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Technisches Anwendungsgebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
strahlführenden
und/oder frequenzkonvertierenden optischen Systems, bei dem ein
strahlemittierendes optoelektronisches Bauelement, das zumindest
eine Strahlaustrittsfläche
für den
Austritt eines Strahls aufweist, bereitgestellt und mit einer Oberfläche einer
Unterlage so verbunden wird, dass der austretende Strahl annähernd parallel
zur Oberfläche der
Unterlage verläuft.
Die Erfindung betrifft weiterhin ein strahlführendes und/oder frequenzkonvertierendes optisches
System, das mit dem Verfahren herstellbar ist.
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Die
Führung
und Konvertierung elektromagnetischer Strahlung aus optoelektronischen
Bauelementen, wie beispielsweise Halbleiterdiodenlasern, spielt
in vielen technischen Bereichen eine wesentliche Rolle, in denen
optoelektronische Bauteile eingesetzt werden. Die aus dem optoelektronischen
Bauelement austretende Strahlung wird hierbei in der Regel durch
weitere optische Bauteile geführt
oder geformt, um die für
die jeweilige Anwendung erforderlichen Strahleigenschaften zu erreichen.
In vielen Fällen
ist auch eine Konvertierung der Frequenz der aus dem optoelektronischen
Bauelement austretenden Strahlung zu einer höheren oder niedrigeren Frequenz
erforderlich.
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Stand der Technik
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In
der Regel wird bisher die Führung
und Konvertierung der elektromagnetischen Strahlung aus optoelektronischen
Bauelementen durch weitere diskrete optische Bauelemente, wie Linsen,
Lichtwellenleiter-Fasern
oder Frequenz-verdoppelnde Kristalle, in einem diskreten optischen
Aufbau vorgenommen. Das optoelektronische Bauelement wird dabei
ebenso wie die strahlführenden
bzw. frequenzkonvertierenden Bauteile auf einer Unterlage montiert
und justiert. Die Bereitstellung eines optischen Systems, bei dem
die Strahlung des optoelektronischen Bauelements mit Linsen und/oder
Spiegeln geformt und geführt
und in lichtleitende Fasern eingekoppelt wird, erfordert zahlreiche
Justageschritte. So muss das optoelektronische Bauelement zunächst auf
der Unterlage ausgerichtet und montiert werden. Die Linsen und/oder
Spiegel werden dann bezüglich
des optoelektronischen Bauelements nacheinander justiert und auf
der Unterlage fixiert. Anschließend wird
die Lichtleitfaser auf der Unterlage justiert und montiert. Die
präzise
Justage und Montage der einzelnen diskreten Bauteile ist aufwendig
und fehleranfällig.
Zudem treten zwischen den separaten Bauteilen unerwünschte optische
Verluste auf, die beispielsweise durch Reflexion, Streuung und Beugung
des Lichtes hervorgerufen werden.
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Aus
der
DE 695 10 238
T2 ist ein Mikrochip-Laser bekannt, der ein oder mehrere
integrierte Elemente zur Strahlformung bzw. Frequenzkonvertierung
aufweist. Mikrochip-Laser bestehen aus verbundenen polierten dielektrischen
Materialien, wie Laserkristalle oder Frequenzverdoppler-Kristalle,
die durch Hochleistungs diodenlaser gepumpt werden. So zeigt die
DE 695 10 238 T2 einen
Mikrochip-Laser, der sich im Wesentlichen aus einer Schicht aus
verstärkendem
Material, einer Schicht aus einem Trägermaterial, beispielsweise
Quarzkristall, und einer Schicht aus einem Frequenz-verdoppelnden
Kristall gebildet ist. Die Schicht des Trägermaterials dient der Montage
des Lasers auf einer Unterlage, auf der auch der Diodenpumplaser
montiert wird. Wird die Trägerschicht
an einem Ende des Mikrochip-Lasers ausgebildet, so kann sie gleichzeitig
durch geeignete Formung die Funktion einer strahlformenden Linse übernehmen.
