DE102019119677A1 - HF-Empfangsfilter, HF-Duplexer und HF-Multiplexer - Google Patents

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Abstract

Das HF-Empfangsfilter (RX-Filter) (Rx) umfasst einen Eingangsport (A) zum Empfang eines Hochfrequenzsignals von einer Antenne (Ant) und einen Ausgangsport (R), woran das gefilterte Hochfrequenzsignal bereitgestellt wird. Das RX-Filter (Rx) umfasst eine Kaskadenschaltung aus einem Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitt (BAW f), einem Dual-Moden-SAW-Filter (DMS-Filter) (DMS) und einem Akustische-Oberflächenwellen(SAW)-Filterabschnitt (SAW_f).
Der BAW-Filterabschnitt (BAW_f) umfasst zumindest einen BAW-Resonator und ist auf einer Eingangsseite des RX-Filters (Rx) angeordnet. Der SAW-Filterabschnitt (SAW_f) umfasst zumindest einen SAW-Resonator und ist auf einer Ausgangsseite des RX-Filters (Rx) angeordnet. Das DMS-Filter (DMS) ist zwischen dem BAW-Filterabschnitt (BAW_f) und dem SAW-Filterabschnitt (SAW_f) angeordnet.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein HF-Empfangsfilter. Die vorliegende Offenbarung betrifft auch einen HF-Duplexer, einen HF-Multiplexer und eine HF-Filtervorrichtung, die das HF-Empfangsfilter umfassen.
  • HINTERGRUND
  • Die Trägeraggregation ist eine Technik, die bei der Drahtloskommunikation verwendet wird, um die Datenrate pro Benutzer zu erhöhen. Bei dieser Technik werden mehrere auch als Komponententräger bezeichnete Frequenzblöcke demselben Benutzer zugewiesen. Die Gesamtdatenrate einer Zelle wird auch wegen einer besseren Ressourcenverwendung erhöht. Zusätzlich ist ein Lastausgleich bei der Trägeraggregation möglich.
  • Für solche Anwendungen sind Hochfrequenzfilter (HF-Filter) erforderlich. HF-Filter erfordern typischerweise viele Entwurfskompromisse, um für jede spezifische Anwendung den besten Ausgleich zwischen Leistungsparametern wie Einfügungsverlust, Unterdrückung, Isolation, Leistungsbehandlung, Linearität, Größe und Kosten zu erreichen.
  • Elektroakustische Resonatoren werden in elektronischen Vorrichtungen weit verbreitet verwendet, um HF-Filter einschließlich Bandunterdrückungsfilter, Bandpassfilter, Duplexer und Multiplexer, Oszillatoren oder andere frequenzselektive elektronische Komponenten zu realisieren. Die Resonatoren umfassen ein Elektrodenpaar und eine piezoelektrische Schicht. Durch Anlegen eines elektrischen HF-Signals an die Elektroden wird innerhalb der piezoelektrischen Schicht, die in Bezug auf das elektrische HF-Signal frequenzselektiv ist, eine resonierende akustische Welle erzeugt. Ein elektronisches HF-Filter kann durch Verbindung mehrerer elektroakustischer Resonatoren miteinander gebildet werden, die ein gewünschtes Frequenzband aus dem empfangenen Frequenzspektrum oder die Form eines elektrischen Signals für die Übertragung wählen können.
  • Es sind mehrere Typen elektroakustischer Resonatoren in der Art von Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Resonatoren, bei denen die piezoelektrische Schicht sandwichförmig zwischen einem Paar aus einer unteren und einer oberen Elektrode eingeschlossen ist, und Akustische-Oberflächenwellen(SAW)-Resonatoren, die ein Paar von Interdigitalwandlerelektroden auf der oberen Fläche der piezoelektrischen Schicht umfassen, verfügbar.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, ein HF-Filter, einen HF-Multiplexer und einen HF-Duplexer mit einer guten Außerbanddämpfung und hoher Linearität bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin, dieses HF-Filter, diesen HF-Multiplexer und diesen HF-Duplexer mit einem ausreichend kleinen Formfaktor bereitzustellen.
  • KURZFASSUNG
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung werden eine oder mehrere der vorstehend erwähnten Aufgaben durch ein HF-Filter nach den Merkmalen des vorliegenden Anspruchs 1 gelöst.
  • Eine oder mehrere der vorstehend erwähnten Aufgaben werden auch durch einen HF-Duplexer nach den Merkmalen des vorliegenden Anspruchs 10 gelöst.
  • Eine oder mehrere der vorstehend erwähnten Aufgaben werden auch durch einen HF-Multiplexer nach den Merkmalen des vorliegenden Anspruchs 12 gelöst.
