DE10303902A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske Download PDF

Info

Publication number
DE10303902A1
DE10303902A1 DE10303902A DE10303902A DE10303902A1 DE 10303902 A1 DE10303902 A1 DE 10303902A1 DE 10303902 A DE10303902 A DE 10303902A DE 10303902 A DE10303902 A DE 10303902A DE 10303902 A1 DE10303902 A1 DE 10303902A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alignment
adjustment
alignment mark
microscope
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10303902A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10303902B4 (de
Inventor
Sven Hansen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suess Microtec Lithography GmbH
Original Assignee
Suess Microtec Lithography GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suess Microtec Lithography GmbH filed Critical Suess Microtec Lithography GmbH
Priority to DE10303902A priority Critical patent/DE10303902B4/de
Priority to US10/767,124 priority patent/US7057707B2/en
Priority to AT0013404A priority patent/AT413305B/de
Publication of DE10303902A1 publication Critical patent/DE10303902A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10303902B4 publication Critical patent/DE10303902B4/de
Priority to US11/417,085 priority patent/US20060199085A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/24Base structure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Durch die Erfindung wird ein Verfahren zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops bereitgestellt. Im erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Justiermaske eingesetzt, auf deren einen Seite sich mindestens eine Justiermarke befindet und deren andere Seite verspiegelt ist. Zum Ausrichten wird das Mikroskop zuerst auf die Justiermarke fokussiert und anschließend auf das durch die verspiegelte Seite erzeugte Spiegelbild der Justiermarke umfokussiert. Das Mikroskop wird dann durch Vergleichen der Position der Justiermarke und des erzeugten Spiegelbilds der Justiermarke ausgerichtet, bis die Justiermarke mit deren Spiegelbild zur Deckung gebracht ist. Weiterhin wird eine Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops nach dem erfindungsgemäßen Verfahren bereitgestellt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ausrichten von Justier-Mikroskopen. In dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Justiermaske verwendet, auf deren einen Seite sich Justiermarken befinden und deren andere Seite teil- oder vollverspiegelt ist. Das senkrechte Ausrichten von Justiermikroskopen wird benötigt, wenn sich die zu positionierenden Justiermarken in unterschiedlichen Objektabständen befinden.
  • Justier-Mikroskope, insbesondere sogenannte BSA-(Bottom-Side-Alignment-)Mikroskope, werden benötigt, wenn Substrate bzw. Wafer, die ihre Justiermarken auf der Unterseite haben, zu Belichtungsmasken ausgerichtet werden sollen. Ein Aufbau eines Justier-Systems ist schematisch in 1 gezeigt. Vor dem Laden des Wafers 2 in das System wird, das Mikroskop 1 zunächst auf die Justiermarke der Belichtungsmaske 3 fokussiert und das Bild dieser Marke zentriert. Die Position der Justiermarke wird gespeichert, und anschließend wird der Wafer 2 zwischen das Mikroskop 1 und die Maske 3 eingebracht. Danach wird das Mikroskop auf die Justiermarke, die sich auf dem Wafer 2 befindet, fokussiert. Schließlich wird die Position des Wafers 2 in der Fokusebene so lange verändert, bis die Marke auf dem Wafer 2 zu der Marke auf der Maske 3 ausgerichtet ist; hierzu wird auf einem Monitor die zunächst gespeicherte Position der Marke auf der Maske 3 mit der aktuellen Position der Marke auf dem Wafer 2 überlagert und so die Ausrichtung ermöglicht.
  • Während dieses Ausrichtungsvorgangs muss das Justier-Mikroskop 1 stark umfokussiert werden. Dies setzt aber woraus, dass das Mikroskop 1 zuvor. genau ausgerichtet wurde, dass sich also die optische Achse 11 des Mikroskops 1 möglichst genau senkrecht zu der Ebene der Maske 3 bzw. des Wafers 2 befindet.