Für die
Herstellung eines derartigen Mikrochip-Lasers müssen die Kontaktflächen der
als verstärkende
Schicht und als Frequenz-verdoppelnde Schicht eingesetzten Kristalle
sowie der Träger
hochgradig poliert und eben sein, um sicherzustellen, dass sich die
Materialien durch Van der Waals Kräfte miteinander verbinden,
wenn sie zusammengepresst werden. Die Herstellung eines derartigen
Mikrochip-Lasers ist daher aufwendig. Mikrochip-Laser erzielen bei
vergleichbaren Ausgangsleistungen eine deutlich verbesserte Strahlqualität im Vergleich
zu Laserdioden im sichtbaren Spektralbereich. Nachteilig ist allerdings
die unzureichende Stabilität
der Strahlachse (Beam Point Stability) dieser Laser, wodurch viele
Anwendungsmöglichkeiten,
beispielsweise in der Messtechnik, wie Lasertriangulation und in
der Drucktechnik ausgeschlossen bleiben.
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Ein
weiteres bekanntes strahlführendes
und/oder frequenzkonvertierendes optisches System setzt die Technik
der gebondeten Wellenleiter ein. Gebondete Planare Wellenleiter
und Wellenleiter-Laser werden aus dünnen polierten Einkristallen
zusammengefügt
und über
eine Strahlformung, bestehend aus zwei Zylinderlinsen mit Hochleistungsdiodenlasern
gepumpt. Ein Beispiel für
den Einsatz dieser Technik der gebondeten Wellenleiter ist beispielsweise
aus C. Li et al., Longitudinally-Diode-Pumped
High-Power Waveguide Lasers, Proceedings 10th European Conference
on Integrated Optics, Paderborn, Germany, Seiten 83–86, 2001
bekannt. Die hierbei eingesetzten Wellenleiter-Laser bestehen aus
einer Schichtkombination aus Saphir, YAG, Nd:YAG, YAG und Saphir,
wobei die einzelnen Schichten eine Dicke von nur etwa 5 bis 20 μm bei einer
Fläche
im Bereich von Quadratzentimetern aufweisen. Mit derartigen Wellenleiterlasern
werden Leistungen von größer 1 Watt
nahezu beugungsbegrenzt bei einer Wellenlänge von 1064 nm erreicht. Nachteilig
an diesem Konzept ist jedoch die extrem aufwendige Dünnung der
Kristallplättchen
sowie die aufwendige Justage und Montage, die zu einem sehr hohen
Herstellungsaufwand führen.
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Ausgehend
von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden
Erfindung darin, ein Verfahren zur Herstellung eines strahlführenden
und/oder frequenzkonvertierenden optischen Systems anzugeben, das
einen geringen Herstellungsaufwand erfordert und zu einem optischen
System hoher Effizienz führt.
Weiterhin soll ein mit dem Verfahren herstellbares strahlführendes
und/oder frequenzkonvertierendes optisches System hoher Effizienz
bereitgestellt werden.
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Darstellung der Erfindung
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Die
Aufgabe wird mit dem Verfahren sowie dem System gemäß den Patentansprüchen 1 bzw.
16 gelöst.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen des Verfahrens sowie des Systems sind Gegenstand
der Unteransprüche
oder lassen sich aus der nachfolgenden Beschreibung sowie den Ausführungsbeispielen
entnehmen.
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Beim
vorliegenden Verfahren zur Herstellung eines strahlführenden
und/oder frequenzkonvertierenden optischen Systems wird ein strahlemittierendes
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das zumindest eine
Strahlaustrittsfläche
für den
Austritt eines Strahls aufweist und mit einer Oberfläche einer
Unterlage so verbunden ist, dass der austretende Strahl annähernd parallel
zur Oberfläche
der Unterlage verläuft.
Nach der Verbindung des optoelektronischen Bauelements mit der Unterlage,
beispielsweise einem Trägersubstrat, wird
ein aus mehreren Schichten zusammengesetztes lichtwellenleitendes
Schichtsystem für
eine Führung und/oder
Frequenzkonvertierung des Strahls derart auf der Oberfläche der
Unterlage abgeschieden und strukturiert und/oder lokal modifiziert,
dass ein spaltfreier Kontakt zwischen der Strahlaustrittsfläche des
optoelektronischen Bauelements und dem Schichtsystem entsteht und
eine vorgebbare Strahlführung
erreicht wird. Mit dem vorliegenden Verfahren wird somit ein neuartiges
System aus lichtleitenden Wellenleitern vor optoelektronischen Strahlquellen
zur Führung
und/oder Konvertierung des Lichtes der Strahlquelle bereitgestellt,
bei dem die Wellenleiter in direktem Kontakt zur Strahlquelle durch
Schichtabscheidung und Strukturierung und/oder Modifizierung des
Schichtsystems auf einer gemeinsamen Unterlage hergestellt werden.
