DE10233209A1 - Irradiating resist during the production of integrated switching arrangement comprises forming radiation-sensitive resist layer arrangement after producing layer to be structured and irradiating the resist layer arrangement - Google Patents

Irradiating resist during the production of integrated switching arrangement comprises forming radiation-sensitive resist layer arrangement after producing layer to be structured and irradiating the resist layer arrangement Download PDF

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Abstract

Irradiating a resist during the production of an integrated switching arrangement comprises forming a radiation-sensitive resist layer arrangement (10) after producing a layer (12) to be structured, and irradiating the resist layer arrangement using a radiation source. During irradiation the structure of a region (40-44) close to the radiation source is changed in such a way that the region is selectively developed and the structure of a region (46-50) of the resist layer arrangement away from the radiation source covered by the region close to the radiation source is only slightly changed.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bestrahlen eines Resists bei der Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung. Zunächst wird eine zu strukturierende Schicht erzeugt. Die zu strukturierende Schicht ist beispielsweise ein Halbleitersubstrat oder eine Isolierschicht zwischen verschiedenen Metallisierungslagen. Auf der zu strukturierenden Schicht wird beispielsweise direkt oder unter Verwendung von Haftvermittlern eine strahlungsempfindliche Resistschichtanordnung erzeugt.The invention relates to a method for irradiating a resist when producing an integrated one Circuitry. First a layer to be structured is created. The one to be structured Layer is for example a semiconductor substrate or an insulating layer between different metallization layers. On the layer to be structured For example, directly or using adhesion promoters generates a radiation-sensitive resist layer arrangement.

Das Bestrahlen der Resistschichtanordnung wird beispielsweise im Rahmen eines Foto-, Röntgen-, Elektronen- oder Ionenlithografieverfahrens durchgeführt. Die Resistschichtanordnung enthält als strahlungsempfindliche Schicht beispielsweise ein Positivresist, bei dem belichtete Bereiche beim Entwickeln abgetragen werden, oder ein Negativresist, bei dem belichtete Bereiche beim Entwickeln stehen bleiben sollen.Irradiation of the resist layer arrangement is carried out performed for example in the context of a photo, X-ray, electron or ion lithography process. The Contains resist layer arrangement as a radiation-sensitive layer, for example a positive resist, where exposed areas are removed during development, or a negative resist, in which exposed areas remain during development should.

Das Strukturieren eines Kontaktloch-Leitbahn-Systems lässt sich beispielsweise durchführen, indem:Structuring a contact hole interconnect system let yourself for example by:

  • – eine erste Lackschicht aufgebracht wird,- one first layer of lacquer is applied,
  • – die erste Lackschicht gemäß einem Layout für Kontaktlöcher mit einer ersten Maske belichtet wird,- the first layer of paint according to a Layout for contact holes with a first mask is exposed,
  • – die erste Lackschicht entwickelt wird,- the first varnish layer is developed,
  • – die Kontaktlöcher bis in eine vorgegebene Tiefe geätzt werden, die sich von einer Endtiefe unterscheidet,- the vias etched to a predetermined depth that is different from a final depth,
  • –eine zweite Lackschicht aufgebracht wird,-a second layer of lacquer is applied,
  • – die zweite Lackschicht gemäß dem Layout der Leitbahnen mit einer zweiten Maske belichtet wird, wobei auch Bereiche der zweiten Lackschicht in den bereits teilgefertigten Kontaktlöchern belichtet werden,- the second coat of paint according to the layout the interconnects are exposed with a second mask, whereby also Areas of the second layer of paint in the already partially manufactured vias be exposed
  • – die zweite Lackschicht entwickelt wird, wobei auch die Kontaktlöcher wieder freigelegt werden, und - the second layer of paint is developed, including the contact holes again be exposed, and
  • – die Leitbahnen geätzt werden, wobei die Kontaktlöcher bis zu ihrer endgültigen Tiefe geätzt werden.- the Conductors etched be the contact holes until their final Deep etched.

Jeder Verfahrensschritt besteht wiederum aus mehreren Einzelschritten. Beispielsweise muss vor dem Belichten justiert werden.Each process step consists of several individual steps. For example, before exposure be adjusted.

Es ist Aufgabe der Erfindung, zum Bestrahlen eines Resists ein einfaches Verfahren anzugeben, das insbesondere für eine Strukturierung mit wenigen Verfahrensschritten geeignet ist.It is an object of the invention to Irradiating a resist using a simple method to specify that especially for structuring with few process steps is suitable.

Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.This object is achieved in the claim 1 specified process steps solved. Further training is in the subclaims specified.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Resistschichtanordnung gemäß mindestens zweier für verschieden tiefe Lagen der zu erzeugenden Schicht ausgelegter geometrischer Teilentwürfe bzw. Layouts mit Hilfe einer Strahlungsquelle bestrahlt.In the method according to the invention the resist layer arrangement is different according to at least two deep layers of the layer to be created designed geometric part designs or layouts irradiated with the aid of a radiation source.

Beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf wird bspw. ein strahlungsquellennaher Fokus gewählt, bei dem ein strahlungsquellennaher Bereich der Resistschichtanordnung mit einer Dosis bestrahlt wird, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches ermöglicht. Ein von dem strahlungsquellennahen Bereich überdeckter strahlungsquellenferner Bereich der Resistschichtanordnung wird dagegen nicht oder nur mit einer Dosis bestrahlt, die keine selektive Entwicklung des strahlenquellenfernen Bereiches ermöglicht.When irradiating according to one Partial design, for example, a focus close to the radiation source is selected, at which is a region of the resist layer arrangement close to the radiation source is irradiated with a dose which is a selective development of the area close to the radiation source. One of the near radiation sources Area covered region of the resist layer arrangement remote from the radiation source on the other hand not or only irradiated with a dose that is not selective Development of the area far from the radiation source enabled.

Alternativ wird beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf bspw. ein strahlungsquellenferner Fokus gewählt, bei dem ein strahlungsquellenferner Bereich der Resistschichtanordnung mit einer Dosis bestrahlt wird, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches ermöglicht. Ein zwischen dem strahlungsquellenfernen Bereich und der Strahlungsquelle liegender strahlungsquellennaher Bereich der Re sistschichtanordnung wird mit einer Dosis bestrahlt, die keine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches ermöglicht. Als Dosis wird eine Größe bezeichnet, die sich aus der Bestrahlungsintensität multipliziert mit der Strahlungsdauer ergibt.Alternatively, when irradiating according to a Partial design, for example, a focus remote from radiation source selected, at an area of the resist layer arrangement remote from the radiation source is irradiated with a dose which is a selective development of the radiation source distant Area. A between the area remote from the radiation source and the radiation source lying area of the rice layer arrangement close to the radiation source is irradiated with a dose that does not selectively develop the area close to the radiation source. The dose is one Designated size, resulting from the radiation intensity multiplied by the radiation duration results.

Abhängig von dem gewählten Resist, besteht eine selektive Entwicklung bei einem Negativlack darin, dass bestrahlte Bereiche beim Entwickeln stehen bleiben und dass unbestrahlte Bereiche beim Entwickeln abgetragen werden. Bei einem Positivresist werden dagegen beim Entwickeln bestrahlte Bereiche abgetragen und unbestrahlte Bereiche im Wesentlichen unverändert gelassen.Depending on the resist chosen, a selective development for a negative varnish is that irradiated areas remain during development and that unexposed areas are removed during development. At a In contrast, irradiated areas become positive resist during development removed and unexposed areas left essentially unchanged.

Im einfachsten Fall enthält die Resistschichtanordnung nur eine homogen aufgebaute Resistschicht, wobei der strahlungsquellennahe Bereich beispielsweise in einer substratfernen Hälfte der Resistschicht und der strahlungsquellenferne Bereich in einer substratnahen Hälfte der Resistschicht liegen. Jedoch kann die Resistschichtanordnung auch mehrere Resistschichten mit voneinander verschiedenen chemischen Zusammensetzungen enthalten, beispielsweise zwei Positivlackschichten oder eine Positivlackschicht und eine Negativlackschicht. Die Lackschichten lassen sich beispielsweise durch eine Antireflexionsschicht voneinander trennen.In the simplest case, the resist layer arrangement contains only a homogeneously structured resist layer, the one close to the radiation source Area, for example, in a half of the resist layer and the area remote from the radiation source in a half of the substrate near Resist layer. However, the resist layer arrangement can also several resist layers with different chemical Contain compositions, for example two positive lacquer layers or a positive lacquer layer and a negative lacquer layer. The layers of paint can be separated from each other, for example, by an anti-reflection layer separate.

Die Lage des Fokus lässt sich beispielsweise durch Verändern der Brennweite eines abbildenden Systems oder durch die Veränderung des Abstandes zwischen dem abbildenden System und dem Substrat einstellen.The location of the focus can be for example by changing the focal length of an imaging system or by the change the distance between the imaging system and the substrate.

Durch die erfindungsgemäße Bestrahlung der Resistschichtanordnung lassen sich Lackschichten für Strukturen in unterschiedlicher Tiefe in einem gemeinsamen Entwicklungsschritt entwickeln. Die Übertragung der Struktur der entwickelten Resistschichtanordnung in die zu strukturierende Schicht lässt sich in einem Ätzvorgang ohne Unterbrechung durchfüh ren. Damit vereinfacht sich die Herstellung der integrierten Schaltungsanordnung im Vergleich zu bekannten Verfahren erheblich.The layer of resist can be coated by the irradiation of the resist layer arrangement according to the invention develop structures for different depths in a common development step. The transfer of the structure of the developed resist layer arrangement into the layer to be structured can be carried out in one etching process without interruption. This considerably simplifies the manufacture of the integrated circuit arrangement in comparison with known methods.

Die Bestrahlung kann beim erfindungsgemäßen Verfahren einerseits sequenziell hintereinander mit Hilfe eines Strahls ausgeführt werden, der auf der Lackschichtanordnung eine Breite bzw. einen Durchmesser hat, die bzw. der der Größe der kleinsten herzustellenden Strukturabmessung gleicht. Andererseits lässt sich die Bestrahlung auch mit Hilfe von Masken simultan für eine Vielzahl von Strukturen durchführen.The radiation can be used in the method according to the invention on the one hand, sequentially with the help of a beam, a width or a diameter on the lacquer layer arrangement has the size of the smallest Structural dimensions to be produced are the same. On the other hand, the irradiation with the help of masks simultaneously for a variety of structures.