  • Bekannte Verfahren zum Ausrichten von Justier-Mikroskopen verwenden sogenannte Doppelmarkenmasken. In 2(a) ist schematisch ein Aufbau zum Ausführen eines solchen bekannten Ausrichtungsverfahrens gezeigt. Die (durchsichtigen) Doppelmarkenmasken 4 weisen auf der Oberseite 42 sowie auf der Unterseite 41 Justierinarken, beispielsweise Kreuzstrukturen, 44 bzw. 43, auf, die vom Maskenhersteller zueinander ausgerichtet wurden, Zum Ausrichten des Justier-Mikroskops wird eine Doppelmarkenmaske 4 anstelle der Maske 3 in das Justier-System geladen. Die Ausrichtung erfolgt dadurch, dass das Mikroskop zuerst auf die Justiermarke 43 auf der Unterseite 41 der Doppelmarkenmaske fokussiert wird. Nachdem das Mikroskop 1 so eingestellt wurde, dass sich die Justiermarke 43 im Fokus befindet, wird deren Position gespeichert und danach das Justier-Mikroskop 1 auf die Maskenoberseite 42 umfokussiert. Die zuvor gespeicherte Position der Justiermarke 43 wird anschließend mit dem „Live"-Bild der Justiermarke 44 verglichen. Das Justier-Mikroskop 1 wird so lange ausgerichtet, bis sich die Justiermarken in beiden Bildern übereinander und in Deckung befinden. Zur Vereinfachung der Ausrichtung können die oberen . Kreuzstrukturen 44 auch in Form von Doppellinien ausgeführt sein.
  • Doppelmarkenmasken, bei denen die Justiermarken auf der Ober- und Unterseite der Maske mit der geforderten Genauigkeit zueinander ausgerichtet wurden, sind extrem schwierig herzustellen. Die Herstellung solcher Doppelmarkenmasken ist daher sehr teuer.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht im Bereitstellen eines verbesserten Verfahrens zum Ausrichten von Justier-Mikroskopen. Weiterhin stellt die vorliegende Erfindung eine verbesserte Vorrichtung zum Ausrichten von Justier-Mikroskopen bereit, die insbesondere einfacher und kostengünstiger herzustellen ist und dabei die geforderte Genauigkeit bei der Ausrichtung des Mikroskops gewährleistet.
  • Die Aufgaben werden durch die in den Ansprüchen enthaltenen Merkmalegelöst.
  • Im erfindungsgemäßen Verfahren wird anstelle einer Doppelmarkenmaske eine Justiermaske eingesetzt, auf deren einen Seite sich mindestens eine Justiermarke befindet und deren andere Seite verspiegelt ist. Die verspiegelte Seite kann hierbei teilweise (oder teildurchlässig) oder vollverspiegelt sein. Das Ausrichten der Justier-Mikroskope erfolgt analog zu dem bekannten Verfahren mit Doppelmarkenmaske: im Falle der vorliegenden Erfindung wird das Mikroskop zunächst auf eine der Justiermarken auf der Maskenunterseite fokussiert und vorzugsweise die Position bzw. das Mikroskopbild der Justiermarke gespeichert. Anschließend wird das Mikroskop auf das Spiegelbild der Justiermarke umfokussiert. Die Position (bzw. das Mikroskopbild) der gespiegelten Justiermarke wird dann mit der gespeicherten Position (bzw. mit dem gespeicherten Mikroskopbild) verglichen und danach das Justier-Mikroskop ausgerichtet bis die gespeicherte Position und die Position des Spiegelbilds bzw. beide Mikroskopbilder übereinstimmen.
  • Der Einsatz von verspiegelten Justiermasken hat gegenüber herkömmlichen Doppelmarkenmasken die folgenden Vorteile: Verspiegelte Justiermasken sind im Vergleich zu den bisher verwendeten Doppelmarkenmasken einfacher herzustellen, da die überaus schwierige Ausrichtung der Justiermarken auf der einen Seite zu den Marken auf der anderen Seite nicht notwendig ist. Dadurch sind verspiegelte Masken leichter verfügbar und deutlich preiswerter. Weiterhin ist die Genauigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens größer als die herkömmlicher Verfahren, da Positionierfehler beim Schreiben der Maske vermieden werden.
  • Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 schematisch den Aufbau eines Justier-Mikroskopsystems;
  • 2 schematisch den Aufbau zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops (a) mittels einer bekannten Doppelmarkenmaske und (b) mittels einer verspiegelten Justiermaske gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine Skizze zur Verdeutlichung des durch den Keilfehler einer efindungsgemäßen Justiermaske verursachten Justierfehlers; und
  • 4(a) und (b) Skizzen zweier mäglicher Lösungen, die es erlauben, die Verlagerung des Justier-Mikroskops zu vermeiden.
  • 2(b) zeigt schematisch einen Aufbau zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels einer verspiegelten Justiermaske gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Justiermaske 5 trägt an der dem Mikroskop zugewandten Seite 51 eine oder mehrere Justiermarken 53, die Rückseite 52 der Justiermarke 5 ist mindestens im Bereich, der Justiermarke 53 teilweise oder ganz verspiegelt. Dadurch liegt das durch die verspiegelte Fläche 52 erzeugte Spiegelbild 53' der Justiermarke 53 bezogen auf die verspiegelte Fläche 52 – jedenfalls bei exakt paralleler Ober- und, Unterseite der Marke im Bereich der Justiermarke 53 – exakt senkrecht gegenüber der Justiermarke 53. Diese Eigenschaft, dass nämlich, die beiden Justiermarken bezogen auf eine Ebene der Justiermaske exakt gegenüberliegend angeordnet sind, konnte bei den bekannten Doppelmarkenmasken 4, bei denen die Justiermarken beidseitig angebracht sind, nie exakt erreicht werden und ist mit geringer Toleranz nur mit extremem Aufwand zu fertigen. Die Justiermasken 5 der vorliegenden Erfindung müssen dabei nur halb so dick sein wie bekannte Doppelmarkenmasken 4.
  • Im erfindungsgemäßen Verfahren wird das Justier-Mikroskop 1 auf die auf der einen Seite 51 der Justiermarke befindlichen Justiermarke 53 fokussiert, vorzugsweise das Bild einer der Justiermarken zentriert und die Position der Justiermarke gespeichert Anschließend wird das Mikroskop auf das durch die verspiegelte Seite 52 (Spiegelbereich 54) erzeugte Spiegelbild 53' der Justiermarke 53 mfokussiert. Bevorzugt wird die Position des nun sichtbaren Spiegelbilds 53' und die zuvor gespeicherte Position der Justiermarke 53 gleichzeitig, etwa auf einem Monitor, dargestellt (überlagert). Das Mikroskop 1 wird nun so lange ausgerichtet bis die Position des Spiegelbilds 53' und die zuvor gespeicherte Position der Justiermarke 53 übereinstimmen. Das Ausrichten des Mikroskops ist ein iterativer Prozess, bei dein sich sowohl die Position der Justiermarke 53 als auch die des Spiegelbilds 53' verändern.
  • In 3 ist schematisch ein bei Verwendung einer erfindungsgemäßen Justiermarke möglicherweise auftretender Justierfehler dargestellt, der auf Grund eines Keilfehlers der Maske entsteht. Der Justierfehler f ergibt sich durch die folgende Gleichung aus der Maskendicke d und dem Keilfehler (Keilwinkel) δ der Maske: f=2·d·δ.
  • Bei Masken mit einem Parallelitätsfehler von 5 μm ergibt sich für eine quadratische Mäske von 7''× 7'' (17,8cm × 17,8cm) Kantenlänge ein Keilfehler von 5,8 Bogensekunden; bei einer Maskendicke von 2 mm ergibt sich, dann ein Justierfehler von 0,11 μm, bei einer Maskendicke von 3 mm ein Justierfehler von 0,17 μm und bei einer Maskedicke von 4,5 mm ein Justierfehler von 0,25 μm. Die so errechneten Justierfehler sind allein durch den Keilfehler der Justiermaske bzw. durch die Neigung der Spiegelfläche gegenüber der Referenzfläche bedingt. Der Justierfehler- ist dabei (bei den auftretenden kleinen Keilwinkeln) direkt proportional zu der Parallelitätsabweichung der Maske.