Die einzelnen Schichten des Schichtsystems bestehen dabei vorzugsweise
aus glasartigen, keramischen oder polymeren Materialien, die selbstverständlich die
Transmission des Lichtes zur Strahlführung bzw. Frequenzkonvertierung
ermöglichen
müssen.
Bei dem vorliegenden Verfahren handelt es sich somit im Gegensatz
zu der in der Einleitung beschriebenen Technik der Herstellung von
Mikrochip-Lasern
nicht um eine monolithische sondern um eine hybride Integration
optischer und optoelektronischer Bauelemente.
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Ein
wesentlicher Vorteil des vorliegenden Verfahrens sowie des zugehörigen Systems
liegt in einer Steigerung der Effizienz des optischen Systems, da
Einkoppelverluste zwischen dem optoelektronischen Bauelement und
dem wellenleitenden Schichtsystem durch den direkten Kontakt vermieden
werden, welche bei diskretem optischen Aufbau unvermeidbar sind.
Weiterhin führt
das vorliegende Verfahren zu einer Effizienzsteigerung bei der Herstellung
derartiger optischer Systeme, da durch die hybride Integration der
wellenleitenden Strukturen mit dem optoelektronischen Bauelement
auf einer gemeinsamen Unterlage aufwendige Justage- und Montageschritte
eingespart werden. Auch gegenüber
den Techniken der Herstellung von Mikrochip-Lasern oder gebondeten Wellenleitern
hat das vorliegende Verfahren Vorteile, da ein aufwendiges Polieren
sowie eine Justage der strahlführenden
bzw. frequenzkonvertierenden wellenleitenden Struktur nicht erforderlich
ist.
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Ein
oder mehrere der Schichten des wellenleitenden Schichtsystems werden
beim vorliegenden Verfahren so strukturiert, dass die daraus resultierende
wellen leitende Struktur die gewünschte
Führung
oder Formung des aus dem optoelektronischen Bauelement austretenden
Strahles ermöglicht.
Die geeignete Wahl der Materialien und Dimensionen dieser Schichtstruktur
sind dem Fachmann geläufig.
Das wellenleitende Schichtsystem besteht dabei vorzugsweise aus
zumindest drei übereinander
liegenden Schichten, von denen die mittlere Schicht einen höheren Brechungsindex
aufweist als die beiden benachbarten Schichten. Die Strukturierung
einzelner Schichten des wellenleitenden Schichtsystems bzw. des
gesamten Schichtsystems kann bereits durch eine strukturierte Abscheidung
unter Einsatz einer oder mehrerer Masken erfolgen. Weiterhin lassen
sich die Schichten auch durch abtragende Prozesse nach der Schichtabscheidung
geeignet strukturieren. Auch eine lokale Modifikation der Schichteigenschaften
der abgeschiedenen Schichten, beispielsweise durch Einwirkung von
Laserstrahlung für
eine lokale Änderung
des Brechungsindex, ist selbstverständlich möglich.
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Sowohl
für die
Schichtabscheidung als auch für
die Strukturierung bzw. Modifizierung werden Prozesse eingesetzt,
die weder das optoelektronische Bauelement noch die Verbindung zwischen
optoelektronischem Bauelement und der Unterlage in der Funktion
beeinträchtigen.
Insbesondere hohe Temperaturen und hohe elektrische Felder müssen hierbei
vermieden werden. Daher kommen vorzugsweise Verfahren mit hyperthermischen
Partikeln wie schnellen Ionen sowie gepulste Laserstrahlung zum
Einsatz, beispielsweise Verfahren der Laserdeposition, der Ionenstrahldeposition,
der Kathodenzerstäubung,
des reaktiven Ionenätzens oder
des Abtrags oder der Brechungsindexänderung mit gepulster Laserstrahlung.
