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Die hier beschriebene Erfindung betrifft eine Messspitze zur Verwendung in optoelektronischen Messsystemen zur ortsaufgelösten Abtastung von elektromagnetischer Strahlung im Terahertz- (THz-) frequenzbereich von 0.01 THz bis 10. Die Messspitze eignet sich dabei sowohl zur Messung von extern erzeugter und auf die Messspitze eingestrahlter Strahlung als auch zur Messung von in der Messspitze generierter Signale, die von der Messpitze abgestrahlt und wieder auf sie zurückreflektiert werden. Insbesondere können solche Messungen mit Hilfe der vorgestellten Messspitze auch in unmittelbarer Nähe zu Oberflächen - im sogenannten Nahfeldbereich - durchgeführt werden. Sie eignet sich dabei unter anderem für Anwendungen im Bereich der Material- (insbesondere der Dünnfilm-) Analyse auf Basis der THz-Transmissions und Reflexionsspektroskopie. Die Messspitze enthält monolitisch integrierte photoleitende Strukturen zur optoelektronischen Erzeugung und Abtastung elektromagnetischer (EM) Strahlung. Darüber hinaus verfügt die Messspitze über eine Antennenstruktur zur gerichteten Abstrahlung und lokalen Abtastung zurückreflektierter Strahlung sowie eine integrierte Kopplungsstrecke zur Gleichspannungstrennung und THz-Signalübertragung.
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THz-Spektroskopieverfahren werden bereits in der Analyse von Materialeigenschaften eingesetzt. Beispielsweise bei der berührungsfreien Messung der Dicke von Lackschichten und Kunststoffrohren [Ellrich19] oder zur ortsaufgelösten Messung von Schichtwiderständen auf Halbleiterwafern [Nagel13]. Ein häufiges Problem ist die mangelnde Ortsauflösung so genannter Fernfeldverfahren, bei denen die THz-Strahlung mit Hilfe von Optiken wie Linsen oder Hohlspiegeln fokussiert wird und die zu untersuchenden Oberflächen im Rasterscanverfahren abgetastet werden. Die maximale Ortsauflösung liegt hierbei ungefähr im Bereich der Wellenlänge der verwendeten THz-Strahlung und damit in der Praxis typisch bei 1-3 mm. Zur Verbesserung der Ortsauflösung von Fernfeldverfahren können Hochpass-Frequenzfilter eingesetzt werden, wie in
DE102016009132A1 vorgeschlagen, die jedoch den Nachteil haben, dass die herausgefilterten niederfrequenten Signalanteile nicht mehr zur Analyse genutzt werden können und das Signal-zu-Rausch-Verhältnis und damit die Messgeschwindigkeit des Gesamtsystems stark reduziert werden. So genannte Nahfeldverfahren erreichen deutlich höhere Ortsauflösungen. Es existieren eine Vielzahl verschiedener Ansätze die dem Bereich der Nahfeldverfahren zugeordnet werden können [Adams11]. Gruppiert werden können diese in aktive und passive Nahfeldverfahren. Bei den passiven Verfahren wird eine leitende Struktur verwendet, um die Wechselwirkung zwischen dem eingestrahlten Licht und dem zu untersuchenden Material räumlich zu begrenzen.
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Genutzt werden hierfür unter anderem Wellenleiter [
US20070216422A1 ], Aperturen [
US8148688B2 ] oder Streuelemente [
JP5940603B2 ]. Ein wesentlicher Nachteil der passiven Verfahren ist, dass die Begrenzung der Wechselwirkung immer einhergeht mit einer Reduzierung der messbaren Signalstärke aufgrund von steigenden Kopplungsverlusten zwischen Signalquelle und Detektor. Im Gegensatz dazu nutzen aktive Nahfeldverfahren die direkte Feldabtastung in unmittelbarer Nähe zum Messobjekt mit Hilfe von Detektoren deren Sensorelemente selbst kleiner als die Wellenlänge sind. Bekannt sind hier zum Beispiel elektrooptische [
EP0586202B1 ] oder photoleitende Sensoren [
DE102009000823B3 ,
WO2011134593A1 ]. Diese aktiven Verfahren zeichnen sich typischerweise durch ein hohes Signal-zu-Rauschverhältnis aus, da die Kopplungsverluste der passiven Verfahren weitgehend vermieden werden können. Methoden zur aktiven Abtastung im Nahfeldbereich beschränken sich jedoch bislang auf Messungen im Transmissionsmodus [Nagel13] wobei die folgenden Nachteile bestehen: a) Es können nur Materialien untersucht werden, die eine ausreichende Transmission der THz Strahlung aufweisen. Diese Einschränkung ist im Halbleiterbereich von großer Relevanz, da typische Ausführungen wie etwa eine Rückseitenmetallisierung oder eine hohe Hintergrunddotierung das THz Transmissionsvermögen stark einschränken bzw. vollständig verhindern können. Ein weiterer Nachteil b) liegt in der zwangsläufigen Erfassung von Substrateigenschaften und einer fehlenden Möglichkeit zur eindeutigen Trennung von Oberflächeneigenschaften bzw. Erfassung von Tiefeninformationen. Diese Nachteile können prinzipiell durch den Wechsel auf eine Reflexionsanordnung vermieden werden, bei der Emitter und Detektor auf derselben Seite der Testoberfläche platziert sind. Es kann hier eine Signalantwort auch an opaken Materialen gemessen werden und durch die Erfassung von Signallaufzeiten können Oberflächen- und Tiefeninformationen getrennt werden.
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Bisher weisen Reflexionsanordnungen mit aktiver Abtastung im Nahfeld jedoch noch verschiedene Defizite auf: Aus [
WO2011134593A1 ,
5] ist eine Messspitze bekannt, die eine THz Emitter- und Detektorstruktur beinhaltet sowie eine Wellenleiterstruktur, die das THz-Signal vom Emitter zum Detektor und von dort zur angenäherten Testoberfläche und zurück zum Detektor überträgt. Diese Messspitze liefert in der Praxis jedoch nur eine niedrige Ortsauflösung, da das detektierte rückreflektierte THz Signal aufgrund der geringen lateralen Feldbegrenzung des verwendeten Wellenleiters einen hohen Hintergrundsignalanteil enthält, der keine Nahfeldinformation aufweist. Dieser Hintergrundsignalanteil und die Nahfeldinformation werden zeitlich und räumlich überlagert vom Detektor erfasst, was zur Trennung beider Signalanteile zum Beispiel einen Modulation/Demodulationsansatz erfordert. Bauartbedingt ist eine Demodulation zur Extraktion der Nahfeldinformation über eine mechanische Oszillation der Messspitze wie in Rasterkraftmikroskopen üblich nicht umsetzbar. Das führt dazu, dass diese Lösung für Reflexionmessungen nur geringe Ortsauflösungen ermöglicht, die ungefähr im Bereich von 200 - 300 µm liegen.
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Vor kurzem wurde ein weiterer Ansatz vorgestellt (
DE 10 2019 005 412.1 ), bei dem das Problem der Hintergrundsignalunterdrückung dadurch gelöst wird, indem ein nicht wellenleitergekoppeltes Streuelement verwendet und eine Streusignalerfassung außerhalb der spiegelnden Reflexionsrichtung genutzt wird. Diese Anordnung ermöglicht zwar höhere Ortsauflösungen, jedoch sind die erreichbaren Messgeschwindigkeit noch immer stark begrenzt, da zur Erzeugung des Streusignals die Oberfläche mit sehr kleinen Sondenabständen abgefahren werden muss und die kleinen Streusignalamplituden noch verhältnismäßig lange Mittelungszeiten erfordern. Ein weiterer Nachteil dieses Ansatzes ist, dass die Messspitze neben den Messungen im Reflexionsmodus, aufgrund der verwendeten Antennenanordnung nur mit geringer Effizienz für Messungen im Transmissionsmodus verwendet werden kann.
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An diesem Punkt setzt die vorliegende Erfindung an. In erfinderischer Weise wurde eine neuartige Konfiguration gefunden, die erstmals Messungen mit hoher Ortsauflösung und hohem Signalkontrast ermöglich und dabei gleichermaßen für Nahfeld-Messungen im Transmissions- und Reflexionsmodus geeignet ist.
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Diese Aufgabe wird in erfinderischer Weise durch die im Folgenden beschriebene Messspitze und ihre Ausführungsformen gelöst:
- Die neuartige Messspitze enthält zur THz-Signalerzeugung und -Detektion jeweils mindestens einen photoleitenden Schalter, der jeweils in eine koplanare Streifenleitung integriert ist. An der vordersten Position der Messspitze befindet sich eine einzelne Antennenstruktur, die mit einer koplanaren Streifenleitung und mindestens einem Photoschalter verbunden ist. Die Antennenstruktur wird sowohl zur Abstrahlung von messspitzenintern-erzeugter THz-Signale verwendet, als auch zum Empfang von zurückreflektierter oder direkt eingestrahlter THz-Strahlung. Die Anordnung der Antenne als vorderste Abschlussstruktur der Messspitze ermöglicht hierbei in idealer Weise neben Messungen von an Oberflächen reflektierten Signalen auch die Messung transmittierter Strahlung, da die Antenne im Gegensatz zur bisherigen Lösungen mit zwei separaten beabstandeten Antennen nun maximal an die TestOberfläche angenähert und optimal zur Polarisationsrichtung der einfallenden Strahlung ausgerichtet werden kann.
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Die Problematik der Hintergrundsignalunterdrückung im Reflexionsbetrieb wird auf folgende Weise gelöst: Da die Abstrahlung der beugungsbegrenzten Freiraumwelle erst unmittelbar an der vorderen Apex der Messspitze erzeugt wird, existiert im Gegensatz zu früheren Lösungen im Nahfeld-Abtastbereich noch keine ausgedehnte Freiraumwelle, die die Ortsauflösung reduzieren würde und deshalb als Hintergrundsignal unterdrückt werden müsste.
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Die hier vorgestellte Messspitze beinhaltet zu diesem Zweck eine Antennenzuleitung in Form einer koplanaren Streifenleitung (Engl. Abk. „CPS“) in der mindestens ein photokonduktiver Schalter integriert ist, der zur Signalerzeugung oder Signalabtastung genutzt wird. An die Antennenzuleitung elektromagnetisch angekoppelt ist eine zweite CPS in der ebenfalls mindestens ein photokonduktiver Schalter integriert ist, der auch entweder zur Signalerzeugung oder zur Signalabtastung genutzt wird. Im Reflexionsbetrieb der Messspitze wird an einem Photoschalter bei elektrostatischer Vorspannung und optischer Anregung ein THz-Signal erzeugt, welches entlang der CPS zur Antenne und über die Koppelstrecke zum zweiten Photoschalter zur Detektion übertragen wird. Die räumliche Trennung beider Photoschalter und der Antennenstruktur ermöglicht eine einfache Signaltrennung der direkt übertragenen und von der Antenne zurück reflektierten bzw. empfangenen Signalanteile, da diese ausreichend große Signallaufzeitunterschiede auf ihrem Weg zum Detektionsschalter erhalten. Die elektromagnetische Koppelstrecke ermöglicht zudem die erforderliche Isolation der am emittierenden Photoschalter anliegenden Vorspannung von dem zur Detektion genutzten zweiten Photoschalter.
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Zur Erhöhung des Signalkontrastes und der Empfindlichkeit der Messspitze wird anstatt eines einfachen offenen Wellenleiter-Endes eine Dipol-Antenne mit einem einzelne Direktor-Element verwendet.
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Ein weiteres wesentliches Merkmal der neuen Messspitze betrifft die Ausführung der CPS Strukturen zur Signalübertragung. Diese bestehen in ihren Grundelementen aus einem dielektrischen Trägermaterial und zwei darauf parallel angeordneten metallischen Streifenleitungen. Eine Übertragungsbandbreite von 0.1 - 2 THz wird hierbei ermöglicht durch eine Trägermaterialdicke d < 30 µm sowie einem Brechungsindex n < 2. Für höhere Frequenzen müssen noch weiter reduzierte Trägermaterialdicken verwendet werden. Zur Vermeidung parasitäre Signalreflexionen innerhalb der Messspitze sind die CPS Ausgangsabschnitte mit Signalabsorbierenden Kammstrukturen ausgestattet. Zur mechanische Befestigung und Stabilisierung der Trägerschicht sowie zur Weiterleitung der elektrischen Kontakte an Steckverbindungen ist die CPS Struktur über eine U-förmig ausgesparte Leiterplatte aufgebracht und mit einem selbsthärtendem Unterfüllmaterial fixiert.
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Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
- 1: Schematische Darstellung eines Testobjekts (102) und einer erfindungsgemäßen Messspitze (100) in Draufsicht bestehend aus einem dielektrischen Trägermaterial (101) mit einer darauf angeordneten Antennenstruktur (103) und Photoschaltern (105) die mit koplanaren Streifenleitungen (106) verbunden sind, welche ausgangsseitig mit Absorberstrukturen (107) ausgestattet sind. Die Photoschalter (105) jeweils in Form eines lateralen Metall-Halbleiter-Metall-Übergangs werden im Betrieb mit Hilfe eines optischen Pulses angeregt bzw. abgetastet. Mindestens ein Photoschalter (105) wird über eine Spannungsquelle (108) vorgespannt, wodurch dieser bei optischer Anregung THz-Signale generiert. Zur THz-Signaldetektion wird der Ausgangsstrom eines nicht vorgespannten und optisch abgetasteten Photoschalters (105) über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (109) ausgelesen. Zwischen den Photoschaltern (105) zur Signalerzeugung und Detektion befindet sich eine elektromagnetische Koppelstrecke (104).
- 2: Schematische Darstellung zur Beschreibung des Transmissionsbetriebs der erfindungsgemäßen Messspitze (200) mit Hilfe eines Testobjekts (202) und der Draufsicht der Messspitze (200) bestehend aus einem dielektrischen Trägermaterial (201) mit einer darauf angeordneten Antennenstruktur (203) und Photoschaltern (205) die mit koplanaren Streifenleitungen (206) verbunden sind, welche ausgangsseitig mit Absorberstrukturen (207) ausgestattet sind. Die Photoschalter (205) jeweils in Form eines lateralen Metall-Halbleiter-Metall-Übergangs werden im Betrieb mit Hilfe optischer Pulse angeregt bzw. abgetastet. Mindestens ein Photoschalter (205) - vorzugsweise ein Photoschalter (205-a) der unmittelbar in die Antenne (203) integriert ist - wird zur Detektion einer extern erzeugten THz Strahlung (210) genutzt, die durch ein Testobjekt (202) transmittiert wird und von der Antenne (203) empfangen wird. Der Ausgangsstrom des Detektionsphotoschalters (205-a) wird über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (209) zur Signaldetektion ausgelesen.
- 3: Schematische Darstellung zur Beschreibung des Reflexionssbetriebs der erfindungsgemäßen Messspitze (300) mit Hilfe eines Testobjekts (302) und der Draufsicht der Messspitze (300) bestehend aus einem dielektrischen Trägermaterial (301) mit einer darauf angeordneten Antennenstruktur (303) und Photoschaltern (305) die mit koplanaren Streifenleitungen (306) verbunden sind, welche ausgangsseitig mit Absorberstrukturen (307) ausgestattet sind. Die Photoschalter (305) jeweils in Form eines lateralen Metall-Halbleiter-Metall-Übergangs werden im Betrieb mit Hilfe optischer Pulse angeregt bzw. abgetastet. Mindestens ein Photoschalter (305-b) wird über eine Spannungsquelle (308) vorgespannt, wodurch dieser bei optischer Anregung THz-Signale (310) generiert, die entlang der angeschlossenen koplanaren Streifenleitungen (306) übertragen werden. Zur THz-Signaldetektion wird der Ausgangsstrom eines nicht vorgespannten und optisch abgetasteten Photoschalters (305-a) über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (309) ausgelesen. Zwischen den Photoschaltern zur Signalerzeugung (305-b) und Detektion (305-a) befindet sich eine elektromagnetische Koppelstrecke (304).
- 4: Erfindungsgemäßen Messspitze (400) in Draufsicht bestehend aus einem dielektrischen Trägermaterial (401) mit einer darauf angeordneten Antennenstruktur (403) die mit koplanaren Streifenleitungen (406) verbunden sind, welche ausgangsseitig mit Absorberstrukturen (407) ausgestattet sind. Das membranartig dünne Trägermaterial (401) ist zur mechanischen Stabilisierung und zur Ausführung der elektrischen Anschlüsse auf eine U-förmig ausgesparte Leiterplatte (415) aufgebracht, die mit einer Beschaltungelektronik (416) ausgestattet werden kann und Steckverbindungen (412) enthält.
- 5: Schematische Darstellung des erfindungsgemäßen Photoschalters (505) zur Integration in die koplanaren Streifenleitungen (106, 206, 306, 406, 506). Der Photoschalter (505) besteht aus einer halbleitenden Schicht (513), die den lateralen Ausdehnungsbereich der koplanaren Streifenleitung (506) überragt und mindestens eine Aussparung (514) aufweist. Auf der halbleitenden Schicht (513) sind beabstandete metallische Streifenleitungen strukturiert, die zur Ausbildung eines photoleitenden Bereichs (517) mit einem Metall/Halbleiter/Metall-Übergang eine lokale Abstandsreduzierung der Streifenleitungen aufweisen.
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1 zeigt beispielhafte eine Ausführung der Messspitze (100) bestehend aus einem dielektrischen Trägermaterial (101) mit einer darauf angeordneten Antennenstruktur (103) und Photoschaltern (105), die mit koplanaren Streifenleitungen (106) verbunden sind, welche ausgangsseitig mit Absorberstrukturen (107) ausgestattet sind. Die Messspitze wird während des Messbetrieb an die Oberfläche eines Testobjekts (102) angenähert und in einem geeigneten Winkel zur Oberfläche des Testobjekts ausgerichtet. Die Photoschalter (105) jeweils in Form eines lateralen Metall-Halbleiter-Metall-Übergangs werden im Betrieb mit Hilfe eines optischen Pulses angeregt bzw. abgetastet. Mindestens ein Photoschalter (105) wird über eine Spannungsquelle (108) vorgespannt, wodurch dieser bei optischer Anregung THz-Signale generiert. Zur THz-Signaldetektion wird der Ausgangsstrom eines nicht vorgespannten und optisch abgetasteten Photoschalters (105) über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (109) ausgelesen. Zwischen den Photoschaltern (105) zur Signalerzeugung und Detektion befindet sich eine elektromagnetische Koppelstrecke (104).
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Die Nutzung der erfindungsgemäßen Messspitze (100, 200, 300, 400) im Transmissionsmodus - also zur Messung einer extern erzeugten THz-Strahlung (210), die durch ein Testobjekt (102, 202, 302, 402) transmittiert wird - ist in 2 erläutert. In diesem Betriebsmodus wird mindestens ein Photoschalter (205) - vorzugsweise ein Photoschalter (205-a) der unmittelbar in die Antenne (203) integriert ist - zur Detektion der extern erzeugten und von der Antenne (203) empfangenen THz Strahlung (210) mittels optischer Abtastung genutzt. Die Abtastung innerhalb der Antenne (203) trägt dazu bei, signalreduzierende Übertragungsverluste innerhalb der Messspitze zu vermeiden. Der Ausgangsstrom des Detektionsphotoschalters (205-a) wird über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (209) zur Signaldetektion ausgelesen.
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In 3 ist der Betrieb der Messspitze im Reflexionsmodus erläutert. Die Messspitze (300) ist wiederum an ein Testobjekts (302) angenähert. Mindestens ein Photoschalter (305-b) wird über eine Spannungsquelle (308) vorgespannt, wodurch dieser bei optischer Anregung THz-Signale (310) generiert, die entlang der angeschlossenen koplanaren Streifenleitungen (306) übertragen werden. Ein erster Signalanteil (310) propagiert in Richtung der vorderen Antenne (303), während ein zweiter Signalanteil (310) in Richtung der Koppelstrecke (304) propagiert und dort auf die benachbarte CPS (306) überkoppelt, in der sich ein Photoschalter (305-a) zur optischen Signalabtastung befindet. Zur THz-Signaldetektion wird der Ausgangsstrom dieses Photoschalters (305-a) über einen Transimpedanzwandler und ein Voltmeter (309) ausgelesen. Der erste Signalanteil, der in Richtung der Antenne (303) propagiert ist, wird von dieser abgestrahlt und in Abhängigkeit der dielektrischen Eigenschaften des Testobjekts von dessen Oberfläche oder von im Volumen des Testobjekts vergrabenen Grenzflächen zurückreflektiert. Zurückreflektierte THz-Signale (310-a) werden von der Antenne (303) empfangen und entlang der angeschlossenen CPS (306), der Koppelstrecke (304) bis zum Detektionsschalter (305-a) übertragen und abgetastet. Über Laufzeitunterschiede ist eine einfache Trennung beider Signalanteile möglich.
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4 zeigt schematisch ein weiteres wichtiges Ausführungsmerkmal der Messspitze (100, 200, 300, 400): Zur Ermöglichung einer ausreichend großen Übertragungsbandbreite der koplanaren Streifenleitungen (106, 206, 306, 406, 506) im THz-Frequenzbereich ist es von entscheidender Bedeutung die Dicke des Trägermaterials (101, 201, 301, 401) kleiner als 30 µm - vorzugsweise kleiner als 20 µm - zu wählen. Bei gleichzeitig benötigten Streifenleitungslängen im Bereich von über 10 mm wäre eine vollständig freitragende Montage des Trägermaterials (401) zu instabil. Das Trägermaterial wird deshalb im Gegensatz zu bisherigen Ausführungsformen U-förmig umlaufend von einer stabilen Leiterplatte (415) gestützt und an den Auflageflächen mit einer selbsthärtenden Klebeflüssigkeit unterfüllt. Die Leiterplatte (415) hat weiterhin die Aufgaben zusätzlich benötigte elektronische Komponenten (416) wie Überspannungsschutz und Verstärkerelemente aufzunehmen sowie Steckverbindungen (421) zum Anschluss von Vorspannungsquellen und Datenerfassungsmodulen.
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Referenzen:
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- JP5940603B2 , THz near-field probe and THz near-field microscope using this tuning fork base for spectroscopic measurements, spectroscopic method using the near-field microscope.
- WO2011134593A1 , Photoleitende Messspitze, messtechnische Anordnung und Verfahren zur Erzeugung und/oder Detektion elektromagnetischer Feldsignale.
- DE102009000823B3 , Photoleitende Messspitze, Messaufbau und Verwendung der photoleitenden Messspitze und/oder des Messaufbaus
- US20070216422A1 , Probe and near-field microscope
- US8148688B2 , Near-field terahertz wave detector
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Nicht-Patent Referenzen:
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- Adams11 Adam, A.J.L. Review of Near-Field Terahertz Measurement Methods and Their Applications. J Infrared Milli Terahz Waves 32, 976 (2011). https://d0i.0rg/10.1007/sl 0762-011 -9809-2
- Ellrich19 Ellrich, F., Bauer, M., Schreiner, N. et al. Terahertz Quality Inspection for Automotive and Aviation Industries. J Infrared Milli Terahz Waves (2019). https://doi.org/10.1007/s10762-019-00639-4
- Nagel13 M. Nagel, et al. THz microprobe system for contact-free high-resolution sheet resistance imaging. 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, pp. 856-860 (2013)
- Nagel13b M. Nagel, C. Matheisen, H. Kurz, Novel techniques in terahertz imaging and sensing, Handbook of Terahertz Technology for Imaging, Sensing and Communications. Edited by D. Saeedkia, Woodhead Publishing Ltd. 2013. [ISBN 978-0-85709-649-4]
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102016009132 A1 [0002]
- US 20070216422 A1 [0003, 0016]
- US 8148688 B2 [0003, 0016]
- JP 5940603 B2 [0003, 0016]
- EP 0586202 B1 [0003]
- DE 102009000823 B3 [0003, 0016]
- WO 2011134593 A1 [0003, 0004, 0016]
- DE 102019005412 [0005]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- Adam, A.J.L. Review of Near-Field Terahertz Measurement Methods and Their Applications. J Infrared Milli Terahz Waves 32, 976 (2011). https://d0i.0rg/10.1007/sl 0762-011 -9809-2 [0016]
- Ellrich, F., Bauer, M., Schreiner, N. et al. Terahertz Quality Inspection for Automotive and Aviation Industries. J Infrared Milli Terahz Waves (2019). https://doi.org/10.1007/s10762-019-00639-4 [0016]
- M. Nagel, et al. THz microprobe system for contact-free high-resolution sheet resistance imaging. 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, pp. 856-860 (2013) [0016]
- M. Nagel, C. Matheisen, H. Kurz, Novel techniques in terahertz imaging and sensing, Handbook of Terahertz Technology for Imaging, Sensing and Communications. Edited by D. Saeedkia, Woodhead Publishing Ltd. 2013. [ISBN 978-0-85709-649-4] [0016]