  • Eine oder mehrere der vorstehend erwähnten Aufgaben werden auch durch einen HF-Multiplexer nach den Merkmalen des vorliegenden Anspruchs 14 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein HF-Empfangsfilter (RX-Filter) zum Empfang eines HF-Signals von einer Antenne vorgestellt. Das RX-Filter umfasst einen Eingangsport zum Empfang eines Hochfrequenzsignals von einer Antenne und einen Ausgangsport, an dem das gefilterte Hochfrequenzsignal bereitgestellt wird. Das RX-Filter umfasst eine Kaskadenschaltung eines Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitts, eines Dual-Moden-SAW-Filters (DMS-Filters) und eines Akustische-Oberflächenwellen(SAW)-Filterabschnitts.
  • Der BAW-Filterabschnitt umfasst zumindest einen BAW-Resonator und ist auf einer Eingangsseite des RX-Filters angeordnet.
  • Der SAW-Filterabschnitt umfasst zumindest einen SAW-Resonator und ist auf einer Ausgangsseite des RX-Filters angeordnet. Das DMS-Filter ist zwischen dem BAW-Filterabschnitt und dem SAW-Filterabschnitt angeordnet.
  • Bei realen Akustische-Wellen-Resonatorvorrichtungen können jedoch unerwünschte Störmoden zusätzlich zu gewünschten akustischen Moden angeregt werden. Die unerwünschten akustischen Störmoden verschlechtern die Leistungsfähigkeit des entsprechenden Filters.
  • Ferner können reale Akustische-Wellen-Resonatoren ein nichtlineares Verhalten aufweisen, wodurch stets Harmonische erzeugt werden können, deren Frequenzen nicht notwendigerweise ein geradzahliges Vielfaches der Grundmode sind. Diese Harmonischen sind von der Grundmode weit genug entfernt, können jedoch mit anderen Bändern interferieren. Insbesondere kann bei Multiplexern und Duplexern, die bei Trägeraggregationsanwendungen eingesetzt werden, ein einziges Filterelement mit einem schlechten linearen Verhalten die Intermodulationswirkung dritter Ordnung des gesamten Multiplexers oder Duplexers verderben.
  • SAW-Empfangsfilter für Multiplexieranwendungen mit einer hohen Außerbanddämpfung können mit kleinen Abmessungen verwirklicht werden, insbesondere wenn DMS-Filterstrukturen verwendet werden. Diese Filter haben jedoch den Nachteil, dass sie mehr Störmoden, wodurch andere Bänder bei der Multiplexierung beeinträchtigt werden, und eine schlechte Linearität in der ungeraden Ordnung aufweisen, wobei sie insbesondere mehr dritte Harmonische und Intermodulationsprodukte dritter Ordnung als BAW-Filter erzeugen. BAW-Filter bieten andererseits eine hohe Außerbandreflexion, sind im Wesentlichen frei von Störmoden und weisen ein ausgezeichnetes Linearitätsverhalten in der ungeraden Ordnung auf. Ein großer Nachteil der BAW-Filter besteht darin, dass es kein Äquivalent zu der DMS-Filterstruktur gibt, die eine hohe Außerbanddämpfung in einem breiten Frequenzband bereit stellt, wie es bei vielen Multiplexieranwendungen, beispielsweise bei der Trägeraggregation, erforderlich ist. Daher hat eine reine BAW-Lösung für ein HF-Empfangsfilter einen viel höheren Formfaktor und erfordert in den meisten Fällen zusätzliche Spulen zur Erzeugung elektromagnetischer Pole, was auch zum Platzbudget beiträgt.
  • Das RX-Filter gemäß der vorliegenden Offenbarung ermöglicht die Kombination der guten elektrischen Eigenschaften sowohl der BAW- als auch der SAW-Technologie, wobei immer noch ein kleiner Formfaktor erreicht wird. Der Vorteil dieser Kombination und Struktur ergibt sich beispielsweise dadurch, dass die SAW-DMS-Strukturen eine hohe Unterdrückung bereitstellen, und aus der hohen Linearität der BAW-Filterabschnitte.
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts weist der BAW-Filterabschnitt eine leiterartige Topologie auf.
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind akustische Strukturen des BAW-Filterabschnitts und akustische Strukturen des SAW-Filterabschnitts sowie die akustischen Strukturen des DMS-Filters auf einem einzelnen Die angeordnet. Vorzugsweise wird, wenn ein einzelnes Die verwendet wird, eine Dünnfilm-SAW-Technologie verwendet und wird beim BAW-Filterabschnitt und SAW-Filterabschnitt sowie DMS-Filter ein siliciumbasiertes Substrat verwendet. Alternativ weist das Die-Substrat ein piezoelektrisches Material in der Art von LiTaOs oder LiNbO3 auf oder besteht daraus, wobei standardmäßige SAW-Resonatoren oder temperaturkompensierte SAW-Resonatoren und BAW-Resonatoren auf demselben Die strukturiert sind.
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind die akustischen Strukturen des BAW-Filterabschnitts und des SAW-Filterabschnitts und des DMS-Filters auf derselben Oberfläche des Dies angeordnet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise eine verhältnismäßig einfache Herstellung.
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind die akustischen Strukturen des BAW-Filterabschnitts auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet und die akustischen Strukturen des SAW-Filterabschnitts und des DMS-Filters auf einer der ersten Oberfläche entgegengesetzten zweiten Oberfläche angeordnet. Dies ermöglicht vorteilhafterweise eine möglicherweise bessere Verwendung der Die-Fläche, was zu einer geringeren Komponentengröße führt.
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind die akustischen Strukturen des BAW-Filterabschnitts auf einem ersten Die angeordnet und sind die akustischen Strukturen des SAW-Filterabschnitts und die akustischen Strukturen des DMS-Filters auf einem zweiten Die angeordnet und sind das erste und das zweite Die in einem Stapel angeordnet. Demgemäß können die verschiedenen Filterabschnitte und das DMS-Filter in einer gemeinsamen Baugruppe oder auf einem gemeinsamen Substrat, beispielsweise einem Laminat, angeordnet werden. Insbesondere können sie in einem Stapel in einer SAW-Baugruppe mit Die-Größe angeordnet werden (DSSP-gestapelt).
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind die akustischen Strukturen des ersten Dies bzw. des zweiten Dies auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet und sind das erste Die und das zweite Die im Stapel so angeordnet, dass die ersten Oberflächen einander gegenüberstehen. Dies hat den Vorteil, dass die beiden akustischen Schichten gemeinsam gekapselt werden können, beispielsweise durch einen umgebenden Kupfer- oder Polymerrahmen zwischen den beiden Dies (siehe SAW-Baugruppe mit Die-Größe).
  • Gemäß Ausführungsformen des ersten Aspekts sind die akustischen Strukturen des ersten Dies bzw. des zweiten Dies auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet und sind das erste Die und das zweite Die so im Stapel angeordnet, dass die ersten Oberflächen zum Träger hin gerichtet sind. Elektromagnetische Kopplungswirkungen zwischen den beiden Elektrodenschichten können einen negativen Einfluss auf die Filterwirkung haben. Bei dieser Anordnung ist der Abstand zwischen den beiden Schichten größer als bei der vorhergehenden Anordnung. Die Kopplungswirkungen sind entsprechend verringert.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein HF-Duplexer vorgestellt. Ein Duplexer ist eine elektronische Vorrichtung, die eine bidirektionale (Duplex) Kommunikation über einen einzigen Pfad ermöglicht. Bei Radar- und Funkkommunikationssystemen wird dadurch der Empfänger vom Sender isoliert, während ermöglicht wird, dass sie sich eine gemeinsame Antenne teilen. Der Duplexer umfasst ein RX-Filter gemäß dem ersten Aspekt oder eine vorteilhafte Ausführungsform des RX-Filters gemäß dem ersten Aspekt.
  • Zusätzlich umfasst der HF-Duplexer ein HF-Sendefilter (TX-Filter). Das TX-Filter umfasst einen Ausgangsport und einen Eingangsport sowie einen Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitt mit zumindest einem BAW-Resonator. Der Ausgangsport des TX-Filters und der Eingangsport des RX-Filters sind dafür ausgelegt, mit einer gemeinsamen Antenne gekoppelt oder verbunden zu werden.
  • Gemäß Ausführungsformen des zweiten Aspekts sind die akustischen Strukturen des BAW-Filterabschnitts des RX-Filters und die akustischen Strukturen des BAW-Filterabschnitts des TX-Filters auf einem einzelnen Die angeordnet.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein HF-Multiplexer vorgestellt.
    Der HF-Multiplexer umfasst ein erstes RX-Filter gemäß dem ersten Aspekt oder eine vorteilhafte Ausführungsform des RX-Filters gemäß dem ersten Aspekt.
  • Ferner umfasst der HF-Multiplexer zumindest ein weiteres RX-Filter gemäß dem ersten Aspekt oder eine vorteilhafte Ausführungsform des RX-Filters gemäß dem ersten Aspekt. Der Eingangsport des ersten RX-Filters und der Eingangsport des zumindest einen weiteren RX-Filters sind dafür ausgelegt, mit einer gemeinsamen Antenne gekoppelt oder verbunden zu werden.
  • Gemäß Ausführungsformen des dritten Aspekts sind der BAW-Filterabschnitt des ersten RX-Filters und der BAW-Filterabschnitt des zumindest einen weiteren RX-Filters auf einem ersten einzelnen Die angeordnet. Alternativ oder zusätzlich sind der SAW-Filterabschnitt und das DMS-Filter des ersten RX-Filters und der SAW-Filterabschnitt und das DMS-Filter des zumindest einen weiteren RX-Filters auf einem zweiten einzelnen Die angeordnet.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine HF-Filtervorrichtung vorgestellt. Die HF-Filtervorrichtung umfasst einen ersten HF-Duplexer gemäß dem dritten Aspekt oder eine vorteilhafte Ausführungsform des HF-Duplexers gemäß dem dritten Aspekt. Zusätzlich umfasst die HF-Filtervorrichtung zumindest einen weiteren HF-Duplexer gemäß dem dritten Aspekt oder eine vorteilhafte Ausführungsform des HF-Duplexers gemäß dem dritten Aspekt. Die Eingangsports der RX-Filter und die Ausgangsports der TX-Filter des ersten Duplexers und des zumindest einen weiteren HF-Duplexers sind dafür ausgelegt, mit einer gemeinsamen Antenne gekoppelt oder verbunden zu werden.
  • Die HF-Filtervorrichtung kann eine Kombination von Tx-, Rx- und TRx-(TDD-)-Filtern, beispielsweise einen Hexaplexer oder Oktaplexer, der aus drei oder vier Duplexern zusammengesetzt ist, oder einen Pentaplexer, der aus zwei Duplexern und einem zusätzlichen Rx-Filter oder TRx-Filter zusammengesetzt ist, umfassen. Mögliche Kombinationen solcher Pentaplexer sind beispielsweise LTE-Band 1 Tx/Rx + LTE-Band 3 Tx/Rx + LTE-Band 7 Rx oder LTE-Band 1 Tx/Rx + LTE-Band 3 Tx/Rx + LTE-Band 40 TRx.
  • Gemäß Ausführungsformen des vierten Aspekts sind die BAW-Filterabschnitte des ersten HF-Duplexers und die BAW-Filterabschnitte des zumindest einen weiteren HF-Duplexers auf einem ersten einzelnen Die angeordnet und/oder sind die SAW-Filterabschnitte und die DMS-Filter des ersten HF-Duplexers und des zumindest einen weiteren HF-Duplexers auf einem zweiten einzelnen Die angeordnet.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es ist zu verstehen, dass sowohl die vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung lediglich als Beispiel dienen und einen Überblick oder einen Rahmen für das Verständnis der Natur und des Charakters der Ansprüche bereitstellen sollen. Die anliegenden Zeichnungen sind aufgenommen, um ein weiteres Verständnis bereitzustellen, und sie sind Teil dieser Beschreibung. Die Zeichnungen zeigen eine oder mehrere Ausführungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erklärung von Prinzipien und der Arbeitsweise der verschiedenen Ausführungsformen. Die gleichen Elemente in verschiedenen Figuren der Zeichnungen sind mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
  • Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet, sondern so ausgelegt, dass sie die Offenbarung klar veranschaulichen.
  • Es zeigen:
    • 1 ein Blockdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform eines HF-Empfangsfilters,
    • die 2a bis 2c verschiedene Beispiele der Kapselung und Integration des HF-Empfangsfilters,
    • 3 ein Blockdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform eines HF-Duplexers,
    • die 4a bis 4c Blockdiagramme beispielhafter Ausführungsformen eines HF-Multiplexers und
    • die 5a bis 5d Blockdiagramme beispielhafter Ausführungsformen einer weiteren HF-Filtervorrichtung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die vorliegende Offenbarung wird nun in weiteren Einzelheiten mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen beschrieben, worin Ausführungsformen der Offenbarung dargestellt sind. Die Offenbarung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen verwirklicht werden und sollte nicht als auf die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr sind diese Ausführungsformen bereitgestellt, um Fachleuten den Geltungsbereich der Offenbarung vollständig zu vermitteln. Wenngleich Merkmale der vorliegenden Offenbarung in Bezug auf bestimmte Ausführungsformen und die nachstehenden Figuren erörtert werden können, können alle Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein oder mehrere der hier erörterten vorteilhaften Merkmale aufweisen. Mit anderen Worten können, wenngleich eine oder mehrere Ausführungsformen als bestimmte vorteilhafte Merkmale aufweisend erörtert werden können, eines oder mehrere dieser Merkmale auch gemäß den verschiedenen Ausführungsformen der hier erörterten Offenbarung verwendet werden. In ähnlicher Weise ist zu verstehen, dass, wenngleich beispielhafte Ausführungsformen nachstehend als Vorrichtungs-, System- oder Verfahrensausführungsformen erörtert werden können, diese beispielhaften Ausführungsformen in verschiedenen Vorrichtungen, Systemen und Verfahren implementiert werden können.
  • 1 zeigt ein Blockdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform eines HF-Empfangsfilters (RX-Filters) Rx. Das RX-Filter Rx kann beispielsweise in Trägeraggregationsanwendungen verwendet werden.
  • Das RX-Filter Rx umfasst einen Eingangsport A zum Empfangen eines Hochfrequenzsignals von einer Antenne Ant und einen Ausgangsport zum Bereitstellen des gefilterten Hochfrequenzsignals. Ferner umfasst das RX-Filter Rx eine Kaskadenschaltung aus einem Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitt, einem Akustische-Oberflächenwellen(SAW)-Filterabschnitt mit zumindest einem SAW-Resonator und einem Dual-Moden-SAW-Filter (DMS-Filter) DMS.
  • Der BAW-Filterabschnitt ist auf einer Eingangsseite des RX-Filters Rx angeordnet. Der BAW-Filterabschnitt gewährleistet eine sehr lineare Filterung des Hochfrequenzsignals. Der SAW-Filterabschnitt SAW_f, der auf einer Ausgangsseite des RX-Filters Rx angeordnet ist, und das DMS-Filter DMS, das zwischen dem BAW-Filterabschnitt und dem SAW-Filterabschnitt SAW_f angeordnet ist, stellen eine hohe Außerbanddämpfung bereit.
  • Der BAW-Filterabschnitt BAW_f weist beispielsweise eine leiterartige Topologie auf. Der BAW-Filterabschnitt BAW_f weist beispielsweise einen ersten und einen zweiten Reihen-BAW-Resonator und einen ersten parallelen BAW-Resonator auf. Alternativ kann die Topologie des BAW-Filterabschnitts BAW_f einfacher oder komplexer sein.
  • Bei einem BAW-Resonator ist ein piezoelektrisches Material in einer piezoelektrischen Schicht sandwichförmig zwischen einer unteren Elektrode in einer unteren Elektrodenschicht und einer oberen Elektrode in einer oberen Elektrodenschicht angeordnet. Das piezoelektrische Material wandelt in Kombination mit den Elektroden durch den piezoelektrischen Effekt zwischen akustischen und elektromagnetischen HF-Signalen. Die untere Elektrode, die obere Elektrode und die sandwichförmig zwischen den Elektroden angeordnete piezoelektrische Schicht bilden eine akustische Struktur. Eine solche akustische Struktur ist auf einem Träger, insbesondere einem Die oder einem Chip, angeordnet.
  • Der SAW-Filterabschnitt umfasst beispielsweise einen dritten Reihen-SAW-Resonator S3 und einen zweiten parallelen SAW-Resonator P2. Alternativ kann die Topologie des SAW-Filterabschnitts SAW f einfacher oder komplexer sein.
  • Ein SAW-Resonator weist zwei Wandler (Interdigitalwandler, kurz IDT) auf, die aus einem Paar kammförmiger Elektroden (auch als Finger bekannt), die auf einem Die montiert sind, besteht. Das Substrat des Dies weist Silizium oder ein piezoelektrisches Material auf. Insbesondere kann das Substrat aus Silizium oder dem piezoelektrischen Material bestehen. Das elektrische Material ist beispielsweise LiTaO3 oder LiNbO3.
  • Ein DMS-Filter DMS ist eine spezielle Art eines Akustische-Oberflächenwellen-Filters.
  • Das DMS-Filter DMS umfasst in einer akustischen Bahn angeordnete longitudinal gekoppelte Ein- und Ausgangswandler. Das DMS-Filter DMS umfasst einen oder mehrere Eingangs-IDT und einen oder mehrere Ausgangs-IDT (IDT = Interdigitalwandler). Die IDT sind zwischen elektroakustischen Reflektoren angeordnet.
  • Die 2a bis 2c zeigen verschiedene Beispiele der Kapselung und Integration des RX-Filters Rx.
  • 2a zeigt eine Kapselungskonfiguration, wobei die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f auf einem ersten Die angeordnet sind und die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW_f und des DMS-Filters DMS auf einem zweiten Die angeordnet sind. Beispielsweise ist das erste Die in einer ersten Baugruppe angeordnet und ist das zweite Die in einer zweiten Baugruppe angeordnet. Alternativ sind das erste und das zweite Die in einem gemeinsamen Trägersubstrat angeordnet.
  • Nachfolgend wird ein Die, das akustische Strukturen AS nur von BAW-Resonatoren umfasst, als BAW-Die BAW_die bezeichnet und wird ein Die, das akustische Strukturen AS nur eines SAW-Resonators umfasst, der auch akustische Strukturen AS eines DMS-Filters DMS aufweist, als SAW-Die SAW_die bezeichnet.
  • 2b zeigt Kapselungskonfigurationen, wobei die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f auf einem BAW-Die angeordnet sind und die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW_f und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS auf einem SAW-Die SAW_die angeordnet sind und das BAW-Die BAW_die und das SAW-Die SAW die auf einem Trägersubstrat und/oder in einer einzigen Baugruppe in einem Stapel angeordnet sind.
  • Gemäß 2b sind die akustischen Strukturen AS des BAW-Dies BAW_die und des SAW-Dies SAW_die beispielsweise auf einer ersten Oberfläche des jeweiligen Dies angeordnet. Wie in 2b (1) dargestellt ist, können das BAW-Die BAW_die und das SAW-Die SAW die so im Stapel angeordnet sein, dass die ersten Oberflächen einander gegenüberstehen.
