DE10228280A1

DE10228280A1 - Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung dreidimensional strukturierter Oberflächen von Substraten

Info

Publication number: DE10228280A1
Application number: DE2002128280
Authority: DE
Inventors: Heinz Dipl.-Phys. Hinkers; Andreas Dipl.-Phys. Scheipers; Christian Dipl.-Ing. Sundermeier; Karl Dipl.-Ing. Köckemann
Original assignee: Institut fur Chemo- und Biosensorik Muenster Ev Iins; Institut fuer Chemo und Biosensorik Muenster eV ICB
Current assignee: Scheipers Andreas Dipl-Phys 48308 Senden De
Priority date: 2002-06-25
Filing date: 2002-06-25
Publication date: 2004-01-29

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur massenproduktionstauglichen Beschichtung von Oberflächen mittels der elektrohydrodynamischen Ionenspray-Methode. Die Massenproduktionstauglichkeit wird erreicht durch die Kombination mehrerer Ionenquellen, die beispielsweise in Form eines kompakten Sprühkopfes zusammengefasst werden können. Mit diesem Verfahren können insbesondere auch dreidimensional strukturierte Oberflächen in der Mikroelektronik, Photonik, Mikrostrukturtechnik und Nanotechnologie beschichtet werden. Es können sowohl elektrisch leitende wie auch halbleitende und isolierende Materialien beschichtet werden. Eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist außerdem Gegenstand der Erfindung.

Description

Aus der Leiterplattenfertigung ist die galvanische Abscheidung sogenannter ED-Photoresists (electro de positable resists) bekannt, die sich allerdings nur auf elektrisch leitende Oberflächen auftragen lassen. Außerdem können sich die Eigenschaften der beschichteten Oberflächen dabei erheblich zum Nachteil verändern.

Für MEMS-Anwendungen wurde ein Sprühkopf in eine Maschine für die konventionelle Photoresist-Beschichtung integriert. Das Sprühverfahren basiert auf einen Ultraschallkopf, der die Partikel generiert, die im Gasstrom auf den zu beschichtenden Wafer gelenkt werden, Mit diesem Verfahren können die Oberflächen unabhängig von deren Leitfähigkeit beschichtet werden. Nachteilig ist bei diesem Verfahren die unvollständige Bedeckung der Oberfläche im Bereich scharfer Kanten und Spitzen, wie sie insbesondere auf dreidimensional strukturierten Glas- und Siliziumoberflächen häufig benötigt werden.

In der DE 4228344 C2 wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Photoresist-Beschichtung von mikromechanisch dreidimensional strukturierten Bauteilen in der Mikrostrukturtechnik mittels einer Kombination aus elektrohydrodynamischer Ionenquelle und der Ionenspray-Methode beschrieben. Die Photoresist-Lösung wird einer Glaskapillaren zugeführt und auf Grund der Kapillarkräfte bis zu deren Spitze geleitet. In der Kapillaren befindet sich ebenfalls ein Metalldraht, der ein kurzes Stück aus der Kapillaren herausragt und von der Lösung benetzt wird. Zwischen diesem Metalldraht und dem zu beschichtenden Substrat wird eine Spannung von 1 bis 20 kV angelegt. In dem starken elektrischen Feld am Austritt der Kapillaren bildet sich im Zusammenspiel mit der Oberflächenspannung der Lösung ein sogenannter Taylor-Konus aus. Bei geeigneter Wahl der elektrischen Feldstärke in Abstimmung mit der Oberflächenspannung der Lösung werden von diesem Konus Jets emittiert, die zur Ausbildung kleiner Tröpfchen führen. Diese Tröpfchen sind auf Grund der elektrophoretischen Ladungstrennung im Taylor-Konus hoch geladen. Der Transport der Tröpfchen geschieht durch Drift im elektrischen Feld zum zu beschichtenden Substrat. Bei genügend großer Driftstrecke verdampft das Lösungsmittel, bevor die Photoresist-Partikel das Substrat erreichen. Dadurch wird ein unmittelbares Zerfließen des Photolackes verhindert, so dass auch scharfe Kanten beschichtet werden können. Die in dieser Druckschrift beschriebene Vorrichtung wird mit einer zeitlich konstanten Spannung betrieben. Sie weist Rotationssymmetrie auf, so dass der Ionenstrahl relativ einfach mit einer Ionenlinse fokussiert werden kann.