Bei einer anderen Weiterbildung des Verfahrens zum Bestrahlen eines Resists wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellennahen Fokus strahlungsquellenfern ist. Alternativ wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellenfernen Fokus strahlungsquellennah ist.In another training of the A method of irradiating a resist is done by irradiating the other Partial design chosen a focus the one with irradiation according to one Partial design with a focus close to the radiation source is. Alternatively, when irradiating according to the other partial design, a Focus chosen, the one with irradiation according to one Partial design with a focus remote from the radiation source is.

Bei einer nächsten Alternative wird beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt, bei dem sowohl strahlungsquellennahe als auch strahlungsquellenferne Bereiche der Resistschicht mit einer Dosis bestrahlt werden, die eine selektive Entwicklung der bestrahlten Bereiche ermöglicht. Bei dieser Variante bietet sich die Möglichkeit, bei dem Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf eine Doppelbelichtung von Bereichen zu vermeiden, wobei eine Bestrahlung auch eine Streustrahlung einschließt.The next alternative is the Irradiate according to the other Partial design chosen a focus in which both radiation source and radiation source distant Areas of the resist layer are irradiated with a dose that allows selective development of the irradiated areas. This variant offers the option of irradiating according to the other Partial design to avoid double exposure of areas radiation also includes scattered radiation.

Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird nach dem Bestrahlen der Resistschichtanordnung die Resistschichtanordnung in einem Entwicklungsschritt gemäß den Teilentwürfen strukturiert. Nach dem Entwickeln wird in einem Ätzschritt die zur strukturierende Schicht gemäß der Struktur der Resistschichtanordnung geätzt. Damit entstehen bei einem einzigen Ätzvorgang aufgrund der Teilentwürfe für verschieden tiefe Lagen auch Strukturen in verschiedenen Tiefen, die sich voneinander unterscheiden.In a next development of the inventive method after the irradiation of the resist layer arrangement, the resist layer arrangement structured in a development step according to the partial designs. After development, the structure to be structured in an etching step Layer according to the structure the resist layer arrangement is etched. In order to arise in a single etching process based on the partial designs for different deep layers also structures at different depths that differ from each other differ.

Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird beim Erzeugen der Resistschichtanordnung eine Grundschicht auf einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt. Nach dem Erzeugen der Grundschicht wird eine Deckschicht aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt. Damit enthält die Resistschichtanordnung einen Stapel aus Resistschichten. Mögliche Resistvarianten sind:In another training of the inventive method becomes a base layer when the resist layer arrangement is produced generated on a radiation sensitive resist. After creating the base layer becomes a cover layer made of a radiation sensitive Resist generated. So that contains the resist layer arrangement comprises a stack of resist layers. Possible resist variants are:

  • – Grundschicht als Positivresist, Deckschicht als Positivresist,- Base layer as a positive resist, top layer as a positive resist,
  • – Grundschicht als Negativresist, Deckschicht als Positivresist,- Base layer as a negative resist, top layer as a positive resist,
  • – Grundschicht als Positivresist, Deckschicht als Negativresist, und- Base layer as a positive resist, top layer as a negative resist, and
  • – Grundschicht als Negativresist, Deckschicht als Negativresist.- Base layer as a negative resist, top layer as a negative resist.

Durch die Verwendung eines Schichtstapels lässt sich die Selektivität beim Bestrahlen in den einzelnen Schichten der Resistschichtanordnung auf einfache Weise erhöhen.By using a layer stack, the selectivity when irradiating in the individual layers of the resist layer arrangement increase in a simple way.

Bei einer nächsten Weiterbildung mit einem Resistschichtstapel in der Resistschichtanordnung wird nach dem Erzeugen der Grundschicht und vor dem Erzeugen der Deckschicht eine Zwischenschicht der Resistschichtanordnung bspw. aus einem reflexionsmindernden und/oder absorbierenden Material erzeugt, d.h. eine sogenannte Antireflexionsschicht (ARC – Anti Reflection Coating). Die Zwischenschicht erhöht nicht nur die vertikale Selektivität beim Bestrahlen der verschiedenen Bereiche der Resistschichtanordnung sondern dient auch der besseren Trennung der Resistschichten der Resistschichtanordnung voneinander. Bei einer Ausgestaltung werden ARC-Schichten eingesetzt, deren reflexionsmindernde Wirkung erst nach der ersten Teilbelichtung aktiviert wird, bspw. durch eine Temperaturbehandlung, die bspw. eine Polymerumbildung zur Folge hat. Bei solchen aktivierbaren ARC-Schichten lässt sich die untere Schicht ungehindert durch die ARC-Schicht hindurch bestrahlen.In a further training with a resist layer stack in the resist layer arrangement after the base layer has been produced and an intermediate layer of the resist layer arrangement before generating the cover layer For example, from a reflection-reducing and / or absorbing material generated, i.e. a so-called anti-reflection layer (ARC - Anti Reflection Coating). The intermediate layer not only increases the vertical selectivity when irradiating the different areas of the resist layer arrangement but also serves to better separate the resist layers of the Resist layer arrangement from each other. In one configuration ARC layers used, their anti-reflective effect only after the first partial exposure is activated, for example by a heat treatment, for example. polymer transformation. With such activatable ARC layers irradiate the lower layer unhindered through the ARC layer.

Bei einer anderen Weiterbildung werden gemäß der Teilentwürfe Masken mit strahlungsdurchlässigen und strahlungsabsorbierenden Gebieten hergestellt. Die Masken werden dann beim Bestrahlen gemäß der Teilentwürfe genutzt. Das Verwenden von Masken an Stelle des Schreibens mit einem Strahl führt zu erheblich kürzeren Bestrahlungszeiten.At another training course according to the partial designs masks with radiation-permeable and radiation absorbing areas. The masks are then used for irradiation according to the partial designs. Using masks instead of writing with a beam leads to significantly shorter Irradiation times.

Bei einer alternativen Verfahrensführung ist die Grundschicht für eine andere Strahlungsart oder für eine Strahlung mit einer anderen Wellenlänge empfindlich als die Deckschicht.In an alternative procedure, the Base layer for another type of radiation or for radiation with a different wavelength than the top layer.

Die vertikale Selektivität beim Bestrahlen lässt sich auch dadurch erreichen oder erhöhen, dass die Strahlungsempfindlichkeit der Grundschicht eine andere Abhängigkeit von einer physikalischen Größe hat als die Strahlungsempfindlichkeit der Deckschicht. Bei einer Ausgestaltung hat die Resistschichtanordnung beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein andere Temperatur als beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf. Durch die Temperatur wird die vertikale Selektivität beim Bestrahlen bewirkt. Ist die Grundschicht z.B. bei einer kleineren Temperatur besonders strahlungsempfindlich, so wird diese Temperatur in der Resistschichtanordnung eingestellt, wenn die Grundschicht selektiv bestrahlt werden soll. Beim selektiven Bestrahlen der Deckschicht wird eine höhere Temperatur der Resistschichtanordnung gewählt.The vertical selectivity during irradiation can be also achieve or increase that the radiation sensitivity of the base layer another dependency of a physical size as the radiation sensitivity of the top layer. In one configuration has the resist layer arrangement when irradiated according to one Partial design a different temperature than when irradiating according to the other Part design. The vertical selectivity during irradiation is determined by the temperature causes. Is the base layer e.g. at a lower temperature particularly sensitive to radiation, so this temperature in the Resist layer arrangement set when the base layer is selectively irradiated shall be. When the top layer is irradiated selectively, a higher Temperature of the resist layer arrangement selected.

Bei einer anderen Weiterbildung wird die Resistschichtanordnung gemäß beider Teilentwürfe in einer Bestrahlvorrichtung bestrahlt. Eine Bestrahlvorrichtung kann beispielsweise mehrere Abbildungssysteme enthalten, die von einer gemeinsamen Steuerung gesteuert werden.Another training course the resist layer arrangement according to both part designs irradiated in an irradiation device. An irradiation device For example, can include multiple imaging systems that are from can be controlled by a common controller.

Insbesondere wird eine Halbleiterscheibe zum Tragen der Resistschichtanordnung während der Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe bei einer Ausgestaltung nicht aus ihrer Haltevorrichtung entnommen. Das Bestrahlen in einer Bestrahlvorrichtung und ohne Wechsel der Haltevorrichtung ermöglicht es, die Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe mit nur einem einzigen Justiervorgang auszuführen. Außerdem wird das Bestrahlen nur durch unvermeidbare Unebenheiten nur einer Haltevorrichtung beeinträchtigt. Die Unebenheiten entstehen beispielsweise durch Schmutzpartikel.In particular, a semiconductor wafer is used for Wearing the resist layer arrangement during the irradiation according to both part designs not removed from its holding device in one embodiment. Irradiation in an irradiation device and without changing the Holding device allows it, the radiation according to both Partial drafts with just a single adjustment. In addition, the irradiation only due to unavoidable unevenness of only one holding device impaired. The bumps are caused, for example, by dirt particles.

Bei einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden Bereiche, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln ermöglichen, und Bereiche, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die kein selektives Entwickeln ermöglichen, an verschiedenen Positionen in der Resistanordnung erzeugt. Durch diese Vorgehensweise werden Doppelbestrahlungen vermieden. Insbesondere gibt es keine Bereiche, die sowohl wirksam als auch mit einer Streustrahlung, d.h. unwirksam bezüglich des selektiven Entwickelns, bestrahlt worden sind. Die Doppelbestrahlung würde sich nämlich negativ auf das Entwickeln der Resistschichtanordnung auswirken. Unten werden an Hand der Ausführungsbeispiele mehrere Möglichkeiten genannt, die ein Doppelbestrahlung vermeiden.In another training of the inventive method areas that are irradiated with a dose that is selective Enable development and areas irradiated with a dose that is not selective Enable development generated at different positions in the resist arrangement. By this procedure avoids double radiation. In particular there are no areas that are both effective and with scattered radiation, i.e. ineffective regarding of selective development have been irradiated. The double radiation would namely adversely affect the development of the resist layer arrangement. Below are based on the working examples more options called that avoid double exposure.

