DE102020114143B4 - DEFECT CONTROL PROCEDURE - Google Patents

Abstract

Verfahren (100) zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten:Erhalten (101) eines Substrats (PM1, 200) mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen (202), die auf der Oberfläche angeordnet sind;Erhalten (102) eines Graustufenbilds (210) des Substrats (PM1, 200), wobei das Graustufenbild (210) eine Mehrzahl von Bereichen (212) aufweist, wobei jeder der Bereiche (212) einen Graustufenwert hat;Vergleichen (103) des Graustufenwerts jedes Bereichs (212) mit einer Graustufenreferenz, um eine erste Gruppe (G1), eine zweite Gruppe (G2) und eine n-te Gruppe (Gn) zu definieren, wobei die erste Gruppe (G1), die zweite Gruppe (G2) und die n-te Gruppe (Gn) jeweils mindestens einen Bereich (212) aufweisen, wobei der Bereich (212) in der ersten Gruppe (G1) eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat, der Bereich (212) in der zweiten Gruppe (G2) eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat und der Bereich (212) in der n-ten Gruppe (Gn) eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat;Durchführen (104) einer Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz, um einen Punktwert zu erhalten; undwenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln (105a), dass das Substrat (PM1, 200) einen ESD-Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln (105b), dass das Substrat (PM1, 200) keinen ESD-Defekt hat.Method (100) for defect control, comprising the following steps: obtaining (101) a substrate (PM1, 200) having a surface and a plurality of structures (202) arranged on the surface; obtaining (102) a grayscale image (210) of the substrate (PM1, 200), wherein the grayscale image (210) comprises a plurality of regions (212), each of the regions (212) having a grayscale value;comparing (103) the grayscale value of each region (212) to a grayscale reference to to define a first group (G1), a second group (G2) and an nth group (Gn), the first group (G1), the second group (G2) and the nth group (Gn) being at least an area (212), the area (212) in the first group (G1) having a first difference between its gray level value and the gray level reference, the area (212) in the second group (G2) having a second difference between its gray level value and which has grayscale reference and the range (212) in the nth group (Gn) has an nth difference between its gray level value and the gray level reference;performing (104) a calculation according to the first difference, the second difference and the nth difference to obtain a score; andif the score is greater than a value, determining (105a) that the substrate (PM1, 200) has an ESD defect and if the score is less than the value, determining (105b) that the substrate (PM1, 200 ) has no ESD defect.

Description

Hintergrundbackground

Die IC-Industrie (IC: integrierter Halbleiter-Schaltkreis) hat in den letzten Jahrzehnten ein rasches Wachstum erfahren. Technologische Fortschritte bei Halbleitermaterialien und -Entwürfen haben immer kleinere und komplexere Schaltkreise hervorgebracht. Diese Fortschritte bei Materialien und Entwürfen sind möglich geworden, weil auch die Technologien für die Bearbeitung und Herstellung technische Fortschritte erfahren haben. Im Laufe der Halbleiter-Evolution hat die Anzahl von miteinander verbundenen Bauelementen je Flächeneinheit zugenommen, da die Größe der kleinsten Komponente, die zuverlässig erzeugt werden kann, abgenommen hat.The IC (semiconductor integrated circuit) industry has experienced rapid growth in recent decades. Technological advances in semiconductor materials and designs have resulted in ever smaller and more complex circuits. These advances in materials and design have been made possible because the technologies for machining and manufacturing have also advanced. During semiconductor evolution, the number of interconnected devices per unit area has increased as the size of the smallest component that can be reliably fabricated has decreased.

Die Halbleiterherstellung beruht stark auf dem Prozess der Fotolithografie, bei dem Licht mit einer gegebenen Frequenz zum Übertragen einer gewünschten Struktur auf einen Wafer verwendet wird, der eine Halbleiterbearbeitung durchläuft. Zum Übertragen der Struktur auf den Wafer wird häufig eine Fotomaske (die auch als eine Maske oder ein Retikel bezeichnet wird) verwendet. Die Fotomaske lässt Licht in einer gewünschten Struktur auf eine Schicht auf dem Wafer, wie etwa eine Fotoresistschicht (PR-Schicht), die auf die Belichtung chemisch reagiert, sodass einige Teile des Fotoresists entfernt werden und andere Teile bestehen bleiben. Das verbliebene Fotoresist wird dann zum Strukturieren einer tieferliegenden Schicht verwendet. Da die Strukturgrößen abgenommen haben, hat auch die Wellenlänge des Lichts, das bei der Fotolithografie zum Strukturieren von Schichten verwendet wird, abgenommen, sodass weitere Schwierigkeiten entstehen und technologische Fortschritte erforderlich sind, wie etwa die Verwendung von extremem Ultraviolett (EUV) als eine Lichtquelle und der Einsatz von Phasenverschiebungsmasken. Es ist wichtig, die Fotomasken zu verbessern, um anhaltende Fortschritte in der Industrie zu ermöglichen, insbesondere da Defekte in der strukturierten Schicht während späterer Bearbeitungsschritte bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen und integrierten Schaltkreisen vergrößert werden können. Daher sind Verbesserungen bei Fotomasken, unter anderem Verbesserungen bei der Defektkontrolle, erforderlich.Semiconductor manufacturing relies heavily on the process of photolithography, which uses light at a given frequency to transfer a desired pattern onto a wafer undergoing semiconductor processing. A photomask (also referred to as a mask or reticle) is often used to transfer the pattern to the wafer. The photomask exposes light in a desired pattern to a layer on the wafer, such as a photoresist (PR) layer, which chemically reacts to exposure, removing some portions of the photoresist and leaving other portions intact. The remaining photoresist is then used to pattern an underlying layer. As feature sizes have decreased, the wavelength of light used to pattern layers in photolithography has also decreased, creating further difficulties and requiring technological advances such as the use of extreme ultraviolet (EUV) as a light source and the use of phase shift masks. It is important to improve photomasks to enable continued advances in the industry, especially since defects in the patterned layer can be magnified during later processing steps in the manufacture of semiconductor devices and integrated circuits. Therefore, improvements in photomasks, including improvements in defect control, are required.

DE 10 2019 209 394 A1 offenbart ein Verfahren zum Überlagern von zwei Bildern einer fotolithographischen Maske, das die Schritte aufweist: (a) Bestimmen eines ersten Unterschieds eines ersten Bildes bezogen auf Design-Daten der fotolithographischen Maske; (b) Bestimmen eines zweiten Unterschieds eines zweiten Bildes bezogen auf Design-Daten der fotolithographischen Maske, oder bezogen auf das eine erste Bild; und (c) Überlagern des einen ersten und des einen zweiten Bildes unter Berücksichtigung des einen ersten Unterschieds und des einen zweiten Unterschieds. DE 10 2019 209 394 A1 discloses a method of superimposing two images of a photolithographic mask, comprising the steps of: (a) determining a first difference of a first image based on design data of the photolithographic mask; (b) determining a second difference of a second image based on design data of the photolithographic mask, or based on the one first image; and (c) superimposing the one first and one second images taking into account the one first difference and the one second difference.

Figurenlistecharacter list

Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

• 1 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt.
• 2 ist eine Schnittansicht einer Fotomaske gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung.
• Die 3 bis 5 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 6 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt.
• Die 7 bis 14A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 14B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt.
• Die 15 und 16A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 16B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt.
• Die 17 bis 20 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 21A ist ein Teil eines Graustufenbilds der Fotomaske.
• 21B ist eine grafische Darstellung, die ein Berechnungsergebnis gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt.
• Die 22 bis 24 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 25A ist ein Teil eines Graustufenbilds der Fotomaske.
• 25B ist eine grafische Darstellung, die ein Berechnungsergebnis gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt.

Aspects of the present invention are best understood by considering the following detailed description when taken in conjunction with the accompanying drawings. It should be noted that, in accordance with standard industry practice, various elements are not drawn to scale. Rather, the dimensions of the various elements may be arbitrarily increased or decreased for clarity of discussion.

• 1 FIG. 12 is a flow chart depicting a method for defect control in accordance with aspects of the present invention.
• 2 Figure 12 is a sectional view of a photomask in accordance with aspects of the present invention.
• The 3 until 5 12 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 6 FIG. 12 is a flow chart depicting a method for defect control in accordance with aspects of the present invention.
• The 7 until 14A 12 are schematic diagrams showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments, and 14B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask.
• The 15 and 16A 12 are schematic diagrams showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments, and 16B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask.
• The 17 until 20 12 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 21A is part of a grayscale image of the photomask.
• 21B FIG. 12 is a graph showing a calculation result according to aspects of the present invention in one or more embodiments.
• The 22 until 24 12 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 25A is part of a grayscale image of the photomask.
• 25B FIG. 12 is a graph showing a calculation result according to aspects of the present invention in one or more embodiments.

Detaillierte BeschreibungDetailed description

Die nachstehende Beschreibung liefert viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt hergestellt werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element hergestellt werden können, sodass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind. Darüber hinaus können in der vorliegenden Erfindung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholt werden. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Übersichtlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.The description below provides many different embodiments or examples for implementing various features of the provided subject matter. Specific examples of components and arrangements are described below to simplify the present invention. For example, the fabrication of a first member over or on a second member in the description below may include embodiments where the first and second members are fabricated in direct contact, and may also include embodiments where additional members are formed between the first and can be made with the second element so that the first and second elements are not in direct contact. Furthermore, in the present invention, reference numbers and/or letters may be repeated in the various examples. This repetition is for the purpose of simplicity and clarity and does not in itself dictate a relationship between the various embodiments and/or configurations discussed.

Die Beschreibung der erläuternden Ausführungsformen soll in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen werden, die als Bestandteil der gesamten Beschreibung anzusehen sind. In der Beschreibung von Ausführungsformen, die hier offenbart werden, dienen Hinweise auf eine Richtung oder Orientierung lediglich der einfachen Beschreibung, und sie sollen den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung in keiner Weise beschränken. Relative Begriffe, wie etwa „untere(r)“, „obere(r)“, „horizontale(r)“, „vertikale(r)“, „oberhalb“, „über“, „unterhalb“, „unter“, „nach oben“, „nach unten“, „oben“, „unten“ usw., sowie deren Ableitungen (z. B. die Adverbien „horizontal“, „nach unten“, „nach oben“ usw.) sollten als Begriffe aufgefasst werden, die sich auf die Orientierung beziehen, wie sie später beschrieben wird oder in der diskutierten Zeichnung gezeigt wird. Diese relativen Begriffe dienen nur der einfachen Beschreibung und erfordern nicht, dass die Vorrichtung in einer bestimmten Orientierung entworfen oder betrieben wird. Begriffe wie „angebracht“, „befestigt“, „verbunden“ oder „miteinander verbunden“ beziehen sich auf eine Beziehung, bei der Strukturen entweder direkt oder indirekt durch Zwischenstrukturen aneinander befestigt oder angebracht sind, sowie auf bewegliche und starre Befestigungen oder Beziehungen, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben. Darüber hinaus werden die Merkmale und Vorzüge der Beschreibung durch Bezugnahme auf die Ausführungsformen erläutert. Daher darf die Beschreibung ausdrücklich nicht auf solche Ausführungsformen beschränkt werden, die einige mögliche nicht-beschränkende Kombinationen von Merkmalen erläutern, die einzeln oder in anderen Kombinationen von Merkmalen vorhanden sein können, sondern der Schutzumfang der Erfindung wird von den beigefügten Ansprüchen definiert.The description of the illustrative embodiments is intended to be read in conjunction with the accompanying drawings, which are to be considered a part of the entire specification. In the description of embodiments disclosed herein, references to direction or orientation are for convenience in description only and are not intended to limit the scope of the present invention in any way. Relative terms, such as "lower", "upper", "horizontal", "vertical", "above", "above", "below", "below", " top", "down", "above", "below", etc., as well as their derivations (e.g. the adverbs "horizontal", "down", "up" etc.) should be understood as terms , which relate to the orientation as will be described later or as shown in the drawing under discussion. These relative terms are for convenience of description only and do not require the device to be designed or operated in a particular orientation. Terms such as "attached," "attached," "connected," or "interconnected" refer to a relationship in which structures are attached or attached to one another, either directly or indirectly through intermediate structures, and to movable and rigid attachments or relationships when not explicitly stated otherwise. Furthermore, the features and merits of the description are explained by referring to the embodiments. Therefore, the description must expressly not be limited to such embodiments that illustrate some possible non-limiting combinations of features, which may be present individually or in other combinations of features, but the scope of protection of the invention is defined by the appended claims.

Ungeachtet dessen, dass die numerischen Bereiche und Parameter, die den breiten Schutzumfang der Erfindung angeben, Näherungswerte sind, sind die in den speziellen Beispielen genannten Zahlenwerte so genau wie möglich angegeben. Ein Zahlenwert enthält jedoch grundsätzlich bestimmte Fehler, die zwangsläufig aus der Standardabweichung resultieren, die sich in den jeweiligen Prüfmesswerten findet. Außerdem bedeutet der hier verwendete Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ im Allgemeinen innerhalb eines Werts oder Bereichs, der von Fachleuten erwogen werden kann. Alternativ bedeutet der Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ innerhalb des zulässigen Standardfehlers des Mittelwerts, wenn er von einem Fachmann betrachtet wird. Fachleute können verstehen, dass sich der zulässige Standardfehler entsprechend unterschiedlichen Technologien ändern kann. Anders als in den Betriebs-/Arbeitsbeispielen, oder wenn nicht ausdrücklich anders angegeben, sollten alle numerischen Bereiche, Mengen, Werte und Prozentsätze, wie etwa für Materialmengen, Zeitdauern, Temperaturen, Betriebsbedingungen, Mengenverhältnisse und dergleichen, die hier angegeben sind, in allen Fällen als durch den Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ modifiziert aufgefasst werden. Daher sind, wenn nichts Gegenteiliges angegeben ist, die numerischen Parameter, die in der vorliegenden Erfindung und den beigefügten Ansprüchen angegeben sind, Näherungswerte, die bei Bedarf geändert werden können. Zumindest sollte jeder numerische Parameter in Anbetracht der Anzahl von angegebenen signifikanten Zahlen und durch Anwenden von normalen Rundungsverfahren interpretiert werden. Bereiche können hier so dargestellt sein, dass sie von einem Endpunkt bis zu einem anderen Endpunkt reichen oder zwischen zwei Endpunkten liegen. Alle hier genannten Bereiche schließen die Endpunkte ein, wenn nicht anders angegeben.Notwithstanding that the numerical ranges and parameters, which are indicative of the broad scope of the invention, are approximate, the numerical values set forth in specific examples are as accurate as possible. However, a numerical value always contains certain errors that inevitably result from the standard deviation found in the respective test measurement values. Also, as used herein, the term "substantially,""about," or "about" means generally within a value or range contemplated by those skilled in the art. Alternatively, the term "substantially,""approximately," or "approximately" means within the allowable standard error of the mean when considered by one skilled in the art. Those skilled in the art can understand that the allowable standard error may change according to different technologies. Other than in the operating/working examples, or unless expressly stated otherwise, all numerical ranges, amounts, values and percentages, such as for amounts of material, times, temperatures, operating conditions, proportions and the like, given herein should in all cases be construed as modified by the term "substantially,""approximately," or "about." Therefore, unless otherwise specified, the numerical parameters set forth in the present invention and the appended claims are approximate and subject to change as necessary. At the very least, each numeric parameter should be given the number of significant numbers specified and applied by that are interpreted by normal rounding methods. Regions can be shown here as extending from one end point to another end point or between two end points. All ranges herein include endpoints unless otherwise noted.

Kontrolle ist ein wichtiger Schritt und dient zum Erkennen von Fotomaskendefekten nach Beendigung der Fotomaskenherstellung oder nach der Belichtung. Fotomaskendefekte können in zwei Kategorien eingeteilt werden, und zwar in harte und weiche Defekte. Defekte, die nicht mit Reinigungsschritten beseitigt werden können, werden als harte Defekte bezeichnet, und Defekte, die mit Reinigungsschritten beseitigt werden können, werden als weiche Defekte bezeichnet. Harte Defekte sind zum Beispiel globale Konstanzänderungen, Fehldimensionierung und Fehlplatzierung. Wenn harte Defekte gefunden oder identifiziert werden, kann die Fotomaske mit geeigneten Maßnahmen repariert oder nachbearbeitet werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann eine Nachplasmabehandlung durchgeführt werden, wenn Restdefekte, wie etwa Cr-Restdefekte, detektiert werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann ein Ionen- oder ein Elektronenstrahl verwendet werden, wenn lokal begrenzte harte Defekte gefunden werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können chemische Lösungen verwendet werden, wenn globale Fehldimensionierungsdefekte gefunden werden. Die reparierte oder nachbearbeitete Fotomaske wird dann erneut kontrolliert, um die Maskenqualität zu gewährleisten. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können jedoch Defektarten wie ESD-Defekte (ESD: elektrostatische Entladung) und komplizierte Defekte nicht gefunden werden, wenn das herkömmliche Kontrollmodell verwendet wird.Inspection is an important step and serves to detect photomask defects after completion of photomask manufacture or after exposure. Photomask defects can be divided into two categories, hard and soft defects. Defects that cannot be eliminated with cleaning steps are referred to as hard defects, and defects that can be eliminated with cleaning steps are referred to as soft defects. Hard defects are, for example, global constancy changes, incorrect dimensioning and incorrect placement. If hard defects are found or identified, the photomask can be repaired or reworked with appropriate measures. In some comparative embodiments, a post-plasma treatment may be performed when residual defects, such as residual Cr defects, are detected. In some comparative embodiments, an ion or an electron beam can be used when localized hard defects are found. In some comparative embodiments, chemical solutions can be used when global misdimensioning defects are found. The repaired or reworked photomask is then inspected again to ensure mask quality. However, in some comparative embodiments, defect types such as ESD defects (ESD: Electrostatic Discharge) and complicated defects cannot be found when the conventional control model is used.

Der ESD-Defekt kann nach dem Belichten auftreten. Während des Belichtens oder während des Übertragens oder Speicherns der Fotomaske kann auf der Fotomaske eine statische Elektrizität entstehen, die tendenziell ein elektrisches Feld auf der Fotomaske erzeugt. Da das elektrische Feld elektrisch geladene Teilchen zu der Fotomaske zieht, wird eine neutralisierende Entladereaktion auf der Oberfläche der Fotomaske ausgelöst, wodurch die Maskenstruktur brennt oder schmilzt. Die ESD-Defekte sind mit den herkömmlichen Kontrollverfahren nicht leicht zu detektieren, da durch die ESD-Defekte eine kaum zu erkennende dünne Schicht auf der Oberfläche entsteht. Dadurch wird die Fotomaske mit den von dem Kontrollgerät unerkannten ESD-Defekten möglicherweise in einem späteren fotolithografischen Prozess verwendet. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann die Struktur auf der fehlerhaften Fotomaske nicht exakt übertragen werden.The ESD defect can appear after exposure. During exposure or during transfer or storage of the photomask, static electricity can build up on the photomask, which tends to create an electric field on the photomask. As the electric field attracts electrically charged particles to the photomask, a neutralizing discharge reaction is initiated on the surface of the photomask, burning or melting the mask structure. The ESD defects are not easy to detect with conventional control methods, since the ESD defects create a thin layer on the surface that is hardly recognizable. As a result, the photomask with the ESD defects undetected by the controller may be used in a later photolithographic process. In some comparative embodiments, the pattern on the defective photomask cannot be accurately transferred.

Außer den ESD-Defekten gibt es einen komplizierten Defekt. Der komplizierte Defekt tritt auf, wenn eine Abschirmschicht oder eine Hartmaskenschicht, die eigentlich entfernt werden soll, auf der Fotomaske verbleibt. Der komplizierte Defekt hat zwei Formen. Bei einer Form soll ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt auftreten, wenn die Abschirmschicht an einer Position erscheint, von der sie entfernt werden sollte. Bei einer anderen Defektform soll ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt auftreten, wenn die Hartmaskenschicht, die vollständig von der Fotomaske entfernt werden soll, doch noch vorhanden ist. Die zwei Defektarten werden als komplizierte Defekte bezeichnet, da sowohl der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt als auch der Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bei Verwendung eines herkömmlichen Kontrollgeräts ähnliche Ergebnisse zeigen und es für das Kontrollgerät schwierig ist, zu ermitteln, welche Art von Schicht auf der Fotomaske verbleibt. Es ist zu beachten, dass die Abschirmschicht und die Hartmaskenschicht mit unterschiedlichen Entfernungsprozessen entfernt werden. Wenn ein ungeeigneter Entfernungsprozess verwendet wird, wird die Schicht, die eigentlich entfernt werden soll, nicht entfernt, oder andere Schichten können irrtümlich entfernt werden. Da das Kontrollgerät nicht ermitteln kann, welche Schicht auf der Fotomaske verbleibt, ist ein weiterer Kontrollschritt erforderlich, um den ungeeigneten Entfernungsprozess zu vermeiden. Somit wird bei dem bestehenden Verfahren Durchlaufzeit verschwendet.Besides the ESD defects, there is a complicated defect. The complicated defect occurs when a shielding layer or a hard mask layer that is supposed to be removed is left on the photomask. The complicated defect has two forms. In one mold, a hardmask layer/shield layer expansion defect is said to occur when the shield layer appears at a position from which it should be removed. In another defect shape, a hardmask layer/shield layer extension defect is said to occur when the hardmask layer that is intended to be completely removed from the photomask is still present. The two types of defects are referred to as complicated defects because both the shield layer extension defect and the hardmask layer/shield layer extension defect show similar results using a conventional inspection device and it is difficult for the inspection device to determine which type of layer is on the photomask remains. It should be noted that the shield layer and the hard mask layer are removed with different removal processes. If an inappropriate removal process is used, the layer intended to be removed will not be removed, or other layers may be removed in error. Since the control device cannot determine which layer remains on the photomask, an additional control step is required to avoid the improper removal process. Thus, with the existing method, throughput time is wasted.

Daher stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Defektkontrolle bereit. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von ESD-Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen ist bei dem Verfahren zur Defektkontrolle eine erste Berechnung vorgesehen. Die erste Berechnung dient zum Vergrößern des ESD-Defekts, sodass das Vorhandensein des ESD-Defekts ermittelt werden kann. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von komplizierten Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen ist bei dem Verfahren zur Defektkontrolle eine zweite Berechnung vorgesehen. Die zweite Berechnung unterstützt ein Unterscheiden zwischen dem Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt und dem Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt. Daher kann ein geeigneter Entfernungsprozess durchgeführt werden. Mit dem bereitgestellten Verfahren zur Defektkontrolle können die Defekte unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts exakt detektiert und identifiziert werden. Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit der Kontrolle verbessert werden und die Durchlaufzeit kann verkürzt werden. Außerdem können zusätzliche Kosten für die Gerätemodifikation vermieden werden.Therefore, the present invention provides a defect control method. In some embodiments, the defect control method is performed to detect ESD defects. In some embodiments, a first calculation is provided in the defect control method. The first calculation is for enlarging the ESD defect so that the presence of the ESD defect can be determined. In some embodiments, the defect inspection method is performed to detect complicated defects. In some embodiments, a second calculation is included in the defect control method. The second calculation helps distinguish between the shield layer extension defect and the hard mask layer/shield layer extension defect. Therefore, an appropriate removal process can be performed. With the defect inspection method provided, the defects can be accurately detected and identified using the conventional inspection equipment. Accordingly, the reliability of the control can be improved and lead time can be shortened. In addition, additional costs for device modification can be avoided.

1 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren 100 zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt. Das Verfahren 100 umfasst eine Anzahl von Schritten (101, 102, 103, 104, 105a und 105b). Das Verfahren 100 zur Defektkontrolle wird gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 100 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 100 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden. 1 FIG. 10 is a flow chart depicting a method 100 for defect inspection in accordance with aspects of the present invention. The method 100 includes a number of steps (101, 102, 103, 104, 105a and 105b). The defect control method 100 is further described according to one or more embodiments. It should be noted that the steps of the defect control method 100 may be rearranged or otherwise modified within the scope of the various aspects. It should also be noted that other processes may be provided before, during, and after the method 100 and that some other processes may only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described herein.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 100 zur Defektkontrolle in einer Lithografie-Anlage verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Lithografie-Anlage als ein Scanner bezeichnet werden, der so betreibbar ist, dass er eine lithografische Belichtung mit einer jeweiligen Strahlungsquelle und einem jeweiligen Belichtungsmodus durchführt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Lithografie-Anlage eine optische Belichtungsanlage, wie etwa eine I-Linien-Anlage (365 nm), eine DUV-Anlage (DUV: tiefes Ultraviolett, wobei Wellenlängen verwendet werden, die kleiner als 250 nm sind, aber normalerweise etwa 193 nm bis etwa 230 nm betragen), eine EUV-Anlage (EUV: extremes Ultraviolett) oder eine Röntgen-Belichtungsanlage oder eine Geladene-Teilchen-Anlage, wie etwa ein Elektronenstrahlschreiber, sein.In some embodiments, the method 100 can be used for defect control in a lithography tool. In some embodiments, the lithography tool may be referred to as a scanner operable to perform a lithographic exposure with a respective radiation source and exposure mode. In some embodiments, the lithography tool can be an optical exposure tool, such as an I-line tool (365 nm), a DUV tool (DUV: deep ultraviolet, using wavelengths that are less than 250 nm, but typically around 193 nm to about 230 nm), an EUV device (EUV: extreme ultraviolet) or an X-ray exposure device or a charged particle device such as an electron beam writer.

In 2, die eine Schnittansicht einer Fotomaske PM1 gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung ist, weist die Fotomaske PM1 ein lichtleitendes Substrat 200 mit einem geeigneten Material auf, wie etwa einem Material mit geringer Wärmeausdehnung (LTEM) oder Quarzglas. In verschiedenen Beispielen ist das LTEM TiO₂-dotiertes SiO₂ oder ein anderes geeignetes Material mit geringer Wärmeausdehnung. Die Fotomaske PM1 weist eine Phasenverschiebungsschicht (PSL) 202 auf, die über dem Substrat 200 hergestellt ist. Die Phasenverschiebungsschicht 202 ist so hergestellt, dass sie weniger als etwa 20 % des einfallenden Lichts durchlässt und eine Phasenverschiebung von etwa 180° in Bezug zu dem durchgelassenen Licht (d. h., dem Licht, das durch das lichtdurchlässige Substrat durchgelassen wird) erzeugt. Bei einigen Ausführungsformen weist die Phasenverschiebungsschicht 202 Molybdänsilizid (MoSi), Molybdän-Silizid-Nitrid (MoSiN), Molybdän-Silizid-Oxidnitrid (MoSiON), Titannidrid, Titan-Siliziumnitrid oder Siliziumnitrid auf, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 eine Abschirmschicht 204 über der Phasenverschiebungsschicht 202 aufweisen. Die Abschirmschicht 204 kann Chrom (Cr) aufweisen und kann weitere Schichten, wie etwa aus Chromoxid, Chromnitrid und Chromoxidnitrid, umfassen. Es werden hier zwar einige Beispiele für Materialien angegeben, die jeweils für das Substrat 200, die Phasenverschiebungsschicht 202 und die Abschirmschicht 204 verwendet werden können, aber es versteht sich, dass andere geeignete Materialien, die auf dem Fachgebiet bekannt sind, ebenso verwendet werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Außerdem kann die Fotomaske PM1 weitere Schichten aufweisen, wie etwa eine rückseitige Schicht und/oder eine Antireflexionsbeschichtung (ARC), die jedoch nicht dargestellt sind. Darüber hinaus können auch weitere Fotomasken-Konfigurationen als die Fotomaske PM1 vorgesehen werden.In 2 12, which is a sectional view of a photomask PM1 in accordance with aspects of the present invention, the photomask PM1 includes a photoconductive substrate 200 having a suitable material, such as a low thermal expansion material (LTEM) or fused silica. In various examples, the LTEM is TiO ₂ -doped SiO ₂ or other suitable low thermal expansion material. Photomask PM1 has a phase shift layer (PSL) 202 fabricated over substrate 200 . The phase shift layer 202 is fabricated to transmit less than about 20% of the incident light and creates a phase shift of about 180° with respect to the transmitted light (ie, the light that is transmitted through the light-transmissive substrate). In some embodiments, the phase shift layer 202 comprises molybdenum silicide (MoSi), molybdenum silicide nitride (MoSiN), molybdenum silicide oxide nitride (MoSiON), titanium nitride, titanium silicon nitride, or silicon nitride, but the invention is not limited thereto. In some embodiments, photomask PM1 may include a shielding layer 204 over phase shifting layer 202 . Shield layer 204 may include chromium (Cr) and may include other layers such as chromium oxide, chromium nitride, and chromium oxynitride. While some examples of materials are provided herein that may be used for substrate 200, phase shift layer 202, and shielding layer 204, respectively, it should be understood that other suitable materials known in the art may also be used. without departing from the scope of the present invention. In addition, the photomask PM1 may have other layers, such as a backing layer and/or an anti-reflective coating (ARC), but these are not shown. In addition, other photomask configurations than the photomask PM1 can also be provided.

Bleiben wir bei 2. Die Fotomaske PM1 kann eine Membran 206 aufweisen, die als eine schützende Abdeckung verwendet wird. Die Membran 206 kann die Strukturen über dem Substrat 200 gegen Beschädigung und/oder Schmutzteilchen schützen. Die Membran 206 kann eine dünne Schicht auf einem Rahmen sein, die eine strukturierte Oberfläche der Fotomaske PM1 bedeckt.let's stay put 2 . Photomask PM1 may include a membrane 206 used as a protective cover. The membrane 206 can protect the structures over the substrate 200 from damage and/or debris. The membrane 206 may be a thin layer on a frame covering a patterned surface of the photomask PM1.

In 2 wird bei einem Belichtungsprozess Licht auf die Fotomaske PM1 gerichtet und mit der Fotomaske PM1 reflektiert, und das mit der Fotomaske PM1 reflektierte Licht wird dann auf einen Wafer gerichtet. Während der Belichtung kann die Membran 206 das Licht absorbieren. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können Wärme-Effekte und statische Elektrizität erzeugt werden. Daher kann sich eine unerwünschte dünne Schicht 208 über den Strukturen bilden, die von der Phasenverschiebungsschicht 202 erzeugt werden, wie in 2 gezeigt ist. Die dünne Schicht 208 wird, wie vorstehend dargelegt worden ist, als ein ESD-Defekt bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 100 zur Defektkontrolle nach den Belichtungsprozessen durchgeführt werden.In 2 In an exposure process, light is directed to the photomask PM1 and reflected with the photomask PM1, and the light reflected with the photomask PM1 is then directed to a wafer. During exposure, the membrane 206 can absorb the light. In some comparative embodiments, thermal effects and static electricity may be generated. Therefore, an unwanted thin layer 208 can form over the structures created by the phase shift layer 202, as in FIG 2 is shown. The thin layer 208 is referred to as an ESD defect as discussed above. In some embodiments, the defect control method 100 may be performed after the exposure processes.

In 2 wird in einem Schritt 101 ein Substrat mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von auf der Oberfläche angeordneten Strukturen erhalten.In 2 is obtained in a step 101 a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat die vorgenannte Fotomaske PM1 sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat das Substrat 200 der Fotomaske PM1 sein, und die Strukturen können von der Phasenverschiebungsschicht 202 gebildet werden, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.In some embodiments, the substrate may be the aforementioned photomask PM1. In some embodiments, the substrate can be the substrate 200 of the photomask PM1 and the structures can be formed by the phase shift layer 202, but the invention is not limited thereto.

In einem Schritt 102 wird ein Graustufenbild des Substrats erhalten, wobei das Graustufenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Graustufenwert hat.In a step 102, a grayscale image of the substrate is obtained, the grayscale image having a plurality of regions, each of the regions having a grayscale value.

In 3 wird bei einigen Ausführungsformen eine Oberfläche des Substrats 200 der Fotomaske PM1 mit einem optischen Kontrollgerät abgetastet, um ein Bild 210 der Struktur zu erzeugen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 nach dem Entfernen der Membran 206 abgetastet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 mit einem optischen Reflexionskontrollgerät abgetastet werden, sodass von der Oberfläche des Substrats 200 reflektiertes Licht entsteht. Bei der dargestellten Ausführungsform wird das Bild von dem optischen Kontrollgerät erzeugt, und es stellt die Strukturelemente in der Struktur der Fotomaske PM1 als ein helleres Grau auf einem Untergrund mit einem dunkleren Grau dar. Das heißt, unterschiedliche Teile des erhaltenen Bilds 210 haben unterschiedliche Graustufenintensitäten, und daher wird das erhaltene Bild 210 als ein Graustufenbild bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Bild 210 in eine Mehrzahl von Bereichen 212 unterteilt werden oder als eine solche definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen entspricht jeder der Bereiche 212 im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen beträgt eine Fläche jedes Bereichs 212 etwa 55 nm² bis etwa 500 nm², aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Außerdem kann das Bild 210 durch Lichtnivellierung in ein Graustufenbild umgewandelt werden, um die Graustufe des Bilds bereichsweise zu skalieren. Dadurch erhält jeder der Bereiche 212 einen Graustufenwert.In 3 For example, in some embodiments, a surface of the substrate 200 of the photomask PM1 is scanned with an optical inspection device to generate an image 210 of the structure. In some embodiments, photomask PM1 may be scanned after membrane 206 is removed. In some embodiments, the photomask PM1 can be scanned with an optical reflection monitor, resulting in light reflected from the surface of the substrate 200 . In the illustrated embodiment, the image is generated by the optical monitor and represents the features in the pattern of photomask PM1 as a lighter gray on a darker gray background. That is, different parts of the resulting image 210 have different gray level intensities, and therefore the resulting image 210 is referred to as a grayscale image. In some embodiments, the image 210 may be divided into or defined as a plurality of regions 212 . In some embodiments, each of the areas 212 substantially corresponds to a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, an area of each region 212 is from about 55 nm ² to about 500 nm ² , but the invention is not so limited. In addition, the image 210 may be converted to a grayscale image by light leveling to scale the grayscale of the image region-by-region. This gives each of the areas 212 a gray level value.

In einem Schritt 103 wird der Graustufenwert jedes Bereichs 212 mit einer Graustufenreferenz verglichen, um eine erste Gruppe G1, eine zweite Gruppe G2 und eine n-te Gruppe Gn zu definieren, wobei jede dieser Gruppen mindestens einen Bereich 212 hat, wobei der Bereich 212 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat, der Bereich 212 in der zweiten Gruppe G2 eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat und der Bereich 212 in der n-ten Gruppe Gn eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat.In a step 103 the gray level value of each region 212 is compared with a gray level reference to define a first group G1, a second group G2 and an nth group Gn, each of these groups having at least one region 212, the region 212 in of the first group G1 has a first difference between its gray level value and the gray level reference, the area 212 in the second group G2 has a second difference between its gray level value and the gray level reference and the area 212 in the nth group Gn has an nth difference between its grayscale value and grayscale reference.

Bei einigen Ausführungsformen kann ein Standard- oder goldenes Bild bereitgestellt werden. Das Standard- oder goldene Bild kann eine Targetstruktur haben, mit der die Struktur der Fotomaske PM1 für identisch gehalten wird. Das Standard- oder goldene Bild kann als eine Mehrzahl von Bereichen definiert werden oder in eine solche unterteilt werden. Anschließend kann das goldene Bild durch Lichtnivellierung umgewandelt werden, um es zu skalieren, um die Graustufenreferenz bereichsweise zu erhalten. Wie vorstehend dargelegt worden ist, entspricht bei einigen Ausführungsformen jeder Bereich des goldenen Bilds im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen kann die Graustufenreferenz aus einer Datenbank des Defektkontrollgeräts abgerufen werden. Daher umfasst die Graustufenreferenz auch eine Mehrzahl von Graustufenwerten.In some embodiments, a standard or gold image may be provided. The standard or golden image may have a target pattern that the pattern of the photomask PM1 is believed to be identical to. The standard or golden image can be defined as or subdivided into a plurality of areas. Then the gold image can be transformed by light leveling to scale it to get the grayscale reference area by area. As discussed above, in some embodiments each area of the golden image corresponds substantially to a pixel of the optical reflectance monitor. In some embodiments, the grayscale reference may be retrieved from a defect inspection device database. Therefore, the gray level reference also includes a plurality of gray level values.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Graustufenwert jeder der Bereiche 212 in dem Bild 210 der Fotomaske PM1 mit einem der Graustufenwerte der Graustufenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen wird der Graustufenwert jedes Bereichs 212 der Fotomaske PM1 mit dem des entsprechenden Bereichs der Graustufenreferenz verglichen. Dementsprechend wird eine Differenz zwischen dem Graustufenwert jedes der Bereiche 212 der Fotomaske PM1 und dem Graustufenwert des entsprechenden Bereichs der Graustufenreferenz ermittelt. In 4 hat jeder der Bereiche 212 eine Differenz.In some embodiments, the gray level value of each of the areas 212 in the image 210 of the photomask PM1 is compared to one of the gray level values of the gray level reference. In some embodiments, the gray level value of each area 212 of photomask PM1 is compared to that of the corresponding area of the gray level reference. Accordingly, a difference is determined between the gray level value of each of the areas 212 of the photomask PM1 and the gray level value of the corresponding area of the gray level reference. In 4 each of the areas 212 has a difference.

In 5 werden die Bereiche 212 entsprechend ihrer Differenz in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 bzw. die n-te Gruppe Gn eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 212 gemäß Tabelle 1 wie folgt erfolgen: Graustufendifferenz Gewichtsfaktor Erste Gruppe (G1) -50 bis 0 und 0 bis 50 0,9 Zweite Gruppe (G2) -69 bis -50 und 50 - 69 0,925 Dritte Gruppe (G3) -89 bis -70 und 70 - 89 0,95 Vierte Gruppe (G4) -99 bis -90 und 90 bis 99 0,975 Fünfte Gruppe (G5) <-100 und >100 1 In 5 the regions 212 are divided into the first group G1, the second group G2 and the nth group Gn according to their difference. In some embodiments, according to Table 1, the division of the regions 212 can be as follows: grayscale difference weight factor First group (G1) -50 to 0 and 0 to 50 0.9 Second Group (G2) -69 to -50 and 50 - 69 0.925 Third Group (G3) -89 to -70 and 70 - 89 0.95 Fourth Group (G4) -99 to -90 and 90 to 99 0.975 Fifth Group (G5) <-100 and >100 1

Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, sind Bereiche angegeben, und Bereiche 212 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in die gleiche Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn jeweils mindestens einen Bereich 212. Der Bereich 212 in der ersten Gruppe G1 hat eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, der Bereich 212 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, und der Bereich 212 in der n-ten Gruppe Gn hat eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste Differenz kleiner als die zweite Differenz, und die (n-1)-te Differenz ist kleiner als die n-te Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.As shown in Table 1, areas are indicated, and areas 212 having differences in the same area are classified into the same group. In some embodiments, the first group G1, the second group G2, and the nth group Gn each have at least one region 212. The region 212 in the first group G1 has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, the region 212 in the second group G2 has a second difference between its gray level value and the gray level reference, and region 212 in the nth group Gn has an n th difference between its gray level value and the gray level reference. In some embodiments, as indicated in Table 1, the first difference is less than the second difference and the (n-1)th difference is less than the nth difference.

In einem Schritt 104 wird eine Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die Berechnung entsprechend der folgenden Gleichung (1) durchgeführt: $$\text{Ws}=\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\cdots {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3,}\dots Gn}}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.In a step 104, a calculation is performed according to the first difference, the second difference and the nth difference to obtain a point value. In some embodiments, the calculation is performed according to equation (1) below: $$\text{Ws}=\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0027.png,DE102020114143B4\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}1}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0029.png,DE102020114143B4\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}3}+\cdots {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0027.png,DE102020114143B4\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{1,}\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0029.png,DE102020114143B4\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{2,}\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{3,}...Gn}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e ₁ is a first weight factor, e ₂ is a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _n is an nth weight factor.

Bei einigen Ausführungsformen können der erste Gewichtsfaktor e₁, der zweite Gewichtsfaktor e₂ und der n-te Gewichtsfaktor e_n die Gewichtsfaktoren sein, die in Tabelle 1 angegeben sind, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Bei diesen Ausführungsformen ist der erste Gewichtsfaktor e₁ kleiner als der zweite Gewichtsfaktor e₂, und der (n-1)-te Gewichtsfaktor e_(n-1) ist kleiner als der n-te Gewichtsfaktor e_n.In some embodiments, the first weighting factor e ₁ , the second weighting factor e ₂ and the nth weighting factor e _n may be the weighting factors given in Table 1, but the invention is not limited thereto. In these embodiments, the first weighting factor e ₁ is less than the second weighting factor e ₂ , and the (n-1)th weighting factor e _(n-1) is less than the nth weighting factor e _n .

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 5 angegebenen Differenzen wie folgt in der Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws=}\frac{\left(\text{47}+\text{48}+\text{49}\right)\times \mathrm{0,9}+\left(51+51+52+53+53\right)\times \mathrm{0,925}+75\times \mathrm{0,95}}{47+48+49+51+51+52+53+53+75}=\mathrm{0,921.}$$

For example, in some embodiments, the 5 specified differences are used in the calculation as follows: $$\text{Ws=}\frac{\left(\text{47}+\text{48}+\text{49}\right)\times 0.9+\left(51+51+52+53+53\right)\times 0.925+75\times 0.95}{47+48+49+51+51+52+53+53+75}=\mathrm{0.921.}$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (1) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforesaid equation (1).

In einem Schritt 105a wird ermittelt, dass das Substrat einen ESD-Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In einem Schritt 105b wird ermittelt, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In a step 105a, it is determined that the substrate has an ESD defect when the score Ws is greater than a value. In a step 105b, it is determined that the substrate has no ESD defect if the score Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Bei diesen Ausführungsformen ist der Punktwert Ws, der 0,921 beträgt, wie vorstehend angegeben worden ist, größer als der Wert, und somit wird festgestellt, dass die Fotomaske PM1 einen ESD-Defekt hat.In some embodiments, the value may be 0.92. In these embodiments, the point value Ws, which is 0.921 as stated above, is larger than the value, and thus it is determined that the photomask PM1 has an ESD defect.

Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Graustufenwerten der Bereiche 212 des Bilds 210 und den Graustufenwerten der Graustufenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM1 nach der Belichtung und einem ursprünglichen Oberflächenzustand der Fotomaske PM1 oder einem normalen Oberflächenzustand der Fotomaske PM1 zeigen kann. Eine größere Differenz kann anzeigen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM1, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem ursprünglichen Oberflächenzustand als dem bei einem ähnlichen Vergleich unterscheidet, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Graustufenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann der ESD-Defekt leicht detektiert werden.It should be noted that the difference between the gray level values of the areas 212 of the image 210 and the gray level values of the gray level reference represents a deviation between a surface state of the structures on the photomask PM1 after exposure and an original surface state of the photomask PM1 or a normal surface state of the photomask PM1 can show. A larger difference may indicate that the surface condition of the photomask PM1 being inspected is more different from the original surface condition than that in a similar comparison showing a smaller difference. Also, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray level value by the weighting factor. Therefore, the ESD defect can be easily detected.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein Aufsicht-Bild-Messsystem (AIMS) verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den ESD-Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch Optical Proximity Correction (OPC), Maskenfehler-Verbesserungsfaktor (MEEF) und Masken-3D-Effekt-Informationen, bieten kann. Bei einigen Ausführungsformen kann das AIMS zum nochmaligen Prüfen des ESD-Defekts verwendet werden.In some embodiments, an overhead image measurement system (AIMS) is used when the substrate is determined to have the ESD defect. The AIMS is a measurement methodology that provides a way of simulating the result of an exposure to a substrate, ie a photomask substrate through Optical Proximity Correction (OPC), Mask Error Enhancement Factor (MEEF), and Mask 3D Effect Information, among others. In some embodiments, the AIMS can be used to double check the ESD defect.

Bei einigen Ausführungsformen weist die Ermittlung, dass die Fotomaske PM1 keinen ESD-Defekt hat, darauf hin, dass sich keine dünne Schicht über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 202) gebildet hat. Aber es kann sich tatsächlich eine solche dünne Schicht über der Struktur gebildet haben, die jedoch nicht so dick ist, dass sie die Reflexion ändert, und sie wird daher möglicherweise nicht detektiert. Daher könnte die Fotomaske PM1 bei einer späteren Belichtung verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen weist die Ermittlung, dass die Fotomaske PM1 den ESD-Defekt hat, darauf hin, dass sich eine dünne Schicht über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 202) gebildet haben kann, und die dünne Schicht ist so dick, dass sie die Reflexion ändert, und dadurch kann das Belichtungsergebnis beeinträchtigt werden. Folglich wird die Fotomaske PM1, die als den ESD-Defekt aufweisend ermittelt worden ist, bei der späteren Belichtung nicht verwendet, und es kann ein geeigneter Schritt zum Entfernen der dünnen Schicht durchgeführt werden.In some embodiments, determining that photomask PM1 does not have an ESD defect indicates that a thin layer has not formed over the structure (i.e., phase shift layer 202). But such a thin layer may indeed have formed over the structure, but not so thick as to change the reflection, and so it may not be detected. Therefore, the photomask PM1 could be used in a later exposure. In some embodiments, determining that photomask PM1 has the ESD defect indicates that a thin layer may have formed over the structure (i.e., phase shift layer 202), and the thin layer is so thick that it reflectance changes, and this can affect the exposure result. Consequently, the photomask PM1 determined to have the ESD defect is not used in the later exposure, and an appropriate thin film removing step can be performed.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, tritt der ESD-Defekt auf, wenn sich eine dünne Schicht über der Strukturoberfläche der Fotomaske PM1 bildet. Der ESD-Defekt ist möglicherweise nicht erkennbar, aber er kann ernsthafte Probleme bei der Belichtung verursachen. Durch Einteilen der Bereiche 212 in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn und durch Bereitstellen unterschiedlicher Gewichtsfaktoren für unterschiedliche Gruppen können die Gruppen, die den ESD-Defekt haben, vergrößert werden und daher leichter identifiziert werden. Außerdem kann durch Durchführen der Berechnung mit Gleichung (1) der Punktwert Ws, der den Zustand der gesamten Oberfläche darstellen kann, leicht ermittelt werden. Darüber hinaus kann der ESD-Defekt detektiert werden, wenn der Punktwert Ws größer als der Wert ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Wert einstellbar. Kurz gesagt, das Verfahren 100 zur Defektkontrolle kann durchgeführt werden, um den ESD-Defekt unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts zu detektieren. Da das Verfahren 100 zur Defektkontrolle ein Wichtungsmodell, wie es in Gleichung (1) gezeigt ist, bereitstellt, können die ESD-Defekte vergrößert werden und leicht detektiert werden.As stated above, the ESD defect occurs when a thin film forms over the pattern surface of the photomask PM1. The ESD defect may not be apparent, but it can cause serious exposure problems. By dividing the areas 212 into the first group G1, the second group G2 and the nth group Gn and by providing different weighting factors for different groups, the groups that have the ESD defect can be enlarged and therefore identified more easily. In addition, by performing the calculation with Equation (1), the point value Ws, which can represent the state of the entire surface, can be easily obtained. In addition, the ESD defect can be detected when the point value Ws is larger than the value. In some embodiments, the value is adjustable. In short, the defect inspection method 100 can be performed to detect the ESD defect using the conventional inspection device. Because the defect control method 100 provides a weighting model as shown in Equation (1), the ESD defects can be enlarged and easily detected.

6 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren 300 zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt. Die 7 bis 14A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung in einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen. 14B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt. Die 15 und 16A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung in einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 16B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt. Das Verfahren 300 umfasst eine Anzahl von Schritten (301, 302, 303, 304, 305, 306, 307a und 307b). Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle wird gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 300 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 300 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden. 6 FIG. 3 is a flow chart illustrating a method 300 for defect inspection in accordance with aspects of the present invention. The 7 until 14A 12 are schematic diagrams showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments. 14B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask. The 15 and 16A 12 are schematic diagrams showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments, and 16B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask. The method 300 includes a number of steps (301, 302, 303, 304, 305, 306, 307a and 307b). The defect control method 300 is further described according to one or more embodiments. It should be noted that the steps of the defect control method 300 may be rearranged or otherwise modified within the scope of the various aspects. It should also be noted that other processes may be provided before, during, and after the method 300, and that some other processes may only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described herein.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung der Fotomaske durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung der Phasenverschiebungsmaske durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung einer mit einer Hartmaske hergestellte Maske mit abgeschwächter Phasenverschiebung (HMAPSM) durchgeführt werden.In some embodiments, the defect control method 300 may be performed after the photomask fabrication steps. In some embodiments, the defect control method 300 may be performed after the phase shift mask fabrication steps. In some embodiments, the defect control method 300 may be performed after the steps of fabricating a hardmask fabricated attenuated phase shift mask (HMAPSM).

Es ist zu beachten, dass gleiche Elemente in dem Verfahren 100 und dem Verfahren 300 gleiche Materialien aufweisen können und daher der Kürze halber Beschreibungen nicht wiederholt werden.It should be noted that like elements in method 100 and method 300 may comprise like materials and therefore descriptions are not repeated for the sake of brevity.

In 7 kann bei einigen Ausführungsformen die Fotomaskenherstellung die folgenden Schritte umfassen. Es wird ein Substrat 400 bereitgestellt. Das Substrat 400 kann ein lichtleitendes Substrat sein. Auf dem Substrat 400 kann eine Phasenverschiebungsschicht 402 hergestellt werden. Die Abscheidung der Phasenverschiebungsschicht 402 kann durch Atomlagenabscheidung (ALD), chemische Aufdampfung (CVD), physikalische Aufdampfung (PVD), Laserdeposition (PLD), Sputtern, Aufschleudern (SOD) oder dergleichen oder eine Kombination davon erfolgen. Bei einigen Ausführungsformen beträgt auf Grund der Wellenlänge der Lichtquelle eine Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 etwa 40 nm bis etwa 100 nm. Bei einigen Ausführungsformen wird durch eine größere oder eine kleinere Dicke eine Abweichung einer Phasenverschiebung um π vergrößert, wodurch die Strukturauflösung verringert wird. Ein Fachmann dürfte jedoch verstehen, dass die Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 von einer Übertragungsrate des gewählten Materials, einer Wellenlänge der Lichtquelle und einer Tiefenschärfe (DOF) während des Prozesses bestimmt wird. Wenn die Phasenverschiebungsschicht 402 zum Beispiel Molybdän und Siliziumoxidnitrid aufweist, kann die Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 etwa 60 nm bis etwa 70 nm betragen.In 7 For example, in some embodiments, photomask fabrication may include the following steps. A substrate 400 is provided. The substrate 400 can be a photoconductive substrate. A phase shift layer 402 may be formed on the substrate 400 . The phase shift layer 402 may be deposited by atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), laser deposition (PLD), sputtering, spin-on-deposition (SOD), or the like, or a combination thereof. In some embodiments, due to Wel 40 nm to about 100 nm. In some embodiments, a larger or smaller thickness increases a deviation of a phase shift by π, thereby reducing the structure resolution. However, one skilled in the art should understand that the thickness of the phase shift layer 402 is determined by a transmission rate of the chosen material, a wavelength of the light source, and a depth of field (DOF) during the process. For example, if the phase shift layer 402 comprises molybdenum and silicon oxynitride, the thickness of the phase shift layer 402 may be about 60 nm to about 70 nm.

Bleiben wir bei 7. Auf der Phasenverschiebungsschicht 402 wird eine Abschirmschicht 404 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Abschirmschicht 404 ein lichtsperrendes Material aufweisen, das eine so große Dicke hat, dass ein Durchgang von mehr als etwa 90 %, besser mehr als etwa 99 %, des einfallenden Lichts verhindert wird. Bei einigen Ausführungsformen kann die Abschirmschicht 404 Stapelschichten umfassen, zum Beispiel eine Cr-Schicht, die über einer Klebstoffschicht (nicht dargestellt) hergestellt ist, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist. Die Gesamtdicke der Abschirmschicht 404 hängt von der gewünschten Lichtdurchlässigkeit und der Ätzrate in einem späteren Ätzprozess ab. Normalerweise hat die Abschirmschicht 404 eine Dicke von etwa 500 Å bis etwa 1500 Å, und sie kann mit herkömmlichen CVD-, PECVD- oder PVD-Abscheidungsverfahren hergestellt werden.let's stay put 7 . A shielding layer 404 is formed on the phase shift layer 402 . In some embodiments, the shielding layer 404 may comprise a light-blocking material having a thickness sufficient to prevent transmission of greater than about 90%, more preferably greater than about 99%, of the incident light. In some embodiments, the shielding layer 404 may include stack layers, for example a Cr layer fabricated over an adhesive layer (not shown), as is known in the art. The total thickness of the shielding layer 404 depends on the desired light transmission and the etch rate in a later etch process. Typically, the shielding layer 404 has a thickness from about 500 Å to about 1500 Å and can be formed using conventional CVD, PECVD, or PVD deposition techniques.

Über der Abschirmschicht 404 wird eine Hartmaskenschicht 405 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen weist die Hartmaskenschicht 405 Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumoxidcarbid oder ein anderes geeignetes Material auf. Die Abscheidung der Hartmaskenschicht 405 erfolgt durch ALD, CVD, PVD, PLD, Sputtern, SOD oder dergleichen oder eine Kombination davon. Bei einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 405 zur Verbesserung des fotolithografischen Prozesses ein Antireflexionsvermögen haben. Bei einigen Ausführungsformen weist die Hartmaskenschicht 405 Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumcarbid oder andere geeignete Materialien auf. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Hartmaskenschicht 405 nur eine Schicht. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Hartmaskenschicht 405 mehrere Schichten. Bei einigen Ausführungsformen beträgt eine Dicke der Hartmaskenschicht 405 etwa 5 nm bis etwa 25 nm. Bei einigen Ausführungsformen werden durch eine größere Dicke die Herstellungskosten erhöht, ohne die Funktionalität wesentlich zu verbessern. Bei einigen Ausführungsformen steigt durch eine geringere Dicke die Gefahr einer Überätzung, was zu einer Beschädigung des Phasenschiebers führt. Anschließend wird ein strukturiertes Fotoresist 407 durch Abscheiden einer Schicht aus lichtempfindlichem Material und Durchführen eines fotolithografischen Prozesses hergestellt, wie etwa Elektronenstrahlschreiben, Laserschreiben, Ultraviolett(UV)-, EUV- oder anderer geeigneter Prozesse.A hard mask layer 405 is formed over the shielding layer 404 . In some embodiments, the hard mask layer 405 comprises silicon nitride, silicon carbide, silicon oxynitride, silicon oxycarbide, or another suitable material. The hard mask layer 405 is deposited by ALD, CVD, PVD, PLD, sputtering, SOD, or the like, or a combination thereof. In some embodiments, the hard mask layer 405 may have anti-reflection capability to enhance the photolithographic process. In some embodiments, the hard mask layer 405 includes silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, or other suitable materials. In some embodiments, the hard mask layer 405 includes only one layer. In some embodiments, the hard mask layer 405 includes multiple layers. In some embodiments, a thickness of the hard mask layer 405 is about 5 nm to about 25 nm. In some embodiments, increasing the thickness increases manufacturing costs without significantly improving functionality. In some embodiments, reducing the thickness increases the risk of overetching, resulting in damage to the phase shifter. A patterned photoresist 407 is then produced by depositing a layer of photosensitive material and performing a photolithographic process, such as e-beam writing, laser writing, ultraviolet (UV), EUV, or other suitable processes.

In 8 wird die Struktur der strukturierten Fotoresistschicht 407 auf die Hartmaskenschicht 405 übertragen. Nach dem Übertragen wird die strukturierte Fotoresistschicht 407 entfernt. In 9 wird nach dem Entfernen der strukturierten Fotoresistschicht 407 ein Ätzprozess durchgeführt, um die Abschirmschicht 404 und die Phasenverschiebungsschicht 402 mittels der strukturierten Hartmaskenschicht 405 zu ätzen. In den 10 und 11 wird nach dem Ätzen der Abschirmschicht 404 und der Phasenverschiebungsschicht 402 die Hartmaskenschicht 405 entfernt, und über dem Substrat 400 wird eine weitere Fotoresistschicht 409 hergestellt. In 12 kann ein fotolithografischer Prozess durchgeführt werden, um eine strukturierte Fotoresistschicht 409' herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Teil der strukturierten Fotoresistschicht 409', die durch den fotolithografischen Prozess entfernt werden soll, auf der Abschirmschicht 404 zurückbleiben und kann als ein Rest 409r bezeichnet werden, der in 12 gezeigt ist. In 13 werden bei einigen Ausführungsformen Teile der Abschirmschicht 404 mittels der strukturierten Fotoresistschicht 409' entfernt.In 8th the structure of the structured photoresist layer 407 is transferred to the hard mask layer 405 . After the transfer, the patterned photoresist layer 407 is removed. In 9 After removing the patterned photoresist layer 407, an etching process is performed to etch the shielding layer 404 and the phase shifting layer 402 using the patterned hard mask layer 405. FIG. In the 10 and 11 After etching shield layer 404 and phase shift layer 402, hard mask layer 405 is removed and another photoresist layer 409 is formed over substrate 400. FIG. In 12 For example, a photolithographic process can be performed to produce a patterned photoresist layer 409'. In some embodiments, a portion of the patterned photoresist layer 409' to be removed by the photolithographic process may remain on the shielding layer 404 and may be referred to as a residue 409r, which is shown in FIG 12 is shown. In 13 In some embodiments, parts of the shielding layer 404 are removed using the patterned photoresist layer 409'.

In 14A wird nach dem Entfernen der Teile der Phasenverschiebungsschicht 402 die strukturierte Fotoresistschicht 409' entfernt. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann der Rest 409r während des Entfernens der strukturierten Fotoresistschicht 409' entfernt werden, und es wird eine Fotomaske PM2 erhalten, wie in 14A gezeigt ist. Da der Rest 409r das Entfernen des Teils der Abschirmschicht 404 behindern kann, kann ein Teil der Abschirmschicht 404, die entfernt werden soll, auf dem Substrat 400 zurückbleiben. In den 14A und 14B (wobei 14B eine schematische Darstellung ist, die eine gewünschte Fotomaske d-PM zeigt) kann bei einigen Vergleichsausführungsformen beim Vergleichen mit der gewünschten Fotomaske d-PM ein verbliebener Teil 408a der Abschirmschicht 404 als ein Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bezeichnet werden. Wie vorstehend dargelegt worden ist, ist der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt 408a einer der komplizierten Defekte.In 14A After removing the parts of the phase shift layer 402, the patterned photoresist layer 409' is removed. In some comparative embodiments, the residue 409r can be removed during the removal of the patterned photoresist layer 409', and a photomask PM2 is obtained, as in FIG 14A is shown. Since the residue 409r may hinder the removal of the portion of the shielding layer 404, a portion of the shielding layer 404 to be removed may remain on the substrate 400. FIG. In the 14A and 14B (whereby 14B 12 is a schematic diagram showing a desired photomask d-PM), in some comparative embodiments, when compared to the desired photomask d-PM, a remaining portion 408a of the shielding layer 404 can be referred to as a shielding layer extension defect. As stated above, the shielding layer extension defect 408a is one of the complicated defects.

Abgesehen von dem Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt umfassen die komplizierten Defekte auch einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt. Wie in 15 gezeigt ist, kann bei einigen Vergleichsausführungsformen nach dem Übertragen der Struktur der strukturierten Fotoresistschicht 407 und dem Entfernen der strukturierten Fotoresistschicht 407 ein Rest 407' der strukturierten Fotoresistschicht 407 auf der Hartmaskenschicht 405 zurückbleiben.Apart from the shield layer extensional defect, the complicated defects also include a hard mask layer/shield layer extensional defect. As in 15 shown, in some comparative embodiments after transferring the pattern of the patterned photoresist layer 407 and removing the patterned photoresist layer 407 leaving a residue 407' of the patterned photoresist layer 407 on the hard mask layer 405.

Der Rest 407' kann spätere Ätzprozesse behindern, und daher werden ein Teil 405' der Hartmaskenschicht 405 und ein Teil 404' der Abschirmschicht 404, die entfernt werden sollen, über dem Substrat 400 bestehen gelassen. In den 16A und 16B (wobei 16B eine schematische Darstellung ist, die eine gewünschte Fotomaske d-PM zeigt) können bei einigen Vergleichsausführungsformen der verbliebene Teil 405' der Hartmaskenschicht 405 und der verbliebene Teil 404' der Abschirmschicht 404 gemeinsam als eine dünne Schicht 408b bezeichnet werden, und diese dünne Schicht 408b wird beim Vergleichen mit der gewünschten Fotomaske d-PM als ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bezeichnet.The remainder 407' may hinder later etching processes, and therefore a portion 405' of the hard mask layer 405 and a portion 404' of the shielding layer 404 to be removed are left over the substrate 400. FIG. In the 16A and 16B (whereby 16B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask d-PM) in some comparative embodiments, the remaining portion 405' of the hard mask layer 405 and the remaining portion 404' of the shielding layer 404 may be collectively referred to as a lamina 408b, and this lamina 408b becomes is referred to as a hardmask layer/shield layer extension defect when compared to the desired photomask d-PM.

In einem Schritt 301 wird ein Substrat mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von auf der Oberfläche angeordneten Strukturen erhalten.In a step 301, a substrate with a surface and a plurality of structures arranged on the surface is obtained.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat die vorgenannte Fotomaske PM2 sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat das Substrat 400 der in 14A oder 16A gezeigten Fotomaske PM2 sein, und die Strukturen können mittels der Phasenverschiebungsschicht 402 erzeugt werden, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.In some embodiments, the substrate may be the aforementioned photomask PM2. In some embodiments, the substrate may be the substrate 400 of FIG 14A or 16A photomask PM2 shown, and the structures can be created by means of the phase shift layer 402, but the invention is not limited to this.

In einem Schritt 302 wird ein Graustufenbild des Substrats erhalten, wobei das Graustufenbild eine Mehrzahl von Bereichen umfasst, wobei jeder der Bereiche einen Graustufenwert hat.In a step 302, a grayscale image of the substrate is obtained, the grayscale image comprising a plurality of regions, each of the regions having a grayscale value.

In 17 wird bei einigen Ausführungsformen eine Oberfläche des Substrats 400 der Fotomaske PM2 mit einem optischen Kontrollgerät abgetastet, um ein Bild 410 der Struktur zu erzeugen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM2 mit einem optischen Reflexionskontrollgerät abgetastet werden, sodass von der Oberfläche des Substrats 400 reflektiertes Licht entsteht. Bei der dargestellten Ausführungsform wird das Bild von dem optischen Kontrollgerät erzeugt, und es stellt die Strukturelemente in der Struktur der Fotomaske PM2 als ein helleres Grau auf einem Untergrund mit einem dunkleren Grau dar. Das heißt, unterschiedliche Teile des erhaltenen Bilds 410 haben unterschiedliche Graustufenintensitäten, und daher wird das erhaltene Bild 410 als ein Graustufenbild bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Bild 410 in eine Mehrzahl von Bereichen 412 unterteilt werden oder als eine solche definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen entspricht jeder der Bereiche 412 im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen können die Bereiche 412 entlang einer ersten Richtung D1 und einer zweiten Richtung D2, die zueinander senkrecht sind, definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen können die Bereiche 412 so definiert werden, dass eine Matrix mit Spalten und Zeilen entsteht, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Außerdem kann das Bild 410 durch Lichtnivellierung in ein Graustufenbild umgewandelt werden, um die Graustufe des Bilds bereichsweise zu skalieren. Dadurch erhält jeder der Bereiche 412 einen Graustufenwert.In 17 For example, in some embodiments, a surface of the substrate 400 of the photomask PM2 is scanned with an optical inspection device to generate an image 410 of the structure. In some embodiments, the photomask PM2 can be scanned with an optical reflection monitor, resulting in light reflected from the surface of the substrate 400 . In the illustrated embodiment, the image is generated by the optical monitor and represents the features in the pattern of photomask PM2 as a lighter gray on a darker gray background. That is, different parts of the resulting image 410 have different gray level intensities, and therefore the resulting image 410 is referred to as a grayscale image. In some embodiments, the image 410 may be divided into or defined as a plurality of regions 412 . In some embodiments, each of the areas 412 substantially corresponds to a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, the areas 412 may be defined along a first direction D1 and a second direction D2 that are perpendicular to each other. In some embodiments, the areas 412 can be defined to form a matrix with columns and rows, but the invention is not so limited. In addition, the image 410 may be converted to a grayscale image by light leveling to scale the grayscale of the image region-by-region. This gives each of the areas 412 a gray level value.

In einem Schritt 303 wird der Graustufenwert des Substrats mit einer Graustufenreferenz verglichen, um einen potentiellen Defektbereich zu identifizieren.In a step 303, the gray level value of the substrate is compared to a gray level reference to identify a potential defect area.

In 18 wird der Graustufenwert jedes Bereichs 412 mit einer Graustufenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Standard- oder goldenes Bild bereitgestellt werden. Das Standard- oder goldene Bild kann ein Bild der gewünschten Fotomaske d-PM sein. Das Standard- oder goldene Bild kann als eine Mehrzahl von Bereichen definiert werden oder in eine solche unterteilt werden. Anschließend kann das Standard- oder goldene Bild durch Lichtnivellierung umgewandelt werden, um es zu skalieren, um die Graustufenreferenzen bereichsweise zu erhalten. Wie vorstehend dargelegt worden ist, entspricht bei einigen Ausführungsformen jeder Bereich des goldenen Bilds im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen kann die Graustufenreferenz aus einer Datenbank des Defektkontrollgeräts abgerufen werden. Daher umfasst die Graustufenreferenz auch eine Mehrzahl von Graustufenwerten.In 18 the gray level value of each region 412 is compared to a gray level reference. In some embodiments, a standard or gold image may be provided. The standard or gold image can be an image of the desired photomask d-PM. The standard or golden image can be defined as or subdivided into a plurality of areas. Then the standard or golden image can be transformed by light leveling to scale it to preserve the grayscale references area by area. As discussed above, in some embodiments each area of the golden image corresponds substantially to a pixel of the optical reflectance monitor. In some embodiments, the grayscale reference may be retrieved from a defect inspection device database. Therefore, the gray level reference also includes a plurality of gray level values.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Graustufenwert jedes Bereichs 412 in dem Bild 410 der Fotomaske PM2 mit einem der Graustufenwerte der Graustufenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen wird der Graustufenwert jedes Bereichs 412 der Fotomaske PM2 mit dem des entsprechenden Bereichs der Graustufenreferenz verglichen. Dementsprechend wird eine Differenz zwischen dem Graustufenwert jedes Bereichs 412 der Fotomaske PM2 und dem Graustufenwert des entsprechenden Bereichs der Graustufenreferenz ermittelt. In 18 hat jeder der Bereiche 412 eine Differenz. Und wenn die Differenz größer als ein Wert ist, kann ein Bereich mit einer Differenz, die größer als der Wert ist, als ein potentieller Defektbereich 414 erkannt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann der potentielle Defektbereich 414 einen oder mehrere Bereiche 412 umfassen, wie in 18 gezeigt ist.In some embodiments, the gray level value of each region 412 in the image 410 of photomask PM2 is compared to one of the gray level values of the gray level reference. In some embodiments, the gray level value of each area 412 of photomask PM2 is compared to that of the corresponding area of the gray level reference. Accordingly, a difference is determined between the gray level value of each area 412 of the photomask PM2 and the gray level value of the corresponding area of the gray level reference. In 18 each of the areas 412 has a difference. And when the difference is larger than a value, an area with a difference larger than the value can be used as a potential Defect area 414 can be detected. In some embodiments, the potential defect area 414 may include one or more areas 412, as shown in FIG 18 is shown.

In einem Schritt 304 wird der potentielle Defektbereich 414 vergrößert, um einen Defektbereich 416 zu definieren.In a step 304 the potential defect area 414 is enlarged in order to define a defect area 416 .

Wie in 19 gezeigt ist, wird der potentielle Defektbereich 414 vergrößert. Bei einigen Ausführungsformen sind die Bereiche 412 entlang Spalten und Zeilen angeordnet, wie vorstehend dargelegt worden ist, und der potentielle Defektbereich 414 kann Bereiche 412 mit Differenzen umfassen, die größer als der Wert sind, wobei diese Bereiche ebenfalls so angeordnet sind, dass Spalten und Zeilen entstehen. Bei diesen Ausführungsformen wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Spalte an seiner rechten Seite und eine Spalte an seiner linken Seite umfasst. In ähnlicher Weise wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Zeile an seiner oberen Seite und eine Zeile an seiner unteren Seite umfasst. Folglich wird ein Defektbereich 416 gegenüber dem potentiellen Defektbereich 414 vergrößert. Außerdem hat der Defektbereich 416 eine Breite entlang der ersten Richtung D1 und eine Länge entlang der zweiten Richtung D2. Bei einigen Ausführungsformen sind die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Fläche des Defektbereichs 416 auf etwa 2 × 2 µm² bis 0,1 × 0,1 µm² vergrößert. Es ist zu beachten, dass wenn der Defektbereich 416 kleiner als 2 × 2 µm² oder größer als 10 × 10 µm² ist, die Defektkontrolle beeinträchtigt werden kann, was später beschrieben wird.As in 19 As shown, the potential defect area 414 is increased. In some embodiments, the areas 412 are arranged along columns and rows, as discussed above, and the potential defect area 414 may include areas 412 with differences greater than the value, which areas are also arranged in columns and rows develop. In these embodiments, the potential defect area 414 is enlarged to include at least one column on its right side and one column on its left side. Similarly, the potential defect area 414 is enlarged to include at least one line on its upper side and one line on its lower side. Consequently, a defect area 416 is enlarged compared to the potential defect area 414 . In addition, the defect region 416 has a width along the first direction D1 and a length along the second direction D2. In some embodiments, the width and the length are substantially the same. In some embodiments, an area of the defect region 416 is increased to approximately 2×2 μm ² to 0.1×0.1 μm ² . Note that if the defect area 416 is smaller than 2×2 μm ² or larger than 10×10 μm ² , defect control may be impaired, which will be described later.

In einem Schritt 305 werden eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe definiert, wobei diese Gruppen jeweils mindestens einen ersten Bereich oder mindestens einen zweiten Bereich haben, wobei die Bereiche in ein und derselben Gruppe Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.In a step 305 a first group, a second group and an nth group are defined, these groups each having at least a first range or at least a second range, the ranges in one and the same group having differences in one and the same range and areas in different groups that have differences in different areas.

Wie in 20 gezeigt ist, werden bei einigen Ausführungsformen die Bereiche 412 entsprechend den Differenzen in die erste Gruppe G1 und die zweite Gruppe G2 eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 412 entsprechend der Differenz gemäß der vorstehenden Tabelle 1 erfolgen.As in 20 As shown, in some embodiments, the regions 412 are divided into the first group G1 and the second group G2 according to the differences. In some embodiments, the division of the regions 412 according to the difference can be done according to Table 1 above.

Gemäß Tabelle 1 sind Bereiche vorgesehen, und Bereiche 412 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in die gleiche Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1 und die zweite Gruppe G2 jeweils mindestens einen Bereich 412. Außerdem haben die Bereiche 412 in der gleichen Gruppe die Differenzen in dem gleichen Bereich, und Bereiche 412 in unterschiedlichen Gruppen haben die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen. Zum Beispiel hat der Bereich 412 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, und der Bereich 412 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, wie in 20 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Absolutwert der ersten Differenz kleiner als ein Absolutwert der zweiten Differenz, und ein Absolutwert der (n-1)-ten Differenz ist kleiner als ein Absolutwert der n-ten Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.According to Table 1, areas are provided, and areas 412 having differences in the same area are classified into the same group. In some embodiments, the first group G1 and the second group G2 each have at least one range 412. Also, the ranges 412 in the same group have the differences in the same range, and ranges 412 in different groups have the differences in different ranges. For example, area 412 in the first group G1 has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, and area 412 in the second group G2 has a second difference between its grayscale value and the grayscale reference, as in 20 is shown. In some embodiments, as indicated in Table 1, an absolute value of the first difference is less than an absolute value of the second difference and an absolute value of the (n-1)th difference is less than an absolute value of the nth difference.

In einem Schritt 306 wird eine erste Berechnung durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste Berechnung entsprechend der folgenden Gleichung (2) durchgeführt: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\dots }}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3\dots }}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Gewichtsfaktor e₁ kleiner als der zweite Gewichtsfaktor e₂, und der (n-1)-te Gewichtsfaktor e_(n-1) ist kleiner als der n-te Gewichtsfaktor e_n, wie in Tabelle 1 angegeben ist.In a step 306, a first calculation is performed to obtain a point value. In some embodiments, the first calculation is performed according to equation (2) below: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0027.png,DE102020114143B4\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0029.png,DE102020114143B4\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}3}\right|+...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0027.png,DE102020114143B4\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{1,}\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0029.png,DE102020114143B4\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{2,}\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143B4\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}3...}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e ₁ is a first weight factor, e ₂ is a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _n is an nth weight factor. In some embodiments, as indicated in Table 1, the first weighting factor e ₁ is less than the second weighting factor e ₂ and the (n-1)th weighting factor e _(n-1) is less than the nth weighting factor e _n .

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 20 angegebenen Differenzen wie folgt in der Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws}=\frac{\left(1\times 16\right)\times \mathrm{0,9}+\left(70\times 9\right)\times \mathrm{0,95}}{1\times 16+70\times 9}=\mathrm{0,949.}$$

For example, in some embodiments, the 20 specified differences are used in the calculation as follows: $$\text{Ws}=\frac{\left(1\times 16\right)\times 0.9+\left(70\times 9\right)\times 0.95}{1\times 16+70\times 9}=\mathrm{0.949.}$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (2) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforesaid equation (2).

In einem Schritt 307a wird ermittelt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In einem Schritt 307b wird ermittelt, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In a step 307a, it is determined that the substrate has a complicated defect when the point value Ws is larger than a value. In a step 307b, it is determined that the substrate has no complicated defect if the point value Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Daher wird festgestellt, dass ein komplizierter Defekt vorhanden ist, wenn der Punktwert Ws 0,949 ist, was größer als 0,92 ist. Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Graustufenwerten des Bereichs 412 des Bilds 410 und den Graustufenwerten der Graustufenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM2 nach den Herstellungsprozessen und einem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM zeigen kann. Eine größere Differenz kann darauf hinweisen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM2, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem Oberflächenzustand unterscheidet, der bei einem ähnlichen Vergleich zu finden ist, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Graustufenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann das Vorhandensein des komplizierten Defekts leicht ermittelt werden.In some embodiments, the value may be 0.92. Therefore, it is determined that there is a complicated defect when the point value Ws is 0.949, which is larger than 0.92. It should be noted that the difference between the gray level values of the region 412 of the image 410 and the gray level values of the gray level reference can show a deviation between a surface state of the structures on the photomask PM2 after the manufacturing processes and a desired surface state of the desired photomask d-PM. A larger difference may indicate that the surface condition of the photomask PM2 being inspected is more different than the surface condition found in a similar comparison showing a smaller difference. Also, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray level value by the weighting factor. Therefore, the existence of the complicated defect can be easily determined.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein Aufsicht-Bild-Messsystem (AIMS) verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den ESD-Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch Optical Proximity Correction (OPC), Maskenfehler-Verbesserungsfaktor (MEEF) und Masken-3D-Effekt-Informationen, bieten kann. Bei einigen Ausführungsformen kann das AIMS zum nochmaligen Prüfen des komplizierten Defekts verwendet werden.In some embodiments, an overhead image measurement system (AIMS) is used when the substrate is determined to have the ESD defect. The AIMS is a measurement methodology that offers a way of simulating the result of an exposure on a substrate, i. H. a photomask substrate, including through optical proximity correction (OPC), mask error enhancement factor (MEEF), and mask 3D effect information. In some embodiments, the AIMS can be used to retest the complicated defect.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle weitere Schritte (308, 309a und 309b) umfassen. Diese Schritte werden anhand einer oder mehrerer Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 300 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 300 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden.In some embodiments, the defect control method 300 may include additional steps (308, 309a, and 309b). These steps are described in more detail based on one or more embodiments. It should be noted that the steps of the defect control method 300 may be rearranged or otherwise modified within the scope of the various aspects. It should also be noted that other processes may be provided before, during, and after the method 300, and that some other processes may only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described herein.

In dem Schritt 308 wird eine zweite Berechnung durchgeführt, um eine grafische Darstellung zu erhalten.In step 308, a second calculation is performed to obtain a graphical representation.

Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Berechnung eine erste Ableitung von Gleichung (2). Bei einigen Ausführungsformen kann eine grafische Darstellung, die das Ergebnis der zweiten Berechnung darstellt, erhalten werden, wie in 21B gezeigt ist. In 21B gibt die Abszissenachse Positionen der Bereiche 412 an, die bei der ersten und der zweiten Berechnung verwendet werden, und die Ordinatenachse gibt die Graustufenwerte an.In some embodiments, the second calculation is a first derivative of equation (2). In some embodiments, a graphical representation representing the result of the second calculation can be obtained, as in 21B is shown. In 21B the axis of abscissas indicates positions of the regions 412 used in the first and second calculations, and the axis of ordinates indicates the gray level values.

In dem Schritt 309a wird ermittelt, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. In dem Schritt 309b wird ermittelt, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind.In step 309a, it is determined that the substrate has a shield layer expansion defect when two peaks are seen in the plot. In step 309b, the substrate is determined to have a hardmask layer/shield layer extension defect if more than two peaks are seen in the plot.

Wie in 21B gezeigt ist, wird ermittelt, dass die Fotomaske PM2 einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, da zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. Dementsprechend kann nicht nur das Vorhandensein des komplizierten Defekts ermittelt werden, sondern es kann auch die Art des komplizierten Defekts (d. h., der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt) identifiziert werden.As in 21B 1, it is determined that the photomask PM2 has a shield layer expansion defect since two peaks are seen in the graph. Accordingly, not only the presence of the complicated defect can be determined, but also the type of the complicated defect (ie, the shielding layer extension defect) can be identified.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann nach dem Identifizieren des Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts ein AIMS verwendet werden, um den Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt nochmals zu prüfen. Bei einigen Ausführungsformen können weitere Schritte durchgeführt werden, um die unnötige Abschirmschicht zu entfernen. Zum Beispiel kann ein Entfernungsschritt durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen können Ätzgase wie Cl₂, SnCl₄, NOCl, NO₂Cl, CCl₄ oder andere geeignete Gase für den Entfernungsschritt verwendet werden.As discussed above, after identifying the shield layer extension defect, an AIMS can be used to re-inspect the shield layer extension defect. In some embodiments, additional steps may be performed to remove the unnecessary shielding layer. For example, a removal step can be performed. At some In embodiments, etching gases such as Cl ₂ , SnCl ₄ , NOCl, NO ₂ Cl, CCl ₄ or other suitable gases may be used for the removal step.

Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle kann weiterhin zum Identifizieren des Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts verwendet werden. Zum Beispiel können bei weiteren Ausführungsformen die Schritte 301 bis 303 durchgeführt werden, um einen potentiellen Defektbereich 414 zu identifizieren, wie in 22 gezeigt ist.The defect inspection method 300 can further be used to identify the hardmask layer/shield layer extension defect. For example, in other embodiments, steps 301 through 303 may be performed to identify a potential defect area 414, as shown in FIG 22 is shown.

Wie in 23 gezeigt ist, wird in dem Schritt 304 der potentielle Defektbereich 414 vergrößert. Bei einigen Ausführungsformen sind die Bereiche 412 entlang Spalten und Zeilen angeordnet, wie vorstehend dargelegt worden ist, und der potentielle Defektbereich 414 kann Bereiche 412 mit Differenzen umfassen, die größer als der Wert sind, wobei diese Bereiche ebenfalls so angeordnet sind, dass Spalten und Zeilen entstehen. Bei diesen Ausführungsformen wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Spalte an seiner rechten Seite und eine Spalte an seiner linken Seite umfasst. In ähnlicher Weise wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Zeile an seiner oberen Seite und eine Zeile an seiner unteren Seite umfasst. Folglich ist ein Defektbereich 416 größer als der potentielle Defektbereich 414. Außerdem hat der Defektbereich 416 eine Breite entlang der ersten Richtung D1 und eine Länge entlang der zweiten Richtung D2. Bei einigen Ausführungsformen sind die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Fläche des Defektbereichs 416 auf etwa 2 × 2 µm² bis 0,1 × 0,1 µm² vergrößert. Es ist zu beachten, dass wenn der Defektbereich 416 kleiner als 2 × 2 µm² oder größer als 10 × 10 µm² ist, die Defektkontrolle beeinträchtigt werden kann, was später beschrieben wird.As in 23 As shown, in step 304 the potential defect area 414 is enlarged. In some embodiments, the areas 412 are arranged along columns and rows, as discussed above, and the potential defect area 414 may include areas 412 with differences greater than the value, which areas are also arranged in columns and rows develop. In these embodiments, the potential defect area 414 is enlarged to include at least one column on its right side and one column on its left side. Similarly, the potential defect area 414 is enlarged to include at least one line on its upper side and one line on its lower side. Consequently, a defect area 416 is larger than the potential defect area 414. In addition, the defect area 416 has a width along the first direction D1 and a length along the second direction D2. In some embodiments, the width and the length are substantially the same. In some embodiments, an area of the defect region 416 is increased to approximately 2×2 μm ² to 0.1×0.1 μm ² . Note that if the defect area 416 is smaller than 2×2 μm ² or larger than 10×10 μm ² , defect control may be impaired, which will be described later.

In dem Schritt 305 werden eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe definiert, wobei diese Gruppen jeweils mindestens einen ersten Bereich oder mindestens einen zweiten Bereich haben, wobei die Bereiche in ein und derselben Gruppe Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.In step 305 a first group, a second group and an nth group are defined, these groups each having at least a first range or at least a second range, the ranges in one and the same group having differences in one and the same range and areas in different groups that have differences in different areas.

Wie in 24 gezeigt ist, werden bei einigen Ausführungsformen die Bereiche 412 entsprechend den Differenzen in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die dritte Gruppe G3 eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 412 entsprechend den Differenzen gemäß der vorstehenden Tabelle 1 erfolgen.As in 24 1, in some embodiments the regions 412 are divided into the first group G1, the second group G2, and the third group G3 according to the differences. In some embodiments, the division of the regions 412 can be made according to the differences according to Table 1 above.

Gemäß Tabelle 1 sind Bereiche vorgesehen, und Bereiche 412 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in ein und dieselbe Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn jeweils mindestens einen Bereich 412. Außerdem haben die Bereiche 412 in der gleichen Gruppe die Differenzen in dem gleichen Bereich, und Bereiche 412 in unterschiedlichen Gruppen haben die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen. Zum Beispiel hat der Bereich 412 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, der Bereich 412 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, und der Bereich 412 in der dritten Gruppe G3 hat eine dritte Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz, wie in 24 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Absolutwert der ersten Differenz kleiner als ein Absolutwert der zweiten Differenz, und ein Absolutwert der (n-1)-ten Differenz ist kleiner als ein Absolutwert der n-ten Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.According to Table 1, areas are provided, and areas 412 having differences in the same area are classified into one and the same group. In some embodiments, the first group G1, the second group G2, and the nth group Gn each have at least one area 412. Also, areas 412 in the same group have the differences in the same area, and areas 412 in different groups have the differences in different areas. For example, area 412 in the first group G1 has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, area 412 in the second group G2 has a second difference between its grayscale value and the grayscale reference, and area 412 in the third group G3 has a third difference between its grayscale value and the grayscale reference, as in 24 is shown. In some embodiments, as indicated in Table 1, an absolute value of the first difference is less than an absolute value of the second difference and an absolute value of the (n-1)th difference is less than an absolute value of the nth difference.

In dem Schritt 306 wird eine erste Berechnung durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste Berechnung entsprechend Gleichung (2) durchgeführt.In step 306, a first calculation is performed to obtain a point value. In some embodiments, the first calculation is performed according to equation (2).

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 24 angegebenen Differenzen wie folgt in der ersten Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws}=\frac{\left|\left(1\times 16\right)\times \mathrm{0,9}\right|+\left|\left(-60\times 6\right)\times \mathrm{0,925}\right|+\left|\left(70\times 3\right)\times \mathrm{0,95}\right|}{1\times 16+70\times 9}=\mathrm{0,93.}$$

For example, in some embodiments, the 24 specified differences are used in the first calculation as follows: $$\text{Ws}=\frac{\left|\left(1\times 16\right)\times 0.9\right|+\left|\left(-60\times 6\right)\times 0.925\right|+\left|\left(70\times 3\right)\times 0.95\right|}{1\times 16+70\times 9}=\mathrm{0.93.}$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (2) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforesaid equation (2).

In dem Schritt 307a wird ermittelt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In dem Schritt 307b wird ermittelt, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In step 307a, it is determined that the substrate has a complicated defect when the point value Ws is larger than a value. In step 307b, it is determined that the substrate does not have a complicated defect if the point value Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Daher wird festgestellt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws 0,93 ist, was größer als 0,92 ist. Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Graustufenwerten des Bereichs 412 des Bilds 410 und den Graustufenwerten der Graustufenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM2 nach den Herstellungsprozessen und einem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM zeigen kann. Eine größere Differenz kann darauf hinweisen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM2, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM unterscheidet als der Oberflächenzustand, der bei einem ähnlichen Vergleich zu finden ist, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Graustufenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann der komplizierte Defekt leicht identifiziert werden.In some embodiments, the value may be 0.92. Therefore, the substrate is judged to have a complicated defect when the point value Ws is 0.93, which is larger than 0.92. It should be noted that the difference between the gray level values of the region 412 of the image 410 and the gray level values of the gray level reference can show a deviation between a surface state of the structures on the photomask PM2 after the manufacturing processes and a desired surface state of the desired photomask d-PM. A larger difference may indicate that the surface condition of photomask PM2 being inspected differs more from the desired surface condition of desired photomask d-PM than the surface condition found in a similar comparison showing a smaller difference . Also, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray level value by the weighting factor. Therefore, the complicated defect can be easily identified.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein AIMS verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den komplizierten Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch OPC, MEEF und 3D-Effekt-Informationen, bieten kann.In some embodiments, an AIMS is used when the substrate is determined to have the complicated defect. The AIMS is a measurement methodology that offers a way of simulating the result of an exposure on a substrate, i. H. a photomask substrate, including through OPC, MEEF and 3D effect information.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Schritt 308 ausgeführt, in dem eine zweite Berechnung durchgeführt wird, um eine grafische Darstellung zu erhalten.In some embodiments, step 308 is performed in which a second calculation is performed to obtain a graphical representation.

Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Berechnung eine erste Ableitung von Gleichung (2). Bei einigen Ausführungsformen kann eine grafische Darstellung, die das Ergebnis der zweiten Berechnung darstellt, erhalten werden, wie in 25B gezeigt ist. In 25B gibt die Abszissenachse Positionen der Bereiche 412 an, die bei der ersten und der zweiten Berechnung verwendet werden, und die Ordinatenachse gibt die Graustufenwerte an.In some embodiments, the second calculation is a first derivative of equation (2). In some embodiments, a graphical representation representing the result of the second calculation can be obtained, as in 25B is shown. In 25B the axis of abscissas indicates positions of the regions 412 used in the first and second calculations, and the axis of ordinates indicates the gray level values.

In dem Schritt 309a wird ermittelt, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. In dem Schritt 309b wird ermittelt, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind.In step 309a, it is determined that the substrate has a shield layer expansion defect when two peaks are seen in the plot. In step 309b, the substrate is determined to have a hardmask layer/shield layer extension defect if more than two peaks are seen in the plot.

Wie in 25B gezeigt ist, wird ermittelt, dass die Fotomaske PM2 einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, da mehr als zwei Spitzenwerte (d. h. vier Spitzenwerte) in der grafischen Darstellung zu sehen sind.As in 25B 1, photomask PM2 is determined to have a hardmask layer/shield layer expansion defect because more than two peaks (ie, four peaks) are seen in the plot.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann nach dem Identifizieren des Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts ein AIMS verwendet werden, um den Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt nochmals zu prüfen. Bei einigen Ausführungsformen können weitere Schritte durchgeführt werden, um die unnötige Hartmaskenschicht und Abschirmschicht zu entfernen. Zum Beispiel kann ein erster Entfernungsschritt durchgeführt werden, um die unnötige Hartmaskenschicht zu entfernen. Bei einigen Ausführungsformen können Ätzgase wie F₂, CF₄, SF₆, SnF₄, XeF₂, I₂ oder andere geeignete Gase für den Entfernungsschritt verwendet werden. Außerdem kann ein zweiter Entfernungsschritt durchgeführt werden, um die unnötige Abschirmschicht zu entfernen. Die Ätzgase, die in dem zweiten Entfernungsschritt verwendet werden, können den vorgenannten Ätzgasen ähnlich sein, und der Kürze halber werden sie nicht nochmals aufgeführt.As discussed above, after identifying the hardmask layer/shielding layer extension defect, an AIMS can be used to re-inspect the hardmask layer/shielding layer extension defect. In some embodiments, additional steps may be performed to remove the unnecessary hard mask layer and shield layer. For example, a first removal step can be performed to remove the unnecessary hard mask layer. In some embodiments, etching gases such as F ₂ , CF ₄ , SF ₆ , SnF ₄ , XeF ₂ , I ₂ or other suitable gases may be used for the removal step. In addition, a second removal step can be performed to remove the unnecessary shielding layer. The etchant gases used in the second removal step may be similar to the etchant gases mentioned above and will not be repeated for the sake of brevity.

Außerdem bedeutet die Feststellung, dass die Fotomaske PM2 keinen komplizierten Defekt aufweist, dass sich keine dünne Schicht 408a und/oder 408b über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 402) gebildet hat. Diese Schichten 408a und/oder 408b können aber tatsächlich über der Struktur entstanden sein, aber sie sind nicht so dick, dass sie die Reflexion ändern, und daher können sie möglicherweise nicht detektiert werden. Daher könnte die Fotomaske PM2 bei einer späteren Belichtung verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Feststellung, dass die Fotomaske PM2 den komplizierten Defekt hat, bedeuten, dass sich eine dünne Schicht 408a und/oder eine dünne Schicht 408b über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 402) gebildet haben, die so dick sind, dass sie die Reflexion ändern, sodass das Belichtungsergebnis verschlechtert wird. Bei einigen Ausführungsformen werden nachfolgende Schritte 308, 309a und 309b durchgeführt, um die Art des vorhandenen komplizierten Defekts zu bestimmen. Dementsprechend kann ein geeigneter Entfernungsschritt durchgeführt werden.Additionally, determining that photomask PM2 does not have a complicated defect means that a thin layer 408a and/or 408b has not formed over the structure (i.e., phase shift layer 402). However, these layers 408a and/or 408b may actually have formed over the structure, but they are not thick enough to alter reflection and therefore may not be detected. Therefore, the photomask PM2 could be used in a later exposure. In some embodiments, determining that photomask PM2 has the compound defect may mean that a thin layer 408a and/or a thin layer 408b has formed over the structure (i.e., phase shifting layer 402) thick enough to they change the reflection so that the exposure result deteriorates. In some embodiments, subsequent steps 308, 309a, and 309b are performed to determine the type of complicated defect present. Accordingly, an appropriate removing step can be performed.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, tritt der komplizierte Defekt auf, wenn sich eine dünne Schicht über der Strukturoberfläche der Fotomaske PM2 bildet. Der komplizierte Defekt ist möglicherweise nicht erkennbar, aber er kann ernsthafte Probleme bei der Belichtung verursachen. Durch Einteilen der Bereiche 412 in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn und durch Bereitstellen unterschiedlicher Gewichtsfaktoren für unterschiedliche Gruppen können die Gruppen, die den komplizierten Defekt haben können, vergrößert werden. Außerdem kann durch Durchführen der ersten Berechnung mit Gleichung (1) der Punktwert Ws, der den Zustand der gesamten Oberfläche darstellen kann, leicht ermittelt werden. Darüber hinaus kann das Vorhandensein des komplizierten Defekts ermittelt werden, wenn der Punktwert Ws größer als der Wert ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Wert einstellbar.As stated above, the complicated defect occurs when a thin film is formed over the pattern surface of the photomask PM2. The complicated defect may not be noticeable, but it can cause serious exposure problems. By dividing the areas 412 into the first group G1, the second group G2, and the nth group Gn, and by providing different weighting factors for different groups, the groups that may have the complicated defect can be increased. In addition, by performing the first calculation with Equation (1), the point value Ws, which can represent the state of the entire surface, can be easily obtained. In addition, when the point value Ws is larger than the value, the presence of the complicated defect can be determined. In some embodiments, the value is adjustable.

Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle kann durchgeführt werden, um den ESD-Defekt zu detektieren. Bei einigen Ausführungsformen stellt das Verfahren 300 zur Defektkontrolle ein Wichtungsmodell bereit. Das Wichtungsmodell unterstützt ein Vergrößern des ESD-Defekts, sodass der ESD-Defekt detektiert werden kann. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren 300 zur Defektkontrolle eine zweite Berechnung, die zum Unterscheiden des Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts von dem Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt beiträgt. Daher können geeignete Entfernungsschritte durchgeführt werden.The defect inspection method 300 may be performed to detect the ESD defect. In some embodiments, the defect control method 300 provides a weighting model. The weighting model supports growing the ESD defect so that the ESD defect can be detected. In some embodiments, the defect control method 300 includes a second calculation that helps distinguish the shield layer extension defect from the hard mask layer/shield layer extension defect. Therefore, appropriate removal steps can be performed.

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Defektkontrolle bereit. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren des ESD-Defekts durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Defektkontrolle eine erste Berechnung. Die erste Berechnung dient zum Vergrößern des ESD-Defekts, sodass der ESD-Defekt ermittelt werden kann. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von komplizierten Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Defektkontrolle zwei Berechnungen. Die erste Berechnung wird zum Ermitteln des Vorhandenseins des komplizierten Defekts durchgeführt, und die zweite Berechnung wird zum Unterscheiden durchgeführt, ob der komplizierte Defekt der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt oder der Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt ist. Dementsprechend können geeignete Entfernungsschritte durchgeführt werden. Mit dem bereitgestellten Verfahren zur Defektkontrolle können die Defekte unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts exakt detektiert und identifiziert werden. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der Kontrolle verbessert werden und die Durchlaufzeit für die Kontrolle kann verkürzt werden. Außerdem können zusätzliche Kosten für die Gerätemodifikation gespart werden.The present invention provides a method for defect control. In some embodiments, the defect control method is performed to detect the ESD defect. In some embodiments, the defect control method includes a first calculation. The first calculation is to enlarge the ESD defect so that the ESD defect can be found. In some embodiments, the defect inspection method is performed to detect complicated defects. In some embodiments, the defect control method includes two calculations. The first calculation is performed to determine the presence of the complicated defect, and the second calculation is performed to discriminate whether the complicated defect is the shielding layer extensional defect or the hardmask layer/shielding layer extensional defect. Accordingly, appropriate removal steps can be performed. With the defect inspection method provided, the defects can be accurately detected and identified using the conventional inspection equipment. Thereby, the reliability of the inspection can be improved and the turnaround time for the inspection can be shortened. In addition, additional costs for device modification can be saved.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Graustufenbilds des Substrats, wobei das Graustufenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Graustufenwert hat; Vergleichen des Graustufenwerts jedes Bereichs mit einer Graustufenreferenz, um eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe zu definieren, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens einen Bereich aufweisen, wobei der Bereich in der ersten Gruppe eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat, der Bereich in der zweiten Gruppe eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat und der Bereich in der n-ten Gruppe eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen ESD-Defekt (ESD: elektrostatische Entladung) hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat.According to one embodiment of the present invention, a defect control method is provided. The method includes the steps of: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures disposed on the surface; obtaining a grayscale image of the substrate, the grayscale image having a plurality of regions, each of the regions having a grayscale value; comparing the grayscale value of each region to a grayscale reference to define a first group, a second group and an nth group, the first group, the second group and the nth group each having at least one region, the region in the first group has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, the region in the second group has a second difference between its grayscale value and the grayscale reference, and the region in the nth group has an nth difference between its grayscale value and the grayscale reference has; performing a calculation according to the first difference, the second difference and the nth difference to obtain a point value; and if the score is greater than a value, determining that the substrate has an ESD (ESD: electrostatic discharge) defect, and if the score is less than the value, determining that the substrate does not have an ESD defect.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein weiteres Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Graustufenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Graustufenbild, wobei der Defektbereich eine Mehrzahl von ersten Bereichen umfasst, wobei jeder der ersten Bereiche einen Graustufenwert und eine Differenz zwischen seinem Graustufenwert und einer Graustufenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat.According to an embodiment of the present invention, another method for defect control is provided. The method includes the steps of: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures disposed on the surface; obtaining a grayscale image of the substrate; defining a defect area in the grayscale image, the defect area comprising a plurality of first areas, each of the first areas having a grayscale value and a difference between its grayscale value and a grayscale reference; performing a calculation to obtain a point value; and if the score is greater than a value, determining that the substrate has a complicated defect, and if the score is less than the value, determining that the substrate does not have a complicated defect.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein weiteres Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Graustufenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Graustufenbild, wobei der Defektbereich mindestens einen ersten Bereich und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen umfasst, wobei der erste Bereich und die zweiten Bereiche jeweils einen Graustufenwert und eine Differenz zwischen ihrem Graustufenwert und einer Graustufenreferenz haben; Durchführen einer ersten Berechnung entsprechend den Differenzen zwischen der Graustufenreferenz und dem Graustufenwert jedes der Bereiche in dem Defektbereich, um einen Punktwert zu erhalten; Durchführen einer zweiten Berechnung, um eine grafische Darstellung zu erhalten, wenn der Punktwert größer als ein Wert ist; und wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat.According to an embodiment of the present invention, another method for defect control is provided. The method includes the steps of: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures disposed on the surface; obtaining a grayscale image of the substrate; defining a defect area in the grayscale image, the defect area rich comprises at least a first area and a plurality of second areas, the first area and the second areas each having a gray level value and a difference between their gray level value and a gray level reference; performing a first calculation according to the differences between the gray level reference and the gray level value of each of the areas in the defect area to obtain a score; performing a second calculation to obtain a graphical representation if the point value is greater than a value; and if two peaks can be seen in the plot, determining that the substrate has a shield layer expansion defect, and if more than two peaks can be seen in the plot, determining that the substrate has a hardmask layer/shield layer expansion defect .

Claims (20)

Verfahren (100) zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten (101) eines Substrats (PM1, 200) mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen (202), die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten (102) eines Graustufenbilds (210) des Substrats (PM1, 200), wobei das Graustufenbild (210) eine Mehrzahl von Bereichen (212) aufweist, wobei jeder der Bereiche (212) einen Graustufenwert hat; Vergleichen (103) des Graustufenwerts jedes Bereichs (212) mit einer Graustufenreferenz, um eine erste Gruppe (G1), eine zweite Gruppe (G2) und eine n-te Gruppe (Gn) zu definieren, wobei die erste Gruppe (G1), die zweite Gruppe (G2) und die n-te Gruppe (Gn) jeweils mindestens einen Bereich (212) aufweisen, wobei der Bereich (212) in der ersten Gruppe (G1) eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat, der Bereich (212) in der zweiten Gruppe (G2) eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat und der Bereich (212) in der n-ten Gruppe (Gn) eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat; Durchführen (104) einer Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln (105a), dass das Substrat (PM1, 200) einen ESD-Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln (105b), dass das Substrat (PM1, 200) keinen ESD-Defekt hat.Method (100) for defect control with the following steps: obtaining (101) a substrate (PM1, 200) having a surface and a plurality of structures (202) arranged on the surface; obtaining (102) a grayscale image (210) of the substrate (PM1, 200), the grayscale image (210) having a plurality of regions (212), each of the regions (212) having a grayscale value; comparing (103) the gray level value of each region (212) to a gray level reference to define a first group (G1), a second group (G2) and an nth group (Gn), the first group (G1) being the second group (G2) and the nth group (Gn) each have at least one region (212), the region (212) in the first group (G1) having a first difference between its gray level value and the gray level reference, the region ( 212) in the second group (G2) has a second difference between its gray level value and the gray level reference and the region (212) in the nth group (Gn) has an nth difference between its gray level value and the gray level reference; performing (104) a calculation according to the first difference, the second difference and the nth difference to obtain a point value; and if the score is greater than a value, determining (105a) that the substrate (PM1, 200) has an ESD defect, and if the score is less than the value, determining (105b) that the substrate (PM1, 200 ) has no ESD defect. Verfahren (100) nach Anspruch 1, wobei das Erhalten (102) des Graustufenbilds (210) des Substrats (PM1, 200) weiterhin Folgendes umfasst: Abtasten der Oberfläche des Substrats (PM1, 200) mit einem optischen Kontrollgerät, um Licht zu erzeugen, das von der Oberfläche des Substrats (PM1, 200) reflektiert wird; und Erhalten des Graustufenbilds (210) des Substrats (PM1, 200) entsprechend dem reflektierten Licht.Method (100) according to claim 1 , wherein obtaining (102) the grayscale image (210) of the substrate (PM1, 200) further comprises: scanning the surface of the substrate (PM1, 200) with an optical controller to generate light emitted from the surface of the substrate ( PM1, 200) is reflected; and obtaining the grayscale image (210) of the substrate (PM1, 200) according to the reflected light. Verfahren (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Differenz kleiner als die zweite Differenz ist und eine (n-1)-te Differenz kleiner als die n-te Differenz ist.Method (100) according to claim 1 or 2 , wherein the first difference is less than the second difference and an (n-1)th difference is less than the nth difference. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Berechnung (104) gemäß einer folgenden Gleichung (1) durchgeführt wird: $$\text{Ws}=\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\dots }}{\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3\dots Gn}}}$$

wobei G der individuelle Grauwert in einem ersten Bereich G1, einem zweiten Bereich G2, einem dritten Bereich G3 und einem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Method (100) according to one of the preceding claims, wherein the calculation (104) is carried out according to a following equation (1): $$\text{Ws}=\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+...}}{\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3...Gn}}}$$

where G is the individual gray value in a first area G1, a second area G2, a third area G3 and an nth area Gn, e ₁ is a first weighting factor, e ₂ is a second weighting factor, e ₃ is a third weighting factor and e _n is an nth weight factor. Verfahren (100) nach Anspruch 4, wobei der erste Gewichtsfaktor kleiner als der zweite Gewichtsfaktor ist und ein (n-1)-ter Gewichtsfaktor kleiner als der n-te Gewichtsfaktor ist.Method (100) according to claim 4 , wherein the first weighting factor is less than the second weighting factor and an (n-1)th weighting factor is less than the nth weighting factor. Verfahren (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das weiterhin ein Verwenden eines Aufsicht-Bild-Messsystems umfasst, wenn ermittelt wird, dass das Substrat (PM1, 200) den ESD-Defekt hat.A method (100) according to any one of the preceding claims, further comprising using a top view image measurement system when it is determined that the substrate (PM1, 200) has the ESD defect. Verfahren (300) zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten (301) eines Substrats (PM2, 400) mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen (402), die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten (302) eines Graustufenbilds (410) des Substrats (PM2, 400); Definieren (303, 304, 305) eines Defektbereichs (416) in dem Graustufenbild (410), wobei der Defektbereich (416) eine Mehrzahl von ersten Bereichen (412) umfasst, wobei jeder der ersten Bereiche (412) einen Graustufenwert und eine Differenz zwischen seinem Graustufenwert und einer Graustufenreferenz hat; Durchführen (306) einer Berechnung, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln (307a), dass das Substrat (PM2, 400) einen komplizierten Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln (307b), dass das Substrat (PM2, 400) keinen komplizierten Defekt hat. A method (300) for defect control, comprising the steps of: obtaining (301) a substrate (PM2, 400) having a surface and a plurality of structures (402) arranged on the surface; obtaining (302) a greyscale image (410) of the substrate (PM2, 400); defining (303, 304, 305) a defect area (416) in the grayscale image (410), the defect area realm (416) comprises a plurality of first areas (412), each of said first areas (412) having a gray level value and a difference between its gray level value and a gray level reference; performing (306) a calculation to obtain a point value; and if the score is greater than a value, determining (307a) that the substrate (PM2, 400) has a complicated defect and if the score is less than the value, determining (307b) that the substrate (PM2, 400 ) has no complicated defect. Verfahren (300) nach Anspruch 7, wobei das Definieren (303, 304, 305) des Defektbereichs (416) in dem Graustufenbild (410) weiterhin Folgendes umfasst: Vergleichen (303) des Graustufenbilds (410) mit der Graustufenreferenz, um einen potentiellen Defektbereich (414) zu identifizieren; und Vergrößern (304) des potentiellen Defektbereichs (414) so, dass er eine Mehrzahl von zweiten Bereichen (412) umfasst, um den Defektbereich (416) zu definieren.Method (300) according to claim 7 wherein defining (303, 304, 305) the defect area (416) in the grayscale image (410) further comprises: comparing (303) the grayscale image (410) to the grayscale reference to identify a potential defect region (414); and enlarging (304) the potential defect area (414) to include a plurality of second regions (412) to define the defect area (416). Verfahren (300) nach Anspruch 8, wobei die zweiten Bereiche (412) die ersten Bereiche (412) umschließen.Method (300) according to claim 8 , wherein the second regions (412) enclose the first regions (412). Verfahren (300) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei der Defektbereich (416) eine Breite entlang einer ersten Richtung (D1) und eine Länge entlang einer zweiten Richtung (D2) hat, wobei die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß sind.Method (300) according to any one of Claims 7 until 9 , wherein the defect region (416) has a width along a first direction (D1) and a length along a second direction (D2), the width and the length being substantially equal. Verfahren (300) nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Definieren (303, 304, 305) des Defektbereichs (416) in dem Graustufenbild (410) weiterhin ein Definieren (305) einer ersten Gruppe (G1), einer zweiten Gruppe (G2) und einer n-ten Gruppe (Gn) umfasst, wobei die erste Gruppe (G1), die zweite Gruppe (G2) und die n-te Gruppe (Gn) jeweils mindestens einen ersten Bereich (412) oder mindestens einen zweiten Bereich (412) haben, wobei Bereiche (412) in ein und derselben Gruppe die Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche (412) in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.Method (300) according to any one of Claims 7 until 9 , wherein defining (303, 304, 305) the defect region (416) in the grayscale image (410) further comprises defining (305) a first group (G1), a second group (G2) and an nth group (Gn) comprises, wherein the first group (G1), the second group (G2) and the nth group (Gn) each have at least one first area (412) or at least one second area (412), wherein areas (412) in a and the same group that have differences in one and the same area and areas (412) in different groups that have differences in different areas. Verfahren (300) nach Anspruch 10, wobei die erste Berechnung gemäß einer folgenden Gleichung (2) durchgeführt wird: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\dots }}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3\dots }}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Method (300) according to claim 10 , where the first calculation is performed according to an equation (2) below: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3...}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e ₁ is a first weight factor, e ₂ is a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _n is an nth weight factor. Verfahren (300) nach Anspruch 12, wobei der erste Gewichtsfaktor kleiner als der zweite Gewichtsfaktor ist und ein (n-1)-ter Gewichtsfaktor kleiner als der n-te Gewichtsfaktor ist.Method (300) according to claim 12 , wherein the first weighting factor is less than the second weighting factor and an (n-1)th weighting factor is less than the nth weighting factor. Verfahren (300) nach Anspruch 12 oder 13, das weiterhin Folgendes umfasst: Erhalten (308) einer Ableitung einer ersten Ordnung von Gleichung (2); und Zeichnen einer grafischen Darstellung der Ableitung der ersten Ordnung.Method (300) according to claim 12 or 13 further comprising: obtaining (308) a first order derivative of equation (2); and plotting a graph of the first-order derivative. Verfahren (300) nach Anspruch 14, wobei in dem Fall, dass zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, ermittelt wird, dass das Substrat (PM2, 400) einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und in dem Fall, dass mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, ermittelt wird, dass das Substrat (PM2, 400) einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat.Method (300) according to Claim 14 , determining that the substrate (PM2, 400) has a shield layer extension defect in the event that two peaks are seen in the plot, and in the event that more than two peaks are seen in the plot are determined that the substrate (PM2, 400) has a hard mask layer/shield layer extension defect. Verfahren (300) zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten (301) eines Substrats (PM2, 400) mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen (402), die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten (302) eines Graustufenbilds (410) des Substrats (PM2, 400); Definieren (303, 304, 305) eines Defektbereichs (416) in dem Graustufenbild (410), wobei der Defektbereich (416) mindestens einen ersten Bereich (412) und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen (412) umfasst, wobei der erste Bereich (412) und die zweiten Bereiche (412) jeweils einen Graustufenwert und eine Differenz zwischen ihrem Graustufenwert und einer Graustufenreferenz haben; Durchführen (306) einer ersten Berechnung entsprechend den Differenzen zwischen der Graustufenreferenz und dem Graustufenwert jedes der Bereiche (412) in dem Defektbereich, um einen Punktwert zu erhalten; Durchführen (308) einer zweiten Berechnung, um eine grafische Darstellung zu erhalten, wenn der Punktwert größer als ein Wert ist; und wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln (309b), dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln (309b), dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat. A method (300) for defect control, comprising the steps of: obtaining (301) a substrate (PM2, 400) having a surface and a plurality of structures (402) arranged on the surface; obtaining (302) a greyscale image (410) of the substrate (PM2, 400); Defining (303, 304, 305) a defect area (416) in the grayscale image (410), the defect area (416) comprising at least a first area (412) and a plurality of second areas (412), the first area (412 ) and the second areas (412) each have a gray level value and a difference between their grayscale value and a grayscale reference; performing (306) a first calculation according to the differences between the gray level reference and the gray level value of each of the areas (412) in the defect area to obtain a point value; performing (308) a second calculation to obtain a graphical representation if the point value is greater than a value; and if two peaks are seen in the plot, determining (309b) that the substrate has a shield layer expansion defect, and if more than two peaks are seen in the plot, determining (309b) that the substrate has a hard mask layer -/shielding layer expansion defect. Verfahren (300) nach Anspruch 16, wobei das Definieren (303, 304, 305) des Defektbereichs (416) in dem Graustufenbild (410) weiterhin Folgendes umfasst: Vergleichen (303) des Graustufenbilds (410) mit der Graustufenreferenz, um einen potentiellen Defektbereich (414) zu identifizieren, der mindestens den ersten Bereich (412) umfasst; und Vergrößern (304) des potentiellen Defektbereichs (414) so, dass er die zweiten Bereiche (412) umfasst, um den Defektbereich (416) zu definieren.Method (300) according to Claim 16 , wherein defining (303, 304, 305) the defect area (416) in the grayscale image (410) further comprises: comparing (303) the grayscale image (410) to the grayscale reference to identify a potential defect region (414) that at least the first region (412); and enlarging (304) the potential defect area (414) to include the second regions (412) to define the defect area (416). Verfahren (300) nach Anspruch 16 oder 17, das weiterhin ein Vergleichen (305) des Graustufenwerts jedes Bereichs (412) mit der Graustufenreferenz umfasst, um eine erste Gruppe (G1), eine zweite Gruppe (G2) und eine n-te Gruppe (Gn) zu definieren, wobei die erste Gruppe (G1), die zweite Gruppe (G2) und die n-te Gruppe (Gn) jeweils mindestens den ersten Bereich (412) oder die zweiten Bereiche (412) umfassen, wobei jeder der Bereiche (412) in der ersten Gruppe (G1) eine erste Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat, jeder der Bereiche (412) in der zweiten Gruppe (G2) eine zweite Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat und jeder der Bereiche (412) in der n-ten Gruppe (Gn) eine n-te Differenz zwischen seinem Graustufenwert und der Graustufenreferenz hat.Method (300) according to Claim 16 or 17 , further comprising comparing (305) the gray level value of each region (412) to the gray level reference to define a first group (G1), a second group (G2) and an nth group (Gn), the first group (G1), the second group (G2) and the nth group (Gn) each comprise at least the first region (412) or second regions (412), each of the regions (412) in the first group (G1) has a first difference between its gray level value and the gray level reference, each of the areas (412) in the second group (G2) has a second difference between its gray level value and the gray level reference, and each of the areas (412) in the nth group (Gn) has an nth difference between its grayscale value and the grayscale reference. Verfahren (300) nach Anspruch 18, wobei die erste Berechnung (306) gemäß einer folgenden Gleichung (3) durchgeführt wird: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\dots }}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3\dots }}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in einem ersten Bereich G1, einem zweiten Bereich G2, einem dritten Bereich G3 und einem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Method (300) according to Claim 18 , wherein the first calculation (306) is performed according to an equation (3) below: $$W_s=\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G3...}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in a first area G1, a second area G2, a third area G3 and an nth area Gn, e ₁ is a first weight factor, e ₂ is a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _n is an nth weight factor. Verfahren (300) nach Anspruch 18 oder 19, wobei die zweite Berechnung (308) eine Ableitung erster Ordnung von Gleichung (3) ist.Method (300) according to Claim 18 or 19 , wherein the second calculation (308) is a first-order derivative of equation (3).

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