Nachteilig ist bei diesem Verfahren, dass die benötigte Zeit für die Beschichtung eines 76 mm Wafers mit einer Photoresistschicht der in der Halbleitertechnologie typischen Schichtdicke von 1,4 μm etwa 30 min beträgt. In der modernen Halbleiterproduktion werden jedoch in der Regel Wafer mit Durchmessern zwischen 150 mm und 300 mm verarbeitet. Die dafür benötigte Beschichtungszeit ist nicht kompatibel mit den für die Massenproduktion angestrebten Prozesszeiten. Des weiteren tritt auf Grund der Ladung der Partikel eine Aufladung elektrisch schlecht leitender Oberflächen während des Beschichtungsprozesses auf. Empfindliche Oberflächenbereiche wie etwa CMOS-Strukturen können dabei zerstört werden.

Ausgehend hiervon war es Aufgabe der vorliegenden Erfindung die aus dem Stand der Technik bekannten Nachteile zu beseitigen und ein für die Massenfertigung geeignetes Verfahren sowie eine entsprechende Vor richtung bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird durch die gattungsgemäße Vorrichtung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch das gattungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Die weiteren abhängigen Ansprüche zeigen vorteilhafte Weiterbildungen auf. In den Ansprüchen 27 bis 29 werden mögliche Verwendungen der Vorrichtung aufgezeigt.

Erfindungsgemäß wird eine Vorrichtung zur Beschichtung dreidimensional strukturierter Oberflächen von Substraten in der Mikrostruktur-Technik bereitgestellt. Diese bestehen aus einer Sprühquelle, die eine mit einer Elektrode versehene Kapillare aufweist, die wiederum mit einem die Beschichtungssubstanz enthaltendem Vorratsgefäß verbunden ist.

Erfindungswesentlich ist es nun, daß mindestens zwei Sprühquellen in einem Sprühkopf angeordnet sind und die Sprühquellen über mindestens eine Spannungsquelle einzeln adressierbar sind. Mittels der Spannungsquellen kann eine Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Substrat hergestellt werden.

Der Sprühkopf besteht somit aus einer Mehrzahl von Ionenspray-Quellen, die mit gleichen oder unterschiedlichen Potentialen versehen werden können (einzeladressierbare Quellen). Die einzeladressierbaren Quellen sind über den Sprühkopf relativ zueinander fixiert. Für die Herstellung eines derartigen Sprühkopfes kommen sowohl konventionelle Fertigungstechniken wie auch mikrosystemtechnische Fertigungsverfahren in Frage.

Vorzugsweise weist die Vorrichtung mindestens zwei Sprühquellen auf, die in Form eines Arrays angeordnet sind. Besonders bevorzugt ist ein Array, das aus zumindest zehn Sprühquellen aufgebaut ist. Der Abstand zwischen den mindestens zwei Sprühquellen beträgt dabei vorzugsweise zwischen 10 μm und max. 2 cm, wobei diese Größenordnung an die Dimensionierung des Substrates angepaßt werden kann.

Bevorzugt werden die Sprühquellen parallel zueinander angeordnet. Ebenso ist es aber auch möglich, daß die Sprühquellen untereinander zumindest teilweise zueinander geneigt angeordnet sind. Auf diese Weise kann eine zusätzliche Anpassung an die Topographie des Substrates erfolgen.