  • Wird eine derartig einseitig verspiegelte Justiermaske wie eine Anwendungsmaske in den Maskenhalter geladen, ist eine Verlagerung des Fokussierbereichs des Justier-Mikroskops um den gesamten Fokussierbereich nach oben erforderlich, um die reelle und die, virtuelle (gespiegelte) Marke im Justier-Mikroskop für die Justage sehen zu können. Dies ist notwendig, da bei der normalen Justier-Anwendung der oberste Fokuspunkt gerade eben die strukturierte Maskenebene erreichen muss und der gesamte Fokussierweg nach unten für Justierabstand und Substratdicke zur Verfügung steht. /Will man mit einer Justiermaske den gesamten Fokussierweg ausnutzen, um die bestmögliche Ausrichtung des Justier-Mikroskops zu erhalten, muss der unterste Fokuspunkt die unten liegende Marke und der oberste Fokuspunkt die oben liegende Marke, also bei Verwendung einer Justiermaske gemäß der vorliegenden Erfindung, das Spiegelbild der Marke erreichen können. Damit liegt aber das Justier-Mikroskop für den Justiervorgang um den gesamten Fokussierweg zu hoch.
  • Um diese Verlagerung des Fokussierbereichs zu kompensieren, gibt es zwei Möglichkeiten: Entweder wird nach dem Einjustieren das Justier-Mikroskop um den gesamten Fokussierbereich nach unter verlagert, um es anwendungsgerecht anzuordnen; oder die Justiermaske wird mit ihrer Markenebene um den gesamten Fokussierbereich unterhalb der jeweiligen Soll-Lage der Anwendungsmaske angeordnet.
  • In beiden Fällen entsteht eine zusätzliche Fehlerquelle, die bezüglich der dabei möglichen Richtungsfehler bei der Verlagerung des Justier-Mikroskops oder durch einen Parallelitätsfehler zwischen der Spiegelebene der Justiermaske und der Referenzebene die gleichen Justierfehler ergibt, wie sie oben berechnet wurden. Dabei handelt es sich bei dem angenommenen Wert von 5,8 Bogensekunden um eine sehr enge Toleranz.
  • Um eine Verlagerung des Justier-Mikroskops zu vermeiden, kann eine Justiermaske verwendet werden, die zusätzlich zu einer einseitig verspiegelten Maske eine Einrichtung aufweist, es ermöglicht, die Verlagerung des benötigten Fokussierbereichs zu kompensieren. Dazu kann beispielsweise die verspiegelte Maske, die auf der der verspiegelten Seite gegenüberliegenden Seite Justiermarken aufweist, mit der verspiegelten Seite auf eine Trägerplatte befestigt, z.B. aufgekittet sein. Dabei muss die Dicke der Trägerplatte so groß sein, dass der Fokussierbereich um den erforderlichen Abstand verlagert wird. Dadurch kann das Justier-Mikroskop nach dem Einjustiervorgang seine Lage beibehalten.
  • In den 4(a) und (b) sind zwei bevorzugte Lösungen zum Vermeiden einer Verlagerung des Justier-Mikroskops skizziert. Der obere bzw. untere Fokuspunkt ist dabei mit FPo bzw. FPu bezeichnet, y ist der Abstand zwischen dem virtuellen Bild der Justiermarke und der Spiegelfläche und MD die Dicke einer üblichen Anwendungsmaske.
  • Die in der 4(a) gezeigte Top-Load-Variante erfordert eine Trägerplatte 55 mit einer ebenen Referenzfläche, an die eine Zwischenplatte 56 der Dicke y, die an der Unterseite 52 verspiegelt ist, befestigt wird. An diese Zwischenplatte 56 werden an erforderlicher Stelle Teilstucke 57, auf denen sich Justiermarken befinden, befestigt. Die Genauigkeitsanforderung besteht bei dieser Variante darin, dass die Spiegelfläche 52 der Zwischenplatte 56 zur Referenzfläche der Trägerplatte 55 nach dem Befestigen parallel ist. Alternativ kann bei der Top-Load-Variante auf die Zwischenplatte 56 verzichtet werden und die Referenzfläche der Trägerplatte 55 verspiegelt werden. Dabei werden die beiden Fokuspunkte um das Maß y nach oben verlagert und der nutzbare Fokussierbereich um das Maß y verringert. Die erforderliche Parallelität der Spiegelfläche 52 zur Referenzfläche ist damit jedoch sehr gut gewährleistet.
