DE102022207545A1

DE102022207545A1 - Optische Komponente

Info

Publication number: DE102022207545A1
Application number: DE102022207545.5A
Authority: DE
Inventors: Valentin Jonatan Bolsinger
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-07-25
Filing date: 2022-07-25
Publication date: 2023-04-27

Abstract

Eine optische Komponente (17) dient zum Führen von Nutzlicht mit einer Nutzlicht-Wellenlänge in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie. Eine optische Fläche (41) der optischen Komponente hat eine Beugungsgitter-Struktur (40) zur Abführung von Falschlicht-Strahlung durch Beugung. Sich überlagernde Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) der Beugungsgitter-Struktur (40) haben jeweils eine Mehrzahl von separaten, gekrümmt und/oder über Eck verlaufenden und einander nicht kreuzenden Gitterlinien (42i, 43i). Die verschiedenen Beugungsgitter-Unterstrukturen kreuzen sich in einem Falschlicht-Abführbereich (38) der Beugungsgitter-Struktur (40) in Kreuzungswinkeln im Winkelbereich zwischen 30 ° und höchstens 90 °. Eine Flächenerstreckung des Falschlicht-Abführbereichs (38) ist kleiner als eine Flächenerstreckung der optischen Fläche (41). Es resultiert eine optische Komponente, deren Herstellung bei gegebener Falschlicht-Abführleistung vereinfacht ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine optische Komponente zum Führen von Nutzlicht mit einer Nutzlicht-Wellenlänge in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen optischen Komponente, ein optisches System mit einem derartigen Beleuchtungssystem, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.
Optische Komponenten der eingangs genannten Art sind z. B. zur Falschlicht-Abführung bekannt aus der DE 10 2019 200 698 A1 , der US 2020/0 225 586 A1 und der DE 10 2018 218 981 A1 . Aus der AU 2017/270 014 A1 sind Varianten optischer Sicherheitskomponenten bekannt, die zur Authentifizierung zum Einsatz kommen können. Die US 6,462,875 B1 beschreibt Ausführungen diffraktiver optischer Elemente. Die US 2017/0 112 376 A1 beschreibt optische Sensoren mit und ohne Linsen. Die DE 10 2016 209 359 A1 beschreibt einen EUV-Kollektor mit einer Spiegelfläche mit Oberflächenstrukturen zum Streuen einer EUV-Nutzwellenlänge.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische Komponente der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Herstellung der optischen Komponente bei gegebener Falschlicht-Abführleistung vereinfacht ist.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass Probleme, die sich durch eine ansonsten kritische Überlagerungsbedingung für die Beugungsgitter-Unterstrukturen zur Erzeugung der gesamten Beugungsgitter-Struktur ergeben, vermieden bzw. relaxiert werden können, wenn eine Überlagerung der Beugungsgitter-Unterstrukturen durch Vorgabe von sich in einem bestimmten Kreuzungswinkel-Bereich kreuzenden Gitterlinien erfolgt. Je nach der gewählten Geometrie der Beugungsgitter-Unterstrukturen lassen sich auf diese Weise größere Erstreckungen von mindestens einem Falschlicht-Abführbereich realisieren, in dem sich die Erfüllung der Kreuzungswinkel-Bedingung sicherstellen lässt. Eine Anordnung sowie eine Erstreckung des mindestens einen Falschlicht-Abführbereichs kann so vorgegeben werden, dass beispielsweise ein Falschlicht-Auftreffbereich auf der optischen Fläche, der sich aufgrund eines vorab aufgeklärten Falschlicht-Strahlengangs ergibt, sicher im vorgegebenen Falschlicht-Abführbereich liegt. Auf diese Weise wird die Funktion der Beugungsgitter-Struktur zum Abführen der Falschlicht-Strahlung gewährleistet, wobei nur sichergestellt werden muss, dass sich die Beugungsgitter-Unterstrukturen im Falschlicht-Abführbereich in geeigneter Weise, nämlich unter Einhaltung der Kreuzungswinkel-Bedingung für die Gitterlinien überlagern.
Erfindungsgemäß wurde insbesondere erkannt, dass die Einhaltung der Kreuzungswinkel-Bedingung ein Maß für die Qualität der Falschlicht-Abführwirkung der Beugungsgitter-Struktur ist Eine Untergrenze der Kreuzungswinkel-Bedingung kann größer sein als 30 °, kann 35 °, 40 °, 45 °, 50 °, 55 °, 60 °, 65 °, 70 °, 75 ° oder auch 80 ° betragen. Regelmäßig ist diese Untergrenze höchstens 85 °.
Jede der Beugungsgitter-Unterstrukturen hat eine Mehrzahl von gekrümmt beziehungsweise über Eck verlaufenden und einander nicht kreuzenden Gitterlinien. Diese Mehrzahl von einander nicht kreuzenden Gitterlinien kann durch separat voneinander gekrümmt beziehungsweise über Eck verlaufender, einander nicht kreuzender Gitterlinien realisiert sein. Alternativ kann für jede Beugungsgitter-Struktur eine einzige spiralförmig verlaufende Linie gewählt werden, wobei die Mehrzahl der einander nicht kreuzenden Gitterlinien dann durch die verschiedenen Spiralwindungen einer solchen spiralförmigen Linie realisiert wäre.
Der Falschlicht-Abführbereich kann als auf der optischen Fläche zusammenhängender Bereich ausgeführt sein. Alternativ können auch mehrere, voneinander separate Teil-Falschlicht-Abführbereiche vorliegen. Ein Flächenverhältnis zwischen der Flächenerstreckung des gesamten Falschlicht-Abführbereichs einerseits und der Flächenerstreckung der optischen Fläche andererseits kann kleiner sein als 1, kann kleiner sein als 0,8, kann kleiner sein als 0,7, kann kleiner sein als 0,6 und kann auch kleiner sein als 0,5. Regelmäßig ist dieses Flächenverhältnis größer als 0,05.
Die Beugungsstruktur kann lediglich auf einem Abschnitt der zur Nutzlicht-Fläche genutzten optischen Fläche aufgebracht sein. Bereichsweise kann die optische Fläche also ohne dort vorliegende Beugungsgitter-Struktur ausgeführt sein.