Bei einer Weiterbildung wird ein Bereich, der mit einer bezüglich des selektiven Entwickelns unwirksamen Dosis und/oder Strahlung bestrahlt wird, d.h. mit einer Strahlung bzw. einer Dosis, die kein selektives Entwickeln ermöglicht, in der Resistschichtanordnung an einer Position angeordnet, an der er bei der Entwicklung der Resistschichtanordnung durch mindestens einen unbestrahlten Bereich von einem bei der Entwicklung abzutragenden Bereich getrennt ist. Dadurch schützt der unbelichtete Bereich den unwirksam bestrahlten Bereich. Beim Entwickeln behält der unwirksam bestrahlte Bereich des halb seine mechanische Stabilität. Diese Stabilität bleibt auch beim nachfolgenden Ätzen erhalten.In the case of further training, a Area related to one selectively developing ineffective dose and / or radiation is irradiated, i.e. with radiation or a dose that does not selective development enables arranged in the resist layer arrangement at a position at which he in the development of the resist layer arrangement by at least an unexposed area from one to be removed during development Area is separated. This protects the unexposed area the ineffective irradiated area. When developing, it remains ineffective irradiated area of the half its mechanical stability. This stability remains with the subsequent etching receive.

Bei einer nächsten Weiterbildung des Verfahrens zum Bestrahlen eines Resists wird dieses Verfahren im Rahmen eines sogenannten Dual-Damascene-Verfahrens zur Erzeugung eines Leitbahn-Kontaktloch-Systems eingesetzt. Die Leitbahnen liegen parallel zu der Oberfläche eines Substrats, z.B. eines Halbleitersubstrats, in einer Metallisierungslage. Die Kontaktlöcher enthalten Kontakte, d.h. sogenannte Vias, welche Leitbahnen verschiedener Metallisierungslagen verbinden. Alternativ verbinden die Kontakte in den Kontaktlöchern eine Leitbahn und ein Bauelement in dem Substrat. Insbesondere bei der Herstellung von Leitbahn-Kontaktloch-Anordnungen wird durch das erfindungsgemäße Verfahren eine erhebliche Einsparung von Verfahrensschritten im Vergleich zu bekannten Herstellungsverfahren erreicht.At a further development of the procedure to irradiate a resist, this process is carried out in a so-called dual damascene process for producing a interconnect contact hole system used. The interconnects are parallel to the surface of a Substrate, e.g. of a semiconductor substrate, in a metallization layer. The contact holes contain contacts, i.e. so-called vias, which interconnects different Connect metallization layers. Alternatively, the contacts connect in the contact holes a trace and a device in the substrate. Especially at the manufacture of interconnect vias is accomplished by the inventive method a considerable saving of procedural steps in comparison achieved to known manufacturing processes.

Bei einer Weiterbildung werden in der zu strukturierenden Schicht erzeugte Strukturen mit einem Metall gefüllt, vorzugsweise mit Kupfer oder einer Kupferlegierung. Anschließend wird ein Polierschritt durchgeführt, z.B. ein chemischmechanisches Polieren (Chemical Mechanical Polishing), bei dem das über die gefüllten Leitbahngräben hinaus ragende metallische Füllmaterial entfernt wird.With further training in structures created with a metal of the layer to be structured filled, preferably with copper or a copper alloy. Then will performed a polishing step e.g. chemical mechanical polishing, where that's about the filled Leitbahngräben protruding metallic filling material Will get removed.

Bei einer nächsten Weiterbildung wird eine Leitbahn im Bereich neben einem Kontaktloch gemäß einem Teilentwurf und in einem Bereich, der mit einem Kontaktloch überlappt, gemäß dem anderen Teilentwurf strukturiert. Diese Maßnahme ermöglicht eine besonders günstige Verfahrensführung, wie unten an Hand der Ausführungsbeispiele näher dargelegt wird. Insbesondere dann, wenn bei der Belichtung gemäß dem einen Teilentwurf eine Belichtung der Resistschichtanordnung in ihrer gesamten Dicke vorgenommen wird.The next training course will be a runway in the area next to a contact hole according to a partial design and in an area that overlaps with a contact hole according to the other partial design structured. This measure enables one particularly cheap Process management, as below using the exemplary embodiments detailed becomes. Especially when the exposure according to one Partial design of an exposure of the resist layer arrangement in its entire thickness is made.

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:In the following, exemplary embodiments of the Invention explained with reference to the accompanying drawings. In this demonstrate:

1A und 1B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der zwei Positivlackschichten enthält, wobei bei einer Belichtung Bereiche in beiden Lackschichten mit einer Dosis belichtet werden, die zu einem selektiven Entwickeln führt, 1A and 1B the exposure of a layer of lacquer layer which contains two layers of positive lacquer, areas during exposure to both layers of lacquer being exposed to a dose which leads to selective development,

2A und 2B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der zwei Positivlackschichten enthält, wobei bei zwei Belichtungen jeweils nur Bereiche einer Lackschicht mit einer Dosis belichtet werden, die zu einem selektiven Entwickeln führt, 2A and 2 B the exposure of a lacquer layer stack which contains two positive lacquer layers, with two exposures in each case only areas of one lacquer layer being exposed with a dose which leads to selective development,

3A und 3B die Belichtung eines Lackschichtstapels, der eine Positivlackschicht und eine Negativlackschicht enthält, und 3A and 3B exposing a stack of lacquer layers containing a positive lacquer layer and a negative lacquer layer, and

4A, 4B und 4C einen entwickelten Lackschichtstapel sowie das Ätzen von Leitbahnen und eines Kontaktlochs. 4A . 4B and 4C a developed stack of lacquer layers as well as the etching of interconnects and a contact hole.

1A zeigt einen Lackschichtstapel 10, der auf einer zu strukturierenden Siliziumdioxidschicht 12 erzeugt worden ist. Der Lackschichtstapel 10 enthält eine untere Lackschicht 14 aus einem Positivlack. Auf der unteren Lackschicht 14 befindet sich eine Antireflexionsschicht 16, die zum Verringern von Reflexionen bei der Belichtung des Lackschichtstapels 10 dient. Auf der Antireflexionsschicht 16 wurde eine obere Lackschicht 18 aufgebracht, die ebenfalls aus einem Positivlack hergestellt worden ist. Die obere Lackschicht 18 ist im Ausführungsbeispiel etwa doppelt so dick wie die untere Lackschicht 14. 1A shows a paint layer stack 10 on a silicon dioxide layer to be structured 12 has been generated. The paint layer stack 10 contains a lower layer of lacquer 14 from a positive varnish. On the lower layer of paint 14 there is an anti-reflective layer 16 that reduce reflections when exposing the coating stack 10 serves. On the anti-reflective layer 16 became an upper layer of paint 18 applied, which has also been made from a positive paint. The top layer of paint 18 is about twice as thick as the lower lacquer layer in the exemplary embodiment 14 ,

Beim Aufbringen des Lackschichtstapels 10 muss darauf geachtet werden, dass sich die Lackschichten 14 und 18 einerseits nicht vermischen und andererseits ihre lichtempfindliche Eigenschaft nicht verlieren. Dies lässt sich beispielsweise dadurch erreichen, dass die untere Lackschicht 14 vor dem Aufbringen der Antireflexionsschicht 16 und der oberen Lackschicht 18 angehärtet wird, beispielsweise bei Temperaturen zwischen 100°C und 150°C.When applying the paint layer stack 10 care must be taken that the paint layers 14 and 18 on the one hand do not mix and on the other hand do not lose their light-sensitive properties. This can be achieved, for example, by having the lower layer of paint 14 before applying the anti-reflective layer 16 and the top layer of paint 18 is hardened, for example at temperatures between 100 ° C and 150 ° C.

Der Lackschichtstapel 10 wird in einem sogenannten Waferstepper mit Hilfe einer Fotomaske 20 belichtet, die lichtundurchlässige Bereiche 22 und lichtdurchlässige Bereiche 24 hat. In den 1A bis 3B werden Strukturen der Fotomasken der einfacheren Darstellung wegen in lateraler Richtung gesehen gleich groß wie Strukturen der Lackschichtanordnungen dargestellt. Auch das Verhältnis von Strukturgrößen und Abstand zwischen dem Lackschichtstapel und der Fotomaske entspricht nicht den tatsächlichen Größenverhältnissen. Tatsächlich werden die Strukturen der Fotomasken aus einem größeren Abstand in bspw. fünffacher Verkleinerung auf den Lackschichtstapel projiziert.The paint layer stack 10 is in a so-called wafer stepper with the help of a photo mask 20 exposed to the opaque areas 22 and translucent areas 24 Has. In the 1A to 3B structures of the photomasks are shown the same size as structures of the lacquer layer arrangements, because of the simpler representation, seen in the lateral direction. The ratio of structure sizes and the distance between the layer of lacquer layer and the photo mask also does not correspond to the actual size relationships. In fact, the structures of the photomasks are projected onto the lacquer layer stack from a greater distance in, for example, a five-fold reduction.

Die lichtundurchlässigen Bereiche 22 dienen zur Abschattung von Bereichen, an denen sich keine Leitbahnen und keine Abschnitte von Leitbahnen befinden, die mit Kontaktlöchern überlappen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 24 dienen dagegen zum Bestrahlen der Bereiche von Leitbahnen, die mit Kontaktlöchern überlappen, sowie zum Bestrahlen von Kontaktlochbereichen.The opaque areas 22 are used to shade areas where there are no interconnects and no sections of interconnects that overlap with contact holes. The translucent areas 24 serve to irradiate the areas of interconnects that overlap with contact holes, as well as to irradiate contact hole areas.

In 1A ist ein belichteter Bereich 26 in dem Lackschichtstapel 10 dargestellt, der bei der Belichtung des Lackschichtstapels 10 mit Hilfe der Fotomaske 20 belichtet wird. Der belichtete Bereich 26 ist durch eine Schraffur gekennzeichnet, deren Schraffurlinien von unten links nach oben rechts geneigt sind.In 1A is an exposed area 26 in the paint layer stack 10 shown in the exposure of the lacquer layer stack 10 with the help of the photo mask 20 is exposed. The exposed area 26 is indicated by hatching, whose hatching lines are inclined from the bottom left to the top right.

