DE102017209814B4 - Dualbelichtungsstrukturierung einer Fotomaske zum Drucken eines Kontakts, einer Durchkontaktierung oder einer gekrümmten Gestalt auf einer integrierten Schaltung - Google Patents

Dualbelichtungsstrukturierung einer Fotomaske zum Drucken eines Kontakts, einer Durchkontaktierung oder einer gekrümmten Gestalt auf einer integrierten Schaltung Download PDF

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Abstract

Verfahren, umfassend:ein Bilden (310) einer ersten rechteckigen Gestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung (540) unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats;ein Bilden (320) einer überlappenden zweiten rechteckigen Gestalt mit der Fotomaskenschreibeinrichtung (540) unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zu der ersten rechteckigen Gestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160), die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt; undein Bilden (330) einer Fotomaske (560) basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zum Bereitstellen einer optischen Transmission entsprechend einer aus: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160) von wenigstens der Schwellendosis.

Description

  • HINTERGRUND
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) und insbesondere Verfahren und Systeme für einen verbesserten Fotomaskendurchsatz und -leistung durch die Verringerung der Zahl an Belichtungsaufnahmen bezüglich der Strukturierung einer Fotomaske zum Drucken von einem Kontakt, einer Durchkontaktierung oder einer gekrümmten Gestalt auf eine IC.
  • BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK
  • Fotomasken stellen einen zunehmend kostspieligen Anteil an den gesamten Halbleiterfertigungskosten dar. Fotomasken machten traditionell weniger als einen Prozent der Kosten der Halbleiterfertigung aus. Im Fall von häufig geringeren Herstellungsvolumina für anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs) nimmt jedoch die Menge an hergestellten ICs pro Fotomaske ab, was für die Fotomaskenherstellung zu relativ höheren Kosten führt.
  • Nachfolgend an IC-Design werden Fotomasken oder Masken aus dem physikalischen Design oder Layout der IC durch verschiedene Prozesse hergestellt. Zum Schreiben von einer Struktur auf ein mit Fotolack beschichtetes Glasmaskensubstrat in Entsprechung zu Maskendaten, die von dem physikalischen Designlayout abgeleitet werden, kann ein Elektronenstrahl verwendet werden. Alternativ kann ein optisches Lasersystem, typischerweise im tiefUltraviolett-Spektrum, anstelle des Elektronenstrahls zum Schreiben der Struktur auf das mit Fotolack beschichtete Glasmaskensubstrat in Entsprechung zu den Maskendaten verwendet werden. Nachfolgend an die Entwicklung des belichteten Fotolacks wird die sich ergebende Reliefmaske als eine In-situ-Maske zum Ätzen des Chrommaskenmaterials oder anderen Maskenmaterials verwendet, um eine optische Transmissionsmaske bereitzustellen, die von dem Fotolithografiesystem verwendet wird.
  • Der Durchsatz der Fotomaskenstrukturierung entspricht direkt der Zahl an Belichtungsvorgängen bzw. Belichtungs-„aufnahmen“ („shots“), d.h., der Zahl an Aufnahmen, die zum Strukturieren der Fotolackschicht auf dem Fotomaskensubstrat verwendet wird. Im Allgemeinen werden zwei oder mehr Unterschwellen-Aufnahmen (subthreshold shot) oder „Einzel-Aufnahmen“ kombiniert, um eine zusammengesetzte Dosis aus wenigstens einer Schwellen-Energie zur Strukturierung einer Gestalt auf dem Fotomaskensubstrat zu ergeben. Vorteilhafterweise ermöglichen die zwei oder mehr Unterschwellen-Aufnahmen oder Einzel-Aufnahmen eine Platzierung und Größe, die die zusammengesetzten gedruckten Dosen mittelt, die dann beim fotolithografischen Drucken der Designelemente der IC verwendet werden können. Zur Aufnahme der verschiedenen polygonalen Gestalten des Designlayouts werden die polygonalen Gestalten in eine Datenmenge aus einfachen Polygonen zerlegt oder „gebrochen“, z.B. Rechtecke und 45°-Dreiecke einer bestimmten Größe, die für eine computerunterstützte Design (CAD) -Software geeignet sind, die mit der Fotomaskenschreibeeinrichtung verbunden ist. Jede „gebrochene“ Gestalt, die durch den Datenunterteilungsalgorithmus produziert wird, erfordert eine separate Aufnahme (shot); dadurch werden die Zahl an Belichtungen, die Fotomaskenschreibzeiten und Kosten bedeutend erhöht, da das Maskendesign von den hauptsächlich „großen“ rechteckigen Merkmalen abweicht.
  • Da für die nahe Zukunft keine Änderung der Belichtungswellenlängen zur Erzeugung von Fotomasken und hinsichtlich der Inspektionswellenlängen zur Inspektion von Fotomasken zu erwarten ist, und da weiterhin der Druck besteht, Moores Gesetz aufrechtzuerhalten, so dass immer kleinere ICs gefertigt werden, werden die verschiedenen auf die Fotomaske zu schreibenden polygonalen Gestalten zunehmend komplex, die Grundregeln oder Designbeschränkungen erfordern, um den gewünschten Fotomaskengestalten, den grundsätzlichen Grenzen von Ätzung/Auflösung und Problemen bei der Inspektion der kritischen Dimension (CD) für die Fotomaske Rechnung zu tragen.
  • Zur Minimierung der Zahl an Aufnahmen werden ideal gekrümmte Gestalten häufig „in ein Manhattan-Muster überführt“ oder übernommen, um eine vorherrschende „Manhattan“- oder orthogonale Struktur anzunähern. Falls Kontakte, Durchkontaktierungen oder anderen Zwischenverbindungsgestalten zu drucken sind, ändert die „Umwandlung in eine Manhattan-Struktur“ häufig die gekrümmte Zielgestalt in ein einfaches Quadrat oder Rechteck.
  • Dokument US 6 558 881 B2 stellt ein Verfahren zur optischen Belichtung bereit, um ein Gittermuster auf einem Fotolack zu bilden, wobei mindestens zweimal eine Mehrfachbelichtung unter Verwendung verschiedener Muster ausgeführt wird.
  • Gemäß Dokument US 6 636 294 B2 ist eine Vorrichtung mit einem Substrat und einer Musterstruktur bekannt, die auf dem Substrat in Übereinstimmung mit mehreren Prozessen gebildet wird, einschließlich eines Mehrfachbelichtungsprozesses mit (i) einem Schritt zum Fotodrucken eines feinen Streifenmusters auf dem Substrat und (ii) einem Schritt zum Fotodrucken eines vorbestimmten Maskenmusters auf dem Substrat, derart, dass das feine Streifenmuster und das Maskenmuster übereinander gedruckt werden, wobei in der Musterstruktur ein bestimmter struktureller Abschnitt der Vorrichtung in einem Abschnitt angeordnet ist, wo das feine Streifenmuster und das Maskenmuster übereinander gedruckt werden.
  • Aus der Schrift DE 10 2009 007 770 A1 ist ein Verfahren mit einem Herstellen einer Testmaske mit Teststrukturen auf elektronenstrahllithographische Weise bekannt. Ein Luftbild wird von der Testmaske erzeugt und hinsichtlich der Einhaltung vorgegebener Toleranzen anhand der Teststrukturen ausgewertet. Eine geometrische Korrekturaktion wird basierend auf dem Ergebnis der Bewertung bestimmt. Die Fotolack-Simulation wird basierend auf dem Luftbild durchgeführt. Das Ergebnis der Fotolack-Simulation wird zur Bestimmung der Korrekturmaßnahme verwendet. Das Aufgabenbild wird durch ein Rasterelektronenmikroskop gemessen.
  • Angesichts der Beschränkungen der bestehenden Technik besteht ein Bedarf, gewünschte Fotomaskengestalten effizient herzustellen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • In einer Ausführungsform der Offenbarung umfasst ein Verfahren ein Bilden einer ersten rechteckigen Gestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung, ein Anwenden einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf eine Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats; ein Bilden einer überlappenden zweiten Rechteckgestalt mit der Fotomaskenschreibeinrichtung unter Awendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite Rechteckgestalt relativ zu der ersten Rechteckgestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt; und ein Bilden einer Fotomaske basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht, um eine optische Transmission entsprechend einem von: der hexagonalen Überlappfläche und der oktagonalen Überlappfläche zur Verwendung von einem Fotolithografiesystem zum Drucken von irgendeinem von einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat bereitzustellen.
  • In einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein Verfahren ein Bilden einer ersten Quadratgestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung, ein Anwenden einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf eine Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats; ein Bilden einer überlappenden zweiten Quadratgestalt, die in der Größe gleich der ersten Quadratgestalt ist, durch die Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite Quadratgestalt relativ zu der ersten Quadratgestalt gedreht ist, um eine reguläre oktagonale Überlappfläche zu bilden, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt; und ein Bilden einer Fotomaske basierend auf einem Entwickeln der belichteten Fotolackschicht zur Bereitstellung einer optischen Transmission entsprechend der regulären oktagonalen Überlappfläche, die einen Kreis stark annähert, um irgendeinen von einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken.
  • In wieder einer anderen Ausführungsform der Erfindung umfasst ein System eine Software zum Entwerfen einer integrierten Schaltung (IC), die ein physikalisches Layout von irgendeinem von einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt bereitstellt; und eine Fotomaskenschreibeinrichtung, die: eine erste rechteckige Gestalt unter Anwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf eine Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats basierend auf dem physikalischen Layout bildet; die eine überlappende zweite rechteckige Gestalt unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht bildet, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zur ersten Rechtecksgestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis und einer oktagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosierung, die die Fotolackschicht basierend auf dem physikalischen Layout belichtet; und die eine Fotomaske basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zur Bereitstellung einer optischen Transmission entsprechend einem von: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bildet, um irgendeinen aus einem Kontakt und einer Durchkontaktierung auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken.
  • Figurenliste
  • Die Ausführungsformen sind durch die folgende detaillierte Beschreibung mit Bezug auf die Figuren leichter verständlich, die nicht unbedingt maßstäblich sind und in welchen:
    • 1A eine schematische Ansicht zeigt, die zwei überlappende Unterschwellen-Qadrataufnamen oder -belichtungen gleicher Größe darstellen, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadratbaufnahmen gedreht ist, um wenigstens eine Schwellenaufnahme einer regulären oktagonalen Gestalt zu strukturieren, die einen Kreis stark annähert;
    • 1B eine schematische Ansicht zeigt, die zwei überlappende Unterschwellen-Quadrataufnahmen oder -belichtungen von ungleicher Größe darstellt, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadrataufnahmen gedreht ist, um auf einem Fotolack auf einem Fotomaskensubstrat gemäß einer Ausführungsform hierin wenigstens eine Schwellenaufnahme einer irregulären oktgonalen Gestalt zu strukturieren, die eine Ellipse stark annähert;
    • 1C eine schematische Ansicht zeigt, die zwei überlappende Unterschwellenaufnahmen bestehend aus einer Quadrataufnahme und einer nicht-quadratischen rechteckigen Aufnahme darstellt, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellenaufnahmen gedreht ist, um auf einem Fotolack auf einem Fotomaskensubstrat gemäß einer Ausführungsform hierin eine Schwellenaufnahme einer irregulären hexagonalen Gestalt zu strukturieren, die eine Ellipse annähern kann;
    • 2A eine schematische Ansicht zeigt, die den Effekt auf die überlappende Fläche von wenigstens einer Schwellenbelichtung darstellt, wenn zwei überlappende rechteckige Unterschwellenbelichtungen in einer Ausführungsform fehlausgerichtet sind;
    • 2B eine schematische Ansicht zeigt, die den Effekt auf die überlappende Fläche von wenigstens einer Schwellenbelichtung darstellt, wenn zwei überlappende kreisförmige Unterschwellenbelichtungen im Stand der Technik fehlausgerichtet sind;
    • 3 ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Schreiben von einem aus zeigt: einer hexagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis und einer oktagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis, die die Fotolackschicht auf einem Fotomaskensubstrat in einer Ausführungsform hierin belichtet;
    • 4 ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Schreiben einer regulären oktagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis zeigt, die einen Kreis stark annähert, um die Fotolackschicht auf einem Fotomaskensubstrat in einer Ausführungsform hierin zu belichten; und
    • 5 eine schematische Ansicht zeigt, die ein System zum Durchführen des Verfahrens des Schreibens von einem von darstellt: einer hexagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis und einer oktagonalen Überlappfläche von wenigstens einer Schwellendosis, die die Fotolackschicht auf einem Fotomaskensubstrat in einer Ausführungsform hierin belichtet.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Gemäß der obigen Erläuterung besteht angesichts der Einschränkungen der bestehenden Technik ein Bedarf zum effizienten Erzeugen gewünschter Fotomaskengestalten.
  • Kontakte und Durchkontaktierungen stellen für jede integrierte Schaltung (IC) universelle Designelemente dar. Im Idealfall bestünde die Zielgestalt für Kontakte und Durchkontaktierungen entweder aus Kreisen oder Ellipsen, die die Packungsdichte von Designelementen durch Verkleinern des diagonalen Abstands zwischen den Designelementen auf dem physikalischen Layout vergrößern können. Es ist jedoch ein Schreiben von Kreisen oder Ellipsen mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung problematisch. Ein Gauß'scher Elektronenstrahl kann Kreise schreiben, jedoch sind Gauß'sche Strahlen nicht mit den meisten High-End-Fotomaskenschreibeinrichtungen für 20 nm- und 14 nm-Technologieknoten kompatibel. Kreisförmige Aperturen, die durch die Fotomaskenschreibeinrichtung verwendet werden können, sind für die 20 nm- und 14 nm-Technologieknoten noch in der Konzeptionsphase und sind ohne bedeutende Kompromisse in der Qualität nicht kommerziell erhältlich. Herkömmlicherweise erfordert eine Datenunterteilung von kreisförmigen oder elliptischen Fotomaskendesignelementen wenigstens drei überlappende Unterschwellenaufnahmen, wenn die druckende Einrichtung mit überlappenden Aufnahmen kompatibel ist. In einer Einrichtung, die keine überlappenden Aufnahmen erlaubt, kann die Erzeugung einer einen Kreis annähernden Gestalt auf einer Fotomaske bis zu 50 oder mehr einzelner Aufnahmen erfordern. In einem typischen IC können Millionen an Kontakten und Durchkontaktierungen zu bilden sein; folglich kann jede Verringerung in der Zahl von Aufnahmen zur Bildung von Kontakten und Durchkontaktierungen die Schreibzeiten und Kosten bedeutend reduzieren.
  • Mit Bezug auf die 1A, 1B und 1C kann eine beispielhafte Ausführungsform der Erfindung lediglich zwei überlappende rechteckige Unterschwellenaufnahmen oder Unterschwellenbelichtungen verwenden, wobei eine der zwei überlappenden rechteckigen Unterschwellenbelichtungen bezüglich der anderen überlappenden rechteckigen Unterschwellenbelichtung zum Schreiben von einem aus: wenigstens einer Schwellendosis einer oktagonalen Gestalt, die eine kreisförmige Gestalt, eine elliptische Gestalt oder eine gekrümmte Gestalt stark annähern kann, und wenigstens einer Schwellendosis einer hexagonalen Gestalt, die auch eine elliptische oder eine gekrümmt-lineare Gestalt annähern kann, auf einen Fotolack auf einem Fotomaskensubstrat um ungefähr 45° gedreht ist, insbesondere von 40° bis 50°.
  • Gemäß der Darstellung in 1A kann wenigstens eine Schwellendosis eines regulären Oktagons 110, das eine kreisförmige Gestalt 115 stark annähert, durch die Fotomaskenschreibeinrichtung mit lediglich zwei Aufnahmen auf den Fotolack auf dem Fotomaskensubstrat geschrieben werden, eine für jede Unterschwellen-Quadrataufnahme, wenn jede der zwei überlappenden rechteckigen Unterschwellenaufnahmen oder -belichtungen Quadrataufnahmen gleicher Größe umfasst, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadrataufnahmen um ungefähr 45° gedreht ist. Jede der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadrataufnahmen kann gleiche oder ungleiche Unterschwellendosen aufweisen, während die Überlappungsfläche des regulären Oktagons eine Schwellen- oder Überschwellendosis umfasst, die durch Hinzufügen von jeder der zwei Unterschwellendosen bereitgestellt wird. Eine Fotomaske kann nachfolgend an eine Entwicklung der belichteten überlappenden Fläche des regulären Oktagons auf dem Fotolack gebildet werden, wobei die Fotomaske eine optische Transmission entsprechend der überlappenden Fläche des regulären Oktagons zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bei der Bildung von Kontakten und/oder Durchkontaktierungen auf einem IC-Substrat bereitstellt.
  • Gemäß der Darstellung in 1B, wenn jede der zwei überlappenden rechteckigen Unterschwellenaufnahmen aus Quadrataufnahmen ungleicher Größe besteht, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadrataufnahmen um ungefähr 45° gedreht ist, insbesondere von 40° bis 50°, kann wenigstens eine Schwellendosis eines irregulären Oktagons 130, das eine elliptische Gestalt 135 annähert, durch die Fotomaskenschreibeinrichtung mit lediglich zwei Aufnahmen auf den Fotolack auf dem Fotomaskensubstrat geschrieben werden, eine für jede Unterschwellen-Quadrataufnahme. Jede der zwei überlappenden Unterschwellen-Quadrataufnahmen kann gleiche oder ungleiche Unterschwellendosen aufweisen, während die überlappende Fläche des irregulären Oktagons eine Schwellen- oder Überschwellendosis umfasst, die durch Hinzufügen von jeder der zwei Unterschwellendosen vorgesehen wird. Nachfolgend an die Entwicklung der belichteten überlappenden Fläche des irregulären Oktagons auf dem Fotolack kann eine Fotomaske gebildet werden, die eine optische Transmission entsprechend der überlappenden Fläche der wenigstens einen Schwellendosis des irregulären Oktagons zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bei der Bildung von Kontakten und/oder Durchkontaktierungen auf einem IC-Substrat bereitstellt.
  • Gemäß der Darstellung in 1C kann ein irreguläres Schwellen- oder Überschwellen-Hexagon 160, welches eine elliptische Gestalt 165 annähert, durch die Fotomaskenschreibeinrichtung mit lediglich zwei Aufnahmen, eine für jede Unterschwellenaufnahme, auf den Fotolack auf dem Fotomaskensubstrat geschrieben werden, wenn die zwei überlappenden Unterschwellenaufnahmen oder -belichtungen aus einer Quadrataufnahme und einer nicht-quadratischen rechteckigen Aufnahme besteht, wobei eine der zwei überlappenden Unterschwellenaufnahmen um ungefähr 45° gedreht ist, insbesondere von 40° bis 50°. Jede der zwei überlappenden Unterschwellenaufnahmen kann gleiche oder ungleiche Unterschwellendosen aufweisen, während die überlappende Fläche des irregulären Hexagons eine Schwellen- oder Überschwellendosis umfasst, die durch Hinzufügen von jeder der zwei Unterschwellendosen bereitgestellt wird. Nachfolgend an die Entwicklung der belichteten überlappenden Fläche des irregulären Hexagons auf dem Fotolack kann eine Fotomaske gebildet werden, die eine optische Transmission entsprechend der überlappenden Fläche des irregulären Hexagons zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bei Bildung von Kontakten und/oder Durchkontaktierungen auf einem IC-Substrat bereitstellt.
  • Mit Bezug auf die 2A und 2B zeigt ein Aspekt einer Ausführungsform der Erfindung im Vergleich zur Verwendung von zwei fehlausgerichteten überlappenden kreisförmigen Belichtungen einen geringeren Effekt auf die überlappende Fläche der Aufnahmen, wenn zwei überlappende rechteckige Belichtungen fehlausgerichtet sind. In 2A, falls z.B. eine zweite rechteckige Unterschwellenaufnahme bezüglich der ersten rechteckigen Unterschwellenaufnahme fehlausgerichtet ist, geht die überlappende Fläche z.B. durch einen Versatz der zweiten rechteckigen Unterschwellenaufnahme nach rechts verloren, insbesondere wird die verlorene Fläche 210 durch die gewonnene Fläche 220 wiedergewonnen. Im Gegensatz dazu stellt 2B einen Fehlorientierungsfehler einer zweiten kreisförmigen Aufnahme dar, die bezüglich einer ersten kreisförmigen Aufnahme versetzt ist, wobei an jeder lateralen Seite der zweimal belichteten Mittelfläche ein Verlust der überlappenden Fäche 270 ohne Kompensationsgewinn hervorgerufen wird.
  • Mit Bezug auf das Flussdiagramm 300 aus 3 kann ein beispielhaftes Verfahren zum Schreiben von einem von: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche, die die Fotolackschicht auf einem Fotomaskensubstrat wenigstens einer Schwellendosis aussetzt, umfassen: ein Bilden einer ersten rechteckigen Gestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats 310; ein Bilden einer überlappenden zweiten rechteckigen Gestalt mit der Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zu der ersten rechteckigen Gestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt, 320; und ein Bilden einer Fotomaske basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zum Bereitstellen einer optischen Transmission entsprechend einem von: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem, um irgendeinen aus: einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken, 330. Der Energiestrahl, der durch das Verfahren verwendet wird, kann eines umfassen von: Elektronen und Photonen. Das Bilden der Fotomaske in dem Verfahren kann sich aus der belichteten Fotolackschicht ergeben, die als eine Reliefmaske zum Ätzen eines Fotomaskenmaterials zur Bereitstellung der Fotomaske verwendet wird, die durch das Fotolithografiesystem verwendet wird. In dem Verfahren können die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate gleicher Größe umfassen, die zu der oktagonalen Überlappfläche führen können, die ein reguläres Oktagon bildet, welches einen Kreis annähert. In dem Verfahren können die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate ungleicher Größe umfassen, wobei sich die oktagonale Überlappfläche ergibt, die ein irreguläres Oktagon bildet, welches eine Ellipse stark annähert. In dem Verfahren kann die erste rechteckige Gestalt oder die zweite rechteckige Gestalt ein Quadrat umfassen und die andere aus der ersten rechteckigen Gestalt und der zweiten rechteckigen Gestalt kann ein nicht-quadratisches Rechteck umfassen, was zu der hexagonalen Überlappfläche führt, die eine Ellipse annähert.
  • Mit Bezug auf das Flussdiagramm 400 aus 4 kann ein beispielhaftes Verfahren zum Schreiben einer regulären oktagonalen Überlappfläche, die einen Kreis stark annähert, zum Belichten der Fotolackschicht auf einem Fotomaskensubstrat für wenigstens eine Schwellendosis umfassen: ein Bilden einer Quadratgestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats, 410; ein Bilden einer überlappenden zweiten Quadratgestalt mit zur ersten Quadratgestalt gleicher Größe durch die Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite Quadratgestalt relativ zu der ersten Quadratgestalt gedreht ist, um eine reguläre oktagonale Überlappfläche zu bilden, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt, 420; und ein Bilden einer Fotomaske basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht, um eine optische Transmission entsprechend wenigstens der Schwellendosis der regulären oktagonalen Überlappfläche, die einen Kreis stark annähert, zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bereitzustellen, um irgendeinen aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken, 430.
  • Mit Bezug auf 5 kann eine schematische Ansicht, die eine Ausführungsform eines Systems der Erfindung darstellt, umfassen: eine Software 520 zum Entwerfen einer integrierten Schaltung (IC) 520, die ein physikalisches Layout von irgendeinem von einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt bereitstellt; und eine Fotomaskenschreibeinrichtung 540, die: eine erste rechteckige Gestalt unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats basierend auf dem physikalischen Layout bildet; eine überlappende zweite rechteckige Gestalt unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht bildet, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zu der ersten rechteckigen Gestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis basierend auf dem physikalischen Layout aussetzt; und eine Fotomaske 560 basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zur Bereitstellung einer optischen Transmission, entsprechend einer aus: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis zur Verwendung durch ein Fotolithografiesystem bildet, um irgendeinen aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken. Der Energiestrahl der Fotomaskenschreibeinrichtung 540 kann eines umfassen aus: Elektronen und Photonen. Die Fotomaske 560 kann aus der belichteten Fotolackschicht gebildet werden, die als Reliefmaske zum Ätzen eines Fotomaskenmaterials verwendet wird.

Claims (18)

  1. Verfahren, umfassend: ein Bilden (310) einer ersten rechteckigen Gestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung (540) unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats; ein Bilden (320) einer überlappenden zweiten rechteckigen Gestalt mit der Fotomaskenschreibeinrichtung (540) unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zu der ersten rechteckigen Gestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160), die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt; und ein Bilden (330) einer Fotomaske (560) basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zum Bereitstellen einer optischen Transmission entsprechend einer aus: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160) von wenigstens der Schwellendosis.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend ein Verwenden der Fotomaske (560) in einem Fotolithografiesystem zum Drucken von irgendeinem aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Energiestrahl eines umfasst aus: Elektronen und Photonen.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei sich das Bilden der Fotomaske (560) aus der belichteten Fotolackschicht ergibt, die als eine Reliefmaske zum Ätzen eines Fotomaskenmaterials verwendet wird, um die Fotomaske bereitzustellen, die durch das Fotolithografiesystem verwendet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate gleicher Größe umfassen, die die oktagonale Überlappfläche ergeben, welche ein reguläres Oktagon (110) bildet, das einen Kreis (115) annähert.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate ungleicher Größe umfassen, die die oktagonale Überlappfläche ergeben, die ein irreguläres Oktagon (130, 160) bildet, welches eine Ellipse (135, 165) stärker annähert.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine aus der ersten rechteckigen Gestalt und der zweiten rechteckigen Gestalt ein Quadrat umfasst und das andere aus der ersten rechteckigen Gestalt und der zweiten rechteckigen Gestalt ein nicht-quadratisches Rechteck umfasst, welches zu der hexagonalen Überlappfläche führt, die eine Ellipse annähert.
  8. Verfahren, umfassend: ein Bilden (410) einer ersten Quadratgestalt mit einer Fotomaskenschreibeinrichtung unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats; ein Bilden (420) einer überlappenden zweiten Quadratgestalt gleicher Größe zur ersten Quadratgestalt mit der Fotomaskenschreibeinrichtung (540) unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht, wobei die zweite Quadratgestalt relativ zur ersten Quadratgestalt gedreht ist, um eine reguläre oktagonale Überlappfläche (110) zu bilden, die die Fotolackschicht wenigstens einer Schwellendosis aussetzt; und ein Bilden (430) einer Fotomaske (560) basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zum Bereitstellen einer optischen Transmission entsprechend der regulären oktagonalen Überlappfläche (110) von wenigstens der Schwellendosis, die einen Kreis (115) stark annähert.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, ferner umfassend ein Verwenden der Fotomaske (560) in einem Fotolithografiesystem zum Drucken von irgendeinem aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Energiestrahl eines umfasst aus: Elektronen und Photonen.
  11. Verfahren nach Anspruch 8, wobei sich das Bilden der Fotomaske aus der belichteten Fotolackschicht ergibt, die als Reliefmaske zum Ätzen eines Fotomaskenmaterials verwendet wird, um die Fotomaske (560) bereitzustellen, die das Fotolithografiesystem verwendet.
  12. System (500), umfassend: eine Software (520) zum Entwerfen einer integrierten Schaltung, die ein physikalisches Layout von irgendeinem aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt bereitstellt; und eine Fotomaskenschreibeinrichtung (540), die ausgebildet ist, um eine erste rechteckige Gestalt unter Verwendung einer ersten Unterschwellendosis eines Energiestrahls auf einer Fotolackschicht eines Fotomaskensubstrats basierend auf dem physikalischen Layout zu bilden; eine überlappende zweite rechteckige Gestalt unter Verwendung einer zweiten Unterschwellendosis auf der Fotolackschicht zu bilden, wobei die zweite rechteckige Gestalt relativ zur ersten rechteckigen Gestalt gedreht ist, um eines zu bilden aus: einer hexagonalen Überlappfläche und einer oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160), die die Fotolackschicht der wenigstens einen Schwellendosis basierend auf dem physikalischen Layout aussetzt; und eine Fotomaske (560) basierend auf einer Entwicklung der belichteten Fotolackschicht zu bilden, um eine optische Transmission entsprechend einer aus: der hexagonalen Überlappfläche von wenigstens der Schwellendosis und der oktagonalen Überlappfläche (110, 130, 160) von wenigstens der Schwellendosis bereitzustellen.
  13. System (500) nach Anspruch 12, wobei die Fotomaske (560) zur Verwendung in einem Fotolithografiesystem geeignet ist, um irgendeinen aus einem Kontakt, einer Durchkontaktierung und einer gekrümmten Gestalt auf ein integriertes Schaltungssubstrat zu drucken.
  14. System (500) nach Anspruch 12, wobei der Energiestrahl eines umfasst aus: Elektronen und Photonen.
  15. System (500) nach Anspruch 12, wobei die Fotomaske (560) aus der belichteten Fotolackschicht gebildet ist, die zur Verwendung als Reliefmaske zum Ätzen eines Fotomaskenmaterials geeignet ist, um die Fotomaske (560) bereitzustellen, die das Fotolithografiesystem verwendet.
  16. System (500) nach Anspruch 12, wobei die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate gleicher Größe umfassen, die die oktagonale Überlappfläche ergeben, welche ein reguläres Oktagon (110) bildet, das einen Kreis (115) annähert.
  17. System (500) nach Anspruch 12, wobei die erste rechteckige Gestalt und die zweite rechteckige Gestalt Quadrate ungleicher Größe umfassen, die die oktagonale Überlappfläche ergeben, die ein irreguläres Oktagon (130, 160) bildet, welches eine Ellipse (135, 165) stärker annähert.
  18. System (500) nach Anspruch 12, wobei eine aus der ersten rechteckigen Gestalt und der zweiten rechteckigen Gestalt ein Quadrat umfasst und die andere aus der ersten rechteckigen Gestalt und der zweiten rechteckigen Gestalt ein nicht-quadratisches Rechteck umfasst, das zu der hexagonalen Überlappfläche führt, die eine Ellipse annähert.
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