DE102019110922A1

DE102019110922A1 - Grabenisolationsstruktur mit vergrößerter elektrisch leitender Seitenwand

Info

Publication number: DE102019110922A1
Application number: DE102019110922.1A
Authority: DE
Inventors: Ralf Lerner
Original assignee: X Fab Semiconductor Foundries GmbH
Current assignee: X Fab Semiconductor Foundries GmbH
Priority date: 2019-04-26
Filing date: 2019-04-26
Publication date: 2020-10-29
Also published as: US11355582B2; US11916104B2; US20220293728A1; US20200388674A1

Abstract

Diese Offenbarung betrifft Isolationsgräben in Halbleiterbauelementen mit elektrisch leitenden Seitenwänden, die eine zusätzliche Funktion haben, so die Bereitstellung elektrischer Leitfähigkeit. Die Erfindung soll ein größeres Maß an Flexibilität bei der Bereitstellung von leitenden Seitenwänden erreichen. Vorgeschlagen wird dazu ein Halbleiterbauelement mit einem ersten aktiven Bauteilgebiet (20) und mit einem zweiten aktiven Gebiet (22), wobei das erste aktive Bauteilgebiet (20) und das zweite aktive Gebiet (22) sich flächig und dabei entlang einer ersten lateralen Richtung (L1) und einer davon abweichenden, zweiten lateralen Richtung (L2) erstrecken. Und mit einer Grabenisolationsstruktur (10,10'), die das erste aktive Bauteilgebiet (20) von dem zweiten aktiven Gebiet (22) entlang der ersten lateralen Richtung (L1) elektrisch isoliert und zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand (14,14',14") aufweist. Die Grabenisolationsstruktur (10) weist eine sich durchgehend isolierend erstreckende Grabenisolations-Basiswand (30) und mehrere voneinander beabstandete Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) mit dazwischen gelegenen elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten (14a,14b) auf. Die mehreren Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) und die elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte (14a,14b) sind von der Basiswand (30) beabstandet (a,b).

Description

Diese Offenbarung (und Ansprüche) betreffen im Allgemeinen Isolationsgräben in Halbleiterbauelementen mit elektrisch leitenden Seitenwänden, die eine zusätzliche Funktion haben, beispielsweise zur Bereitstellung elektrischer Leitfähigkeit.
Halbleiterbauelemente werden auf geeigneten Substraten, z.B. Halbleiterscheiben, und dergleichen hergestellt, wobei entsprechende Schichten und Schichtfolgen erzeugt werden, die in lateraler Richtung geeignet strukturiert werden, sodass eine gewünschte Funktion erreicht wird. Auf diese Weise werden sehr komplexe Komponenten, beispielsweise Transistoren, Widerstände, Kondensatoren, und dergleichen gebildet. Die entsprechenden funktionellen Schichten werden nicht nur auf dem Trägermaterial hergestellt, z.B. durch Abscheidung, sondern es werden derartige Schichten auch im Trägermaterial selbst erzeugt, indem beispielsweise geeignete Dotierstoffsubstanzen eingebracht werden, um elektrisch geeignet eingestellte Gebiete zu erzeugen.
Häufig ist es dabei erforderlich, Bauteilgebiete lateral und auch in der Tiefe voneinander elektrisch zu trennen. Zu diesem Zweck werden häufig Isolationsstrukturen in Form von Gräben eingesetzt, die im Folgenden auch als Grabenisolationsstrukturen bezeichnet werden. Die entsprechenden Grabenisolationsstrukturen werden in der Regel so hergestellt, dass zunächst ein Graben in dem Trägermaterial oder Halbleitermaterial durch Ätzung hergestellt wird mit einer Tiefe, die für den entsprechenden Zweck geeignet ist. Beispielsweise sind die Gestaltungsformen oder das Layout entsprechender Gräben so vorgesehen, dass ein bestimmtes Bauteilgebiet umschlossen und damit von anderen Bauteilgebieten elektrisch abgetrennt wird, wobei in der umschlossenen Struktur ein oder mehrere Komponenten vorgesehen sein können und außerhalb der umschlossenen Struktur ein weiteres Bauteilgebiet in Form eines geschlossenen Bereichs vorgesehen ist oder ein leeres Gebiet beibehalten wird, in welchem keine Halbleiterkomponenten hergestellt sind oder hergestellt werden.
Die Gräben werden dabei typischerweise als Strukturen mit geradlinigen Abschnitten erzeugt, die in lateralen Richtungen so aneinandergereiht werden, dass sich der gewünschte laterale Einschluss von Bauteilgebieten und damit deren (laterale) elektrische Isolierung ergibt, nachdem die Gräben zumindest teilweise mit einem geeigneten Isolationsmaterial gefüllt worden sind.
1 zeigt schematisch eine Aufsicht oder auch ein Layout eines Halbleiterbauelements 99, in welchem erste Bauteilgebiete 20, in denen z.B. Halbleiterkomponenten in Form von Transistoren 20a, Widerständen, oder dergleichen vorgesehen sind, von einem oder mehreren anderen aktiven Gebieten 22 elektrisch getrennt werden sollen. Dies erfolgt auf der Grundlage von Grabenisolationsstrukturen 9, die aus geradlinigen Abschnitten zusammengesetzt sind, die sich in den jeweiligen lateralen Richtungen erstrecken, sodass sich typischerweise eine rechteckige Form oder auch die Form eines Polygons bei ringförmigem Einschluss des entsprechenden umschlossenen Bauteilgebiet 20 ergibt.
In der Tiefenrichtung (in der Richtung senkrecht zur Zeichenebene der 1) erstreckt sich der entsprechende Isolationsgraben 9 bis zu einer Tiefe, wie dies für das gegebene Halbleiterbauelement 99 erforderlich ist. Beispielsweise werden viele Bauelemente auf der Grundlage einer SOI-Architektur hergestellt, in der eine vergrabene Isolationsschicht vorgesehen ist, die eine zuverlässige elektrische Isolierung in der Tiefe des Halbleiterbauelements ermöglicht. Häufig erstrecken sich daher die Isolationsgräben bis zu dieser vergrabenen Isolationsschicht oder durch diese hindurch, sodass die entsprechenden Bauteilgebiete 20 im Wesentlichen vollständig elektrisch isolierte Gebiete repräsentieren. Sie sind lateral und in der Tiefe durch Isolationsmaterial begrenzt.
In jüngeren Entwicklungen sollen die Grabenisolationsstrukturen weitere Funktionen neben der elektrischen Isolierung von benachbarten Gebieten bewerkstelligen. Beispielsweise werden Isolationsgräben mit leitenden Seitenwänden bereitgestellt, die je nach Anwendung eine möglichst niederohmige elektrische Verbindung zu tieferliegenden Bauteilschichten bereitstellen sollen. Zu derartigen Anwendungen gehören beispielsweise grabenisolierte Smart Power Technik in SOI-Architektur auf Siliziumscheiben, wobei der Isolationsgraben einerseits als Isolationselement dient, wie dies zuvor beschrieben ist, und andererseits als elektrische Verbindung zu einem vergrabenen dotierten Gebiet Verwendung findet. Beispielsweise würde sich eine stark n-dotierte Seitenwand eines Isolationsgrabens als geeigneter Anschluss zu einer vergrabenen n-dotierten Schicht anbieten, sodass einerseits die elektrische Anbindung möglich wird und andererseits flächenaufwändige Verbindungsstrukturen, die mit zusätzlichen aufwändigen Prozessschritten herzustellen wären, zu der vergrabenen dotierten Schicht vermieden werden können.
In anderen Beispielen können Isolationsgräben mit gut leitenden Seitenwanddotierungen auch in pn-isolierten Prozessen verwendet werden, um beispielsweise dotierte vergrabene Schichten anzuschließen.
Isolationsgräben in SOI-Siliziumscheiben werden auch häufig eingesetzt, um in integrierten Smart-Power-Schaltkreisen unterschiedliche Bauelemente, z.B. Transistoren, oder ganze Gebiete mit unterschiedlichen Potenzialen voneinander zu isolieren.
2 zeigt eine Schnittansicht einer schematischen Isolationsgrabenstruktur mit doppelter Funktion, d.h. mit der Funktion der elektrischen Isolation und gleichzeitig der Anbindung vergrabener leitender Schichten. Wie hier gezeigt, weist das Halbleiterbauelement 99, das beispielsweise in 1 in der Aufsicht gezeigt ist, ein Trägermaterial, z.B. als Siliziumscheibe 2, mit einer darauf aufgebrachten vergrabenen Isolationsschicht 4 auf, wenn beispielsweise eine SOI-Architektur betrachtet wird. Die vergrabene Isolationsschicht 4 kann beispielsweise aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, oder dergleichen hergestellt sein. In dem dargestellten Beispiel soll die Isolationsgrabenstruktur 9 zwei aktive Gebiete 20,22 potentialmäßig voneinander trennen, in denen Bauelemente, z.B. Transistoren, und dergleichen hergestellt sind oder herzustellen sind. Die Isolationsgrabenstruktur 9 weist dabei ein isolierendes Material als Isolationswand 12, beispielsweise in Form von Siliziumdioxid, oder dergleichen auf, und hat elektrisch leitende Seitenwände 14, die aus einem dotierten Halbleitermaterial gebildet sind.
Durch die dotierten Seitenwände 14 ergibt sich die Möglichkeit, entsprechende vergrabene Schichten 6,6a, die in dem jeweiligen Bauteilgebiet 20 oder 22 ausgebildet sind, elektrisch anzuschließen, sodass sich eine gut leitende Verbindung über die linke und rechte Seitenwand 14 zu der jeweiligen vergrabenen Schicht 6 oder 6a ergibt. Somit kann eine elektrische Verbindung mit relativ geringem Widerstand durch ein aktives Material 8 (oder Lagen 8a, 8b) hindurch verwirklicht werden, ohne dabei spezielle Durchkontaktierungen vorsehen zu müssen. Andererseits sorgt das Isolationsmaterial des Isolationsgrabens 12 dafür, dass die beiden Gebiete 20 und 22, d.h. insbesondere die jeweiligen aktiven Materialien 8a bzw. 8b und die jeweiligen vergrabenen leitenden Schichten 6a, 6b, elektrisch voneinander getrennt sind.
Wie beispielsweise in 1 gezeigt, kann dabei die Isolationsgrabenstruktur 9 das zu isolierende Bauelement oder das zu isolierende Gebiet, z.B. das Gebiet 20, umschließen. So z.B. in Form eines Rechtecks, oder auch ringförmig, wenn der gesamte Isolationsgraben 12 als Polygon gestaltet ist.
Eine derartige Anwendung von Isolationsgräben ist beispielsweise beschrieben in US 5 734 192 A , US 6 394 638 B1 , US 9 385 190 B2 . US 5 283 461 beschreibt ebenfalls eine Grabenstruktur, mit der die zu isolierenden Bauelemente durch ein Netz aus Isolationsgräben getrennt sind.
Um eine doppelte Nutzung des Isolationsgrabens zu erhalten, wie dies anhand der 2 erläutert war, werden daher die Seitenwände des Isolationsgrabens dotiert, indem beispielsweise eine dotierte Schicht abgeschieden wird und das Bauelement einem Ausheizprozess unterzogen wird, sodass Dotieratome von der dotierten Schicht in die Grabenseitenwände diffundieren können und damit leitende Seitenwände erzeugen. Eine derartige Technik ist beispielsweise in der US 4 676 847 beschrieben.
Andere Strategien zur Dotierung der Seitenwände beinhalten eine Ionenimplantation unter speziell eingestellten Winkeln, sodass alle Grabenseitenwände in geeigneter Weise mit Dotiermittel angereichert werden. Derartige Techniken sind beispielsweise beschrieben in der US 5 013 673 , US 5 047 359 , US 6 509 240 .
Der Widerstand und damit die Leitfähigkeit der Seitenwand mit der Dotierung ist unter anderem festgelegt durch die Eindringtiefe der Dotierung in das Halbleitermaterial der Seitenwand, häufig ein Siliziummaterial, und durch die Konzentration der Dotierstoffatome, d.h., durch das Integral der Konzentration von der Gabenseitenwand bis zu dem durch die Dotierung gebildeten Übergang in dem Trägermaterial. Eine Verringerung des Widerstands und damit eine Erhöhung der Leitfähigkeit der Seitenwände kann damit prozesstechnisch typischerweise nur durch eine Erhöhung der Konzentration der Dotierung und/oder durch das Einbringen der Dotierstoffatome bis zu einer größeren Tiefe in dem Trägermaterial erfolgen.
Sowohl für die Eindringtiefe der Dotierstoffatome als auch für die Konzentration der Dotierung gibt es jedoch prozesstechnische Grenzen, sodass die Verringerung des Widerstands der Seitenwanddotierung begrenzt ist. Beispielsweise wird die Eindringtiefe durch das durch den Gesamtprozess festgelegte Temperatur-Zeit-Budget der nachfolgenden Prozessschritte, die für die Herstellung von Halbleiterkomponenten auszuführen sind, bestimmt, sodass die entsprechende Temperaturbehandlung zum Eindiffundieren der Dotierstoffatome nur entsprechend dem vorgegebenen Temperatur-Zeit-Budget ausführbar ist. Die Temperatur und/oder die Zeitdauer der Einwirkung der erhöhten Temperatur können also nicht den Anforderungen zum Erhaltung einer hohen Dotierkonzentration und/oder tief eingedrungen Dotierung entsprechend gewählt werden, sondern es müssen die Vorgaben für diese Parameter im Hinblick auf den Gesamtprozessverlauf berücksichtigt werden. Je nach Verfahren der Dotierung sind auch der eingebrachten Konzentration an Dotiermitteln Grenzen gesetzt, da zum Beispiel bei einer Implantation der Implantationswinkel und die maximal mögliche Implantationsdosis Grenzen unterliegen.
Im Hinblick auf die zuvor genannte Situation ist es daher eine Aufgabe der Erfindung, ein größeres Maß an Flexibilität bei der Bereitstellung von geeigneten leitenden Seitenwänden zu erreichen, insbesondere wenn zumindest teilweise elektrisch leitende Seitenwände an einem Isolationsgraben vorzusehen sind.
Erfindungsgemäß wird dieses Problem dadurch gelöst, dass eine entsprechende Gestaltung bzw. ein Layout von Grabenisolationsstrukturen bereitgestellt wird, wodurch ein vergrößertes Gesamtvolumen für leitfähiges Material verfügbar ist.
Das beanspruchte Halbleiterbauelement hat zwei aktive Bauteilgebiete, die voneinander isoliert werden. Die Isolation erfolgt entlang einer ersten Richtung. Die Bauteilgebiete erstrecken sich flächig, entlang zweier Richtungen, die als lateralen Richtungen benannt sind. Die Isolation erfolgt durch eine Grabenisolationsstruktur (auch IsolationsGrabenstruktur). Diese Grabenstruktur besitzt zumindest eine isolierende Grabenisolations-Basiswand, wobei die Basiswand durchgehend verläuft. Zusätzlich ist zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand vorgesehen. Soweit von Wänden gesprochen wird, verlaufen sie durchgehend. Zusätzlich zu den vorhandenen Wänden sind Grabenisolations-Abschnitte und elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte vorgesehen.
Die Zusammensetzung der genannten Abschnitte, die beispielsweise abwechselnd isolierend und elektrisch leitend sein können, ergeben eine heterogene Wand, die teils isolierende und teils elektrisch leitend ist.
Die entsprechende Vergrößerung der Seitenwand und damit des zur Verfügung stehenden Volumens an leitfähigem Material in der Grabenisolationsstruktur wird bewerkstelligt, indem zusätzliche Isolationsgraben-Abschnitte vorgesehen werden, die der lateralen Isolierung dienen können oder auch nicht, aber in jedem Falle die konventionellen Gestaltungsform vergrößern und somit zu einem Layout führen, das durch eine größere Seitenwand und damit bei der praktischen Umsetzung durch eine Vergrößerung des Volumens zu einer Zunahme an leitfähigem Material führt, z.B. aus dotiertem Halbleitermaterial oder mit metall-enthaltendem Material.
In einer ersten vorteilhaften Ausführungsform wird ein Halbleiterbauelement bereitgestellt, in welchem eine Grabenisolationsstruktur ein erstes aktives Bauteilgebiet von einem zweiten aktiven Gebiet trennt. Die Grabenisolationsstruktur weist dabei mehrere Grabenisolations-Abschnitte (oder Isolationsgraben-Abschnitte) mit jeweils dazwischen gelegenen elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten auf, die sich entlang der ersten der lateralen Richtungen erstrecken, also parallel zu der Basiswand verlaufen.
Die Unterscheidung der Begriffe liegt in den Abschnitten (allein stehende Stücke der jeweiligen Art) und der jeweiligen Wand als solche, sie verläuft durchgehend. Aus den Stücken setzt sich auch eine Wand zusammen, die indes heterogen ist, leitend und nichtleitend - insgesamt betrachtet leitend, und die zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand verbreitern.
Die Grabenisolation-Abschnitte können bevorzugt gestreckte Abschnitte sein. Sie haben eine Haupt-Erstreckungsrichtung und eine Neben-Erstreckungs-Richtung, die kürzer ist, als die Haupt-Erstreckungsrichtung. Damit umschrieben werden bevorzugt solche Grabenisolations-Abschnitte, die länglich oder rechteckig gestaltet sind. In gleicher Weise ergeben sich geometrisch auch die dazwischen gelegenen leitenden Seitenwand-Abschnitte.
Eine Bevorzugung ist, wenn die Haupt-Erstreckungsrichtung parallel zur Grabenisolations-Basiswand verläuft, z.B. Anspruch 2.
Eine andere Bevorzugung ist eine Anordnung der Grabenisolation-Abschnitte mit ihrer Haupt-Erstreckungsrichtung in der zweiten lateralen Richtung, z.B. Anspruch 3.
Die dazwischen liegenden elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte passen sich an die Geometrie der Grabenisolations-Abschnitte an. Sie liegen auch hier zwischen den Grabenisolations-Abschnitten, in der einen oder anderen Orientierung.
Eine noch weitere Bevorzugung liegt in der Verwendung von Grabenisolations-Abschnitten, deren Orientierung beide Richtungen der zuvor genannten Orientierungen aufweist, um eine Art Linie oder heterogene Wand zu definieren, die Isolations-Abschnitte und elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte aufweist. Diese können sich abwechseln oder es können mehrere Grabenisolations-Abschnitte der einen Orientierung, gefolgt von mehreren Grabenisolations-Abschnitten der anderen Orientierung aneinander gereiht werden. Jeweils zwischen zwei aufeinander folgenden Grabenisolations-Abschnitten ist ein elektrisch leitender Seitenwand-Abschnitt vorgesehen, z.B. Anspruch 4.
Es können mehrere elektrisch leitende Seitenwände vorgesehen sein, beispielsweise je zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand einerseits und andererseits der durchgehend isolierenden Grabenisolations-Basiswand, oder aber beidseits der heterogenen Wand aus elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten und isolierenden Grabenisolations-Abschnitten.
Bevorzugt sind die beiden lateralen Richtungen voneinander unabhängig, stehen also senkrecht aufeinander nach Art eines X-Y-Koordinatensystems, welches die Fläche der aktiven Gebiete definiert.
Die zuvor angesprochene heterogene Wand aus Grabenisolations-Abschnitten und elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten kann beidseits umschlossen sein von je einer durchgehend elektrisch leitenden Seitenwand, z.B. Anspruch 5. Jeder Grabenisolations-Abschnitt ist dabei eingebettet zwischen elektrisch leitenden Abschnitten der elektrisch leitenden Seitenwand und den elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten (in Erstreckungsrichtung der heterogenen Wand). Auf diese Weise wird eine erweiterte elektrisch leitende Seitenwandstruktur gebildet, in der isolierende Grabenisolations-Abschnitte eingebettet sind.
Es sind bevorzugt zumindest zwei durchgehend elektrisch leitende Seitenwände auf zumindest einer Seite der isolierenden Basiswand vorgesehen. Weitere oder dieselben Wände können auf beiden Seiten der durchgehend isolierenden Basiswand vorgesehen sein.
Eine Vergrößerung des Umrisses der Grabenisolationsstruktur und damit eine Vergrößerung der Seitenwand wird damit erreicht, so dass mehr leitfähiges Material an einer oder beiden Seitenwänden bereitgestellt werden kann.
Gegenüber konventionellen Isolationsgräben, die im Wesentlichen aus geradlinigen in gleicher Richtung verlaufenden Stücken aufgebaut sind, um entsprechende Bereiche benachbarter Bauteilgebiete (aktive Gebiete, mit oder ohne Bauteile), die sich entlang dieser gleichen lateralen Richtung erstrecken, zu isolieren, werden erfindungsgemäß zusätzliche Abschnitte eingefügt, die mit einer durchgehenden Basiswand, welche für die tatsächliche elektrische Isolierung sorgt, verbunden sein können oder auch nicht.
Beispielsweise wird durch das Vorsehen einzelner Isolationsgraben-Abschnitte, die nicht mit der isolierenden Basiswand verbunden sind, insgesamt eine große Seitenwand mit den beabstandeten isolierenden Abschnitten erreicht. Sie besitzen keine gemeinsame Kontaktfläche zu der isolierenden Basiswand.
Die separaten Grabenisolations-Abschnitte übernehmen somit nicht mehr die Isolation der benachbarten aktiven Gebiete, sondern sind insbesondere für die Funktion der Bereitstellung des Volumens der vergrößerten Seitenwand vorgesehen und geben damit eine erhöhte Leitfähigkeit. Die grundlegende elektrische Isolation wird durch die durchgehende Basiswand erreicht.
Die entsprechenden, von der Basiswand separierten Grabenisolations-Abschnitte können dabei gestreckte Formen haben, wie zuvor erläutert, mit einer Haupt- und einer Neben-Erstreckungsrichtung, wobei deren Haupt-Erstreckungsrichtung parallel zu der ersten lateralen Richtung oder abweichend davon (z.B. Anspruch 2 oder Anspruch 3 oder Anspruch 4) orientiert sind. Die übergeordnete Erstreckungsrichtung der Grabenisolationsstruktur oder der isolierenden Basiswand wird dabei als die erste der beiden lateralen Richtungen angenommen.
Das aktive Bauteilgebiet kann als ein solches verstanden werden, das zur Aufnahme zumindest einer Halbleiterkomponente bestimmt oder vorgesehen ist, oder diese bereits enthält, z.B. Anspruch 12.
Die Grabenisolationsstruktur kann in der Tiefenrichtung eines beispielsweise als SOI ausgebildeten Bauelements Anschluss finden. Hierbei kann sowohl eine leitfähige Verbindung angesprochen sein, um die vertikalen leitfähigen oder leitenden Seitenwände oder leitenden Seitenwand-Abschnitte zu verbinden, wie auch eine isolierende Verbindung, bei der die Isolationsgraben-Abschnitte in der Tiefe isolierend verbunden sind.
Die horizontalen Schichten in der Tiefe des Halbleiter-Bauelements können auf einer oder auf beiden Seiten der durchgehenden Grabenisolations-Basiswand vorgesehen sein und können individuelle Potenziale tragen.
Die Grabenisolations-Basiswand kann eine isolierende Verbindung zu einer vergrabenen isolierenden Schicht aus dielektrischem Material haben.
Obwohl die Grabenisolations-Basiswand durchgehend isoliert, kann sie sich abschnittsweise in der ersten und zweiten lateralen Richtung erstrecken. Bevorzugt wechseln sich die Richtungen ab und weiter bevorzugt um einen jeweiligen Winkel von 90°, um eine Mäanderstruktur in der Ebene der beiden lateralen Erstreckungsrichtungen zu erhalten, z.B. Anspruch 13 oder 23.
In einer weiteren Ausführung als ein unabhängiger Gedanke, ergibt sich ein Halbleiterbauelement, das auch zwei aktive Gebiete voneinander isoliert. Die Isolierung übernimmt die Grabenisolationsstruktur, welche für die Isolierung eine Grabenisolations-Basiswand aufweist. Diese bewirkt eine durchgehende Isolierung, betrachtet in einer der beiden lateralen Richtungen. Es ist außerdem zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand vorgesehen, z.B. Anspruch 15.
Zusätzlich zu der Grabenisolations-Basiswand werden mehrere Grabenisolations-Abschnitte mit zugehörigen elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten ausgebildet, wobei die Grabenisolations-Abschnitte Bestandteil der Grabenisolation-Basiswand sind, also daran anschließen. Sie sind anders als in der vorhergehenden Ausführung nicht davon beabstandet, sondern münden in dieser Grabenisolation-Basiswand oder gehen davon unmittelbar aus, ohne einen Abstand.
Eine Isolation zwischen der Grabenisolations-Basiswand und den Grabenisolations-Abschnitten ist also gegeben. Dennoch kann durch die Grabenisolations-Abschnitte und ihre elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte eine Vergrößerung der wirksamen Wandfläche, also eine Volumenerhöhung des leitfähigen Materials erreicht werden. Dabei erstrecken sich die Grabenisolations-Abschnitte bevorzugt in die zweite laterale Richtung und die Grabenisolations-Basiswand in die erste laterale Richtung.
In vorteilhafter Ausführungsform sind die isolierenden Grabenisolations-Abschnitte mit der Grabenisolations-Basiswand funktionell verbunden sein, d.h. die entsprechenden Grabenisolations-Abschnitte sind als isolierendes Material mit der isolierenden Basiswand isoliert verbunden oder gar Bestandteil dieser geworden.
In anderen vorteilhaften Ausführungsformen sind die mehreren Grabenisolations-Abschnitte als Fortsätze der isolierenden Basiswand vorgesehen, wobei in vorteilhaften Varianten (z.B. Anspruch 17, 18) die Fortsätze sich in der zweiten lateralen Richtung, also z.B. quer zur Erstreckungsrichtung der Basiswand erstrecken.
Zumindest eine durchgehend elektrisch leitende Seitenwand ist vorgesehen.
In besonderer Ausführung sind zwei durchgehend elektrisch leitende Seitenwände vorgesehen, weiter bevorzugt je eine an beiden Seiten der Grabenisolations-Basiswand, z.B. Anspruch 16.
Die elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte können wechselnde Richtungen haben, sie erstrecken sich in beiden lateralen Richtungen, bevorzugt abwechselnd auf zumindest einem Längenbereich der zur Orientierung dienenden Grabenisolations-Basiswand, z.B. Anspruch 21.
Die geometrische Ausbildung der elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte kann fingerförmig sein, kann sich über einen längeren Bereich zu einer vereinfachten Mäanderform ergeben, oder eine Kombination dieser beiden Geometrien kann sich entlang der Erstreckung der Grabenisolations-Basiswand ausbilden, z.B. Anspruch 20.
Bei der fingerförmigen Ausbildung und Orientierung, die auch für die Grabenisolation-Abschnitte möglich ist, können benachbarte elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte miteinander verschmelzen, so dass sich bei mehreren solcher Geometrien entlang der globalen Erstreckungsrichtung der Grabenisolations-Basiswand eine kammförmige Ausbildung von isolierenden und nicht isolierenden Abschnitten ergibt.
Die Grabenisolations-Abschnitte können dabei von der Grabenisolations-Basiswand ausgehen und die fingerförmigen elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte von der elektrisch leitenden Seitenwand ausgehen.
In einer noch weiteren eigenständigen Variante werden das erste und das zweite aktive Gebiet entlang der ersten lateralen Richtung voneinander isoliert. Beide aktive Gebiete erstrecken sich in beiden lateralen Richtungen. Diese Ausführung besitzt eine besondere Form der Grabenisolations-Basiswand. Diese erstreckt sich oder verläuft in beide(n) laterale(n) Richtungen, ist aber durchgehend isolierend. Durch die Geometrie der Grabenisolations-Basiswand ergeben sich auch ohne gesonderte Grabenisolations-Abschnitte Richtungen, die in die zweite laterale Richtung verlaufen. An der so geometrisch geformten Grabenisolations-Basiswand ist die zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand angeordnet oder ihr zugeordnet, so dass diese mit der zweiten lateralen Richtung auch Abschnitte erhält, welche in diese Richtung verlaufen, und nicht allein in die erste laterale Richtung, z.B. Anspruch 23.
Damit kann pro gegebener Längeneinheit mehr Wandlänge platziert werden, und wenn der Grabenisolations-Basiswand elektrisch leitende Abschnitte zugeordnet sind, wird auch das Volumen des leitfähigen Materials zunehmen (pro gegebener Längeneinheit).
Durch die Ausbildung der Grabenisolations-Basiswand, die sich abschnittsweise in der ersten und in der zweiten lateralen Richtung erstreckt, bevorzugt abwechselnd, ergibt sich eine vereinfachte Mäanderform der Grabenisolations-Basiswand.
Der Fachmann kann sich die Anordnung in der Aufsicht auch so vorstellen, dass ein geradliniger Abschnitt mit einer Länge, die die Erstreckung der beiden zu isolierenden Gebiete entlang der ersten lateralen Richtung deutlich übersteigt, „so gefaltet ist“, dass schließlich die entstandene Länge der gefalteten Struktur der Länge der Erstreckung entspricht, um die gewünschte oder erforderliche Isolierung zu erhalten. Die „Faltung“ kann dabei im Layout auch so vorgenommen werden, dass eine „verrundete“ Struktur, z.B. in Wellenform, erhalten wird, wobei die Verrundung bei der tatsächlichen Verwirklichung im Halbleitermaterial von den Vorgaben der verwendeten Technologie abhängt.
Trotz der Ausbildung in dieser vereinfachten Mäanderform bewirkt die Grabenisolations-Basiswand eine durchgehende elektrische Isolierung und die elektrisch leitende Seitenwand, die ihrem Verlauf zugeordnet ist, bleibt durchgehend elektrisch leitend. Es fehlen bei dieser Ausführungsform Grabenisolations-Abschnitte, die gesondert vorgesehen sind, also weder solche, die sich an die Grabenisolations-Basiswand anschließen, noch solche, die davon beanstandet diesseits oder jenseits der Grabenisolations-Basiswand platziert sind.
Aufgrund der Geometrie der Grabenisolations-Basiswand und auch der ersten elektrisch leitenden Seitenwand, kann die gegenüberliegende Seite der Grabenisolations-Basiswand eine weitere elektrisch leitende Seitenwand aufnehmen, z.B. Anspruch 27, 28. Der zweiten elektrisch leitenden Seitenwand können elektrisch leitende Fortsätze zugeordnet sein, die von ihr ausgehen oder ihn sie einmünden und in diejenigen Ausformungen der Grabenisolations-Basiswand eingreifen, die aus drei aufeinanderfolgenden Abschnitten der (durchgehenden) Grabenisolations-Basiswand gebildet werden, von denen zwei in die zweite laterale Richtung und einer in die erste laterale Richtung verlaufen.
Die Varianten der Fortsätze (z.B. Anspruch 15) oder der „Faltung“ (z.B. Anspruch 23) verteilen mehr leitfähiges Seitenwandmaterial pro Längenabschnitt des Isolationsgrabens (oder der Grabenisolations-Basiswand). Die Bereitstellung von mehr Volumen erfolgt unmittelbar durch Verbreiterung der elektrisch leitenden Seitenwand (z.B. Anspruch 1). Beide Lösungen, Volumen oder größere (längere) Wand oder Wandfläche pro Längenabschnitt der Grabenisolations-Basiswand erreichen ein Senken des elektrischen Widerstands der Seitenwand (aller ihrer Abschnitte zusammen genommen).
Die entsprechenden Grabenisolationsstrukturen können sich in vorteilhaften Ausführungsformen bis zu einer oder in eine vergrabene Isolationsschicht erstrecken, wie dies für SOI-Architekturen der Fall ist.
Die elektrisch leitenden Seitenflächen und Seitenwand-Abschnitte können sich entsprechend zu einer oder mehreren vergrabenen leitenden Schichten oder Gebieten erstrecken, um damit eine, aufgrund der vergrößerten Gesamtseitenwand, verbesserte Leitfähigkeit bereitzustellen.
In weiteren Aspekten der Offenbarung wird die Herstellung eines Halbleiterbauelements auf der Grundlage eines Layouts einer Grabenisolationsstruktur bereitgestellt. Das Layout der Grabenisolationsstruktur ist dabei so vorgesehen, dass entsprechende Grabenisolations-Abschnitte zusätzlich zu einer in Erstreckungsrichtung der Grabenisolationsstruktur verlaufenden Basiswand bereitgestellt werden. Dadurch wird der Anteil der verfügbaren elektrisch leitenden Seitenwand der Grabenisolationsstruktur vergrößert, sodass damit weitere Funktionen der Grabenisolationsstruktur mit erhöhter Effizienz ausgeführt werden und ein höheres Maß an Flexibilität bei der Gestaltung von Halbleiterbauelementen erreichbar ist, da z.B. eine gute elektrische Anbindung von Bauteilgebieten und tieferliegenden leitenden Schichten bewerkstelligt werden kann, ohne dass zusätzliche niederohmige Verbindungsstrukturen vorzusehen sind. Auf der Grundlage des entsprechenden Layouts wird dann ein Halbleiterbauelement mit geeigneten Mitteln hergestellt, z.B. Anspruch 30.
Weitere vorteilhafte Varianten des Verfahrens zur Herstellung des Halbleiterbauelements auf der Grundlage des Layouts gehen aus den weiteren abhängigen Ansprüchen hervor und ergeben sich auch aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der Figuren.
Die Ausführungsformen der Erfindung sind anhand von Beispielen dargestellt und nicht auf eine Weise, in der Beschränkungen aus den Figuren in die Patentansprüche übertragen oder hineingelesen werden. Gleiche Bezugszeichen in den Figuren geben ähnliche Elemente an.

1 zeigt eine Aufsicht eines konventionellen Bauelements 99 mit konventionellen Grabenisolationsstrukturen 9.
2 zeigt eine schematische Querschnittsansicht des Bauelements 99 mit konventionellem Isolationsgraben 12 mit zwei leitenden Seitenwänden 14.
3 zeigt schematisch eine Aufsicht eines neuen Bauelements 100 bzw. eines Layouts einer Grabenisolationsstruktur 10, in der zusätzliche gestreckte Grabenisolations-Abschnitte 32a zusammen mit einer langgestreckten, durchgehend isolierenden Basiswand 30 vorgesehen sind, um insgesamt die Seitenwand und damit das erreichbare Volumen des leitenden Randes der Grabenisolationsstruktur 10 zu vergrößern. 3a und 3b sind Schnitte entlang Q31 und Q32.
4 zeigt schematisch eine Aufsicht eines weiteren neuen Bauelements bzw. eines Layouts einer Grabenisolationsstruktur 10' in der Aufsicht, wobei gestreckte Grabenisolations-Abschnitte 32b zusätzlich vorgesehen sind, deren jeweilige Haupt-Erstreckungsrichtung L_e quer zur Erstreckungsrichtung der durchgehend isolierenden Basiswand 30 verläuft. 4a und 4b sind Schnitte entlang Q41 und Q42.
5 zeigt schematisch eine Aufsicht bzw. ein Layout eines Halbleiterbauelements 100 mit einer Grabenisolationsstruktur 10*, in welchem eine „vereinfachte mäanderförmige“ Gestalt oder Geometrie der durchgehend isolierenden Basiswand 30 gezeigt ist, so dass insgesamt eine größere Seitenwandfläche (pro Längenabschnitt) erreicht wird.
6 zeigt eine weitere Ausführung 10* in der Aufsicht, wobei insolierende Grabenisolation-Abschnitte 30c und 30d an einer Grabenisolations-Basiswand 30 angeordnet sind und sich als isolierende Fortsätze 30c und 30d der Grabenisolations-Basiswand 30 darstellen. Die Fortsätze verlaufen in einer Richtung quer zur Erstreckungsrichtung der isolierenden Basiswand 30.

Mit Verweis auf die begleitenden Zeichnungen werden nunmehr weitere Details der Erfindungen beschrieben.
Es ist anzumerken, dass in den Figuren durchgängig gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen benannt sind und Elemente, die mit Verweis auf den Stand der Technik beschrieben sind, auch mit gleichen Bezugszeichen in Ausführungsformen der Erfindungen verwendet werden. Eine redundante Beschreibung entsprechender Elemente ist weggelassen. Somit bilden auch die 1 und 2 in Verbindung mit der zugehörigen Beschreibung einen Teil der Offenbarung der Beispiele der Erfindungen der übrigen Figuren.
Es ist anzumerken, dass die Grabenisolations-Basiswand 30 typischerweise ihre Erstreckungsrichtung ändert, beispielsweise parallel zu einer zweiten lateralen Richtung L₂ verläuft, wenn das Gebiet 20 und/oder 22 zu umschließen ist, wie dies beispielsweise in der Aufsicht der 1 gezeigt ist.
3 zeigt eine schematische Aufsicht bzw. ein Layout eines ersten Halbleiterbauelements 100, das in anschaulichen Ausführungsformen Komponenten aufweisen kann, wie sie beispielsweise im Zusammenhang mit den 1 und 2 beschrieben sind. Das Halbleiterbauelement weist z.B. eine Trägerscheibe, z.B. die Trägerscheibe 2, eine vergrabene Isolationsschicht, z.B. die vergrabene Schicht 4 der 2, eine oder mehrere vergrabene dotierte Schichten, z.B. die Schichten 6, 6a der 2, ein „aktives“ Halbleitermaterial, z.B. das aktive Material 8, 8b der 2 auf, wenn z.B. das Halbleiterbauelement in Form einer SOI-Architektur vorzusehen ist, wie dies auch zuvor beschrieben ist.
Des Weiteren sind in dem Halbleiterbauelement 100 ein erstes aktives Bauteilgebiet 20 und ein zweites aktives Gebiet 22 so vorgesehen, dass sie sich abschnittsweise entlang einer ersten lateralen Richtung L₁ erstrecken und von einer Grabenisolationsstruktur 10 entlang ihrer Erstreckung in der ersten lateralen Richtung L₁ elektrisch isoliert sind.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel enthält das erste Bauteilgebiet 20 eine oder mehrere Halbleiterkomponenten 20a, z.B. einen oder mehrere Transistoren, Dioden oder andere aktive Elemente, während das zweite aktive Gebiet 22 ein aktives Gebiet ohne Halbleiterkomponenten darstellt. In anderen Fällen kann auch das zweite aktive Gebiet 22 eine oder mehrere aktive Halbleiterelemente oder -Komponenten aufweisen.
Die Grabenisolationsstruktur 10 umfasst eine Grabenisolations-Basiswand 30, die in Form eines isolierenden Materials, z.B. in Form von Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, und dergleichen, vorgesehen ist und als ein durchgehendes, langgestrecktes Element gestaltet ist, dessen Erstreckungsrichtung L_e parallel zu der ersten lateralen Richtung L₁ verläuft. Die Basiswand 30 hat zwei Funktionen: Zum einen bewirkt sie eine elektrische Isolierung der entsprechenden Abschnitte der aktiven Gebiete 20 und 22 entlang der ersten lateralen Richtung L₁, zum anderen erlaubt sie eine elektrische Verbindung zu tieferliegender Schichten, z.B. zu der Schichten 6 (als 6a und 6b) der 2, durch das Vorsehen elektrisch leitender Seitenwände 14, 14'.
Es ist erneut anzumerken, dass die Grabenisolations-Basiswand 30 ihre Erstreckungsrichtung ändert, beispielsweise in parallel zu der zweiten lateralen Richtung L₂, wenn das Gebiet 20 und/oder 22 zu umschließen ist, wie dies beispielsweise in der Aufsicht der 1 gezeigt wurde.
Die vorhergehenden sowie die nachfolgenden Betrachtungen gelten jeweils für eine Basiswand 30, die sich in einer einzelnen Richtung erstreckt. D.h., wenn eine im Wesentlichen rechteckige Gesamtstruktur betrachtet wird, gelten die Ausführungen dieser Offenbarung für jede „Seitenkante“ des durch Grabenisolation begrenzten Rechtecks 9 (jeweils von Ecke zur Ecke).
Die Grabenisolations-Basiswand 30 weist auf Seite des zweiten Bauteilgebiets 22 eine entsprechend zugeordnete erste elektrisch leitende Seitenwand 14 auf, die in der gezeigten Ausführungsform ein leitfähiges Material enthält, z.B. dotiertes Halbleitermaterial, metall-enthaltendes Material, oder dergleichen.
In einer Ausführungsvariante kann die elektrisch leitende Seitenwand 14 auf Seite des Bauteilgebiets 22 eine leitende Verbindung zu einer vergrabenen Schicht in dem Bauteilgebiet 22 herstellen, welche die Eigenschaften einer konventionellen leitfähigen Verbindung hat. Die entsprechende Verbindung zu einer vergrabenen leitenden Schicht ist dann relativ unabhängig von einem Vorhandensein eines niederohmigen Anschlusses, da z.B. keine funktionalen Komponenten in dem aktiven Gebiet 22 vorhanden sind. Daher kann dieser Bereich des konventionellen Aufbaus im Hinblick auf die isolierende Wand 30 und die hier auch angeordnete elektrisch leitende Seitenwand 14 durchaus geeignet sein.
Andererseits kann beispielsweise auf Seite des Bauteilgebiets 20 eine leitende Verbindung hergestellt werden, z.B. zu einer vergrabenen Schicht 6a, die zusätzlich zu der „konventionellen“ leitfähigen Seitenwand 14' durch eine Vergrößerung des leitenden Materials zu einer höheren Leitfähigkeit führt. Dies wird durch die Bereitstellung der Grabenisolations-Abschnitte 32a erreicht, da ihnen zugeordnete leitende Seitenwand-Abschnitte 14a zusätzlich zu der durchgehenden leitenden Seitenwand 14' geschaffen werden, indem eben die Abschnitte 32a als „inselartige Grabenisolations-Abschnitte“ bereitgestellt werden, sodass zusätzlich zu der leitenden Seitenwand 14' an der Grabenisolations-Basiswand 30 auf einer Seite des aktiven Gebiets 20 die weiteren Seitenwandstücke 14a, eines jeweils zwischen zwei benachbarten inselartigen Grabenisolations-Abschnitten, zu einer deutlich vergrößerten (verdickten) Gesamtseitenwand und damit zu einem größeren Volumen des zugehörigen leitenden Materials beitragen.
Entsprechend reduziert sich auch der Widerstand in vertikaler Richtung nach unten in die Tiefe, z.B. zur leitenden vergrabenen Schicht 6a.
Am im Bild linken Rand ist eine weitere durchgehende leitende Seitenwand 14" vorgesehen.
Es entstehen hier drei parallele Wände seitlich der Grabenisolations-Basiswand 30, zwei durchgehende leitende Seitenwände 14' und 14" und dazwischen eine abschnittsweise leitende Wand aus den Grabenisolations-Abschnitten 32a und den elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten 14a. Die Erstreckungsrichtung dieser gemischten Wand ist L_e.
In der dargestellten Ausführungsform sind die Grabenisolations-Abschnitte 32a als gestreckte Elemente vorgesehen, deren Erstreckungsrichtung (oder Orientierung) mit L_e parallel zu der ersten lateralen Richtung L₁ verläuft.
Obwohl die Grabenisolations-Abschnitte 32a prinzipiell mit der Basiswand 30 verbunden sein könnten, wie dies auch nachfolgend in anderen Ausführungsvarianten beschrieben ist, ist die von der Basiswand 30 beabstandete Anordnung der inselartigen Abschnitte 32a besonders vorteilhaft, da somit die gesamte funktionelle Seitenwand 14a, 14' und 14", also auch der, der isolierenden Basiswand zugewandte und abgewandte Leitbereich, zur Aufnahme leitenden Materials verfügbar ist.
Die Vergrößerung des Volumens des leitenden Materials der elektrisch leitenden Seitenwand ist ersichtlich. Funktionell ist die elektrisch leitende Seitenwand mit 14 in allen Ausführungsbeispielen umschrieben, in dem Beispiel der 3 besteht beidseits der isolierenden Basiswand 30 je eine elektrisch leitende Seitenwand 14 und 14'.
Die elektrisch leitende Seitenwand 14' ist wiederrum nur ein Abschnitt der weiteren sich auf dieser Seite anschließenden elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte 14a und der weiteren Seitenwand 14". Die Seitenwand-Abschnitte 14a sind zwischen den von sich selbst und mit Abstand a von der Basiswand 30 beabstandeten Grabenisolations-Abschnitten 32a gelegen, und es schließt sich, abgewandt von der isolierenden Basiswand 30 die weitere elektrisch leitende Seitenwand 14" an.
Die einzelnen Komponenten 14', 14" und 14a ergeben funktionell eine elektrisch leitende Seitenwand mit großem Volumen, oder wenn es von der Fläche der 3 betrachtet wird, mit einer großen Wandfläche (im horizontalen Schnitt betrachtet).
Die beiden Schnitte der 3a und 3b zeigen die beiden vertikalen Schnittebenen Q₃₁ und Q₃₂ der 3. Der Unterschied dieser dargestellten Schnitte ist das Vorhandensein eines Grabenisolations-Abschnitts 32a in 3a und keines solchen Abschnitts 32a, wenn der leitende Seitenwand-Abschnitt 14a im Schnitt dargestellt wird. Sichtbar ist in beiden Figuren die elektrisch leitende, vergrabene Schicht 6a (links) und im rechten aktiven Gebiet 22 die vergrabene leitende Schicht 6.
Erwähnt werden soll in 3 der Abstand a, der sich zwischen der Grabenisolations-Basiswand 30 und den Grabenisolations-Abschnitten 32a in lateraler Richtung L₂ ergibt.
4 zeigt eine weitere Ausführungsvariante, in der eine Grabenisolationsstruktur 10' die Grabenisolations-Basiswand 30 aufweist, die ebenso wie in der Ausführung der 3 geeignet ist, die elektrische Isolierung zwischen dem ersten aktiven Bauteilgebiet 20 und dem zweiten aktiven Gebiet 22 zu ermöglichen.
Die hier vorgesehenen Grabenisolations-Abschnitte 32b sind so angeordnet, dass sich ein hohes Maß an Flexibilität bei der Vergrößerung der resultierenden Gesamtseitenwand ergibt.
In der dargestellten Ausführung sind die Grabenisolations-Abschnitte 32b als gestreckte Abschnitte vorgesehen, also rechteckig. Die Erstreckungsrichtung oder Orientierung L_e der Haupterstreckung verläuft in der zweiten lateralen Richtung L₂. Die Grabenisolations-Abschnitte 32b können dadurch in ihrer Länge variabel gestaltet werden, wohingegen ein minimaler Abstand entlang der ersten lateralen Richtung L₁ beibehalten werden kann. Bei gegebenen minimalen Abstand zwischen den jeweilig benachbarten Abschnitten 32b, der typischerweise durch technologische oder prozesstechnische Gegebenheiten nicht unterschritten werden kann, kann eine Vergrößerung der elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte 14b dadurch erreicht werden, dass eine Länge in der zweiten lateralen Richtung L₂ vergrößert wird (als Haupt-Erstreckungsrichtung), sodass eine gewünschte Verdickung der Gesamtseitenwand (im dargestellten Schnitt als Aufsicht) und damit das entsprechend erhöhte Volumen der Gesamtseitenwand erhalten wird.
Wie auch in 3, sind in Erstreckungsrichtung der Grabenisolations-Basiswand 30 drei elektrisch leitende Seitenwände vorgesehen: Beidseits der Basiswand 30 die elektrisch leitenden Seitenwände 14' und 14 und abgewendet (entfernt) von der Basiswand 30 die äußere elektrisch leitende Seitenwand, die hier auch eine durchgehend verlaufende Seitenwand 14" ist. Zwischen den elektrisch leitenden Seitenwänden 14' und 14" erstrecken sich die leitenden Seitenwand-Abschnitte 14b, zwischen jeweils benachbarten aber beabstandeten Grabenisolations-Abschnitten 32b, die ihrerseits einen Abstand b von der Grabenisolations-Basiswand 30 halten.
Auch hier ist, wie in 3, mit zwei vertikalen Schnitten Q₄₁ und Q₄₂ in den 4a und 4b gezeigt, wie sich der Aufbau der Grabenisolationsstruktur in der Richtung L₂ gestaltet.
Funktionell ist der gesamte Bereich links von der isolierenden Basiswand 30 die elektrisch leitende Seitenwand, die in der Ansicht der 4 (von oben) auch als mit einer „Wandgrundfläche“ versehen erklärt werden kann, obwohl die Wandfläche der Seitenwand eher vertikal orientiert betrachtet werden würde. Es ist dann die Boden- oder eine horizontale Schnittfläche der Gesamtseitenwand, die sich durch die Ausbildung der 4 erheblich vergrößert, wie auch das zugehörige Volumen sich in der dreidimensionalen Betrachtung entsprechend vergrößert.
In einer nicht gesondert dargestellten Ausführung sind die Beispiele der 3 und 4 gemischt, also haben die mehreren Grabenisolations-Abschnitte gestreckte Abschnitte 32a und 32b, die sich mit ihrer Haupt-Erstreckungsrichtung L_e sowohl entlang der ersten lateralen Richtung L₁ als auch entlang einer zweiten lateralen Richtung L₂ erstrecken, wobei die zweite laterale Richtung L₂ sich von der ersten lateralen Richtung unterscheidet. Dies kann in Gruppen wechseln, oder laufend mit jedem Grabenisolations-Abschnitt abwechselnd erfolgen.
Den mehreren Grabenisolations-Abschnitten 32a,32b sind elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte 14b zugeordnet.
Jeweils ein Grabenisolations-Abschnitt wird umschlossen von zwei Abschnitten der elektrisch leitenden Seitenwände 14',14" und von je zwei elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten 14a oder 14b, zur Bildung der erweiterten elektrisch leitenden Seitenwand
5 zeigt schematisch eine Aufsicht bzw. ein Layout des Halbleiterbauelements 100 in einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform, in der eine Grabenisolationsstruktur 10" verwendet wird. Die Grabenisolations-Abschnitte werden Bestandteil der Grabenisolations-Basiswand 30, oder anders betrachtet fallen die Grabenisolations-Abschnitte weg und die Grabenisolations-Basiswand wechselt ihre Richtungen in Abschnitten. Die Grabenisolations-Basiswand 30 erstreckt sich weiterhin durchgehend, aber in wechselnder Richtung, insbesondere abschnittsweise oder abwechselnd.
Der Grabenisolations-Basiswand 30 ist eine, bevorzugt zwei elektrisch leitende Seitenwände zugeordnet, z.B. eine elektrisch leitende Seitenwand 14, welche geradlinig verläuft, und eine weitere elektrisch leitende Seitenwand 14e, welche den wechselnden Richtungen der Grabenisolations-Basiswand 30 folgt.
Im Beispiel sind die wechselnden Richtungen die beiden lateralen Richtungen L₁ und L₂. In 5 ist links ein U ausgebildet aus den Abschnitten 30", 30' und 30" der Grabenisolations-Basiswand 30, und dem folgend ein U aus elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten 14e", 14e' und 14e". Ein invertiertes U kann sich anschließen, und mehrere dieser Geometiren können sich in der lateralen Richtung L₁ anschließen.
Die in 5 gezeigte Anordnung lässt sich auch so beschreiben, dass ein „ursprünglich“ geradliniger Abschnitt 30 entsprechend gefaltet wird, sodass sich dieser vereinfachte mäanderförmige Verlauf aus gegeneinander gerichteten U-Elementen ergibt.
Die Struktur des vereinfachten Mäanders bzw. die Längen der Abschnitte 30' und 30" können dabei so gewählt werden, dass aufgrund der Prozessierung zur Herstellung der leitfähigen Seitenwandgebiete entsprechende Bereiche 14g der elektrisch leitenden Seitenwand „zusammenwachsen“, sodass auf Seite des zweiten Bauteilgebiets 22 ein mehr oder minder geradliniger (rechter) Rand mit entsprechenden Fingern 14g als elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte erhalten werden, während andererseits auf Seite des ersten Bauteilgebiets 20 die vereinfachte Mäanderform beibehalten wird.
Die zweite elektrisch leitende Seitenwand 14 kann elektrisch leitende Fortsätze 14g aufweisen, die von der zweiten elektrisch leitenden Seitenwand ausgehen und sich in die zweite laterale Richtung (L₂) erstrecken. Sie greifen in das jeweils nach rechts offene U des vereinfachten Mäanders ein.
In anderen Ausführungsvarianten, die nicht gezeigt sind, können die Abschnitte 30' und die Abschnitte 30" unter anderen Winkeln vorgesehen sein, sodass sich beispielsweise eine Zick-Zack-Anordnung ergibt, in der jeweils ein erster Abschnitt und ein zweiter Abschnitt unter einem spitzen Winkel miteinander verbunden sind. In wieder anderen Ausführungsformen können die Abschnitte 30' und 30" zusammen als abgerundete oder verrundete Komponenten so vorgesehen sein, dass sich eine nahezu wellenförmige Gestaltung der Grabenisolations-Basiswand 30 in Verbindung mit seinen Abschnitten 30' und 30" ergibt. In jedem Falle wird eine deutlich vergrößerte elektrisch leitende Seitenwand erhalten, dies im Vergleich zu der in 1 dargestellten konventionellen Anordnung mit den zwei Seitenwänden 14.
6 zeigt eine weitere Anordnung des Halbleiterbauelements 100 mit einer Grabenisolationsstruktur 10*, wobei die Grabenisolations-Basiswand 30 isolierende Fortsätze 30c und 30d hat, die in der dargestellten Ausführungsform als gestreckte Grabenisolations-Abschnitte ausgeführt sind, zu beiden Seiten hin, und jeweils mit der Grabenisolations-Basiswand 30 isolierend verbunden sind, also an ihr anschließen oder in sie einmünden.
Es sind zwei elektrisch leitende Seitenwände 14c und 14d vorgesehen, die abschnittsweise wechselnde Richtungen haben können, wie bei den ersten Fingern 30c, 30d von unten zu sehen ist. Elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte 14c',14c",14c' oder 14d',14d",14d' umgreifen die ersten von der isolierenden Basiswand weg ragende Finger 30c, 30d.
Der Abstand der jeweiligen Abschnitte 30d in der ersten lateralen Richtung L₁ kann dabei so festgelegt werden, dass sich beispielsweise elektrisch leitende Seitenwandstücke 14d* ergeben, die verschmelzen oder kombinieren. Es entsteht dabei ein entsprechend längerer gerader Abschnitt 14d' als elektrisch leitende Seitenwand.
Bei größer gewählten Abständen ergeben sich elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte, die dem äußeren Verlauf der jeweiligen Abschnitte (den abragenden Fingern) 30c nachgeführt sind, wie dies beispielsweise durchgehend auf der Seite des ersten Bauteilgebiets 20 dargestellt ist. Rechts beim aktiven Gebiet 22 ist eine Kammform 14d', 14d* gezeigt, aus elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten und Grabenisolations-Abschnitten.
Diese Geometrien können auch aufeinander folgen, rechts unten mit Grabenisolations-Abschnitt 30d und den elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten 14d',14d",14d' dargestellt. Ebenso links unten mit Grabenisolations-Abschnitt 30c und den elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten 14c',14c",14c'.
Selbstverständlich können zwei oder mehrere der zuvor dargestellten geometrischen Anordnungen im Layout der Grabenisolationsstruktur 10 kombiniert werden, auch links und rechts. Jedoch bieten die zuvor gezeigten Varianten eine einfach umzusetzende geometrische Form im Layout, die sich dann auch effizient in das Halbleitermaterial bei Anwendung bekannter Prozesse übertragen lässt.
Die Herstellung der zuvor dargestellten Halbleiterbauelemente 100 wird dabei bewerkstelligt, indem zunächst ein geeignetes Layout für die Grabenisolationsstruktur 10 hergestellt bzw. bereitgestellt wird, in der generell eine vergrößerte elektrisch leitende Seitenwand mit der Grabenisolationsstruktur ermöglicht wird.
Auf der Grundlage dieses Layouts können entsprechende Lithographiemasken erstellt werden, um entsprechende Gräben durch bekannte Verfahren herzustellen. Nach Aufbringen einer geeigneten Lithographiemaske auf das Halbleitermaterial, z.B. eine siliziumbasierte Scheibe, wobei die Maske im Wesentlichen das zuvor erstellte Layout nachbildet, werden entsprechende Gräben in das Substratmaterial geätzt, z.B. ein Siliziummaterial oder ein anderes geeignetes Halbleitermaterial, die sich bis zu einer gewünschten Tiefe, beispielsweise bis zu oder in oder durch eine vergrabene Isolationsschicht erstrecken.
Durch die Ätzung entstehen die entsprechenden Seitenwände mit der vergrößerten Umrisslänge und damit - abhängig von der Tiefe - vergrößertem Volumen, das eine entsprechend reduzierte Leitfähigkeit erhalten soll. Wie zuvor erläutert, wird diesbezüglich in einigen Ausführungsformen eine Schicht aus geeignetem Material oder Materialien, z.B. einem Isolationsmaterial, mit geeigneter Schichtdicke und mit einer hohen Dotierstoffkonzentration abgeschieden, sodass die zuvor gebildeten Gräben entsprechend ausgekleidet werden. Unerwünschtes Material der Schicht am Grabenboden kann durch anisotrope Ätzung entfernt werden. In gleicher Weise kann das Material außerhalb Gräben abgetragen werden.
Nach der Abscheidung des dotierten Materials wird an einer geeigneten Stelle des Gesamtprozesses eine entsprechende Wärmebehandlung mit Parametern ausgeführt, die in Übereinstimmung mit dem Temperatur-Zeit-Budget sind, sodass eine entsprechende Eindringtiefe der Dotierstoffe und eine entsprechende Dotierstoffkonzentration erhalten werden.
Im Gegensatz zur konventionellen Strategie wird aufgrund der größeren Gesamtseitenwand eine größere Menge an leitendem Material für das Erreichen einer erhöhten Leitfähigkeit bei ansonsten gleichen Prozessparametern für die Diffusion geschaffen. Gleiches gilt, wenn Leitfähigkeit durch die Implantation von Ionen in die offen liegenden Gräben erreicht wird. D.h., unter Verwendung geeigneter Implantationsparameter in Form von Dosis und Winkel, die, wie zuvor erläutert ist, gewissen Einschränkungen unterliegen, kann eine entsprechende Dotierung erreicht werden, wobei auch hier wiederum die vergrößerte Gesamtseitenwand mit einem größeren Volumen des entstehenden leitenden Materials beiträgt.
Durch die größere Seitenwand und damit das vergrößerte Volumen des leitfähigen Materials in der jeweiligen Grabenisolationsstruktur 10 (auch: Isolationsgrabenstruktur) kann somit ein hochwertiger, im Sinne von niederohmiger Anschluss zu vergrabenen leitenden Schichten oder dotierten Halbleiterschichten hergestellt werden. Dabei ist der zusätzliche „Flächenverbrauch“ aufgrund der neuen Geometrie der Grabenisolationsstruktur vernachlässigbar oder zumindest deutlich kleiner im Vergleich zu dem Aufwand, der erforderlich wäre, eine entsprechende niederohmige Anbindung von vergrabenen Schichten durch speziell dafür eingerichtete Verbindungsstrukturen zu schaffen. Ferner werden durch die Gestaltung der Grabenisolationsstrukturen keine zusätzlichen Prozessschritte erforderlich im Vergleich zu den konventionellen Strategien, wie sie beispielsweise in Verbindung mit 2 beschrieben sind, so dass ein hohes Maß an Kompatibilität zu bestehenden Prozessen beibehalten wird, während andererseits lediglich durch die Anpassung des Layouts der Grabenisolationsstruktur ein hohes Maß an Flexibilität für die Einstellung der gewünschten Leitfähigkeit erreicht wird.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 5734192 A [0013]
US 6394638 B1 [0013]
US 9385190 B2 [0013]
US 5283461 [0013]
US 4676847 [0014]
US 5013673 [0015]
US 5047359 [0015]
US 6509240 [0015]

Claims

Halbleiterbauelement mit einem ersten aktiven Bauteilgebiet (20) und mit einem zweiten aktiven Gebiet (22), wobei das erste aktive Bauteilgebiet (20) und das zweite aktive Gebiet (22) sich flächig und dabei entlang einer ersten lateralen Richtung (L₁) und einer davon abweichenden, zweiten lateralen Richtung (L₂) erstrecken; und mit - einer Grabenisolationsstruktur (10,10'), die das erste aktive Bauteilgebiet (20) von dem zweiten aktiven Gebiet (22) entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) elektrisch isoliert und zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand (14,14',14") aufweist; wobei die Grabenisolationsstruktur (10) aufweist - eine sich durchgehend isolierend erstreckende Grabenisolations-Basiswand (30); - und mehrere voneinander beabstandete Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) mit dazwischen gelegenen elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten (14a,14b); - wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) und die elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitte (14a,14b) von der Basiswand (30) beabstandet sind (a,b).
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte gestreckte Abschnitte (32a) sind, die sich mit einer Haupt-Erstreckungsrichtung (L_e) entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) erstrecken.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte gestreckte Abschnitte (32b) sind, die sich mit einer Haupt-Erstreckungsrichtung (L_e) in der zweiten lateralen Richtung (L₂) erstrecken.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte gestreckte Abschnitte (32a,32b) sind, die sich mit ihrer Haupt-Erstreckungsrichtung (L_e) sowohl entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) als auch entlang einer zweiten lateralen Richtung (L₂) erstrecken, wobei die zweite laterale Richtung (L₂) sich von der ersten lateralen Richtung unterscheidet.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) von elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten und Abschnitten der elektrisch leitenden Seitenwände (14',14",14a,14b) umschlossen sind, zur Bildung einer erweiterten elektrisch leitenden Seitenwand.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die gestreckten Abschnitte (32a,32b) zumindest auf einer Seite des ersten aktiven Bauteilgebiets (20) ausgebildet sind und das erste Bauteilgebiet zumindest eine zu isolierende Halbleiterkomponente (20a) aufweist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch leitenden Seitenwände und Seitenwand-Abschnitte (14,14',14",14a, 14b) dotiertes Halbleitermaterial aufweisen.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die elektrisch leitenden Seitenwände und Seitenwand-Abschnitte metall-enthaltendes Material aufweisen.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Grabenisolationsstruktur (10,10') in einer Tiefenrichtung bis zu einer vergrabenen Isolationsschicht (4) ausgebildet ist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine oder mehrere der leitenden Seitenwände und einer oder mehrere der leitenden Seitenwand-Abschnitte auf Seite des ersten aktiven Bauteilgebiets (20) mit einer ersten vergrabenen, leitenden Schicht (6a) in dem ersten Bauteilgebiet verbunden sind.
Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine oder mehrere der leitenden Seitenwände und einer oder mehrere der leitenden Seitenwand-Abschnitte auf einer Seite des zweiten aktiven Gebiets (22) mit einer zweiten vergrabenen leitenden Schicht (6) in dem zweiten aktiven Gebiet verbunden sind.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, wobei das zweite aktive Gebiet (22) auch ein aktives Bauteilgebiet ist.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche, wobei sich die Grabenisolations-Basiswand (30) abschnittsweise in der ersten lateralen Richtung (L₁) und in der zweiten lateralen Richtung (L₂) erstreckt.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 2 bis 13, wobei die gestreckten Grabenisolations-Abschnitte (32a,32b) rechteckig ausgebildet sind.
Halbleiterbauelement mit einem ersten aktiven Bauteilgebiet (20) und mit einem zweiten aktiven Gebiet (22), wobei das erste aktive Bauteilgebiet (20) und das zweite aktive Gebiet (22) sich entlang zweier lateraler Richtungen (L₁,L₂) erstrecken; und mit - einer Grabenisolationsstruktur (10*), die das erste aktive Bauteilgebiet (20) von dem zweiten aktiven Gebiet (22) entlang einer ersten (L₁) der beiden lateralen Richtungen elektrisch isoliert und zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand (14c,14d) aufweist; - wobei die Grabenisolationsstruktur (10*) weiter aufweist -- eine sich in der ersten lateralen Richtung (L₁) erstreckende Grabenisolations-Basiswand (30); -- und mehrere Grabenisolations-Abschnitte (30c, 30d) mit zugeordneten elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten (14c',14c",14d',14d"); -- wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte an der Grabenisolations-Basiswand (30) anschließen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei die Grabenisolationsstruktur (10*), welche das erste Bauteilgebiet (20) von dem zweiten aktiven Gebiet (22) entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) elektrisch isoliert, zwei durchgehend elektrisch leitende Seitenwände (14c,14d) aufweist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 15, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte (32c,32c;32d,32d) sich beidseits an der Grabenisolations-Basiswand (30) anschließen.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 15 oder 16, wobei die mehreren Grabenisolations-Abschnitte (32c,32d) sich an der Grabenisolations-Basiswand (30) einseitig anschließen.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 15 bis 18, wobei elektrisch leitende Seitenwand-Abschnitte (14d") von benachbarten Grabenisolations-Abschnitten (30d,30d) zu einem gemeinsamen Seitenwandabschnitt (14d*) verschmolzen sind oder kombinieren.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 15 bis 19, wobei die elektrisch leitenden Seitenwandabschnitte (14c",14d") - an den Grabenisolations-Abschnitten (32c,32d) fingerförmig in die zweite der beiden lateraler Richtungen (L₁,L₂) ragen; oder - sich zu einer leitfähigen vereinfachten Mäanderstruktur (14c',14c",14c') ergänzen; oder - zu einer Kombination aus beiden in einer Erstreckungsrichtung der Grabenisolations-Basiswand (30) ausbilden.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 15 bis 20, wobei die elektrisch leitenden Seitenwandabschnitte (14c',14c",14c') zumindest bereichweise abwechselnd in beide laterale Richtungen (L₁,L₂) verlaufen.
Halbleiterbauelement nach einem der vorigen Ansprüche 15 bis 21, wobei die Grabenisolations-Abschnitte (30c,30d) als Fortsätze der Grabenisolations-Basiswand (30) ausgebildet sind.
Halbleiterbauelement mit einem ersten aktiven Bauteilgebiet (20) und mit einem zweiten aktiven Gebiet (22), wobei das erste aktive Bauteilgebiet (20) und das zweite aktive Gebiet (22) sich entlang einer ersten lateralen Richtung (L₁) und entlang einer zweiten lateralen Richtung (L₂) erstrecken; und mit - einer Grabenisolationsstruktur (10"), die das erste aktive Bauteilgebiet (20) von dem zweiten aktiven Gebiet (22) entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) elektrisch isoliert und zumindest eine elektrisch leitende Seitenwand (14e,14) aufweist; - wobei die Grabenisolationsstruktur (10") weiter aufweist -- eine sich abschnittsweise in der ersten lateralen Richtung (L₁) und abschnittsweise in der zweiten lateralen Richtung (L₂) erstreckende Grabenisolations-Basiswand (30;30',30"); - wobei die elektrisch leitende Seitenwand (14e) Abschnitte aufweist, die sich entlang der ersten lateralen Richtung (L₁) und der zweiten lateralen Richtung (L₂) erstrecken.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 23, wobei sich durch die unterschiedlichen Richtungen für die Grabenisolations-Basiswand (30;30',30") eine vereinfachte Mäanderform aus gegeneinander gestellten U-Formen ergibt oder diese eine solche Geometrie erhält, und die Grabenisolations-Basiswand (30) die aktiven Gebiete (20,22) durchgehend voneinander isoliert.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 23 oder 24, wobei die Grabenisolations-Basiswand (30) eine durchgehende Isolation bewirkt und die elektrisch leitende Seitenwand (14e) durchgehend leitend ist.
Halbleiterbauelement einem der vorigen Ansprüche, wobei die Grabenisolationsstruktur (10") eine zweite durchgehende, elektrisch leitende Seitenwand (14) aufweist, die sich in der ersten lateralen Richtung (L₁) erstreckt.
Halbleiterbauelement Anspruch 26, wobei die zweite elektrisch leitende Seitenwand (14) auf einer anderen Seite der Grabenisolations-Basiswand (30) angeordnet ist.
Halbleiterbauelement Anspruch 27, wobei die zweite elektrisch leitende Seitenwand (14) elektrisch leitende Fortsätze (14g) aufweist, die von der zweiten elektrisch leitenden Seitenwand ausgehen und sich in die zweite laterale Richtung (L₂) erstrecken.
Halbleiterbauelement nach vorigem Anspruch 28, wobei die zweite elektrisch leitende Seitenwand (14) einen von der Grabeninsolations-Basiswand (30) weg weisenden geraden Rand aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelement, mit folgenden Schritten - Bereitstellen eines Layouts einer ein erstes aktives Bauteilgebiet von einem zweiten aktiven Gebiet (20,22) elektrisch isolierenden Grabenisolationsstruktur (10, 10'); - wobei eine gesamte elektrisch leitende Seitenwand der Grabenisolationsstruktur durch Vorsehen von Isolationsgraben-Abschnitten (32a;32b;30c,30d) mit elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten (14a,14b,14c") vergrößert oder verlängert wird, zusätzlich zu einer in Erstreckungsrichtung der Grabenisolationsstruktur (10, 10') verlaufenden Isolationsgraben-Basiswand (30); - Herstellen des Halbleiterbauelements unter Verwendung des erstellen Layouts.
Verfahren nach Anspruch 30, wobei in dem Layout die Isolationsgraben-Abschnitte so vorgesehen werden, dass zumindest einige Isolationsgraben-Abschnitte von der Basiswand durch leitende Seitenwand-Abschnitte oder eine leitende Seitenwand (14') beabstandet werden.
Verfahren nach Anspruch 30 oder 31, wobei in dem Layout die Isolationsgraben-Basiswand als eine aus geradlinigen Stücken aufgebaute, das erste Bauteilgebiet umschließende, isolierende Grabenwand vorgesehen wird und die Isolationsgraben-Abschnitte zumindest auf einer Seite des ersten aktiven Bauteilgebiets (20) angeordnet werden.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche30 ff, wobei die Isolationsgraben-Abschnitte als gestreckte Elemente mit einer Haupt-Erstreckungsrichtung vorgesehen werden, und ihre Orientierung quer zu einer Erstreckungsrichtung der Isolationsgraben-Basiswand (30) verläuft.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche 30 ff, wobei die Isolationsgraben-Abschnitte als gestreckte Elemente mit einer Haupt-Erstreckungsrichtung vorgesehen werden, und ihre Orientierung parallel zu einer Erstreckungsrichtung der Isolationsgraben-Basiswand (30) verläuft.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche 30 ff, wobei in dem Layout die Isolationsgraben-Abschnitte (30c,30d) so vorgesehen werden, dass zumindest einige Isolationsgraben-Abschnitte mit der Isolationsgraben-Basiswand (30) über ein Isolationsmaterial verbunden sind.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche 30 ff, wobei zumindest einige Isolationsgraben-Abschnitte als Fortsätze (30c,30d) der Isolationsgraben-Basiswand (30) gestaltet werden, mit welcher die zumindest einigen Isolationsgraben-Abschnitte isolierend verbunden sind.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche 30 ff, wobei die Herstellung so erfolgt, dass eine gesamte elektrisch leitende Seitenwand mit elektrisch leitenden Seitenwand-Abschnitten als elektrisch leitendes Volumen erzeugt wird.
Verfahren nach einem der vorigen Ansprüche 30 ff, wobei die Herstellung so erfolgt, dass eine vergrabene isolierende Schicht (4) unter dem ersten aktiven Bauteilgebiet (20) und/oder unter dem zweiten aktiven Gebiet (22) ein unteres Ende des elektrisch leitenden Volumens berührt.