Die Belichtung des Bereiches 26 in einem Teilbelichtungsschritt lässt sich durchführen, wenn der Fokus bei der Belichtung in der unteren Hälfte der oberen Lackschicht 18 liegt. Bei Lackschichten 14 und 18 gleicher Dicke würde der Fokus an der Grenze der beiden Lackschichten bzw. in der Antireflexionsschicht 16 liegen.The exposure of the area 26 can be carried out in a partial exposure step if the focus is on the exposure in the lower half of the upper lacquer layer 18 lies. For layers of paint 14 and 18 the focus would be the same thickness at the border of the two lacquer layers or in the anti-reflection layer 16 lie.

Der belichtete Bereich 26 liegt in der oberen Lackschicht 18, in der Antireflexionsschicht 16 und in der unteren Lackschicht 14. Die Belichtungsdosis ist im gesamten belichteten Bereich 26 so gewählt, dass aufgrund der Belichtung mit der Fotomaske 20 die dem schraffierten Bereich 26 entsprechenden Bereiche bei einer späteren Entwicklung des Lackschichtstapels 10 aus dem Lackschichtstapel 10 herausgelöst werden. In den von den lichtundurchlässigen Bereichen 22 abgeschatteten Bereichen des Lackschichtstapels 10 wird dagegen nicht belichtet. Diese Bereiche würden demzufolge beim Entwickeln des Lackschichtstapels 10 unverändert bleiben. Jedoch folgt vor dem Entwickeln noch eine zweite Teilbelichtung, die im Folgenden an Hand der 1B erläutert wird.The exposed area 26 lies in the top layer of lacquer 18 , in the anti-reflective layer 16 and in the bottom layer of varnish 14 , The exposure dose is in the entire exposed area 26 chosen so that due to the exposure with the photo mask 20 the hatched area 26 corresponding areas in a later development of the lacquer layer stack 10 from the paint layer stack 10 be detached. In the opaque areas 22 shadowed areas of the paint layer stack 10 however, is not exposed. These areas would consequently be used when developing the paint layer stack 10 remain unchanged. However, a second partial exposure follows before development, which is described below using the 1B is explained.

1B zeigt die Belichtung des Lackschichtstapels 10 mit einer Fotomaske 30. Die Fotomaske 30 enthält lichtundurchlässige Bereiche 32 und 34 sowie lichtdurchlässige Bereiche 36 bzw. 38. Die lichtundurchlässigen Bereiche 32 dienen zur Abschattung von Bereichen, in denen sich weder Leitbahnen noch Kontaktlöcher befinden. Lichtundurchlässige Bereiche 34 dienen dagegen zum Abschatten von Bereichen, in denen sich Kontaktlöcher bzw. Bereiche von Leitbahnen befinden, die oberhalb von Kontaktlöchern angeordnet sind. Die lichtundurchlässigen Bereiche 34 befinden sich in der Fotomaske 30 genau an den Stellen, an denen in der Fotomaske 20 die lichtdurchlässigen Bereiche 24 liegen. 1B shows the exposure of the lacquer layer stack 10 with a photo mask 30 , The photo mask 30 contains opaque areas 32 and 34 as well as translucent areas 36 or 38. The opaque areas 32 are used to shade areas in which there are neither interconnects nor contact holes. Opaque areas 34 serve, however, to shade areas in which there are contact holes or areas of interconnects which are arranged above contact holes. The opaque areas 34 are in the photo mask 30 exactly in the places where in the photo mask 20 the translucent areas 24 lie.

Die lichtdurchlässigen Bereiche 36 dienen zum Belichten von Bereichen 40, in denen Abschnitte von Leitbahnen erzeugt werden sollen, die nicht oberhalb von Kontaktlöchern liegen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 38 liegen zwischen lichtundurchlässigen Bereichen 32 und lichtundurchlässigen Bereichen 34. Die lichtdurchlässigen Bereiche 38 dienen zum Belichten von Bereichen 42 und 44, die beidseits eines Bereiches 45 liegen, der zum Strukturieren eines Leitbahnabschnitts dient, welcher sich oberhalb eines Kontaktlochs befindet.The translucent areas 36 are used to expose areas 40 , in which sections of interconnects are to be created that are not above contact holes. The translucent areas 38 lie between opaque areas 32 and opaque areas 34 , The translucent areas 38 are used to expose areas 42 and 44 that are on either side of an area 45 lie, which is used for structuring an interconnect section, which is located above a contact hole.

Beim Belichten mit der Fotomaske 30 wird vorzugsweise derselbe Waferstepper oder ein anderer Waferstepper verwendet wie beim Belichten mit der Fotomaske 20. Ein den Lackschichtstapel 10 tragender Wafer wird bei der Verwendung nur eines Wafersteppers für beide Teilbelichtungen zwischen den beiden Belichtungsschritten nicht aus dem Waferstepper entnommen.When exposing with the photo mask 30 the same wafer stepper or a different wafer stepper is preferably used as for exposure with the photomask 20 , A stack of paint layers 10 When using only one wafer stepper for both partial exposures, the carrying wafer is not removed from the wafer stepper between the two exposure steps.

Bei der Belichtung mit der Fotomaske 30 liegt der Fokus höher als bei der Belichtung mit der Fotomaske 20. Beispielsweise liegt der Fokus in der Mitte der oberen Lackschicht 18. Aufgrund der veränderten Lage des Fokus ist es nun möglich, dass die belichteten Bereiche 40, 42 und 44 nur in der oberen Lackschicht 18 liegen. Nur in den belichteten Bereichen 40, 42 und 44 wird die obere Lackschicht 18 beim Belichten mit der Fotomaske 30 so verändert, dass bei einem späteren Entwicklungsvorgang die Bereiche 40, 42 und 44 entfernt werden. Diesen Bereichen 40, 42 und 44 benachbarte Bereiche werden nicht und unter diesen Bereichen 40 bis 44 liegende Streulichtbereiche 46, 48 und 50 werden bei derselben Belichtung mit der Fotomaske 30 nur mit einer sehr schwachen Dosis belichtet. Diese schwache Dosis wird als Streulicht SL bezeichnet. Das Streulicht SL genügt nicht, um in den vom Streulicht SL bestrahlten Bereichen 46 bis 50 bei dem späteren Entwicklungsvorgang die untere Lackschicht 14 abzutragen.When exposing with the photo mask 30 the focus is higher than with the exposure with the photo mask 20 , For example, the focus is in the middle of the top layer of lacquer 18 , Due to the changed location of the focus, it is now possible that the exposed areas 40 . 42 and 44 only in the top layer of lacquer 18 lie. Only in the exposed areas 40 . 42 and 44 becomes the top layer of paint 18 when exposing with the photo mask 30 so changed that the areas during a later development process 40 . 42 and 44 be removed. These areas 40 . 42 and 44 neighboring areas will not and under these areas 40 to 44 lying scattered light areas 46 . 48 and 50 with the same exposure using the photo mask 30 exposed only with a very weak dose. This weak dose is called scattered light SL. The scattered light SL is not sufficient to operate in the areas irradiated by the scattered light SL 46 to 50 the lower layer of varnish in the later development process 14 ablate.

Der Entwicklungsvorgang zum Entwickeln der Lackschichtanordnung 10 wird unten an Hand der 4A näher erläutert. Der sich an den Entwicklungsvorgang anschließende Ätzprozess wird unten an Hand der 4B und 4C näher erläutert.The development process for developing the lacquer layer arrangement 10 is shown below using the 4A explained in more detail. The etching process that follows the development process is described below using the 4B and 4C explained in more detail.

Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel unter Verwendung des Lackschichtstapels 10 wird die in 1B gezeigte Belichtung zuerst ausgeführt. Erst danach wird die in 1A gezeigte Belichtung ausgeführt. Das Ergebnis bei der Belichtung ist bei beiden Varianten gleich. Insbesondere werden Bereiche des Lackschichtstapels 10 bei beiden Varianten entweder nicht, mit Streulicht SL oder mit der eine selektive Entwicklung hervorrufenden Dosis bestrahlt. Es gibt keine Bereiche, in denen eine Doppelbelichtung derart durchgeführt wird, dass ein Bereich sowohl mit der ein selektives Entwickeln hervorrufenden Dosis als auch mit Streulicht SL bestrahlt wird.In an alternative embodiment using the paint layer stack 10 becomes in the 1B exposure shown performed first. Only then is the in 1A exposure shown carried out. The result of the exposure is the same for both variants. In particular, areas of the paint layer stack 10 in either variant either not, irradiated with scattered light SL or with the dose which causes selective development. There are no areas in which double exposure is performed such that an area is irradiated with both the selective developing dose and the stray light SL.

2A zeigt einen Lackschichtstapel 10a, der auf einer Siliziumdioxidschicht 12a aufgebracht worden ist. Der Lackschichtstapel 10a enthält die gleiche Schichtenfolge wie der Lackschichtstapel 10, so dass auf die Erläuterungen zu der 1A verwiesen wird. Der Lackschichtstapel 10a enthält mit zunehmendem Abstand zur Siliziumdioxidschicht 12a eine untere Lackschicht 14a, eine Antireflexionsschicht 16a und eine obere Lackschicht 18a, die in dieser Reihenfolge in ihrem Aufbau der unteren Lackschicht 14, der Antireflexionsschicht 16 bzw. der oberen Lackschicht 18 gleichen. Insbesondere wurde zur Herstellung der unteren Lackschicht 14a und der oberen Lackschicht 18a jeweils ein Positivlack verwendet. 2A shows a paint layer stack 10a that is on a silicon dioxide layer 12a has been applied. The paint layer stack 10a contains the same layer sequence as the lacquer layer stack 10 so that on the explanations to the 1A is referred. The paint layer stack 10a contains with increasing distance from the silicon dioxide layer 12a a lower layer of paint 14a , an anti-reflective layer 16a and an upper layer of paint 18a that in this order in their structure of the bottom layer of paint 14 , the anti-reflective layer 16 or the upper layer of paint 18 same. In particular, was used to manufacture the lower layer of lacquer 14a and the top layer of paint 18a each used a positive varnish.

