DE102019121924A1 - Laserbaugruppe und zugehörige verfahren - Google Patents

Laserbaugruppe und zugehörige verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102019121924A1
DE102019121924A1 DE102019121924.8A DE102019121924A DE102019121924A1 DE 102019121924 A1 DE102019121924 A1 DE 102019121924A1 DE 102019121924 A DE102019121924 A DE 102019121924A DE 102019121924 A1 DE102019121924 A1 DE 102019121924A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser
assembly
optics
solder
tab
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019121924.8A
Other languages
English (en)
Inventor
Jason Helmrich
Steven Smith
Prabhu Thiagarajan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leonardo Electronics US Inc
Original Assignee
Lasertel Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lasertel Inc filed Critical Lasertel Inc
Publication of DE102019121924A1 publication Critical patent/DE102019121924A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237Fixing laser chips on mounts by soldering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0009Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only
    • G02B19/0014Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only at least one surface having optical power
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0052Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode
    • G02B19/0057Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a laser diode in the form of a laser diode array, e.g. laser diode bar
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0911Anamorphotic systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02253Out-coupling of light using lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0916Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
    • G02B27/0922Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers the semiconductor light source comprising an array of light emitters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/30Collimators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0233Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345Wire-bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4062Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

Eine epoxidfreie Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung und mindestens eine Optikbaugruppe auf, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist. Die Laseranordnung und die Optikbaugruppe sind epoxidfrei. In einem Beispiel weist die Optikbaugruppe eine Korrekturoptik und eine Wellenlängenstabilisierungsoptik auf, wobei die Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche und Lot mit der Korrekturoptik verbunden ist. In einem anderen Beispiel sind mehrere Optikbaugruppen in der Laserbaugruppe enthalten, wodurch die Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passt. Verfahren zur Herstellung derselben sind auch vorgesehen.

Description

  • GEBIET DER OFFENBARUNG
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich im Allgemeinen auf Optikbaugruppen und bezieht sich insbesondere auf Laserbaugruppen und dazugehörige Verfahren.
  • HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
  • Herkömmliche Laseranordnungen werden unter Verwendung eines UVhärtenden Epoxids zusammengesetzt. Die Komponenten der Laserbaugruppe, einschließlich Linse, Kollimatoren und Korrekturoptiken, werden an der gewünschten Stelle relativ zueinander angeordnet, und ein Epoxidkleber wird auf die Kontaktpunkte zwischen den Komponenten aufgebracht. So kann z.B. bei herkömmlichen Baugruppen Epoxid verwendet werden, um Wellenlängenstabilisierungsoptiken, wie etwa Volumen-Bragg-Gitter (VBG), üblicherweise ausgehend von deren Seitenflächen anzubringen. Sobald das Epoxid aufgetragen und das Bauteil richtig positioniert wurde, wird UV-Licht verwendet, um das Epoxid an dieser Stelle auszuhärten. Nach dem Aushärten wird das Bauteil freigegeben und die nächste Epoxidverbindung mit dem UV-Licht ausgehärtet, bis die gesamte Baugruppe fertiggestellt ist. Allerdings ist Epoxid in dem großen Temperaturbereich, in dem viele Laseranordnungen betrieben werden müssen, nicht stabil. Viele Laserbaugruppen werden in rauen Umgebungen eingesetzt, die Schwankungen zwischen hohen und niedrigen Temperaturen unterworfen sind. Mit der Zeit kann das Epoxid kriechen, was zu Verschiebungen und Bewegungen der Linse und wiederum zu Fehlausrichtungen der Optik führt. Wenn sich die Linse bewegt, wird die Leistung der Anordnung stark beeinträchtigt oder geht verloren, da das Licht nicht dorthin geht, worauf es zu Beginn wie erforderlich eingestellt war.
  • Darüber hinaus kann der Unterschied in der Aushärtung zwischen Epoxiden an verschiedenen Stellen zu Fehlausrichtungen der Optik führen. Wenn beispielsweise Epoxid auf die Seitenflächen des VBG aufgetragen wird, kann das Epoxid auf dem oberen Teil der Seitenfläche mit einer anderen Geschwindigkeit aushärten als das Epoxid auf dem unteren Teil der Seitenfläche oder umgekehrt, wodurch das VBG verschwenkt oder verschoben wird. Dieses Verschwenken oder Verschieben des VBG kann zu einem Neigungswinkel führen, der den beabsichtigten Winkel des VBG stört, was wiederum zu einer Fehlausrichtung der Optik führt.
  • Darüber hinaus ist Epoxid dafür bekannt, dass es ausgast. Wenn sich das Epoxid in seinem flüssigen oder viskosen Zustand befindet, befinden sich darin bestimmte Arten von flüchtigen Bestandteilen. Während der Herstellung der Laserbaugruppe versuchen die Hersteller, das Epoxid mit dem UV-Licht schnell auszuhärten, um die Freisetzung der flüchtigen Bestandteile zu verhindern, aber im Laufe der Zeit, auch nach dem Aushärten des Epoxids, sind noch einige dieser flüchtigen Bestandteile darin vorhanden. Diese flüchtigen Bestandteile gasen schließlich aus, und die Chemikalien oder Dämpfe, die aus dem Epoxid austreten, können die Laseranordnung beschädigen, wenn diese Chemikalien oder Dämpfe mit der Laserfacette in Berührung kommen. Einige Hersteller verwenden ein Spülgas im Lasersystem, um sicherzustellen, dass die Chemikalien und Dämpfe, die von dem Epoxid ausgegast werden, ausgespült werden, wodurch ihr Volumen reduziert wird. Andere Hersteller können thermisch aushärtende Epoxide verwenden, die eine geringere Ausgasung aufweisen, wobei jedoch weiterhin eine solche besteht. Während bei diesen Optionen das Volumen der Rückstände, die das Laserarray kontaminieren, reduziert werden kann, beeinflussen sie die Produktionseffizienz der Laserbaugruppen erheblich. Die Aushärtung von thermischem Epoxid kann von 20 Minuten bis über 24 Stunden dauern. In einer Produktionsumgebung ist es unpraktisch, eine Linse nach der anderen zu installieren und sie dann über diese Zeitspanne thermisch auszuhärten und dann zur nächsten Linse zu wechseln. Dementsprechend werden UV-härtende Epoxide aufgrund ihrer schnellen Aushärtezeit ohne Weiteres verwendet.
  • Somit besteht in der Branche ein bisher nicht angesprochener Bedarf, die oben genannten Mängel und Unzulänglichkeiten anzusprechen.
  • KURZZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen ein System und eine Vorrichtung für eine epoxydfreie Laserbaugruppe bereit. Kurz beschrieben, kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung auf. Mindestens eine Optikanordnung ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet, wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist.
  • Bei einem Aspekt umfasst die mindestens eine Laseranordnung ferner mehrere Laserdiodenbarren und mehrere Fast-Axis-Kollimatoren, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Laserdiodenbarren und den mehreren Fast-Axis-Kollimatoren jeweils außerdem eine Lötverbindung umfasst.
  • Bei diesem Aspekt umfasst die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
  • Bei diesem Aspekt umfassen Enden der mehreren Laserdiodenbarren ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nichtmetallisierten Nuten, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
  • Bei einem weiteren Aspekt umfasst die mindestens eine Optikbaugruppe ferner mehrere Korrekturoptiken und mehrere Wellenlängenstabilisierungsoptiken, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Korrekturoptiken und den mehreren Wellenlängenstabilisierungsoptiken jeweils außerdem eine Lötverbindung umfasst.
  • Bei diesem Aspekt umfasst die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
  • Bei diesem Aspekt umfassen Enden der mehreren Korrekturoptiken ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nichtmetallisierten Nuten, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
  • Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung eines Systems und einer Vorrichtung für eine Laserbaugruppe mit mindestens einer Lasche betrachtet werden. Kurz beschrieben kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist mindestens eine Laseranordnung auf. Eine Optikbaugruppe ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet. Die Optikbaugruppe umfasst mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik. Die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ist mit mindestens einer Lasche mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
  • Bei einem Aspekt umfasst die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ferner ein VBG.
  • Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit einem Ende der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik verbunden.
  • Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit Expoxid mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
  • Bei einem weiteren Aspekt ist die mindestens eine Lasche mit Lot mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden.
  • Bei diesem Aspekt umfasst die mindestens eine Lasche darin ferner mindestens zwei Löcher auf, wobei das Lot innerhalb der mindestens zwei Löcher aufgebracht wird.
  • Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung eines Systems und einer Vorrichtung für eine Laserbaugruppe mit einer gesteuerten Stellfläche betrachtet werden. Kurz beschrieben kann eine Ausführungsform der Baugruppe hinsichtlich des Aufbaus unter anderem wie folgt implementiert werden. Eine Laserbaugruppe weist eine Wärmesenkenbaugruppe mit einer Stellfläche auf. Mindestens eine Laseranordnung ist in Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet. Die mindestens eine Laseranordnung passt in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe. Mindestens zwei Optikbaugruppen sind in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet. Alle Optikbaugruppen passen in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe.
  • Bei einem Aspekt umfasst die Wärmesenkenbaugruppe ferner zwei elektrische Kontakte, die an gegenüberliegenden Seiten der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet sind, wobei die mindestens zwei elektrischen Kontakte zwei gegenüberliegende Ränder der Stellfläche definieren.
  • Bei einem weiteren Aspekt ist die Laserbaugruppe epoxidfrei.
  • Bei einem weiteren Aspekt ist mindestens eine Keramikschicht zur elektrischen Isolation zwischen der Wärmesenke und der mindestens einen Laseranordnung angeordnet.
  • Die vorliegende Offenbarung kann auch als Bereitstellung von Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe betrachtet werden. In dieser Hinsicht kann eine Ausführungsform eines derartigen Verfahrens unter anderem allgemein durch die folgenden Schritte zusammengefasst werden: Anordnen mindestens einer Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke; und Anordnen mindestens einer Optikbaugruppe in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung, wobei die mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxidfrei sind.
  • Bei einem Aspekt umfasst das Verfahren ferner das Anordnen von mehreren Optikbaugruppen in dem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung, wobei die mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen.
  • Bei einem weiteren Aspekt weist die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik auf, und das Verfahren umfasst ferner das Verbinden der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge.
  • Andere Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung sind oder werden für den Fachmann bei der Betrachtung der folgenden Zeichnungen und der ausführlichen Beschreibung offensichtlich. Es sollen alle zusätzlichen Systeme, Verfahren, Merkmale und Vorteile dieser Art in dieser Beschreibung aufgenommen werden, in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen und durch die beigefügten Ansprüche geschützt sein.
  • Figurenliste
  • Viele Aspekte der Offenbarung lassen sich anhand der folgenden Zeichnungen besser verstehen. Die Komponenten in den Zeichnungen sind nicht zwangsläufig maßstabsgetreu, es wird vielmehr der Schwerpunkt darauf gelegt, die Prinzipien der vorliegenden Offenbarung klar darzustellen. In den Zeichnungen bezeichnen darüber hinaus gleiche Bezugszeichen entsprechende Teile in allen verschiedenen Ansichten.
    • 1A ist eine Abbildung einer Laserbaugruppe in einer isometrischen Ansicht gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 1B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von 1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 1C ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von 1A in einer Seitenansicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 2A ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von 1A in einer Draufsicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 2B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von 1A in einer Unteransicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 3A-3K sind Ansichten der Laserbaugruppe von 1A in verschiedenen Fertigungsstufen und von einzelnen Komponenten der Laserbaugruppe von 1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung.
    • 4A-4B sind Abbildungen der Laserbaugruppe von 1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche und die Lotverbindung zeigen.
    • 5 ist eine Abbildung der Laserbaugruppe von 1A gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche zeigt.
    • 6 ist eine schematische Abbildung der Laserbaugruppe von 1A gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Richtungen der Empfindlichkeit der Laschen zeigt.
    • 7 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe gemäß dem ersten Ausführungseispiel der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • 1A ist eine Abbildung einer Laserbaugruppe 10 in einer isometrischen Ansicht gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. 1B ist eine Abbildung der Laserbaugruppe 10 von 1A in einer Vorderansicht, und 1C ist eine Abbildung der Laserbaugruppe 10 von 1A in einer Seitenansicht. Bezugnehmend auf die 1A-1C umfasst die Laserbaugruppe 10, die einfach als „Baugruppe 10“, „System 10“ oder „Vorrichtung 10“ bezeichnet werden kann, eine Wärmesenkenbaugruppe 20, eine Laseranordnung 40 und eine Optikbaugruppe 70. Innerhalb der Baugruppe 10 ist die Laseranordnung 40 in thermischem Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe 20 angeordnet, und die Optikbaugruppe70, die beliebig viele Korrekturoptikeinheiten beinhalten kann, ist über der Laseranordnung 40 und in einem Lichtweg der Laseranordnung 40 angeordnet. Die Baugruppe 10 ist eine epoxidfreie Einheit, da sie keine Epoxid- oder epoxidähnlichen Klebstoffe zum Verbinden oder Zusammenfügen von Komponenten der Baugruppe 10 verwendet. Es wird jedoch darauf hingewiesen, dass verschiedene Komponenten der Baugruppe 10 oder deren Vorteile auch bei Baugruppen verwendet werden können, bei denen Epoxid verwendet wird.
  • Die Wärmesenkenbaugruppe umfasst im Einzelnen eine Wärmesenke 22 aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, elektrische Befestigungsschrauben 24 zum Anschluss an eine Stromquelle und elektrische Kontakte 26 zum Übertragen einer elektrischen Leistung zur Laseranordnung 40. Die elektrischen Kontakte 26 kontaktieren elektrisch die elektrischen Kontaktschrauben 24 und erstrecken sich nach oben bis zur Laseranordnung und zur Optikbaugruppe. Die Laseranordnung 40 ist in thermischem Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe 20 angeordnet, so dass die in der Laseranordnung 40 erzeugte Wärme aus der Anordnung übertragen werden kann. Im Allgemeinen ist die Laseranordnung 40 auf der Oberseite der Wärmesenke 22 angeordnet. Ein elektrisches Isolationsmaterial, wie etwa eine Keramik zur elektrischen Isolation 28 oder ein ähnliches Material, kann an der Schnittstelle zwischen einem unteren Teil des Laserdiodenstapels in der Laseranordnung 40 und dem oberen Teil der Wärmesenke 22 angeordnet werden. Die Optikbaugruppe 70 ist über der Laseranordnung 40 angeordnet.
  • Die 2A-2B sind Abbildungen der Laserbaugruppe 10 von 1A in einer Draufsicht bzw. Unteransicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die 2A-2B veranschaulichen insbesondere die Stellfläche der Baugruppe 10, die im Allgemeinen durch die Form und die Größe der Wärmesenkenbaugruppe 20 definiert ist, aus der vertikalen oder aus der Vogelperspektive der Baugruppe 10, wie in 2A gezeigt ist. Bezugnehmend auf die 1A-2B und wie in den 2A-2B zu sehen ist, haben die Laseranordnung 40 und die Korrekturoptikbaugruppe 70 Abmessungen, die derart sind, dass sie in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe 20 passen, dadurch, dass die Breiten- und Längenabmessungen der Laseranordnung 40 und der Optikbaugruppe 70 gleich oder kleiner sind als die Breiten- bzw. Längenabmessungen der Wärmesenkenbaugruppe. Die Möglichkeit, die vorhandene Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe 20 beizubehalten, ermöglicht es, die bestehende Ausgestaltung der Wärmesenkenbaugruppe 20 auch mit zusätzlichen Optikbaugruppen 70 zu verwenden, die der Baugruppe 10 hinzugefügt wurden. Dementsprechend kann eine beliebige Anzahl von Optikbaugruppen 70 gestapelt und der Baugruppe 10 hinzugefügt werden, die direkt an der Laseranordnung 40 oder an einer anderen Optik innerhalb der Optikbaugruppe 70 angebracht ist, ohne die Ausgestaltungs- oder Größenbedingungen der Baugruppe 10 zu beeinflussen.