Vorzugsweise stellte die Elektrode der erfindungsgemäßen Vorrichtung eine in einer Kapillare angeordnete Drahtelektrode dar, wobei der Draht ein kurzes Stück aus der Kapillaren herausragt und von der Beschichtungslösung benetzt wird. Eine andere Variante sieht vor, daß eine flächige Elektrode verwendet wird, die z. B. in Form einer metallischen Beschichtung der inneren und/oder äußeren Kapillarspitze ausgestaltet ist. Alternativ ist es möglich als Elektrode eine Ringelektrode zu verwenden.

Es ist auch denkbar, statt einer Mehrzahl von punktförmigen Sprühquellen eine bandförmige Quelle einzusetzen. Insbesondere kommen hierbei auch ringförmige Quellen in Frage.

Vorzugsweise ist zwischen den mindestens zwei Sprühquellen und dem Substrat mindestens eine Extraktorelektrode angeordnet. Mittels derartiger Extraktorelektroden kann die Stabilität des Sprühverhaltens er höht werden, wobei die Extraktorelektroden zwischen den Sprühquellen, z. B. den Kapillarspitzen, und dem Substrat angeordnet sind. Die Extraktorelektroden bestimmen über den Abstand zur Kapillarenspitze sowie der anliegenden Spannung in Kombination mit dem Radius der Elektrode das elektrische Feld im Bereich des Tailor-Konus. Um ein stabiles Sprühen zu gewährleisten, sollte ein Minimalabstand der Kapillarenspitzen untereinander nicht unterschritten werden. Der Abstand der Sprühquellen untereinander sollte größer als der Abstand der Sprühquellen zu den Extraktorelektroden sein. Die Extraktorelektroden können auch als gemeinsame Extraktorplatte ausgeführt sein.

In einer weiteren Variante weist die Vorrichtung zwischen der mindestens einen Sprühquelle und dem Substrat mindestens eine ionenoptische Linse und/oder Ablenkplatte auf.

Erfindungsgemäß wird ebenso ein Verfahren zur Beschichtung dreidimensional strukturierter Oberflächen von Substraten in der Mikrostruktur-Technik bereitgestellt. Bei diesen werden geladene Tröpfchen eines Beschichtungsmaterials von einer Sprühquelle, die auf einer elektrohydrodynamischen Ionenquelle in Kombination mit der Ionenspray-Methode basiert, auf die zu beschichtende Oberfläche gesprüht.

Erfindungswesentlich ist es hierbei, daß ein Sprühkopf eingesetzt wird, der mindestens zwei über mindestens eine Spannungsquelle einzeln adressierbare Sprühquellen aufweist.

Gegenüber dem in der Halbleitertechnologie üblichen Spin-on-Verfahren zur Beschichtung planarer Oberflächen lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren dreidimensional strukturierte Oberflächen beschichten. Charakteristisch für das erfindungsgemäße Verfahren ist es, daß auch scharfkantige Oberflächenstrukturen mit einer geschlossenen Schicht sicher und vollständig abgedeckt werden können. Bereits existierende und auf Ultraschall basierende Sprühverfahren sind prinzipiell für die Beschichtung von dreidimensionalen Oberflächen geeignet, versagen jedoch bei den genannten scharfkantigen und spitzen Strukturen, wie sie insbesondere in der Mikrosystemtechnik und bei MEMS-Anwendungen häufig auftreten. Es können praktisch beliebig geformte Substrate beschichtet werden. So sind rechteckige und runde Substrate gleichermaßen prozessierbar.

Gegenüber dem Ionenspray-Verfahren hat dieses Verfahren den Vorteil, daß es für die Massenproduktion geeignet ist. Außerdem können nicht nur elektrisch leitende und halbleitende Oberflächen, sondern auch schlecht leitende und isolierende Oberflächen beschichtet werden. Gegenüber dem existierenden Verfahren kann dieses Verfahren auch angewendet werden für Oberflächen, die empfindlich gegenüber elektrostatischen Aufladungen sind. Hierzu zählen insbesondere die nicht metallisierten Oberflächen von in CMOS-Technologie gefertigten Wafern, Waferoberflächen mit optoelektronischen Komponenten sowie Hybridaufbauten, in denen elektrische und optische Komponenten kombiniert werden.

Vorzugsweise werden die mindestens zwei Sprühquellen mit gleichem Potential eingesetzt. Werden hierbei gleiche Beschichtungsmaterialien eingesetzt, so ist es möglich gegenüber dem Stand der Technik in Abhängigkeit von der Anzahl der Sprühquellen deutlich höhere Beschichtungsgeschwindigkeiten sicherzustellen.

Entsprechend der Anzahl der in einem Sprühkopf integrierten Kapillaren reduziert sich die Sprühzeit gegenüber einer Einzelkapillaren, sofern alle Kapillaren mit dem gleichen Beschichtungsmaterial bestückt und parallel betrieben werden.

Die Vorrichtung kann aber auch so ausgeführt sein, daß mit den Kapillaren unterschiedliche Beschichtungsmaterialien oder -materialgemische simultan oder sequentiell gesprüht werden können, so daß auch Mischschichten aus den verschiedenen Materialien hergestellt werden können.

Eine ebenso bevorzugte Variante sieht vor, daß Sprühquellen mit unterschiedlichem Potential betrieben werden.

Mit einem derartigen Sprühkopf kann das Beschichten einer elektrostatisch empfindlichen und/oder einer elektrisch isolierenden Oberfläche auf zwei Arten erreicht werden:

1. Die verschiedenen Kapillaren werden mit Potenzialen unterschiedlicher Polarität gegenüber dem Substrat betrieben, so dass die auf die Substratoberfläche auftreffende Nettoladung stets Null ist.
2. Die Kapillaren werden mit einheitlicher Polarität im dynamischen Modus betrieben d. h. mit zeitlich variabler Beschleunigungsspannung. Wird dabei die Polarität in regelmäßigen zeitlichen Abständen gewechselt, ist die auf das Substrat auftreffende Ladung im zeitlichen Mittel ebenfalls Null.

Ein Polaritätswechsel der Kapillaren im Sprühbetrieb kann zu Störungen des Sprühprozesses führen. Um die Qualität der Beschichtung nicht zu gefährden, kann der Sprühprozeß während des Polaritätswechsels unterbrochen werden, bis sich der Taylor-Konus erneut stabilisiert hat. Die Unterbrechung kann z. B. durch einen mechanischen Verschluß erfolgen, der unmittelbar vor dem Polaritätswechsel geschlossen wird, so daß kein Beschichtungsmaterial mehr auf das Substrat gelangen kann.

Vorzugsweise erfolgt eine Ladungsneutralisation an der Oberfläche. Dies kann z. B. dadurch erfolgen, daß die zu beschichtende Oberfläche mit einem ionisierten Gas in Kontakt gebracht wird. Des weiteren können geladene Oberflächen auch mittels elektromagnetischer Strahlung entladen werden. Im Falle eines Photoresists dürfen die dafür benötigten Wellenlängen allerdings nicht zur Belichtung des Resists führen.

Der Sprühnebel besteht in Abhängigkeit der Spannungsbelegung der einzelnen Sprühquellen entweder aus Tröpfchen einheitlicher oder aber unterschiedlicher Ladungspolarität. Entsprechend unterschiedlich ist die Ladungsverteilung im Sprühnebel und somit, aufgrund der Coulomb-Wechselwirkung der geladenen Partikel untereinander, auch die Dichteverteilung der Tröpfchen im Strahlquerschnitt, dem sogenannten Dichteprofil. So führt die Verwendung einer einheitlichen Polarität für alle Sprühquellen zu einem stark strukturierten Dichteprofil.