Zur Herstellung des spaltfreien Kontaktes zwischen dem wellenleitenden
Schichtsystem und der zumindest einen Strahlaustrittsfläche des
optoelektronischen Bauelements sollte eine im Wesentlichen gerichtete
Abscheidung unter einem Winkel annähernd parallel zur Strahlaustrittsfläche des
optoelektronischen Bauteils gewählt
werden.
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Für eine frequenzkonvertierende
Funktion wird vorzugsweise ein wellenleitendes Schichtsystem abgeschieden,
bei dem zumindest eine Schicht aus einem laseraktiven, d.h. beispielsweise
fluoreszierenden Material gebildet wird, das durch die Frequenz
des aus dem optoelektronischen Bauelement austretenden Strahls (erste
Frequenz) anregbar ist und bei der Anregung Strahlung einer höheren oder
niedrigeren Frequenz (zweite Frequenz) emittiert. Auf diese Weise
lässt sich
die erste Frequenz des aus dem optoelektronischen Bauelement austretenden
Strahls in eine zweite Frequenz konvertieren, die dann auf einer
Strahlaustrittsseite der wellenleitenden Schichtstruktur austritt.
Geeignete Materialien für
eine derartige so genannte Up-Conversion oder
Down-Conversion sind dem Fachmann bekannt.
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In
einer weiteren Ausgestaltung des vorliegenden Verfahrens bzw. des
zugehörigen
optischen Systems wird bzw. ist die Strahlaustrittsseite des wellenleitenden
Schichtsystems, das zumindest eine Schicht aus einem laseraktiven
Material beinhaltet, mit einer Strahlung der zweiten Frequenz reflektierenden
Schicht beschichtet, so dass mit der Strahlaustrittsfläche des
opto elektronischen Bauelements ein optischer Resonator für Strahlung
der zweiten Frequenz gebildet wird. Falls für die Funktion als Resonator
erforderlich kann die Strahlaustrittsfläche des optoelektronischen
Bauelements vor dem Aufbringen des Schichtsystems auf die Unterlage
zusätzlich
für die
zweite Frequenz reflektierend beschichtet werden. Auf diese Weise
wird ein Wellenleiter-Laser durch die wellenleitende Struktur gebildet,
der durch das optoelektronische Bauelement gepumpt wird. Selbstverständlich muss
hierfür
die gegebenenfalls aufgebrachte, für die zweite Frequenz reflektierende Beschichtung
der Strahlaustrittsfläche
des optoelektronischen Bauelements für die erste Frequenz durchlässig sein.
In einer weiteren Ausgestaltung können auch weitere Spiegel durch
Strukturieren, Polieren und/oder nachfolgendes Beschichten mit dielektrischen
oder metallischen Schichten hinzugefügt werden. Ein Spiegel kann
beispielsweise durch eine Struktur in Form eines V-förmigen Retroreflektors
auf der Unterlage gebildet werden.
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Auch
wenn sich die vorangehende Beschreibung im Wesentlichen auf ein
optoelektronisches Bauelement mit einer Strahlaustrittsfläche bezieht, über die
ein Strahl emittiert wird, so lassen sich beim vorliegenden Verfahren
sowie dem zugehörigen
System selbstverständlich
auch optoelektronische Bauelemente einsetzen, die mehrere Strahlen über mehrere
Strahlaustrittsflächen
emittieren. Das optoelektronische Bauelement kann beispielsweise
ein einzelner Halbleiterdiodenlaser mit mehreren Strahlaustrittsflächen sein
oder durch mehrere aneinander gereihte Strahlquellen gebildet sein.
Der Einsatz eines optoelektronischen Bauelements, das mehrere Strahlquellen,
insbesondere in Form von Halbleiterdiodenlasern, enthält, bietet
insbesondere Vorteile beim Pumpen eines durch das wellenleitende
Schichtsystem gebildeten Wellenleiter-Lasers. Ein wesentliches Merkmal
des vorliegenden Verfahrens ist der Einsatz eines bereits fertig
gestellten, d.h. voll funktionsfähigen, optoelektronischen
Bauelements, das beispielsweise kommerziell erworben sein kann und
auf der Unterlage montiert wird.
