DE102017200450A1 - Wafer inspection apparatus, wafer inspection method, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Wafer inspection apparatus, wafer inspection method, and semiconductor device manufacturing method Download PDF

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Abstract

Eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung weist einen Wafer-Haltemechanismus zum Halten eines Wafers, eine Lichtquelle, welche Licht ausstrahlt, das durch den Wafer geblockt wird und durch eine Fehlstelle hindurchtritt, die von einer ersten Oberfläche des Wafers zu einer zweiten Oberfläche des Wafers auf der ersten Oberfläche eindringt, und eine auf der zweiten Oberflächenseite angeordnete Lichtempfangseinheit auf, die das ausgestrahlte, durch den Wafer hindurchtretende Licht empfängt und abhängig von den empfangenen ausgestrahlten Licht ein Signal generiert.A wafer inspection apparatus includes a wafer holding mechanism for holding a wafer, a light source that emits light that is blocked by the wafer and passes through a defect that extends from a first surface of the wafer to a second surface of the wafer on the first surface and a second surface side light receiving unit which receives the emitted light passing through the wafer and generates a signal depending on the received radiated light.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Gebietarea

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung, ein Wafer-Untersuchungsverfahren und ein Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung der Wafer-Untersuchungsvorrichtung. The present invention relates to a wafer inspection apparatus, a wafer inspection method and a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer inspection apparatus.

Hintergrundbackground

Die internationale Veröffentlichung Nr. 2011/062279 offenbart ein Verfahren zum Abbilden von gestreutem Licht von einem Wafer, um eine Fehlstelle zu erkennen. Von einem gebrochenen Teil in einer Wafer-Oberflächenschicht wird normalerweise eine Beanspruchung generiert. Die Beanspruchung bewirkt, dass sich eine Polarisierungsrichtung von gestreutem Licht ändert. Das vorstehende Verfahren erkennt die Änderung der Polarisierungsrichtung, um eine Fehlstelle zu erkennen.The International Publication No. 2011/062279 discloses a method for imaging scattered light from a wafer to detect a defect. From a broken part in a wafer surface layer, a stress is normally generated. The stress causes a polarization direction of scattered light to change. The above method detects the change of polarization direction to detect a defect.

In dem Verfahren, das in der internationalen Veröffentlichung Nr. 2011/062279 offenbart wird, wird das Vorhandensein/Fehlen einer Fehlstelle in einer Wafer-Oberflächenschicht erkannt. Aus diesem Grund kann das Verfahren nicht feststellen, ob die erkannte Fehlstelle von der oberen Oberfläche des Wafers zu der unteren Oberfläche desselben eindringt.In the procedure, which in the International Publication No. 2011/062279 is disclosed, the presence / absence of a defect in a wafer surface layer is recognized. For this reason, the method can not determine whether the detected defect penetrates from the upper surface of the wafer to the lower surface thereof.

ZusammenfassungSummary

Die vorliegende Erfindung ist entwickelt worden, um das vorstehende Problem zu lösen und weist als ihre erste Aufgabe auf, eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung zu erhalten, welche eine Fehlstelle erkennt, die von der oberen Oberfläche eines Wafers zu der unteren Oberfläche desselben eindringt. The present invention has been developed to solve the above problem, and has as its first object to obtain a wafer inspection apparatus which detects a defect penetrating from the upper surface of a wafer to the lower surface thereof.

Es ist die zweite Aufgabe, ein Wafer-Untersuchungsverfahren zu erhalten, welches eine Fehlstelle erkennt, die von der oberen Oberfläche des Wafers zu der unteren Oberfläche desselben eindringt. The second object is to obtain a wafer inspection method which detects a defect penetrating from the upper surface of the wafer to the lower surface thereof.

Es ist die dritte Aufgabe, ein Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung zu erhalten, das ein Wafer-Untersuchungsverfahren verwendet, welches eine Fehlstelle erkennt, die von der oberen Oberfläche des Wafers zu der unteren Oberfläche desselben eindringt.It is the third object to obtain a method of manufacturing a semiconductor device using a wafer inspection method which detects a defect penetrating from the upper surface of the wafer to the lower surface thereof.

Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden. The features and advantages of the present invention may be summarized as follows.

Gemäß der ersten Erfindung weist eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung einen Wafer-Haltemechanismus zum Halten eines Wafers, eine Lichtquelle, welche Licht ausstrahlt, das durch den Wafer geblockt wird und durch eine Fehlstelle hindurchtritt, die von einer ersten Oberfläche des Wafers zu einer zweiten Oberfläche des Wafers auf der ersten Oberfläche eindringt, und eine Lichtempfangseinheit, die auf der zweiten Oberflächenseite angeordnet ist, das durch den Wafer hindurchtretende ausgestrahlte Licht empfängt und ein Signal abhängig von dem empfangenen ausgestrahlten Licht generiert, auf. According to the first invention, a wafer inspection apparatus includes a wafer holding mechanism for holding a wafer, a light source that emits light that is blocked by the wafer and passes through a defect that extends from a first surface of the wafer to a second surface of the wafer penetrating the first surface, and a light receiving unit disposed on the second surface side receiving the emitted light passing through the wafer and generating a signal depending on the received irradiated light.

Gemäß der zweiten Erfindung weist ein Wafer-Untersuchungsverfahren einen Lichtempfangsschritt, bei dem in einem Zustand, in welchem eine erste Oberfläche eines Wafers mit ausgestrahltem Licht bestrahlt wird, das durch den Wafer geblockt wird und durch eine Fehlstelle hindurchtritt, die von der ersten Oberfläche zu einer zweiten Oberfläche des Wafers eindringt, bewirkt wird, dass eine auf der zweiten Oberflächenseite angeordnete Lichtempfangseinheit das ausgestrahlte Licht, das durch den Wafer hindurchtritt, empfängt, und einen Feststellungsschritt, bei dem das Vorhandensein/Fehlen der Fehlstelle basierend auf einem durch die Lichtempfangseinheit generierten Signal und abhängig von dem durch den Wafer hindurchtretenden ausgestrahlten Licht festgestellt wird, auf. According to the second invention, a wafer inspection method includes a light receiving step in which, in a state in which a first surface of a wafer is irradiated with emitted light blocked by the wafer and passing through a defect extending from the first surface to a first second surface of the wafer, causing a light receiving unit disposed on the second surface side to receive the emitted light passing through the wafer, and a detecting step of detecting the presence / absence of the defect based on a signal generated by the light receiving unit is detected depending on the transmitted light passing through the wafer.

Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung ersichtlicher. Other and further objects, features and advantages of the invention will become more apparent from the following description.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung. 1 FIG. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.

2 zeigt eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Wafers gemäß der Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung. 2 FIG. 11 is a sectional view and a plan view of the wafer according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.

3 zeigt eine Schnittansicht des Wafers und ein Bilddiagramm eines empfangenen Bildes des Wafers gemäß der Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung. 3 FIG. 10 is a sectional view of the wafer and an image diagram of a received image of the wafer according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.

4 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung. 4 FIG. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. FIG.

5 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung. 5 FIG. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. FIG.

6 ist ein Flussdiagramm zum Erklären eines Verfahrens zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung. 6 FIG. 14 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 3 of the present invention.

Beschreibung der Ausführungsformen Description of the embodiments

Eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung, ein Wafer-Untersuchungsverfahren und ein Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. Komponenten, die identisch sind oder zueinander korrespondieren, sind durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und eine wiederholte Beschreibung derselben ist in einigen Fällen weggelassen.A wafer inspection apparatus, a wafer inspection method, and a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Components that are identical or correspond to each other are denoted by the same reference numerals, and a repetitive description thereof is omitted in some cases.

Erste AusführungsformFirst embodiment

1 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung 100 gemäß einer Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung. Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 100 weist eine Plattform 14 auf. Die Plattform 14 ist ein Gehäuse, das eine offene obere Oberfläche aufweist. Eine Wafer-Halteplattform 12 zum Halten eines Wafers 10 ist auf der oberen Oberfläche der Plattform 14 angeordnet. Eine Halbleitervorrichtung, die als ein Untersuchungsobjekt dient, ist auf dem Wafer 10 ausgebildet. Die Plattform 14 und die Wafer-Halteplattform 12 bilden einen Wafer-Haltemechanismus 16. 1 Fig. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus 100 according to an embodiment 1 of the present invention. The wafer inspection device 100 has a platform 14 on. The platform 14 is a housing having an open upper surface. A wafer holding platform 12 to hold a wafer 10 is on the upper surface of the platform 14 arranged. A semiconductor device serving as an inspection object is on the wafer 10 educated. The platform 14 and the wafer-holding platform 12 form a wafer-holding mechanism 16 ,

Die Wafer-Halteplattform 12 weist eine darin ausgebildete Aussparung 13 auf. Während einer Untersuchung wird der Wafer 10 auf einer unteren Oberfläche der Aussparung 13 platziert. Als eine Folge wird ein äußerer Umfangsteil des Wafers 10 durch die Wafer-Halteplattform 12 gehalten.The wafer holding platform 12 has a recess formed therein 13 on. During an investigation, the wafer becomes 10 on a lower surface of the recess 13 placed. As a result, an outer peripheral part of the wafer becomes 10 through the wafer holding platform 12 held.

In einem Raum 18, der von dem Wafer-Haltemechanismus 16 und dem Wafer 10 umgeben ist, ist eine Lichtquelle 20 auf einer unteren Oberfläche der Plattform 14 angeordnet. Die Lichtquelle 20 strahlt Licht aus, das ausgestrahltes Licht enthält, das auf eine untere Oberfläche 102 des Wafers 10 trifft. In diesem Fall wird das ausgestrahlte Licht durch den Wafer 10 geblockt. Das ausgestrahlte Licht wird durch eine Fehlstelle übertragen, die von der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 zu einer oberen Oberfläche 104 davon eindringt. Somit überträgt, wenn der Wafer 10 die Fehlstelle aufweist, die von der unteren Oberfläche 102 zu der oberen Oberfläche 104 eindringt, ein gebrochener Teil das ausgestrahlte Licht.In a room 18 that of the wafer-holding mechanism 16 and the wafer 10 surrounded is a light source 20 on a lower surface of the platform 14 arranged. The light source 20 emits light that contains emitted light on a lower surface 102 of the wafer 10 meets. In this case, the emitted light is transmitted through the wafer 10 blocked. The emitted light is transmitted through a defect, that of the lower surface 102 of the wafer 10 to an upper surface 104 penetrates from it. Thus, transfers when the wafer 10 the flaw has that of the lower surface 102 to the upper surface 104 a broken part penetrates the emitted light.

In dieser Ausführungsform emittiert die Lichtquelle 20 weißes Licht aus. Das von der Lichtquelle 20 emittierte Licht weist ausgestrahltes Licht auf, welches sichtbares Licht mit einer Wellenlänge von 360 bis 830nm ist. Als eine Modifikation der Ausführungsform kann die Lichtquelle 20, die ein homogenes Licht mit einer Wellenlänge von 360 bis 830nm emittiert, verwendet werden. Als das ausgestrahlte Licht kann Licht verwendet werden, das eine Wellenlänge von 1100nm oder weniger aufweist, welches nicht durch Silizium übertragen wird. Das ausgestrahlte Licht kann Licht sein, das nicht Infrarotlicht ist, welches nicht durch Silizium übertragen wird.In this embodiment, the light source emits 20 white light off. That from the light source 20 emitted light has emitted light, which is visible light with a wavelength of 360 to 830nm. As a modification of the embodiment, the light source 20 which emits a homogeneous light having a wavelength of 360 to 830 nm. As the emitted light, light having a wavelength of 1100 nm or less which is not transmitted through silicon can be used. The emitted light may be light that is not infrared light that is not transmitted through silicon.

Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 100 weist eine Lichtempfangseinheit 22 auf der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 auf. Die Lichtempfangseinheit 22 weist ein Lichtempfangselement auf, das eine Empfindlichkeit für die Frequenzen des ausgestrahlten Licht aufweist. Das Lichtempfangselement weist keine Empfindlichkeit für Frequenzen außer den Frequenzen des ausgestrahlten Lichts auf. Als eine Folge wird von dem Licht, das von der Lichtquelle 20 emittiert wird, das ausgestrahlte, durch den Wafer 10 hindurchtretende Licht von der Lichtempfangseinheit 22 empfangen. Weiter weist die Lichtempfangseinheit 22 ein Abbildungselement auf. Wie vorstehend beschrieben, bildet die Lichtempfangseinheit 22 ausgestrahltes Licht ab, das durch die Fehlstelle hindurchtritt, die von der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 zu der oberen Oberfläche 104 davon eindringt. In der Ausführungsform ist der vorstehende Schritt ein Lichtempfangsschritt.The wafer inspection device 100 has a light receiving unit 22 on the upper surface 104 of the wafer 10 on. The light receiving unit 22 has a light receiving element that has a sensitivity to the frequencies of the emitted light. The light receiving element has no sensitivity to frequencies other than the frequencies of the emitted light. As a result, the light coming from the light source 20 emitted, the emitted, through the wafer 10 passing light from the light receiving unit 22 receive. Next, the light receiving unit 22 an imaging element. As described above, the light receiving unit forms 22 emitted light passing through the defect, that of the lower surface 102 of the wafer 10 to the upper surface 104 penetrates from it. In the embodiment, the above step is a light receiving step.

Die Lichtquelle 20 ist optisch durch den Wafer-Haltemechanismus 16 und den Wafer 10 von einem externen Raum geblockt. Auf diese Weise wird verhindert, dass das ausgestrahlte Licht bis auf das ausgestrahlte Licht von dem Fehlstellenteil durchgelassen wird. Die Lichtquelle 20, der Wafer-Haltemechanismus 16, der Wafer 10, die Lichtempfangseinheit 22 sind in einem Gehäuse 28 enthalten und optisch von dem externen Raum geblockt. Wie vorstehend beschrieben, kann in dem Lichtempfangsschritt die Lichtempfindlichkeit der Lichtempfangseinheit 22 verbessert werden.The light source 20 is optically through the wafer-holding mechanism 16 and the wafer 10 blocked by an external room. In this way, the emitted light is prevented from being transmitted through the defect portion except for the emitted light. The light source 20 , the wafer-holding mechanism 16 , the wafer 10 , the light receiving unit 22 are in a housing 28 contained and optically blocked from the external space. As described above, in the light receiving step, the photosensitivity of the light receiving unit 22 be improved.

Die Lichtempfangseinheit 22 generiert ein Signal abhängig von dem empfangenen ausgestrahlten Licht. In der Ausführungsform benachrichtigt die Lichtempfangseinheit 22 eine Analyseeinheit 24 von einem empfangenen Bild, das durch Abbilden des ausgestrahlten Lichts als ein Bildsignal erhalten wird. Die Empfangsbild-Analyseeinheit 24 führt eine Bildverarbeitung durch, welche Störsignale von dem empfangenen Bild entfernt. Das empfangene Bild, das der Bildverarbeitung durch die Empfangsbild-Analyseeinheit 24 unterzogen worden ist, wird an eine Feststellungseinheit 26 geleitet. Die Feststellungseinheit 26 stellt das Vorhandensein/Fehlen der Fehlstelle fest, die von der unteren Oberfläche 102 zu der oberen Oberfläche 104 eindringt.The light receiving unit 22 generates a signal depending on the received emitted light. In the embodiment, the light receiving unit notifies 22 an analysis unit 24 from a received image obtained by imaging the emitted light as an image signal. The receiving image analysis unit 24 performs image processing which removes spurious signals from the received image. The received image, the image processing by the receiving image analysis unit 24 is subjected to a determination unit 26 directed. The determination unit 26 notes the presence / absence of the defect from the bottom surface 102 to the upper surface 104 penetrates.

2 zeigt eine Schnittansicht und eine Draufsicht des Wafers 10, der in der Ausführungsform als ein Untersuchungsobjekt dient. Der Wafer 10 weist Fehlstellen 106 und 108 auf. Die Fehlstelle 106 tritt in der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 auf und erstreckt sich nicht zu der unteren Oberfläche 102. Im Gegensatz dazu erstreckt sich die Fehlstelle 108 von der oberen Oberfläche 104 zu der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 und dringt in den Wafer 10 ein. In 2 ist die Schnittansicht zur Vereinfachung horizontal erweitert. 2 shows a sectional view and a plan view of the wafer 10 which serves as an examination object in the embodiment. The wafer 10 has flaws 106 and 108 on. The defect 106 occurs in the upper surface 104 of the wafer 10 on and does not extend to the bottom surface 102 , In contrast, the defect extends 108 from the upper surface 104 to the lower surface 102 of the wafer 10 and penetrate the wafer 10 one. In 2 the sectional view is extended horizontally for simplicity.

3 zeigt eine Schnittansicht des Wafers 10 in der Ausführungsform und ein Bilddiagramm eines empfangenen Bildes des Wafers 10. In der Fehlstelle 108, die von der oberen Oberfläche 104 zu der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 eindringt, leitet ein gebrochener Teil ausgestrahltes Licht weiter. Somit tritt auf dem empfangenen Bild ein leuchtender Punkt 110 auf, der zu der Fehlstelle 108 korrespondiert. Im Gegensatz dazu leitet in der Fehlstelle 106, welcher sich nicht zu der unteren Oberfläche 102 erstreckt, ein gebrochener Teil ausgestrahltes Licht nicht weiter. Aus diesem Grund treten auf dem empfangenen Bild leuchtende Punkte nicht auf. 3 shows a sectional view of the wafer 10 in the embodiment and a picture diagram of a received image of the wafer 10 , In the defect 108 coming from the upper surface 104 to the lower surface 102 of the wafer 10 penetrates, a broken part passes radiated light on. Thus, a luminous point appears on the received image 110 on that to the fault 108 corresponds. In contrast, conducts in the flaw 106 which does not affect the lower surface 102 a broken part of emitted light does not propagate. For this reason, luminous dots do not appear on the received image.

Die Festlegungseinheit 26 führt eine Vergleichsoperation zwischen einer Helligkeit des leuchtenden Punkts 110 und einem Schwellenwert durch. Wenn die Helligkeit höher ist als der Schwellenwert, wird als eine Folge festgestellt, dass eine Fehlstelle auftritt, die sich von der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 zu der unteren Oberfläche 102 erstreckt. In der Ausführungsform ist der vorstehende Schritt ein Feststellungsschritt. Somit kann gemäß dem Untersuchungsverfahren, das den Lichtempfangsschritt und den Feststellungsschritt aufweist, eine Fehlstelle, die sich von der oberen Oberfläche 104 zu der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 erstreckt, erfasst werden.The determination unit 26 performs a comparison operation between luminance of the luminous point 110 and a threshold. If the brightness is higher than the threshold, it is determined as a result that a defect occurs from the upper surface 104 of the wafer 10 to the lower surface 102 extends. In the embodiment, the above step is a determination step. Thus, according to the inspection method having the light receiving step and the detecting step, a defect extending from the upper surface 104 to the lower surface 102 of the wafer 10 extends, be detected.

Wenn ein Schichtbildungsschritt für den Wafer ausgeführt wird, in welchem die Fehlstelle auftritt, die sich von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche erstreckt, wird eine Schicht auf einer Plattform einer Schichtbildungsvorrichtung durch die Fehlstelle hindurch aufgetragen. In einem Reinigungsschritt leckt eine chemische Lösung durch die Fehlstelle. Somit wird eine Fertigungsvorrichtung verunreinigt. Weiter kann ein Wafer in der Fertigungsvorrichtung beschädigt werden. Somit wird ein Wafer, in welchem eine Fehlstelle auftritt, die sich von der oberen Oberfläche zu der unteren Oberfläche erstreckt, erkannt, um zu ermöglichen, dass verhindert wird, dass die Fertigungsvorrichtung verunreinigt wird, und dass verhindert wird, dass der Wafer in dem Schritt beschädigt wird. When a film forming step is performed for the wafer in which the defect extending from the upper surface to the lower surface occurs, a layer is applied on a platform of a film forming apparatus through the defect. In a cleaning step, a chemical solution leaks through the defect. Thus, a manufacturing device is contaminated. Further, a wafer in the manufacturing apparatus may be damaged. Thus, a wafer in which a defect occurs extending from the upper surface to the lower surface is recognized to enable the processing device to be prevented from being contaminated, and the wafer to be prevented from undergoing the step is damaged.

Wenn von der Lichtquelle 20 emittiertes Licht Infrarotlicht aufweist, das durch Silizium übertragen wird, erfasst das Infrarotlicht einen Defekt und Teilchen in dem Wafer 10. In diesem Fall ist es schwierig, die Fehlstelle 108, die von der unteren Oberfläche 102 zu der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 eindringt, basierend auf dem empfangenen Bild zu identifizieren. Im Gegensatz dazu weist in der Ausführungsform die Lichtempfangseinheit 22 keine Empfindlichkeit für Frequenzen außer den Frequenzen des ausgestrahlten Lichts auf. Aus diesem Grund reagiert, obwohl die Lichtquelle 20 das ausgestrahlte Licht und Infrarotlicht emittiert, die Lichtempfangseinheit 22 nicht auf das Infrarotlicht. Somit kann nur das ausgestrahlte Licht, das durch die Fehlstelle 108 hindurchtritt, abgebildet werden.When from the light source 20 When the emitted light has infrared light transmitted through silicon, the infrared light detects a defect and particles in the wafer 10 , In this case it is difficult to find the defect 108 coming from the bottom surface 102 to the upper surface 104 of the wafer 10 penetrates to identify based on the received image. In contrast, in the embodiment, the light receiving unit 22 no sensitivity to frequencies other than the frequencies of the emitted light. Because of this, even though the light source reacts 20 the emitted light and infrared light emit the light receiving unit 22 not on the infrared light. Thus, only the emitted light, by the defect 108 passes through, be imaged.

Als eine Modifikation der Ausführungsform kann die Lichtquelle 20 nur das ausgestrahlte Licht emittieren, das durch den Wafer 10 geblockt wird und durch die Fehlstelle hindurchtritt, die von der unteren Oberfläche 102 zu der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 eindringt. In dieser Modifikation braucht das Infrarotlicht zu der Lichtempfangseinheit 22 nicht geblockt zu werden. Zusätzlich kann als eine andere Modifikation ein Filter, der Frequenzen außer den Frequenzen des ausgestrahlten Lichts blockt, zwischen der Lichtquelle 20 und der Lichtempfangseinheit 22 angeordnet sein.As a modification of the embodiment, the light source 20 only emit the emitted light through the wafer 10 is blocked and passes through the defect, that of the lower surface 102 to the upper surface 104 of the wafer 10 penetrates. In this modification, the infrared light needs to be received by the light receiving unit 22 not to be blocked. In addition, as another modification, a filter blocking frequencies other than the frequencies of the emitted light may be interposed between the light source 20 and the light receiving unit 22 be arranged.

In der Ausführungsform stellt die Feststellungseinheit 26 das Vorhandensein/Fehlen einer Fehlstelle fest, die von der unteren Oberfläche 102 zu der oberen Oberfläche 104 des Wafers 10 eindringt. Im Gegensatz dazu kann ein Anwender ein empfangenes Bild visuell überprüfen, um das Vorhandensein/Fehlen einer Fehlstelle festzustellen.In the embodiment, the detection unit 26 the presence / absence of a defect fixed by the lower surface 102 to the upper surface 104 of the wafer 10 penetrates. In contrast, a user can visually check a received image to detect the presence / absence of a defect.

