DE102017210694B4 - Detektionsverfahren für einen inneren Riss und Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss - Google Patents

Detektionsverfahren für einen inneren Riss und Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss Download PDF

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Abstract

Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) zum Detektieren eines inneren Risses (C1, C2, C3, C4) in einem Wafer (10), der mehrere Bauelemente (10c) an einer vorderen Seite ausgebildet aufweist, sodass diese durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien getrennt sind, wobei das Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) umfasst:einen Aufnahmeschritt für ein erstes Bild (P1) zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht, das eine Transmissionswellenlänge in einem Referenz-Wafer aufweist, der keinen inneren Riss aufweist und der die gleiche Konfiguration wie der Ziel-Wafer aufweist, welcher der Detektion des inneren Risses (C1, C2, C3, C4) ausgesetzt werden soll, und danach Aufnehmen des ersten Bildes (P1), wodurch ein erstes Bild (P1) des Referenz-Wafers erhalten wird;einen Bearbeitungsschritt zum Bearbeiten des Ziel-Wafers nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein erstes Bild (P1) ;einen Aufnahmeschritt für ein zweites Bild (P2) zum Aufbringen des nahen Infrarotlichts auf dem Wafer nach dem Durchführen des Bearbeitungsschritts und danach Aufnehmen des zweiten Bildes (P2), wodurch ein zweites Bild (P2) des Ziel-Wafers, der bearbeitet wurde, erhalten wird; undeinen Detektionsschritt für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) zum Entfernen der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild (P1) und dem zweiten Bild (P2) von dem zweiten Bild (P2), um ein Differenzbild zu erhalten, nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein zweites Bild (P2), wodurch das Differenzbild als der innere Riss (C1, C2, C3, C4) in dem Wafer detektiert wird.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Detektieren eines inneren Risses, der beim Bearbeiten eines Werkstücks generiert wird.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) werden an der vorderen Seite eines Substrats ausgebildet, sodass sie durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien getrennt sind, sodass ein Wafer ausgebildet ist, der mehrere Bauelemente an der vorderen Seite aufweist. Die hintere Seite des Wafers wird durch eine Schleifvorrichtung geschliffen, um die Dicke des Wafers zu reduzieren. Danach wird der Wafer entlang der Teilungslinien in einzelne Bauelementchips unter Verwendung einer Teilungsvorrichtung geteilt (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift JP 2010 - 123 823 A ). Die Bauelementchips, die so erhalten werden, werden in elektrischen Ausstattungen wie Mobiltelefonen und Personalcomputern eingesetzt.
  • In dem Schritt des Stapelns der mehreren Schaltungen an der vorderen Seite des Substrats existiert ein Fall, in dem Risse in dem Wafer aufgrund von inneren Spannungen wie thermischen Spannungen generiert werden können. Ferner existiert ein Problem, sodass die Risse in dem Wafer nach dem Durchführen des Schleifschritts überbleiben, was die Qualität der Bauelemente reduziert. Es ist gewünscht, zu detektieren, ob Risse über geblieben sind oder nicht, zu dem Zeitpunkt zu dem das hintere Schleifen des Wafers abgeschlossen wurde.
  • Die US 2006/ 0 278 831 A1 betrifft eine Infrarotuntersuchungsvorrichtung.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Insbesondere ist der Wunsch nach dem obigen stark, wenn ein Wafer bearbeitet wurde, der mehrere Oberflächen-Akustik-Wellen-Bauelemente (SAW) an der vorderen Seite eines Lithiumtantalat-Substrats (LiTa03) (welches im Folgenden als „LT-Substrat“ bezeichnet wird) oder eines Lithiumniobat-Substrats (LiNbO3) (welches im Folgenden als ein „LN-Substrat“ bezeichnet wird) aufweist und ein Detektionsverfahren für einen solchen Wafer wurde untersucht.
  • Als ein Verfahren zum Detektieren von Rissen, die in dem LT-Substrat oder LN-Substrat generiert wurden, wird angenommen, dass durch Aufbringen von grünem oder rotem sichtbaren Licht, das eine Transmissionswellenlänge von 500-700 nm in dem Substrat aufweist, auf der hinteren Seite Substrat des Substrats, wodurch das Substrat unter Verwendung eines Bildaufnahmemittels aufgenommen wird, die Risse detektiert werden können. In diesem Verfahren erreicht das sichtbare Licht, das auf der hinteren Seite des Substrats aufgebracht wird, nicht die Bauelemente, die an der vorderen Seite des Substrats ausgebildet sind, sodass die Risse, die in dem Substrat generiert werden, aufgenommen werden können. Jedoch kann Rauigkeit wie eine Vertiefung, die an der hinteren Seite des Substrats generiert wird, bei dem Schleifschritt der hinteren Seite, auch aufgenommen werden. Entsprechend ist es schwierig, klar die Risse zu detektieren, die in dem Substrat generiert werden.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung Detektionsverfahren für einen inneren Riss bereitzustellen, das klar die Risse detektieren kann, die in einem Werkstück generiert worden.
  • Es ist ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung eine Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss bereitzustellen, um das Detektionsverfahren für einen inneren Riss durchzuführen.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Detektionsverfahren für einen inneren Riss bereitgestellt, um einen inneren Riss in einem Wafer, der mehrere Bauelemente an der vorderen Seite ausgebildet aufweist, sodass diese durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien geteilt sind, zu detektieren, wobei das Detektionsverfahren für einen inneren Riss einen Aufnahmeschritt für ein erstes Bild zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht, das eine Transmissionswellenlänge in einem Referenz-Wafer aufweist, der keinen inneren Riss aufweist und der der die gleiche Konfiguration wie der Wafer aufweist, der ein Ziel-Wafer ist, welcher der Detektion für einen inneren Riss ausgesetzt werden soll, wodurch ein erstes Bild eines Referenz-Wafers erhalten wird, der keine inneren Risse aufweist, und danach Aufnehmen des ersten Bilds; einen Bearbeitungsschritt zum Bearbeiten des Ziel Wafers nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein erstes Bild; einen Aufnahmeschritt für ein zweites Bild zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht auf dem Ziel-Wafer nach dem Durchführen des Bearbeitungsschritts, und danach Aufnehmen des zweiten Bilds wodurch ein zweites Bild des Ziel-Wafers, der bearbeitet wurde, erhalten wird; und einen Detektionsschritt für einen inneren Riss durch Entfernen der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild und dem zweiten Bild von dem zweiten Bild, um ein Differenzbild zu erhalten, nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein zweites Bild, wodurch das Differenzbild als der innere Riss in dem Ziel Wafer detektiert wird, umfasst.
  • Vorzugsweise beinhaltet der Bearbeitungsschritt einen Schleifschritt zum Schleifen der hinteren Seite des Ziel-Wafers, um die Dicke des Ziel-Wafers zu reduzieren.
  • Vorzugsweise beinhaltet der Ziel-Wafer einen Wafer, der aus einem Substrat, das aus Lithiumtantalat oder Lithiumniobat ausgebildet ist, und mehrere SAW-Bauelemente ausgebildet ist, die an der vorderen Seite des Substrats ausgebildet sind, wobei die SAW-Bauelemente durch die Teilungslinien geteilt sind; und die Wellenlänge des nahem Infrarotlichts auf 1000-1500 nm gesetzt ist.
  • In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss bereitgestellt, die einen Tisch zum Halten eines Wafers; ein Aufnahmemittel zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht, das eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, wodurch der Wafer aufgenommen wird; ein Anzeigemittel zum Anzeigen eines Bildes, das durch das Bildaufnahmemittel erhalten wurde; und ein Steuerungsmittel zum Empfangen des Bilds von dem Bildaufnahmemittel und Übertragen des Bilds zu dem Anzeigemittel beinhaltet; wobei das Steuerungsmittel einen Aufnahmeabschnitt für ein erstes Bild zum Erhalten eines ersten Bilds eines Referenz-Wafers, der keinen inneren Riss aufweist, unter Verwendung des Bildaufnahmemittels erhält, wobei der Referenz-Wafer die gleiche Konfiguration wie der Ziel-Wafer aufweist, welcher der Detektion für einen inneren Riss ausgesetzt werden soll, und um das oben erhaltene erste Bild aufzunehmen; einen Aufnahmeschritt für ein zweites Bild, um ein zweites Bild des Ziel-Wafers zu erhalten, der den inneren Riss aufweist, unter Verwendung des Bildgebungsmittels und zum Aufnehmen des zweiten Bilds, das wie oben erhalten wurde; und einen Bestimmungsabschnitt zum Entfernen des der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild, das in dem Aufnahmeabschnitt für ein erstes Bild aufgenommen wurde, und dem zweiten Bild, das in dem Aufnahmeabschnitt für ein zweites Bild aufgenommen wurde, um ein Differenzbild zu erhalten, und danach Bestimmen des Differenzbilds als den inneren Riss.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche mit Bezug zu den beigefügten Figuren, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
    • 1 ist eine allgemeine perspektivische Ansicht einer Schleifvorrichtung, die eine Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss zum Durchführen eines Detektionsverfahrens für einen inneren Riss entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 2 ist ein schematisches Diagramm, das die Konfiguration der Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss zeigt;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der beim Durchführen eines Detektionsverfahrens für einen inneren Riss verwendet wird;
    • 4 ist eine schematische Ansicht zum Darstellen eines Aufnahmeschritts für ein erstes Bild;
    • 5A und 5B sind perspektivische Ansichten zum Darstellen eines Schleifschritts als einen Bearbeitungsschritt;
    • 6A ist eine schematische Ansicht zum Darstellen eines Aufnahmeschritts für ein zweites Bild; und
    • 6B ist ein schematisches Diagramm zum Darstellen eines Detektionsschritts für einen inneren Riss.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform des Detektionsverfahrens für einen inneren Riss entsprechend der vorliegenden Ausführungsform und die Detektionsvorrichtung zum Durchführen des Detektionsverfahrens wird jetzt detailliert mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. 1 ist eine allgemeine perspektivische Ansicht einer Schleifvorrichtung 1, welche die Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss zum Durchführen des Detektionsverfahrens für einen inneren Riss entsprechend der vorliegenden Erfindung beinhaltet.
  • Die Schleifvorrichtung 1, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet im Wesentlichen ein kastenförmiges Basisgehäuse 2. Eine stationäre Trägerplatte 21 steht von der oberen Oberfläche des Basisgehäuses 2 an ihrem hinteren Ende (an einem rechten oberen Ende wie in 1 gezeigt) nach oben vor. Zwei Paare Führungsschienen 22 ,22 und 23, 23 sind an der vorderen Oberfläche der stationären Trägerplatte 21 bereitgestellt, sodass sie sich in einer vertikalen Richtung erstrecken. Eine grobe Schleifeinheit 3 als ein grobes Schleifmittel ist vertikal beweglich an dem Paar Führungsschienen 22, 22 montiert und eine Abschlussschleifeinheit 4 als ein Abschlussschleifmittel ist vertikal an dem Paar Führungsschienen 23, 23 beweglich montiert.
  • Die grobe Schleifeinheit 3 beinhaltet ein Einheitsgehäuse 31, eine Scheibenbefestigung 32, die drehbar an dem unteren Ende des Einheitsgehäuses 31 montiert ist, eine grobe Schleifscheibe 33, die an der unteren Oberfläche der Scheibenbefestigung 32 montiert ist, einen elektrischen Motor 34, der an dem oberen Ende des Einheitsgehäuses 31 zum Drehen der Scheibenbefestigung 32 in der Richtung, die durch einen Pfeil 32a gezeigt ist, montiert ist, und eine bewegliche Basis 35, in welcher das Einheitsgehäuse 31 montiert ist.
  • Die bewegliche Basis 35 ist an der stationären Trägerplatte 21 getragen, sodass sie vertikal entlang der Führungsschienen 22, 22, die an der stationären Trägerplatte 21 bereitgestellt sind, bewegt werden kann. Die bewegliche Basis 35 ist mit einem Zufuhrmittel 36 zum Zuführen der groben Schleifscheibe 33 bereitgestellt. Das Zufuhrmittel 36 beinhaltet eine Gewindestange 361, die drehbar an der stationären Trägerplatte 21 getragen ist, sodass sie sich in einer vertikalen Richtung erstreckt, und einen Pulsmotor 362 zum Drehen der Gewindestange 361. Die Gewindestange 361 ist in Eingriff mit einem Mutterabschnitt, der an der beweglichen Basis 35 ausgebildet ist. Entsprechend, wenn der Pulsmotor 362 betätigt wird, um die Gewindestange 362 normal oder umgekehrt zu drehen, wird die grobe Schleifeinheit 3 vertikal (einer Richtung senkrecht zu einer Halteroberfläche des Einspanntischs, der später beschrieben wird) bewegt.
  • Die Abschlussschleifeinheit 4 ist in ihrer Konfiguration ähnlich zu der groben Schleifeinheit 3. D.h., dass die Abschlussschleifeinheit 4 ein Einheitsgehäuse 41, eine Scheibenbefestigung 42, die drehbar an dem unteren Ende des Einheitsgehäuses 41 montiert ist, eine Abschlussschleifscheibe 43, die an der unteren Oberfläche der Scheibenbefestigung 42 montiert ist, einen elektrischen Motor 44, der an dem oberen Ende des Einheitsgehäuses 41 zum Drehen der Scheibenbefestigung 42 in der Richtung, die durch einen Pfeil 42a gezeigt ist, montiert ist, und eine bewegliche Basis 45, an welcher das Einheitsgehäuse 41 montiert ist, beinhaltet.
  • Die bewegliche Basis 45 ist an der stationären Trägerplatte 21 getragen, sodass sie vertikal entlang der Führungsschienen 23, 23, die an der stationären Trägerplatte 21 bereitgestellt sind, bewegt werden kann. Die bewegliche Basis 45 ist mit einem Zufuhrmittel 46 zum Zuführen der Abschlussschleifscheibe 43 bereitgestellt. Das Zufuhrmittel 46 beinhaltet eine Gewindestange 461, die drehbar an der stationären Trägerplatte 21 getragen ist, sodass sie sich vertikal erstreckt, und einen Pulsmotor 462 zum Drehen der Gewindestange 461. Die Gewindestange 461 ist in Eingriff mit einem Mutterabschnitt, der an der beweglichen Basis 45 ausgebildet ist. Entsprechend, wenn der Pulsmotor 462 betätigt wird, um die Gewindestange 461 normal oder umgekehrt zu drehen, wird die Abschlussschleifeinheit 4 vertikal (in der Richtung senkrecht zu der Halteroberfläche des Einspanntischs) bewegt.
  • Die Schleifvorrichtung 21 beinhaltet einen Drehtisch 5, der an der vorderen Seite der stationären Trägerplatte 21 liegt und eine obere Oberfläche aufweist, die im Wesentlichen bündig mit der oberen Oberfläche des Basisgehäuses 2 ist. Der Drehtisch 5 ist ein scheibenförmiges Element, das einen relativ großen Durchmesser aufweist und ist dazu geeignet, in der Richtung, die durch einen Pfeil 5a gezeigt ist, durch einen Dreh-Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) gedreht zu werden. In der bevorzugten Ausführungsform sind drei Einspanntische 6 an dem Drehtisch 5 bereitgestellt, sodass sie im gleichen Abstand in Winkelabständen von 120° beabstandet sind. Jeder Einspanntisch 6 ist um seine Achse in einer horizontalen Ebene drehbar und dient als ein Tisch zum Halten eines Wafers unter einem Saugen. D. h., dass jeder Einspanntisch 6 in der Richtung, die durch einen Pfeil 6a durch einen Dreh-Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) angedeutet ist, beim Durchführen einer Schneidbetätigung gedreht wird.
  • Durch geeignetes Drehen des Drehtischs 5 wird jeder Einspanntisch 6, der an dem Drehtisch 5 bereitgestellt ist, gedreht, um selektiv eine Bereitstellungsposition (Lade/Entladeposition) A, eine grobe Schleifposition B und eine Abschlussschleifposition C einzunehmen. D. h., dass der Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, durch die grobe Schneidposition B zu der Abschluss Schneidposition C und danach zurück zu der Bereitstellungsposition A durch eine Drehung des Drehtischs 5 bewegt wird.
  • Die Schleifvorrichtung 1 beinhaltet ferner eine erste Kassette 11, die an einer Seite (rechte Seite) bezüglich der Bereitstellungsposition A liegt, um mehrere der Halbleiter-Wafer als ein Werkstück vor einem Schleifen aufzunehmen, eine zweite Kassette 12, die an der anderen Seite (linken Seite) bezüglich der Bereitstellungsposition A liegt, zum Aufnehmen der Halbleiter-Wafer nach einem Schleifen, ein Zentrierungsmittel 13, das zwischen der ersten Kassette 11 und der Bereitstellungsposition A zum Zentrieren von jedem Halbleiter-Wafer vor einem Schleifen liegt, einen Dreh-Reinigungsmechanismus 14, der zwischen der Bereitstellungsposition A und der zweiten Kassette 12 zum Reinigen von jedem Halbleiter-Wafer nach einem Schleifen liegt, und ein Handhabungsmittel 15 zum Entnehmen von einem der mehreren Halbleiter-Wafer aus der ersten Kassette 11, danach Übertragen des Halbleiter Wafers zu dem Zentrierungsmittel 13 vor einem Schleifen und auch zum Übertragen des Halbleiter-Wafers von dem Dreh-Reinigungsmittel 14 zu der zweiten Kassette 12 nach dem Schleifen.
  • Die Schleifvorrichtung 1 beinhaltet ferner ein erstes Transfermittel 60 zum Übertragen des Halbleiter-Wafers von dem Detektionsmittel 13 zu dem Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, vor einem Schleifen und ein zweites Transfermittel 17 zum Übertragen des Halbleiter Wafers von dem Einspanntisch 6, das auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, zu dem Dreh-Reinigungsmittel 14 nach einem Schleifen. Jedes das erste Transfermittel 16 und das zweite Transfermittel 17 beinhalten einen Arm, der dazu angepasst ist, horizontal gedreht und vertikal bewegt zu werden, und ein Saugpad, das an der vorderen Seite des Arms montiert ist, und der Arm und das Saugpad werden durch ein Saugmechanismus und einen Bewegungsmechanismus (beide nicht dargestellt) betätigt.
  • Die Schleifvorrichtung 1 beinhaltet ferner eine Detektionsvorrichtung 7 für einen inneren Riss zum Aufnehmen des Halbleiter Wafers, der an der Halteroberfläche des Einspanntischs 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, aufzunehmen und einen inneren Riss, der in dem Halbleiter-Wafer generiert wurde, zu detektieren.
  • Die Detektionsvorrichtung 7 für einen inneren Riss beinhaltet ein Paar sich vertikal erstreckender Trägerelemente 71, 71, die an den gegenüberliegenden Seitenabschnitten des Basisgehäuses 2 bereitgestellt sind, sodass sie zu einander gegenüber angeordnet sind, wobei die Bereitstellungsposition A dazwischen eingefügt ist. Eine sich horizontal erstreckende Führungsstange 72 ist an ihren gegenüberliegenden Enden an dem Paar Trägerelemente 71, 71 fixiert. Die Führungsstärke 72 weist einen rechteckigen Querschnitt auf und dient als ein Führungselement für eine Bewegung. Ein Gleitblock 73 ist so an der Führungsstange 72 montiert, dass dieser gleiten kann. Insbesondere weist der Gleitblock 73 ein abschnittsweise rechtwinkliges Durchgangsloch auf, das dazu angepasst ist, mit der Führungsschienen 72 in Eingriff zu kommen. D. h., dass die Führungsschienen 72 durch das Durchgangsloch des Gleitblocks 73 eingeführt ist, wobei der Gleitblock 73 gleitend an der Führungsschienen 72 getragen wird.
  • Eine Führungsschiene 731 ist an der vorderen Oberfläche des Gleitblocks 73 ausgebildet, sodass sie sich vertikal erstreckt, und ein Bildaufnahmemittel 74 ist an dem Gleitblock 73 bereitgestellt, sodass es entlang der Führungsschienen 731 bewegt werden kann. Ein Bildaufnahmeabschnitt 75 ist an der unteren Oberfläche des Bildaufnahmemittels 74 montiert. Der Bildaufnahmeabschnitt 75 dient dazu, den Halbleiter-Wafer, der an der Halteroberfläche (Oberfläche) des Einspanntischs 6 gehalten wird, der auf der die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, aufzunehmen. Das Bildaufnahmemittel 74 weist eine geführte Nut auf, um mit der Führungsschienen 731 in Eingriff zu kommen, und die geführte Nut ist in Eingriff mit der Führungsschienen 731, um dadurch das Bildaufnahmemittel 74 an dem Gleitblock 73 vertikal beweglich zu tragen. Eine Bedientafel, die durch einen Bediener der Schleifvorrichtung 1 betätigt wird, ist an der oberen Oberfläche des Basisgehäuses 2 an ihrem vorderen Endabschnitt bereitgestellt und ein Anzeigemittel 18 zum Anzeigen eines Bildes, das durch das Bildaufnahmemittel 74 erhalten wird, ist in der Nähe von dieser Tafel (an dem linken unteren Ende des Basisgehäuses 2, wie in 1 betrachtet) bereitgestellt.
  • Die Detektionsvorrichtung 7 für einen inneren Riss beinhaltet ferner ein Bewegungsmittel 76 zum Bewegen des Gleitblocks 73, der das Bildgebungsmittel 74 trägt, entlang der Führungsschiene 72. Das Bewegungsmittel 76 weist eine gerade Schiene 761, die sich zwischen dem Paar Trägerelemente 71, 71 erstreckt, und eine bewegliche Spule (nicht gezeigt), die in dem Gleitblock 73 eingebaut ist, sodass diese um die gerade Schiene 761 beweglich montiert ist, auf. Zum Beispiel ist diese lineare Schiene 761 durch ein lineares Anordnen von mehreren prismatischen permanent Magneten ausgestaltet, sodass die N-Pole und die S-Pole abwechselnd verbunden sind und die mehreren prismatischen permanent Magnete, die lineare angeordnet sind, sind in einem abschnittsweise rechteckigen Gehäuse aufgenommen, das aus einem nicht magnetischen Material wie Edelstahl ausgebildet ist.
  • Folglich bilden die gerade Schiene 761 und die bewegliche Spule, die in dem Gleitblock 73 eingebaut ist, das Bewegungsmittel 76, das als ein sogenannter Schaft Motor dient, aus. Wenn ein elektrischer Strom angelegt ist, sodass dieser durch die bewegliche Spule fließt, werden eine magnetische Anziehungskraft und eine magnetische Abstoßungskraft wiederholt an der beweglichen Spule durch die Betätigung der geraden Schiene 761 aufgebracht, wodurch eine Vorschubkraft generiert wird. Entsprechend, indem die Richtung des elektrischen Stroms geändert wird, der durch die bewegliche Spule läuft, kann die Richtung der Bewegung des Gleitblocks 73 entlang der geraden Schiene 761 geändert werden. Während das Bewegungsmittel 46 durch einen Schaftmotor, wie oben beschrieben, in der bevorzugten Ausführungsform ausgestaltet ist, kann eine Kugelrollspindel Mechanismus anstelle des Schaftmotors zum Beispiel verwendet werden. D. h., dass das Bewegungsmittel zum Bewegen des Gleitblocks 73 entlang der Führungsschienen 72 nicht auf einen Schaftmotor in der vorliegenden Ausführungsform beschränkt ist.
  • Das Bildaufnahmemittel 74 wird jetzt detailliert mit Bezug zu 2 beschrieben. Wie in 2 gezeigt, beinhaltet der Bildaufnahmeabschnitt 75, der an der unteren Oberfläche des Bildaufnahmemittels 74 getragen ist, eine Aufnahmelinse 751 zum Aufnehmen eines Ziels, dass daruntergesetzt ist, und ein Aufbringungsmittel 752 für nahem Infrarotlicht zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht auf dem Ziel, das unter die Aufnahmelinse 751 gesetzt ist. In der bevorzugten Ausführungsform ist das Aufbringungsmittel 752 für nahes Infrarotlicht durch eine Licht emittierende Dioden (LED) ausgestaltet, wobei Licht zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht eine Wellenlänge von 1000 nm aufweist.
  • Bildinformationen, die durch das Bildaufnahmemittel 74 erhalten werden, werden zu dem Steuerungsmittel 20 übertragen, das in der Schleifvorrichtung 1 beinhaltet ist. Diese Bildinformationen werden auch durch das Steuerungsmittel 20 zu dem Anzeigemittel 18 übertragen und danach an dem Anzeigemittel 18 angezeigt. Das Steuerungsmittel 20 wird durch einen Computer ausgestaltet, der eine zentrale Berechnungseinheit (CPU) zum Durchführen von Operationsverarbeitung in Übereinstimmung mit einem Steuerungsprogramm, einen Festwertspeicher (ROM), der das Steuerungsprogramm vorher aufgenommen aufweist, einen beschreibbaren und lesbaren Arbeitsspeicher (RAM) zum Speichern einer detektierten Information, Operationsergebnissen usw., eine Eingabeschnittstelle und eine Ausgabeschnittstelle aufweist. Wie in 2 gezeigt, beinhaltet das Steuerungsmittel 20 einen Aufnahmeabschnitt 20a für ein erstes Bild zum Aufnehmen eines ersten Bilds, das später beschrieben wird, einen Aufnahmeabschnitt 20b für ein zweites Bild zum Aufnehmen eines zweiten Bilds, das durch Aufnehmen des Wafers von der hinteren Seite davon nach einer Bearbeitung (Schleifen) erhalten wird, einen Bestimmungsabschnitt 20c zum Entfernen der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild, das durch den Aufnahmeabschnitt 20a für ein erstes Bild aufgenommen wurde, und dem zweiten Bild, das durch den Aufnahmeabschnitt 20b für ein zweites Bild aufgenommen wurde von dem zweiten Bild, um ein Differenzbild zu erhalten und danach zum Bestimmen des Referenzbilds als einen inneren Riss, der in dem bearbeiteten Wafer generiert wurde, und einen Aufnahmeabschnitt 20d für Koordinaten zum Aufnehmen der Koordinaten, welche die Position des inneren Risses an dem Wafer darstellen. Der Aufnahmeabschnitt a für ein erstes Bild, der Aufnahmeabschnitt 20b für ein zweites Bild und der Aufnahmeabschnitt 20d für Koordinaten werden als Speicherbereiche in dem Arbeitsspeicher (RAM) definiert. Der Bestimmungsabschnitt 20c zum Bestimmen des inneren Risses ist vorher als ein Programm in dem Festwertspeicher (ROM) gespeichert. Das Steuerungsmittel 20 ist in der Schleifvorrichtung 1 beinhaltet und dient dazu, Detektionssignale von verschiedenen Sensoren zur Verwendung beim Durchführen der Schleifbetätigung einzugeben und auch Steuerungssignale zu verschiedenen Antriebsmechanismus auszugeben.
  • Im Folgenden wird ein Detektionsverfahren für einen inneren Riss beschrieben, das durch die Detektionsvorrichtung 7 für einen inneren Riss, die in der Schleifvorrichtung 1, die oben beschrieben wurde, beinhaltet ist, durchgeführt wird.
  • Zuerst wird ein Wafer 10, der geschliffen werden soll, als ein Referenz-Wafer vorbereitet. Die Konfiguration des Wafers 10 ist die gleiche wie die des Wafers (Ziel-Wafer), welcher der Detektion eines inneren Risses nach einem Schleifen ausgesetzt ist. Genauer gesagt, wie in 3 gezeigt, weist der Wafer 10 eine vordere Seite 10 a und eine hintere Seite 10b auf. Der Wafer 10 wird durch ein Ausbilden von mehreren SAW-Bauelementen 10c an der vorderen Seite eines LN-Substrats (an der vorderen Seite 10a) ausgestaltet. Ein Schutzband PC ist an der vorderen Seite 10a des Wafers 10 angebracht. Das Schutzband PC ist aus einer synthetischen Kunststofffolie ausgebildet. Wie in 1 gezeigt, wird der Wafer 10 mit dem daran eingebrachten Schutzband PC an dem Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, in dem Zustand platziert, in dem die hintere Seite 10b des Wafers 10 vor einer Bearbeitung nach oben orientiert ist, d. h., dass das Schutzband PC nach unten ausgerichtet ist. Danach wird das Bildgebungsmittel 74 zu einer Bereitstellungsposition A durch eine Betätigung des Steuerungsmittels 20 bewegt, wodurch der Bildgebungsabschnitt 75 unmittelbar oberhalb des Wafers 10, der an dem Einspanntisch 6 gehalten wird, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, positioniert ist. Danach wird Licht, das eine nahe Infrarotlicht-Wellenlänge von 1000 nm aufweist, von dem Aufbringungsmittel 752 für nahes Infrarotlicht auf der hinteren Seite 10b des Wafers 10 aufgebracht, wodurch der Wafer 10 aufgenommen wird. Bilddaten, die durch den Bildgebungsabschnitt 75 erhalten werden, werden zu dem Steuerungsmittel 20 übertragen. Wie oben beschrieben, werden die Bilddaten, die zu dem Steuerungsmittel 20 übertragen werden, durch das Anzeigemittel 18 angezeigt und gleichzeitig in dem Arbeitsspeicher (RAM) gespeichert. Das nahe Infrarotlicht, das von dem Bildgebungsmittel 75 aufgebracht wird, kann durch den Wafer 10 besser als sichtbares Licht strahlen. Entsprechend, wie in 4 gezeigt, können auch die SAW-Bauelemente 10c, die an der vorderen Seite 10a des Wafers 10 ausgebildet sind, aufgenommen werden.
  • Das Bild des Wafers 10, der geschliffen werden soll, das in dem Arbeitsspeicher (RAM) gespeichert ist, wird als nächstes dem Bediener auch an der Anzeige des Anzeigemittels 18 angezeigt. Falls keine Risse in dem Bild vorliegen, wird dieses Bild als ein erstes Bild P1 in dem Aufnahmeabschnitt 20a für ein erstes Bild aufgenommen, wo das erste Bild P1 als ein Referenzbild, das keinen inneren Riss aufweist, aufgenommen ist. Verschiedene Verfahren können als ein Verfahren zum Erhalten des ersten Bilds P1, das keine inneren Risse aufweist, gewählt werden. Falls ein innerer Riss beim Ausbilden der SAW-Bauelemente 10c an dem LT-Substrat generiert wird und dieser innere Riss aufgenommen wird, kann ein anderer Wafer 10, der geschliffen werden soll, aufgenommen werden, um Bilddaten zu erhalten, die keinen inneren Riss aufweisen. Alternativ, sogar wenn das Bild des Wafers 10 einen inneren Riss aufweist, kann eine Bildbearbeitung durchgeführt werden, um nur den inneren Riss von dem Bild zu entfernen. Folglich werden die Daten von dem inneren Riss von den Bilddaten des Wafers 10 entfernt, um ein Referenzbild vorzubereiten, das keinen inneren Riss aufweist. Dieses Referenzbild kann als das erste Bild P1 verwendet werden und danach in dem Aufnahmeabschnitt 20a für ein erstes Bild aufgenommen werden. In dieser Weise wird ein Aufnahmeschritt für ein erstes Bild durchgeführt, um das erste Bild P1 aufzunehmen. Wenn das Bildgebungsmittel 74 nicht betätigt wird, wird das Bewegungsmittel 76 betätigt, um das Bildgebungsmittel 74 zu einer zurückgezogenen Position in der Nähe von einem der Trägerelemente 71, 71 zum Tragen der linearen Schiene 761 zurück zu bewegen.
  • Nach einem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein erstes Bild wird ein Bearbeitungsschritt zum Bearbeiten (Schleifen) des Wafers 10 durchgeführt. Wie oben beschrieben, wird der zu bearbeitende Wafer 10 vorher in der ersten Kassette 11 gelagert. Ähnlich zu dem Wafer 10, der beim Erhalten des ersten Bilds P1, wie oben beschrieben, verwendet wird, wird das Schutzband PC an der vorderen Seite 10a des Wafers 10, der zu bearbeiten ist, angebracht. Zuerst wird ein Handhabungsmittel 15 betätigt, um einen der mehreren Wafer 10 aus der ersten Kassette 11 zu nehmen und den Wafer 10 zu dem Zentrierungsmittel 13 zu übertragen. Der Wafer 10, der an dem Zentrierungsmittel 13 platziert ist, wird durch das Zentrierungsmittel 13 zentriert. Danach wird das erste Transfermittel 16 betätigt, um den Wafer 10 von dem Zentrierungsmittel 13 zu dem Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, zu übertragen. Danach wird ein Saugmittel (nicht gezeigt), das mit dem Einspanntisch 6 verbunden ist, betätigt, um den Wafer 10 durch das Schutzband PC an dem Einspanntisch 6 unter einem Saugen zu halten.
  • Der Bearbeitungsschritt wird jetzt weiter mit Bezug zu 1 und 5A und 5B beschrieben. Nach dem Halten des Wafers 10 an dem Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, wird der Einspanntisch um 120° in der Richtung des Pfeils 5a durch eine Betätigung des Dreh-Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) gedreht, wodurch der Einspanntisch 6, der den Wafer 10 hält, zu der groben Schleifposition B bewegt wird. Danach wird der Einspanntisch 6, der den Wafer 10 unter einem Saugen hält, in der Richtung des Pfeils 6a durch eine Betätigung des Dreh-Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) gedreht. Andererseits wird die grobe Schleifscheibe 33 in der Richtung des Pfeils 32a gedreht und um eine vorbestimmte Menge durch eine Betätigung des Zufuhrmittels 36 abgesenkt (siehe 5A). Als ein Ergebnis wird die hintere Seite 10b (Oberfläche) des Wafers 10, der an dem Einspanntisch 6 gehalten wird, grob durch die grobe Schleifscheibe 33 (siehe 5B) geschliffen. Wenn der Einspanntisch 6, der den Wafer 10 hält, zu der groben Schleifposition B bewegt wird, wird ein anderer Wafer 10, der bearbeitet werden soll, an dem nächsten Einspanntisch 6, der auf die Bereitstellungsposition A gesetzt wurde, gehalten.
  • Nach dem Durchführen der groben Schleifbetätigung, wie oben beschrieben, wird der Drehtisch 5 120° weiter in der Richtung des Pfeils 5a gedreht, um den Einspanntisch 6, der den Wafer 10, der grob geschliffen wurde, hält, zu der Abschlussschleifposition C zu bewegen und auch den Einspanntisch 6, der den Wafer 10 hält, der bearbeitet werden soll und auf die Bereitstellungsposition A gesetzt ist, zu der groben Schleifposition B zu bewegen. Danach wird die hintere Seite des Wafers 10, der an dem Einspanntisch 6 gehalten ist, der auf die Abschlussschleifposition C gesetzt ist, abschließend durch die Abschlussschleifeinheit 4 geschliffen. Gleichzeitig wird die hintere Seite des Wafers 10, der an dem Einspanntisch 6 gehalten ist, der auf die grobe Schleifposition B gesetzt ist, grob durch die grobe Schleifeinheit 3 geschliffen. Die abschließende Schleifbetätigung, die durch die Abschlussschleifeinheit 4 durchgeführt wird, ist ähnlich zu der groben Schleifbetätigung, die oben beschrieben wurde, und eine detaillierte Beschreibung der abschließenden Schleifbetätigung wird darum ausgelassen. Nach dem Durchführen der abschließenden Schleifbetätigung wird der Drehtisch 5 120° weiter in der Richtung des Pfeils 5a gedreht, um den Einspanntisch 6, der den Wafer 10 hält, der abschließend geschliffen wurde, zu einer Bereitstellungsposition A zu bewegen und auch den Einspanntisch 6, der den Wafer 10 hält, der grob geschliffen wurde zu der Abschlussschleifposition C zu bewegen. Gleichzeitig wird der Einspanntisch 6, der einen anderen Wafer 10 hält, der bearbeitet werden soll, von der Bereitstellungsposition A zu der groben Schleifposition B bewegt.
  • Wenn der Wafer 10, der abschließend geschliffen wurde, von der Abschlussschleifposition C zu der Bereitstellungsposition A zurückgekehrt ist, wird das Bewegungsmittel 76 betätigt, um das Bildaufnahmemittel 74 von der zurückgezogenen Position zu der Bereitstellungsposition A zu bewegen, wodurch das Bildaufnahmemittel 74 direkt oberhalb des Einspanntischs 6 positioniert wird, der den abschließend geschliffenen Wafer 10 hält. Danach, wie in 6A gezeigt, wird der Wafer 10, der abschließend geschliffen wurde, von der hinteren Seite 10b durch das Bildaufnahmemittel 74 aufgenommen und Bilddaten, die durch das Bildaufnahmemittel 74 erhalten werden, werden als ein zweites Bild P2 zu dem Steuerungsmittel 20 übertragen und durch das Steuerungsmittel 20 durch das Anzeigemittel 18 angezeigt. Ferner wird die Bildinformationen von dem zweiten Bild P2 in den Aufnahmeabschnitt 20b für ein zweites Bild des Steuerungsmittels 20 aufgenommen. Wie oben beschrieben, ist das Bildaufnahmemittel 74 so ausgestaltet, dass nahes Infrarotlicht auf dem Wafer 10 aufgebracht wird, wodurch der Wafer 10 aufgenommen wird. Da nahes Infrarotlicht durch den Wafer 10 besser als sichtbares Licht strahlen kann, kann das nahe Infrarotlicht, das auf dem Wafer 10 aufgebracht wird, durch Rauigkeit wie Vertiefungen an der hinteren Seite 10b, die durch eine Schneidbetätigung verursacht werden, laufen, sodass eine Wahrscheinlichkeit, dass Rauigkeit der hinteren Seite 10b die Detektion von inneren Rissen des Wafers 10 stört, nicht existiert. In der bevorzugten Ausführungsform, wie in 6A gezeigt, bleiben inneren Risse C1 bis C4 in dem Wafer 10 nach dem Ausbilden der SAW-Bauelemente 10c an der vorderen Seite 10a des Wafers 10 und den Schleifen der hinteren Seite 10b des Wafers 10 wie oben beschrieben über. In dieser Weise wird der Aufnahmeschritt für ein zweites Bild durchgeführt, um das zweite Bild P2 aufzunehmen.
  • Nachdem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein zweites Bild wird ein Detektionsschritt für einen inneren Riss durch ein Ausführen des Steuerungsprogramms, das den Bestimmungsabschnitt 20c ausbildet, durchgeführt. Insbesondere, wie in 6B gezeigt, wird die Bildinformationen von dem zweiten Bild P2, das in den Aufnahmeabschnitt 20b für ein zweites Bild aufgenommen wurde, ausgelesen und die Bildinformationen von dem ersten Bild P1, das in den Aufnahmeabschnitt 20a für ein erstes Bild aufgenommen wurde, wird auch ausgelesen. Danach wird in dem Bestimmungsabschnitt 20c die Bildinformationen von dem zweiten Bild P2 mit den Bildinformationen des ersten Bilds P1 verglichen. Danach werden die gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild P1 und dem zweiten Bild P2 von dem zweiten Bild P2 gelöscht, um Differenzbildinformationen zu erhalten, die dann durch das Anzeigemittel 18 angezeigt werden. In dieser Weise wird das erste Bild P1, das keine inneren Risse aufweist, von dem zweiten Bild P2, das die inneren Risse C1 bis C4 aufweist, entfernt, sodass nur die inneren Risse C1 bis C4 an der Anzeige des Anzeigemittels 18, wie in 6B gezeigt, angezeigt werden. Folglich kann das Vorhandensein oder die Abwesenheit von einem inneren Riss in dem Wafer 10 klar detektiert werden.
  • Nachdem Durchführen des Detektionsschritts für einen inneren Riss ist es bevorzugt die Koordinatenpositionen der Risse C1 bis C4 zu spezifizieren und diese danach in dem Aufnahmeabschnitt 20d für Koordinaten des Steuerungsmittels 20 aufzunehmen. Informationen über die Koordinatenpositionen, die so aufgenommen wurden, können zu einem Teilungsschritt zum Teilen des Wafers 10 in die SAW-Bauelemente 10c übertragen werden. In diesem Fall können die SAW-Bauelemente 10c, die an den Koordinatenpositionen der inneren Risse ausgebildet sind, einfach als Bauelemente identifiziert werden, die eine hohe Wahrscheinlichkeit aufweisen, Probleme zu verursachen, beim Aufnehmen von jedem SAW-Bauelement 10c, das von dem Wafer 10 abgeteilt wurde.
  • Wie oben beschrieben, kehrt der Wafer 10, der abschließend geschliffen wurde, zu der Bereitstellungsposition A zurück und wird als nächstes unter Verwendung des Bildgebungsmittels 74 an der Bereitstellungsposition A aufgenommen, um die Abwesenheit oder das Vorhandensein von inneren Rissen in dem Wafer 10 zu detektieren. Dies ist lediglich darstellend und kann geeignet modifiziert werden. Zum Beispiel kann, nachdem der Wafer 10, der abschließend geschliffen wurde, zu der Bereitstellungsposition A zurückkehrt, der Wafer 10 von der Bereitstellungsposition A zu dem Dreh-Reinigungsmittel 14 übertragen werden, in dem das zweite Transfermittel 17 betätigt wird, um den Wafer 10 zu reinigen und als nächstes zu trocknen. Danach kann der Wafer 10, der so gereinigt wurde, zu der Bereitstellungsposition A zurückgebracht werden und danach unter Verwendung des Bildaufnahmemittels 74 aufgenommen werden, um das zweite Bild P2 zu erhalten. Danach kann der Wafer 10 direkt in die zweite Kassette 12 eingebracht werden. In diesem Fall können inneren Risse des Wafers 10 genauer detektiert werden, ohne durch eine Kontaminierung an dem Wafer 10 behindert zu werden.
  • Während die Detektionsvorrichtung 7 für einen inneren Riss in der obigen bevorzugten Ausführungsform in die Schleifvorrichtung 1 integriert ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Konfiguration beschränkt. Zum Beispiel kann die Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss entsprechend der vorliegenden Erfindung als eine getrennte Detektionsvorrichtung unabhängig von einer Bearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten ein einer beliebigen Bearbeitung ausgestaltet sein. Ferner kann die Bearbeitungsvorrichtung in der vorliegenden Erfindung eine Schneidvorrichtung sein, die eine Schneidklinge zum Schneiden eines Wafers als ein Werkstück entlang Teilungslinien aufweist, die an der vorderen Seite des Wafers ausgebildet sind, um mehrere getrennte Bereiche zu bilden, an denen Bauelemente ausgebildet sind. Ferner kann die Bearbeitungsrichtung der vorliegenden Erfindung auch als eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Laserbearbeitung für einen oben genannten Wafer sein. Zum Beispiel wird ein Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge in dem Wafer aufweist, entlang der Teilungslinien aufgebracht, um eine Ablation an der vorderen Seite des Wafers durchzuführen und dadurch den Wafer entlang der Teilungslinien zu teilen. Als ein anderes Beispiel wird ein Laserstrahl, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, entlang der Teilungslinie aufgebracht, um eine modifizierte Schicht in dem Wafer entlang jeder Teilungslinie auszubilden und dadurch den Wafer entlang der Teilungslinien zu teilen, wo die modifizierte Schicht als ein Teilungsstartpunkt ausgebildet ist. Als ein weiteres Beispiel wird ein Laserstrahl, der eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, entlang der Teilungslinien in dem Zustand aufgebracht, in dem die numerische Apertur einer Fokuslinse zum Fokussieren des Laserstrahls geeignet bezüglich des Brechungsindex des Materials, das den Wafer ausbildet, angepasst ist, um dadurch sogenannte Abschirmtunnel auszubilden, die entlang jeder Teilungslinie angeordnet sind, wobei jeder Abschirmtunnel aus einem feinen Loch, das sich von einer vorderen Seite des Wafers an der hinteren Seite davon erstreckt, und einem amorphen Bereich, der um das feine Loch ausgebildet ist, sodass dieses abgeschirmt wird, gebildet ist, und der Wafer wird entlang jeder Teilungslinie, an welcher die Abschirmtunnel in dem Wafer ausgebildet sind, geteilt. Ferner ist die vorliegende Erfindung auch bei einer Bearbeitungsvorrichtung zum Durchführen von Plasmaätzen an der vorderen Seite des Wafers anwendbar.
  • Während das Werkstück, das in der obigen bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, aus einem Wafer ist, der aus einem LT-Substrat und SAW-Bauelementen ausgebildet ist, die an dem LT-Substrat ausgebildet sind, kann das in der vorliegenden Erfindung anwendbare Werkstück ein Wafer sein, der aus einem LN Substrats und Bauelemente ausgebildet sind, die an dem LN-Substrat ausgebildet sind. Ferner kann das in der Erfindung verwendete Werkstück jedes Werkstück sein, das dazu geeignet ist, Infrarot das Licht transmittieren.
  • Ferner, während das Aufbringungsmittel für nahes Infrarotlicht, das in der obigen bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, dazu ausgestaltet ist, nahes Infrarotlicht aufzubringen, das eine Wellenlänge von 1000 nm aufweist, kann die Wellenlänge des nahen Infrarotlichts, das durch das Werkstück strahlt, geeignet in einem allgemein bekannten nahen Infrarotlichtbereich gewählt sein. Unter Beachtung des Materials, der Dicke usw. eines Substrats, das einen allgemeinen Halbleiter-Wafer ausbildet, ist die Wellenlänge des nahen Infrarotlichts, das von dem Aufbringungsmittel für nahes Infrarotlicht aufgebracht wird, in der vorliegenden Erfindung vorzugsweise auf 1000-1500 nm gesetzt.

Claims (5)

  1. Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) zum Detektieren eines inneren Risses (C1, C2, C3, C4) in einem Wafer (10), der mehrere Bauelemente (10c) an einer vorderen Seite ausgebildet aufweist, sodass diese durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien getrennt sind, wobei das Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) umfasst: einen Aufnahmeschritt für ein erstes Bild (P1) zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht, das eine Transmissionswellenlänge in einem Referenz-Wafer aufweist, der keinen inneren Riss aufweist und der die gleiche Konfiguration wie der Ziel-Wafer aufweist, welcher der Detektion des inneren Risses (C1, C2, C3, C4) ausgesetzt werden soll, und danach Aufnehmen des ersten Bildes (P1), wodurch ein erstes Bild (P1) des Referenz-Wafers erhalten wird; einen Bearbeitungsschritt zum Bearbeiten des Ziel-Wafers nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein erstes Bild (P1) ; einen Aufnahmeschritt für ein zweites Bild (P2) zum Aufbringen des nahen Infrarotlichts auf dem Wafer nach dem Durchführen des Bearbeitungsschritts und danach Aufnehmen des zweiten Bildes (P2), wodurch ein zweites Bild (P2) des Ziel-Wafers, der bearbeitet wurde, erhalten wird; und einen Detektionsschritt für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) zum Entfernen der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild (P1) und dem zweiten Bild (P2) von dem zweiten Bild (P2), um ein Differenzbild zu erhalten, nach dem Durchführen des Aufnahmeschritts für ein zweites Bild (P2), wodurch das Differenzbild als der innere Riss (C1, C2, C3, C4) in dem Wafer detektiert wird.
  2. Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) nach Anspruch 1, wobei der Bearbeitungsschritt einen Schleifschritt zum Schleifen einer hinteren Seite des Ziel-Wafers beinhaltet, um die Dicke des Ziel-Wafers zu reduzieren.
  3. Detektionsverfahren für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Ziel-Wafer einen Wafer, der aus einem Substrat, das aus Lithiumtantalat oder Lithiumniobat ausgebildet ist, und mehrere SAW-Bauelemente (10c) beinhaltet, die an der einer vorderen Seite des Substrats ausgebildet sind, wobei die SAW-Bauelemente (10c) durch die Teilungslinien getrennt sind; und die Wellenlänge des nahen Infrarotlichts auf 1000-1500 nm gesetzt ist.
  4. Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4), umfassend: einen Tisch (6) zum Halten eines Wafers; ein Bildaufnahmemittel (74) zum Aufbringen von nahem Infrarotlicht, das eine Transmissionswellenlänge in dem Wafer aufweist, um dadurch den Wafer aufzunehmen; ein Anzeigemittel (18) zum Anzeigen eines Bildes (P1, P2), das durch das Bildaufnahmemittel (74) erhalten wird; und ein Steuerungsmittel (20) zum Empfangen des Bilds (P1, P2) von dem Bildaufnahmemittel (74) und Übertragen des Bilds zu dem Anzeigemittel (18); wobei das Steuerungsmittel (20) beinhaltet: einen Aufnahmeabschnitt (20a) für ein erstes Bild (P1) zum Erhalten eines ersten Bilds (P1) eines Referenz-Wafers, der keinen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) aufweist, unter Verwendung des Bildaufnahmemittels (74), wobei der Referenz-Wafer die gleiche Konfiguration wie der Ziel-Wafer aufweist, welcher der Detektion eines inneren Risses (C1, C2, C3, C4) ausgesetzt werden soll, und zum Aufnehmen des oben erhaltenen ersten Bilds (P1); einen Aufnahmeabschnitt (20b) für ein zweites Bild (P2) zum Erhalten eines zweiten Bilds (P2) des Ziel-Wafers, welcher den inneren Riss (C1, C2, C3, C4) aufweist, unter Verwendung des Bildaufnahmemittels (74) und zum Aufnehmen des zweiten Bilds (P2), das oben erhalten wurde; und einen Bestimmungsabschnitt zum Entfernen der gleichen Bildinformationen zwischen dem ersten Bild (P1), das in dem Aufnahmeabschnitt (20a) für ein erstes Bild (P1) aufgenommen ist, und dem zweiten Bild (P2), das in dem Aufnahmeabschnitt (20b) für ein zweites Bild (P2) aufgenommen ist, um ein Differenzbild zu erhalten, und danach Bestimmen des Differenzbilds als den in inneren Riss (C1, C2, C3, C4).
  5. Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss (C1, C2, C3, C4) nach Anspruch 4, wobei das Steuerungsmittel (20) ferner einen Aufnahmeabschnitt für eine Koordinate zum Aufnehmen der Koordinaten beinhaltet, welche die Position des inneren Risses (C1, C2, C3, C4) in dem Ziel-Wafer darstellen.
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