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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Güte eines
Pellicles, das an einem auf einer Maske angeordneten Rahmen zum
Schutz einer auf der Maske angeordneten Struktur vor einer Kontamination
mit mikroskopischen Partikeln befestigt ist. Die Erfindung betrifft
insbesondere Verfahren zur Gütebestimmung
von Pellicles, die in der 157 nm Lithographie Verwendung finden.
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Flächen auf
Masken, in denen aktive Strukturen zur Übertragung auf Halbleiterwafer
gebildet sind, werden im allgemeinen mit Hilfe von transparenten
Schutzmaterialien vor äußeren Einwirkungen, wie
beispielsweise kontaminierenden Teilchen oder mechanischen Einwirkungen,
geschützt.
Diese auch Pellicle genannten Schutzvorrichtungen wurden bisher
meist aus dünnen
Polymerfilmen gebildet, die auf einen Rahmen aufgezogen werden,
welcher auf der Maske angebracht ist, wobei der Rahmen die aktiven,
auf einem Wafer abzubildenden Strukturen auf der Maske umgibt. Kontaminierende
Teilchen können sich
so nicht in Bereichen der aktiven Strukturen einlagern, sondern
sammeln sich nur an den elastischen, aufgrund der Anordnung auf
dem Rahmen von den aktiven Strukturen beabstandeten Pelliclemembranen.
Zwar können
somit kontaminierende Teilchen während
der Belichtung eines Halbleiterwafers in den Strahlengang des Belichtungssystems zwischen
der Maske und den Objektivlinsen gelangen, jedoch befinden sie sich
gerade aufgrund des Abstandes von den aktiven Strukturen dabei nicht
in einer Fokusposition und besitzen daher einen vernachlässigbaren
Einfluß auf
die Abbildung.
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Mit
dem Übergang
zu immer kleiner werdenden Strukturgrößen geht im Bereich der Herstellung integrierter
Schaltungen auch eine Verringerung der für eine Belichtung der Halbleiterwafer
verwendeten Wellenlänge
einher. Die dadurch mit jeder Techno logiegeneration zunehmende Energie
der die Polymerverbindung des Pellicles transmittierenden Strahlung führt auf
nachteilhafte Weise besonders ab einer Belichtungswellenlänge von
157 nm und weniger zu einer starken Degradation bzw. Schwärzung der
Polymermembran nach der Belichtung von beispielsweise schon 3 bis
5 Losen zu je 25 Wafern. Durch diese Schwärzung werden einerseits Inhomogenitäten auf einer
Wafer-zu-Wafer-Basis
in Bezug auf die von Halbleiterwafern empfangenen Strahlungsdosen
verursacht, andererseits kann es auch zu oberflächlichen Intensitätsgradienten
zwischen den Teilstrukturen auf einem Wafer kommen.
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Man
geht daher dazu über,
strahlungsstabile Materialien für
Pellicles zu suchen und einzusetzen. Für die Belichtung mit Licht
der Wellenlänge
157 nm werden dabei nicht mehr die auch Soft-Pellicles genannten
Polymerfilme verwendet, sondern beispielsweise 800 μm dicke fluor-dotierte
Quarzplättchen,
sogenannte Hartpellicles, eingesetzt. Diese gewährleisten eine ausreichende
Beständigkeit
sowie eine über viele
Belichtungen hinweg konstante Transmission. Die genannte Dicke von
800 μm gewährleistet
auch eine hinreichende Steifheit der Quarzplatte, so daß Beschädigungen
durch äußere Einwirkungen
vermieden werden können.
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Ein
Problem, das aber insbesondere bei diesen Hartpellicles aufgrund
der großen
Dicke und vergleichsweise hohen Brechzahlen von n = 1.5 ... 1.6 entstehen
kann, ist, daß das
Hartpellicle als optisches Element im Strahlengang des Abbildungssystems
wirken kann und beispielsweise durch sphärische Aberration zu Verzeichnungen
der abzubildenden Strukturen auf dem Wafer führen kann. Es ist allerdings
möglich,
die Effekte aufgrund der sphärischen
Aberration durch Anpassung des Linsensystems auszukorrigieren, beispielsweise
durch Verschieben von Linsenelementen im Strahlengang.
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Insbesondere
dynamische Effekte bei der Belichtung eines Wafers durch eine mit
einem Pellicle bestückte
Maske können
al lerdings kaum kompensiert werden. Dabei kann es sich beispielsweise
um durch einen Scan-Vorgang angeregte, interne Schwingungen des
am Rahmen befestigten Hartpellicles handeln, oder das Hartpellicle
wird durch die eigene Schwerkraft und/oder Dickenvariationen des Pellicles
aus seiner idealen Lage auf der Maske herausgebogen.
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Um
daher fehlerhaft auf dem Graben auf der Maske angebrachte Pellicles
identifizieren zu können,
sind nach dem Aufbringen des Pellicles bzw. vor Verwendung der Maske
in einem Belichtungsgerät metrologische
Untersuchungen zur Gütebestimmung des
Pellicles bzw. der Pellicle-Montage vorzunehmen. Im Regelfall werden
dazu interferometrische Messungen durchgeführt, bei denen unter hohem Aufwand
festgestellt wird, wie parallel beispielsweise die Pellicle-Schicht,
d. h. der Polymerfilm bei herkömmlichen
Pellicles oder das Quarzplättchen
bei Hartpellicles zu der Chromschicht an der Oberfläche der
Maske angeordnet sind. Solche Messungen werden typischerweise unmittelbar
nach dem Anbringen des Pellicles auf dem Rahmen der Maske beispielsweise
beim Maskenhersteller vorgenommen. Weitere Untersuchungen betreffen
die Kontrolle von Dickeschwankungen des Polymerfilms bzw. des Quarzplättchens.
Diese Messungen liegen im Regelfall im Bereich der Verantwortung
des Pellicleherstellers.
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Die
Messungen der sogenannten "Post-Mount-Metrology" werden zumeist interferometrisch
an Nutzstrukturen durchgeführt.
Dabei wird gemessen, wie groß der
Versatz bzw. die Auflösung an
verschiedenen Positionen der Maske ist. Hieraus kann die Güte der Abbildung
und damit des Pellicle-Mountings bestimmt werden. Als Nutzstrukturen werden
beispielsweise Linien-Spaltenmuster oder Kontaktlochanordnungen
verwendet.
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Die
interferometrischen Messungen werden ex-situ durchgeführt. Dies
führt zu
dem Nachteil, daß Informationen
betreffend die Güte
eines Pellicles weder zum Zeitpunkt des Pellicle-Mountings noch
zum Zeitpunkt einer Belichtung vorliegen.
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Einerseits
kann daher weder sofort das Aufbringen eines neuen Pellicles auf
die Maske wiederholt werden, noch können geeignete Anpassungen des
Linsensystems durchgeführt
werden.
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US 2003/0020901 A1 offenbart
ein Verfahren zur Ermittlung optischer Abbildungsfehler eines Linsensystems
mithilfe eines Reticles mit einem Phasenbeugungsgitter, das eine
asymmetrische Beugung von Strahlung verursacht. Ein Pellicle ist
auf dem Reticle nicht vorgesehen.
US 2002/0086224 A1 offenbart eine Reticlemaske
mit einem Pellicle.
JP 04130711
A offenbart ein Verfahren zum Erzeugen einer optischen
Abbildung mithilfe einer Reticlemaske, die auf entgegengesetzten
Seiten zwei Pellicles aufweist, wobei Abbildungsfehler, die durch
die Reticlemaske und deren Pellicles hinsichtlich Fokussierung und
Vergrößerungsmaßstab entstehen,
korrigiert werden.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Gütebestimmung
von Pellicles bzw. dem Pellicle-Mounting zu verbessern, die Qualität der Belichtung
eines Wafers durch eine mit einem Pellicle bestückte Maske zu verbessern, sowie
den Durchsatz von Waferbelichtungen zu erhöhen.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie durch eine
Vervendung dieses Verfahrens gemäß Anspruch
10. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den abhängigen Ansprüchen zu
entnehmen.
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Das
erfindungsgemäße Verfahren
kann sowohl auf elastische Soft-Pellicles sowie auch auf strahlungsstabile
Hartpellicles angewendet werden. Das zu untersuchende Pellicle wird
auf eine Maske, welche mit einem Pelliclerahmen versehen ist, montiert.
Die Maske umfaßt
spezielle Beugungsgitter, mit denen einfallende Lichtstrahlen vorzugsweise
asymmetrisch gebeugt werden können.
Asymmetrisch bedeutet hier, daß von
einem Paar höherer
Beugungsordnungen, beispielsweise einer +1. und einer –1. Beugungsordnung,
jeweils nur genau eine Beugungsordnung durch das Beugungsgitter
erzeugt wird, während
sich die Lichtbeiträge
durch die einzelnen Gitterkomponenten bei der jeweils komplementären Beugungsordnung
auslöschen.
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Vorzugsweise
werden sogenannte Phasen-Beugungsgitter verwendet, wie sie etwa
in der Druckschrift
US
2003/0020901 A1 beschrieben sind. Alle in der genannten
Druckschrift beschriebenen Ausführungsformen
und -beispiele von Beugungsgittern sind vorteilhaft auch für die vorliegende
Erfindung anwendbar. Es kann eine eigens nur mit diesen Beugungsgittern
als Strukturen vorgesehene Maske mit dem zu untersuchenden Hart- oder Soft-Pellicle vermessen
werden, es ist aber auch möglich,
Masken mit aktiven Produktstrukturen in einem oder mehreren peripheren
Bereichen, etwa dem nach der Projektion auf den Wafer als Sägerahmen
bezeichneten Bereich, mit Beugungsgittern zu versehen.
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Die
Beugungsgitter haben zur Folge, daß ein in dem Belichtungsgerät, wie etwa
ein Scanner oder Stepper, auf die Maske und das Beugungsgitter einfallender
Lichtstrahl in einen die 0. Beugungsordnung repräsentierenden ersten Lichtstrahl
und genau eine Beugungsordnung eines Paares höherer Beugungsordnungen repräsentierender
zweiter Lichtstrahl sowie gegebenenfalls an dieser Stelle nicht
weiter interessierende Lichtstrahlen noch höherer Beugungsordnungen zerlegt
wird. Durch die unterschiedlichen Beugungsrichtungen werden verschiedene
Bereiche des von den aktiven Maskenstrukturen beabstandeten Pellicles
von den Lichtstrahlen jeweils durchstrahlt. Je nach Ausrichtung
des Beugungsgitters auf der Maske sowie je nach Gitterkonstante
des Beugungsgitters kann der zweite Lichtstrahl in einen gewünschten
Bereich des Pellicles gebeugt, d. h. relativ von der Einfallsrichtung
des noch ungebeugten Strahls auf die Maske abgelenkt werden.
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In
der Bildebene, d. h. beispielsweise ein mit einer photoempfindlichen
Schicht belackter Wafer oder ein in der Waferebene angeordnetes
System von Fotodetektoren etc., werden der erste und der zweite
Teilstrahl durch Fokussieren wieder überla gert, so daß das entstehende
Muster eine durch das Pellicle verursachte Wellenaberration repräsentiert. Der
die 0. Beugungsordnung repräsentierende
erste Lichtstrahl dient hierbei als Referenzstrahl, im Verhältnis zu
welchem die lokalen Aberrationseigenschaften des Pellicles für jeden
Winkel und Abstand von einem Referenzpunkt auf der Maske oder der
numerischen Aperturöffnung
mit Hilfe des zweiten Lichtstrahls bestimmt werden.
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Erfindungsgemäß wird das
Verfahren zusätzlich
auf dem gleichen Belichtungsgerät
mit der gleichen Maske durchgeführt,
ohne daß das
Hart- oder Soft-Pellicle vorher montiert wurde. Dadurch läßt sich
der Einfluß der Aberrationseigenschaften des
Linsensystems in einem Vergleich der Meßergebnisse bei einer Maske
mit montiertem Pellicle subtrahieren. In dem Fall, daß die Aberrationseigenschaften
des Pellicles einen vorab spezifizierten Toleranzwert überschreiten,
ist es vorgesehen, entweder das Pellicle vom Rahmen zu entfernen
und erneut zu montieren, oder aber ein völlig neues Pellicle anzubringen.
Mit Hilfe der Erfindung wird demnach eine genaue Charakterisierung
der Güte
von Pellicles bzw. der Pellicle-Montage ermöglicht. Insbesondere kann dabei
auch der Einfluß des
Pelliclerahmens auf der Maske auf die Aberrationseigenschaften des
Hart- oder Soft-Pellicles bestimmt werden. Dies ist insbesondere
deshalb wichtig, weil die Schwingungseigenschaften des Pellicles
während des
Bewegens der Maske beim Scannen in einem Belichtungsgerät von den
Spannungs- bzw. Torsionseigenschaften aufgrund des Pelliclerahmens
abhängen.
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Ein
weiterer vorteilhafter Aspekt der Erfindung ist, daß bei einem
Pellicle, das mit bekannten Aberrationseigenschaften auf einem Rahmen
auf einer Maske montiert ist, die dynamischen Eigenschaften des
Scanning-Mechanismus eines Belichtungsgerätes untersucht werden können.
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Letztendlich
können
durch die Erfindung auch die für
Pelliclerahmen verwendeten Materialien wie beispielsweise Metalle,
Metallschäume
sowie Quarzlacke auf ihre Eignung hin überprüft werden.
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Mit
der erfindungsgemäßen Methode
ist der besondere Vorteil verbunden, daß die Untersuchung von Hart-
bzw. Soft-Pellicles in den Belichtungsgeräten selbst – also in situ – in Bezug
auf deren Güte durchgeführt werden
kann. Es ist daher möglich,
unmittelbar infolge eines festgestellten Aberrationsverhaltens beispielsweise
das Linsensystem an die individuelle, aktuelle Situation in einem
Belichtungsgerät anzupassen.
Ein aufwendiges Entfernen der Maske aus dem Belichtungsgerät, der Transport
zu einem Metrologiegerät
sowie die Untersuchung in dem Metrologiegerät können entfallen, so daß der Durchsatz von
Produkten, die mit Hilfe einer Maske hergestellt werden, erhöht werden
kann. Wartezeiten zur Bestimmung der Meßergebnisse werden somit vermieden.
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Die
Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer
Zeichnung näher
erläutert
werden. Darin zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung eines Strahlengangs mit Maske und Pellicle
zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens,
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2 ein
Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels
eines erfindungsgemäßen Verfahrens.
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In 1a ist
eine schematische Darstellung des Strahlengangs eines Belichtungsgerätes dargestellt,
in welchem das erfindungsgemäße Verfahren durchgeführt werden
soll. Bei dem Belichtungsgerät handelt
es sich beispielsweise um einen Scanner. Mittels einer Strahlungsquelle 10 wird
ein Lichtstrahl 12 der Wellenlänge 157 nm erzeugt. Die Strahlungsquelle 10 umfaßt beispielsweise
einen F2-Laser. Der Lichtstrahl 12 wird
auf eine Maske 14 geworfen, die eine transparente Trägerplatte
aus Quarz umfaßt,
auf welcher ein Phasen-Beugungsgitter 16 gebildet
ist. Das Phasen-Beugungsgitter 16 weist jeweils drei sich
periodisch wiederholende transparente Bereiche 18, 19, 20 auf,
zwischen denen ein relativer Phasenunterschied von 90° (erster
Bereich 18 zum zweiten Bereich 19 und zweiter
Bereich 19 zum dritten Bereich 20) besteht. Der
Phasenunterschied vom dritten Bereich 20 zum ersten Bereich 18 des
nächstfolgenden
Gitterabschnittes beträgt
180°.
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Der
Phasenunterschied wird beispielsweise durch eine geätzte Vertiefung
in dem Quarzsubstrat der Maske
14 ermöglicht. Der erste Bereich
18 und der
dritte Bereich
20 besitzen die gleiche Breite W, während der
zweite Bereich
19 die doppelte Breite
2W besitzt.
Ein solches Phasen-Beugungsgitter ist bei spielsweise in der genannten
Druckschrift
US 2003/0020901
A1 beschrieben.
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Auf
der Maske 14 ist ein Rahmen 22 befestigt. Auf
dem Rahmen 22 ist ein Hartpellicle 24 montiert,
das in 1a in übertriebener Weise in einem verbogenen,
eine Schwingung repräsentierenden Zustand
dargestellt ist. Dieser dynamische Zustand (Beschleunigung, Verzögerung,
Anregung von Eigenschwingungen des Pellicles) ist beispielsweise durch
eine Bewegung 26 der Maske 14 während des Scan-Vorgangs
in dem Scanner induziert.
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Durch
das Phasen-Beugungsgitter 16 wird das eingestrahlte Licht 12 in
eine Anzahl von Beugungsordnungen 32, 34 zerlegt,
die jeweils durch Teilstrahlen repräsentiert werden. In 1a ist
ein die 0. Beugungsordnung repräsentierender
erster Teilstrahl 32 und ein die 1. Beugungsordnung repräsentierender
zweiter Teilstrahl 34 dargestellt, die in unterschiedlichen
Richtungen vom Beugungsgitter gebeugt werden. Das oben beschriebene
Beugungsgitter 16 ist derart konfiguriert, daß von dem
Paar erster Beugungsordnungen lediglich der Teilstrahl 34 der
plus erstem Beugungsordnung, nicht jedoch ein weiterer Teilstrahl
beispielsweise der minus ersten Beugungsordnung erzeugt wird. Die
Erzeugung weiterer Teilstrahlen, welche noch höhere Beugungsordnungen repräsentieren,
ist durch dieses Beugungsgitter 16 zwar nicht ausgeschlossen,
diese werden jedoch unter einem derart großen Winkel durch das Beugungsgitter 16 abgelenkt,
daß sie
die Aperturöffnung 36 des
Beleuchtungssystems nicht passieren können.
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Durch
das Linsensystem 28, 30 werden die beiden Teilstrahlen 32, 34 in
der Bildebene 38 fokussiert und überlagert, wobei sich im konkreten
Fall des Ausführungsbeispiels
ein sinusförmiges
Intensitätsprofil
ergibt. Das sich aufgrund des Beugungsgitters 16 ergebende
Spektrum der Beugungsordnungen ist in 1b dargestellt,
wobei der dominante Lichtbeitrag zu dem Intensitätsprofil 40 in der
Bildebene 38 durch die plus erste Beugungsordnung 34 beigesteuert
wird. In der schematischen Darstellung der 1b ist
die durch das Beugungsgitter 16 ausgelöschte minus erste Beugungsordnung 34' gestrichelt gekennzeichnet.
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Die
Teilstrahlen 32, 34 transmittieren das Pellicle
aufgrund der unterschiedlichen Beugungsrichtungen lokal in unterschiedlichen
Bereichen, so daß die
lokalen Aberrationseigenschaften des Pellicles 24 anhand
des in der Bildebene 38 überlagerten Intensitätsprofils 40 ausgewertet
werden können.
Die Amplitude, die Phasenlage sowie die Frequenz des sinusförmigen Profils 40 hängen insbesondere
von den unterschiedlichen Lichtlaufwegen der Teilstrahlen 32 und 34 ab,
sowie aber auch von dem Grad der Transmission-Eigenschaften, die
insgesamt von der Güte
des verwendeten Pellicles 24 bestimmt sind.
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Auf
der rechten Seite von 1a ist in Draufsicht der Durchtrittspunkt
der jeweiligen Teilstrahlen 32 bzw. 34 durch die
Aperturöffnung 36 gezeigt.
Der Teilstrahl 32 entsprechend der 0. Beugungsordnung kann
als Referenzstrahl betrachtet werden, während mit Hilfe des ersten
Teilstrahls 34 entsprechend der plus ersten Beugungsordnung
durch geeignete Wahl der Winkelausrichtung des Beugungsgitters auf
der Maske sowie der Gitterkonstante an eine gewünschte Position innerhalb der
Aperturöffnung 36 gebracht werden
kann. Vorteilhafterweise wird dazu eine Vielzahl von Beugungsgittern 16 mit
unterschiedlichen Ausrichtungen und Gitterkonstanten auf der Maske angeordnet,
um die einzelnen Aberrationsbeiträge des Pellicles charakterisieren
zu können.
Analog geht dies auch zur Bestimmung der Verteilung des Transmissionsgrades
des Pellicles 24.
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In 2 ist
ein Ablaufdiagramm gezeigt, das ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens
zeigt, welches auf eine Anordnung nach 1 angewendet
werden kann. Zunächst
wird die beschriebene Maske mit der Anzahl von Phasen- Beugungsgittern bereitgestellt.
Als nächstes
wird ein Hart-Pellicle,
d. h. ein Quarzplättchen
mit einer Dicke von 800 μm,
auf dem Pelliclerahmen 22 auf der Maske 14 montiert.
Wie beschrieben wird die Belichtung mit einer Wellenlänge von
157 nm in dem in 1a gezeigten Scanner durchgeführt, wobei
das Licht an den Phasen-Beugungsgittern gebeugt wird, so daß das Pellicle 24 mit
in unterschiedlichen Richtungen gebeugten Teilstrahlen durchstrahlt
wird.
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In
der Bildebene 38 ist ein mit einer photoempfindlichen Schicht
versehener Wafer angeordnet, auf welchem die Teilstrahlen fokussiert
und wieder überlagert
werden, so daß das
in 1a gezeigte sinusförmige Profil 40 in
dem Lack gebildet wird. In einem Dunkelfeldmikroskop wird der belichtete
und entwickelte Lack zur Messung des Intensitätsprofils untersucht. Es ist
alternativ auch möglich,
unmittelbar mit beispielsweise auf der Waferstage angebrachten Sensoren
das in der Bildebene 38 entstehende Intensitätsprofil
durch Verfahren der Waferstage abzutasten. Gemäß dem letzteren Aspekt entsteht
der Vorteil, daß auch
das Wafersubstrat nicht aus der Belichtungskammer entfernt werden
muß.
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Das
aufgrund der Messung charakterisierte bzw. gemessene Intensitätsprofil
kann nun mit einer vorab erstellten Bibliothek von Referenzprofilen
verglichen werden. Jedem der Referenzprofile ist ein Beitrag von
Aberrationen verschiedener Ordnungen wie beispielsweise Choma, Defokus,
Dreiwelligkeit (Three-Leaf-Clover), etc. zugeordnet. Durch die Identifikation
desjenigen Referenzprofils mit der besten Übereinstimmung mit dem gemessenen
Intensitätsprofil
kann die Aberration des Pellicles genau bestimmt werden. Durch eine
Vielzahl von gemessenen Intensitätsprofilen 40,
welche jeweils einem auf der Maske 14 mit unterschiedlicher
Ausrichtung und Gitterkonstante angeordneten Beugungsgitter 16 zugeordnet
sind, ist es möglich,
eine Aberrationskarte des Pellicles 24 zu erstellen.
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Ohne
daß die
Maske oder der Wafer aus dem Belichtungssystem entfernt werden müssen, kann
nun eine detaillierte Linsenanpassung in dem Scanner vorgenommen
werden, um die Belichtungseigenschaften für eine weitere Maske, die mit
einem Rahmen 22 und einem Pellicle 24 vom aktuell
untersuchten Typ bestückt
ist, durchzuführen.
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Anstatt
Intensitätsprofile
mit Referenzprofilen zu vergleichen oder die Aberration unmittelbar aus
dem Intensitätsprofilen
herzuleiten, kann gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
auch der Fokus des Belichtungssystems variiert werden, wobei für jedes
Beugungsgitter diejenige Fokuseinstellung identifiziert wird, für welches
das Intensitätsprofil
einen maximalen Kontrast liefert. Auf diese Weise liefern die durch
jedes Beugungsgitter 16 erzeugten Intensitätsprofile
eine Defokus-Charakterisierung des Pellicles 24, durch
welche ebenfalls auf die Aberrationseigenschaften geschlossen werden
kann.
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Um
den Einfluß der
Linsenaberration von den aktuellen Meßergebnissen subtrahieren zu
können,
ist erfindungsgemäß vorgesehen,
zusätzlich
zu den in 2 dargestellten Schritten des
erfindungsgemäßen Verfahrens
eine herkömmliche
Aberrationsmessung mit Hilfe der Maske mit den Phasen-Beugungsgittern 16 durchzuführen, ohne
daß ein
Pellicle 24 auf der Maske 14 montiert ist. Die
dabei ermittelten Aberrationseigenschaften werden dann von dem später ermittelten,
kombinierten Aberrationseigenschaften von Pellicle und Linse subtrahiert,
so daß eine
Charakterisierung lediglich des Pellicles möglich wird.
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- 10
- Strahlungsquelle
- 12
- einfallender
Lichtstrahl
- 14
- Maske
- 16
- Phasen-Beugungsgitter
- 18,
19, 20
- transparente,
phasenverschobene Bereiche des Beugungsgitters
- 22
- Pelliclerahmen
- 24
- Pellicle
- 26
- dynamische
Bewegung der Maske, Scan-Vorgang
- 28,
30
- Linsensystem
- 32
- erster
Teilstrahl (0. Beugungsordnung)
- 34
- zweiter
Teilstrahl (+1. Beugungsordnung)
- 34'
- zweiter
Teilstrahl (–1.
Beugungsordnung, ausgelöscht
durch Beugungsgitteranordnung)
- 36
- Aperturöffnung
- 38
- Bildebene
- 40
- Intensitätsprofil