Um dennoch eine gleichmäßige Beschichtung des Substrates zu erzielen, wird bevorzugt der Sprühkopf und/oder das Substrat während der Beschichtung bewegt. Das optimale Bewegungsmuster, das zu einer gleichmäßigen Beschichtung des Substrates führt, läßt sich mittels geeigneter mathematischer Algorithmen aus dem Dichteprofil des Teilchenstrahls auf Höhe der Substratoberfläche bestimmen. Alternativ kann ein zufriedenstellendes Bewegungsmuster auch experimentell ermittelt werden. Das Bewegungsmuster kann z. B. mittels eines Rechners oder einer anderen geeigneten elektronischen Steuerung und unter Verwendung eines Rotations- und/oder Translationstisches auf das Substrat oder den Sprühkopf übertragen werden.

Besonders kritische Oberflächenstrukturen wie Spitzen und Kanten können durch die Anwendung einer Mehrfachbeschichtung noch sicherer abgedeckt werden. Die Mehrfachbeschichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß nach einem ersten Sprühschritt die beschichtete Oberfläche in eine entsprechende Lösungsmittelatmosphäre gebracht wird, z. B. mit Aceton angereicherte Luft, in der die auf die Oberfläche aufgebrachten Partikel angelöst werden und teilweise ineinander zerfließen, so daß eine teilweise Planarisierung der Oberfläche erfolgt und danach ein weiterer Beschichtungsprozeß mit ebenfalls anschließender Planarisierung erfolgt. Nach zwei bis drei Beschichtungsschritten sind typischerweise auch kritische Oberflächenstrukturen vollständig bedeckt.

Verwendung findet die erfindungsgemäße Vorrichtung für die Beschichtung von Substraten in der Halbleitertechnologie. Hierzu zählen neben der Mikroelektronik, der Mikrosystemtechnik, der Optoelektronik ebenso die Nanotechnologie. Ein wichtiges Anwendungsfeld ist dabei die Beschichtung von Halbleiterscheiben mit Photoresist und anderen dielektrischen Materialien wie Zwischenlagen-Dielektrika, Passivierungs- und Isolierungsschichten sowie auch antistatische Be schichtungsmaterialien.

Aufgrund der sehr kleinen Tröpfchendurchmesser kann das Verfahren auch zur Erzeugung sehr dünner Schichten verwendet werden, wie sie beispielsweise in der höchstintegrierten Mikroelektronik und der Nanotechnologie benötigt werden. Die Beschichtung mit Nanopartikeln und dispersen Materialien für die Nanotechnologie, die Optoelektronik, die Photonik und andere Bereiche sowie auch mit Biomolekülen sind mögliche Anwendungsfelder.

Anhand der nachfolgenden Figuren soll der anmeldungsgemäße Gegenstand näher erläutert werden, ohne diesen auf diese Ausführungsformen einzuschränken.
1a zeigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung mit zwei aus einer in eine Kapillare integrierten Drahtelektrode bestehenden Sprühquellen.
1b zeigt ein Array von Sprühquellen, ebenfalls mit Drahtelektroden.
1c zeigt ein Array von Sprühquellen, bei dem flächige Elektroden eingesetzt werden.
In 1a ist eine Ausführungsform mit zwei oder mehreren Sprühquellen bestehend aus je einer Kapillaren 1 mit einer inneren Drahtelektrode. Zwischen den Drahtelektroden und den Extraktorelektroden 2 können unterschiedliche Spannungen U₁, U₂ angelegt werden. Die Extraktorelektroden sind elektrisch isoliert voneinander aufgebaut, so dass zwischen den Extraktorelektroden und dem zu beschichtenden Substrat 3 ebenfalls unterschiedliche Spannungen eingestellt werden können. Um eine gleichmäßige Beschichtung zu erzielen, kann das Substrat mittels einer Rotations- und Translationseinheit 4 bewegt werden.
In 1b ist eine Ausführungsform mit einem Array von Sprühquellen, die in einem gemeinsamen Träger 1 integriert sind, mittels Drahtelektroden kontaktiert werden und mit einer gemeinsamen Extraktorplatte 2 versehen sind.
In 1c ist eine Ausführungsform mit einem Array von Sprühquellen, die in einem gemeinsamen Träger 1 integriert sind und mit flächigen Elektroden und einer gemeinsamen Extraktorplatte 2 versehen sind.

