DE102019121924A1 - Laserbaugruppe und zugehörige verfahren - Google Patents
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Abstract
Eine epoxidfreie Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung und mindestens eine Optikbaugruppe auf, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist. Die Laseranordnung und die Optikbaugruppe sind epoxidfrei. In einem Beispiel weist die Optikbaugruppe eine Korrekturoptik und eine Wellenlängenstabilisierungsoptik auf, wobei die Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche und Lot mit der Korrekturoptik verbunden ist. In einem anderen Beispiel sind mehrere Optikbaugruppen in der Laserbaugruppe enthalten, wodurch die Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passt. Verfahren zur Herstellung derselben sind auch vorgesehen.
Description
- GEBIET DER OFFENBARUNG
- Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf Optikbaugruppen und bezieht sich insbesondere auf Laserbaugruppen und dazugehörige Verfahren.
- HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
- Herkömmliche Laseranordnungen werden unter Verwendung eines UVhärtenden Epoxids zusammengesetzt. Die Komponenten der Laserbaugruppe, einschließlich Linse, Kollimatoren und Korrekturoptiken, werden an der gewünschten Stelle relativ zueinander angeordnet, und ein Epoxidkleber wird auf die Kontaktpunkte zwischen den Komponenten aufgebracht. So kann z.B. bei herkömmlichen Baugruppen Epoxid verwendet werden, um Wellenlängenstabilisierungsoptiken, wie etwa Volumen-Bragg-Gitter (
VBG ), üblicherweise ausgehend von deren Seitenflächen anzubringen. Sobald das Epoxid aufgetragen und das Bauteil richtig positioniert wurde, wird UV-Licht verwendet, um das Epoxid an dieser Stelle auszuhärten. Nach dem Aushärten wird das Bauteil freigegeben und die nächste Epoxidverbindung mit dem UV-Licht ausgehärtet, bis die gesamte Baugruppe fertiggestellt ist. Allerdings ist Epoxid in dem großen Temperaturbereich, in dem viele Laseranordnungen betrieben werden müssen, nicht stabil. Viele Laserbaugruppen werden in rauen Umgebungen eingesetzt, die Schwankungen zwischen hohen und niedrigen Temperaturen unterworfen sind. Mit der Zeit kann das Epoxid kriechen, was zu Verschiebungen und Bewegungen der Linse und wiederum zu Fehlausrichtungen der Optik führt. Wenn sich die Linse bewegt, wird die Leistung der Anordnung stark beeinträchtigt oder geht verloren, da das Licht nicht dorthin geht, worauf es zu Beginn wie erforderlich eingestellt war. - Darüber hinaus kann der Unterschied in der Aushärtung zwischen Epoxiden an verschiedenen Stellen zu Fehlausrichtungen der Optik führen. Wenn beispielsweise Epoxid auf die Seitenflächen des
VBG aufgetragen wird, kann das Epoxid auf dem oberen Teil der Seitenfläche mit einer anderen Geschwindigkeit aushärten als das Epoxid auf dem unteren Teil der Seitenfläche oder umgekehrt, wodurch dasVBG verschwenkt oder verschoben wird. Dieses Verschwenken oder Verschieben desVBG kann zu einem Neigungswinkel führen, der den beabsichtigten Winkel desVBG stört, was wiederum zu einer Fehlausrichtung der Optik führt. - Darüber hinaus ist Epoxid dafür bekannt, dass es ausgast. Wenn sich das Epoxid in seinem flüssigen oder viskosen Zustand befindet, befinden sich darin bestimmte Arten von flüchtigen Bestandteilen. Während der Herstellung der Laserbaugruppe versuchen die Hersteller, das Epoxid mit dem UV-Licht schnell auszuhärten, um die Freisetzung der flüchtigen Bestandteile zu verhindern, aber im Laufe der Zeit, auch nach dem Aushärten des Epoxids, sind noch einige dieser flüchtigen Bestandteile darin vorhanden. Diese flüchtigen Bestandteile gasen schließlich aus, und die Chemikalien oder Dämpfe, die aus dem Epoxid austreten, können die Laseranordnung beschädigen, wenn diese Chemikalien oder Dämpfe mit der Laserfacette in Berührung kommen. Einige Hersteller verwenden ein Spülgas im Lasersystem, um sicherzustellen, dass die Chemikalien und Dämpfe, die von dem Epoxid ausgegast werden, ausgespült werden, wodurch ihr Volumen reduziert wird. Andere Hersteller können thermisch aushärtende Epoxide verwenden, die eine geringere Ausgasung aufweisen, wobei jedoch weiterhin eine solche besteht. Während bei diesen Optionen das Volumen der Rückstände, die das Laserarray kontaminieren, reduziert werden kann, beeinflussen sie die Produktionseffizienz der Laserbaugruppen erheblich. Die Aushärtung von thermischem Epoxid kann von 20 Minuten bis über 24 Stunden dauern. In einer Produktionsumgebung ist es unpraktisch, eine Linse nach der anderen zu installieren und sie dann über diese Zeitspanne thermisch auszuhärten und dann zur nächsten Linse zu wechseln. Dementsprechend werden UV-härtende Epoxide aufgrund ihrer schnellen Aushärtezeit ohne Weiteres verwendet.
- Somit besteht in der Branche ein bisher nicht angesprochener Bedarf, die oben genannten Mängel und Unzulänglichkeiten anzusprechen.
- KURZZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
- Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen ein System und eine Vorrichtung für eine epoxydfreie Laserbaugruppe bereit. Kurz beschrieben, kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung auf. Mindestens eine Optikanordnung ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet, wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist.
- Bei einem Aspekt umfasst die mindestens eine Laseranordnung ferner mehrere Laserdiodenbarren und mehrere Fast-Axis-Kollimatoren, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Laserdiodenbarren und den mehreren Fast-Axis-Kollimatoren jeweils außerdem eine Lötverbindung umfasst.
- Bei diesem Aspekt umfasst die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
- Bei diesem Aspekt umfassen Enden der mehreren Laserdiodenbarren ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nichtmetallisierten Nuten, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
- Bei einem weiteren Aspekt umfasst die mindestens eine Optikbaugruppe ferner mehrere Korrekturoptiken und mehrere Wellenlängenstabilisierungsoptiken, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Korrekturoptiken und den mehreren Wellenlängenstabilisierungsoptiken jeweils außerdem eine Lötverbindung umfasst.
- Bei diesem Aspekt umfasst die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
- Bei diesem Aspekt umfassen Enden der mehreren Korrekturoptiken ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nichtmetallisierten Nuten, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
- Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung eines Systems und einer Vorrichtung für eine Laserbaugruppe mit mindestens einer Lasche betrachtet werden. Kurz beschrieben kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung auf. Eine Optikbaugruppe ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet. Die Optikbaugruppe umfasst mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik. Die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ist mit mindestens einer Lasche mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
- Bei einem Aspekt umfasst die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ferner ein
VBG . - Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit einem Ende der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik verbunden.
- Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit Expoxid mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
- Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit Lot mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
- Bei diesem Aspekt umfasst die mindestens eine Lasche darin ferner mindestens zwei Löcher auf, wobei das Lot innerhalb der mindestens zwei Löcher aufgebracht wird.
- Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung eines Systems und einer Vorrichtung für eine Laserbaugruppe mit einer gesteuerten Stellfläche betrachtet werden. Kurz beschrieben kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist eine Wärmesenkenbaugruppe mit einer Stellfläche auf. Mindestens eine Laseranordnung ist in Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet. Die mindestens eine Laseranordnung passt in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe. Mindestens zwei Optikbaugruppen sind in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet. Alle Optikbaugruppen passen in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe.
