DE102021201126A1 - COMPONENT CONNECTION, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR DESIGNING A COMPONENT CONNECTION - Google Patents

COMPONENT CONNECTION, LITHOGRAPHY SYSTEM AND METHOD FOR DESIGNING A COMPONENT CONNECTION Download PDF

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Abstract

Eine Bauteilverbindung (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), umfassend:
ein erstes Bauteil (210) mit einem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten, wobei das erste Bauteil (210) einen ersten Hauptkörper (211) und einen ersten Biegebereich (212) aufweist, welcher einstückig mit dem ersten Hauptkörper (211) gebildet ist und von diesem absteht; und
ein zweites Bauteil (220) mit einem zweiten Temperaturausdehnungskoeffizienten, der von dem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten unterschiedlich ist, wobei das zweite Bauteil (220) einen zweiten Hauptkörper (221) und zweiten Biegebereich (222) aufweist, welcher einstückig mit dem zweiten Hauptkörper (221) gebildet ist; wobei:
der erste und zweite Biegebereich (212, 222) entlang einer Kontaktebene (201) miteinander verbunden sind; und
der erste und der zweite Biegebereich (212, 222) dazu eingerichtet sind, sich bei Temperaturänderungen der Bauteilverbindung (200) und daraus resultierenden Längenänderungen der Bauteilverbindung (200) zu verbiegen.

Figure DE102021201126A1_0000
A component connection (200) for a lithography system (100A, 100B), comprising:
a first component (210) having a first coefficient of thermal expansion, the first component (210) having a first main body (211) and a first bending region (212) which is formed in one piece with the first main body (211) and protrudes therefrom; and
a second component (220) with a second coefficient of thermal expansion that is different from the first coefficient of thermal expansion, the second component (220) having a second main body (221) and a second bending region (222) which is formed in one piece with the second main body (221) is; whereby:
the first and second bending regions (212, 222) are connected to one another along a contact plane (201); and
the first and the second bending area (212, 222) are set up to bend when the temperature of the component connection (200) changes and the length of the component connection (200) changes therefrom.
Figure DE102021201126A1_0000

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bauteilverbindung, eine Lithographieanlage mit einer derartigen Bauteilverbindung und ein Verfahren zum Auslegen einer derartigen Bauteilverbindung.The present invention relates to a component connection, a lithography system with such a component connection and a method for designing such a component connection.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components such as integrated circuits. The microlithography process is carried out with a lithography system which has an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is projected by means of the projection system onto a substrate, for example a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system, in order to create the mask structure on the light-sensitive coating of the substrate transferred to.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.Driven by the striving for ever smaller structures in the production of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed which use light with a wavelength in the range from 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm. In such EUV lithography systems, because of the high absorption of most materials of light of this wavelength, reflective optics, that is, mirrors, must be used instead of - as before - refractive optics, that is, lenses.

Optische Elemente der Lithographieanlage, wie zum Beispiel Spiegel oder Linsen, sind häufig aus Glas oder Keramik gefertigt und werden jeweils an einem Rahmen befestigt, der eine Befestigung und Orientierung des optischen Elements innerhalb der Lithographieanlage ermöglicht. Solche Rahmen sind häufig aus Metall gefertigt. Aufgrund des Unterschieds zwischen den thermalen Ausdehnungskoeffizienten des optischen Elements und des Rahmens, kann es bei Temperaturunterschieden, die zum Beispiel während des Transports der Lithographieanlage auftreten, zu unterschiedlichen Verformungen des optischen Elements und des Rahmens kommen, wodurch große Spannung an den Verbindungsstellen der zwei Bauteile entstehen können. Solche Spannungen können zu Schäden in der Verbindung zwischen dem optischen Element und dem Rahmen führen. Die Schäden können zu einem Lösen des optischen Elements aus dem Rahmen und/oder zu einer Verschlechterung der Abbildungsqualität führen.Optical elements of the lithography system, such as mirrors or lenses, are often made of glass or ceramic and are each attached to a frame that enables the optical element to be attached and oriented within the lithography system. Such frames are often made of metal. Due to the difference between the thermal expansion coefficients of the optical element and the frame, temperature differences that occur, for example, during the transport of the lithography system, can lead to different deformations of the optical element and the frame, which creates great stress at the connection points of the two components be able. Such stresses can lead to damage in the connection between the optical element and the frame. The damage can lead to the optical element becoming detached from the frame and / or to a deterioration in the imaging quality.

In dem Dokument DE 10 2009 014972 A1 werden Lager vorgesehen, die Federn umfassen und eine Bewegung des optischen Elements von einer Bewegung eines Fassungskörpers entkoppeln. Dadurch wird das optische Element bei Wärmeausdehnungen in der richtigen Lage gehalten.In the document DE 10 2009 014972 A1 bearings are provided which include springs and decouple a movement of the optical element from a movement of a mount body. This keeps the optical element in the correct position in the event of thermal expansion.

Die Dokumente WO 02/16993 A1 , US 2012/0214675 A1 und US 9,417,422 B2 offenbaren ebenfalls Lösungen, in denen nachgiebige Federgelenke zwischen den miteinander verbundenen Bauteilen vorgesehen sind, die sich bei unterschiedlicher Temperaturausdehnung zwischen den Bauteilen verformen.The documents WO 02/16993 A1 , US 2012/0214675 A1 and US 9,417,422 B2 also disclose solutions in which resilient spring hinges are provided between the components connected to one another, which are deformed in the event of different thermal expansion between the components.

In den beschriebenen Lösungen ist eine Befestigung des Federgelenks notwendig, was in einigen Fällen aufwendig ist. Da in solchen Federgelenken ferner sehr hohe Spannungen auftreten können, werden zudem für Federgelenke duktile Werkstoffe bevorzugt, die nicht spröde brechen.In the solutions described, a fastening of the spring joint is necessary, which is expensive in some cases. Since very high stresses can also occur in such spring joints, ductile materials that do not break in a brittle manner are also preferred for spring joints.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Bauteilverbindung bereitzustellen. Weitere Aufgaben bestehen darin, eine verbesserte Lithographieanlage und ein verbessertes Verfahren zum Auslegen einer Bauteilverbindung bereitzustellen.Against this background, it is an object of the present invention to provide an improved component connection. Further objects are to provide an improved lithography system and an improved method for designing a component connection.

Gemäß einem ersten Aspekt wird eine Bauteilverbindung für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Bauteilverbindung umfasst:

  • ein erstes Bauteil mit einem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten, wobei das erste Bauteil einen ersten Hauptkörper und einen ersten Biegebereich aufweist, welcher einstückig mit dem ersten Hauptkörper gebildet ist und von diesem absteht; und
  • ein zweites Bauteil mit einem zweiten Temperaturausdehnungskoeffizienten, der von dem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten unterschiedlich ist, wobei das zweite Bauteil einen zweiten Hauptkörper und einen zweiten Biegebereich aufweist, welcher einstückig mit dem zweiten Hauptkörper gebildet ist; wobei:
    • der erste und zweite Biegebereich entlang einer Kontaktebene miteinander verbunden sind; und
    • der erste und der zweite Biegebereich dazu eingerichtet sind, sich bei Temperaturänderungen der Bauteilverbindung und daraus resultierenden Längenänderungen der Bauteilverbindung zu verbiegen.
According to a first aspect, a component connection for a lithography system is proposed. The component connection includes:
  • a first component having a first coefficient of thermal expansion, the first component having a first main body and a first bending region which is formed in one piece with the first main body and protrudes therefrom; and
  • a second component having a second coefficient of thermal expansion that is different from the first coefficient of thermal expansion, the second component having a second main body and a second bending region which is formed integrally with the second main body; whereby:
    • the first and second bending regions are connected to one another along a contact plane; and
    • the first and the second bending area are set up to bend in the event of temperature changes of the component connection and resulting changes in length of the component connection.

Bei Temperaturänderungen verbiegen sich die Biegebereiche und verhindern dabei, dass hohe Spannungen in der Verbindung zwischen den Bauteilen auftreten, die die Verbindung beschädigen könnten. Die zwei Biegebereiche dienen dazu, unterschiedliche Ausdehnungen der zwei Bauteile, die bei Temperaturänderungen entstehen, zu kompensieren. Mithilfe der einstückig mit den Bauteilen gebildeten Biegebereiche kann auf einfache Weise verhindert werden, dass die Verbindung zwischen den Bauteilen bei Temperaturänderung beschädigt wird. Somit wird eine Bauteilverbindung geschaffen, die die zwei Bauteile auch bei Temperaturänderungen, die beispielsweise während des Transports auftreten, verlässlich miteinander verbindet.When the temperature changes, the bending areas bend and prevent high stresses from occurring in the connection between the components, which could damage the connection. The two bending areas are used to compensate for different expansions of the two components that arise when the temperature changes. With the aid of the bending areas formed in one piece with the components, it is possible in a simple manner to prevent the connection between the components from being damaged when the temperature changes. This creates a component connection that reliably connects the two components to one another even in the event of temperature changes that occur, for example, during transport.

Das erste Bauteil ist beispielsweise ein optisches Element für eine Lithographieanlage, insbesondere ein Spiegel oder eine Linse. Solche optischen Elemente sind häufig zumindest teilweise aus Glas oder Keramik gebildet. Bei dem ersten Bauteil handelt es sich somit insbesondere um ein sprödes Bauteil.The first component is, for example, an optical element for a lithography system, in particular a mirror or a lens. Such optical elements are often formed at least partially from glass or ceramic. The first component is therefore in particular a brittle component.

Das zweite Bauteil ist beispielsweise ein Rahmen für das erste Bauteil und dient dazu, das erste Bauteil zu halten, damit es in der Lithographieanlage positioniert werden kann. Solche Rahmen sind häufig aus Metall gebildet. Temperaturausdehnungskoeffizienten von Metall sind in der Regel höher als die Temperaturausdehnungskoeffizienten von Glas. Dadurch ergibt sich ein zweiter Temperaturausdehnungskoeffizient, der größer als der erste Temperaturausdehnungskoeffizient ist.The second component is, for example, a frame for the first component and is used to hold the first component so that it can be positioned in the lithography system. Such frames are often made of metal. The temperature expansion coefficients of metal are usually higher than the temperature expansion coefficients of glass. This results in a second coefficient of thermal expansion that is greater than the first coefficient of thermal expansion.

Der Hauptkörper des jeweiligen Bauteils bezeichnet insbesondere den Teil des Bauteils, der zur tatsächlichen Funktion des Bauteils geeignet ist. Bei dem ersten Bauteil kann der (erste) Hauptkörper die optische Oberfläche des Spiegels oder der Linse umfassen, auf die bei der Nutzung der Lithographieanlage Licht tritt. Bei dem zweiten Bauteil kann der (zweite) Hauptkörper Teile des Rahmens umfassen, die der Halterung des optischen Elements und der Befestigung an die Lithographieanlage dienen. Im verbundenen Zustand sind die zwei Hauptkörper insbesondere gegenüber voneinander angeordnet, bevorzugt mit einem dazwischenliegenden Spalt.The main body of the respective component denotes in particular that part of the component which is suitable for the actual function of the component. In the case of the first component, the (first) main body can comprise the optical surface of the mirror or the lens on which light occurs when the lithography system is used. In the case of the second component, the (second) main body can comprise parts of the frame which are used to hold the optical element and to attach it to the lithography system. In the connected state, the two main bodies are in particular arranged opposite one another, preferably with a gap in between.

Die Verbindung der Bauteile erfolgt über deren Biegebereiche. Der erste Biegebereich erstreckt sich seitlich von dem ersten Hauptkörper. Dass der erste Biegebereich dabei einstückig (alternativ einteilig) mit dem ersten Hauptkörper gebildet ist, bedeutet, dass der erste Biegebereich aus dem gleichen Material wie der erste Hauptkörper gebildet ist und der erste Hauptkörper und der erste Biegebereich ein einziges Werkstück bilden, d.h. in einem Stück urgeformt hergestellt sind, bspw. in einem Gussverfahren. „Einteilig“ meint dagegen eine form-, kraft- und/oder stoffschlüssige Verbindung zwischen den Fügepartnern. Den ersten Biegebereich einstückig mit dem ersten Hauptkörper zu bilden ist insbesondere vorteilhaft, weil eine Herstellung des ersten Biegebereichs dadurch vereinfacht wird und kein zusätzliches Element, wie zum Beispiel eine Feder, am ersten Bauteil befestigt werden muss. Der erste Biegebereich kann als ein Balken betrachtet werden. Das zu den Eigenschaften und Vorteilen des ersten Biegebereichs gesagte gilt für den zweiten Biegebereich analog. Im Folgenden gilt allgemein, dass dort, wo sich auf einen Biegebereich, ein Bauteil, einen Hauptkörper usw. Bezug genommen wird, jeweils der erste und der zweite Biegebereich, das erste und das zweite Bauteil, der erste und der zweite Hauptkörper usw. gemeint sind und/oder identische Eigenschaften haben.The components are connected via their bending areas. The first bending area extends laterally from the first main body. The fact that the first bending area is formed in one piece (alternatively in one piece) with the first main body means that the first bending area is made of the same material as the first main body and that the first main body and the first bending area form a single workpiece, ie in one piece Are produced originally formed, for example. In a casting process. “One-piece”, on the other hand, means a form-fitting, force-fitting and / or material connection between the joining partners. Forming the first bending area in one piece with the first main body is particularly advantageous because it simplifies production of the first bending area and no additional element, such as a spring, has to be attached to the first component. The first bending area can be thought of as a beam. What has been said about the properties and advantages of the first bending area applies analogously to the second bending area. In the following, where reference is made to a bending area, a component, a main body, etc., the first and the second bending area, the first and the second component, the first and the second main body, etc. are intended, respectively and / or have identical properties.

Die Verbindung der Bauteile erfolgt über die Biegebereiche, die entlang der Kontaktebene aneinander anliegen und miteinander befestigt sind. Die Befestigung erfolgt zum Beispiel mittels einer Schraubverbindung, einer Klebverbindung und/oder einer Klemmverbindung.The components are connected via the bending areas that lie against one another along the contact plane and are fastened to one another. The fastening takes place, for example, by means of a screw connection, an adhesive connection and / or a clamp connection.

Die Biegebereiche können ferner teilweise voneinander beabstandet sein. Insbesondere erstrecken sich die Biegebereiche im beabstandeten Bereich parallel zueinander und zur Kontaktebene. Der Abstand zwischen den Biegebereichen dient der Entkopplung der sich dort gegenüberliegenden Abschnitt der Biegebereiche. Dadurch können sich die Biegebereiche bei Temperaturänderungen verbiegen. Verbiegen bezeichnet insbesondere eine Verformung mit einer Verkrümmung.The bending areas can also be partially spaced from one another. In particular, the bending areas in the spaced-apart area extend parallel to one another and to the contact plane. The distance between the bending areas serves to decouple the opposing sections of the bending areas. This means that the bending areas can bend when the temperature changes. Bending refers in particular to a deformation with a curvature.

Die Biegebereiche verbiegen sich bei Temperaturänderungen der Bauteilverbindung, während die Hauptkörper sich nicht oder kaum verbiegen oder verformen. Dass die Verbiegung hauptsächlich in den Biegebereichen erfolgt liegt insbesondere an der Geometrie der Biegebereiche, welche von den Hauptkörpern abstehen und die Verbindungsstelle zwischen den Bauteilen bilden. Die Biegebereiche sind insbesondere derart ausgelegt, dass sie durch ihre Verbiegungen einen bei thermischer Last entstehenden Ausdehnungsunterschied zwischen den Bauteilen kompensieren.The bending areas bend when the temperature of the component connection changes, while the main body does not or hardly bend or deform. The fact that the bending takes place mainly in the bending areas is due in particular to the geometry of the bending areas, which protrude from the main bodies and form the connection point between the components. The bending areas are designed in particular in such a way that, through their bending, they compensate for a difference in expansion between the components that occurs under thermal load.

Die beschriebene Wirkung der Biegebereiche lässt sich dadurch erklären, dass die Biegebereiche als Balken mit jeweils einer dehnungsneutralen Faser (neutrale Faser), die sich bei einer Biegung weder längt noch verkürzt, zu betrachten sind. Die dehnungsneutralen Fasern sind beabstandet zur Kontaktebene angeordnet, wobei die Kontaktebene zwischen den zwei dehnungsneutralen Fasern angeordnet ist.The described effect of the bending areas can be explained by the fact that the bending areas are bars, each with a stretch-neutral fiber (neutral fiber), which neither elongates nor extends when bent shortened to be considered. The stretch-neutral fibers are arranged at a distance from the contact plane, the contact plane being arranged between the two stretch-neutral fibers.

Bei unterschiedlicher Thermalausdehnung der Bauteile versucht das sich stärker ausdehnende Bauteil das sich schwächer ausdehnende Bauteil auseinanderzuziehen, während wiederum das sich schwächer ausdehnende Bauteil versucht, das sich stärker ausdehnende Bauteil zusammenzudrücken. Die dafür notwendige Kraft in der Kontaktebene ruft durch die Abstände zwischen der Kontaktebene und den dehnungsneutralen Fasern Biegemomente in den Biegebereichen hervor. Mit dem durch die Biegemomente hervorgerufenen Krümmungswinkel der Biegebereiche kann der thermale Ausdehnungsunterschied zwischen den Bauteilen ausgeglichen werden.With different thermal expansion of the components, the more rapidly expanding component tries to pull the less expanding component apart, while in turn the less expanding component tries to compress the more rapidly expanding component. The necessary force in the contact plane causes bending moments in the bending areas due to the distances between the contact plane and the stretch-neutral fibers. With the angle of curvature of the bending areas caused by the bending moments, the thermal expansion difference between the components can be compensated for.

Die Kraft in der Kontaktebene kann über die Gestaltung der Biegebereiche gesteuert werden.The force in the contact plane can be controlled via the design of the bending areas.

Gemäß einer Ausführungsform ist eine Höhe des ersten Biegebereichs senkrecht zur Kontaktebene kleiner als eine Höhe des ersten Hauptkörpers senkrecht zur Kontaktebene und/oder eine Höhe des zweiten Biegebereichs senkrecht zur Kontaktebene ist kleiner als eine Höhe des zweiten Hauptkörpers senkrecht zur Kontaktebene.According to one embodiment, a height of the first bending area perpendicular to the contact plane is less than a height of the first main body perpendicular to the contact plane and / or a height of the second bending area perpendicular to the contact plane is less than a height of the second main body perpendicular to the contact plane.

Dadurch, dass die Höhe des Biegebereichs geringer als die Höhe des entsprechenden Hauptkörpers ist, ist der Biegebereich flexibler als der Hauptkörper. Bei Temperaturänderungen verbiegt sich daher der Biegebereich anstelle des Hauptkörpers.Because the height of the bending area is less than the height of the corresponding main body, the bending area is more flexible than the main body. Therefore, when the temperature changes, the bending area bends instead of the main body.

Die Höhe des Hauptkörpers kann eine Durchschnittshöhe und/oder eine kleinste Höhe des Hauptkörpers relativ zur Kontaktebene sein. Die Höhe des Biegebereichs kann eine Durchschnittshöhe und/oder eine größte Höhe des Biegebereichs relativ zur Kontaktebene sein.The height of the main body can be an average height and / or a smallest height of the main body relative to the contact plane. The height of the bending area can be an average height and / or a greatest height of the bending area relative to the contact plane.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind das erste und zweite Bauteil lediglich durch die Biegebereiche miteinander verbunden.According to a further embodiment, the first and second components are only connected to one another by the bending areas.

Dadurch ergibt sich, dass Spannungen an Verbindungstellen zwischen den zwei Bauteilen lediglich im Bereich der Biegebereich auftreten. Der erste Hauptkörper und der zweite Hauptkörper sind insbesondere beabstandet zueinander angeordnet. Dadurch ergibt sich insbesondere eine Entkopplung der Hauptkörper voneinander.This means that stresses at connection points between the two components only occur in the area of the bending area. The first main body and the second main body are in particular arranged at a distance from one another. In particular, this results in a decoupling of the main bodies from one another.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der erste Biegebereich eine erste dehnungsneutrale Faser auf und der zweite Biegebereich weist eine zweite dehnungsneutrale Faser auf, deren Längen bei dem Verbiegen der Biegebereiche unverändert bleiben.According to a further embodiment, the first bending area has a first stretch-neutral fiber and the second bending area has a second stretch-neutral fiber, the lengths of which remain unchanged when the bending areas are bent.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Abstand zwischen der ersten und/oder zweiten dehnungsneutralen Faser und der Kontaktebene, eine Länge, eine Breite und/oder eine Höhe des ersten und/oder zweiten Biegebereichs derart gewählt ist, dass eine Biegespannung in dem ersten und/oder in dem zweiten Biegebereich bei Temperaturänderungen, insbesondere bei Temperaturänderungen von höchstens ± 20°C, unterhalb einer vorbestimmten Maximalspannung bleibt.According to a further embodiment, a distance between the first and / or second stretch-neutral fiber and the contact plane, a length, a width and / or a height of the first and / or second bending area is selected such that a bending stress in the first and / or remains below a predetermined maximum stress in the second bending area in the event of temperature changes, in particular in the event of temperature changes of at most ± 20 ° C.

Die Biegespannung beschreibt insbesondere die Kraft, welche auf den Biegebereich wirkt, der senkrecht zu seiner Ausdehnungsrichtung belastet wird. Die Biegespannung ist insbesondere eine Kraft, die entlang der Erstreckungsrichtung des Biegebereichs, entlang der sich der Biegebereich von dem Hauptkörper weg erstreckt, wirkt. Es ist vorteilhaft, die Biegespannung unter einer vorbestimmten Maximalspannung zu halten, um zu verhindern, dass die Verbindung zwischen den Bauteilen beschädigt wird.The bending stress particularly describes the force that acts on the bending area that is loaded perpendicular to its direction of expansion. The bending stress is, in particular, a force that acts along the extension direction of the bending region along which the bending region extends away from the main body. It is advantageous to keep the bending stress below a predetermined maximum stress in order to prevent the connection between the components from being damaged.

Eine Länge des Biegebereichs, also eine Länge, um die der Biegebereich vom Hauptkörper absteht, beträgt beispielsweise mindestens 1 cm (vorzugsweise zwischen 1 cm und 3 cm).. Die Höhe (Dicke) bezeichnet insbesondere die Richtung, die sich senkrecht zur Kontaktebene erstreckt und beträgt beispielsweise zwischen 0,5 und 1,5 cm, vorzugsweise 1 cm. Die Breite des Biegebereichs erstreckt sich insbesondere senkrecht zur Höhenrichtung und senkrecht zur Längenrichtung und beträgt beispielsweise zwischen 1 cm und 3,5 cm, vorzugsweise 2 cm. Der Abstand zwischen der dehnungsneutralen Faser und der Kontaktebene bemisst sich senkrecht zur Kontaktebene. Realistische Werte für die Maximalspannung liegen zwischen 30 und 80 MPa, insbesondere bei 50MPa.A length of the bending area, i.e. a length by which the bending area protrudes from the main body, is, for example, at least 1 cm (preferably between 1 cm and 3 cm). The height (thickness) refers in particular to the direction that extends perpendicular to the contact plane and is, for example, between 0.5 and 1.5 cm, preferably 1 cm. The width of the bending area extends in particular perpendicular to the height direction and perpendicular to the length direction and is, for example, between 1 cm and 3.5 cm, preferably 2 cm. The distance between the stretch-neutral fiber and the contact plane is measured perpendicular to the contact plane. Realistic values for the maximum stress are between 30 and 80 MPa, in particular 50MPa.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind der erste Hauptkörper und der zweite Hauptkörper beabstandet zueinander angeordnet.According to a further embodiment, the first main body and the second main body are arranged at a distance from one another.

Zwischen dem ersten und dem zweiten Hauptkörper können eine oder mehrere Kontaktstellen vorliegen, die in der Kontaktebene liegen. Sonst sind die Hauptkörper nicht miteinander verbunden.One or more contact points that lie in the contact plane can be present between the first and the second main body. Otherwise the main bodies are not connected to each other.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform verläuft eine Erstreckungsrichtung des ersten und/oder zweiten Biegebereichs parallel zur Kontaktebene.According to a further embodiment, a direction of extent of the first and / or second bending area runs parallel to the contact plane.

Insbesondere verläuft die Erstreckungsrichtung des Biegebereichs parallel zur Kontaktebene, wenn der Biegebereich nicht gebogen ist.In particular, the direction of extent of the bending area runs parallel to the contact plane when the bending area is not bent.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das erste Bauteil mehrere, insbesondere zwei, vom ersten Hauptkörper abstehende erste Biegebereiche auf und das zweite Bauteil weist mehrere, insbesondere zwei, vom zweiten Hauptkörper abstehende zweite Biegebereiche auf, wobei jeder der ersten Biegebereiche mit einem der zweiten Biegebereiche verbunden ist.According to a further embodiment, the first component has several, in particular two, first bending areas protruding from the first main body and the second component has several, in particular two, second bending areas protruding from the second main body, each of the first bending areas being connected to one of the second bending areas .

Falls jedes Bauteil zwei Biegebereiche aufweist, sind diese insbesondere in einer gleichen Ebene angeordnet und stehen beidseitig des Hauptkörpers in entgegengesetzte Richtungen voneinander ab. Bei mehr als zwei Biegebereichen pro Bauteil sind diese insbesondere in einem um den Hauptkörper umlaufenden Ring in einer gleichen Ebene angeordnet, sodass die Kontaktstellen einen Ring bilden.If each component has two bending areas, these are in particular arranged in the same plane and protrude from one another on both sides of the main body in opposite directions. If there are more than two bending areas per component, these are in particular arranged in a ring surrounding the main body in the same plane, so that the contact points form a ring.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das erste Bauteil ein Optikelement (auch „optisches Element“ genannt), welches Glas oder Keramik umfasst, und das zweite Bauteil ist ein Rahmen, welcher Metall umfasst.According to a further embodiment, the first component is an optical element (also called “optical element”) which comprises glass or ceramic, and the second component is a frame which comprises metal.

Im Lithographiebereich wird häufig Quarzglas als Material für das erste Bauteil verwendet. Für das zweite Bauteil kommt beispielsweise Stahl in Frage.In the field of lithography, quartz glass is often used as the material for the first component. Steel, for example, can be used for the second component.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage mit einer Bauteilverbindung gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspekts bereitgestellt.According to a second aspect, a lithography system with a component connection according to the first aspect or according to an embodiment of the first aspect is provided.

Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Verfahren zum Auslegen der Bauteilverbindung gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer Ausführungsform des ersten Aspekts bereitgestellt. Das Verfahren umfasst:

  • Bestimmen eines Abstands zwischen der ersten und/oder zweiten dehnungsneutralen Faser und der Kontaktebene, einer Länge, einer Breite und/oder einer Höhe des ersten und/oder zweiten Biegebereichs derart ist, dass eine Biegespannung in dem ersten und/oder in dem zweiten Biegebereich bei Temperaturänderungen, insbesondere bei Temperaturänderungen von höchstens ± 20°C, unterhalb einer vorbestimmten Maximalspannung bleibt.
According to a third aspect, a method for designing the component connection according to the first aspect or according to an embodiment of the first aspect is provided. The procedure includes:
  • Determining a distance between the first and / or second elongation-neutral fiber and the contact plane, a length, a width and / or a height of the first and / or second bending area is such that a bending stress in the first and / or in the second bending area at Changes in temperature, in particular in the case of temperature changes of at most ± 20 ° C., remain below a predetermined maximum voltage.

Die für die Bauteilverbindung beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Lithographieanlage und für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt.The embodiments and features described for the component connection apply accordingly to the proposed lithography system and to the proposed method, and vice versa.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In the present case, “a” is not necessarily to be understood as restricting to exactly one element. Rather, several elements, such as two, three or more, can also be provided. Any other counting word used here is also not to be understood to mean that there is a restriction to precisely the specified number of elements. Rather, numerical deviations upwards and downwards are possible, unless otherwise stated.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include combinations, which are not explicitly mentioned, of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments. The person skilled in the art will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

  • 1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage;
  • 1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage;
  • 2 zeigt eine Bauteilverbindung gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 3 zeigt die Bauteilverbindung der 2 mit verbogenen Biegebereichen; und
  • 4 zeigt einen Ausschnitt der Darstellung der 3.
Further advantageous configurations and aspects of the invention are the subject matter of the subclaims and of the exemplary embodiments of the invention described below. The invention is explained in more detail below on the basis of preferred embodiments with reference to the attached figures.
  • 1A shows a schematic view of an embodiment of an EUV lithography system;
  • 1B shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system;
  • 2 shows a component connection according to a first embodiment;
  • 3 shows the component connection of the 2 with bent bending areas; and
  • 4th shows a section of the representation of 3 .

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, elements that are the same or have the same function have been given the same reference symbols, unless otherwise indicated. It should also be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. 1A shows a schematic view of an EUV lithography system 100A , which is a beam shaping and lighting system 102 and a projection system 104 includes. EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: extreme ultraviolet, EUV) and describes a wavelength of work light between 0.1 nm and 30 nm. The beam shaping and lighting system 102 and the projection system 104 are each provided in a vacuum housing, not shown, each vacuum housing being evacuated with the aid of an evacuation device, not shown. The vacuum housings are surrounded by a machine room, not shown, in which drive devices are provided for mechanically moving or adjusting optical elements. Furthermore, electrical controls and the like can also be provided in this machine room.

Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.The EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A on. As an EUV light source 106A For example, a plasma source (or a synchrotron) can be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), for example in the wavelength range from 5 nm to 20 nm. In the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A bundled and the desired operating wavelength from the EUV radiation 108A filtered out. The one from the EUV light source 106A generated EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity through air, which is why the beam guidance spaces in the beam shaping and lighting system 102 and in the projection system 104 are evacuated.

Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1A beam shaping and lighting system shown 102 has five mirrors 110 , 112 , 114 , 116 , 118 on. After going through the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A guided onto a photomask (Engl .: reticle) 120. The photo mask 120 is also designed as a reflective optical element and can be used outside of the systems 102 , 104 be arranged. The EUV radiation can continue 108A by means of a mirror 122 on the photo mask 120 be steered. The photo mask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 scaled down to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. The projection system 104 (also known as a projection lens) has six mirrors M1 until M6 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. You can use individual mirrors M1 until M6 of the projection system 104 symmetrical about an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged.

Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.It should be noted that the number of mirrors M1 until M6 the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. There can also be more or less mirrors M1 until M6 be provided. Furthermore are the mirrors M1 until M6 usually curved on their front side to shape the beam.

1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 1A beschrieben - in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein. 1B shows a schematic view of a DUV lithography system 100B , which is a beam shaping and lighting system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultraviolet, DUV) and describes a wavelength of work light between 30 nm and 250 nm. The beam shaping and lighting system 102 and the projection system 104 can - as already with reference to 1A described - be arranged in a vacuum housing and / or surrounded by a machine room with appropriate drive devices.

Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.The DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B on. As a DUV light source 106B For example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B emitted in the DUV range at 193 nm, for example.

Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1B beam shaping and lighting system shown 102 guides the DUV radiation 108B on a photo mask 120 . The photo mask 120 is designed as a transmissive optical element and can be used outside of the systems 102 , 104 be arranged. The photo mask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 scaled down to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 has multiple lenses 128 and / or mirror 130 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. Individual lenses 128 and / or mirror 130 of the projection system 104 symmetrical about an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of lenses 128 and mirror 130 the DUV lithography system 100B is not limited to the number shown. There can also be more or fewer lenses 128 and / or mirror 130 be provided. Furthermore are the mirrors 130 usually curved on their front side to shape the beam.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 can through a liquid medium 132 be replaced, which has a refractive index> 1. The liquid medium 132 can be ultrapure water, for example. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution. The medium 132 can also be referred to as immersion liquid.

2 zeigt eine Bauteilverbindung 200 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die Bauteilverbindung 200 verbindet ein erstes Bauteil 210 und ein zweites Bauteil 220 miteinander. Das erste Bauteil 210 entspricht einem der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118, 122, 130, M1 - M6 oder der Linse 128, welche zuvor beschrieben wurden. Das erste Bauteil 210 ist somit ein optisches Element, welches hier aus Quarzglas gefertigt ist. 2 shows a component connection 200 according to a first embodiment. The component connection 200 connects a first component 210 and a second component 220 together. The first component 210 corresponds to one of the mirrors 110 , 112 , 114 , 116 , 118 , 122 , 130 , M1 - M6 or the lens 128 , which were previously described. The first component 210 is thus an optical element, which is made of quartz glass here.

Das zweite Bauteil 220 ist ein Rahmen (auch „Fassung“ genannt). Der Rahmen 220 ist aus Stahl gebildet und wird an dem optischen Element 210 befestigt, um dieses in der Lithographieanlage 100A, 100B zu positionieren.The second component 220 is a frame (also called a "frame"). The frame 220 is made of steel and is attached to the optical element 210 attached to this in the lithography system 100A , 100B to position.

Das Verbinden der Bauteile 210, 220 miteinander erfolgt bei Raumtemperatur von 20°C. Bei Transport der miteinander verbundenen Bauteile 210, 220 können jedoch Temperaturabweichungen von ±10°C von der Raumtemperatur auftreten. Aufgrund der unterschiedlichen Materialien, die die Bauteile 210, 220 bilden, haben die Bauteile 210, 220 unterschiedliche Temperaturausdehnungskoeffizienten. Bei Temperaturänderungen dehnen sich die Bauteile 210, 220 unterschiedlich aus, was zu Spannungen und Zerstörungen der Verbindung zwischen den Bauteilen 210, 220 führen kann. Anhand der Bauteilverbindung 200, die in der 2 dargestellt ist, werden sollte Zerstörungen verringert und/oder verhindert.Connecting the components 210 , 220 together takes place at room temperature of 20 ° C. When transporting the interconnected components 210 , 220 however, temperature deviations of ± 10 ° C from room temperature can occur. Because of the different materials that make up the components 210 , 220 form, have the components 210 , 220 different temperature expansion coefficients. When the temperature changes, the components expand 210 , 220 different, causing tension and destruction of the connection between the components 210 , 220 can lead. Based on the component connection 200 that are in the 2 is shown, destruction should be reduced and / or prevented.

Das erste Bauteil 210 umfasst einen ersten Hauptkörper 211, der das optische Element selbst bildet. Seitlich abstehend von dem Hauptkörper 211 umfasst das erste Bauteil 210 beidseitig erste Biegebereiche 212. Die ersten Biegebereiche 212 sind einstückig mit dem ersten Hauptkörper 211 gebildet.The first component 210 comprises a first main body 211 , which forms the optical element itself. Laterally protruding from the main body 211 includes the first component 210 first bending areas on both sides 212 . The first bending areas 212 are integral with the first main body 211 educated.

Das zweite Bauteil 220 umfasst einen zweiten Hauptkörper 221, der den Rahmen selbst bildet. Seitlich abstehend von dem Hauptkörper 221 umfasst das zweite Bauteil 220 beidseitig zweite Biegebereiche 222. Die zweiten Biegebereiche 222 sind einstückig mit dem zweiten Hauptkörper 221 gebildet. Die zweiten Biegebereiche 222 sind derart angeordnet, dass sie den ersten Biegebereichen 212 jeweils gegenüberliegen. An den am weitesten abstehenden Enden der Biegebereiche 212, 222 liegen die Biegebereiche 212, 222 entlang von Kontaktebenen 201 aneinander an.The second component 220 comprises a second main body 221 that forms the frame itself. Laterally protruding from the main body 221 comprises the second component 220 Second bending areas on both sides 222 . The second bending areas 222 are integral with the second main body 221 educated. The second bending areas 222 are arranged in such a way that they meet the first bending areas 212 each face opposite. At the most protruding ends of the bending areas 212 , 222 are the bending areas 212 , 222 along contact levels 201 to each other.

Die Biegebereiche 212, 222 weisen jeweils einen Thermalentkopplungsbereich 215, 225 und eine Kontaktstelle 214, 224 auf.The bending areas 212 , 222 each have a thermal decoupling area 215 , 225 and a contact point 214 , 224 on.

Die Biegebereiche 212, 222 haben identische Längen entlang der Kontaktebene 201 und identische Breiten (entlang der Richtung, die in der Darstellung der 2 in die Seite hinein führt). Die Länge der Biegebereiche 212, 222 beträgt dabei circa 2 cm, während die Breite circa 2cm beträgt. In der Darstellung der 2 sind die Größen der einzelnen Elemente schematisch dargestellt. So weist das optische Element 210 beispielsweise einen Durchmesser von circa 12 cm auf. The bending areas 212 , 222 have identical lengths along the contact plane 201 and identical widths (along the direction shown in the illustration of the 2 into the page). The length of the bending areas 212 , 222 is about 2 cm, while the width is about 2 cm. In the representation of the 2 the sizes of the individual elements are shown schematically. So shows the optical element 210 for example, a diameter of about 12 cm.

Die Biegebereiche 212, 222 weisen im Bereich der Thermalentkopplungsbereiche 215, 225 jeweils eine dehnungsneutrale Faser 213, 223, die sich bei einer Biegung der Biegebereiche 212, 222 weder längt noch verkürzt. Ein senkrechter Abstand zwischen der ersten dehnungsneutralen Faser 213 des ersten Biegebereichs 212 und der Kontaktebene 201 wird als A1 bezeichnet. Ein senkrechter Abstand zwischen der zweiten dehnungsneutralen Faser 223 des zweiten Biegebereichs 222 und der Kontaktebene 201 wird als A2 bezeichnet.The bending areas 212 , 222 point in the area of the thermal decoupling areas 215 , 225 one stretch-neutral fiber each 213 , 223 which are caused by a bend in the bending areas 212 , 222 neither lengthens nor shortens. A perpendicular distance between the first stretch-neutral fiber 213 of the first bending area 212 and the contact level 201 is referred to as A1. A perpendicular distance between the second stretch-neutral fiber 223 of the second bending area 222 and the contact level 201 is called A2 designated.

Die Hauptkörper 212, 221 sind derart angeordnet, dass sie sich mit der dazwischenliegenden Kontaktebene 201 gegenüberliegen. Dabei wird zwischen den Hauptkörpern 212, 221 ein Spalt 203 gebildet, der zur Entkopplung der Hauptkörper 212, 221 voneinander dient. Die Biegebereiche 212, 222 sind auch teilweise beabstandet voneinander angeordnet und somit voneinander entkoppelt angeordnet.The main body 212 , 221 are arranged in such a way that they align with the contact plane in between 201 opposite. This is done between the main bodies 212 , 221 A gap 203 formed to decouple the main body 212 , 221 serves from each other. The bending areas 212 , 222 are also partially arranged at a distance from one another and thus arranged decoupled from one another.

Die Bauteile 210, 220 sind lediglich im Bereich der Kontaktebenen 201 miteinander verbunden, und zwar mittels der Kontaktstellen 214, 224 der Biegebereiche 212, 222. Hierzu werden die Biegebereiche 212, 222 entlang der Kontaktebenen 201 durch eine in der 2 nicht dargestellten Schraubverbindung aneinandergehalten.The components 210 , 220 are only in the area of the contact levels 201 connected to one another by means of the contact points 214 , 224 the bending areas 212 , 222 . For this purpose, the bending areas 212 , 222 along the contact levels 201 through one in the 2 screw connection, not shown, held together.

In der Darstellung der 2 sind die Bauteile 210, 220 in dem Zustand gezeigt, in dem sie sich bei Raumtemperatur befinden. Es bestehen keine Spannungen an den Verbindungstellen, die die Bauteilverbindung 200 gefährden.In the representation of the 2 are the components 210 , 220 shown in the state in which they are at room temperature. There are no tensions at the connection points that make the component connection 200 endanger.

In der Darstellung der 3 befindet sich die Bauteilverbindung 200 aus der 2 in einer wärmeren Umgebung, bei 30°C (zum Beispiel beim Transport der Bauteilverbindung 200). Aufgrund des Temperaturunterschieds zur Raumtemperatur, bei der die Bauteilverbindung 200 zusammengesetzt wurde, und der unterschiedlichen Temperaturausdehnungskoeffizienten zwischen den zwei Bauteilen 210, 220, verbiegen sich die Biegebereiche 212, 222.In the representation of the 3 the component connection is located 200 from the 2 in a warmer environment, at 30 ° C (for example when transporting the component connection 200 ). Due to the temperature difference to room temperature at which the component connection 200 and the different coefficients of thermal expansion between the two components 210 , 220 , the bending areas bend 212 , 222 .

