DE102022102364A1 - Vorrichtung zum transferieren und verfahren - Google Patents

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Thomas Schwarz
Markus Boss
Sebastian Wittmann
Tobias Berthold
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Transferieren wenigstens eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, von einem Trägersubstrat (10) zu einem Zielsubstrat (11), wobei das Halbleiterbauelement (2) zumindest eine Kontaktfläche (20) aufweist, die zu zumindest einer Kontaktfläche (21) auf dem Zielsubstrat (11) korrespondiert, wobei zumindest eine der Kontaktflächen (20, 21) ein Lotmaterial (3) aufweist. Die Vorrichtung umfasst hierzu wenigstens eine Lichtvorrichtung, die zur Abgabe eines ersten Lichtpulses (200) auf das Halbleiterbauelement konfiguriert ist, wobei dadurch das Halbleitersubstrat von dem Trägersubstrat (10) gelöst wird. Ein zweiter Lichtpulses (200) nach dem ersten Lichtpuls (200) ist konfiguriert, das Lotmaterial auf der zumindest einen Kontaktfläche (20, 21) aufzuschmelzen, bevor das Halbleiterbauelement (2) das Zielsubstrat (11) erreicht.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Transferieren wenigstens eines Halbleiterbauelements sowie ein Verfahren zum Transferieren wenigstens eines Bauelements.
  • HINTERGRUND
  • Halbleiterbauelemente, darunter auch sogenannte pLEDs müssen von einem Träger bzw. Ausgangssubstrat auf ein Zielsubstrat übertragen werden. Unter dem Begriff „Zielsubstrat“ kann dabei zum einen ein weiterer temporärer Träger verstanden werden, aber auch eine Platine ein PCB ein Backplane oder ähnliches. Zweckmäßigerweise wird hierzu ein Verfahren verwendet, welches eine große Anzahl von Bauelementen in sehr kurzer Zeit übertragen kann. Schwierig wird ein derartiger Transfer vor allem bei kleinen Bauelementen, den oben erwähnten µLEDs, da deren laterale Abmessungen lediglich im Bereich weniger um liegen.
  • Bei einem Transfer von Bauelementen mittels eines sogenannten Laser-Lift-Off Prozesses, werden Bauelemente durch einen Laserimpuls von dem Trägersubstrat abgelöst, um anschließend auf das Zielsubstrat transferiert zu werden. In einem zweiten Schritt wird dann das Bauelement auf dem Zielsubstrat befestigt. Bei konventionellen Transferverfahren ist zu diesem Zweck ein elektrisch isolierender Catch Layer (Silikon, flüssiges Epoxid) notwendig, um die Chips aufzufangen. Dies macht eine elektrische Verbindungstechnik auf dem Zielsubstrat schwierig. Die Verwendung von Lotpasten mit Flussmittel als Catch Layer sind zwar denkbar aber nur mit großem Aufwand strukturierbar. Zudem besteht die Gefahr, dass hohe Laserenergie das Halbleiterbauelement beschädigt.
  • Es besteht daher das Bedürfnis nach Transferverfahren, die zum einen für den Massentransfer geeignet sind und zum anderen ein fehlerhaftes Setzen des Halbleiterbauelements reduzieren.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Diesem Bedürfnis wird mit den Gegenständen der unabhängigen Patentansprüche Rechnung getragen. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Erfinder schlagen für den Transfer ein Bündel geeigneter Maßnahmen vor, um einen derartigen Transfer sicher auszugestalten. Ein wesentlicher Aspekt ist dabei, ein Lot zwischen den Kontaktflächen des Halbleiterbauelements und des Zielsubstrats zur Haftung des Halbleiterbauelement an dem Zielsubstrat vorzusehen, welches mit einem zweiten Laserpuls kurz vor dem Auftreffen des Halbleiterbauelements auf dem Zielsubstrat aufgeschmolzen wird. Mit anderen Worten wird das Lot während des Flugs des Halbleiterbauelements geschmolzen.
  • Dadurch benetzt flüssiges Lot sowohl das Zielsubstrat als auch das Halbleiterbauelement, so dass diesem beim Aufprall nicht wegspringt.
  • In einem Aspekt der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Transferieren wenigstens eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, von einem Trägersubstrat zu einem Zielsubstrat vorgesehen. Dabei umfassen sowohl das Halbleiterbauelement als auch das Zielsubstrat jeweils mindestens eine Kontaktfläche, die zueinander korrespondieren, wobei zumindest eine der Kontaktflächen ein Lotmaterial aufweist. Die Vorrichtung umfasst wenigstens eine Laservorrichtung, die zur Abgabe eines ersten Lichtpulses auf das Halbleiterbauelement zum Lösen von dem Trägersubstrat in Richtung auf das Zielsubstrat konfiguriert ist. Ebenso ist die Vorrichtung zur Abgabe eines zweiten Lichtpulses nach dem ersten Lichtpuls ausgebildet. Der zweite Lichtpuls ist ausgestaltet, das Lotmaterial auf der zumindest einen Kontaktfläche während des Flugs des Halbleitersubstrats aufzuschmelzen, d.h. bevor das Halbleiterbauelement das Zielsubstrat erreicht.
  • Durch diesen Aufschmelzprozess wird eine mechanische Befestigung beim Auftreffen des Halbleiterbauelements bewirkt. Das bei konventionellen Verfahren auftretende Abprallen wird dadurch vermieden. Auf diese Weise wird eine Verbindung geschaffen, die sich wegen des aufgeschmolzenen Lots durch eine hohe Scherfestigkeit bei gleichzeitiger guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit auszeichnet. Wegen der kurzen Schmelzzeiten des Lots wird ein Oxidationsrisiko reduziert und dennoch eine gute Benetzung und Lötverbindung erreicht.
  • Unter dem Begriff Lichtpuls wird ein Lichtstrahl, insbesondere durch einen Laser erzeugt verstanden. Die Begriffe Laserpuls oder auch Lichtpuls werden daher im Sinne dieser Anmeldung synonym verstanden. Es sei jedoch erwähnt, dass die notwendige Energie zum Ablösen und/oder aufschmelzen auch anderweitig zugeführt werden kann, insbesondere durch einen Radiopuls, IR puls, Xenon Pulslampe und ähnliches. Diese Art von Energiezuführung soll ebenso unter den Begriff Lichtpuls fallen.
  • In einem Aspekt ist ein Abstand zwischen dem ersten Lichtpuls und dem zweiten Lichtpuls größer als eine Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls, insbesondere länger als die zehnfache Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls. Dadurch lässt sich der Aufschmelzzeitpunkt gut steuern und so einstellen, dass dieser kurz vor dem Aufprallzeitpunkt des Halbleiterbauelements liegt. Die kurze Zeit reduziert die thermische Belastung auf das Bauelement, da diese gleich nach dem Aufschmelzen auf den Träger trifft, und der eingebrachte Energiebetrag wieder abgeführt wird. Der elektrische, mechanischer und thermischer Interconnect ist nach der Erstarrung des Lotes gebildet.
  • Es hat sich in einigen Aspekten als zweckmäßig herausgestellt, eine Energie oder eine Leistung des zweiten Lichtpulses größer einzustellen als eine Energie oder eine Leistung des ersten Lichtpulses. Dabei wird die eingebrachte Energie möglichst so eingestellt, dass sie zum Aufschmelzen des Lots ausreichend ist. In einigen Aspekten ist hingegen vorgesehen, dass der zweite Lichtpuls direkt auf den ersten Lichtpuls folgt und insbesondere die gleiche Energie oder die gleiche Leistung aufweist. Dies erlaubt gegebenenfalls auch eine besonders einfache Realisierung mit lediglich einem Laser.
  • In diesem Zusammenhang weist in einigen Aspekten die Vorrichtung einen Strahlteiler auf, der ausgestaltet ist, den ersten und zweiten Lichtpuls zu erzeugen. Der zweite Lichtpuls kann dabei verzögert (z.B. durch eine längere Laufstrecke) werden. Ebenso ist es möglich, einen Lichtpuls durch den Strahlteiler in seiner Energie aufzuspalten, so dass die beiden resultierenden Lichtpulse unterschiedliche Energie aufweisen. Alternativ können durch einen Strahlteiler auch 2 Lichtpulse kombiniert werden.
  • Bei dieser Ausgestaltung können erster und zweiter Lichtpuls im Wesentlichen die gleiche Wellenlänge aufweisen. In einigen Aspekten lassen sich hierzu aber auch Lichtpulse mit unterschiedlicher Wellenlänge verwenden. So ist in einigen Ausgestaltungen vorgesehen, dass der erste Lichtpuls eine deutlich kürzere Wellenlänge aufweist als der zweite Lichtpuls. Der erste Lichtpuls kann eine Wellenlänge im Bereich des Ultravioletten, bzw. blauem Spektrum umfassen, während der zweite Lichtpuls im Infratoren Bereich liegt. In einigen Aspekten sind die Wellenlängen beider Lichtpulse und insbesondere des zweiten Lichtpulses auf die Materialien abgestimmt. So sollte der zweite Lichtpuls eine Wellenlänge aufweisen, die gut in dem Lot oder auch der auftreffenden Oberfläche absorbiert wird, um so einen hohen Energieeintrag zu ermöglichen.
  • Einige andere Aspekte beschäftigen sich mit der Orientierung und der Richtung der verschiedenen Lichtpulse. So kann die wenigstens eine Laservorrichtung zur Abgabe des ersten Laserimpulses auf wenigstens eine Seite des Halbleiterbauelements ausgebildet sein, die dem Lotmaterial abgewandt ist. Vereinfacht ausgedrückt, ist die Laservorrichtung so ausgestaltet, dass der erste Lichtpuls auf einer Seite des Halbleiterbauelements auftrifft, die mit dem Trägersubstrat verbunden ist. Diese Seite kann ein Material umfassen, welches zwischen dem Trägersubstrat und dem Halbleiterbauelement angeordnet ist und sich durch den ersten Lichtpuls gut aufheizt oder zumindest seine Haftung deutlich reduziert, so dass das Halbleiterbauelement sich von dem Trägersubstrat löst.
  • Hierzu kann ein Material vorgesehen sein, welches bei dem ersten Laserpuls verdampft. In einigen Aspekten ist das Halbleiterbauelement über eine durch den ersten Lichtpuls ablösbare Halteschicht an dem Trägersubstrat befestigt. Alternativ oder auch zusätzlich kann die Seite des Halbleiterbauelements, auf der der erste Lichtpuls auftritt, eine Aufrauhung oder eine Strukturierung aufweisen.
  • Weitere Aspekte beschäftigen sich mit der Position des Lotmaterials und daraus resultierend der Ausgestaltung des zweiten Lichtpulses zum Aufschmelzen des Lots. In einigen Aspekten ist das Lot auf einer Kontaktfläche des Halbleiterbauelements ausgeführt. Entsprechend ist in dieser Ausführungsform die Laservorrichtung zur Abgabe des zweiten Lichtimpulses derart ausgebildet, dass der zweite Lichtpuls auf das Lotmaterial auf der Kontaktfläche des Halbleiterbauelements oder des Zielsubstrats auftrifft. In einigen Aspekten ist die Laservorrichtung zu Abgabe des zweiten Lichtpulses derart ausgebildet, dass sie auf die mit Lotmaterial bedeckte Kontaktfläche des Halbleiterbauelement trifft. Der zweite Lichtpuls kann somit entgegen der Fallrichtung des Halbleiterbauelement sein oder zumindest schräg, insbesondere weniger als 45° verlaufen. Ein Einstrahlen des zweiten Lichtpulses direkt auf die mit Lot bedeckte Kontaktfläche hat den Vorteil, dass das Lot direkt mit Energie beaufschlagt wird. Eine Wärmeleitung durch das Halbleiterbauelement ist daher nicht notwendig, und die thermische Belastung des Bauelements wird reduziert.
  • In einem anderen Aspekt befindet sich das aufzuschmelzende Lot auf einer Kontaktfläche des Zielsubstrats. Dies ist vorteilhaft, da eine thermische Belastung des Halbleiterbauelement weiter reduziert wird und der Aufschmelzvorgang flexibel gestaltet werden kann. Auch ist ein höherer Energieeintrag erstmal unproblematischer als für das Halbleiterbauelement. In diesem Aspekt ist die Laservorrichtung somit ausgeführt, den zweiten Lichtpuls auf eine mit Lotmaterial bedeckte Kontaktfläche auf dem Zielsubstrat abzugeben. In einigen Aspekten umfasst auch die Kontaktfläche des Halbleiterbauelement eine dünne Lotschicht. Diese kann als Bufferschicht dienen, welche einen Teil der thermischen Energie aufnimmt, wenn das Bauelement auf das geschmolzene Lot trifft.
  • In einigen Aspekten kann somit der zweite Lichtpuls senkrecht, aber auch schräg auf die mit Lotmaterial bedeckte Kontaktfläche treffen.
  • Ein weiterer Aspekt betrifft ein Verfahren zum Transferieren eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, von einem Trägersubstrat auf ein Zielsubstrat, bei dem das Halbleiterbauelement zumindest eine Kontaktfläche aufweist, die zu zumindest einer Kontaktfläche auf dem Zielsubstrat korrespondiert, wobei zumindest eine der Kontaktflächen ein Lotmaterial aufweist. Bei dem Verfahren wird ein erster Lichtpuls erzeugt und auf das Halbleiterbauelement abgegeben zum Lösen des Lableitersubstrat von dem Trägersubstrat. Das Halbleitersubstrat fällt nach dem Lösen in Richtung auf das Zielsubstrat. Sodann wird ein zweiter Lichtpulses nach dem ersten Lichtpuls erzeugt, der so konfiguriert ist, das Lotmaterial während des Flugs des Hableiterbauelements auf der zumindest einen Kontaktfläche aufzuschmelzen.
  • In einigen Aspekten erfolgt der zweite Lichtpuls später als der erste Lichtpuls, so dass beide Lichtpulse auch zeitlich voneinander getrennt sind. Durch zeitliche Wahl des zweiten Lichtpulses, als auch dessen Energie kann sichergestellt werden, dass das Lotmaterial kurz vor dem Auftreffen des Halbleiterbauelements auf die Kontaktfläche des Zielsubstrates geschmolzen ist, so dass das Bauelement dort haften bleibt.
  • Es ist in einigen Aspekten zweckmäßig, den ersten Lichtpuls auf einer Seite auf das Halbleiterbauelement auftreffen zu lassen, die dem Lotmaterial abgewandt ist. In einigen Aspekten kann vorgesehen sein, dass der erste Lichtimpuls durch das Trägersubstrat strahlt, d.h. von „hinten“ auf das Halbleiterbauelement fällt. Dadurch kann in einigen Aspekten ein Verdampfen oder Auflösen einer Haftschicht zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Trägersubstrat erfolgen.
  • In einigen anderen Aspekten kann wiederum vorgesehen sein, dass der zweite Lichtstrahl mit Vorteil direkt auf die mit Lotmaterial bedeckte Kontaktfläche fällt. Eine Einstrahlung des zweiten Lichtpulses kann somit von „vorne“ erfolgen. Somit umfasst in einigen Aspekten der Schritt des Erzeugens des zweiten Lichtpulses ein Abgeben des zweiten Lichtpulses auf Lotmaterial, welches auf einer Kontaktfläche des Halbleiterbauelements angeordnet ist, die der Seite gegenüberliegt.
  • Alternativ kann der zweite Lichtpuls auch auf Lotmaterial abgegeben werden und dieses aufschmelzen, welches sich auf einer Kontaktfläche des Zielsubstrats befindet. Auch dieser Lichtimpuls kann entweder von oben oder von Schräg auf die Kontaktfläche erfolgen, aber auch von unten, d.h. durch das Zielsubstrat hindurch erfolgen. Diese Variante hat den Vorteil, dass eine thermische Belastung des Halbleiterbauelements durch den zweiten Lichtpuls vermieden wird.
  • Figurenliste
  • Weitere Aspekte und Ausführungsformen nach dem vorgeschlagenen Prinzip werden sich in Bezug auf die verschiedenen Ausführungsformen und Beispiele offenbaren, die in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen ausführlich beschrieben werden.
    • 1 zeigt eine Ausführung eines konventionellen Verfahrens zum Transfer von Halbleiterbauelementen;
    • 2 zeigt einen ersten Schritt eines Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelement nach dem vorgeschlagenen Prinzip;
    • 3 stellt einen zweiten Schritt eines Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelements nach dem vorgeschlagenen Prinzip dar;
    • 4 zeigt verschiedene Ausgestaltungen von Halbleiterbauelementen, wie sie für das vorgeschlagene Verfahren geeignet sind;
    • 5 zeigt den zweiten Schritt eines weiteren Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelements mit einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
    • 6 zeigt den zweiten Schritt eines dritten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelements nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
    • 7 stellt den zweiten Schritt eines vierten Ausführungsbeispiels des Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelements nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips dar;
    • 8 ist ein weiteres Beispiel für den zweiten Schritt eines des Verfahrens zum Transferieren eines Halbleiterbauelements nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
    • 9 zeigt einen schematischen Aufbau einer Vorrichtung zum Transferieren von Halbleiterbauelementen nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
    • 10 zeigt ein Diagramm mit einigen charakteristischen Parameters über die Zeit für ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterbauelementen nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips;
    • 11 stellt ein zweites Diagramm mit einigen charakteristischen Parameters über die Zeit für ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterbauelementen nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips dar;
    • 12 ist ein weiteres Diagramm mit einigen charakteristischen Parameters über die Zeit für ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterbauelementen nach einigen Aspekten des vorgeschlagenen Prinzips.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die folgenden Ausführungsformen und Beispiele zeigen verschiedene Aspekte und ihre Kombinationen nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die Ausführungsformen und Beispiele sind nicht immer maßstabsgetreu. Ebenso können verschiedene Elemente vergrößert oder verkleinert dargestellt werden, um einzelne Aspekte hervorzuheben. Es versteht sich von selbst, dass die einzelnen Aspekte und Merkmale der in den Abbildungen gezeigten Ausführungsformen und Beispiele ohne weiteres miteinander kombiniert werden können, ohne dass dadurch das erfindungsgemäße Prinzip beeinträchtigt wird. Einige Aspekte weisen eine regelmäßige Struktur oder Form auf. Es ist zu beachten, dass in der Praxis geringfügige Abweichungen von der idealen Form auftreten können, ohne jedoch der erfinderischen Idee zu widersprechen.
  • Außerdem sind die einzelnen Figuren, Merkmale und Aspekte nicht unbedingt in der richtigen Größe dargestellt, und auch die Proportionen zwischen den einzelnen Elementen müssen nicht grundsätzlich richtig sein. Einige Aspekte und Merkmale werden hervorgehoben, indem sie vergrößert dargestellt werden. Begriffe wie „oben“, „oberhalb“, „unten“, „unterhalb“, „größer“, „kleiner“ und dergleichen werden jedoch in Bezug auf die Elemente in den Figuren korrekt dargestellt. So ist es möglich, solche Beziehungen zwischen den Elementen anhand der Abbildungen abzuleiten.
  • 1 zeigt den schematischen Aufbau einer Vorrichtung 1A zum Transferieren von Halbleiterbauelementen von einem Trägersubstrat auf ein Zielsubstrat. Dabei sind die Halbleiterbauelemente 2' an einem Trägersubstrat 10 mittels einer Kleber- oder einer anderen Haftschicht 12 befestigt. Eine hier nicht gezeigte Laservorrichtung gibt einen ersten Lichtpuls 200 ab, der das transparente Trägersubstrat 10 durchquert und eine Veränderung der Haftschicht 12 bewirkt. Beispielsweise kann eine derartige Veränderung ein Ausbeulen, ein Aufschmelzen oder auch ein Verdampfen von Material in der Haftschicht 12 sein, sodass das mit der Haftschicht 12 verbundene Halbleiterbauelement 2' abgelöst wird und in Richtung auf das Zielsubstrat 11 beschleunigt wird.
  • Das Zielsubstrat 11 weist wiederum einen oder mehrere Kontaktflächen 21 auf, die dem Bauelement 2' zugewandt sind. Derartige Verfahren sind generell bekannt, wobei hier das größte Problem in dem Anhaften des Bauelement 2' auf dem Zielsubstrat mit den darauf befindlichen Elementen 21 besteht. Die Elemente 21 können beispielsweise mit Lötpasten oder ähnlichem bestrichen sein, sodass sie ihrerseits als Haftschicht wirken und ein Wegspringen oder Abprallen des darauf fallenden Halbleiterbauelements verhindern. Alternativ wäre hier auch elektrisch isolierende Haftschichten beispielsweise aus Silikon oder flüssigem oder angehärtetem Epoxyd denkbar. All diesen Lösungen ist jedoch gemein, dass weitere Maßnahmen und Schritte notwendig sind, um eine haftstabile und gegebenenfalls auch elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Halbleiterbauelement 2' und dem Zielsubstrat 11 zu erreichen. Dies ist insbesondere dann zweckmäßig, wenn das Zielsubstrat 11 für sich genommen kein temporärer Träger ist, sondern beispielsweise eine Backplane, ein PCB oder eine andere, bereits elektronische Schaltung aufweisende Struktur beinhaltet. In einem derartigen Fall ist es vorteilhaft, das Halbleiterbauelement bereits auf dafür vorgesehene Kontaktflächen zu bringen, um es anschließend dort zu befestigen.
  • Zu diesem Zweck schlagen die Erfinder ein Verfahren zum Transferieren von Halbleiterbauelementen von einem Trägersubstrat auf ein Zielsubstrat vor, welches in den 2 und 3 mit seinen wesentlichen Schritten dargestellt ist.
  • 2 zeigt dabei den Zustand des Transferverfahrens nachdem bereits einige Halbleiterbauelemente einer Vielzahl von Bauelementen erfolgreich transferiert wurden. Die einzelnen Bauelemente 2 umfassen einen Halbleiterkörper 4 sowie wenigstens zwei Kontaktflächen 20 auf einer dem Zielsubstrat 11 gegenüberliegenden Oberfläche. Weiterhin ist auf den Kontaktflächen 20 der Bauelemente 2 jeweils ein Lotmaterial 3 aufgebracht. Die Kontaktflächen 20 der Bauelemente 2 korrespondieren zu Kontaktflächen 21 auf einem Zielsubstrat 11, d. h. sie besitzen den gleichen Abstand und die jeweilige relative Position zueinander. Die Halbleiterbauelemente 2 sind über eine Haftschicht 12 an einem transparenten Trägersubstrat 10 befestigt.
  • Für einen Transfer auf das Zielsubstrat wird nun in einem ersten Schritt ein erster Laserlichtpuls 200 durch das transparente Trägersubstrat 10 auf die Rückseite der Halbleiterbauelemente 2 eingestrahlt. Die dabei eingebrachte Energie wird teilweise reflektiert und in der Haftschicht 12 absorbiert, wodurch diese sich erwärmt und gegebenenfalls im Interface zwischen dem Halbleiterbauelement 2 und dem Trägersubstrat 10 teilweise verdampft bzw. flüssig wird. In jedem Fall verringert sich durch die eingebrachte Energie die Haftkraft zwischen Haftschicht 12 und dem Halbleiterbauelement derart, dass dieses sich von dem Trägersubstrat und der Haftschicht 12 löst und in Richtung auf das Zielsubstrat 11 fällt.
  • Die Flugzeit des Halbleiterbauelements ergibt sich dabei im Wesentlichen aus dem Abstand zwischen dem Trägersubstrat 10 und dem Zielsubstrat 11 und liegt dabei im Bereich von vielen Nanosekunden bis einigen Mikrosekunden. Dies ergibt sich aus dem Umstand, dass der Ablösevorgang dem Bauelement aufgrund des explosionsartigen Verdampfens der Haftschicht einen Anfangsimpuls mitgibt, so dass deren Anfangsgeschwindigkeit deutlich höher ist. In diesem Zusammenhang ist es zweckmäßig, das Trägersubstrat 10 und das Zielsubstrat 11 möglichst nahe zusammen zu bringen, um mögliche laterale Variationen während des Fluges zu minimieren. Diese können durch nicht senkrechte Kräfte beim Ablösen des Halbleiterbauelements 2 von der Haftschicht 12 entstehen, wodurch dem Halbleiterbauelement 2 ein Geschwindigkeitsvektor nicht nur senkrecht nach unten, sondern auch in eine laterale Richtung mitgegeben wird. Um daher die Auswirkungen diesbezüglich möglichst gering zu halten, ist es zweckmäßig, das Trägersubstrat 10 und das Zielsubstrat 11 möglichst dicht und nahe zueinander auszurichten.
  • 3 zeigt nun den nächsten Schritt des Verfahrens zum Transferieren von Halbleiterbauelementen nach dem vorgeschlagenen Prinzip.
  • Während der Fallzeit des Halbleiterbauelements 2 in Richtung auf das Zielsubstrat 11 und die zu den Kontaktflächen 20 korrespondierenden Kontaktflächen 21 wird rückseitig eine zweiter Laserlichtpuls 210 auf das Halbleiterbauelement 2 abgegeben. Dieser liegt energetisch höher als der erste Laserlichtpuls 200. Alternativ kann er auch länger dauern und/oder eine kürzere Wellenlänge und damit energiereichere Strahlung aufweisen. In jedem Fall ist die durch den zweiten Laserlichtpuls 210 eingebrachte Energie ausreichend, das auf der Oberfläche der Kontaktflächen 20 befindliche Lotmaterial 3 aufzuschmelzen und zumindest teilweise zu verflüssigen.
  • Der Aufschmelzvorgang erfolgt während der Flugphase, d. h. bevor das Halbleiterbauelement die Kontaktflächen 21 auf dem Zielsubstrat 11 erreicht. Das aufgeschmolzene Lot haftet nun bei Auftreffen des Halbleiterbauelements 2 auf dem Zielsubstrat 11 direkt an den Kontaktflächen 21. Der Laserlichtpuls 210 ist zu diesem Zeitpunkt bereits deaktiviert, sodass das aufgeschmolzene Lotmaterial 3 an den Kontaktflächen 21 haftet und dort erstarrt.
  • Auf diese Weise wird nicht nur eine mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterbauelement 2 und dem Zielsubstrat 11 geschaffen, sondern gleichzeitig auch eine elektrische Verbindung. Durch die große Wärmekapazität der Kontaktflächen 21 sowie des Zielsubstrats 11 selbst wird die in dem aufgeschmolzen Lotmaterial vorhandene Energie sowie die im Halbleiterbauelement vorhandene Wärme schnell abgeführt, sodass das Lotmaterial 3 im Wesentlichen bei Auftreffen des Halbleiterbauelements 2 auf den Kontaktflächen 21 fast sofort erstarrt und damit eine mechanische Verbindung gewährleistet ist. Die Ergebnisse eines solchen Transfers sind in den weiteren Bauelementen im linken Teil der 2 und 3 dargestellt. Das Lotmaterial 3 befindet sich dabei zwischen den beiden Kontaktflächen 20 und 21.
  • Die notwendige Laserenergie zum Aufschmelzen des Lotmaterials lässt sich aus der Wärmekapazität des Halbleiterbauelements und des Lotmaterials abschätzen. Ein mögliches Lotmaterial ist beispielsweise Zinn, welches auf der Kontaktfläche 20 vor dem Transfervorgang abgeschieden wird. Bei einer möglichen Kontaktfläche von 50 × 50 um sowie einer Dicke der Lotkontaktschicht von 3 um ergibt sich ein Gesamtvolumen im Bereich von 7500 µm3. Bei einer Dichte von Zinn mit 6,5 g/cm3 folgt daraus eine Masse von etwa 4,9 Nanogramm. Diese Masse muss nun zum einen durch die Energie des Laserstahls erwärmt und anschließend geschmolzen werden. Der Schmelzpunkt von Zinn liegt in etwa bei 232 °C, so dass sich eine Differenz von ungefähr 210K ergibt. Bei einer spezifischen Wärmekapazität von 222 J/kg/K ergibt sich eine notwendige Energie von etwa 2,2 µJ, um das Zinn auf der Kontaktfläche auf die Schmelztemperatur zu bringen. Hinzu kommt die Schmelzenergie von etwa 3 µJ, die sich aus der spezifischen Schmelzwärme von den etwa 7 kJ/mol Mol ergibt.
  • Demgegenüber steht eine typische Laserenergie zum Ablösen des Halbleiterbauelements vom Trägersubstrat im Bereich von etwa 2 µJ. Dies bedeutet, dass für den eigentlichen Schmelzvorgang in etwa die dreifache Menge an Energie notwendig ist. Hinzu kommt noch ein Energiebeitrag, da ein Teil der aufgebrachten Laserenergie ebenfalls das Halbleiterbauelement erwärmt.
  • Die für das Laserlicht verwendeten Vorrichtungen, beispielsweise Excimerlaser, besitzen die notwendige Energie, um mittels sehr kurzer Pulse im Pikosekundenbereich zum einen das Ablösen des Halbleiterlasers von dem Trägersubstrat zu bewirken und zum anderen das Lotmaterial während des Fluges aufzuschmelzen.
  • Dabei kann vorgesehen sein, eine Laservorrichtung für beide Bestrahlungsvorgänge zu verwenden und den von der Laservorrichtung abgegebenen Lichtpuls entsprechend aufzuteilen. Beispielsweise wird ein Teil des Lichtpulses ausgekoppelt und für das Ablösen des Halbleiterbauelements vom Trägersubstrat verwendet. Der zweite, größere Teil wird zeitlich verzögert, beispielsweise durch eine zusätzliche Laufstrecke und anschließend wieder auf den Halbleiterkörper während der Flugphase gestrahlt. Bei einem Abstand zwischen dem Trägersubstrat und dem Zielsubstrat von etwa 50 um liegt die Flugzeit des Halbleiterbauelements aufgrund der Erdbeschleunigung von 9,81 m/s2 und bei freiem Fall im Vakuum im Bereich von 3 ms ohne Berücksichtigung des oben erwähnten Anfangsimpulses. In der Praxis ist die Flugzeit aufgrund eines Anfangsimpulses im Bereich von µ Sekunden oder sogar darunter. Es besteht also die Möglichkeit, sowohl einen einzelnen Laser als auch zwei verschiedene Laser für die beiden Verfahrensschritte zu verwenden.
  • 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei der zwei Laservorrichtungen 20 und 21 zur Erzeugung und Abgabe des ersten Lichtpulses 200 bzw. des zweiten Lichtpuls 210 ausgerüstet sind. Die beiden Laservorrichtungen geben ihre jeweiligen Lichtpulse an einen Strahlteiler 220 ab, der teiltransparent ausgestaltet ist. Der erste Lichtpuls 200 wird vom Strahlteiler 220 umgeleitet und dient zur Ablösung des Halbleiterbauelements vom Trägersubstrat 10. Zeitverzögert wird ein zweiter Lichtpuls 210 von der zweiten Laservorrichtung 21 erzeugt, der das Lotmaterial auf den Kontaktflächen des Halbleiterkörpers während des Fluges aufschmilzt, bevor dieser die korrespondierenden Kontaktflächen auf dem Zielsubstrat 11 erreicht. Die beiden Laservorrichtungen 20 und 21 sind hierzu zur Erzeugung von Laserpulsen unterschiedlicher Wellenlänge ausgeführt. Während die Vorrichtung 20 einen Laserpuls 200 im ultravioletten oder blauen Teil des Spektrums abgibt, erzeugt die Vorrichtung 210 einen Laser im infraroten Bereich. Dabei sind die Wellenlängen jeweils auf das Material abgestimmt, in dem sie absorbiert werden sollen. Insofern sind somit verschiedene Wellenlängen möglich und die oben genannten Bereiche sind lediglich beispielhaft zu verstehen.
  • 4 zeigt diesbezüglich verschiedene Halbleiterbauelemente, die für ein derartiges Transferverfahren geeignet sind. In der 4A ist ein Bauelement dargestellt, welches einen Halbleiterkörper 4 umfasst, auf dessen Oberfläche mehrere Kontaktflächen 20 angeordnet sind. Auf den Kontaktflächen 20 ist ein Lotmaterial 3 beispielsweise aus Zinn aufgebracht. Auf der den Kontaktflächen 20 gegenüberliegenden Rückseite ist das Halbleiterbauelement 2 an der Haftschicht 12 befestigt.
  • 4B zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelement 2, welches diesmal als optoelektronisches Bauelement ausgebildet ist. Dieses umfasst einen Halbleiterkörper 4', mit einer aktiven Zone 41. Befestigt ist das optoelektronische Bauelement über eine Klebeschicht 12' an der Haftschicht 12. Beim Ablösen durch einen Laserlichtpuls wird diese zusätzliche Kleberschicht 12' verdampft. Das erzeugte Gas löst das Halbleiterbauelement von der Haftschicht 12 ab.
  • 4C zeigt schließlich eine weitere Ausführungsform eines Halbleiterbauelement 2, bei der die den Kontaktflächen 20 abgewandte Oberfläche 40 des Bauelements aufgeraut ist. Die Aufrauhung bewirkt beim Ablösen des Bauelements einen verbesserten Energietransfer, sodass sich dieses zum einen leichter von der Haftschicht ablösen lässt und zum anderen der Aufschmelzvorgang für das Lotmaterial 3 beschleunigt wird.
  • Zu der Möglichkeit, den zweiten Laserlichtpuls direkt auf das Bauelement einzustrahlen bestehen mehrere Alternativen, bei der der zweite Lichtpuls entlang einer anderen Richtung auf das Halbleiterbauelement abgegeben wird. Darüber hinaus ist es möglich, dass Lotmaterial 3 nicht auf den Kontaktflächen des Halbleiterbauelements, sondern auf den Kontaktflächen 21 des Zielsubstrats 11 aufzubringen und dort aufzuschmelzen. Dies hat den Vorteil, dass der zusätzliche für das Aufschmelzen benötigte Energieeintrag in das Halbleiterbauelement vermieden wird, sodass dieses keine größere thermische Belastung erfährt. Zudem kann der Aufschmelzvorgang vollständig unabhängig vom erste Lichtpuls und damit vom Ablösevorgang gesteuert werden.
  • 5 zeigt ein derartiges Ausführungsbeispiel. Bei diesem wird nach dem Ablösen des Halbleiterbauelements 2 von der Haftschicht 12 kurz vor Auftreffen desselben auf dem Zielsubstrat 11 ein zweiter Lichtpuls erzeugt und auf die Kontaktflächen 21 des Zielsubstrats gelenkt. Die Kontaktflächen 21 des Zielsubstrats 11 sind mit einem Lotmaterial 3 bedeckt, welches durch den zweiten Laserpuls aufgeschmolzen wird. Der zweite Laserlichtpuls wird hierzu wie in der 5 dargestellt von unten durch das Zielsubstrat auf die Kontaktflächen 21 gestrahlt. Dabei ist das Zielsubstrat 11 für die Lichtwellenlänge des zweiten Lichtpulses transparent. Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass der Laserstrahl nicht durch das fallende Halbleiterbauelement verdeckt bzw. abgeschattet wird. Auch wird auf diese Weise eine Reflexion vom Lotmaterial auf das fallende Bauelement vermieden oder zumindest reduziert. Alternativ ist es jedoch auch möglich, den zweiten Laserlichtpuls 210 von oben bzw. seitwärts auf die Kontaktflächen 21 zu strahlen, um das dort vorhandene Lotmaterial 3 aufzuschmelzen. Der Aufschmelzvorgang ist abgeschlossen, wenn das Halbleiterbauelement 2 auf die Kontaktflächen 21 auftrifft.
  • 6 zeigt eine weitere alternative Ausgestaltungsform, bei der der Laserstrahl 210 nicht durch das Ausgangssubstrat 10, sondern seitwärts auf das fallenden Halbleiterbauelement 2 eingestrahlt wird. Im Ausführungsbeispiel erfolgt die Einstrahlung in dieser Form von der Seite her, sodass sowohl der Halbleiterkörper 4 des Halbleiterbauelements 2 als auch das Lotmaterial 3 gleichmäßig vom Laserstrahl ausgeleuchtet und aufgewärmt wird. In einer weiteren Ausgestaltungsform wird der zweite Lichtpuls 210 von unten, d. h. von der Seite des Zielsubstrats 11 auf die Kontaktflächen 20 des fallenden Bauelements 2 gelenkt und schmilzt dort das vorhandene Lotmaterial 3 auf. Diese Ausgestaltung hat wie die Ausgestaltung der 5 den Vorteil, dass weniger Energieeintrag zum Aufschmelzen notwendig ist und damit die thermische Belastung des Halbleiterbauelements verringert wird.
  • Eine weitere Ausgestaltungsform zeigt die 7. Bei dieser ist sowohl ein Lotmaterial 3 auf den Kontaktflächen 21 des Zielsubstrats aufgebracht, als auch ein Lobmaterial 3' auf den Kontaktflächen des Halbleiterbauelements 2. Das Lotmaterial 3' dient als zusätzlicher Wärmepuffer. Es bewirkt, dass das Bauelement generell nicht wärmer wird als die Schmelztemperatur des Lotmaterials (diese Eigenschaft ist auch in den anderen Ausführungen vorhanden), da zusätzlich eingebrachte Energie dazu dient, die notwendige Schmelzenergie zu erzeugen, ohne aber die Temperatur weiter zu erhöhen. Durch eine Anpassung des Lots kann so ein thermisch sensible Halbleiterbauelement geschützt werden.
  • Bei dem hier vorgestellten Ausführungsbeispiel wird der zweite Laserlichtpuls 210 auf das Lotmaterial 3 auf den Kontaktflächen 21 des Zielsubstrats 11 gestrahlt und schmilzt dort das Lotmaterial auf. Beim Auftreffen des Halbleiterkörpers 2 auf die Kontaktflächen 21 mit dem aufgeschmolzen Lot 3 verbindet sich dieses nun mit dem Lotmaterial 3' auf den Kontaktflächen 20 und es erfolgt eine Wärmeübertragung. Je nach eingebrachte Energiemenge in das Material 3 reicht diese Wärmeübertragung zumindest teilweise dazu aus, dass Lotmaterial 3' wenigstens an der Oberfläche aufzuschmelzen bzw. so weich zu machen, dass es sich gut mit dem sich abkühlenden Lotmaterial 3 verbindet. In jedem Fall wirkt das Lotmaterial 3' auf den Kontaktflächen 20 auch als zusätzliche Wärmesenke und reduziert die thermische Belastung auf den Halbleiterkörper 2.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist es auch denkbar sowohl das Lotmaterial 3 auf dem Zielsubstrat, als auch das Lotmaterial 3' auf dem Halbleiterbauelement aufzuschmelzen. Dies kann durch einen gemeinsamen Lichtpuls erfolgen, der beide Lotmaterialen trifft, z.B. kurz vor dem Auftreffen, oder auch durch einen weiteren dritten Lichtpuls.
  • Neben der Übertragung von Halbleiterbauelementen und auch horizontalen optoelektronischen Bauelementen in den vorangegangenen Figuren lassen sich auch vertikale optoelektronische Bauelemente mit dem vorgeschlagenen Prinzip transferieren.
  • 8 zeigt hierzu ein Ausführungsbeispiel zum Transfer von optoelektronischen Bauelementen. Die optoelektronischen Bauelemente weisen dabei einen ersten Kontaktbereich 20 auf einer ersten Seite auf sowie einen zweiten Kontaktbereich 20' auf einer gegenüberliegenden zweiten Seite. Sie sind somit als vertikale Leuchtdioden bzw. vertikale pLEDs ausgeführt. Auf der dem Zielsubstrat zugewandten Seite der Bauelemente ist auf deren Kontaktfläche ein Lotmaterial 3 in einer dünnen Schicht aufgebracht. Während des Transfervorgangs wird nach einem ersten Lichtpuls zum Ablösen der Bauelemente von der Haftschicht 12 des Trägersubstrats 10 ein zweiter Lichtpuls in der letzten Flugphase auf das Bauelement gestrahlt. Dieses schmilzt das auf der Kontaktfläche 20 befindliche Lot auf, sodass es sich mit der korrespondierenden Kontaktflächen 21 auf dem Zielsubstrat bei Auftreffen mechanisch und thermisch verbindet. Auch hier ist der Aufschmelzvorgang vor dem Auftreffen des Bauelementes im Wesentlichen abgeschlossen.