Nach dem Erzeugen des Lackschichtstapels 10a wird in einem Waferstepper zunächst eine erste Teilbelichtung unter Verwendung einer Fotomaske 70 durchgeführt. Die Fotomaske 70 enthält lichtundurchlässige Bereiche 72 und lichtdurchlässige Bereiche 74. Die lichtundurchlässigen Bereiche 72 dienen zur Abschattung von Bereichen des Lackschichtstapels 10a, in denen keine Strukturen zur Erzeugung von Leitbahnen liegen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 74 dienen dagegen zum Belichten von Bereichen, in denen Strukturen erzeugt werden sollen, welche zur Bildung von Leitbahnen dienen. Die Fotomaske 70 dient nicht zum Strukturieren von Bereichen, die zur Erzeugung von Kontaktlöchern dienen sollen.After creating the paint layer stack 10a is a first partial exposure in a wafer stepper using a photo mask 70 carried out. The photo mask 70 contains opaque areas 72 and translucent areas 74 , The opaque areas 72 serve to shade areas of the paint layer stack 10a in which there are no structures for the generation of interconnects. The translucent areas 74 On the other hand, they are used to illuminate areas in which structures are to be produced which are used to form interconnects. The photo mask 70 is not used to structure areas that are to be used to create contact holes.

Beim Belichten mit der Fotomaske 70 liegt der Fokus in der Mitte der oberen Lackschicht 18a. Dadurch wird erreicht, dass nur durch die lichtdurchlässigen Bereiche 74 hindurch belichtete Bereiche 76 und 78 in der oberen Lackschicht 18a mit einer Dosis belichtet werden, die eine selektive Entwicklung hervorruft. Die belichteten Bereiche 76 und 78 enden an der Antireflexionsschicht 16a. Unter den belichteten Bereichen 76 und 78 liegende Streulichtbereiche 80 und 82 der unteren Lackschicht 14a werden dagegen gleichzeitig nur mit Streulicht belichtet. Die Belichtung mit Streulicht ist so gering, dass die Streulichtbereiche 80 und 82 beim späteren Entwickeln nicht selektiv bezüglich der angrenzenden Bereiche in der unteren Lackschicht 14A entwickelt werden.When exposing with the photo mask 70 the focus is in the middle of the top lacquer layer 18a , This ensures that only through the translucent areas 74 areas exposed through it 76 and 78 in the top layer of lacquer 18a exposed to a dose that causes selective development. The exposed areas 76 and 78 end at the anti-reflective layer 16a , Under the exposed areas 76 and 78 lying scattered light areas 80 and 82 the lower layer of paint 14a are, however, only exposed to scattered light at the same time. Exposure to stray light is so low that the stray light areas 80 and 82 when developing later, not selective with regard to the adjacent areas in the lower lacquer layer 14A be developed.

Nach dem Belichten des Lackschichtstapels 10a mit Hilfe der Fotomaske 70 wird im selben Waferstepper eine zweite Teilbelichtung durchgeführt, die im Folgenden an Hand der 2B näher erläutert wird. Zwischen den beiden Teilbelichtungen verbleibt eine den Lackschichtstapel 10a tragende Halbleiterscheibe in einer Haltevorrichtung des Wafersteppers.After exposing the stack of lacquer layers 10a with the help of the photo mask 70 a second partial exposure is carried out in the same wafer stepper 2 B is explained in more detail. The lacquer layer stack remains between the two partial exposures 10a carrying semiconductor wafer in a holding device of the wafer stepper.

2B zeigt eine Fotomaske 100, die zum Durchführen einer zweiten Teilbelichtung des Lackschichtstapels 10a dient. Die Fotomaske 100 enthält lichtundurchlässige Bereiche 102 und lichtdurchlässige Bereiche 104. Die lichtundurchlässigen Bereiche 102 dienen zum Abschatten von Bereichen, die nicht zur Strukturierung von Kontaktlöchern dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 104 dienen zum Belichten von Bereichen, die zur Strukturierung von Kontaktlöchern verwendet werden. Bei der Belichtung mit der Fotomaske 100 liegt der Fokus in der Mitte der unteren Lackschicht 14a. Damit wird nur ein Bereich 106 in der unteren Lackschicht 14a mit einer Dosis belichtet, die später ein selektives Entwickeln dieses Bereiches 106 im Vergleich zu den anliegenden Berei chen zur Folge hat. Ein im Strahlengang der zum Belichten genutzten Optik zwischen dem belichteten Bereich 106 und dem lichtdurchlässigen Bereich 104 in der oberen Lackschicht liegender Streulichtbereich 108 wird dagegen nur mit einer Dosis belichtet, die beim späteren Entwickeln ohne zusätzliche Belichtungen im Streulichtbereich 108 kein selektives Entwickeln zur Folge hätte. 2 B shows a photo mask 100 to perform a second partial exposure of the lacquer layer stack 10a serves. The photo mask 100 contains opaque areas 102 and translucent areas 104 , The opaque areas 102 are used to shade areas that should not be used to structure contact holes. The translucent areas 104 are used to expose areas that are used for structuring contact holes. When exposing with the photo mask 100 the focus is in the middle of the lower layer of paint 14a , This will only be one area 106 in the lower layer of paint 14a exposed to a dose that will later selectively develop this area 106 compared to the adjacent areas. An in the beam path of the optics used for exposure between the exposed area 106 and the translucent area 104 Scattered light area lying in the upper lacquer layer 108 is, however, only exposed with a dose that during subsequent development without additional exposures in the scattered light area 108 would not result in selective development.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die an Hand der 2B erläuterte Teilbelichtung zuerst durchgeführt. Erst danach wird die an Hand der 2A erläuterte Teilbelichtung durchgeführt. Das Ergebnis der Belichtungen ist bei beiden Varianten gleich. Die Entwicklung des Lackschichtstapels 10a wird unten an Hand der 4A näher erläutert. Darauf folgende Strukturierungsschritte zum Strukturieren der Siliziumdioxidschicht 12a werden unten an Hand der 4B und 4C erläutert.In another embodiment, the is based on the 2 B explained partial exposure performed first. Only then will it be shown on the 2A explained partial exposure performed. The result of the exposures is the same for both variants. The development of the paint layer stack 10a is shown below using the 4A explained in more detail. The following structuring steps for structuring the silicon dioxide layer 12a are shown below using the 4B and 4C explained.

Die an Hand der 2A und 2B erläuterten Belichtungen ermöglichen es, mit einem Fokus zu arbeiten, der entweder nur in den oberen zwei Dritteln des Lackschichtstapels 10a oder nur im unteren Drittel des Lackschichtstapels 10a zu einer wirksamen Belichtung führt.The on the basis of 2A and 2 B Exposed exposures make it possible to work with a focus that is either only in the top two thirds of the coating layer stack 10a or only in the lower third of the paint layer stack 10a leads to effective exposure.

3A zeigt einen Lackschichtstapel 110, der bei einem weiteren Ausführungsbeispiel auf einer Siliziumdioxidschicht 112 erzeugt wird. Beim Erzeugen des Lackschichtstapels 110 wird zunächst eine untere Lackschicht 114 aus Positivlack auf die Siliziumdioxidschicht 112 aufgebracht. Danach wird auf die untere Lackschicht 114 eine Antireflexionsschicht 116 aufgebracht. Die Antireflexionsschicht 116 ist erheblich dünner als die untere Lackschicht 114, beispielsweise beträgt die Dicke der Antireflexionsschicht 116 nur ein Zehntel der Dicke der unteren Lackschicht 114. 3A shows a paint layer stack 110 which, in a further exemplary embodiment, is based on a silicon dioxide layer 112 is produced. When creating the paint layer stack 110 first becomes a lower layer of paint 114 made of positive varnish on the silicon dioxide layer 112 applied. Then apply to the lower layer of paint 114 an anti-reflective layer 116 applied. The anti-reflective layer 116 is considerably thinner than the lower layer of lacquer 114 , for example, the thickness of the anti-reflection layer 116 only a tenth of the thickness of the lower layer of lacquer 114 ,

Nach dem Aufbringen der Antireflexionsschicht 116 wird eine obere Lackschicht 118 auf die Antireflexionsschicht 116 auf gebracht. Dabei wird ein Negativlack verwendet. Die obere Lackschicht 118 ist bspw. etwa doppelt so dick wie die untere Lackschicht 114. Die Dicken der Lackschichten in den Stapel, z.B. im Stapel 110, werden angepasst an die zu übertragenden Strukturen und abhängig von den auftretenden Ätzraten im Lack und im Oxid gewählt.After applying the anti-reflective layer 116 becomes an upper layer of paint 118 on the anti-reflective layer 116 brought on. A negative varnish is used. The top layer of paint 118 is, for example, about twice as thick as the lower layer of lacquer 114 , The thicknesses of the lacquer layers in the stack, for example in the stack 110 , are adapted to the to be transferred structures and selected depending on the etching rates occurring in the lacquer and in the oxide.

Bei der Belichtung des Lackschichtstapels 110 wird zuerst eine Belichtung mit Hilfe einer Fotomaske 120 ausgeführt. Die Fotomaske 120 enthält lichtundurchlässige Bereiche 122 und lichtdurchlässige Bereiche 124. Die lichtundurchlässigen Bereiche 122 dienen zur Abschattung von Bereichen, die nicht zur Strukturierung von Kontaktlöchern dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 124 dienen zum Belichten von Bereichen, die zur Herstellung von Kontaktlöchern dienen.When exposing the stack of lacquer layers 110 is an exposure with the help of a photo mask 120 executed. The photo mask 120 contains opaque areas 122 and translucent areas 124 , The opaque areas 122 are used to shade areas that should not be used to structure contact holes. The translucent areas 124 are used to expose areas that are used to make contact holes.