  • Alternativ können, wie in 2b (2) dargestellt ist, das BAW-Die BAW_die und das SAW-Die SAW_die so im Stapel angeordnet sein, dass die ersten Oberflächen in die gleiche Richtung gerichtet sind, wobei insbesondere die ersten Oberflächen zum Träger hin gerichtet sind.
  • 2c zeigt Kapselungskonfigurationen, wobei die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f und die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW_f und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS auf einem einzelnen Die angeordnet sind.
  • Wie in 2c (1) dargestellt ist, können die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f und des SAW-Filterabschnitts SAW_f und des DMS-Filters DMS auf derselben Oberfläche des Dies angeordnet sein.
  • Alternativ sind, wie in 2c (2) dargestellt ist, die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f auf der ersten Oberfläche des Dies angeordnet und können die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW_f und des DMS-Filters DMS auf der der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet sein.
  • 3 zeigt ein Blockdiagramm einer beispielhaften Ausführungsform eines HF-Duplexers. In 3 und den folgenden Figuren sind die Resonatoren des BAW-Filterabschnitts BAW_f und des SAW-Filterabschnitts SAW_f des RX-Filters Rx nicht mehr detailliert dargestellt, sondern es sind verallgemeinerte Filtertopologien von Resonatornetzen RN dargestellt.
  • Der HF-Duplexer ist ein Hochfrequenzfilter, das eine gleichzeitige Übertragung in einem ersten Frequenzband und Empfang in einem zweiten Frequenzband (vom ersten Frequenzband verschieden) unter Verwendung einer gemeinsamen Antenne Ant ermöglicht.
  • Der HF-Duplexer umfasst ein RX-Filter Rx, wie vorstehend beschrieben und in den 1 bis 3 dargestellt. Ferner umfasst der HF-Duplexer ein HF-Sendefilter (TX-Filter) Tx. Das TX-Filter Tx umfasst einen Ausgangsport und einen Eingangsport sowie einen weiteren Akustische-Bulk-Wellen-(BAW)-Filterabschnitt BAW_f mit wenigstens einem BAW-Resonator, wobei der Ausgangsport des TX-Filters Tx und der Eingangsport A des RX-Filters Rx so ausgelegt sind, dass sie mit einer gemeinsamen Antenne Ant gekoppelt sind. Das RX-Filter Rx und das TX-Filter Tx weisen verschiedene Durchlassbänder auf.
  • Gemäß einer optionalen Ausführungsform sind die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f des RX-Filters Rx und die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f des TX-Filters Tx auf einem einzigen BAW-Die BAW_die angeordnet. Alternativ können die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_f des TX-Filters Tx und die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW f des RX-Filters Rx auf verschiedenen BAW-Dies BAW_die angeordnet sein.
  • Ferner verwendet der HF-Duplexer gemäß weiteren optionalen Ausführungsformen die gleichen Kapselungskonfigurationen wie die in den 2a bis 2c dargestellten.
  • Die 4a bis 4c zeigen Blockdiagramme beispielhafter Ausführungsformen eines HF-Multiplexers.
  • Ein HF-Multiplexer ist ein Hochfrequenzfilter mit mehr als zwei Ports und mehreren Durchlassbändern.
  • In den 4a bis 4c sind jeweilige Diplexer dargestellt. Die Diplexer umfassen wenigstens drei Ports, nämlich einen gemeinsamen Eingangsport zur Verbindung mit der Antenne Ant und wenigstens zwei Ausgangsports. Die Diplexer umfassen wenigstens zwei RX-Filter, beispielsweise ein erstes RX-Filter Rx 1 und ein weiteres RX-Filter Rx 2, wie vorstehend beschrieben und in den 1 bis 3 dargestellt. Das erste und das weitere RX-Filter Rx_1, Rx 2 weisen verschiedene Durchlassbänder auf.
  • Beispielsweise sind die akustischen Strukturen AS des BAW-Filterabschnitts BAW_fs und der SAW-Filterabschnitte SAW_f des ersten und des weiteren RX-Filters Rx_1, Rx_2 jeweils auf einem getrennten Die angeordnet. Vorzugsweise sind die akustischen Strukturen AS der SAW-Filterabschnitte und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS des ersten RX-Filters Rx_1 auf einem gemeinsamen SAW-Die SAW_die angeordnet und/oder sind die akustischen Strukturen AS der SAW-Filterabschnitte SAW f und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS des weiteren RX-Filters Rx_2 auf einem anderen gemeinsamen SAW-Die SAW_die angeordnet (siehe 4a).
  • Gemäß einer optionalen Ausführungsform können die akustischen Strukturen AS der BAW-Filterabschnitte BAW_f des ersten RX-Filters Rx 1 und des weiteren RX-Filters Rx_2 auf einem einzigen BAW-Die BAW_die angeordnet sein (siehe 4b).
  • Alternativ oder zusätzlich sind die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW f und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS des ersten RX-Filters Rx_1 und die akustischen Strukturen AS des SAW-Filterabschnitts SAW_f und die akustischen Strukturen AS des DMS-Filters DMS des weiteren RX-Filters Rx_2 auf einem zweiten einzelnen SAW-Die SAW_die angeordnet (siehe 4c).
  • Ferner kann der HF-Multiplexer gemäß weiteren optionalen Ausführungsformen die gleichen Kapselungskonfigurationen verwenden, wie sie in den 2a bis 2c dargestellt sind.
  • Die 5a bis 5d zeigen Blockdiagramme beispielhafter Ausführungsformen einer weiteren HF-Filtervorrichtung. Die HF-Filtervorrichtung umfasst einen ersten HF-Duplexer und zumindest einen weiteren HF-Duplexer, wie vorstehend beschrieben und in 3 dargestellt. Die beispielhaften Ausführungsformen aus den 5a bis 5d zeigen die HF-Filtervorrichtung mit einem ersten HF-Duplexer und einem weiteren HF-Duplexer. Die Eingangsports der RX-Filter Rx_1, Rx_2 und die Ausgangsports der TX-Filter Tx_1, Tx_2 des ersten HF-Duplexers und des weiteren HF-Duplexers sind mit einer gemeinsamen Antenne Ant gekoppelt ausgelegt.
  • Die akustischen Strukturen AS der BAW-Filterabschnitte BAW_f und der SAW-Filterabschnitte SAW_f sowie das DMS-Filter DMS können auf wenigstens zwei verschiedenen Dies angeordnet sein, wie in den 5a bis 5d dargestellt ist. Insbesondere können zwei oder mehr BAW-Filterabschnitte BAW f kombiniert werden. Das Gleiche gilt für die SAW-Filterabschnitte SAW_f und die DMS-Filter DMS der RX-Filter Rx_1, Rx_2.
  • Das Substrat der jeweiligen BAW-Dies BAW_die und/oder SAW-Dies SAW die und/oder der gemeinsamen Dies weist beispielsweise Silizium oder ein piezoelektrisches Material auf oder besteht daraus. Das piezoelektrische Material ist beispielsweise LiTaO3 oder LiNbO3.
  • Bezugszeichenliste
    • A
    Eingangsport des RX-Filters
    Ant
    Antenne
    AS
    akustische Strukturen
    BAW_f
    BAW-Filterabschnitt
    DMS
    DMS-Filter
    P1, P2
    Parallelresonator
    R
    Ausgangsport des RX-Filters
    RN
    Resonatornetz
    Rx, Rx_1, Rx_2
    RX-Filter
    S1, S2, S3
    Reihenresonator
    SAW_f
    SAW-Filterabschnitt
    T
    Eingangsport des TX-Filters
    Tx, Tx_1, Tx_2
    TX-Filter

Claims (15)

  1. HF-Empfangsfilter (RX-Filter) (Rx), welches einen Eingangsport (A) zum Empfang eines Hochfrequenzsignals von einer Antenne und einen Ausgangsport (R) zum Bereitstellen des gefilterten Hochfrequenzsignals, und eine Kaskadenschaltung eines Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitts (BAW_f), eines Akustische-Oberflächenwellen(SAW)-Filterabschnitts (SAW_f) mit zumindest einem SAW-Resonator und eines Dual-Moden-SAW-Filters (DMS-Filters) (DMS) umfasst, wobei - der BAW-Filterabschnitt (BAW_f) zumindest einen BAW-Resonator umfasst und auf einer Eingangsseite des RX-Filters (Rx) angeordnet ist, - der SAW-Filterabschnitt (SAW_f) zumindest einen SAW-Resonator umfasst und auf einer Ausgangsseite des RX-Filters (Rx) angeordnet ist, und - das DMS-Filter (DMS) zwischen dem BAW-Filterabschnitt (BAW_f) und dem SAW-Filterabschnitt (SAW_f) angeordnet ist.
  2. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 1, wobei der BAW-Filterabschnitt (BAW_f) eine leiterartige Topologie aufweist.
  3. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 2, wobei der BAW-Filterabschnitt (BAW_f) einen ersten und einen zweiten Reihen-BAW-Resonator (S1, S2) und einen ersten parallelen BAW-Resonator (P1) umfasst.
  4. RX-Filter (Rx) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei akustische Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) und akustische Strukturen (AS) des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und akustische Strukturen (AS) des DMS-Filters (DMS) auf einem einzelnen Die angeordnet sind.
  5. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 4, wobei die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) und des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und des DMS-Filters (DMS) auf derselben Oberfläche des Dies angeordnet sind.
  6. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 4, wobei die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet sind und die akustischen Strukturen (AS) des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und des DMS-Filters (DMS) auf einer der ersten Oberfläche entgegengesetzten Oberfläche angeordnet sind.
  7. RX-Filter (Rx) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) auf einem ersten Die angeordnet sind und die akustischen Strukturen (AS) des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und die akustischen Strukturen (AS) des DMS-Filters (DMS) auf einem zweiten Die angeordnet sind und das erste und das zweite Die in einem Stapel angeordnet sind.
  8. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 7, wobei die akustischen Strukturen (AS) des ersten bzw. des zweiten Dies auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet sind und das erste und das zweite Die so im Stapel angeordnet sind, dass die ersten Oberflächen einander gegenüberstehen.
  9. RX-Filter (Rx) nach Anspruch 7, wobei die akustischen Strukturen (AS) des ersten bzw. des zweiten Dies auf einer ersten Oberfläche des Dies angeordnet sind und das erste und das zweite Die so im Stapel angeordnet sind, dass die ersten Oberflächen zum Träger hin gerichtet sind.
  10. HF-Duplexer, welcher Folgendes umfasst: - ein RX-Filter (Rx) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, - ein HF-Sendefilter (TX-Filter) (Tx), das einen Ausgangsport (T) und einen Eingangsport sowie einen Akustische-Bulk-Wellen(BAW)-Filterabschnitt (BAW_f) mit zumindest einem BAW-Resonator umfasst, wobei der Ausgangsport des TX-Filters (Tx) und der Eingangsport (A) des RX-Filters (Rx) dafür ausgelegt sind, mit einer gemeinsamen Antenne (Ant) gekoppelt zu werden.
  11. HF-Duplexer nach Anspruch 10, wobei die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) des RX-Filters (Rx) und die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) des TX-Filters (Tx) auf einem einzelnen Die angeordnet sind.
  12. HF-Multiplexer, welcher Folgendes umfasst: - ein erstes RX-Filter (Rx 1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, - zumindest ein weiteres RX-Filter (Rx_2) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Eingangsport des ersten RX-Filters (Rx_1) und der Eingangsport des zumindest einen weiteren RX-Filters (Rx 2) dafür ausgelegt sind, mit einer gemeinsamen Antenne (Ant) gekoppelt zu werden.
  13. HF-Multiplexer nach Anspruch 12, wobei die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) des ersten RX-Filters (Rx_1) und die akustischen Strukturen (AS) des BAW-Filterabschnitts (BAW_f) des zumindest einen weiteren RX-Filters (Rx_2) auf einem ersten einzelnen Die angeordnet sind und/oder wobei die akustischen Strukturen (AS) des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und die akustischen Strukturen (AS) des DMS-Filters (DMS) des ersten RX-Filters (Rx 1) und die akustischen Strukturen (AS) des SAW-Filterabschnitts (SAW_f) und die akustischen Strukturen (AS) des DMS-Filters (DMS) des zumindest einen weiteren RX-Filters (Rx_2) auf einem zweiten einzelnen Die angeordnet sind.
  14. HF-Filtervorrichtung, welche Folgendes umfasst: - einen ersten HF-Duplexer nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, - zumindest einen weiteren HF-Duplexer nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, wobei die Eingangsports der RX-Filter (Rx_1, Rx 2) und die Ausgangsports der TX-Filter (Tx_1, Tx_2) des ersten HF-Duplexers und des zumindest einen weiteren HF-Duplexers dafür ausgelegt sind, mit einer gemeinsamen Antenne gekoppelt zu werden.
  15. HF-Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei die BAW-Filterabschnitte (BAW_f) des ersten HF-Duplexers und die BAW-Filterabschnitte (BAW_f) des zumindest einen weiteren HF-Duplexers auf einem ersten einzelnen Die angeordnet sind und/oder wobei die SAW-Filterabschnitte (SAW_f) und die DMS-Filter (DMS) des ersten HF-Duplexers und des zumindest einen weiteren HF-Duplexers auf einem zweiten einzelnen Die angeordnet sind.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112953436B (zh) * 2021-02-08 2024-04-30 上海师范大学 一种saw-baw混合谐振器
CN116032246B (zh) * 2023-03-27 2023-10-31 成都频岢微电子有限公司 一种双工器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012108035A1 (de) * 2012-08-30 2014-06-12 Epcos Ag Kondensator mit verbessertem linearen Verhalten

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000040939A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
US7446629B2 (en) * 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
DE102005010658A1 (de) * 2005-03-08 2006-09-14 Epcos Ag Duplexer mit verbesserter Leistungsverträglichkeit
DE102005045372B4 (de) * 2005-09-22 2021-08-19 Snaptrack, Inc. Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter
JP2007110202A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合フィルタチップ
JPWO2010007805A1 (ja) * 2008-07-17 2012-01-05 株式会社村田製作所 分波器
JP2013223025A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ装置、フィルタ装置の製造方法及びデュプレクサ
JP6658070B2 (ja) * 2016-02-24 2020-03-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
JP6454299B2 (ja) * 2016-05-13 2019-01-16 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
US10367475B2 (en) * 2016-10-28 2019-07-30 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave filter including surface acoustic wave resonators and bulk acoustic wave resonator

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012108035A1 (de) * 2012-08-30 2014-06-12 Epcos Ag Kondensator mit verbessertem linearen Verhalten

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