Claims

Vorrichtung zur Beschichtung dreidimensional strukturierter Oberflächen von Substraten in der Mikrostruktur-Technik mit einer Sprühquelle, die eine mit einer Elektrode versehene Kapillare aufweist, die mit einem die Beschichtungssubstanz enthaltenden Vorratsgefäß verbunden ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Sprühquellen in einem Sprühkopf angeordnet sind und die Sprühquellen über mindestens eine eine Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und dem Substrat erzeugende Spannungsquelle einzeln adressierbar sind.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen in Form eines Arrays angeordnet sind.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen den mindestens zwei Sprühquellen mindestens 10 μm und maximal 2 cm beträgt.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen parallel zueinander angeordnet sind.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen zumindest teilweise zueinander geneigt angeordnet sind.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode eine in der Kapillare angeordnete Drahtelektrode ist.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode flächig, z.B. in Form einer metallischen Beschichtung der Kapillarspitze, ist.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode eine Ringelektrode ist.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Sprühquellen punktförmig, bandförmig und/oder ringförmig ausgebildet sind.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den mindestens zwei Sprühquellen und dem Substrat mindestens eine Extraktorelektrode angeordnet ist.
Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der mindestens einen Sprühquelle und dem Substrat mindestens eine ionenoptische Linse und/oder Ablenkplatten angeordnet sind.
Verfahren zur Beschichtung dreidimensional strukturierter Oberflächen von Substraten in der Mikrostruktur-Technik, bei dem geladene Tröpfchen eines Beschichtungsmaterials von einer Sprühquelle basierend auf einer elektrohydrodynamischen Ionenquelle in Kombination mit der Ionenspray-Methode auf die zu beschichtende Oberfläche gesprüht werden, dadurch gekennzeichnet, dass ein Sprühkopf mit mindestens zwei über mindestens eine Spannungsquelle einzeln adressierbare Sprühquellen eingesetzt wird.
Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen mit gleichem Potential betrieben werden.
Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen mit unterschiedlichem Potential betrieben werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen mit sich -zeitlich änderndem Potential betrieben werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen mit Potenzialen unterschiedlicher Polarität betrieben werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens zwei Sprühquellen mit Potenzialen einheitlicher Polarität betrieben werden, wobei die Polarität in regelmäßigen zeitlichen Abständen gewechselt wird.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung während des Polaritätswechsels unterbrochen wird.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass in Form eines Arrays angeordnete Sprühquellen verwendet werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass eine Ladungsneutralisation der Oberfläche erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungsneutralisation durch Kontaktierung der zu beschichtenden Oberfläche mit einem ionisierten Gas erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Ladungsneutralisation mittels elektromagnetischer Strahlung erfolgt.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Sprühkopf und/oder das Substrat während der Beschichtung in ihrer Position verändert werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung einer Mischbeschichtung die mindestens zwei Sprühquellen mit unterschiedlichem Beschichtungsmaterial eingesetzt werden.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mehrfachbe schichtung durchgeführt wird, wobei zwischen den einzelnen Beschichtungsschritten die Oberfläche mit einem Lösungsmittel in Kontakt gebracht wird.
Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 12 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass mittels mindestens einer im Sprühkopf angeordneten Extraktorelekrode das elektrische Feld beeinflußt wird.
Verwendung der Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11 für die Halbleiterbeschichtung mit Photoresist.
Verwendung der Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11 für die Erzeugung von Nanoschichten.
Verwendung der Vorrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11 für die Beschichtung mit Nanopartikeln, dispersen Materialien und/oder Biomolekülen.