In der Ausführungsform korrespondiert die erste Oberfläche des Wafers zu der unteren Oberfläche 102, und die zweite Oberfläche korrespondiert zu der oberen Oberfläche 104. Im Gegensatz dazu kann die erste Oberfläche zu der oberen Oberfläche 104 korrespondieren, und die zweite Oberfläche korrespondiert zu der unteren Oberfläche 102.In the embodiment, the first surface of the wafer corresponds to the lower surface 102 , and the second surface corresponds to the upper surface 104 , In contrast, the first surface may be to the upper surface 104 correspond, and the second surface corresponds to the lower surface 102 ,

Zweite AusführungsformSecond embodiment

4 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung 200 gemäß einer Ausführungsform 2. In der Ausführungsform weist die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 200 eine Druckanpassungseinheit 230 auf. Die Druckanpassungseinheit 230 erzeugt einen Druck auf den Raum 18, der durch den Wafer-Haltemechanismus 216 und den Wafer 10 umgeben ist. In der Ausführungsform erzeugt die Druckanpassungseinheit 230 einen Druck auf den Raum 18 durch Einleiten eines Gases in den Raum 18. Zu diesem Zeitpunkt wird der Druck in dem Raum 18 abhängig von der Dicke des Wafers 10 angepasst. In der Ausführungsform wird eine Druckdifferenz zwischen dem Druck, der vor dem Erzeugen eines Drucks erhalten wird, und dem Druck der nach dem Erzeugen eines Drucks erhalten wird, auf 0,5kPa oder weniger festgelegt. 4 Fig. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus 200 according to an embodiment 2. In the embodiment, the wafer inspection device 200 a pressure adjusting unit 230 on. The pressure adjustment unit 230 creates a pressure on the room 18 that by the wafer-holding mechanism 216 and the wafer 10 is surrounded. In the embodiment, the pressure adjusting unit generates 230 a pressure on the room 18 by introducing a gas into the room 18 , At this time, the pressure in the room 18 depending on the thickness of the wafer 10 customized. In the embodiment, a pressure difference between the pressure obtained before generating a pressure and the pressure obtained after generating a pressure is set to 0.5kPa or less.

Eine Wafer-Halteplattform 212 weist ein Vakuumkontaktloch 231 auf. Eine Vakuumpumpe (nicht gezeigt) ist mit dem Vakuumkontaktloch 231 verbunden. Die Vakuumpumpe verringert das Vakuumkontaktloch 231 in einem Druck. Als eine Folge wird der äußere Umfangsteil des Wafers 10 durch den Wafer-Haltemechanismus 216 angesaugt. Somit ist der Raum 18 versiegelt. Das Vakuumkontaktloch 231 und die Vakuumpumpe bilden einen Ansaugmechanismus.A wafer holding platform 212 has a vacuum contact hole 231 on. A vacuum pump (not shown) is connected to the vacuum contact hole 231 connected. The vacuum pump reduces the vacuum contact hole 231 in a print. As a result, the outer peripheral part of the wafer becomes 10 through the wafer-holding mechanism 216 sucked. Thus, the room 18 sealed. The vacuum contact hole 231 and the vacuum pump form a suction mechanism.

Wenn der Raum 18 unter Druck gesetzt wird, während er versiegelt ist, wirkt eine Beanspruchung auf den Wafer 10. Als eine Folge wird der Wafer 10 in einer Richtung konvex verformt, sodass er sich aus dem Raum 18 heraus wölbt. In der Ausführungsform weist ein Lichtempfangsschritt den Schritt eines Ansaugens des Wafers 10 an den Wafer-Haltemechanismus 216 und einen Druckanpassungsschritt eines konvexen Verformens des Wafers 10 durch einen Druck auf.When the room 18 is pressurized while sealed, a stress acts on the wafer 10 , As a result, the wafer becomes 10 convexly deformed in one direction, leaving it out of the room 18 bulges out. In the embodiment, a light receiving step includes the step of sucking the wafer 10 to the wafer-holding mechanism 216 and a pressure adjusting step of convexly deforming the wafer 10 by a pressure.

Wenn der Wafer 10 konvex verformt wird, wird ein Spalt einer Fehlstelle geweitet. Hierbei kann in der Fehlstelle, die von der oberen Oberfläche 104 zu der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 eindringt, ein Riss geschlossen werden, sodass verhindert wird, dass ausgestrahltes Licht durch die Fehlstelle hindurchtritt. Wenn der Wafer 10 konvex verformt wird, wird der Spalt der Fehlstelle geweitet, um zu ermöglichen, dass bewirkt wird, dass das ausgestrahlte Licht durch die Fehlstelle hindurchtritt. Somit wird in dem Raum 18 ein Druck erzeugt, um zu ermöglichen, dass eine verborgene Fehlstelle erkannt wird.If the wafer 10 convex is deformed, a gap of a defect is widened. This may be in the flaw, that of the upper surface 104 to the lower surface 102 of the wafer 10 penetrates, a crack can be closed, so that emitted light is prevented from passing through the defect. If the wafer 10 is convexly deformed, the gap of the defect is widened to allow the irradiated light to be caused to pass through the defect. Thus, in the room 18 creates a pressure to allow a hidden defect to be detected.

Als eine Modifikation der Ausführungsform kann die Druckanpassungseinheit 230 einen Druck in dem Raum 18 verringern. In diesem Fall wird der Wafer 10 in einer umgekehrten Richtung von der Richtung bei der Druckerzeugung konvex verformt. Auch in der Modifikation wird der Wafer konvex verformt, um zu ermöglichen, dass eine verborgene Fehlstelle erkannt wird.As a modification of the embodiment, the pressure adjusting unit 230 a pressure in the room 18 reduce. In this case, the wafer becomes 10 is convexly deformed in a reverse direction from the direction of pressure generation. Also in the modification, the wafer is convexly deformed to allow a hidden defect to be detected.

Dritte AusführungsformThird embodiment

5 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Untersuchungsvorrichtung 300 gemäß einer Ausführungsform 3. Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 300 ist die gleiche wie die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 200, außer dass die Druckanpassungseinheit 230 durch eine Temperaturanpassungseinheit 332 ersetzt ist. Die Temperaturanpassungseinheit 332 passt die Temperatur des Wafers 10 an. In der Ausführungsform wird der Wafer 10 erhitzt, um eine Beanspruchung auf den Wafer 10 auszuüben. Auf diese Weise wird der Spalt der Fehlstelle geweitet. Somit wird der Lichtempfangsschritt ausgeführt, während der Wafer 10 erhitzt wird, um zu ermöglichen, dass eine verborgene Fehlstelle wie in der Ausführungsform 2 erkannt wird. 5 Fig. 10 is a sectional view of a wafer inspection apparatus 300 according to an embodiment 3. The wafer inspection device 300 is the same as the wafer inspection device 200 except that the pressure adjusting unit 230 by a temperature adjusting unit 332 is replaced. The temperature adjustment unit 332 adjusts the temperature of the wafer 10 at. In the embodiment, the wafer becomes 10 heated to a load on the wafer 10 exercise. In this way, the gap of the defect is widened. Thus, the light receiving step is carried out while the wafer 10 is heated to allow a hidden defect as in the embodiment 2 is detected.

Die Temperaturanpassungseinheit 332 weist ein Heizelement in dem Raum 18 auf. Das Heizelement erhitzt den Raum 18, um die Temperatur des Wafers 10 zu erhöhen. Die Temperaturanpassungseinheit 332 kann ein Gas, dessen Temperatur vorher angepasst worden ist, in den Raum 18 abgeben. In der Ausführungsform reicht die Temperatur des Wafers 10 von einer Normaltemperatur bis 200°C.The temperature adjustment unit 332 has a heating element in the room 18 on. The heating element heats the room 18 to the temperature of the wafer 10 to increase. The temperature adjustment unit 332 For example, a gas whose temperature has previously been adjusted can be in the room 18 submit. In the embodiment, the temperature of the wafer is sufficient 10 from a normal temperature to 200 ° C.

In der Ausführungsform wird der Wafer 10 erhitzt, um eine Beanspruchung auf den Wafer 10 auszuüben. Als eine Modifikation der Ausführungsform kann die Temperaturanpassungseinheit 332 die Temperatur des versiegelten Raums 18 erhöhen, um den Druck des Raums 18 zu erhöhen. In der Modifikation steigt der Druck des Raums 18, sodass der Wafer 10 konvex verformt wird wie in der Ausführungsform 2. Somit kann eine verborgene Fehlstelle erkannt werden.In the embodiment, the wafer becomes 10 heated to a load on the wafer 10 exercise. As a modification of the embodiment, the temperature adjusting unit 332 the temperature of the sealed room 18 increase the pressure of the room 18 to increase. In modification, the pressure of the room increases 18 so the wafer 10 is convexly deformed as in Embodiment 2. Thus, a hidden defect can be recognized.

6 ist ein Flussdiagramm zum Erklären eines Verfahrens zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform. Das Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform weist Schritte zum Ausführen des vorstehend beschriebenen Wafer-Untersuchungsverfahrens auf. In einer Untersuchung 1 wird ein in der Ausführungsform 1 beschriebener Lichtempfangsschritt für einen Wafer ausgeführt (Schritt 1). In der Untersuchung 1 wird der Raum 18 nicht erhitzt. Eine Beschädigungsfeststellung wird ausgeführt (Schritt 2). In dieser Beschädigungsfeststellung wird der in der Ausführungsform 1 beschriebene Feststellungsschritt ausgeführt. In dem Feststellungsschritt wird die Helligkeit des leuchtenden Punkts 110, der auf einem empfangenen Bild auftritt, mit einem Schwellenwert verglichen. Als ein Ergebnis wird, wenn die Helligkeit höher ist als der Schwellenwert, das Fortschreiten zu dem nächsten Schritt als unmöglich festgestellt. 6 FIG. 10 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment. FIG. The method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment includes steps of performing the above-described wafer inspection method. In a study 1, a light receiving step for a wafer described in Embodiment 1 is carried out (step 1). In Examination 1, the room becomes 18 not heated. A damage detection is performed (step 2). In this damage detection, the detection step described in Embodiment 1 is carried out. In the determination step, the brightness of the luminous point becomes 110 that occurs on a received image compared to a threshold. As a result, if the brightness is higher than the threshold, the progress to the next step is determined to be impossible.

Eine Untersuchung 2 wird auf den Wafer ausgeführt, für den in Schritt 2 bestimmt worden ist, dass er zu dem nächsten Schritt fortschreiten kann (Schritt 3). In der Untersuchung 2 erhitzt die Temperaturanpassungseinheit 332 den Wafer 10. Ein Lichtempfangsschritt wird ausgeführt während eine Beanspruchung durch Erhitzen auf den Wafer 10 ausgeübt wird. Dann wird die Beschädigungsfeststellung ausgeführt (Schritt 4). In der Beschädigungsfeststellung wird der Feststellungsschritt auf ein empfangenes Bild ausgeführt, in welchem ein Spalt einer Fehlstelle durch die Beanspruchung geweitet ist. An investigation 2 is made on the wafer for which it has been determined in step 2 that it can proceed to the next step (step 3). In study 2, the temperature-adjusting unit heats 332 the wafer 10 , A light receiving step is carried out during a stress by heating on the wafer 10 is exercised. Then the damage detection is carried out (step 4). In the damage detection, the detection step is performed on a received image in which a gap of a defect is widened by the stress.

Somit kann eine verborgene Fehlstelle, die in Schritt 2 nicht erkannt wird, erkannt werden. In Schritt 4 wird, wenn die Helligkeit des leuchtenden Punkts 110, der auf dem empfangenen Bild auftritt, größer ist als der Schwellenwert, das Fortschreiten zu dem nächsten Schritt als unmöglich festgestellt. In Schritt 4 bewegt sich der Wafer, für den bestimmt worden ist, dass er zu dem nächsten Schritt fortfahren kann, zu dem nächsten Schritt.Thus, a hidden defect that is not detected in step 2 can be detected. In step 4, when the brightness of the luminous point becomes 110 which occurs on the received image is greater than the threshold, the progression to the next step is determined to be impossible. In step 4, the wafer which has been determined to proceed to the next step moves to the next step.

Gemäß dem Fertigungsverfahren, das die vorstehenden Schritte aufweist, können Fehlstellen, die sich von der oberen Oberfläche 104 zu der unteren Oberfläche 102 des Wafers 10 erstrecken, einschließlich einer verborgenen Fehlstelle erkannt werden. Somit können eine Verunreinigung der Fertigungsvorrichtung und eine Wafer-Brechen in den Schritten unterbunden werden. Als ein Ergebnis kann verhindert werden, dass eine Betriebsgeschwindigkeit der Fertigungsvorrichtung sinkt. Die Schritte 1 bis 4 können in beliebigen Schritten der Wafer-Schritte in den Fertigungsschritten für die Halbleitervorrichtung ausgeführt werden. Ein anderer Schritt kann zwischen Schritt 2 und Schritt 3 ausgeführt werden.According to the manufacturing method having the above steps, flaws extending from the upper surface 104 to the lower surface 102 of the wafer 10 extend, including a hidden defect. Thus, contamination of the manufacturing apparatus and wafer breakage in the steps can be suppressed. As a result, an operation speed of the manufacturing apparatus can be prevented from decreasing. Steps 1 to 4 may be performed in any steps of the wafer steps in the manufacturing steps for the semiconductor device. Another step may be performed between step 2 and step 3.

In der Ausführungsform sind die Schritte in Normaltemperaturschritte (Schritte 1 und 2) und Hochtemperaturschritte (Schritte 3 und 4) unterteilt. In den Normaltemperaturschritten wird eine stark beschädigte Fehlstelle, durch welche ausgestrahltes Licht hindurchtritt, selbst in einem Zustand erkannt, in welchem keine Beanspruchung auf den Wafer 10 ausgeübt wird. In den Hochtemperaturschritten wird eine verborgene Fehlstelle erkannt. Wie vorstehend beschrieben, müssen die Hochtemperaturschritte, die lange Untersuchungszeiten benötigen, nicht auf alle Wafer ausgeführt werden. Somit wird die Effizienz der Fertigungsschritte gefördert.In the embodiment, the steps are divided into normal temperature steps (steps 1 and 2) and high temperature steps (steps 3 and 4). In the normal temperature steps, a badly damaged defect through which emitted light passes is recognized even in a state in which no stress is placed on the wafer 10 is exercised. In the high temperature steps, a hidden defect is detected. As described above, the high-temperature steps, which require long examination times, do not have to be performed on all wafers. Thus, the efficiency of the manufacturing steps is promoted.

In dem Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform wurde in Schritt 3 eine Beanspruchung durch ein Erhitzen auf den Wafer 10 ausgeübt. Als eine Modifikation der Ausführungsform kann in Schritt 3, wie in der Ausführungsform 2 beschrieben, ein Druck in dem Raum 18 erzeugt werden, um eine Beanspruchung auf den Wafer 10 auszuüben. In dieser Modifikation wird der Schritt 3 in einem Zustand ausgeführt, in welchem der Wafer 10 durch einen Druck konvex verformt ist. In der Modifikation kann eine verborgene Fehlstelle in Schritt 3 und 4 erkannt werden. In Schritt 3 kann zusätzlich zu einem Erhitzen eine Druckerzeugung auf den Wafer 10 ausgeführt werden.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, in step 3, a stress has been generated by heating on the wafer 10 exercised. As a modification of the embodiment, in Step 3, as described in Embodiment 2, a pressure in the space 18 be generated to a load on the wafer 10 exercise. In this modification, the step 3 is carried out in a state in which the wafer 10 is convexly deformed by a pressure. In the modification, a hidden defect can be detected in steps 3 and 4. In step 3, in addition to heating, pressurization to the wafer may occur 10 be executed.

Als eine andere Modifikation der Ausführungsform können in dem Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung nur die Schritte 3 und 4 ausgeführt werden. In dieser Modifikation wird ein Untersuchungsverfahren in einem Zustand ausgeführt, in welchem eine Beanspruchung durch ein Erhitzen auf alle Wafer ausgeübt wird. In der Modifikation ist, da die Normaltemperaturschritte weggelassen sind, das Fertigungsverfahren vereinfacht. As another modification of the embodiment, only steps 3 and 4 may be performed in the method of manufacturing a semiconductor device. In this modification, an inspection process is performed in a state in which stress is applied to all wafers by heating. In the modification, since the normal temperature steps are omitted, the manufacturing process is simplified.

In der Wafer-Untersuchungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung überträgt, wenn eine Fehlstelle, die von der ersten Oberfläche eines Wafers zu der zweiten Oberfläche davon eindringt, in dem Wafer auftritt, ein gebrochener Teil ausgestrahltes Licht. Dieses ausgestrahlte Licht wird von dem Wafer an einer Stelle geblockt, an der kein Durchbruch auftritt. Somit erreicht nur ein Teil des ausgestrahlten Lichts, das durch den Durchbruch hindurchtritt, die Lichtempfangseinheit. Als eine Folge generiert die Lichtempfangseinheit ein Signal abhängig von dem ausgestrahlten Licht. Durch Verwenden des Signals kann das Vorhandensein/Fehlen einer Fehlstelle erkannt werden, die von einer oberen Oberfläche zu einer unteren Oberfläche eindringt. In the wafer inspection apparatus according to the present invention, when a defect penetrating from the first surface of a wafer to the second surface thereof occurs in the wafer, a broken portion transmits emitted light. This emitted light is blocked by the wafer at a position where no breakdown occurs. Thus, only part of the emitted light passing through the aperture reaches the light receiving unit. As a result, the light receiving unit generates a signal depending on the emitted light. By using the signal, the presence / absence of a defect penetrating from a top surface to a bottom surface can be recognized.

