Gehalt des metallischen Zusatzstoffes mit dem Selen auf den Träger niederzuschlagen. Bei einem Ausgangsmaterial, welches neben dem Selen nur den metallischen Stoff als Zusatz enthält, fällt nämlich die niedergeschlagene Menge des Metalls gegenüber dem erwünschten Gehalt viel zu gering aus.
- Es ist bekannt, auf die Selenschicht des Selengleichrichters eine dünne Thalliumschicht aufzudampfen; bei einem nach diesem Verfahren hergestellten Selengleichrichter diffundiert das Thallium in die Selenschicht hinein, so daß sich eine thalliumhaltige Grenzschicht des Selenkörpers ergibt.
- Es ist ferner bekannt, der gesamten Selenschicht eines Selengleichrichters außer einem Gehalt an Halogen einen Gehalt an Thallium zu geben. Im Rahmen des bekannten Vorschlages ist auch bereits darauf hingewiesen, daß eine derartige Schicht durch Aufdampfen hergestellt werden kann, wobei jedoch Angaben über das eigentliche Verdampfungsverfahren, insbesondere über die Zusammensetzung des Ausgangsmaterials, fehlen.
- Weiterhin ist ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern bekannt, bei dem zur Herstellung einer halogenhaltigen Selenschicht durch Aufdampfen ein Gemisch von Selen- und Halogendampf verwendet wird.
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufdampfen der an der Seite der Sperrschicht liegenden Selenschicht eines Selengleichrichters unter gleichzeitiger Erzeugung eines vorbestimmten Gehaltes an einem oder mehreren metallischen Grundelementen, insbesondere Thallium, in der aufgedampften Schicht. Das Verfahren nach der Erfindung besteht darin, daß bei gleichzeitiger Verdampfung der Schichtkomponenten aus derselben Verdampfungsquelle dem zu verdampfendenSelen-Ausgangsmaterial außer den Metallzusätzen ein Zusatz von Halogen beigegeben wird. Die Erfindung ermöglicht es, eine metallhaltige Selenschicht durch einen einzigen Verdampfungsvorgang herzustellen, wobei der im Ausgangsmaterial enthaltene metallische Zusatzstoff praktisch quantitativ mit dem Selen auf den Träger niedergeschlagen wird. Demgegenüber sind bei dem oben geschilderten bekannten Verfahren, bei dem eine Schicht aus reinem Thallium auf die Selenschicht aufgebracht wird, zu dem gleichen Zweck zwei Verdampfungsvorgänge erforderlich. Außerdem ermöglicht es die Erfindung, die sehr geringen Thalliummengen, die bei der Herstellung von Selengleichrichtern erforderlich sind, besser zu dosieren, da die Menge des Ausgangsmaterials bei der Verdampfung infolge des überwiegenden Gehaltes an Selen wesentlich größer ist als die Menge reinen Thalliums, die bei dem bekannten Verfahren verdampft werden muß.
- Bei dem Verfahren nach der Erfindung können der oder die Metallzusätze im elementaren Zustand oder ganz oder teilweise in Form von chemischen Verbindungen verwendet werden. Der Halogenzusatz ist vorzugsweise derart bemessen, daß er im Überschuß vorliegt gegenüber derjenigen Menge an Halogen, welche für die Bildung einer chemischen Verbindung zwischen dem metallischen Zusatzstoff und dem Halogen entsprechend den stöchiometrischen Bedingungen erforderlich ist. Als geeignete Halogene für diesen Zweck haben sich Chlor, Brom oder Jod erwiesen. Die metallhaltige Schicht kann entweder als selbstständige Teilschicht eines Systems aus mehreren Selenschichten auf den Träger aufgebracht werden, oder sie kann als Teil einer einzigen Schicht im Verlauf eines kontinuierlichen Aufdampfprozesses entstehen.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zum Aufdampfen der an der Seite der Sperrschicht liegenden Selenschicht eines Selengleichrichters unter gleichzeitiger Erzeugung eines vorbestimmten Gehaltes an einem oder mehreren metallischen Grundelementen, insbesondere Thallium, in der aufgedampften Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß bei gleichzeitiger Verdampfung der Schichtkomponenten aus derselben Verdampfungsquelle dem zu verdampfenden Selen-Ausgangsmaterial außer den Metallzusätzen ein Zusatz von Halogen beigegeben wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz an Halogen in einer solchen Menge erfolgt, daß ein Überschuß vorliegt gegenüber der Menge an Halogen, welche für die Bildung einer chemischen Verbindung zwischen dem metallischen Zusatzstoff und dem Halogen entsprechend den stöchiometrischen Bedingungen erforderlich ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 820318; österreichische Patentschrift Nr. 155 712; »Der Radio-Markt«, Beilage in der »Elektro-Technik« Coburg, 9. Februar 1951, S. 14 bis 16:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES36135A DE1076277B (de) | 1953-11-02 | 1953-11-02 | Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES36135A DE1076277B (de) | 1953-11-02 | 1953-11-02 | Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1076277B true DE1076277B (de) | 1960-02-25 |
Family
ID=7482113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES36135A Pending DE1076277B (de) | 1953-11-02 | 1953-11-02 | Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1076277B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1186555B (de) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfaehigkeit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT155712B (de) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen. |
| DE820318C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-08 | Siemens & Halske A G | Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen |
-
1953
- 1953-11-02 DE DES36135A patent/DE1076277B/de active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT155712B (de) * | 1936-06-20 | 1939-03-10 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterüberzügen. |
| DE820318C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-08 | Siemens & Halske A G | Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1186555B (de) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfaehigkeit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE921095C (de) | Selengleichrichter | |
| DE1076277B (de) | Verfahren zum Aufdampfen einer Selenschicht eines Selengleichrichters mit einem Gehalt an metallischen Grundelementen | |
| DE1521775A1 (de) | Verwendung von Stahlblechen oder Stahlprofilen aus leichtlegierten Staehlen fuer Aussenverkleidungszwecke an Bauwerken | |
| CH365152A (de) | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsempfindlichen, Cadmiumsulfid enthaltenden Sinterkörpers | |
| DE710006C (de) | Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Zelle | |
| DE713560C (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxydkathoden | |
| DE1079744B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
| DE710283C (de) | UEberzug von Tantalkarbid auf nicht zur Emission dienende Elektroden elektrischer Entladungsgefaesse und Verfahren zu seiner Aufbringung | |
| DE932812C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern | |
| DEP0050558DA (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| DE1614351B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von CdS-Photowiderständen | |
| DE857238C (de) | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern | |
| DE812805C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
| DE1100815B (de) | Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren mit wenigstens einer auf einen Traeger aus Papier od. dgl. aufgedampften Zinkschicht | |
| DE1278019B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selen-Gleichrichters | |
| DE706980C (de) | Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern | |
| DE458632C (de) | Verfahren zur Erzeugung von Schutzueberzuegen aus Chrom | |
| DE974826C (de) | Verfahren zur Herstellung sekundaeremittierender Schichten | |
| DE973817C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters | |
| DE950664C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern | |
| DE821681C (de) | Kathode zur Bestaeubung von Selen-Sperrschichtphotozellen | |
| DE903125C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Wechselstromgleichrichtern | |
| DE646411C (de) | Verfahren zur Herstellung eines haltbaren gekoernten Kalkstickstoffs | |
| DE112018006548T5 (de) | Beschichtung für ein Bauelement, Bauelement mit einer Beschichtung und ein Verfahren zum Auftragen einer Beschichtung auf ein Bauelement | |
| DE1101626B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern |