DE102021128670A1 - Anzeigepanel und dasselbe verwendende anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102021128670A1
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gate electrode
insulating layer
electrode
layer
driving element
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Seong Hwan Hwang
Byeong Uk Gang
Mun Chae Yoon
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LG Display Co Ltd
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Anzeigepanel (10) und eine dasselbe verwendende Anzeigevorrichtung. Das Anzeigepanel (10) weist eine erste Metallschicht (ML1); eine erste isolierende Schicht (BUF), die die erste Metallschicht überdeckt; eine Halbleiterschicht (ACT), die auf der ersten isolierenden Schicht (BUF) angeordnet ist; eine zweite isolierende Schicht (GI), die derart auf der ersten isolierenden Schicht (BUF) angeordnet ist, dass sie die Halbleiterschicht (ACT) überdeckt; und eine zweite Metallschicht (ML2), die auf der zweiten isolierenden Schicht (GI) angeordnet ist, auf, wobei die erste Metallschicht eine Bottom-Gate-Elektrode (GE2) eines Ansteuerungselements (DT) aufweist, wobei die zweite Metallschicht (ML2) eine Top-Gate-Elektrode (GE1) des Ansteuerungselements (DT) aufweist, die durch ein erstes Kontaktloch (CH1), das durch die zweite isolierende Schicht (GI) und die erste isolierende Schicht (BUF) hindurchtritt, mit der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) verbunden ist, wobei die Halbleiterschicht (ACT) einen Halbleiterkanal des Ansteuerungselements (DT) aufweist, der die Top-Gate-Elektrode (GE1) und die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) überlappt.

Description

  • QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNG
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität und den Vorteil der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2020-0150906 , eingereicht am 12. November 2020.
  • HINTERGRUND
  • 1. Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Anzeigepanel und eine dasselbe verwendende Anzeigevorrichtung.
  • 2. Diskussion der bezogenen Technik
  • Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen können in Abhängigkeit von dem Material der Emissionsschicht grob in anorganische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen und organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen eingeteilt werden. Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung eines aktiven Matrixtyps weist eine organische lichtemittierende Diode (im Folgenden als „OLED“ bezeichnet) auf, die selber Licht emittiert, und dahingehend einen Vorteil aufweist, dass die Ansprechgeschwindigkeit hoch ist und die Lichtausbeute und Helligkeit gut sind und der Betrachtungswinkel groß ist. In der organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung ist in jedem Pixel eine organische lichtemittierende Diode (OLED) gebildet. Die organischen lichtemittierende Anzeigevorrichtung weist eine hohe Ansprechgeschwindigkeit auf, ist in Bezug auf Lichtausbeute, Helligkeit und Betrachtungswinkel hervorragend und stellt ein hervorragendes Kontrastverhältnis und Farbwiedergabe bereit, da sie Schwarzabstufungen in vollständigem Schwarz ausdrücken kann.
  • Die organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung benötigt keine Hintergrundbeleuchtungseinheit und kann auf einem Kunststoffsubstrat, einem dünnen Glassubstrat oder einem Metallsubstrat, das ein flexibles Material ist, implementiert sein. Deshalb kann die flexible Anzeige als eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung implementiert sein.
  • Jedes der Pixel einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung weist ein Ansteuerungselement auf, das ein lichtemittierendes Element ansteuert. Das Ansteuerungselement führt dem lichtemittierenden Element entsprechend der Gate-Source-Spannung Vgs einen Strom zu. Verschiedene Verfahren werden unternommen, um die Strom-Belastbarkeit des Ansteuerungselements zu erhöhen.
  • Aufgrund von parasitärer Kapazität zwischen Signal-/Stromzuführungsleitungen, die in der Pixelmatrix gebildet sind, kann ein Übersprechen auftreten.
  • In jedem von den Pixeln kann ein Pixelschaltkreis gebildet sein. Der Pixelschaltkreis weist eine Struktur auf, in der eine Mehrzahl von Dünnfilmschichten, die Metallschichten und isolierende Schichten aufweisen, gestapelt sind. Aufgrund einer großen Anzahl von Kontaktlöchern, die die isolierenden Schichten durchdringen und Metallschichten oder Metallschichten und Halbleiterschichten an Hauptknoten verbinden, ist es schwierig, einen Pixelschaltkreis zu gestalten, der das Aperturverhältnis von Pixeln erhöhen kann.
  • ÜBERBLICK
  • Dementsprechend dient die vorliegende Offenbarung dazu, das oben genannte Bedürfnis und/oder Problem zu lösen.
  • Die vorliegende Offenbarung stellt ein Anzeigepanel, das die Strom-Belastbarkeit eines Ansteuerungselements verbessern, Übersprechen verhindern und die Anzahl von benötigen Kontaktlöchern reduzieren kann, und eine dasselbe verwendende Anzeigevorrichtung bereit.
  • Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf das oben genannte Bedürfnis und/oder Problem beschränkt, und weitere Merkmale der vorliegenden Offenbarung werden dem Fachmann aus den folgenden Beschreibungen ersichtlich werden.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Anzeigepanel gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Des Weiteren sind in Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel gemäß Anspruch 10 und eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 13 bereitgestellt. Weitere Aspekte sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • In einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Anzeigepanel bereitgestellt, aufweisend: eine erste Metallschicht; eine erste isolierende Schicht, die die erste Metallschicht überdeckt; eine Halbleiterschicht, die auf der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist; eine zweite isolierende Schicht, die auf der ersten isolierenden Schicht derart angeordnet ist, dass sie die Halbleiterschicht überdeckt; und eine zweite Metallschicht, die auf der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist. Die erste Metallschicht weist eine Bottom-Gate-Elektrode eines Ansteuerungselements auf. Die zweite Metallschicht weist eine Top-Gate-Elektrode des Ansteuerungselements auf, die durch ein erstes Kontaktloch, das die zweite isolierende Schicht und die erste isolierende Schicht durchdringt, mit der Bottom-Gate-Elektrode verbunden ist. Die Halbleiterschicht weist einen Halbleiterkanal des Ansteuerungselements auf, der die Top-Gate-Elektrode und die Bottom-Gate-Elektrode überlappt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren einen Pixelschaltkreis, der mit einer Datenleitung verbunden ist, der eine Datenspannung zugeführt wird, eine Gate-Leitung, der ein Gate-Signal zugeführt wird, eine VDD-Leitung, der eine Pixelansteuerungsspannung zugeführt wird, und eine REF-Leitung, der eine Referenzspannung zugeführt wird, auf.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist der Pixelschaltkreis ein erstes Schaltelement, das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Datenspannung an die Top-Gate-Elektrode und die Bottom-Gate-Elektrode des Ansteuerungselements anzulegen, ein zweites Schaltelement, das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Referenzspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements anzulegen, und ein lichtemittierendes Element, das mittels des Ansteuerungselements angesteuert wird, auf, wobei die Pixelansteuerungsspannung an eine Drain-Elektrode des Ansteuerungselements angelegt wird.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist die erste Metallschicht eine erste-erste Stromleitungsstruktur, an die die Pixelansteuerungsspannung angelegt wird, eine Bottom-Gate-Elektrodenstruktur, die die Bottom-Gate-Elektrode des Ansteuerungselements und eine Bottom-Elektrode eines Kondensators, die mit der Bottom-Gate-Elektrode verbunden ist, aufweist, und eine Datenleitungsstruktur, die die Datenleitung aufweist, auf, und wobei die zweite Metallschicht eine Top-Gate-Elektrodenstruktur, die die Top-Gate-Elektrode des Ansteuerungselements und eine Top-Elektrode des Kondensators, die mit der Top-Gate-Elektrode verbunden ist und das erste Kontaktloch überlappt, und eine Gate-Leitungsstruktur, die die Gate-Leitung aufweist, aufweist.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist die Halbleiterschicht eine erste Halbleiterstruktur, die den Halbleiterkanal des Ansteuerungselements, eine Zwischenelektrode des Kondensators, die mit dem Halbleiterkanal des Ansteuerungselements verbunden ist, die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Ansteuerungselements, einen Halbleiterkanal des zweiten Schaltelements, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des zweiten Schaltelements, und eine erste-zweite Stromleitung, durch die die Pixelansteuerungsspannung angelegt wird und die ein zweites Kontaktloch überlappt, aufweist, und eine zweite Halbleiterstruktur, die einen Halbleiterkanal des ersten Schaltelements, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des ersten Schaltelements aufweist und das erste Kontaktloch überlappt, auf, wobei die erste-erste Stromleitung und die erste-zweite Stromleitung einander mit der dazwischen eingefügten ersten isolierenden Schicht überkreuzen.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren eine dritte isolierende Schicht, die derart auf der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist, dass sie die zweite Metallschicht und die Halbleiterschicht überdeckt, und eine Planarisierungsschicht, die auf der dritten isolierenden Schicht angeordnet ist, auf, wobei eine Anodenelektrode des lichtemittierende Elements durch das zweite Kontaktloch mit der ersten Halbleiterstruktur verbunden ist, wobei das zweite Kontaktloch die Planarisierungsschicht und die dritte isolierende Schicht derart durchdringt, dass die erste Halbleiterstruktur freigelegt ist, und wobei ein Abschnitt der ersten Halbleiterstruktur, der innerhalb des zweiten Kontaktlochs mit der Anodenelektrode verbunden ist, ein metallisierter Abschnitt der Halbleiterschicht oder eine auf der Halbleiterschicht gebildete Metallschicht ist.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren einen ersten Schlitz auf, von dem zwischen einer langen Seite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur und der Datenleitungsstruktur die Planarisierungsschicht, die dritte isolierende Schicht, die zweite isolierende Schicht und die erste isolierende Schicht entfernt sind, wobei die Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche des ersten Schlitzes überdeckt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung ist eine Länge des ersten Schlitzes im Wesentlichen die gleiche wie eine Länge der langen Seite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren einen zweiten Schlitz auf, von dem zwischen der langen Seite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur und der ersten-ersten Stromleitungsstruktur die erste isolierende Schicht und die zweite isolierende Schicht entfernt sind, und wobei die dritte isolierende Schicht eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes überdeckt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung ist eine Länge des zweiten Schlitzes in Wesentlichen die gleiche wie eine Länge der anderen langen Seite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur.
  • In einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Anzeigepanel bereitgestellt, aufweisend: ein Ansteuerungselement zum Zuführen eines Stroms zu einem lichtemittierenden Element; ein erstes Schaltelement zum Verbinden einer Datenleitung, durch die in Antwort auf ein Gate-Signal von einer Gate-Leitung eine Datenspannung an eine Gate-Elektrode des Ansteuerungselements angelegt wird; ein zweites Schaltelement zum Anlegen einer Referenzspannung an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements in Antwort auf das Gate-Signal; und einen Kondensator, der zwischen die Gate-Elektrode des Ansteuerungselements und die Source-Elektrode des Ansteuerungselements geschaltet ist. Die Gate-Elektrode des Ansteuerungselements weist eine Top-Gate-Elektrode und eine Bottom-Gate-Elektrode auf, wobei die Top-Gate-Elektrode die Bottom-Gate-Elektrode mit einer dazwischen eingefügten Halbleiterschicht, die einen Halbleiterkanal aufweist, überlappt. Die Top-Gate-Elektrode berührt die Bottom-Gate-Elektrode durch ein erstes Kontaktloch, das eine erste isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht und eine zweite isolierende Schicht zwischen der Top-Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht durchdringt. Die Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements berührt die Halbleiterschicht durch ein zweites Kontaktloch, das eine dritte isolierende Schicht, die das Ansteuerungselement und die Schaltelemente überdeckt, und eine Planarisierungsschicht, die auf der dritten isolierenden Schicht angeordnet ist, durchdringt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren einen ersten Schlitz auf, von dem die Planarisierungsschicht, die dritte isolierende Schicht, die zweite isolierende Schicht und die erste isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der Datenleitung entfernt sind, wobei die Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche des ersten Schlitzes überdeckt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist das Anzeigepanel des Weiteren eine Stromleitung, durch die eine Pixelansteuerungsspannung angelegt wird, und einen zweiten Schlitz, von dem die erste isolierende Schicht und die zweite isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der Stromleitung entfernt sind, auf, wobei die dritte isolierende Schicht eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes überdeckt.