Bei der optischen Komponente kann es sich um einen EUV-Kollektor handeln, der das in einem Quellbereich erzeugte EUV-Nutzlicht einer nachgelagerten Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage zuführt.
Bei der abzuführenden Falschlicht-Strahlung kann es sich beispielsweise um Wellenlängen im Infrarot-Spektralbereich und/oder um Wellenlängen im DUV-(deep ultraviolet)Spektralbereich und/oder um Wellenlängen im EUV-Spektralbereich handeln.
Gitterlinien nach Anspruch 2 lassen sich vergleichsweise einfach herstellen und haben sich in der Praxis zur überlagernden Erzeugung der Beugungsgitter-Struktur bewährt. Alternativ zu voneinander separaten, konzentrischen Gitterlinien kann die jeweilige Beugungsgitter-Unterstruktur auch eine einzige spiralförmige Gitterlinie aufweisen.
Dies gilt insbesondere für Gitterlinien mit nach Anspruch 3 beabstandeten Symmetriezentren.
Eine Abstandsbedingung nach Anspruch 4 gewährleistet, dass in einem ausreichend großen Flächenbereich der optischen Fläche die Kreuzungswinkel-Bedingung für die Gitterlinien der einander überlagernden Beugungsgitter-Unterstrukturen erfüllt ist. Der Abstand zwischen den Symmetriezentren der Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen kann größer sein als 10 mm, kann größer sein als 100 mm und kann auch noch größer sein. Regelmäßig ist der Abstand zwischen den Symmetriezentren der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen kleiner als 10 m. Der Abstand zwischen den Symmetriezentren der Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen kann mindestens so groß sein wie ein halber typischer Durchmesser der zur Nutzlicht-Führung genutzten optischen Fläche der optischen Komponente. Soweit die optische Fläche nicht kreisrund ist, wird als typischer Durchmesser der optischen Fläche ein gemittelter Durchmesser in Bezug auf alle radialen Richtungen, ausgehend von einem Flächen-Schwerpunkt der optischen Fläche, angesetzt. Ein Zen-trum der optischen Fläche kann auf einer Verbindungslinie zwischen den Symmetriezentren der Gitterlinien mindestens zweier Beugungsgitter-Unterstrukturen liegen.
Entsprechende Vorteile hat eine Ausführung nach Anspruch 5 mit elliptischen Gitterlinien. Brennpunkte der elliptischen Gitterlinien der jeweiligen Beugungsgitter-Unterstruktur können zusammenfallen oder auf einer Linie liegen.
Eine Ausführung nach Anspruch 6 hat sich zur Erzielung mindestens eines ausreichend großen Falschlicht-Abführbereichs auf der optischen Fläche als geeignet herausgestellt. Der Abstand zwischen den Ellipsenzentren der innersten elliptischen Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen kann größer sein als ein halber typischer Durchmesser der optischen Fläche. Ein Zentrum der optischen Fläche kann auf einer Verbindungslinie der Ellipsenzentren mit mindestens zweier derartiger Beugungsgitter-Unterstrukturen mit elliptischen Gitterlinien liegen.
Bei einer Ausführung mit rechteckförmigen Gitterlinien nach Anspruch 7 lässt sich im Falschlicht-Abführbereich eine Kreuzungswinkel-Bedingung mit im Wesentlichen genau einem Kreuzungswinkel erfüllen, beispielsweise mit einem Kreuzungswinkel von 90 °. Bei dieser Ausführung verlaufen die Gitterlinien einer der Beugungsgitter-Unterstrukturen über Eck.
Bei den rechteckförmigen Gitterlinien kann es sich um quadratische Gitterlinien handeln. Zentren der rechteckförmigen Gitterlinien der jeweiligen Beugungsgitter-Unterstrukturen können zusammenfallen oder z. B. auf einer Linie liegen.
Eine Ausführung nach Anspruch 8 ermöglicht Falschlicht-Abführbereiche mit besonders guter Unterdrückungswirkung. Ein Abstand zwischen den Rechteckzentren kann größer sein als ein halber typischer Durchmesser der optischen Fläche. Ein Zentrum der optischen Fläche kann auf einer Verbindungslinie der Rechteckzentren liegen.
Eine Ausführung nach Anspruch 9 mit parabelförmigen Gitterlinien hat sich ebenfalls zur Erzeugung einer effektiven Falschlicht-Unterdrückung durch Beugung bewährt. Gitterlinien beider Beugungsgitter-Unterstrukturen können als Mehrzahl von ineinander liegenden Parabeln ausgeführt sein. Die Parabeln der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen können sich dann zu entgegengesetzten Seiten öffnen. Brennpunkte der Parabeln der jeweiligen Beugungsgitter-Unterstrukturen können zusammenfallen oder z. B. auf einer Linie liegen. Die Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen können als Mehrzahl von ineinander liegenden Parabeln ausgeführt sein, wobei die Brennpunkte der jeweils innersten Parabel-Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen voneinander beabstandet sein können. Ein Abstand zwischen den Brennpunkten kann größer sein als ein halber typischer Durchmesser der optischen Fläche. Ein Zentrum der optischen Fläche kann auf einer Verbindungslinie der Brennpunkte liegen.
Ein Herstellungsverfahren nach Anspruch 10 hat sich zur Erzeugung einer Beugungsgitter-Struktur mit einem vorteilhaft großen Falschlicht-Abführbereich als besonders geeignet herausgestellt. Durch dieses Verfahren ist insbesondere eine Vergrößerung des Falschlicht-Abführbereichs relativ zur gesamten Flächenerstreckung der optischen Fläche im Vergleich zu einem Verfahren ohne zwischengeschaltete Verlagerung der optischen Fläche möglich. Die Abschnitte der optischen Fläche, auf denen die Beugungsgitter-Struktur hergestellt wird, können sektoren- oder quadrantenförmig sein. Bei der Verlagerung der optischen Fläche als Teil des Herstellungsverfahrens kann es sich um eine Drehung der optischen Komponente um eine Achse senkrecht zur optischen Fläche handeln.
Die Vorteile der optischen Komponente kommen bei einer Auslegung als EUV-Kollektor besonders gut zum Tragen.
Mit einem so ausgelegten EUV-Kollektor können insbesondere Thermaleffekte vermieden werden, die durch Licht verschiedener Wellenlängen hervorgerufen würden, die von einer mit dem Kollektor zu bündelnden Lichtquelle ausgehen.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 11 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den erfindungsgemäßen EUV-Kollektor bereits erläutert wurden.
Das Beleuchtungssystem kann mit dem EUV-Kollektor mit der wie oben beschrieben ausgeführten Beugungsstruktur so gestaltet sein, dass eine homogene Verteilung des Falschlichtes im Bereich von Falschlicht-Abführorten und beispielsweise im Bereich von hierfür vorgesehenen Beam dumps erfolgt.
Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den erfindungsgemäßen Kollektor bereits erläutert wurden.
Hergestellt werden kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip.
Nachfolgend wird anhand der Zeichnung mindestens ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;
2 Details einer Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage im Umfeld eines EUV-Kollektors zur Führung von EUV-Nutzlicht von einem Plasma-Quellbereich hin zu einem Feldfacettenspiegel einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, wobei der EUV-Kollektor in einem Meridionalschnitt dargestellt ist;
3 in einer im Vergleich zu 2 abstrakteren Darstellung eine Führung einerseits von EUV-Nutzlicht und andererseits von wellenlängenverschiedenem Falschlicht bei einer Reflexion/Beugung am EUV-Kollektor;
4 in einer Querschnittsdarstellung eine erste Beugungsgitter-Unterstruktur einer Beugungsgitter-Struktur zur Abführung von Falschlicht-Strahlung durch Beugung, die Teil einer optischen Fläche des EUV-Kollektors ist;
5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung im Querschnitt eine zweite Beugungsgitter-Unterstruktur der Beugungsgitter-Struktur auf der optischen Fläche des EUV-Kollektors;
6 wiederum in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine Überlagerung der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen nach den 4 und 5 zur Beugungsgitter-Struktur innerhalb eines Falschlicht-Abführbereichs der Beugungsgitter-Struktur;
7 eine Aufsicht auf den EUV-Kollektor nach 2, wobei konzentrische Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen hervorgehoben dargestellt sind, und wobei auch ein ausgewählter Falschlicht-Abführbereich der Beugungsgitter-Struktur hervorgehoben dargestellt ist, wobei Symmetriezentren der Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen rechts und links einer Pumplicht-Durchtrittsöffnung des EUV-Kollektors noch innerhalb der optischen Fläche des EUV-Kollektors angeordnet sind;
8 wiederum in einer Aufsicht eine zu 7 alternative Ausführung des EUV-Kollektors mit wiederum sich zur Beugungsgitter-Struktur überlagernden zwei Beugungsgitter-Unterstrukturen, deren Symmetriezentren rechts und links der Pumplicht-Durchtrittsöffnung außerhalb der optischen Fläche des EUV-Kollektors angeordnet sind;
9 wiederum in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung der Beugungsgitter-Struktur des EUV-Kollektors mit Symmetriezentren der Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen, spiegelsymmetrisch angeordnet in einer in der 9 oberen Hälfte der optischen Fläche des EUV-Kollektors;
10 wiederum in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Variante der Beugungsgitter-Struktur mit ähnlich zur 9, allerdings außerhalb der optischen Fläche des EUV-Kollektors angeordneten Symmetriezentren der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen;
11 wiederum in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung der Beugungsgitter-Struktur auf der optischen Fläche des EUV-Kollektors, wiederum mit den beiden Symmetriezentren der Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen angeordnet ähnlich zu den 9 und 10, allerdings mit noch größerem Abstand zur zentralen Pumplicht-Durchtrittsöffnung;
12 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung der Beugungsgitter-Struktur auf den EUV-Kollektor, wobei anstelle von konzentrischen, kreisförmigen Gitterlinien der Beugungsgitter-Unterstrukturen elliptische Gitterlinien, jeweils angeordnet um zwei rechts und links der Pumplicht-Durchtrittsöffnung angeordneten Symmetriezentren, wobei lange Ellipsen-Halbachsen der elliptischen Gitterlinien in der 12 horizontal angeordnet sind;
13 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung der Beugungsgitter-Struktur auf den EUV-Kollektor, wobei anstelle von konzentrischen, kreisförmigen Gitterlinien der Beugungsgitter-Unterstrukturen elliptische Gitterlinien, jeweils angeordnet um zwei rechts und links der Pumplicht-Durchtrittsöffnung angeordneten Symmetriezentren, wobei kurze Ellipsen-Halbachsen der elliptischen Gitterlinien in der 13 horizontal angeordnet sind;
14 wiederum in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine Ausführung der Beugungsgitter-Struktur auf dem EUV-Kollektor, wobei Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen als Mehrzahl von ineinander liegenden quadratischen Gitterlinien ausgeführt sind, und wobei die Symmetriezentren der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen wiederum rechts und links der Pumplicht-Durchtrittsöffnung innerhalb der optischen Fläche des EUV-Kollektors angeordnet sind;
15 wiederum in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung der Beugungsgitter-Struktur auf dem EUV-Kollektor, wobei Gitterlinien der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen als eine Mehrzahl von ineinander liegenden Parabeln ausgeführt sind, die sich zu entgegengesetzten Seiten links und rechts der zentralen Pumplicht-Durchtrittsöffnung öffnen, wobei die Brennpunkte der jeweiligen Parabeln auf einer in der 15 horizontalen Linie liegen, auf der auch die Pumplicht-Durchtrittsöffnung angeordnet ist;