Die Fotomaske 120 ist gemäß dem gleichen Layout gefertigt worden, wie die Fotomaske 20. Jedoch liegt bei der Belichtung mit der Fotomaske 120 der Fokus tiefer als bei der Belichtung mit der Fotomaske 20. Der Fokus liegt bei Belichtung mit der Fotomaske 120 in der Mitte der unteren Lackschicht 14, d.h. in der Mitte eines belichteten Bereiches 126. Der belichtete Bereich 126 in der unteren Lackschicht 114 wird mit einer Dosis belichtet, die zu einem selektiven Entwickeln führt. Aufgrund der tiefen Fokuslage wird ein im Strahlengang zwischen dem belichteten Bereich 126 und dem lichtdurchlässigen Bereich 124 bzw. der Strahlungsquelle liegender Streulichtbereich 128 nur mit einer Dosis belichtet, die noch kein selektives Entwickeln des Streulichtbereiches 128 in einem späteren Entwicklungsvorgang bewirkt. Eine sich an die an Hand der 3A anschließende Teilbelichtung in demselben Waferstepper wird im Folgenden an Hand der 3B erläutert.The photo mask 120 has been manufactured according to the same layout as the photo mask 20 , However, the exposure with the photo mask is 120 the focus is deeper than when using the photo mask 20 , The focus is on exposure with the photo mask 120 in the middle of the lower layer of lacquer 14 , ie in the middle of an exposed area 126 , The exposed area 126 in the lower layer of paint 114 is exposed to a dose that leads to selective development. Due to the low focus, there is a beam path between the exposed area 126 and the translucent area 124 or the scattered light region lying of the radiation source 128 only exposed with a dose that does not selectively develop the scattered light area 128 in a later development process. One on the hand of the 3A Subsequent partial exposure in the same wafer stepper is described below using the 3B explained.

3B zeigt die zweite Teilbelichtung des Lackschichtstapels 110 mit Hilfe einer Fotomaske 130, die lichtundurchlässige Bereiche 132 und lichtdurchlässige Bereiche 134 enthält. Die lichtundurchlässigen Bereiche 132 dienen zur Abschattung von Bereichen in der oberen Lackschicht 118, die später zum Erzeugen von Leitbahnen dienen sollen. Die lichtdurchlässigen Bereiche 134 dienen dagegen zum Bestrahlen von Bereichen, die gewährleisten, dass zwischen den Leitbahnen die Siliziumdioxidschicht 112 al elektrisch isolierende Isolation bestehen bleibt. 3B shows the second partial exposure of the lacquer layer stack 110 with the help of a photo mask 130 who have favourited Opaque Areas 132 and translucent areas 134 contains. The opaque areas 132 serve to shade areas in the upper layer of lacquer 118 that will later be used to create interconnects. The translucent areas 134 serve to irradiate areas that ensure that the silicon dioxide layer between the interconnects 112 al electrically insulating insulation remains.

Beim Belichten mit der Fotomaske 130 liegt der Fokus in der Mitte der oberen Fotolackschicht 118. Damit werden durch die lichtdurchlässigen Bereiche 134 hindurch belichtete Bereiche 136, 138 und 140 erzeugt, die mit einer Dosis bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln bewirkt, d.h., dass bei der Verwendung des Negativlacks in der Lackschicht 118 die Lackschicht 118 in den belichteten Bereichen 136, 138 und 140 beim Entwickeln nicht abgetragen wird. Die belichteten Bereiche 136 bis 140 sind durch eine Schraffur gekennzeichnet, deren Schraffurlinien von oben links nach unten rechts geneigt sind.When exposing with the photo mask 130 the focus is in the middle of the upper photoresist layer 118 , So that through the translucent areas 134 areas exposed through it 136 . 138 and 140 generated, which are irradiated with a dose that causes a selective development, ie that when using the negative lacquer in the lacquer layer 118 the paint layer 118 in the exposed areas 136 . 138 and 140 is not removed during development. The exposed areas 136 to 140 are identified by hatching, whose hatching lines are inclined from the top left to the bottom right.

Durch die belichteten Bereiche 136, 138 bzw. 140 hindurch belichtete Streulichtbereiche 142, 144 bzw. 146 werden dagegen gleichzeitig unbeabsichtigt nur mit einer Dosis belichtet, die kein selektives Entwickeln dieser Bereiche bei einem späteren Entwicklungsvorgang bewirkt. Die Streulichtbereiche 142, 144 bzw. 146 sind in lateraler Richtung durch unbelichtete Bereiche 147 und 148 bzw. durch andere unbelichtete Bereiche begrenzt.Through the exposed areas 136 . 138 respectively. 140 stray light areas exposed through it 142 . 144 or 146, on the other hand, are unintentionally exposed to only one dose which does not selectively develop these areas in a later development process. The stray light areas 142 . 144 respectively. 146 are in the lateral direction through unexposed areas 147 and 148 or limited by other unexposed areas.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die an Hand der 3B erläuterte Belichtung des Lackschichtstapels 110 zuerst ausgeführt. Erst danach wird die an Hand der 3A erläuterte Belichtung ausgeführt. Das Ergebnis der Belichtung ist bei beiden Varianten das Gleiche. Die Entwicklung des Lackschichtstapels 110 wird unten an Hand der 4A näher erläutert. Die sich der Entwicklung anschließende Strukturierung der Siliziumdioxidschicht 112 wird unten an Hand der 4B und 4C erläutert.In another embodiment, the is based on the 3B explained exposure of the lacquer layer stack 110 executed first. Only then will it be shown on the 3A explained exposure performed. The result of the exposure is the same in both variants. The development of the paint layer stack 110 is shown below using the 4A explained in more detail. The structuring of the silicon dioxide layer following the development 112 is shown below using the 4B and 4C explained.

Die an Hand der 3A und 3B erläuterten Varianten sind wiederum ohne die oben bereits angesprochene Doppelbelichtung durchführbar. Außerdem muss bei keiner Teilbelichtung eine Lage des Fokus gewählt werden, die zu einer wirksamen Belichtung des Lackschichtstapels 110 in seiner gesamten Dicke führt.The on the basis of 3A and 3B The variants explained can in turn be carried out without the double exposure already mentioned above. In addition, in the case of no partial exposure, a position of the focus has to be selected which leads to an effective exposure of the coating layer stack 110 leads in its entire thickness.

Die unbelichteten Bereiche 147 und 148 werden bei der Entwicklung nicht abgetragen und gewährleisten, dass die durch sie geschützten Streulichtbereiche 144 und 146 bei der Entwicklung stabil bleiben, d.h. ebenfalls nicht durch die Entwicklung angegriffen werden. Nach oben hin werden die Streulichtbereiche 142 bis 146 durch Lack geschützt, der bei der Entwicklung nicht abgetragen wird, weil sie in einem Negativlack liegen und selektiv belichtet worden sind.The unexposed areas 147 and 148 are not removed during development and ensure that the stray light areas protected by them 144 and 146 remain stable during development, ie also not be attacked by development. The stray light areas are directed upwards 142 to 146 protected by varnish that is not removed during development because they are in a negative varnish and have been selectively exposed.

Positivlacke bieten die Möglichkeit, kleinere Strukturbreiten zu erzeugen als Negativlacke. Dennoch enthält bei anderen Ausführungsbeispielen der Lackschichtstapel zwei Negativlackschichten. Auch bei der Verwendung zweier Negativlackschichten in einem Lackschichtstapel lassen sich die bereits erwähnten Doppelbelichtungen vermeiden, wenn bei der einen Teilbelichtung eine Fokuslage gewählt wird, die zum wirksamen Belichten von Bereichen des Lackschichtstapels 110 in seiner gesamten Dicke führt.Positive lacquers offer the possibility of producing smaller structure widths than negative lacquers. Nevertheless, in other exemplary embodiments, the lacquer layer stack contains two negative lacquer layers. Even when using two negative lacquer layers in a lacquer layer stack, the double exposures already mentioned can be avoided if a focal position is selected for one partial exposure, which is used for the effective exposure of areas of the lacquer layer stack 110 leads in its entire thickness.

4A zeigt den Lackschichtstapel 10 nach der Entwicklung mit einem Entwickler. Die Ausführungen zu den 4A bis 4C gelten jedoch auch für den Lackschichtstapel 10a bzw. 110. 4A shows the paint layer stack 10 after development with a developer. The comments on the 4A to 4C however also apply to the stack of lacquer layers 10a or 110.

Der Lackschichtstapel 10 enthält nach dem Entwickeln eine Kontaktloch-Leitbahn-Aussparung 150, die im Bereich der oberen Lackschicht 18 eine Breite B1 hat, die mit der Breite der zu erzeugen Leitbahn übereinstimmt. Im Bereich der unteren Lackschicht 14 hat die Aussparung 150 nur noch einen Durchmesser B2, der dem Durchmesser eines herzustellenden Kontakt lochs entspricht. Im Ausführungsbeispiel ist die Breite B1 doppelt so groß wie der Durchmesser B2.The paint layer stack 10 contains a contact hole interconnect recess after development 150 that in the area of the top lacquer layer 18 has a width B1 which corresponds to the width of the interconnect to be produced. In the area of the lower lacquer layer 14 has the recess 150 only a diameter B2, which corresponds to the diameter of a contact hole to be produced. In the exemplary embodiment, the width B1 is twice as large as the diameter B2.

Eine Leitbahn-Aussparung 152 liegt rechts neben der Aussparung 150 und durchdringt nur die obere Lackschicht 18. Auch die Aussparung 152 hat die Breite B1.An interconnect recess 152 is to the right of the recess 150 and only penetrates the top layer of lacquer 18 , The recess too 152 has the width B1.

In 4A ist außerdem eine Dicke A1 der unteren Lackschicht 14 und eine Teildicke C1 der oberen Lackschicht 18 dargestellt. Die Dicke C1 entspricht bspw. der halben Höhe der oberen Lackschicht 18 und stellt das Lackbudget zum Strukturieren der Leitbahn dar. Eine Dicke D1 der oberen Hälfte der oberen Lackschicht 18 bestimmt die Dicke einer Lackreserve. Die Dicke der Antireflexionsschicht 16 wird bei den folgenden Betrachtungen vernachlässigt.In 4A is also a thickness A1 of the lower lacquer layer 14 and a partial thickness C1 of the upper lacquer layer 18 shown. The thickness C1 corresponds, for example, to half the height of the upper lacquer layer 18 and represents the paint budget for structuring the interconnect. A thickness D1 of the upper half of the upper paint layer 18 determines the thickness of a paint reserve. The thickness of the anti-reflective layer 16 is neglected in the following considerations.

