DE102018130139A1 - Gas inlet device for a CVD reactor - Google Patents

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Marcel Kollberg
Francisco Ruda Y Witt
Merim Mukinovic
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind. Erfindungsgemäß befindet sich zwischen der Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) und der Gasverteilwand (6) eine Strömungsbarriere. Ferner ist vorgesehen, dass die Gaseinlassvorrichtung aus mehreren scheibenförmigen Gasverteilkörpern (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) besteht, die übereinander angeordnet sind.The invention relates to a gas inlet device for a CVD reactor (1) with a gas inlet element (3) which can be fastened to a gas supply line (5) and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each having a gas distribution wall (6) with gas outlet openings (7) One of the gas distribution chambers (8) surrounded by the gas distribution wall (6) is connected to the flow, a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) with an opening (10) opening into the gas distribution chamber (8) and the gas distribution chambers (8) being different Gas distribution levels are separated by a partition (11). According to the invention, there is a flow barrier between the mouth (10) of the gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) and the gas distribution wall (6). It is also provided that the gas inlet device consists of a plurality of disk-shaped gas distribution bodies (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) which are arranged one above the other.

Description

Gebiet der TechnikTechnical field

Die Erfindung betrifft einen Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor mit einem an einem Gaszuleitungen aufweisenden Befestigungsabschnitt befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand mit Gasaustrittsöffnungen aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand umgebenen Gasverteilkammern strömungsverbunden ist, wobei in die Gasverteilkammer ein Gaseinlasskanal mündet und die Gasverteilkammern der Gasverteilniveaus durch Trennböden voneinander getrennt sind, wobei die Gaseinlasskanäle insbesondere in einem säulenförmigen Zentralabschnitt des Gaseinlassorganes angeordnet sind.The invention relates to a gas inlet device for a CVD reactor with a gas inlet member which can be fastened to a fastening section having gas supply lines and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each of which has a gas distribution wall with gas outlet openings which is flow-connected to a gas distribution chamber surrounded by the gas distribution wall, a gas inlet channel in the gas distribution chamber opens and the gas distribution chambers of the gas distribution levels are separated from one another by partition plates, the gas inlet channels being arranged in particular in a columnar central section of the gas inlet member.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen mit einer derartigen Gaseinlassvorrichtung versehenen CVD-Reaktor.The invention also relates to a CVD reactor provided with such a gas inlet device.

Stand der TechnikState of the art

Ein Gaseinlassorgan aus Quarz wird in der DE 10 2008 055 582 A1 beschrieben. Das dort beschriebene Gaseinlassorgan besitzt einen Zentralkörper, der um eine Figurenachse des Gaseinlassorganes angeordnet ist. In dem Zentralbereich des Gaseinlassorgans erstrecken sich mehrere, konzentrisch zueinander angeordnete Gaseinlasskanäle, die in sich über eine gesamte Umfangslänge erstreckende Mündungen münden. An die Mündungen der Gaseinlasskanäle schließen sich ringförmig den zentralen Abschnitt umgebende Gasverteilkammern an, die durch Trennböden in mehrere übereinander angeordnete Gasverteilniveaus getrennt sind. Der radial äußere Rand jedes der Gasverteilkammern ist von einer Gasverteilwand umgeben, die eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen aufweisen, die in Gasaustrittsöffnungen münden, durch die Prozessgase in eine Prozesskammer eines CVD-Reaktors eingespeist werden können. In jede der mehreren Gasverteilkammern ist ein individuelles Prozessgas einspeisbar. Die verschiedenen Prozessgase können getrennt voneinander in voneinander verschiedenen Höhen in eine sich an das Gaseinlassorgan anschließende Prozesskammer strömen. In der Prozesskammer liegen auf einem von unten beheizten Suszeptor Substrate auf, die mit einem MOCVD-Verfahren mit III-V-Schichten oder mit IV-Schichten oder mit II-VI-Schichten beschichtet werden können.A quartz gas inlet element is installed in the DE 10 2008 055 582 A1 described. The gas inlet element described there has a central body which is arranged around a figure axis of the gas inlet element. In the central region of the gas inlet member, there are a plurality of gas inlet channels arranged concentrically to one another, which open into openings that extend over an entire circumferential length. At the mouths of the gas inlet ducts, gas distribution chambers surround the central section, which are separated by dividing floors into a plurality of gas distribution levels arranged one above the other. The radially outer edge of each of the gas distribution chambers is surrounded by a gas distribution wall which has a multiplicity of gas passage openings which open into gas outlet openings through which process gases can be fed into a process chamber of a CVD reactor. An individual process gas can be fed into each of the several gas distribution chambers. The different process gases can flow separately from one another at different heights into a process chamber adjoining the gas inlet element. In the process chamber, substrates are placed on a susceptor heated from below, which can be coated with a MOCVD process with III-V layers or with IV layers or with II-VI layers.

Aus den DE 100 29 110 B4 , EP 3 036 061 B1 , DE 20 2017 002 851 U1 und DE 10 2018 202 687 A1 sind Verfahren zur Strukturierung von Quarzkörpern vorbekannt. Ein Quarzrohling mit einer polierten Oberfläche wird zunächst mit einem Laserstrahl behandelt. Dabei erzeugt der Laserstrahl ultrakurze Pulse und wird fokussiert. Der Fokus wird in einer schreibenden Bewegung, beispielsweise zeilenweise, durch das Volumen des Quarzrohlings verfahren. Im Fokus erreicht der Laserstrahl eine über einer Schwellintensität liegende Intensität, bei der im Quarzmaterial eine Materialumwandlung stattfindet. Das umgewandelte Material lässt sich anschließend mit einem fluiden Ätzmittel, beispielsweise Kalilauge, entfernen. Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, mit diesem Verfahren Flüssigkeitskanäle für Düsenkörper von Sprühköpfen oder Sprühdosen zu fertigen. Es ist ferner bekannt, Hohlraumstrukturen in Komponenten für eine Projektionsbelichtungsanlage zu fertigen. Es ist ferner bekannt, mit diesem, als SLE (selective laser-induced etching) bezeichneten Verfahren Mikrokanäle, Formbohrungen und -schnitte in transparenten Bauteilen aus Quarzglas, Borsilikatglas, Saphir und Rubin zu fertigen.From the DE 100 29 110 B4 , EP 3 036 061 B1 , DE 20 2017 002 851 U1 and DE 10 2018 202 687 A1 Methods for structuring quartz bodies are known. A quartz blank with a polished surface is first treated with a laser beam. The laser beam generates ultrashort pulses and is focused. The focus is moved in a writing movement, for example line by line, through the volume of the quartz blank. In focus, the laser beam reaches an intensity above a threshold intensity at which a material conversion takes place in the quartz material. The converted material can then be removed with a fluid etchant, such as potassium hydroxide solution. It is known from the prior art to use this method to produce liquid channels for nozzle bodies of spray heads or spray cans. It is also known to manufacture cavity structures in components for a projection exposure system. It is also known to use this method, known as SLE (selective laser-induced etching), to produce microchannels, shaped bores and cuts in transparent components made of quartz glass, borosilicate glass, sapphire and ruby.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gaseinlassorgan der eingangs beschriebenen Art gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden, wobei insbesondere vorgesehen ist, das Gaseinlassorgan derart auszugestalten, dass es einfacher handhabbar ist und ferner derart auszugestalten, dass es technisch einfacher fertigbar und montierbar ist. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem sich bislang nicht fertigbare Gestaltungen von Gaseinlassorganen realisieren lassen.The invention is based on the object of developing a gas inlet element of the type described in the introduction in a manner which is advantageous in terms of use, in particular providing for the gas inlet element to be designed in such a way that it is easier to handle and furthermore such that it is technically easier to manufacture and assemble. Furthermore, a method is to be specified with which previously inaccessible designs of gas inlet elements can be realized.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den jeweils nebengeordneten Ansprüche angegebenen Erfindung darstellen, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe.The object is achieved by the invention specified in the claims, the subclaims not only representing advantageous developments of the invention specified in the respective independent claims, but also independent solutions to the object.

Zunächst und im Wesentlichen wird gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung vorgeschlagen, dass mindestens eine der bevorzugt mehreren, übereinander angeordneten Gasverteilniveaus eine Strömungsbarriere aufweist. Die Strömungsbarriere kann sich derart durch die Gasverteilkammer erstrecken, dass die Strömungsbarriere die Gasverteilkammer in einen stromaufwärtigen Abschnitt, der an die Mündung des Gaseinlasskanals angrenzt, und einen stromabwärtigen Abschnitt teilt. Der stromabwärtige Abschnitt kann an eine weitere Strömungsbarriere angrenzen. Der stromabwärtige Abschnitt kann aber auch an die Gasverteilwand angrenzen. Die Strömungsbarriere umgibt bevorzugt ringförmig und besonders bevorzugt kreisringförmig einen Zentralabschnitt, der die Mündung des Gaseinlasskanales aufweist. Die Strömungsbarriere kann aber auch unmittelbar an die Gasverteilwand angrenzen. Die Strömungsbarriere besitzt Gasdurchtrittskanäle, die in die Gasdurchtrittsbohrungen der Gasverteilwand münden. Die Gasdurchtrittskanäle besitzen eine geringere Querschnittsfläche als die Gasdurchtrittsbohrung. Die Gasdurchtrittskanäle können Gasdurchtrittsbohrungen sein, durch die das Prozessgas von dem stromaufwärtigen Abschnitt der Gasverteilkammer in den stromabwärtigen Abschnitt der Gasverteilkammer strömen kann. Die Strömungsbarriere bildet eine Druckbarriere aus, so dass auf der stromaufwärtigen Seite der Strömungsbarriere ein höherer Gasdruck vorhanden ist, als auf der stromabwärtigen Seite der Strömungsbarriere. Hierdurch homogenisiert sich der aus der Strömungsbarriere austretende Gasfluss über die Gasaustrittsfläche der Strömungsbarriere. Die Gasdurchtrittsöffnungen sind bevorzugt im Wesentlichen gleicher Verteilung auf einer Gasaustrittsfläche der Strömungsbarriere angeordnet. Die Gasaustrittsfläche der Strömungsbarriere ist bevorzugt wie die Gasaustrittsfläche der Gasverteilwand eine Umfangsfläche und insbesondere eine Mantelfläche eines Zylinders. Die Öffnungen können einen Durchmesser aufweisen, der kleiner als 0,1 mm, kleiner als 0,2 mm, kleiner als 0,5 mm, kleiner als 1 mm, kleiner als 2 mm oder kleiner als 3 mm ist. Die Gasdurchtrittskanäle der Strömungsbarriere können aber auch Spalte sein.First and essentially it is proposed according to a first aspect of the invention that at least one of the preferably several gas distribution levels arranged one above the other has a flow barrier. The flow barrier can extend through the gas distribution chamber such that the flow barrier divides the gas distribution chamber into an upstream section, which adjoins the mouth of the gas inlet channel, and a downstream section. The downstream section can adjoin another flow barrier. However, the downstream section can also adjoin the gas distribution wall. The flow barrier preferably surrounds a central section in a ring-shaped and particularly preferably in a ring-shaped manner, which has the mouth of the gas inlet channel. The flow barrier can also directly adjoin the gas distribution wall. The flow barrier has gas passage channels which open into the gas passage holes in the gas distribution wall. The gas passage channels have one smaller cross-sectional area than the gas passage bore. The gas passage channels can be gas passage holes through which the process gas can flow from the upstream section of the gas distribution chamber into the downstream section of the gas distribution chamber. The flow barrier forms a pressure barrier, so that a higher gas pressure is present on the upstream side of the flow barrier than on the downstream side of the flow barrier. As a result, the gas flow emerging from the flow barrier is homogenized over the gas outlet surface of the flow barrier. The gas passage openings are preferably arranged in essentially the same distribution on a gas outlet surface of the flow barrier. Like the gas outlet surface of the gas distribution wall, the gas outlet surface of the flow barrier is preferably a peripheral surface and in particular an outer surface of a cylinder. The openings can have a diameter which is less than 0.1 mm, less than 0.2 mm, less than 0.5 mm, less than 1 mm, less than 2 mm or less than 3 mm. The gas passage channels of the flow barrier can also be gaps.

Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung wird jedes der übereinander angeordneten Gasverteilniveaus von einem scheibenförmigen Gasverteilabschnitt ausgebildet, wobei der Gasverteilabschnitt bevorzugt von einem Gasverteilkörper/-abschnitt gebildet wird. Der Gasverteilabschnitt kann kreisscheibenförmig ausgebildet sein. Die Gasverteilwand kann materialeinheitlich oder stoffschlüssig mit dem Trennboden verbunden sein, wobei der Trennboden eine Kreisscheibenform aufweist. Aus dem Trennboden kann ein zentraler Abschnitt entspringen. Der zentrale Abschnitt ist insbesondere sockelförmig ausgebildet und bildet die Mündung des in die Gasverteilkammer mündenden Gaseinlasskanals. Der Zentralabschnitt kann eine nach oben weisende Breitseitenfläche aufweisen, die sich insbesondere in einer Ebene erstreckt, wobei sich in dieser Erstreckungsebene auch ein oberer Rand der Gasverteilwand erstrecken kann. Die Gasverteilkörper/-abschnitte sind insbesondere im Wesentlichen gleich gestaltet. Sie besitzen eine bevorzugt ebene Unterseite. Die Gasverteilkörper/-abschnitte können derart übereinandergestapelt werden, dass die Breitseitenfläche des Zentralabschnitts eines unteren Gasverteilkörpers/- abschnitts flächig an einer Unterseite des Trennbodens eines oberen Gasverteilkörpers/-abschnitts anliegt. Dabei ist insbesondere auch vorgesehen, dass eine nach oben weisende Oberseite der Gasverteilwand dichtend an der Unterseite des Trennbodens anliegt, so dass durch Aufeinandersetzen zumindest zweier Gasverteilkörper/-abschnitte eine Gasverteilkammer nach unten und nach oben hin jeweils von einem Trennboden verschlossen ist. Die Gasverteilkammern sind bevorzugt lediglich in einer Radialrichtung offen, wobei die Gasverteilkammer in Radialauswärtsrichtung mittels der Gasdurchtrittsöffnungen der Gasverteilwand offen ist und in Radialeinwärtsrichtung durch die Mündung des Gaseinlasskanals. Es ist ferner vorgesehen, dass zumindest einige der Gasverteilkörper/-abschnitte in ihrem Zentralabschnitt eine Durchlassöffnung aufweisen. Die Durchlassöffnung ist zur oberen Breitseitenfläche und zur Unterseite des Trennbodens hin offen, so dass die Durchlassöffnung eine Mündung eines Gaskanals eines unteren Gasverteilkörpers/-abschnitts mit einer Durchlassöffnung eines oberen Gasverteilkörpers/-abschnitts verbinden kann. Mehrere übereinander angeordnete Gasdurchlassöffnungen bilden somit einen Gaseinlasskanal.According to a second aspect of the invention, each of the gas distribution levels arranged one above the other is formed by a disk-shaped gas distribution section, the gas distribution section preferably being formed by a gas distribution body / section. The gas distribution section can be designed in the form of a circular disk. The gas distribution wall can be connected to the separating base in a material-uniform or integral manner, the separating bottom having a circular disk shape. A central section can emerge from the partition. The central section is in particular base-shaped and forms the mouth of the gas inlet channel opening into the gas distribution chamber. The central section can have an upward-facing broad side surface which extends in particular in one plane, an upper edge of the gas distribution wall also being able to extend in this plane of extension. The gas distribution bodies / sections are, in particular, essentially of the same design. They have a preferably flat underside. The gas distribution bodies / sections can be stacked one on top of the other in such a way that the broad side surface of the central section of a lower gas distribution body / section lies flat against an underside of the partition of an upper gas distribution body / section. In particular, it is also provided that an upward-facing upper side of the gas distribution wall rests sealingly on the underside of the partition, so that by placing at least two gas distribution bodies / sections on top of each other, a gas distribution chamber is closed at the bottom and at the top by a partition. The gas distribution chambers are preferably only open in a radial direction, the gas distribution chamber being open in the radial outward direction by means of the gas passage openings in the gas distribution wall and in the radial inward direction through the mouth of the gas inlet channel. It is further provided that at least some of the gas distribution bodies / sections have a passage opening in their central section. The passage opening is open to the upper broad side surface and to the underside of the partition, so that the passage opening can connect an opening of a gas channel of a lower gas distribution body / section with a passage opening of an upper gas distribution body / section. A plurality of gas passage openings arranged one above the other thus form a gas inlet channel.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft die Anordnung einer zentralen Öffnung im Gaseinlassorgan, welche einen Spülkanal oder eine Befestigungsöffnung für eine Befestigungsschraube sein kann.Another aspect of the invention relates to the arrangement of a central opening in the gas inlet element, which can be a flushing channel or a fastening opening for a fastening screw.

Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft die Befestigung des Gaseinlassorganes an einem Befestigungsabschnitt. Der Befestigungsabschnitt kann an einem Deckelteil einer Reaktorwand befestigt sein, wobei das Deckelteil zur Wartung des Reaktors von einem unteren Teil des Reaktorgehäuses getrennt werden kann. Dabei wird das Gaseinlassorgan aus der Prozesskammer herausgehoben. Erfindungsgemäß ist das Gaseinlassorgan mit einem eine Befestigungsöffnung des Gaseinlassorgans durchdringenden Befestigungsmittel am Befestigungsabschnitt befestigt. Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Gasverteilniveaus von im Wesentlichen scheibenförmigen Gasverteilkörpern/- abschnitten ausgebildet sind. Durch die Gasverteilkörper/-abschnitte erstreckt sich eine Befestigungsöffnung zur Aufnahme des Befestigungselementes, welches eine Schraube sein kann. Die Befestigungsöffnung kann eine Zentralöffnung sein, die sich in einem Zentralabschnitt der Gasverteilkörper/-abschnitte erstreckt. Die Gasverteilkörper/-abschnitte können stoffschlüssig miteinander verbunden sein. Sie können aber auch materialeinheitlich miteinander verbunden sein. Das gesamte Gaseinlassorgan kann somit mehrteilig sein. Es kann aber auch einstückig gefertigt werden. Das Gaseinlassorgan ist bevorzugt als rotationssymmetrischer Körper ausgebildet und besitzt eine zentrale Befestigungsöffnung, wobei sich in Umfangsrichtung um die Befestigungsöffnung mehrere Gaseinlasskanäle erstrecken können, die in voneinander verschiedenen Gasverteilniveaus münden. Alternativ zu der zentralen Befestigungsöffnung oder in Kombination mit der zentralen Befestigungsöffnung können aber auch dezentrale, exzentrische Befestigungsöffnungen vorgesehen sein, mit denen das Gaseinlassorgan an einer Befestigungsfläche befestigt werden kann. Die dezentralen Befestigungsöffnungen können insbesondere an einem Flanschabschnitt angeordnet sein, der radial über die Gasverteilwand hinausragt. Mit diesem Flanschabschnitt kann das Gaseinlassorgan an einem Träger befestigt werden.Another aspect of the invention relates to the fastening of the gas inlet element to a fastening section. The fastening section can be fastened to a cover part of a reactor wall, the cover part being able to be separated from a lower part of the reactor housing for maintenance of the reactor. The gas inlet element is lifted out of the process chamber. According to the invention, the gas inlet element is fastened to the fastening section with a fastening means penetrating a fastening opening of the gas inlet element. In particular, it is provided that the gas distribution levels are formed by essentially disk-shaped gas distribution bodies / sections. A fastening opening, which can be a screw, extends through the gas distribution body / sections for receiving the fastening element. The fastening opening can be a central opening which extends in a central section of the gas distribution body / sections. The gas distribution body / sections can be integrally connected to one another. However, they can also be connected to one another using the same material. The entire gas inlet element can thus be in several parts. But it can also be made in one piece. The gas inlet element is preferably designed as a rotationally symmetrical body and has a central fastening opening, wherein a plurality of gas inlet channels can extend in the circumferential direction around the fastening opening, which open into different gas distribution levels. As an alternative to the central fastening opening or in combination with the central fastening opening, decentralized, eccentric fastening openings can also be provided, with which the gas inlet element can be fastened to a fastening surface. The decentralized fastening openings can in particular be arranged on a flange section that extends radially over the gas distribution wall protrudes. With this flange section, the gas inlet element can be attached to a carrier.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist vorgesehen, dass die Gaseinlasskanäle, die von einem säulenförmigen Zentralabschnitt des Gaseinlassorganes gebildet sind, nicht konzentrisch zueinander verlaufen, sondern jeweils getrennt voneinander in einer Umfangsrichtung um eine Achse, die eine Figurenachse sein kann, angeordnet sind. Die Gaseinlasskanäle liegen erfindungsgemäß in einer Querschnittsebene durch den Zentralabschnitt nebeneinander. Die Mündungen voneinander verschiedener Gaseinlasskanäle sind in Umfangsrichtung um den Zentralabschnitt versetzt zueinander angeordnet. Die Mündungen weisen bevorzugt in eine Radialauswärtsrichtung. Es ist bei dieser Ausgestaltung insbesondere vorgesehen, dass der Zentralabschnitt von zumindest einer Strömungsbarriere umgeben ist, so dass aus den sich auf einer Umfangsfläche erstreckenden Gasdurchtrittsöffnungen der Strömungsbarriere im Wesentlichen ein gleichmäßig in Umfangsrichtung verteilter Gasstrom ausströmen kann, der in einen stromabwärtigen Abschnitt der Gasverteilkammer mündet, aus dem das Prozessgas durch die Durchtrittsöffnung der Gasverteilwand in die Prozesskammer strömen kann.According to a further aspect of the invention, it is provided that the gas inlet channels, which are formed by a columnar central section of the gas inlet member, do not run concentrically to one another, but rather are arranged separately from one another in a circumferential direction about an axis, which can be a figure axis. According to the invention, the gas inlet channels lie next to one another in a cross-sectional plane through the central section. The mouths of different gas inlet channels are offset from one another in the circumferential direction around the central section. The orifices preferably point in a radial outward direction. In this embodiment, it is provided in particular that the central section is surrounded by at least one flow barrier, so that a gas stream which is distributed uniformly in the circumferential direction and which flows into a downstream section of the gas distribution chamber can flow out of the gas passage openings of the flow barrier which extend on a peripheral surface. from which the process gas can flow through the passage opening of the gas distribution wall into the process chamber.

Das gemäß vorstehender Beschreibung erfindungsgemäß ausgebildete Gaseinlassorgan kann aus Quarz bestehen. Es kann aber auch aus Metall, insbesondere Edelstahl, bestehen. Wird das Gaseinlassorgan aus Edelstahl oder einem anderen Metall gefertigt, so wird es bevorzugt mehrteilig hergestellt, wobei die Einzelteile des Gaseinlassorganes formschlüssig, beispielsweise durch eine Gewindeverbindung, oder stoffschlüssig, beispielsweise durch Schweißnähte, miteinander verbunden sind. Die Gasdurchtrittsöffnungen können durch Bohren erzeugt werden. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird das Gaseinlassorgan jedoch aus Quarz gefertigt. Auch hier ist es möglich, die einzelnen Bestandteile des Gaseinlassorganes, also die Gasverteilwände, die Trennböden, die sockelförmigen Zentralabschnitte und die Strömungsbarrieren jeweils getrennt voneinander zu fertigen und dann mit geeigneten Stoffschlussmitteln, also beispielsweise einem Borsilikatglas, zu verbinden. In einer ebenfalls bevorzugten Ausgestaltung besteht das Gaseinlassorgan aus mehreren scheibenförmig übereinander angeordneten Gasverteilkörpern, die einstückig ausgebildet sein können. Sie können aus einem scheibenförmigen Quarzkörper herausgearbeitet sein, wobei hierzu insbesondere das SLE-Verfahren (selective laser-induced etching) verwendet wird. Bei diesem Verfahren wird in einem ersten Prozessschritt eine lokale Materialumwandlung des homogenen Quarzausgangskörpers vorgenommen. Hierzu wird ein ultrakurz gepulster Laserstrahl auf einem im Mikrometerbereich liegenden Fokus fokussiert, wobei durch eine Bewegung des Laserstrahls relativ gegenüber dem Quarz-Werkstück der Fokus schreibend durch das Volumen des Quarzkörpers geführt wird. Über einen Multi-Photonen-Prozess erfolgt im Fokus des Laserstrahls eine Materialumwandlung des Quarzmaterials. Das so umgewandelte Material kann in einem zweiten Prozessschritt durch ein Ätzfluid entfernt werden. Bei dem Ätzfluid handelt es sich bevorzugt um eine Flüssigkeit, beispielsweise um KOH. Mit diesem Verfahren können in einem scheibenförmigen Quarzgrundkörper die Gasverteilwand, deren Gasdurchlassöffnungen, der zentrale Sockel, dessen Gaszuleitungen und die sich zwischen Zentralabschnitt und Gasverteilwand erstreckende Strömungsbarriere inklusive deren Durchlassöffnung gefertigt werden. Die derart gefertigten, materialeinheitlichen scheibenförmigen Gasverteilkörper/-abschnitte können dann übereinandergestapelt und insbesondere stoffschlüssig miteinander verbunden werden. In einer besonders bevorzugten Variante der Erfindung sind die Gasverteilkörper materialeinheitlich miteinander verbunden. Zur Herstellung eines derartigen einstückigen, aus einem einheitlichen Quarzrohling gefertigten Gaseinlassorganes wird ebenfalls das zuvor beschriebene SLE-Verfahren verwendet. Bei diesem Herstellungsverfahren wird zunächst ein massiver Quarzkörper gefertigt, der eine polierte Oberfläche aufweist. Mit einem fokussierten Laserstrahl werden dann die Hohlräume belichtet. Das belichtete Material wird anschließend mit dem Ätzfluid entfernt. Besitzt das Gaseinlassorgan den oben bezeichneten Flanschabschnitt, so kann der Flanschabschnitt materialeinheitlich mit den Gasverteilkörpern verbunden sein und ebenfalls mit dem SLE-Verfahren hergestellt werden.The gas inlet element designed according to the invention as described above can consist of quartz. But it can also consist of metal, especially stainless steel. If the gas inlet element is made of stainless steel or another metal, it is preferably produced in several parts, the individual parts of the gas inlet element being connected to one another in a form-fitting manner, for example by means of a threaded connection, or in a material manner, for example by means of welds. The gas passage openings can be created by drilling. In a preferred embodiment of the invention, however, the gas inlet member is made of quartz. Here, too, it is possible to manufacture the individual components of the gas inlet element, that is to say the gas distribution walls, the partition plates, the base-shaped central sections and the flow barriers, in each case separately and then to connect them with suitable bonding agents, for example a borosilicate glass. In a likewise preferred embodiment, the gas inlet element consists of a plurality of gas distribution bodies arranged one above the other in the form of disks, which can be formed in one piece. They can be machined from a disk-shaped quartz body, the SLE method (selective laser-induced etching) being used in particular for this purpose. In this method, a local material conversion of the homogeneous quartz starting body is carried out in a first process step. For this purpose, an ultrashort pulsed laser beam is focused on a focus in the micrometer range, the focus being guided through the volume of the quartz body in writing by moving the laser beam relative to the quartz workpiece. A material conversion of the quartz material takes place in the focus of the laser beam via a multi-photon process. The material converted in this way can be removed in a second process step using an etching fluid. The etching fluid is preferably a liquid, for example KOH. With this method, the gas distribution wall, its gas passage openings, the central base, its gas supply lines and the flow barrier extending between the central section and the gas distribution wall, including the passage opening thereof, can be manufactured in a disk-shaped quartz base body. The disk-shaped gas distribution bodies / sections which are produced in this way and have the same material can then be stacked on top of one another and, in particular, connected to one another in a materially bonded manner. In a particularly preferred variant of the invention, the gas distribution bodies are connected to one another using the same material. The previously described SLE method is also used to produce such a one-piece gas inlet element made from a uniform quartz blank. In this manufacturing process, a solid quartz body is first produced, which has a polished surface. The cavities are then exposed with a focused laser beam. The exposed material is then removed with the etching fluid. If the gas inlet member has the flange section described above, the flange section can be connected to the gas distribution bodies in the same material and can also be produced using the SLE method.

FigurenlisteFigure list

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

  • 1 in einem Längsquerschnitt im Wesentlichen schematisch den Aufbau eines CVD-Reaktors mit einem erfindungsgemäßen Gaseinlassorgan 2 eines ersten Ausführungsbeispiels,
  • 2 in perspektivischer Darstellung fünf Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5, die übereinander angeordnet ein Gaseinlassorgan 2 ausbilden,
  • 3 ein Gaseinlassorgan in einer Ansicht,
  • 4 ein zweites Ausführungsbeispiel eines Gaseinlassorgans in einer Darstellung gemäß 1,
  • 5 vergrößert, den Ausschnitt V in 4,
  • 6 einen Schnitt gemäß der Linie VI-VI in 4,
  • 7 ein Gaseinlassorgan eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
  • 8 eine Darstellung ähnlich der 5 eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Gaseinlassorgans,
  • 9 eine Darstellung ähnlich gemäß 5 eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Gaseinlassorgans.
An embodiment of the invention is explained below with reference to the accompanying drawings. Show it:
  • 1 in a longitudinal cross section essentially schematically the structure of a CVD reactor with a gas inlet element according to the invention 2nd a first embodiment,
  • 2nd in perspective five gas distribution body 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 arranged one above the other a gas inlet element 2nd form,
  • 3rd a gas inlet element in a view
  • 4th a second embodiment of a gas inlet member in a representation according to 1 ,
  • 5 enlarged the section V in 4th ,
  • 6 a cut along the line VI-VI in 4th ,
  • 7 a gas inlet member of a second embodiment of the invention,
  • 8th a representation similar to that 5 another embodiment of a gas inlet member,
  • 9 a representation similar to 5 a further embodiment of a gas inlet member.

Beschreibung der AusführungsformenDescription of the embodiments

Die 1 zeigt im Wesentlichen schematisch den Aufbau eines CVD-Reaktors, in dessen Prozesskammer 20 ein CVD-Abscheideprozess durchgeführt werden kann, bei dem auf mehreren Substraten 21 eine insbesondere halbleitende Schicht abgeschieden werden kann. Die Substrate 21 können aus III-V-Verbindungen, aus Silizium, aus Saphir oder einem anderen geeigneten Material bestehen. Auf das Substrat werden ein oder mehrere Schichten abgeschieden, die aus Elementen der IV-Hauptgruppe, der III-V-Hauptgruppe oder der II-VI-Hauptgruppe bestehen können. Durch ein Gaseinlassorgan 2 werden mittels eines Trägergases, beispielsweise H2, oder eines Edelgases verschiedene Prozessgase in die Prozesskammer 20 eingeleitet, wobei die Prozessgase Hydride der V-Hauptgruppe, der IV-Hauptgruppe oder metallorganische Verbindungen der IV-Hauptgruppe oder der III-Hauptgruppe enthalten können. Ein die Substrate 21 tragender Suszeptor 19 aus beschichtetem Graphit oder dergleichen wird von unten her mit einer Heizeinrichtung 24 auf eine Prozesstemperatur gebracht, so dass sich die mittels des Gaseinlassorganes in das Zentrum der Prozesskammer 20 eingespeisten Prozessgase auf den Oberflächen der kreisförmig um das Zentrum angeordneten Substrate pyrolytisch zerlegen, um eine insbesondere einkristalline Schicht zu bilden. Das Prozessgas, welches die Prozesskammer 20 in Radialrichtung durchströmt, verlässt die Prozesskammer 20 durch einen den Suszeptor 19 umgebenden Gasauslass 22, der an eine nicht dargestellte Vakuumpumpe angeschlossen ist.The 1 shows essentially the structure of a CVD reactor, in its process chamber 20th a CVD deposition process can be carried out using multiple substrates 21st a semiconducting layer in particular can be deposited. The substrates 21st can consist of III-V compounds, silicon, sapphire or another suitable material. One or more layers are deposited on the substrate, which may consist of elements from the IV main group, the III-V main group or the II-VI main group. Through a gas inlet element 2nd are different process gases into the process chamber by means of a carrier gas, for example H 2 , or a noble gas 20th initiated, the process gases may contain hydrides of the V main group, the IV main group or organometallic compounds of the IV main group or the III main group. On the substrates 21st carrying susceptor 19th Coated graphite or the like is used from below with a heating device 24th brought to a process temperature so that it is in the center of the process chamber by means of the gas inlet element 20th Process gases fed in pyrolytically on the surfaces of the substrates arranged in a circle around the center, in order to form a single-crystal layer in particular. The process gas, which is the process chamber 20th Flow in the radial direction leaves the process chamber 20th through one the susceptor 19th surrounding gas outlet 22 , which is connected to a vacuum pump, not shown.

Der Suszeptor 19 ruht auf einer Stützscheibe 32, die wiederum von einem Stützrohr 33 getragen wird. Mittels nicht dargestellter Mittel lässt sich der in der 1 nur schematisch dargestellte Suszeptor 19 um eine Achse drehen.The susceptor 19th rests on a support disc 32 which in turn is supported by a support tube 33 will be carried. The means in the 1 only schematically shown susceptor 19th rotate around an axis.

Die Bezugsziffer 34 bezeichnet eine Diffusionsbarriere zwischen Heizeinrichtung 24 und Suszeptor 19.The reference number 34 denotes a diffusion barrier between the heating device 24th and susceptor 19th .

Innerhalb des Reaktorgehäuses 1 befindet sich eine Prozesskammerdecke 23, durch welche ein Befestigungsabschnitt 3 in die Prozesskammer 20 hineinragt. Am Befestigungsabschnitt 3, der aus Metall, insbesondere Edelstahl bestehen kann, ist das Gaseinlassorgan 2 befestigt.Inside the reactor housing 1 there is a process chamber ceiling 23 through which a fastening section 3rd into the process chamber 20th protrudes. At the attachment section 3rd , which can consist of metal, especially stainless steel, is the gas inlet element 2nd attached.

Das Gaseinlassorgan 2 kann aus Metall, insbesondere Edelstahl, bestehen. Bevorzugt wird das Gaseinlassorgan 2 aber aus Quarz gefertigt. Das Gaseinlassorgan 2 kann aus Metall, insbesondere einem Nichteisenmetall oder Edelstahl bestehen. Bevorzugt wird das Gaseinlassorgan 2 aber aus einem keramischen Material und besonders bevorzugt aus Quarz gefertigt.The gas inlet element 2nd can be made of metal, especially stainless steel. The gas inlet element is preferred 2nd but made of quartz. The gas inlet element 2nd can consist of metal, in particular a non-ferrous metal or stainless steel. The gas inlet element is preferred 2nd but made of a ceramic material and particularly preferably made of quartz.

Bei dem in der 1 dargestellten Gaseinlassorgan 2 steckt ein unterer Abschnitt des Gaseinlassorgans 2, der Gasaustrittsöffnungen aufweist in einer Vertiefung 25 eines Suszeptors 19. Ein oberer Teil des Gaseinlassorgans 2, welcher einen Flanschabschnitt 36 ausbildet, kann materialeinheitlich mit dem unteren Bereich verbunden sein. Durch das Zentrum des Gaseinlassorgans 2 verläuft eine Durchgangsöffnung, die einen Spülkanal 17' ausbildet. Mit der Bezugsziffer 35 sind schematisch Befestigungsöffnungen, mit denen das Gaseinlassorgan 2 mittels durch die Befestigungsöffnung 35 hindurchgreifenden Schrauben an einem Träger befestigt werden kann.The one in the 1 shown gas inlet member 2nd is a lower section of the gas inlet element 2nd , which has gas outlet openings in a recess 25th of a susceptor 19th . An upper part of the gas inlet organ 2nd which has a flange section 36 trained, can be uniformly connected to the lower area. Through the center of the gas inlet organ 2nd runs through a passage that has a flushing channel 17 ' trains. With the reference number 35 are schematic mounting holes through which the gas inlet member 2nd by means of the fastening opening 35 through screws can be attached to a support.

Bei dem in der 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Befestigungsabschnitt 3 dargestellt, der einen unteren Abschnitt 3" und einen oberen Abschnitt 3"' aufweist. Der Abschnitt 3" kann aber auch hier materialeinheitlicher Bestandteil des Gaseinlassorganes 2 sein. In den Befestigungsöffnungen 35 sind hier Befestigungsschrauben dargestellt, die in Gewindebohrungen des oberen Abschnittes 3'" eingeschraubt sind.The one in the 4th The illustrated embodiment is a fastening section 3rd depicted a lower section 3 " and an upper section 3 "' having. The section 3 " but can also be a material-integral part of the gas inlet element 2nd be. In the mounting holes 35 here are shown fixing screws that are in threaded holes in the upper section 3 '" are screwed in.

Der Befestigungsabschnitt 3 besitzt eine im Wesentlichen ebene Befestigungsfläche 3', die nach unten, also zum Suszeptor 19, weist. In einem Zentralbereich der Befestigungsfläche 3' befinden sich beim Ausführungsbeispiel fünf um ein Zentrum herum angeordnete Gaskanäle, die jeweils mit einem Gaseinlasskanal 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 des Gaseinlassorgans 2 verbunden sind. Die Gaseinlasskanäle 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 umgeben eine Befestigungsöffnung 27, in der eine Mutter 28 drehfest gelagert ist, die sich auf einer Feder 29 abstützt. In die Mutter 28 ist der Gewindeschaft einer Befestigungsschraube 30 eingedreht, deren Kopf sich an einer Grundplatte 31, insbesondere aus Quarz, abstützt. Zwischen der Grundplatte 31, die in einer Vertiefung 25 des Suszeptors 19 ragt, und der Befestigungsfläche 3' des Befestigungsabschnittes 3 befinden sich fünf scheibenförmige Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5, die im Wesentlichen gleich gestaltet sind, sich jedoch hinsichtlich der Ausgestaltung eines Zentralabschnittes 15 voneinander unterscheiden. Die Grundplatte 31 kann auch aus einem keramischen Material, einem Nichteisenmetall und insbesondere aus Edelstahl bestehen. Die übereinander angeordneten Gasverteilkörper 4.1 bis 4.5 dienen voneinander verschiedenen Zwecken. Durch die beiden oberen Gasverteilkörper 4.1, 4.2 kann Cl2 zum Reinigen der Prozesskammer 20 in die Prozesskammer 20 eingespeist werden. Durch die unteren Gasverteilkörper 4.3 bis 4.5 können Prozessgase in die Prozesskammer 20 eingespeist werden.The fastening section 3rd has an essentially flat mounting surface 3 ' that are down to the susceptor 19th , points. In a central area of the mounting surface 3 ' In the exemplary embodiment there are five gas channels arranged around a center, each with a gas inlet channel 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 of the gas inlet member 2nd are connected. The gas inlet channels 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 surround a mounting opening 27th in which a mother 28 is non-rotatably mounted on a spring 29 supports. In the mother 28 is the threaded shaft of a fastening screw 30th turned, whose head is on a base plate 31 , in particular made of quartz. Between the base plate 31 that in a recess 25th of the susceptor 19th protrudes, and the mounting surface 3 ' the fastening section 3rd there are five disk-shaped gas distribution bodies 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 , which are designed essentially the same, but with regard to the design of a central section 15 differentiate from each other. The base plate 31 can also be made of a ceramic material, a non-ferrous metal and in particular are made of stainless steel. The gas distribution bodies arranged one above the other 4.1 to 4.5 serve different purposes. Through the two upper gas distribution bodies 4.1 , 4.2 can use Cl 2 to clean the process chamber 20th into the process chamber 20th be fed. Through the lower gas distribution body 4.3 to 4.5 can process gases into the process chamber 20th be fed.

In den Zeichnungen nicht dargestellt ist eine Dichtung, mit der der obere Rand des zuoberst angeordneten Gasverteilkörpers 4.1 gegenüber der Befestigungsfläche 3' abgedichtet ist. Der in der 4 mit 3" bezeichnete Abschnitt kann einen Dichtungsadapter ausbilden.Not shown in the drawings is a seal with which the upper edge of the gas distribution body arranged at the top 4.1 opposite the mounting surface 3 ' is sealed. The Indian 4th With 3 " designated section can form a seal adapter.

Die in der 2 dargestellten Gasverteilkörper/-abschnitte 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 weisen jeweils eine kreisscheibenförmige Grundplatte auf, die einen Trennboden 11 ausbildet, mittels dessen übereinander angeordnete Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 voneinander getrennt sind.The in the 2nd shown gas distribution body / sections 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 each have a circular disk-shaped base plate, which is a partition 11 forms, by means of the gas distribution body arranged one above the other 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 are separated from each other.

Vom kreisförmigen Rand eines Trennbodens 11 erstreckt sich eine kreisringförmige Gasverteilwand 6, die eine Vielzahl von gleichmäßig angeordneten Gasdurchtrittsbohrungen 13 aufweist. Die Gasdurchtrittsbohrungen 13 besitzen einen Durchmesser, der kleiner ist als 3 mm und insbesondere kleiner ist als 1 mm. Die sich in Radialrichtung erstreckenden Gasdurchtrittsbohrungen 13 münden jeweils in einer Gasaustrittsöffnung 7. Die in Achsrichtung - bezogen auf die Figurenachse - des Gaseinlassorganes 2 gemessene Höhe eines Gasverteilkörpers 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 kann zwischen 5 mm und 2 cm betragen. Die sich in Radialrichtung - bezogen auf die Figurenachse - erstreckende Breite der Gasverteilwand 6 kann ebenfalls im Bereich zwischen 0,5 cm und 2 cm liegen. Die Wandstärke der Gasverteilwand 6 kann aber auch kleiner als 0,5 cm sein und insbesondere 1 mm betragen.From the circular edge of a partition 11 an annular gas distribution wall extends 6 that have a variety of evenly arranged gas passage holes 13 having. The gas passage holes 13 have a diameter which is smaller than 3 mm and in particular smaller than 1 mm. The gas passage bores extending in the radial direction 13 each end in a gas outlet opening 7 . The in the axial direction - based on the figure axis - of the gas inlet element 2nd measured height of a gas distribution body 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 can be between 5 mm and 2 cm. The width of the gas distribution wall, which extends in the radial direction with respect to the figure axis 6 can also be between 0.5 cm and 2 cm. The wall thickness of the gas distribution wall 6 can also be less than 0.5 cm and in particular 1 mm.

Die Gasverteilwand 6 umgibt eine Gasverteilkammer 8, die sich um den Zentralabschnitt 15 erstreckt. Die Gasverteilkammer 8 ist beim Ausführungsbeispiel in drei ringförmige Abschnitte 8', 8"und 8'" aufgeteilt. Ein erster Abschnitt 8' der Gasverteilkammer 8 erstreckt sich von der Gasverteilwand 6 bis zu einer Strömungsbarriere 12, die konzentrisch zur Gasverteilwand 6 angeordnet ist. Radial innerhalb des von der Strömungsbarriere 12 umgebenden Abschnitt 8' der Gasverteilkammer 8 erstreckt sich eine zweite ebenfalls konzentrisch zur Gasverteilwand 6 verlaufende Strömungsbarriere 12', die einen Abschnitt 8'" der Gasverteilkammer 8 umgibt, der an dem Zentralabschnitt 15 angrenzt. Die Strömungsbarrieren 12, 12' haben dieselbe Höhe wie die Gasverteilwand 6 und im Ausführungsbeispiel auch dieselbe radiale Breite. Der Abstand zwischen zwei benachbarten Strömungsbarrieren 12, 12' beziehungsweise zwischen dem Zentralabschnitt 15 und der Strömungsbarrieren 12' beziehungsweise zwischen der Strömungsbarrieren 12 und der Gasverteilwand 6 ist größer als die Wandstärke der Strömungsbarrieren 12, 12' beziehungsweise der Gasverteilwand 6. Die radiale Breite der Abschnitte 8', 8", 8'" der Gasveilkammer 8 ist insbesondere größer als 1 cm. Die Wandstärken der Strömungsbarrieren 12, 12' können verschieden sein. Die Wandstärken können auch größer sein, als die radiale Erstreckung der Zwischenräume 8', 8", 8'" zwischen den Strömungsbarrieren 12, 12'. Die radiale Breite der Abschnitte 8', 8", 8'" der Gasverteilkammer 8 können auch kleiner als 5 mm sein.The gas distribution wall 6 surrounds a gas distribution chamber 8th that are around the central section 15 extends. The gas distribution chamber 8th is in the embodiment in three annular sections 8th' , 8th" and 8th'" divided up. A first section 8th' the gas distribution chamber 8th extends from the gas distribution wall 6 up to a flow barrier 12 that are concentric to the gas distribution wall 6 is arranged. Radially within that of the flow barrier 12 surrounding section 8th' the gas distribution chamber 8th a second extends also concentrically to the gas distribution wall 6 current flow barrier 12 ' that have a section 8th'" the gas distribution chamber 8th surrounds that at the central section 15 adjacent. The flow barriers 12 , 12 ' have the same height as the gas distribution wall 6 and in the exemplary embodiment also the same radial width. The distance between two adjacent flow barriers 12 , 12 ' or between the central section 15 and the flow barriers 12 ' or between the flow barriers 12 and the gas distribution wall 6 is greater than the wall thickness of the flow barriers 12 , 12 ' or the gas distribution wall 6 . The radial width of the sections 8th' , 8th" , 8th'" the gas veil chamber 8th is in particular larger than 1 cm. The wall thicknesses of the flow barriers 12 , 12 ' can be different. The wall thicknesses can also be greater than the radial extension of the spaces 8th' , 8th" , 8th'" between the flow barriers 12 , 12 ' . The radial width of the sections 8th' , 8th" , 8th'" the gas distribution chamber 8th can also be smaller than 5 mm.

Bei dem in der 9 dargestellten Ausführungsbeispiel grenzt die Strömungsbarriere 12"' sogar unmittelbar an die Gasverteilwand 6 an.The one in the 9 The illustrated embodiment even borders the flow barrier 12 "'directly on the gas distribution wall 6 at.

Bei dem in der 2 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzen die ringförmigen Strömungsbarrieren 12, 12' besitzen Gasdurchtrittsbohrungen 14, 14', die in gleichmäßiger Umfangsverteilung angeordnet sind. Die Durchmesser der Gasdurchtrittsbohrung 14, 14' können denselben Durchmesser aufweisen, die auch die Gasdurchtrittsbohrung 13 aufweisen. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Gasdurchtrittsbohrungen 14' einer inneren Strömungsbarriere 12' einen geringeren Durchmesser aufweisen, als die Gasdurchtrittsbohrungen 14 einer äußeren Strömungsbarriere 12 und dass die Gasdurchtrittsbohrungen 13 der Gasverteilwand 6 einen größeren Durchmesser aufweisen, als die Gasdurchtrittsbohrungen 14 der Strömungsbarriere 12. Die Strömungsbarrieren 12, 12' verursachen einen Druckunterschied zwischen dem stromaufwärtigen Abschnitt und dem stromabwärtigen Abschnitt der Gasverteilkammer 8.The one in the 2nd illustrated embodiment have the annular flow barriers 12 , 12 ' have gas through holes 14 , 14 ' , which are arranged in a uniform circumferential distribution. The diameter of the gas passage hole 14 , 14 ' can have the same diameter as the gas passage bore 13 exhibit. However, it is also provided that the gas passage bores 14 ' an inner flow barrier 12 ' have a smaller diameter than the gas passage bores 14 an outer flow barrier 12 and that the gas through holes 13 the gas distribution wall 6 have a larger diameter than the gas passage bores 14 the flow barrier 12 . The flow barriers 12 , 12 ' cause a pressure difference between the upstream section and the downstream section of the gas distribution chamber 8th .

Es ist insbesondere vorgesehen, dass die Gasdurchtrittsbohrungen 14, 14' der Strömungsbarrieren 12, 12' versetzt zueinander sind und nicht miteinander fluchten. Entsprechendes gilt für die Gasdurchtrittsbohrungen 14 der Strömungsbarrieren 12 und den Gasdurchtrittsbohrungen 13 der Gasverteilwand 6. Die Gasdurchtrittsbohrungen 14 verlaufen versetzt und nicht fluchtend zu den Gasdurchtrittsbohrungen 13.It is particularly provided that the gas passage bores 14 , 14 ' the flow barriers 12 , 12 ' are staggered and not in alignment. The same applies to the gas through holes 14 the flow barriers 12 and the gas passage holes 13 the gas distribution wall 6 . The gas passage holes 14 run offset and not in alignment with the gas passage holes 13 .

Der zentrale Abschnitt 15 ist als Sockel ausgebildet und besitzt dieselbe axiale Höhe wie die Strömungsbarrieren 12, 12' oder die Gasverteilwand 6, so dass die Oberseiten der Strömungsbarrieren 12, 12' und der Gasverteilwand in derselben Ebene liegen, in der sich auch eine Breitseitenfläche des Sockels 15 erstreckt.The central section 15 is designed as a base and has the same axial height as the flow barriers 12 , 12 ' or the gas distribution wall 6 so that the tops of the flow barriers 12 , 12 ' and the gas distribution wall lie in the same plane in which there is also a broad side surface of the base 15 extends.

Jeder der Sockel besitzt eine Mündung 10, mit der ein dem jeweiligen Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 zugeordneter Gaseinlasskanal 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 in den radial innenliegenden Abschnitt 8" der Gasverteilkammer 8 mündet. Die Mündungen 10 können sich von der Oberseite des Trennbodens 11 bis an die Unterseite des Trennbodens 11 eines oberen Gasverteilkörpers erstrecken.Each of the bases has a mouth 10th , with which the respective gas distribution body 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 assigned gas inlet duct 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 in the radially inner section 8th" the gas distribution chamber 8th flows. The mouths 10th can spread out from the top of the divider 11 to the bottom of the divider 11 extend an upper gas distribution body.

Bei dem in der 4 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt der zuoberst angeordnete, sich unmittelbar an die Befestigungsfläche 3' anschließende Gasverteilkörper 4.1 besitzt vier in Umfangsrichtung um eine Befestigungsöffnung 17 angeordnete Durchlassöffnungen 16, die jeweils einem Gaseinlasskanal 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 zugeordnet ist. Der dem obersten Gasverteilkörper/-abschnitt 4.1 zugeordnete Gaseinlasskanal 9.1 mündet in der Mündung 10, vor welcher sich eine Prallwand 18 befindet.The one in the 4th The illustrated embodiment has the topmost, directly on the mounting surface 3 ' subsequent gas distribution body 4.1 has four circumferentially around a mounting hole 17th arranged through openings 16 , each a gas inlet duct 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 assigned. The top gas distribution body / section 4.1 associated gas inlet duct 9.1 flows into the mouth 10th , in front of which there is a baffle 18th located.

Bei dem in der 1 dargestellten Ausführungsbeispiel kann die Oberseite des zuoberst angeordneten Gasverteilkörpers 4.1 materialeinheitlich mit dem Flanschabschnitt 36 verbunden sein, in welchen sich mehrere Gaszuleitungen 5 erstrecken.The one in the 1 The illustrated embodiment can be the top of the gas distribution body arranged at the top 4.1 with the same material as the flange section 36 be connected in which there are several gas supply lines 5 extend.

Der von oben gesehen zweite Gasverteilkörper 4.2 besitzt nur drei Durchlassöffnungen 16, die jeweils zu Gaseinlasskanälen 9.3, 9.4 und 9,5 gehören. Der Gaseinlasskanal 9.2 mündet hier in die Mündung 10, vor der sich ebenfalls eine Prallwand 18 und die in Umfangsrichtung versetzt angeordnet ist zur Mündung 10 des Gasverteilkörpers 4.1.The second gas distribution body seen from above 4.2 has only three openings 16 , each to gas inlet channels 9.3 , 9.4 and 9.5 belong. The gas inlet duct 9.2 flows into the mouth here 10th , in front of which there is also a baffle 18th and which is arranged offset in the circumferential direction to the mouth 10th of the gas distribution body 4.1 .

Der unterhalb des Gasverteilkörpers 4.2 angeordnete Gasverteilkörper 4.3 besitzt nur noch zwei Durchlassöffnungen 16, die den Gaseinlasskanälen 9.4 und 9.5 zugeordnet sind. Der Gaseinlasskanal 9.3 mündet hier in die Mündung 10, die versetzt angeordnet ist zur Mündung 10 des Gaseinlasskörpers 4.2.The one below the gas distribution body 4.2 arranged gas distribution body 4.3 has only two through openings 16 that the gas inlet channels 9.4 and 9.5 assigned. The gas inlet duct 9.3 flows into the mouth here 10th , which is arranged offset to the mouth 10th of the gas inlet body 4.2 .

Der unter dem Gasverteilkörper 4.3 angeordnete Gasverteilkörper 4.4 besitzt nur eine Durchlassöffnung 16, die dem Gaseinlasskanal 9.5 zugeordnet ist. Der Gaseinlasskanal 9.5 mündet hier in einer Mündung 10, die umfangsversetzt angeordnet ist zur Mündung 10 des Gaseinlasskanales 4.3.The one under the gas distributor 4.3 arranged gas distribution body 4.4 has only one passage opening 16 that the gas inlet duct 9.5 assigned. The gas inlet duct 9.5 ends in a mouth here 10th , which is arranged offset to the circumference to the mouth 10th of the gas inlet duct 4.3 .

Der zuunterst angeordnete Gasverteilkörper 4.5 besitzt keine Durchlassöffnung 16. Im Zentralabschnitt 15 des zuunterst angeordneten Gasverteilkörpers 4.5 mündet der Gaseinlasskanal 9.5 in einer wiederum umfangsversetzt angeordneten Mündung 10.The gas distributor located at the bottom 4.5 has no passage opening 16 . In the central section 15 of the gas distribution body arranged at the bottom 4.5 the gas inlet channel opens 9.5 in a mouth which is again arranged with a circumferential offset 10th .

Die Mündungen 10 aller Gasverteilkörper 4.1 bis 4.5 münden in unterschiedlich azimutale Richtungen bezogen auf die Figurenachse des Gaseinlassorganes 2.The mouths 10th all gas distribution bodies 4.1 to 4.5 open in different azimuthal directions with respect to the figure axis of the gas inlet element 2nd .

Unterhalb des zuunterst angeordneten Gasverteilkörpers/-abschnitts 4.5 befindet sich die Grundplatte 31 mit einer Senkung zur Aufnahme des Schraubenkopfes der Befestigungsschraube 30.Below the gas distribution body / section arranged at the bottom 4.5 is the base plate 31 with a countersink to accommodate the screw head of the fastening screw 30th .

Es wird als vorteilhaft angesehen, dass das Gaseinlassorgan 2 lediglich durch Lösen einer Befestigungsschraube 30 vom Befestigungsabschnitt 3 entfernbar ist.It is considered advantageous that the gas inlet member 2nd simply by loosening a fastening screw 30th from the mounting section 3rd is removable.

Es wird ferner als vorteilhaft angesehen, dass entweder die einzelnen Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 jeweils „aus dem Vollen“ aus einem Quarzrohling herausgearbeitet werden können. Es wird ferner als vorteilhaft angesehen, dass das gesamte Gaseinlassorgan 2 mit den dann materialeinheitlich miteinander verbundenen Gasverteilkörpern 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 aus einem einzigen Rohling herausgearbeitet werden kann. Die Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 und 4.5 sind dann materialeinheitlich miteinander verbundene Gasverteilabschnitte des Gaseinlassorgans 2.It is also considered advantageous that either the individual gas distribution bodies 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 each can be worked out "from the solid" of a quartz blank. It is also considered advantageous that the entire gas inlet member 2nd with the gas distribution bodies that are then connected to each other in the same material 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 can be worked out from a single blank. The gas distributors 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 and 4.5 are then gas distribution sections of the gas inlet element which are connected to one another in the same material 2nd .

Zur Herstellung des Gaseinlassorganes 2 wird bevorzugt das oben bereits erwähnte SLE-Verfahren verwendet, bei dem mit einem stark fokussierten und ultrakurz gepulsten Laserstrahl gewissermaßen schreibend Volumenbereiche des Quarzrohlings materialverändert werden. Diese Volumenbereiche sind die Gasdurchtrittsbohrungen 13, die Gasdurchtrittsbohrungen 14 sowie 14', die Abschnitte 8', 8", 8''' der Gasverteilkammer 8, die Gaseinlasskanäle 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5, deren Mündungen 10 und die Befestigungsöffnung 17. Nach der erfolgten Materialumwandlung wird das umgewandelte Material mittels einer Ätzflüssigkeit aus dem Quarzkörper herausgelöst. Das in der 1 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Gaseinlassorganes 2 kann zur Gänze aus einem Rohling im SLE-Verfahren gefertigt werden.For the production of the gas inlet element 2nd the SLE method already mentioned above is preferably used, in which, with a strongly focused and ultra-short pulsed laser beam, volume areas of the quartz blank are changed to a certain extent by writing. These volume areas are the gas through holes 13 , the gas through holes 14 such as 14 ' , the sections 8th' , 8th" , 8th''' the gas distribution chamber 8th who have favourited Gas Inlet Channels 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 whose mouths 10th and the mounting hole 17th . After the material has been converted, the converted material is detached from the quartz body using an etching liquid. That in the 1 illustrated embodiment of a gas inlet member 2nd can be made entirely from a blank using the SLE process.

Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass sich mit dieser Fertigungsmethode die zu montierenden Teile minimieren lassen.It is considered particularly advantageous that the parts to be assembled can be minimized with this manufacturing method.

Das in der 7 dargestellte Ausführungsbeispiel ist ein Gaseinlassorgan 2 mit zwei übereinander angeordneten Gasverteilkammern 8, wobei die Gasverteilkammern 8 mittels einer Strömungsbarriere 12 in zwei Abschnitte, nämlich einen stromaufwärtigen Abschnitt 8" und einen stromabwärtigen Abschnitt aufgeteilt sind. Es können aber auch mehrere Gasverteilkammern übereinander angeordnet sein, die jeweils von einem Gaskanal gespeist werden können. In jede Gasverteilkammer 8 mündet ein Gaskanal 9.1, 9.2. Der im Wesentlichen zylindrische Körper des Gaseinlassorganes 2 besitzt auf seiner Zylindermantelfläche Gasdurchtrittsbohrungen 13, 14, 14'und bildet dadurch eine Gasverteilwand 6 aus. Die beiden Gasverteilkammern 8 sind mittels eines Trennbodens 11 voneinander getrennt. Eine Grundplatte 31 bildet den Boden der unteren Gasverteilkammer 8.That in the 7 The illustrated embodiment is a gas inlet element 2nd with two gas distribution chambers arranged one above the other 8th , the gas distribution chambers 8th by means of a flow barrier 12 into two sections, namely an upstream section 8th" and a downstream section are divided. However, several gas distribution chambers can also be arranged one above the other, each of which can be fed by a gas channel. In every gas distribution chamber 8th opens a gas channel 9.1 , 9.2 . The essentially cylindrical body of the gas inlet member 2nd has gas passage holes on its cylinder surface 13 , 14 , 14 ' and thereby forms a gas distribution wall 6 out. The two gas distribution chambers 8th are by means of a partition 11 separated from each other. A base plate 31 forms the bottom of the lower gas distribution chamber 8th .

Das Gaseinlassorgan 2 besteht aus einem einstückigen Quarzteil. Die Hohlräume sind im SLE-Verfahren gefertigt. The gas inlet element 2nd consists of a one-piece quartz part. The cavities are manufactured using the SLE process.

Die 8 zeigt eine weitere Variante eines Gaseinlassorgans, bei dem die Strömungsbarriere 12 eine geringere Höhe aufweist als die Gasverteilwände 6. Zwischen der Unterseite des Trennbodens 11 und der Oberseite der ringförmigen Strömungsbarriere 12 bildet sich ein Gasdurchtrittskanal 14" aus. Es handelt sich hierbei um einen umlaufenden Spalt. In einer nicht dargestellten Variante kann dieser Spalt aber auch in azimutaler Richtung durch Stege unterteilt sein.The 8th shows a further variant of a gas inlet element, in which the flow barrier 12 has a lower height than the gas distribution walls 6 . Between the bottom of the divider 11 and the top of the annular flow barrier 12 a gas passage channel is formed 14 " out. It is a circumferential gap. In a variant not shown, this gap can also be divided in the azimuthal direction by webs.

Bei dem in der 9 dargestellten Ausführungsbeispiel grenzt die Strömungsbarriere 12" unmittelbar an die Gasverteilwand 6 an. Bei diesem Ausführungsbeispiel münden Gasdurchtrittsbohrungen 14 mit einer geringen Querschnittsfläche in eine Gasdurchtrittsbohrung 13 mit einer größeren Querschnittsfläche, die sich bis zur Gasaustrittsöffnung 7 erstreckt.The one in the 9 illustrated embodiment limits the flow barrier 12 " directly to the gas distribution wall 6 at. In this embodiment, gas passage holes open 14 with a small cross-sectional area in a gas passage bore 13 with a larger cross-sectional area that extends up to the gas outlet opening 7 extends.

Die in den Ausführungsbeispielen verkörperten Strömungsbarrieren 12, 12', 12" bilden eine Druckbarriere aus. Die Mündungen 10 der Gaseinlasskanäle 9.1 bis 9.5 sind exzentrisch zum Verlauf der Gasverteilwand 6 angeordnet. Die Strömungsstrecke zwischen Mündung und den Gasdurchtrittsbohrungen 13 ist somit unterschiedlich. Um zu vermeiden, dass durch die exzentrische Anordnung der Mündung 10 ein inhomogener Gasstrom aus den Gasaustrittsöffnungen 7 in die Prozesskammer 20 eintritt, sind die Gasdurchtrittskanäle 14, 14', 14" so dimensioniert, dass sich innerhalb der Gasverteilkammer 8 ein höherer Druck aufbaut, als außerhalb der Gasverteilkammer 8 und dieser Überdruck ausreichend groß ist, dass die Strömungsbarriere 12, 12', 12" den Prozessgasstrom in die Prozesskammer 20 homogenisiert. Mit anderen Worten: Über die gesamte Umfangslänge der von einer Kreiszylinderaußenmantelfläche gebildeten Gasaustrittsfläche fließt dieselbe Gasmenge pro Flächeneinheit in die Prozesskammer.The flow barriers embodied in the exemplary embodiments 12 , 12 ' , 12 " form a pressure barrier. The mouths 10th of the gas inlet channels 9.1 to 9.5 are eccentric to the course of the gas distribution wall 6 arranged. The flow path between the mouth and the gas passage holes 13 is therefore different. To avoid the eccentric arrangement of the mouth 10th an inhomogeneous gas flow from the gas outlet openings 7 into the process chamber 20th occurs, are the gas passage channels 14 , 14 ' , 14 " dimensioned so that it is inside the gas distribution chamber 8th builds up a higher pressure than outside the gas distribution chamber 8th and this overpressure is sufficiently large that the flow barrier 12 , 12 ' , 12 " the process gas flow into the process chamber 20th homogenized. In other words: the same amount of gas per unit area flows into the process chamber over the entire circumferential length of the gas outlet surface formed by a circular cylinder outer surface.

Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:The above statements serve to explain the inventions covered by the application as a whole, which also independently further develop the state of the art at least through the following combinations of features, it being possible for two, more or all of these combinations of features to also be combined, namely:

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sich in zumindest einer Gasverteilkammer 8 zwischen der Mündung 10 des Gaseinlasskanals 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 und der Gasverteilwand 6 zumindest eine erste, ein oder mehrere Gasdurchtrittskanäle 14, 14' aufweisende Strömungsbarriere 12, 12' erstreckt.A gas inlet device, which is characterized in that in at least one gas distribution chamber 8th between the mouth 10th of the gas inlet duct 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 and the gas distribution wall 6 at least a first, one or more gas passage channels 14 , 14 ' having a flow barrier 12 , 12 ' extends.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Strömungsbarriere 12, 12' einen Zentralabschnitt 15 umgibt, der die Mündung 10 eines Gaseinlasskanales 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 aufweist.A gas inlet device, characterized in that the flow barrier 12 , 12 ' a central section 15 that surrounds the estuary 10th a gas inlet channel 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 having.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass zumindest zwei Strömungsbarrieren 12, 12' in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind, wobei die zumindest zwei Strömungsbarrieren 12, 12' und insbesondere die Gasverteilwand 6 konzentrisch um den Zentralabschnitt 15 angeordnet sind.A gas inlet device, which is characterized in that at least two flow barriers 12 , 12 ' are arranged one behind the other in the direction of flow, the at least two flow barriers 12 , 12 ' and especially the gas distribution wall 6 concentric around the central section 15 are arranged.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die mindestens eine Strömungsbarriere 12, 12' die Gasverteilkammer 8 in einen stromaufwärtigen Abschnitt 8", 8'" und einen stromabwärtigen Abschnitt 8', 8" teilt oder dass die Strömungsbarriere 12" Gasdurchtrittskanäle 14 aufweist, die unmittelbar an querschnittsgrößere, in die Gasaustrittsöffnungen 7 mündende Gasdurchtrittsbohrungen 13 der Gasverteilwand 6 angrenzen.A gas inlet device, which is characterized in that the at least one flow barrier 12 , 12 ' the gas distribution chamber 8th into an upstream section 8th" , 8th'" and a downstream section 8th' , 8th" shares or that the flow barrier 12 " Gas passage channels 14 has that directly at larger cross-section, in the gas outlet openings 7 opening gas passage holes 13 the gas distribution wall 6 adjoin.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass jedes Gasverteilniveau als scheibenförmiger Gasverteilabschnitt 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 ausgebildet ist, bei dem die Gasverteilwand 6 mit dem Rand des Trennbodens 11 zumindest durch eine dichtende Anlage aneinander verbunden ist und vom Trennboden 11 ein zentraler Abschnitt 15 entspringt, der die Mündung 10 des Gaseinlasskanals 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 aufweist, wobei eine nach oben weisende Breitseitenfläche 15' des Zentralabschnitts 15 eines unteren Gasverteilabschnitts 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 flächig an einer Unterseite des Trennbodens 11 eines oberen Gasverteilabschnitts 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 anliegt oder damit verbunden ist und eine Durchlassöffnung 16 des Zentralabschnitts 15 des oberen Gasverteilabschnitts 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 mit der Mündung 10 des Gaseinlasskanals 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 des unteren Gasverteilabschnitts 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 strömungsverbunden und zur oberen Breitseitenfläche 15' offen ist.A gas inlet device, which is characterized in that each gas distribution level as a disk-shaped gas distribution section 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 is formed, in which the gas distribution wall 6 with the edge of the divider 11 is connected to each other at least by a sealing system and from the partition 11 a central section 15 rises from the mouth 10th of the gas inlet duct 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 having an upward-facing broad side surface 15 ' of the central section 15 a lower gas distribution section 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 flat on an underside of the partition 11 an upper gas distribution section 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 abuts or is connected to it and a passage opening 16 of the central section 15 of the upper gas distribution section 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 with the mouth 10th of the gas inlet duct 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 of the lower gas distribution section 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 flow-connected and to the upper broad side surface 15 ' is open.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Trennboden 11 materialeinheitlich mit dem Zentralabschnitt 15 und/ oder der Gasverteilwand 6 verbunden ist.A gas inlet device, which is characterized in that the partition 11 uniform in material with the central section 15 and / or the gas distribution wall 6 connected is.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Zentralabschnitt 15 von einem Sockel ausgebildet ist.A gas inlet device, which is characterized in that the central portion 15 is formed by a base.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass jedes Gasverteilniveau von einem scheibenförmigen Gasverteilabschnitt 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 ausgebildet ist und eine sich durch das gesamte Gaseinlassorgan 2 erstreckende Öffnung 17, 17' vorgesehen ist.A gas inlet device characterized in that each gas distribution level is from a disk-shaped gas distribution section 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 is formed and one through the entire gas inlet member 2nd extending opening 17th , 17 ' is provided.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Öffnung 17 eine Befestigungsöffnung zur Befestigung des Gaseinlassorganes 2 am Befestigungsabschnitt 3 ausbildet oder dass die Öffnung 17 einen Spülkanal 17' ausbildet.A gas inlet device, which is characterized in that the opening 17th a fastening opening for fastening the gas inlet element 2nd on the mounting section 3rd trains or that the opening 17th a flushing channel 17 ' trains.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die übereinander angeordneten scheibenförmigen Gasverteilabschnitte 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 insbesondere materialeinheitlich oder stoffschlüssig miteinander verbundene Gasverteilkörper sind.A gas inlet device, which is characterized in that the disc-shaped gas distribution sections arranged one above the other 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 are in particular material distribution or integrally connected gas distribution body.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gaseinlasskanäle 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 in einer Querschnittsebene durch den Zentralabschnitt 15 nebeneinander liegen und die Mündungen 10 voneinander verschiedener Gaseinlasskanäle 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 in Umfangsrichtung um den Zentralabschnitt 15 versetzt zueinander angeordnet sind.A gas inlet device, which is characterized in that the gas inlet channels 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 in a cross-sectional plane through the central section 15 lie side by side and the mouths 10th mutually different gas inlet channels 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 circumferentially around the central section 15 are staggered.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gaseinlasskanäle 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5 um eine zentrale Befestigungsöffnung 17 angeordnet sind.A gas inlet device, which is characterized in that the gas inlet channels 9.1 , 9.2 , 9.3 , 9.4 , 9.5 around a central mounting opening 17th are arranged.

Eine Gaseinlassvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gaseinlassorgan 2 aus Quarz besteht und dass die materialeinstückigen Gasverteilkörper/-abschnitte 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 oder das materialeinstückige Gaseinlassorgan 2 durch ein selektives Laser-induziertes Ätzverfahren gefertigt ist, bei dem im Fokus eines fokussierten Laserstrahls eine Materialumwandlung stattfindet und das umgewandelte Material mittels eines Ätzfluids entfernt wird.A gas inlet device, characterized in that the gas inlet member 2nd consists of quartz and that the material-integral gas distribution body / sections 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 or the integral gas inlet member 2nd is produced by a selective laser-induced etching process in which a material conversion takes place in the focus of a focused laser beam and the converted material is removed by means of an etching fluid.

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasverteilkörper 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 oder ein mehrere Gasverteilabschnitte 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 aufweisendes Gaseinlassorgan 2 jeweils einstückig durch selektives laserinduziertes Ätzen gefertigt werden/wird.A method which is characterized in that the gas distribution body 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 or one or more gas distribution sections 4.1 , 4.2 , 4.3 , 4.4 , 4.5 having gas inlet member 2nd are each manufactured in one piece by selective laser-induced etching.

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass die Mündung 10 derart innerhalb der Gasverteilkammer 8 angeordnet ist, dass der aus ihr austretende Prozessgasstrom verschieden lange Strömungsstrecken zu den einzelnen Gasdurchtrittsbohrungen 13 zurücklegt und zumindest eine Strömungsbarriere 12,12', 12" in der Gasverteilkammer 8 eine Homogenisierung des aus den Gasaustrittsöffnungen 7 austretenden Prozessgases bewirkt.A process that is characterized by the mouth 10th such within the gas distribution chamber 8th it is arranged that the process gas stream emerging from it flow paths of different lengths to the individual gas passage bores 13 travels and at least one flow barrier 12 , 12 ' , 12 " in the gas distribution chamber 8th a homogenization of the from the gas outlet openings 7 escaping process gas causes.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.All of the features disclosed are essential to the invention (by themselves, but also in combination with one another). The disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also included in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The sub-claims characterize, even without the features of a referenced claim, independent inventive developments of the prior art with their features, in particular in order to make divisional applications based on these claims. The invention specified in each claim can additionally have one or more of the features specified in the preceding description, in particular provided with reference numbers and / or in the list of reference numbers. The invention also relates to designs in which some of the features mentioned in the above description are not realized, in particular insofar as they are recognizably unnecessary for the respective intended use or can be replaced by other technically equivalent means.

BezugszeichenlisteReference symbol list

11
CVD-ReaktorCVD reactor
22nd
GaseinlassorganGas inlet member
33rd
BefestigungsabschnittFastening section
3'3 '
BefestigungsflächeMounting surface
4.14.1
Gasverteilkörper/-AbschnittGas distribution body / section
4.24.2
Gasverteilkörper/-AbschnittGas distribution body / section
4.34.3
Gasverteilkörper/-AbschnittGas distribution body / section
4.44.4
Gasverteilkörper/-AbschnittGas distribution body / section
4.54.5
Gasverteilkörper/-AbschnittGas distribution body / section
55
GaszuleitungGas supply
66
GasverteilwandGas distribution wall
77
GasaustrittsöffnungGas outlet opening
88th
GasverteilkammerGas distribution chamber
8'8th'
stromabwärtiger Abschnittdownstream section
8"8th"
stromabwärtiger Abschnittdownstream section
8'"8th'"
stromaufwärtiger Abschnittupstream section
9.19.1
GaseinlasskanalGas inlet duct
9.29.2
GaseinlasskanalGas inlet duct
9.39.3
GaseinlasskanalGas inlet duct
9.49.4
GaseinlasskanalGas inlet duct
9.59.5
GaseinlasskanalGas inlet duct
1010th
Mündungmuzzle
11 11
TrennbodenPartition
1212
StrömungsbarriereFlow barrier
12'12 '
StrömungsbarriereFlow barrier
1313
GasdurchtrittsbohrungGas passage hole
1414
GasdurchtrittskanalGas passage
14'14 '
GasdurchtrittskanalGas passage
14"14 "
GasdurchtrittskanalGas passage
1515
Zentralabschnitt, SockelCentral section, base
15'15 '
BreitseitenflächeBroadside
1616
DurchlassöffnungOutlet opening
1717th
BefestigungsöffnungMounting hole
17'17 '
SpülkanalFlushing channel
1818th
PrallwandBaffle
1919th
SuszeptorSusceptor
2020th
ProzesskammerProcess chamber
2121st
SubstratSubstrate
2222
GasauslassGas outlet
2323
ProzesskammerdeckeProcess chamber ceiling
2424th
HeizeinrichtungHeater
2525th
Vertiefungdeepening
2626
GasaustrittsöffnungGas outlet opening
2727th
BefestigungsöffnungMounting hole
2828
Muttermother
2929
Federfeather
3030th
BefestigungsschraubeMounting screw
3131
GrundplatteBase plate
3232
StützscheibeSupport disc
3333
StützrohrSupport tube
3434
DiffusionsbarriereDiffusion barrier
3535
BefestigungsöffnungMounting hole
3636
FlanschabschnittFlange section

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • DE 102008055582 A1 [0003]DE 102008055582 A1 [0003]
  • DE 10029110 B4 [0004]DE 10029110 B4 [0004]
  • EP 3036061 B1 [0004]EP 3036061 B1 [0004]
  • DE 202017002851 U1 [0004]DE 202017002851 U1 [0004]
  • DE 102018202687 A1 [0004]DE 102018202687 A1 [0004]

Claims (16)

Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, dass sich in zumindest einer Gasverteilkammer (8) zwischen der Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) und der Gasverteilwand (6) zumindest eine erste, ein oder mehrere Gasdurchtrittskanäle (14, 14', 14") aufweisende Strömungsbarriere (12, 12', 12") erstreckt.Gas inlet device for a CVD reactor (1) with a gas inlet member (3) which can be fastened to a gas supply line (5) and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each having a gas distribution wall (6) with gas outlet openings (7) which are connected to one of the gas distribution walls (6) surrounding gas distribution chambers (8) are flow-connected, wherein in each case a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) opens into the gas distribution chamber (8) with an opening (10) and the gas distribution chambers (8) of different gas distribution levels through a partition (11) are separated from one another, characterized in that in at least one gas distribution chamber (8) between the mouth (10) of the gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) and the gas distribution wall (6) at least one first, one or several gas passage channels (14, 14 ', 14 ") having flow barrier (12, 12', 12"). Gaseinlassvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömungsbarriere (12, 12') einen Zentralabschnitt (15) umgibt, der die Mündung (10) eines Gaseinlasskanales (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) aufweist.Gas inlet device after Claim 1 , characterized in that the flow barrier (12, 12 ') surrounds a central section (15) which has the mouth (10) of a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5). Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei Strömungsbarrieren (12, 12') in Strömungsrichtung hintereinander angeordnet sind, wobei die zumindest zwei Strömungsbarrieren (12, 12') und insbesondere die Gasverteilwand (6) konzentrisch um den Zentralabschnitt (15) angeordnet sind.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that at least two flow barriers (12, 12 ') are arranged one behind the other in the flow direction, the at least two flow barriers (12, 12') and in particular the gas distribution wall (6) concentrically around the central section (15 ) are arranged. Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Strömungsbarriere (12, 12') die Gasverteilkammer (8) in einen stromaufwärtigen Abschnitt (8", 8'") und einen stromabwärtigen Abschnitt (8', 8") teilt oder dass die Strömungsbarriere (12") Gasdurchtrittskanäle (14) aufweist, die unmittelbar an querschnittsgrößere, in die Gasaustrittsöffnungen (7) mündende Gasdurchtrittsbohrungen (13) der Gasverteilwand (6) angrenzen.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the at least one flow barrier (12, 12 ') divides the gas distribution chamber (8) into an upstream section (8 ", 8'") and a downstream section (8 ', 8 ") or that the flow barrier (12 ") has gas passage channels (14) which directly adjoin gas passage bores (13) of the gas distribution wall (6) which have larger cross sections and open into the gas outlet openings (7). Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammer (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus durch jeweils einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Gasverteilniveau als scheibenförmiger Gasverteilabschnitt (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) ausgebildet ist, bei dem die Gasverteilwand (6) mit dem Rand des Trennbodens (11) zumindest durch eine dichtende Anlage aneinander verbunden ist und vom Trennboden (11) ein zentraler Abschnitt (15) entspringt, der die Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) aufweist, wobei eine nach oben weisende Breitseitenfläche (15') des Zentralabschnitts (15) eines unteren Gasverteilabschnitts (4.2, 4.3, 4.4, 4.5) flächig an einer Unterseite des Trennbodens (11) eines oberen Gasverteilabschnitts (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) anliegt oder damit verbunden ist und eine Durchlassöffnung (16) des Zentralabschnitts (15) des oberen Gasverteilabschnitts (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) mit der Mündung (10) des Gaseinlasskanals (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) des unteren Gasverteilabschnitts (4.2, 4.3, 4.4, 4.5) strömungsverbunden und zur oberen Breitseitenfläche (15') offen ist.Gas inlet device for a CVD reactor (1) with a gas inlet member (3) which can be fastened to a gas supply line (5) and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each having a gas distribution wall (6) with gas outlet openings (7) which are connected to one of the gas distribution walls (6) surrounding gas distribution chamber (8) are flow-connected, a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) with an opening (10) opening into the gas distribution chamber (8) and the gas distribution chambers (8) of different gas distribution levels each through a partition (11) are separated from one another, characterized in that each gas distribution level is designed as a disc-shaped gas distribution section (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5), in which the gas distribution wall (6) with the edge of the partition (11) is at least provided by a sealing system is connected to one another and a central section (15) arises from the dividing floor (11), which central section (10) of the gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5), an upward-facing broad side surface (15 ') of the central section (15) of a lower gas distribution section (4.2, 4.3, 4.4, 4.5) being flat on an underside of the partition (11) of an upper gas distribution section ( 4.1, 4.2, 4.3, 4.4) or is connected to it and a passage opening (16) of the central section (15) of the upper gas distribution section (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) with the mouth (10) of the gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3 , 9.4, 9.5) of the lower gas distribution section (4.2, 4.3, 4.4, 4.5) is flow-connected and open to the upper broad side surface (15 '). Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Trennboden (11) materialeinheitlich mit dem Zentralabschnitt (15) und/oder der Gasverteilwand (6) verbunden ist.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the separating base (11) is connected to the central section (15) and / or the gas distribution wall (6) in the same material. Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Zentralabschnitt (15) von einem Sockel ausgebildet ist.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the central section (15) is formed by a base. Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus jeweils durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Gasverteilniveau von einem scheibenförmigen Gasverteilabschnitt (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) ausgebildet ist und eine sich durch das gesamte Gaseinlassorgan (2) erstreckende Öffnung (17, 17') vorgesehen ist.Gas inlet device for a CVD reactor (1) with a gas inlet member (3) which can be fastened to a gas supply line (5) and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each having a gas distribution wall (6) with gas outlet openings (7) which are connected to one of the gas distribution walls (6) surrounding gas distribution chambers (8) are flow-connected, a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) each opening into the gas distribution chamber (8) and the gas distribution chambers (8) of different gas distribution levels each being separated from one another by a partition (11) are characterized in that each gas distribution level is formed by a disc-shaped gas distribution section (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) and an opening (17, 17 ') extending through the entire gas inlet element (2) is provided. Gaseinlassvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (17) eine Befestigungsöffnung zur Befestigung des Gaseinlassorganes (2) am Befestigungsabschnitt (3) ausbildet oder dass die Öffnung (17) einen Spülkanal (17') ausbildet.Gas inlet device after Claim 8 , characterized in that the opening (17) forms a fastening opening for fastening the gas inlet element (2) to the fastening section (3) or that the opening (17) forms a flushing channel (17 '). Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die übereinander angeordneten scheibenförmigen Gasverteilabschnitte (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) insbesondere materialeinheitlich oder stoffschlüssig miteinander verbundene Gasverteilkörper sind.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that that the disc-shaped gas distribution sections (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) arranged one above the other are in particular gas distribution bodies which are connected to one another in a material-uniform or cohesive manner. Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor (1) mit einem an einem Gaszuleitungen (5) aufweisenden Befestigungsabschnitt (3) befestigbaren Gaseinlassorgan mit mehreren übereinander angeordneten Gasverteilniveaus, die jeweils eine Gasverteilwand (6) mit Gasaustrittsöffnungen (7) aufweisen, die mit einer von der Gasverteilwand (6) umgebenen Gasverteilkammern (8) strömungsverbunden sind, wobei in die Gasverteilkammer (8) jeweils ein Gaseinlasskanal (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) mit einer Mündung (10) mündet und die Gasverteilkammern (8) verschiedener Gasverteilniveaus jeweils durch einen Trennboden (11) voneinander getrennt sind, wobei die Gaseinlasskanäle (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) in einem säulenförmigen Zentralabschnitt (15) des Gaseinlassorganes (2) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaseinlasskanäle (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) in einer Querschnittsebene durch den Zentralabschnitt (15) nebeneinander liegen und die Mündungen (10) voneinander verschiedener Gaseinlasskanäle (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) in Umfangsrichtung um den Zentralabschnitt (15) versetzt zueinander angeordnet sind.Gas inlet device for a CVD reactor (1) with a gas inlet member (3) which can be fastened to a gas supply line (5) and has a plurality of gas distribution levels arranged one above the other, each having a gas distribution wall (6) with gas outlet openings (7) which are connected to one of the gas distribution walls (6) surrounding gas distribution chambers (8) are flow-connected, with a gas inlet channel (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) with an opening (10) opening into the gas distribution chamber (8) and the gas distribution chambers (8) of different gas distribution levels each through one Partition floor (11) are separated from one another, the gas inlet channels (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) being arranged in a columnar central section (15) of the gas inlet member (2), characterized in that the gas inlet channels (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) lie side by side in a cross-sectional plane through the central section (15) and the orifices (10) of different gas inlet channels (9.1 , 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) are arranged offset to one another in the circumferential direction around the central section (15). Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gaseinlasskanäle (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) um eine zentrale Öffnung (17,17') oder eine zentrale Achse angeordnet sind.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the gas inlet channels (9.1, 9.2, 9.3, 9.4, 9.5) are arranged around a central opening (17, 17 ') or a central axis. Gaseinlassvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (2) aus Quarz besteht und dass die materialeinstückigen Gasverteilkörper/-abschnitte (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) oder das materialeinstückige Gaseinlassorgan (2) durch ein selektives Laser-induziertes Ätzverfahren gefertigt ist, bei dem im Fokus eines fokussierten Laserstrahls eine Materialumwandlung stattfindet und das umgewandelte Material mittels eines Ätzfluids entfernt wird.Gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the gas inlet member (2) consists of quartz and that the material-integral gas distribution body / sections (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) or the material-integral gas inlet member (2) by a selective laser induced etching process is produced, in which a material conversion takes place in the focus of a focused laser beam and the converted material is removed by means of an etching fluid. Verfahren zur Fertigung eines Gaseinlassorgans (2) einer Gaseinlassvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasverteilkörper (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) oder ein mehrere Gasverteilabschnitte (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) aufweisendes Gaseinlassorgan (2) jeweils einstückig durch selektives laserinduziertes Ätzen gefertigt werden/ wird.Method for manufacturing a gas inlet member (2) of a gas inlet device according to one of the preceding claims, characterized in that the gas distribution body (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) or a gas inlet member having a plurality of gas distribution sections (4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5) (2) are / are manufactured in one piece by selective laser-induced etching. Verfahren zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer (20) eines CVD-Reaktors (1), welche Prozessgase durch eine Gaszuleitung (5) oder getrennt voneinander durch mehrere Gaszuleitungen (5), damit jeweils verbundenen Gaseinlasskanälen (9.1 bis 9.5) und jeweils einer Mündung (10) in jeweils eine Gasverteilkammer (8) eines Gaseinlassorgans (2) eingespeist werden, aus welcher Gasverteilkammer (8) sie durch in Gasaustrittsöffnungen (7) mündende Gasdurchtrittsöffnungen (13) einer Gasverteilwand (6) hindurch in die Prozesskammer (20) eintreten, dadurch gekennzeichnet, dass die Mündung (10) derart innerhalb der Gasverteilkammer (8) angeordnet ist, dass der aus ihr austretende Prozessgasstrom verschieden lange Strömungsstrecken zu den einzelnen Gasdurchtrittsbohrungen (13) zurücklegt und zumindest eine Strömungsbarriere (12,12', 12") in der Gasverteilkammer (8) eine Homogenisierung des aus den Gasaustrittsöffnungen (7) austretenden Prozessgases bewirkt.Process for feeding process gases into a process chamber (20) of a CVD reactor (1), which process gases through a gas feed line (5) or separately from one another through a plurality of gas feed lines (5), the gas inlet channels (9.1 to 9.5) connected to each and a mouth (10) are fed into one gas distribution chamber (8) of a gas inlet member (2), from which gas distribution chamber (8) they enter the process chamber (20) through gas passage openings (13) of a gas distribution wall (6) opening into gas outlet openings (7), characterized in that the mouth (10) is arranged within the gas distribution chamber (8) such that the process gas stream emerging from it covers flow paths of different lengths to the individual gas passage bores (13) and at least one flow barrier (12, 12 ', 12 ") in the gas distribution chamber (8) causes a homogenization of the process gas emerging from the gas outlet openings (7). Gaseinlassvorrichtung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.Gas inlet device or method, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
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