DE102022206832A1

DE102022206832A1 - Verfahren zum regeln einer position einer optischen komponente einer lithographieanlage

Info

Publication number: DE102022206832A1
Application number: DE102022206832.7A
Authority: DE
Inventors: Luca Mettenleiter; Matthias Fetzer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-07-05
Filing date: 2022-07-05
Publication date: 2024-01-11
Also published as: WO2024008732A1

Abstract

Verfahren zum Regeln einer Position einer optischen Komponente (102) einer Lithographieanlage (1), mit den Schritten:a) Ermitteln (S3) einer ersten Stellgröße (ur) basierend auf einer Abweichung (e) eines Istwerts (y) von einem Sollwert (r) der Position der optischen Komponente (102),b) Ermitteln (S6) einer zweiten Stellgröße (us) zur Störgrößenaufschaltung basierend auf einer erfassten Störgröße (d) und einer vorhergesagten Änderung der Position der optischen Komponente (102) aufgrund der erfassten Störgröße (d), undc) Ansteuern (S8) einer Aktoreinrichtung (114) zum Positionieren der optischen Komponente (102) basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße (ur, us).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Regeln einer Position einer optischen Komponente einer Lithographieanlage und eine entsprechende Regelungsvorrichtung, ein Positioniersystem und eine Lithographieanlage.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.
Die Anforderungen an die Genauigkeit und Präzision der Abbildungseigenschaften von Lithographieanlagen steigen ständig an. Aus dynamischer Sicht gilt es im Zuge dessen den Einfluss von Störeinträgen auf die Bewegung verschiedener Bauteile der Lithographieanlage zu minimieren. Beispielsweise ist eine sehr genaue Positionierung von optischen Komponenten, insbesondere Spiegeln, der Lithographieanlage erforderlich. Dynamische Störanregungen von optischen Komponenten können zum Beispiel durch die Bewegung anderer Bauteile der Lithographieanlage oder durch akustische Störungen erzeugt werden. Akustische Störungen werden beispielsweise als Longitudinalwellen durch Kühlflüssigkeiten in Kühlleitungen einer Kühlvorrichtung der optischen Komponente übertragen.
Mit weiterer Zunahme der Komplexität von Lithographieanlagen sind weitere dynamische Störanregungen innerhalb und außerhalb des Systems zu erwarten, sodass zusätzliche Mechanismen für deren Unterdrückung bzw. Kompensierung wünschenswert und erforderlich sind.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zum Regeln einer Position einer optischen Komponente einer Lithographieanlage und eine entsprechende Regelungsvorrichtung, ein Positioniersystem und eine Lithographieanlage bereitzustellen.
Gemäß einem ersten Aspekt wird ein Verfahren zum Regeln einer Position einer optischen Komponente einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte:

a) Ermitteln einer ersten Stellgröße basierend auf einer Abweichung eines Istwerts von einem Sollwert der Position der optischen Komponente,
b) Ermitteln einer zweiten Stellgröße zur Störgrößenaufschaltung basierend auf einer erfassten Störgröße und einer vorhergesagten Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße, und
c) Ansteuern einer Aktoreinrichtung zum Positionieren der optischen Komponente basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße.