Die 4 zeigt einen Ausschnitt der 3, in dem detaillierter zu sehen ist, wie das Verbiegen der Biegebereiche 212, 222 erfolgt. In den 3 und 4 ist die nicht verformte Position des Bauteils 210, welcher der Position des Bauteils 210 gemäß 2 entspricht, zum Vergleich gepunktet dargestellt.the 4th shows a section of the 3 , which shows in more detail how the bending areas are bent 212 , 222 he follows. In the 3 and 4th is the undeformed position of the component 210 which is the position of the component 210 according to 2 corresponds, shown dotted for comparison.

Aufgrund der Temperaturänderung und der unterschiedlichen Thermalausdehnung der Bauteile 210, 220 versucht das sich stärker ausdehnende Bauteil 210 das sich schwächer ausdehnende Bauteil 220 auseinanderzuziehen, während wiederum das sich schwächer ausdehnende Bauteil 210 versucht, das sich stärker ausdehnende Bauteil 220 zusammenzudrücken. Die dafür notwendige Kraft K in der Kontaktebene 201 ruft durch die Abstände A1, A2 zwischen der Kontaktebene 201 und den dehnungsneutralen Fasern 213, 223 Biegemomente in den Biegebereichen 212, 222 hervor. Mit dem durch die Biegemomente hervorgerufenen Krümmungswinkel α der Biegebereiche 212, 222 kann der thermale Ausdehnungsunterschied zwischen den Bauteilen 210, 220 ausgeglichen werden.Due to the temperature change and the different thermal expansion of the components 210 , 220 tries the more rapidly expanding component 210 the weaker expanding component 220 pull apart, while in turn the weaker expanding component 210 tries the more rapidly expanding component 220 to squeeze. The strength necessary for this K in the contact level 201 calls through the gaps A1 , A2 between the contact level 201 and the stretch-neutral fibers 213 , 223 Bending moments in the bending areas 212 , 222 emerged. With the angle of curvature caused by the bending moments α the bending areas 212 , 222 can be the difference in thermal expansion between the components 210 , 220 be balanced.

Die Kraft K in der Kontaktebene 201 kann über die Gestaltung der Biegebereiche 212, 222 gesteuert werden, um zum erwünschten Ausgleich des thermalen Ausdehnungsunterschieds zu gelangen. Eigenschaften der Biegebereiche 212, 222 können im Rahmen eines Verfahrens zum Auslegen einer Bauteilverbindung 200 bestimmt werden. Dabei werden die Biegebereiche 212, 222 derart gestaltet, dass die Kraft F an der Kontaktebene 201 eine Maximalspannung von 50 MPa nicht überschreitet. Die Kraft K kann über die Steifigkeiten der Biegebereiche 212, 222 berechnet werden, wobei materialeigene Zugsteifigkeiten und Biegesteifigkeiten berücksichtigt werden.The power K in the contact level 201 can about the design of the bending areas 212 , 222 can be controlled in order to achieve the desired compensation of the thermal expansion difference. Properties of the bending areas 212 , 222 can as part of a method for designing a component connection 200 to be determined. The bending areas 212 , 222 designed so that the force F at the contact plane 201 does not exceed a maximum stress of 50 MPa. The power K can about the stiffness of the bending areas 212 , 222 can be calculated, whereby the material's own tensile stiffness and bending stiffness are taken into account.

Ferner ist die richtige Wahl der Dimensionen der Biegebereiche 212, 222 wichtig, weil nur so eine korrekte Anpassung der Ausdehnungsunterschiede erfolgen kann. Dabei sollten insbesondere die Abstände A1 und A2 richtig gewählt werden, um einen für den Ausgleich richtigen Biegemoment zu erhalten. Die Wahl der Eigenschaften der Biegebereiche 212, 222 hängt ferner von den erwarteten Temperaturschwankungen ab.Furthermore, the right choice of the dimensions of the bending areas is important 212 , 222 important because this is the only way to correctly adjust the expansion differences. In particular, the distances A1 and A2 be chosen correctly in order to obtain a correct bending moment for the compensation. The choice of the properties of the bending areas 212 , 222 also depends on the expected temperature fluctuations.

Im Folgenden ist ein Beispiel für die Bestimmung der Eigenschaften der Biegebereiche 212, 222 beschrieben. Solch eine Bestimmung kann im Rahmen eines Verfahrens zum Auslegen der Bauteilverbindung 200 erfolgen.The following is an example of how to determine the properties of the bending areas 212 , 222 described. Such a determination can be made as part of a method for designing the component connection 200 respectively.

Die Biegebereiche 210, 220 sollen dieselbe Länge (insgesamt 20 mm, wovon 10 mm für die Kontaktstellen 214, 224, also für die Verbindung zwischen den Bauteilen 210, 220 und li=l2=10 mm für die Thermalentkopplungsbereiche 215, 225 vorgesehen werden) und dieselbe Breite (b1=b2=10 mm) haben. Zur Gestaltung der Biegebereiche 210, 220 muss der thermale Ausdehnungsunterschied an der Kontaktebene 201 abgeschätzt werden. Das optische Element 210 hat einen Durchmesser von 120 mm. In der Darstellung der 3 liegen somit zwischen der linken und der rechten Kontaktstelle 214, 224 ein Abstand von a = 120mm +2*20mm = 160mm.The bending areas 210 , 220 should be the same length (a total of 20 mm, of which 10 mm for the contact points 214 , 224 , i.e. for the connection between the components 210 , 220 and l i = l 2 = 10 mm for the thermal decoupling areas 215 , 225 provided) and have the same width (b 1 = b 2 = 10 mm). For designing the bending areas 210 , 220 must be the thermal expansion difference at the contact plane 201 be estimated. The optical element 210 has a diameter of 120 mm. In the representation of the 3 are thus between the left and right contact point 214 , 224 a distance of a = 120mm + 2 * 20mm = 160mm.

Jede Kontaktstelle 214, 224 gleicht nur die Hälfte des Thermalausdehnungsunterschiedes bzw. Temperaturausdehnungsunterschieds Δth zwischen zwei Kontaktstellen 214, 224 aus: Δth = 0,5*(-α1 + α2)*a*ΔT, wobei α1 der Temperaturausdehnungskoeffizient des ersten Bauteils 210 ist und α2 der Temperaturausdehnungskoeffizient des zweiten Bauteils 220 ist. Für Quarz ist der Temperaturausdehnungskoeffizient α1=0,5 × 10-6 1/°C; für Stahl ist der Temperaturausdehnungskoeffizient α2=16 × 10-6 1/°C. Mit den zuvor genannten Werten ergibt sich ein Thermalausdehnungsunterschied Δth von 0,012mm.Every point of contact 214 , 224 equals only half of the thermal expansion difference or temperature expansion difference Δ th between two contact points 214 , 224 from: Δ th = 0.5 * (- α 1 + α2 ) * a * ΔT, where α 1 is the coefficient of thermal expansion of the first component 210 and α 2 is the coefficient of thermal expansion of the second component 220 is. For quartz the coefficient of thermal expansion is α 1 = 0.5 × 10 -6 1 / ° C; for steel the temperature expansion coefficient is α 2 = 16 × 10 -6 1 / ° C. With the values mentioned above, there is a thermal expansion difference Δ th of 0.012 mm.

Eine Höhe h1 der Thermalentkopplungsbereiche 214 am ersten Bauteil 210 senkrecht zur Kontaktebene 201 wird mit 10mm gewählt, während eine Höhe h2 der Thermalentkopplungsbereiche 224 am zweiten Bauteil 220 so angepasst wird, dass die Spannung im ersten Bauteil 210 50 MPa nicht übersteigt. Da die Gesamthöhe der Verbindung zwischen dem ersten und dem zweiten Bauteil 210, 220 30mm nicht wesentlich überschreiten soll, wird in einem ersten Schritt h2 = 15mm gewählt.A height h 1 the thermal decoupling areas 214 on the first component 210 perpendicular to the contact plane 201 is chosen with 10mm, while a height h 2 the thermal decoupling areas 224 on the second component 220 is adjusted so that the tension in the first component 210 Does not exceed 50 MPa. Because the total height of the connection between the first and the second component 210 , 220 The first step is not to significantly exceed 30mm h 2 = 15mm selected.