  • Die in der 4(b) Bottom-Load-Variante erforden eine Trägerplatte 55, deren Dicke um das Maß y größer ist, als eine übliche Anwendungsmaske. Die Unterseite 52 ist verspiegelt. An diese Trägerplatte 55 werdem an erforderlicher Stelle Teilstücke 57, auf denen sich Justiermarken befinden, befestigt. Die Genauigkeitsanforderung dieser Variante besteht in der Parallelität der Trägerplatte 55.
  • Eine Richtungsänderung des Justier-Mikroskops nach der Einjustierung durch Verstellen in der z-Richtung, d.h. in der Richtung senkrecht zur Ebene der Maske, aber auch beim Verschieben in der x-y-Ebene, d.h. parallel zur Maskenebene, erzeugt den gleichen Justierfehler, wie ein Keilfehler zwischen der Spiegelfläche und der Refernzebene. Zur Berechnung des dabei entstehenden Justierfehlers gilt dabei die gleiche Formel wie für die Berechnung des Justierfehlers auf Grund des Keilfehlers der Maske. Für den Keilfehler muss hierbei nur der Richtungsfehler bei der Verschiebung eingesetzt werden. Bei dem Justierverfahren und zusammengesetzten Justiermasken gemäß der vorliegenden Erfindung gibt es deshalb keinen Grund, das Justier-Mikroskop in z-Richtung verstellbar zu machen.

Claims (11)

  1. Verfahren zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops (1) mit den Schritten: (a) Bereitstellen einer Justiermaske (5), auf deren einen Seite (51) sich mindestens eine Justiermarke (53) befindet und deren andere Seite (52) zumindest in dem Bereich (54), der der Justiermarke (53) gegenüberliegt, verspiegelt ist; (b) Fokussieren des Mikroskops (1) auf die Justiermarke (53); (c) Umfokussieren des Mikroskops (1) auf das durch die verspiegelte Seite (52) erzeugte Spiegelbild (53')der Justiermarke (53); (d) Vergleichen der Position der Justiermarke (53) und des erzeugten Spiegelbilds (53') der Justiermarke (53); (e) Ausrichten des Mikroskops (1), um die Justiermarke (53) mit deren Spiegelbild (53') zur Deckung zu bringen; und (f) Wiederholen der Schritte (b) bis (e) bis der Vergleich in Schritt (d) ergibt, dass die Justiermarke (53) und das Spiegelbild (53' ) der Justiermarke (53) aufeinander ausgerichtet sind.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei sich auf der Justiermaske (5) mindestens ein Justierkreuz als Justiermarke befindet.
  3. Verfahren nach mindestens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei nach dem erstmaligen Ausführen des Schrittes (b) das Mikroskop so eingestellt wird, dass sieh die Justiermarke (53) in der Bildmitte befindet.
  4. Verfahren nach mindestens einem der vorstehenden Ansprüche, wobei jeweils nach dem Fokussieren in Schritt (b) das Bild und/oder die Positionswerte der Justiermarke gespeichert werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei im Schritt (f) nur die Schritte (d) und (e) wiederholt werden und die Position des. Spiegelbilds (53') der Justiermarke (53) in Schritt (d) mit der Position, der. Justiermarke (53) im gespeicherten Bild verglichen wird.
  6. Justiermaske (5) zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops (1); auf deren einen Seite (51) mindestens eine Justiermarke (53) angeordnet und deren andere Seite (52) zumindest in dem der Justiermarke (53) gegenüberliegenden Bereich (54) verspiegelt ist.
  7. Justiermaske (5) nach Anspruch 6, auf der sich mindestens ein Justierkreuz als Justiermarke befindet.
  8. Justiermaske (5) nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Justiermaske (5) eine Einrichtung ium Verlagern des. zum Fokussieren der Justiermarke (53) und des Spiegelbilds (53') der Justiermarke (53) benötigten Fokussierbereichs des Justier-Mikroskops (1) aufweist.
  9. Justiermaske (5) nach Anspruch 6, 7 oder 8 mit einer Trägerplatte (55) mit einer verspiegelten Seite (52), an die Teilstücke (57) befestigt sind, auf denen sich jeweils mindestens eine Justiermarke auf der der Trägerplatte (55) abgewandten Seite befindet.