  • Die 10, 11 und 12 zeigen nun verschiedene Zeit, Energie und Temperaturdiagramme, die zum einen die unterschiedlichen Flugphasen der Halbleiterbauelemente während des Transfervorgangs verdeutlichen und zum anderen die dazu korrespondierenden Temperaturen und Lichtpulse darstellen.
  • In 10 werden zwei voneinander beabstandete kurze Lichtpulse 200 bzw. 210 im Pikosekundenbereich erzeugt. Der erste Lichtpuls 200 dient zum Ablösen des Halbleiterbauelements von dem Trägersubstrat, welches sich dargestellt in der Kurve K1 mit beschleunigter Bewegung in Richtung auf das Zielsubstrat bewegt. Dabei kann dem Halbleiterbauelement ein zusätzlicher Impuls, beispielsweise durch verdampftes Material des Trägersubstrats oder einer Haftschicht mitgegeben werden, so dass das Bauelement eine höhere Anfangsgeschwindigkeit besitzt.
  • Gleichzeitig zeigt die Kurve K2 den Temperaturverlauf über das Bauelement. Wie zu erkennen, erzeugt der erste Lichtimpuls einen Temperaturanstieg im Bauelement jedoch noch unterhalb der Schmelztemperatur Tschmelz des auf den Kontaktflächen aufgebrachten Lots ist.
  • Während der Flugphase insbesondere zu Ende der Flugphase hin wird nun ein zweiter Lichtpuls 210 erzeugt und auf die Kontaktflächen des Halbleiterbauelements eingestrahlt. Dieser zweite Lichtpuls besitzt eine höhere Energie als der erste Lichtpuls und bewirkt so einen steilen Anstieg in der Temperatur des Lotmaterials über die Schmelztemperatur Tschmelz hinweg. Das auf den Kontaktflächen des Halbleiterkörpers aufgebrachte Lot wird auf so geschmolzen und beginnt anschließend entsprechend durch Wärmeverlust (z.B. Abstrahlung oder Wärmeleitung) für die restliche Flugphase in der Temperatur leicht abzunehmen. Zum Zeitpunkt T1 trifft das Bauelement auf die Kontaktflächen 21 auf dem Zielsubstrat und das Lot tritt in Kontakt mit den korrespondierenden Kontaktflächen. Durch die deutlich geringere Temperatur und die große Wärmekapazität dieser zusätzlichen Kontaktflächen 21 erstarrt das Lot und verbindet die beiden Kontaktflächen 20 und 21 mechanisch sowie elektrisch miteinander .
  • Die Abstände zwischen dem ersten und dem zweiten Laserlichtpuls können dabei den Bedürfnissen angepasst werden. Der zweite Lichtpuls sollte jedoch vor dem Auftreffen beendet sein, so dass das Lot geschmolzen ist (dieser Aspekt ist unabhängig davon, ob das Lot auf den Kontaktflächen 20 oder 21 aufgebracht ist). Andernfalls besteht die Gefahr eines Bouncing-offs, d.h. eines Abprallens so dass sich eventuell die laterale Position oder auch die Neigung des Bauelements stark ändert und so die elektrische Funktion beeinträchtigt wird.
  • Alternativ kann auch eine deutlich vereinfachte Ausführungsform zum Einsatz kommen, bei der der erste Lichtpuls 200 und der zweite Lichtpuls 210 zum Aufschmelzen des Lotmaterials unmittelbar aufeinanderfolgen.
  • 11 zeigt ein derartiges Ausführungsbeispiel. Bei diesem wird mittels des ersten Lichtpulses das Ablösen des Halbleiterbauelements bewirkt, welches sich anschließend im freien Fall entlang der Kurve K1 in Richtung auf das Zielsubstrat bewegt. Zum Zeitpunkt T1 hat es das Zielsubstrat erreicht. Nach dem ersten Lichtpuls wird unmittelbar ein zweiter Lichtpuls 210 erzeugt, der die Temperatur des Slots auf den Kontaktflächen über die Schmelztemperatur bringt und damit ein Aufschmelzen des Slots bewirkt. Dieser zweite Lichtpuls kann wie dargestellt die gleiche Energie wie der erste Lichtpuls besitzen, aber in seiner Energie auch größer oder kleiner gewählt sein. Wesentlich ist, dass die Leistung des zweiten Lichtpulses so gewählt ist, dass das Lotmaterial im Wesentlichen durch den Energieeintrag des zweiten Lichtpulses und nicht des ersten Lichtpulses aufschmilzt.
  • Während der Flugphase reduziert sich die Temperatur des geschmolzenen Lots, bis das Bauelement die zweiten Kontaktflächen auf dem Zielsubstrat erreicht. Durch die Verbindung zwischen den Kontaktflächen mittels des Lotmaterials wird die im Lotmaterial vorhandene Wärme schnell abgeführt, das Lot erstarrt und die Temperatur sinkt exponentiell ab.
  • 12 zeigt schließlich das Temperaturdiagramm für eine Ausgestaltungsform, bei der das Lotmaterial auf den Kontaktflächen des Zielsubstrats und zusätzlich als Wärmepuffer auf den Kontaktflächen des Bauelements aufgebracht ist. Die Temperaturkurve T ist in diesem Fall die Temperatur des Bauelements. Mit dem ersten Lichtpuls 200 wird das Bauelement abgelöst und beginnt in Richtung auf die Kontaktfläche zu fallen. Der zweite Lichtpuls schmilzt das Lot auf der Kontaktseite auf und erwärmt auch das Lot auf den Kontaktflächen des Halbleiterbauelements. Aufgrund des Wärmepuffers steigt jedoch die Temperatur des Bauelements nicht über die Schmelztemperatur an, so dass das Bauteil geschützt ist. In diesem Ausführungsbeispiel sinkt anschließend die Schmelztemperatur leicht ab, bis das Bauelement zum Zeitpunkt T1 auf die Kontaktflächen trifft. Ab diesem Zeitpunkt sinkt die Temperatur wieder, die beiden Lotflächen verbunden aushärten. Durch das zusätzliche Lotmaterial 3' auf den Kontaktflächen 20 des Halbleiterbauelements steigt die Temperatur des Bauelements nicht über die Schmelztemperatur an, sondern bleibt grundsätzlich leicht darunter. Dies hat den Vorteil, dass die thermische Belastung auf das Bauelement selbst verringert wird.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 1a
    Vorrichtung
    2, 2'
    Halbleiterbauelement
    3
    Lotmaterial
    4
    Halbleiterkörper
    4'
    optoelektronisches Bauelement
    10
    Trägersubstrat
    11
    Zielsubstrat
    12
    Haftschicht
    12'
    Klebeschicht
    20
    Kontaktfläche
    20'
    Kontaktfläche
    21
    Kontaktfläche
    40
    Oberfläche
    41
    aktive Zone
    200
    erster Lichtpuls
    210
    zweiter Lichtpuls

Claims (18)

  1. Vorrichtung zum Transferieren wenigstens eines Halbleiterbauelements (2), insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, von einem Trägersubstrat (10) zu einem Zielsubstrat (11), wobei das Halbleiterbauelement (2) zumindest eine Kontaktfläche (20) aufweist, die zu zumindest einer Kontaktfläche (21) auf dem Zielsubstrat (11) korrespondiert, wobei zumindest eine der Kontaktflächen (20, 21) ein Lotmaterial (3) aufweist, die Vorrichtung umfassend: - wenigstens eine Lichtvorrichtung, die konfiguriert ist: - zur Abgabe eines ersten Lichtpulses (200) auf das Halbleiterbauelement, zum Lösen von dem Trägersubstrat (10) in Richtung auf das Zielsubstrat (11); - zur Abgabe eines zweiten Lichtpulses (210) nach dem ersten Lichtpuls (200), der konfiguriert ist, das Lotmaterial (3) auf der zumindest einen Kontaktfläche (20, 21) aufzuschmelzen, bevor das Halbleiterbauelement (2) das Zielsubstrat (11) erreicht.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der ein Abstand zwischen dem ersten Lichtpuls (200) und dem zweiten Lichtpuls (210) größer ist als eine Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls (200, 210), insbesondere länger ist als die zehnfache Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls.
  3. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der eine Energie oder eine Leistung des zweiten Lichtpulses (210) größer ist als eine Energie oder eine Leistung des ersten Lichtpulses (200) .
  4. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der der zweite Lichtpuls (210) direkt auf den ersten Lichtpuls (200) folgt und insbesondere die gleiche Energie oder die gleiche Leistung aufweist.
  5. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die wenigstens eine Lichtvorrichtung zur Abgabe des ersten Laserimpulses (200) auf wenigstens eine Seite des Halbleiterbauelements (2) ausgebildet ist, die dem Lotmaterial (3) abgewandt ist.
  6. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Seite des Halbleiterbauelements (2) eine Aufrauhung (40) oder eine Strukturierung aufweist.
  7. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterbauelement über eine durch den ersten Lichtpuls (200) ablösbare Halteschicht (12) an dem Trägersubstrat (10) befestigt ist.
  8. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Lichtvorrichtung zur Abgabe des zweiten Lichtimpulses auf wenigstens eine mit Lotmaterial (3) bedeckte Kontaktfläche (20) des Halbleiterbauelements (2) ausgebildet ist.
  9. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, bei der die Lichtvorrichtung zur Abgabe des zweiten Lichtpulses (210) auf eine mit Lotmaterial (3) bedeckte Kontaktfläche (21) des Zielsubstrats (11) ausgebildet ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine wenigstens eine Kontaktfläche (20) des Halbleiterbauelements (2) mit einem Lotmaterial (3) bedeckt ist.
  11. Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Lotmaterial (3) bei Erreichen des Zielsubstrats (11) geschmolzen ist.
  12. Verfahren zum Transferieren eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines optoelektronischen Bauelements, von einem Trägersubstrat (10) auf ein Zielsubstrat (11), bei dem das Halbleiterbauelement (2) zumindest eine Kontaktfläche () aufweist, die zu zumindest einer Kontaktfläche () auf dem Zielsubstrat (11) korrespondiert, wobei zumindest eine der Kontaktflächen (20, 21) ein Lotmaterial (3) aufweist, umfassend die Schritte: - Erzeugen eines ersten Lichtpulses (200) und Abgeben auf das Halbleiterbauelement (2) zum Lösen von dem Trägersubstrat (10) in Richtung auf das Zielsubstrat; - Erzeugen eines zweiten Lichtpulses (210) nach dem ersten Lichtpuls (200), der konfiguriert ist, das Lotmaterial () während des Flugs des Hableiterbauelements auf der zumindest einen Kontaktfläche () aufzuschmelzen.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem ein zeitlicher Abstand zwischen dem ersten Lichtpuls (200) und dem zweiten Lichtpuls (210) größer ist als eine Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls (200, 210), insbesondere länger ist als die zehnfache Pulsdauer zumindest eines aus dem ersten und dem zweiten Lichtpuls.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei dem eine Energie oder eine Leistung des zweiten Lichtpulses (210) größer ist als eine Energie oder eine Leistung des ersten Lichtpulses (200).
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 14, bei dem der erste Lichtpuls (200) auf einer Seite auf das Halbleiterbauelement (2) aufritt, die dem Lotmaterial (3) abgewandt ist, insbesondere durch das Trägersubstrat (11) strahlt.
  16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 12 bis 15, bei dem der Schritt des Abgebens des ersten Lichtpulses (200) auf das Halbleiterbauelement (2) ein vollständiges oder teilweise Verdampfen oder Auflösen einer Haftschicht (12) zwischen dem Halbleiterbauelement (2) und dem Trägersubstrat (10) umfasst.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 15 bis 16, bei dem der Schritt des Erzeugens des zweiten Lichtpulses (210) ein Abgeben des zweiten Lichtpulses (200) auf Lotmaterial (30) umfasst, welches auf einer Kontaktfläche (20) des Halbleiterbauelements (2) angeordnet ist, die der Seite gegenüberliegt.
  18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 15 bis 16, bei dem der Schritt des Erzeugens des zweiten Lichtpulses (200) ein Abgeben des zweiten Lichtpulses auf eine, wenigstens eine mit Lotmaterial (3) bedeckte Kontaktfläche (21) des Zielsubstrats (11) umfasst.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170288102A1 (en) 2016-04-04 2017-10-05 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
US20170373046A1 (en) 2014-12-19 2017-12-28 Glo Ab Light emitting diode array on a backplane and method of making thereof
US20200395503A1 (en) 2019-06-11 2020-12-17 Facebook Technologies, Llc Curing pre-applied and laser-ablated underfill via a laser
US20210057258A1 (en) 2019-08-23 2021-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser transfer apparatus and transfer method using the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3289605A2 (de) * 2015-04-28 2018-03-07 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Transfer und löten von chips
DE102018126936A1 (de) * 2018-10-29 2020-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170373046A1 (en) 2014-12-19 2017-12-28 Glo Ab Light emitting diode array on a backplane and method of making thereof
US20170288102A1 (en) 2016-04-04 2017-10-05 Glo Ab Through backplane laser irradiation for die transfer
US20200395503A1 (en) 2019-06-11 2020-12-17 Facebook Technologies, Llc Curing pre-applied and laser-ablated underfill via a laser
US20210057258A1 (en) 2019-08-23 2021-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser transfer apparatus and transfer method using the same

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