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Bei
Einsatz eines optoelektronischen Bauelements, das mehrere Strahlen über mehrere
Strahlaustrittsflächen
emittiert, wird das wellenleitende Schichtsystem derart abgeschieden
und strukturiert, dass alle austretenden Strahlen in der gewünschten
Weise in diesem wellenleitenden Schichtsystem geführt werden.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung werden die einzelnen Strahlen
durch das wellenleitende Schichtsystem auf eine verringerte Strahlaustrittsfläche zusammengeführt, so
dass auf der Strahlaustrittsseite des wellenleitenden Schichtsystems
ein Strahl mit geringem Strahlquerschnitt und hoher Intensität zur Verfügung steht.
Das wellenleitende Schichtsystem ist dabei in Form eines Strahlkopplers
ausgeführt.
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Vorzugsweise
wird als Unterlage ein metallisches oder dielektrisches Substrat,
insbesondere ein Kühlkörper eingesetzt.
Durch diese Ausgestaltung wird gleichzeitig eine verbesserte Kühlung des
optischen Systems erreicht. Bei der Ausgestaltung als Kühlkörper kann
die Unterlage beispielsweise an der Unterseite Kühlrippen aufweisen oder integrierte
Kühlkanäle oder
sonstige Mittel zur Kühlung.
Die Verbindung zwischen der Unterlage und dem optoelektronischen
Bauelement kann beispielsweise über
eine Lot- oder Klebeverbindung erfolgen.
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Kurze
Beschreibung der Zeichnungen Das vorliegende Verfahren sowie das
zugehörige
System werden nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung
mit den Zeichnungen ohne Beschränkung des
allgemeinen Erfindungsgedankens nochmals kurz erläutert. Hierbei
zeigen:
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1 ein optisches System gemäß der vorliegenden
Erfindung in unterschiedlichen Ansichten;
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2 beispielhaft einzelne
Verfahrensschritte des vorliegenden Verfahrens zur Herstellung eines
optischen Systems gemäß 1; und
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3 ein Beispiel für ein optisches
System mit einem Wellenleiter-Laser gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Wege zur Ausführung der
Erfindung
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1 zeigt schematisiert ein
Beispiel für
ein optisches System gemäß der vorliegenden
Erfindung in verschiedenen Ansichten. Teilansicht a) zeigt hierbei
eine perspektivische Ansicht eines derartigen optischen Systems.
Aus dieser Teilansicht ist das strahlemittierende optoelektronische
Bauelement 1, im vorliegenden Fall ein Halbleiterdiodenlaser mit
mehreren Strahlaustrittsflächen
für die
Emission mehrerer nebeneinander liegender Strahlen, zu erkennen,
der auf der Oberfläche 5 einer
Unterlage 4 montiert ist. Auf der Strahlaustrittsseite 3 des
optoelektronischen Bauelements 1 ist eine wellenleitende
Struktur in Form eines wellenleitenden Schichtsystems 6 in
direktem Kontakt zu den Strahlaustrittsflächen des optoelektronischen
Bauelements 1 aufgebracht. Die einzelnen aus dem optoelektronischen
Bauelement 1 austretenden Strahlen werden hierbei durch
die im vorliegenden Beispiel gebildeten, nebeneinander liegenden
Wellenleiter des wellenleitenden Schichtsystems 6 geführt.
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In
der Teilansicht b) ist diese Anordnung nochmals im Querschnitt längs der
Strahlachsen der aus dem optoelektronischen Bauelement 1 austretenden
Strahlen dargestellt. In dieser Darstellung ist die Verbindungsschicht 12 zwischen
dem optoelektronischen Bauelement 1 und der Unterlage 4 zu
erkennen. Das wellenleitende Schichtsystem 6 besteht aus
drei übereinander
liegenden Schichten 7 bis 9, von denen die mittlere Schicht 8 einen
höheren
Brechungsindex als die benachbarten Schichten 7, 9 aufweist.
Auf diese Weise wird ein Wellenleiter für die aus dem optoelektronischen
Bauelement 1 über
die hier erkennbare Strahlaustrittsfläche 2 austretende
Strahlung gebildet. Die mittlere Schicht 8 steht in direktem
Kontakt zur Strahlaustrittsfläche 2.