16 in einer wiederum zu 7 ähnlichen Darstellung eine weitere Variante der Beugungsgitter-Struktur auf dem EUV-Kollektor, die nur auf zwei gegenüberliegenden, oberen und unteren von insgesamt die gesamte optische Fläche des EUV-Kollektors bildenden Quadranten angeordnet sind und dort der Anordnung der Beugungsgitter-Struktur nach 7 entsprechen, wobei die beiden anderen, sich in der 16 horizontal erstreckenden Quadranten frei von Gitterlinien und damit frei von der Beugungsgitter-Struktur sind; und
17 in einer wiederum zu den 7 und 16 ähnlichen Darstellung eine weitere Variante einer Beugungsgitter-Struktur auf dem EUV-Kollektor, welche über einen Zwischenschritt nach 16 herstellbar ist, wobei nach der Herstellung der Beugungsgitter-Struktur gemäß 16 die optische Fläche des EUV-Kollektors um das Pumplicht-Durchtrittsöffnungszentrum um 90 ° gedreht wird und anschließend auf den zunächst freien beiden Quadranten nochmals die Beugungsgitter-Struktur nach 16 aufgebracht wurde, sodass insgesamt eine zweizählig symmetrische Beugungsgitter-Struktur resultiert.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6. Insbesondere bei den 7 ff., die später noch beschrieben werden, spannen die dort horizontale x-Richtung und die dort vertikale y-Richtung die jeweilige optische Fläche der dargestellten optischen Komponente auf.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein. Details hierzu werden nachfolgend anhand der 2 ff. noch erläutert.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, sodass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 bzw. mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann. Auch eine Projektionsoptik mit einer numerischen Apertur von höchstens 0,5, beispielsweise von 0,33, kann zum Einsatz kommen.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-BildVersatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe β_x β_y in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe β_x, β_y der Projektionsoptik 7 liegen bevorzugt bei (β_x, β_y) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4 : 1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8 : 1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 5 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
2 zeigt Details der Lichtquelle 3. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine LPP-Quelle (laser produced plasma, lasererzeugtes Plasma). Zur Plasmaerzeugung werden Zinn-Tröpfchen 24 von einem Zinn-Tröpfchengenerator 25 als kontinuierliche Tröpfchenabfolge erzeugt. Eine Flugbahn der Zinn-Tröpfchen 24 verläuft quer zu einer Hauptstrahlrichtung 26 des EUV-Nutzlichts 16. Die Zinn-Tröpfchen 24 fliegen dabei frei zwischen dem Zinn-Tröpfchengenerator 25 und einem Zinn-Fänger 27, wobei sie einen Plasma-Quellbereich 28 durchtreten. Vom Plasma-Quellbereich 28 wird das EUV-Nutzlicht 16 emittiert. Im Plasma-Quellbereich 28 wird das dort ankommende Zinn-Tröpfchen 24 mit Pumplicht 29 einer Pumplichtquelle 30 beaufschlagt. Bei der Pumplichtquelle 30 kann es sich um eine Infrarot-Laserquelle in Form beispielsweise eines CO₂-Lasers handeln. Auch eine andere IR-Laserquelle ist möglich, insbesondere ein Festkörperlaser, beispielsweise einNd:YAG-Laser.
Das Pumplicht 29 wird über einen Spiegel 31, bei dem es sich um einen geregelt verkippbaren Spiegel handeln kann, und über eine Fokussierlinse 32 in den Plasma-Quellbereich 28 überführt. Durch die Pumplichtbeaufschlagung wird aus dem im Plasma-Quellbereich 28 ankommenden Zinn-Tröpfchen 24 ein das EUV-Nutzlicht 16 emittierendes Plasma erzeugt. Ein Strahlengang des EUV-Nutzlichts 16 ist in der 2 zwischen dem Plasma-Quellbereich 28 und dem in der 2 hinsichtlich Lage und Anordnung nur angedeuteten Feldfacettenspiegel 20 dargestellt, soweit das EUV-Nutzlicht 16 vom Kollektorspiegel 17 reflektiert wird, der auch als EUV-Kollektor 17 bezeichnet ist. Der EUV-Kollektor 17 hat eine zentrale Durchtrittsöffnung 33 für das über die Fokussierlinse 32 hin zum Plasma-Quellbereich 28 fokussierte Pumplicht 29. Der Kollektor 17 ist als Ellipsoidspiegel ausgeführt und überführt das vom Plasma-Quellbereich 28, der in einem Ellipsoidbrennpunkt angeordnet ist, emittierte EUV-Nutzlicht 16 in einen Zwischenfokus IF des EUV-Nutzlichts 16, der in der Zwischenfokusebene 18 im anderen Ellipsoidbrennpunkt des Kollektors 17 angeordnet ist.
Der Feldfacettenspiegel 20 ist im Strahlengang des EUV-Nutzlichts 16 nach dem Zwischenfokus IF im Bereich eines Fernfeldes des EUV-Nutzlichts 16 angeordnet.
Der EUV-Kollektor 17 und weitere Komponenten der Lichtquelle 3, bei denen es sich um den Zinn-Tröpfchengenerator 25, den Zinn-Fänger 27 und um die Fokussierlinse 32 handeln kann, sind in einem Vakuumgehäuse 34 angeordnet. Im Bereich des Zwischenfokus IF hat das Vakuumgehäuse 34 eine Durchtrittsöffnung 35. Im Bereich eines Eintritts des Pumplichts 29 in das Vakuumgehäuse 34 hat letzteres ein Pumplicht-Eintrittsfenster 36.
3 zeigt stark abstrakt eine Führung einerseits von EUV-Nutzlicht, also dem Beleuchtungslicht 16 und andererseits von Falschlicht 37, insbesondere von längerwelliger Strahlung, beispielsweise IR-Strahlung, zwischen dem Plasma-Quellbereich 28 der Lichtquelle 3 und der Zwischenfokusebene 18, in der der Zwischenfokus IF angeordnet ist. Gleichzeitig zeigt die 3 eine Variante einer seitlichen Führung des Pumplichts 29 hin zum Plasma-Quellbereich 28, also eine Führung, bei der es einer Durchtrittsöffnung nach Art der Durchtrittsöffnung 33 im EUV-Kollektor 17 nicht bedarf. Sowohl das Nutzlicht 3 als auch das Falschlicht 37 gehen vom Plasma-Quellbereich 28 aus. Sowohl das Nutzlicht 16 als auch das Falschlicht 37 treffen auf Falschlicht-Abschnitte 38, 39, die auch als Falschlicht-Abführbereiche bezeichnet sind, einer gesamten Beaufschlagungsfläche 40 des EUV-Kollektors 17. Die Falschlicht-Abschnitte 38, 39 dienen jeweils zum Abführen der Falschlicht-Strahlung 37. Die Beaufschlagungsfläche 40 kann genau einen Falschlicht-Abschnitt 31 aufweisen.
Der jeweilige Falschlicht-Abführbereich 38, 39 ist zum Abführen der Falschlicht-Strahlung 37 durch Beugung ausgeführt.
Hierzu ist der Falschlicht-Abführbereich 38, 39 des Kollektors 17 als Beugungsgitter-Struktur zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung des Beleuchtungslichts 16 und/oder des Falschlichts 37, also zur Beugungs-Beeinflussung einer Ausfallsrichtung von auf den Kollektor 17 auftreffendem Licht mindestens einer Wellenlänge ausgeführt.
Ausführungsbeispiele von Beugungsgitter-Strukturen mit entsprechenden Falschlicht-Abführbereichen, die jeweils als Varianten beim EUV-Kollektor 17 zum Einsatz kommen können, werden nachfolgend anhand der 4 ff. erläutert. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 bereits beschrieben wurden, tragen gegebenenfalls die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
7 zeigt eine Aufsicht auf den Kollektor 17 aus Blickrichtung VII in 2.
Eine Beugungsgitter-Struktur 40 auf einer zur Führung des Nutzlichts 16 genutzten optischen Fläche 41 des EUV-Kollektors 17 ist aus mindestens zwei sich überlagernden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 aufgebaut. Jedes dieser beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 hat eine Mehrzahl von separaten, gekrümmt verlaufenden und einander nicht kreuzenden Gitterlinien 42_i, 43_i, was in der 7 exemplarisch für i = 1 bis 5 für die beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42 und 43 über eine entsprechende Indizierung veranschaulicht ist. Tatsächlich zeigt die 7 eine größere Anzahl entsprechender Gitterlinien 42i, 43i.
Diese Gitterliniendarstellung ist hinsichtlich der Anzahl und der Abstände der Gitterlinien zueinander nicht maßstabsgetreu. Tatsächlich ist die Anzahl der Gitterlinien 42i, 43i sehr viel größer als in der 7 veranschaulicht.
Die Gitterlinien 42i der Beugungsgitter-Unterstruktur 42 kreuzen einander nicht. Die Gitterlinien 43i der Beugungsgitter-Unterstruktur 43 kreuzen einander nicht.
Die Gitterlinien 42i, 43; sind jeweils als Mehrzahl von konzentrischen, kreisförmigen Gitterlinien ausgeführt. Die Gitterlinien 42; der Beugungsgitter-Unterstruktur 42 verlaufen konzentrisch um ein Symmetriezentrum S₁. Die Gitterlinien 43; der weiteren Beugungsgitter-Unterstruktur 43 verlaufen wiederum konzentrisch um ein hiervon beabstandetes Symmetriezentrum S₂. Die Durchtrittsöffnung 33 für das Pumplicht 29 im Kollektor 17 liegt mittig zwischen den beiden Symmetriezentren S₁, S₂.
Die beiden Symmetriezentren S₁, S₂ liegen in der 7 horizontal neben der Pumplicht-Durchtrittsöffnung 33.
Ein Abstand A zwischen den beiden Symmetriezentren S₁ und S₂ ist größer als ein halber Durchmesser der ebenfalls kreisförmig berandeten optischen Fläche 41 des Kollektors 17. Soweit die optische Fläche 41 des Kollektors 17 nicht exakt kreisförmig berandet ist, kann zum Vergleich mit dem Abstand A auch die Hälfte eines typischen Durchmessers der optischen Fläche 41 herangezogen werden, der als gemittelter Durchmesser in Bezug auf alle radialen Richtungen, ausgehend von einem Flächen-Schwerpunkt der jeweils betrachteten optischen Fläche, berechnet wird. Bei der Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 liegt ein Zentrum der optischen Fläche 41 auf einer Verbindungslinie zwischen den Symmetriezentren S₁, S₂. Das Zentrum der optischen Fläche 41 fällt mit dem Zentrum der Pumplicht-Durchtrittsöffnung 33 zusammen.
Der Abstand A zwischen den beiden Symmetriezentren S₁ und S₂ ist größer als 1 mm. Je nach Ausführung der Beugungsgitter-Struktur 40 kann der Abstand größer sein als 10 mm, größer als 100 mm.
Bei der Ausführung der Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 liegen die beiden Symmetriezentren S₁, S₂ innerhalb der optischen Fläche 41 des Kollektors 17.
Die Gitterlinien 42i, 43i der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 überlagern sich derart, dass sich diese Gitterlinien 42i, 43i der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 in mindestens einem Falschlicht-Abführbereich, beispielsweise im in der 7 hervorgehobenen Falschlicht-Abführbereich 38, in Kreuzungswinkeln kreuzen, die im Winkelbereich zwischen 30 ° und 90 ° liegen.
Soweit diese Kreuzungswinkel-Bereichsbedingung eingehalten ist, überlagern sich die beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 effektiv, wie sich aus der Zusammenschau der 4 bis 6 ergibt:
4 zeigt einen Querschnitt durch die erste Beugungsgitter-Unterstruktur 42, die als binäre Struktur mit Periode T und Strukturhöhe h₁ gestaltet ist.
5 zeigt in einer entsprechenden Querschnittsdarstellung die zweite Beugungsgitter-Unterstruktur 43, die in gleicher Weise wie die Beugungsgitter-Unterstruktur 42 als binäre Gitterstruktur mit Periode T und Gitterhöhe h₂ ausgeführt ist. Zwischen den beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 liegt im Falschlicht-Abführbereich 38 ein Periodenversatz S vor, der im Beispiel nach 6 T/4 beträgt. Dies führt im Falschlicht-Abführbereich 38 zur Ausbildung der Beugungsgitter-Struktur 40 mit Strukturniveaus N₁, N₂, N₃ und N₄ über die Periode T. N₁ ist dabei das höchste Niveau (Gitter-Positivstruktur) und N₃ das tiefste Niveau (Gitter-Negativstruktur), wobei für den vertikalen Abstand der beiden Niveaus N₁ - N₃ gilt: $N_{1} - N_{3} = h_{1} + h_{2} .$
Für h₁ = h₂ gilt: N₂ = N₄. Bei den Gitterniveaus N₂ und N₄ handelt es sich in diesem Fall um Zwischenniveaus zwischen den Gitter-Positivstrukturen und den Gitter-Negativstrukturen.
Hinsichtlich der beugenden Wirkung der Beugungsgitter-Struktur 40 wird verwiesen auf die Erläuterungen zu einem entsprechenden Gitter beispielsweise in der US 10,852,640 .
Für die Gittertiefe h₁, h₂ (hi) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen gilt: $h_{i} = λ / 4 cos Θ .$

λ ist hierbei die unterdrückende Falschlicht-Wellenlänge;
Θ ist hierbei ein Einfallswinkel des zu unterdrückenden Falschlichts, also beispielsweise des Pumplichts 29, auf die optische Fläche 41 des Kollektors 17.
Je nach Wahl der Strukturhöhen h₁, h₂ kann ein und dieselbe Falschlicht-Wellenlänge (unter der Bedingung h₁ = h₂) sehr effektiv unterdrückt werden oder es können auch zwei verschiedene Falschlicht-Wellenlängen λ₁, λ₂ unterdrückt werden, für die jeweils die obige Beugungsbedingung separat erfüllt ist. Es gilt entsprechend, was in Sachen der US 10,852,640 erläutert ist.
Die Wellenlängen λ_i, die unterdrückt werden, können beispielsweise typische Pumplicht-Wellenlängen (10,2 µm, 10,6 µm; 1,1 µm) sein.
Aufgrund des Abstandes und der Anordnung der beiden Symmetriezentren S₁ und S₂ der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 ergeben sich über die optische Fläche 41 des EUV-Kollektors 17 Bereiche, in denen der Perioden-Versatz S nahe 0 ist und Bereiche, in denen dieser Perioden-Versatz nahe der halben Periode T/2 ist. Im ersten Fall (S = 0) resultiert eine Überlagerung der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 zu einem binären Gitter mit Strukturhöhe h₁ +, h₂+. Im zweiten Fall (S = T/2) löschen sich unter der Bedingung h₁ = h₂ die beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen gegenseitig aus, sodass anstelle einer Beugungsgitter-Struktur eine näherungsweise ebene Fläche resultiert.
Dort, wo die Kreuzungswinkel-Bereichsbedingung „30 ° ≤ Kreuzungswinkel ≤ 90 °“ eingehalten ist, überlagern sich die beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 zur Beugungsgitter-Struktur 40 nach Art der in der 6 dargestellten Gitterstruktur. Dort, wo diese Kreuzungswinkel-Bereichsbedingung eingehalten ist, ergibt sich auf der optischen Fläche 41 der jeweilige Falschlicht-Abführbereich 38.
In den 7 ff. ist der Ort dieses Falschlicht-Abführbereichs 38 lediglich angedeutet. Tatsächlich ergibt sich dessen genaue Lage und Erstreckung durch Untersuchung, wo auf der optischen Fläche 41 die Kreuzungswinkel-Bedingung: $30 ° \leq Kreuzungswinkel \leq 90 °$
eingehalten ist.
Die Untergrenze dieser Kreuzungswinkel-Bedingung kann auch größer sein als 30 ° und kann beispielsweise 40 °, 45°, 50 °, 55 ° oder auch 60 ° betragen. Diese Untergrenze kann auch noch größer sein. Regelmäßig ist diese Untergrenze kleiner als 85 °.
8 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 44, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 7 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Beugungsgitter-Struktur 44 liegen die beiden Symmetriezentren S₁ und S₂ außerhalb der optischen Fläche 41 des Kollektors 17. Der Abstand A zwischen den beiden Symmetriezentren S₁, S₂ ist bei der Beugungsgitter-Struktur 44 also größer als der Durchmesser der optischen Fläche 41.
Im Vergleich zur Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 ergeben sich aufgrund der weiter auseinander liegenden Symmetriezentren S₁, S₂ bei der Beugungsgitter-Struktur 44 andere Kreuzungswinkel zwischen den Gitterlinien 42i, 43; der Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 und somit eine andere Lage und Anordnung sowie eine andere Erstreckung des Falschlicht-Abführbereichs 38.
Auch bei der Beugungsgitter-Struktur 44 liegt das Zentrum der optischen Fläche 41 mittig zwischen den beiden Symmetriezentren S₁, S₂.
9 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 45, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 44 nach 8 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 8 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Beugungsgitter-Struktur 45 nach 9 liegen die beiden Symmetriezentren S₁ und S₂ der Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 wiederum innerhalb der optischen Fläche 41, diesmal in der oberen Hälfte der optischen Fläche 41. Zusammen mit dem Zentrum der optischen Fläche 41 bilden die beiden Symmetriezentren S₁, S₂ also ein Dreieck. Der Abstand A zwischen den Symmetriezentren S₁ und S₂ ist bei der Beugungsgitter-Struktur 45 wiederum größer als der halbe Durchmesser der optischen Fläche 41.
Aufgrund dieser Anordnung der Symmetriezentren S₁, S₂ ergeben sich wiederum andere Ausdehnungs- und Anordnungsbedingungen für den Falschlicht-Abführbereich 38, in dem die obige Kreuzungswinkel-Bedingung zwischen den Gitterlinien 42i, 43; der Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 erfüllt ist.
10 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 46, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 45 nach 9 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 9 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Beugungsgitter-Struktur 46 liegen die Symmetriezentren S₁, S₂ wiederum außerhalb der optischen Fläche 41 und im Falle der Beugungsgitter-Struktur 46 vergleichbar zur Beugungsgitter-Struktur 45 nach 9 oberhalb des Zentrums der optischen Fläche 41. Ein Abstand A zwischen den Symmetriezentren S₁ und S₂ der Beugungsgitter-Struktur 46 ist vergleichbar zum Durchmesser der optischen Fläche 41. Auch hier resultiert aufgrund der wiederum anderen Lage der Symmetriezentren S₁, S₂ eine andere Erstreckung und Anordnung des Falschlicht-Abführbereichs 38, in dem die obige Kreuzungswinkel-Bedingung erfüllt ist.