Durch das vorgeschlagene Verfahren ist eine Positionsregelung der optischen Komponente basierend auf einer Regelung mit Störgrößenaufschaltung möglich.
Insbesondere basiert die vorgeschlagene Positionsregelung auf einer Feedbackregelung durch eine Rückführung des Istwerts der Position der optischen Komponente an einen Regler zum Ermitteln der ersten Stellgröße. Des Weiteren sieht die vorgeschlagene Positionsregelung eine Berücksichtigung des Einflusses einer Störgröße in einer Vorsteuerung durch eine Störgrößenaufschaltung einer zweiten Stellgröße vor. Mithilfe der Störgrößenaufschaltung kann eine Auswirkung der Störgröße auf die Position der optischen Komponente kompensiert werden, bevor sich eine Regelabweichung aufgrund der Störgröße bemerkbar macht.
Durch das vorgeschlagene Verfahren kann folglich die Position der optischen Komponente auch bei dynamischer Störanregung besser geregelt werden. Insbesondere können die Auswirkungen von Störanregung, wie beispielsweise von mechanischen Schwingungsanregungen, akustischen Anregungen und elektromagnetischen Anregungen, auf die optische Komponente besser unterdrückt werden. Dies führt zu einer größeren Präzession der optischen Eigenschaften der optischen Komponente und damit zu einer besseren Abbildungseigenschaft der Lithographieanlage. Zudem können Störanregung auch bei zunehmend komplexer werdenden Lithographieanlagen mit einer zunehmenden Anzahl an Störquellen besser kompensiert werden.
Das Verfahren dient zum regelbasierten Positionieren einer optischen Komponente einer Lithographieanlage, wie beispielsweise eines Spiegels.
Die Lithographieanlage ist zum Beispiel eine EUV- oder eine DUV-Lithographieanlage. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm. Weiterhin steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.
Die EUV- oder DUV-Lithographieanlage umfasst ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem. Insbesondere wird mit der EUV- oder DUV-Lithographieanlage das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Die Position der optischen Komponente ist beispielsweise eine Position in Bezug auf sechs Freiheitsgrade der optischen Komponente. Die sechs Freiheitsgrade umfassen insbesondere drei Translationsfreiheitgrade (in drei zueinander senkrechten Raumrichtungen) und drei Rotationsfreiheitgrade (bezüglich einer Rotation um die drei zueinander senkrechter Raumrichtungen).
Das Ermitteln der ersten Stellgröße erfolgt basierend auf der Istwert-Sollwert-Abweichung der Position der optischen Komponente, wodurch eine Positionsregelung basierend auf einer Rückkopplung des gemessenen aktuellen Werts (Istwert) der Position der optischen Komponente möglich ist. Bei der vorgeschlagenen Regelung kann deshalb die erste Stellgröße in Abhängigkeit von den sich tatsächlich einstellenden Werten der Position der optischen Komponente - und nicht nur in Abhängigkeit von einem mit einem Modell vorhergesagten Verhalten der Regelstrecke - festgelegt werden.
Der Istwert der Position der optischen Komponente wird beispielsweise gemessen und zu einem Eingang einer Positionsregler-Einrichtung rückgeführt.
Der Sollwert der Position der optischen Komponente ist beispielsweise ein statischer Wert, sodass die Position der optischen Komponente auf eine Ruheposition entsprechend dem statischen Wert geregelt wird. Der Sollwert der Position der optischen Komponente kann sich jedoch auch in Abhängigkeit der Zeit verändern, sodass es das Ziel der Regelung ist, dass die Position der optischen Komponente einem vorgegebenen zeitabhängigen Weg (Trajektorie) folgt.
Die Abweichung des Istwerts der Position der optischen Komponenten von dem Sollwert (d. h. die Regelabweichung des vorgeschlagenen Regelkreises) wird insbesondere durch negative Zuführung (Subtraktion) des Istwerts zu dem Sollwert ermittelt.
Die erste Stellgröße wird derart ermittelt, dass die aktuelle Position der optischen Komponente (Regelgröße) dem Sollwert (Führungsgröße) angepasst wird. Die erste Stellgröße wird beispielsweise von einer Positionsregler-Einrichtung ermittelt und ist eine Ausgangsgröße der Positionsregler-Einrichtung. Die erste Stellgröße ist insbesondere ein Maß für eine auf die optische Komponente anzuwendende Positionsänderung.
Durch das Ermitteln der zweiten Stellgröße kann - zusätzlich zur Rückkopplungsregelung mithilfe der ersten Stellgröße - eine Störgröße im Sinne einer Vorsteuerung berücksichtigt werden. Die Störgröße ist insbesondere eine Störgröße, die eine Positionsänderung der optischen Komponente verursacht. Zudem ist die Störgröße insbesondere eine Störgröße, deren Auswirkung auf die Position der optischen Komponente vorausgesagt werden kann. Eine Voraussage kann beispielsweise durch eine Modellrechnung, eine Simulation und/oder eine Berechnung erfolgen, in welche die erfasste Störgröße als Eingangsgröße eingeht. Die Störgröße ist außerdem insbesondere eine Störgröße, die erfasst, z. B. gemessen, werden kann. Beispielsweise ist die Störgröße eine Störgröße, deren zeitlicher Verlauf erfasst werden kann. Zum Beispiel wird die Störgröße mithilfe einer Sensoreinrichtung und/oder durch einen Störgrößenbeobachter erfasst.
Die zweite Stellgröße wird beispielsweise von einer Störgrößenaufschalt-Einrichtung ermittelt und ist eine Ausgangsgröße der Störgrößenaufschalt-Einrichtung.
Die vorhergesagte Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße ist insbesondere eine vorhergesagte Störgrößenübertragung der Störgröße auf die optische Komponente.
Die optische Komponente ist mithilfe der Aktoreinrichtung beweglich (beispielsweise an einem Tragrahmen) befestigt, um die Position der optischen Komponente einstellen zu können. Die Aktoreinrichtung stellt eine Aktorik des Regelkreises dar. Die Aktoreinrichtung umfasst insbesondere einen oder mehrere Aktoren (Aktuatoren) zum Ändern der Position der optischen Komponente. Beispielsweise dient die Aktoreinrichtung dazu, die Position der optischen Komponente in den sechs Freiheitsgraden zu ändern. Das Ansteuern der Aktoreinrichtung erfolgt insbesondere durch das Übertragen eines Steuersignals an die Aktoreinrichtung.
Die erste Stellgröße, die zweite Stellgröße, der Istwert, der Sollwert, die Abweichung des Istwerts vom Sollwert und/oder die Störgröße ist/sind beispielsweise zeitabhängige Größen.
Gemäß einer Ausführungsform ist die erste Stellgröße eine Ausgangsgröße einer Positionsregler-Einrichtung. Weiterhin wird die zweite Stellgröße zwischen der Positionsregler-Einrichtung und der Aktoreinrichtung auf die erste Stellgröße angewendet.
Die steuernden Eingriffe basierend auf der zweiten Stellgröße greifen also erst nach der Ermittlung der Istwert-Sollwert-Abweichung bzw. der ersten Stellgröße durch die Positionsregler-Einrichtung ein. Somit wird sichergestellt, dass die steuernden Eingriffe basierend auf der zweiten Stellgröße nicht durch Regelung der Positionsregler-Einrichtung ausgeglichen werden. Dadurch wird die Stabilität der Regelung der Positionsregler-Einrichtung nicht beeinträchtigt und/oder gefährdet.
Man kann auch sagen, dass die zweite Stellgröße auf die erste Stellgröße aufgeschaltet wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine Gesamtstellgröße basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße ermittelt, und wird die Aktoreinrichtung der optischen Komponente basierend auf der Gesamtstellgröße angesteuert.
Beispielsweise umfasst das Verfahren vor Schritt c) einen Schritt eines Ermittelns der Gesamtstellgröße. Die Gesamtstellgröße wird zum Beispiel durch Subtrahieren der zweiten Stellgröße von der ersten Stellgröße ermittelt. Man kann auch sagen, die Gesamtstellgröße wird durch Summation ermittelt, wobei die zweite Stellgröße negativ zugeführt wird.
Die Gesamtstellgröße setzt sich damit insbesondere aus einem Anteil der Vorsteuerung (Störgrößenaufschaltung) und einem Anteil der Regelung (erste Stellgröße, die auf der Abweichung des Istwerts vom Sollwert basiert) zusammen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die optische Komponente ein Trägerelement mit mindestens einer Flüssigkeitsleitung, insbesondere Kühlleitung. Weiterhin weist die erfasste Störgröße eine Änderung eines Drucks einer Flüssigkeit in der mindestens einen Flüssigkeitsleitung auf.
Die optische Komponente ist beispielsweise ein Spiegel mit einem Substrat (Spiegelsubstrat) und einer optisch aktiven Fläche. In diesem Fall ist das Trägerelement beispielsweise das Substrat. Die optische Komponente kann jedoch auch zusätzlich zu einem Substrat eine weitere Trägerstruktur umfassen, welche das Trägerelement bildet.
Die mindestens eine Flüssigkeitsleitung dient zum Durchleiten einer Flüssigkeit.
Die mindestens eine Flüssigkeitsleitung ist zum Beispiel eine Kühlleitung zum Durchleiten einer Kühlflüssigkeit, wie beispielsweise Wasser. Die mindestens eine Kühlleitung ist beispielsweise Teil einer Kühlvorrichtung zum Kühlen der optischen Komponente.
Die Kühlvorrichtung dient insbesondere zur Vermeidung hoher Temperaturen und Temperaturschwankungen der optischen Komponente. Insbesondere Spiegel einer EUV-Lithographieanlage (als Beispiel einer optischen Komponente) erwärmen sich infolge einer Absorption der energiereichen EUV-Strahlung. Dadurch hervorgerufene hohe Temperaturen und Temperaturschwankungen im Spiegel und damit einhergehende thermische Verformungen des Spiegels können zu Wellenfrontaberrationen führen und damit die Abbildungseigenschaften der Spiegel beeinträchtigen. Zur Vermeidung von thermisch induzierten Deformationen werden optische Komponenten der Lithographieanlage aktiv gekühlt.
Zur Kühlung wird eine bestimmte Kühlmittelflussrate benötigt, welche über ein Pumpensystem realisiert wird. Dadurch kommt es zu einer dynamischen Störanregung, denn jede Pumpe erzeugt lokale Druckschwankungen. Diese werden über einen Kühlmittelschall (Wasserschall, longitudinale Wasserschallwelle) durch den gesamten Kühlkreislauft übertragen. Weiterhin kann jede Querschnittsänderung und jede Umlenkung der Flüssigkeitsleitung sowie jedes eingebaute Ventil des Kühlkreislaufs eine Störquelle darstellen, die lokale Druckschwankungen der Flüssigkeit verursacht. Diese Art von dynamischen Störanregungen wird auch flussinduzierte Vibrationen (Engl. „Flow Induced Vibrations“, FIV) genannt. Durch Wasserschall wird die Störanregung an die gekühlte optische Komponente weitergeleitet. Dies verursacht, dass die Position der optischen Komponente von der Sollposition abweicht.
Dadurch, dass die erfasste Störgröße eine Änderung des Drucks der Flüssigkeit in der mindestens einen Flüssigkeitsleitung der optischen Komponente aufweist, kann der Einfluss einer Druckschwankung durch die vorgeschlagene Störgrößenaufschaltung kompensiert werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Änderung des Drucks der Flüssigkeit eine in der Flüssigkeit transportierte Druckwelle, eine periodische Druckschwankung der Flüssigkeit und/oder eine Druckschwankung der Flüssigkeit mit einer Frequenz im Bereich von 1 Hz und 2 kHz auf.
Beispielsweise liegt eine Frequenz der Druckschwankung der Flüssigkeit im Bereich von 1 Hz und 1 kHz, 1 Hz und 500 Hz, 1 Hz und 200 Hz, und/oder 50 und 150 Hz.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform verursacht die Änderung des Drucks der Flüssigkeit eine strömungsinduzierte Vibration der optischen Komponente.
Insbesondere umfasst die Vorhersage der Änderung der Position der optischen Komponenten aufgrund der erfassten Änderung des Drucks der Flüssigkeit eine Vorhersage einer strömungsinduzierten Vibration der optischen Komponente.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Störgröße eine Änderung eines magnetischen Feldes und/oder eines elektromagnetischen Feldes in einer Umgebung der optischen Komponente auf.
Eine Änderung eines magnetischen Feldes und/oder eines elektromagnetischen Feldes in der Umgebung der optischen Komponente kann beispielsweise durch Elektromotoren verursacht werden. Die Lithographieanlage kann eine Vielzahl von Elektromotoren bzw. elektromagnetischen Antrieben aufweisen. Beispielsweise wird ein Waferhalter (Engl.: wafer stage) der Lithographieanlage mithilfe eines Waferverlagerungsantriebs angetrieben. Beispielsweise wird ein Maskenhalter / Retikelhalter (Engl.: reticle stage) der Lithographieanlage mithilfe eines Retikelverlagerungsantrieb angetrieben. All diese Antriebe können beispielsweise durch Elektromotoren realisiert sein, welche elektromagnetische Wechselfelder erzeugen. Die elektromagnetischen Wechselfelder wirken auf magnetisch aktive Bauteile, wie beispielsweise Bauteile, die Eisen, Kupfer und/oder Nickel aufweisen, und werden dort in Störkräfte umgewandelt. Da auch die optische Komponente magnetische Materialien aufweisen kann, können magnetische Felder und/oder elektromagnetische Felder in der Umgebung der optischen Komponente zu einer Positionsänderung der optischen Komponente führen.
Durch Erfassen der elektromagnetischen Störung, zum Beispiel durch Messen einer Feldstärke eines magnetischen und/oder elektromagnetischen Feldes und/oder Messen eines zeitlichen Verlaufs der entsprechenden Feldstärke, können die angreifenden Störkräfte und damit die zu erwartende Positionsänderung der optischen Komponente mithilfe von Messdaten, Simulationsdaten und/oder Modellen vorhergesagt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Störgröße eine Bewegung weiterer von der optischen Komponente verschiedener Komponenten und/oder Elemente der Lithographieanlage auf.
Die weiteren Komponenten und/oder Elemente der Lithographieanlage umfassen beispielsweise eine oder mehrere bewegbare Halterungen, wie zum Beispiel einen Waferhalter und/oder einen Retikelhalter. Die weiteren Komponenten und/oder Elemente der Lithographieanlage können beispielsweise auch ein oder mehrere bewegbare Spiegel umfassen, deren Position einer Trajektorie im Raum folgt (zum Beispiel einen „stepping mirror“ und/oder einen „scanning mirror“).
Beispielsweise führt eine Bewegung, z. B. Beschleunigung, des Waferhalters und/oder des Retikelhalters der Lithographieanlage zu einer Störanregung der optischen Komponente. Für diese Störkräfte liegen Information über die Störung in der Regel bereits vor, da die Beschleunigungsprofile des Waferhalters und des Retikelhalters im Betrieb der Lithographieanlage normalerweise erfasst werden bzw. durch eine Regelung der Position des Waferhalters und des Retikelhalters bereits bekannt sind. Insbesondere können die Beschleunigungsprofile des Waferhalters und des Retikelhalters vorbestimmte Parameter sein, die bei der Regelung der Position des Waferhalters und des Retikelhalters angewendet werden. Weiterhin sind auch genaue Modelle bekannt, die beschreiben, wie diese Störkräfte auf die optische Komponente wirken. Somit kann eine Positionsänderung der optischen Komponente aufgrund von durch den Waferhalter und/oder den Retikelhalter eingetragene Störkräfte vorhergesagt werden. Damit können sie mithilfe des vorgeschlagenen Verfahrens durch die Störgrößenaufschaltung kompensiert werden.
Weiterhin können durch bewegbare Spiegel, bei denen die Spiegelposition insbesondere einer vorbestimmten Trajektorie im Raum folgt, Störkräfte auf die optische Komponente wirken. Auch für diese Störkräfte liegen Modelle und/oder Messdaten vor, die beschreiben, wie diese Störkräfte auf die optische Komponente wirken. Somit kann eine Positionsänderung der optischen Komponente aufgrund von Bewegungen bewegbarer Spiegel vorhergesagt werden. Damit können sie mithilfe des vorgeschlagenen Verfahrens durch die Störgrößenaufschaltung kompensiert werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform folgt der Sollwert der Position der optischen Komponente einer Trajektorie.
In dieser Ausführungsform ändert sich der Sollwert der Position der optischen Komponente in Abhängigkeit der Zeit, sodass die Führungsgröße des vorgeschlagenen Regelverfahrens ein zeitabhängiger Weg, d. h. eine Trajektorie, (z. B. im dreidimensionalen Raum) ist.
In anderen Ausführungsformen kann der Sollwert der Position der optischen Komponente beispielsweise auch ein statischer Wert sein, sodass die Position der optischen Komponente auf eine Ruheposition entsprechend dem statischen Wert geregelt wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird die erste Stellgröße basierend auf der Abweichung des Istwerts der Position der optischen Komponente von dem Sollwert und zusätzlich basierend auf einer Vorsteuerung, die eine zeitliche Änderung des Sollwerts berücksichtigt, ermittelt.
In dieser Ausführungsform ist eine zusätzliche Vorsteuerung vorgesehen, um eine bekannte (vorbestimmte) Sollwertänderung zu berücksichtigen. Mit anderen Worten wird eine geplante Änderung des Sollwerts vorwärtsgerichtet berücksichtigt, bevor sie zu einer Regelabweichung führt.
In dieser Ausführungsform werden somit zwei verschiedene Vorsteuerungen mit der Feedbackregelung von Schritt a) kombiniert. Zum einen ist die Störgrößenaufschaltung eine Vorsteuerung zur Berücksichtigung des Einflusses der Störgröße. Zum anderen ist die zusätzliche Vorsteuerung eine Vorsteuerung zur Berücksichtigung einer geplanten Änderung des Sollwerts.
Durch die zusätzliche Vorsteuerung zur Berücksichtigung einer geplanten Änderung des Sollwerts kann der Istwert der Position der optischen Komponente schneller an den Sollwert angepasst werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Verfahren die Schritte auf:

Erfassen der Störgröße, und
Vorhersagen der Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße.

Die Störgröße wird beispielsweise durch Messen und/oder mithilfe eines oder mehrerer Sensoren (z. B. einer Sensoreinrichtung) erfasst. Die Störgröße kann beispielsweise auch mithilfe eines Störgrößenbeobachters erfasst werden.
Das Verfahren kann auch einen Schritt eines Erfassens des Istwerts der Position der optischen Komponente aufweisen. Die Position des optischen Elements wird beispielsweise von einer Sensoreinrichtung erfasst. Ein Positioniersystem der Lithographianlage umfasst zum Beispiel einen Sensorrahmen mit einer Sensoreinrichtung zum Messen einer aktuellen Position der optischen Komponente relativ zu dem Sensorrahmen. Der Sensorrahmen ist beispielsweise bezüglich eines Tragrahmens der optischen Komponente schwingungsentkoppelt gelagert. Die Sensoreinrichtung umfasst z. B. einen oder mehrere Sensoren, wie zum Beispiel Interferometer und/oder andere Messvorrichtungen zum Erfassen einer Position, z.B. in den sechs Freiheitsgraden, der optischen Komponente. Die optische Komponente kann beispielsweise Reflektorelemente aufweisen zum Reflektieren eines von den Sensoren ausgesendeten Lichts (z. B. Laserlichts).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das Vorhersagen der Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße ein Vorhersagen mithilfe eines vorermittelten Modells, einer Simulation und/oder einer Berechnung basierend auf der erfassten Störgröße.
Die Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße kann beispielsweise auch mithilfe vorbekannter Messdaten, einer Modellrechnung und/oder einem Simulationsverfahren vorhergesagt werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Regelungsvorrichtung zum Regeln einer Position einer optischen Komponente einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Regelungsvorrichtung weist auf:

eine erste Ermittlungseinrichtung zum Ermitteln einer ersten Stellgröße basierend auf einer Abweichung eines Istwerts von einem Sollwert der Position der optischen Komponente,
eine zweite Ermittlungseinrichtung zum Ermitteln einer zweiten Stellgröße zur Störgrößenaufschaltung basierend auf einer erfassten Störgröße und einer vorhergesagten Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund der erfassten Störgröße, und
eine Ansteuereinrichtung zum Ansteuern einer Aktoreinrichtung der optischen Komponente basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße.

Die erste Ermittlungseinrichtung ist beispielsweise eine Positionsregler-Einrichtung. Die zweite Ermittlungseinrichtung ist beispielsweise eine Störgrößenaufschalt-Einrichtung.
Die jeweilige vorstehend oder nachstehend beschriebene Einrichtung, wie beispielsweise die erste und zweite Ermittlungseinrichtung und die Ansteuereinrichtung, kann hardwaretechnisch und/oder softwaretechnisch implementiert sein. Bei einer hardwaretechnischen Implementierung kann die jeweilige Einrichtung zum Beispiel als Computer oder als Mikroprozessor ausgebildet sein. Bei einer softwaretechnischen Implementierung kann die jeweilige Einrichtung als Computerprogrammprodukt, als eine Funktion, als eine Routine, als ein Algorithmus, als Teil eines Programmcodes oder als ausführbares Objekt ausgebildet sein. Ferner kann die entsprechende Einrichtung auch als Teil eines übergeordneten Steuerungssystems der Lithographieanlage ausgebildet sein.
Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Positioniersystem zum regelbasierten Positionieren einer optischen Komponente einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Positioniersystem weist auf:

eine optische Komponente,
eine Aktoreinrichtung zum Bewegen der optischen Komponente, und
eine wie vorstehend beschriebene Regelungsvorrichtung.

In Ausführungsformen weist das Positioniersystem ferner eine Sensoreinrichtung zum Erfassen der Störgröße auf.
In Ausführungsformen weist das Positioniersystem ferner eine weitere Sensoreinrichtung zum Erfassen des Istwerts der Position der optischen Komponente auf.
Gemäß einem vierten Aspekt wird eine Lithographieanlage, insbesondere eine EUV-Lithographieanlage, mit einer wie vorstehend beschriebenen Regelungsvorrichtung oder einem wie vorstehend beschriebenen Positioniersystem vorgeschlagen.
Die optische Komponente ist bevorzugt eine optische Komponente einer Projektionsoptik der Lithographieanlage (Projektionsbelichtungsanlage). Die optische Komponente kann jedoch auch eine optische Komponente eines Beleuchtungssystems der Lithographieanlage sein.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
Die für das Verfahren gemäß dem ersten Aspekt beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die weiteren Aspekte (Regeleinrichtung, Positioniersystem, Lithographieanlage) entsprechend und umgekehrt.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie gemäß einer Ausführungsform;
2 zeigt eine optische Komponente der Projektionsbelichtungsanlage aus 1 gemäß einer Ausführungsform;
3 zeigt einen Kühlkreislauf zum Kühlen der optischen Komponente aus 2 gemäß einer Ausführungsform;
4 zeigt ein Blockschaltbild einer Positionsregelung der optischen Komponente aus 2 gemäß einer Ausführungsform;
5 zeigt schematisch funktionelle Komponenten eines Positioniersystems zum Positionieren der optischen Komponente aus 2 gemäß einer Ausführungsform;
6 zeigt ein Modell zum Vorhersagen einer Änderung der Position der optischen Komponente aufgrund einer Störgröße gemäß einer Ausführungsform; und
7 zeigt ein Flussablaufdiagramm eines Verfahrens zum Regeln einer Position einer optischen Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt.
Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet.
Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, sodass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die beispielsweise größer ist als 0,3 und/oder 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe Bx, By der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (6x, By) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab 6 bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab 6 bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist.
In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
2 zeigt Positioniersystem 100 zum Positionieren einer optischen Komponente 102 gemäß einer Ausführungsform.
Die optische Komponente 102 ist beispielsweise ein Spiegel der Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere der Projektionsoptik 10, aus 1. Die optische Komponente 102 ist beispielsweise einer der Spiegel M1 - M6. Im Folgenden wird die optische Komponente 102 als Spiegel beschrieben; in anderen Beispielen kann es sich jedoch auch um eine andere optische Komponente als ein Spiegel handeln.
Wie in 2 gezeigt, umfasst der Spiegel 102 eine Beschichtung 104 mit einer optisch aktiven Fläche 106. Der Spiegel 102 umfasst außerdem ein Substrat 108. In dem Substrat 108 sind Kühlleitungen 110 angeordnet, durch welche eine Kühlflüssigkeit 112, wie beispielsweise Wasser, geleitet wird, um den Spiegel 102 aktiv zu kühlen. Eine Kühlung des Spiegels 102 dient dazu, thermische Deformationen des Spiegels 102, auch bei Einstrahlung energiereicher EUV-Strahlung 16 (1), zu vermeiden.
Der Spiegel 102 ist mittels einer Aktoreinrichtung 114 beweglich an einem Tragrahmen 116 befestigt. Die Aktoreinrichtung 114 weist zum Beispiel mehrere Aktoren 118 und eine Antriebseinheit (nicht gezeigt) auf. Die Aktoreinrichtung 114 dient zum Beispiel dazu, den Spiegel 102 in Bezug auf sechs Freiheitsgrade (Translation in X-, Y- und Z-Richtung und Rotation um die X-, Y- und Z-Richtung) zu positionieren.
Das Positioniersystem 100 weist weiterhin eine Sensoreinrichtung 120 auf, um eine aktuelle Position P (Istwert y(t) der Position P, 4) des Spiegels 102 zu erfassen. Die Sensoreinrichtung 120 ist in 2 lediglich schematisch angedeutet. Die Sensoreinrichtung 120 weist ein oder mehrere Sensoren, wie beispielsweise Interferometer, auf. Die Sensoren der Sensoreinrichtung 120 sind beispielsweise an einem Sensorrahmen (nicht gezeigt) befestigt. Der Sensorrahmen ist zum Beispiel schwingungsentkoppelt an dem Tragrahmen 116 befestigt. Beispielsweise wird eine aktuelle Position y(t) des Spiegels 102 mithilfe von Laserstrahlen 122 erfasst.
In 3 ist ein Kühlkreislauf 200 einer Kühlvorrichtung 202 zum Kühlen des Spiegels 102 gezeigt. Die Kühlvorrichtung 202 umfasst eine Kühleinheit 204 zum Kühlen einer Kühlflüssigkeit 112 (2) und Leitungen 206, 110 zum Transportieren der Kühlflüssigkeit 112. Die Kühlvorrichtung 202 umfasst zudem ein oder mehrere Pumpen 208 zum Erzeugen einer erforderlichen Kühlmittelflussrate der Kühlflüssigkeit 112. Die Kühlvorrichtung 202 umfasst weiterhin ein oder mehrere Ventile 210 zum Steuern des Kühlflusses. Die Kühlvorrichtung 202 kann zum Kühlen mehrerer Komponenten der Lithographieanlage 1 dienen. Beispielhaft ist in 3 der Spiegel 102 aus 2 als eine gekühlte Komponente eingezeichnet. Die Kühlleitungen 110 (2), die in dem Spiegelsubstrat 108 angeordnet sind, sind schematisch in 3 eingezeichnet.
Pumpen der Kühlvorrichtung 202, wie die Pumpe 208, verursachen lokale Druckschwankungen in der Flüssigkeit 112, wodurch eine dynamische Störanregung erzeugt wird. Diese Druckschwankungen werden über longitudinale Wasserschallwelle durch den gesamten Kühlkreislauft 200 übertragen. Weiterhin können auch Querschnittsänderungen (nicht gezeigt) der Flüssigkeitsleitung 206, 110, Umlenkungen 212 der Flüssigkeitsleitung 206, 110 und Ventile 210 des Kühlkreislaufs 200 eine Störquelle darstellen, die lokale Druckschwankungen der Flüssigkeit 112 verursacht. Durch Wasserschall wird eine solche akustische Störanregung an die gekühlte optische Komponente 102 (den Spiegel 102) weitergeleitet. Dadurch kann es zu einer Positionsänderung des Spiegels 102 kommen, sodass die tatsächliche Position y(t) des Spiegels 102 von einer Sollposition r(t) abweicht (4).
Im Folgenden wird mit Bezug zu den 4 bis 7 ein Verfahren zum Regeln einer Position y(t) der optischen Komponente 102 (z. B. des Spiegels 102) einer Lithographieanlage 1 (Projektionsbelichtungsanlage 1, 1) gemäß einer Ausführungsform beschrieben.
4 zeigt ein Blockschaltbild eines Regelkreises 300 zum Regeln der Position y(t) des Spiegels 102 (2). Der Regelkreis 300 basiert auf einer Rückkopplungsregelung (Feedbackregelung) und einer Störgrößenaufschaltung, welche eine Vorsteuerung zum Berücksichtigen einer Störgröße d(t) darstellt. Die Rückkopplungsregelung wird durch eine Positionsregler-Einrichtung 302 und eine Regelstrecke 304 realisiert. Die Störgrößenaufschaltung wird durch eine Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 realisiert.
Die Regelstrecke 304 umfasst eine Aktorik 308 zum Manipulieren der Position y(t) des Spiegels 102. Die Aktorik 308 ist insbesondere durch die Aktoreinrichtung 114 (2) realisiert. Die Regelstrecke 304 umfasst außerdem eine Sensorik 310 zur Messung der Position y(t) des Spiegels 102. Die Sensorik 310 ist insbesondere durch die Sensoreinrichtung 120 (2) realisiert. Weiterhin umfasst die Regelstrecke 304 die optische Komponente 102, zum Beispiel den Spiegel 102.
Die Positionsregler-Einrichtung 302 bildet zusammen mit der Regelstrecke 304 die Feedbackregelung und sorgt dafür, dass eine Abweichung e(t) der Istposition y(t) von einer Sollposition r(t) des Spiegels 102 auf einem möglichst kleinen Wert, im Idealfall auf null, gehalten wird. Dies Sollposition r(t) kann ein statischer Wert sein (r(t) = const.) oder kann auch eine Funktion sein, die von der Zeit t abhängt (r(t) ≠ const.). Insbesondere kann die Sollposition r(t) des Spiegels 102 auch einer beliebigen Trajektorie im (z. B. dreidimensionalen) Raum folgen. Die Sollposition r(t) des Spiegels 102 kann dabei einer steten oder auch einer unsteten Trajektorie im Raum folgen.
In einem ersten Schritt S1 des Verfahrens wird der Istwert y(t) der Position P des Spiegels 102 erfasst. Beispielsweise wird der Istwert y(t) mithilfe der Sensoreinrichtung 120 gemessen. Der Istwert y(t) wird an die Positionsregler-Einrichtung 302 übermittelt, d. h. rückgeführt bzw. rückgekoppelt. Beispielsweise wird der Istwert y(t) an die Positionsregler-Einrichtung 302 negativ rückgeführt (Minuszeichen im Regelkreis 300 in 4).
In einem zweiten Schritt S2 des Verfahrens wird die Abweichung e(t) des Istwerts y(t) von dem Sollwert r(t) der Position P des Spiegels 102 ermittelt. Die Abweichung e(t) wird beispielsweise von der Positionsregler-Einrichtung 302 oder von einer vorgeschalteten Summationseinheit 312 ermittelt. Beispielsweise wird der Istwert y(t) von dem Sollwert r(t) subtrahiert. Zum Ermitteln der Abweichung e(t) ist in der Positionsregler-Einrichtung 302 oder in der vorgeschalteten Summationseinheit 312 der Sollwert r(t) hinterlegt, insbesondere gespeichert.
In einem dritten Schritt S3 des Verfahrens wird eine erste Stellgröße u_r(t) basierend auf der Abweichung e(t) ermittelt.
Auf die Position y(t) des Spiegels 102 wirken Störgrößen (nicht gezeigt), die in der Regel unbekannt und unvorhersagbar sind, so wie beispielsweise Rauschen oder Bodenvibrationen. Eine Vorhersage der Auswirkung solcher Störgrößen auf die Position y(t) des Spiegels 102 ist meist nicht möglich, sodass sie durch eine Steuerung mit offener Wirkungskette nicht ausgleichbar sind. Sie können jedoch durch die beschriebene Feedbackregelung in den Schritten S1 bis S3 über die Ermittlung der tatsächlichen Abweichung e(t) des Istwerts y(t) vom Sollwert r(t) korrigiert werden.
Anders verhält es sich im Fall von Störgrößen d(t), für welche eine Auswirkung auf die Position y(t) des Spiegels 102 (Störgrößenübertragung 314 in 4) mithilfe von Berechnungen, Modellrechnungen, Simulationen, vorermittelten Messdaten oder ähnlichem vorhergesagt werden können. In diesem Fall kann der Einfluss der Störgröße d(t) auf die Regelgröße, hier die Position y(t) des Spiegels 102, mithilfe einer Störgrößenaufschaltung u_s(t) berücksichtigt werden. Ein Beispiel für eine solche Störgröße d(t), die mithilfe einer Störgrößenaufschaltung berücksichtigt werden kann, sind die Druckschwankungen der Flüssigkeit 112 in Kühlkreislauf 200 (3), die zum Beispiel durch eine Pumpe 208 des Kühlkreislaufs 200 verursacht werden. Diese Druckschwankungen können zum einen gemessen werden. Zum anderen kann basierend auf den Messergebnissen eine Auswirkung der Störgröße d(t), hier der Druckschwankungen, auf die Position y(t) des Spiegels 102 vorhergesagt werden.
Andere Beispiele für Störgrößen d(t), die mithilfe einer Störgrößenaufschaltung kompensiert werden können, sind magnetische und/oder elektromagnetische Störungen durch ein magnetisches Feld und/oder elektromagnetisches Feld (B und E in 2) in einer Umgebung U des Spiegels 102. Ein weiteres Beispiel für Störgrößen d(t), die mithilfe einer Störgrößenaufschaltung kompensiert werden können, sind Bewegungen, insbesondere Beschleunigungen, anderer Komponenten der Lithographieanlage 1, wie beispielsweise eines Waferhalters 14 und/oder eines Retikelhalters 8 (1).
Im Folgenden wird der Regelkreis 300 und das Verfahren für Druckschwankungen der Flüssigkeit 112 im Kühlkreislauf 200 als ein Beispiel einer Störgröße d(t), die auf die Position y(t) des Spiegels 102 wirkt, beschrieben. Jedoch kann das Verfahren auch für andere Störgrößen d(t), die mithilfe einer Störgrößenaufschaltung kompensiert werden können, durchgeführt werden.
In einem vierten Schritt S4 des Verfahrens wird die Störgröße d(t) erfasst.
Beispielsweise wird die Störgröße d(t) gemessen. Zum Erfassen der Störgröße d(t) weist die Positioniervorrichtung 100 beispielsweise eine weitere Sensoreinrichtung 124 auf. Die Sensoreinrichtung 124 umfasst z. B. einen oder mehrere Sensoren und/oder Messgeräte. In 2 ist schematisch als ein Beispiel ein Druckmessgerät 124 zum Messen eines Drucks D der Flüssigkeit 112 gezeigt. Das Druckmessgerät 124 ist in Fluidverbindung mit der Flüssigkeitsleitung 110. Das Druckmessgerät 124 ist beispielsweise ein Flüssigkeitmananometer, ein Kolbenmananometer, eine Federmananometer oder auch ein anderes Druckmessgerät zum Messen eines Drucks D der Flüssigkeit 112 in der Leitung 110.
Die Störgröße d(t) kann in anderen Beispielen auch durch einen Störgrößenbeobachter erfasst werden. Dabei wird die Störgröße d(t) beispielsweise nicht direkt gemessen, sondern aus anderen (z. B. gemessenen) Prozessgrößen rekonstruiert.
In einem fünften Schritt S5 des Verfahrens wird eine Änderung der Position P des Spiegels 102 aufgrund der erfassten Störgröße d(t) vorhergesagt. Die Änderung der Position P des Spiegels 102 aufgrund der erfassten Störgröße d(t) ist insbesondere die Auswirkung der Störgröße d(t) auf die Position P des Spiegels 102. Diese Auswirkung kann beispielsweise mithilfe eines vorermittelten Modells vorhergesagt werden. In 6 ist als Beispiel ein einfaches Modell 400 gezeigt, welches ein Druck-Reaktions-Verhalten beschreibt. Das Modell 400 beschreibt insbesondere einen linearen Zusammenhang 402 zwischen dem Druck D der Flüssigkeit 112 und einer Kraft Fx, die aufgrund des Drucks D der Flüssigkeit 112 auf den Spiegel 102 wirkt.
Beispielsweise wird die erfasste Störgrößen d(t) an die Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 übermittelt. Beispielsweise sind in der Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 eine oder mehrere Modelle, Algorithmen für Simulationsverfahren oder andere Berechnungen und/oder vorermittelte Messdaten gespeichert. Als ein Beispiel kann das Modell 400 in der Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 gespeichert sein. Die Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 ermittelt, beispielsweise basierend auf dem Modell 400, eine Auswirkung der Störgrößen d(t) auf die Position P des Spiegels 102.
In einem sechsten Schritt S6 des Verfahrens wird eine zweite Stellgröße u_s(t) zur Störgrößenaufschaltung ermittelt. Insbesondere wird die zweite Stellgröße u_s(t) basierend auf der erfassten Störgröße d(t) und der vorhergesagten Änderung der Position P des Spiegels 102 aufgrund der erfassten Störgrößen d(t) ermittelt. Die zweite Stellgröße u_s(t) wird beispielsweise einer weiteren Summationseinheit 316 zugeführt. Zum Beispiel wird die zweite Stellgröße u_s(t) der weiteren Summationseinheit 316 negativ zugeführt (Minuszeichen im Regelkreis 300 in 4).
In einem siebten Schritt S7 des Verfahrens wird eine Gesamtstellgröße u(t) basierend auf der ersten Stellgröße u_r(t) und der zweiten Stellgröße u_s(t) ermittelt. Die Gesamtstellgröße u(t) wird zum Beispiel durch Subtrahieren der zweiten Stellgröße u_s(t) von der ersten Stellgröße u_r(t) ermittelt. Die Gesamtstellgröße u(t) setzt sich damit insbesondere aus einem Anteil u_s(t) einer Vorsteuerung (Störgrößenaufschaltung) und einem Anteil u_r(t) einer Feedbackregelung zusammen.
In einem achten Schritt S8 des Verfahrens wird die Aktorik 308 der Regelstrecke 304 (d. h. die Aktoreinrichtung 114, 2) basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße u_r(t), u_s(t), insbesondere basierend auf der Gesamtstellgröße u(t), angesteuert.
In 5 ist eine Regelungsvorrichtung 128 des Positioniersystems 100 gezeigt. Die Regelungsvorrichtung 128 umfasst eine erste Ermittlungseinrichtung 130 (Positionierregler-Einrichtung 302 in 4) zum Ermitteln der ersten Stellgröße u_r(t) basierend auf der Abweichung e(t) des Istwerts y(t) von dem Sollwert r(t) der Position P des Spiegels 102. Die Regelungsvorrichtung 128 umfasst eine zweite Ermittlungseinrichtung 132 (Störgrößenaufschalt-Einrichtung 306 in 4) zum Ermitteln der zweiten Stellgröße u_s(t) zur Störgrößenaufschaltung basierend auf der erfassten Störgröße d(t) und der vorhergesagten Änderung der Position P des Spiegels 102 aufgrund der erfassten Störgröße d(t). Die Regelungsvorrichtung 128 umfasst weiterhin eine dritte Ermittlungseinrichtung 134 (weitere Summationseinheit 316 in 4) zum Ermitteln der Gesamtstellgröße u(t). Außerdem umfasst die Regelungsvorrichtung 128 eine Ansteuereinrichtung 136 zum Ansteuern der Aktoreinrichtung 114 basierend auf der ermittelten Gesamtstellgröße u(t). Beispielsweise sendet die Ansteuereinrichtung 136 ein entsprechendes Steuersignal A an die Aktoreinrichtung 114.
Der Regelkreis 300 (4) kann optional eine weitere Vorsteuerung 318 umfassen, die eine zeitliche Änderung des Sollwerts r(t) berücksichtigt. Wie vorstehend beschrieben, kann der Sollwert r(t) eine zeitabhängige Trajektorie (z. B. im dreidimensionalen Raum) sein. Der Sollwert r(t) kann dabei auch einen unsteten räumlichen Verlauf beschreiben, welcher Sollwertsprünge aufweist. Ohne vorwärtsgerichtete Berücksichtigung eines vorbekannten Sollwertsprungs, kann ein solcher Sollwertsprung der Sollposition r(t) zunächst zu einer großen Regelabweichung e(t) führen. Zur Verbesserung des Führungsverhaltens des Regelkreises 300 kann optional die weitere Vorsteuerung 318 eingesetzt werden. Die Vorsteuerung 318 ermittelt den zu erwartenden Stellgrößenbedarf abhängig von der geplanten Änderung des Sollwerts r(t). Weiterhin wird der erwartete Stellgrößenbedarf der Regelstrecke 304 durch die Stellgröße u_v(t) zugeführt. Insbesondere kann aus der ersten Stellgröße u_r(t) und der weiteren Stellgröße u_v(t) eine neue erste Stellgröße u'_r(t) ermittelt werden. Da keine weitere Feedbackschleife in den Regelkreis 300 eingeführt wird, wird die Stabilität des Regelkreises 300 durch die Vorsteuerung 318 nicht beeinflusst.
Durch das vorgeschlagene Verfahren kann die Position P des Spiegels 102 auch bei dynamischer Störanregung d(t) besser geregelt werden. Insbesondere können die Auswirkungen von Störanregungen d(t), wie beispielsweise von mechanischen Schwingungsanregungen, akustischen Anregungen und elektromagnetischen Anregungen, auf den Spiegel 102 besser kompensiert werden. Dies führt zu einer größeren Präzession der optischen Eigenschaften des Spiegels 102 und damit zu einer besseren Abbildungseigenschaft der Lithographieanlage 1.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
BEZUGSZEICHENLISTE

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Beleuchtungssystem
3: Lichtquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Retikelverlagerungsantrieb
10: Projektionsoptik
11: Bildfeld
12: Bildebene
13: Wafer
14: Waferhalter
15: Waferverlagerungsantrieb
16: Beleuchtungsstrahlung
17: Kollektor
18: Zwischenfokusebene
19: Umlenkspiegel
20: erster Facettenspiegel
21: erste Facette
22: zweiter Facettenspiegel
23: zweite Facette
100: Positioniersystem
102: optische Komponente
104: Beschichtung
106: optisch aktive Fläche
108: Substrat
110: Flüssigkeitsleitung
112: Flüssigkeit
114: Aktoreinrichtung
116: Tragrahmen
118: Aktor
120: Sensoreinrichtung
122: Laserstrahl
124: Sensor
128: Regelungsvorrichtung
130: Ermittlungseinrichtung
132: Ermittlungseinrichtung
134: Ermittlungseinrichtung
136: Ansteuereinrichtung
200: Kühlkreislauf
202: Kühlvorrichtung
204: Kühleinheit
206: Flüssigkeitsleitung
208: Pumpe
210: Ventil
212: Umlenkung
300: Regelkreis
302: Positionsregler-Einrichtung
304: Regelstrecke
306: Störgrößenaufschalt-Einrichtung
308: Aktorik
310: Sensorik
312: Summationseinheit
314: Störgrößenübertragung
316: Summationseinheit
318: Vorsteuerung
400: Modell
402: lineare Funktion
A: Signal
B: Magnetfeld
d(t): Störgröße
D: Druck
e(t): Abweichung
E: elektrisches Feld
Fx: Kraft
M1-M6: Spiegel
P: Position
r(t): Sollwert
S1-S8: Verfahrensschritte
t: Zeit
u(t): Stellgröße
ur(t): Stellgröße
u'r(t): Stellgröße
us(t): Stellgröße
uv(t): Stellgröße
U: Umgebung
X: Richtung
y(t): Istwert
Y: Richtung
Z: Richtung

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0085, 0090]
US 20060132747 A1 [0088]
EP 1614008 B1 [0088]
US 6573978 [0088]
DE 102017220586 A1 [0093]
US 20180074303 A1 [0107]

Claims

Verfahren zum Regeln einer Position (P) einer optischen Komponente (102) einer Lithographieanlage (1), mit den Schritten: a) Ermitteln (S3) einer ersten Stellgröße (u_r) basierend auf einer Abweichung (e) eines Istwerts (y) von einem Sollwert (r) der Position (P) der optischen Komponente (102), b) Ermitteln (S6) einer zweiten Stellgröße (u_s) zur Störgrößenaufschaltung basierend auf einer erfassten Störgröße (d) und einer vorhergesagten Änderung der Position (P) der optischen Komponente (102) aufgrund der erfassten Störgröße (d), und c) Ansteuern (S8) einer Aktoreinrichtung (114) zum Positionieren der optischen Komponente (102) basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße (u_r, u_s).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Stellgröße (u_r) eine Ausgangsgröße einer Positionsregler-Einrichtung (302) ist, und die zweite Stellgröße (u_s) zwischen der Positionsregler-Einrichtung (302) und der Aktoreinrichtung (114) auf die erste Stellgröße (u_r) angewendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Gesamtstellgröße (u) basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße (u_r, u_s) ermittelt wird (S7), und die Aktoreinrichtung (114) der optischen Komponente (102) basierend auf der Gesamtstellgröße (u) angesteuert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die optische Komponente (102) ein Trägerelement (108) mit mindestens einer Flüssigkeitsleitung (110), insbesondere Kühlleitung, umfasst, und die erfasste Störgröße (d) eine Änderung eines Drucks (D) einer Flüssigkeit (112) in der mindestens einen Flüssigkeitsleitung (110) aufweist.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Änderung des Drucks (D) der Flüssigkeit (112) eine in der Flüssigkeit (112) transportierte Druckwelle, eine periodische Druckschwankung der Flüssigkeit (112) und/oder eine Druckschwankung der Flüssigkeit (112) mit einer Frequenz im Bereich von 1 Hz und 2 kHz aufweist.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei die Änderung des Drucks (D) der Flüssigkeit (112) eine strömungsinduzierte Vibration der optischen Komponente (102) verursacht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die Störgröße (d) eine Änderung eines magnetischen Feldes (B) und/oder eines elektromagnetischen Feldes (BE) in einer Umgebung (U) der optischen Komponente (102) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die Störgröße (d) eine Bewegung weiterer von der optischen Komponente (102) verschiedener Komponenten (8, 14) und/oder Elemente der Lithographieanlage (1) aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8, wobei der Sollwert (r) der Position (P) der optischen Komponente (102) einer Trajektorie folgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9, wobei die erste Stellgröße (u'_r) basierend auf der Abweichung (e) des Istwerts (y) der Position (P) der optischen Komponente (102) von dem Sollwert (r) und zusätzlich basierend auf einer Vorsteuerung (318), die eine zeitliche Änderung des Sollwerts (r) berücksichtigt, ermittelt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10, die Schritte aufweisend: Erfassen (S4) der Störgröße (d), und Vorhersagen (S5) der Änderung der Position (P) der optischen Komponente (102) aufgrund der erfassten Störgröße (d).
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Vorhersagen der Änderung der Position (P) der optischen Komponente (102) aufgrund der erfassten Störgröße (d) ein Vorhersagen mithilfe eines vorermittelten Modells (400), einer Simulation und/oder einer Berechnung basierend auf der erfassten Störgröße (d) umfasst.
Regelungsvorrichtung (128) zum Regeln einer Position (P) einer optischen Komponente (102) einer Lithographieanlage (1), aufweisend: eine erste Ermittlungseinrichtung (130, 302) zum Ermitteln einer ersten Stellgröße (u_r) basierend auf einer Abweichung (e) eines Istwerts (y) von einem Sollwert (r) der Position (P) der optischen Komponente (102), eine zweite Ermittlungseinrichtung (132, 306) zum Ermitteln einer zweiten Stellgröße (u_s) zur Störgrößenaufschaltung basierend auf einer erfassten Störgröße (d) und einer vorhergesagten Änderung der Position (P) der optischen Komponente (102) aufgrund der erfassten Störgröße (d), und eine Ansteuereinrichtung (136) zum Ansteuern einer Aktoreinrichtung (114) der optischen Komponente (102) basierend auf der ersten und zweiten Stellgröße (u_r, u_s).
Positioniersystem (100) zum regelbasierten Positionieren einer optischen Komponente (102) einer Lithographieanlage (1), aufweisend: eine optische Komponente (102), eine Aktoreinrichtung (114) zum Bewegen der optischen Komponente (102), und eine Regelungsvorrichtung (128) nach Anspruch 13.
Lithographieanlage (1), insbesondere EUV-Lithographieanlage, mit einer Regelungsvorrichtung (128) nach Anspruch 13 oder einem Positioniersystem nach Anspruch 14.