  • Im Gegensatz dazu werden im herkömmlichen Stand der Technik bei der Herstellung von epoxidfreien Laserbaugruppen bei den Baugruppen Strukturen oder Systeme verwendet, um die Linsen innerhalb der Baugruppen zu halten, wobei sich jedoch diese Strukturen oder Systeme außerhalb der Stellfläche der Laseranordnung und außerhalb der Stellfläche der Wärmesenke erstrecken. Es können beispielsweise mechanische Halterungen dazu verwendet werden, die Linsen der Optik zu halten, wobei die Halterungen selbst außerhalb der definierten Stellfläche der Wärmesenke angeordnet sind, an der die Laseranordnung angebracht ist. Wenn mehr Optiken oder Linsen hinzugefügt werden, sind mehr Halterungen zum Halten der Optik erforderlich, was dazu führt, dass sich die Baugruppe hinsichtlich der Größe ausdehnt und groß genug ist, um die Größenbeschränkungen der Baugruppe zu beeinträchtigen. Dementsprechend kann die Baugruppe 10 der vorliegenden Offenbarung dieses Problem überwinden, indem sowohl die Verwendung von Epoxid im Aufbau der Baugruppe 10 vermieden als auch die vorhandene Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe 20 oder der Laseranordnung 40 beibehalten wird, wenn zusätzliche Optiken aufgenommen sind.
  • Die 3A-3K sind Ansichten der Laserbaugruppe 10 von 1A in verschiedenen Fertigungsstufen und einzelner Komponenten der Laserbaugruppe 10 von 1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung. Die Systeme und Komponenten der Baugruppe 10 werden mit Bezug auf die 1A-3K beschrieben.
  • 3A zeigt die Wärmesenkenbaugruppe 20 mit der Wärmesenke 22, elektrischen Befestigungsschrauben 24 und elektrischen Kontakten 26 zur Übertragung einer elektrischen Leistung zur Laseranordnung 40. Wie zu sehen ist, ist die Keramik 28 zur elektrischen Isolation auf der Oberseite der Wärmesenke 22 und zwischen den elektrischen Kontakten 26 so angeordnet, dass sie eine elektrische Barriere zwischen der Laseranordnung 40 (in 3A nicht gezeigt) und der Wärmesenke 22 bilden kann.
  • In 3B wurde die Laseranordnung 40 der Wärmesenke 22 hinzugefügt. Die Laseranordnung 40 umfasst einen Laserdiodenstapel mit einer Vielzahl von Laserdiodenbarren 42, die nebeneinander angeordnet sind, wie in 3B im Einzelnen dargestellt ist. Die Laseranordnung 40 weist eine Außenfläche oder ein Ende 44 auf, die bzw. das entlang der Seite der Wärmesenke 22 angeordnet ist. Die Außenfläche 44 der Laseranordnung 40 ist mit einem metallisierten Material beschichtet, um mittels Lot einen Kontakt mit dem Fast-Axis-Kollimator 50 ( 3D-3E) herzustellen. Um das Lot jedoch zu bestimmten Abschnitten der metallisierten Außenfläche 44 zu leiten und zu verhindern, dass das Lot zu einem benachbarten Laserdiodenbarren fließt, wurden in der metallisierten Außenfläche 44 zueinander beabstandete Bereiche oder Nuten ausgebildet. Wie beispielsweise in 3B gezeigt ist, weist die metallisierte Außenfläche 44 metallisierte Abschnitte 44A, die üblicherweise aus Gold oder einem ähnlichen Metall gebildet sind, an dem Lot gut haftet, und nichtmetallisierte Abschnitte 44B auf. Die nichtmetallisierten Abschnitte 44B können durch Entfernen des Metalls an der metallisierten Außenfläche 44 an einer Stelle erzeugt werden, an der der nichtmetallisierte Abschnitt 44B gewünscht wird. In einem spezifischen Beispiel kann die Außenfläche 44 mit Gold metallisiert werden, wobei dann eine Säge verwendet wird, um das goldmetallisierte Material zu entfernen und die nichtmetallisierten Abschnitte 44B zu bilden. Die nichtmetallisierten Abschnitte 44B sind auf die Zwischenräume zwischen den Laschen ausgerichtet (3D-3E), wobei die nichtmetallisierten Abschnitte 44B jedoch vor dem Anbringen der Laschen ausgebildet werden können.
  • Als Nächstes veranschaulicht 3C die Baugruppe 10 mit auf der Laseranordnung 40 ausgebildeten Sockeln 46. Die Sockel 46 stellen den Abstand für den Slow-Axis-Kollimator, der anhand von 3F erläutert wird, oder den entsprechenden Abstand für die nächste Optikeinheit innerhalb der Baugruppe bereit, der je nach Ausgestaltung variieren kann.
  • 3D veranschaulicht die Unterbaugruppe des Fast-Axis-Kollimators 50, der eine Fast-Axis-Kollimatorlinse 52 und zwei Laschen 54 zum Halten der Fast-Axis-Kollimatorlinse 52 an der Laseranordnung 40 aufweist. Die Fast-Axis-Kollimatoren 50 sind der erste Satz von Optiken, die sich vor dem Lichtweg der Laserdiodenbarren der Laseranordnung 40 befinden. Wie auf dem Gebiet bekannt, können Fast-Axis-Kollimatoren asphärische Zylinderlinsen sein, die für die Strahlformung oder die Laserdiodenkollimation ausgelegt sind. Jeder der Laserdiodenbarren der Laseranordnung 40 kann einem einzelnen Fast-Axis-Kollimator 50 entsprechen, der darauf ausgerichtet ist. Die Laschen 54, die aus Metall oder einem anderen Material bestehen können, können an den äußeren Enden der Fast-Axis-Kollimatorlinse 52 befestigt sein und weisen im Allgemeinen zwei Löcher 56A, 56B auf. Die Löcher 56A, 56B können vorzugsweise zylindrisch sein, wobei jedoch in bestimmten Situationen andere Formen verwendet werden können. Das erste Loch 56A kann ein kleines Loch im oberen Teil der Lasche 54 sein, und das zweite Loch 56B kann ein größeres Loch im unteren Teil der Lasche 54 sein. Jede Unterbaugruppe des Fast-Axis-Kollimators 50 kann mit einer Fast-Axis-Kollimatorlinse 52 und zwei Laschen 54 mit jeweils den beiden Löchern 56A, 56B aufgebaut werden.
  • Wenn die gewünschte Anzahl der Unterbaugruppen des Fast-Axis-Kollimators 50 hergestellt wird, deren Anzahl im Allgemeinen der Anzahl der Laserdiodenbarren entspricht, können sie wie in 3E gezeigt der Laseranordnung 40 hinzugefügt werden. In diesem Beispiel sind 20 Laserdiodenbarren und 20 Fast-Axis-Kollimatoren 50 dargestellt, wobei jedoch in der Baugruppe 10 eine beliebige Anzahl von Laserdiodenbarren und Fast-Axis-Kollimatoren 50 verwendet werden kann, was von der Ausgestaltung und/oder dem Verwendungszweck der Baugruppe 10 abhängig sein kann. Wie in 3E gezeigt, können die Fast-Axis-Kollimatoren 50 vertikal über der Laseranordnung 40 angeordnet sein, so dass sie in einem Lichtweg der Laseranordnung 40 angeordnet sind. In dieser Position erstrecken sich die beiden Laschen 54 des Fast-Axis-Kollimators 50 entlang der Außenfläche 44 der Laseranordnung 40, z.B. entlang der Enden jedes Laserdiodenbarrens. Während das erste Loch 56A der Lasche 54 zur Bildung einer Lötverbindung mit der Fast-Axis-Kollimatorlinse 52verwendet wird, können die zweiten Löcher 56B zur Bildung einer Lötverbindung zwischen den Laschen 54 und der Laseranordnung 40 verwendet werden. Weitere Einzelheiten zur Lötverbindung mit den Laschen 54 sind in Bezug auf die 4A-5 angegeben.
  • Sobald die Fast-Axis-Kollimatoren 50 mit der Baugruppe 10 verbunden sind, kann ein Slow-Axis-Kollimator 60 vertikal über dem Fast-Axis-Kollimator 50 und in dessen Lichtweg angeordnet werden, wie in 3F gezeigt ist. Der Slow-Axis-Kollimator 60 sendet das Licht aus der Laseranordnung 40 in eine andere Richtung als der Fast-Axis-Kollimator 50. Der Slow-Axis-Kollimator 60 kann wie gezeigt eine monolithische Linse sein, die aus einem einzigen Spiegelglasstück besteht. Es können auch andere Materialien oder Strukturen und auch andere große Optikvorrichtungen verwendet werden, wie etwa eine monolithische Anordnung von Zylinderlinsen, die die einzelnen Emitter der Laseranordnung 40 kollimieren. Der Slow-Axis-Kollimator 60 kann mit Lot am Sockel 46 befestigt werden, wobei der Sockel 46 mit Lot an der Laseranordnung 40 befestigt ist. Dementsprechend wird beim Aufbau der Baugruppe 10 bisher kein Epoxid verwendet.
  • Als Nächstes veranschaulicht 3G die Korrekturoptik 72, auch bekannt als fortschrittliche Optik- oder AO (engl. Advanced Optic) -Unterbaugruppe, und 3H veranschaulicht die Baugruppe 10 mit der Korrekturoptik 72, die über dem Slow-Axis-Kollimator 60 angeordnet ist. Jeder der Laserdiodenbarren der Laseranordnung 40 kann einige Ausrichtungsunterschiede dazu haben. Die Korrekturoptik 72 kann dazu verwendet werden, das Licht der Laserdiodenbarren so zu beugen, dass alle Laserdiodenbarren nun Licht in die gewünschte Richtung abgeben. Die Korrekturoptik 72 kann einen oder mehrere Sockel 74 oder Abstandshalter aufweisen, die auf einer Unterseite davon angeordnet sind und den Slow-Axis-Kollimator 60 berühren. Die Sockel 74 können über eine Lötverbindung mit dem Slow-Axis-Kollimator 60 verbunden werden.
  • Ähnlich wie die Laseranordnung 40 weist die Korrekturoptik 72 eine Außenfläche oder ein Ende 76 auf, die bzw. das entlang der Längsseite der Wärmesenkenbaugruppe 20 angeordnet ist, wobei die Außenfläche 76 mit einem metallisierten Material beschichtet ist, um mittels Lot einen Kontakt mit der Wellenlängenstabilisierungsoptik (3I-3K) herzustellen. Um das Lot zu bestimmten Abschnitten der metallisierten Außenfläche 76 zu leiten und zu verhindern, dass das Lot über den gewünschten Anwendungsbereich hinausfließt, wurden in der metallisierten Außenfläche 76 zueinander beabstandete Bereiche oder Nuten ausgebildet. Wie beispielsweise in 3G gezeigt ist, umfasst die metallisierte Außenfläche 76 metallisierte Abschnitte 76A, die üblicherweise aus Gold oder einem ähnlichen Metall bestehen, an dem Lot gut haftet, sowie nichtmetallisierte Abschnitte 76B. Die nichtmetallisierten Abschnitte 76B können durch Entfernen des Metalls auf der metallisierten Außenfläche 76 an einer Stelle erzeugt werden, an der der nichtmetallisierte Abschnitt 76B gewünscht ist. In einem spezifischen Beispiel kann die Außenfläche 76 mit Gold metallisiert werden, wobei dann eine Säge verwendet wird, um das goldmetallisierte Material zu entfernen und die nichtmetallisierten Abschnitte 76B zu bilden. Die nichtmetallisierten Abschnitte 76B sind auf die Zwischenräume zwischen den Laschen ausgerichtet, wie in Bezug auf die 3I-3K erläutert ist.
  • 3I veranschaulicht die Wellenlängenstabilisierungsoptik 80, auch VBG-Unterbaugruppe genannt. 3J veranschaulicht die Baugruppe 10 mit einer der Wellenlängenstabilisierungsoptiken 80 in Explosionsansicht, während 3K eine Seitenansicht der Baugruppe 10 mit einer Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 veranschaulicht. Die Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 kann eine Stabilisierung der Wellenlänge ermöglichen. Abhängig von dem gewählten VBG 82 kann sie die Wellenlänge auf den gewünschten Wert festhalten und in die anderen Wellenlängenfarben zurückführen, die von dem Laserdiodenbarren erzeugt werden. Die Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 umfasst ein VBG 82 und zwei an den Enden des VBG 82 angeordnete Laschen 84, wie in 3I gezeigt ist. Jede der beiden Laschen 84 weist ein erstes Loch 86A auf, das im oberen Teil der Lasche 84 angeordnet ist und zum Steuern einer Lötverbindung mit dem VBG 82 verwendet wird, und ein zweites Loch 86B, das kleiner ist als das erste Loch 86A, wobei das zweite Loch 86B im unteren Teil der Lasche 84 angeordnet ist und zum Steuern einer Lötverbindung mit der Korrekturoptik 72 verwendet wird.
  • Wie in den 3J-3K gezeigt ist, kann die Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 vertikal über der Korrekturoptik 72 angeordnet werden, so dass jede Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 in einem Lichtweg der entsprechenden Korrekturoptik 72 darunter angeordnet ist. In dieser Position erstrecken sich die beiden Laschen 84 der Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 entlang der Außenfläche 76 der Korrekturoptik 72, z.B. entlang ihrer Enden. Die zweiten Löcher 86B werden dann auf die Außenfläche 76 der Korrekturoptik 72 ausgerichtet, so dass eine Lötverbindung oder Lötstelle zwischen der Lasche 84 und der Korrekturoptik 72 gebildet werden kann, deren Einzelheiten mit Bezug auf die 4A-5 erläutert werden.
  • Die 4A-4B sind Abbildungen der Laserbaugruppe 10 von 1A in einer Vorderansicht gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Laschen und Lötverbindung zeigen. 5 ist eine Abbildung der Laserbaugruppe 10 von 1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Lasche zeigt. Bezugnehmend auf die 3H-5 kann die Lötverbindung in der Baugruppe 10 mit den Laschen, wie sie für die Verwendung zwischen dem Fast-Axis-Kollimator 50 und der Laseranordnung 40 und zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 und der Korrekturoptik 72 beschrieben sind, verwendet werden. Zur Verständlichkeit der Offenbarung wird der Vorgang zur Bildung der Lötverbindung in Bezug auf die Verwendung der Lasche 84 zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 und der Korrekturoptik 72 beschrieben, der gleiche Vorgang kann jedoch auch für die Lasche 54 zwischen dem Fast-Axis-Kollimator 50 und der Laseranordnung 40 verwendet werden.
  • Wie in 4A gezeigt, kann die Lasche 84 eine Lotkugel 12 in ihrem zweiten Loch 86B aufnehmen, die den metallisierten Abschnitt 76A der Außenfläche 76 der Korrekturoptik 72 überlagernd angeordnet ist. Die Lotkugel 12 kann ein Verkapselungsmaterial und/oder Schutzgas umfassen. Sobald die Lotkugel 12 in dem zweiten Loch 86B angeordnet ist, wird die Lotkugel z.B. mit einem Licht erwärmt, und das Lot fließt im Inneren des zweiten Lochs 86B und zwischen der innenliegenden Oberfläche der Lasche 84, die auch eine metallisierte Oberfläche ist, und der Anlagefläche des metallisierten Abschnitts 76A der Außenfläche 76 der Korrekturoptik 72. Da das Lot dazu neigt, nur dorthin zu wollen, wo sich eine metallisierte Oberfläche auf dem metallisierten Abschnitt 76A befindet, fließt es nicht in die nichtmetallisierten Abschnitte 76B und wird daher im metallisierten Abschnitt 76A gehalten. Somit hält die Lötverbindung den gewünschten Kontakt zwischen den Laschen 84 und den vorgesehenen Abschnitten der Außenfläche 76 aufrecht und wandert nicht an unerwünschte Stellen entlang der Außenfläche 76. 4B veranschaulicht das Fließlot 14 innerhalb des zweiten Lochs 86B der Lasche 84.
  • Wie in 5 gezeigt, können die spezifische Form und die Materialien der Lasche 84 zur Steuerung der Lötverbindung verwendet werden. Hier kann das zweite Loch 86B der Lasche 84 eine innere Seitenwand 88 aufweisen, die auch so ausgebildet ist, dass sie eine metallisierte Oberfläche aufweist. Die innere Seitenwand 88 des zweiten Lochs 86B kann z.B. mit Gold beschichtet sein. Wenn die Lotkugel (nicht gezeigt) innerhalb des zweiten Lochs 86B angeordnet und geschmolzen ist, wird das Lot angezogen, um eine Verbindung zwischen der inneren Seitenwand 88 des zweiten Lochs 86B und der metallisierten Oberfläche 76B der Außenfläche 76 herzustellen. Die Außenfläche der Lasche 84 kann aus einem nicht anziehenden Material zum Löten wie etwa Titan oder Glas bestehen, wodurch das Lot in das zweite Loch 86B und zur metallisierten Oberfläche 76B wandert. Nach dem Abkühlen trocknet das Lot durch das zweite Loch 86B auf der inneren Seitenwand 88 des zweiten Lochs 86B und auf der Innenfläche der Lasche 84, z.B. auf der der metallisierten Oberfläche 76A der Außenfläche 76 zugewandten Oberfläche.
  • Die gleiche Löttechnik kann mit den anderen Lötverbindungen verwendet werden, die mit Laschen ausgebildet sind. Darüber hinaus können optische Strukturen auch goldmetallisiert sein, um das Lot zu den Stellen zu leiten, an denen Lötstellen erwünscht sind, und unerwünschte Stellen können mit lötabweisenden Materialien wie Titan beschichtet werden. Auf diese Weise kann die Baugruppe 10 als Ganzes als epoxidfreie Baugruppe ausgebildet werden, da Epoxidkleber oder ähnliche Klebstoffe zur Herstellung oder Aufrechterhaltung von Verbindungen zwischen Komponenten nicht erforderlich sind. Dementsprechend kann sich die Baugruppe 10 gegenüber den im Hintergrund diskutierten Unzulänglichkeiten aus dem Stand der Technik verbessern, da die Baugruppe 10 kein Kriechen oder Verschieben von Komponenten aufgrund der Aushärtung von Epoxid oder der langfristigen Verwendung von Epoxidharz erfährt.
  • 6 ist eine schematische Darstellung der Laserbaugruppe 10 von 1A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung, die die Empfindlichkeitsrichtungen der Laschen zeigt. Wie gezeigt, zeigt 6 die Laschen 54 zwischen dem Fast-Axis-Kollimator 50 und der Laseranordnung 40 sowie zwischen der Wellenlängenstabilisierungsoptik 80 und der Korrekturoptik 72. Abgesehen von der Tatsache, dass die Baugruppe 10 als epoxidfreie Struktur aufgebaut ist, kann die Verwendung der Laschen 54/84 signifikante Verbesserungen hinsichtlich der Fehlausrichtungen bieten, die üblicherweise bei Laserbaugruppen auftreten, zum Teil aufgrund der Verwendung der Laschen 54/84, die eine bessere Ausrichtung der Optik und eine Anbringung der Optik in einer Weise ermöglichen, die die Empfindlichkeitsrichtungen kompensiert. Bei herkömmlichen Baugruppen wird z.B. die Optik unter Verwendung ihrer Seitenflächen 90, z.B. der Längsseitenflächen oder Bodenflächen der Optik, wie in 6 gezeigt, angebracht. Wenn die Anbringung an diesen Oberflächen erfolgt, kann jede Bewegung in der auf diesen Oberflächen gebildeten Verbindung dazu führen, dass die Optik um die Längsachse der Optik kippt oder falsch ausgerichtet wird. Es ist nicht ungewöhnlich, dass Bewegungen aufgrund von geringen Veränderungen oder Kräften in der Umgebung, in der die Baugruppe verwendet wird, auftreten. Die Optik ist sehr empfindlich gegenüber Fehlausrichtungen in diese Richtung, d.h. in die empfindliche Richtung, wie in 6 gekennzeichnet ist. Dementsprechend kann eine Fehlausrichtung der Optik in diese Richtung zu Problemen und/oder Ausfällen in der Baugruppe führen.
  • Im Gegensatz dazu werden bei der Baugruppe 10 der vorliegenden Offenbarung die Optik unter Verwendung der an den Enden der Optik angeordneten Laschen 54/84 angebracht, so dass Fehlausrichtungen in den gegen die Laschen 54/84 gebildeten Verbindungen keine Fehlausrichtungen der Optik in der empfindlichen Richtung verursachen. Vielmehr würden Bewegungen in den gegen die Laschen 54/84 gebildeten Verbindungen zu Fehlausrichtungen in unempfindlicher Richtung führen, wie in 6 gekennzeichnet ist, so dass sich die Optik in vertikaler Richtung bewegen kann und Winkelbewegungen oder Kippbewegungen stark minimiert werden. Da der Winkel der optischen Einheiten und insbesondere der Winkel der Wellenlängenstabilisierungsoptik sehr kritisch ist, kann durch die Anbringung der Optik mit den Laschen 54/84 die Kritikalität des Kippens beseitigt werden. Dies führt zu einer genaueren Positionierung der Optik während der Herstellung und zu einem präziseren Halten der Optik in dieser Position während des gesamten Einsatzes der Baugruppe 10 als dies herkömmlicherweise möglich ist. Wenn dieser strukturelle Unterschied zum Stand der Technik mit einer epoxydfreien Baugruppe kombiniert wird, bei der die Verbindungen und Anschlüsse mit Lot oder einem ähnlichen Material gebildet werden, kann die Qualität der resultierenden Baugruppe im Vergleich zu dem, was herkömmlicherweise verfügbar ist, erheblich verbessert werden.
  • 7 ist ein Flussdiagramm 100, das ein Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Es ist darauf hinzuweisen, dass Prozessbeschreibungen oder Blöcke in Flussdiagrammen so zu verstehen sind, dass sie Module, Segmente, Codebestandteile oder Schritte darstellen, die eine oder mehrere Anweisungen zur Implementierung bestimmter logischer Funktionen im Prozess umfassen, und dass alternative Implementierungen in den Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen, in denen Funktionen in einer anderen Reihenfolge als die gezeigte oder erläuterte Reihenfolge ausgeführt werden können, einschließlich im Wesentlichen in gleichzeitiger oder in umgekehrter Reihenfolge, je nach der betreffenden Funktionalität, wie dies von dem Fachmann mit hinreichenden Kenntnissen auf dem Gebiet der vorliegenden Offenbarung zu verstehen ist.
  • Wie in Block 102 gezeigt ist, ist mindestens eine Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke angeordnet. Mindestens eine Optikbaugruppe ist in einem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet, wobei die mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxydfrei sind (Block 104). Das Verfahren kann eine beliebige Anzahl zusätzlicher Schritte, Funktionen oder Strukturen beinhalten, einschließlich derjenigen, die in Bezug auf eine andere Figur dieser Offenbarung offenbart sind. So können beispielsweise mehrere Optikbaugruppen im Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung angeordnet sein, wobei die mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen (Block 106). Zusätzlich kann die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik aufweisen, wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist (Block 108).
  • Es ist zu betonen, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, insbesondere die „bevorzugten“ Ausführungsformen, lediglich mögliche Beispiele für Implementierungen sind, die lediglich zum besseren Verständnis der Grundsätze der Offenbarung dargelegt sind. Viele Abwandlungen und Änderungen an der/den oben beschriebenen Ausführungsform(en) der Offenbarung können vorgenommen werden, ohne wesentlich von dem Gedanken und den Grundsätzen der Offenbarung abzuweichen. All diese Änderungen und Abwandlungen sollen hier in den Umfang dieser Offenbarung und der vorliegenden Offenbarung aufgenommen und durch die folgenden Ansprüche geschützt sein.

Claims (20)

  1. Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: mindestens eine Laseranordnung; und mindestens eine Optikbaugruppe, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist, wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist.
  2. Laserbaugruppe nach Anspruch 1, wobei das mindestens eine Laseranordnung ferner mehrere Laserdiodenbarren und mehrere Fast-Axis-Kollimatoren umfasst, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Laserdiodenbarren und den mehreren Fast-Axis-Kollimatoren jeweils ferner eine Lötverbindung umfasst.
  3. Laserbaugruppe nach Anspruch 2, wobei die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern umfasst, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
  4. Laserbaugruppe nach Anspruch 3, wobei Enden der mehreren Laserdiodenbarren ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nicht metallisierten Nuten umfasst, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
  5. Laserbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die mindestens eine Optikbaugruppe ferner mehrere Korrekturoptiken und mehrere Wellenlängenstabilisierungsoptiken umfasst, wobei eine Verbindung zwischen den mehreren Korrekturoptiken und den mehreren Wellenlängenstabilisierungsoptiken jeweils ferner eine Lötverbindung umfasst.
  6. Laserbaugruppe nach Anspruch 4, wobei die Lötverbindung ferner eine Lasche mit zwei Löchern umfasst, wobei Lot innerhalb jedes der beiden Löcher aufgebracht wird.
  7. Laserbaugruppe nach Anspruch 6, wobei Enden der mehreren Korrekturoptiken ferner eine metallisierte Oberfläche mit darin ausgebildeten beabstandeten, nicht metallisierten Nuten umfasst, wobei das Lot innerhalb eines der beiden Löcher der Lasche in einer Position über der metallisierten Oberfläche aufgebracht wird.
  8. Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: mindestens eine Laseranordnung; und mindestens eine Optikbaugruppe, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist, wobei die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik umfasst, wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik mit mindestens einer Lasche mit der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist.
  9. Laserbaugruppe nach Anspruch 8, wobei die mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik ferner ein Volumen-Bragg-Gitter (VBG) umfasst.
  10. Laserbaugruppe nach Anspruch 8, wobei die mindestens eine Lasche mit einem Ende der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik verbunden ist.
  11. Laserbaugruppe nach Anspruch 8, wobei die mindestens eine Lasche mit Expoxid mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist.
  12. Laserbaugruppe nach Anspruch 8, wobei die mindestens eine Lache mit Lot mit der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik verbunden ist.
  13. Laserbaugruppe nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei die mindestens eine Lasche darin mindestens zwei Löcher aufweist, wobei das Lot innerhalb der mindestens zwei Löcher aufgebracht wird.
  14. Laserbaugruppe, die Folgendes umfasst: eine Wärmesenkenbaugruppe mit einer Stellfläche; mindestens eine Laseranordnung-Position in Kontakt mit der Wärmesenkenbaugruppe, wobei das mindestens eine Laseranordnung in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe passt; und mindestens zwei Optikbaugruppen, die in einem Lichtweg des mindestens einen Laseranordnung angeordnet sind, wobei alle der mindestens zwei Optikbaugruppen in die Stellfläche der Wärmesenkenbaugruppe passen.
  15. Laserbaugruppe nach Anspruch 14, wobei die Wärmesenkenbaugruppe ferner zwei elektrische Kontakte umfasst, die an gegenüberliegenden Seiten der Wärmesenkenbaugruppe angeordnet sind, wobei die mindestens zwei elektrischen Kontakte zwei gegenüberliegende Ränder der Stellfläche definieren.
  16. Laserbaugruppe nach Anspruch 14, wobei die Laserbaugruppe epoxidfrei ist.
  17. Laserbaugruppe nach einem der Ansprüche 14 bis 16, die ferner mindestens eine Keramikschicht zur elektrischen Isolation umfasst, die zwischen der Wärmesenke und der mindestens einen Laseranordnung angeordnet ist.
  18. Verfahren zur Herstellung einer Laserbaugruppe, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Anordnen mindestens eines Laseranordnung in thermischem Kontakt mit einer Wärmesenke; und Anordnen mindestens einer Optikbaugruppe in einem Lichtweg dderes mindestens einen Laseranordnung, wobei das mindestens eine Laseranordnung und die mindestens eine Optikbaugruppe epoxidfrei sind.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, das ferner das Anordnen von mehreren Optikbaugruppen in dem Lichtweg der mindestens einen Laseranordnung umfasst, wobei das mindestens eine Laseranordnung und alle der mehreren Optikbaugruppen in eine Stellfläche der Wärmesenke passen.
  20. Verfahren nach Anspruch 18 oder Anspruch 19, wobei die Optikbaugruppe mindestens eine Korrekturoptik und mindestens eine Wellenlängenstabilisierungsoptik umfasst, das ferner das Verbinden der mindestens einen Wellenlängenstabilisierungsoptik und der mindestens einen Korrekturoptik mit mindestens einer Lasche und einer Lotmenge umfasst.
DE102019121924.8A 2018-08-14 2019-08-14 Laserbaugruppe und zugehörige verfahren Pending DE102019121924A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862718833P 2018-08-14 2018-08-14
US62/718,833 2018-08-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019121924A1 true DE102019121924A1 (de) 2020-02-20

Family

ID=69320653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019121924.8A Pending DE102019121924A1 (de) 2018-08-14 2019-08-14 Laserbaugruppe und zugehörige verfahren

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11056854B2 (de)
DE (1) DE102019121924A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230283043A1 (en) * 2022-03-01 2023-09-07 Leonardo Electronics Us Inc. High peak power laser diode assembly

Family Cites Families (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE968430C (de) 1937-01-28 1958-02-13 Zeiss Ikon Ag Beleuchtungsvorrichtung fuer Projektionsbildgeraete
US3679941A (en) 1969-09-22 1972-07-25 Gen Electric Composite integrated circuits including semiconductor chips mounted on a common substrate with connections made through a dielectric encapsulator
US3711939A (en) 1970-11-10 1973-01-23 M Stoll Method and apparatus for sealing
US3936322A (en) 1974-07-29 1976-02-03 International Business Machines Corporation Method of making a double heterojunction diode laser
DE2542174C3 (de) 1974-09-21 1980-02-14 Nippon Electric Co., Ltd., Tokio Halbleiterlaservorrichtung
US4306278A (en) 1975-09-24 1981-12-15 Grumman Aerospace Corporation Semiconductor laser array
US4156879A (en) 1977-02-07 1979-05-29 Hughes Aircraft Company Passivated V-gate GaAs field-effect transistor
US4767674A (en) 1984-01-27 1988-08-30 Dainichi-Nippon Cables, Ltd. Metal cored board and method for manufacturing same
US4653056A (en) 1985-05-01 1987-03-24 Spectra-Physics, Inc. Nd-YAG laser
US4803691A (en) 1985-05-07 1989-02-07 Spectra Diode Laboratories, Inc. Lateral superradiance suppressing diode laser bar
US4903274A (en) 1987-05-19 1990-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser array device
US4993148A (en) 1987-05-19 1991-02-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a circuit board
JPH084187B2 (ja) 1988-02-01 1996-01-17 三菱電機株式会社 半導体レーザ
US4881237A (en) 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
JPH0638537Y2 (ja) 1988-10-06 1994-10-05 パイオニア株式会社 プロジェクションテレビのピント合わせ装置
US5008737A (en) 1988-10-11 1991-04-16 Amoco Corporation Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices
JP2889618B2 (ja) 1988-12-28 1999-05-10 株式会社リコー アレイ型半導体発光装置
US4980893A (en) 1989-05-25 1990-12-25 Xerox Corporation Monolithic high density arrays of independently addressable offset semiconductor laser sources
US5593815A (en) 1989-07-31 1997-01-14 Goldstar Co., Ltd. Cleaving process in manufacturing a semiconductor laser
US5284790A (en) 1990-01-03 1994-02-08 Karpinski Arthur A Method of fabricating monolithic laser diode array
US5040187A (en) 1990-01-03 1991-08-13 Karpinski Arthur A Monolithic laser diode array
US5102825A (en) 1990-01-25 1992-04-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method of making an ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser
US5031187A (en) 1990-02-14 1991-07-09 Bell Communications Research, Inc. Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers
US5105429A (en) 1990-07-06 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Modular package for cooling a laser diode array
US5045972A (en) 1990-08-27 1991-09-03 The Standard Oil Company High thermal conductivity metal matrix composite
US5311530A (en) 1990-09-14 1994-05-10 Advanced Optoelectronics, Inc. Semiconductor laser array
US5060237A (en) 1990-12-24 1991-10-22 Eastman Kodak Company Multi-beam laser diode array
US5440577A (en) 1991-02-13 1995-08-08 The University Of Melbourne Semiconductor laser
US5128951A (en) 1991-03-04 1992-07-07 Karpinski Arthur A Laser diode array and method of fabrication thereof
US5099488A (en) 1991-03-27 1992-03-24 Spectra Diode Laboratories, Inc. Ribbed submounts for two dimensional stacked laser array
US5105430A (en) 1991-04-09 1992-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thin planar package for cooling an array of edge-emitting laser diodes
DE69222822T2 (de) 1991-09-06 1998-03-05 Trw Inc Optoelektronische Schaltvorrichtung mit Quantentopf-Struktur und stimulierter Emission
US5212706A (en) 1991-12-03 1993-05-18 University Of Connecticut Laser diode assembly with tunnel junctions and providing multiple beams
US5212707A (en) 1991-12-06 1993-05-18 Mcdonnell Douglas Corporation Array of diffraction limited lasers and method of aligning same
US5253260A (en) 1991-12-20 1993-10-12 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for passive heat pipe cooling of solid state laser heads
US5325384A (en) 1992-01-09 1994-06-28 Crystallume Structure and method for mounting laser diode arrays
US5311535A (en) 1992-07-28 1994-05-10 Karpinski Arthur A Monolithic laser diode array providing emission from a minor surface thereof
US5394426A (en) 1992-11-13 1995-02-28 Hughes Aircraft Company Diode laser bar assembly
JPH06275714A (ja) 1993-03-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法
JPH06326419A (ja) 1993-04-20 1994-11-25 Xerox Corp モノリシック半導体発光アレイ
US5305344A (en) 1993-04-29 1994-04-19 Opto Power Corporation Laser diode array
US5455738A (en) 1993-07-28 1995-10-03 E-Systems, Inc. High thermal conductivity, matched CTE. low density mounting plate for a semiconductor circuit
SE501723C2 (sv) 1993-09-10 1995-05-02 Ellemtel Utvecklings Ab Optisk förstärkningsanordning samt användning av anordningen
SE501721C2 (sv) 1993-09-10 1995-05-02 Ellemtel Utvecklings Ab Laseranordning med i en optisk kavitet seriekopplade laserstrukturer
US5521931A (en) 1993-11-22 1996-05-28 Xerox Corporation Nonmonolithic arrays of accurately positioned diode lasers
KR970009744B1 (ko) 1994-03-18 1997-06-17 주식회사 코스모레이져 레이저 다이오드 드라이버
US6264882B1 (en) 1994-05-20 2001-07-24 The Regents Of The University Of California Process for fabricating composite material having high thermal conductivity
US5526373A (en) 1994-06-02 1996-06-11 Karpinski; Arthur A. Lens support structure for laser diode arrays
US5764675A (en) 1994-06-30 1998-06-09 Juhala; Roland E. Diode laser array
JPH0888431A (ja) 1994-09-16 1996-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5804461A (en) 1994-12-22 1998-09-08 Polaroid Corporation Laser diode with an ion-implant region
US5504767A (en) 1995-03-17 1996-04-02 Si Diamond Technology, Inc. Doped diamond laser
JP3584450B2 (ja) 1995-03-17 2004-11-04 住友電気工業株式会社 レーザー発振素子及びレーザー発振装置
US5627850A (en) 1995-03-20 1997-05-06 Paradigm Lasers, Inc. Laser diode array
US6252179B1 (en) 1995-04-27 2001-06-26 International Business Machines Corporation Electronic package on metal carrier
DE19518177A1 (de) 1995-05-19 1996-11-21 Fraunhofer Ges Forschung Diodenlasergepumpter Festkörperlaser
US5679963A (en) 1995-12-05 1997-10-21 Sandia Corporation Semiconductor tunnel junction with enhancement layer
RU2130221C1 (ru) 1996-04-23 1999-05-10 Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" Матрица лазерных диодов
US5778020A (en) 1996-06-04 1998-07-07 Cj Laser, Inc. ND: YAG laser pump head
US5923692A (en) 1996-10-24 1999-07-13 Sdl, Inc. No wire bond plate (NWBP) packaging architecture for two dimensional stacked diode laser arrays
US5848083A (en) 1996-10-24 1998-12-08 Sdl, Inc. Expansion-matched high-thermal-conductivity stress-relieved mounting modules
US5835515A (en) 1996-10-25 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. High power semiconductor laser array
US5909458A (en) 1996-11-27 1999-06-01 The Regents Of The University Of California Low-cost laser diode array
US5835518A (en) 1997-01-31 1998-11-10 Star Medical Technologies, Inc. Laser diode array packaging
US5987045A (en) 1997-04-02 1999-11-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High power narrow pulse laser diode circuit
JP3893681B2 (ja) 1997-08-19 2007-03-14 住友電気工業株式会社 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法
US6295307B1 (en) 1997-10-14 2001-09-25 Decade Products, Inc. Laser diode assembly
US6493373B1 (en) 1998-04-14 2002-12-10 Bandwidth 9, Inc. Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US6535541B1 (en) 1998-04-14 2003-03-18 Bandwidth 9, Inc Vertical cavity apparatus with tunnel junction
US5913108A (en) 1998-04-30 1999-06-15 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6424667B1 (en) 1998-12-04 2002-07-23 Jds Uniphase Corporation Solder and material designs to improve resistance to cycling fatigue in laser diode stacks
US6636538B1 (en) 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6208677B1 (en) 1999-08-31 2001-03-27 Trw Inc. Diode array package with homogeneous output
CA2284946A1 (en) 1999-10-04 2001-04-04 Institut National D'optique Laser diode array assembly made from a ridged monolithic substrate
JP4031903B2 (ja) 1999-10-21 2008-01-09 イェーノプティク アクチエンゲゼルシャフト ダイオードレーザを冷却する装置
DE10062579A1 (de) 1999-12-15 2001-06-21 Nikon Corp Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung
US6281471B1 (en) 1999-12-28 2001-08-28 Gsi Lumonics, Inc. Energy-efficient, laser-based method and system for processing target material
US6700912B2 (en) 2000-02-28 2004-03-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. High-output semiconductor laser element, high-output semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same
DE10011892A1 (de) 2000-03-03 2001-09-20 Jenoptik Jena Gmbh Montagesubstrat und Wärmesenke für Hochleistungsdiodenlaserbarren
CN1207595C (zh) 2000-05-31 2005-06-22 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块
JP2002016285A (ja) 2000-06-27 2002-01-18 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体発光素子
JP2002026456A (ja) 2000-06-30 2002-01-25 Toshiba Corp 半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法
US6556352B2 (en) 2000-08-23 2003-04-29 Apollo Instruments Inc. Optical coupling system
JP2002111058A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光ダイオードおよび露光システム
JP2002118078A (ja) 2000-10-12 2002-04-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR20020058151A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 박호군 집속이온빔을 이용하는 상온동작 단전자 터널링트랜지스터 제조방법
US6542531B2 (en) 2001-03-15 2003-04-01 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof
WO2003001634A1 (fr) 2001-06-21 2003-01-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Module d'excitation, oscillateur laser, et amplificateur laser
JP2003008273A (ja) 2001-06-25 2003-01-10 Fanuc Ltd 冷却装置及び光源装置
EP1452614B1 (de) 2001-11-09 2017-12-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gesinterter diamant mit hoher wärmeleitfähigkeit
US6724013B2 (en) 2001-12-21 2004-04-20 Xerox Corporation Edge-emitting nitride-based laser diode with p-n tunnel junction current injection
IL149014A0 (en) 2002-04-07 2002-11-10 Israel Atomic Energy Comm Diamond-cooled solid state lasers
US6724792B2 (en) 2002-09-12 2004-04-20 The Boeing Company Laser diode arrays with replaceable laser diode bars and methods of removing and replacing laser diode bars
US6727117B1 (en) 2002-11-07 2004-04-27 Kyocera America, Inc. Semiconductor substrate having copper/diamond composite material and method of making same
JP2004207496A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nec Corp 固体レーザ発振器
US7002443B2 (en) 2003-06-25 2006-02-21 Cymer, Inc. Method and apparatus for cooling magnetic circuit elements
US7016383B2 (en) 2003-08-27 2006-03-21 Northrop Grumman Corporation Immersion-cooled monolithic laser diode array and method of manufacturing the same
WO2005036211A2 (en) 2003-10-17 2005-04-21 Explay Ltd. Optical system and method for use in projection systems
JP4507560B2 (ja) 2003-10-30 2010-07-21 日本電気株式会社 薄膜デバイス基板の製造方法
LT5257B (lt) 2003-12-19 2005-08-25 Uždaroji akcinė bendrovė MGF "Šviesos konversija" Ryškį išsaugojantis lazerinių pluoštų formuotuvas
DE102004002221B3 (de) 2004-01-15 2005-05-19 Unique-M.O.D.E. Ag Vorrichtung zur optischen Strahltransformation einer linearen Anordnung mehrerer Lichtquellen
US7286359B2 (en) 2004-05-11 2007-10-23 The U.S. Government As Represented By The National Security Agency Use of thermally conductive vias to extract heat from microelectronic chips and method of manufacturing
US7116690B2 (en) 2004-05-17 2006-10-03 Textron Systems Corporation Staggered array coupler