11 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 47, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 46 nach 10 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 10 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Beugungsgitter-Struktur 47 sind die Symmetriezentren S₁ und S₂ der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 noch weiter von der optischen Fläche 41 entfernt als bei der Beugungsgitter-Struktur 46 nach 10. Diese Symmetriezentren S₁, S₂ liegen bei der Beugungsgitter-Struktur 47 wiederum oberhalb des Zentrums der optischen Fläche 41. Es resultiert wiederum eine andere Anordnung und Erstreckung des Falschlicht-Abführbereichs 38, in dem die obige Kreuzungswinkel-Bedingung erfüllt ist.
12 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 48, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 47 nach 11 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 11 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Im Unterschied zur Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 sind die Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 bei der Beugungsgitter-Struktur 48 durch Ellipsen 42_i ^E, 43_i ^E gebildet, die jeweils eine größere horizontale Halbachse aufweisen. Die Brennpunkte der elliptischen Gitterlinien der Beugungsgitter-Unterstruktur 42 einerseits und der Beugungsgitter-Unterstruktur 43 andererseits der Beugungsgitter-Struktur 48 fallen zusammen oder liegen auf einer Linie, in der Darstellung nach 12 auf der x-Achse.
Ein jeweiliges Ellipsenzentrum der elliptischen Gitterlinien 42_i ^E einerseits und 43_i ^E andererseits der Beugungsgitter-Struktur 48 liegt mittig zwischen den beiden Brennpunkten der jeweiligen Gitterlinie 42_i ^E, 43_i ^E. Die Ellipsenzentren der jeweils innersten elliptischen Gitterlinien 42₁ ^E und 43₁ ^E sind zueinander beabstandet, wobei ein Abstand A dieser Ellipsenzentren E₁, E₂ etwa die Hälfte des Durchmessers der optischen Fläche 41 beträgt.
Auch aufgrund der Überlagerung dieser elliptischen Gitterlinien 42_i ^E, 43_i ^E der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 ergibt sich mindestens ein Falschlicht-Abführbereich 38, in dem die oben genannte Kreuzungswinkel-Bedingung erfüllt ist.
13 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 49, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 48 nach 12 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 12 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Vergleichbar zur Beugungsgitter-Struktur 48 nach 12 sind auch die Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 der Beugungsgitter-Struktur 49 nach 13 durch jeweils ineinander liegende und einander nicht kreuzende elliptische Gitterlinien gebildet, wobei die Ellipsen der Gitterlinien 42_i ^E, 43_i ^E der Beugungsgitter-Struktur 49 eine kleinere Halbachse in horizontaler Richtung aufweisen.
Die Ellipsenzentren E₁, E₂ sind bei der Beugungsgitter-Struktur 49 an gleicher Stelle anordnet wie bei der Beugungsgitter-Struktur 48.
Es resultieren wiederum bei der Beugungsgitter-Struktur 49 andere Anordnungs- und Lagebedingungen für den Falschlicht-Abführbereich 38, in dem die obige Kreuzungswinkel-Bedingung erfüllt ist.
14 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 50, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 49 nach 13 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 13 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Die Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 sind bei der Beugungsgitter-Struktur 50 als Mehrzahl von jeweils ineinander liegenden rechteckförmigen und im dargestellten Beispiel quadratischen Gitterlinien 42_i ^R, 43_i ^R ausgeführt. Diese Rechtecke haben Begrenzungslinien, die im Vergleich zur horizontalen x-Achse und zur vertikalen y-Achse, die die optische Fläche 41 aufspannen, jeweils um 45 ° verkippt bzw. diagonal verlaufen.
Es resultiert im Falschlicht-Abführbereich 38 eine Überlagerung der Gitterlinien 42_i ^R, 43_i ^R mit einem Kreuzungswinkel von 90 °.
Zentren S₁, S₂ der Gitterlinien 42_i ^R einerseits und 43_i ^R andererseits liegen wiederum rechts und links des Zentrums der optischen Fläche 41 entsprechend der Lage beispielsweise der Ausführung nach den 7, 12 und 13.
15 zeigt eine weitere Ausführung einer Beugungsgitter-Struktur 51, die anstelle der Beugungsgitter-Struktur 50 nach 14 beim Kollektor 17 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 14 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Beugungsgitter-Struktur 51 sind die Gitterlinien 42_i ^P, 43_i ^P jeweils als eine Mehrzahl von ineinander liegenden, einander nicht kreuzenden Parabeln ausgeführt. Die Parabeln der Beugungsgitter-Unterstruktur 42 öffnen sich in der 15 alle nach links und die Parabeln der Beugungsgitter-Unterstruktur 43 öffnen sich alle nach rechts, also zu entgegengesetzten Seiten. Die Brennpunkte der Parabeln 42_i ^P, 43_i ^P der jeweiligen Beugungsgitter-Unterstrukturen 42, 43 der Beugungsgitter-Struktur 51 liegen jeweils auf einer Linie, nämlich auf der x-Achse der 15.
Die Anordnung der parabelförmigen Gitterlinien 42_i ^P, 43_i ^P ist spiegelsymmetrisch zur yz-Achse und auch zur xz-Achse des xyz-Koordinatensystems der 15.
Es resultiert auch bei der Beugungsgitter-Struktur 51 wiederum ein Falschlicht-Abführbereich 38, in dem die obige Kreuzungswinkel-Bedingung für die Gitterlinien 42_i ^P, 43_i ^P erfüllt ist.
Anhand der 16 und 17 wird nachfolgend ein Verfahren zur Herstellung weiterer Varianten von Beugungsgitter-Strukturen 52 (vgl. 16) und 53 (vgl. 17) erläutert. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 15 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Die Beugungsgitter-Struktur 52 entspricht dem in der 16 dargestellten oberen Quadranten Q_I und im unteren Quadranten Q_III der Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7, sodass wiederum beispielsweise ein Falschlicht-Abführbereich 38 resultiert, wie in der 7 angedeutet. Die beiden verbleibenden Quadranten Q_II und Q_IV links und rechts der Pumplicht-Durchtrittsöffnung 33 des Kollektors 17 werden bei der Herstellung der Beugungsgitter-Struktur 52 nicht strukturiert, also beispielsweise bei einer Herstellung durch ein Belichtungs-/Ätzverfahren nicht belichtet.