  10. Justiermaske (5) nach Anspruch 6, 7 oder 8 mit einer Trägerplatte (55), an die eine Zwischenplatte (56) befestigt ist, die eine der Trägerplatte (55) abgewandte verspiegelte Seite (52) aufweist, an die Teilstücke (57) gekittet sind, auf denen sich jeweils mindestens eine Justiermarke auf der der Zwischenplatte (56) abgewandten Seite befindet.
  11. Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops (1) unter Verwendung einer Justiermaske (5) nach einem der Ansprüche 6 bis 10.
DE10303902A 2003-01-31 2003-01-31 Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske Expired - Fee Related DE10303902B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10303902A DE10303902B4 (de) 2003-01-31 2003-01-31 Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske
US10/767,124 US7057707B2 (en) 2003-01-31 2004-01-29 Method and device for adjusting an alignment microscope by means of a reflective alignment mask
AT0013404A AT413305B (de) 2003-01-31 2004-01-30 Verfahren und vorrichtung zum ausrichten eines justier-mikroskops mittels verspiegelter justiermaske
US11/417,085 US20060199085A1 (en) 2003-01-31 2006-05-03 Method and device for adjusting an alignment microscope by means of a reflective alignment mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10303902A DE10303902B4 (de) 2003-01-31 2003-01-31 Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10303902A1 true DE10303902A1 (de) 2004-08-19
DE10303902B4 DE10303902B4 (de) 2004-12-09

Family

ID=32730650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10303902A Expired - Fee Related DE10303902B4 (de) 2003-01-31 2003-01-31 Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7057707B2 (de)
AT (1) AT413305B (de)
DE (1) DE10303902B4 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI598934B (zh) * 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7420676B2 (en) * 2004-07-28 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Alignment method, method of measuring front to backside alignment error, method of detecting non-orthogonality, method of calibration, and lithographic apparatus
JP4288519B2 (ja) * 2006-09-13 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 アライメント装置及びアライメント方法
TWI408331B (zh) * 2009-12-17 2013-09-11 Ind Tech Res Inst 雙面光學膜片量測裝置與方法
CN102927540B (zh) * 2012-11-02 2014-09-03 阳江纳谷科技有限公司 用于模块化发光二极管电路组件的装置、方法及***
US9385089B2 (en) * 2013-01-30 2016-07-05 Seagate Technology Llc Alignment mark recovery with reduced topography
US9343089B2 (en) 2013-03-08 2016-05-17 Seagate Technology Llc Nanoimprint lithography for thin film heads
US10048473B2 (en) 2015-08-06 2018-08-14 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment
US9939605B2 (en) 2015-08-06 2018-04-10 Qualcomm Incorporated Submicron wafer alignment

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242632C1 (de) * 1992-12-17 1994-05-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Vervielfältigung von Röntgenmasken
DE10018810A1 (de) * 2000-04-15 2001-10-25 Werner Eckert Ausrichtung fotolithografischer Masken relativ zu Wafern
US6340821B1 (en) * 1998-11-20 2002-01-22 Mems Optical, Inc. Projection eyepiece and method for aligning pattern areas on opposing substrate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2605940C3 (de) * 1976-02-14 1979-07-26 Karl Suess Kg, Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft Und Industrie, 8046 Garching Maskenjustier- und -belichtungsgerät
DE3116634A1 (de) * 1981-04-27 1982-11-11 Karl Süss KG, Präzisionsgeräte für Wissenschaft und Industrie - GmbH & Co, 8046 Garching Vorrichtung zum automatischen justieren von ebenen gegenstaenden mit zwei bezugspunkten, insbesondere bei der herstellung von halbleiterbauelementen
DE8112436U1 (de) * 1981-04-27 1984-02-23 Karl Süss KG, Präzisionsgeräte für Wissenschaft und Industrie GmbH & Co, 8046 Garching Vorrichtung zum automatischen Justieren von ebenen Gegenständen mit zwei Bezugspunkten, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE4000785A1 (de) * 1990-01-12 1991-07-18 Suess Kg Karl Justiermarken fuer zwei aufeinander einzujustierende objekte
