DE102021109368A1 - Galliumoxid-basierter halbleiter und herstellungsverfahren desselben - Google Patents
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- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 22
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 42
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 10
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N [F].[Ar] Chemical compound [F].[Ar] MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
Zur Bereitstellung eines Galliumoxid-basierten Halbleiters, dessen Bandlücke ausreichend verringert ist, und eines Herstellungsverfahrens desselben. Ein Galliumoxid-basierter Halbleiter wird bereitgestellt, welcher einen Mischkristall mit einer Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, wobei der Mischkristall eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist. Ebenso wird ein Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters bereitgestellt, welches das Abscheiden eines Mischkristalls, welcher die Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, auf einer Substrat-Oberfläche durch ein Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser umfasst, wobei die Temperatur des Substrats als T (°C) bezeichnet wird, x und T dem Zusammenhang, welcher durch 500x + 800 ≤ T < 1000 dargestellt ist, genügen.
Description
- TECHNISCHES GEBIET
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Galliumoxid-basierten Halbleiter und ein Herstellungsverfahren desselben. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Galliumoxid-basierten Halbleiter, dessen Bandlücke verringert bzw. reduziert ist, und ein Herstellungsverfahren desselben.
- HINTERGRUND
- Ein Leistungshalbleiter („semiconductor power device“) ist in verschiedenen elektrischen Geräten bzw. Ausstattungen, wie Haushaltsgeräten, Automobilen, Schienenfahrzeugen (elektrischen Zügen) und industriellen Geräten bzw. Ausstattungen montiert, und wird als eine Vorrichtung zur Steuerung der Spannung und/oder des Stromes verwendet. Zum Zeitpunkt der Steuerung der Spannung und/oder des Stromes fließt Elektrizität durch den Leistungshalbleiter. Bei dieser Gelegenheit wird, wenn der elektrische Widerstand des Leistungshalbleiters groß ist, ein Verlust von elektrischer Energie verursacht. Zum Beispiel verringert sich die Strecke, welche ein elektrisches Fahrzeug mit einer einzigen Aufladung bzw. Ladung fahren kann, im Falle eines elektrischen Fahrzeuges, wenn ein Verlust von elektrischer Energie aufgrund von Energieumwandlung durch den Leistungshalbleiter auftritt. Dementsprechend ist es für den Leistungshalbleiter wichtig, den elektrischen Widerstand zu verringern und den Verlust von elektrischer Energie zu reduzieren.
- Als das Material für den vorstehend beschriebenen Leistungshalbleiter wurden bisher Siliziumcarbid und/oder Galliumnitrid entwickelt und in praktischer Anwendung bzw. Verwendung eingesetzt. In den letzten Jahren, zieht Galliumoxid die Aufmerksamkeit auf sich als ein Leistungshalbleiter-Material, welches sogar einen geringeren Verlust im Vergleich zu den vorstehenden Materialien erfährt.
- Das Galliumoxid umfasst Phasen, welche fünf Typen von Kristallstrukturen α, β, γ, δ und ε aufweisen. Von diesen ist die stabilste Phase eine Phase, welche eine Kristallstruktur vom β-Typ, d.h., β-Ga2O3-Phase, aufweist. Die β-Ga2O3-Phase weist eine einzigartige, monokline Beta-Galliumoxid-Struktur (nachstehend, manchmal einfach als „Beta-Galliumoxid-Struktur“ bezeichnet) auf.
- Als der Galliumoxid-basierte Leistungshalbleiter, welcher eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist, ist in Nicht-Patentliteratur 1 zum Beispiel einen Galliumoxid-basierten Halbleiter, welcher eine Zusammensetzung von (Ga(1-x)Fex)2O3 aufweist, offenbart. Außerdem offenbart Nicht-Patentliteratur 1 die Bildung des Galliumoxid-basierten Halbleiters auf einem Substrat bei 750 °C unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens mittels gepulstem Laser bzw. Laserstrahlverdampfungsverfahren.
- STAND DER TECHNIK
- NICHT-PATENTDOKUMENT
- [Nicht-Patentdokument 1] Yuanqi Huang, et al, „High-insulating β-Ga2O3 thin films by doping with a valence controllable Fe element", Applied Physics, A (2018) 124:611.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- TECHNISCHES PROBLEM
- Das Material für einen Leistungshalbleiter wird grundlegend dafür benötigt, um eine große bzw. breite Bandlücke bzw. Bandgap zu haben. Der Galliumoxid-basierte Halbleiter weist eine breite Bandlücke auf, aber abhängig vom Typ des Leistungshalbleiters ist dessen Anwendbarkeit manchmal schwierig, da die Bandlücke zu weit bzw. breit ist. Dementsprechend ist in manchen Fällen beabsichtigt, die Bandlücke des Galliumoxid-basierten Halbleiters zu verringern.
- Das teilweise Ersetzen von Gallium im Galliumoxid durch Eisen ist dafür bekannt, dass es bewirkt, die Bandlücke des Galliumoxid-basierten Halbleiters zu verringern. Wenn das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis mit Eisen hoch ist, kann jedoch die Beta-Galliumoxid-Struktur kaum beibehalten werden. Wenn die Beta-Gallium-Struktur im Galliumoxid-basierten Halbleiter beschädigt wird, werden die elektrische Leitfähigkeit, die Nennstehspannung, Stabilität und Herstellungsausbeute einer Vorrichtung, welche den Galliumoxid-basierten Halbleiter verwendet, beeinträchtigt bzw. verschlechtert. Aus diesem Grund kann, wie im Galliumoxid-basierten Halbleiter, welcher im Nicht-Patentdokument 1 beschrieben wird, lediglich eine kleine Menge an Eisen als ein Dotierungsmittel zum Galliumoxid zugegeben werden, und die Bandlücke kann nicht ausreichend verringert bzw. reduziert werden.
- Ausgehend davon haben die vorliegenden Erfinder ein Problem gefunden, dass ein Galliumoxid-basierter Halbleiter, dessen Bandlücke ausreichend verringert bzw. reduziert ist, und ein Herstellungsverfahren desselben gewünscht werden.
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um das vorstehende Problem zu lösen. Insbesondere ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Galliumoxid-basierten Halbleiter, dessen Bandlücke ausreichend verringert ist, und ein Herstellungsverfahren desselben bereitzustellen.
- LÖSUNG DES PROBLEMS
- Die vorliegenden Erfinder haben viele intensive Studien durchgeführt, um das vorstehende Ziel zu erreichen und realisierten den Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren desselben. Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren desselben umfassen die nachstehenden Ausführungsformen.
-
- <1> Ein Galliumoxid-basierter Halbleiter, umfassend einen gemischten Kristall bzw. Mischkristall, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 dargestellt ist, und wobei der Mischkristall eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist.
- <2> Der Galliumoxid-basierte Halbleiter gemäß Punkt <1>, wobei die halbe Breite bzw. Halbwertsbreite eines von der Beta-Galliumoxid-Struktur abgeleiteten Röntgenbeugungsreflexes bzw. -signals bzw. -peaks 1° oder weniger ist.
- <3> Der Galliumoxid-basierte Halbleiter gemäß Punkt <1> oder <2>, wobei x 0,10 ≤ x ≤ 0,30 ist.
- <4> Der Galliumoxid-basierte Halbleiter gemäß einem der Punkte <1> bis <3>, wobei y 1,0 ist.
- <5> Ein Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß Punkt <1>, umfassend:
- Abscheiden bzw. Ablagern eines Mischkristalls, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, auf einer Substrat-Oberfläche durch ein Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser bzw. ein Laserverdampfungsverfahren, und
- wobei die Temperatur des Substrats als T (°C) bezeichnet wird, x und T dem Zusammenhang, welcher durch 500x + 800 ≤ T < 1000 dargestellt ist, genügen.
- <6> Das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß Punkt <5>, wobei x und T dem Zusammenhang, welcher durch 500x + 800 ≤ T ≤ 950 dargestellt ist, genügen.
- <7> Das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß Punkt <5> oder <6>, wobei der Laser, welcher im Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser bzw. im Laserverdampfungsverfahren verwendet wurde, ein gepulster Ultraviolett-Laser ist.
- <8> Das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß einem der Punkte <5> bis <7>, wobei x 0,10 ≤ x ≤ 0,30 ist.
- <9> Das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß einem der Punkte <5> bis <8>, wobei y 1,0 ist.
- VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Mischkristall bei einer vorbestimmten Substrat-Temperatur unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens mittels gepulstem Laser bzw. eines Laserverdampfungsverfahren abgeschieden bzw. abgelegt bzw. abgelagert, sodass, selbst wenn Gallium durch eine relativ große Menge an Eisen ersetzt wird, ein die Beta-Galliumoxid-Struktur beibehaltender Galliumoxid-basierter Halbleiter, dessen Bandlücke ausreichend reduziert bzw. verringert ist, und ein Herstellungsverfahren desselben bereitgestellt werden kann.
- Figurenliste
-
-
1 ist ein erklärendes Diagramm, welches das im Herstellungsverfahren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung verwendete Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser bzw. Laserverdampfungsverfahren schematisch darstellt. -
2 ist ein Graph, welcher den Zusammenhang zwischen der Zusammensetzung des Mischkristalls im Galliumoxid-basierten Halbleiter, der Substrat-Temperatur, und der Kristallinität darstellt. -
3 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 1 darstellt. -
4 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 2 darstellt. -
5 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 1 darstellt. -
6 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 2 darstellt. -
7 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 3 darstellt. -
8 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 3 darstellt. -
9 ist ein Graph, welcher den Zusammenhang zwischen der Zusammensetzung des Mischkristalls im Galliumoxid-basierten Halbleiter und der Bandlücke darstellt. - BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Die Ausführungsformen des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren desselben werden nachstehend im Detail beschrieben. Man beachte, dass die nachstehend beschriebenen Ausführungsformen den Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung und das Herstellungsverfahren desselben nicht beschränken.
- Im Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser bzw. im Laserverdampfungsverfahren, wurde es herkömmlich als vorteilhaft erachtet, einen Gegenstand durch Einstellen der Substrat-Temperatur auf 500 bis 750 °C abzuscheiden bzw. abzulagern bzw. abzulegen. Selbst in dem vorstehend beschriebenen Bereich der Substrat-Temperatur, wenn die Substrat-Temperatur 600 °C oder mehr erreicht, wird die Desorption von auf dem Substrat abgeschiedenen Atomen gefördert bzw. unterstützt, und im Gegenzug fällt bzw. sinkt die Abscheidungsrate bzw. Ablagerungsrate schnell. Dementsprechend wurde es als vorteilhafter erachtet, eine Sache durch Einstellen der Substrat-Temperatur auf einen geringeren bzw. niedrigeren Temperaturbereich von 500 bis 600 °C abzulegen.
- Im Falle des Abscheidens bzw. der Ablagerung von Galliumoxid (Ga2O3), wenn der Kristall in einem niedrigeren Temperaturbereich von 500 bis 600 °C abgeschieden wird, ist es jedoch schwer, die Bildung einer metastabilen Phase (α-Ga2O3), welche eine Korund-Struktur aufweist, zu unterdrücken, folglich kann eine stabilste Phase (β-Ga2O3), welche eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist, kaum erhalten werden. Deshalb wird im Fall des Abscheidens von Galliumoxid (β-Ga2O3), welches eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist, der Kristall in einem hohen Temperaturbereich von 650 bis 750 °C abgeschieden.
- Andererseits ist die Bandlücke des Eisenoxids (Fe2O3) klein bzw. gering im Vergleich zu Galliumoxid (Ga2O3). Dies weist darauf hin, dass die Bandlücke eines Galliumoxid-basierten Halbleiters verringert bzw. reduziert werden kann, wenn Galliumoxid (Ga2O3) und Eisenoxid (Fe2O3) gemischt und kristallisiert werden, d.h., wenn ein Teil des Galliums im Galliumoxid durch Eisen ersetzt wird und ein Mischkristall damit gebildet wird.
- In dem Fall des Abscheidens eines Mischkristalls, in welchem ein Teil des Galliums im Galliumoxid durch Eisen ersetzt ist, werden Galliumoxid (Ga2O3) und Eisenoxid (Fe2O3) als Targets bzw. Ziele verwendet. Die stabilste Phase von Galliumoxid (Ga2O3) weist eine monokline Beta-Galliumoxid-Struktur auf, und die stabilste Phase von Eisenoxid (Fe2O3) weist eine dreieckige bzw. trigonale Korund-Struktur auf. Dementsprechend wird Galliumoxid (Ga2O3) von Besorgnis begleitet, dass, selbst wenn es in einem hohen Temperaturbereich von 650 bis 750 °C abgeschieden wird, es für den Mischkristall unmöglich sein kann eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufgrund des Eisenoxids (Fe2O3) zu erhalten. Es besteht außerdem die Besorgnis hinsichtlich der Trennung bzw. Abtrennung bzw. Segregation von Eisen im Mischkristall.
- Die vorliegenden Erfinder haben jedoch herausgefunden, dass in der Praxis, wenn das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis mit Eisen (das Mischungsverhältnis des Target-Eisenoxids (Fe2O3)) innerhalb eines vorbestimmten Bereiches ist, eine Phase, welche eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist, durch Erhöhen in einem hohen Temperaturbereich bzw. Hochtemperaturbereich, welcher 650 bis 750 °C übersteigt, abgeschieden werden kann, die Substrat-Temperatur proportional zum Ersetzungsverhältnis mit Eisen steigt.
- Die Anforderungen an die Bestandteile des Galliumoxid-basierten Halbleiters gemäß der vorliegenden Erfindung, basierend auf der vorstehenden Erkenntnis bzw. Feststellung, und ein Herstellungsverfahren desselben werden nachstehend beschrieben.
- «Galliumoxid-basierter Halbleiter»
- Zuerst werden die Anforderungen an die Bestandteile des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- <Zusammensetzung des Mischkristalls>
- Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung umfasst einen Mischkristall, welcher durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist. In diesem Mischkristall ist ein Teil des Galliums im Galliumoxid (Ga2O3) durch Eisen ersetzt, um eine feste Lösung bzw. einen Mischkristall von Eisen im Galliumoxid (Ga2O3) zu bilden.
- Das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis mit Eisen wird durch x dargestellt und genügt 0,1 ≤ x ≤ 0,4. Wenn x 0,1 oder mehr ist, kann die Bandlücke um eine gewünschte Menge relativ zu Galliumoxid (Ga2O3) verringert werden. Hinsichtlich dieses Punktes ist x vorzugsweise 0,15 oder mehr, bevorzugter 0,20 oder mehr. Die gewünschte Verringerungsmenge ist von 1 bis 2 eV.
- Andererseits kann, wenn x 0,40 oder weniger ist, eine Phase erhalten werden, welche eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist. Hinsichtlich dieses Punktes ist x vorzugsweise 0,35 oder weniger, bevorzugter 0,30 oder weniger.
- Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung umfasst einen Mischkristall, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche typischerweise durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 (y = 1,0), d.h., (Ga(1-x)Fex)2O3, dargestellt ist, aber der Mischkristall kann ein Mischkristall sein, welcher eine Zusammensetzung außerhalb von y = 1,0, innerhalb des Bereiches von 0,8 ≤ y ≤ 1,2 aufweist. Im Galliumoxid-Halbleiter der vorliegenden Offenbarung weisen alle Mischkristalle idealerweise eine Zusammensetzung auf, welche durch (Ga(1-x)Fex)2O3 dargestellt ist. Ein Mischkristall, dessen Zusammensetzung nicht (Ga(1-x)Fex)2O3 ist, kann jedoch teilweise enthalten sein. Hinsichtlich dieses Punktes kann y 0,85 oder mehr, 0,90 oder mehr, oder 0,95 oder mehr sein, und kann 1,15 oder weniger, 1,10 oder weniger, oder 1,05 oder weniger sein.
- Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung kann zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Mischkristallen Spurenelemente, etc., enthalten. Die Spurenelemente umfassen typischerweise Dotiermittel.
- Das Dotiermittel vom n-Typ umfasst Zinn (Sn), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Hafnium (Hf), Vanadium (V), Niob (Nb), Tantal (Ta), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Ruthenium (Ru), Rhodium (Rh), Iridium (Ir), Kohlenstoff (C), Silizium (Si), Germanium (Ge), Mangan (Mn), Arsen (As), Antimon (Sb), Bismuth (Bi), Fluor (F), Chlor (Cl), Brom (Br), und Iod (I), etc.
Einige von diesen können auch in Kombination verwendet werden. - Das Dotiermittel vom p-Typ umfasst Magnesium (Mg), Wasserstoff (H), Lithium (Li), Natrium (Na), Kalium (K), Rubidium (Rb), Cäsium (Cs), Francium (Fr), Beryllium (Be), Calcium (Ca), Strontium (Sr), Barium (Ba), Radium (Ra), Mangan (Mn), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Palladium (Pd), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Zink (Zn), Cadmium (Cd), Quecksilber (Hg), Thallium (Tl), Stickstoff (N), Phosphor (P), etc. Einige von diesen können auch in Kombination verwendet werden.
- Außer den vorstehend beschriebenen Spurenelementen kann der Galliumoxid-basierte Halbleiter unvermeidbare Verunreinigungen enthalten. Die unvermeidbare Verunreinigung gibt eine Verunreinigung an, welche unvermeidbar enthalten ist, oder einen deutlichen Anstieg in den Herstellungskosten verursacht, um dessen Einschluss bzw. Inklusion bzw. Enthaltensein zu vermeiden, wie Verunreinigungen, welche in Rohstoffen des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung enthalten sind, oder Verunreinigungen, welche während des Herstellungsverfahrens reingemischt wurden. Die Verunreinigungen, etc., welche während des Herstellungsverfahrens reingemischt wurden, umfassen eine Substanz, welche im Ausmaß eingesetzt wurde, dass im Wesentlichen kein Einfluss auf die Eigenschaften des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung hinsichtlich der Zweckdienlichkeit der Herstellung bewirkt werden.
- Das Verfahren zur Analyse bzw. Auswertung der Zusammensetzung des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt. Insbesondere kann die Zusammensetzung eines Mischkristalls im Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung analysiert werden, unter Verwendung zum Beispiel eines Elektronenstrahl-Mikroanalysators („electron probe micro analyzer“, EPMA). Dies ermöglicht eine Auswertung bzw. Analyse des Ersetzungsverhältnisses bzw. Substitutionsverhältnisses x einer bzw. mit einer Komponente, insbesondere mit Eisen, eines Mischkristalls.
- <Kristallstruktur des Mischkristalls>
- Der Mischkristall im Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung weist eine Beta-Galliumoxid-Struktur auf. Dies ermöglicht, die elektrische Leitfähigkeit, die Nennstehspannung („withstand voltage“) und die Stabilität desselben zu verbessern. Die Beta-Galliumoxid-Struktur des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung entspricht der Kristallstruktur, welche die stabilste Phase (β-Ga2O3) von Galliumoxid aufweist.
- Die Beta-Galliumoxid-Struktur kann zum Beispiel durch Analysieren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung mittels Röntgenbeugung bzw. Röntgendiffraktometrie bestätigt werden. Die halbe Breite bzw. Halbwertsbreite eines von der Beta-Galliumoxid-Struktur abgeleiteten Röntgenbeugungsreflexes des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise 1° oder weniger. In diesem Fall ist die Menge an Kristallgitter-Defekten der Beta-Galliumoxid-Struktur im Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung verringert bzw. reduziert, und die elektrische Leitfähigkeit, Nennstehspannung und Stabilität desselben sind weiter verbessert. Hinsichtlich dieses Punktes ist die halbe Breite bzw. Halbwertsbreite des Röntgenbeugungsreflexes vorzugsweise 0,8° oder weniger, 0,6° oder weniger, 0,4° oder weniger, oder 0,2° oder weniger. Andererseits besteht kein praktisches Problem, obwohl sich die Menge der Kristallgitter-Defekte der Beta-Galliumoxid-Struktur verringert, wenn die Halbwertsbreite des Röntgenbeugungsreflexes kleiner ist, selbst wenn die Menge der Kristallgitter-Defekte nicht Null ist. Hinsichtlich dieses Punktes kann die Halbwertsbreite des Röntgenbeugungsreflexes 0,1° oder mehr sein.
- <<Herstellungsverfahren>>
- Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung beschrieben. Das Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung umfasst einen Schritt des Abscheidens bzw. Ablagerns. Der Schritt des Abscheidens wird nachstehend beschrieben.
- <Abscheidungsschritt>
- Ein Mischkristall, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, wird auf einer Substrat-Oberfläche durch ein Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser abgelegt, um den Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung zu erhalten. Dies wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
-
1 ist ein erklärendes Diagramm, welches das in dem Herstellungsverfahren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung verwendete Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser schematisch darstellt. - Das Herstellungsverfahren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung verwendet zum Beispiel einen Abscheidungsapparat
100 mit gepulstem Laser, welcher in1 dargestellt ist. Der Abscheidungsapparat100 umfasst eine Vakuumkammer10 . Mit der Vakuumkammer10 sind eine Atmosphärengas-Einlassvorrichtung12 und eine Vakuum-Evakuierungsvorrichtung14 verbunden. - Im Inneren der Vakuumkammer
10 sind ein Target20 , ein Substrat30 , und ein Laser-Einlass40 angeordnet. Das Target20 und das Substrat30 sind einander zugewandt. Auf der Oberfläche des Substrats30 , welche nicht dem Target20 zugewandt ist, ist eine Substrat-Erwärmungsvorrichtung 32 angeordnet. Ein von einem gepulsten Laser-Oszillator (nicht gezeigt) emittierter gepulster Laser 42 wird in das Innere der Vakuumkammer10 durch den Laser-Einlass40 eingeführt. - Im Herstellungsverfahren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung wird das Target
20 mit dem gepulsten Laser 42, welcher durch den Laser-Einlass40 eingeführt wird, bestrahlt, um einen Teil des Targets20 zu verdampfen oder zu sublimieren (Ablation bzw. Abtragung). Zusätzlich wird das Substrat30 durch die Substrat-Erwärmungsvorrichtung 32 erwärmt. Anschließend scheidet sich eine verdampfte oder sublimierte (Ablation) Substanz auf der Oberfläche des Substrats30 ab. Diese Abscheidung bzw. Ablagerung ist der Galliumoxid-basierte Halbleiter50 . - Solange ein Galliumoxid-basierter Halbleiter erhalten wird, welcher einen Mischkristall umfasst, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, ist das Target
20 nicht besonders beschränkt. Typischerweise wird eine verdichtete und gesinterte Masse bzw. Körper eines gemischten Pulvers eines Galliumoxid (Ga2O3)-Pulvers und eines Eisenoxid (Fe2O3)-Pulvers verwendet. Das Galliumoxid (Ga2O3)-Pulver und das Eisenoxid (Fe2O3)-Pulver werden derart vermengt bzw. gemischt, dass das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x mit Eisen des Mischkristalls im Galliumoxid-basierten Halbleiter ein gewünschter Wert wird. - Der Typ des gepulsten Lasers 42 ist nicht besonders beschränkt. Hinsichtlich des Grundes, dass eine hohe Leistung bzw. Output erhalten wird, ist ein gepulster Ultraviolett-Laser bevorzugt. Als der Laser-Oszillator kann ein Inertgas-Excimer-Laser-Osziallator, ein Halogengas-Laser-Oszillator, etc. verwendet werden. Typischerweise kann ein Argongas-Excimer-Laser-Oszillator, ein Argon-Fluor-Excimer-Laser-Oszillator, etc. verwendet werden.
- Wenn das Target
20 mit dem gepulsten Laser 42 bestrahlt wird, werden Gallium-Atome, Eisen-Atome und Sauerstoff-Atome vom Galliumoxid (Ga2O3) und Eisenoxid (Fe2O3) im Target20 in die Vakuumkammer10 freigesetzt. Zu diesem Zeitpunkt wird vorzugsweise ein Sauerstoff-Gas von der Atmosphärengas-Einführungsvorrichtung12 in die Vakuumkammer10 zugeführt, sodass Gallium-Atome und Eisen-Atome zuverlässig oxidiert und abgeschieden werden können. - Als das Substrat
30 kann ein Substrat, welches die Abscheidung von Galliumoxid (β-Ga2O3) ermöglicht, welches eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist, verwendet werden. Ein derartiges Substrat umfasst zum Beispiel β-Ga2O3, (0001)-Ebene α-Al2O3, und c-Ebene Saphir, etc. Hinsichtlich der Beständigkeit zwischen Kristallstruktur des Substrats und der Kristallstruktur des Films ist ein β-Ga2O3 bevorzugt. Hinsichtlich der Unterscheidung zwischen der Information des Substrats und der Information des Films zum Zeitpunkt der Prüfung bzw. Untersuchung der Zusammensetzung und Kristallstruktur des Filmes nach der Abscheidung ist ein (0001)-Ebene α-Al2O3-Substrat bevorzugt. - Wie vorstehend beschrieben, wird das Substrat
30 während der Abscheidung erwärmt. Wenn die Substrat-Temperatur T 600 °C oder mehr ist, kann ein kristalliner Galliumoxid-basierter Halbleiter abgelagert bzw. abgelegt werden. Andererseits kann, wenn die Substrat-Temperatur T 1000 °C oder weniger ist, die Desorption von vielen Bestandselementen des Galliumoxid-basierten Halbleiters unterdrückt werden, sodass eine deutliche Verringerung der Abscheidungsrate verhindert werden kann. Ferner weist, wenn der Zusammenhang zwischen dem Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x zu bzw. mit Eisen und die Substrat-Temperatur T 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 500x + 800 ≤ T < 1000 genügt, der Mischkristall im abgelagerten Galliumoxid-basierten Halbleiter eine Beta-Galliumoxid-Struktur auf. Ferner wird, wenn der Zusammenhang zwischen dem Ersetzungsverhältnis x mit Eisen und der Substrat-Temperatur T 0,10 ≤ x ≤ 0,30 und 500x + 800 ≤ T ≤ 950 genügt, zum Zeitpunkt der Analyse des abgeschiedenen Galliumoxid-basierten Halbleiters durch Röntgenbeugung die Halbwertsbreite eines von der Beta-Galliumoxid-Struktur abgeleiteten Reflexes von 1° oder weniger gefunden. Das heißt, eine Beta-Galliumoxid-Struktur mit weniger Kristallgitter-Defekten kann erhalten werden. Hinsichtlich dieses Punktes kann T in der vorstehenden Formel (500x + 800) oder mehr genügen und kann 930 oder weniger, 900 oder weniger, 870 oder weniger, oder 850 oder weniger sein. - <Abwandlung bzw. Modifizierung>
- Außer den vorstehend beschriebenen, können im Galliumoxid-basierten Halbleiter der vorliegenden Erfindung und im Herstellungsverfahren desselben verschiedene Modifikationen innerhalb des Umfangs der in den Ansprüchen ausgeführten Inhalte gemacht werden. Wie vorstehend beschrieben wird der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung auf einem Substrat abgeschieden. Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung kann im Zustand, in welchem er noch auf dem Substrat ist, verwendet werden, oder kann verwendet werden, nachdem des Substrats entfernt wurde. Im Fall der Verwendung des Galliumoxid-basierten Halbleiters nach dem Entfernen des Substrats, wird ein Substrat-Entfernungsschritt bzw. ein Schritt der Entfernung des Substrats zum Herstellungsverfahren des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung hinzugefügt. Als das Verfahren zum Entfernen des Substrats kann ein bekanntes Verfahren zum Beispiel Polieren oder Läppen angewandt werden.
- BEISPIELE
- Der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung und das Herstellungsverfahren desselben werden insbesondere nachstehend durch Bezugnahme auf Beispiele und Vergleichsbeispiele beschrieben. Man beachte, dass der Galliumoxid-basierte Halbleiter der vorliegenden Erfindung und das Herstellungsverfahren desselben nicht auf die in den nachstehenden Beispielen verwendeten bzw. angewandten Bedingungen beschränkt sind.
- «Herstellung der Probe»
- Unter Verwendung der Abscheidungsvorrichtung
100 mit gepulstem Laser, welche in1 dargestellt ist, wurden die Proben der Beispiele 1 bis 6 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 7 gemäß der nachstehenden Vorgehensweise hergestellt. - <Herstellung der Probe des Beispiels 1>
- Ein Target
20 und ein Substrat30 wurden in die Vakuumkammer10 gestellt, und das Innere der Vakuumkammer10 wurde mittels einer Vakuum-Evakuierungsvorrichtung14 vakuumiert. Ein Sauerstoffgas wurde dem Inneren der Vakuumkammer10 von einer Atmosphärengas-Einführungsvorrichtung12 zugeführt. Die Strömungsrate des Sauerstoffgases war 0,6 sccm, und der Druck im Inneren der Vakuumkammer10 war 0,8 Pa. - Das Substrat
30 wurde auf 850 °C (Substrat-Temperatur T ist 850 °C) unter Verwendung einer Substrat-Erwärmungsvorrichtung 32 erwärmt. Das Target20 wurde mit einem gepulsten Laser 42 bestrahlt, und ein Galliumoxid-basierter Halbleiter50 wurde auf dem erwärmten Substrat30 abgeschieden. - Als für das Substrat
30 wurde α-Al2O3 verwendet und die Abscheidungsebene war (0001). Ein gepulster Ultraviolett-Laser wurde als der gepulste Laser 42 verwendet, und ein Argon-Fluor-Excimer-Laser-Oszillator wurde als der gepulste Laser-Oszillator verwendet. Ein verdichteter und gesinterter Körper eines gemischten Pulvers eines Galliumoxid (Ga2O3)-Pulvers und eines Eisenoxid (Fe2O3)-Pulvers wurde als das Target20 verwendet. Das Galliumoxid (Ga2O3)-Pulver und das Eisenoxid (Fe2O3)-Pulver wurden derart vermengt bzw. gemischt, dass das Ersetzungsverhältnis x mit bzw. zu Eisen 0,10 wurde. - <Herstellung der Probe des Beispiels 2>
- Die Probe des Beispiels 2 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 900 °C war und das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x mit Eisen 0,20 war.
- < Herstellung der Probe des Beispiels 3>
- Die Probe des Beispiels 3 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 950 °C war und das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x mit Eisen 0,30 war.
- < Herstellung der Probe des Beispiels 4>
- Die Probe des Beispiels 4 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 900 °C war.
- <Herstellung der Probe des Beispiels 5>
- Die Probe des Beispiels 5 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 950 °C war.
- <Herstellung der Probe des Beispiels 6>
- Die Probe des Beispiels 6 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 950 °C war.
- < Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 1>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 1 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 750 °C war.
- < Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 2>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 2 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 850 °C war.
- <Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 3>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 3 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 950 °C war und das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x mit Eisen 0,40 war.
- < Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 4>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 4 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 800 °C war.
- < Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 5>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 5 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 650 °C war.
- < Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 6>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 6 wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 800 °C war.
- <Herstellung der Probe des Vergleichsbeispiels 7>
- Die Probe des Vergleichsbeispiels 7 wurde auf dieselbe Weise wie in Vergleichsbeispiel 3 hergestellt, außer, dass die Substrat-Temperatur T 900 °C war.
- <<Auswertung>>
- Bezüglich jeder Probe wurde eine Röntgenbeugungsanalyse durchgeführt. Zusätzlich wurde, bezüglich der Proben der Beispiele 1 bis 3 und des Vergleichsbeispiels 3, die Bandlücke ausgewertet (gemessen). Die Bandlücke wurde durch Messung der LichtTransmission ausgewertet. Insbesondere wurde die Probe mit Licht, welches sich in der Energie unterscheidet, bestrahlt, und die Transmission des Lichtes wurde gemessen. Da nur das Licht, welches eine kleinere Energie als die Bandlücke aufweist, die Probe passiert (transmittiert), wurde die Bandlücke basierend auf der Energieabhängigkeit der Transmission bestimmt.
-
2 zeigt die Ergebnisse. In2 sind Proben, in welchen aufgrund der Röntgenbeugungsanalyse ein Reflex einer Beta-Galliumoxid-Struktur auftrat und die halbe Breite bzw. Halbwertsbreite des Signals bzw. Peaks bzw. Reflexes 1° oder weniger war, durch eine kreisförmige Markierung als ein Beispiel mit guter Kristallinität gekennzeichnet, und Proben, in welchen eine Beta-Galliumoxid-Struktur nicht auftrat, sind durch eine kreuzförmige Markierung als Vergleichsbeispiel mit geringer Kristallinität gekennzeichnet. Ferner sind die in der Nicht-Patentliteratur 1 beschriebenen Ergebnisse durch eine quadratische Markierung als herkömmliche Beispiele gekennzeichnet. - Außerdem ist
3 ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 1 zeigt.4 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 2 zeigt.5 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 1 zeigt.6 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 2 zeigt.7 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Beispiels 3 zeigt.8 ist ein Diagramm, welches das Röntgenbeugungsmuster der Probe des Vergleichsbeispiels 3 zeigt.9 ist ein Graph, welcher den Zusammenhang zwischen der Zusammensetzung des gemischten Kristalls im Galliumoxid-basierten Halbleiter und der Bandlücke zeigt. - Wie aus den
3 bis9 ersichtlich, konnte bestätigt werden, dass Galliumoxid-basierte Halbleiter der Proben der Beispiele 1 bis 6, welche 500x + 800 ≤ T < 1000 genügen, eine gewünschte Beta-Galliumoxid-Struktur aufweisen. Ebenso konnte aus3 und10 bestätigt werden, dass in einem Galliumoxid-basierten Halbleiter mit einer Beta-Galliumoxid-Struktur, wenn das Ersetzungsverhältnis bzw. Substitutionsverhältnis x mit Eisen von 0,1 bis 0,4 ist, die Bandlücke ausreichend verringert ist. - Diese Ergebnisse konnten die Wirkungen des Galliumoxid-basierten Halbleiters der vorliegenden Erfindung und des Herstellungsverfahrens desselben bestätigen.
- Bezugszeichenliste
-
- 10
- Vakuumkammer
- 12
- Atmosphärengas-Einlassvorrichtung
- 14
- Vakuum-Evakuierungsvorrichtung
- 20
- Target
- 30
- Substrat
- 40
- Laser-Einlass
- 50
- Galliumoxid-basierter Halbleiter
- 100
- Abscheidungsvorrichtung mittels gepulstem Laser
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- Yuanqi Huang, et al, „High-insulating β-Ga2O3 thin films by doping with a valence controllable Fe element“, Applied Physics, A (2018) [0006]
Claims (9)
- Galliumoxid-basierter Halbleiter, umfassend einen Mischkristall, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, und wobei der Mischkristall eine Beta-Galliumoxid-Struktur aufweist.
- Galliumoxid-basierter Halbleiter nach
Anspruch 1 , wobei die halbe Breite eines von der Beta-Galliumoxid-Struktur abgeleiteten Röntgenbeugungsreflexes 1° oder weniger ist. - Galliumoxid-basierter Halbleiter nach
Anspruch 1 oder2 , wobei x 0,10 ≤ x ≤ 0,30 ist. - Galliumoxid-basierter Halbleiter nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei y 1,0 ist. - Verfahren zur Herstellung eines Gallimoxid-basierten Halbleiters nach
Anspruch 1 , umfassend: Abscheiden eines Mischkristalls, welcher eine Zusammensetzung aufweist, welche durch (Ga(1-x)Fex)2yO3 dargestellt ist, wobei 0,10 ≤ x ≤ 0,40 und 0,8 ≤ y ≤ 1,2 ist, auf einer Substrat-Oberfläche durch ein Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser, und wobei die Temperatur des Substrats als T (°C) bezeichnet wird, x und T dem Zusammenhang, welcher durch 500x + 800 ≤ T < 1000 dargestellt ist, genügen. - Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters nach
Anspruch 5 , wobei x und T dem Zusammenhang, welcher durch 500x + 800 ≤ T ≤ 950 dargestellt ist, genügen. - Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters nach
Anspruch 5 oder6 , wobei der Laser, welcher im Abscheidungsverfahren mittels gepulstem Laser verwendet wird, ein gepulster Ultraviolett-Laser ist. - Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters nach einem der
Ansprüche 5 bis7 , wobei x 0,10 ≤ x ≤ 0,30 ist. - Verfahren zur Herstellung des Galliumoxid-basierten Halbleiters nach einem der
Ansprüche 5 bis8 , wobei y 1,0 ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020077639A JP7247945B2 (ja) | 2020-04-24 | 2020-04-24 | 酸化ガリウム系半導体及びその製造方法 |
JP2020-077639 | 2020-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102021109368A1 true DE102021109368A1 (de) | 2021-10-28 |
Family
ID=78130140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102021109368.6A Pending DE102021109368A1 (de) | 2020-04-24 | 2021-04-14 | Galliumoxid-basierter halbleiter und herstellungsverfahren desselben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11929252B2 (de) |
JP (1) | JP7247945B2 (de) |
CN (1) | CN113555419B (de) |
DE (1) | DE102021109368A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114597269B (zh) * | 2022-03-07 | 2022-11-22 | 湖北大学 | 一种氧化镓基深紫外透明导电薄膜及其制备方法和应用 |
CN114804924B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-04-14 | 四川大学 | 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3822150B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2006-09-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 酸化ガリウム鉄混晶の結晶製造方法 |
JP2005235961A (ja) * | 2004-02-18 | 2005-09-02 | Univ Waseda | Ga2O3系単結晶の導電率制御方法 |
JP2007191365A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Japan Science & Technology Agency | 単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法 |
US8193020B2 (en) * | 2006-11-15 | 2012-06-05 | The Regents Of The University Of California | Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition |
JP5536920B1 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-07-02 | 株式会社タムラ製作所 | Ga2O3系単結晶基板、及びその製造方法 |
JP6152514B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-06-28 | 株式会社Flosfia | 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法 |
KR20150032279A (ko) | 2015-03-06 | 2015-03-25 | 이화여자대학교 산학협력단 | 금속-도핑된 갈륨 철 산화물 박막의 제조 방법 및 그에 의한 금속-도핑된 갈륨 철 산화물 박막 |
CN105845824B (zh) * | 2016-04-13 | 2018-09-14 | 浙江理工大学 | 一种具有室温铁磁性和高紫外光透过的Ga2O3/(Ga1-xFex)2O3薄膜及其制备方法 |
KR20190022561A (ko) * | 2016-06-30 | 2019-03-06 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 산화물 반도체 막 및 그 제조 방법 |
JP6951714B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2021-10-20 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
JP2019151922A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 株式会社Flosfia | 積層体および半導体装置 |
CN108878552B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-10-13 | 北京镓族科技有限公司 | 一种带隙纵向梯度分布Al和Fe共掺杂Ga2O3薄膜的制法 |
JP7404594B2 (ja) * | 2018-07-12 | 2023-12-26 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置を含む半導体システム |
CN109411328B (zh) | 2018-09-19 | 2021-05-11 | 北京镓族科技有限公司 | 一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法 |
-
2020
- 2020-04-24 JP JP2020077639A patent/JP7247945B2/ja active Active
-
2021
- 2021-04-05 US US17/221,881 patent/US11929252B2/en active Active
- 2021-04-14 DE DE102021109368.6A patent/DE102021109368A1/de active Pending
- 2021-04-21 CN CN202110428555.6A patent/CN113555419B/zh active Active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Yuanqi Huang, et al, „High-insulating β-Ga2O3 thin films by doping with a valence controllable Fe element", Applied Physics, A (2018) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210335608A1 (en) | 2021-10-28 |
US11929252B2 (en) | 2024-03-12 |
JP7247945B2 (ja) | 2023-03-29 |
CN113555419B (zh) | 2023-10-24 |
CN113555419A (zh) | 2021-10-26 |
JP2021172559A (ja) | 2021-11-01 |
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