Ausgehend von der Beugungsgitter-Struktur 52 nach 16 wird die Beugungsgitter-Struktur 53 nach 17 durch Verdrehen der optischen Fläche 41 um 90 ° um die z-Achse und anschließendes Wiederholen der quadrantenweisen Strukturierung der zunächst unstrukturierten Quadranten Q_II, Q_IV hergestellt. Es resultiert die Beugungsgitter-Struktur 53, deren Gitterlinienführung durch Drehung der optischen Fläche 41 um 90 ° um die z-Achse ineinander überführt wird, die also vierzählig rotationssymmetrisch ist. Entsprechend ergibt sich in einem im Vergleich zur Beugungsgitter-Struktur 40 nach 7 doppelt so großen Falschlicht-Abführbereich 38, 38` eine Erfüllung der obigen Kreuzungswinkel-Bedingung.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 7 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 13 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 13 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 13 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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US 10852640 [0094, 0096]

Claims

Optische Komponente (17) zum Führen von Nutzlicht (16) mit einer Nutzlicht-Wellenlänge in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithografie, - mit einer zur Nutzlicht-Führung genutzten optischen Fläche (41), aufweisend eine Beugungsgitter-Struktur (40; 44; 45; 46; 47; 48; 49; 50; 51; 52; 53) zur Abführung von Falschlicht-Strahlung (29) durch Beugung, wobei sich eine Falschlicht-Wellenlänge der Falschlicht-Strahlung (29) von der Nutzlicht-Wellenlänge unterscheidet, - wobei die Beugungsgitter-Struktur (40; 44; 45; 46; 47; 48; 49; 50; 51; 52; 53) aus mindestens zwei sich überlagernden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) aufgebaut ist, - wobei jede der Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) eine Mehrzahl von, gekrümmt und/oder über Eck verlaufenden und einander nicht kreuzenden Gitterlinien (42_i, 43_i) aufweist, - wobei eine Überlagerung der Gitterlinien (42_i, 43i) der mindestens zwei Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) derart ist, dass sich die Gitterlinien (42_i, 43i) der Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) in mindestens einem Falschlicht-Abführbereich (38) der Beugungsgitter-Struktur (40; 44; 45; 46; 47; 48; 49; 50; 51; 52; 53) in Kreuzungswinkeln kreuzen, die im Winkelbereich zwischen mindestens 30 ° und höchstens 90 ° liegen, - wobei eine Flächenerstreckung des Falschlicht-Abführbereichs (38) kleiner ist als eine Flächenerstreckung der optischen Fläche (41).
Optische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i, 43i) mindestens eine der Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von konzentrischen, kreisförmigen Gitterlinien ausgeführt sind.
Optische Komponente nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i, 43i) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von konzentrischen, kreisförmigen Gitterlinien ausgeführt sind, wobei Symmetriezentren (S₁, S₂) der Gitterlinien (42_i, 43i) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) voneinander beabstandet sind.
Optische Komponente nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand (A) zwischen den Symmetriezentren (S₁, S₂) mindestens 1 mm beträgt.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i ^E, 43_i ^E) mindestens eine der Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von ineinander liegenden, elliptischen Gitterlinien ausgeführt sind.
Optische Komponente nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i ^E, 43_i ^E) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von ineinander liegenden elliptischen Gitterlinien ausgeführt sind, wobei die jeweils innersten elliptischen Gitterlinien (42_i ^E, 43₁ ^E) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) um ein Ellipsenzentrum verlaufen, das mittig zwischen den beiden Brennpunkten der jeweiligen innersten elliptischen Gitterlinie (42_i ^E, 43₁ ^E) liegt, wobei die Ellipsenzentren der innersten elliptischen Gitterlinien (42₁ ^E, 43₁ ^E) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) voneinander beabstandet sind.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i ^R, 43_i ^R) mindestens einer Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von ineinander liegenden rechteckförmigen Gitterlinien ausgeführt sind.
Optische Komponente nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i ^R, 43_i ^R) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl ineinander liegenden rechteckförmigen Gitterlinien ausgeführt sind, wobei die jeweils innersten rechteckförmigen Gitterlinien (42_i ^R, 43_i ^R) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) um ein Rechteckzentrum (S₁, S₂) umlaufen, das durch einen Flächenschwerpunkt der jeweiligen innersten rechteckförmigen Gitterlinie (42_i ^R, 43₁ ^R) gegeben ist, wobei die Rechteckzentren (S₁, S₂) der innersten rechteckförmigen Gitterlinien (42_i ^R, 43_i ^R) der beiden Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) voneinander beabstandet sind.
Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterlinien (42_i ^P, 43_i ^P) mindestens einer der Beugungsgitter-Unterstrukturen (42, 43) als eine Mehrzahl von ineinander liegenden Parabeln ausgeführt sind.
Verfahren zur Herstellung einer optischen Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 9 mit folgenden Schritten: - Herstellen der Beugungsgitter-Struktur (52) auf einem Abschnitt (Q_I, Q_III) der zur Nutzlicht-Führung genutzten optischen Fläche (41), - Verlagern der optischen Fläche (41), - Herstellen der weiteren Beugungsgitter-Struktur (53) auf einem weiteren Abschnitt (Q_II, Q_IV) der zur Nutzlicht-Führung genutzten optischen Fläche (41).
Beleuchtungssystem mit einer als EUV-Kollektor (17) ausgelegten optischen Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 9 und mit einer Beleuchtungsoptik (4) zur Beleuchtung eines Objektfeldes (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, mit dem EUV-Nutzlicht als Beleuchtungslicht (16).
Optisches System mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 11 und mit einer Projektionsoptik (10) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (11), in welchem ein Substrat (13) anordenbar ist, auf welches ein Abschnitt des abzubildenden Objekts (7) abzubilden ist.
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 12 und mit einer EUV-Lichtquelle (3).
Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Retikels (7) und eines Wafers (13), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (7) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (13) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, - Erzeugen einer Mikro- und/oder Nanostruktur auf dem Wafer (13).
Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 14.