- Bei einem Aspekt umfasst die Wärmesenkenbaugruppe ferner zwei elektrische Kontakte, die an gegenüberliegenden Seiten der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet sind, wobei die mindestens zwei elektrischen Kontakte zwei gegenüberliegende Ränder der Stellfläche definieren.
- Bei einem weiteren Aspekt ist die Laserbaugruppe epoxidfrei.
- Bei einem weiteren Aspekt ist mindestens eine Keramikschicht zur elektrischen Isolation zwischen der Wärmesenke und der mindestens einen Laseranordnung angeordnet.
- Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung von Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe betrachtet werden. In dieser Hinsicht kann eine Ausführungsform eines derartigen Verfahrens unter anderem allgemein durch die folgenden Schritte zusammengefasst werden: Anordnen mindestens einer Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke; und Anordnen mindestens einer Optikbaugruppe in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung, wobei die mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxidfrei sind.
- Bei einem Aspekt umfasst das Verfahren ferner das Anordnen von mehreren Optikbaugruppen in dem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung, wobei die mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen.
- Bei einem weiteren Aspekt weist die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik auf, und das Verfahren umfasst ferner das Verbinden der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge.
- Andere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung sind oder werden für den Fachmann bei der Betrachtung der folgenden Zeichnungen und der ausführlichen Beschreibung offensichtlich. Es sollen alle zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile dieser Art in dieser Beschreibung aufgenommen werden, in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen und durch die beigefügten Ansprüche geschützt sein.
- Figurenliste
- Viele Aspekte der Offenbarung lassen sich anhand der folgenden Zeichnungen besser verstehen. Die Komponenten in den Zeichnungen sind nicht zwangsläufig maßstabsgetreu, es wird vielmehr der Schwerpunkt darauf gelegt, die Prinzipien der vorliegenden Offenbarung klar darzustellen. In den Zeichnungen bezeichnen darüber hinaus gleiche Bezugszeichen entsprechende Teile in allen verschiedenen Ansichten.
-
1A ist eine Abbildung einer Laserbaugruppe in einer isometrischen Ansicht gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. -
1B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung. -
1C ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von1A in einer Seitenansicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. -
2A ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von1A in einer Draufsicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. -
2B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von1A in einer Unteransicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. -
3A-3K sind Ansichten der Laserbaugruppe von1A in verschiedenen Fertigungsstufen und von einzelnen Komponenten der Laserbaugruppe von1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. -
4A-4B sind Abbildungen der Laserbaugruppe von1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche und die Lotverbindung zeigen. -
5 ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von1A gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche zeigt. -
6 ist eine schematische Abbildung der Laserbaugruppe von1A gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Richtungen der Empfindlichkeit der Laschen zeigt. -
7 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
-
1A ist eine Abbildung einer Laserbaugruppe10 in einer isometrischen Ansicht gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.1B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe10 von1A in einer Vorderansicht, und1C ist eine Abbildung der Laserbaugruppe10 von1A in einer Seitenansicht. Bezugnehmend auf die1A-1C umfasst die Laserbaugruppe10 , die einfach als „Baugruppe10“ , „System10“ oder „Vorrichtung10“ bezeichnet werden kann, eine Wärmesenkenbaugruppe20 , eine Laseranordnung40 und eine Optikbaugruppe70 . Innerhalb der Baugruppe10 ist die Laseranordnung40 in thermischem Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe20 angeordnet, und die Optikbaugruppe70 , die beliebig viele Korrekturoptikeinheiten beinhalten kann, ist über der Laseranordnung40 und in einem Lichtweg der Laseranordnung40 angeordnet. Die Baugruppe10 ist eine epoxidfreie Einheit, da sie keine Epoxid- oder epoxidähnlichen Klebstoffe zum Verbinden oder Zusammenfügen von Komponenten der Baugruppe10 verwendet. Es wird jedoch darauf hingewiesen, dass verschiedene Komponenten der Baugruppe10 oder deren Vorteile auch bei Baugruppen verwendet werden können, bei denen Epoxid verwendet wird. - Die Wärmesenkenbaugruppe umfasst im Einzelnen eine Wärmesenke
22 aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, elektrische Befestigungsschrauben24 zum Anschluss an eine Stromquelle und elektrische Kontakte26 zum Übertragen einer elektrischen Leistung zur Laseranordnung40 . Die elektrischen Kontakte26 kontaktieren elektrisch die elektrischen Kontaktschrauben24 und erstrecken sich nach oben bis zur Laseranordnung und zur Optikbaugruppe. Die Laseranordnung40 ist in thermischem Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe20 angeordnet, so dass die in der Laseranordnung40 erzeugte Wärme aus der Anordnung übertragen werden kann. Im Allgemeinen ist die Laseranordnung40 auf der Oberseite der Wärmesenke22 angeordnet. Ein elektrisches Isolationsmaterial, wie etwa eine Keramik zur elektrischen Isolation28 oder ein ähnliches Material, kann an der Schnittstelle zwischen einem unteren Teil des Laserdiodenstapels in der Laseranordnung40 und dem oberen Teil der Wärmesenke22 angeordnet werden. Die Optikbaugruppe70 ist über der Laseranordnung40 angeordnet. - Die
2A-2B sind Abbildungen der Laserbaugruppe10 von1A in einer Draufsicht bzw. Unteransicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die2A-2B veranschaulichen insbesondere die Stellfläche der Baugruppe10 , die im Allgemeinen durch die Form und die Größe der Wärmesenkenbaugruppe20 definiert ist, aus der vertikalen oder aus der Vogelperspektive der Baugruppe10 , wie in2A gezeigt ist. Bezugnehmend auf die1A-2B und wie in den2A-2B zu sehen ist, haben die Laseranordnung40 und die Korrekturoptikbaugruppe70 Abmessungen, die derart sind, dass sie in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe20 passen, dadurch, dass die Breiten- und Längenabmessungen der Laseranordnung40 und der Optikbaugruppe70 gleich oder kleiner sind als die Breiten- bzw. Längenabmessungen der Wärmesenkenbaugruppe. Die Möglichkeit, die vorhandene Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe20 beizubehalten, ermöglicht es, die bestehende Ausgestaltung der Wärmesenkenbaugruppe20 auch mit zusätzlichen Optikbaugruppen70 zu verwenden, die der Baugruppe10 hinzugefügt wurden. Dementsprechend kann eine beliebige Anzahl von Optikbaugruppen70 gestapelt und der Baugruppe10 hinzugefügt werden, die direkt an der Laseranordnung40 oder an einer anderen Optik innerhalb der Optikbaugruppe70 angebracht ist, ohne die Ausgestaltungs- oder Größenbedingungen der Baugruppe10 zu beeinflussen. - Im Gegensatz dazu werden im herkömmlichen Stand der Technik bei der Herstellung von epoxidfreien Laserbaugruppen bei den Baugruppen Strukturen oder Systeme verwendet, um die Linsen innerhalb der Baugruppen zu halten, wobei sich jedoch diese Strukturen oder Systeme außerhalb der Stellfläche der Laseranordnung und außerhalb der Stellfläche der Wärmesenke erstrecken. Es können beispielsweise mechanische Halterungen dazu verwendet werden, die Linsen der Optik zu halten, wobei die Halterungen selbst außerhalb der definierten Stellfläche der Wärmesenke angeordnet sind, an der die Laseranordnung angebracht ist. Wenn mehr Optiken oder Linsen hinzugefügt werden, sind mehr Halterungen zum Halten der Optik erforderlich, was dazu führt, dass sich die Baugruppe hinsichtlich der Größe ausdehnt und groß genug ist, um die Größenbeschränkungen der Baugruppe zu beeinträchtigen. Dementsprechend kann die Baugruppe
10 der vorliegenden Offenbarung dieses Problem überwinden, indem sowohl die Verwendung von Epoxid im Aufbau der Baugruppe10 vermieden als auch die vorhandene Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe20 oder der Laseranordnung40 beibehalten wird, wenn zusätzliche Optiken aufgenommen sind. - Die
3A-3K sind Ansichten der Laserbaugruppe10 von1A in verschiedenen Fertigungsstufen und einzelner Komponenten der Laserbaugruppe10 von1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Systeme und Komponenten der Baugruppe10 werden mit Bezug auf die1A-3K beschrieben. -
3A zeigt die Wärmesenkenbaugruppe20 mit der Wärmesenke22 , elektrischen Befestigungsschrauben24 und elektrischen Kontakten26 zur Übertragung einer elektrischen Leistung zur Laseranordnung40 . Wie zu sehen ist, ist die Keramik28 zur elektrischen Isolation auf der Oberseite der Wärmesenke22 und zwischen den elektrischen Kontakten26 so angeordnet, dass sie eine elektrische Barriere zwischen der Laseranordnung40 (in3A nicht gezeigt) und der Wärmesenke22 bilden kann. - In
3B wurde die Laseranordnung40 der Wärmesenke22 hinzugefügt. Die Laseranordnung40 umfasst einen Laserdiodenstapel mit einer Vielzahl von Laserdiodenbarren42 , die nebeneinander angeordnet sind, wie in3B im Einzelnen dargestellt ist. Die Laseranordnung40 weist eine Außenfläche oder ein Ende44 auf, die bzw. das entlang der Seite der Wärmesenke22 angeordnet ist. Die Außenfläche44 der Laseranordnung40 ist mit einem metallisierten Material beschichtet, um mittels Lot einen Kontakt mit dem Fast-Axis-Kollimator50 (3D-3E) herzustellen. Um das Lot jedoch zu bestimmten Abschnitten der metallisierten Außenfläche44 zu leiten und zu verhindern, dass das Lot zu einem benachbarten Laserdiodenbarren fließt, wurden in der metallisierten Außenfläche44 zueinander beabstandete Bereiche oder Nuten ausgebildet. Wie beispielsweise in3B gezeigt ist, weist die metallisierte Außenfläche44 metallisierte Abschnitte44A , die üblicherweise aus Gold oder einem ähnlichen Metall gebildet sind, an dem Lot gut haftet, und nichtmetallisierte Abschnitte44B auf. Die nichtmetallisierten Abschnitte44B können durch Entfernen des Metalls an der metallisierten Außenfläche44 an einer Stelle erzeugt werden, an der der nichtmetallisierte Abschnitt44B gewünscht wird. In einem spezifischen Beispiel kann die Außenfläche44 mit Gold metallisiert werden, wobei dann eine Säge verwendet wird, um das goldmetallisierte Material zu entfernen und die nichtmetallisierten Abschnitte44B zu bilden. Die nichtmetallisierten Abschnitte44B sind auf die Zwischenräume zwischen den Laschen ausgerichtet (3D-3E) , wobei die nichtmetallisierten Abschnitte44B jedoch vor dem Anbringen der Laschen ausgebildet werden können. - Als Nächstes veranschaulicht
3C die Baugruppe10 mit auf der Laseranordnung40 ausgebildeten Sockeln46 . Die Sockel46 stellen den Abstand für den Slow-Axis-Kollimator, der anhand von3F erläutert wird, oder den entsprechenden Abstand für die nächste Optikeinheit innerhalb der Baugruppe bereit, der je nach Ausgestaltung variieren kann. -
3D veranschaulicht die Unterbaugruppe des Fast-Axis-Kollimators50 , der eine Fast-Axis-Kollimatorlinse52 und zwei Laschen54 zum Halten der Fast-Axis-Kollimatorlinse52 an der Laseranordnung40 aufweist. Die Fast-Axis-Kollimatoren50 sind der erste Satz von Optiken, die sich vor dem Lichtweg der Laserdiodenbarren der Laseranordnung40 befinden. Wie auf dem Gebiet bekannt, können Fast-Axis-Kollimatoren asphärische Zylinderlinsen sein, die für die Strahlformung oder die Laserdiodenkollimation ausgelegt sind. Jeder der Laserdiodenbarren der Laseranordnung40 kann einem einzelnen Fast-Axis-Kollimator50 entsprechen, der darauf ausgerichtet ist. Die Laschen54 , die aus Metall oder einem anderen Material bestehen können, können an den äußeren Enden der Fast-Axis-Kollimatorlinse52 befestigt sein und weisen im Allgemeinen zwei Löcher56A ,56B auf. Die Löcher56A ,56B können vorzugsweise zylindrisch sein, wobei jedoch in bestimmten Situationen andere Formen verwendet werden können. Das erste Loch56A kann ein kleines Loch im oberen Teil der Lasche54 sein, und das zweite Loch56B kann ein größeres Loch im unteren Teil der Lasche54 sein. Jede Unterbaugruppe des Fast-Axis-Kollimators50 kann mit einer Fast-Axis-Kollimatorlinse52 und zwei Laschen54 mit jeweils den beiden Löchern56A ,56B aufgebaut werden. - Wenn die gewünschte Anzahl der Unterbaugruppen des Fast-Axis-Kollimators
50 hergestellt wird, deren Anzahl im Allgemeinen der Anzahl der Laserdiodenbarren entspricht, können sie wie in3E gezeigt der Laseranordnung40 hinzugefügt werden. In diesem Beispiel sind 20 Laserdiodenbarren und 20 Fast-Axis-Kollimatoren50 dargestellt, wobei jedoch in der Baugruppe10 eine beliebige Anzahl von Laserdiodenbarren und Fast-Axis-Kollimatoren50 verwendet werden kann, was von der Ausgestaltung und/oder dem Verwendungszweck der Baugruppe10 abhängig sein kann. Wie in3E gezeigt, können die Fast-Axis-Kollimatoren50 vertikal über der Laseranordnung40 angeordnet sein, so dass sie in einem Lichtweg der Laseranordnung40 angeordnet sind. In dieser Position erstrecken sich die beiden Laschen54 des Fast-Axis-Kollimators50 entlang der Außenfläche44 der Laseranordnung40 , z.B. entlang der Enden jedes Laserdiodenbarrens. Während das erste Loch56A der Lasche54 zur Bildung einer Lötverbindung mit der Fast-Axis-Kollimatorlinse 52verwendet wird, können die zweiten Löcher56B zur Bildung einer Lötverbindung zwischen den Laschen54 und der Laseranordnung40 verwendet werden. Weitere Einzelheiten zur Lötverbindung mit den Laschen54 sind in Bezug auf die4A-5 angegeben. - Sobald die Fast-Axis-Kollimatoren
50 mit der Baugruppe10 verbunden sind, kann ein Slow-Axis-Kollimator60 vertikal über dem Fast-Axis-Kollimator50 und in dessen Lichtweg angeordnet werden, wie in3F gezeigt ist. Der Slow-Axis-Kollimator60 sendet das Licht aus der Laseranordnung40 in eine andere Richtung als der Fast-Axis-Kollimator50 . Der Slow-Axis-Kollimator60 kann wie gezeigt eine monolithische Linse sein, die aus einem einzigen Spiegelglasstück besteht. Es können auch andere Materialien oder Strukturen und auch andere große Optikvorrichtungen verwendet werden, wie etwa eine monolithische Anordnung von Zylinderlinsen, die die einzelnen Emitter der Laseranordnung40 kollimieren. Der Slow-Axis-Kollimator60 kann mit Lot am Sockel46 befestigt werden, wobei der Sockel46 mit Lot an der Laseranordnung40 befestigt ist. Dementsprechend wird beim Aufbau der Baugruppe10 bisher kein Epoxid verwendet. - Als Nächstes veranschaulicht
3G die Korrekturoptik72 , auch bekannt als fortschrittliche Optik- oderAO (engl. Advanced Optic) -Unterbaugruppe, und3H veranschaulicht die Baugruppe10 mit der Korrekturoptik72 , die über dem Slow-Axis-Kollimator60 angeordnet ist. Jeder der Laserdiodenbarren der Laseranordnung40 kann einige Ausrichtungsunterschiede dazu haben. Die Korrekturoptik72 kann dazu verwendet werden, das Licht der Laserdiodenbarren so zu beugen, dass alle Laserdiodenbarren nun Licht in die gewünschte Richtung abgeben. Die Korrekturoptik72 kann einen oder mehrere Sockel74 oder Abstandshalter aufweisen, die auf einer Unterseite davon angeordnet sind und den Slow-Axis-Kollimator60 berühren. Die Sockel74 können über eine Lötverbindung mit dem Slow-Axis-Kollimator60 verbunden werden. - Ähnlich wie die Laseranordnung
40 weist die Korrekturoptik72 eine Außenfläche oder ein Ende76 auf, die bzw. das entlang der Längsseite der Wärmesenkenbaugruppe20 angeordnet ist, wobei die Außenfläche76 mit einem metallisierten Material beschichtet ist, um mittels Lot einen Kontakt mit der Wellenlängenstabilisierungsoptik (3I-3K) herzustellen. Um das Lot zu bestimmten Abschnitten der metallisierten Außenfläche76 zu leiten und zu verhindern, dass das Lot über den gewünschten Anwendungsbereich hinausfließt, wurden in der metallisierten Außenfläche76 zueinander beabstandete Bereiche oder Nuten ausgebildet. Wie beispielsweise in3G gezeigt ist, umfasst die metallisierte Außenfläche76 metallisierte Abschnitte76A , die üblicherweise aus Gold oder einem ähnlichen Metall bestehen, an dem Lot gut haftet, sowie nichtmetallisierte Abschnitte76B . Die nichtmetallisierten Abschnitte76B können durch Entfernen des Metalls auf der metallisierten Außenfläche76 an einer Stelle erzeugt werden, an der der nichtmetallisierte Abschnitt76B gewünscht ist. In einem spezifischen Beispiel kann die Außenfläche76 mit Gold metallisiert werden, wobei dann eine Säge verwendet wird, um das goldmetallisierte Material zu entfernen und die nichtmetallisierten Abschnitte76B zu bilden. Die nichtmetallisierten Abschnitte76B sind auf die Zwischenräume zwischen den Laschen ausgerichtet, wie in Bezug auf die3I-3K erläutert ist. -
3I veranschaulicht die Wellenlängenstabilisierungsoptik80 , auch VBG-Unterbaugruppe genannt.3J veranschaulicht die Baugruppe10 mit einer der Wellenlängenstabilisierungsoptiken80 in Explosionsansicht, während3K eine Seitenansicht der Baugruppe10 mit einer Wellenlängenstabilisierungsoptik80 veranschaulicht. Die Wellenlängenstabilisierungsoptik80 kann eine Stabilisierung der Wellenlänge ermöglichen. Abhängig von dem gewählten VBG82 kann sie die Wellenlänge auf den gewünschten Wert festhalten und in die anderen Wellenlängenfarben zurückführen, die von dem Laserdiodenbarren erzeugt werden. Die Wellenlängenstabilisierungsoptik80 umfasst einVBG 82 und zwei an den Enden desVBG 82 angeordnete Laschen84 , wie in3I gezeigt ist. Jede der beiden Laschen84 weist ein erstes Loch86A auf, das im oberen Teil der Lasche84 angeordnet ist und zum Steuern einer Lötverbindung mit demVBG 82 verwendet wird, und ein zweites Loch86B , das kleiner ist als das erste Loch86A , wobei das zweite Loch86B im unteren Teil der Lasche84 angeordnet ist und zum Steuern einer Lötverbindung mit der Korrekturoptik72 verwendet wird. - Wie in den
3J-3K gezeigt ist, kann die Wellenlängenstabilisierungsoptik80 vertikal über der Korrekturoptik72 angeordnet werden, so dass jede Wellenlängenstabilisierungsoptik80 in einem Lichtweg der entsprechenden Korrekturoptik72 darunter angeordnet ist. In dieser Position erstrecken sich die beiden Laschen84 der Wellenlängenstabilisierungsoptik80 entlang der Außenfläche76 der Korrekturoptik72 , z.B. entlang ihrer Enden. Die zweiten Löcher86B werden dann auf die Außenfläche76 der Korrekturoptik72 ausgerichtet, so dass eine Lötverbindung oder Lötstelle zwischen der Lasche84 und der Korrekturoptik72 gebildet werden kann, deren Einzelheiten mit Bezug auf die4A-5 erläutert werden. - Die
4A-4B sind Abbildungen der Laserbaugruppe10 von1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Laschen und Lötverbindung zeigen.5 ist eine Abbildung der Laserbaugruppe10 von1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche zeigt. Bezugnehmend auf die3H-5 kann die Lötverbindung in der Baugruppe10 mit den Laschen, wie sie für die Verwendung zwischen dem Fast-Axis-Kollimator50 und der Laseranordnung40 und zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik80 und der Korrekturoptik72 beschrieben sind, verwendet werden. Zur Verständlichkeit der Offenbarung wird der Vorgang zur Bildung der Lötverbindung in Bezug auf die Verwendung der Lasche84 zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik80 und der Korrekturoptik72 beschrieben, der gleiche Vorgang kann jedoch auch für die Lasche54 zwischen dem Fast-Axis-Kollimator50 und der Laseranordnung40 verwendet werden. - Wie in
4A gezeigt, kann die Lasche84 eine Lotkugel12 in ihrem zweiten Loch86B aufnehmen, die den metallisierten Abschnitt76A der Außenfläche76 der Korrekturoptik72 überlagernd angeordnet ist. Die Lotkugel12 kann ein Verkapselungsmaterial und/oder Schutzgas umfassen. Sobald die Lotkugel12 in dem zweiten Loch86B angeordnet ist, wird die Lotkugel z.B. mit einem Licht erwärmt, und das Lot fließt im Inneren des zweiten Lochs86B und zwischen der innenliegenden Oberfläche der Lasche84 , die auch eine metallisierte Oberfläche ist, und der Anlagefläche des metallisierten Abschnitts76A der Außenfläche76 der Korrekturoptik72 . Da das Lot dazu neigt, nur dorthin zu wollen, wo sich eine metallisierte Oberfläche auf dem metallisierten Abschnitt76A befindet, fließt es nicht in die nichtmetallisierten Abschnitte76B und wird daher im metallisierten Abschnitt76A gehalten. Somit hält die Lötverbindung den gewünschten Kontakt zwischen den Laschen84 und den vorgesehenen Abschnitten der Außenfläche76 aufrecht und wandert nicht an unerwünschte Stellen entlang der Außenfläche76 .4B veranschaulicht das Fließlot14 innerhalb des zweiten Lochs86B der Lasche84 . - Wie in
5 gezeigt, können die spezifische Form und die Materialien der Lasche84 zur Steuerung der Lötverbindung verwendet werden. Hier kann das zweite Loch86B der Lasche84 eine innere Seitenwand88 aufweisen, die auch so ausgebildet ist, dass sie eine metallisierte Oberfläche aufweist. Die innere Seitenwand88 des zweiten Lochs86B kann z.B. mit Gold beschichtet sein. Wenn die Lotkugel (nicht gezeigt) innerhalb des zweiten Lochs86B angeordnet und geschmolzen ist, wird das Lot angezogen, um eine Verbindung zwischen der inneren Seitenwand88 des zweiten Lochs86B und der metallisierten Oberfläche76B der Außenfläche76 herzustellen. Die Außenfläche der Lasche84 kann aus einem nicht anziehenden Material zum Löten wie etwa Titan oder Glas bestehen, wodurch das Lot in das zweite Loch86B und zur metallisierten Oberfläche76B wandert. Nach dem Abkühlen trocknet das Lot durch das zweite Loch86B auf der inneren Seitenwand88 des zweiten Lochs86B und auf der Innenfläche der Lasche84 , z.B. auf der der metallisierten Oberfläche76A der Außenfläche76 zugewandten Oberfläche. - Die gleiche Löttechnik kann mit den anderen Lötverbindungen verwendet werden, die mit Laschen ausgebildet sind. Darüber hinaus können optische Strukturen auch goldmetallisiert sein, um das Lot zu den Stellen zu leiten, an denen Lötstellen erwünscht sind, und unerwünschte Stellen können mit lötabweisenden Materialien wie Titan beschichtet werden. Auf diese Weise kann die Baugruppe
10 als Ganzes als epoxidfreie Baugruppe ausgebildet werden, da Epoxidkleber oder ähnliche Klebstoffe zur Herstellung oder Aufrechterhaltung von Verbindungen zwischen Komponenten nicht erforderlich sind. Dementsprechend kann sich die Baugruppe10 gegenüber den im Hintergrund diskutierten Unzulänglichkeiten aus dem Stand der Technik verbessern, da die Baugruppe10 kein Kriechen oder Verschieben von Komponenten aufgrund der Aushärtung von Epoxid oder der langfristigen Verwendung von Epoxidharz erfährt. -
6 ist eine schematische Darstellung der Laserbaugruppe10 von1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Empfindlichkeitsrichtungen der Laschen zeigt. Wie gezeigt, zeigt6 die Laschen54 zwischen dem Fast-Axis-Kollimator50 und der Laseranordnung40 sowie zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik80 und der Korrekturoptik72 . Abgesehen von der Tatsache, dass die Baugruppe10 als epoxidfreie Struktur aufgebaut ist, kann die Verwendung der Laschen54 /84 signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Fehlausrichtungen bieten, die üblicherweise bei Laserbaugruppen auftreten, zum Teil aufgrund der Verwendung der Laschen54 /84 , die eine bessere Ausrichtung der Optik und eine Anbringung der Optik in einer Weise ermöglichen, die die Empfindlichkeitsrichtungen kompensiert. Bei herkömmlichen Baugruppen wird z.B. die Optik unter Verwendung ihrer Seitenflächen90 , z.B. der Längsseitenflächen oder Bodenflächen der Optik, wie in6 gezeigt, angebracht. Wenn die Anbringung an diesen Oberflächen erfolgt, kann jede Bewegung in der auf diesen Oberflächen gebildeten Verbindung dazu führen, dass die Optik um die Längsachse der Optik kippt oder falsch ausgerichtet wird. Es ist nicht ungewöhnlich, dass Bewegungen aufgrund von geringen Veränderungen oder Kräften in der Umgebung, in der die Baugruppe verwendet wird, auftreten. Die Optik ist sehr empfindlich gegenüber Fehlausrichtungen in diese Richtung, d.h. in die empfindliche Richtung, wie in6 gekennzeichnet ist. Dementsprechend kann eine Fehlausrichtung der Optik in diese Richtung zu Problemen und/oder Ausfällen in der Baugruppe führen. - Im Gegensatz dazu werden bei der Baugruppe
10 der vorliegenden Offenbarung die Optik unter Verwendung der an den Enden der Optik angeordneten Laschen54 /84 angebracht, so dass Fehlausrichtungen in den gegen die Laschen54 /84 gebildeten Verbindungen keine Fehlausrichtungen der Optik in der empfindlichen Richtung verursachen. Vielmehr würden Bewegungen in den gegen die Laschen54 /84 gebildeten Verbindungen zu Fehlausrichtungen in unempfindlicher Richtung führen, wie in6 gekennzeichnet ist, so dass sich die Optik in vertikaler Richtung bewegen kann und Winkelbewegungen oder Kippbewegungen stark minimiert werden. Da der Winkel der optischen Einheiten und insbesondere der Winkel der Wellenlängenstabilisierungsoptik sehr kritisch ist, kann durch die Anbringung der Optik mit den Laschen54 /84 die Kritikalität des Kippens beseitigt werden. Dies führt zu einer genaueren Positionierung der Optik während der Herstellung und zu einem präziseren Halten der Optik in dieser Position während des gesamten Einsatzes der Baugruppe10 als dies herkömmlicherweise möglich ist. Wenn dieser strukturelle Unterschied zum Stand der Technik mit einer epoxydfreien Baugruppe kombiniert wird, bei der die Verbindungen und Anschlüsse mit Lot oder einem ähnlichen Material gebildet werden, kann die Qualität der resultierenden Baugruppe im Vergleich zu dem, was herkömmlicherweise verfügbar ist, erheblich verbessert werden. -
7 ist ein Flussdiagramm100 , das ein Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Es ist darauf hinzuweisen, dass Prozessbeschreibungen oder Blöcke in Flussdiagrammen so zu verstehen sind, dass sie Module, Segmente, Codebestandteile oder Schritte darstellen, die eine oder mehrere Anweisungen zur Implementierung bestimmter logischer Funktionen im Prozess umfassen, und dass alternative Implementierungen in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen, in denen Funktionen in einer anderen Reihenfolge als die gezeigte oder erläuterte Reihenfolge ausgeführt werden können, einschließlich im Wesentlichen in gleichzeitiger oder in umgekehrter Reihenfolge, je nach der betreffenden Funktionalität, wie dies von dem Fachmann mit hinreichenden Kenntnissen auf dem Gebiet der vorliegenden Offenbarung zu verstehen ist. - Wie in Block
102 gezeigt ist, ist mindestens eine Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke angeordnet. Mindestens eine Optikbaugruppe ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet, wobei die mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxydfrei sind (Block104 ). Das Verfahren kann eine beliebige Anzahl zusätzlicher Schritte, Funktionen oder Strukturen beinhalten, einschließlich derjenigen, die in Bezug auf eine andere Figur dieser Offenbarung offenbart sind. So können beispielsweise mehrere Optikbaugruppen im Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet sein, wobei die mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen (Block106 ). Zusätzlich kann die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik aufweisen, wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist (Block108 ). - Es ist zu betonen, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, insbesondere die „bevorzugten“ Ausführungsformen, lediglich mögliche Beispiele für Implementierungen sind, die lediglich zum besseren Verständnis der Grundsätze der Offenbarung dargelegt sind. Viele Abwandlungen und Änderungen an der/den oben beschriebenen Ausführungsform(en) der Offenbarung können vorgenommen werden, ohne wesentlich von dem Gedanken und den Grundsätzen der Offenbarung abzuweichen. All diese Änderungen und Abwandlungen sollen hier in den Umfang dieser Offenbarung und der vorliegenden Offenbarung aufgenommen und durch die folgenden Ansprüche geschützt sein.
Claims (20)
- Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: mindestens eine Laseranordnung; und mindestens eine Optikbaugruppe, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist, wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist.
- Laserbaugruppe nach
Anspruch 1 , wobei das mindestens eine Laseranordnung ferner mehrere Laserdiodenbarren und mehrere Fast-Axis-Kollimatoren umfasst, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Laserdiodenbarren und den mehreren Fast-Axis-Kollimatoren jeweils ferner eine Lötverbindung umfasst. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 2 , wobei die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern umfasst, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 3 , wobei Enden der mehreren Laserdiodenbarren ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nicht metallisierten Nuten umfasst, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird. - Laserbaugruppe nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei die mindestens eine Optikbaugruppe ferner mehrere Korrekturoptiken und mehrere Wellenlängenstabilisierungsoptiken umfasst, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Korrekturoptiken und den mehreren Wellenlängenstabilisierungsoptiken jeweils ferner eine Lötverbindung umfasst. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 4 , wobei die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern umfasst, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 6 , wobei Enden der mehreren Korrekturoptiken ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nicht metallisierten Nuten umfasst, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird. - Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: mindestens eine Laseranordnung; und mindestens eine Optikbaugruppe, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist, wobei die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik umfasst, wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist.
- Laserbaugruppe nach
Anspruch 8 , wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ferner ein Volumen-Bragg-Gitter (VBG) umfasst. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 8 , wobei die mindestens eine Lasche mit einem Ende der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik verbunden ist. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 8 , wobei die mindestens eine Lasche mit Expoxid mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 8 , wobei die mindestens eine Lache mit Lot mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist. - Laserbaugruppe nach einem der
Ansprüche 8 bis12 , wobei die mindestens eine Lasche darin mindestens zwei Löcher aufweist, wobei das Lot innerhalb der mindestens zwei Löcher aufgebracht wird. - Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: eine Wärmesenkenbaugruppe mit einer Stellfläche; mindestens eine Laseranordnung-Position in Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe, wobei das mindestens eine Laseranordnung in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe passt; und mindestens zwei Optikbaugruppen, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet sind, wobei alle der mindestens zwei Optikbaugruppen in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe passen.
- Laserbaugruppe nach
Anspruch 14 , wobei die Wärmesenkenbaugruppe ferner zwei elektrische Kontakte umfasst, die an gegenüberliegenden Seiten der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet sind, wobei die mindestens zwei elektrischen Kontakte zwei gegenüberliegende Ränder der Stellfläche definieren. - Laserbaugruppe nach
Anspruch 14 , wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist. - Laserbaugruppe nach einem der
Ansprüche 14 bis16 , die ferner mindestens eine Keramikschicht zur elektrischen Isolation umfasst, die zwischen der Wärmesenke und der mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist. - Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Anordnen mindestens eines Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke; und Anordnen mindestens einer Optikbaugruppe in einem Lichtweg dderes mindestens einen Laseranordnung, wobei das mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxidfrei sind.
- Verfahren nach
Anspruch 18 , das ferner das Anordnen von mehreren Optikbaugruppen in dem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung umfasst, wobei das mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen. - Verfahren nach
Anspruch 18 oderAnspruch 19 , wobei die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik umfasst, das ferner das Verbinden der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge umfasst.
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Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE968430C (de) | 1937-01-28 | 1958-02-13 | Zeiss Ikon Ag | Beleuchtungsvorrichtung fuer Projektionsbildgeraete |
US3679941A (en) | 1969-09-22 | 1972-07-25 | Gen Electric | Composite integrated circuits including semiconductor chips mounted on a common substrate with connections made through a dielectric encapsulator |
US3711939A (en) | 1970-11-10 | 1973-01-23 | M Stoll | Method and apparatus for sealing |
US3936322A (en) | 1974-07-29 | 1976-02-03 | International Business Machines Corporation | Method of making a double heterojunction diode laser |
DE2542174C3 (de) | 1974-09-21 | 1980-02-14 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio | Halbleiterlaservorrichtung |
US4306278A (en) | 1975-09-24 | 1981-12-15 | Grumman Aerospace Corporation | Semiconductor laser array |
US4156879A (en) | 1977-02-07 | 1979-05-29 | Hughes Aircraft Company | Passivated V-gate GaAs field-effect transistor |
US4767674A (en) | 1984-01-27 | 1988-08-30 | Dainichi-Nippon Cables, Ltd. | Metal cored board and method for manufacturing same |
US4653056A (en) | 1985-05-01 | 1987-03-24 | Spectra-Physics, Inc. | Nd-YAG laser |
US4803691A (en) | 1985-05-07 | 1989-02-07 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Lateral superradiance suppressing diode laser bar |
US4903274A (en) | 1987-05-19 | 1990-02-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
US4993148A (en) | 1987-05-19 | 1991-02-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a circuit board |
JPH084187B2 (ja) | 1988-02-01 | 1996-01-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ |
US4881237A (en) | 1988-08-26 | 1989-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays |
JPH0638537Y2 (ja) | 1988-10-06 | 1994-10-05 | パイオニア株式会社 | プロジェクションテレビのピント合わせ装置 |
US5008737A (en) | 1988-10-11 | 1991-04-16 | Amoco Corporation | Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices |
JP2889618B2 (ja) | 1988-12-28 | 1999-05-10 | 株式会社リコー | アレイ型半導体発光装置 |
US4980893A (en) | 1989-05-25 | 1990-12-25 | Xerox Corporation | Monolithic high density arrays of independently addressable offset semiconductor laser sources |
US5593815A (en) | 1989-07-31 | 1997-01-14 | Goldstar Co., Ltd. | Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser |
US5284790A (en) | 1990-01-03 | 1994-02-08 | Karpinski Arthur A | Method of fabricating monolithic laser diode array |
US5040187A (en) | 1990-01-03 | 1991-08-13 | Karpinski Arthur A | Monolithic laser diode array |
US5102825A (en) | 1990-01-25 | 1992-04-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of making an ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser |
US5031187A (en) | 1990-02-14 | 1991-07-09 | Bell Communications Research, Inc. | Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers |
US5105429A (en) | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
US5045972A (en) | 1990-08-27 | 1991-09-03 | The Standard Oil Company | High thermal conductivity metal matrix composite |
US5311530A (en) | 1990-09-14 | 1994-05-10 | Advanced Optoelectronics, Inc. | Semiconductor laser array |
