DE1047390B - Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas - Google Patents
Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem QuarzglasInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
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Description
- Verfahren zur Verbesserung von handelsüblichem, durch kurzwellige Strahlung verfärbbarem Quarzglas Es ist bekannt, daß sich die handelsüblichen Quarzgläser bei entsprechend langdauernder Einwirkung von kurzwelliger Strahlung, wie Röntgen- oder ;-Strahlen, im ultravioletten und sichtbaren oder nur im ultravioletten Spektralbereich verfärben. Es entstehen hierbei im fraglichen Spektralbereich eine Reihe von Absorptionsbanden, die die Durchlässigkeit des Quarzglases herabsetzen und, wenn sie auch im sichtbaren Spektralgebiet liegen, zugleich eine sichtbare Verfärbung nach Grauviolett verursachen. Durch Erhitzen läßt sich diese Verfärbung zwar wieder beseitigen, was jedoch bei bereits eingebauten Gläsern technisch undurchführbar ist.
- Während die gewöhnlichen, handelsüblichen Quarzgläser sich solchermaßen verfärben lassen, können aus extrem reinen oder gereinigten Ausgangsmaterialien besondere Quarzgläser hergestellt werden, die keiner Verfärbung durch Bestrahlung unterliegen. Derartige Gläser sind besonders kostspielig und nicht in allen Größen herstellbar.
- Die Verfärbung des handelsüblichen Quarzglases durch Bestrahlung kann in gewissen Fällen, bei denen dieses einer entsprechenden Strahlung ausgesetzt werden muß, von Nachteil sein.
- Erfindungsgemäß wird der zur Zeit bestehende Nachteil dadurch vermieden, daß handelsübliches Quarzglas durch Elektrolyse bei erhöhter Temperatur in einem starken elektrischen Feld in einen Zustand übergeführt wird, der nicht mehr durch Strahlung verfärbbar ist. Die Elektroden sind aus einem elektrisch leitenden Stoff zu wählen, wie aus reinstem Kohlenstoff, sie können massiv oder aufgestäubt sein. Die Temperatur der Elektrolyse kann, um den Vorgang zu ermöglichen oder zu beschleunigen, erhöht werden, z. B. 800 bis 10001° C betragen, jedoch unterhalb der Temperatur, bei der Quarzglas beginnt, sich zu deformieren. Die Spannung - Gleich- oder Wechselspannung - wird je nach der Dicke des Quarzglasgegenstandes gewählt, z. B. kann sie 100 bis 200 Volt je mm betragen. Die Anwendung von Wechselspannung ist möglich und setzt sogar die Dauer des Vorganges herab.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Verbesserung von handelsüblichem, durch kurzwellige Strahlung verfärbbarem Quarzglas, so daß es durch Bestrahlung nicht mehr zu verfärben ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Quarzglasgegenstand einer Elektrolyse bei erhöhter Temperatur, z. B. bei 800 bis 1000° C, in einem elektrischen Feld von z. B. 100 bis 200 Volt je mm mit Gleich- oder Wechselspannung unterworfen wird..
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung reinsten Kohlenstoffs als Elektroden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrolyse in neutraler Atmosphäre vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL28258A DE1047390B (de) | 1957-08-02 | 1957-08-02 | Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas |
Applications Claiming Priority (1)
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| DEL28258A DE1047390B (de) | 1957-08-02 | 1957-08-02 | Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1047390B true DE1047390B (de) | 1958-12-24 |
Family
ID=7264451
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DEL28258A Pending DE1047390B (de) | 1957-08-02 | 1957-08-02 | Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1047390B (de) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1986002919A1 (en) * | 1984-11-05 | 1986-05-22 | Tsl Thermal Syndicate P.L.C. | Vitreous silica |
| WO2001009411A1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-02-08 | Seh America, Incorporated | Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential |
| US6395085B2 (en) | 1999-07-14 | 2002-05-28 | Seh America, Inc. | Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices |
| US6454852B2 (en) | 1999-07-14 | 2002-09-24 | Seh America, Inc. | High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices |
| US6632277B2 (en) | 1999-07-14 | 2003-10-14 | Seh America, Inc. | Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices |
-
1957
- 1957-08-02 DE DEL28258A patent/DE1047390B/de active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6228165B1 (en) | 1999-07-28 | 2001-05-08 | Seh America, Inc. | Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential |
| US6565651B2 (en) | 1999-07-28 | 2003-05-20 | Seh America, Inc. | Optimized silicon wafer strength for advanced semiconductor devices |
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