DE4010880C1 (de) * 1990-04-04 1991-05-02 Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft Und Industrie - Gmbh & Co, 8046 Garching, De
DE9321230U1 (de) * 1992-02-07 1996-09-26 Suess Kg Karl Proximity-Maskenausrichtung unter Verwendung eines gespeicherten Videobilds
JP3224041B2 (ja) * 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
JPH06325996A (ja) * 1993-05-12 1994-11-25 Hitachi Ltd レティクルフレーム
KR960042227A (ko) * 1995-05-19 1996-12-21 오노 시게오 투영노광장치
JPH1055944A (ja) * 1996-08-08 1998-02-24 Toshiba Corp パターン転写装置
JPH1197327A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Rohm Co Ltd 露光装置のマスク取付機構
KR100579603B1 (ko) * 2001-01-15 2006-05-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
DE10153851B4 (de) * 2001-11-02 2006-11-16 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Ausrichten von Masken in der Fotolithographie
US6664012B2 (en) * 2002-05-10 2003-12-16 Anvik Corporation Through-the-lens alignment for photolithography
JP2005166785A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242632C1 (de) * 1992-12-17 1994-05-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Vervielfältigung von Röntgenmasken
US6340821B1 (en) * 1998-11-20 2002-01-22 Mems Optical, Inc. Projection eyepiece and method for aligning pattern areas on opposing substrate
DE10018810A1 (de) * 2000-04-15 2001-10-25 Werner Eckert Ausrichtung fotolithografischer Masken relativ zu Wafern

Also Published As

Publication number Publication date
US7057707B2 (en) 2006-06-06
US20060199085A1 (en) 2006-09-07
ATA1342004A (de) 2005-06-15
DE10303902B4 (de) 2004-12-09
US20040257552A1 (en) 2004-12-23
AT413305B (de) 2006-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2431960C3 (de) Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten Schicht auf einem Substrat mit Hilfe von Photoätzprozessen sowie Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE69827608T2 (de) Ausrichtungsvorrichtung und lithographischer apparat mit einer solchen vorrichtung
DE2246152A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum optischen ausrichten von gegenstaenden
DE3727453A1 (de) Verfahren zum ausrichten eines musters auf einem chip
DE10257766A1 (de) Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO1980001722A1 (en) Process and equipment for copying masks on a piece
DE102006045075A1 (de) Steuerbares optisches Element
DE202011111072U1 (de) Vorrichtung zum ortsaufgelösten Einbringen eines Intensitätsmusters aus elektromagnetischer Strahlung in eine photosensitive Substanz
DE2110073B2 (de) Vorrichtung zur Projektionsmaskierung einer lichtempfindlichen Schicht
DE2900921B1 (de) Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstueck
DE3926949A1 (de) Buehnenmechanismus fuer ein wafer-belichtungsgeraet
EP2132602B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abbilden einer programmierbaren maske auf einem substrat
DE10303902B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske
DE19611726A1 (de) Strichplatte zur Außer-Achsenbeleuchtung
DE112004002561T5 (de) Verfahren, Vorrichtung und Beugungsgitter zum Trennen von Halbleiterelementen, die auf einem Substrat gebildet werden, durch Änderung besagten Beugungsgitters
DE2428926C2 (de) Vorrichtung zum beidseitigem Kopieren von Schaltungsmustern auf ein Halbleiterplättchen
DE602004011705T2 (de) Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung und damit erzeugte Vorrichtung
DE3915642A1 (de) Ausricht- und belichtungsvorrichtung
DE102020211700A1 (de) Messverfahren und Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder Orientierung eines optischen Elements, sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102004032933B3 (de) Mittelpunktbestimmung von drehsymmetrischen Justiermarken
DE102018218129B4 (de) Verfahren zum Bestimmen von Positionen einer Vielzahl von Pixeln, die in ein Substrat einer photolithographischen Maske eingebracht werden sollen
DE19544753A1 (de) Elektronenstrahl-Schreibverfahren und -Schreibvorrichtung
DE102015200531A1 (de) Optisches Modul
DE2727190C3 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SUESS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH, 85748 GARCHING, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee