CN114804924B - 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 - Google Patents

一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114804924B
CN114804924B CN202210465624.5A CN202210465624A CN114804924B CN 114804924 B CN114804924 B CN 114804924B CN 202210465624 A CN202210465624 A CN 202210465624A CN 114804924 B CN114804924 B CN 114804924B
Authority
CN
China
Prior art keywords
precursor solution
magnetic ceramic
manganese
thin film
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210465624.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114804924A (zh
Inventor
向钢
代旭
张析
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan University
Original Assignee
Sichuan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan University filed Critical Sichuan University
Priority to CN202210465624.5A priority Critical patent/CN114804924B/zh
Publication of CN114804924A publication Critical patent/CN114804924A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114804924B publication Critical patent/CN114804924B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5072—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with oxides or hydroxides not covered by C04B41/5025

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明提供了一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法，涉及磁性半导体陶瓷材料技术领域。本发明首先通过制备Ga前驱溶液和Mn前驱溶液，然后将Ga和Mn前驱溶液按一定的比例充分混合形成GaMn前驱溶液，将GaMn前驱溶液旋涂到清洗后的单晶氧化铝基底上，然后在大于等于650℃的热处理条件和氧化性气氛中制备得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。本发明的制备方法对环境要求低，不需要真空环境和密闭性，在空气中就能反应，因此极大的降低了成本，且方法简单易行，具有广阔的应用前景。本发明所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有较好的结晶性和结晶取向，具有较好的表面平整度以及高于400K的居里温度。

Description

一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及磁性半导体陶瓷材料技术领域，尤其是涉及一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法。
背景技术
近年来，提到宽禁带半导体，氧化镓逐渐走进人们的视线，氧化镓是一种直接带隙的半导体材料，禁带宽度(Eg)为4.2～4.9eV，由于其禁带宽度远大于GaN和SiC，所以被称为超宽禁带半导体材料，其导电性能和发光特性长期以来一直受到人们的关注。其中金属掺杂的氧化镓基磁性陶瓷在光电子器件、功率器件、气体传感器和半导体自旋器件等领域中的巨大应用潜力而引起了极大的关注。
目前，常规制备金属掺杂的氧化镓基磁性陶瓷薄膜的方法包括低压化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积、射频磁控溅射和溶胶-凝胶法等。然而低压化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积中和射频磁控溅射等方法需要在低压下精密的沉积，这些方法所涉及的设备会大大增加制备的成本，不利于大规模生产应用。溶胶-凝胶法制备的薄膜通常会发现普遍存在缺陷，例如孔洞和裂缝，薄膜任意的生长方向和不平坦的表面。且溶胶-凝胶溶液不稳定，两种金属粒子容易发生双水解，不利于日常生产。因此为了能与现有的集成电路工艺兼容且能够大规模应用于商业，有必要开发一种低成本的磁性陶瓷薄膜的制备工艺。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法，本发明的制备方法极大的降低了产生成本，且简单易行，具有广阔的应用前景。同时所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有很好的结晶性和结晶取向，具有很好的表面平整度，具有高于400K的居里温度。本发明提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
为实现上述目的，本发明提供了以下技术方案：
本发明提供的一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：
S1：制备GaMn前驱溶液：在100份质量的Ga前驱溶液中加入1～100份质量的Mn前驱溶液，充分搅拌得到GaMn前驱溶液；
其中，Ga前驱溶液的制备方法包括：在100份质量的去离子水中，加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份质量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清以得到聚合物溶液，然后在聚合物溶液中加入1～10份质量的可溶性镓盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000g/mol的分子得到Ga前驱溶液；
Mn前驱溶液的制备方法包括：在100份质量的去离子水中，加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份质量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清以得到聚合物溶液，然后在聚合物溶液中加入1～10份质量的可溶性锰盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000g/mol的分子得到Mn前驱溶液；
S2：清洗衬底表面：将单晶氧化铝作为衬底，分别在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗10～15min，最后用氮气吹干；
S3：旋涂：将步骤S1所得的GaMn前驱溶液旋涂到步骤S2所述的基底上得到预制膜；
S4：热处理：在大于等于650℃的条件下，将步骤S3得到的预制膜置于氧化性气氛中热处理得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。
根据一种优选实施方式，在步骤S1中，所述的可溶性镓盐包括硝酸镓的水合物，所述的可溶性锰盐包括四水氯化锰的水合物。
根据一种优选实施方式，在步骤S2中，所述的清洗衬底表面的步骤还包括：依次在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗氧化铝衬底，最后用氮气吹干。
根据一种优选实施方式，在步骤S3中，所述的旋涂步骤还包括：通过调节旋涂的转速和旋涂的次数以调节所制备薄膜的厚度。
根据一种优选实施方式，在多次旋涂的过程中，通过反复执行步骤S3后再执行步骤S4的步骤来实现制备薄膜；或者通过将步骤S3和步骤S4交替执行来实现制备薄膜。
根据一种优选实施方式，在步骤S4中，热处理温度为650℃～950℃。
根据一种优选实施方式，在步骤S4中，所采用的氧化性气氛中，氧气含量为5％～100％。
本发明还提供了一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料，所述锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料是由所述的制备方法制备而成。
基于上述技术方案，本发明的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法至少具有如下技术效果：
本发明的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法通过首先制备Ga前驱溶液和Mn前驱溶液，然后将Ga和Mn前驱溶液按一定的比例充分混合形成GaMn前驱溶液，将GaMn前驱溶液旋涂到清洗后的单晶氧化铝基底上，然后在大于等于650℃的热处理条件和氧化性气氛中制备得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。本发明的制备方法对环境要求低，不需要真空环境和密闭性环境，在空气中就能反应，因此极大的降低了成本，同时本发明的制备方法简单易行，具有广泛的应用前景。
本发明还提供了一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料，本发明所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有很好的结晶性和结晶取向，具有很好的表面平整度以及具有高于400K的居里温度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1和实施例2分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的X射线衍射(XRD)图谱；
图2为本发明实施例1和实施例2在(0001)晶面的Al2O3单晶基底上，分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的原子力显微镜(AFM)图；
图3为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的高分辨投射电子显微镜(HRTEM)图像；
图4为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的X射线光电子能谱(XPS)谱图的O1s的谱图；
图5为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的X射线光电子能谱(XPS)谱图的Mn 2p的谱图；
图6为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的透过谱谱图；
图7为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的磁滞回线；
图8为本发明实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的磁化强度的温度关系曲线。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。
实施例1
本实施例提供了一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，具体步骤如下：
步骤S1：制备Ga前驱溶液：将2g的聚乙烯二胺(PEI)和1.5g的乙二胺四乙酸(EDTA)加入40mL的去离子水中，搅拌溶解后，再加入1.5g的硝酸镓的水合物(Ga(NO3)3·xH2O)搅拌6h以上。使用超滤杯搅拌器对以上溶液进行超滤，在0.1MPa的压力下将分子量低于10000g/mol的化合物超滤掉。
制备Mn前驱溶液：将2g的聚乙烯二胺(PEI)和1.5g的乙二胺四乙酸(EDTA)加入40mL的去离子水中，搅拌溶解后，再加入1g的四水氯化锰的水合物(MnCl2·4H2O)搅拌6h以上。使用超滤杯搅拌器对以上溶液进行超滤，在0.1MPa的压力下将分子量低于10000g/mol的化合物超滤掉。
制备GaMn前驱溶液：在100份Ga前驱溶液中加入50份Mn前驱溶液，充分搅拌得到GaMn前驱溶液。
步骤S2：清洗衬底表面：选取单晶Al2O3作为衬底，依次在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗15min，去除表面的有机物和粉尘，最后用氮气吹干。
步骤S3：旋涂：将步骤S1中所得的GaMn前驱溶液旋涂到步骤S2经过清洗后的基底上，旋涂时，旋涂机的转速设置为3000r/min，旋涂时间为30s。
步骤4：热处理：在750℃下，将步骤S3得到的旋涂的薄膜置于空气氛中热处理2h，得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。
实施例2
本实施例提供了另一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，具体步骤如下：
步骤S1：制备Ga前驱溶液：将2g的聚乙烯二胺(PEI)和1.5g的乙二胺四乙酸(EDTA)加入40mL的去离子水中，搅拌溶解后，再加入1.5g的硝酸镓的水合物(Ga(NO3)3·xH2O)搅拌6h以上。使用超滤杯搅拌器对以上溶液进行超滤，在0.1MPa的压力下将分子量低于10000g/mol的化合物超滤掉。
制备Mn前驱溶液：将2g的聚乙烯二胺(PEI)和1.5g的乙二胺四乙酸(EDTA)加入40mL的去离子水中，搅拌溶解后，再加入1g的四水氯化锰的水合物(MnCl2·4H2O)搅拌6h以上。使用超滤杯搅拌器对以上溶液进行超滤，在0.1MPa的压力下将分子量低于10000g/mol的化合物超滤掉。
制备GaMn前驱溶液：在100份Ga前驱溶液中加入50份Mn前驱溶液，充分搅拌得到GaMn前驱溶液。
步骤S2：清洗衬底表面：选取单晶Al2O3作为衬底，依次在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗15min，去除表面的有机物和粉尘，最后用氮气吹干。
步骤S3：旋涂：将步骤S1中所得的GaMn前驱溶液旋涂到步骤S2经过清洗后的基底上，旋涂时，旋涂机的转速设置为3000r/min，旋涂时间为30s。
步骤4：热处理：在750℃下，将步骤S3得到的旋涂的薄膜置于氧气中热处理2h，得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。
本发明使用X射线衍射技术对实施例1和实施例2在不同气氛下制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的物相组成进行了检测，XRD衍射图谱如图1所示。从图1的XRD图谱显示，本发明制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜有三个清晰的峰，分别对应于(-201)，(-402)和(-603)的峰。说明在氧化铝衬底上制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有沿着一个方向生长的(-201)择优取向。
图2是本发明的实施例1和实施例2在(0001)晶面的Al2O3单晶基底上，分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷的原子力显微镜(AFM)图。从图2可以看出，在两种气氛中所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的表面均匀且连续，表面粗糙度均为1.2nm左右。
图3是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜和氧化铝衬底之间的界面的高分辨投射电子显微镜(HRTEM)图像。图3的图像显示了这两种制备方法制备的两个薄膜生长方向相一致，具有与X-射线衍射图所示的相同(-201)方向的择优生长取向，具有较高的结晶质量。
图4是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的X射线光电子能谱(XPS)谱图的O1s的谱图。图4的图谱可以观察到O1s光谱可以分为两个分别位于530.70eV和532.10eV左右的亚峰，分别对应于晶格氧原子和氧空位。在空气中和在氧气气氛中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的氧空位含量为30％和18％。
图5是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的X射线光电子能谱(XPS)谱图的Mn2p的谱图。从图5可以观察到Mn 2p光谱可以分为三个Mn的亚峰，分别对应Mn2+，Mn3+和Mn4+。在空气中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的Mn2+，Mn3+和Mn4+的含量分别为13.9％、14.6％和6.0％；在氧气中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的Mn2+，Mn3+和Mn4+的含量分别为7.6％、14.9％和12.0％。
图6是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的透过谱谱图。从图6可以看出，在空气中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜比在氧气中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的透过率更低，且具有更小的禁带宽度。在空气中和在氧气气氛中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的禁带宽度分别为4.98eV和5.18eV。
图7是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的磁滞回线。从图7可以看出，在空气中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为19.7emu/cm3和120Oe。在氧气氛中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为11.6emu/cm3和58Oe。说明本发明所制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有室温铁磁性。
图8是本发明的实施例1和实施例2在750℃下热处理，在(0001)晶面的Al2O3基底上分别在空气气氛和纯氧中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的磁化强度的温度关系曲线。从图8可以看出，在空气中和在氧气气氛中制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜的磁化强度和温度的关系曲线。GaMnO磁性陶瓷薄膜具有超过400K的居里温度。
综上，本发明的制备方法制备的GaMnO磁性陶瓷薄膜具有较好的结晶性和结晶取向，具有较好的表面平整度以及高于400K的居里温度。同时，本发明的制备方法对环境要求低，无需真空环境和密闭性环境，在空气中即可反应，从而极大的降低了成本，具有广阔的应用前景。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：制备GaMn前驱溶液：在100份质量的Ga前驱溶液中加入1～100份质量的Mn前驱溶液，充分搅拌得到GaMn前驱溶液；
其中，所述Ga前驱溶液的制备方法包括：在100份质量的去离子水中，加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份质量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清以得到聚合物溶液，然后在聚合物溶液中加入1～10份质量的可溶性镓盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000g/mol的分子得到Ga前驱溶液；
所述Mn前驱溶液的制备方法包括：在100份质量的去离子水中，加入2～15份质量的聚乙烯亚胺和2～15份质量的乙二胺四乙酸，充分搅拌至澄清以得到聚合物溶液，然后在聚合物溶液中加入1～10份质量的可溶性锰盐充分搅拌均匀后，超滤掉分子量小于10000g/mol的分子得到Mn前驱溶液；
S2：清洗衬底表面：将单晶氧化铝作为衬底，分别在丙酮、酒精和去离子水中用超声波清洗10～15min，最后用氮气吹干；
S3：旋涂：将步骤S1所得的GaMn前驱溶液旋涂到步骤S2所述的衬底上得到预制膜；
S4：热处理：在大于等于650℃的条件下，将步骤S3得到的预制膜置于氧化性气氛中热处理得到GaMnO磁性陶瓷薄膜。
2.根据权利要求1所述的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述的可溶性镓盐包括硝酸镓的水合物，所述的可溶性锰盐包括四水氯化锰的水合物。
3.根据权利要求1所述的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述的旋涂步骤还包括：通过调节旋涂的转速和旋涂的次数以调节所制备薄膜的厚度。
4.根据权利要求3所述的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，在多次旋涂的过程中，通过反复执行步骤S3后再执行步骤S4的步骤来实现制备薄膜；或者通过将步骤S3和步骤S4交替执行来实现制备薄膜。
5.根据权利要求1所述的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，热处理温度为650℃～950℃。
6.根据权利要求1所述的锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所采用的氧化性气氛中，氧气含量为5％～100％。
7.一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料，其特征在于，所述锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料是由前述权利要求1至6任一项所述的制备方法制备而成。
CN202210465624.5A 2022-04-29 2022-04-29 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 Active CN114804924B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210465624.5A CN114804924B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210465624.5A CN114804924B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114804924A CN114804924A (zh) 2022-07-29
CN114804924B true CN114804924B (zh) 2023-04-14

Family

ID=82509292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210465624.5A Active CN114804924B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114804924B (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8124176B2 (en) * 2000-07-31 2012-02-28 Los Alamos National Security, Llc Polymer-assisted deposition of films
US20060057766A1 (en) * 2003-07-08 2006-03-16 Quanxi Jia Method for preparation of semiconductive films
CN100557770C (zh) * 2007-09-13 2009-11-04 北京大学 一种制备GaMnN稀磁半导体纳米线的方法
CN100533667C (zh) * 2008-06-27 2009-08-26 南京大学 GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
KR101226958B1 (ko) * 2011-01-18 2013-01-28 연세대학교 산학협력단 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터
CN105734498B (zh) * 2016-04-13 2018-06-15 张权岳 一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法
JP7247945B2 (ja) * 2020-04-24 2023-03-29 トヨタ自動車株式会社 酸化ガリウム系半導体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114804924A (zh) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Room-temperature ferromagnetic Co-doped ZnO nanoneedle array prepared by pulsed laser deposition
JP5403497B2 (ja) 結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法
Yang et al. Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (1 1 1) by annealing
CN109811307B (zh) 一种二维材料纳米带或微米带的制备方法
CN109627043B (zh) 具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法
CN111593402A (zh) 一种二维铁磁材料Fe3GeTe2和掺Co的Fe3-xCoxGeTe2单晶生长方法
EP1683207A1 (en) Oxide superconductiong film and method of preparing the same
Gumiel et al. Thin film processing of multiferroic BiFeO3: From sophistication to simplicity. A review
US5925183A (en) Method for producing layer-structured perovskite thin film of bismuth-based compounds having ferroelectric properties
Pramanik et al. Preparation and magnetic properties of the CoFe 2 O 4 thin films on Si substrate by sol-gel technique
CN114804924B (zh) 一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法
Chen et al. Growth of Ba-hexaferrite films on single crystal 6-H SiC
Piperno et al. CeO2-based buffer layers via chemical solution deposition: Critical issues and latest developments
US8354046B2 (en) Germanium films by polymer-assisted deposition
CN114229911B (zh) 一种铁酸铋薄膜的制备方法
Sánchez et al. On the paramagnetic behavior of heavily doped Zn1− xMnxO films fabricated by Pechini’s method
CN110563048B (zh) 一种高分子辅助外延生长BiFeO3多铁性薄膜的方法
CN110436931B (zh) 一种铜氮铁反钙钛矿结构室温软磁薄膜材料及其制备方法
Piperno et al. Surface Decoration as a Prospective Artificial Pinning Strategy in Superconducting YBa2Cu 3O ${} _ {7\text {-}\text {x}} $ Films
CN112746257A (zh) 一种具有垂直磁各向异性的异质结及其制备方法
CN108004592A (zh) 一种Bi6Ti3Fe2O18层状多铁外延薄膜及其制备方法
CN115231530B (zh) 一种室温铁磁性MoSe2薄膜材料及其制备方法
KR100766792B1 (ko) 코발트가 도핑된 산화아연 박막 및 그 제조방법
Nishio et al. Epitaxial Growth of Sr x Ba 1− x Nb 2 O 6 Thin Films Prepared from Sol-Gel Process
CN114783768B (zh) 一种界面失配应变提升SrFeO2.0薄膜磁学性能的方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant