DE102020122476A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

[Technische Aufgabe] In Halbleitervorrichtungen kann das Auftreten von Oszillation und Rauschen vorzugsweise in Spannungen und Strömen unterdrückt werden.[Mittel zum Lösen der Aufgabe] Es ist eine Halbleitervorrichtung geschaffen, die eine Vielzahl von Schaltungsabschnitten und einen ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt, die aus ebenen leitfähigen Materialien gebildet und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden sind, umfasst, wobei der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt so angeordnet sind, dass die jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen, der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt jeweils ein Schaltungsverbindungsende, das mit den Schaltungsabschnitten verbunden ist, einen Pfadeinschränkungsabschnitt zum Einschränken eines Strompfad in der Hauptoberfläche umfasst, Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sind. Richtungen von Strömen, die durch die Strompfade zwischen dem Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, sind in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt vorzugsweise unterschiedlich.

Description

  • HINTERGRUND
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen.
  • STAND DER TECHNIK
  • Herkömmlicherweise sind Halbleitervorrichtungen, die eine Vielzahl von Halbleiterchips aufweisen, in denen Strom durch jeden aus der Vielzahl von Halbleiterchips fließt, bekannt (siehe zum Beispiel Patentdokumente 1 und 2).
    • Patentdokument 1: WO 2014/122877
    • Patentdokument 2: WO 2014/192118
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • In Halbleitervorrichtungen kann das Auftreten von Oszillation und Rauschen vorzugsweise in Spannungen und Strömen unterdrückt werden.
  • In einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung geschaffen. Die Halbleitervorrichtung kann eine Vielzahl von Schaltungsabschnitten enthalten. Die Halbleitervorrichtung kann einen ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt, die aus ebenen leitenden Materialien gebildet und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden sind, enthalten. Der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt können so angeordnet sein, dass die jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen. Der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt können jeweils ein Schaltungsverbindungsende, das mit den Schaltungsabschnitten verbunden ist, und einen Pfadeinschränkungsabschnitt zum Einschränken eines Strompfads in der Hauptoberfläche aufweisen. Die Richtungen von Strömen, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, können in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sein.
  • Die Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, können in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt entgegengesetzt sein.
  • Für jeden aus dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt können die Schaltungsverbindungsenden und die Pfadeinschränkungsabschnitte so angeordnet sein, dass mindestens ein Teil des Stroms um die Pfadeinschränkungsabschnitte zirkuliert. Die Richtungen der Ströme, die um die Pfadeinschränkungsabschnitte zirkulieren, können in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt entgegengesetzt sein.
  • Der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt können so angeordnet sein, dass die jeweiligen Hauptoberflächen parallel sind.
  • Der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt können einen überlappenden Bereich aufweisen, der in einer Richtung orthogonal zu den Hauptoberflächen überlappt. Die Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts und des zweiten Verbindungsabschnitts können einen oder mehrere erste Schlitze enthalten, die sich in einer ersten Richtung erstrecken. In dem überlappenden Bereich können die Anzahl der ersten Schlitze, die in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, und die Anzahl der ersten Schlitze, die in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, gleich sein.
  • Die Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts und des zweiten Verbindungsabschnitts können einen oder mehrere zweite Schlitze enthalten, die sich in einer zweiten Richtung, die von der ersten Richtung verschieden ist, erstrecken. In dem überlappenden Bereich können die Anzahl zweiter Schlitze, die in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, die Anzahl zweiter Schlitze, die in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, gleich sein.
  • Ein oberes Ende des ersten Verbindungsabschnitts und ein oberes Ende des zweiten Verbindungsabschnitts können an derselben Höhe angeordnet sein. In dem überlappenden Bereich können der erste Schlitz, der in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, und der erste Schlitz, der in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, an derselben Höhe angeordnet sein.
  • Das obere Ende des ersten Verbindungsabschnitts kann an einer höheren Position angeordnet sein als das obere Ende des zweiten Verbindungsabschnitts. In dem überlappenden Bereich kann der erste Schlitz, der in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, an einer höheren Position angeordnet sein als der erste Schlitz, der in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist.
  • Eine Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt und eine Breite des zweiten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt können unterschiedlich sein.
  • Eine Dicke des ersten Verbindungsabschnitts kann größer sein als eine Dicke des zweiten Verbindungsabschnitts. Die Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt kann größer sein als die Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt.
  • Ein Strom, der durch den ersten Verbindungsabschnitt fließt, kann größer sein als ein Strom, der durch den zweiten Verbindungsabschnitt fließt, und die Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt kann größer sein als die Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt.
  • Die Halbleitervorrichtung kann ferner einen dritten Verbindungsabschnitt enthalten, der aus einem ebenen leitenden Material gebildet ist und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden ist. Der erste Verbindungsabschnitt kann so angeordnet sein, dass er zu einer ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist. Der dritte Verbindungsabschnitt kann so angeordnet sein, dass er zu der ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist. Der dritte Verbindungsabschnitt kann das Schaltungsverbindungsende und den Pfadeinschränkungsabschnitt enthalten. Die Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, können in dem dritten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sein.
  • Der zweite Verbindungsabschnitt kann einen Randschlitz enthalten, der von einem Schaltungsseitenrand, auf dem das Schaltungsverbindungsende vorgesehen ist, zu dem Inneren des zweiten Verbindungsabschnitts vorgesehen ist. Der zweite Verbindungsabschnitt kann einen ersten inneren Schlitz enthalten, der mit dem Randschlitz verbunden ist und sich entlang dem Schaltungsseitenrand erstreckt. Der zweite Verbindungsabschnitt kann einen zweiten inneren Schlitz enthalten, der mit dem Randschlitz verbunden ist und sich entlang dem Schaltungsseitenrand und zu einer entgegengesetzten Seite des ersten inneren Schlitzes erstreckt. Der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt können nebeneinander in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnittes angeordnet sein. Der erste Verbindungsabschnitt kann einen ersten parallelen Schlitz aufweisen, der sich von einem Rand, der zu dem dritten Verbindungsabschnitt weist, in einer Richtung parallel zu dem ersten inneren Schlitz erstreckt. Der dritte Verbindungsabschnitt kann einen zweiten parallelen Schlitz aufweisen, der sich von einem Rand, der zu dem ersten Verbindungsabschnitt weist, in einer Richtung parallel zu dem zweiten inneren Schlitz erstreckt.
  • Die Halbleitervorrichtung kann ferner einen vierten Verbindungsabschnitt enthalten, der aus einem ebenen leitenden Material gebildet ist und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden ist. Der erste Verbindungsabschnitt kann so angeordnet sein, dass er zu einer ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist. Der vierte Verbindungsabschnitt kann so angeordnet sein, dass er zu einer zweiten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist. Der vierte Verbindungsabschnitt kann das Schaltungsverbindungsende und den Pfadeinschränkungsabschnitt enthalten. Die Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, können in dem vierten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sein.
  • Die Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts, des zweiten Verbindungsabschnitts und des vierten Verbindungsabschnitts können einen oder mehrere erste Schlitze enthalten, die sich in einer ersten Richtung erstrecken. Ein Strom, der durch den ersten Verbindungsabschnitt fließt, und ein Strom, der durch den vierten Verbindungsabschnitt fließt, können zu dem zweiten Verbindungsabschnitt fließen. Eine Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt kann größer sein als jede aus einer Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt und einer Breite des ersten Schlitzes in dem vierten Verbindungsabschnitt.
  • Der Zusammenfassungsabschnitt beschreibt nicht notwendigerweise alle notwendigen Merkmale der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Die vorliegende Erfindung kann auch eine Unterkombination der vorstehend beschriebenen Merkmale sein.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt ein Beispiel einer perspektivischen Ansicht einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung.
    • 2 ist ein Beispiel einer Draufsicht der Halbleitervorrichtung 100.
    • 3 zeigt ein Beispiel einer Schaltungskonfiguration in der internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100.
    • 4A beschreibt schematisch eine Kurzdarstellungjedes der Schaltungsblöcke CB.
    • 4B zeigt ein Beispiel eines ersten Schaltungsabschnitts 211, der nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet ist.
    • 4C zeigt ein weiteres Beispiel des ersten Schaltungsabschnitts 211, der nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet ist.
    • 4D zeigt ein weiteres Beispiel des ersten Schaltungsabschnitts 211, der nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet ist.
    • 5 zeigt beispielhafte Formen eines Zwischenblockverbindungsabschnitts 202, eines ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und eines zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206.
    • 6 beschreibt die Positionen von Schlitzen in jedem Verbindungsabschnitt.
    • 7 zeigt eine weitere beispielhaft Anordnung der Schlitze in jedem Verbindungsabschnitt.
    • 8 zeigt eine beispielhafte Form eines vierten Innerblockverbindungsabschnitts 209.
    • 9 zeigt eine beispielhafte Form eines dritten Innerblockverbindungsabschnitts 208.
    • 10 zeigt schematisch den Widerstand des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und des Innerblockverbindungsabschnitts unter jedem der Schaltungsabschnitte.
    • 11 zeigt ein weiteres Beispiel des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202.
    • 12 zeigt ein Beispiel eines Verbindungsabschnitts 371 und eines Verbindungsabschnitts 471, die einander entgegengesetzt in der Halbleitervorrichtung 100 vorgesehen sind.
    • 13 zeigt ein Beispiel eines Verbindungsabschnitts 571.
    • 14 zeigt eine weitere beispielhafte Anordnung einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten.
    • 15 zeigt eine beispielhafte Anordnung der Schlitze in jedem in 14 gezeigten Verbindungsabschnitt.
  • BESCHREIBUNG BEISPIELHAFTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Hierin nachfolgend wird die vorliegende Erfindung durch Ausführungsformen der Erfindung beschrieben, die folgenden Ausführungsformen beschränken die Erfindung gemäß den Ansprüchen aber nicht. Zusätzlich sind nicht unbedingt alle Kombinationen von in den Ausführungsformen beschriebenen Merkmalen für die Lösung der Erfindung wesentlich.
  • In dieser Beschreibung wird eine Seite in einer Richtung parallel zu der Tiefenrichtung des Halbleitersubstrats, das der Halbleiterchip aufweist, als „obere“ bezeichnet und die andere Seite wird als „untere“ bezeichnet. Eine von zwei Hauptoberflächen eines Substrats, eine Schicht oder irgendein anderes Bauteil wird als eine obere Oberfläche bezeichnet und die andere Oberfläche wird als eine untere Oberfläche bezeichnet. Die „obere“, „untere“, „vordere“ und „rückwärtige“ Richtung sind nicht auf die Schwerkraftrichtung oder die Befestigungsrichtung an ein Substrat oder dergleichen zum Zeitpunkt von Implementierung einer Halbleitervorrichtung begrenzt.
  • In dieser Beschreibung können technische Belange unter Verwendung orthogonaler Koordinatenachsen von X-Achse, Y-Achse und Z-Achse beschrieben werden. In dieser Beschreibung wird eine Oberfläche parallel zu der oberen Oberfläche eines Halbleiterchips als eine XY-Ebene bezeichnet und eine Achse senkrecht zu der XY-Ebene wird als eine Z-Achse bezeichnet.
  • Zusätzlich können in dieser Beschreibung Abstände, Widerstandswerte, Stromgrößen oder dergleichen als gleichwertig beschrieben werden. Fälle, wo sie gleichwertig sind, sind nicht auf Fälle begrenzt, wo sie identisch sind und sie können innerhalb des Umfangs der hierin beschriebenen Erfindung unterschiedlich sein. Zum Beispiel erlaubt gleichwertig zu sein Abweichungen innerhalb von 10%.
  • 1 zeigt ein Beispiel einer perspektivischen Ansicht einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung. Die Halbleitervorrichtung 100 beinhaltet einen Gehäuseabschnitt 110, einen Basisabschnitt 120 und eine Vielzahl von Anschlüssen. In einem Beispiel wird die Halbleitervorrichtung 100 in einem Spannungsstabilisator (PCS: Power Conditioning Subsystem) verwendet.
  • Der Gehäuseabschnitt 110 beherbergt eine interne Schaltung wie einen Halbleiterchip und Verdrahtung. Der Gehäuseabschnitt 110 ist aus isolierendem Harz gebildet. Der Gehäuseabschnitt 110 ist an dem Basisabschnitt 120 bereitgestellt. Der Gehäuseabschnitt 110 kann mit einem Kerbenabschnitt 112 bereitgestellt sein, um die Kriechstrecke zu erhöhen, um Isolierung zu verbessern.
  • Der Basisabschnitt 120 ist an dem Gehäuseabschnitt 110 mit einem Kleber oder dergleichen an der oberen Oberflächenseite fixiert. Der Basisabschnitt 120 kann auf das Massepotenzial gesetzt sein. Der Basisabschnitt kann an einem Wärmeableitungsbauteil, wie einer Lamelle, mit einer Schraube oder dergleichen an der unteren Oberflächenseite fixiert sein. Der Basisabschnitt 120 weist eine Hauptoberfläche in der XY-Ebene auf. Der Basisabschnitt 120 und der Gehäuseabschnitt 110 können zwei Sätze gegenüberliegender Ränder aufweisen, wie in einer oberen Oberflächenansicht von der Z-Achsenrichtung aus gesehen. Der Basisabschnitt 120 und der Gehäuseabschnitt 110 des vorliegenden Beispiels weisen längere Ränder entlang der Y-Achse auf und weisen kürzere Ränder entlang der X-Achse auf.
  • Eine Anschlussanordnungsoberfläche 114 ist eine Oberfläche, an der die Vielzahl von Anschlüssen in der oberen Oberflächenseite des Gehäuseabschnitts 110 freigelegt ist. Jeder Anschluss verbindet elektrisch die interne Schaltung, die in dem Gehäuseabschnitt 110 beherbergt ist, mit einer externen Vorrichtung. Der erste Hilfsanschluss ts1 bis zu dem elften Hilfsanschluss ts11 sind an der Anschlussanordnungsoberfläche 114 bereitgestellt. Die Anschlussanordnungsoberfläche 114 weist einen konvexen Abschnitt 116 auf, der in der Z-Achsenrichtung vorragt.
  • Der konvexe Abschnitt 116 ist nahe dem Mittelpunkt der Anschlussanordnungsoberfläche 114 bereitgestellt, wenn aus einer oberen Oberflächensicht gesehen. Der konvexe Abschnitt 116 des vorliegenden Beispiels ist angeordnet, sich entlang der Y-Achsenrichtung bei dem Mittelpunkt in der Y-Achsenrichtung der Anschlussanordnungsoberfläche 114 zu erstrecken. Ein erster externer Verbindungsanschluss tm1 bis zu einem fünften externen Verbindungsanschluss tm5 sind an dem konvexen Abschnitt 116 bereitgestellt. Der erste externe Verbindungsanschluss tm1 bis zu dem fünften externen Verbindungsanschluss tm5 sind in Reihe entlang der Y-Achsenrichtung in dem konvexen Abschnitt 116 angeordnet, die Anordnung der externen Verbindungsanschlüsse ist aber nicht darauf begrenzt.
  • Der erste externe Verbindungsanschluss tm1(P) ist ein Anschluss, mit dem ein positiver Anschluss einer Gleichstromversorgung, die extern von der Halbleitervorrichtung 100 bereitgestellt ist, verbunden ist. Der vierte externe Verbindungsanschluss tm4 (N) ist ein Anschluss, mit dem ein negativer Anschluss der externen Gleichstromversorgung verbunden ist. Der erste externe Verbindungsanschluss tm1 (P) und der vierte externe Verbindungsanschluss tm4 (N) fungieren als Stromversorgungsanschlüsse P, N in der internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100.
  • Der fünfte externe Verbindungsanschluss tm5 (U) fungiert als ein Wechselstromausgangsanschluss U in der internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100. Der zweite externe Verbindungsanschluss tm2 (M1) und der dritte externe Verbindungsanschluss tm3 (M2) sind mit vorgegebenen Verbindungspunkten in der internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100 verbunden. Zum Beispiel fungieren der zweite externe Verbindungsanschluss tm2 (M1) und der dritte externe Verbindungsanschluss tm3 (M2) als Zwischenanschlüsse M1, M2, die die Spannung der vorgegebenen Verbindungspunkte in der internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100 festklemmen.
  • Der erste Hilfsanschluss ts1 bis zu dem fünften Hilfsanschluss ts5 sind entlang eines Rands (dem längeren Rand in dem vorliegenden Beispiel) entlang der Y-Achse der Anschlussanordnungsoberfläche 114 angeordnet. Der sechste Hilfsanschluss ts6 bis zu dem elften Hilfsanschluss ts11 sind entlang des anderen Rands entlang der Y-Achsenrichtung der Anschlussanordnungsoberfläche 114 angeordnet.
  • Der erste Hilfsanschluss ts1 (T4P) gibt eine Kollektorspannung eines Transistors T4 aus, der unten beschrieben wird. Der zweite Hilfsanschluss ts2 (T4G) ist ein Gate-Anschluss, der eine Gate-Spannung des Transistors T4 zuleitet. Der dritte Hilfsanschluss ts3 (T4E) gibt eine Emitterspannung des Transistors T4 aus.
  • Der vierte Hilfsanschluss ts4 (T3G) ist ein Gate-Anschluss, der eine Gate-Spannung eines Transistors T3 zuleitet, der unten beschrieben wird. Der fünfte Hilfsanschluss ts5 (T3E) gibt eine Emitterspannung des Transistors T3 aus.
  • Der sechste Hilfsanschluss ts6 (T1E) gibt eine Emitterspannung eines Transistors T1 aus, der unten beschrieben wird. Der siebte Hilfsanschluss ts7 (T1G) ist ein Gate-Anschluss, der eine Gate-Spannung des Transistors T1 zuleitet.
  • Der achte Hilfsanschluss ts8 (T2E) gibt eine Emitterspannung eines Transistors T2 aus, der unten beschrieben wird. Der neunte Hilfsanschluss ts9 (T2G) ist ein Gate-Anschluss, der eine Gate-Spannung des Transistors T2 zuleitet.
  • Der zehnte Hilfsanschluss ts10 (TH2) und der elfte Hilfsanschluss ts11 (TH1) sind Anschlüsse für Thermistoren, die mit einem Thermistor verbunden sind, um die interne Temperatur des Gehäuseabschnitts 110 zu erfassen. Zum Beispiel ist der Thermistor in den Gehäuseabschnitt 110 unter dem zehnten Hilfsanschluss ts10 (TH2) und dem elften Hilfsanschluss ts11 (TH1) eingebettet.
  • 2 ist ein Beispiel einer Draufsicht der Halbleitervorrichtung 100 gemäß dem ersten Beispiel. Diese Figur zeigt eine beispielhafte Anordnung einer internen Schaltung, die an einem Basisabschnitt 120 in dem Inneren eines Gehäuseabschnitts 110 bereitgestellt ist. Die interne Schaltung des vorliegenden Beispiels ist eine dreistufige Leistungsumwandlungsvorrichtungsschaltung (eine Inverterschaltung), die interne Schaltung ist aber nicht darauf begrenzt.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 des vorliegenden Beispiels beinhaltet sechs isolierende Substrate 50a-50f an dem Basisabschnitt 120. Diese sechs isolierenden Substrate 50a, 50b, 50c, 50d, 50e, 50f des vorliegenden Beispiels sind nebeneinander entlang der Y-Achsenrichtung in dieser Reihenfolge angeordnet. Die isolierenden Substrate 50 sind an den Basisabschnitt 120 gebondet. Die isolierenden Substrate 50 beinhalten an beiden Seiten Leitungsstrukturen aus keramischen Substraten (zum Beispiel Aluminiumoxid), die hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Zum Beispiel sind die isolierenden Substrate 50 DCB (Direct Copper Bonding) Substrate, die Kupferschaltungsplatinen aufweisen, die direkt an keramische Substrate gebondet sind.
  • Ein oder mehrere Transistoren T können an jedem der isolierenden Substrate 50 angeordnet sein. Jeder der Transistoren T kann ein bipolarer Transistor mit isoliertem Gate (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor) oder ein Feldeffekttransistor (FET) sein. 2 zeigt einen Halbleiterchip mit den Transistoren T darauf bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung 100 des vorliegenden Beispiels beinhaltet eine Vielzahl von Transistoren, die miteinander parallel geschaltet sind. In dem in 2 gezeigten Beispiel sind drei Transistoren T1 parallel geschaltet. Ähnlich sind drei Transistoren T2 parallel geschaltet, drei Transistoren T3 sind parallel geschaltet und drei Transistoren T4 sind parallel geschaltet. In dieser Anmeldung kann eine Vielzahl von Transistoren Tk (k ist eine Ganzzahl), die parallel geschaltet sind, gemeinsam als der Transistor Tk bezeichnet werden.
  • Eine Vielzahl von Transistoren Tk, die parallel geschaltet sind, kann nebeneinander entlang einer vorgegebenen ersten Richtung (Y-Achsenrichtung in 2) angeordnet sein. In dem vorliegenden Beispiel sind die Vielzahl von Transistoren T1 und die Vielzahl von Transistoren T2 nebeneinander entlang einem der längeren Ränder des Basisabschnitts 120 angeordnet und die Vielzahl von Transistoren T3 und die Vielzahl von Transistoren T4 sind nebeneinander entlang des anderen längeren Rands des Basisabschnitts 120 angeordnet.
  • Zusätzlich können der Transistor T1 und T4 auf demselben isolierenden Substrat 50 implementiert sein. Der Transistor T2 und T2 können auf demselben isolierenden Substrat 50 implementiert sein. Die isolierenden Substrate 50a-50c sind isolierende Substrate, die jeweils Transistoren T4 und T1 darauf implementiert aufweisen. Die isolierenden Substrate 50d-50f sind isolierende Substrate, die jeweils die Transistoren T3 und T2 darauf implementiert aufweisen.
  • Zusätzlich kann jedes der isolierenden Substrate 50 mit Dioden Dk bereitgestellt sein. Die Dioden Dk können Freilaufdioden sein, die mit den Transistoren Tk antiparallel geschaltet sind. Obwohl Dioden Dk für jeden der Transistoren Tk in dem vorliegenden Beispiel bereitgestellt sind, können Dioden Dk für manche der Transistoren Tk in anderen Beispielen bereitgestellt sein. Zusätzlich, obwohl die Transistoren und die Dioden des vorliegenden Beispiels auf separaten Halbleiterchips bereitgestellt sind, können sie ein umgekehrt leitender IGBT (RC-IBGT, Reverse Conducting IBGT) oder dergleichen mit Transistoren und Dioden auf einem selben Halbleiterchip bereitgestellt sein.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist der Bereich, auf dem die isolierenden Substrate 50 bereitgestellt sind, in vier Schaltungsblöcke CB1-CB4 geteilt, wenn aus einer oberen Oberflächensicht gesehen. Der erste Schaltungsblock CB1 ist ein Bereich, auf dem die Vielzahl von parallel bereitgestellten Transistoren T1 bereitgestellt ist, der zweite Schaltungsblock CB2 ist ein Bereich, auf dem die Vielzahl von parallel bereitgestellten Transistoren T2 bereitgestellt ist, der dritte Schaltungsblock CB3 ist ein Bereich, auf dem die Vielzahl von parallel bereitgestellten Transistoren T3 bereitgestellt ist und der vierte Schaltungsblock CB4 ist ein Bereich, auf dem die Vielzahl von parallel bereitgestellten Transistoren T4 bereitgestellt ist. Jeder der Schaltungsblöcke CBk kann mit den Dioden Dk bereitgestellt sein.
  • Die Schaltungsblöcke CB1-CB4 des vorliegenden Beispiels sind durch virtuelle Mittellinien L1 und L2 geteilt. Die Mittellinie L2 teilt den Basisabschnitt 120 in einen Bereich, auf dem die isolierenden Substrate 50a, 50b und 50c bereitgestellt sind, und einen Bereich, auf dem die isolierenden Substrate 50d, 50e und 50f bereitgestellt sind. Die Mittellinie L2 des vorliegenden Beispiels ist eine gerade Linie parallel zu der X-Achse, die zwischen dem isolierenden Substrat 50c und dem isolierenden Substrat 50d verläuft.
  • Die Mittellinie L1 teilt die isolierenden Substrate 50a, 50b und 50c in einen Bereich, auf dem die Vielzahl von Transistoren T1 bereitgestellt ist, und einen Bereich, auf dem die Vielzahl von Transistoren T4 bereitgestellt ist. Zusätzlich teilt die Mittellinie L1 die isolierenden Substrate 50d, 50e und 50f in einen Bereich, auf dem die Vielzahl von Transistoren T2 bereitgestellt ist, und einen Bereich, auf dem die Vielzahl von Transistoren T3 bereitgestellt ist. Die Mittellinie L1 des vorliegenden Beispiels ist eine gerade Linie parallel zu der Y-Achse, die durch den Mittelpunkt in der X-Achsenrichtung eines Bereichs verläuft, auf dem die isolierenden Substrate 50 bereitgestellt sind.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 weist eine Vielzahl von Leitungsstrukturen 36 auf, die auf den isolierenden Substraten 50 bereitgestellt sind. Die Leitungsstrukturen 36 sind aus leitfähigen Materialien wie Kupfer gebildet. Zusätzlich weist die Halbleitervorrichtung 100 eine Vielzahl von Verbindungsbauteilen 90 auf, die elektrisch jedes Bauteil in der internen Schaltung verbinden. Die Verbindungsbauteile 90 sind Verdrahtung, die über den isolierenden Schichten bereitgestellt ist, wie zum Beispiel Drähte oder Stanzgitter. In 2 sind die Verbindungsbauteile 90 mit vollen Linien gezeigt. Zusätzlich sind die Verbindungspunkte der Verbindungsbauteile 90 und anderer Bauteile mit gefüllten Kreisen gezeigt. Die Verbindungsbauteile 90 sind mit anderen Bauteilen bei den Verbindungspunkten mittels direktem Bonding, Löten oder dergleichen verbunden.
  • In jedem der isolierenden Substrate 50a-50c ist eine Leitungsstruktur 36a an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitfähigkeitsstruktur 36a verbindet elektrisch ein Emitterfeld des entsprechenden Transistors T4 und ein Anodenfeld der Diode D4 mit einem dritten Hilfsanschluss ts3 (T4E).
  • In jedem der isolierenden Substrate 50a-50c ist eine Leitungsstruktur 36b an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36b verbindet elektrisch ein Gate-Feld des entsprechenden Transistors T4 mit einem zweiten Hilfsanschluss ts2 (T4G). Die Leitungsstruktur 36a und 36b des vorliegenden Beispiels sind Verdrahtung, die in dem vierten Schaltungsblock CB4 angeordnet ist und eine Längsseite in der Y-Achsenrichtung aufweist.
  • Eine Leitungsstruktur 36c ist auf jedem der isolierenden Substrate 50a-50c bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36c des vorliegenden Beispiels weist den Transistor T4 und die Diode D4 darauf bereitgestellt auf. Die Leitungsstruktur 36c ist mit einer Kollektorelektrode des Transistors T4 und einer Kathodenelektrode der Diode D4 über Löten oder dergleichen verbunden. Zusätzlich ist jede der Leitungsstrukturen 36c elektrisch mit dem ersten Hilfsanschluss ts1 (T4P) verbunden.
  • Eine Leitungsstruktur 36d ist an jedem der isolierenden Substrate 50a-50c bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36d des vorliegenden Beispiels verbindet ein Emitterfeld des Transistors T4 und ein Anodenfeld der Diode D4 elektrisch mit der Leitungsstruktur 36a. Die Leitungsstruktur 36c und 36d sind in dem vierten Schaltungsblock CB4 angeordnet.
  • In jedem der isolierenden Substrate 50a-50c ist eine Leitungsstruktur 36h an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36h verbindet ein Emitterfeld des entsprechenden Transistors T1 und ein Anodenfeld der Diode D1 elektrisch mit einem sechsten Hilfsanschluss ts6 (T1E).
  • In jedem der isolierenden Substrate 50a-50c ist eine Leitungsstruktur 36g an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36g verbindet ein Gate-Feld des entsprechenden Transistors T1 elektrisch mit einem siebten Hilfsanschluss ts7 (T1G). Die Leitungsstruktur 36h und 36g des vorliegenden Beispiels sind Verdrahtung, die in dem ersten Schaltungsblock CB1 angeordnet ist und eine Längsseite in der Y-Achsenrichtung aufweist.
  • Die Leitungsstruktur 36f ist auf jedem der isolierenden Substrate 50a-50c bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36f des vorliegenden Beispiels weist den Transistor T1 und die Diode D1 darauf bereitgestellt auf. Die Leitungsstruktur 36f ist mit einer Kollektorelektrode des Transistors T1 und einer Kathodenelektrode der Diode D1 über Löten oder dergleichen verbunden. Die Leitungsstruktur 36f des vorliegenden Beispiels und die Leitungsstruktur 36d sind in Serie bereitgestellt. Auf diese Weise sind das Kollektorfeld des Transistors T1 und das Emitterfeld des Transistors T4 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die Leitungsstruktur 36e ist auf jedem der isolierenden Substrate 50a-50c bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36e des vorliegenden Beispiels verbindet ein Emitterfeld des Transistors T1 und ein Anodenfeld der Diode D1 elektrisch mit der Leitungsstruktur 36h. Die Leitungsstruktur 36f und 36e sind in dem ersten Schaltungsblock CB1 angeordnet.
  • In jedem der isolierenden Substrate 50d-50f ist eine Leitungsstruktur 36i an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36i verbindet ein Emitterfeld des entsprechenden Transistors T3 und ein Anodenfeld der Diode D3 elektrisch mit einem fünften Hilfsanschluss ts5 (T3E).
  • In jedem der isolierenden Substrate 50d-50f ist eine Leitungsstruktur 36j an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36j verbindet ein Gate-Feld des entsprechenden Transistors T3 elektrisch mit einem vierten Hilfsanschluss ts4 (T3G). Die Leitungsstruktur 36i und 36j des vorliegenden Beispiels sind Verdrahtung, die in dem dritten Schaltungsblock CB3 angeordnet ist und eine Längsseite in der Y-Richtung aufweist.
  • Die Leitungsstruktur 36k ist auf jedem der isolierenden Substrate 50d-50f bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36k des vorliegenden Beispiels weist den Transistor T3 und die Diode D3 darauf bereitgestellt auf. Die Leitungsstruktur 36k ist mit einer Kollektorelektrode des Transistors T3 und einer Kathodenelektrode der Diode D3 über Löten oder dergleichen verbunden.
  • Die Leitungsstruktur 361 ist auf jedem der isolierenden Substrate 50d-50f bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36l des vorliegenden Beispiels verbindet ein Emitterfeld des Transistors T3 und ein Anodenfeld der Diode D3 elektrisch mit der Leitungsstruktur 36i. Die Leitungsstruktur 36k und 361 sind in dem dritten Schaltungsblock CB3 angeordnet.
  • In jedem der isolierenden Substrate 50d-50f ist eine Leitungsstruktur 36o an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36o verbindet ein Emitterfeld des entsprechenden Transistors T2 und ein Anodenfeld der Diode D2 elektrisch mit einem achten Hilfsanschluss ts8 (T2E).
  • In jedem der isolierenden Substrate 50d-50f ist eine Leitungsstruktur 36n an einem Ende in der X-Achsenrichtung bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36n verbindet ein Gate-Feld des entsprechenden Transistors T2 elektrisch mit einem neunten Hilfsanschluss ts9 (T2G). Die Leitungsstruktur 36o und 36n des vorliegenden Beispiels sind Verdrahtung, die in dem zweiten Schaltungsblock CB2 angeordnet ist und eine Längsseite in der Y-Achsenrichtung aufweist.
  • Die Leitungsstruktur 36m ist auf jedem der isolierenden Substrate 50d-50f bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36m des vorliegenden Beispiels weist den Transistor T2 und die Diode D2 darauf bereitgestellt auf. Die Leitungsstruktur 36m ist mit einer Kollektorelektrode des Transistors T2 und einer Kathodenelektrode der Diode D2 über Löten oder dergleichen verbunden.
  • Die Leitungsstruktur 36p ist auf jedem der isolierenden Substrate 50d-50f bereitgestellt. Die Leitungsstruktur 36p des vorliegenden Beispiels verbindet ein Emitterfeld des Transistors T2 und ein Anodenfeld der Diode D2 elektrisch mit der Leitungsstruktur 36o. Die Leitungsstruktur 36m und 36p sind in dem zweiten Schaltungsblock CB2 angeordnet. Die Leitungsstruktur 36p des vorliegenden Beispiels und die Leitungsstruktur 36k sind in Serie bereitgestellt. Auf diese Weise sind das Kollektorfeld des Transistors T3 und das Emitterfeld des Transistors T2 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 des vorliegenden Beispiels beinhaltet einen Zwischenblockverbindungsabschnitt 202, einen ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204, einen zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206, einen dritten Innerblockverbindungsabschnitt 208 und einen vierten Innerblockverbindungsabschnitt 209. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 verbindet zwei Schaltungsblöcke CB elektrisch. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels verbindet den ersten Schaltungsblock CB1 und den zweiten Schaltungsblock CB2 elektrisch.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 ist elektrisch mit einer beliebigen der Schaltungsvorrichtungen in jedem Schaltungsblock CB verbunden. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels ist mit der Vielzahl von Leitungsstrukturen 36e auf dem ersten Schaltungsblock CB1 und der Vielzahl von Leitungsstrukturen 36m auf dem zweiten Schaltungsblock CB2 verbunden.
  • Jeder der Innerblockverbindungsabschnitte ist elektrisch mit einer Vielzahl von Schaltungsvorrichtungen innerhalb eines Schaltungsblocks CB verbunden. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels ist mit er Vielzahl von Leitungsstrukturen 361 auf dem dritten Schaltungsblock CB3 verbunden. Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels ist mit der Vielzahl von Leitungsstrukturen 36c auf dem vierten Schaltungsblock CB4 verbunden. Der dritte Innerblockverbindungsabschnitt 208 des vorliegenden Beispiels ist mit der Vielzahl von Leitungsstrukturen 36f auf dem ersten Schaltungsblock CB1 verbunden. Der vierte Innerblockverbindungsabschnitt 209 des vorliegenden Beispiels ist mit der Vielzahl von Leitungsstrukturen 36p auf dem zweiten Schaltungsblock CB2 verbunden.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und die Innerblockverbindungsabschnitte können plattenähnliche leitfähige Bauteile sein, die über dem isolierenden Substrat 50 angeordnet sind. Mindestens manche des Plattenabschnitts des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und der Innerblockverbindungsabschnitte können senkrecht zu dem isolierenden Substrat 50 angeordnet sein. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und die Innerblockverbindungsabschnitte können aus leitfähigen Materialien gebildet sein, wie Kupfer, Aluminium oder dergleichen. In 2 sind die mit dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 oder den Innerblockverbindungsabschnitten zu verbindenden Bereiche in jeder der Leitungsstrukturen 36 als Verbindungsbereiche 210 gezeigt.
  • 3 zeigt ein Beispiel einer Schaltungskonfiguration in einer internen Schaltung der Halbleitervorrichtung 100. Die interne Schaltung des vorliegenden Beispiels ist eine Schaltung mit einer Phase (U-Phase) der drei Phasen (die U-Phase, die V-Phase und die W-Phase) einer dreistufigen Stromumwandlungsschaltung (Inverterschaltung).
  • Der Transistor T4, der Transistor T1, der Transistor T2 und der Transistor T3 sind in Serie in dieser Reihenfolge zwischen dem ersten externen Verbindungsanschluss tm1 (P) und dem vierten externen Verbindungsanschluss tm4 (N) verbunden. Jeder der Transistoren Tk beinhaltet eine Vielzahl von parallel geschalteten Transistoren, wie in 2 beschrieben, ist in der Schaltung in 3 aber als ein Transistor gezeigt. Zum Beispiel ist die Vielzahl von Transistoren T4 miteinander parallel geschaltet, die Vielzahl von Transistoren T1 miteinander parallel geschaltet und die Vielzahl von Transistoren T4 und der Vielzahl von Transistoren T1 in Serie verbunden. Die Dioden Dk sind mit jedem der Transistoren Tk antiparallel geschaltet.
  • Der Verbindungspunkt zwischen einem Emitteranschluss des Transistors T1 und einem Kollektoranschluss des Transistors T2 wird als der Verbindungspunkt C angenommen. Der Verbindungspunkt C1 ist mit dem fünften externen Verbindungsanschluss tm5 (U) als ein Wechselstromausgangsanschluss verbunden.
  • Ein Kollektoranschluss des Transistors T1 und ein Emitteranschluss des Transistors T2 sind über zwei Dioden D5, D6 verbunden, die in Serie bereitgestellt sind. Die Dioden D5 und D6 sind so angeordnet, dass die Richtung von dem Emitteranschluss des Transistors T2 zu dem Kollektoranschluss des Transistors T1 eine Vorwärtsrichtung ist. Es wird festgehalten, dass die Dioden D5, D6 in 2 ausgelassen sind. Die Dioden D5, D6 können auf der Leitungsstruktur 36 bereitgestellt sein, können bei dem dritten Innerblockverbindungsabschnitt 208 oder dem vierten Innerblockverbindungsabschnitt 209 bereitgestellt sein oder können bei anderen Stellen bereitgestellt sein.
  • Der Verbindungspunkt zwischen den Dioden D5 und D6 wird als der Verbindungspunkt C2 angenommen. Der Verbindungspunkt C2 ist mit dem zweiten externen Verbindungsanschluss tm2 (M1) und dem dritten externen Verbindungsanschluss tm3 (M2) verbunden. Eine solche Konfiguration erlaubt die interne Schaltung, um als eine dreistufige Leistungsumwandlungsschaltung vom I-Typ zu arbeiten, in der vier Transistoren T in Serie verbunden sind.
  • 4A beschreibt eine Kurzdarstellung von jedem der Schaltungsblöcke CB. Der erste Schaltungsblock CB1 weist eine Vielzahl von ersten Schaltungsabschnitten 211 auf, die parallel geschaltet sind. Jeder der ersten Schaltungsabschnitte 211 des vorliegenden Beispiels beinhaltet eine Leitungsstruktur 36-e und eine Leitungsstruktur 36-f und den Transistor T1 und die Diode D1, die auf diesen Leitungsstrukturen angeordnet sind.
  • Der zweite Schaltungsblock CB2 weist eine Vielzahl von zweiten Schaltungsabschnitten 212 auf, die parallel geschaltet sind. Jeder der zweiten Schaltungsabschnitte 212 des vorliegenden Beispiels beinhaltet eine Leitungsstruktur 36-m und eine Leitungsstruktur 36-p und den Transistor T2 und die Diode D2, die auf diesen Leitungsstrukturen angeordnet sind.
  • Der dritte Schaltungsblock CB3 weist eine Vielzahl von dritten Schaltungsabschnitten 213 auf, die parallel geschaltet sind. Jeder der dritten Schaltungsabschnitte 213 des vorliegenden Beispiels beinhaltet eine Leitungsstruktur 36-k und eine Leitungsstruktur 36-ö und den Transistor T3 und die Diode D3, die auf diesen Leitungsstrukturen angeordnet sind.
  • Der vierte Schaltungsblock CB4 weist eine Vielzahl von vierten Schaltungsabschnitten 214 auf, die parallel geschaltet sind. Jeder der vierten Schaltungsabschnitte 214 des vorliegenden Beispiels beinhaltet eine Leitungsstruktur 36-c und eine Leitungsstruktur 36-d und den Transistor T4 und die Diode D4, die auf diesen Leitungsstrukturen angeordnet sind.
  • Der erste Schaltungsblock CB1 und der zweite Schaltungsblock CB2 des vorliegenden Beispiels sind nebeneinander entlang einer ersten Richtung (Y-Achsenrichtung) angeordnet. Ähnlich sind der dritte Schaltungsblock CB3 und der vierte Schaltungsblock CB4 nebeneinander entlang der ersten Richtung (Y-Achsenrichtung) angeordnet. Zusätzlich sind der erste Schaltungsblock CB1 und der vierte Schaltungsblock CB4 nebeneinander in einer zweiten Richtung (X-Achsenrichtung) angeordnet. Ähnlich sind der zweite Schaltungsblock CB2 und der dritte Schaltungsblock CB3 nebeneinander in der zweiten Richtung (X-Achsenrichtung) angeordnet. Es wird festgehalten, dass, wie in 2 gezeigt, in dem vorliegenden Beispiel die erste Richtung (Y-Achsenrichtung) eine Richtung parallel zu dem längeren Rand des Basisabschnitts 120 ist. Zusätzlich ist in dem vorliegenden Beispiel die zweite Richtung (X-Achsenrichtung) eine Richtung parallel zu dem kürzeren Rand des Basisabschnitts 120.
  • Die Vielzahl von Schaltungsabschnitten ist zusätzlich in jedem der Schaltungsblöcken CB nebeneinander entlang der ersten Richtung (Y-Achsenrichtung) angeordnet. Zum Beispiel sind die ersten Schaltungsabschnitte 211-1, 211-2, 211-3 nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet. Es wird festgehalten, dass die Schaltungsabschnitte nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet sind, bedeutet, dass die Stelle von jedem der Schaltungsabschnitte in der ersten Richtung unterschiedlich ist. In einer Richtung senkrecht zu der ersten Richtung (X-Achsenrichtung in dem vorliegenden Beispiel), kann jeder Schaltungsabschnitt an derselben Stelle angeordnet sein oder auch nicht. Jeder Schaltungsabschnitt kann Abschnitte aufweisen, die mit einer geraden Linie überlappen, die parallel zu der ersten Richtung ist.
  • Wie zuvor beschrieben, verbindet der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 den ersten Schaltungsblock CB1 mit dem zweiten Schaltungsblock CB2. Das heißt, dass der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 jeden der Vielzahl von ersten Schaltungsabschnitten 211 mit jedem der Vielzahl von zweiten Schaltungsabschnitten 212 verbindet.
  • 4B zeigt ein Beispiel von ersten Schaltungsabschnitten 211, die nebeneinander entlang einer ersten Richtung angeordnet sind. Die Stelle jedes der ersten Schaltungsabschnitte 211 in der ersten Richtung (Y-Richtung) ist unterschiedlich. Es wird festgehalten, dass der Schwerpunkt der Form in der XY-Ebene der Leitungsstruktur, auf der der Verbindungsbereich 210 bereitgestellt ist, als die Stelle jedes der ersten Schaltungsabschnitte 211 verwendet werden kann. In dem vorliegenden Beispiel ist die Stelle jedes der ersten Schaltungsabschnitte 211 in der X-Achse identisch.
  • 4C zeigt ein anderes Beispiel der ersten Schaltungsabschnitte 211, die nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet sind. Die Stelle jedes der ersten Schaltungsabschnitte 211 in der ersten Richtung (Y-Achse) ist unterschiedlich, auch in dem vorliegenden Beispiel. In dem vorliegenden Beispiel ist jeder der ersten Schaltungsabschnitte 211 bei unterschiedlichen Stellen in der X-Achsenrichtung angeordnet. Es ist auch eine Form beinhaltet, in der sie hierin nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet sind. Es wird festgehalten, dass jeder der ersten Schaltungsabschnitte 211 des vorliegenden Beispiels so angeordnet ist, dass eine gerade Linie 201 parallel zu der ersten Richtung, die durch die Leitungsstrukturen 36 der ersten Schaltungsabschnitte 211 geht, besteht. In anderen Beispielen kann mindestens einer der ersten Schaltungsabschnitte 211 so angeordnet sein, dass die Leitungsstrukturen 36 nicht mit der geraden Linie 201 überlappen.
  • 4D zeigt ein anderes Beispiel der ersten Schaltungsabschnitte 211, die nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet sind. Die Stelle jedes der ersten Schaltungsabschnitte 211 in der ersten Richtung (Y-Achse) ist unterschiedlich, auch in dem vorliegenden Beispiel. In dem vorliegenden Beispiel weist mindestens einer der ersten Schaltungsabschnitte 211 einen Abschnitt auf, der mit anderen der ersten Schaltungsabschnitte 211 in der X-Achsenrichtung überlappt. Es ist auch eine Form beinhaltet, in der sie hierin nebeneinander entlang der ersten Richtung angeordnet sind.
  • 4B-4D werden unter Verwendung der ersten Schaltungsabschnitte 211 beschrieben, aber dasselbe trifft auf andere Schaltungsabschnitte zu. Zusätzlich trifft dasselbe auf die Schaltungsblöcke CB zu. 4B-4D beschreiben eine Situation, in der die Schaltungsblöcke CB nebeneinander in der ersten Richtung angeordnet sind, aber dasselbe trifft auf Situationen zu, in denen sie nebeneinander in anderen Richtungen angeordnet sind.
  • 5 zeigt beispielhafte Formen eines Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 eines ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und eines zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206. In 5 sind die Formen in der YZ-Ebene des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202, des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 gezeigt. Es wird festgehalten, dass in 5 der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202, der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 schematisch auf derselben YZ-Ebene gezeigt sind. Wie in 2 gezeigt ist, sind die Orte auf der X-Achse, auf denen der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 vorgesehen ist, von denjenigen verschieden, auf denen der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 vorgesehen sind. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels ist ein Beispiel für den ersten Verbindungsabschnitt, der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 ist ein Beispiel für den zweiten Verbindungsabschnitt, und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 ist ein Beispiel für den dritten Verbindungsabschnitt.
  • Jeder der Verbindungsabschnitte ist aus einem ebenen leitenden Material gebildet und ist mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden. In dem vorliegenden Beispiel ist der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 mit einer Vielzahl erster Schaltungsabschnitte 211 und einer Vielzahl zweiter Schaltungsabschnitte 212 verbunden, der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 ist mit einer Vielzahl dritter Schaltungsabschnitte 213 verbunden, und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 ist mit einer Vielzahl vierter Schaltungsabschnitte 214 verbunden.
  • Eben bezieht sich hier auf eine Form, in der jede Fläche der beiden Hauptoberflächen, die einander entgegengesetzt angeordnet sind, größer ist als Flächen irgendwelcher anderer Oberflächen. Jede Fläche der Hauptoberfläche kann das Fünffache oder größer als die größte Fläche unter den Flächen anderer Oberflächen sein. In 5 ist die Hauptoberfläche 305 des Plattenabschnitts 220 parallel zu der YZ-Ebene.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 sind so angeordnet, dass ihre jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen. Dass die jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen bezieht sich auf eine Konfiguration, in der die Normalenlinie an irgendeiner Position in einer der Hauptoberflächen die andere Hauptoberfläche durchläuft. In dem vorliegenden Beispiel sind die Hauptoberfläche 305 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und die Hauptoberfläche 307 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 parallel angeordnet. Es wird festgehalten, dass in dem in 5 gezeigten Beispiel die Hauptoberfläche auf der Seite entgegengesetzt der Hauptoberfläche 307 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 so ausgelegt ist, dass sie zu der Hauptoberfläche 305 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 weist.
  • Dass zwei Oberflächen parallel sind, enthält hier Anordnungen, in denen die zwei Oberflächen sowohl strikt parallel als auch mit einem vorgegebenen sehr kleinen Winkel angeordnet sind. Der sehr kleine Winkel kann innerhalb von fünf Grad sein. In dem vorliegenden Beispiel sind die Hauptoberfläche 305 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und die Hauptoberfläche 307 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 beide parallel zu der YZ-Ebene.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 sind so angeordnet, dass ihre jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen. In dem vorliegenden Beispiel sind die Hauptoberfläche 305 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und die Hauptoberfläche 303 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 parallel angeordnet.
  • In dem vorliegenden Beispiel sind der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 beide so angeordnet, dass sie zu derselben Hauptoberfläche 305 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 weisen. Das heißt, das erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 sind auf derselben Seite in Bezug auf den Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 angeordnet. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels sind in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet.
  • Zusätzlich enthalten der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 einen überlappenden Bereich 351, der gesehen von einer Richtung senkrecht zu der Hauptoberfläche 305 oder der Hauptoberfläche 307 (X-Achsenrichtung in dem vorliegenden Beispiel) überlappt. In dem vorliegenden Beispiel weist der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 einen überlappenden Bereich 351, der mit dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 überlappt, und einen überlappenden Bereich 352, der mit dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 überlappt, auf. Der überlappende Bereich 351 und der überlappende Bereich 352 des vorliegenden Beispiels sind in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet.
  • Jeder der Verbindungsabschnitte enthält einen Pfadeinschränkungsabschnitt zum Einschränken des Strompfads in der Hauptoberfläche. Der Pfadeinschränkungsabschnitt schränkt den Strompfad in der Hauptoberfläche des Verbindungsabschnitts durch Erhöhen des Widerstandswerts des Strompfads des Stroms, der durch wenigstens einen Schaltungsabschnitt fließt, ein. In dem Beispiel von 5 ist der Pfadeinschränkungsabschnitt ein Schlitz, der in dem Plattenabschnitt jedes Verbindungsabschnitts vorgesehen ist. Der Schlitz ist eine Rille, die den Plattenabschnitt in der X-Achsenrichtung durchdringt, der den Stromfluss durch wenigstens eine einen Schaltungsabschnitt ablenkt, um die Länge des Strompfads zu erhöhen. Auf diese Weise wird der Widerstandswert des Strompfads relativ dazu, wo kein Schlitz vorhanden ist, erhöht. Es wird festgehalten, das der Pfadeinschränkungsabschnitt nicht auf einen Schlitz beschränkt ist, solange er den Widerstandswert des Strompfads erhöht. Als ein Beispiel kann in einigen Teilen des Plattenabschnitts und jedem Verbindungsende ein Pfadeinschränkungsabschnitt, der aus einem Material hergestellt ist, das einen höheren Widerstand als andere Teile aufweist, vorgesehen sein, und ein Pfadeinschränkungsabschnitt, der eine geringere Dicke in der X-Achsenrichtung als andere Teile aufweist, kann vorgesehen sein, oder ein Pfadeinschränkungsabschnitt, der ein netzartiger Bereich ist, der aus einer Vielzahl von Durchgangslöchern gebildet ist, kann vorgesehen sein. Beispielsweise kann an dem Ort, an dem der in 5 gezeigte Schlitz vorgesehen ist, ein Element, das aus einem Material mit hohem Widerstand hergestellt ist, anstelle des Schlitzes vorgesehen sein, ein Bereich mit geringerer Dicke kann anstelle des Schlitzes vorgesehen sein, oder ein netzartiger Bereich mit mehreren Durchgangslöchern kann vorgesehen sein.
  • Jeder Verbindungsabschnitt enthält einen Plattenabschnitt. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist einen Plattenabschnitt 220 auf, der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 weist einen Plattenabschnitt 250 auf, und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 weist einen Plattenabschnitt 260 auf.
  • Jeder Verbindungsabschnitt weist ein Schaltungsverbindungsende auf, das mit dem Schaltungsabschnitt verbunden ist. Das Schaltungsverbindungsende kann aus dem Rand, der dem Schaltungsabschnitt am nächsten ist, des Plattenabschnitts zu dem Schaltungsabschnitt vorstehen. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels enthält auf dem Rand 224 eine Vielzahl erster Verbindungsenden 231, die mit dem ersten Schaltungsabschnitt 211 verbunden sind, und eine Vielzahl zweiter Verbindungsenden 232, die mit dem zweiten Schaltungsabschnitt 212 verbunden sind. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels enthält auf dem Rand 252 eine Vielzahl dritter Verbindungsenden 254, die mit dem dritten Schaltungsabschnitt 213 verbunden sind. Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels enthält auf dem Rand 262 eine Vielzahl vierter Verbindungsenden 264, die mit dem vierten Schaltungsabschnitt 214 verbunden sind.
  • Das Ende auf der Seite des ersten Schaltungsabschnitts 211 des ersten Verbindungsendes 231 ist an einem Ort 354 auf der Z-Achse angeordnet. Das Ende auf der Seite des zweiten Schaltungsabschnitts 212 des zweiten Verbindungsendes 232 kann an dem Ort 354 auf der Z-Achse angeordnet sein. Das Ende auf der Seite des dritten Schaltungsabschnitts 213 des dritten Verbindungsendes 254 kann an dem Ort 354 auf der Z-Achse angeordnet sein. Das Ende auf der Seite des vierten Schaltungsabschnitts 214 des vierten Verbindungsendes 264 kann an dem Ort 354 auf der Z-Achse angeordnet sein. Es wird festgehalten, dass die Orte in der Z-Achsenrichtung jeder Verbindung unterschiedlich sein können.
  • Jeder Verbindungsabschnitt weist Schlitze an Orten entfernt von dem Rand in der Z-Achsenrichtung auf, auf der das Schaltungsverbindungsende vorgesehen ist. Die Schlitze können so vorgesehen sein, dass sie sich in der Y-Achsenrichtung erstrecken (das heißt, die Schlitze können ein Längsende in der Y-Achsenrichtung aufweisen). Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist einen ersten inneren Schlitz 244-1 und einen zweiten inneren Schlitz 244-2, die sich in der Y-Achsenrichtung erstrecken, an Orten entfernt von dem Rand 224 auf. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels weist einen ersten parallelen Schlitz 256, der sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, an einem Ort entfernt von dem Rand 252 auf. Der erste parallele Schlitz 256 kann so angeordnet sein, dass er parallel zu dem ersten inneren Schlitz 244-1 ist.
  • Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels weist einen zweiten parallelen Schlitz 310, der sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, an einem Ort entfernt von dem Rand 262 auf. Der zweite parallele Schlitz 310 kann so angeordnet sein, dass er parallel zu dem zweiten inneren Schlitz 244-2 ist. Der erste innere Schlitz 244-1 und der erste parallele Schlitz 256 sind in dem überlappenden Bereich 351 angeordnet. Der zweite innere Schlitz 244-2 und der zweite parallele Schlitz 310 sind in dem überlappenden Bereich 352 angeordnet.
  • Jeder Verbindungsabschnitt enthält einen Strompfad zwischen dem Schlitz, der sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, und dem Schaltungsverbindungsende. Der Strompfad kann so vorgesehen sein, dass er sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt (das heißt, der Strompfad kann eine Längsrichtung in der Y-Achsenrichtung aufweisen). Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist einen Strompfad 300-1 zwischen dem Rand 224 und dem ersten inneren Schlitz 244-1 und einen Strompfad 300-2 zwischen dem Rand 224 und dem zweiten inneren Schlitz 244-2 auf. Der Strompfad 300-1 und der Strompfad 300-2 des vorliegenden Beispiels sind so angeordnet, dass sie in der Y-Achsenrichtung getrennt sind. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels weist einen Strompfad 301 zwischen dem Rand 252 und dem ersten parallelen Schlitz 256 auf. Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels weist einen Strompfad 302 zwischen dem Rand 262 und dem zweiten parallelen Schlitz 310 auf. Der Strompfad 300-1 und der Strompfad 301 sind in dem überlappenden Bereich 351 angeordnet. Der Strompfad 300-2 und der Strompfad 302 sind in dem überlappenden Bereich 352 angeordnet.
  • Wenigstens Abschnitte des Strompfads 300-1 und des Strompfads 301 können überlappen, wenn sie aus der X-Achsenrichtung gesehen werden. Die Fläche des überlappenden Bereichs des Strompfads 300-1 und des Strompfads 301 kann die Hälfte oder größer der Fläche des Strompfads sein, wenn sie aus der X-Achsenrichtung gesehen wird. Wenigstens Abschnitte des Strompfads 300-2 und des Strompfads 302 können überlappen, wenn sie aus der X-Achsenrichtung gesehen werden. Die Fläche des überlappenden Bereichs des Strompfads 300-2 und des Strompfads 302 kann die Hälfte oder größer der Fläche des Strompfads sein, wenn sie aus der X-Achsenrichtung gesehen wird.
  • Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels enthält ein externes Verbindungsende 261, das als der erste externe Verbindungsanschluss tm1 (P) fungiert, wie in 3 und dergleichen beschrieben. Zusätzlich enthält der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 ein externes Verbindungsende 251, das als der vierte externe Verbindungsanschluss tm4 (N) fungiert, wie in 3 und dergleichen beschrieben. Wie in 3 und dergleichen beschrieben ist, fließt in der Halbleitervorrichtung 100 des vorliegenden Beispiels der Strom von dem externen Verbindungsende 261 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 durch das vierte Verbindungsende 264, das erste Verbindungsende 231 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202, das zweite Verbindungsende 232 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202, das dritte Verbindungsende 254 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und das externe Verbindungsende 251 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 in dieser Reihenfolge. In jeder Figur ist die Richtung des Stroms auf der Hauptoberfläche jedes Verbindungsabschnitts mit gestrichelten Pfeilen gezeigt.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist die Richtung des Stroms, der zu dem Strompfad 300-1 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 fließt, verschieden von der Richtung des Stroms, der durch den Strompfad 301 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 fließt. Beispielsweise fließt in dem Strompfad 300-1 der Strom, der zu dem zweiten Verbindungsende 232-3 fließt, zu der negativen Richtung der Y-Achse. Im Gegensatz dazu fließt in dem Strompfad 301 der Strom, der zu dem dritten Verbindungsende 254-3 fließt, zu der positiven Richtung der Y-Achse. Ähnlich fließt in dem Strompfad 300-2 der Strom, der zu dem ersten Verbindungsende 231-1 fließt, zu der negativen Richtung der Y-Achse. Im Gegensatz dazu fließt in dem Strompfad 302 der Strom, der zu dem vierten Verbindungsende 264-1 fließt, zu der positiven Richtung der Y-Achse.
  • Auf diese Weise kann wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen zwei Verbindungsabschnitten, die so angeordnet sind, dass sie einander in der X-Achsenrichtung entgegengesetzt sind, unterdrückt werden durch Konfigurieren der Richtungen des Stroms in dem Strompfad, der so angeordnet ist, dass sie einander in der X-Achsenrichtung entgegensetzte sind, so dass sie unterschiedlich sind. Die Richtungen der Ströme in den Strompfaden, die so angeordnet sind, dass sie einander in der X-Achsenrichtung entgegensetzt sind, sind vorzugsweise entgegengesetzt. Die entgegengesetzte Richtung enthält eine Anordnung, in der die Richtungen der Ströme sowohl um genau 180 Grad unterschiedlich sind, als auch mit einem vorgegebenen Winkelfehler. Der Winkelfehler beispielsweise ist 45 Grad oder weniger. Eine solche Konfiguration kann das Auftreten von Oszillation und Rauschen in Spannungen und Strömen unterdrücken. Es wird festgehalten, dass die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen den Verbindungsabschnitten umso größer wird, je kleiner der Abstand zwischen den Verbindungsabschnitten ist. Der Abstand in der X-Achsenrichtung zwischen dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 kann 1 cm oder kleiner sein oder kann 0,5 mm oder kleiner sein. Der Abstand in der X-Achsenrichtung zwischen dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 kann 1 cm oder kleiner sein oder kann 0,5 mm oder kleiner sein.
  • Für jeden aus dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 sind die Schaltungsverbindungsenden und die Schlitze so angeordnet, dass wenigstens ein Teil der Ströme um die Schlitze zirkuliert. Dass der Strom um die Schlitze zirkuliert bezieht sich auf einen Fall, in dem ein Bereich vorhanden ist, in dem die Richtung des Stroms in einem Bereich nahe den Schlitzen entgegengesetzt wird. In dem vorliegenden Beispiel sind die Richtungen des Stroms in dem Bereich zwischen dem ersten inneren Schlitz 244-1 und dem Rand 224 und dem Bereich zwischen dem ersten inneren Schlitz 244-1 und dem Rand 226 entgegengesetzt.
  • Beispielsweise zirkuliert in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 der Strom, der zu dem zweiten Verbindungsende 232-3 fließt, im Gegenuhrzeigersinn um den ersten inneren Schlitz 244-1. Im Gegensatz dazu zirkuliert in dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 der Strom, der von dem dritten Verbindungsende 254-3 fließt, im Uhrzeigersinn um den ersten parallelen Schlitz 256. Auf diese Weise werden die Richtungen des Stroms, der um die Schlitze zirkuliert, zwischen den zwei entgegengesetzten Verbindungsabschnitten entgegengesetzt, und dadurch wird die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen den zwei Verbindungsabschnitten weiter unterdrückt.
  • Die Richtungen des Stroms, der um die Schlitze zirkuliert, können auch in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 entgegengesetzt sein. Beispielsweise zirkuliert in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 der Strom, der von dem ersten Verbindungsende 231-1 fließt, im Gegenuhrzeigersinn um den zweiten inneren Schlitz 244-2. Im Gegensatz dazu kann in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 der Strom, der zu dem vierten Verbindungsende 264-1 fließt, im Uhrzeigersinn um den zweiten parallelen Schlitz 310 zirkulieren.
  • (Erstes Beispiel)
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 der vorliegenden Ausführungsform enthält einen Plattenabschnitt 220, eine Vielzahl erster Verbindungsenden 231 und eine Vielzahl zweiter Verbindungsenden 232. Der Plattenabschnitt 220 kann ein Plattenelement sein, das sich von oberhalb des ersten Schaltungsabschnitts 211-3, der an einem Ende angeordnet ist, zu oberhalb des zweiten Schaltungsabschnitts 212-1, der an dem anderen Ende angeordnet ist, aus den ersten Schaltungsabschnitten 211 und den zweiten Schaltungsabschnitten 212, die nebeneinander in der Y-Achsenrichtung angeordnet sind, erstreckt. Der Plattenabschnitt 220 kann senkrecht zu der XY-Ebene vorgesehen sein. Der Plattenabschnitt 220 enthält einen Rand 224 entgegengesetzt dem Schaltungsblock CB und einen Rand 226 auf einer Seite entgegengesetzt dem Rand 224.
  • Die ersten Verbindungsenden 231 sind für jeden der ersten Schaltungsabschnitte 211 vorgesehen. Die ersten Verbindungsenden 231 stehen von dem Rand 224 des Plattenabschnitts 220 zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211 hervor und sind mit den ersten Schaltungsabschnitten 211 an den Verbindungsbereichen 210 verbunden. Die zweiten Verbindungsenden 232 sind für jeden der Schaltungsabschnitte 212 vorgesehen. Die zweiten Verbindungsenden 232 stehen von dem Rand 224 des Plattenabschnitts 220 zu dem zweiten Schaltungsabschnitt 212 hervor und sind mit den zweiten Schaltungsabschnitten 212 an den Verbindungsbereichen 210 verbunden. In 5 sind die ersten Verbindungsenden 231 und die zweiten Verbindungsenden 232 schematisch gezeigt. Jedes Verbindungsende kann einen Abschnitt aufweisen, der sich parallel zu der XY-Ebene erstreckt, und kann einen gekrümmten Abschnitt aufweisen.
  • In der Halbleitervorrichtung 100 kann Strom zwischen dem ersten Schaltungsblock CB1 und dem zweiten Schaltungsblock CB2 über den Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 fließen. Beispielsweise kann in der in 3 gezeigten Schaltung in einem Kurzschlusszustand, in dem die Transistoren T1 und T2 gleichzeitig angeschaltet sind, Strom zwischen den Transistoren T1 und T2 fließen.
  • Die Vielzahl der zweiten Schaltungsabschnitte 212 in dem zweiten Schaltungsblock CB2 sind entlang der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet. Somit ist die Länge des Strompfads zwischen jedem der zweiten Schaltungsabschnitte 212 und dem ersten Schaltungsblock CB1 unterschiedlich. Die Größe des Stroms, der zu jedem der zweiten Schaltungsabschnitte 212 fließt, kann variieren, da der elektrische Widerstand in Übereinstimmung mit der Länge des Strompfads bestimmt ist. Die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 100 wird reduziert, falls der Strom zwischen der Vielzahl der Schaltungsabschnitte, die parallel vorgesehen sind, variiert. Beispielsweise kann der Spitzenwert des Kurzschlussstroms, der zu der Halbleitervorrichtung 100 fließt, größer werden.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist wenigstens einen Pfadeinschränkungsabschnitt auf, der einen Widerstandswert in dem Strompfad 230 von dem ersten Schaltungsblock CB1 zu dem zweiten Schaltungsabschnitt 212-3 erhöht. Der zweite Schaltungsabschnitt 212-3 ist ein zweiter Schaltungsabschnitt 212 in dem zweiten Schaltungsblock CB2, der so angeordnet ist, dass er dem ersten Schaltungsblock CB1 am nächsten ist. Ein längerer Strompfad 230 zu dem zweiten Schaltungsabschnitt 212-3 kann die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 100 effizient verbessern, da sich der Strom höchstwahrscheinlich an dem zweiten Schaltungsabschnitt 212-3, der dem ersten Schaltungsblock CB1 am nächsten ist, konzentriert.
  • Zusätzlich kann der Pfadeinschränkungsabschnitt einen Widerstandswert in einem Strompfad von dem zweiten Schaltungsblock CB2 zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211-1 erhöhen. Der erste Schaltungsabschnitt 211-1 ist ein erster Schaltungsabschnitt 211 in dem ersten Schaltungsblock CB1, der so angeordnet ist, dass er dem zweiten Schaltungsblock CB2 am nächsten ist. Ein längerer Strompfad zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211-1 kann die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 100 effizient verbessern, da sich der Strom höchstwahrscheinlich an dem ersten Schaltungsabschnitt 211-1 konzentriert.
  • Der Pfadeinschränkungsabschnitt des vorliegenden Beispiels kann ein T-förmiger Schlitz sein, wie in 5 gezeigt ist. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 weist einen Randschlitz 242, einen ersten inneren Schlitz 244-1 und einen zweiten inneren Schlitz 244-2 auf. Der Randschlitz 242 ist zwischen dem ersten Verbindungsende 231-1 und dem zweiten Verbindungsende 232-3 auf dem Rand 224 des Plattenabschnitts 220 vorgesehen und erstreckt sich von dem Rand 224 zu dem Inneren des Plattenabschnitts 220. Das erste Verbindungsende 231-1 ist ein erstes Verbindungsende 231 aus der Vielzahl erster Verbindungsenden 231, das so angeordnet ist, dass es dem zweiten Verbindungsende 232 am nächsten ist. Das zweite Verbindungsende 232-3 ist ein zweites Verbindungsende 232 aus der Vielzahl zweiter Verbindungsenden 232, das so angeordnet ist, dass es dem ersten Verbindungsende 231 am nächsten ist. Der Randschlitz 242 kann an dem Mittelpunkt zwischen dem ersten Verbindungsende 231-1 und dem zweiten Verbindungsende 232-3 angeordnet sein. Der Randschlitz 242 kann sich von dem Rand 224 parallel zu der Z-Achsenrichtung erstrecken.
  • Der erste innere Schlitz 244-1 ist mit dem Randschlitz 242 in dem Plattenabschnitt 220 verbunden und erstreckt sich entlang dem Rand 224 zu dem ersten Verbindungsende 231. Der erste innere Schlitz 244-1 kann parallel zu dem Rand 224 vorgesehen sein oder kann gegen den Rand 224 geneigt sein. Der erste innere Schlitz 244-1 kann sich nach außen über wenigstens das erste Verbindungsende 231-1 hinaus erstrecken. Nach außen bezieht sich auf die Richtung weg von dem Randschlitz 242 auf der Y-Achse. Der erste innere Schlitz 244-1 des vorliegenden Beispiels kann sich zu dem ersten Verbindungsende 231-2 aus der Vielzahl erster Verbindungsenden 231 erstrecken, das an dem Mittelpunkt in der Y-Achsenrichtung angeordnet ist, oder kann sich nach außen über das erste Verbindungsende 231-2 hinaus erstrecken. Eine solche Anordnung ermöglicht das Mitteln der Längen der Strompfade, die jedem der ersten Verbindungsenden 231 entsprechen. Der erste innere Schlitz 244-1 kann sich nicht zu einem Ort erstrecken, der in der Z-Achsenrichtung dem ersten Verbindungsende 231-3, das unter der Vielzahl erster Verbindungsenden 231 am weitesten außen angeordnet ist, entgegengesetzt ist.
  • Der zweite innere Schlitz 244-2 ist mit dem Randschlitz 242 in dem Plattenabschnitt 220 verbunden und erstreckt sich entlang dem Rand 224 zu dem zweiten Verbindungsende 232. Der zweite innere Schlitz 244-2 kann parallel zu dem Rand 224 vorgesehen sein oder kann gegen den Rand 224 geneigt sein. Der erste innere Schlitz 244-1 und der zweite innere Schlitz 244-2 sind entfernt von dem Rand 224 in der Z-Achsenrichtung angeordnet. Als ein Beispiel sind der erste innere Schlitz 244-1 und der zweite innere Schlitz 244-2 mit dem oberen Ende in der Z-Achsenrichtung des Randschlitzes 242 verbunden, und jeder kann sich in der Y-Achsenrichtung erstrecken.
  • Der zweite innere Schlitz 244-2 kann sich nach außen über wenigstens das zweite Verbindungsende 232-3 hinaus erstrecken. Der zweite innere Schlitz 244-2 des vorliegenden Beispiels kann sich zu dem zweiten Verbindungsende 232-2 aus der Vielzahl zweiter Verbindungsenden 232 erstrecken, das an dem Mittelpunkt in der Y-Achsenrichtung angeordnet ist, oder kann sich nach außen über das zweite Verbindungsende 232-2 hinaus erstrecken. Eine solche Anordnung ermöglicht das Mitteln der Längen der Strompfade, die jedem der zweiten Verbindungsenden 232 entsprechen. Der zweite innere Schlitz 244-2 kann sich nicht zu einem Ort erstrecken, der in der Z-Achsenrichtung dem zweiten Verbindungsende 232-1, das unter der Vielzahl zweiter Verbindungsenden 232 am weitesten außen angeordnet ist, entgegengesetzt ist.
  • Eine solche Struktur ermöglicht es, dass die Länge des Strompfads zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211-1, dem zweiten Schaltungsabschnitt 212-3 und dergleichen, die im Inneren angeordnet sind, zunimmt. Somit kann der elektrische Widerstandswert dieser Strompfade gesteigert werden.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist ein externes Verbindungsende 222, das darauf vorgesehen ist, auf. Das externe Verbindungsende 222 kann nach oben aus dem Rand 226 vorstehen. Das externe Verbindungsende 222 des vorliegenden Beispiels fungiert als der fünfte externe Verbindungsanschluss tm5 (U).
  • Der Plattenabschnitt 220 des vorliegenden Beispiels kann einen schmalen Bereich 228 aufweisen, der eine kleinere Breite in der Z-Achsenrichtung als andere Bereiche aufweist. Beispielsweise ist der schmale Bereich in einem Bereich ohne einen konvexen Abschnitt 116 in 1 angeordnet, und andere Teile des Plattenabschnitts 220 neben dem schmalen Bereich 228 sind unter dem konvexen Abschnitt 116 angeordnet. Das heißt, ein schmaler Bereich 228 kann in dem Plattenabschnitt 220 vorgesehen sein, abhängig von der Form oder dergleichen des Gehäuseabschnitts 110. Die Breit des Plattenabschnitts 220 zwischen dem inneren Schlitz 244 und dem Rand 224 kann gleich der Breite des schmalen Bereichs 228 sein oder kann kleiner als die Breite sein. Durch Einstellen der Breite jedes Abschnitts wie vorstehend beschrieben kann die Variation der Widerstandswerte des Strompfads des zweiten Schaltungsabschnitts 212-1, in dem der schmale Bereich 228 enthalten ist, und dem Strompfad der anderen zweiten Schaltungsabschnitte 212 reduziert sein.
  • Zusätzlich kann in der Halbleitervorrichtung 100 der Strom in einer U-Form oder einer C-Form zwischen der Vielzahl der Schaltungsblöcke CB fließen. Beispielsweise fließt der Strom, wenn der erste externe Verbindungsanschluss tm1(P) und der vierte externe Verbindungsanschluss tm4 (N) kurzgeschlossen sind, in einer U-Form durch den vierten Schaltungsblock CB4, den ersten Schaltungsblock CB1, den zweiten Schaltungsblock CB2 und den dritten Schaltungsblock CB3 in dieser Reihenfolge. Zusätzlich fließt der Strom, wenn der zweite externe Verbindungsanschluss tm2 (M1) und der vierte externe Verbindungsanschluss tm4 (N) kurzgeschlossen sind, in einer C-Form durch den ersten Schaltungsblock CB1, den zweiten Schaltungsblock CB2 und den dritten Schaltungsblock CB3 in dieser Reihenfolge. Zusätzlich fließt der Strom, wenn der dritte externe Verbindungsanschluss tm3 (M2) und der erste externe Verbindungsanschluss tm1 (P) kurzgeschlossen sind, in einer C-Form durch den zweiten Schaltungsblock CB2, den ersten Schaltungsblock CB1 und den vierten Schaltungsblock CB4 in dieser Reihenfolge.
  • Wenn der Strom um die interne Schaltung in einer U-Form oder einer C-Form fließt, wird der Strompfad zu dem Schaltungsabschnitt, der näher an dem Zirkulationsmittelpunkt des Stroms angeordnet ist, wahrscheinlich kürzer als der Strompfad zu dem Schaltungsabschnitt, der entfernt von dem Zirkulationsmittelpunkt angeordnet ist. Da der Strompfad des Schaltungsabschnitts, der so angeordnet ist, dass er dem Zirkulationsmittelpunkt am nächsten ist, mit dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels vergrößert werden kann, kann die gesamte Ausgewogenheit der Längen der Strompfade verbessert sein.
  • Es wird festgehalten, dass, obwohl der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 in 5 einen ersten inneren Schlitz 244-1 und einen zweiten inneren Schlitz 244-2 aufwies, er in anderen Beispielen entweder einen aus dem ersten inneren Schlitz 244-1 oder dem zweiten inneren Schlitz 244-2 aufweisen kann. Selbst in solchen Fällen ist der innere Schlitz 244 mit dem Randschlitz 242 verbunden.
  • Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels weist einen Plattenabschnitt 250, eine Vielzahl dritter Verbindungsenden 254 und ein externes Verbindungsende 251 auf. Der Plattenabschnitt 250 kann ein Plattenelement sein, das sich von oberhalb des dritten Schaltungsabschnitts 213-1, der an einem Ende angeordnet ist, zu oberhalb des dritten Schaltungsabschnitts 213-3, der an dem anderen Ende angeordnet ist, aus der Vielzahl dritter Schaltungsabschnitte 213, die in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet sind, erstreckt. Der Plattenabschnitt 250 kann senkrecht zu der XY-Ebene vorgesehen sein. Der Plattenabschnitt 250 weist einen Rand 252 entgegengesetzt dem dritten Schaltungsblock CB3 und einen Rand 253 auf einer Seite entgegengesetzt dem Rand 252 auf.
  • Die dritten Verbindungsenden 254 sind für jeden der dritten Schaltungsabschnitte 213 vorgesehen. Die dritten Verbindungsenden 254 stehen aus dem Rand 252 des Plattenabschnitts 250 zu dem dritten Schaltungsabschnitt 213 vor und sind mit den dritten Schaltungsabschnitten 213 verbunden. In 5 sind die dritten Verbindungsenden 254 schematisch gezeigt. Die dritten Verbindungsenden 254 können einen Abschnitt aufweisen, der sich parallel zu der XY-Ebene erstreckt, und können einen gekrümmten Abschnitt aufweisen. Das externe Verbindungsende 251 kann nach oben aus dem Rand 253 vorstehen.
  • Der Plattenabschnitt 250 des vorliegenden Beispiels weist einen ersten parallelen Schlitz 256 auf, der darauf vorgesehen ist. Der erste parallele Schlitz 256 kann so vorgesehen sein, dass er die kürzeste Gerade, die das dritte Verbindungsende 254-3 unter den dritten Verbindungsenden 254, das so angeordnet ist, dass es dem vierten Schaltungsblock CB4 am nächsten ist, mit dem externen Verbindungsende 251 verbindet, quert. Auf diese Weise verlängert der erste parallele Schlitz 256 den Strompfad zwischen dem externen Verbindungsende 251 und dem dritten Verbindungsende 254-3 und ermöglicht, dass der Widerstandswert des Strompfads zu dem dritten Verbindungsende 254-3 ansteigt. Somit kann der Strom, der zu dem dritten Schaltungsabschnitt 213-3, der näher an dem Zirkulationsmittelpunkt des Stroms angeordnet ist, fließt, reduziert sein. Der erste parallele Schlitz 256 des vorliegenden Beispiels ist so vorgesehen, dass er die kürzeste Gerade, die das dritte Verbindungsende 254-2 mit dem externen Verbindungsende 251 verbindet, quert.
  • Als ein Beispiel ist der erste parallele Schlitz 256 ein geradliniger Schlitz. Das Ende des ersten parallelen Schlitzes 256 erstreckt sich von jedem Ende des Plattenabschnitts 250 zu dem Inneren des Plattenabschnitts 250. Der erste parallele Schlitz 256 des vorliegenden Beispiels ist auf dem Rand 255 unter den Rändern parallel zu der Z-Achse des Plattenabschnitts 250, der dem dritten Verbindungsende 254-3 am nächsten ist, vorgesehen. Der Rand 255 ist ein Rand entgegengesetzt dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 in dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist das externe Verbindungsende 251 so angeordnet, dass es näher an dem vierten Schaltungsblock CB4 ist als der Mittelpunkt Yc des Plattenabschnitts 250 in der ersten -Richtung (Y-Achsenrichtung). Das externe Verbindungsende 251 kann an dem Ende auf der Seite des Rands 255 auf dem Rand 253 des Plattenabschnitts 250 vorgesehen sein.
  • Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels weist einen Plattenabschnitt 260, eine Vielzahl vierter Verbindungsenden 264 und ein externes Verbindungsende 261 auf. Der Plattenabschnitt 260 kann ein Plattenelement sein, das sich von oberhalb des vierten Schaltungsabschnitts 214-1, der an einem Ende angeordnet ist, zu oberhalb des vierten Schaltungsabschnitts 214-3, der an dem anderen Ende angeordnet ist, aus der Vielzahl vierter Schaltungsabschnitte 214, die in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet sind, erstreckt. Der Plattenabschnitt 260 kann senkrecht zu der XY-Ebene vorgesehen sein. Der Plattenabschnitt 260 weist einen Rand 262 entgegengesetzt dem vierten Schaltungsblock CB4 und einen Rand 263 auf einer Seite entgegengesetzt dem Rand 262 auf.
  • Die vierten Verbindungsenden 264 sind für jeden der vierten Schaltungsabschnitte 214 vorgesehen. Die vierten Verbindungsenden 264 stehen aus dem Rand 262 des Plattenabschnitts 260 zu dem vierten Schaltungsabschnitt 214 vor und sind mit den vierten Schaltungsabschnitten 214 verbunden. In 5 sind die vierten Verbindungsenden 264 schematisch gezeigt. Die vierten Verbindungsenden 264 können einen Abschnitt aufweisen, der sich parallel zu der XY-Ebene erstreckt, und können einen gekrümmten Abschnitt aufweisen. Das externe Verbindungsende 261 kann nach oben aus dem Rand 263 vorstehen.
  • Der Plattenabschnitt 260 des vorliegenden Beispiels weist einen zweiten parallelen Schlitz 310 auf, der darauf vorgesehen ist. Der zweite parallele Schlitz 310 kann so vorgesehen sein, dass er die kürzeste Gerade, die das vierte Verbindungsende 264-1 unter den vierten Verbindungsenden 264 verbindet, das so angeordnet ist, dass es dem dritten Schaltungsblock CB3 am nächsten ist, mit dem externen Verbindungsende 261 verbindet, quert. Auf diese Weise verlängert der zweite parallele Schlitz 310 den Strompfad zwischen dem externen Verbindungsende 261 und dem vierten Verbindungsende 264-1 und ermöglicht, dass der Widerstandswert des Strompfads zu dem vierten Verbindungsende 264-1 ansteigt. Somit kann der Strom, der zu dem vierten Schaltungsabschnitt 214-1, der näher an dem Zirkulationsmittelpunkt des Stroms angeordnet ist, reduziert sein.
  • Als ein Beispiel ist der zweite parallele Schlitz 310 ein geradliniger Schlitz. Das Ende des zweiten parallelen Schlitzes 310 erstreckt sich von jedem Ende des Plattenabschnitts 260 zu dem Inneren des Plattenabschnitts 260. Der zweite parallele Schlitz 310 des vorliegenden Beispiels ist auf dem Rand 311 unter den Rändern parallel zu der Z-Achse des Plattenabschnitts 260, der dem vierten Verbindungsende 264-1 am nächsten ist, vorgesehen. Der Rand 311 ist ein Rand entgegengesetzt dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist das externe Verbindungsende 261 so angeordnet, es auf der Seite entgegengesetzt dem dritten Schaltungsblock CB3 ist als der Mittelpunkt Yc des Plattenabschnitts 250 in der ersten -Richtung (Y-Achsenrichtung). Das externe Verbindungsende 261 kann an dem Ende auf der Seite entgegengesetzt dem dritten Schaltungsblock CB3 auf dem Rand 263 des Plattenabschnitts 260 vorgesehen sein.
  • Der Ort des externen Verbindungsanschlusses des Innerblockverbindungsabschnitts, der in 5 gezeigt ist, ist durch die Form des Gehäuseabschnitts 110, die Anordnung der externen Vorrichtung und dergleichen begrenzt. Im Gegensatz dazu kann durch Einstellen, ob ein Schlitz in dem Innerblockverbindungsabschnitt vorgesehen sein soll, abhängig von dem Ort des externen Verbindungsanschlusses, wie in 5 gezeigt ist, die Variation der Widerstandswerte des Strompfads in der gesamten Schaltung reduziert sein.
  • 6 beschreibt die Positionen von Schlitzen in jedem Verbindungsabschnitt. Die Höhe des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 ist h1, der Höhenort des ersten inneren Schlitzes 244-1 und des zweiten inneren Schlitzes 244-2 ist h2, die Höhe des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 ist h3, die Höhe des Orts des ersten parallelen Schlitzes 256 ist h4, die Höhe des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 ist h5, und der Ort der Höhe des zweiten parallelen Schlitzes 310 ist h6. Die Höhe jedes Verbindungsabschnitts ist die Länge in der Z-Achsenrichtung von dem Ort 354 zu dem oberen Ende jedes Verbindungsabschnitts. Das obere Ende jedes Verbindungsabschnitts kann das obere Ende des externen Verbindungsanschlusses sein oder kann das obere Ende des Plattenabschnitts sein. Der Ort der Höhe jedes Schlitzes ist der Ort in der Z-Achsenrichtung des oberen Endes jedes Schlitzes relativ zu dem Ort 354. Zusätzlich ist die Breite in der Z-Achsenrichtung des ersten inneren Schlitzes 244-1 und des zweiten inneren Schlitzes 244-2 gleich W1, die Breite in der Z-Achsenrichtung des ersten parallelen Schlitzes 256 ist W2, und die Breite in der Z-Achsenrichtung des zweiten parallelen Schlitzes 310 ist W3.
  • Der Höhenort h4 des ersten parallelen Schlitzes 256 kann gleich dem Höhenort h2 des ersten inneren Schlitzes 244-1 sein. Dass der Höhenort gleich ist enthält sowohl Fälle, in denen die Orte genau gleich sind, auch mit einem vorgegebenen Fehler. Der Fehler kann kleiner sein als die Breite W1 des ersten inneren Schlitzes 244-1 oder kann kleiner sein als die Breite W2 des ersten parallelen Schlitzes 256. Durch Bereitstellen des ersten inneren Schlitzes 244-1 und des ersten parallelen Schlitzes 256 an dem gleichen Höhenort wird es leichter, die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 zu unterdrücken.
  • Der Höhenort h6 des zweiten parallelen Schlitzes 310 kann gleich dem Höhenort h2 des zweiten inneren Schlitzes 244-2 sein. Dass der Höhenort gleich ist enthält sowohl Fälle, in denen die Orte genau gleich sind, auch mit einem vorgegebenen Fehler. Der Fehler kann kleiner sein als die Breite W1 des zweiten inneren Schlitzes 244-2 oder kann kleiner sein als die Breite W3 des zweiten parallelen Schlitzes 310. Durch Bereitstellen des zweiten inneren Schlitzes 244-2 und des zweiten parallelen Schlitzes 310 an dem gleichen Höhenort wird es leichter, die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 zu unterdrücken.
  • Es wird festgehalten, dass in einem Fall, in dem die Höhe h1 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und die Höhe h3 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 unterschiedlich sind, der Höhenort h4 des ersten parallelen Schlitzes 256 und der Höhenort h2 des ersten inneren Schlitzes 244-1 unterschiedlich sein können. Beispielsweise wenn die Höhe h1 höher ist als die Höhe h3, ist der Höhenort h2 höher als der Höhenort h4. Ähnlich ist, wenn die Höhe h1 niedriger ist als die Höhe h3, der Höhenort h2 niedriger als der Höhenort h4. Auf diese Weise wird es leichter, die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 zu unterdrücken. Ähnlich können in einem Fall, in dem die Höhe h1 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und die Höhe h5 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 unterschiedlich sind, der Höhenort h6 des zweiten parallelen Schlitzes 310 und der Höhenort h2 des zweiten inneren Schlitzes 244-2 unterschiedlich sein.
  • (Zweites Beispiel)
  • 7 zeigt eine weitere beispielhaft Anordnung der Schlitze in jedem Verbindungsabschnitt. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels weist zusätzlich zu den in 5 gezeigten Komponenten einen dritten inneren Schlitz 244-3, einen vierten inneren Schlitz 244-4 und einen Randschlitz 317 auf.
  • Der Randschlitz 317 und der dritte innere Schlitz 244-3 sind in dem überlappenden Bereich 351 vorgesehen. Der Randschlitz 317 und der dritte innere Schlitz 244-3 sind so angeordnet, dass sie näher an dem Rand 224 sind als der erste innere Schlitz 244-1. Der Randschlitz 317 ist ein Schlitz, der sich in der z-Achsenrichtung von dem Rand 224 erstreckt. Der Randschlitz 317 des vorliegenden Beispiels ist auf dem Rand 224 zwischen dem zweiten Verbindungsende 232-2 und dem zweiten Verbindungsende 232-3 vorgesehen. Der dritte innere Schlitz 244-3 ist mit dem Randschlitz 317 verbunden und erstreckt sich in der Y-Achsenrichtung. Der dritte innere Schlitz 244-3 des vorliegenden Beispiels ist so vorgesehen, dass er sich von dem Randschlitz 317 nach innen über das zweite Verbindungsende 232-3 hinaus erstreckt. Nach innen bezieht sich auf die Seite näher zu dem Randschlitz 242. Eine solche Konfiguration ermöglicht weitere Anpassung des Widerstandswerts des Strompfads, der mit dem zweiten Verbindungsende 232-3 verbunden ist.
  • Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 des vorliegenden Beispiels weist zusätzlich zu den in 5 gezeigten Komponenten einen dritten parallelen Schlitz 257 und einen Schlitz 259 auf. Der dritte parallele Schlitz 257 und der Schlitz 259 sind in dem überlappenden Bereich 351 vorgesehen. Der Schlitz 259 und der dritte parallele Schlitz 257 sind so angeordnet, dass sie näher an dem Rand 252 sind als der erste parallele Schlitz 256. Der Schlitz 259 ist ein Schlitz, der sich in der Z-Achsenrichtung von dem Rand 252 erstreckt. Der Schlitz 259 des vorliegenden Beispiels ist auf dem Rand 252 zwischen dem dritten Verbindungsende 254-2 und dem dritten Verbindungsende 254-3 vorgesehen. Der dritte parallele Schlitz 25 ist mit dem Schlitz 259 verbunden und erstreckt sich in der Y-Achsenrichtung. Der dritte parallele Schlitz 257 des vorliegenden Beispiels ist so vorgesehen, dass er sich von dem Schlitz 259 nach innen über das dritte Verbindungsende 254-3 hinaus erstreckt. Nach innen bezieht sich auf die Seite näher zu dem Rand 255. Eine solche Konfiguration ermöglicht weitere Anpassung des Widerstandswerts des Strompfads, der mit dem dritten Verbindungsende 254-3 verbunden ist.
  • In dem überlappenden Bereich 351 sind die Schlitze des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und Schlitze des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 vorzugsweise auf ähnliche Weise angeordnet. Auf ähnliche Weise angeordnet kann sich auf eine Anordnung beziehen, in der, gesehen aus der X-Achsenrichtung, jeder Schlitz überlappt. Zusätzlich ist in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 in dem überlappenden Bereich 351 die Anzahl von Schlitzen, die sich in einer ersten Richtung (beispielsweise in der Y-Achsenrichtung) erstrecken, vorzugsweise gleich. In dem vorliegenden Beispiel ist die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Y-Achsenrichtung in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 erstrecken, gleich zwei (der erste innere Schlitz 244-1, der dritte innere Schlitz 244-3), und die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Y-Achsenrichtung in der ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 erstrecken, ist gleich zwei (der erste parallele Schlitz 256 der dritte parallele Schlitz 257). Ähnlich ist in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 in dem überlappenden Bereich 351 die Anzahl von Schlitzen, die sich in einer zweiten Richtung, die von der ersten Richtung verschieden ist, erstrecken (beispielsweise der Z-Achsenrichtung) ebenfalls vorzugsweise gleich. In dem vorliegenden Beispiel ist die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Z-Achsenrichtung in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 erstrecken, gleich eins (der Randschlitz 317), und die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Z-Achsenrichtung in dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 erstrecken, ist gleich eins (der Schlitz 259). Durch Anordnen der Schlitze auf eine ähnliche Weise in zwei entgegengesetzten Verbindungsabschnitten wird es leichter, die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen den zwei Verbindungsabschnitten zu unterdrücken.
  • Es wird festgehalten, dass in dem überlappenden Bereich 352 die Schlitze des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und Schlitze des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 ebenfalls vorzugsweise auf eine ähnliche Weise angeordnet sind. Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 des vorliegenden Beispiels weist zusätzlich zu den in 5 gezeigten Komponenten einen vierten parallelen Schlitz 309 auf. Der vierte parallele Schlitz 309 ist ein Schlitz, der sich in der Y-Achsenrichtung von dem Rand zu der Seite entgegengesetzt dem Rand 311 erstreckt. Der Höhenort des vierten parallelen Schlitzes 309 ist zwischen dem zweiten parallelen Schlitz 310 und dem Ort 354. Der vierte parallele Schlitz 309 kann sich nach innen über das vierte Verbindungsende 264-3 hinaus erstrecken oder kann sich nach innen über das vierte Verbindungsende 264-2 hinaus erstrecken. Nach innen bezieht sich auf eine Seite näher zu dem Rand 311. Der vierte parallele Schlitz 309 des vorliegenden Beispiels erstreckt sich zu einem Ort zwischen dem vierten Verbindungsende 264-3 und dem vierten Verbindungsende 264-2.
  • Zusätzlich ist der vierte innere Schlitz 244-4 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 ein Schlitz, der sich in der Y-Achsenrichtung von dem Rand auf der Seite entgegengesetzt dem Randschlitz 242 in dem überlappenden Bereich 352 erstreckt. Der Höhenort des vierten inneren Schlitzes 244-4 ist zwischen dem zweiten inneren Schlitz 244-2 und dem Ort 354. Der vierte innere Schlitz 244-4 kann sich nach innen über das erste Verbindungsende 231-3 hinaus erstrecken oder kann sich nach innen über das erste Verbindungsende 231-2 hinaus erstrecken. Nach innen bezieht sich auf eine Seite näher zu dem Randschlitz 242. Der vierte innere Schlitz 244-4 des vorliegenden Beispiels erstreckt sich zu einem Ort zwischen dem ersten Verbindungsende 231-3 und dem ersten Verbindungsende 231-2.
  • In dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 in dem überlappenden Bereich 352 ist die Anzahl von Schlitzen, die sich in einer ersten Richtung (beispielsweise in der Y-Achsenrichtung) erstrecken, vorzugsweise gleich. In dem vorliegenden Beispiel ist die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Y-Achsenrichtung in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 erstrecken, gleich zwei (der zweite innere Schlitz 244-2, der vierte innere Schlitz 244-4), und die Anzahl von Schlitzen, die sich in der Y-Achsenrichtung in der zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 erstrecken, ist gleich zwei (der zweite parallele Schlitz 310, der vierte parallele Schlitz 309). Ähnlich ist in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 in dem überlappenden Bereich 352 die Anzahl von Schlitzen, die sich in einer zweiten Richtung (beispielsweise in der Z-Achsenrichtung) erstrecken, ebenfalls vorzugsweise gleich. In dem vorliegenden Beispiel ist sowohl in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 als auch in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 die Anzahl von Schlitzen, die sich in der zweiten Richtung (beispielsweise in der Z-Achsenrichtung) erstrecken, gleich null.
  • 8 zeigt eine beispielhafte Form eines vierten Innerblockverbindungsabschnitts 209. Der vierte Innerblockverbindungsabschnitt 209 weist einen Plattenabschnitt 270, eine Vielzahl fünfter Verbindungsenden 274 und ein externes Verbindungsende 271 auf. Der Plattenabschnitt 270 kann ein Plattenelement sein, das sich von oberhalb des zweiten Schaltungsabschnitts 212-1, der an einem Ende angeordnet ist, zu oberhalb des zweiten Schaltungsabschnitts 212-3, der an dem anderen Ende angeordnet ist, aus der Vielzahl zweiter Schaltungsabschnitte 212, die in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet sind, erstreckt. Der Plattenabschnitt 270 kann senkrecht zu der XY-Ebene vorgesehen sein. Der Plattenabschnitt 270 weist einen Rand 272 entgegengesetzt dem zweiten Schaltungsblock CB2 und einen Rand 273 auf einer Seite entgegengesetzt dem Rand 272 auf.
  • Die fünften Verbindungsenden 274 sind für jeden der zweiten Schaltungsabschnitte 212 vorgesehen. Die fünften Verbindungsenden 274 stehen aus dem Rand 272 des Plattenabschnitts 270 zu dem zweiten Schaltungsabschnitt 212 vor und sind mit den zweiten Schaltungsabschnitten 212 verbunden. In 8 sind die fünften Verbindungsenden 274 schematisch gezeigt. Die fünften Verbindungsenden 274 können einen Abschnitt aufweisen, der sich parallel zu der XY-Ebene erstreckt, und können einen gekrümmten Abschnitt aufweisen.
  • Das externe Verbindungsende 271 kann nach oben aus dem Rand 273 vorstehen. Das externe Verbindungsende 271 des vorliegenden Beispiels fungiert als der dritte externe Verbindungsanschluss tm3 (M2).
  • Schlitze können in dem Plattenabschnitt 270 des vierten Innerblockverbindungsabschnitts 209 vorgesehen sein oder nicht. Wenn die Schlitze vorgesehen sind, dann können Schlitze, die den auf dem Plattenabschnitt 250, der in 5 gezeigt ist, ähnlich sind, auf dem Plattenabschnitt 270 vorgesehen sein. In dem vierten Innerblockverbindungsabschnitt 209 des vorliegenden Beispiels ist der Abstand von anderen Verbindungsabschnitten in der X-Achsenrichtung größer als 1 cm. Der Abstand kann 2 cm oder größer sein. Deshalb ist die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen dem vierten Innerblockverbindungsabschnitt 209 und anderen Verbindungsabschnitten relativ klein. Somit können Oszillation und Rauschen unterdrückt werden, ohne Schlitze vorzusehen, um den Strompfad zu regulieren, um einen Strom in der entgegengesetzten Richtung zu lenken.
  • 9 zeigt eine beispielhafte Form eines dritten Innerblockverbindungsabschnitts 208. Der dritte Innerblockverbindungsabschnitt 208 weist einen Plattenabschnitt 280, eine Vielzahl sechster Verbindungsenden 284 und ein externes Verbindungsende 281 auf. Der Plattenabschnitt 280 kann ein Plattenelement sein, das sich von oberhalb des ersten Schaltungsabschnitts 211-1, der an einem Ende angeordnet ist, zu oberhalb des ersten Schaltungsabschnitts 211-3, der an dem anderen Ende angeordnet ist, aus der Vielzahl erster Schaltungsabschnitte 211, die in der Y-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet sind, erstreckt. Der Plattenabschnitt 280 kann senkrecht zu der XY-Ebene vorgesehen sein. Der Plattenabschnitt 280 weist einen Rand 282 entgegengesetzt dem ersten Schaltungsblock CB1 und einen Rand 283 auf einer Seite entgegengesetzt dem Rand 282 auf.
  • Die sechsten Verbindungsenden 284 sind für jeden der ersten Schaltungsabschnitte 211 vorgesehen. Die sechsten Verbindungsenden 284 stehen aus dem Rand 282 des Plattenabschnitts 280 zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211 vor und sind mit den ersten Schaltungsabschnitten 211 verbunden. In 9 sind die sechsten Verbindungsenden 284 schematisch gezeigt. Die sechsten Verbindungsenden 284 können einen Abschnitt aufweisen, der sich parallel zu der XY-Ebene erstreckt, und können einen gekrümmten Abschnitt aufweisen.
  • Das externe Verbindungsende 281 kann nach oben aus dem Rand 283 vorstehen. Das externe Verbindungsende 281 des vorliegenden Beispiels fungiert als der zweite externe Verbindungsanschluss tm2 (M1).
  • Schlitze können in dem Plattenabschnitt 280 des dritten Innerblockverbindungsabschnitts 208 vorgesehen sein oder nicht. Wenn die Schlitze vorgesehen sind, dann können Schlitze, die den auf dem Plattenabschnitt 250, der in 5 gezeigt ist, ähnlich sind, auf dem Plattenabschnitt 280 vorgesehen sein. In dem in 9 gezeigten Beispiel wird der Strompfad zwischen dem externen Verbindungsende 281 und dem sechsten Verbindungsende 284-2 am kürzesten. Der Schlitz kann so vorgesehen sein, dass er eine Gerade, die das externe Verbindungsende 281 und das sechste Verbindungsende 284-2 verbindet, quert. In dem sechsten Innerblockverbindungsabschnitt 208 des vorliegenden Beispiels ist der Abstand von anderen Verbindungsabschnitten in der X-Achsenrichtung größer als 1 cm. Der Abstand kann 2 cm oder größer sein. Deshalb ist die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen dem dritten Innerblockverbindungsabschnitt 208 und anderen Verbindungsabschnitten relativ klein. Somit können Oszillation und Rauschen unterdrückt werden, ohne Schlitze bereitzustellen, um den Strompfad zu einzuschränken, um einen Strom in der entgegengesetzten Richtung zu leiten.
  • 10 zeigt schematisch den Widerstand des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 und des Innerblockverbindungsabschnitts unter jedem der Schaltungsabschnitte. In 10 ist der Widerstand, der durch Bereitstellen eines Schlitzes in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 und dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 erhöht wird, als Rs gezeigt. Zusätzlich ist der Widerstand, der durch Bereitstellen eines schmalen Bereichs erhöht wird, als Rt gezeigt.
  • Wie in 10 gezeigt ist, können Widerstände Rs zu dem ersten Schaltungsabschnitt 211-1 und dem zweiten Schaltungsabschnitt 212-3 durch Vorsehen eines Schlitzes auf dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 hinzugefügt werden. Auf diese Weise können die Widerstandswerte der Strompfade zwischen der Vielzahl erster Schaltungsabschnitte 211 und der Vielzahl zweiter Schaltungsabschnitte 212 angeglichen werden. Zusätzlich können die Widerstände Rs zu dem dritten Schaltungsabschnitt 213-3 durch Vorsehen eines Schlitzes auf dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 hinzugefügt werden. Auf diese Weise können die Widerstandswerte der Strompfade zwischen dem vierten externen Verbindungsanschluss Tm4 (N) und den jeweiligen dritten Schaltungsabschnitten 213 angeglichen werden. Zusätzlich kann durch Hinzufügen der Widerstände Rs der Strom zwischen den Schaltungsabschnitten auf der inneren Seite und den Schaltungsabschnitten auf der äußeren Seite angeglichen werden, wenn der Strom in einer U-Form oder einer C-Form fließt. Zusätzlich wird, wie in 5 gezeigt, das Anpassen des Widerstands ferner einfacher durch Vorsehen eines Schlitzes in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206. In 10 ist die Darstellung eines zusätzlichen Widerstands aufgrund dessen, dass der Schlitz in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 vorgesehen ist, weggelassen.
  • (Drittes Beispiel)
  • 11 zeigt ein weiteres Beispiel des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 des vorliegenden Beispiels unterscheidet sich von dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 in dem ersten Beispiel oder dem zweiten Beispiel darin, dass er einen schmalen Bereich 410 aufweist. Andere Strukturen sind gleich denjenigen in dem ersten Beispiel oder dem zweiten Beispiel.
  • Der schmale Bereich 410 ist an einem Ende auf der Seite entgegengesetzt dem schmalen Bereich 228 in der Y-Achsenrichtung vorgesehen. Der schmale Bereich 410 weist eine kleinere Breite in der Z-Achsenrichtung auf als andere Bereiche. Die Breite in der Z-Achsenrichtung und die Länge in der Y-Achsenrichtung des schmalen Bereichs 410 können gleich denjenigen des schmalen Bereichs 228 sein. Durch Bereitstellen des schmalen Bereichs 228 kann die Ausgewogenheit der Anordnung des Strompfads in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 verbessert sein.
  • (Viertes Beispiel)
  • 12 zeigt ein Beispiel eines Verbindungsabschnitts 371 und eines Verbindungsabschnitts 471, die einander entgegengesetzt in der Halbleitervorrichtung 100 vorgesehen sind. In dem ersten Beispiel bis dritten Beispiel waren zwei Verbindungsabschnitte so angeordnet, dass sie für einen Verbindungsabschnitt einander entgegengesetzt sind. In dem vorliegenden Beispiel ist für den Verbindungsabschnitt 371 ein Verbindungsabschnitt 471 so angeordnet, dass er entgegengesetzt ist. Die Längen des Verbindungsabschnitts 371 und des Verbindungsabschnitts 471 in der Y-Achsenrichtung können gleich sein. Die Halbleitervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform weist eine von der für 1 bis 4D beschriebenen verschiedene Schaltungsanordnung auf.
  • In dem vorliegenden Beispiel weisen zwei entgegengesetzte Verbindungsabschnitte vorzugsweise Schlitze auf, die auf ähnliche Weise wie in dem ersten bis dritten Beispiel angeordnet sind. Auf diese Weise wird es leichter, einen Strom in entgegengesetzten Richtungen in zwei entgegengesetzten Verbindungsabschnitten zu leiten, und es ist leichter, Oszillation und Rauschen zu unterdrücken.
  • In dem in 12 gezeigten Beispiel weist jeder aus dem Verbindungsabschnitt 371 und dem Verbindungsabschnitt 471 die gleiche Konfiguration auf wie der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 irgendeines aus dem ersten bis dritten Beispiel. Es wird festgehalten, dass die Konfiguration der zwei Verbindungsabschnitte nicht darauf beschränkt ist.
  • (Fünftes Beispiel)
  • 13 zeigt ein Beispiel eines Verbindungsabschnitts 571. Der Verbindungsabschnitt 571 kann als irgendein in 1 bis 12 beschriebener Verbindungsabschnitt verwendet sein. Die Strukturen, die nicht die Schlitze des Verbindungsabschnitts 571 sind, sind gleich wie in irgendeinem in 1 bis 12 beschriebenen Verbindungsabschnitt.
  • Der Verbindungsabschnitt 571 weist zusätzlich zu den Schlitzen in irgendeinem in 1 bis 12 beschriebenen Verbindungsabschnitt einen oder mehrere verzweigte Schlitze 501 auf. Der verzweigte Schlitz 501 ist ein Schlitz, der sich in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Der verzweigte Schlitz 501 kann sich in der Z-Achsenrichtung von dem Schlitz 575, der sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, erstrecken. Der Schlitz 575 entspricht irgendeinem inneren Schlitz, der in 1 bis 12 beschrieben ist, oder dem ersten parallelen Schlitz 256, dem dritten parallelen Schlitz 257, dem zweiten parallelen Schlitz 310, dem vierten parallelen Schlitz 311. Der Verbindungsabschnitt 571 kann einen verzweigen Schlitz 501, der sich zu der positiven Seite der Z-Achse von dem Schlitz 575 erstreckt, und einen verzweigen Schlitz 501, der sich zu der negativen Seite erstreckt, aufweisen.
  • Zusätzlich kann der Verbindungsabschnitt 571 ferner einen verzweigten Schlitz 502 aufweisen, der sich von dem Rand 572 auf der Seite des Schaltungsabschnitts in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Der verzweigte Schlitz 501 und der verzweigte Schlitz 502 können abwechselnd in der Y-Achsenrichtung zwischen dem Schlitz 575 und dem Rand 572 angeordnet sein.
  • Zusätzlich kann der Verbindungsabschnitt 571 ferner einen verzweigten Schlitz 503 aufweisen, der sich von dem Rand 573 auf der Seite entgegengesetzt dem Rand 572 in der Z-Achsenrichtung erstreckt. Der verzweigte Schlitz 501 und der verzweigte Schlitz 503 können abwechselnd in der Y-Achsenrichtung zwischen dem Schlitz 575 und dem Rand 573 angeordnet sein. Eine solche Konfiguration ermöglicht das weitere Anpassen der Länge jedes Strompfads.
  • (Sechstes Beispiel)
  • 14 zeigt eine weitere beispielhafte Anordnung einer Vielzahl von Verbindungsabschnitten. In der vorliegenden Ausführungsform sind drei oder mehr Verbindungsabschnitte in der X-Achsenrichtung nebeneinander angeordnet. Die Halbleitervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform weist eine von den in 1 bis 4D beschriebenen Beispielen verschiedene Schaltungsanordnung auf. In dem in 14 gezeigten Beispiel sind ein Verbindungsabschnitt 604 und ein Verbindungsabschnitt 606 vorgesehen, zusätzlich zu dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202, dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204, dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206, die in dem ersten Beispiel oder dem zweiten Beispiel beschrieben sind. Der Verbindungsabschnitt 604 und der Verbindungsabschnitt 606 sind aus einem ebenen leitfähigen Material gebildet und sind mit irgendeinem Schaltungsabschnitt verbunden. In dem vorliegenden Beispiel ist der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 ein Beispiel für den ersten Verbindungsabschnitt, der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 ist ein Beispiel für den zweiten Verbindungsabschnitt, und der Verbindungsabschnitt 604 ist ein Beispiel für den vierten Verbindungsabschnitt.
  • Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 weist eine erste Hauptoberfläche 305-1 und eine zweite Hauptoberfläche 305-2 auf. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 sind so angeordnet, dass sie zu der ersten Hauptoberfläche 305-1 weisen. Der Verbindungsabschnitt 604 und der Verbindungsabschnitt 606 sind so angeordnet, dass sie zu der zweiten Hauptoberfläche 305-2 weisen. Der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der Verbindungsabschnitt 604 sind so angeordnet, dass der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 dazwischen eingeschoben ist. Der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 und der Verbindungsabschnitt 606 sind so angeordnet, dass der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 dazwischen eingeschoben ist. Der Verbindungsabschnitt 604 und der Verbindungsabschnitt 606 können entlang der Y-Achse nebeneinander angeordnet sein.
  • Die Dicke in der X-Achsenrichtung des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 ist T3, die Dicke des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 ist T2, und die Dicke des Verbindungsabschnitts 604 und des Verbindungsabschnitts 606 ist T1. Zusätzlich ist der Abstand in der X-Achsenrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 204 und 206 und dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 D2, und der Abstand in der X-Achsenrichtung zwischen den Verbindungsabschnitten 604 und 606 und dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 ist D1. Der Abstand D1 und der Abstand D2 sind beispielsweise 1 cm oder kleiner. Der Abstand D1 und der Abstand D2 können 0,5 mm oder kleiner sein.
  • Wie in dem ersten Beispiel oder dem zweiten Beispiel beschrieben sind die Richtung eines Stroms des Strompfads in dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 und dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 und die Richtung eines Stroms des entgegengesetzten Strompfads in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 entgegengesetzt. Ähnlich sind die Richtung eines Stroms des Strompfads in dem Verbindungsabschnitt 604 und dem Verbindungsabschnitt 606 und die Richtung eines Stroms des entgegengesetzten Strompfads in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 vorzugsweise entgegengesetzt. Das heißt, in den in der X-Achsenrichtung nebeneinander angeordneten Verbindungsabschnitten können die Richtungen eines Stroms in den entgegengesetzten Strompfaden alternierend umgekehrt sein. Zusätzlich sind in zwei Verbindungsabschnitten, die den Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 dazwischen eingeschoben haben, (beispielsweise dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 und dem Verbindungsabschnitt 604) die Richtungen eines Stroms in den entgegengesetzten Strompfaden gleich. Auf diese Weise kann die wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen jedem Verbindungsabschnitt unterdrückt werden.
  • 15 zeigt eine beispielhafte Anordnung der Schlitze in jedem in 14 gezeigten Verbindungsabschnitt. Der Zwischenblockverbindungsabschnitt 202, der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 und der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 können die gleiche Struktur aufweisen wie diejenigen in dem ersten Beispiel oder dem zweiten Beispiel. Der Verbindungsabschnitt 604 kann die gleiche Schlitz- und Anschlussanordnung wie der erste Innerblockverbindungsabschnitt 204 aufweisen. Der Verbindungsabschnitt 606 kann die gleiche Schlitz- und Anschlussanordnung wie der zweite Innerblockverbindungsabschnitt 206 aufweisen.
  • In dem vorliegenden Beispiel fließt ein Strom von dem externen Verbindungsende 261-1 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 zu dem vierten Verbindungsende 264 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206. Ähnlich fließt ein Strom von dem externen Verbindungsende 261-2 des Verbindungsabschnitts 606 zu dem vierten Verbindungsende 264 des Verbindungsabschnitts 606. Das externe Verbindungsende 261-1 und das externe Verbindungsende 261-2 können beispielsweise mit einer externen Stromversorgung verbunden sein. Ein Strom, der durch das erste bis vierte Verbindungsende 264 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 geflossen ist, und ein Strom, der durch das vierte Verbindungsende 264 des Verbindungsabschnitts 606 geflossen ist, fließen beide zu dem ersten Verbindungsende 231 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202. In dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 fließt ein Strom von dem ersten Verbindungsende 231 zu dem zweiten Verbindungsende 232. Der Strom, der durch das zweite Verbindungsende 232 geflossen ist, verzweigt sich und fließt zu dem dritten Verbindungsende 254 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 und dem dritten Verbindungsende 254 des Verbindungsabschnitts 604. In dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 fließt ein Strom von dem dritten Verbindungsende 254 zu dem externen Verbindungsanschluss 251-1. In dem Verbindungsabschnitt 604 fließt ein Strom von dem dritten Verbindungsende 254 zu dem externen Verbindungsanschluss 251-2. Der externe Verbindungsanschluss 251-1 und der externe Verbindungsanschluss 251-2 können mit der externen Stromversorgung verbunden sein.
  • Gemäß der in 15 gezeigten Konfiguration kann die Richtung eines Stroms der entgegengesetzten Strompfade umgekehrt sein. Beispielsweise ist die Richtung eines Stroms in dem Strompfad 300-1 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 entgegengesetzt zu sowohl der Richtung eines Stroms in dem Strompfad 301-1 des ersten Innerblockverbindungsabschnitts 204 als auch der Richtung eines Stroms in dem Strompfad 302-1 des Verbindungsabschnitts 604. Zusätzlich ist die Richtung eines Stroms in dem Strompfad 300-2 des Zwischenblockverbindungsabschnitts 202 entgegengesetzt zu sowohl der Richtung eines Stroms in dem Strompfad 302-1 des zweiten Innerblockverbindungsabschnitts 206 als auch der Richtung eines Stroms in dem Strompfad 302-2 des Verbindungsabschnitts 606.
  • Die Breite W in der Z-Achsenrichtung eines Schlitzes, der sich in der Y-Achsenrichtung erstreckt, in jedem Verbindungsabschnitt kann gleich sein oder kann unterschiedlich sein. In dem vorliegenden Beispiel ist die Breite des ersten inneren Schlitzes 244-1 und des zweiten inneren Schlitzes 244-2 W21. Zusätzlich ist die Breite des ersten parallelen Schlitzes 256-1 in dem ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 W31, und die Breite des ersten parallelen Schlitzes 256-2 in dem Verbindungsabschnitt 604 ist W11. Zusätzlich ist die Breite des zweiten parallelen Schlitzes 310-1 in dem zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 W32, und die Breite des zweiten parallelen Schlitzes 310-2 in dem Verbindungsabschnitt 606 ist W12. Die Breiten W11, W21, W31, W12, W32 können alle gleich sein.
  • In einem weiteren Beispiel kann die Breite W der Schlitze entsprechend der Menge des Stroms (A), der durch jeden Verbindungsabschnitt fließt, unterschiedlich sein. In dem vorliegenden Beispiel fließt, wie vorstehend beschrieben, ein Strom, der durch den ersten Innerblockverbindungsabschnitt 204 und den Verbindungsabschnitt 604 fließt, zu dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202. Zusätzlich fließt ein Strom, der durch den zweiten Innerblockverbindungsabschnitt 206 und den Verbindungsabschnitt 606 fließt, zu dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202. Deshalb ist der Strom, der durch den Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 fließt, größer als der Strom, der durch andere Verbindungsabschnitte fließt.
  • Die Breite W21 des ersten inneren Schlitzes 244-1 und des zweiten inneren Schlitzes 244-2 in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 kann größer sein als irgendeine der Breiten W11, W31, W12, W32 der Schlitze in anderen Verbindungsabschnitten. Auf diese Weise kann die Breite in der Z-Achsenrichtung des Strompfads 300 in dem Zwischenblockverbindungsabschnitt 202 reduziert sein, und es wird einfacher, die wechselseitige elektromagnetische Induktion unter den Verbindungsabschnitten zu unterdrücken.
  • Zusätzlich kann in anderen Beispielen die Breite W der Schlitze in jedem Verbindungsabschnitt gemäß der Dicke T jedes Verbindungsabschnitts angepasst sein. Je größer die Dicke T der Verbindungsabschnitte ist, desto größer kann die Breite W der Schlitze sein. Auf diese Weise kann die Variation der Querschnittsflächen der Strompfade unterdrückt werden, und die Variation der Widerstandswerte unter jedem Verbindungsabschnitt kann unterdrückt sein. Deshalb kann die Größe von Strömen, die in entgegengesetzte Richtungen fließen, angepasst sein, und wechselseitige elektromagnetische Induktion zwischen entgegengesetzten Strompfaden kann unterdrückt sein.
  • Obwohl die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben worden sind, ist der technische Schutzbereich der Erfindung nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Es ist für Fachleute offensichtlich, dass verschiedene Veränderungen und Verbesserungen den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen hinzugefügt werden können. Es ist aus dem Schutzbereich der Ansprüche außerdem offensichtlich, dass die Ausführungsformen, denen solche Veränderungen oder Verbesserungen hinzugefügt sind, in dem technischen Schutzbereich der Erfindung enthalten sein können.
  • ERLÄUTERUNG DER BEZUGSZEICHEN
    • 36
    Leitungsstruktur;
    50
    isolierendes Substrat;
    90
    Verbindungselement;
    100
    Halbleitervorrichtung;
    110
    Gehäuseabschnitt;
    112
    Kerbenabschnitt;
    114
    Anschlussanordnungsoberfläche;
    116
    konvexer Abschnitt;
    120
    Basisabschnitt;
    201
    Gerade
    202
    Zwischenblockverbindungsabschnitt;
    204
    erster Innerblockverbindungsabschnitt;
    206
    zweiter Innerblockverbindungsabschnitt;
    208
    dritter Innerblockverbindungsabschnitt;
    209
    vierter Innerblockverbindungsabschnitt;
    210
    Verbindungsbereich;
    211
    erster Schaltungsabschnitt;
    212
    zweiter Schaltungsabschnitt;
    213
    dritter Schaltungsabschnitt;
    214
    vierter Schaltungsabschnitt;
    220
    Plattenabschnitt;
    222
    externes Verbindungsende;
    224
    Rand;
    226
    Rand;
    228
    schmaler Bereich;
    230
    Strompfad;
    231
    erstes Verbindungsende;
    232
    zweites Verbindungsende;
    242
    Randschlitz;
    244
    innerer Schlitz;
    250
    Plattenabschnitt;
    251
    externes Verbindungsende;
    252
    Rand;
    253
    Rand;
    254
    drittes Verbindungsende;
    255
    Rand;
    256
    erster paralleler Schlitz;
    257
    dritter paralleler Schlitz;
    259
    Schlitz;
    260
    Plattenabschnitt;
    261
    externes Verbindungsende;
    262
    Rand;
    263
    Rand;
    264
    viertes Verbindungsende;
    270
    Plattenabschnitt;
    271
    externes Verbindungsende;
    272
    Rand;
    273
    Rand;
    274
    fünftes Verbindungsende;
    280
    Plattenabschnitt;
    281
    externes Verbindungsende;
    282
    Rand;
    283
    Rand;
    284
    sechstes Verbindungsende;
    300, 301, 302
    Strompfad;
    303, 305, 307
    Hauptoberfläche;
    309
    vierter paralleler Schlitz;
    310
    zweiter paralleler Schlitz;
    311
    Rand;
    317
    Randschlitz;
    351, 352
    überlappender Bereich;
    354
    Ort;
    371
    Verbindungsabschnitt;
    410
    schmaler Bereich;
    471
    Verbindungsabschnitt;
    501, 502, 503
    verzweigter Schlitz;
    571
    Verbindungsabschnitt;
    572, 573
    Rand;
    575
    Schlitz;
    604, 606
    Verbindungsabschnitt
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2014/122877 [0002]
    • WO 2014/192118 [0002]

Claims (15)

  1. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Vielzahl von Schaltungsabschnitten; und einen ersten Verbindungsabschnitt und einen zweiten Verbindungsabschnitt, die aus ebenen leitfähigen Materialien gebildet und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden sind, wobei der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt so angeordnet sind, dass die jeweiligen Hauptoberflächen zueinander weisen, der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt jeweils umfassen: ein Schaltungsverbindungsende, das mit den Schaltungsabschnitten verbunden ist; und einen Pfadeinschränkungsabschnitt zum Einschränken eines Strompfads in der Hauptoberfläche, wobei die Richtungen von Strömen, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sind.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt entgegengesetzt sind.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei für jeden aus dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt die Schaltungsverbindungsenden und die Pfadeinschränkungsabschnitte so angeordnet sind, dass mindestens ein Teil des Stroms um die Pfadeinschränkungsabschnitte zirkuliert, und die Richtungen der Ströme, die um die Pfadeinschränkungsabschnitte zirkulieren, in dem ersten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt entgegengesetzt sind.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt so angeordnet sind, dass die jeweiligen Hauptoberflächen parallel sind.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei der erste Verbindungsabschnitt und der zweite Verbindungsabschnitt einen überlappenden Bereich enthalten, der in einer Richtung orthogonal zu den Hauptoberflächen überlappt, die Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts und des zweiten Verbindungsabschnitts einen oder mehrere erste Schlitze enthalten, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und in dem überlappenden Bereich die Anzahl der ersten Schlitze, die in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, und die Anzahl der ersten Schlitze, die in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, gleich sind.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, wobei der Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts und des zweiten Verbindungsabschnitts einen oder mehrere zweite Schlitze enthalten, die sich in einer zweiten Richtung, die von der ersten Richtung verschieden ist, erstrecken, und in dem überlappenden Bereich die Anzahl der zweiten Schlitze, die in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, die Anzahl der zweiten Schlitze, die in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen sind, gleich sind.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei ein oberes Ende des ersten Verbindungsabschnitts und ein oberes Ende des zweiten Verbindungsabschnitts an derselben Höhe angeordnet sind und in dem überlappenden Bereich der erste Schlitz, der in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, und der erste Schlitz, der in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, an derselben Höhe angeordnet sind.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei ein oberes Ende des ersten Verbindungsabschnitts an einer höheren Position als ein oberes Ende des zweiten Verbindungsabschnitts angeordnet ist und in dem überlappenden Bereich der erste Schlitz, der in dem ersten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist, an einer höheren Position angeordnet ist als der erste Schlitz, der in dem zweiten Verbindungsabschnitt vorgesehen ist.
  9. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, wobei eine Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt und eine Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sind.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, wobei eine Dicke des ersten Verbindungsabschnitts größer ist als eine Dicke des zweiten Verbindungsabschnitts und die Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt größer ist als die Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt.
  11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, wobei ein Strom, der durch den ersten Verbindungsabschnitt fließt, größer ist als ein Strom, der durch den zweiten Verbindungsabschnitt fließt, und die Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt größer ist als die Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt.
  12. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, die ferner einen dritten Verbindungsabschnitt umfasst, der aus einem ebenen leitfähigen Material gebildet und mit irgendeinem der Schaltungsabschnitte verbunden ist, wobei der erste Verbindungsabschnitt so angeordnet ist, dass er zu einer ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist, der dritte Verbindungsabschnitt so angeordnet ist, dass er zu der ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist, der dritte Verbindungsabschnitt das Schaltungsverbindungsende und den Pfadeinschränkungsabschnitt enthält und der Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, in dem dritten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sind.
  13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, wobei der zweite Verbindungsabschnitt Folgendes umfasst: einen Randschlitz, der von einem Schaltungsseitenrand, auf dem das Schaltungsverbindungsende vorgesehen ist, zu dem Inneren des zweiten Verbindungsabschnitts vorgesehen ist; einen ersten inneren Schlitz, der mit dem Randschlitz verbunden ist und sich entlang dem Schaltungsseitenrand erstreckt; und einen zweiten inneren Schlitz, der mit dem Randschlitz verbunden ist und sich entlang dem Schaltungsseitenrand und zu einem entgegengesetzten Ende des ersten inneren Schlitzes erstreckt, wobei der erste Verbindungsabschnitt und der dritte Verbindungsabschnitt in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnittes nebeneinander angeordnet sind, der erste Verbindungsabschnitt einen ersten parallelen Schlitz aufweist, der sich von einem Rand, der zu dem dritten Verbindungsabschnitt weist, in einer Richtung parallel zu dem ersten inneren Schlitz erstreckt, und der dritte Verbindungsabschnitt einen zweiten parallelen Schlitz aufweist, der sich von einem Rand, der zu dem ersten Verbindungsabschnitt weist, in einer Richtung parallel zu dem zweiten inneren Schlitz erstreckt.
  14. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, die ferner einen vierten Verbindungsabschnitt umfasst, der aus einem ebenen leitfähigen Material gebildet und mit irgendeiner der Schaltungsabschnitte verbunden ist, wobei der erste Verbindungsabschnitt so angeordnet ist, dass er zu einer ersten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist, der vierte Verbindungsabschnitt so angeordnet ist, dass er zu einer zweiten Hauptoberfläche des zweiten Verbindungsabschnitts weist, der vierte Verbindungsabschnitt das Schaltungsverbindungsende und den Pfadeinschränkungsabschnitt enthält und der Richtungen der Ströme, die durch die Strompfade zwischen den Pfadeinschränkungsabschnitten und den Schaltungsverbindungsenden fließen, in dem vierten Verbindungsabschnitt und dem zweiten Verbindungsabschnitt unterschiedlich sind.
  15. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 14, wobei die Pfadeinschränkungsabschnitte des ersten Verbindungsabschnitts, des zweiten Verbindungsabschnitts und des vierten Verbindungsabschnitts einen oder mehrere erste Schlitze enthalten, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, ein Strom, der durch den ersten Verbindungsabschnitt fließt, und ein Strom, der durch den vierten Verbindungsabschnitt fließt, zu dem zweiten Verbindungsabschnitt fließen und eine Breite des ersten Schlitzes in dem zweiten Verbindungsabschnitt größer ist als eine Breite des ersten Schlitzes in dem ersten Verbindungsabschnitt und eine Breite des ersten Schlitzes in dem vierten Verbindungsabschnitt.
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Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002054519A1 (fr) * 2000-12-28 2002-07-11 Mitsubishi Materials Corporation Module de pile a combustible et structure pour l'alimentation en gaz de cette pile a combustible
JP2005237118A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Toyota Motor Corp バスバー構造体とそれが利用されている電力変換装置
CN111048491B (zh) * 2012-03-01 2023-04-18 三菱电机株式会社 电力用半导体模块以及电力变换装置
EP2955836B1 (de) * 2013-02-06 2020-10-07 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleiterbauelement
JP6102297B2 (ja) * 2013-02-06 2017-03-29 富士電機株式会社 半導体装置
WO2014192118A1 (ja) 2013-05-30 2014-12-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6171586B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-02 富士電機株式会社 半導体装置
EP2908336A1 (de) * 2014-02-17 2015-08-19 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. Verpackung von Leistungsmatrizen
US9941506B2 (en) * 2014-02-21 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Current collector, secondary battery, electronic device, and manufacturing method thereof
WO2016009496A1 (ja) * 2014-07-15 2016-01-21 株式会社日立製作所 パワートランジスタモジュール
US10123443B2 (en) * 2014-12-25 2018-11-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
EP3246798A4 (de) * 2015-01-16 2018-08-29 Alps Electric Co., Ltd. Kapazitiver sensor
JP6314099B2 (ja) * 2015-02-24 2018-04-18 株式会社日立製作所 電力変換装置
JP6351878B1 (ja) * 2016-09-02 2018-07-04 三菱電機株式会社 バスバー構造体およびこれを用いた電力変換装置
WO2018096735A1 (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 住友電気工業株式会社 半導体モジュール
WO2019202866A1 (ja) 2018-04-18 2019-10-24 富士電機株式会社 半導体装置
JP7135930B2 (ja) * 2019-02-20 2022-09-13 株式会社デンソー 半導体モジュールとそれを用いた電力変換装置

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