US5060237A (en) | 1990-12-24 | 1991-10-22 | Eastman Kodak Company | Multi-beam laser diode array |
US5440577A (en) | 1991-02-13 | 1995-08-08 | The University Of Melbourne | Semiconductor laser |
US5128951A (en) | 1991-03-04 | 1992-07-07 | Karpinski Arthur A | Laser diode array and method of fabrication thereof |
US5099488A (en) | 1991-03-27 | 1992-03-24 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Ribbed submounts for two dimensional stacked laser array |
US5105430A (en) | 1991-04-09 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes |
DE69222822T2 (de) | 1991-09-06 | 1998-03-05 | Trw Inc | Optoelektronische Schaltvorrichtung mit Quantentopf-Struktur und stimulierter Emission |
US5212706A (en) | 1991-12-03 | 1993-05-18 | University Of Connecticut | Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams |
US5212707A (en) | 1991-12-06 | 1993-05-18 | Mcdonnell Douglas Corporation | Array of diffraction limited lasers and method of aligning same |
US5253260A (en) | 1991-12-20 | 1993-10-12 | Hughes Aircraft Company | Apparatus and method for passive heat pipe cooling of solid state laser heads |
US5325384A (en) | 1992-01-09 | 1994-06-28 | Crystallume | Structure and method for mounting laser diode arrays |
US5311535A (en) | 1992-07-28 | 1994-05-10 | Karpinski Arthur A | Monolithic laser diode array providing emission from a minor surface thereof |
US5394426A (en) | 1992-11-13 | 1995-02-28 | Hughes Aircraft Company | Diode laser bar assembly |
JPH06275714A (ja) | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
JPH06326419A (ja) | 1993-04-20 | 1994-11-25 | Xerox Corp | モノリシック半導体発光アレイ |
US5305344A (en) | 1993-04-29 | 1994-04-19 | Opto Power Corporation | Laser diode array |
US5455738A (en) | 1993-07-28 | 1995-10-03 | E-Systems, Inc. | High thermal conductivity, matched CTE. low density mounting plate for a semiconductor circuit |
SE501723C2 (sv) | 1993-09-10 | 1995-05-02 | Ellemtel Utvecklings Ab | Optisk förstärkningsanordning samt användning av anordningen |
SE501721C2 (sv) | 1993-09-10 | 1995-05-02 | Ellemtel Utvecklings Ab | Laseranordning med i en optisk kavitet seriekopplade laserstrukturer |
US5521931A (en) | 1993-11-22 | 1996-05-28 | Xerox Corporation | Nonmonolithic arrays of accurately positioned diode lasers |
KR970009744B1 (ko) | 1994-03-18 | 1997-06-17 | 주식회사 코스모레이져 | 레이저 다이오드 드라이버 |
US6264882B1 (en) | 1994-05-20 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating composite material having high thermal conductivity |
US5526373A (en) | 1994-06-02 | 1996-06-11 | Karpinski; Arthur A. | Lens support structure for laser diode arrays |
US5764675A (en) | 1994-06-30 | 1998-06-09 | Juhala; Roland E. | Diode laser array |
JPH0888431A (ja) | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
US5804461A (en) | 1994-12-22 | 1998-09-08 | Polaroid Corporation | Laser diode with an ion-implant region |
US5504767A (en) | 1995-03-17 | 1996-04-02 | Si Diamond Technology, Inc. | Doped diamond laser |
JP3584450B2 (ja) | 1995-03-17 | 2004-11-04 | 住友電気工業株式会社 | レーザー発振素子及びレーザー発振装置 |
US5627850A (en) | 1995-03-20 | 1997-05-06 | Paradigm Lasers, Inc. | Laser diode array |
US6252179B1 (en) | 1995-04-27 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Electronic package on metal carrier |
DE19518177A1 (de) | 1995-05-19 | 1996-11-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Diodenlasergepumpter Festkörperlaser |
US5679963A (en) | 1995-12-05 | 1997-10-21 | Sandia Corporation | Semiconductor tunnel junction with enhancement layer |
RU2130221C1 (ru) | 1996-04-23 | 1999-05-10 | Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" | Матрица лазерных диодов |
US5778020A (en) | 1996-06-04 | 1998-07-07 | Cj Laser, Inc. | ND: YAG laser pump head |
US5923692A (en) | 1996-10-24 | 1999-07-13 | Sdl, Inc. | No wire bond plate (NWBP) packaging architecture for two dimensional stacked diode laser arrays |
US5848083A (en) | 1996-10-24 | 1998-12-08 | Sdl, Inc. | Expansion-matched high-thermal-conductivity stress-relieved mounting modules |
US5835515A (en) | 1996-10-25 | 1998-11-10 | Lucent Technologies Inc. | High power semiconductor laser array |
US5909458A (en) | 1996-11-27 | 1999-06-01 | The Regents Of The University Of California | Low-cost laser diode array |
US5835518A (en) | 1997-01-31 | 1998-11-10 | Star Medical Technologies, Inc. | Laser diode array packaging |
US5987045A (en) | 1997-04-02 | 1999-11-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High power narrow pulse laser diode circuit |
JP3893681B2 (ja) | 1997-08-19 | 2007-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法 |
US6295307B1 (en) | 1997-10-14 | 2001-09-25 | Decade Products, Inc. | Laser diode assembly |
US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
US5913108A (en) | 1998-04-30 | 1999-06-15 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
US6424667B1 (en) | 1998-12-04 | 2002-07-23 | Jds Uniphase Corporation | Solder and material designs to improve resistance to cycling fatigue in laser diode stacks |
US6636538B1 (en) | 1999-03-29 | 2003-10-21 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
US6208677B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-03-27 | Trw Inc. | Diode array package with homogeneous output |
CA2284946A1 (en) | 1999-10-04 | 2001-04-04 | Institut National D'optique | Laser diode array assembly made from a ridged monolithic substrate |
JP4031903B2 (ja) | 1999-10-21 | 2008-01-09 | イェーノプティク アクチエンゲゼルシャフト | ダイオードレーザを冷却する装置 |
DE10062579A1 (de) | 1999-12-15 | 2001-06-21 | Nikon Corp | Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung |
US6281471B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-08-28 | Gsi Lumonics, Inc. | Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material |
US6700912B2 (en) | 2000-02-28 | 2004-03-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High-output semiconductor laser element, high-output semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same |
DE10011892A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-20 | Jenoptik Jena Gmbh | Montagesubstrat und Wärmesenke für Hochleistungsdiodenlaserbarren |
CN1207595C (zh) | 2000-05-31 | 2005-06-22 | 古河电气工业株式会社 | 半导体激光器模块 |
JP2002016285A (ja) | 2000-06-27 | 2002-01-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体発光素子 |
JP2002026456A (ja) | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 |
US6556352B2 (en) | 2000-08-23 | 2003-04-29 | Apollo Instruments Inc. | Optical coupling system |
JP2002111058A (ja) | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光ダイオードおよび露光システム |
JP2002118078A (ja) | 2000-10-12 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR20020058151A (ko) | 2000-12-29 | 2002-07-12 | 박호군 | 집속이온빔을 이용하는 상온동작 단전자 터널링트랜지스터 제조방법 |
US6542531B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-04-01 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof |
WO2003001634A1 (fr) | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Module d'excitation, oscillateur laser, et amplificateur laser |
JP2003008273A (ja) | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Fanuc Ltd | 冷却装置及び光源装置 |
EP1452614B1 (de) | 2001-11-09 | 2017-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gesinterter diamant mit hoher wärmeleitfähigkeit |
US6724013B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-04-20 | Xerox Corporation | Edge-emitting nitride-based laser diode with p-n tunnel junction current injection |
IL149014A0 (en) | 2002-04-07 | 2002-11-10 | Israel Atomic Energy Comm | Diamond-cooled solid state lasers |
US6724792B2 (en) | 2002-09-12 | 2004-04-20 | The Boeing Company | Laser diode arrays with replaceable laser diode bars and methods of removing and replacing laser diode bars |
US6727117B1 (en) | 2002-11-07 | 2004-04-27 | Kyocera America, Inc. | Semiconductor substrate having copper/diamond composite material and method of making same |
JP2004207496A (ja) | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Nec Corp | 固体レーザ発振器 |
US7002443B2 (en) | 2003-06-25 | 2006-02-21 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for cooling magnetic circuit elements |
US7016383B2 (en) | 2003-08-27 | 2006-03-21 | Northrop Grumman Corporation | Immersion-cooled monolithic laser diode array and method of manufacturing the same |
WO2005036211A2 (en) | 2003-10-17 | 2005-04-21 | Explay Ltd. | Optical system and method for use in projection systems |
JP4507560B2 (ja) | 2003-10-30 | 2010-07-21 | 日本電気株式会社 | 薄膜デバイス基板の製造方法 |
LT5257B (lt) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Uždaroji akcinė bendrovė MGF "Šviesos konversija" | Ryškį išsaugojantis lazerinių pluoštų formuotuvas |
DE102004002221B3 (de) | 2004-01-15 | 2005-05-19 | Unique-M.O.D.E. Ag | Vorrichtung zur optischen Strahltransformation einer linearen Anordnung mehrerer Lichtquellen |
US7286359B2 (en) | 2004-05-11 | 2007-10-23 | The U.S. Government As Represented By The National Security Agency | Use of thermally conductive vias to extract heat from microelectronic chips and method of manufacturing |
US7116690B2 (en) | 2004-05-17 | 2006-10-03 | Textron Systems Corporation | Staggered array coupler |
US7294868B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-11-13 | Finisar Corporation | Super lattice tunnel junctions |
US7221000B2 (en) | 2005-02-18 | 2007-05-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reverse polarization light emitting region for a semiconductor light emitting device |
US7529286B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-05-05 | D-Diode Llc | Scalable thermally efficient pump diode systems |
US7881355B2 (en) | 2005-12-15 | 2011-02-01 | Mind Melters, Inc. | System and method for generating intense laser light from laser diode arrays |
EP1811617A1 (de) | 2006-01-18 | 2007-07-25 | JENOPTIK Laserdiode GmbH | Träger für eine vertikale Anordnung von Laserdiodenbarren mit Anschlag |
JP2007220976A (ja) | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュールおよびそれを備えるハイブリッド車両の駆動装置 |
US7864825B2 (en) | 2006-08-10 | 2011-01-04 | Lasertel, Inc. | Method and system for a laser diode bar array assembly |
US8017935B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Parallel redundant single-electron device and method of manufacture |
US7872272B2 (en) | 2006-09-06 | 2011-01-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Nitride semiconductor ultraviolet LEDs with tunnel junctions and reflective contact |
DE102006061532A1 (de) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden |
DE102006059700A1 (de) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laseranordnung und Halbleiterlaser zum optischen Pumpen eines Lasers |
US8591221B2 (en) | 2006-10-18 | 2013-11-26 | Honeywell International Inc. | Combustion blower control for modulating furnace |
JP4751810B2 (ja) | 2006-11-02 | 2011-08-17 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
WO2008073846A2 (en) | 2006-12-08 | 2008-06-19 | Argos Tech, Llc. | Semiconductor quantum cascade laser and systems and methods for manufacturing the same |
DE102007061458A1 (de) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement |
US7660335B2 (en) | 2008-04-17 | 2010-02-09 | Lasertel, Inc. | Liquid cooled laser bar arrays incorporating diamond/copper expansion matched materials |
DE102008040374A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Robert Bosch Gmbh | Lasereinrichtung |
WO2010009436A2 (en) | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Uriel Solar Inc. | High power efficiency, large substrate, polycrystalline cdte thin film semiconductor photovoltaic cell structures grown by molecular beam epitaxy at high deposition rate for use in solar electricity generation |
KR101632727B1 (ko) | 2008-07-17 | 2016-06-23 | 덴카 주식회사 | 알루미늄-다이아몬드계 복합체 및 그 제조 방법 |
US8995485B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | High brightness pulsed VCSEL sources |
US8660156B2 (en) * | 2009-09-03 | 2014-02-25 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Method and system for powering and cooling semiconductor lasers |
DE102009040835A1 (de) | 2009-09-09 | 2011-03-10 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Verfahren zum thermischen Kontaktieren einander gegenüberliegender elektrischer Anschlüsse einer Halbleiterbauelement-Anordnung |
DE102009054564A1 (de) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
DE102010002966B4 (de) | 2010-03-17 | 2020-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
CN102918930B (zh) | 2010-03-31 | 2015-01-21 | Ats自动化加工***公司 | 光发生器***和固态发射器元件 |
US20110280269A1 (en) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | The Regents Of The University Of California | High contrast grating integrated vcsel using ion implantation |
GB2484712A (en) | 2010-10-21 | 2012-04-25 | Optovate Ltd | Illumination Apparatus |
US20120114001A1 (en) | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Fang Alexander W | Hybrid ridge waveguide |
US8653550B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-02-18 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Inverted light emitting diode having plasmonically enhanced emission |
WO2012100124A1 (en) | 2011-01-20 | 2012-07-26 | Dilas Diode Laser, Inc. | Spatially combined laser assembly and method of combining laser beams |
EA201390661A1 (ru) | 2011-02-08 | 2014-04-30 | Кембридж Нанолитик Лимитед | Неметаллическое покрытие и способ его создания |
US8731015B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-05-20 | Coherent, Inc. | Compact CO2 slab-laser |
US9673343B2 (en) | 2013-12-09 | 2017-06-06 | Azastra Opto Inc. | Transducer to convert optical energy to electrical energy |
WO2015095607A1 (en) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Uriel Solar, Inc. | Multi-junction photovoltaic cells |
WO2015134931A1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Nlight Photonics Corporation | High brightness multijunction diode stacking |
US20160014878A1 (en) | 2014-04-25 | 2016-01-14 | Rogers Corporation | Thermal management circuit materials, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom |
JP6655287B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-02-26 | 古河電気工業株式会社 | 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール |
US20180254606A1 (en) * | 2015-06-02 | 2018-09-06 | Lasertel, Inc. | Liquid cooled laser bar arrays incorporating thermal expansion matched materials |
US11437775B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-09-06 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Integrated light source using a laser diode |
CN108463929B (zh) * | 2016-01-14 | 2020-10-30 | 古河电气工业株式会社 | 半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法 |
US9960127B2 (en) | 2016-05-18 | 2018-05-01 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
US11025031B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-01 | Leonardo Electronics Us Inc. | Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods |
US10673204B2 (en) | 2017-03-07 | 2020-06-02 | Sensl Technologies Ltd. | Laser driver |
CN110622301B (zh) | 2017-05-10 | 2023-06-23 | 罗姆股份有限公司 | 功率半导体装置及其制造方法 |
US10454250B2 (en) * | 2017-05-22 | 2019-10-22 | Lasertel Inc. | Thermal contact for semiconductors and related methods |
US10120149B1 (en) * | 2017-07-13 | 2018-11-06 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Wavelength division multiplexing (WDM) optical modules |
JP7005449B2 (ja) | 2018-07-23 | 2022-01-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置、半導体装置の製造方法、および、電力変換装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-08-14 DE DE102019121924.8A patent/DE102019121924A1/de active Pending
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