US7294868B2 (en) 2004-06-25 2007-11-13 Finisar Corporation Super lattice tunnel junctions
US7221000B2 (en) 2005-02-18 2007-05-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Reverse polarization light emitting region for a semiconductor light emitting device
US7529286B2 (en) 2005-12-09 2009-05-05 D-Diode Llc Scalable thermally efficient pump diode systems
US7881355B2 (en) 2005-12-15 2011-02-01 Mind Melters, Inc. System and method for generating intense laser light from laser diode arrays
EP1811617A1 (de) 2006-01-18 2007-07-25 JENOPTIK Laserdiode GmbH Träger für eine vertikale Anordnung von Laserdiodenbarren mit Anschlag
JP2007220976A (ja) 2006-02-17 2007-08-30 Toyota Motor Corp 半導体モジュールおよびそれを備えるハイブリッド車両の駆動装置
US7864825B2 (en) 2006-08-10 2011-01-04 Lasertel, Inc. Method and system for a laser diode bar array assembly
US8017935B2 (en) 2006-08-29 2011-09-13 Texas Instruments Incorporated Parallel redundant single-electron device and method of manufacture
US7872272B2 (en) 2006-09-06 2011-01-18 Palo Alto Research Center Incorporated Nitride semiconductor ultraviolet LEDs with tunnel junctions and reflective contact
DE102006061532A1 (de) 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden
DE102006059700A1 (de) 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laseranordnung und Halbleiterlaser zum optischen Pumpen eines Lasers
US8591221B2 (en) 2006-10-18 2013-11-26 Honeywell International Inc. Combustion blower control for modulating furnace
JP4751810B2 (ja) 2006-11-02 2011-08-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
WO2008073846A2 (en) 2006-12-08 2008-06-19 Argos Tech, Llc. Semiconductor quantum cascade laser and systems and methods for manufacturing the same
DE102007061458A1 (de) 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements und strahlungsemittierendes Bauelement
US7660335B2 (en) 2008-04-17 2010-02-09 Lasertel, Inc. Liquid cooled laser bar arrays incorporating diamond/copper expansion matched materials
DE102008040374A1 (de) 2008-07-11 2010-01-14 Robert Bosch Gmbh Lasereinrichtung
WO2010009436A2 (en) 2008-07-17 2010-01-21 Uriel Solar Inc. High power efficiency, large substrate, polycrystalline cdte thin film semiconductor photovoltaic cell structures grown by molecular beam epitaxy at high deposition rate for use in solar electricity generation
KR101632727B1 (ko) 2008-07-17 2016-06-23 덴카 주식회사 알루미늄-다이아몬드계 복합체 및 그 제조 방법
US8995485B2 (en) 2009-02-17 2015-03-31 Trilumina Corp. High brightness pulsed VCSEL sources
US8660156B2 (en) * 2009-09-03 2014-02-25 Lawrence Livermore National Security, Llc Method and system for powering and cooling semiconductor lasers
DE102009040835A1 (de) 2009-09-09 2011-03-10 Jenoptik Laserdiode Gmbh Verfahren zum thermischen Kontaktieren einander gegenüberliegender elektrischer Anschlüsse einer Halbleiterbauelement-Anordnung
DE102009054564A1 (de) 2009-12-11 2011-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
DE102010002966B4 (de) 2010-03-17 2020-07-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung
CN102918930B (zh) 2010-03-31 2015-01-21 Ats自动化加工***公司 光发生器***和固态发射器元件
US20110280269A1 (en) 2010-05-13 2011-11-17 The Regents Of The University Of California High contrast grating integrated vcsel using ion implantation
GB2484712A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination Apparatus
US20120114001A1 (en) 2010-11-10 2012-05-10 Fang Alexander W Hybrid ridge waveguide
US8653550B2 (en) 2010-12-17 2014-02-18 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Inverted light emitting diode having plasmonically enhanced emission
WO2012100124A1 (en) 2011-01-20 2012-07-26 Dilas Diode Laser, Inc. Spatially combined laser assembly and method of combining laser beams
EA201390661A1 (ru) 2011-02-08 2014-04-30 Кембридж Нанолитик Лимитед Неметаллическое покрытие и способ его создания
US8731015B2 (en) 2012-03-30 2014-05-20 Coherent, Inc. Compact CO2 slab-laser
US9673343B2 (en) 2013-12-09 2017-06-06 Azastra Opto Inc. Transducer to convert optical energy to electrical energy
WO2015095607A1 (en) 2013-12-20 2015-06-25 Uriel Solar, Inc. Multi-junction photovoltaic cells
WO2015134931A1 (en) 2014-03-06 2015-09-11 Nlight Photonics Corporation High brightness multijunction diode stacking
US20160014878A1 (en) 2014-04-25 2016-01-14 Rogers Corporation Thermal management circuit materials, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
JP6655287B2 (ja) * 2014-12-25 2020-02-26 古河電気工業株式会社 光学ユニット、光学ユニットの固定構造および半導体レーザモジュール
US20180254606A1 (en) * 2015-06-02 2018-09-06 Lasertel, Inc. Liquid cooled laser bar arrays incorporating thermal expansion matched materials
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
CN108463929B (zh) * 2016-01-14 2020-10-30 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法
US9960127B2 (en) 2016-05-18 2018-05-01 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High-power amplifier package
US11025031B2 (en) 2016-11-29 2021-06-01 Leonardo Electronics Us Inc. Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods
US10673204B2 (en) 2017-03-07 2020-06-02 Sensl Technologies Ltd. Laser driver
CN110622301B (zh) 2017-05-10 2023-06-23 罗姆股份有限公司 功率半导体装置及其制造方法
US10454250B2 (en) * 2017-05-22 2019-10-22 Lasertel Inc. Thermal contact for semiconductors and related methods
US10120149B1 (en) * 2017-07-13 2018-11-06 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Wavelength division multiplexing (WDM) optical modules
JP7005449B2 (ja) 2018-07-23 2022-01-21 三菱電機株式会社 半導体装置、電力変換装置、半導体装置の製造方法、および、電力変換装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11056854B2 (en) 2021-07-06
US20200059067A1 (en) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010031674B4 (de) Kopplungseinheit für Lichtwellenleiter
DE60022479T2 (de) Verfahren zum aufbau einer optoelektronischen anordnung
DE102012213193B4 (de) Anordnung von optischen halbleiterelementen
DE10245811A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beleuchten eines Raumlichtmodulators
EP0404789B1 (de) Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
DE3430762A1 (de) Licht emittierendes bauelement
DE112015004631B4 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012213841A1 (de) Lichtmodul
EP0214464A1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches Schaltungsmodul
DE102004018656A1 (de) Optisches Element
DE102013205594A1 (de) Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2250524A1 (de) Verfahren zur herstellung einer lichttransmissonsanordnung und lichttransmissionsanordnung
DE102019121924A1 (de) Laserbaugruppe und zugehörige verfahren
EP1429435A1 (de) Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterlaservorrichtung
DE29907270U1 (de) Verbindungsvorrichtung
DE60316905T2 (de) Diodenlaser-gepumpter, kompakter Festkörperlaser mit einem gefalteten Resonator
EP1053576B1 (de) Verfahren zum aufbauen und verbinden von optischen komponenten, insbesondere von optischen komponenten in einem laserresonator und laserresonator
DE102016000217A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Baugruppe durch Justieren und Verbinden von mindestens zwei Werkstücken
DE102018125127A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011005014B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Laservorrichtung
DE19947113A1 (de) Oberflächenmontierbares faseroptisches Sende- und Empfangsbauelement mit beim Zusammenbau justierbarem Umlenkreceptacle
DE112014003859B4 (de) Laserbauelementeverbund und Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements
EP1468313A2 (de) Haltevorrichtung für die anordnung eines optischen bauteils vor einer laserlichtquelle
DE102013006316B4 (de) Optikbaugruppe und Lasermodul mit Optikbaugruppe
WO1989002090A1 (en) Optical system consisting of at least two subsystems

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: LEONARDO ELECTRONICS US INC., TUCSON, US

Free format text: FORMER OWNER: LASERTEL, INC., TUCSON, AZ, US

R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01S0003020000

Ipc: H01S0005023250