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Teilabbildung
c) zeigt nochmals einen Ausschnitt aus diesem optischen System im
Schnitt senkrecht zur Strahlachse. In dieser Darstellung ist der
durch das wellenleitende Schichtsystem 6 gebildete Wellenleiter für einen
einzelnen Strahl des optoelektronischen Bauelements 1 gut
zu erkennen. Durch die Abscheidung der einzelnen Schichten 7 bis 9 dieses
wellenleitenden Schichtsystems 6 lässt sich erreichen, dass der
mittlere Schichtbereich 8 von den benachbarten Schichten 7 und 9 vollständig umschlossen
ist.
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2a) zeigt beispielhaft eine
Möglichkeit
der Herstellung des in 1 dargestellten
optischen Systems gemäß dem vorliegenden
Verfahren. Im ersten Schritt (2a)
wird eine Lotschicht 12 auf einem Bereich einer Unterlage 4 aufgebracht
und anschließend
das optoelektronische Bauelement 1 über diese Lotschicht 12 mit
der Unterlage 4 verbunden, so dass sich eine freie Oberfläche der
Unterlage 4 in Strahlrichtung vor der Strahlaustrittsfläche 2 des
optoelektronischen Bauelements 1 befindet.
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Anschließend wird
ein lichtwellenleitendes Schichtsystem 6 derart vor dem
optoelektronischen Bauelement 1 auf der Unterlage 4 deponiert,
dass die aus der Strahlaustrittsfläche 2 austretende
Strahlung innerhalb der Schichten geführt wird. Die Ausbreitung der
Strahlung ist dabei in bekannter Weise auf gewünschte Richtungen beschränkt. Zunächst wird
eine untere Schicht 7 des Schichtsystems 6 über eine
Maske 13 in direktem Kontakt zum optoelektronischen Bauelement 1 auf
der Oberfläche 5 der
Unterlage 4 deponiert (2b).
Nach der Abscheidung der unteren Schicht 7 folgt die Abscheidung
einer mittleren Schicht 8 in der gleichen Weise mit Hilfe
einer Maske 13, durch die insbesondere das optoelektronische
Bauelement 1 abgedeckt wird (2c).
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Die
mittlere Schicht 8 wird im vorliegenden Beispiel mit Hilfe
eines Laserstrahls 14 anschließend strukturiert (2d), so dass sich nebeneinander
liegende Wellenleiter ausbilden, wie dies in der Teilabbildung a) der 1 angedeutet ist. Schließlich folgt
die Abscheidung der oberen Schicht 9, wiederum über die
Maske 13, so dass sich die in 1 gezeigte Anordnung der wellenleitenden
Struktur 6 ergibt.
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Die
Abscheidung der einzelnen Schichten 7 bis 9 des
Schichtsystems 6 erfolgt in diesem Beispiel durch eine
geeignete Plasmaabscheidung, wie Laserdeposition, die Strukturierung
der mittleren Schicht 9 beispielsweise durch Laserablation.
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3 zeigt schließlich ein
weiteres Beispiel eines optischen Systems gemäß der vorliegenden Erfindung
in zwei Teilansichten a) und b), die den Ansichten b) und c) der 1 entsprechen. In diesem
Beispiel besteht die mittlere Schicht 8 des wellenleitenden
Schichtsystems 6 aus einem laseraktiven Material, das durch
die Strahlung des optoelektronischen Bauelements 1 als
Pumpquelle gepumpt werden kann. In der Teilabbildung a) sind weiterhin
zwei Resonatorspiegel in Form von Beschichtungen 11 auf
der Strahlaustrittsseite 10 des wellenleitenden Schichtsystems 6 sowie
auf der Strahlaustrittsseite 3 des optoelektronischen Bauelements 1 angedeutet.
Durch diese Resonatorspiegel repräsentiert das wellenleitende
Schichtsystem 6 einen Wellenleiter-Laser, der in direktem
Kontakt zur Pumpstrahlquelle, dem optoelektronischen Bauelement 1,
auf einer gemeinsamen Unterlage 4 realisiert ist. Werden
die beiden Resonatorspiegel 11 weggelassen, so lässt sich
auf diese Weise eine einfache Frequenzkonvertierung der Strahlung
des optoelektronischen Bauelements 1 erreichen. Teilansicht
b) zeigt wiederum den grundsätzlichen
Aufbau des wellenleitenden Schichtsystems 6 für einen
Strahl in einem Schnitt senkrecht zur Strahlrichtung.
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