DE102020114143A1 - DEFECT CONTROL PROCEDURES - Google Patents

Abstract

Ein Verfahren zur Defektkontrolle weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Mehrzahl von Strukturen; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats, wobei das Grauskalenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Grauskalenwert hat; Vergleichen des Grauskalenwerts jedes Bereichs mit einer Grauskalenreferenz, um eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe zu definieren, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens einen Bereich haben; Durchführen einer Berechnung, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen ESD-Defekt (ESD: elektrostatische Entladung) hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat.A method of defect control comprises the steps of: obtaining a substrate having a plurality of structures; Obtaining a gray scale image of the substrate, the gray scale image having a plurality of areas, each of the areas having a gray scale value; Comparing the grayscale value of each area to a grayscale reference to define a first group, a second group, and an n-th group, the first group, the second group, and the n-th group each having at least one area; Performing a calculation to obtain a point value; and if the point value is larger than a value, determining that the substrate has an ESD (ESD: Electrostatic Discharge) defect, and if the point value is smaller than the value, determining that the substrate has no ESD defect.

Description

PrioritätsangabenPriority information

Das vorliegende Patent beansprucht die Priorität der am 27. September 2019 eingereichten vorläufigen US-Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 62/907.459, die durch Bezugnahme aufgenommen ist.This patent claims priority to U.S. Provisional Patent Application No. 62 / 907,459, filed September 27, 2019, which is incorporated by reference.

Hintergrundbackground

Die IC-Industrie (IC: integrierter Halbleiter-Schaltkreis) hat in den letzten Jahrzehnten ein rasches Wachstum erfahren. Technologische Fortschritte bei Halbleitermaterialien und -Entwürfen haben immer kleinere und komplexere Schaltkreise hervorgebracht. Diese Fortschritte bei Materialien und Entwürfen sind möglich geworden, weil auch die Technologien für die Bearbeitung und Herstellung technische Fortschritte erfahren haben. Im Laufe der Halbleiter-Evolution hat die Anzahl von miteinander verbundenen Bauelementen je Flächeneinheit zugenommen, da die Größe der kleinsten Komponente, die zuverlässig erzeugt werden kann, abgenommen hat.The IC industry (IC: Integrated Semiconductor Circuit) has experienced rapid growth over the past few decades. Technological advances in semiconductor materials and designs have produced increasingly smaller and more complex circuits. These advances in materials and design have become possible because the technologies for machining and manufacturing have advances in technology. In the course of semiconductor evolution, the number of interconnected components per unit area has increased as the size of the smallest component that can be reliably produced has decreased.

Die Halbleiterherstellung beruht stark auf dem Prozess der Fotolithografie, bei dem Licht mit einer gegebenen Frequenz zum Übertragen einer gewünschten Struktur auf einen Wafer verwendet wird, der eine Halbleiterbearbeitung durchläuft. Zum Übertragen der Struktur auf den Wafer wird häufig eine Fotomaske (die auch als eine Maske oder ein Retikel bezeichnet wird) verwendet. Die Fotomaske lässt Licht in einer gewünschten Struktur auf eine Schicht auf dem Wafer, wie etwa eine Fotoresistschicht (PR-Schicht), die auf die Belichtung chemisch reagiert, sodass einige Teile des Fotoresists entfernt werden und andere Teile bestehen bleiben. Das verbliebene Fotoresist wird dann zum Strukturieren einer tieferliegenden Schicht verwendet. Da die Strukturgrößen abgenommen haben, hat auch die Wellenlänge des Lichts, das bei der Fotolithografie zum Strukturieren von Schichten verwendet wird, abgenommen, sodass weitere Schwierigkeiten entstehen und technologische Fortschritte erforderlich sind, wie etwa die Verwendung von extremem Ultraviolett (EUV) als eine Lichtquelle und der Einsatz von Phasenverschiebungsmasken. Es ist wichtig, die Fotomasken zu verbessern, um anhaltende Fortschritte in der Industrie zu ermöglichen, insbesondere da Defekte in der strukturierten Schicht während späterer Bearbeitungsschritte bei der Herstellung von HalbleiterBauelementen und integrierten Schaltkreisen vergrößert werden können. Daher sind Verbesserungen bei Fotomasken, unter anderem Verbesserungen bei der Defektkontrolle, erforderlich.Semiconductor manufacture relies heavily on the process of photolithography, in which light at a given frequency is used to transfer a desired structure onto a wafer that is undergoing semiconductor processing. A photomask (also referred to as a mask or a reticle) is often used to transfer the structure to the wafer. The photomask allows light in a desired pattern onto a layer on the wafer, such as a photoresist (PR) layer, which reacts chemically to exposure so that some parts of the photoresist are removed and other parts remain. The remaining photoresist is then used to structure a deeper layer. As feature sizes have decreased, the wavelength of light used to pattern layers in photolithography has also decreased, so that further difficulties arise and technological advances are required, such as the use of extreme ultraviolet (EUV) as a light source and the use of phase shift masks. It is important to improve the photomasks to enable continued advancements in the industry, particularly as defects in the patterned layer can be enlarged during later processing steps in the manufacture of semiconductor devices and integrated circuits. Therefore, improvements in photomasks, including improvements in defect control, are needed.

FigurenlisteFigure list

Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

• 1 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt.
• 2 ist eine Schnittansicht einer Fotomaske gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung.
• Die 3 bis 5 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 6 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt.
• Die 7 bis 14A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 14B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt.
• Die 15 und 16A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 16B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt.
• Die 17 bis 20 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 21A ist ein Teil eines Grauskalenbilds der Fotomaske.
• 21B ist eine grafische Darstellung, die ein Berechnungsergebnis gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt.
• Die 22 bis 24 sind schematische Darstellungen der Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen.
• 25A ist ein Teil eines Grauskalenbilds der Fotomaske.
• 25B ist eine grafische Darstellung, die ein Berechnungsergebnis gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren Ausführungsformen darstellt.

Aspects of the present invention can be best understood from the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. It should be noted that, in accordance with common industry practice, various elements are not drawn to scale. Rather, for the sake of clarity of the discussion, the dimensions of the various elements can be enlarged or reduced as desired.

• 1 Figure 3 is a flow diagram illustrating a method for defect control in accordance with aspects of the present invention.
• 2 Figure 3 is a cross-sectional view of a photomask in accordance with aspects of the present invention.
• The 3 to 5 Fig. 13 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 6th Figure 3 is a flow diagram illustrating a method for defect control in accordance with aspects of the present invention.
• The 7th to 14A 13 are schematic representations showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments; 14B Fig. 13 is a schematic diagram showing a desired photomask.
• The 15th and 16A 13 are schematic representations showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments; 16B Fig. 13 is a schematic diagram showing a desired photomask.
• The 17th to 20th Fig. 13 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 21A is part of a grayscale image of the photomask.
• 21B FIG. 13 is a graph illustrating a calculation result in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• The 22nd to 24 Fig. 13 are schematic representations of the photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.
• 25A is part of a grayscale image of the photomask.
• 25B FIG. 13 is a graph illustrating a calculation result in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments.

Detaillierte BeschreibungDetailed description

Die nachstehende Beschreibung liefert viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und sollen nicht beschränkend sein. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt hergestellt werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element hergestellt werden können, sodass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind. Darüber hinaus können in der vorliegenden Erfindung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholt werden. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Übersichtlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.The description below provides many different embodiments or examples for implementing various features of the subject matter provided. Specific examples of components and arrangements are described below in order to simplify the present invention. These are of course only examples and are not intended to be limiting. For example, the manufacture of a first element over or on a second element in the description below may include embodiments in which the first and second elements are made in direct contact, and it can also include embodiments in which additional elements are placed between the first and the second element the second element can be made so that the first and second elements are not in direct contact. In addition, in the present invention, reference numbers and / or letters may be repeated in the various examples. This repetition is for the sake of simplicity and clarity and does not per se prescribe a relationship between the various embodiments and / or configurations discussed.

Die Beschreibung der erläuternden Ausführungsformen soll in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen werden, die als Bestandteil der gesamten Beschreibung anzusehen sind. In der Beschreibung von Ausführungsformen, die hier offenbart werden, dienen Hinweise auf eine Richtung oder Orientierung lediglich der einfachen Beschreibung, und sie sollen den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung in keiner Weise beschränken. Relative Begriffe, wie etwa „untere(r)“, „obere(r)“, „horizontale(r)“, „vertikale(r)“, „oberhalb“, „über“, „unterhalb“, „unter“, „nach oben“, „nach unten“, „oben“, „unten“ usw., sowie deren Ableitungen (z. B. die Adverbien „horizontal“, „nach unten“, „nach oben“ usw.) sollten als Begriffe aufgefasst werden, die sich auf die Orientierung beziehen, wie sie später beschrieben wird oder in der diskutierten Zeichnung gezeigt wird. Diese relativen Begriffe dienen nur der einfachen Beschreibung und erfordern nicht, dass die Vorrichtung in einer bestimmten Orientierung entworfen oder betrieben wird. Begriffe wie „angebracht“, „befestigt“, „verbunden“ oder „miteinander verbunden“ beziehen sich auf eine Beziehung, bei der Strukturen entweder direkt oder indirekt durch Zwischenstrukturen aneinander befestigt oder angebracht sind, sowie auf bewegliche und starre Befestigungen oder Beziehungen, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben. Darüber hinaus werden die Merkmale und Vorzüge der Beschreibung durch Bezugnahme auf die Ausführungsformen erläutert. Daher darf die Beschreibung ausdrücklich nicht auf solche Ausführungsformen beschränkt werden, die einige mögliche nichtbeschränkende Kombinationen von Merkmalen erläutern, die einzeln oder in anderen Kombinationen von Merkmalen vorhanden sein können, sondern der Schutzumfang der Erfindung wird von den beigefügten Ansprüchen definiert.The description of the illustrative embodiments is intended to be read in conjunction with the accompanying drawings, which are to be regarded as part of the entire description. In the description of embodiments disclosed herein, indications of direction or orientation are used for convenience only, and are in no way intended to limit the scope of the present invention. Relative terms such as "lower", "upper", "horizontal", "vertical", "above", "above", "below", "below", " up ”,“ down ”,“ up ”,“ down ”etc., as well as their derivatives (e.g. the adverbs“ horizontal ”,“ down ”,“ up ”etc.) should be understood as terms relating to the orientation as described later or shown in the drawing discussed. These relative terms are used for convenience only and do not require that the device be designed or operated in any particular orientation. Terms such as “attached”, “attached”, “connected” or “connected together” refer to a relationship in which structures are fastened or attached to one another, either directly or indirectly through intermediate structures, and movable and rigid mountings or relationships, if not expressly stated otherwise. In addition, the features and advantages of the description are explained by referring to the embodiments. Therefore, the description is expressly not to be limited to those embodiments which explain some possible non-limiting combinations of features which may be present individually or in other combinations of features, but the scope of protection of the invention is defined by the appended claims.

Ungeachtet dessen, dass die numerischen Bereiche und Parameter, die den breiten Schutzumfang der Erfindung angeben, Näherungswerte sind, sind die in den speziellen Beispielen genannten Zahlenwerte so genau wie möglich angegeben. Ein Zahlenwert enthält jedoch grundsätzlich bestimmte Fehler, die zwangsläufig aus der Standardabweichung resultieren, die sich in den jeweiligen Prüfmesswerten findet. Außerdem bedeutet der hier verwendete Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ im Allgemeinen innerhalb eines Werts oder Bereichs, der von Fachleuten erwogen werden kann. Alternativ bedeutet der Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ innerhalb des zulässigen Standardfehlers des Mittelwerts, wenn er von einem Fachmann betrachtet wird. Fachleute können verstehen, dass sich der zulässige Standardfehler entsprechend unterschiedlichen Technologien ändern kann. Anders als in den Betriebs-/Arbeitsbeispielen, oder wenn nicht ausdrücklich anders angegeben, sollten alle numerischen Bereiche, Mengen, Werte und Prozentsätze, wie etwa für Materialmengen, Zeitdauern, Temperaturen, Betriebsbedingungen, Mengenverhältnisse und dergleichen, die hier angegeben sind, in allen Fällen als durch den Begriff „im Wesentlichen“, „ungefähr“ oder „etwa“ modifiziert aufgefasst werden. Daher sind, wenn nichts Gegenteiliges angegeben ist, die numerischen Parameter, die in der vorliegenden Erfindung und den beigefügten Ansprüchen angegeben sind, Näherungswerte, die bei Bedarf geändert werden können. Zumindest sollte jeder numerische Parameter in Anbetracht der Anzahl von angegebenen signifikanten Zahlen und durch Anwenden von normalen Rundungsverfahren interpretiert werden. Bereiche können hier so dargestellt sein, dass sie von einem Endpunkt bis zu einem anderen Endpunkt reichen oder zwischen zwei Endpunkten liegen. Alle hier genannten Bereiche schließen die Endpunkte ein, wenn nicht anders angegeben.Notwithstanding that the numerical ranges and parameters indicating the broad scope of the invention are approximate, the numerical values given in the specific examples are given as accurately as possible. However, a numerical value basically contains certain errors that inevitably result from the standard deviation found in the respective test measured values. In addition, the term "substantially,""approximately," or "about" as used herein means generally within a value or range that can be contemplated by those skilled in the art. Alternatively, the term "substantially" means "approximately" or "about" within the allowable standard error of the mean when viewed by one of ordinary skill in the art. Those skilled in the art can understand that the allowable standard error can change according to different technologies. Other than in the operating / working examples, or unless expressly stated otherwise, all numerical ranges, amounts, values and percentages, such as for amounts of material, periods of time, temperatures, operating conditions, proportions and the like, which are specified here, should in all cases be understood as modified by the term “substantially”, “approximately” or “approximately”. Therefore, unless otherwise indicated, the numerical parameters recited in the present invention and the appended claims are approximate values which can be changed if necessary. At a minimum, each numeric parameter should be interpreted in light of the number of significant numbers reported and using normal rounding techniques. Areas can be shown here in such a way that they extend from an end point to a reach the other end point or lie between two end points. All areas mentioned here include the endpoints, unless otherwise stated.

Kontrolle ist ein wichtiger Schritt und dient zum Erkennen von Fotomaskendefekten nach Beendigung der Fotomaskenherstellung oder nach der Belichtung. Fotomaskendefekte können in zwei Kategorien eingeteilt werden, und zwar in harte und weiche Defekte. Defekte, die nicht mit Reinigungsschritten beseitigt werden können, werden als harte Defekte bezeichnet, und Defekte, die mit Reinigungsschritten beträgt werden können, werden als weiche Defekte bezeichnet. Harte Defekte sind zum Beispiel globale Konstanzänderungen, Fehldimensionierung und Fehlplatzierung. Wenn harte Defekte gefunden oder identifiziert werden, kann die Fotomaske mit geeigneten Maßnahmen repariert oder nachbearbeitet werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann eine Nachplasmabehandlung durchgeführt werden, wenn Restdefekte, wie etwa Cr-Restdefekte, detektiert werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann ein Ionen- oder ein Elektronenstrahl verwendet werden, wenn lokal begrenzte harte Defekte gefunden werden. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können chemische Lösungen verwendet werden, wenn globale Fehldimensionierungsdefekte gefunden werden. Die reparierte oder nachbearbeitete Fotomaske wird dann erneut kontrolliert, um die Maskenqualität zu gewährleisten. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können jedoch Defektarten wie ESD-Defekte (ESD: elektrostatische Entladung) und komplizierte Defekte nicht gefunden werden, wenn das herkömmliche Kontrollmodell verwendet wird.Inspection is an important step and is used to detect photomask defects after finishing the photomask production or after exposure. Photo mask defects can be divided into two categories, hard and soft defects. Defects that cannot be removed with cleaning steps are called hard defects, and defects that can be removed with cleaning steps are called soft defects. Hard defects are, for example, global changes in constancy, incorrect dimensioning and incorrect placement. If hard defects are found or identified, the photomask can be repaired or reworked with suitable measures. In some comparative embodiments, post-plasma treatment can be performed when residual defects, such as residual Cr defects, are detected. In some comparative embodiments, an ion beam or an electron beam can be used if localized hard defects are found. In some comparative embodiments, chemical solutions can be used if global mis-dimensioning defects are found. The repaired or reworked photo mask is then checked again to ensure the mask quality. However, in some comparative embodiments, types of defects such as electrostatic discharge (ESD) defects and complicated defects cannot be found when the conventional control model is used.

Der ESD-Defekt kann nach dem Belichten auftreten. Während des Belichtens oder während des Übertragens oder Speicherns der Fotomaske kann auf der Fotomaske eine statische Elektrizität entstehen, die tendenziell ein elektrisches Feld auf der Fotomaske erzeugt. Da das elektrische Feld elektrisch geladene Teilchen zu der Fotomaske zieht, wird eine neutralisierende Entladereaktion auf der Oberfläche der Fotomaske ausgelöst, wodurch die Maskenstruktur brennt oder schmilzt. Die ESD-Defekte sind mit den herkömmlichen Kontrollverfahren nicht leicht zu detektieren, da durch die ESD-Defekte eine kaum zu erkennende dünne Schicht auf der Oberfläche entsteht. Dadurch wird die Fotomaske mit den von dem Kontrollgerät unerkannten ESD-Defekten möglicherweise in einem späteren fotolithografischen Prozess verwendet. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann die Struktur auf der fehlerhaften Fotomaske nicht exakt übertragen werden.The ESD defect can occur after exposure. During the exposure or during the transfer or storage of the photomask, static electricity can develop on the photomask, which tends to generate an electric field on the photomask. Since the electric field attracts electrically charged particles to the photomask, a neutralizing discharge reaction is triggered on the surface of the photomask, as a result of which the mask structure burns or melts. The ESD defects are not easy to detect with the conventional control methods, since the ESD defects create a thin layer on the surface that is barely recognizable. As a result, the photomask with the ESD defects undetected by the control device may be used in a later photolithographic process. In some comparative embodiments, the structure on the defective photomask cannot be transferred exactly.

Außer den ESD-Defekten gibt es einen komplizierten Defekt. Der komplizierte Defekt tritt auf, wenn eine Abschirmschicht oder eine Hartmaskenschicht, die eigentlich entfernt werden soll, auf der Fotomaske verbleibt. Der komplizierte Defekt hat zwei Formen. Bei einer Form soll ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt auftreten, wenn die Abschirmschicht an einer Position erscheint, von der sie entfernt werden sollte. Bei einer anderen Defektform soll ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt auftreten, wenn die Hartmaskenschicht, die vollständig von der Fotomaske entfernt werden soll, doch noch vorhanden ist. Die zwei Defektarten werden als komplizierte Defekte bezeichnet, da sowohl der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt als auch der Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bei Verwendung eines herkömmlichen Kontrollgeräts ähnliche Ergebnisse zeigen und es für das Kontrollgerät schwierig ist, zu ermitteln, welche Art von Schicht auf der Fotomaske verbleibt. Es ist zu beachten, dass die Abschirmschicht und die Hartmaskenschicht mit unterschiedlichen Entfernungsprozessen entfernt werden. Wenn ein ungeeigneter Entfernungsprozess verwendet wird, wird die Schicht, die eigentlich entfernt werden soll, nicht entfernt, oder andere Schichten können irrtümlich entfernt werden. Da das Kontrollgerät nicht ermitteln kann, welche Schicht auf der Fotomaske verbleibt, ist ein weiterer Kontrollschritt erforderlich, um den ungeeigneten Entfernungsprozess zu vermeiden. Somit wird bei dem bestehenden Verfahren Durchlaufzeit verschwendet.Besides the ESD defects, there is a complicated defect. The complicated defect occurs when a shield layer or a hard mask layer that is supposed to be removed is left on the photomask. The complex defect has two forms. One form is said to have a hard mask layer / shield layer expansion defect when the shield layer appears in a position from which it should be removed. In another form of defect, a hard mask layer / shield layer expansion defect is said to occur when the hard mask layer that is to be completely removed from the photomask is still present. The two types of defects are referred to as complicated defects because both the shielding layer expansion defect and the hard mask layer / shielding layer expansion defect show similar results when using a conventional monitor, and it is difficult for the monitor to determine what type of film on the photomask remains. It should be noted that the shielding layer and the hard mask layer are removed using different removal processes. If an improper removal process is used, the layer that is intended to be removed will not be removed or other layers may be removed in error. Since the control device cannot determine which layer remains on the photomask, a further control step is required in order to avoid the unsuitable removal process. Thus, lead time is wasted with the existing method.

Daher stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Defektkontrolle bereit. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von ESD-Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen ist bei dem Verfahren zur Defektkontrolle eine erste Berechnung vorgesehen. Die erste Berechnung dient zum Vergrößern des ESD-Defekts, sodass das Vorhandensein des ESD-Defekts ermittelt werden kann. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von komplizierten Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen ist bei dem Verfahren zur Defektkontrolle eine zweite Berechnung vorgesehen. Die zweite Berechnung unterstützt ein Unterscheiden zwischen dem Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt und dem Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt. Daher kann ein geeigneter Entfernungsprozess durchgeführt werden. Mit dem bereitgestellten Verfahren zur Defektkontrolle können die Defekte unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts exakt detektiert und identifiziert werden. Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit der Kontrolle verbessert werden und die Durchlaufzeit kann verkürzt werden. Außerdem können zusätzliche Kosten für die Gerätemodifikation vermieden werden.Therefore, the present invention provides a method for defect control. In some embodiments, the defect control method is performed to detect ESD defects. In some embodiments, a first calculation is provided in the method for defect control. The first calculation is used to enlarge the ESD defect so that the presence of the ESD defect can be determined. In some embodiments, the defect control method is performed to detect complex defects. In some embodiments, a second calculation is provided in the method of defect control. The second calculation helps distinguish between the shield layer expansion defect and the hard mask layer / shield layer expansion defect. Therefore, an appropriate removal process can be performed. With the method provided for defect control, the defects can be precisely detected and identified using the conventional control device. Accordingly, the reliability of the control can be improved and the lead time can be shortened. In addition, additional costs for the device modification can be avoided.

1 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren 100 zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt. Das Verfahren 100 umfasst eine Anzahl von Schritten (101, 102, 103, 104, 105a und 105b). Das Verfahren 100 zur Defektkontrolle wird gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 100 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 100 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden. 1 Figure 3 is a flow chart showing a method 100 for defect control according to aspects of the present invention. The procedure 100 involves a number of steps ( 101 , 102 , 103 , 104 , 105a and 105b ). The procedure 100 for defect control is described in more detail according to one or more embodiments. It should be noted that the steps of the procedure 100 can be rearranged or otherwise modified for defect control within the scope of protection of the various aspects. It should also be noted that there are additional processes before, during and after the procedure 100 can be provided and that some other processes can only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described here.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 100 zur Defektkontrolle in einer Lithografie-Anlage verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Lithografie-Anlage als ein Scanner bezeichnet werden, der so betreibbar ist, dass er eine lithografische Belichtung mit einer jeweiligen Strahlungsquelle und einem jeweiligen Belichtungsmodus durchführt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Lithografie-Anlage eine optische Belichtungsanlage, wie etwa eine I-Linien-Anlage (365 nm), eine DUV-Anlage (DUV: tiefes Ultraviolett, wobei Wellenlängen verwendet werden, die kleiner als 250 nm sind, aber normalerweise etwa 193 nm bis etwa 230 nm betragen), eine EUV-Anlage (EUV: extremes Ultraviolett) oder eine Röntgen-Belichtungsanlage oder eine Geladene-Teilchen-Anlage, wie etwa ein Elektronenstrahlschreiber, sein.In some embodiments, the method 100 can be used for defect control in a lithography system. In some embodiments, the lithography system can be referred to as a scanner that is operable to perform a lithographic exposure with a respective radiation source and a respective exposure mode. In some embodiments, the lithography tool can be an optical exposure tool, such as an I-line (365 nm) tool, a deep ultraviolet (DUV) tool, using wavelengths that are less than 250 nm, but typically around 193 nm to about 230 nm), an EUV system (EUV: extreme ultraviolet) or an X-ray exposure system or a charged particle system such as an electron beam recorder.

In 2, die eine Schnittansicht einer Fotomaske PM1 gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung ist, weist die Fotomaske PM1 ein lichtleitendes Substrat 200 mit einem geeigneten Material auf, wie etwa einem Material mit geringer Wärmeausdehnung (LTEM) oder Quarzglas. In verschiedenen Beispielen ist das LTEM TiO₂-dotiertes SiO₂ oder ein anderes geeignetes Material mit geringer Wärmeausdehnung. Die Fotomaske PM1 weist eine Phasenverschiebungsschicht (PSL) 202 auf, die über dem Substrat 200 hergestellt ist. Die Phasenverschiebungsschicht 202 ist so hergestellt, dass sie weniger als etwa 20 % des einfallenden Lichts durchlässt und eine Phasenverschiebung von etwa 180° in Bezug zu dem durchgelassenen Licht (d. h., dem Licht, das durch das lichtdurchlässige Substrat durchgelassen wird) erzeugt. Bei einigen Ausführungsformen weist die Phasenverschiebungsschicht 202 Molybdänsilizid (MoSi), Molybdän-Silizid-Nitrid (MoSiN), Molybdän-Silizid-Oxidnitrid (MoSiON), Titannidrid, Titan-Siliziumnitrid oder Siliziumnitrid auf, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 eine Abschirmschicht 204 über der Phasenverschiebungsschicht 202 aufweisen. Die Abschirmschicht 204 kann Chrom (Cr) aufweisen und kann weitere Schichten, wie etwa aus Chromoxid, Chromnitrid und Chromoxidnitrid, umfassen. Es werden hier zwar einige Beispiele für Materialien angegeben, die jeweils für das Substrat 200, die Phasenverschiebungsschicht 202 und die Abschirmschicht 204 verwendet werden können, aber es versteht sich, dass andere geeignete Materialien, die auf dem Fachgebiet bekannt sind, ebenso verwendet werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Außerdem kann die Fotomaske PM1 weitere Schichten aufweisen, wie etwa eine rückseitige Belagschicht und/oder einen Antireflexbelag (ARC), die jedoch nicht dargestellt sind. Darüber hinaus können auch weitere Fotomasken-Konfigurationen als die Fotomaske PM1 vorgesehen werden.In 2 14, which is a sectional view of a photomask PM1 according to aspects of the present invention, the photomask PM1 has a light conductive substrate 200 with a suitable material, such as a low thermal expansion material (LTEM) or fused silica. In various examples, the LTEM is TiO ₂ -doped SiO ₂ or another suitable material with low thermal expansion. The photomask PM1 has a phase shift layer (PSL) 202 on that above the substrate 200 is made. The phase shift layer 202 is made to transmit less than about 20% of the incident light and produce a phase shift of about 180 degrees with respect to the transmitted light (ie, the light transmitted through the translucent substrate). In some embodiments, the phase shift layer has 202 Molybdenum silicide (MoSi), molybdenum silicide nitride (MoSiN), molybdenum silicide oxide nitride (MoSiON), titanium hydride, titanium silicon nitride, or silicon nitride, but the invention is not limited thereto. In some embodiments, the photomask PM1 can be a shield layer 204 over the phase shift layer 202 exhibit. The shielding layer 204 may include chromium (Cr) and may include further layers such as chromium oxide, chromium nitride and chromium oxide nitride. Although some examples of materials are given here, each for the substrate 200 , the phase shift layer 202 and the shielding layer 204 can be used, but it is to be understood that other suitable materials known in the art can also be used without departing from the scope of the present invention. In addition, the photomask PM1 can have further layers, such as a rear-side coating layer and / or an anti-reflective coating (ARC), which, however, are not shown. In addition, other photomask configurations than the photomask PM1 can also be provided.

Bleiben wir bei 2. Die Fotomaske PM1 kann eine Membran 206 aufweisen, die als eine schützende Abdeckung verwendet wird. Die Membran 206 kann die Strukturen über dem Substrat 200 gegen Beschädigung und/oder Schmutzteilchen schützen. Die Membran 206 kann eine dünne Schicht auf einem Rahmen sein, die eine strukturierte Oberfläche der Fotomaske PM1 bedeckt.Let's stick with it 2 . The photomask PM1 can be a membrane 206 which is used as a protective cover. The membrane 206 can make the structures above the substrate 200 protect against damage and / or dirt particles. The membrane 206 may be a thin layer on a frame that covers a structured surface of the photomask PM1.

In 2 wird bei einem Belichtungsprozess Licht auf die Fotomaske PM1 gerichtet und mit der Fotomaske PM1 reflektiert, und das mit der Fotomaske PM1 reflektierte Licht wird dann auf einen Wafer gerichtet. Während der Belichtung kann die Membran 206 das Licht absorbieren. Bei einigen Vergleichsausführungsformen können Wärme-Effekte und statische Elektrizität erzeugt werden. Daher kann sich eine unerwünschte dünne Schicht 208 über den Strukturen bilden, die von der Phasenverschiebungsschicht 202 erzeugt werden, wie in 2 gezeigt ist. Die dünne Schicht 208 wird, wie vorstehend dargelegt worden ist, als ein ESD-Defekt bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 100 zur Defektkontrolle nach den Belichtungsprozessen durchgeführt werden.In 2 For example, in an exposure process, light is directed onto the photo mask PM1 and reflected with the photo mask PM1, and the light reflected with the photo mask PM1 is then directed onto a wafer. During the exposure, the membrane can 206 absorb the light. In some comparative embodiments, heat effects and static electricity can be generated. Therefore, it can create an undesirable thin layer 208 over the structures formed by the phase shift layer 202 as in 2 is shown. The thin layer 208 is referred to as an ESD defect, as stated above. In some embodiments, the method 100 to check for defects after the exposure process.

In 2 wird in einem Schritt 101 ein Substrat mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von auf der Oberfläche angeordneten Strukturen erhalten.In 2 is in one step 101 a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface can be obtained.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat die vorgenannte Fotomaske PM1 sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat das Substrat 200 der Fotomaske PM1 sein, und die Strukturen können von der Phasenverschiebungsschicht 202 gebildet werden, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.In some embodiments, the substrate can be the aforementioned photomask PM1. In some embodiments, the substrate can be the substrate 200 of the photomask PM1, and the structures can be from the phase shift layer 202 but the invention is not limited thereto.

In einem Schritt 102 wird ein Grauskalenbild des Substrats erhalten, wobei das Grauskalenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Grauskalenwert hat.In one step 102 a gray scale image of the substrate is obtained, the gray scale image having a plurality of areas, each of the areas having a gray scale value.

In 3 wird bei einigen Ausführungsformen eine Oberfläche des Substrats 200 der Fotomaske PM1 mit einem optischen Kontrollgerät abgetastet, um ein Bild 210 der Struktur zu erzeugen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 nach dem Entfernen der Membran 206 abgetastet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM1 mit einem optischen Reflexionskontrollgerät abgetastet werden, sodass von der Oberfläche des Substrats 200 reflektiertes Licht entsteht. Bei der dargestellten Ausführungsform wird das Bild von dem optischen Kontrollgerät erzeugt, und es stellt die Strukturelemente in der Struktur der Fotomaske PM1 als ein helleres Grau auf einem Untergrund mit einem dunkleren Grau dar. Das heißt, unterschiedliche Teile des erhaltenen Bilds 210 haben unterschiedliche Grauskalenintensitäten, und daher wird das erhaltene Bild 210 als ein Grauskalenbild bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Bild 210 in eine Mehrzahl von Bereichen 212 unterteilt werden oder als eine solche definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen entspricht jeder der Bereiche 212 im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen beträgt eine Fläche jedes Bereichs 212 etwa 55 nm² bis etwa 500 nm², aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Außerdem kann das Bild 210 durch Lichtnivellierung in ein Grauskalenbild umgewandelt werden, um die Graustufe des Bilds bereichsweise zu skalieren. Dadurch erhält jeder der Bereiche 212 einen Grauskalenwert.In 3 becomes a surface of the substrate in some embodiments 200 the photomask PM1 is scanned with an optical control device to create an image 210 of the structure. In some embodiments, the photomask can PM1 after removing the membrane 206 are scanned. In some embodiments, the photomask PM1 can be scanned with an optical reflection control device so that from the surface of the substrate 200 reflected light is created. In the embodiment shown, the image is generated by the optical control device and it shows the structural elements in the structure of the photomask PM1 as a lighter gray on a background with a darker gray. That is to say, different parts of the image obtained 210 have different grayscale intensities, and therefore the obtained image 210 referred to as a grayscale image. In some embodiments, the image can 210 in a variety of areas 212 be subdivided or defined as such. In some embodiments, each of the areas corresponds 212 essentially a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, an area is each area 212 about 55 nm ² to about 500 nm ² , but the invention is not limited thereto. Also, the picture can 210 can be converted into a grayscale image by light leveling in order to scale the grayscale of the image area by area. This gives each of the areas 212 a grayscale value.

In einem Schritt 103 wird der Grauskalenwert jedes Bereichs 212 mit einer Grauskalenreferenz verglichen, um eine erste Gruppe G1, eine zweite Gruppe G2 und eine n-te Gruppe Gn zu definieren, wobei jede dieser Gruppen mindestens einen Bereich 212 hat, wobei der Bereich 212 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat, der Bereich 212 in der zweiten Gruppe G2 eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat und der Bereich 212 in der n-ten Gruppe Gn eine n-te Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat.In one step 103 becomes the grayscale value of each area 212 compared with a gray scale reference to define a first group G1, a second group G2 and an n-th group Gn, each of these groups having at least one area 212 has, the area 212 in the first group G1 has a first difference between its gray scale value and the gray scale reference, the area 212 in the second group G2 has a second difference between its gray scale value and the gray scale reference and the area 212 in the nth group Gn has an nth difference between its gray scale value and the gray scale reference.

Bei einigen Ausführungsformen kann ein Standard- oder goldenes Bild bereitgestellt werden. Das Standard- oder goldene Bild kann eine Targetstruktur haben, mit der die Struktur der Fotomaske PM1 für identisch gehalten wird. Das Standard- oder goldene Bild kann als eine Mehrzahl von Bereichen definiert werden oder in eine solche unterteilt werden. Anschließend kann das goldene Bild durch Lichtnivellierung umgewandelt werden, um es zu skalieren, um die Grauskalenreferenz bereichsweise zu erhalten. Wie vorstehend dargelegt worden ist, entspricht bei einigen Ausführungsformen jeder Bereich des goldenen Bilds im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen kann die Grauskalenreferenz aus einer Datenbank des Defektkontrollgeräts abgerufen werden. Daher umfasst die Grauskalenreferenz auch eine Mehrzahl von Grauskalenwerten.In some embodiments, a standard or gold image can be provided. The standard or gold image can have a target structure with which the structure of the photomask PM1 is believed to be identical. The standard or gold image can be defined as or divided into a plurality of areas. Then the golden image can be converted by light leveling to scale it to get the gray scale reference area by area. As stated above, in some embodiments, each area of the golden image corresponds substantially to a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, the gray scale reference can be retrieved from a database of the defect control device. Therefore, the gray scale reference also includes a plurality of gray scale values.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Grauskalenwert jeder der Bereiche 212 in dem Bild 210 der Fotomaske PM1 mit einem der Grauskalenwerte der Grauskalenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen wird der Grauskalenwert jedes Bereichs 212 der Fotomaske PM1 mit dem des entsprechenden Bereichs der Grauskalenreferenz verglichen. Dementsprechend wird eine Differenz zwischen dem Grauskalenwert jedes der Bereiche 212 der Fotomaske PM1 und dem Grauskalenwert des entsprechenden Bereichs der Grauskalenreferenz ermittelt. In 4 hat jeder der Bereiche 212 eine Differenz.In some embodiments, the gray scale value becomes each of the ranges 212 in the picture 210 of the photomask PM1 is compared with one of the gray scale values of the gray scale reference. In some embodiments, the grayscale value is each area 212 of the photomask PM1 is compared with that of the corresponding area of the gray scale reference. Accordingly, a difference between the gray scale value of each of the areas becomes 212 of the photomask PM1 and the gray scale value of the corresponding area of the gray scale reference is determined. In 4th each of the areas has 212 a difference.

In 5 werden die Bereiche 212 entsprechend ihrer Differenz in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 bzw. die n-te Gruppe Gn eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 212 gemäß Tabelle 1 wie folgt erfolgen: Grauskalendifferenz Gewichtsfaktor Erste Gruppe (G1) -50 bis 0 und 0 bis 50 0,9 Zweite Gruppe (G2) -69 bis -50 und 50 - 69 0,925 Dritte Gruppe (G3) -89 bis -70 und 70 - 89 0,95 Vierte Gruppe (G4) -99 bis -90 und 90 bis 99 0,975 Fünfte Gruppe (G5) <-100 und >100 1 In 5 become the areas 212 divided into the first group G1, the second group G2 and the nth group Gn according to their difference. In some embodiments, the division of the areas 212 according to table 1 as follows: Gray scale difference Weight factor First group (G1) -50 to 0 and 0 to 50 0.9 Second group (G2) -69 to -50 and 50 - 69 0.925 Third group (G3) -89 to -70 and 70 - 89 0.95 Fourth group (G4) -99 to -90 and 90 to 99 0.975 Fifth group (G5) <-100 and> 100 1

Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, sind Bereiche angegeben, und Bereiche 212 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in die gleiche Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn jeweils mindestens einen Bereich 212. Der Bereich 212 in der ersten Gruppe G1 hat eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, der Bereich 212 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, und der Bereich 212 in der n-ten Gruppe Gn hat eine n-te Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste Differenz kleiner als die zweite Differenz, und die (n-1)-te Differenz ist kleiner als die n-te Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.As shown in Table 1, ranges are indicated, and ranges 212 with differences in the same area are divided into the same group. In some embodiments, the first group G1, the second group G2, and the nth group Gn each have at least one area 212 . The area 212 in of the first group G1 has a first difference between its gray scale value and the gray scale reference, the area 212 in the second group G2 has a second difference between its gray scale value and the gray scale reference, and the area 212 in the nth group Gn has an nth difference between its gray scale value and the gray scale reference. In some embodiments, the first difference is smaller than the second difference and the (n-1) th difference is smaller than the nth difference, as indicated in Table 1.

In einem Schritt 104 wird eine Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die Berechnung entsprechend der folgenden Gleichung (1) durchgeführt: $$\text{Ws=}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\cdot \cdot \cdot {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3,...}Gn}}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.In one step 104 a calculation is performed according to the first difference, the second difference and the n-th difference to obtain a point value. In some embodiments, the calculation is performed according to the following equation (1): $$\text{Ws =}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0027.png,DE102020114143A1\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0029.png,DE102020114143A1\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}3}+\cdot \cdot \cdot {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0027.png,DE102020114143A1\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{1,}\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0029.png,DE102020114143A1\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{2,}\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{3,\; ...}Gn}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e _{1 is} a first weight _{factor, e 2 is} a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _{n is} an n-th weight factor.

Bei einigen Ausführungsformen können der erste Gewichtsfaktor e₁, der zweite Gewichtsfaktor e₂ und der n-te Gewichtsfaktor e_n die Gewichtsfaktoren sein, die in Tabelle 1 angegeben sind, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Bei diesen Ausführungsformen ist der erste Gewichtsfaktor e₁ kleiner als der zweite Gewichtsfaktor e₂, und der (n-1)-te Gewichtsfaktor e(_n-1) ist kleiner als der n-te Gewichtsfaktor e_n.In some embodiments, the first weight factor e ₁ , the second weight _{factor e 2,} and the nth weight _{factor e n can be} the weight factors given in Table 1, but the invention is not limited thereto. In these embodiments, the first weight factor e _{1 is} smaller than the second weight factor e ₂ , and the (n-1) -th weight factor e ( _n-1 ) is smaller than the n-th weight factor e _n .

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 5 angegebenen Differenzen wie folgt in der Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws=}\frac{\left(47+48+49\right)\times \mathrm{0,9}+\left(51+51+52+53+53\right)\times \mathrm{0,925}+75\times \mathrm{0,95}}{47+48+49+51+51+52+53+53+75}=\mathrm{0,921}$$

For example, in some embodiments, the 5 specified differences can be used in the calculation as follows: $$\text{Ws =}\frac{\left(47+48+49\right)\times 0.9+\left(51+51+52+53+53\right)\times 0.925+75\times 0.95}{47+48+49+51+51+52+53+53+75}=0.921$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (1) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforementioned equation (1).

In einem Schritt 105a wird ermittelt, dass das Substrat einen ESD-Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In einem Schritt 105b wird ermittelt, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In one step 105a it is determined that the substrate has an ESD defect when the point value Ws is greater than a value. In one step 105b it is determined that the substrate has no ESD defect if the point value Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Bei diesen Ausführungsformen ist der Punktwert Ws, der 0,921 beträgt, wie vorstehend angegeben worden ist, größer als der Wert, und somit wird festgestellt, dass die Fotomaske PM1 einen ESD-Defekt hat.In some embodiments, the value can be 0.92. In these embodiments, the point value Ws, which is 0.921 as stated above, is larger than the value, and thus it is determined that the photomask PM1 has an ESD defect.

Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Grauskalenwerten der Bereiche 212 des Bilds 210 und den Grauskalenwerten der Grauskalenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM1 nach der Belichtung und einem ursprünglichen Oberflächenzustand der Fotomaske PM1 oder einem normalen Oberflächenzustand der Fotomaske PM1 zeigen kann. Eine größere Differenz kann anzeigen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM1, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem ursprünglichen Oberflächenzustand als dem bei einem ähnlichen Vergleich unterscheidet, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Grauskalenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann der ESD-Defekt leicht detektiert werden.It should be noted that the difference between the gray scale values of the areas 212 of the picture 210 and the gray scale values of the gray scale reference can show a deviation between a surface condition of the structures on the photomask PM1 after exposure and an original surface condition of the photomask PM1 or a normal surface condition of the photomask PM1. A larger difference can indicate that the surface condition of the photomask PM1 that is being inspected differs more from the original surface condition than that of a similar comparison which shows a smaller difference. In addition, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray scale value by the weight factor. Therefore, the ESD defect can be easily detected.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein Aufsicht-Bild-Messsystem (AIMS) verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den ESD-Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch Optical Proximity Correction (OPC), Maskenfehler-Verbesserungsfaktor (MEEF) und Masken-3D-Effekt-Informationen, bieten kann. Bei einigen Ausführungsformen kann das AIMS zum nochmaligen Prüfen des ESD-Defekts verwendet werden.In some embodiments, a top view imaging system (AIMS) is used when it is determined that the substrate has the ESD defect. The AIMS is a measurement methodology that provides a way of simulating the result of an exposure on a substrate, i. H. a photo mask substrate, including through Optical Proximity Correction (OPC), Mask Defect Improvement Factor (MEEF) and mask 3D effect information. In some embodiments, the AIMS can be used to recheck the ESD defect.

Bei einigen Ausführungsformen weist die Ermittlung, dass die Fotomaske PM1 keinen ESD-Defekt hat, darauf hin, dass sich keine dünne Schicht über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 202) gebildet hat. Aber es kann sich tatsächlich eine solche dünne Schicht über der Struktur gebildet haben, die jedoch nicht so dick ist, dass sie die Reflexion ändert, und sie wird daher möglicherweise nicht detektiert. Daher könnte die Fotomaske PM1 bei einer späteren Belichtung verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen weist die Ermittlung, dass die Fotomaske PM1 den ESD-Defekt hat, darauf hin, dass sich eine dünne Schicht über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 202) gebildet haben kann, und die dünne Schicht ist so dick, dass sie die Reflexion ändert, und dadurch kann das Belichtungsergebnis beeinträchtigt werden. Folglich wird die Fotomaske PM1, die als den ESD-Defekt aufweisend ermittelt worden ist, bei der späteren Belichtung nicht verwendet, und es kann ein geeigneter Schritt zum Entfernen der dünnen Schicht durchgeführt werden.In some embodiments, the determination that the photomask PM1 does not have an ESD defect indicates that there is no thin layer over the structure (ie, the phase shift layer 202 ) has formed. But such a thin layer may actually have formed over the structure, but it is not so thick that it changes the reflection and it may therefore not be detected. Therefore the photomask PM1 could be used in a later exposure. In some embodiments, the determination that the photomask PM1 has the ESD defect indicates that there is a thin layer over the structure (ie, the phase shift layer 202 ) and the thin layer is so thick that it changes the reflection, and this can affect the exposure result. As a result, the photomask PM1 that has been determined to have the ESD defect is not used in the later exposure, and an appropriate step for removing the thin film can be performed.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, tritt der ESD-Defekt auf, wenn sich eine dünne Schicht über der Strukturoberfläche der Fotomaske PM1 bildet. Der ESD-Defekt ist möglicherweise nicht erkennbar, aber er kann ernsthafte Probleme bei der Belichtung verursachen. Durch Einteilen der Bereiche 212 in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn und durch Bereitstellen unterschiedlicher Gewichtsfaktoren für unterschiedliche Gruppen können die Gruppen, die den ESD-Defekt haben, vergrößert werden und daher leichter identifiziert werden. Außerdem kann durch Durchführen der Berechnung mit Gleichung (1) der Punktwert Ws, der den Zustand der gesamten Oberfläche darstellen kann, leicht ermittelt werden. Darüber hinaus kann der ESD-Defekt detektiert werden, wenn der Punktwert Ws größer als der Wert ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Wert einstellbar. Kurz gesagt, das Verfahren 100 zur Defektkontrolle kann durchgeführt werden, um den ESD-Defekt unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts zu detektieren. Da das Verfahren 100 zur Defektkontrolle ein Wichtungsmodell, wie es in Gleichung (1) gezeigt ist, bereitstellt, können die ESD-Defekte vergrößert werden und leicht detektiert werden.As stated above, the ESD defect occurs when a thin layer is formed over the structure surface of the photomask PM1. The ESD defect may not be noticeable, but it can cause serious exposure problems. By dividing up the areas 212 into the first group G1, the second group G2 and the n-th group Gn and by providing different weighting factors for different groups, the groups that have the ESD defect can be enlarged and therefore identified more easily. In addition, by performing the calculation with equation (1), the point value Ws which can represent the state of the entire surface can be easily obtained. In addition, the ESD defect can be detected when the point value Ws is larger than the value. In some embodiments, the value is adjustable. In short, the procedure 100 for defect control can be performed to detect the ESD defect using the conventional control device. Because the procedure 100 provides a weighting model for defect control, as shown in equation (1), the ESD defects can be enlarged and easily detected.

6 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren 300 zur Defektkontrolle gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung darstellt. Die 7 bis 14A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung in einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen. 14B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt. Die 15 und 16A sind schematische Darstellungen, die eine Fotomaske auf verschiedenen Herstellungsstufen gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung in einer oder mehreren Ausführungsformen zeigen, und 16B ist eine schematische Darstellung, die eine gewünschte Fotomaske zeigt. Das Verfahren 300 umfasst eine Anzahl von Schritten (301, 302, 303, 304, 305, 306, 307a und 307b). Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle wird gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 300 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 300 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden. 6th Figure 3 is a flow chart showing a method 300 for defect control according to aspects of the present invention. The 7th to 14A FIG. 12 are schematic representations showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments. 14B Fig. 13 is a schematic diagram showing a desired photomask. The 15th and 16A 13 are schematic representations showing a photomask at various stages of manufacture in accordance with aspects of the present invention in one or more embodiments, and FIG 16B Fig. 13 is a schematic diagram showing a desired photomask. The procedure 300 involves a number of steps ( 301 , 302 , 303 , 304 , 305 , 306 , 307a and 307b ). The procedure 300 for defect control is described in more detail according to one or more embodiments. It should be noted that the steps of the procedure 300 can be rearranged or otherwise modified for defect control within the scope of protection of the various aspects. It should also be noted that there are additional processes before, during and after the procedure 300 can be provided and that some other processes can only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described here.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung der Fotomaske durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung der Phasenverschiebungsmaske durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle nach den Schritten zur Herstellung einer mit einer Hartmaske hergestellte Maske mit abgeschwächter Phasenverschiebung (HMAPSM) durchgeführt werden.In some embodiments, the method 300 To check for defects, follow the steps for making the photomask. In some embodiments, the method 300 To check for defects, follow the steps for producing the phase shift mask. In some embodiments, the method 300 for defect control after the steps for the production of a mask produced with a hard mask with an attenuated phase shift (HMAPSM).

Es ist zu beachten, dass gleiche Elemente in dem Verfahren 100 und dem Verfahren 300 gleiche Materialien aufweisen können und daher der Kürze halber Beschreibungen nicht wiederholt werden.It should be noted that the same elements are used in the procedure 100 and the procedure 300 may have the same materials and therefore descriptions are not repeated for the sake of brevity.

In 7 kann bei einigen Ausführungsformen die Fotomaskenherstellung die folgenden Schritte umfassen. Es wird ein Substrat 400 bereitgestellt. Das Substrat 400 kann ein lichtleitendes Substrat sein. Auf dem Substrat 400 kann eine Phasenverschiebungsschicht 402 hergestellt werden. Die Abscheidung der Phasenverschiebungsschicht 402 kann durch Atomlagenabscheidung (ALD), chemische Aufdampfung (CVD), physikalische Aufdampfung (PVD), Laserdeposition (PLD), Sputtern, Aufschleudern (SOD) oder dergleichen oder eine Kombination davon erfolgen. Bei einigen Ausführungsformen beträgt auf Grund der Wellenlänge der Lichtquelle eine Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 etwa 40 nm bis etwa 100 nm. Bei einigen Ausführungsformen wird durch eine größere oder eine kleinere Dicke eine Abweichung einer Phasenverschiebung um π vergrößert, wodurch die Strukturauflösung verringert wird. Ein Fachmann dürfte jedoch verstehen, dass die Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 von einer Übertragungsrate des gewählten Materials, einer Wellenlänge der Lichtquelle und einer Tiefenschärfe (DOF) während des Prozesses bestimmt wird. Wenn die Phasenverschiebungsschicht 402 zum Beispiel Molybdän und Siliziumoxidnitrid aufweist, kann die Dicke der Phasenverschiebungsschicht 402 etwa 60 nm bis etwa 70 nm betragen.In 7th In some embodiments, photomask fabrication may include the following steps. It becomes a substrate 400 provided. The substrate 400 can be a photoconductive substrate. On the substrate 400 can be a phase shift layer 402 getting produced. The deposition of the phase shift layer 402 may be by atomic layer deposition (ALD), chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), laser deposition (PLD), sputtering, spin coating (SOD), or the like, or a combination thereof. In some embodiments, a thickness of the phase shift layer is due to the wavelength of the light source 402 about 40 nm to about 100 nm. In some embodiments, a greater or lesser thickness increases a phase shift deviation by π, as a result of which the structure resolution is reduced. However, one skilled in the art should understand that the thickness of the phase shift layer 402 is determined by a transmission rate of the selected material, a wavelength of the light source and a depth of field (DOF) during the process. When the phase shift layer 402 for example molybdenum and silicon oxide nitride, the thickness of the phase shift layer may be 402 be about 60 nm to about 70 nm.

Bleiben wir bei 7. Auf der Phasenverschiebungsschicht 402 wird eine Abschirmschicht 404 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Abschirmschicht 404 ein lichtsperrendes Material aufweisen, das eine so große Dicke hat, dass ein Durchgang von mehr als etwa 90 %, besser mehr als etwa 99 %, des einfallenden Lichts verhindert wird. Bei einigen Ausführungsformen kann die Abschirmschicht 404 Stapelschichten umfassen, zum Beispiel eine Cr-Schicht, die über einer Klebstoffschicht (nicht dargestellt) hergestellt ist, wie auf dem Fachgebiet bekannt ist. Die Gesamtdicke der Abschirmschicht 404 hängt von der gewünschten Lichtdurchlässigkeit und der Ätzrate in einem späteren Ätzprozess ab. Normalerweise hat die Abschirmschicht 404 eine Dicke von etwa 500 Å bis etwa 1500 Å, und sie kann mit herkömmlichen CVD-, PECVD- oder PVD-Abscheidungsverfahren hergestellt werden.Let's stick with it 7th . On the phase shift layer 402 becomes a shielding layer 404 produced. In some embodiments, the shield layer 404 comprise a light blocking material which is of sufficient thickness to prevent the passage of more than about 90%, more preferably more than about 99%, of the incident light. In some embodiments, the shield layer 404 Stacked layers include, for example, a Cr layer fabricated over an adhesive layer (not shown) as is known in the art. The total thickness of the shielding layer 404 depends on the desired light transmission and the etching rate in a later etching process. Usually the shielding layer 404 a thickness of about 500 Å to about 1500 Å and can be fabricated using conventional CVD, PECVD, or PVD deposition techniques.

Über der Abschirmschicht 404 wird eine Hartmaskenschicht 405 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen weist die Hartmaskenschicht 405 Siliziumnitrid, Siliziumcarbid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumoxidcarbid oder ein anderes geeignetes Material auf. Die Abscheidung der Hartmaskenschicht 405 erfolgt durch ALD, CVD, PVD, PLD, Sputtern, SOD oder dergleichen oder eine Kombination davon. Bei einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 405 zur Verbesserung des fotolithografischen Prozesses ein Antireflexionsvermögen haben. Bei einigen Ausführungsformen weist die Hartmaskenschicht 405 Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumcarbid oder andere geeignete Materialien auf. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Hartmaskenschicht 405 nur eine Schicht. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Hartmaskenschicht 405 mehrere Schichten. Bei einigen Ausführungsformen beträgt eine Dicke der Hartmaskenschicht 405 etwa 5 nm bis etwa 25 nm. Bei einigen Ausführungsformen werden durch eine größere Dicke die Herstellungskosten erhöht, ohne die Funktionalität wesentlich zu verbessern. Bei einigen Ausführungsformen steigt durch eine geringere Dicke die Gefahr einer Überätzung, was zu einer Beschädigung des Phasenschiebers führt. Anschließend wird ein strukturiertes Fotoresist 407 durch Abscheiden einer Schicht aus lichtempfindlichem Material und Durchführen eines fotolithografischen Prozesses hergestellt, wie etwa Elektronenstrahlschreiben, Laserschreiben, Ultraviolett(UV)-, EUV- oder anderer geeigneter Prozesse.Over the shielding layer 404 becomes a hard mask layer 405 produced. In some embodiments, the hard mask layer has 405 Silicon nitride, silicon carbide, silicon oxide nitride, silicon oxide carbide or another suitable material. The deposition of the hard mask layer 405 is done by ALD, CVD, PVD, PLD, sputtering, SOD, or the like, or a combination thereof. In some embodiments, the hard mask layer 405 have anti-reflective properties to improve the photolithographic process. In some embodiments, the hard mask layer has 405 Silicon oxide, silicon nitride, silicon oxide nitride, silicon carbide or other suitable materials. In some embodiments, the hard mask layer comprises 405 just one shift. In some embodiments, the hard mask layer comprises 405 multiple layers. In some embodiments, a thickness of the hard mask layer is 405 about 5 nm to about 25 nm. In some embodiments, greater thickness increases manufacturing costs without significantly improving functionality. In some embodiments, a smaller thickness increases the risk of overetching, which leads to damage to the phase shifter. A structured photoresist is then applied 407 made by depositing a layer of photosensitive material and performing a photolithographic process such as electron beam writing, laser writing, ultraviolet (UV), EUV, or other suitable processes.

In 8 wird die Struktur der strukturierten Fotoresistschicht 407 auf die Hartmaskenschicht 405 übertragen. Nach dem Übertragen wird die strukturierte Fotoresistschicht 407 entfernt. In 9 wird nach dem Entfernen der strukturierten Fotoresistschicht 407 ein Ätzprozess durchgeführt, um die Abschirmschicht 404 und die Phasenverschiebungsschicht 402 mittels der strukturierten Hartmaskenschicht 405 zu ätzen. In den 10 und 11 wird nach dem Ätzen der Abschirmschicht 404 und der Phasenverschiebungsschicht 402 die Hartmaskenschicht 405 entfernt, und über dem Substrat 400 wird eine weitere Fotoresistschicht 409 hergestellt. In 12 kann ein fotolithografischer Prozess durchgeführt werden, um eine strukturierte Fotoresistschicht 409' herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Teil der strukturierten Fotoresistschicht 409', die durch den fotolithografischen Prozess entfernt werden soll, auf der Abschirmschicht 404 zurückbleiben und kann als ein Rest 409r bezeichnet werden, der in 12 gezeigt ist. In 13 werden bei einigen Ausführungsformen Teile der Abschirmschicht 404 mittels der strukturierten Fotoresistschicht 409' entfernt.In 8th becomes the structure of the structured photoresist layer 407 on the hard mask layer 405 transfer. After the transfer, the structured photoresist layer becomes 407 away. In 9 is after removing the patterned photoresist layer 407 an etching process is performed to the shielding layer 404 and the phase shift layer 402 by means of the structured hard mask layer 405 to etch. In the 10 and 11 becomes after etching the shielding layer 404 and the phase shift layer 402 the hard mask layer 405 removed, and above the substrate 400 becomes another layer of photoresist 409 produced. In 12th A photolithographic process can be performed to create a patterned photoresist layer 409 ' to manufacture. In some embodiments, a portion of the patterned photoresist layer may be used 409 ' to be removed by the photolithographic process on the shielding layer 404 stay behind and can be considered a rest 409r referred to in 12th is shown. In 13th become parts of the shielding layer in some embodiments 404 by means of the structured photoresist layer 409 ' away.

In 14A wird nach dem Entfernen der Teile der Phasenverschiebungsschicht 402 die strukturierte Fotoresistschicht 409' entfernt. Bei einigen Vergleichsausführungsformen kann der Rest 409r während des Entfernens der strukturierten Fotoresistschicht 409' entfernt werden, und es wird eine Fotomaske PM2 erhalten, wie in 14A gezeigt ist. Da der Rest 409r das Entfernen des Teils der Abschirmschicht 404 behindern kann, kann ein Teil der Abschirmschicht 404, die entfernt werden soll, auf dem Substrat 400 zurückbleiben. In den 14A und 14B (wobei 14B eine schematische Darstellung ist, die eine gewünschte Fotomaske d-PM zeigt) kann bei einigen Vergleichsausführungsformen beim Vergleichen mit der gewünschten Fotomaske d-PM ein verbliebener Teil 408a der Abschirmschicht 404 als ein Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bezeichnet werden. Wie vorstehend dargelegt worden ist, ist der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt 408a einer der komplizierten Defekte.In 14A becomes after removing the parts of the phase shift layer 402 the structured photoresist layer 409 ' away. For some comparison embodiments, the rest can be 409r during the removal of the patterned photoresist layer 409 ' can be removed and a photomask PM2 is obtained, as in FIG 14A is shown. As the rest 409r removing part of the shielding layer 404 can hinder, part of the shielding layer 404 to be removed on the substrate 400 lag behind. In the 14A and 14B (in which 14B Fig. 12 is a schematic diagram showing a desired photomask d-PM), in some comparative embodiments, a remaining portion may be left in comparing with the desired photomask d-PM 408a the shielding layer 404 can be referred to as a shield layer expansion defect. As stated above, the shield layer is expansion defect 408a one of the complicated defects.

Abgesehen von dem Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt umfassen die komplizierten Defekte auch einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt. Wie in 15 gezeigt ist, kann bei einigen Vergleichsausführungsformen nach dem Übertragen der Struktur der strukturierten Fotoresistschicht 407 und dem Entfernen der strukturierten Fotoresistschicht 407 ein Rest 407' der strukturierten Fotoresistschicht 407 auf der Hartmaskenschicht 405 zurückbleiben.Besides the shield layer expansion defect, the complicated defects also include a hard mask layer / shield layer expansion defect. As in 15th shown may, in some comparative embodiments, after transferring the pattern of the patterned photoresist layer 407 and removing the patterned photoresist layer 407 a rest 407 ' the structured photoresist layer 407 on the hard mask layer 405 lag behind.

Der Rest 407' kann spätere Ätzprozesse behindern, und daher werden ein Teil 405' der Hartmaskenschicht 405 und ein Teil 404' der Abschirmschicht 404, die entfernt werden sollen, über dem Substrat 400 bestehen gelassen. In den 16A und 16B (wobei 16B eine schematische Darstellung ist, die eine gewünschte Fotomaske d-PM zeigt) können bei einigen Vergleichsausführungsformen der verbliebene Teil 405' der Hartmaskenschicht 405 und der verbliebene Teil 404' der Abschirmschicht 404 gemeinsam als eine dünne Schicht 408b bezeichnet werden, und diese dünne Schicht 408b wird beim Vergleichen mit der gewünschten Fotomaske d-PM als ein Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt bezeichnet.The rest 407 ' can hinder later etching processes, and therefore become a part 405 ' the hard mask layer 405 and a part 404 ' the shielding layer 404 to be removed above the substrate 400 persisted. In the 16A and 16B (in which 16B Figure 13 is a schematic diagram showing a desired photomask (d-PM) in some comparative embodiments, the remaining portion may 405 ' the hard mask layer 405 and the remaining part 404 ' the shielding layer 404 together as a thin layer 408b be referred to, and this thin layer 408b is referred to as a hard mask layer / shield layer expansion defect when compared with the desired photomask d-PM.

In einem Schritt 301 wird ein Substrat mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von auf der Oberfläche angeordneten Strukturen erhalten.In one step 301 a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface is obtained.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat die vorgenannte Fotomaske PM2 sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Substrat das Substrat 400 der in 14A oder 16A gezeigten Fotomaske PM2 sein, und die Strukturen können mittels der Phasenverschiebungsschicht 402 erzeugt werden, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.In some embodiments, the substrate can be the aforementioned photomask PM2. In some embodiments, the substrate can be the substrate 400 the in 14A or 16A photomask PM2 shown, and the structures can by means of the phase shift layer 402 but the invention is not limited thereto.

In einem Schritt 302 wird ein Grauskalenbild des Substrats erhalten, wobei das Grauskalenbild eine Mehrzahl von Bereichen umfasst, wobei jeder der Bereiche einen Grauskalenwert hat.In one step 302 a gray scale image of the substrate is obtained, the gray scale image comprising a plurality of areas, each of the areas having a gray scale value.

In 17 wird bei einigen Ausführungsformen eine Oberfläche des Substrats 400 der Fotomaske PM2 mit einem optischen Kontrollgerät abgetastet, um ein Bild 410 der Struktur zu erzeugen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotomaske PM2 mit einem optischen Reflexionskontrollgerät abgetastet werden, sodass von der Oberfläche des Substrats 400 reflektiertes Licht entsteht. Bei der dargestellten Ausführungsform wird das Bild von dem optischen Kontrollgerät erzeugt, und es stellt die Strukturelemente in der Struktur der Fotomaske PM2 als ein helleres Grau auf einem Untergrund mit einem dunkleren Grau dar. Das heißt, unterschiedliche Teile des erhaltenen Bilds 410 haben unterschiedliche Grauskalenintensitäten, und daher wird das erhaltene Bild 410 als ein Grauskalenbild bezeichnet. Bei einigen Ausführungsformen kann das Bild 410 in eine Mehrzahl von Bereichen 412 unterteilt werden oder als eine solche definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen entspricht jeder der Bereiche 412 im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen können die Bereiche 412 entlang einer ersten Richtung Di und einer zweiten Richtung D2, die zueinander senkrecht sind, definiert werden. Bei einigen Ausführungsformen können die Bereiche 412 so definiert werden, dass eine Matrix mit Spalten und Zeilen entsteht, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Außerdem kann das Bild 410 durch Lichtnivellierung in ein Grauskalenbild umgewandelt werden, um die Graustufe des Bilds bereichsweise zu skalieren. Dadurch erhält jeder der Bereiche 412 einen Grauskalenwert.In 17th becomes a surface of the substrate in some embodiments 400 the photomask PM2 is scanned with an optical control device to create an image 410 of the structure. In some embodiments, the photomask PM2 can be scanned with an optical reflection control device so that from the surface of the substrate 400 reflected light is created. In the embodiment shown, the image is generated by the optical control device and it shows the structural elements in the structure of the photomask PM2 as a lighter gray on a background with a darker gray. That is to say, different parts of the image obtained 410 have different grayscale intensities, and therefore the obtained image 410 referred to as a grayscale image. In some embodiments, the image can 410 in a variety of areas 412 be subdivided or defined as such. In some embodiments, each of the areas corresponds 412 essentially a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, the areas 412 can be defined along a first direction Di and a second direction D2 which are perpendicular to each other. In some embodiments, the areas 412 can be defined to form a matrix with columns and rows, but the invention is not so limited. Also, the picture can 410 can be converted into a grayscale image by light leveling in order to scale the grayscale of the image area by area. This gives each of the areas 412 a grayscale value.

In einem Schritt 303 wird der Grauskalenwert des Substrats mit einer Grauskalenreferenz verglichen, um einen potentiellen Defektbereich zu identifizieren.In one step 303 the gray scale value of the substrate is compared to a gray scale reference to identify a potential defect area.

In 18 wird der Grauskalenwert jedes Bereichs 412 mit einer Grauskalenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Standard- oder goldenes Bild bereitgestellt werden. Das Standard- oder goldene Bild kann ein Bild der gewünschten Fotomaske d-PM sein. Das Standard- oder goldene Bild kann als eine Mehrzahl von Bereichen definiert werden oder in eine solche unterteilt werden. Anschließend kann das Standard- oder goldene Bild durch Lichtnivellierung umgewandelt werden, um es zu skalieren, um die Grauskalenreferenzen bereichsweise zu erhalten. Wie vorstehend dargelegt worden ist, entspricht bei einigen Ausführungsformen jeder Bereich des goldenen Bilds im Wesentlichen einem Pixel des optischen Reflexionskontrollgeräts. Bei einigen Ausführungsformen kann die Grauskalenreferenz aus einer Datenbank des Defektkontrollgeräts abgerufen werden. Daher umfasst die Grauskalenreferenz auch eine Mehrzahl von Grauskalenwerten.In 18th becomes the grayscale value of each area 412 compared to a grayscale reference. In some embodiments, a standard or gold image can be provided. The standard or gold image can be an image of the desired photomask d-PM. The standard or gold image can be defined as or divided into a plurality of areas. Then the standard or gold image can be converted by light leveling to be scaled to preserve the gray scale references area by area. As stated above, in some embodiments, each area of the golden image corresponds substantially to a pixel of the optical reflection control device. In some embodiments, the gray scale reference can be retrieved from a database of the defect control device. Therefore, the gray scale reference also includes a plurality of gray scale values.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Grauskalenwert jedes Bereichs 412 in dem Bild 410 der Fotomaske PM2 mit einem der Grauskalenwerte der Grauskalenreferenz verglichen. Bei einigen Ausführungsformen wird der Grauskalenwert jedes Bereichs 412 der Fotomaske PM2 mit dem des entsprechenden Bereichs der Grauskalenreferenz verglichen. Dementsprechend wird eine Differenz zwischen dem Grauskalenwert jedes Bereichs 412 der Fotomaske PM2 und dem Grauskalenwert des entsprechenden Bereichs der Grauskalenreferenz ermittelt. In 18 hat jeder der Bereiche 412 eine Differenz. Und wenn die Differenz größer als ein Wert ist, kann ein Bereich mit einer Differenz, die größer als der Wert ist, als ein potentieller Defektbereich 414 erkannt werden. Bei einigen Ausführungsformen kann der potentielle Defektbereich 414 einen oder mehrere Bereiche 412 umfassen, wie in 18 gezeigt ist.In some embodiments, the grayscale value is each area 412 in the picture 410 of the photomask PM2 is compared with one of the gray scale values of the gray scale reference. In some embodiments, the grayscale value is each area 412 of the photomask PM2 is compared with that of the corresponding area of the gray scale reference. Accordingly, there becomes a difference between the gray scale value of each area 412 of the photomask PM2 and the gray scale value of the corresponding area of the gray scale reference is determined. In 18th each of the areas has 412 a difference. And when the difference is larger than a value, an area with a difference larger than the value can be considered a potential defect area 414 be recognized. In some embodiments, the potential defect area can 414 one or more areas 412 include, as in 18th is shown.

In einem Schritt 304 wird der potentielle Defektbereich 414 vergrößert, um einen Defektbereich 416 zu definieren.In one step 304 becomes the potential defect area 414 enlarged to a defect area 416 define.

Wie in 19 gezeigt ist, wird der potentielle Defektbereich 414 vergrößert. Bei einigen Ausführungsformen sind die Bereiche 412 entlang Spalten und Zeilen angeordnet, wie vorstehend dargelegt worden ist, und der potentielle Defektbereich 414 kann Bereiche 412 mit Differenzen umfassen, die größer als der Wert sind, wobei diese Bereiche ebenfalls so angeordnet sind, dass Spalten und Zeilen entstehen. Bei diesen Ausführungsformen wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Spalte an seiner rechten Seite und eine Spalte an seiner linken Seite umfasst. In ähnlicher Weise wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Zeile an seiner oberen Seite und eine Zeile an seiner unteren Seite umfasst. Folglich wird ein Defektbereich 416 gegenüber dem potentiellen Defektbereich 414 vergrößert. Außerdem hat der Defektbereich 416 eine Breite entlang der ersten Richtung Di und eine Länge entlang der zweiten Richtung D2. Bei einigen Ausführungsformen sind die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Fläche des Defektbereichs 416 auf etwa 2 × 2 µm² bis 0,1 × 0,1 µm² vergrößert. Es ist zu beachten, dass wenn der Defektbereich 416 kleiner als 2 × 2 µm² oder größer als 10 × 10 µm² ist, die Defektkontrolle beeinträchtigt werden kann, was später beschrieben wird.As in 19th is the potential defect area 414 enlarged. In some embodiments, the ranges are 412 arranged along columns and rows as set out above, and the potential defect area 414 can areas 412 with differences that are greater than the value, these areas also being arranged in such a way that columns and rows arise. In these embodiments, the potential defect area 414 enlarged so that it includes at least one column on its right side and one column on its left side. Similarly, the potential defect area 414 enlarged so that it includes at least one line on its upper side and one line on its lower side. As a result, it becomes a defect area 416 compared to the potential defect area 414 enlarged. In addition, the defect area has 416 a width along the first direction Di and a length along the second direction D2. In some embodiments, the width and the length are substantially the same. In some embodiments, an area of the defect area becomes 416 enlarged to about 2 × 2 μm ² to 0.1 × 0.1 μm ^2. It should be noted that when the defect area 416 is smaller than 2 × 2 µm ² or larger than 10 × 10 µm ² , the defect control may be impaired, which will be described later.

In einem Schritt 305 werden eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe definiert, wobei diese Gruppen jeweils mindestens einen ersten Bereich oder mindestens einen zweiten Bereich haben, wobei die Bereiche in ein und derselben Gruppe Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.In one step 305 a first group, a second group and an n-th group are defined, these groups each having at least one first area or at least one second area, the areas in one and the same group having differences in one and the same area and areas in different Groups that have differences in different areas.

Wie in 20 gezeigt ist, werden bei einigen Ausführungsformen die Bereiche 412 entsprechend den Differenzen in die erste Gruppe G1 und die zweite Gruppe G2 eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 412 entsprechend der Differenz gemäß der vorstehenden Tabelle 1 erfolgen.As in 20th is shown, in some embodiments, the areas 412 divided into the first group G1 and the second group G2 according to the differences. In some embodiments, the division of the areas 412 in accordance with the difference in Table 1 above.

Gemäß Tabelle 1 sind Bereiche vorgesehen, und Bereiche 412 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in die gleiche Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1 und die zweite Gruppe G2 jeweils mindestens einen Bereich 412. Außerdem haben die Bereiche 412 in der gleichen Gruppe die Differenzen in dem gleichen Bereich, und Bereiche 412 in unterschiedlichen Gruppen haben die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen. Zum Beispiel hat der Bereich 412 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, und der Bereich 412 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, wie in 20 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Absolutwert der ersten Differenz kleiner als ein Absolutwert der zweiten Differenz, und ein Absolutwert der (n-1)-ten Differenz ist kleiner als ein Absolutwert der n-ten Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.According to Table 1, areas are provided, and areas 412 with differences in the same area are divided into the same group. In some embodiments, the first group G1 and the second group G2 each have at least one area 412 . Also, the areas have 412 in the same group the differences in the same area, and areas 412 in different groups have differences in different areas. For example, the area has 412 in the first group G1, a first difference between its gray scale value and the gray scale reference, and the range 412 in the second group G2 has a second difference between its gray scale value and the gray scale reference, as in FIG 20th is shown. In some embodiments, an absolute value of the first difference is smaller than an absolute value of the second difference, and an absolute value of the (n-1) th difference is smaller than an absolute value of the nth difference, as indicated in Table 1.

In einem Schritt 306 wird eine erste Berechnung durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste Berechnung entsprechend der folgenden Gleichung (2) durchgeführt: $$W_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3...}}}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Gewichtsfaktor e₁ kleiner als der zweite Gewichtsfaktor e₂, und der (n-1)-te Gewichtsfaktor e(_n-1) ist kleiner als der n-te Gewichtsfaktor e_n, wie in Tabelle 1 angegeben ist.In one step 306 a first calculation is performed to obtain a point value. In some embodiments, the first calculation is performed according to equation (2) below: $${\mathrm{W.}}_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0027.png,DE102020114143A1\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0029.png,DE102020114143A1\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}3}+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{\mathrm{<figure-callout\; id="1"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0027.png,DE102020114143A1\_0028.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{1,}\mathrm{<figure-callout\; id="2"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0029.png,DE102020114143A1\_0033.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{2,}\mathrm{<figure-callout\; id="3"\; label="G"\; filenames="DE102020114143A1\_0013.png"\; state="\{\{state\}\}">G</figure-callout>}\mathrm{3\; ...}}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e _{1 is} a first weight _{factor, e 2 is} a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _{n is} an n-th weight factor. In some embodiments, the first weight factor e _{1 is} smaller than the second weight factor e ₂ , and the (n-1) -th weight _{factor e (n-1} ) is smaller than the n-th weight _{factor e n} , as indicated in Table 1 .

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 20 angegebenen Differenzen wie folgt in der Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws=}\frac{\left(1\times 16\right)\times \mathrm{0,9}+\left(70\times 9\right)\times \mathrm{0,95}}{1\times 16+70\times 9}=\mathrm{0,949}$$

For example, in some embodiments, the 20th specified differences can be used in the calculation as follows: $$\text{Ws =}\frac{\left(1\times 16\right)\times 0.9+\left(70\times 9\right)\times 0.95}{1\times 16+70\times 9}=0.949$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (2) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforementioned equation (2).

In einem Schritt 307a wird ermittelt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In einem Schritt 307b wird ermittelt, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In one step 307a it is determined that the substrate has a complicated defect when the point value Ws is larger than one value. In one step 307b it is determined that the substrate does not have a complicated defect if the point value Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Daher wird festgestellt, dass ein komplizierter Defekt vorhanden ist, wenn der Punktwert Ws 0,949 ist, was größer als 0,92 ist. Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Grauskalenwerten des Bereichs 412 des Bilds 410 und den Grauskalenwerten der Grauskalenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM2 nach den Herstellungsprozessen und einem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM zeigen kann. Eine größere Differenz kann darauf hinweisen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM2, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem Oberflächenzustand unterscheidet, der bei einem ähnlichen Vergleich zu finden ist, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Grauskalenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann das Vorhandensein des komplizierten Defekts leicht ermittelt werden.In some embodiments, the value can be 0.92. Therefore, it is determined that there is a complicated defect when the point value Ws is 0.949, which is larger than 0.92. It should be noted that the difference between the grayscale values of the area 412 of the picture 410 and the gray scale values of the gray scale reference can show a deviation between a surface state of the structures on the photomask PM2 after the manufacturing processes and a desired surface state of the desired photomask d-PM. A larger difference may indicate that the surface condition of the photomask PM2 that is being inspected differs more from the surface condition found in a similar comparison which shows a smaller difference. In addition, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray scale value by the weight factor. Therefore, the presence of the complicated defect can be easily determined.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein Aufsicht-Bild-Messsystem (AIMS) verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den ESD-Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch Optical Proximity Correction (OPC), Maskenfehler-Verbesserungsfaktor (MEEF) und Masken-3D-Effekt-Informationen, bieten kann. Bei einigen Ausführungsformen kann das AIMS zum nochmaligen Prüfen des komplizierten Defekts verwendet werden.In some embodiments, a top view imaging system (AIMS) is used when it is determined that the substrate has the ESD defect. The AIMS is a measurement methodology that provides a way of simulating the result of an exposure on a substrate, i. H. a photo mask substrate, including through Optical Proximity Correction (OPC), Mask Defect Improvement Factor (MEEF) and mask 3D effect information. In some embodiments, the AIMS can be used to recheck the complex defect.

Bei einigen Ausführungsformen kann das Verfahren 300 zur Defektkontrolle weitere Schritte (308, 309a und 309b) umfassen. Diese Schritte werden anhand einer oder mehrerer Ausführungsformen näher beschrieben. Es ist zu beachten, dass die Schritte des Verfahrens 300 zur Defektkontrolle innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte umgeordnet oder anderweitig modifiziert werden können. Es ist außerdem zu beachten, dass weitere Prozesse vor, während und nach dem Verfahren 300 vorgesehen werden können und dass einige andere Prozesse hier nur kurz beschrieben sein können. Daher sind weitere Implementierungen innerhalb des Schutzumfangs der verschiedenen Aspekte möglich, die hier beschrieben werden.In some embodiments, the method 300 further steps for defect control ( 308 , 309a and 309b ) include. These steps are described in more detail using one or more embodiments. It should be noted that the steps of the procedure 300 can be rearranged or otherwise modified for defect control within the scope of protection of the various aspects. It should also be noted that there are additional processes before, during and after the procedure 300 can be provided and that some other processes can only be briefly described here. Therefore, other implementations are possible within the scope of the various aspects described here.

In dem Schritt 308 wird eine zweite Berechnung durchgeführt, um eine grafische Darstellung zu erhalten.In the step 308 a second calculation is performed to obtain a graphical representation.

Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Berechnung eine erste Ableitung von Gleichung (2). Bei einigen Ausführungsformen kann eine grafische Darstellung, die das Ergebnis der zweiten Berechnung darstellt, erhalten werden, wie in 21B gezeigt ist. In 21B gibt die Abszissenachse Positionen der Bereiche 412 an, die bei der ersten und der zweiten Berechnung verwendet werden, und die Ordinatenachse gibt die Grauskalenwerte an.In some embodiments, the second calculation is a first derivative of equation (2). In some embodiments, a graph showing the result of the second calculation can be obtained, as in FIG 21B is shown. In 21B the abscissa axis gives positions of the areas 412 used in the first and second calculations, and the ordinate axis indicates the gray scale values.

In dem Schritt 309a wird ermittelt, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. In dem Schritt 309b wird ermittelt, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind.In the step 309a the substrate is determined to have a shield layer expansion defect when two peaks are seen in the graph. In the step 309b the substrate is determined to have a hard mask layer / shield layer expansion defect when more than two peaks are seen in the graph.

Wie in 21B gezeigt ist, wird ermittelt, dass die Fotomaske PM2 einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, da zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. Dementsprechend kann nicht nur das Vorhandensein des komplizierten Defekts ermittelt werden, sondern es kann auch die Art des komplizierten Defekts (d. h., der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt) identifiziert werden.As in 21B as shown, it is determined that the photomask PM2 has a shield layer expansion defect because two peaks are seen in the graph. Accordingly, not only the presence of the complicated defect can be determined, but also the kind of the complicated defect (ie, the shield layer expansion defect) can be identified.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann nach dem Identifizieren des Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts ein AIMS verwendet werden, um den Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt nochmals zu prüfen. Bei einigen Ausführungsformen können weitere Schritte durchgeführt werden, um die unnötige Abschirmschicht zu entfernen. Zum Beispiel kann ein Entfernungsschritt durchgeführt werden. Bei einigen Ausführungsformen können Ätzgase wie Cl₂, SnCl₄, NOCl, NO₂Cl, CCl₄ oder andere geeignete Gase für den Entfernungsschritt verwendet werden.As stated above, after the shielding layer expansion defect is identified, an AIMS can be used to re-examine the shielding layer expansion defect. In some embodiments, additional steps can be taken to remove the unnecessary shield layer. For example, a removal step can be performed. In some embodiments, etching gases such as Cl ₂ , SnCl ₄ , NOCl, NO ₂ Cl, CCl _4, or other suitable gases can be used for the removal step.

Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle kann weiterhin zum Identifizieren des Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts verwendet werden. Zum Beispiel können bei weiteren Ausführungsformen die Schritte 301 bis 303 durchgeführt werden, um einen potentiellen Defektbereich 414 zu identifizieren, wie in 22 gezeigt ist.The procedure 300 for defect control, it can also be used to identify the hard mask layer / shielding layer expansion defect. For example, in other embodiments, the steps 301 to 303 be carried out to identify a potential defect area 414 identify how in 22nd is shown.

Wie in 23 gezeigt ist, wird in dem Schritt 304 der potentielle Defektbereich 414 vergrößert. Bei einigen Ausführungsformen sind die Bereiche 412 entlang Spalten und Zeilen angeordnet, wie vorstehend dargelegt worden ist, und der potentielle Defektbereich 414 kann Bereiche 412 mit Differenzen umfassen, die größer als der Wert sind, wobei diese Bereiche ebenfalls so angeordnet sind, dass Spalten und Zeilen entstehen. Bei diesen Ausführungsformen wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Spalte an seiner rechten Seite und eine Spalte an seiner linken Seite umfasst. In ähnlicher Weise wird der potentielle Defektbereich 414 so vergrößert, dass er mindestens eine Zeile an seiner oberen Seite und eine Zeile an seiner unteren Seite umfasst. Folglich ist ein Defektbereich 416 größer als der potentielle Defektbereich 414. Außerdem hat der Defektbereich 416 eine Breite entlang der ersten Richtung Di und eine Länge entlang der zweiten Richtung D2. Bei einigen Ausführungsformen sind die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Fläche des Defektbereichs 416 auf etwa 2 × 2 µm² bis 0,1 × 0,1 µm² vergrößert. Es ist zu beachten, dass wenn der Defektbereich 416 kleiner als 2 × 2 µm² oder größer als 10 × 10 µm² ist, die Defektkontrolle beeinträchtigt werden kann, was später beschrieben wird.As in 23 is shown in the step 304 the potential defect area 414 enlarged. In some embodiments, the ranges are 412 arranged along columns and rows, as set out above, and the potential defect area 414 can areas 412 with differences that are greater than the value, these areas also being arranged in such a way that columns and rows arise. In these embodiments, the potential defect area 414 so enlarged that he at least includes a column on its right side and a column on its left side. Similarly, the potential defect area 414 enlarged so that it includes at least one line on its upper side and one line on its lower side. Hence, there is a defect area 416 larger than the potential defect area 414 . In addition, the defect area has 416 a width along the first direction Di and a length along the second direction D2. In some embodiments, the width and the length are substantially the same. In some embodiments, an area of the defect area becomes 416 enlarged to about 2 × 2 μm ² to 0.1 × 0.1 μm ^2. It should be noted that when the defect area 416 is smaller than 2 × 2 µm ² or larger than 10 × 10 µm ² , the defect control may be impaired, which will be described later.

In dem Schritt 305 werden eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe definiert, wobei diese Gruppen jeweils mindestens einen ersten Bereich oder mindestens einen zweiten Bereich haben, wobei die Bereiche in ein und derselben Gruppe Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.In the step 305 a first group, a second group and an n-th group are defined, these groups each having at least one first area or at least one second area, the areas in one and the same group having differences in one and the same area and areas in different Groups that have differences in different areas.

Wie in 24 gezeigt ist, werden bei einigen Ausführungsformen die Bereiche 412 entsprechend den Differenzen in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die dritte Gruppe G3 eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Einteilung der Bereiche 412 entsprechend den Differenzen gemäß der vorstehenden Tabelle 1 erfolgen.As in 24 is shown, in some embodiments, the areas 412 divided into the first group G1, the second group G2 and the third group G3 according to the differences. In some embodiments, the division of the areas 412 in accordance with the differences in Table 1 above.

Gemäß Tabelle 1 sind Bereiche vorgesehen, und Bereiche 412 mit Differenzen in dem gleichen Bereich werden in ein und dieselbe Gruppe eingeteilt. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn jeweils mindestens einen Bereich 412. Außerdem haben die Bereiche 412 in der gleichen Gruppe die Differenzen in dem gleichen Bereich, und Bereiche 412 in unterschiedlichen Gruppen haben die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen. Zum Beispiel hat der Bereich 412 in der ersten Gruppe G1 eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, der Bereich 412 in der zweiten Gruppe G2 hat eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, und der Bereich 412 in der dritten Gruppe G3 hat eine dritte Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz, wie in 24 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Absolutwert der ersten Differenz kleiner als ein Absolutwert der zweiten Differenz, und ein Absolutwert der (n-1)-ten Differenz ist kleiner als ein Absolutwert der n-ten Differenz, wie in Tabelle 1 angegeben ist.According to Table 1, areas are provided, and areas 412 with differences in the same area are divided into one and the same group. In some embodiments, the first group G1, the second group G2, and the nth group Gn each have at least one area 412 . Also, the areas have 412 in the same group the differences in the same area, and areas 412 in different groups have differences in different areas. For example, the area has 412 in the first group G1 a first difference between its gray scale value and the gray scale reference, the area 412 in the second group G2 has a second difference between its gray scale value and the gray scale reference, and the area 412 in the third group G3 has a third difference between its gray scale value and the gray scale reference, as in FIG 24 is shown. In some embodiments, an absolute value of the first difference is smaller than an absolute value of the second difference, and an absolute value of the (n-1) th difference is smaller than an absolute value of the nth difference, as indicated in Table 1.

In dem Schritt 306 wird eine erste Berechnung durchgeführt, um einen Punktwert zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste Berechnung entsprechend Gleichung (2) durchgeführt.In the step 306 a first calculation is performed to obtain a point value. In some embodiments, the first calculation is performed according to equation (2).

Zum Beispiel können bei einigen Ausführungsformen die in 24 angegebenen Differenzen wie folgt in der ersten Berechnung verwendet werden: $$\text{Ws=}\frac{\left|\left(1\times 16\right)\times \mathrm{0,9}\right|+\left|\left(-60\times 6\right)\times \mathrm{0,925}\right|+\left|\left(70\times 3\right)\times \mathrm{0,95}\right|}{\left|1\times 16\right|+\left|-60\times 6\right|+\left|70\times 3\right|}=\mathrm{0,93}$$

For example, in some embodiments, the 24 specified differences can be used in the first calculation as follows: $$\text{Ws =}\frac{\left|\left(1\times 16\right)\times 0.9\right|+\left|\left(-60\times \mathrm{6th}\right)\times 0.925\right|+\left|\left(70\times 3\right)\times 0.95\right|}{\left|1\times 16\right|+\left|-60\times \mathrm{6th}\right|+\left|70\times 3\right|}=0.93$$

Der Punktwert Ws wird gemäß der vorgenannten Gleichung (2) erhalten.The point value Ws is obtained according to the aforementioned equation (2).

In dem Schritt 307a wird ermittelt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws größer als ein Wert ist. In dem Schritt 307b wird ermittelt, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws kleiner als der Wert ist.In the step 307a it is determined that the substrate has a complicated defect when the point value Ws is larger than one value. In the step 307b it is determined that the substrate does not have a complicated defect if the point value Ws is smaller than the value.

Bei einigen Ausführungsformen kann der Wert 0,92 betragen. Daher wird festgestellt, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, wenn der Punktwert Ws 0,93 ist, was größer als 0,92 ist. Es ist zu beachten, dass die Differenz zwischen den Grauskalenwerten des Bereichs 412 des Bilds 410 und den Grauskalenwerten der Grauskalenreferenz eine Abweichung zwischen einem Oberflächenzustand der Strukturen auf der Fotomaske PM2 nach den Herstellungsprozessen und einem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM zeigen kann. Eine größere Differenz kann darauf hinweisen, dass der Oberflächenzustand der Fotomaske PM2, die gerade kontrolliert wird, sich stärker von dem gewünschten Oberflächenzustand der gewünschten Fotomaske d-PM unterscheidet als der Oberflächenzustand, der bei einem ähnlichen Vergleich zu finden ist, der eine kleinere Differenz zeigt. Außerdem kann die größere Differenz durch Multiplizieren des Grauskalenwerts mit dem Gewichtsfaktor noch mehr vergrößert werden. Daher kann der komplizierte Defekt leicht identifiziert werden.In some embodiments, the value can be 0.92. Therefore, it is determined that the substrate has a complicated defect when the point value Ws is 0.93, which is larger than 0.92. It should be noted that the difference between the gray scale values of the area 412 of the picture 410 and the gray scale values of the gray scale reference can show a deviation between a surface state of the structures on the photomask PM2 after the manufacturing processes and a desired surface state of the desired photomask d-PM. A larger difference may indicate that the surface condition of the photomask PM2 that is being inspected differs more from the desired surface condition of the desired photomask d-PM than the surface condition found in a similar comparison, which shows a smaller difference . In addition, the larger difference can be increased even more by multiplying the gray scale value by the weight factor. Therefore, the complicated defect can be easily identified.

Bei einigen Ausführungsformen wird ein AIMS verwendet, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den komplizierten Defekt hat. Das AIMS ist eine Messmethodik, die eine Möglichkeit zum Simulieren des Ergebnisses einer Belichtung an einem Substrat, d. h. einem Fotomaskensubstrat, unter anderem durch OPC, MEEF und 3D-Effekt-Informationen, bieten kann.In some embodiments, an AIMS is used when the substrate is determined to have the intricate defect. The AIMS is a measurement method that can offer the possibility of simulating the result of an exposure on a substrate, ie a photomask substrate, using OPC, MEEF and 3D effect information, among other things.

Bei einigen Ausführungsformen wird der Schritt 308 ausgeführt, in dem eine zweite Berechnung durchgeführt wird, um eine grafische Darstellung zu erhalten.In some embodiments, the step 308 carried out by performing a second calculation to obtain a graphical representation.

Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Berechnung eine erste Ableitung von Gleichung (2). Bei einigen Ausführungsformen kann eine grafische Darstellung, die das Ergebnis der zweiten Berechnung darstellt, erhalten werden, wie in 25B gezeigt ist. In 25B gibt die Abszissenachse Positionen der Bereiche 412 an, die bei der ersten und der zweiten Berechnung verwendet werden, und die Ordinatenachse gibt die Grauskalenwerte an.In some embodiments, the second calculation is a first derivative of equation (2). In some embodiments, a graph showing the result of the second calculation can be obtained, as in FIG 25B is shown. In 25B the abscissa axis gives positions of the areas 412 used in the first and second calculations, and the ordinate axis indicates the gray scale values.

In dem Schritt 309a wird ermittelt, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind. In dem Schritt 309b wird ermittelt, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind.In the step 309a the substrate is determined to have a shield layer expansion defect when two peaks are seen in the graph. In the step 309b the substrate is determined to have a hard mask layer / shield layer expansion defect when more than two peaks are seen in the graph.

Wie in 25B gezeigt ist, wird ermittelt, dass die Fotomaske PM2 einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, da mehr als zwei Spitzenwerte (d. h. vier Spitzenwerte) in der grafischen Darstellung zu sehen sind.As in 25B as shown, the photomask PM2 is determined to have a hard mask layer / shield layer expansion defect because more than two peaks (ie, four peaks) are seen in the graph.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann nach dem Identifizieren des Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts ein AIMS verwendet werden, um den Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt nochmals zu prüfen. Bei einigen Ausführungsformen können weitere Schritte durchgeführt werden, um die unnötige Hartmaskenschicht und Abschirmschicht zu entfernen. Zum Beispiel kann ein erster Entfernungsschritt durchgeführt werden, um die unnötige Hartmaskenschicht zu entfernen. Bei einigen Ausführungsformen können Ätzgase wie F₂, CF₄, SF₆, SnF₄, XeF₂, I₂ oder andere geeignete Gase für den Entfernungsschritt verwendet werden. Außerdem kann ein zweiter Entfernungsschritt durchgeführt werden, um die unnötige Abschirmschicht zu entfernen. Die Ätzgase, die in dem zweiten Entfernungsschritt verwendet werden, können den vorgenannten Ätzgasen ähnlich sein, und der Kürze halber werden sie nicht nochmals aufgeführt.As stated above, after identifying the hardmask / shielding layer expansion defect, an AIMS can be used to re-examine the hardmasking / shielding layer expansion defect. In some embodiments, additional steps can be taken to remove the unnecessary hard mask layer and shield layer. For example, a first removal step can be performed to remove the unnecessary hard mask layer. In some embodiments, etching gases such as F ₂ , CF ₄ , SF ₆ , SnF ₄ , XeF ₂ , I _2, or other suitable gases can be used for the removal step. In addition, a second removal step can be carried out in order to remove the unnecessary shielding layer. The etching gases used in the second removal step may be similar to the aforementioned etching gases and will not be repeated for the sake of brevity.

Außerdem bedeutet die Feststellung, dass die Fotomaske PM2 keinen komplizierten Defekt aufweist, dass sich keine dünne Schicht 408a und/oder 408b über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 402) gebildet hat. Diese Schichten 408a und/oder 408b können aber tatsächlich über der Struktur entstanden sein, aber sie sind nicht so dick, dass sie die Reflexion ändern, und daher können sie möglicherweise nicht detektiert werden. Daher könnte die Fotomaske PM2 bei einer späteren Belichtung verwendet werden. Bei einigen Ausführungsformen kann die Feststellung, dass die Fotomaske PM2 den komplizierten Defekt hat, bedeuten, dass sich eine dünne Schicht 408a und/oder eine dünne Schicht 408b über der Struktur (d. h., der Phasenverschiebungsschicht 402) gebildet haben, die so dick sind, dass sie die Reflexion ändern, sodass das Belichtungsergebnis verschlechtert wird. Bei einigen Ausführungsformen werden nachfolgende Schritte 308, 309a und 309b durchgeführt, um die Art des vorhandenen komplizierten Defekts zu bestimmen. Dementsprechend kann ein geeigneter Entfernungsschritt durchgeführt werden.In addition, the determination that the photomask PM2 does not have a complicated defect means that there is no thin film 408a and or 408b over the structure (ie, the phase shift layer 402 ) has formed. These layers 408a and or 408b however, they may actually have arisen over the structure, but they are not so thick that they change the reflection and therefore they may not be detected. Therefore, the photomask PM2 could be used in a later exposure. In some embodiments, the determination that the photomask PM2 has the intricate defect may mean that there is a thin layer 408a and / or a thin layer 408b over the structure (ie, the phase shift layer 402 ) that are so thick that they change the reflection that worsens the exposure result. In some embodiments, the following steps are used 308 , 309a and 309b performed to determine the nature of the complex defect present. Accordingly, an appropriate removing step can be performed.

Wie vorstehend dargelegt worden ist, tritt der komplizierte Defekt auf, wenn sich eine dünne Schicht über der Strukturoberfläche der Fotomaske PM2 bildet. Der komplizierte Defekt ist möglicherweise nicht erkennbar, aber er kann ernsthafte Probleme bei der Belichtung verursachen. Durch Einteilen der Bereiche 412 in die erste Gruppe G1, die zweite Gruppe G2 und die n-te Gruppe Gn und durch Bereitstellen unterschiedlicher Gewichtsfaktoren für unterschiedliche Gruppen können die Gruppen, die den komplizierten Defekt haben können, vergrößert werden. Außerdem kann durch Durchführen der ersten Berechnung mit Gleichung (1) der Punktwert Ws, der den Zustand der gesamten Oberfläche darstellen kann, leicht ermittelt werden. Darüber hinaus kann das Vorhandensein des komplizierten Defekts ermittelt werden, wenn der Punktwert Ws größer als der Wert ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Wert einstellbar.As stated above, the complicated defect occurs when a thin layer is formed over the structure surface of the photomask PM2. The intricate defect may not be noticeable, but it can cause serious exposure problems. By dividing up the areas 412 into the first group G1, the second group G2 and the n-th group Gn, and by providing different weighting factors for different groups, the groups that can have the complicated defect can be enlarged. In addition, by performing the first calculation using equation (1), the point value Ws which can represent the state of the entire surface can be easily obtained. In addition, the presence of the complicated defect can be determined when the point value Ws is larger than the value. In some embodiments, the value is adjustable.

Das Verfahren 300 zur Defektkontrolle kann durchgeführt werden, um den ESD-Defekt zu detektieren. Bei einigen Ausführungsformen stellt das Verfahren 300 zur Defektkontrolle ein Wichtungsmodell bereit. Das Wichtungsmodell unterstützt ein Vergrößern des ESD-Defekts, sodass der ESD-Defekt detektiert werden kann. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren 300 zur Defektkontrolle eine zweite Berechnung, die zum Unterscheiden des Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekts von dem Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt beiträgt. Daher können geeignete Entfernungsschritte durchgeführt werden.The procedure 300 for defect control can be carried out to detect the ESD defect. In some embodiments, the method provides 300 a weighting model ready for defect control. The weighting model supports the enlargement of the ESD defect so that the ESD defect can be detected. In some embodiments, the method includes 300 a second calculation to check for defects, which contributes to distinguishing the shield layer expansion defect from the hard mask layer / shield layer expansion defect. Therefore, appropriate removal steps can be taken.

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Defektkontrolle bereit. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren des ESD-Defekts durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Defektkontrolle eine erste Berechnung. Die erste Berechnung dient zum Vergrößern des ESD-Defekts, sodass der ESD-Defekt ermittelt werden kann. Bei einigen Ausführungsformen wird das Verfahren zur Defektkontrolle zum Detektieren von komplizierten Defekten durchgeführt. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Verfahren zur Defektkontrolle zwei Berechnungen. Die erste Berechnung wird zum Ermitteln des Vorhandenseins des komplizierten Defekts durchgeführt, und die zweite Berechnung wird zum Unterscheiden durchgeführt, ob der komplizierte Defekt der Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt oder der Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt ist. Dementsprechend können geeignete Entfernungsschritte durchgeführt werden. Mit dem bereitgestellten Verfahren zur Defektkontrolle können die Defekte unter Verwendung des herkömmlichen Kontrollgeräts exakt detektiert und identifiziert werden. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der Kontrolle verbessert werden und die Durchlaufzeit für die Kontrolle kann verkürzt werden. Außerdem können zusätzliche Kosten für die Gerätemodifikation gespart werden.The present invention provides a method for defect control. In some embodiments, the defect control method is performed to detect the ESD defect. In some embodiments, the method of defect control includes a first calculation. The first calculation is used to enlarge the ESD defect so that the ESD defect can be determined. In some embodiments, the defect control method is performed to detect complex defects. In some embodiments, the defect control method includes two calculations. The first calculation is performed to determine the presence of the complicated defect, and the second calculation is made to discriminate whether the complicated defect is the shield layer expansion defect or the hard mask / shield layer expansion defect. Accordingly, appropriate removal steps can be taken. With the method provided for defect control, the defects can be precisely detected and identified using the conventional control device. Thereby, the reliability of the control can be improved and the lead time for the control can be shortened. In addition, additional costs for device modification can be saved.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats, wobei das Grauskalenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Grauskalenwert hat; Vergleichen des Grauskalenwerts jedes Bereichs mit einer Grauskalenreferenz, um eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe zu definieren, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens einen Bereich aufweisen, wobei der Bereich in der ersten Gruppe eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat, der Bereich in der zweiten Gruppe eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat und der Bereich in der n-ten Gruppe eine n-te Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen ESD-Defekt (ESD: elektrostatische Entladung) hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat.According to one embodiment of the present invention, a method for defect control is provided. The method comprises the following steps: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate, the gray scale image having a plurality of areas, each of the areas having a gray scale value; Comparing the grayscale value of each area to a grayscale reference to define a first group, a second group, and an nth group, the first group, the second group, and the nth group each having at least one area, the area in the first group has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, the area in the second group has a second difference between its grayscale value and the grayscale reference, and the area in the nth group has an nth difference between its grayscale value and the grayscale reference Has; Performing a calculation corresponding to the first difference, the second difference and the n-th difference to obtain a point value; and if the point value is larger than a value, determining that the substrate has an ESD (ESD: Electrostatic Discharge) defect, and if the point value is smaller than the value, determining that the substrate has no ESD defect.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein weiteres Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Grauskalenbild, wobei der Defektbereich eine Mehrzahl von ersten Bereichen umfasst, wobei jeder der ersten Bereiche einen Grauskalenwert und eine Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und einer Grauskalenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat.According to one embodiment of the present invention, a further method for defect control is provided. The method comprises the following steps: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate; Defining a defect area in the grayscale image, the defect area comprising a plurality of first areas, each of the first areas having a grayscale value and a difference between its grayscale value and a grayscale reference; Performing a calculation to obtain a point value; and if the point value is larger than a value, determining that the substrate has a complicated defect, and if the point value is smaller than the value, determining that the substrate does not have a complicated defect.

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein weiteres Verfahren zur Defektkontrolle bereitgestellt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Grauskalenbild, wobei der Defektbereich mindestens einen ersten Bereich und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen umfasst, wobei der erste Bereich und die zweiten Bereiche jeweils einen Grauskalenwert und eine Differenz zwischen ihrem Grauskalenwert und einer Grauskalenreferenz haben; Durchführen einer ersten Berechnung entsprechend den Differenzen zwischen der Grauskalenreferenz und dem Grauskalenwert jedes der Bereiche in dem Defektbereich, um einen Punktwert zu erhalten; Durchführen einer zweiten Berechnung, um eine grafische Darstellung zu erhalten, wenn der Punktwert größer als ein Wert ist; und wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat.According to one embodiment of the present invention, a further method for defect control is provided. The method comprises the following steps: obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate; Defining a defect area in the grayscale image, the defect area including at least a first area and a plurality of second areas, the first area and the second areas each having a gray scale value and a difference between their gray scale value and a gray scale reference; Performing a first calculation according to the differences between the gray scale reference and the gray scale value of each of the areas in the defect area to obtain a point value; Performing a second calculation to obtain a graph when the score is greater than a value; and if two peaks are seen in the graph, determining that the substrate has a shield layer expansion defect, and if more than two peaks are seen in the graph, determining that the substrate has a hardmask layer / shield layer expansion defect .

Vorstehend sind Merkmale verschiedener Ausführungsformen beschrieben worden, sodass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Erfindung besser verstehen können. Fachleuten dürfte klar sein, dass sie die vorliegende Erfindung ohne Weiteres als eine Grundlage zum Gestalten oder Modifizieren anderer Verfahren und Strukturen zum Erreichen der gleichen Ziele und/oder zum Erzielen der gleichen Vorzüge wie bei den hier vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute dürften ebenfalls erkennen, dass solche äquivalenten Auslegungen nicht von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abweichen und dass sie hier verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen vornehmen können, ohne von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.Features of various embodiments have been described above so that those skilled in the art may better understand aspects of the present invention. It should be understood by those skilled in the art that they can readily use the present invention as a basis for designing or modifying other methods and structures to achieve the same goals and / or achieve the same advantages as the embodiments presented herein. Those skilled in the art should also recognize that such equivalent configurations do not depart from the spirit and scope of the present invention, and that they can make various changes, substitutions, and modifications therein without departing from the spirit and scope of the present invention.

Claims (20)

Verfahren zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats, wobei das Grauskalenbild eine Mehrzahl von Bereichen aufweist, wobei jeder der Bereiche einen Grauskalenwert hat; Vergleichen des Grauskalenwerts jedes Bereichs mit einer Grauskalenreferenz, um eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe zu definieren, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens einen Bereich aufweisen, wobei der Bereich in der ersten Gruppe eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat, der Bereich in der zweiten Gruppe eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat und der Bereich in der n-ten Gruppe eine n-te Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung entsprechend der ersten Differenz, der zweiten Differenz und der n-ten Differenz, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen ESD-Defekt (ESD: elektrostatische Entladung) hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen ESD-Defekt hat.Defect inspection procedure with the following steps: Obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate, the gray scale image having a plurality of areas, each of the areas having a gray scale value; Comparing the grayscale value of each area to a grayscale reference to define a first group, a second group, and an nth group, the first group, the second group, and the nth group each having at least one area, the area in the first group has a first difference between its grayscale value and the grayscale reference, the area in the second group has a second difference between its grayscale value and the grayscale reference, and the area in the nth group has an nth difference between its grayscale value and the grayscale reference Has; Performing a calculation corresponding to the first difference, the second difference and the n-th difference to obtain a point value; and if the point value is larger than a value, determining that the substrate has an ESD (ESD: Electrostatic Discharge) defect, and if the point value is smaller than the value, determining that the substrate has no ESD defect. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Erhalten des Grauskalenbilds des Substrats weiterhin Folgendes umfasst: Abtasten der Oberfläche des Substrats mit einem optischen Kontrollgerät, um Licht zu erzeugen, das von der Oberfläche des Substrats reflektiert wird; und Erhalten des Grauskalenbilds des Substrats entsprechend dem reflektierten Licht.Procedure according to Claim 1 wherein obtaining the gray scale image of the substrate further comprises: scanning the surface of the substrate with an optical inspection device to generate light that is reflected from the surface of the substrate; and obtaining the gray scale image of the substrate corresponding to the reflected light. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Differenz kleiner als die zweite Differenz ist und eine (n-1)-te Differenz kleiner als die n-te Differenz ist.Procedure according to Claim 1 or 2 , wherein the first difference is smaller than the second difference and an (n-1) th difference is smaller than the nth difference. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Berechnung gemäß einer folgenden Gleichung (1) durchgeführt wird: $$\text{Ws=}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\cdot \cdot \cdot {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3,...}Gn}}}$$

wobei G der individuelle Grauwert in einem ersten Bereich G1, einem zweiten Bereich G2, einem dritten Bereich G3 und einem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the calculation is carried out according to a following equation (1): $$\text{Ws =}\frac{{\displaystyle \sum e_1{\left(G\right)}_{G1}}+{\displaystyle \sum e_2{\left(G\right)}_{G2}+{\displaystyle \sum e_3{\left(G\right)}_{G3}+\cdot \cdot \cdot {\displaystyle \sum e_n{\left(G\right)}_{Gn}}}}}{{\displaystyle \sum {\left(G\right)}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3,\; ...}Gn}}}$$

where G is the individual gray value in a first area G1, a second area G2, a third area G3 and an n-th area Gn, e _{1 is} a first weighting _{factor, e 2 is} a second weighting factor, e _{3 is} a third weighting factor and e _{n is} an n-th weight factor. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der erste Gewichtsfaktor kleiner als der zweite Gewichtsfaktor ist und ein (n-1)-ter Gewichtsfaktor kleiner als der n-te Gewichtsfaktor ist.Procedure according to Claim 4 , wherein the first weight factor is smaller than the second weight factor and an (n-1) -th weight factor is smaller than the n-th weight factor. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das weiterhin ein Verwenden eines Aufsicht-Bild-Messsystems (AIMS) umfasst, wenn ermittelt wird, dass das Substrat den ESD-Defekt hat.The method according to any one of the preceding claims, further comprising using a top view image measurement system (AIMS) when it is determined that the substrate has the ESD defect. Verfahren zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Grauskalenbild, wobei der Defektbereich eine Mehrzahl von ersten Bereichen umfasst, wobei jeder der ersten Bereiche einen Grauskalenwert und eine Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und einer Grauskalenreferenz hat; Durchführen einer Berechnung, um einen Punktwert zu erhalten; und wenn der Punktwert größer als ein Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat einen komplizierten Defekt hat, und wenn der Punktwert kleiner als der Wert ist, Ermitteln, dass das Substrat keinen komplizierten Defekt hat.Defect inspection procedure with the following steps: Obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate; Defining a defect area in the grayscale image, the defect area comprising a plurality of first areas, each of the first areas having a grayscale value and a difference between its grayscale value and a grayscale reference; Performing a calculation to obtain a point value; and if the point value is larger than a value, determining that the substrate has a complicated defect, and if the point value is smaller than the value, determining that the substrate has no complicated defect. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Definieren des Defektbereichs in dem Grauskalenbild weiterhin Folgendes umfasst: Vergleichen des Grauskalenbilds mit der Grauskalenreferenz, um einen potentiellen Defektbereich zu identifizieren; und Vergrößern des potentiellen Defektbereichs so, dass er eine Mehrzahl von zweiten Bereichen umfasst, um den Defektbereich zu definieren.Procedure according to Claim 7 wherein defining the defect area in the gray scale image further comprises: comparing the gray scale image to the gray scale reference to identify a potential defect area; and enlarging the potential defect area to include a plurality of second areas to define the defect area. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die zweiten Bereiche die ersten Bereiche umschließen.Procedure according to Claim 8 , wherein the second areas enclose the first areas. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei der Defektbereich eine Breite entlang einer ersten Richtung und eine Länge entlang einer zweiten Richtung hat, wobei die Breite und die Länge im Wesentlichen gleichgroß sind.Method according to one of the Claims 7 to 9 wherein the defect region has a width along a first direction and a length along a second direction, the width and the length being substantially the same. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei das Definieren des Defektbereichs in dem Grauskalenbild weiterhin ein Definieren einer ersten Gruppe, einer zweiten Gruppe und einer n-ten Gruppe umfasst, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens einen ersten Bereich oder mindestens einen zweiten Bereich haben, wobei Bereiche in ein und derselben Gruppe die Differenzen in ein und demselben Bereich haben und Bereiche in unterschiedlichen Gruppen die Differenzen in unterschiedlichen Bereichen haben.Method according to one of the Claims 7 to 9 wherein defining the defect area in the grayscale image further comprises defining a first group, a second group and an n-th group, wherein the first group, the second group and the n-th group each have at least one first area or at least one second Areas where areas in one and the same group have the differences in one and the same area and areas in different groups have the differences in different areas. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Berechnung gemäß einer folgenden Gleichung (2) durchgeführt wird: $${\text{W}}_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|}+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3...}}}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in dem ersten Bereich G1, dem zweiten Bereich G2, dem dritten Bereich G3 und dem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Procedure according to Claim 10 , wherein the first calculation is performed according to an equation (2) below: $${\text{W.}}_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|}+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3\; ...}}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in the first area G1, the second area G2, the third area G3 and the nth area Gn, e _{1 is} a first weight _{factor, e 2 is} a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _{n is} an n-th weight factor. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der erste Gewichtsfaktor kleiner als der zweite Gewichtsfaktor ist und ein (n-1)-ter Gewichtsfaktor kleiner als der n-te Gewichtsfaktor ist.Procedure according to Claim 12 , wherein the first weight factor is smaller than the second weight factor and an (n-1) -th weight factor is smaller than the n-th weight factor. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, das weiterhin Folgendes umfasst: Erhalten einer Ableitung einer ersten Ordnung von Gleichung (2); und Zeichnen einer grafischen Darstellung der Ableitung der ersten Ordnung.Procedure according to Claim 12 or 13th further comprising: obtaining a first order derivative of equation (2); and drawing a graph of the first order derivative. Verfahren nach Anspruch 14, wobei in dem Fall, dass zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, ermittelt wird, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und in dem Fall, dass mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, ermittelt wird, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat.Procedure according to Claim 14 In the event that two peaks are seen in the graph, it is determined that the substrate has a shield layer expansion defect, and in the event that more than two peaks are seen in the graph, it is determined, that the substrate has a hard mask layer / shield layer expansion defect. Verfahren zur Defektkontrolle mit den folgenden Schritten: Erhalten eines Substrats mit einer Oberfläche und einer Mehrzahl von Strukturen, die auf der Oberfläche angeordnet sind; Erhalten eines Grauskalenbilds des Substrats; Definieren eines Defektbereichs in dem Grauskalenbild, wobei der Defektbereich mindestens einen ersten Bereich und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen umfasst, wobei der erste Bereich und die zweiten Bereiche jeweils einen Grauskalenwert und eine Differenz zwischen ihrem Grauskalenwert und einer Grauskalenreferenz haben; Durchführen einer ersten Berechnung entsprechend den Differenzen zwischen der Grauskalenreferenz und dem Grauskalenwert jedes der Bereiche in dem Defektbereich, um einen Punktwert zu erhalten; Durchführen einer zweiten Berechnung, um eine grafische Darstellung zu erhalten, wenn der Punktwert größer als ein Wert ist; und wenn zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat, und wenn mehr als zwei Spitzenwerte in der grafischen Darstellung zu sehen sind, Ermitteln, dass das Substrat einen Hartmaskenschicht-/Abschirmschicht-Ausdehnungsdefekt hat.Defect inspection procedure with the following steps: Obtaining a substrate having a surface and a plurality of structures arranged on the surface; Obtaining a gray scale image of the substrate; Defining a defect area in the grayscale image, the defect area including at least a first area and a plurality of second areas, the first area and the second areas each having a gray scale value and a difference between their gray scale value and a gray scale reference; Performing a first calculation according to the differences between the gray scale reference and the gray scale value of each of the areas in the defect area to obtain a point value; Performing a second calculation to obtain a graph when the score is greater than a value; and if two peaks are seen in the graph, determine that the substrate has a shield layer expansion defect, and if more than two peaks are seen in the graph, determine that the substrate has a hard mask layer / shield layer expansion defect. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Definieren des Defektbereichs in dem Grauskalenbild weiterhin Folgendes umfasst: Vergleichen des Grauskalenbilds mit der Grauskalenreferenz, um einen potentiellen Defektbereich zu identifizieren, der mindestens den ersten Bereich umfasst; und Vergrößern des potentiellen Defektbereichs so, dass er die zweiten Bereiche umfasst, um den Defektbereich zu definieren.Procedure according to Claim 16 wherein defining the defect area in the gray scale image further comprises: comparing the gray scale image to the gray scale reference to identify a potential defect area including at least the first area; and enlarging the potential defect area to include the second areas to define the defect area. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, das weiterhin ein Vergleichen des Grauskalenwerts jedes Bereichs mit der Grauskalenreferenz umfasst, um eine erste Gruppe, eine zweite Gruppe und eine n-te Gruppe zu definieren, wobei die erste Gruppe, die zweite Gruppe und die n-te Gruppe jeweils mindestens den ersten Bereich oder die zweiten Bereiche umfassen, wobei jeder der Bereiche in der ersten Gruppe eine erste Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat, jeder der Bereiche in der zweiten Gruppe eine zweite Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat und jeder der Bereiche in der n-ten Gruppe eine n-te Differenz zwischen seinem Grauskalenwert und der Grauskalenreferenz hat.Procedure according to Claim 16 or 17th further comprising comparing the grayscale value of each area to the grayscale reference to define a first group, a second group, and an nth group, the first group, the second group, and the nth group each at least the first area or comprise the second areas, wherein each of the areas in the first group has a first difference between its gray scale value and the gray scale reference, each of the areas in the second group has a second difference between its gray scale value and the gray scale reference, and each of the areas in the n- th group has an nth difference between its grayscale value and the grayscale reference. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die erste Berechnung gemäß einer folgenden Gleichung (3) durchgeführt wird: $${\text{W}}_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|}+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3...}}}}$$

wobei Ws der Punktwert ist, G der individuelle Grauwert in einem ersten Bereich G1, einem zweiten Bereich G2, einem dritten Bereich G3 und einem n-ten Bereich Gn ist, e₁ ein erster Gewichtsfaktor ist, e₂ ein zweiter Gewichtsfaktor ist, e₃ ein dritter Gewichtsfaktor ist und e_n ein n-ter Gewichtsfaktor ist.Procedure according to Claim 18 , wherein the first calculation is performed according to an equation (3) below: $${\text{W.}}_s\text{=}\frac{{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_1\right)}_{G1}\right|}+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_2\right)}_{G2}\right|+{\displaystyle \sum \left|{\left(G\times e_3\right)}_{G3}\right|+\mathrm{...}}}}{{\displaystyle \sum {\left|G\right|}_{G\mathrm{1,}G\mathrm{2,}G\mathrm{3\; ...}}}}$$

where Ws is the point value, G is the individual gray value in a first area G1, a second area G2, a third area G3 and an n-th area Gn, e _{1 is} a first weight _{factor, e 2 is} a second weight factor, e ₃ is a third weight factor and e _{n is} an n-th weight factor. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, wobei die zweite Berechnung eine Ableitung erster Ordnung von Gleichung (3) ist.Procedure according to Claim 18 or 19th , wherein the second calculation is a first order derivative of equation (3).

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