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Stand der Technik
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektrische Schaltungsanordnung für ein Überspannungsschutzsystem für einen bei einem Abschaltvorgang mit einer parasitären Induktivität behafteten Schaltkreis sowie ein Verfahren zum Betreiben der elektrischen Schaltungsanordnung.
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Im Stand der Technik sind Schutzschaltungen bekannt, welche elektrische Bauteile einer Schalteinrichtung bei einem Abschaltvorgang vor parasitären Induktivitäten schützen. Die induzierte Spannung entsteht durch die Induktivität bei z.B. einem Kurzschluss. Als Schutzschaltung können beispielsweise (TVS-) Dioden verwendet werden. Alternativ ist die Verwendung von Active Clamping oder Avalanche bekannt, wobei MOSFETs im linearen Bereich oder Avalanche betrieben werden, um derart die Wärme in den MOSFETs abzuführen. Des Weiteren ist im Stand der Technik die Verwendung eines R-C-Glieds parallel zum Schalter (Snubber) als Schutzschaltung und das Verfahren „Voltage Overshoot Suppression for SiC MOSFET-Based DC Solid-State Circuit Breaker“ bekannt.
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DE 10 2016 011 815 B3 offenbart eine Schutzschaltung für die Ansteuerung intelligenter Leuchtmittel beispielsweise zum Schutz vor Blitzschlag. In einzelnen Ausführungsbeispielen werden Varistoren verwendet.
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DE 18 11 642 B2 offenbart eine Schutzschaltung für ein horizontales Ablenksystem für eine Kathodenstrahlröhre, wobei eine Schutzeinrichtung einen Impulserzeugungskreis abschaltet, sobald die Stärke eines Stroms in einem Transformator außerhalb eines vorgegebenen Bereiches liegt.
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DE 27 53 171 offenbart eine Vorrichtung zum Schutz elektrischer Anlagen gegen Überspannung. Für jede Ader sind ein erstes Ableitungsglied, eine Induktionsspule und ein zweites Ableitungsglied vorgesehen. Das erste Ableitungsglied ist aufgrund einer Trägheit nur für bestimmte Spannungsbereiche geeignet. Darunterliegende Spannungsspitzen werden durch das zweite Ableitungsglied abgeführt.
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Offenbarung der Erfindung
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Die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung für ein Überspannungsschutzsystem für einen bei einem Abschaltvorgang mit einer parasitären Induktivität behafteten Schaltkreis mit den Merkmalen des Anspruchs 1 zeichnet sich demgegenüber aus, dass die bei Abschaltvorgängen mit parasitären Induktivitäten behafteter Schaltkreise entstehenden Überspannungen durch die Anordnung von Varistoren, also spannungsabhängigen Widerständen, abgebaut werden, und hierdurch ein kostengünstiger und platzsparender Überspannungsschutz der zu schützenden Schalteinrichtung gewährleistet wird. Durch die Verwendung spannungsabhängiger Widerstände ist zudem eine einfache Anpassung an verschiedene Spannungs- oder Strompegel möglich.
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Die elektrische Schaltungsanordnung umfasst
- - eine erste Schalteinrichtung mit einem ersten Anschluss und einem dritten Anschluss, wobei
- - parallel zu der ersten Schalteinrichtung ein erster Varistor angeschlossen ist, und
- - eine zweite Schalteinrichtung mit einem zweiten Anschluss und einem vierten Anschluss, wobei
- - parallel zu der zweiten Schalteinrichtung ein zweiter Varistor angeschlossen ist, und
- - die erste Schalteinrichtung mit dem dritten Anschluss über einen elektrischen Leiter mit dem vierten Anschluss der zweiten Schalteinrichtung verbunden ist.
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Ein Varistor/Überspannungsschutz ist insbesondere ein spannungsabhängiger Widerstand. Der Widerstand des Varistors nimmt dabei oberhalb einer vordefinierten Spannung (Schwellenspannung) ab und der angelegte Strom kann durch den Varistor fließen. Derart kann ein Varistor insbesondere die Stromstärke aufnehmen. Induktivitäten im System (beispielsweise durch einen Energiespeicher, elektronische Leitungen, Stromschiene etc.) und der Abschaltstrom definieren hauptsächlich die Energie, die von der Schutzschaltung aufgenommen werden muss: E = ½ *L*I
2 , wobei die Pulslänge „tau“ über den Quotienten der Systeminduktivität und den Systemwiderstand berechnet wird:
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Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung kann beispielsweise in einem Schaltkreis eines Energiespeichers (Akkumulator, Batterie oder in Verbindung mit einem Energiespeicher) genutzt werden. Zusätzlich oder alternativ kann die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung in einem Schaltkreis eines elektrischen Systems genutzt werden. Der erste Anschluss kann vorzugsweise einen ersten Energiespeicher mit der ersten Schalteinrichtung verbinden. Die erste Schalteinrichtung kann zusätzlich oder alternativ mit einem ersten System verbunden sein. Zwischen dem ersten System und der ersten Schalteinrichtung kann zusätzlich ein fünfter Schalter, insbesondere ein Halbleiterschalter, angeordnet sein. Zusätzlich oder alternativ kann der zweite Anschluss den ersten Energiespeicher mit der zweiten Schalteinrichtung verbinden. Die zweite Schalteinrichtung kann zusätzlich oder alternativ mit dem ersten System verbunden sein. Zwischen dem ersten System und der zweiten Schalteinrichtung kann zusätzlich ein sechster Schalter, insbesondere ein Halbleiterschalter, angeordnet sein. Die Schaltungsanordnung führt vorzugsweise dazu, dass die Energie parasitärer Induktivitäten bei einem Abschaltvorgang (Kurzschluss) über den ersten Varistor und nicht über die erste Schalteinrichtung bzw. über den zweiten Varistor und nicht über die zweite Schalteinrichtung abgeleitet werden.
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Zusätzlich oder alternativ kann die Schalteinrichtung weitere Varistoren umfassen, welche parallel zum ersten Varistor bzw. zum zweiten Varistor angeordnet sind. Die Auswahl der Anzahl der weiteren Varistoren, welche parallel zu der zu schützenden Schalteinrichtung angeordnet sind, sollte vorzugsweise unter Berücksichtigung der Schaltungsanforderungen sowie der Stromstärke erfolgen. Die Integration weiterer, parallel geschalteter Varistoren führt zu einer Reduktion der Klemmspannung.
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Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung ist insbesondere für den Schutz von elektrischen Bauteilen fehlerbehafteter Schaltungen bei Abschaltvorgängen (z.B. Kurzschluss) geeignet. Die Schaltungsanordnung ist insbesondere auch für einen Einsatz bei sehr hohen Abschaltenergieimpulsen (beispielsweise mehrere hundert Joule) geeignet. Die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung kann zudem durch eine Anpassung der Dimensionierung des ersten Varistors bzw. des zweiten Varistors einfach für die jeweilige Nutzung in einem Schaltkreis unter besonderer Berücksichtigung der zu schützenden elektrischen Bauteile angepasst werden. Mittels einer geeigneten Dimensionierung können beispielsweise auch Schalteinrichtungen in Schaltungen für hohe Spannungen (bspw. bis zu 1000V oder mehr) geschützt werden. Vorteilig ist, dass die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung keine Freilaufdioden benötigt, da der Überspannungsschutz direkt mit sensiblen Halbleitern verbunden ist und bidirektional arbeitet. Die elektrische Schaltungsanordnung ist dabei mit Soft-Turn-Off und/oder einem kleinen Kondensator kombinierbar, um Spannungsspitzen zu reduzieren, welche durch Streuinduktivitäten in der Schutzschaltung und/oder in der Nähe eines Halbleiters (z.B. Drain-Streuinduktivität oder parasitäre Stromschieneninduktivität) auftreten, wobei der Kondensator (C) im Vergleich zu einer Schaltungsanordnung, die ausschließlich einen Snubber umfasst, sehr viel kleiner dimensioniert sein kann, insbesondere kleiner 1 µF, wobei die Kapazität des Kondensators von den parasitären Induktivität (L
par) abhängt. Wenn
kann insbesondere die Integration eines Kondensators dienlich sein. Zusätzlich oder alternativ kann die Integration eines Kondensators für 800V-Systeme dienlich sein, wenn L
SYS < 6µH und für 400V-Systeme dienlich sein, wenn L
SYS < 3µH, wobei L
SYS eine durch einen Energiespeicher, Kabel und/oder Stromschienen in das elektrische System eingetragene Induktivität repräsentiert.
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Darüber hinaus ist die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung ein redundantes System, da nach dem Öffnen der Halbleiter kein Reststrom durch die Schutzschaltung fließt, da in der ersten Schalteinrichtung und in der zweiten Schalteinrichtung jeweils gleiche Schalter verwendet werden können. Hierdurch führt ein einzelner Fehler nicht zu einem sicherheitskritischen Ausfall des angeschlossenen Systems. Vorteilhaft ist zudem, dass der Reststrom der Varistoren im realen Kurzschlussfall aufgrund des Spannungseinbruchs der Batterie während und nach dem Kurzschluss geringer ist. Die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung kann auch für Anwendungen mit geringer Leistung (z.B. 48 V), in welchen üblicherweise TVS-Dioden (Suppressordioden, Transient Voltage Suppressorund) und/oder der Avalanche-Effekt der Halbleiterschalter verwendet werden, genutzt werden und entfalten ihre Vorteile insbesondere wenn die Induktivitäten sehr hoch sind.
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Die Unteransprüche zeigen bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung.
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Bevorzugt umfasst die erste Schalteinrichtung zumindest einen ersten Schalter, insbesondere einen Schalter mit einem Halbleiter oder mehreren parallelen Halbleitern. Zusätzlich oder alternativ kann die erste Schalteinrichtung einen zweiten Schalter umfassen, insbesondere einen Schalter mit einem Halbleiter oder mehreren parallel geschalteten Halbleitern. Der erste Schalter und der zweite Schalter sind bevorzugt in Reihe geschaltet. Der erste Schalter kann eine erste Sperrrichtung aufweisen und der zweite Schalter kann eine zweite Sperrrichtung aufweisen, wobei die zweite Sperrrichtung bevorzugt entgegen der ersten Sperrrichtung orientiert ist. Die zweite Schalteinrichtung umfasst bevorzugt zumindest einen dritten Schalter, insbesondere einen Schalter mit einem Halbleiter oder mehreren parallel geschalteten Halbleitern. Zusätzlich oder alternativ umfasst die zweite Schalteinrichtung einen vierten Schalter, insbesondere einen Schalter mit einem Halbleiter oder mehreren parallel geschalteten Halbleitern. Der dritte Schalter und der vierte Schalter sind bevorzugt in Reihe geschaltet. Der dritte Schalter weist bevorzugt eine dritte Sperrrichtung auf und der vierte Schalter weist bevorzugt eine vierte Sperrrichtung auf, wobei die dritte Sperrrichtung bevorzugt entgegen der vierten Sperrrichtung orientiert ist. Der erste Schalter und/oder der zweite Schalter und/oder der dritte Schalter und/oder der vierte Schalter können vorzugsweise als Transistor, vorzugsweise Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET), insbesondere Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxidesemiconductor field-effect transistor, MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) ausgestaltet sein. Ein Soft-Turn-Off (STO) kann integriert werden indem z.B. der Gate-Widerstand der MOSFETs erhöht wird. Die maximale Klemmspannung verkleinert sich, wenn durch den STO die MOSFETs langsamer geöffnet werden. Zusätzlich oder alternativ kann der STO mit beschleunigtem Spannungsabfall auf z.B. 9V integriert werden (Two-Level-Turn-Off).
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Der erste Schalter kann beispielsweise ein erster MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) sein oder diesen umfassen. Zusätzlich oder alternativ kann der zweite Schalter ein zweiter MOSFET und/oder der dritte Schalter ein dritter MOSFET und/oder der vierte Schalter ein vierter MOSFET sein.
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Der erste Varistor und/oder der zweite Varistor sind vorzugsweise Metall-Oxid-Varistoren (MOV).
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Parallel zum ersten Überspannungsschutz kann ein erster Snubber (Boucherot-Glied, RC-Löschkombination, RC-Funkenlöschkombination, RC-Löschglied) angeschlossen sein. Zusätzlich oder alternativ kann parallel zum zweiten Überspannungsschutz ein zweiter Snubber angeschlossen sein. Ein Snubber ist insbesondere eine elektrische Schaltung, welche zur Neutralisation von unerwünschten Hochfrequenzen oder Spannungsspitzen eingerichtet ist.
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Die elektrische Schaltungsanordnung kann an eine Energieversorgung angeschlossen sein. Zur Verbindung der elektrischen Schaltungsanordnung mit der Energieversorgung kann die elektrische Schaltungsanordnung mit einer ersten Klemme und einer zweiten Klemme für eine Energieversorgung ausgerüstet sein. Die Spannung der Energieversorgung beträgt vorzugsweise zwischen 48 V und 1kV. Die Stromstärke der Energieversorgung liegt vorzugsweise zwischen 10A und 3kA. Die durch die Energieversorgung eingetragene Induktivität liegt insbesondere zwischen 2 und 50 pH. Die Energieversorgung kann beispielsweise ein Energiespeicher, insbesondere eine Batterie (und/oder ein Akkumulator) sein. Zusätzlich oder alternativ kann die Energieversorgung ein Energienetz, insbesondere 230 V-Netz, sein.
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Der erste Überspannungsschutz weist vorzugsweise eine vordefinierte erste Schwellenspannung auf. Wird die Schwellenspannung erreicht, leitet der Varistor bevorzugt einen geringen Strom. Die vordefinierte erste Schwellenspannung ist vorzugsweise niedriger als die erste Durchbruchspannungsschwelle der ersten Schalteinrichtung, insbesondere aber niedriger als die Maximalspannung der Batterie. Gleiches gilt für den zweiten Überspannungsschutz, welcher vorzugsweise eine vordefinierte zweite Schwellenspannung aufweist, welche niedriger als die zweite Durchbruchsspannungsschwelle der zweiten Schalteinrichtung ist, insbesondere aber niedriger als die Maximalspannung der Batterie. Bei der Dimensionierung ist insbesondere zu berücksichtigen, dass die maximalen Klemmanforderungen (meist niedriger als die Durchbruchspannungsschwelle der Schalteinrichtung) bei maximalem Strom (meist Kurzschlussstrom) erfüllt werden.
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Die Berechnung des maximalen Kurzschlussstroms kann mit folgender Formel erfolgen:
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Darin bedeuten IBAT,max = maximaler Batteriestrom; tprop(SCD) = Verzögerung & Entprellung bis Kurzschluss von der Hardware-Schaltung erkannt wird, tSTO(Begrenzung) = Zeit bis Halbleiterschalter den Strom begrenzt, VBAT = Batteriespannung im Kurzschlussfall, LBAT = Systeminduktivität.
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Die Dimensionierung sollte sich vorzugsweise an dem auftretenden Reststrom orientieren. Der Reststrom beträgt zumeist weniger als einige pA, da die Spannung zwischen der ersten Schalteinrichtung (HSS) und der zweiten Schalteinrichtung (LSS) aufgeteilt wird:
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Da die Varistoren im Falle eines Doppelfehlers, der insbesondere z.B. einen Kurzschluss und eine starke Alterung in einem der Überspannungsschutzsysteme umfassen kann und/oder der z.B. einen Kurzschluss in der ersten Schalteinrichtung und/oder einen Kurzschluss in der zweiten Schalteinrichtung umfassen kann, einen größeren Reststrom über eine Zeitspanne standhalten müssen, sollten die Varistoren für einen größeren Reststrom, z.B. von 10 A, ausgelegt sein. Ein zusätzliches (optionales) Relais und/oder ein zusätzlicher Schalter öffnet aufgrund der Hardware/Software-Steuerung erst nach ca. 5ms bis 50ms.
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Der maximale Reststrom kann über die Spannungs-Strom-Kennlinie im Datenblatt des Varistors in Erfahrung gebracht werden, indem der Stromwert bei der maximal auftretenden Batteriespannung betrachtet wird. Hierbei sollte die Toleranz (Spread z.B. ±5%, 8%, 10%) des Varistors mitberücksichtigt werden.
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Darüber hinaus sollte bei der Dimensionierung der Varistoren die maximale Reststromstärke bei eingeschwungener Spannung und geöffneter erster Schalteinrichtung und/oder geöffneter zweiter Schalteinrichtung beachtet werden, wobei durch die Varistoren hier ein Reststrom fließen darf. Der Varistor ist daher so dimensioniert, dass die Schwellenspannung des Varistors unter der Maximalspannung der Batterie liegt. Damit werden die Spannungsspitzen beim Abschalten verkleinert. Der damit entstehende Reststrom wird mit dem Öffnen eines zweiten und/ oder dritten Schalters unterbunden. Besonders bevorzugte Dimensionierungen sind z.B. 400V: 250-MOV; 450V: 275-MOV; 800V: 460-MOV; 900V: 510-MOV.
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Die Elemente der elektronischen Schaltungsanordnung sind vorzugsweise auf einer Leiterplatte (Leiterkarte, Platine oder gedruckte Schaltung; Englisch: printed circuit board, PCB) aufgebracht. Die Leiterplatte ist mit anderen Worten Träger der elektronischen Bauteile und dient der mechanischen Befestigung sowie der elektrischen Verbindung der Elemente.
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Die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung kann beispielsweise in einem Elektrofahrzeug, Hybridfahrzeug, Plug-In-Hybridfahrzeug, Luftfahrzeug, Pedelec oder E-Bike, für portable Einrichtungen zur Telekommunikation oder Datenverarbeitung, für elektrische Handwerkzeuge oder Küchenmaschinen, sowie in stationären Speichern zur Speicherung insbesondere regenerativ gewonnener elektrischer Energie angeordnet sein. Zudem kann die erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung insbesondere in einer elektronische Batterie-Trenneinrichtung für HV-Systeme in der Elektromobilität und/oder in DC-(Micro-)Grids und/oder DC-Ladesäulen angeordnet sein. Die Schaltungsanordnung kann zudem beispielsweise in AC- Anwendungen angeordnet sein.
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Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Elektrofahrzeug, Hybridfahrzeug und/oder Plug-In-Hybridfahrzeug vorgeschlagen, welches eine Vorrichtung für ein Überspannungsschutzsystem für einen bei einem Abschaltvorgang mit einer parasitären Induktivität behafteten Schaltkreis gemäß dem erstgenannten Erfindungsaspekt aufweist. Die Vorrichtung kann dauerhaft und insbesondere verteilt am Elektrofahrzeug, Hybridfahrzeug und/oder Plug-In-Hybridfahrzeug angeordnet sein. Auf diese Weise ergeben sich auch für das Elektrofahrzeug, Hybridfahrzeug und/oder Plug-In-Hybridfahrzeug die Merkmale, Merkmalskombinationen und Vorteile in entsprechender Weise.
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Kurze Beschreibung der Zeichnung
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Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitende Zeichnung im Detail beschrieben. In der Zeichnung ist:
- 1 eine erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung für ein Überspannungsschutzsystem für einen bei einem Abschaltvorgang mit einer parasitären Induktivität behafteten Schaltkreis.
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Bevorzugte Ausführungsform der Erfindung
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1 zeigt eine erfindungsgemäße elektrische Schaltungsanordnung. Der Pluspol 12 einer Batterie 11 ist mit einem, parasitäre Induktivitäten aufweisenden, elektrischen Leiter 9 mit dem ersten Anschluss 4 einer ersten Schalteinrichtung 14, welche einen ersten MOSFET 1 und einen zum ersten MOFSET 1 in Reihe geschalteten zweiten MOSFET 2 umfasst, verbunden. Parallel zur ersten Schalteinrichtung 14 ist ein erster Varistor 3 angeschlossen. Der erste Varistor 3 ist so dimensioniert, dass die Schwellenspannung unter der Maximalspannung der Batterie 11 liegt. Der Minuspol 13 der Batterie 11 ist mit einem zweiten Anschluss 8 einer zweiten Schalteinrichtung 15, welche einen dritten MOSFET 5 und einen zum dritten MOFSET 5 in Reihe geschalteten vierten MOSFET 6 umfasst, verbunden. Parallel zur zweiten Schalteinrichtung 15 ist ein zweiter Varistor 7 angeschlossen. Der zweite Varistor 7 ist so dimensioniert, dass die Schwellenspannung unter der Maximalspannung der Batterie 11 liegt. Die erste Schalteinrichtung 14 und die zweite Schalteinrichtung 15 sind mit einem elektrischen Leiter 9 miteinander verbunden. Zwischen der ersten Schalteinrichtung 14 und der zweiten Schalteinrichtung 15 befindet sich ein System 10. Wenn im System 10 ein Kurzschluss vorliegt, fließt der Strom nicht über die erste Schalteinrichtung 14, sondern über den ersten Varistor 3 und nicht über die zweite Schalteinrichtung 15, sondern über den zweiten Varistor 4. Derart werden die erste Schalteinrichtung 14 und die zweite Schalteinrichtung 15 von der Energie bei einem Abschaltvorgang unter Last geschützt, die in den parasitären Induktivitäten gespeichert ist.
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Alternativ und nicht in 1 dargestellt, sind alle Schalter 1, 2, 5, 6 oder ist zumindest einer der Schalter 1, 2, 5, 6 der Schalteinrichtungen 14, 15 ein mechanischer Schalter.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102016011815 B3 [0003]
- DE 1811642 B2 [0004]
- DE 2753171 [0005]