DE102018102832B4 - Filterschaltung mit einem Notchfilter - Google Patents

Filterschaltung mit einem Notchfilter Download PDF

Info

Publication number
DE102018102832B4
DE102018102832B4 DE102018102832.6A DE102018102832A DE102018102832B4 DE 102018102832 B4 DE102018102832 B4 DE 102018102832B4 DE 102018102832 A DE102018102832 A DE 102018102832A DE 102018102832 B4 DE102018102832 B4 DE 102018102832B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
filter
band
notch
filter circuit
shunt elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102018102832.6A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102018102832A1 (de
Inventor
Roeland Heijna
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RF360 Singapore Pte Ltd
Original Assignee
RF360 Europe GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RF360 Europe GmbH filed Critical RF360 Europe GmbH
Priority to DE102018102832.6A priority Critical patent/DE102018102832B4/de
Priority to CN201980012044.7A priority patent/CN111684716B/zh
Priority to US16/965,826 priority patent/US11563422B2/en
Priority to PCT/EP2019/051976 priority patent/WO2019154655A1/en
Publication of DE102018102832A1 publication Critical patent/DE102018102832A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102018102832B4 publication Critical patent/DE102018102832B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H03H9/6409—SAW notch filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/1455—Transducers of particular shape or position constituted of N parallel or series transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/547—Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H2007/013—Notch or bandstop filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
    • H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
    • H04B2001/1063—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal using a notch filter

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

Filterschaltung, umfassend in einer Signalleitung (SL),- ein Bandfilter (BF), das es ermöglicht, ein Nutzfrequenzband durchzulassen und- ein Notchfilter (NF), das zu dem Bandfilter in Serie geschaltet ist, zum Ausfiltern einer Sperrbandfrequenz, wobei- das Notchfilter eine Serienschaltung einer Anzahl n von parallelen Nebenschlusselementen (SE) umfasst,- jedes Nebenschlusselement (SE1,SE2,..SEn) gegenüber den anderen Nebenschlusselementen in der Frequenz verschoben ist, so dass alle Nebenschlusselemente über ein Notchband verteilt sind,- das Notchfilter (NF) das Notchband (NB) bereitstellt,- im Notchfilter (NF) sämtliche parallelen Nebenschlusselemente (SE) durch einen einzigen Ein-Tor-SAW-Resonator realisiert sind, der einen Wandler mit zwei Sammelleitungen und einer Anzahl von Wandlerfingern, die abwechselnd mit einer der zwei Sammelleitungen verbunden sind, aufweist, wobei ein Fingerabstand zwischen den Mitten von zwei benachbarten Wandlerfingern eine Sperrbandfrequenz innerhalb des Notchbands (NB) definiert,- der Wandler des Ein-Tor-SAW-Resonators eine Anzahl von verschiedenen Fingerabständen (d1,..dx,..dn) umfasst und folglich eine Anzahl von n verschiedenen Nebenschlusselementen mit entsprechenden Sperrbandfrequenzen, die zusammen das Notchband bereitstellen.

Description

  • Bei Mobilkommunikation kann die Isolation bei einem System, das aus einem PA, PA-Anpassung und TX-Filter (z. B. ein SAW-Duplexer) in einem jeweiligen Frontendmodul besteht, innerhalb des Sperrbands zu schlecht sein, um eine vorgegebene Spezifikation eines spezifizierten Frequenzbands zu erfüllen. Somit müssen zusätzliche Maßnahmen ergriffen werden, um die Isolation zwischen verschiedenen Bändern zu verbessern.
  • Ein bekanntes Verfahren dafür besteht darin, ein Notchfilter in den Signalpfad einzubringen, das eine spezifische Frequenz ausfiltert, um einen Po1 in der Filtertransferfunktion zu schaffen. Normalerweise filtert ein Notchfilter nur eine einzige Frequenz aus und ist somit zum Dämpfen von gerade einmal einem Störsignal nützlich und verbessert die Isolation nur bei einer spezifischen Frequenz. Einbringen jeglicher weiterer Notche würde den Serienwiderstand unnötig erhöhen, wodurch Verluste entstehen, was unerwünscht ist.
  • Aus der US 2013 / 0 147 678 A1 ist eine Filterschaltung aus einem Duplexer und einem Bandeliminationsfilter bekannt, welches eine Ladder Type Anordnung aus Parallelresonatoren und seriellen Spulen umfasst. Aus der DE 11 2012 002 502 T5 ist eine Filterschaltung aus einem Diplexer und einem Bandstoppfilter bekannt. Aus der KR 10 0 860 509 B1 ist ein Notchfilter bekannt, welches Shuntresonatoren mit unterschiedlichen Resonanzfrequenzen aufweist.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, die Isolation zwischen verschiedenen Frequenzbändern zu verbessern, die gleichzeitig in Standardvorstufenmodulen arbeiten, ohne zu viele zusätzliche Verluste zu verursachen.
  • Diese und andere Aufgaben werden durch eine Filterschaltung nach Anspruch 1 erfüllt. Weitere vorteilhafte Merkmale beinhaltende Ausführungsformen werden durch die abhängigen Ansprüche angegeben.
  • Die Idee dahinter besteht darin, ein Notchfilter zum Ausfiltern einer Sperrbandfrequenz bereitzustellen. Das Notchfilter ist zu einem Bandfilter in Serie geschaltet und umfasst eine Serienschaltung von einer Anzahl von parallelen Nebenschlusselementen. Die Nebenschlusselemente sind gegenseitig in der Frequenz verschoben und stellen somit eine Anzahl von Sperrbandfrequenzen bereit, die über ein Notchband verteilt sind. Dies führt zu einem Notchfilter, das ein breites Notchband aufweist, gemäß der Verteilung der einzelnen Sperrbandfrequenzen. Dabei umfasst das Notchfilter nur einen einzigen Ein-Port-SAW-Resonator, der einen Wandler mit zwei Sammelleitungen und einer Anzahl von Wandlerfingern, die abwechselnd mit einer der zwei Sammelleitungen verbunden sind, aufweist. Ein Fingerabstand zwischen den Mitten von zwei benachbarten Wandlerfingern definiert eine Sperrbandfrequenz innerhalb des Notchbands. In dem Ein-Tor-Resonator ist eine Anzahl von verschiedenen Fingerabständen vorgesehen, die jeweils ein Nebenschlusselement mit einer entsprechenden Sperrbandfrequenz bereitstellen. Jedes der Nebenschlusselemente besteht nur aus einer geringen Anzahl von Fingern.
  • Keines der Nebenschlusselemente benötigt oder liefert einen wesentlichen Pol in der Übertragungsfunktion des Filters zum ausreichenden Ausfiltern einer Sperrbandfrequenz. Allerdings erzielt die Summe der kleinen Nebenschlusselemente, von denen jedes einen kleinen Notch liefert, eine verbesserte Isolation über ein substantiell breites Band. Es ist möglich, die Isolation durch Einstellen einer richtigen Admittanz für jedes Nebenschlusselement und durch Auswählen einer nützlichen Anzahl und Verteilung von Nebenschlusselementen anzupassen.
  • Die Gesamtadmittanz des Notchfilters wird ausgewählt und auf einen Wert eingestellt, der vergleichbar mit dem eines bekannten Nebenschlusselements ist, aber über die Anzahl von Nebenschlusselementen verteilt ist. Somit ist die durch das Notchfilter hinzugefügte zusätzliche Gesamtimpedanz nur klein und erweitert die Impedanz eines bekannten Notchfilters, z.B. durch ein einziges Nebenschlusselement realisiert, nicht.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist jeder Fingerabstand nur einmal in dem einzelnen Ein-Port-Resonator vorhanden. Somit weist jedes Paar von benachbarten Fingern eine andere Distanz auf.
  • Die Filterschaltung kann akustische Filter, wie etwa SAW- oder BAW-Filter beinhalten. Die akustischen Filter können Teil eines Duplexers, Diplexers oder eines höheren Multiplexers sein, wie etwa eines Quadplexers.
  • Das Bandfilter kann ein Bandpass, ein Hochpass oder ein Tiefpass sein. Eine bevorzugte Anwendung der Filterschaltung ist ein Tx-Filter, beispielsweise innerhalb eines Duplexers, der eine verbesserte Rx-Isolation benötigt. Hier ist das Notchfilter auf ein Notchband eingestellt, das gemäß den Rx-Frequenzen zentriert ist, die sich üblicherweise in einem Nachbarband befinden.
  • Das Bandfilter kann ein DMS-Filter, ein Reaktanzfilter in einer Ladder Type- oder Lattice-Anordnung, ein LC-Filter oder ein Hybridfilter umfassen, das zwei Teilfilter kombiniert, die verschiedene Technologien verwenden.
  • Die Filterschaltung kann in einem drahtlosen Frontendmodul für Zellularmobilfunkgeräte verwendet werden, wie beispielsweise einem drahtlosen Leistungs-HF-PAMiD-Frontendmodul. Mit der in einem solchen Modul verwendeten Filterschaltung ist es möglich, ein TX-RX-Notchfilterelement auf eine solche Weise anzupassen, dass die RX-Gesamtisolation in dem System maximal ist.
  • Innerhalb des PAMiD- Frontendmoduls kann das Notchband bei der Nutzfrequenz einer jeweiligen anderen in dem Frontendmodul enthaltenen und durch dieses betriebenen Filterschaltung zentriert sein. Alternativ kann die andere Filterschaltung eine separate Schaltung sein, die mit dem PAMiD-Frontendmodul zusammenarbeitet.
  • Nachfolgend wird die Filterschaltung ausführlicher unter Bezugnahme auf spezielle Ausführungsformen und die begleitenden Figuren erklärt. Die Figuren sind lediglich schematisch und nicht maßstabsgetreu.
    • 1 zeigt eine Filterschaltung des Stands der Technik;
    • 2 zeigt die Übertragungskurve der Filterschaltung von 1;
    • 3 zeigt eine Filterschaltung gemäß einer Ausführungsform;
    • 4A und 4B zeigen die Übertragungskurve der Filterschaltung von 3;
    • 5 zeigt einen Wandler, der in der Ausführungsform der 3 als ein Nebenschlussresonator verwendet werden kann;
    • 6 zeigt ein Vorstufenmodul, das eine Filterschaltung gemäß 3 umfasst.
  • 1A zeigt eine bekannte Filterschaltung gemäß dem Stand der Technik, die ein Bandfilter BF und ein innerhalb einer Signalleitung in Serie geschaltetes Notchfilter NF umfasst. Das Bandfilter BF kann als ein Bandpassfilter verkörpert sein. Das Notchfilter N umfasst ein Nebenschlusselement SE, das zur Signalleitung SL parallel geschaltet ist. Wie in 1B gezeigt ist, kann das Notchfilter einen Ein-Tor-SAW-Resonator R umfassen, der eine Resonanzfrequenz von f0 aufweist. Aufgrund der Beschaltung des Resonators R als ein Nebenschlusselement entspricht die Resonanzfrequenz f0 einer einzigen Sperrbandfrequenz.
  • 2 zeigt die Übertragungskurve der Filterschaltung von 1. In dem Beispiel ist das Bandpassfilter BF ein Tx-Filter und das Passband ist mit dem Tx-Band konform. Das entsprechende Rx-Band befindet sich oberhalb des Tx-Bands. In der Figur ist die erforderliche Isolation des Tx-Filters als ein Rechteck dargestellt. Der Graph 1 von 2 zeigt die Übertragungskurve und die gepunktete Linie von Graph 2 stellt eine Übertragungskurve der gleichen Filterschaltung dar, allerdings ohne ein Notchfilter. Es ist gezeigt, dass Kurve 2 unzureichend ist und die erforderliche Isolation wie in Kurve 1 kann nur mit einem Notchfilter NF erreicht werden. Allerdings könnte die Isolation unterhalb des durch die Sperrbandfrequenz f0 des Notches geschaffenen Pols möglicherweise verbessert werden.
  • 3 zeigt eine Filterschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Filterschaltung umfasst ein Bandfilter BF und ein innerhalb einer Signalleitung SL in Serie geschaltetes Notchfilter NF. Anders als in 1 umfasst das präsentierte Notchfilter NF eine Serie von parallelen Nebenschlusselementen S1 bis S6. Jedes der Nebenschlusselemente ist einer anderen Sperrbandfrequenz f1 bis f6 zugeteilt. Das Notchfilter kann durch eine Serie von kleinen Notches von niedriger Admittanz aufgebaut sein, von welchen jedes unzureichend sein würde, einen nützlichen Pol in der Übertragungskurve (Admittanzkurve S21) zu schaffen. Wenn diese allerdings parallel zusammengeschaltet werden, schafft das Notchfilter NF ein breites Notchband NB3, wie man anhand von Kurve 3 in 4B sehen kann, die ein vergrößerter Ausschnitt von 4A in der Rx-Region ist. Lediglich zu Vergleichszwecken dargestellt entspricht die Kurve 1 einer von einer Filterschaltung gemäß 1 erzielten und in 2 gezeigten Kurve 1. Wie man sehen kann, ist ein neues Notchband NB3 geschaffen, das breiter als der Pol Nf0 gemäß einem „Notchband“ NB1 ist, wie es durch ein bekanntes Filter gemäß 1 geschaffen wird.
  • Kurve 3 zeigt eine verbesserte Isolation bei Frequenzen unterhalb des Pols von Kurve 1 gemäß dem Stand der Technik. Dadurch ist die Isolation für das ganze Rx-Band verbessert, da das Maximum der Dämpfungskurve 1 (schlechteste Dämpfung) höher (schlechter) ist als das Maximum der Dämpfungskurve 3. Als Ergebnis wird die hohe Dämpfung eines einzigen von einem Notchfilter des Stands der Technik herrührenden Pols zugunsten einer breiten Dämpfung ohne störendes Maximum herabgesetzt.
  • 5 zeigt einen Wandler TRNF eines SAW-Ein-Tor-Resonators R, der in der Ausführungsform der Filterschaltung von 3 als ein Notchfilter NF verwendet werden kann. Der Wandler weist zwei Sammelleitungen mit interdigitalen Wandlerfingern auf, die abwechselnd mit den zwei Sammelleitungen verbunden sind. Zwei jeweils benachbarte Wandlerfinger weisen einen Mitte-zu-Mitte-Fingerabstand d auf. Der Wandler TRNF umfasst eine Serie von n verschiedenen Fingerabständen d1 bis dn und jeder auftretende Fingerabstand ist einer jeweiligen Sperrbandfrequenz des Notchfilters NF zugeordnet und erzeugt einen kleinen Pol in der Übertragungskurve. Die Fingerabstände d1 bis dn und die dementsprechende Sperrbandfrequenz davon sind gegenseitig um denselben Betrag verschoben und somit gleichmäßig verteilt.
  • 6 zeigt ein Frontendmodul FEM, das eine Filterschaltung gemäß 3 umfasst. Hier ist das Bandfilter als ein Tx-Filter TxF eines Duplexers verkörpert. Das entsprechende Rx-Filter ist mit dem Tx-Filter verbunden, um einen Duplexer auszubilden, der in dem entsprechenden Rx- und Tx-Band arbeitet. Das Notchfilter ist zwischen dem Leistungsverstärker PA und dem Tx-Filter TxF platziert.
  • Bezugszeichenliste
    • BF
    Bandfilter
    d1, dx, dn
    Fingerdistanzen zwischen den Mitten von zwei benachbarten Wandlerfingern
    f0
    Sperrbandfrequenz eines einzelnen Notchfilters
    f1 bis f6
    Sperrbandfrequenzen von SE1 bis SE6
    FEM
    PAMiD-Vorstufe
    N
    Kerbe
    NB
    Notchband
    NF
    Notchfilter
    PA
    Leistungsverstärker
    R
    Ein-Tor-SAW-Resonator
    R
    Resonator
    RxF
    Rx-Filter
    SE1 bis SE6
    Nebenschlusselemente
    SL
    Signalleitung
    TR
    Wandler aufweisend ein
    TxF
    Tx-Filter
    1
     
    2
    Admittanz eines gewöhnlichen Filters
    3
    Admittanz eines Bandpassfilters Sammelleitungen Duplexer oder Multiplexer Filterschaltung weitere Filterschaltung Anpassschaltung Nachbarband parallele Nebenschlusselemente Sperrbandfrequenz Nutzbandfrequenz

Claims (7)

  1. Filterschaltung, umfassend in einer Signalleitung (SL), - ein Bandfilter (BF), das es ermöglicht, ein Nutzfrequenzband durchzulassen und - ein Notchfilter (NF), das zu dem Bandfilter in Serie geschaltet ist, zum Ausfiltern einer Sperrbandfrequenz, wobei - das Notchfilter eine Serienschaltung einer Anzahl n von parallelen Nebenschlusselementen (SE) umfasst, - jedes Nebenschlusselement (SE1,SE2,..SEn) gegenüber den anderen Nebenschlusselementen in der Frequenz verschoben ist, so dass alle Nebenschlusselemente über ein Notchband verteilt sind, - das Notchfilter (NF) das Notchband (NB) bereitstellt, - im Notchfilter (NF) sämtliche parallelen Nebenschlusselemente (SE) durch einen einzigen Ein-Tor-SAW-Resonator realisiert sind, der einen Wandler mit zwei Sammelleitungen und einer Anzahl von Wandlerfingern, die abwechselnd mit einer der zwei Sammelleitungen verbunden sind, aufweist, wobei ein Fingerabstand zwischen den Mitten von zwei benachbarten Wandlerfingern eine Sperrbandfrequenz innerhalb des Notchbands (NB) definiert, - der Wandler des Ein-Tor-SAW-Resonators eine Anzahl von verschiedenen Fingerabständen (d1,..dx,..dn) umfasst und folglich eine Anzahl von n verschiedenen Nebenschlusselementen mit entsprechenden Sperrbandfrequenzen, die zusammen das Notchband bereitstellen.
  2. Filterschaltung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die parallelen Nebenschlusselemente (SE) aus parallel zu der Signalleitung (SL) geschalteten Resonatoren (R) ausgewählt sind wobei jedes Nebenschlusselement eine kleine Admittanz von ungefähr dem 1/n-Fachen der Admittanz eines normalen Notchfilters (NF) aufweist, wobei n die Anzahl von Nebenschlusselementen ist, wobei das normale Notchfilter (NF) durch ein einziges Nebenschlusselement realisiert ist.
  3. Filterschaltung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die parallelen Nebenschlusselemente (SE) aus Resonatoren (R) ausgewählt sind, die mit akustischen Wellen arbeiten.
  4. Filterschaltung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der Wandler jeden Fingerabstand nur einmal umfasst, so dass jedes Paar von benachbarten Fingern einen anderen Abstand aufweist.
  5. PAMiD-Frontendmodul (FEM), umfassend die Filterschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, einen Leistungsverstärker (PA) und eine Anpassschaltung, wobei eine weitere, in einem Nachbarband arbeitende Filterschaltung Teil des PAMiD-Frontendmoduls oder einer anderen mit dem PAMiD-Frontendmodul zusammenarbeitenden Vorrichtung ist, wobei das Notchband (NB) auf das Nachbarband zentriert ist.
  6. PAMiD-Frontendmodul nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Filterschaltung und die weitere Filterschaltung Bandpassfilter sind und Teil eines Duplexers oder eines Multiplexers sind, wobei das einer Filterschaltung zugewiesene Notchband (NB) auf das Nutzfrequenzband der jeweiligen anderen Filterschaltung des Duplexers oder Multiplexers zentriert ist.
  7. PAMiD-Frontendmodul nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Filterschaltung ein Tx-Filter eines Duplexers ist wobei das Notchband (NB) mit dem Nutzband des Rx-Filters desselben Duplexers konform ist.
DE102018102832.6A 2018-02-08 2018-02-08 Filterschaltung mit einem Notchfilter Active DE102018102832B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018102832.6A DE102018102832B4 (de) 2018-02-08 2018-02-08 Filterschaltung mit einem Notchfilter
CN201980012044.7A CN111684716B (zh) 2018-02-08 2019-01-28 具有陷波滤波器的滤波器电路
US16/965,826 US11563422B2 (en) 2018-02-08 2019-01-28 Filter circuit with a notch filter
PCT/EP2019/051976 WO2019154655A1 (en) 2018-02-08 2019-01-28 Filter circuit with a notch filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018102832.6A DE102018102832B4 (de) 2018-02-08 2018-02-08 Filterschaltung mit einem Notchfilter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102018102832A1 DE102018102832A1 (de) 2019-08-08
DE102018102832B4 true DE102018102832B4 (de) 2023-01-05

Family

ID=65243542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018102832.6A Active DE102018102832B4 (de) 2018-02-08 2018-02-08 Filterschaltung mit einem Notchfilter

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11563422B2 (de)
CN (1) CN111684716B (de)
DE (1) DE102018102832B4 (de)
WO (1) WO2019154655A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11824522B2 (en) 2020-11-11 2023-11-21 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electroacoustic filter with modified phase characteristics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100860509B1 (ko) 2008-04-23 2008-09-26 주식회사 아이.티.에프 다중 극 표면탄성파 노치 필터 및 다중 극 표면탄성파 노치필터를 포함한 ｒｆ 필터
US20130147678A1 (en) 2010-08-11 2013-06-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module and communication device
DE112012002502T5 (de) 2011-06-17 2014-05-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexer

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04132409A (ja) * 1990-09-25 1992-05-06 Hitachi Ltd 弾性表面波共振器
DE19849782B4 (de) * 1998-10-28 2004-09-30 Epcos Ag Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
JP4132409B2 (ja) * 1999-06-02 2008-08-13 大陽日酸株式会社 燃焼装置
US6924715B2 (en) * 2002-02-12 2005-08-02 Nortel Networks Limited Band reject filters
JP3972810B2 (ja) * 2002-12-18 2007-09-05 株式会社村田製作所 分波器、および通信機
KR100817849B1 (ko) * 2004-01-09 2008-03-31 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 일단자쌍 탄성 표면파 공진자 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터
DE102005051852B4 (de) * 2005-10-28 2021-05-20 Snaptrack, Inc. SAW Filter mit breitbandiger Bandsperre
CN101939912A (zh) * 2008-02-05 2011-01-05 日本电波工业株式会社 滤波器、便携式终端和电子部件
DE102008045346B4 (de) * 2008-09-01 2018-06-07 Snaptrack Inc. Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
JP4816710B2 (ja) * 2008-10-30 2011-11-16 株式会社村田製作所 分波器
JP4835814B2 (ja) * 2010-03-01 2011-12-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
EP2649727A4 (de) * 2010-12-10 2017-05-17 Wispry, Inc. Automatische regelkreissysteme und -verfahren für mems-abstimmbare kerbfilterfrequenzen
JP2012156741A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Panasonic Corp アンテナ共用器
US9257962B2 (en) * 2011-11-10 2016-02-09 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave device
US20140035702A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Hybrid filter including lc- and mems-based resonators
CN108352827B (zh) * 2015-10-30 2022-06-24 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN108713290B (zh) * 2016-02-29 2022-04-15 株式会社村田制作所 带阻滤波器以及复合滤波器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100860509B1 (ko) 2008-04-23 2008-09-26 주식회사 아이.티.에프 다중 극 표면탄성파 노치 필터 및 다중 극 표면탄성파 노치필터를 포함한 ｒｆ 필터
US20130147678A1 (en) 2010-08-11 2013-06-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module and communication device
DE112012002502T5 (de) 2011-06-17 2014-05-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
US11563422B2 (en) 2023-01-24
CN111684716A (zh) 2020-09-18
DE102018102832A1 (de) 2019-08-08
US20210058067A1 (en) 2021-02-25
WO2019154655A1 (en) 2019-08-15
CN111684716B (zh) 2023-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002335B4 (de) Multiplexer, Sendevorrichtung, Empfangsvorrichtung, Hochfrequenz-Frontend-Schaltkreis, Kommunikationsvorrichtung und Impedanzanpassungsverfahren für einen Multiplexer
DE102005051852B4 (de) SAW Filter mit breitbandiger Bandsperre
DE102016103457B4 (de) Akustische Filtervorrichtung mit kombiniertem Durchlassband
DE112015005490B4 (de) Kettenfilter, Filtermodul für elastische Wellen und Duplexer
EP1196991B1 (de) Saw-filter des reaktanzfiltertyps mit verbesserter sperrbereichsunterdrückung und verfahren zur optimierung der sperrbereichsunterdrückung
DE102012108030B4 (de) Multiplexer mit verringerten Intermodulationsprodukten
DE69412424T2 (de) Akustisches Oberflächenwellenfilter
DE102018104118A1 (de) Multiplexierer, Sendevorrichtung und Empfangsvorrichtung
DE112016001952T5 (de) Kettenfilter und Duplexer
DE112014000126T5 (de) Verbessertes Design von Mikrowellenakustikwellenfiltern
WO2008145659A1 (de) Multiband-filter
DE102014111904A1 (de) Abstimmbares HF-Filter mit Parallelresonatoren
DE102015116224B4 (de) SAW-Filter mit zusätzlichem Pol
DE102014112676A1 (de) Filter mit verbesserter Linearität
DE102015116223B4 (de) SAW-Filter mit unterdrückter Scher-Mode
DE102016120337A1 (de) Bandpassfilter und Duplexer
DE102016112993B4 (de) Notchfilter sowie dieses umfassende Extraktoranordnung
DE102017113152B3 (de) Elektroakustisches HF-Filter mit einer erhöhten Flankensteilheit, Multiplexer und Verfahren zum Auslegen eines elektroakustischen HF-Filters
DE102006005298A1 (de) Duplexer
DE102018102832B4 (de) Filterschaltung mit einem Notchfilter
DE102016114071B3 (de) Elektroakustisches Filter mit reduzierten Plattenmoden
DE102015107231B4 (de) Kaskadierter Resonator
DE102017112008A1 (de) Multiplexierer und Hochfrequenz-(HF)-Frontend-Modul
DE102014111901A1 (de) Duplexer
DE102019119677A1 (de) HF-Empfangsfilter, HF-Duplexer und HF-Multiplexer

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: RF360 SINGAPORE PTE. LTD., SG

Free format text: FORMER OWNER: RF360 EUROPE GMBH, 81671 MUENCHEN, DE

R020 Patent grant now final