Ausgehend von dem in 4A dargestellten strukturierten Lackschichtstapel 10 wird mit dem Ätzen der Siliziumdioxidschicht 12 begonnen. Der Ätzprozess wird anisotrop geführt, d.h. stark richtungsabhängig in vertikaler Richtung. Aufgrund des anisotropen Ätzprozesses werden zunächst nur Bereiche der Siliziumdioxidschicht 12 abgetragen, die unterhalb des zur Strukturierung des Kontaktlochs dienenden Loches mit dem Durchmesser B2 liegen. Gleichzeitig wird beim Ätzprozess jedoch auch der innerhalb des Bereiches für die Leitbahn liegende Bereich der unteren Lackschicht 14 abgetragen. Auch die Dicke der oberen Lackschicht 18 verringert sich.Starting from the in 4A Structured lacquer layer stack shown 10 with the etching of the silicon dioxide layer 12 began. The etching process is carried out anisotropically, ie strongly depending on the direction in the vertical direction. Due to the anisotropic etching process, only areas of the silicon dioxide layer are initially 12 removed, which lie below the hole for structuring the contact hole with the diameter B2. At the same time, however, the area of the lower lacquer layer lying within the area for the interconnect is also used in the etching process 14 ablated. Also the thickness of the top layer of lacquer 18 decreases.

In 4B ist der Zustand dargestellt, bei dem die untere Lackschicht 14 im Bereich des zur Strukturierung der Leitbahn dienenden Teils der Aussparung 150 gerade abgetragen ist. Ein Kontaktloch 160 hat einen Durchmesser, der dem Durchmesser B2 entspricht. Das Kontaktloch 160 hat eine Tiefe A2, die eine Funktion der Tiefe A1 und der Selektivität beim Ätzen ist. Im Ausführungsbeispiel wird angenommen, dass die Siliziumdioxidschicht 12 doppelt so schnell geätzt wird, wie die untere Lackschicht 14 bzw. die obere Lackschicht 18.In 4B the state is shown in which the lower lacquer layer 14 in the area of the part of the recess used for structuring the interconnect 150 has just been removed. A contact hole 160 has a diameter that corresponds to the diameter B2. The contact hole 160 has a depth A2, which is a function of depth A1 and selectivity in etching. In the exemplary embodiment, it is assumed that the silicon dioxide layer 12 is etched twice as fast as the lower layer of lacquer 14 or the upper layer of paint 18 ,

Beim weiteren Ätzen werden die zur Strukturierung von Leitbahnen dienenden Bereiche der Aussparungen 150 und 152 in die Siliziumdioxidschicht 12 übertragen.During further etching, the areas of the cutouts used for structuring interconnects become 150 and 152 into the silicon dioxide layer 12 transfer.

4C zeigt die strukturierte Siliziumdioxidschicht 12 am Ende des Ätzvorgangs. Das Kontaktloch 160 befindet sich nun tiefer in der Siliziumdioxidschicht 12 als zu dem in 4B dargestellten Zeitpunkt. Der Boden des Kontaktloches 160 liegt etwas unterhalb der Grenze zwischen der Siliziumdioxidschicht 12 und einer darunter liegenden Schicht 158. Die Tiefe A2 des Kontaktlochs 160 ist aber unverändert geblieben. Oberhalb des Kontaktlochs 160 ist in der Siliziumdioxidschicht 12 eine Leitbahn-Aussparung 170 angeordnet, die die Breite B1 hat. Die Leitbahn-Aussparung 170 hat eine Tiefe C2, die eine Funktion der Dicke Cl und der Ätzselektivität ist. Eine Dicke D2 zeigt die verbleibende Dicke der Lackreserve, d.h. die verbleibende Dicke der unteren Lackschicht 14, am Ende des Ätzprozesses. Die Dicke D2 ist aufgrund einer Überätzung etwas kleiner als die Dicke Dl. 4C shows the structured silicon dioxide layer 12 at the end of the etching process. The contact hole 160 is now deeper in the silicon dioxide layer 12 than to the in 4B shown time. The bottom of the contact hole 160 is slightly below the boundary between the silicon dioxide layer 12 and an underlying layer 158 , The depth A2 of the contact hole 160 has remained unchanged. Above the contact hole 160 is in the silicon dioxide layer 12 an interconnect recess 170 arranged, which has the width B1. The guideway recess 170 has a depth C2, which is a function of the thickness Cl and the etch selectivity. A thickness D2 shows the remaining thickness of the paint reserve, ie the remaining thickness of the lower paint layer 14 , at the end of the etching process. The thickness D2 is somewhat smaller than the thickness Dl due to overetching.

Auch eine im Bereich der Aussparung 152 entstandene Leitbahn-Aussparung 174 hat eine Breite B1 und eine Tiefe C2.Also one in the area of the recess 152 resulting recess in the interconnect 174 has a width B1 and a depth C2.

An die an Hand der 4A, 4B und 4C erläuterten Verfahrensschritte schließen sich weitere Verfahrensschritte an:
To those with the 4A . 4B and 4C Process steps explained are followed by further process steps:

  • – Entfernen des Restes der unteren Lackschicht 14,- Remove the rest of the lower layer of varnish 14 .
  • – Füllen des Kontaktlochs 160 sowie der Leitbahn-Aussparungen 170 und 172 mit Kupfer, und- Filling the contact hole 160 as well as the guideway recesses 170 and 172 with copper, and
  • – chemisch-mechanisches Polieren bis auf die Höhe der Siliziumdioxidschicht 12.- Chemical-mechanical polishing down to the level of the silicon dioxide layer 12 ,

Es lassen sich bei Anwendungen mit größeren minimalen Strukturbreiten bspw. auch Proximitymasken verwenden. An Stelle des Fokus wird auch ein anderes Kriterium gewählt, um die selektive vertikale Bestrahlung zu ermöglichen.It can be used in applications larger minimum Structure widths, for example, also use proximity masks. Instead of Another criterion is chosen for the focus, the selective vertical To allow radiation.

Weiterhin müssen die Kontaktlöcher nicht zentral bezüglich einer Leitbahn angeordnet sein. Auch eine Anordnung mit einem Versatz von Kontaktlochmitte und Leitbahnmitte wird hergestellt.Furthermore, the contact holes do not have to be central in terms of be arranged in an interconnect. Also an arrangement with an offset from the center of the contact hole and the center of the interconnect is produced.

10, 10a10 10a
LackschichtstapelPaint layer stack
12, 12A12 12A
Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
14, 14A14 14A
untere Lackschichtlower paint layer
16, 16a16 16a
AntireflexionsschichtAntireflection coating
18, 18a18 18a
obere Lackschichtupper paint layer
2020
Fotomaskephotomask
2222
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
2424
lichtdurchlässiger Bereichtranslucent area
2626
belichteter Bereichexposed Area
3030
Fotomaskephotomask
33, 3433 34
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
36, 3836 38
lichtdurchlässiger Bereichtranslucent area
40 bis 4540 to 45
belichteter Bereichexposed Area
SLSL
Streulichtscattered light
46 bis 5046 until 50
StreulichtbereichScattered light area
7070
Fotomaskephotomask
7272
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
7474
lichtdurchlässiger Bereichtranslucent area
76, 7876 78
belichteter Bereichexposed Area
80, 8280 82
StreulichtbereichScattered light area
100100
Fotomaskephotomask
102102
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
104104
lichtdurchlässiger Bereich translucent area
106106
belichteter Bereichexposed Area
108108
StreulichtbereichScattered light area
110110
LackschichtstapelPaint layer stack
112112
Siliziumdioxidschichtsilicon dioxide
114114
untere Lackschichtlower paint layer
116116
AntireflexionsschichtAntireflection coating
118118
obere Lackschichtupper paint layer
120120
Fotomaskephotomask
122122
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
124124
lichtdurchlässiger Bereich translucent area
126126
belichteter Bereichexposed Area
128128
StreulichtbereichScattered light area
130130
Fotomaskephotomask
132132
lichtundurchlässiger Bereichopaque area
134134
lichtdurchlässiger Bereich translucent area
136 bis 140136 up to 140
belichteter Bereichexposed Area
142 bis 146142 until 146
StreulichtbereichScattered light area
147, 148147 148
unbelichteter Bereichunexposed Area
150150
Kontaktloch-Leitbahn-AussparungContact hole interconnect recess
152152
Leitbahn-AussparungInterconnect recess
A1A1
Dicke der unteren Lackschichtthickness the lower layer of paint
A2A2
Tiefe eines Kontaktlochsdepth a contact hole
B1B1
Breitewidth
B2B2
Durchmesserdiameter
C1C1
Dicke der oberen Lackschichtthickness the top layer of paint
C2C2
Tiefe einer Leitbahndepth a track
D1D1
Dicke der Lackreservethickness the paint reserve
D2D2
Restdicke der Lackreserveresidual thickness the paint reserve
158158
Schichtlayer
160160
Kontaktlochcontact hole
170, 172170 172
Leitbahn-AussparungInterconnect recess

Claims (15)