Wichtig für die Berechnung der Spannungen im ersten und zweiten Bauteil 210, 220 ist der Abstand A1+A2 zwischen den neutralen Fasern 213, 223. Der Abstand A1+A2 ergibt sich aus den Höhen h1 und h2 der Biegebereiche 212, 222 und der Höhe s des Spalts 203, wobei s = 0.8 mm gewählt wird. Daraus ergibt sich: A1+A2 = 0,5*(h1 + h2) + s = 13,3mm.Important for calculating the stresses in the first and second component 210 , 220 is the distance A1 + A2 between the neutral fibers 213 , 223 . The distance A1 + A2 results from the heights h 1 and h 2 the bending areas 212 , 222 and the height s of the gap 203 , where s = 0.8 mm is chosen. This results in: A1 + A2 = 0.5 * (h 1 + h 2 ) + s = 13.3mm.

Die Kraft F, die bei einer Thermaldehnung in der Kontaktstelle 215, 225 wirkt, kann über die Steifigkeiten der Biegebereiche 212, 222 berechnet werden, wobei C1 die Zugsteifigkeit und K1 die Biegesteifigkeit der Biegebereiche 212 im ersten Bauteil 210, und C2 die Zugsteifigkeit und K2 die Biegesteifigkeit der Biegebereiche 222 in dem zweiten Bauteil 220 ist.The force F that occurs during thermal expansion in the contact point 215 , 225 can affect the stiffness of the bending areas 212 , 222 can be calculated, where C 1 is the tensile stiffness and K 1 is the bending stiffness of the bending areas 212 in the first component 210 , and C 2 the tensile stiffness and K 2 the bending stiffness of the bending areas 222 in the second component 220 is.

Die Steifigkeiten berechnen sich folgendermaßen: C 1 = ( E 1 * b 1 * h 1 ) /l 1 = 1,4 × 10 6 N/mm

Figure DE102021201126A1_0001
K 1 = ( E 1 * b 1 *h 1   ^ 3 ) / ( 12 * 1 1 ) = 1,17 × 10 7 Nmm
Figure DE102021201126A1_0002
C 2 = ( E 2 *b 2 *h 2 ) / l 2 = 6,3 × 10 6 N/mm
Figure DE102021201126A1_0003
K 2 = ( E 2 *b 2 *h 2   ^ 3 ) / ( 12 * l 2 ) = 1,2 × 10 8 Nmm;
Figure DE102021201126A1_0004
wobei E1 das Elastizitätsmodul des ersten Bauteils 210 bezeichnet (für Quarz gilt E1=70 000 MPA) und E2 das Elastizitätsmodul des zweiten Bauteils 220 bezeichnet (für Stahl gilt E2=210 000 MPA).The stiffnesses are calculated as follows: C. 1 = ( E. 1 * b 1 * H 1 ) / l 1 = 1.4 × 10 6th N / mm
Figure DE102021201126A1_0001
K 1 = ( E. 1 * b 1 *H 1 ^ 3 ) / ( 12th * 1 1 ) = 1.17 × 10 7th Nmm
Figure DE102021201126A1_0002
C. 2 = ( E. 2 * b 2 *H 2 ) / l 2 = 6.3 × 10 6th N / mm
Figure DE102021201126A1_0003
K 2 = ( E. 2 * b 2 *H 2 ^ 3 ) / ( 12th * l 2 ) = 1.2 × 10 8th Nmm;
Figure DE102021201126A1_0004
where E 1 is the modulus of elasticity of the first component 210 (E 1 = 70,000 MPA applies to quartz ) and E 2 is the modulus of elasticity of the second component 220 (for steel, E 2 = 210,000 MPA applies).

Die Kraft F, die Spannung σ1 im ersten Bauteil 210 und die Spannung σ2 im zweiten Bauteil 220 betragen dann: F = [ C 1 * C 2 * ( K 1 + K 2 ) * Δ th ] / [ ( C 1 + C 2 ) * ( K 1 + K 2 ) + C 1 *C 2 * ( A 1 + A 2 )   ^ 2 ] = 5546  N ;

Figure DE102021201126A1_0005
σ 1 = [ ( h 1 * ( K 1 + K 2 ) + 6 * K 1 * ( A1 + A2 ) ) * F ] / [ b 1 *h 1   ^ 2 * ( K 1 + K 2 ) ] = 47,6  MPa  <   50 Mpa = σ _ Quarz;
Figure DE102021201126A1_0006
σ 2 = [ ( h 2 * ( K 1 + K 2 ) + 6 * K 2 1 * ( A 1 + A 2 ) ) * F ] / [ b 2 * h 2   ^ 2 * ( K 1 + K 2 ) ] = 108,0  MPa < 200Mpa = σ _Stahl;
Figure DE102021201126A1_0007
wobei σ_Quarz = 50MPa die für Quarz zulässige Spannung ist und σ_Stahl = 200MPA die für Stahl zulässige Spannung ist.The force F, the stress σ 1 in the first component 210 and the stress σ 2 in the second component 220 are then: F. = [ C. 1 * C. 2 * ( K 1 + K 2 ) * Δ th ] / [ ( C. 1 + C. 2 ) * ( K 1 + K 2 ) + C. 1 * C 2 * ( A. 1 + A. 2 ) ^ 2 ] = 5546 N ;
Figure DE102021201126A1_0005
σ 1 = [ ( H 1 * ( K 1 + K 2 ) + 6th * K 1 * ( A1 + A2 ) ) * F. ] / [ b 1 *H 1 ^ 2 * ( K 1 + K 2 ) ] = 47.6 MPa < 50 Mpa = σ _ Quartz;
Figure DE102021201126A1_0006
σ 2 = [ ( H 2 * ( K 1 + K 2 ) + 6th * K 2 1 * ( A. 1 + A. 2 ) ) * F. ] / [ b 2 * H 2 ^ 2 * ( K 1 + K 2 ) ] = 108.0 MPa <200Mpa = σ _Steel;
Figure DE102021201126A1_0007
where σ_quarz = 50MPa is the stress permissible for quartz and σ_steel = 200MPA is the stress permissible for steel.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. Es ist zum Beispiel denkbar, an jedem Bauteil 210, 220 nur einen Biegebereich 212, 222 vorzusehen und anstelle der in den 2 und 3 dargestellten zweiten Biegebereiche 212, 222 eine massive Verbindung vorzusehen. In diesem Fall würde die Gestaltung der einzigen Biegebereiche 212, 222 angepasst werden und die Biegebereiche 212, 22 würde den Ausgleich der unterschiedlichen Temperaturausdehnung der Bauteil 210, 220 vollständig übernehmen.Although the present invention has been described on the basis of exemplary embodiments, it can be modified in many ways. It is conceivable, for example, on every component 210 , 220 only one bending area 212 , 222 to be provided and instead of the 2 and 3 illustrated second bending areas 212 , 222 one to provide massive connection. In this case the design would be the only bending areas 212 , 222 can be adjusted and the bending areas 212 , 22 would compensate for the different thermal expansion of the component 210 , 220 take over completely.

Es ist ferner denkbar, jeweils mehr als zwei Biegebereiche 212, 222 an den Bauteilen 210, 220 vorzusehen. Diese können jeweils gegenüber voneinander angeordnet sein und in einem Kreis um die Hauptkörper 211, 221 angeordnet sein.It is also conceivable to have more than two bending areas in each case 212 , 222 on the components 210 , 220 to be provided. These can each be arranged opposite one another and in a circle around the main body 211 , 221 be arranged.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

100A100A
EUV-LithographieanlageEUV lithography system
100B100B
DUV-LithographieanlageDUV lithography system
102102
Strahlformungs- und BeleuchtungssystemBeam shaping and lighting system
104104
ProjektionssystemProjection system
106A106A
EUV-LichtquelleEUV light source
106B106B
DUV-LichtquelleDUV light source
108A108A
EUV-StrahlungEUV radiation
108B108B
DUV-StrahlungDUV radiation
110110
Spiegelmirror
112112
Spiegelmirror
114114
Spiegelmirror
116116
Spiegelmirror
118118
Spiegelmirror
120120
PhotomaskePhotomask
122122
Spiegelmirror
124124
WaferWafer
126126
optische Achseoptical axis
128128
Linselens
130130
Spiegelmirror
132132
Mediummedium
200200
BauteilverbindungComponent connection
201201
KontaktebeneContact level
203203
Spaltgap
210210
erstes Bauteilfirst component
211211
erster Hauptkörperfirst main body
212212
erster Biegebereichfirst bending area
213213
erste dehnungsneutrale Faserfirst stretch-neutral fiber
214214
erste Kontaktstellefirst point of contact
215215
erster Thermalentkopplungsbereichfirst thermal decoupling area
220220
zweites Bauteilsecond component
221221
zweiter Hauptkörpersecond main body
222222
zweiter Biegebereichsecond bending area
223223
zweite dehnungsneutrale Fasersecond stretch-neutral fiber
224224
zweite Kontaktstellesecond contact point
225225
zweiter Thermalentkopplungsbereichsecond thermal decoupling area
αα
Winkelangle
aa
GesamtabstandTotal distance
A1A1
erster Abstandfirst distance
A2A2
zweiter Abstandsecond distance
h1h1
erste Höhefirst height
h2h2
zweite Höhesecond height
M1M1
Spiegelmirror
M2M2
Spiegelmirror
M3M3
Spiegelmirror
M4M4
Spiegelmirror
M5M5
Spiegelmirror
M6M6
Spiegelmirror
KK
Kraftpower
l1l1
erste Längefirst length
l2l2
zweite Längesecond length
ss
SpalthöheGap height

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

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  • WO 0216993 A1 [0006]WO 0216993 A1 [0006]
  • US 2012/0214675 A1 [0006]US 2012/0214675 A1 [0006]
  • US 9417422 B2 [0006]US 9417422 B2 [0006]

Claims (11)

Bauteilverbindung (200) für eine Lithographieanlage (100A, 100B), umfassend: ein erstes Bauteil (210) mit einem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten, wobei das erste Bauteil (210) einen ersten Hauptkörper (211) und einen ersten Biegebereich (212) aufweist, welcher einstückig mit dem ersten Hauptkörper (211) gebildet ist und von diesem absteht; und ein zweites Bauteil (220) mit einem zweiten Temperaturausdehnungskoeffizienten, der von dem ersten Temperaturausdehnungskoeffizienten unterschiedlich ist, wobei das zweite Bauteil (220) einen zweiten Hauptkörper (221) und einen zweiten Biegebereich (222) aufweist, welcher einstückig mit dem zweiten Hauptkörper (221) gebildet ist; wobei: der erste und zweite Biegebereich (212, 222) entlang einer Kontaktebene (201) miteinander verbunden sind; und der erste und der zweite Biegebereich (212, 222) dazu eingerichtet sind, sich bei Temperaturänderungen der Bauteilverbindung (200) und daraus resultierenden Längenänderungen der Bauteilverbindung (200) zu verbiegen.Component connection (200) for a lithography system (100A, 100B), comprising: a first component (210) having a first coefficient of thermal expansion, the first component (210) having a first main body (211) and a first bending region (212) which is formed in one piece with the first main body (211) and protrudes therefrom; and a second component (220) with a second coefficient of thermal expansion that is different from the first coefficient of thermal expansion, the second component (220) having a second main body (221) and a second bending region (222) which is integral with the second main body (221) is formed; whereby: the first and second bending regions (212, 222) are connected to one another along a contact plane (201); and the first and the second bending area (212, 222) are set up to bend when the temperature of the component connection (200) changes and the length of the component connection (200) changes therefrom. Bauteilverbindung nach Anspruch 1, wobei eine Höhe des ersten Biegebereichs (212) senkrecht zur Kontaktebene (201) kleiner als eine Höhe des ersten Hauptkörpers (211) senkrecht zur Kontaktebene (201) ist und/oder wobei eine Höhe des zweiten Biegebereichs (222) senkrecht zur Kontaktebene (201) kleiner als eine Höhe des zweiten Hauptkörpers (221) senkrecht zur Kontaktebene (201) ist.Component connection according to Claim 1 , wherein a height of the first bending area (212) perpendicular to the contact plane (201) is smaller than a height of the first main body (211) perpendicular to the contact plane (201) and / or where a height of the second bending area (222) is perpendicular to the contact plane (201 ) is less than a height of the second main body (221) perpendicular to the contact plane (201). Bauteilverbindung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste und zweite Bauteil (210, 220) lediglich durch die Biegebereiche (212, 222) miteinander verbunden sind.Component connection according to Claim 1 or 2 , wherein the first and second component (210, 220) are connected to one another only by the bending regions (212, 222). Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Biegebereich (212) eine erste dehnungsneutrale Faser (213) aufweist und der zweite Biegebereich (222) eine zweite dehnungsneutrale Faser (223) aufweist, deren Längen bei dem Verbiegen der Biegebereiche (212, 222) unverändert bleiben.Component connection according to one of the Claims 1 until 3 wherein the first bending region (212) has a first stretch-neutral fiber (213) and the second bending region (222) has a second stretch-neutral fiber (223), the lengths of which remain unchanged when the bending regions (212, 222) are bent. Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein Abstand zwischen der ersten und/oder zweiten dehnungsneutralen Faser (213, 223) und der Kontaktebene (201), eine Länge, eine Breite und/oder eine Höhe des ersten und/oder zweiten Biegebereichs (212, 222) derart gewählt ist, dass eine Biegespannung in dem ersten und/oder in dem zweiten Biegebereich (212, 222) bei Temperaturänderungen, insbesondere bei Temperaturänderungen von höchstens ± 20°C, unterhalb einer vorbestimmten Maximalspannung bleibt.Component connection according to one of the Claims 1 until 4th , wherein a distance between the first and / or second stretch-neutral fiber (213, 223) and the contact plane (201), a length, a width and / or a height of the first and / or second bending area (212, 222) is selected in this way that a bending stress in the first and / or in the second bending region (212, 222) in the event of temperature changes, in particular in the event of temperature changes of at most ± 20 ° C., remains below a predetermined maximum stress. Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der erste Hauptkörper (211) und der zweite Hauptkörper (221) beabstandet zueinander angeordnet.Component connection according to one of the Claims 1 until 5 wherein the first main body (211) and the second main body (221) are arranged at a distance from one another. Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Erstreckungsrichtung des ersten und/oder zweiten Biegebereichs (212, 222) parallel zur Kontaktebene (201) verläuft.Component connection according to one of the Claims 1 until 6th , wherein a direction of extent of the first and / or second bending area (212, 222) runs parallel to the contact plane (201). Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das erste Bauteil (210) mehrere, insbesondere zwei, vom ersten Hauptkörper (211) abstehende erste Biegebereiche (212) aufweist und das zweite Bauteil (220) mehrere, insbesondere zwei, vom zweiten Hauptkörper (221) abstehende zweite Biegebereiche (222) aufweist, wobei jeder der ersten Biegebereiche (212) mit einem der zweiten Biegebereiche (222) verbunden ist.Component connection according to one of the Claims 1 until 7th wherein the first component (210) has several, in particular two, first bending areas (212) protruding from the first main body (211) and the second component (220) has several, in particular two, second bending areas (222) protruding from the second main body (221) wherein each of the first bending regions (212) is connected to one of the second bending regions (222). Bauteilverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das erste Bauteil (210) ein Optikelement ist, welches Glas oder Keramik umfasst, und das zweite Bauteil (220) ein Rahmen ist, welcher Metall umfasst.Component connection according to one of the Claims 1 until 8th , wherein the first component (210) is an optical element which comprises glass or ceramic, and the second component (220) is a frame which comprises metal. Lithographieanlage (100A, 100B) mit einer Bauteilverbindung (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 9.Lithography system (100A, 100B) with a component connection (200) according to one of the Claims 1 until 9 . Verfahren zum Auslegen der Bauteilverbindung (200) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend: Bestimmen eines Abstands zwischen der ersten und/oder zweiten dehnungsneutralen Faser und der Kontaktebene (201), einer Länge, einer Breite und/oder einer Höhe des ersten und/oder zweiten Biegebereichs (212, 222) derart ist, dass eine Biegespannung in dem ersten und/oder in dem zweiten Biegebereich (212, 222) bei Temperaturänderungen, insbesondere bei Temperaturänderungen von höchstens ± 20°C, unterhalb einer vorbestimmten Maximalspannung bleibt.Method for designing the component connection (200) according to one of the Claims 1 until 9 , comprising: determining a distance between the first and / or second stretch-neutral fiber and the contact plane (201), a length, a width and / or a height of the first and / or second bending area (212, 222) such that a bending stress remains in the first and / or in the second bending area (212, 222) in the event of temperature changes, in particular in the event of temperature changes of at most ± 20 ° C., below a predetermined maximum voltage.
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