  • In einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, aufweisend: ein Anzeigepanel, in dem eine Mehrzahl von Datenleitungen, eine Mehrzahl von die Datenleitungen überkreuzenden Gate-Leitungen, eine Mehrzahl von ersten Stromleitungen, durch die eine Pixelansteuerungsspannung angelegt wird, eine Mehrzahl von zweiten Stromleitungen, durch die eine Referenzspannung angelegt wird, und eine Mehrzahl von Pixeln angeordnet sind; einen Datentreiber, der dazu eingerichtet ist, durch die Datenleitungen eine Datenspannung von Pixeldaten zuzuführen; und einen Gate-Treiber, der dazu eingerichtet ist, durch die Gate-Leitungen ein Gate-Signal zuzuführen, wobei jedes von den Pixeln aufweist: ein Ansteuerungselement, das dazu eingerichtet ist, einem lichtemittierenden Element einen Strom zuzuführen; ein erstes Schaltelement, das dazu eingerichtet ist, die Datenleitung zu verbinden, durch die in Antwort auf das Gate-Signal von der Gate-Leitung die Datenspannung an eine Gate-Elektrode des Ansteuerungselements angelegt wird; ein zweites Schaltelement, das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Referenzspannung, die niedriger ist als die Pixelansteuerungsspannung, an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements anzulegen; und einen Kondensator, der zwischen die Gate-Elektrode das Ansteuerungselements und die Source-Elektrode des Ansteuerungselements geschaltet ist, wobei die Gate-Elektrode des Ansteuerungselements eine Top-Gate-Elektrode und eine Bottom-Gate-Elektrode aufweist, wobei die Top-Gate-Elektrode die Bottom-Gate-Elektrode überlappt, mit einer dazwischen eingefügten Halbleiterschicht, die einen Halbleiterkanal aufweist, wobei die Top-Gate-Elektrode durch ein erstes Kontaktloch, das eine erste isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht und eine zweite isolierende Schicht zwischen der Top-Gate-Elektrode und der Halbleiterschicht durchdringt, die Bottom-Gate-Elektrode berührt, und wobei eine Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements durch ein zweites Kontaktloch, das eine dritte isolierende Schicht, die das Ansteuerungselement und das erste Schaltelement und das zweite Schaltelement überdeckt, und eine Planarisierungsschicht, die auf der dritten isolierenden Schicht angeordnet ist, durchdringt, die Halbleiterschicht berührt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist die Anzeigevorrichtung des Weiteren einen ersten Schlitz auf, von dem die Planarisierungsschicht, die dritte isolierende Schicht, die zweite isolierende Schicht und die erste isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der Datenleitung entfernt sind, und wobei die Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche des ersten Schlitzes überdeckt.
  • In Übereinstimmung mit einem oder mehreren Aspekten der vorliegenden Offenbarung weist die Anzeigevorrichtung des Weiteren einen zweiten Schlitz auf, von dem die erste isolierende Schicht und die zweite isolierende Schicht zwischen der Bottom-Gate-Elektrode und der ersten Stromleitung entfernt sind, wobei die dritte isolierende Schicht eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes überdeckt.
  • Die vorliegende Offenbarung kann mittels Implementierens der Gate-Elektrode des Ansteuerungselements, das ein lichtemittierendes Element ansteuert, in einer Doppel-Gate-Struktur die Strom-Belastbarkeit eines Ansteuerungselements verbessern.
  • In der vorliegenden Offenbarung kann die Anzahl von Kontaktlöchern, die Hauptknoten eines Pixelschaltkreises verbinden, mittels Optimierens der planaren Struktur und der Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises reduziert werden. Als ein Ergebnis kann die vorliegende Offenbarung aufgrund von in dem Pixelschaltkreis angeordneten Kontaktlöchern den Verlust des Aperturverhältnisses reduzieren.
  • In der vorliegenden Offenbarung ist zum Entfernen der parasitären Kapazität zwischen der benachbarten Bottom-Gate-Elektrode und der Datenleitung ein Schlitz, der mittels der Anodenelektrode überdeckt ist, zwischen der Bottom-Gate-Elektrode des Ansteuerungselements und der Datenleitung gebildet, wodurch ein Übersprechen verhindert wird.
  • In der vorliegenden Offenbarung ist ein Schlitz zwischen der Bottom-Gate-Elektrode eines Ansteuerungselements und der Datenleitung gebildet, um hierdurch einen Kurzschluss zwischen der benachbarten Bottom-Gate-Elektrode und der Datenleitung zu verhindern und die parasitäre Kapazität zu entfernen.
  • Effekte, die mittels der vorliegenden Offenbarung erzielt werden können, sind nicht auf die oben erwähnten Effekte beschränkt. Das bedeutet, dass andere Merkmale, die nicht erwähnt sind, vom Fachmann, den die vorliegende Offenbarung betrifft, aus der folgenden Beschreibung offensichtlich verstanden werden können.
  • Figurenliste
  • Die oben genannten und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden dem Fachmann klarer ersichtlich werden mittels detaillierter Beschreibung beispielhafter Aspekte davon unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in denen:
    • 1 ein Blockdiagramm ist, das schematisch eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 2 ein Schaltkreisdiagramm ist, das ein Beispiel eines Pixelschaltkreises darstellt;
    • 3 eine Querschnittansicht ist, die schematisch eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises in der Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 4 eine Draufsicht ist, die einen Pixelschaltkreis eines Subpixels in einem Anzeigepanel gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 5 eine Querschnittansicht ist, die eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises entlang der Linie I-I' der 4 darstellt;
    • 6 eine Draufsicht ist, die Strukturen einer ersten Metallschicht, die in 3 dargestellt ist, darstellt;
    • 7 eine Draufsicht ist, die Strukturen einer Halbleiterschicht und einer dritten Metallschicht, die in 5 dargestellt sind, darstellt;
    • 8 eine Draufsicht ist, die Strukturen einer in 3 dargestellten zweiten Metallschicht darstellt;
    • 9 eine Draufsicht ist, die die Anodenelektrode eines in 4 dargestellten lichtemittierenden Elements darstellt;
    • 10 eine Draufsicht ist, die einen Pixelschaltkreis eines Subpixels in einem Anzeigepanel gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 11 eine Querschnittansicht ist, die eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises entlang der Linie II-II' der 10 darstellt; und
    • 12 eine Draufsicht ist, die Strukturen einer ersten Metallschicht, die in 10 dargestellt ist, darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und Verfahren zum Erzielen derselben werden von Aspekten, die im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden, klarer verständlich werden. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die folgenden Aspekte beschränkt, sondern kann in mehreren verschiedenen Formen implementiert werden. Die vorliegenden Aspekte werden die Offenbarung der vorliegenden Offenbarung vielmehr vervollständigen und werden es dem Fachmann erlauben, den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig zu verstehen. Die vorliegende Offenbarung ist lediglich innerhalb des Anwendungsbereichs der beigefügten Ansprüche definiert.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und Ähnliches, die in den beigefügten Zeichnungen zum Beschreiben der Aspekte der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich im Allgemeinen über die vorliegende Anmeldung hinweg auf gleiche Elemente. Des Weiteren können beim Beschreiben der vorliegenden Offenbarung detaillierte Beschreibungen bekannter bezogener Technologien weggelassen werden, um zu verhindern, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötigerweise verschleiert wird.
  • Die hierin verwendeten Begriffe, wie beispielsweise „aufweisen“, „enthalten“ und „haben“, sind im Allgemeinen dazu vorgesehen, zuzulassen, dass weitere Komponenten hinzugefügt werden können, soweit diese Begriffe nicht mit dem Begriff „nur“ verwendet werden. Jegliche Bezeichnung in der Einzahl kann die Mehrzahl umfassen, außer wenn ausdrücklich anderes bestimmt ist.
  • Komponenten werden derart interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, selbst wenn dies nicht ausdrücklich erwähnt ist.
  • Wenn die räumliche Beziehung zwischen zwei Komponenten unter Verwendung der Begriffe, wie beispielsweise „auf“, „oberhalb“, „unterhalb“ und „neben“, beschrieben ist, können eine oder mehrere Komponenten zwischen den beiden Komponenten angeordnet sein, außer wenn die Begriffe mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet werden.
  • Die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und Ähnliches können verwendet werden, um Komponenten voneinander zu unterscheiden, jedoch sind die Funktionen oder Strukturen der Komponenten nicht mittels Ordnungszahlen oder Komponentennamen vor den Komponenten beschränkt.
  • Die gleichen Bezugszeichen können sich über die vorliegende Offenbarung hinweg auf die im Wesentlichen gleichen Elemente beziehen.
  • Die folgenden Aspekte können teilweise oder vollständig aneinander gebondet oder miteinander kombiniert sein und können auf verschiedene technische Weisen miteinander verbunden und betrieben werden. Die Aspekte können unabhängig von oder in Beziehung miteinander ausgeführt werden.
  • In einer Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung kann ein Pixelschaltkreis mindestens eines von einem n-Kanal-Transistor und einem p-Kanal-Transistor aufweisen. Transistoren können als Oxid-Dünnschichttransistoren (Oxid-TFTs), die einen Oxidhalbleiter aufweisen, Niedertemperatur-Polysilizium (LTPS)-TFTs, die ein Niedertemperatur-Polysilizium aufweisen, oder Ähnliches implementiert sein. Des Weiteren kann jeder der Transistoren als ein p-Kanal-TFT oder ein n-Kanal-TFT implementiert sein. In Aspekten werden Beschreibungen basierend auf einem Beispiel gegeben werden, in dem die Transistoren des Pixelschaltkreises als die p-Kanal-TFTs implementiert sind, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
  • Ein Transistor ist ein Drei-Elektroden-Element, das ein Gate, eine Source und einen Drain aufweist. Die Source ist eine Elektrode, die dem Transistor Ladungsträger zuführt. In dem Transistor beginnen Ladungsträger von der Source aus zu fließen. Der Drain ist eine Elektrode, durch die Ladungsträger aus dem Transistor austreten. In einem Transistor fließen Ladungsträger von einer Source zu einem Drain. In dem Falle eines n-Kanal-Transistors ist, da Ladungsträger Elektronen sind, eine Source-Spannung eine Spannung, die niedriger ist als eine Drain-Spannung, so dass Elektronen von einer Source zu einem Drain fließen können. Der n-Kanal-Transistor weist eine Richtung eines Stroms auf, der von dem Drain zu der Source fließt. In dem Falle eines p-Kanal-Transistors (p-Kanal-Metalloxidhalbleiter (PMOS)) ist, da Ladungsträger Löcher sind, eine Source-Spannung höher als eine Drain-Spannung, so dass Löcher von einer Source zu einem Drain fließen können. In dem p-Kanal-Transistor fließt, da Löcher von der Source zu dem Drain fließen, ein Strom von der Source zu dem Drain. Es ist zu bemerken, dass eine Source und ein Drain eines Transistors nicht festgelegt sind. Zum Beispiel können eine Source und ein Drain entsprechend einer angelegten Spannung geändert sein. Deshalb ist die vorliegende Offenbarung nicht aufgrund einer Source und eines Drains eines Transistors beschränkt. In der folgenden Beschreibung werden eine Source und ein Drain eines Transistors als eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode bezeichnet werden.
  • Ein Gate-Signal schwingt zwischen einer Gate-Ein-Spannung und einer Gate-Aus-Spannung. Die Gate-Ein-Spannung ist auf eine Spannung festgelegt, die höher ist als eine Schwellenspannung eines Transistors, und die Gate-Aus-Spannung ist auf eine Spannung festgelegt, die niedriger ist als die Schwellenspannung des Transistors. Ein Transistor wird in Antwort auf eine Gate-Ein-Spannung eingeschaltet und in Antwort auf eine Gate-Aus-Spannung ausgeschaltet. In dem Falle eines n-Kanal-Transistors kann eine Gate-Ein-Spannung eine Gate-Hoch-Spannung VGH sein, und eine Gate-Aus-Spannung kann eine Gate-Niedrig-Spannung VGL sein. In dem Falle eines p-Kanal-Transistors kann eine Gate-Ein-Spannung die Gate-Niedrig-Spannung VGL sein, und eine Gate-Aus-Spannung kann die Gate-Hoch-Spannung VGH sein.
  • Das Ansteuerungselement des Pixelschaltkreises kann als ein Transistor implementiert sein. Obwohl elektrische Eigenschaften zwischen Pixeln einheitlich zwischen allen Pixeln sein sollten, können aufgrund von Prozessvariationen und Abweichungen von Vorrichtungseigenschaften Unterschiede zwischen Pixeln auftreten. Die elektrischen Eigenschaften der Pixel können im Verlaufe der Anzeigeansteuerungsdauer schlechter werden. Um die Abweichung der elektrischen Eigenschaften zwischen den Pixeln zu kompensieren, kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung einen externen Kompensationsschaltkreis aufweisen. Der externe Kompensationsschaltkreis kann die Schwellenspannung und/oder Beweglichkeit des Ansteuerungselements durch ein Ermittlungs-Schaltelement in jedem von den Pixelschaltkreisen und eine REF-Leitung (oder Ermittlungsleitung), die mit dem Ermittlungs-Schaltelement verbunden ist, ermitteln und zu einem externen Kompensator übertragen. Der Kompensator kompensiert basierend auf einem Ermittlungsergebnis von jedem von den Subpixeln mittels Modulierens der Pixeldaten eines Eingabebildes die Abweichung der elektrischen Eigenschaften und Verschlechterung zwischen Pixeln.
  • Im Folgenden werden verschiedene Aspekte der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
  • Unter Bezugnahme auf 1 und 2 weist die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigepanel 10 und einen Anzeigepanel-Treiber zum Schreiben von Pixeldaten auf Pixel des Anzeigepanels 10 auf.
  • Der Anzeigepanel-Treiber weist einen Datentreiber 12, einen Gate-Treiber 13 und eine Zeitablaufsteuerung 11 auf.
  • Der Bildschirm des Anzeigepanels 10 weist eine Pixelmatrix AA auf, auf der ein eingegebenes Bild angezeigt wird. In der Pixelmatrix AA sind eine Mehrzahl von Datenleitungen DL, eine Mehrzahl von Gate-Leitungen GL, die die Datenleitungen DL überkreuzen, eine Mehrzahl von REF-Leitungen RL parallel zu den Datenleitungen DL und eine Mehrzahl von Pixeln P, die in einer Matrixform angeordnet sind, angeordnet.
  • Jedes von den Pixeln P kann für eine Farbwiedergabe in ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel unterteilt sein. Jedes Pixel kann des Weiteren ein weißes Subpixel aufweisen. Jedes von den Pixeln kann einen in 2 dargestellten Pixelschaltkreis aufweisen.
  • Jedes von den Subpixeln ist mit einer von den Datenleitungen DL, durch die die Datenspannung zugeführt wird, mit einer von den REF-Leitungen RL, durch die die Referenzspannung REF zugeführt wird, und mit einer von den Gate-Leitungen verbunden. Außerdem ist jedes von den Subpixeln mit der VDD-Leitung PL, durch die die Pixelansteuerungsspannung EVDD zugeführt wird, verbunden, und ihr wird durch die VSS-Elektrode eine Niedriges-Potential-Netzspannung EVSS zugeführt.
  • Der Datentreiber 12 weist eine Datenkanaleinheit 20, die den Datenleitungen DL des Anzeigepanels 10 eine Datenspannung zuführt, und eine Ermittlungskanaleinheit 30, die zum Ermitteln von Ansteuerungseigenschaften des Pixelschaltkreises in Echtzeit mit dem Pixelschaltkreis von jedem von den Subpixeln verbunden ist, auf.
  • Die Datenkanaleinheit 20 weist eine Mehrzahl von Digital-zu-Analog-Wandlern auf (im Folgenden als „DAC“ bezeichnet), die in jedem von den Kanälen angeordnet sind. In dem Anzeigemodus wandelt der DAC der Datenkanaleinheit 20 zum Ausgeben einer Datenspannung Vdaten die von der Zeitablaufsteuerung 11 eingegebenen Pixeldaten in eine Gamma-Kompensationsspannung für jeden Graupegel um. In dem Ermittlungsmodus gibt die Datenkanaleinheit 20 unter der Steuerung der Zeitablaufsteuerung 11 zum Ermitteln eine Datenspannung Vdaten aus. Die von jedem der Kanäle der Datenkanaleinheit 20 ausgegebene Datenspannung Vdaten kann direkt an die Datenleitungen DL angelegt werden oder kann durch eine Umschalteinheit 40 an die Datenleitungen DL angelegt werden.
  • Das Anzeigepanel 10 kann des Weiteren eine Umschalteinheit 40 aufweisen. Die Umschalteinheit 40 kann einen Demultiplexer DEMUX, der zwischen Kanälen, durch die ein Datenspannung von der Datenkanaleinheit 20 ausgegeben werden, und die Datenleitungen DL geschaltet ist, aufweisen. Der Demultiplexer kann mittels Verteilens der Datenspannung, die von jedem der Kanäle der Datenkanaleinheit 20 ausgegeben wird, die Anzahl von Kanälen der Datenkanaleinheit 20 in einem Zeitmultiplexverfahren auf zwei der mehr Datenleitungen DL reduzieren.
  • Die Ermittlungskanaleinheit 30 weist einen Abtastschaltkreis und einen Integrierer, der mit den REF-Leitungen RL verbunden ist, und einen Analog-zu-DigitalWandler (im Folgenden als „ADC“ bezeichnet), der die Ausgabespannung von dem Integrierer in Ermittlungsdaten (digitale Daten) umwandelt, auf. Die Ermittlungsdaten werden zu der Kompensationseinheit der Zeitablaufsteuerung 11 übertragen.
  • Der Gate-Treiber 13 kann als ein Gate-in-Panel GIP-Schaltkreis implementiert sein, der direkt auf dem Einfassungsbereich des Anzeigepanels 10 gebildet ist, zusammen mit der TFT-Matrix der Pixelmatrix. Der Gate-Treiber 13 gibt unter der Kontrolle der Zeitablaufsteuerung 11 an die Gate-Leitungen GL ein Gate-Signal aus. Der Gate-Treiber 13 kann unter Verwendung eines Verschieberegisters zum nacheinander Zuführen der Signale zu den Gate-Leitungen GL das Gate-Signal verschieben. Die Spannung des Gate-Signals schwingt zwischen der Gate-Aus-Spannung und der Gate-Ein-Spannung. Der Gate-Treiber 13 kann zum Zuführen eines Gate-Signals zu den Gate-Leitungen GL in einem Doppelzuführungsschema auf jeder von der linken Einfassung und der rechten Einfassung des Anzeigepanels 10 angeordnet sein. In dem Doppelzuführungsschema können unter der Steuerung der Zeitablaufsteuerung 11 die Gate-Treiber 13 auf beiden Seiten synchronisiert werden, so dass Gate-Signale an beiden Enden einer Gate-Leitung gleichzeitig angelegt werden können. In einem weiteren Aspekt kann der Gate-Treiber 13 zum Zuführen eines Gate-Signals zu der Gate-Leitung in einem Einzelzuführungsschema auf einer von der linken Einfassung und der rechten Einfassung des Anzeigepanels 10 angeordnet sein.
  • Die Zeitablaufsteuerung 11 moduliert die Pixeldaten des eingegebenen Bildes basierend auf den Ermittlungsdaten, die von der Ermittlungskanaleinheit 30 empfangen werden, und überträgt sie zu der Datenkanaleinheit 20 des Datentreibers 12 und steuert die Datenkanaleinheit 20 und den Gate-Treiber 13.
  • Die Zeitablaufsteuerung 11 empfängt Pixeldaten DATEN eines eingegebenen Bildes und ein Zeitablaufsignal, das mit den Pixeldaten synchronisiert ist, von dem Wirtssystem. Das Zeitablaufsignal kann ein vertikales Synchronisationssignal Vsync, ein horizontales Synchronisationssignal Hsync, einen Hauptzeittakt DCLK und ein Datenfreigabesignal DE aufweisen. Ein Zyklus des vertikalen Synchronisationssignals Vsync ist eine Rahmenperiode. Ein Zyklus des horizontalen Synchronisationssignals Hsync und des Datenfreigabesignals ist eine Horizontalperiode (1H). Der Impuls des Datenfreigabesignals DE ist mit Daten einer Leitung, die auf die Pixel einer Pixelleitung geschrieben werden sollen, synchronisiert. Da die Rahmenperiode und die horizontale Periode mittels Zählens des Datenfreigabesignals DE bekannt sein können, können das vertikale Synchronisationssignal Vsync und das horizontale Synchronisationssignal Hsync weggelassen werden.
  • Die Zeitablaufsteuerung 11 kann zum Erzeugen von Steuersignalen (DDC, GDC) einer Rahmenfrequenz, die auf Eingaberahmenfrequenz × i (Hz) festgelegt ist, zum Steuern des Betriebszeitablaufs des Datentreibers 12, des Gate-Treibers 13 und der Umschalteinheit 40 die Eingaberahmenfrequenz (Hz) mit i multiplizieren (wobei i eine positive ganze Zahl größer als 0 ist). Die Eingaberahmenfrequenz beträgt in dem National-Television-Standards-Committee (NTSC)-System 60 Hz und beträgt in dem Phase-Alternating-Line (PAL)-System 50 Hz. Die Zeitablaufsteuerung 11 kann die Rahmenfrequenz auf eine Frequenz zwischen 1 Hz und 30 Hz absenken, um die Bildwiederholfrequenz von Pixeln in einem niedrigen Ansteuerungsmodus abzusenken.
  • Das Spannungsniveau des Gate-Zeitablaufsignals, das von der Zeitablaufsteuerung 11 ausgegeben wird, kann durch einen Pegelschieber (nicht dargestellt) verschoben werden. Das Gate-Zeitablaufsignal kann einen Startimpuls, einen Verschiebezeittakt oder Ähnliches aufweisen. Der Pegelschieber kann eine Spannung niedrigen Niveaus des Gate-Zeitablaufsteuersignals in eine Gate-Niedrige-Spannung umwandeln und kann eine Spannung hohen Niveaus des Gate-Zeitablaufsteuersignals in eine Gate-Hohe-Spannung umwandeln. Das Verschieberegister des Gate-Treibers 13 empfängt ein Gate-Zeitablaufsteuersignal, erzeugt ein Gate-Signal und verschiebt das Gate-Signal.
  • Die Zeitablaufsteuerung 11 kann einen Ermittlungsmodus zum Ermitteln von elektrischen Eigenschaften des Ansteuerungselements DT von jedem von den Subpixeln und zum entsprechend Aktualisieren eines Kompensationswertes steuern und kann einen Anzeigemodus zum Anzeigen von Pixeldaten eines eingegebenen Bildes, das den Kompensationswert widerspiegelt, steuern. Die Zeitablaufsteuerung 11 kann zum Auftrennen des Ermittlungsmodus und des Anzeigemodus entsprechend einer vorher festgelegten Reihenfolge den Datentreiber 12, den Gate-Treiber 13 und die Umschalteinheit 40 steuern, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Zum Beispiel kann der Ermittlungsmodus während eines vertikalen Leerzeitraums des Anzeigemodus, in dem ein Eingabebild auf den Pixeln angezeigt wird, durchgeführt werden, kann während eines Anschaltsequenz-Zeitraums, wenn das Anlegen von Strom an die Anzeigevorrichtung gestartet wird, durchgeführt werden, oder kann während eines Ausschaltsequenz-Zeitraums, bevor ein Strom vollständig entladen ist, nachdem die Anzeigevorrichtung ausgeschaltet wird, durchgeführt werden. Der vertikale Leerzeitraum ist ein Zeitraum, in dem Pixeldaten DATEN des eingegebenen Bildes nicht auf die Pixel geschrieben werden. Der vertikale Leerzeitraum ist zwischen vertikalen Aktivzeiträumen, in denen ein Rahmen von Pixeldaten DATEN geschrieben wird, zugeordnet. Der Einschaltsequenz-Zeitraum weist einen Übergangszeitraum auf, bis das eingegebene Bild auf der Pixelmatrix AA angezeigt wird, nachdem ein Anlegen von Strom an die Anzeigevorrichtung gestartet ist. Der Ausschaltsequenz-Zeitraum weist einen Übergangszeitraum auf, bis der Strom der Anzeigevorrichtung vollständig abgeschaltet ist, nachdem die Datenadressierung von Pixeln vervollständigt ist.
  • Die Kompensationseinheit der Zeitablaufsteuerung 11 kann eine Lookup-Tabelle zur Kompensation (oder Kompensations-Lookup-Tabelle) aufweisen. Diese Lookup-Tabelle speichert Kompensationswerte zum Kompensieren der Schwellenspannung Vth und der Beweglichkeit µ des Ansteuerungselements DT für jedes Subpixel. Um Änderungen in elektrischen Eigenschaften des Ansteuerungselements DT in jedem von den Subpixeln zu kompensieren, gibt die Kompensationseinheit die von dem ADC der Ermittlungskanaleinheit 30 empfangenen Ermittlungsdaten in die Kompensations-Lookup-Tabelle ein und moduliert die Pixeldaten des eingegebenen Bildes mittels Addierens oder Multiplizierens des Kompensationswertes, der von der Kompensations-Lookup-Tabelle ausgegeben wird, und der Pixeldaten.
  • Der Datentreiber 12 und der Gate-Treiber 13 können unter der Steuerung der Zeitablaufsteuerung 11 in einem Ansteuerungsmodus geringer Geschwindigkeit betrieben werden. In dem Ansteuerungsmodus geringer Geschwindigkeit kann der Energieverbrauch der Anzeigevorrichtung reduziert sein, wenn das eingegebene Bild sich, als ein Ergebnis des Analysierens des eingegebenen Bildes, für einen vorher festgelegten Zeitraum nicht verändert. In dem Ansteuerungsmodus geringer Geschwindigkeit ist, wenn ein Standbild für einen vorher festgelegten Zeitraum oder länger eingegeben wird, die Bildwiederholfrequenz der Pixel ist abgesenkt, um den Daten-Schreibe-Zyklus der Pixel derart zu steuern, dass er länger ist, wodurch ein Energieverbrauch verringert ist. Der Ansteuerungsmodus geringer Geschwindigkeit ist nicht darauf beschränkt, wenn ein Standbild eingegeben wird. Zum Beispiel kann, wenn die Anzeigevorrichtung in einem Standby-Modus betrieben wird oder wenn ein Nutzerkommando oder ein eingegebenes Bild für einen vorher festgelegten Zeitraum oder länger nicht an dem Anzeigepanel eingegeben wird, der Anzeigepaneltreiber in dem Ansteuerungsmodus niedriger Geschwindigkeit betrieben werden.
  • Das Wirtssystem kann eines von einem Fernseher (TV)-System, einem Digitalempfänger, einem Navigationssystem, einem Personal Computer (PC), einem Heimkinosystem, einer mobilen Vorrichtung, einer tragbaren Vorrichtung und einem Fahrzeugsystem sein.
  • Die Anzeigevorrichtung weist des Weiteren eine Stromversorgung 50 auf. Die Stromversorgung 50 kann eine Ladungspumpe, einen Regler, einen Abwärtswandler, einen Aufwärtswandler, einen programmierbaren Gamma-IC und Ähnliches aufweisen. Die Stromversorgung 50 passt die DC-Eingangsspannung von dem Wirtssystem zum Erzeugen eines für die Ansteuerung des Anzeigepaneltreibers und des Anzeigepanels 10 erforderlichen Strom an. Die Stromversorgung 50 kann eine Gleichspannung, wie beispielsweise eine Gamma-Referenzspannung, eine Gate-Niedrig-Spannung, eine Gate-Hoch-Spannung, eine Pixelansteuerungsspannung EVDD, eine Niedriges-Potential-Netzspannung EVSS oder eine Referenzspannung REF ausgeben. Der Impuls des Gate-Signals schwingt zwischen der Gate-Hoch-Spannung und der Gate-Niedrig-Spannung. Die Gamma-Referenzspannung wird an den Spannungsteilerschaltkreis der Datenkanaleinheit 20 angelegt. Der Spannungsteilerschaltkreis teilt die Gamma-Referenzspannung zum Ausgeben einer Gamma-Kompensationsspannung für jeden Graupegel. Die Gamma-Kompensationsspannung für jeden Graupegel wird dem DAC der Datenkanaleinheit 20 zugeführt. Der programmierbare Gamma-IC kann den Spannungspegel von jeder Gamma-Referenzspannung entsprechend einer Registereinstellung ändern.
  • Wie in 2 dargestellt, ist der Pixelschaltkreis mit der Datenleitung DL, durch die die Datenspannung der Pixeldaten DATEN zugeführt wird, der REF-Leitung RL, durch die die Referenzspannung REF zugeführt wird, und der Gate-Leitung GL, durch die das Gate-Signal SCAN zugeführt wird, verbunden. Die Referenzspannung REF kann auf eine Gleichspannung eingestellt werden, die niedriger ist als die Pixelansteuerungsspannung EVDD und kleiner als oder gleich der Niedriges-Potential-Netzspannung EVSS ist.
  • Der Pixelschaltkreis weist ein lichtemittierendes Element OLED, ein Ansteuerungselement DT, ein erstes Schaltelement ST1, ein zweites Schaltelement ST2 und einen Speicherkondensator Cst auf. Jedes von dem Ansteuerungselement DT und den Schaltelementen ST1 und ST2 kann als ein Transistor implementiert sein.
  • Das lichtemittierende Element OLED kann als eine OLED, die eine Organische-Verbindung-Schicht, die zwischen der Anodenelektrode und der Kathodenelektrode gebildet ist, implementiert sein. Die Organische-Verbindung-Schicht kann eine Löcherinjektionsschicht (HIL), eine Löchertransportschicht (HTL), eine Emissionsschicht (EML), eine Elektronentransportschicht (ETL) und eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Das lichtemittierende Element OLED ist zwischen einen dritten Knoten Ns, der mit der Source-Elektrode des Ansteuerungselements DT verbunden ist, und der VSS-Elektrode, an die die Niedriges-Potential-Netzspannung EVSS angelegt wird, geschaltet. Das lichtemittierende Element OLED wird mittels eines Stroms, der mittels der Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungselements DT erzeugt wird, derart angesteuert, dass es Licht emittiert.
  • Das Ansteuerungselement DT weist eine Gate-Elektrode, die mit einem ersten Knoten Ng verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit einem zweiten Knoten Nd verbunden ist, und einer Source-Elektrode, die mit einem dritten Knoten Ns verbunden ist, auf. Die Source-Elektrode des Ansteuerungselements DT ist durch den dritten Knoten Ns mit der Anodenelektrode des lichtemittierenden Elements OLED verbunden. Das Ansteuerungselement DT steuert mittels Steuerns der Strommenge, die entsprechend der Gate-Source-Spannung Vgs an das lichtemittierende Element OLED angelegt wird, das lichtemittierende Element OLED. Die Pixelansteuerungsspannung EVDD kann an die Drain-Elektrode des Ansteuerungselements DT angelegt werden.
  • Das erste Schaltelement ST1 weist eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der Datenleitung DL verbunden ist, und eine Source-Elektrode, die mit dem ersten Knoten Ng verbunden ist, auf. Das erste Schaltelement ST1 wird in Antwort auf einen Impuls des Gate-Signals SCAN von der Gate-Leitung GL eingeschaltet. Wenn das erste Schaltelement ST1 eingeschaltet wird, wird die Datenleitung DL, durch die die Datenspannung der Pixeldaten DATEN angelegt wird, mit dem ersten Knoten Ng verbunden, und die Datenspannung wird an die Gate-Elektrode des Ansteuerungselements DT und den Speicherkondensator Cst angelegt.
  • Das zweite Schaltelement ST2 weist eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung GL verbunden ist, eine Drain-Elektrode, die mit der REF-Leitung RL verbunden ist, und eine Source-Elektrode, die mit dem dritten Knoten Ns verbunden ist, auf. Das zweite Schaltelement ST2 wird in Antwort auf einen Impuls des Gate-Signals SCAN von der Gate-Leitung GL eingeschaltet und verbinden die REF-Leitung RL und den dritten Knoten Ns. Wenn das zweite Schaltelement ST2 eingeschaltet wird, wird die Referenzspannung REF an den dritten Knoten Ns angelegt. Wenn das zweite Schaltelement ST2 in dem Ermittlungsmodus eingeschaltet wird, können die elektrischen Eigenschaften des Ansteuerungselements DT mittels des durch den dritten Knoten Ns fließenden Stroms ermittelt werden. Die REF-Leitung RL ist mit der Ermittlungskanaleinheit 30 verbunden, und der durch den dritten Knoten Ns fließende Strom wird der Ermittlungskanaleinheit 30 zugeführt.
  • Der Speicherkondensator Cst ist zwischen den ersten Knoten Ng und den dritten Knoten Ns geschaltet und erhält die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungselements DT während des Emissionszeitraums des Pixels P aufrecht. Wenn die Gate-Source-Spannung Vgs zunimmt, nimmt die Strommenge, die durch das lichtemittierende Elemente OLED fließt, zu, so dass die Helligkeit des Pixels P zunimmt. Die Helligkeit des Pixels P nimmt proportional zu der Höhe der an den ersten Knoten Ng angelegten Spannung, das heißt, der Datenspannung Vdaten, zu.
  • Die Gate-Elektrode des Ansteuerungselements DT kann in einer Doppel-Gate-Struktur implementiert sein. In einem Transistor, der eine Doppel-Gate-Struktur aufweist, ist, da auf beiden Seiten des Halbleiterkanals Ladungsträger fließen, die Beweglichkeit der Ladungsträger erhöht. Das Ansteuerungselement DT wird in dem Sättigungsbereich betrieben und führt dem lichtemittierenden Element OLED einen Strom zu. In dem Falle, dass das Ansteuerungselement DT in einer Doppel-Gate-Struktur implementiert ist, kann sich, wenn es in dem Sättigungsbereich betrieben wird, der zwischen dem Drain und der Source des Ansteuerungselements DT fließende Strom auf ungefähr das Dreifache im Vergleich zu einer Einzel-Gate-Struktur erhöhen.
  • Die Schaltelemente ST1 und ST2 können in einer Einzel-Gate-Struktur oder einer Doppel-Gate-Struktur implementiert sein. Die Schaltelemente ST1 und ST2 werden in dem linearen Bereich betrieben. Wenn die Schaltelemente ST1 und ST2 in einer Doppel-Gate-Struktur implementiert sind, nimmt die Beweglichkeit der durch den Halbleiterkanal fließenden Ladungsträger zu. Da die Schaltelemente ST1 und ST2 in dem linearen Bereich betrieben werden, erhöht sich die Strommenge auf ungefähr das 1,5-fache.
  • Wenn die Schaltelemente ST1 und ST2 auf dem Anzeigepanel 10 in einer Doppel-Gate-Struktur hergestellt sind, kann die parasitäre Kapazität, die zwischen die Gate-Leitung und die Schaltelemente ST1 und ST2 geschaltet ist, zunehmen, und sie können für eine Änderung der Leitungsbreitenverteilung oder eine Änderung der kritischen Größe (CD) in dem Herstellungsprozess anfälliger werden. Deshalb können die Schaltelemente ST1 und ST2 unter Berücksichtigung des Effekts des Verbesserns der Strom-Belastbarkeit der Schaltelemente ST1 und ST2, der Gate-Drain-parasitären-Kapazität Cgd zwischen Pixeln aufgrund von Leitungsbreitenvariationen und der Nicht-Einheitlichkeit der Gate-Source-parasitären-Kapazität Cgs in einer Einzel-Gate-Struktur oder einer Doppel-Gate-Struktur ausgestaltet werden.
  • 3 eine ist Querschnittansicht, die schematisch eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises in der Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Unter Bezugnahme auf 3 weist die Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises eine erste Metallschicht ML1, die auf dem Substrat des Anzeigepanels 10 angeordnet ist, eine Pufferschicht BUF, die die erste Metallschicht ML1 überdeckt, eine Halbleiterschicht ACT, die auf der Pufferschicht BUF angeordnet ist, eine Gate-isolierende Schicht Gl, die derart auf der Pufferschicht BUF angeordnet ist, dass sie die Halbleiterschicht ACT überdeckt, und eine zweite Metallschicht ML2, die auf der Gate-isolierenden Schicht GI angeordnet ist, auf.
  • Die Pufferschicht BUF und die Gate-isolierende Schicht GI sind isolierende Schichten, die aus einem isolierenden Material, beispielsweise einem anorganischen isolierenden Material, wie beispielsweise SiO2 oder SiNx, gebildet sind.
  • Die erste Metallschicht ML weist die Datenleitung DL, die Bottom-Gate-Elektrode GE2 des Transistors TFT, die Bottom-Elektrode CE1 des Kondensators Cst, die VDD-Leitung PL, die REF-Leitung RL und Ähnliches auf. In 3 sind die Stromleitungen PL und RL weggelassen.
  • Die Bottom-Gate-Elektrode GE2 des Transistors TFT ist unter dem Halbleiterkanal des Transistors TFT angeordnet und dient ebenso als eine Lichtabschirmungsschicht, die externes Licht blockiert, so dass Licht nicht auf den Halbleiterkanal einstrahlt.
  • Die Top-Gate-Elektrode GE1 des Transistors TFT kann aus Metallstrukturen gebildet sein, die durch Strukturieren der zweiten Metallschicht ML2, die auf der Gate-isolierenden Schicht GI angeordnet ist, unterteilt sind. Hierbei kann der auf der Bottom-Gate-Elektrode GE2 angeordnete Transistor TFT das in 2 dargestellte Ansteuerungselement DT sein. Die Gate-Elektrode von jedem von dem ersten Schaltelement ST1 und dem zweiten Schaltelement ST2, die in der Zeichnung weggelassen sind, können aus Metallstrukturen, die aus der zweiten Metallschicht strukturiert sind, gebildet sein.
  • Die zweite Metallschicht ML2 weist des Weiteren eine Gate-Leitung GL auf, die mit den Gate-Elektroden der Schaltelemente ST1 und ST2 verbunden ist. Die zweite Metallschicht ML2 kann des Weiteren die Top-Elektrode CE3 des Speicherkondensators Cst aufweisen.
  • Die Halbleiterschicht ACT weist die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE des Transistors TFT, den Halbleiterkanal des Transistors TFT und die Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst auf. Die Halbleiterschicht ACT kann in mindestens einigen Abschnitten, zum Beispiel der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors TFT, einem Abschnitt, der mit der zweiten Metallschichtstruktur verbunden ist, und einem Zwischenelektrodenabschnitt des Speicherkondensators Cst, metallisiert sein. Die Halbleiterschicht ACT ist in dem Halbleiterkanal, der unter der Gate-Elektrode GE1 des Transistors TFT definiert ist, nicht metallisiert.
  • In dem Falle, dass Indiumgalliumzinkoxid (IGZO) verwendet ist, das ein charakteristischer Oxidhalbleiter ist, variieren die Leitfähigkeitseigenschaften in Abhängigkeit von dem Sauerstoffgehalt. Wenn der Sauerstoffgehalt abnimmt, nimmt die Leitfähigkeit des Oxidhalbleiters (IGZO) zu, und er wird metallisiert. Als ein Verfahren zum Reduzieren des Sauerstoffgehalts des Oxidhalbleiters (IGZO) kann eine Plasmabehandlung verwendet werden. Zum Beispiel wird, wenn der Oxidhalbleiter gegenüber Plasma exponiert wird (einem Metallisierungsprozess), in dem Oxidhalbleiter vorhandener Sauerstoff entfernt und der Widerstand des Oxidhalbleiters (IGZO) wird abgesenkt, so dass der Oxidhalbleiter metallisiert sein kann. Eine Plasmabehandlung ist ein Verfahren zum Erzeugen einer Plasmaentladung in Helium- (He), Wasserstoff-(H) oder Argon- (Ar) Gas. In einem Trockenätzprozess einer Dünnfilmschicht, die auf der Halbleiterschicht ACT angeordnet ist, kann der exponierte Abschnitt der Halbleiterschicht ACT metallisiert werden.
  • Eine dritte Metallschicht (MA in 5) kann teilweise auf der Halbleiterschicht ACT gebildet sein. Die dritte Metallschicht, die auf der Halbleiterschicht ACT und der Top-Gate-Elektrode GE1 des Transistors gebildet ist, kann in dem Metallisierungsprozess der Halbleiterschicht ACT als eine Maske wirken, so dass die Halbleiterschicht ACT unter der dritten Metallschicht und der Gate-Elektrode GE1 nicht metallisiert wird. Die dritte Metallschicht berührt zwischen der ersten Metallschicht ML1 und der zweiten Metallschicht ML2 die Halbleiterschicht ACT.
  • Nachdem die Halbleiterschicht ACT und die dritte Metallschicht auf der Pufferschicht BUF gestapelt sind, können sie unter Verwendung einer Halbtonmaske derart gemeinsam in einem Photolithographieprozess (im Folgenden als ein „Belichtungsprozess“ bezeichnet) strukturiert werden, dass sie auf der gleichen Leitung gebildet sind.
  • Die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors TFT und die Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst können, wie oben beschrieben, aus dem metallisierten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder der dritten Metallschicht gebildet sein. Der Speicherkondensator Cst kann einen ersten Kondensator Cst1 zwischen der Bottom-Elektrode CE1 und der Zwischenelektrode CE2 und einen zweiten Kondensator Cst2 zwischen der Zwischenelektrode CE2 und der Top-Elektrode CE3 aufweisen. Solchermaßen kann der Speicherkondensator Cst unter Verwendung von den zwei Kondensatoren Cst1 und Cst2 eine erhöhte Kapazität aufweisen. Die Größe der Elektrode des Speicherkondensators Cst kann reduziert werden, ohne die Kapazität zu reduzieren, die von dem Speicherkondensator Cst erforderlich ist. Somit kann, da die Größe des Speicherkondensators Cst reduziert ist, das Aperturverhältnis des Pixels P verbessert sein.
  • 4 ist eine Draufsicht, die einen Pixelschaltkreis eines Subpixels in einer Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt. 5 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises entlang einer Linie I-I' der 4 darstellt.
  • Unter Bezugnahme auf 4 und 5 weist jedes von den Subpixeln einen lichtemittierenden Abschnitt EA und eine Schaltkreisabschnitt CA auf.
  • Der lichtemittierende Abschnitt EA weist ein lichtemittierendes Element OLED auf. Ein Farbfilter kann in dem lichtemittierenden Abschnitt EA angeordnet sein. Licht von dem lichtemittierenden Element OLED wird durch den lichtemittierenden Bereich in dem lichtemittierenden Abschnitt EA nach außen emittiert. Der lichtemittierende Bereich ist mittels der Pixel-definierenden Schicht BNK definiert. Die Pixel-definierende Schicht BNK überdeckt die Kante der Anodenelektrode AND des lichtemittierenden Elements OLED. Hierbei kann die ebene Form der Anodenelektrode AND in der gleichen Struktur wie in 9 gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. In 4 ist nur ein Teil des lichtemittierenden Abschnitts EA angrenzend an den Schaltkreisabschnitt CA dargestellt.
  • Der Schaltkreisabschnitt CA weist das Ansteuerungselement DT zum Ansteuern des lichtemittierenden Elements OLED, das erste Schaltelement ST1, das zweite Schaltelement ST2 und den Speicherkondensator Cst auf. Das lichtemittierende Element OLED wird mittels den in dem Schaltkreisabschnitt CA implementierten Pixelschaltkreises angesteuert.
  • Wenn in der Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises betrachtet, wie in 5 dargestellt, ist die erste Metallschicht auf dem Substrat SUBS des Anzeigepanels 10 angeordnet. Die Pufferschicht ist derart auf dem Substrat SUBS angeordnet, dass sie die erste Metallschicht überdeckt. Die Pufferschicht BUF kann aus einem anorganischen isolierenden Material, zum Beispiel einer Oxidschicht, wie beispielsweise SiO2, gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die erste Metallschicht kann aus Kuper/Molybdän-Titan (Cu/MoTi), in dem Kupfer (Cu) und Molybdän-Titan (MoTi) gestapelt sind, gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die erste Metallschicht weist die Datenleitung DL, die erste VDD-Leitung PLV, die REF-Leitung RL, die Bottom-Gate-Elektrode GE2 und die Bottom-Elektrode CE1 des Speicherkondensators Cst auf. Die erste VDD-Leitung PLV ist eine erste-erste Stromleitung, die entlang einer ersten Richtung (y) parallel zu der Datenleitung DL und der REF-Leitung RL angeordnet ist. Die erste VDD-Leitung PLV überkreuzt die zweite VDD-Leitung PLH mit der dazwischen eingefügten Pufferschicht BUF. Die REF-Leitung RL ist in 4 und 5 weggelassen.
  • Die Bottom-Gate-Elektrode GE2 und die Bottom-Elektrode CE1 des Speicherkondensators Cst können eine einstückige einzelne Metallstruktur sein. Die Bottom-Gate-Elektrode GE2 ist auf dem Ansteuerungselement DT und dem Speicherkondensator Cst derart angeordnet, dass sie die Top-Gate-Elektrode GE1 und den Halbleiterkanal des Ansteuerungselements DT überlappt. In einem weiteren Aspekt können der Lichtabschirmschicht-Abschnitt der Bottom-Gate-Elektrode GE2 und die Bottom-Elektrode CE1 des Speicherkondensators Cst aus Inselstrukturen, die von der ersten Metallschicht abgetrennt sind, sein.
  • Die Halbleiterschicht ACT ist auf der Pufferschicht BUF angeordnet. Die Halbleiterschicht ACT weist Halbleiterkanäle, das heißt, aktive Schichten der Transistoren DT, ST1 und ST2, auf. Die Halbleiterkanäle der Transistoren DT, ST1 und ST2 sind nicht metallisiert. Der Halbleiterkanal des Ansteuerungselements DT ist zwischen der Gate-isolierenden Schicht GI und der Pufferschicht BUF derart angeordnet, dass er die Top-Gate-Elektrode GE1 und die Bottom-Gate-Elektrode GE2 überlappt. Die Halbleiterschicht ACT erstreckt sich derart in Richtung des Speicherkondensators Cst, dass sie die Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst enthält. Die Zwischenelektrode CE2 kann aus dem metallisierten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder einer dritten Metallschicht MA, die auf der Halbleiterschicht ACT gebildet ist, gebildet sein.
  • Die Halbleiterschicht ACT kann die Source-Elektroden und die Drain-Elektroden der Transistoren DT, ST1 und ST2, Abschnitte, die die Elektroden der Transistoren DT, ST1 und ST2 verbinden, den metallisierten Abschnitt der Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst und die zweite VDD-Leitung PLH, die die Pixelansteuerungsspannung EVDD an das Ansteuerungselement DT anlegt, aufweisen. Die zweite VDD-Leitung PLH ist eine erste-zweite Stromleitung, die entlang einer zweiten Richtung (x) parallel zu der Gate-Leitung GL angeordnet ist. Die zweite VDD-Leitung PLH kann durch ein Kontaktloch, das in der Zeichnung weggelassen ist, mit der ersten VDD-Leitung PLV verbunden sein. Hierbei wird die Pixelansteuerungsspannung EVDD, die an die erste VDD-Leitung PLV angelegt wird, durch die zweite VDD-Leitung PLH an den Pixelschaltkreis des Subpixels übertragen.
  • Die dritte Metallschicht MA kann auf der Halbleiterschicht ACT gebildet sein. Die Halbleiterschicht ACT kann aus IGZO gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt, und die Metallschicht MA kann aus MoTi gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die dritte Metallschicht MA berührt direkt die Halbleiterschicht ACT an einem Abschnitt, an dem eine Metallisierung der Halbleiterschicht ACT benötigt ist. Die Source-Elektroden und Drain-Elektroden der Transistoren DT, ST1 und ST2 können aus der dritten Metallschicht MA auf der Halbleiterschicht ACT gebildet sein. In diesem Fall ist die Halbleiterschicht unter den Source-Elektroden und den Drain-Elektroden nicht metallisiert.
  • Die Gate-isolierende Schicht GI überdeckt die Halbleiterschicht ACT. Die Gate-isolierende Schicht GI kann eine Oxidschicht, beispielsweise Siliziumdioxid (SiO2) sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die Gate-isolierende Schicht GI wird in einem Belichtungsprozess derart strukturiert, dass sie unter den Strukturen der zweiten Metallschicht verbleibt. Somit ist die Gate-isolierende Schicht GI zwischen den Elektroden und den Halbleiterkanälen der Transistoren DT, ST1 und ST2 angeordnet.
  • Die zweite Metallschicht ist auf der Gate-isolierenden Schicht GI angeordnet und wird in einem Belichtungsprozess strukturiert. Die zweite Metallschicht weist die Gate-Elektroden der Transistoren DT, ST1 und ST2, die Top-Elektrode CE 3 des Speicherkondensators Cst und die Gate-Leitung GL auf. Somit ist die Top-Gate-Elektrode GE1 des Ansteuerungselements DT aus einer zweiten Metallschichtstruktur, die auf der Gate-isolierenden Schicht GI angeordnet ist, gebildet.
  • Die Gate-Elektroden der Transistoren DT, ST1 und ST2, die auf der Halbleiterschicht ACT angeordnet sind, maskieren in dem Metallisierungsprozess der Halbleiterschicht ACT die Halbleiterschicht darunter. Somit werden die Halbleiterkanäle der Transistoren DT, ST1 und ST2 mittels der Gate-Elektroden definiert.
  • Die Top-Gate-Elektrode GE1 und die Bottom-Gate-Elektrode GE2 des Ansteuerungselements DT sind durch ein erstes Kontaktloch CH1 verbunden, um hierdurch eine Doppel-Gate-Struktur zu realisieren. Das erste Kontaktloch CH1 durchdringt die Gate-isolierende Schicht GI und die Pufferschicht BUF derart, dass die Bottom-Gate-Elektrode GE2 freigelegt ist. Die Pufferschicht BUF, die Halbleiterschicht ACT und die Gate-isolierende Schicht GI sind zwischen der Top-Gate-Elektrode GE1 und der Bottom-Gate-Elektrode GE2 gestapelt.
  • Die Passivierungsschicht PAS ist eine isolierende Schicht, die derart auf der Pufferschicht BUF angeordnet ist, dass sie die zweite Metallschicht und die Halbleiterschicht ACT überdeckt. Die Passivierungsschicht PAS kann aus einem anorganischen isolierenden Material, zum Beispiel einer Oxidschicht, wie beispielsweise SiO2, gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die Planarisierungsschicht OC ist auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet. Die Planarisierungsschicht OC überdeckt zum Einebnen der Oberfläche das Ansteuerungselement DT, die Schaltelemente ST1 und ST2 und den Speicherkondensator Cst des Schaltkreisabschnitts CA. Die Planarisierungsschicht OC kann aus einem organischen Material, wie beispielsweise Polyimid, Harz der Benzozyklobuten-Serien oder Acrylat gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Komponenten des lichtemittierenden Abschnitts EA sind auf der Planarisierungsschicht OC angeordnet. Die Anodenelektrode AND des lichtemittierenden Elements OLED berührt durch ein zweites Kontaktloch CH2, das die Passivierungsschicht PAS und die Planarisierungsschicht OC durchdringt, den metallisierten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder die dritte Metallschicht MA. Das zweite Kontaktloch CH2 durchdringt die Planarisierungsschicht OC und die Passivierungsschicht PAS derart, dass der metallisierte Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder die dritte Metallschicht freigelegt ist.
  • Die Anodenelektrode AND des lichtemittierenden Elements OLED ist durch den metallisierten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder die dritte Metallschicht MA mit der Source-Elektrode des Ansteuerungselements DT, der Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst und der Source-Elektrode des zweiten Schaltelements ST2 verbunden.
  • Wenn in der Pixelemissionsrichtung betrachtet, kann das Anzeigepanel 10 in einem Bottom-Emissionsverfahren implementiert sein. In diesem Falle kann die Anodenelektrode AND als eine lichtdurchlässige Elektrode auf der Planarisierungsschicht OC gebildet sein. Zum Beispiel kann die Anodenelektrode AND aus einem lichtdurchlässigen Elektrodenmaterial, wie beispielsweise Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Zinkoxid (ZnO) gebildet sein.
  • Die Pixel-definierende Schicht BNK, die einen lichtemittierenden Bereich von jedem von den Subpixeln definiert, ist auf der Planarisierungsschicht OC derart angeordnet, dass sie die Anodenelektrode AND überdeckt.
  • Die Pixel-definierende Schicht BNK ist auf der Organische-Verbindung-Schicht gebildet, und die Kathodenelektrode ist in 4 und 5 weggelassen. Die Organische-Verbindung-Schicht ist mittels der Pixel-definierenden Schicht BNK zwischen angrenzenden Subpixeln unterteilt, so dass für jedes Subpixel ein lichtemittierender Bereich definiert ist. Die Kathodenelektrode des lichtemittierenden Elements OLED ist auf der Organische-Verbindung-Schicht angeordnet. Die Kathodenelektrode kann über der gesamten Pixelmatrix AA gebildet sein und kann zwischen Subpixeln gemeinsam verbunden sein. In dem Bottom-Emissionsverfahren kann die Kathodenelektrode als eine Metallelektrode, die ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, implementiert sein. Zum Beispiel kann die Kathodenelektrode aus Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Aluminium (AI), Silber (Ag) oder einer Legierung daraus, die eine geringe Austrittsarbeit aufweist, gebildet sein.
  • Der Pixelschaltkreis der vorliegenden Offenbarung weist zwei Kontaktlöcher CH1 und CH2 auf. In diesem Pixelschaltkreis sind ein Kontaktloch, das die Halbleiterschicht und die zweite Metallschichtstruktur des ersten Knotens Ng der 2 verbindet, und ein Kontaktloch, das die Halbleiterschicht und die zweite Metallschichtstruktur an dem dritten Knoten Ns der 2 verbindet, nicht erforderlich. Dementsprechend kann die vorliegende Offenbarung den Verlust des Aperturverhältnisses aufgrund einer großen Anzahl von Kontaktlöchern, die in dem Pixelschaltkreis angeordnet sind, reduzieren.
  • 6 bis 9 sind Draufsichten, die im Detail die Strukturformen der Haupt-Dünnfilmschichten, die von der Querschnittansicht des in 4 dargestellten Pixelschaltkreises entfernt angeordnet sind. 6 ist eine Draufsicht, die Strukturen der ersten Metallschicht ML1, die in 3 dargestellt ist, darstellt. 7 ist eine Draufsicht, die Strukturen der Halbleiterschicht ACT und der dritten Metallschicht MA, die in 5 dargestellt ist, darstellt. 8 ist eine Draufsicht, die Strukturen der in 3 dargestellten zweiten Metallschicht ML2 darstellt. 9 ist eine Draufsicht, die die Anodenelektrode AND des in 4 dargestellten lichtemittierenden Elements OLED darstellt.
  • Wie in 6 dargestellt, weist die erste Metallschicht ML1 eine VDD-Leitungsstruktur M11, eine Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12, eine Datenleitungsstruktur M13 und Ähnliches auf. Die Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 weist die Bottom-Gate-Elektrode GE2 des Ansteuerungselements DT und die Bottom-Elektrode CE1 des Speicherkondensators Cst auf. Die Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 überlappt das erste Kontaktloch CH1 und ist an dem ersten Kontaktloch CH1 freigelegt.
  • Wie in 7 dargestellt, weist die Halbleiterschicht ACT eine erste Halbleiterstruktur A1 und eine zweite Halbleiterstruktur A2 auf.
  • Die erste Halbleiterstruktur A1 weist den Halbleiterkanal des Ansteuerungselements DT, die Source-Elektrode des Ansteuerungselements DT, die Drain-Elektrode des Ansteuerungselements DT, den Halbleiterkanal des zweiten Schaltelements ST2, die Source-Elektrode des zweiten Schaltelements ST2, die Drain-Elektrode des zweiten Schaltelements ST2, die Zwischenelektrode des Speicherkondensators Cst und die zweite VDD-Leitung PLH auf.
  • An dem Halbleiterkanalabschnitt des Ansteuerungselements DT und dem Halbleiterkanalabschnitt des zweiten Schaltelements ST2 ist die erste Halbleiterstruktur A1 nicht metallisiert. In der ersten Halbleiterstruktur A1 können die Source-Elektroden und Drain-Elektroden des Ansteuerungselements DT und des zweiten Schaltelements ST2 metallisiert sein oder können die dritte Metallschicht, die auf der Halbleiterschicht ACT gebildet ist, aufweisen. An der Zwischenelektrode CE2 des Speicherkondensators Cst und der zweiten VDD-Leitung PLH kann die erste Halbleiterstruktur A1 metallisiert sein, oder die dritte Metallschicht kann auf der ersten Halbleiterstruktur A1 gebildet sein.
  • Die Drain-Elektrode des zweiten Schaltelements ST2 ist mit einem Ast verbunden, der in der Zeichnung weggelassen ist. Der Ast ist durch ein Kontaktloch, das in der Zeichnung weggelassen ist, mit der REF-Leitung RL verbunden. Mindestens ein Abschnitt des Astes, zum Beispiel ein Abschnitt, der durch den lichtemittierenden Bereich verläuft, kann aus einer Halbleiterschichtstruktur gebildet sein, die metallisiert ist, ohne dass die dritte Metallschicht gebildet ist, um das Aperturverhältnis und die Lichtdurchlässigkeit des lichtemittierenden Bereichs zu erhöhen. Somit ist die Drain-Elektrode des zweiten Schaltelements ST2 über den Ast mit der REF-Leitung RL verbunden.
  • Die erste Halbleiterstruktur A1 überlappt das zweite Kontaktloch CH2 und ist an dem zweiten Kontaktloch CH2 freigelegt. Die Anodenelektrode AND des lichtemittierenden Elements OLED ist durch das zweite Kontaktloch CH2, das die erste Halbleiterstruktur A1 überlappt, mit der ersten Halbleiterstruktur A1 verbunden. Ein Teil der ersten Halbleiterstruktur A1, der an dem zweiten Kontaktloch CH2 mit der Anodenelektrode AND verbunden ist, ist ein metallisierter Abschnitt der Halbleiterschicht ACT oder der dritten Metallschicht MA, die auf der Halbleiterschicht gebildet ist.
  • Die zweite Halbleiterstruktur A2 weist den Halbleiterkanal des ersten Schaltelements ST1, die Source-Elektrode des ersten Schaltelements ST1 und die Drain-Elektrode des ersten Schaltelements ST1 auf. An dem Halbleiterkanalabschnitt des ersten Schaltelements ST1 ist die zweite Halbleiterstruktur A2 nicht metallisiert. Die Drain-Elektrode des ersten Schaltelements ST1 ist durch ein Kontaktloch, das in der Zeichnung weggelassen ist, mit der Datenleitung DL verbunden. In der zweiten Halbleiterstruktur A2 sind die Source-Elektrode und Drain-Elektrode des ersten Schaltelements ST1 metallisiert oder weisen die dritte Metallschicht auf, die auf der Halbleiterschicht ACT gebildet ist.
  • Die zweite Halbleiterstruktur A2 überlappt das erste Kontaktloch CH1 und ist an dem ersten Kontaktloch CH1 freigelegt. An dem ersten Kontaktloch CH1 kann die zweite Halbleiterstruktur A2 metallisiert sein oder die dritte Metallschicht kann auf der zweiten Halbleiterstruktur A2 gebildet sein.
  • Wie in 8 dargestellt, weist die zweite Metallschicht ML2 eine Top-Gate-Elektrodenstruktur M21 und eine Gate-Leitungsstruktur M22 auf. Die Top-Gate-Elektrodenstruktur M21 weist die Top-Gate-Elektrode GE1 des Ansteuerungselements DT und die Top-Elektrode CE3 des Speicherkondensators Cst auf. Die Top-Gate-Elektrodenstruktur M21 weist eine „C“-förmige Struktur oder „⊏“-förmige Struktur auf, um die Top-Gate-Elektrode GE1 des Ansteuerungselements DT und die Top-Elektrode des Speicherkondensators Cst zu verbinden, während die Source-Elektrode des Ansteuerungselements DT umgangen wird.
  • Die Top-Gate-Elektrodenstruktur M21 überlappt das erste Kontaktloch CH1 und berührt durch das zweite Kontaktloch CH2 die Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 und die zweite Halbleiterstruktur A2.
  • 10 ist eine Draufsicht, die einen Pixelschaltkreis eines Subpixels in einem Anzeigepanel gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung darstellt. 11 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittstruktur des Pixelschaltkreises entlang der Linie II-II' der 10 darstellt. 12 ist eine Draufsicht, die Strukturen einer ersten Metallschicht, die in 10 dargestellt ist, darstellt. In 10 bis 12 sind Komponenten, die im Wesentlichen die gleichen sind wie die des oben beschriebenen Aspekts, mittels der gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und detaillierte Beschreibungen davon werden weggelassen werden.
  • Unter Bezugnahme auf 10 und 11 kann der Pixelschaltkreis des Weiteren einen ersten Schlitz SL1 und einen zweiten Schlitz SL2 aufweisen.
  • Der erste Schlitz SL1 ist zum Blockieren einer parasitären Kapazität, die ein Übersprechen zwischen der Bottom-Gate-Elektrode GE2 und der Datenleitung DL hervorruft, zwischen diesen gebildet. Der erste Schlitze SL1 ist zwischen einer Längsseite LS1 der angrenzenden Bottom-Gate-Elektrode GE2 und der Datenleitung DL gebildet. Wie in 10 und 12 dargestellt, kann die Länge L1 des ersten Schlitzes SL1 im Wesentlichen gleich der Länge L1 einer Längsseite LS1 der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 sein, die die Bottom-Elektrode CE1 des Speicherkondensators Cst und die Bottom-Gate-Elektrode GE2 aufweist.
  • In dem ersten Schlitz SL1 sind alle isolierenden Schichte, wie beispielsweise die Planarisierungsschicht OS, die Passivierungsschicht PAS, die Gate-isolierende Schicht GI und die Pufferschicht BUF in dem Ätzprozess entfernt und sind tief abgetragen. Die Anodenelektrode AND überdeckt die Seitenwand (oder Seitenoberfläche) und die Bodenoberfläche innerhalb des ersten Schlitzes SL1, um hierdurch die parasitäre Kapazität zwischen der Bottom-Gate-Elektrode GE2 und der Datenleitung DL zu minimieren.
  • Der zweite Schlitz SL2 ist zum Verhindern eines Kurzschlusses zwischen der Bottom-Gate-Elektrode GE2 und der ersten VDD-Leitung PLV und Reduzieren einer parasitären Kapazität zwischen diesen gebildet. Der zweite Schlitze SL2 ist entlang der anderen Längsseite LS2 der benachbarten Bottom-Gate-Elektrode GE2 und der ersten VDD-Leitung PLV gebildet. Wie in 10 und 12 dargestellt, kann die Länge L2 des zweiten Schlitzes SL2 derart festgelegt sein, dass er im Wesentlichen gleich der Länge L2 der anderen Längsseite LS2 der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 ist.
  • Die Länge L2 der anderen Längsseite LS2 der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur M12 kann derart festgelegt sein, dass sie kleiner ist als die Länge L1 der einen Längsseite LS1. In dem zweiten Schlitz SL2 werden in dem Ätzprozess isolierende Schichten, wie beispielsweise die Gate-isolierende Schicht GI und die Pufferschicht BUF, entfernt. Die Passivierungsschicht PAS überdeckt die Seitenoberfläche und die Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes SL2, und die Planarisierungsschicht OC ist derart darauf abgeschieden, dass sie flach wird.
  • Die vorliegende Offenbarung, die Mittel zum Erzielen der Merkmale und Effekte der im Vorangegangenen beschriebenen vorliegenden Offenbarung spezifizieren nicht wesentliche Merkmale der Ansprüche, und somit ist der Anwendungsbereich der Ansprüche nicht auf die detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beschränkt.
  • Obwohl die Aspekte der vorliegenden Offenbarung in größerem Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben worden sind, ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt und kann in verschiedenen Weisen ausgeführt werden, ohne von dem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Deshalb sind die in der vorliegenden Offenbarung offenbarten Aspekte lediglich zu illustrativen Zwecken bereitgestellt und sind nicht dazu vorgesehen, das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung zu beschränkten. Der Anwendungsbereich des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Deshalb ist zu bemerken, dass die oben beschriebenen Aspekte in allen Aspekten lediglich erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht beschränkten. Der Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden, und alle technischen Konzepte in dem Anwendungsbereich davon sollten derart ausgelegt werden, dass sie innerhalb des Anwendungsbereichs der vorliegenden Offenbarung fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020200150906 [0001]

Claims (16)

  1. Ein Anzeigepanel, aufweisend: eine erste Metallschicht (ML1); eine erste isolierende Schicht (BUF), die die erste Metallschicht (ML1) überdeckt; eine Halbleiterschicht (ACT), die auf der ersten isolierenden Schicht (BUF) angeordnet ist; eine zweite isolierende Schicht (GI), die auf der ersten isolierenden Schicht (BUF) angeordnet ist und die Halbleiterschicht (ACT) überdeckt; und eine zweite Metallschicht (ML2), die auf der zweiten isolierenden Schicht (GI) angeordnet ist, wobei die erste Metallschicht (ML1) eine Bottom-Gate-Elektrode (GE2) eines Ansteuerungselements (DT) aufweist, wobei die zweite Metallschicht (ML2) eine Top-Gate-Elektrode (GE1) des Ansteuerungselements (DT) aufweist, die durch ein erstes Kontaktloch (CH1), das durch die zweite isolierende Schicht (GI) und die erste isolierende Schicht (BUF) hindurchtritt, mit der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) verbunden ist, und wobei die Halbleiterschicht (ACT) einen Halbleiterkanal des Ansteuerungselements (DT) aufweist, der die Top-Gate-Elektrode (GE1) und die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) überlappt.
  2. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Pixelschaltkreis, der mit einer Datenleitung (DL), der eine Datenspannung zugeführt wird, einer Gate-Leitung (GL), der ein Gate-Signal zugeführt wird, einer VDD-Leitung (PL), der eine Pixelansteuerungsspannung (EVDD) zugeführt wird, und einer REF-Leitung, der eine Referenzspannung (REF) zugeführt wird, verbunden ist.
  3. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 2, wobei der Pixelschaltkreis aufweist: ein erstes Schaltelement (ST1), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Datenspannung an die Top-Gate-Elektrode (GE1) und die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) des Ansteuerungselements (DT) anzulegen; ein zweites Schaltelement (ST2), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Referenzspannung (REF) an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) anzulegen; und ein lichtemittierendes Element (OLED), das mittels des Ansteuerungselements (DT) angesteuert wird, wobei die Pixelansteuerungsspannung (EVDD) an eine Drain-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) angelegt wird.
  4. Das Anzeigepanel gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Metallschicht (ML1) aufweist: eine erste-erste Stromleitungsstruktur, an die die Pixelansteuerungsspannung (EVDD) angelegt wird; eine Bottom-Gate-Elektrodenstruktur (M12), die die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) des Ansteuerungselements (DT) und eine Bottom-Elektrode (CE1) eines Kondensators (Cst), die mit der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) verbunden ist, aufweist; und eine Datenleitungsstruktur (M13), die die Datenleitung (DL) aufweist; wobei die zweite Metallschicht (ML2) aufweist: eine Top-Gate-Elektrodenstruktur (M21), die die Top-Gate-Elektrode (GE1) des Ansteuerungselements (DT) und eine Top-Elektrode (CE3) des Kondensators (Cst), die mit der Top-Gate-Elektrode (GE1) verbunden ist, aufweist und das erste Kontaktloch (CH1) überlappt; und eine Gate-Leitungsstruktur (M22), die die Gate-Leitung (GL) aufweist.
  5. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 4, wobei die Halbleiterschicht (ACT) aufweist: eine erste Halbleiterstruktur (A1), die den Halbleiterkanal des Ansteuerungselements (DT), eine Zwischenelektrode (CE2) des Kondensators (Cst), die mit dem Halbleiterkanal des Ansteuerungselements (DT) verbunden ist, die Source-Elektrode und Drain-Elektrode des Ansteuerungselements (DT), einen Halbleiterkanal des zweiten Schaltelements (ST2), eine Source-Elektrode und Drain-Elektrode des zweiten Schaltelements (ST2) und eine erste-zweite Stromleitung (PLH), durch die die Pixelansteuerungsspannung (EVDD) angelegt wird, aufweist und ein zweites Kontaktloch (CH2) überlappt, und eine zweite Halbleiterstruktur, die einen Halbleiterkanal des ersten Schaltelements (ST1), eine Source-Elektrode und Drain-Elektrode des ersten Schaltelements (ST1) aufweist und das erste Kontaktloch (CH1) überlappt, wobei die erste-erste Stromleitung (PLV) und die erste-zweite Stromleitung (PLH) einander mit der dazwischen eingefügten ersten isolierenden Schicht (BUF) überkreuzen.
  6. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 5, ferner aufweisend: eine dritte isolierende Schicht (PAS), die derart auf der ersten isolierenden Schicht (BUF) angeordnet ist, dass sie die zweite Metallschicht (ML2) und die Halbleiterschicht (ACT) überdeckt; und eine Planarisierungsschicht (OC), die auf der dritten isolierenden Schicht (PAS) angeordnet ist, wobei eine Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) durch das zweite Kontaktloch (CH2) mit der ersten Halbleiterstruktur (A1) verbunden ist, wobei das zweite Kontaktloch (CH2) die Planarisierungsschicht (OC) und die dritte isolierende Schicht (PAS) derart durchdringt, dass sie die erste Halbleiterstruktur (A1) freilegt, und wobei ein Abschnitt der ersten Halbleiterstruktur (A1), der innerhalb des zweiten Kontaktlochs (CH2) mit der Anodenelektrode (AND) verbunden ist, ein metallisierter Abschnitt der Halbleiterschicht (ACT) oder eine Metallschicht, die auf der Halbleiterschicht (ACT) gebildet ist, ist.
  7. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 6, ferner aufweisend: einen ersten Schlitz (SL1), von dem die Planarisierungsschicht (OC), die dritte isolierende Schicht (PAS), die zweite isolierende Schicht (GI) und die erste isolierende Schicht (BUF) zwischen einer Längsseite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur (M12) und der Datenleitungsstruktur (M13) entfernt sind, wobei die Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des ersten Schlitzes (SL1) überdeckt.
  8. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 7, wobei eine Länge des ersten Schlitzes (SL1) im Wesentlichen gleich einer Länge der einen Längsseite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur (M12) ist.
  9. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 7 oder 8, ferner aufweisend einen zweiten Schlitz (SL2), von dem die erste isolierende Schicht (BUF) und die zweite isolierende Schicht (GI) zwischen einer anderen Längsseite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur (M12) und der ersten-ersten Stromleitungsstruktur entfernt sind, und wobei die dritte isolierende Schicht (PAS) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes (SL2) überdeckt.
  10. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 9, wobei eine Länge des zweiten Schlitzes (SL2) im Wesentlichen gleich einer Länge der anderen Längsseite der Bottom-Gate-Elektrodenstruktur (M12) ist.
  11. Ein Anzeigepanel, aufweisend: ein Ansteuerungselement (DT), das dazu eingerichtet ist, einem lichtemittierenden Element (OLED) einen Strom zuzuführen; ein erstes Schaltelement (ST1), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf ein Gate-Signal von einer Gate-Leitung (GL) eine Datenleitung (DL), durch die eine Datenspannung angelegt wird, mit einer Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) zu verbinden; ein zweites Schaltelement (ST2), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal eine Referenzspannung (REF) an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) anzulegen; und einen Kondensator (Cst), der zwischen die Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) und die Source-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) geschaltet ist, wobei die Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) eine Top-Gate-Elektrode (GE1) und eine Bottom-Gate-Elektrode (GE2) aufweist, und wobei eine Halbleiterschicht (ACT), die einen Halbleiterkanal aufweist, dazwischen eingefügt ist, wobei die Top-Gate-Elektrode (GE1) die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) überlappt, und wobei die Top-Gate-Elektrode (GE1) durch ein erstes Kontaktloch (CH1), das durch eine erste isolierende Schicht (BUF) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der Halbleiterschicht (ACT) und eine zweite isolierende Schicht (GI) zwischen der Top-Gate-Elektrode (GE1) und der Halbleiterschicht (ACT) hindurchtritt, mit der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) verbunden ist, und wobei eine Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) durch ein zweites Kontaktloch (CH2), das eine dritte isolierende Schicht (PAS), die das Ansteuerungselement (DT) und das erste Schaltelement (ST1) und das zweite Schaltelement (ST2) überdeckt, und eine Planarisierungsschicht (OC), die auf der dritten isolierenden Schicht (PAS) angeordnet ist, mit der Halbleiterschicht (ACT) verbunden ist.
  12. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 11, ferner aufweisend: einen ersten Schlitz (SL1), von dem die Planarisierungsschicht (OC), die dritte isolierende Schicht (PAS), die zweite isolierende Schicht (GI) und die erste isolierende Schicht (BUF) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der Datenleitung (DL) entfernt sind, wobei die Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des ersten Schlitzes (SL1) überdeckt.
  13. Das Anzeigepanel gemäß Anspruch 11 oder 12, ferner aufweisend: eine Stromleitung (PLV, PLH), durch die eine Pixelansteuerungsspannung (EVDD) angelegt wird; und einen zweiten Schlitz (SL2), von dem die erste isolierende Schicht (BUF) und die zweite isolierende Schicht (GI) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der Stromleitung (PLV, PLH) entfernt sind, wobei die dritte isolierende Schicht (PAS) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes (SL2) überdeckt.
  14. Eine Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Anzeigepanel (10), in dem eine Mehrzahl von Datenleitungen (DL), eine Mehrzahl von Gate-Leitungen (GL), die die Datenleitungen (DL) überkreuzen, eine Mehrzahl von ersten Stromleitungen, durch die eine Pixelansteuerungsspannung (EVDD) angelegt wird, eine Mehrzahl von zweiten Stromleitungen (RL), durch die eine Referenzspannung (REF) angelegt wird, und eine Mehrzahl von Pixeln (PX) angeordnet sind; einen Datentreiber, der dazu eingerichtet ist, durch die Datenleitungen (DL) eine Datenspannung von Pixeldaten zuzuführen; und einen Gate-Treiber (13), der dazu eingerichtet ist, durch die Gate-Leitungen (GL) ein Gate-Signal zuzuführen, wobei jedes von den Pixeln (PX) aufweist: ein Ansteuerungselement (DT), das dazu eingerichtet ist, einem lichtemittierenden Element (OLED) einen Strom zuzuführen; ein erstes Schaltelement (ST1), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal von der Gate-Leitung (GL) die Datenleitung (DL), durch die die Datenspannung angelegt wird, mit einer Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) zu verbinden; ein zweites Schaltelement (ST2), das dazu eingerichtet ist, in Antwort auf das Gate-Signal die Referenzspannung (REF), die niedriger ist als eine Pixelansteuerungsspannung (EVDD), an eine Source-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) anzulegen; und einen Kondensator (Cst), der zwischen die Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) und die Source-Elektrode des Ansteuerungselements (DT) geschaltet ist, wobei die Gate-Elektrode (GE1, GE2) des Ansteuerungselements (DT) eine Top-Gate-Elektrode (GE1) und eine Bottom-Gate-Elektrode (GE2) aufweist, wobei eine Halbleiterschicht (ACT), die einen Halbleiterkanal aufweist, dazwischen eingefügt ist, wobei die Top-Gate-Elektrode (GE1) die Bottom-Gate-Elektrode (GE2) überlappt, wobei die Top-Gate-Elektrode (GE1) durch ein erstes Kontaktloch (CH1), das eine erste isolierende Schicht (BUF) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der Halbleiterschicht (ACT) und eine zweite isolierende Schicht (GI) zwischen der Top-Gate-Elektrode (GE1) und der Halbleiterschicht (ACT) durchdringt, mit der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) verbunden ist, und wobei eine Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) durch ein zweites Kontaktloch (CH2), das eine dritte isolierende Schicht (PAS), die das Ansteuerungselement (DT) und das erste Schaltelement (ST1) und das zweite Schaltelement (ST2) überdeckt, und eine Planarisierungsschicht (OC), die auf der dritten isolierenden Schicht (PAS) angeordnet ist, durchdringt, mit der Halbleiterschicht (ACT) verbunden ist.
  15. Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 14, ferner aufweisend: einen ersten Schlitz (SL1), von dem die Planarisierungsschicht (OC), die dritte isolierende Schicht (PAS), die zweite isolierende Schicht (GI) und die erste isolierende Schicht (BUF) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der Datenleitung (DL) entfernt sind, und wobei die Anodenelektrode (AND) des lichtemittierenden Elements (OLED) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des ersten Schlitzes (SL1) überdeckt.
  16. Die Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 14 oder 15, ferner aufweisend: einen zweiten Schlitz (SL2), von dem die erste isolierende Schicht (BUF) und die zweite isolierende Schicht (GI) zwischen der Bottom-Gate-Elektrode (GE2) und der ersten Stromleitung entfernt sind, wobei die dritte isolierende Schicht (PAS) eine Seitenoberfläche und Bodenoberfläche des zweiten Schlitzes (SL2) überdeckt.
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