DE102018124903B3 - Method for calibrating a multi-beam particle beam microscope - Google Patents
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Abstract
Ein Vielstrahl-Teilchenmikroskop ist dazu konfiguriert, eine Vielzahl von Teilchenstrahlen so auf ein Objekt zu richten, dass die Teilchenstrahlen an einer Oberfläche des Objekts Auftrefforte beleuchten, die in einem im wesentlichen regelmäßigen Gitter angeordnet sind, dessen Gitterperiode zwischen einer kleinsten Gitterperiode und einer größten Gitterperiode änderbar ist. Ein Verfahren zum Kalibrieren des Vielstrahl-Teilchenmikroskops umfasst ein Scannen der Vielzahl von Teilchenstrahlen über die Oberfläche eines Testobjekts und ein Detektieren von Signalen, die durch die auf das Testobjekt auftreffenden Teilchenstrahlen erzeugt werden; und ein Bestimmen von Kalibrierdaten, welche wenigstens eine Eigenschaft des Vielstrahl-Teilchenmikroskops repräsentieren, basierend auf den detektierten Signalen. Das Testobjekt weist eine Teststruktur auf, die nicht-periodisch ist oder eine Struktur-Periode aufweist, die kleiner ist als die kleinste Gitterperiode der Auftrefforte.A multi-beam particle microscope is configured to direct a plurality of particle beams onto an object in such a way that the particle beams on a surface of the object illuminate impact points which are arranged in a substantially regular grating, the grating period between a smallest grating period and a largest grating period is changeable. A method of calibrating the multi-beam particle microscope includes scanning the plurality of particle beams across the surface of a test object and detecting signals generated by the particle beams impinging on the test object; and determining calibration data representing at least one property of the multi-beam particle microscope based on the detected signals. The test object has a test structure that is non-periodic or has a structure period that is smaller than the smallest lattice period of the impact location.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kalibrieren eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops.The invention relates to a method for calibrating a multi-beam particle beam microscope.
Aus
Für die Genauigkeit des aufgenommenen Bildes ist es wesentlich, dass die Zuordnung von Detektionssignalen zu Auftrefforten an dem Objekt korrekt erfolgt. Die Auftrefforte der über das Objekt gescannten Teilchenstrahlen sind durch ein Scansignal charakterisiert, welches die ablenkende Wirkung von Strahlablenkern definiert, welche die Vielzahl der parallel auf das Objekt gerichteten Teilchenstrahlen zur Ausführung der Scanbewegungen ablenken. Alleine durch das Scansignal sind die Auftrefforte der einzelnen Teilchenstrahlen an dem Objekt jedoch nicht vollständig charakterisiert, da jeder Teilchenstrahl einzeln erzeugt wird und auf einem eigenen Pfad durch die Abbildungsoptik läuft. Jeder einzelne Strahl kann daher eigenen und von anderen Strahlen verschieden Verzeichnungsfehlern unterliegen, welche wiederum den Auftreffort des Teilchenstrahls an dem Objekt beeinflussen. Deshalb haben die Teilchenstrahlen beim Auftreffen auf das Objekt nicht alle immer den gleichen Abstand von ihren nächsten Nachbarn.For the accuracy of the recorded image, it is essential that the detection signals are correctly assigned to the points of impact on the object. The points of impact of the particle beams scanned over the object are characterized by a scan signal which defines the deflecting effect of beam deflectors which deflect the large number of particle beams directed parallel to the object in order to carry out the scanning movements. However, the impact signal of the individual particle beams on the object is not completely characterized by the scan signal alone, since each particle beam is generated individually and runs on its own path through the imaging optics. Each individual beam can therefore be subject to distortion errors of its own and different from other beams, which in turn influence the impact of the particle beam on the object. Therefore, the particle beams do not always have the same distance from their nearest neighbors when they hit the object.
Um die Positionen der Auftrefforte der einzelnen Teilchenstrahlen an dem Objekt bei einem gegebenen Scansignal kennenzulernen, ist die Ausführung eines Kalibrierverfahrens notwendig. Bei einem derartigen Kalibrierverfahren wird ein Testobjekt verwendet, dessen Struktur mit ausreichend hoher Genauigkeit bekannt ist.In order to get to know the positions of the impact points of the individual particle beams on the object with a given scan signal, a calibration method has to be carried out. In such a calibration method, a test object is used, the structure of which is known with sufficiently high accuracy.
Beispiele derartiger Kalibrierobjekte sind aus
Mit dem zu kalibrierenden Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskop wird ein teilchenmikroskopisches Bild dieses Testobjekt aufgenommen, wobei verschiedene Teile des Bildes von verschiedenen Teilchenstrahlen abgescannt werden. Das von einem gegebenen Teilchenstrahl erzeugte Bild des Teils des Testobjekts wird hinsichtlich seiner Lage mit den von anderen Teilchenstrahlen gewonnenen Bildern und der Struktur des Testobjekt verglichen, um festzustellen, welche Auftrefforte der gegebene Teilchenstrahl bei den einzelnen Werten des Scansignals eingenommen hat. Diese Erkenntnis kann dann bei der Aufnahme von teilchenmikroskopischen Bildern, deren Struktur zunächst unbekannt ist, benutzt werden, um die Bilder hinsichtlich der Positionierung der einzelnen Teilchenstrahlen relativ zueinander zu korrigieren.With the multi-beam particle beam microscope to be calibrated, a particle microscopic image of this test object is recorded, different parts of the image being scanned by different particle beams. The position of the image of the part of the test object generated by a given particle beam is compared with the images obtained from other particle beams and the structure of the test object in order to determine what impact the given particle beam has on the individual values of the scan signal. This knowledge can then be used when taking particle microscopic images, the structure of which is initially unknown, in order to correct the images with respect to the positioning of the individual particle beams relative to one another.
Bei dem aus
Aus
Ferner hatte sich gezeigt, dass durch den Beschuss mit den Teilchenstrahlen, der für die Aufnahme der teilchenmikroskopischen Aufnahmen der Teststrukturen zum Kalibrieren des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops unvermeidbar ist, die Teststrukturen selbst geschädigt werden, so dass die Testobjekte nach einer bestimmten Benutzungsdauer nicht mehr verwendbar sind und durch neu hergestellte Testobjekte ersetzt werden müssen. Furthermore, it had been shown that the bombardment with the particle beams, which is inevitable for the recording of the particle microscopic images of the test structures for calibrating the multi-beam particle beam microscope, damages the test structures themselves, so that the test objects can no longer be used after a certain period of use and must be replaced by newly manufactured test objects.
Die hiermit einhergehende Notwendigkeit, eine große Anzahl verschiedener Testobjekte bereitzuhalten und gegebenenfalls neu herzustellen wurde als störend empfunden, ebenso wie die Erwartung, dass bei einer in der Praxis zukünftig möglicherweise auftretenden Einsatzsituation es wünschenswert sein wird, einen Abstand der Teilchenstrahlen voneinander einzustellen, für welchen keine angepasste Teststruktur vorhanden ist.The associated need to keep a large number of different test objects available and, if necessary, to recreate them was perceived as disturbing, as was the expectation that, in the case of a possible future use in practice, it would be desirable to set a distance between the particle beams for which none customized test structure is available.
Entsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Kalibrieren eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops vorzuschlagen, welches eine einfache Kalibrierung des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops für jeden einstellbaren Abstand der Teilchenstrahlen voneinander ermöglicht.Accordingly, it is an object of the present invention to propose a method for calibrating a multi-beam particle beam microscope, which enables simple calibration of the multi-beam particle beam microscope for each adjustable distance of the particle beams from one another.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung ist ein Verfahren zum Kalibrieren eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops vorgesehen, welches dazu konfiguriert ist, eine Vielzahl von Teilchenstrahlen so auf ein Objekt zu richten, dass die Teilchenstrahlen an einer Oberfläche des Objekts Auftrefforte beleuchten, die in einem im Wesentlichen regelmäßigen Gitter angeordnet sind, dessen Gitterperiode zwischen einer kleinsten Gitterperiode und einer größten Gitterperiode änderbar ist.According to exemplary embodiments of the invention, a method for calibrating a multi-beam particle beam microscope is provided, which is configured to direct a multiplicity of particle beams onto an object in such a way that the particle beams on a surface of the object illuminate impact points which are in a substantially regular grating are arranged, the grating period between a smallest grating period and a largest grating period can be changed.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Verfahren ein Scannen der Vielzahl von Teilchenstrahlen über die Oberfläche eines Testobjekts und ein Detektieren von Signalen, die durch die auf das Testobjekt auftreffenden Teilchenstrahlen erzeugt werden. Dieses Scannen erfolgt bei einer gegebenen Einstellung der Gitterperiode des Gitters von Auftrefforten der Teilchenstrahlen an dem Objekt.According to exemplary embodiments, the method comprises scanning the plurality of particle beams over the surface of a test object and detecting signals that are generated by the particle beams impinging on the test object. This scanning is done at a given setting of the grating period of the grating from the impact points of the particle beams on the object.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Verfahren ferner ein Bestimmen von Kalibrierdaten basierend auf den detektierten Signalen. Die Kalibrierdaten können hierbei wenigstens eine Eigenschaft des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops repräsentieren.According to exemplary embodiments, the method further comprises determining calibration data based on the detected signals. The calibration data can represent at least one property of the multi-beam particle beam microscope.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen weist das Testobjekt eine Teststruktur auf, die nicht-periodisch ist oder eine Struktur-Periode aufweist, die kleiner ist als die kleinste Gitterperiode der Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Objekt.According to exemplary embodiments, the test object has a test structure that is non-periodic or has a structure period that is smaller than the smallest grating period of the point of impact of the particle beams on the object.
Die Erfinder haben herausgefunden, dass es für eine ausreichende Kalibrierung des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops nicht notwendig ist, Testobjekte zu verwenden, deren Teststrukturen Teilstrukturen aufweisen, welche mit den gleichen Abständen voneinander angeordnet sind wie die Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Objekt. Möglich ist dies dann, wenn die Teststruktur des Testobjekts keine feststellbare Struktur-Periode aufweist und somit nicht-periodisch ist, oder wenn die Teststruktur dann, wenn sie periodisch ist und eine Strukturperiode aufweist, die Strukturperiode kleiner ist als die kleinste Gitterperiode der Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Objekt.The inventors have found that it is not necessary for adequate calibration of the multi-beam particle beam microscope to use test objects whose test structures have substructures which are arranged at the same distances from one another as the point of impact of the particle beams on the object. This is possible if the test structure of the test object has no detectable structure period and is therefore non-periodic, or if the test structure if it is periodic and has a structure period, the structure period is smaller than the smallest lattice period of the point of impact of the particle beams on the object.
Dieses Testobjekt ist für sämtliche Einstellungen der Gitterperiode des Gitters der Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Objekt als Testobjekt geeignet. Darüber hinaus muss das Testobjekt zur Durchführung der Kalibrierung nicht auf besondere Weise relativ zu dem Teilchenstrahlmikroskop positioniert werden. Insbesondere kann das Testobjekt in beliebiger Orientierung relativ zu dem Teilchenstrahlmikroskop angeordnet werden. Dies ist ein wesentlicher Vorteil gegenüber dem herkömmlichen Testobjekt, welches relativ zu dem Teilchenstrahlmikroskop so positioniert werden muss, dass das Gitter der Teilstrukturen des Testobjekts relativ zu dem Gitter der Auftrefforte sowohl hinsichtlich seiner lateralen Position als auch hinsichtlich seiner Orientierung korrekt ausgerichtet ist.This test object is suitable for all settings of the grating period of the grating of the point of impact of the particle beams on the object as a test object. In addition, the test object does not have to be positioned in a special way relative to the particle beam microscope in order to carry out the calibration. In particular, the test object can be arranged in any orientation relative to the particle beam microscope. This is a significant advantage over the conventional test object, which has to be positioned relative to the particle beam microscope in such a way that the lattice of the substructures of the test object is correctly aligned relative to the lattice of the impact location both with regard to its lateral position and with regard to its orientation.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist die Strukturperiode der Teststruktur wesentlich kleiner als die Gitterperiode der Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Objekt. Insbesondere kann die Strukturperiode mehr als fünfmal kleiner und insbesondere mehr als zehnmal kleiner sein als die Gitterperiode der Auftrefforte.According to exemplary embodiments, the structure period of the test structure is significantly smaller than the lattice period of the point of impact of the particle beams on the object. In particular, the structure period can be more than five times smaller and in particular more than ten times smaller than the lattice period of the impact location.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen weist die Teststruktur des Testobjekts eine Vielzahl nebeneinander angeordneter Teilstrukturen auf, welche wenigstens eine Gruppe von Teilstrukturen aufweist, die paarweise voneinander verschiedene Strukturen aufweisen. Dies erleichtert es, in einem zur Kalibrierung des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops aufgenommenen Bild der Teststruktur die verschiedenen Teilstrukturen zu erkennen und voneinander zu unterscheiden, wodurch es dann erleichtert ist, die Zuordnung einzelner Positionen des Bildes zu einzelnen Auftrefforten an dem Objekt korrekt zu ermitteln.According to exemplary embodiments, the test structure of the test object has a multiplicity of substructures arranged next to one another, which has at least one group of substructures which have structures which are different from one another in pairs. This makes it easier to recognize the different substructures in an image of the test structure recorded for calibration of the multi-beam particle beam microscope and to distinguish them from one another, which then makes it easier to correctly determine the assignment of individual positions of the image to individual points of impact on the object.
Gemäß beispielhaften Ausführungsformen repräsentieren die Kalibrierdaten tatsächliche Auftrefforte der Teilchenstrahlen auf dem Testobjekt.According to exemplary embodiments, the calibration data represent actual impact points of the particle beams on the test object.
Gemäß weiterer beispielhafter Ausführungsformen hierin repräsentieren die Kalibrierdaten die tatsächlichen Auftrefforte der Teilchenstrahlen an dem Testobjekt in einem Koordinatensystem des Testobjekts.According to further exemplary embodiments herein, the calibration data represent the actual point of impact of the particle beams on the test object in a coordinate system of the test object.
Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert. Hierbei zeigt:
-
1 eine schematische Draufsicht auf ein Testobjekt gemäß einer ersten Ausführungsform; -
2 eine schematische Draufsicht auf ein Testobjekt gemäß einer zweiten Ausführungsform; und -
3 eine schematische Draufsicht auf ein Testobjekt gemäß einer dritten Ausführungsform.
-
1 a schematic plan view of a test object according to a first embodiment; -
2 a schematic plan view of a test object according to a second embodiment; and -
3 is a schematic plan view of a test object according to a third embodiment.
Das in
Die Abmessungen der Strukturen des Testobjekts können für das hier beschriebene Kalibrierverfahren als vorbestimmt und bekannt vorausgesetzt werden. Die Abmessungen können hierbei durch das Herstellungsverfahren für das Testobjekt vorgegeben sein. Falls die Genauigkeit des Herstellungsverfahrens nicht ausreichend ist und die tatsächlichen Abmessungen der Strukturen des hergestellten Testobjekts von erwarteten Abmessungen abweichen, können die Abmessungen der Strukturen des Testobjekts in einem separaten Verfahren gemessen werden.The dimensions of the structures of the test object can be assumed to be predetermined and known for the calibration method described here. The dimensions can be predetermined by the manufacturing process for the test object. If the accuracy of the manufacturing process is not sufficient and the actual dimensions of the structures of the test object produced differ from the expected dimensions, the dimensions of the structures of the test object can be measured in a separate method.
Die Teststruktur
In
Eine Gitterperiode der Felder
Die Gitterperioden
Die Struktur-Perioden a und b des Gitters der Anordnung der Teilstrukturen
Hierdurch ist es beispielsweise möglich, Abweichungen der Positionen der Felder
Es ist darüber hinaus möglich, die Teststrukturen
Die Testobjekte der
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080067370A1 (en) * | 2006-07-01 | 2008-03-20 | Mccaffrey John Patrick | Electron microscope and scanning probe microscope calibration device |
US20110210250A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Calibration standard member, method for manufacturing the member and scanning electronic microscope using the member |
US20130299699A1 (en) * | 2010-12-28 | 2013-11-14 | Yoshinori Nakayama | Standard member for calibration and method of manufacturing the same and scanning electron microscope using the same |
US20150357157A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle beam system and method for operating a particle optical unit |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080067370A1 (en) * | 2006-07-01 | 2008-03-20 | Mccaffrey John Patrick | Electron microscope and scanning probe microscope calibration device |
US20110210250A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Calibration standard member, method for manufacturing the member and scanning electronic microscope using the member |
US20130299699A1 (en) * | 2010-12-28 | 2013-11-14 | Yoshinori Nakayama | Standard member for calibration and method of manufacturing the same and scanning electron microscope using the same |
US20150357157A1 (en) * | 2014-06-06 | 2015-12-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle beam system and method for operating a particle optical unit |
US20180040454A1 (en) * | 2014-06-06 | 2018-02-08 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Particle beam system and method for operating a particle optical unit |
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