Verfahren zum Bestrahlen eines Resists bei der Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung, bei dem nach der Herstellung einer zu strukturierenden Schicht (12) eine strahlungsempfindliche Resistschichtanordnung (10) erzeugt wird, bei dem die Resistschichtanordnung (10) gemäß mindestens zweier für verschieden tiefe Lagen der zu strukturierenden Schicht (12) festgelegter geometrischer Teilentwürfe mit Hilfe mindestens einer Strahlungsquelle bestrahlt wird, wobei beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf die Struktur eines strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) der Resistschichtanordnung (10) so stark verändert wird, dass eine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) ermöglicht wird, und die Struktur eines von dem strahlungsquellennahen Bereich (40 bis 44) überdeckten strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) der Resistschichtanordnung (10) nicht oder nur so schwach verändert wird, das keine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglicht wird, oder wobei beim Bestrahlen gemäß einem Teilentwurf die Struktur eines strahlungsquellenfernen Bereiches (106) der Resistschichtanordnung (10a) so stark verändert wird, dass eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (106) ermöglicht wird, und die Struktur eines zwischen dem strahlungsquellenfernen Bereich (106) und der Strahlungsquelle liegenden strahlungsquellennahen Bereiches (108) der Resistschichtanordnung (10) nicht oder nur so schwach verändert wird, dass keine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (108) ermöglicht wird.Process for irradiating a resist in the production of an integrated circuit arrangement, in which, after the production of a layer to be structured ( 12 ) a radiation-sensitive resist layer arrangement ( 10 ) is generated in which the resist layer arrangement ( 10 ) according to at least two for different depths of the layer to be structured ( 12 ) fixed geometrical partial designs are irradiated with the aid of at least one radiation source, the structure of a region near the radiation source being irradiated in accordance with a partial design ( 40 to 44 ) the resist layer arrangement ( 10 ) is changed so much that a selective development of the area close to the radiation source ( 40 to 44 ) is made possible, and the structure of an area close to the radiation source ( 40 to 44 ) covered area far from the radiation source ( 46 to 50 ) the resist layer arrangement ( 10 ) is not changed or only changed so weakly that there is no selective development of the area remote from the radiation source ( 46 to 50 ) is made possible, or wherein the structure of a region remote from the radiation source (see FIG. 106 ) the resist layer arrangement ( 10a ) is changed so much that a selective development of the area far from the radiation source ( 106 ) is made possible, and the structure of a region between the radiation source 106 ) and the area close to the radiation source ( 108 ) the resist layer arrangement ( 10 ) is not changed or only changed so weakly that there is no selective development of the region close to the radiation source ( 108 ) is made possible. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein strahlungsquellennaher Fokus und eine Bestrahlungs-Dosis gewählt werden, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) ermöglichen und die keine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglichen, oder dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf ein strahlungsquellenferner Fokus und eine Bestrahlungs-Dosis gewählt werden, die eine selektive Entwicklung des strahlungsquellenfernen Bereiches (46 bis 50) ermöglichen und die keine selektive Entwicklung des strahlungsquellennahen Bereiches (40 bis 44) ermöglichen.A method according to claim 1, characterized in that when irradiating in accordance with the one partial design, a focus close to the radiation source and a radiation dose are selected which selectively develop the area close to the radiation source ( 40 to 44 ) and which do not selectively develop the area far from the radiation source ( 46 to 50 ) enable, or that a radiation-distant focus and a radiation dose are selected during the irradiation according to the one partial design, which selectively develop the region remote from the radiation source ( 46 to 50 ) and which do not selectively develop the area close to the radiation source ( 40 to 44 ) enable. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellennahen Fokus strahlungsquellenfern ist, oder dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, der bei Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf mit einem strahlungsquellenfernen Fokus strahlungsquellennah ist, oder dass beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf ein Fokus gewählt wird, bei dem sowohl ein strahlungsquellennaher als auch ein strahlungsquellenferner Bereich (26) der Resistschichtanordnung (10) mit einer Dosis bestrahlt werden, die eine selektive Entwicklung der bestrahlten Bereiche (26) ermöglicht.A method according to claim 2, characterized in that when irradiating according to the other partial design, a focus is selected that is remote from radiation sources when irradiating according to the one partial design with a focus close to the radiation source, or that when irradiating according to the other partial design, a focus is selected that is used during irradiation according to the one partial design with a focus remote from the radiation source, or that when irradiating according to the other partial design a focus is selected in which both a region close to the radiation source and a region remote from the radiation source ( 26 ) the resist layer arrangement ( 10 ) are irradiated with a dose which is a selective development of the irradiated areas ( 26 ) enables. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Bestrahlen der Resistschichtanordnung (10) die Resistschichtanordnung (10) in einem Entwicklungsschritt gemäß den Teilentwürfen strukturiert wird, und dass nach dem Entwickeln in einem Ätzschritt die zu strukturierende Schicht (12) gemäß der Struktur der Resistschichtanordnung (10) geätzt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that after the irradiation of the resist layer arrangement ( 10 ) the resist layer arrangement ( 10 ) is structured in a development step in accordance with the partial designs, and that after development in an etching step the layer to be structured ( 12 ) according to the structure of the resist layer arrangement ( 10 ) is etched. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim Erzeugen der Resistschichtanordnung (10) eine Grundschicht (14) aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt wird, und dass nach dem Erzeugen der Grundschicht eine Deckschicht (18) aus einem strahlungsempfindlichen Resist erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that when generating the resist layer arrangement ( 10 ) a base layer ( 14 ) is produced from a radiation-sensitive resist, and that after the base layer has been produced, a cover layer ( 18 ) is generated from a radiation-sensitive resist. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Erzeugen der Grundschicht (14) und vor dem Erzeugen der Deckschicht (18) eine Zwischenschicht (16) der Resistschichtanordnung (10) erzeugt wird, die ein anderes Material als die Grundschicht (14) und die Deckschicht (18) enthält.A method according to claim 5, characterized in that after the production of the base layer ( 14 ) and before creating the top layer ( 18 ) an intermediate layer ( 16 ) the resist layer arrangement ( 10 ) which is a different material than the base layer ( 14 ) and the top layer ( 18 ) contains. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundschicht (14) für eine andere Strahlungsart oder für eine Strahlung mit einer anderen Wellenlänge empfindlich ist als die Deckschicht (18), und dass beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf eine Strahlungsart oder eine Strahlung mit einer Wellenlänge genutzt wird, die sich von der beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf genutzten Strahlungsart oder Wellenlänge unterscheidet.A method according to claim 5 or 6, characterized in that the base layer ( 14 ) is sensitive to a different type of radiation or to radiation with a different wavelength than the cover layer ( 18 ), and that when irradiating according to the one part a type of radiation or radiation with a wavelength that differs from the type of radiation or wavelength used for the irradiation according to the other partial design is used. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsempfindlichkeit der Grundschicht (14) eine andere Abhängigkeit von einer physikalischen Größe hat, vorzugsweise von der Temperatur, als die Strahlungsempfindlichkeit der Deckschicht (18), und dass die Resistschichtanordnung (10) beim Bestrahlen gemäß dem einen Teilentwurf einen anderen Wert der physikalischen Größe hat, vorzugsweise eine andere Temperatur, als beim Bestrahlen gemäß dem anderen Teilentwurf.Method according to one of the preceding claims 5 to 7, characterized in that the radiation sensitivity of the base layer ( 14 ) has a different dependence on a physical quantity, preferably on the temperature, than the radiation sensitivity of the cover layer ( 18 ), and that the resist layer arrangement ( 10 ) has a different physical size value when irradiated according to one partial design, preferably a different temperature, than when irradiated according to the other partial design. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass gemäß der Teilentwürfe Masken (20, 30) mit strahlungsdurchlässigen Gebieten (24) und strahlungsabsorbierenden Gebieten (22) hergestellt werden, und dass die Masken (20, 30) beim Bestrahlen gemäß der Teilentwürfe genutzt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that according to the partial designs, masks ( 20 . 30 ) with radiation permeable areas ( 24 ) and radiation absorbing areas ( 22 ) and that the masks ( 20 . 30 ) can be used for irradiation according to the partial designs. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Resistschichtanordnung (10) gemäß beider Teilentwürfe in derselben Bestrahlvorrichtung bestrahlt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the resist layer arrangement ( 10 ) is irradiated in the same irradiation device according to both partial designs. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Halbleiterscheibe zum Tragen der Resistschichtanordnung (10) während der Bestrahlung gemäß beider Teilentwürfe in derselben Haltevorrichtung gehalten wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that a semiconductor wafer for supporting the resist layer arrangement ( 10 ) is held in the same holding device during the irradiation according to both partial designs. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Bereiche (26), die mit einer Dosis und/oder Strahlung bestrahlt werden, die ein selektives Entwickeln ermöglicht, und Bereiche (48, 50), die mit einer Dosis bestrahlt werden, die kein selektives Entwickeln ermöglicht, an verschiedenen Positionen in der Resistschichtanordnung (10) erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that areas ( 26 ) that are irradiated with a dose and / or radiation that enables selective development, and areas ( 48 . 50 ), which are irradiated with a dose that does not allow selective development, at different positions in the resist layer arrangement ( 10 ) be generated. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Bereich (146), der mit einer Dosis und/oder Strahlung bestrahlt wird, die kein selektives Entwickeln ermöglicht, in der Resistschichtanordnung (10) an einer Position angeordnet wird, an der er bei der Entwicklung der Resistschichtanordnung (10) durch mindestens einen unbestrahlten Bereich (147, 148) von einem bei der Entwicklung abzutragenden Bereich (160, 170) getrennt ist.Method according to one of the preceding claims, characterized in that an area ( 146 ), which is irradiated with a dose and / or radiation that does not allow selective development, in the resist layer arrangement ( 10 ) is arranged at a position at which it is developed during the development of the resist layer arrangement ( 10 ) through at least one unirradiated area ( 147 . 148 ) from an area to be deducted during development ( 160 . 170 ) is separated. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es im Rahmen eines Dual-Damascene-Verfahrens zur Erzeugung einer Leitbahn-Kontaktloch-Anordnung (160 bis 174) verwendet wird, und/oder dass die erzeugten Strukturen (160 bis 174) in der zu strukturierenden Schicht (12) mit einem Metall gefüllt werden, vorzugsweise mit Kupfer oder einer Kupferlegierung.Method according to one of the preceding claims, characterized in that it is used in the context of a dual damascene method for producing an interconnect contact hole arrangement ( 160 to 174 ) is used, and / or that the structures generated ( 160 to 174 ) in the layer to be structured ( 12 ) are filled with a metal, preferably with copper or a copper alloy. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leitbahn in einem Bereich neben einem Kontaktloch gemäß einem Teilentwurf (30) und in einem Bereich, der mit einem Kontaktloch überlappt, gemäß dem anderen Teilentwurf (20) strukturiert wird.A method according to claim 14, characterized in that an interconnect in an area next to a contact hole according to a partial design ( 30 ) and in an area that overlaps with a contact hole, according to the other partial design ( 20 ) is structured.
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