In dem Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung überträgt, wenn eine Fehlstelle auftritt, die von der ersten Oberfläche eines Wafers zu der zweiten Oberfläche davon eindringt, ein gebrochener Teil ausgestrahltes Licht. Das ausgestrahlte Licht wird durch den Wafer an einer Stelle geblockt, an der kein Durchbruch auftritt. Somit erreicht nur ein Teil des ausgestrahlten Lichts, das durch den Durchbruch hindurchtritt, die Lichtempfangseinheit. Als eine Folge generiert die Lichtempfangseinheit ein Signal abhängig von dem ausgestrahlten Licht. Durch Verwenden des Signals kann das Vorhandensein/Fehlen einer Fehlstelle erkannt werden, die von einer oberen Oberfläche zu einer unteren Oberfläche eindringt. In the wafer inspection method according to the present invention, when a defect occurs that enters from the first surface of a wafer to the second surface thereof, a refracted portion transmits emitted light. The emitted light is blocked by the wafer at a position where no breakdown occurs. Thus, only part of the emitted light passing through the aperture reaches the light receiving unit. As a result, the light receiving unit generates a signal depending on the emitted light. By using the signal, the presence / absence of a defect penetrating from a top surface to a bottom surface can be recognized.

Offenbar sind angesichts der vorstehenden Lehren viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung möglich. Es ist daher zu verstehen, dass innerhalb des Gültigkeitsumfangs der angehängten Ansprüche die Erfindung anders als ausdrücklich beschrieben ausgeführt werden kann. Obviously, many modifications and variations of the present invention are possible in light of the above teachings. It is therefore to be understood that within the scope of the appended claims, the invention may be practiced otherwise than as specifically described.

Die gesamte Offenbarung einer japanischen Patentanmeldung Nr. 2016-026900 , eingereicht am 16. Februar 2016, einschließlich Beschreibung, Ansprüchen, Zeichnungen und Zusammenfassung, auf welcher die Priorität der vorliegenden Anmeldung basiert, ist hier durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit eingeschlossen.The entire revelation of one Japanese Patent Application No. 2016-026900 , filed on Feb. 16, 2016, including specification, claims, drawings and summary on which the priority of the present application is based, is incorporated herein by reference in its entirety.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
n–-Typ-Halbleitersubstrat (Substrat), n - -type semiconductor substrate (substrate),
22
p+-Typ-Anodenschicht, p + -type anode layer,
33
p+-Typ-Schutzringschicht, p + -type protection ring layer,
55
n+-Typ-Kathodenschicht, n + -type cathode layer,
66
Anodenelektrode,  Anode electrode,
77
Kathodenelektrode,  Cathode electrode,
88th
Vertiefung deepening

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • WO 2011/062279 [0002, 0003] WO 2011/062279 [0002, 0003]
  • JP 2016-026900 [0051] JP 2016-026900 [0051]

Claims (24)

Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300), aufweisend: einen Wafer-Haltemechanismus (16) zum Halten eines Wafers (10); eine Lichtquelle (20), welche Licht ausstrahlt, das durch den Wafer (10) geblockt wird und durch eine Fehlstelle (108) hindurchtritt, die von einer ersten Oberfläche des Wafers (10) zu einer zweiten Oberfläche des Wafers (10) auf der ersten Oberfläche eindringt, und eine Lichtempfangseinheit (22), die auf der zweiten Oberflächenseite angeordnet ist, die das ausgestrahlte Licht empfängt, das durch den Wafer (10) hindurchtritt, und die ein Signal abhängig von dem empfangenen, ausgestrahlten Licht generiert.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ), comprising: a wafer holding mechanism ( 16 ) for holding a wafer ( 10 ); a light source ( 20 ) which emits light passing through the wafer ( 10 ) is blocked and by a defect ( 108 ) passing from a first surface of the wafer ( 10 ) to a second surface of the wafer ( 10 ) penetrates on the first surface, and a light receiving unit ( 22 ) disposed on the second surface side receiving the emitted light passing through the wafer (Fig. 10 ), and generates a signal depending on the received radiated light. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 1, wobei das ausgestrahlte Licht eine Wellenlänge von 1100nm oder weniger aufweist.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 1, wherein the emitted light has a wavelength of 1100 nm or less. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 1, wobei das ausgestrahlte Licht kein Infrarotlicht ist.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 1, wherein the emitted light is not infrared light. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Lichtempfangseinheit (22) eine Empfindlichkeit für Frequenzen des ausgestrahlten Lichts aufweist.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to one of claims 1 to 3, wherein the light receiving unit ( 22 ) has a sensitivity for frequencies of the emitted light. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, aufweisend eine Feststellungseinheit (26), welche das Vorhandensein/Fehlen der Fehlstelle (108) unter Verwendung des Signals feststellt.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to one of claims 1 to 4, comprising a detection unit ( 26 ) indicating the presence / absence of the defect ( 108 ) using the signal. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 5, wobei das Signal ein Signal aufweist, das eine Helligkeit des ausgestrahlten Lichts repräsentiert, das durch den Wafer (10) hindurchtritt, und die Feststellungseinheit (26) die Helligkeit mit einem Schwellenwert vergleicht.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 5, wherein the signal comprises a signal representing a brightness of the emitted light passing through the wafer ( 10 ), and the determining unit ( 26 ) compares the brightness with a threshold. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Lichtquelle (20) in einem Raum (18) angeordnet ist, der optisch durch den Wafer (10) und den Wafer-Haltemechanismus (16) geblockt ist.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to one of claims 1 to 6, wherein the light source ( 20 ) in a room ( 18 ) arranged optically through the wafer ( 10 ) and the wafer holding mechanism ( 16 ) is blocked. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 7, aufweisend eine Druckanpassungseinheit (230), die einen Druck des Raums (18) anpasst, wobei der Wafer-Haltemechanismus (16) einen Adsorptionsmechanismus zum Adsorbieren des Wafers (10) aufweist.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 7, comprising a pressure adjusting unit ( 230 ), which is a pressure of space ( 18 ), wherein the wafer holding mechanism ( 16 ) an adsorption mechanism for adsorbing the wafer ( 10 ) having. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 8, wobei die Druckanpassungseinheit (230) den Raum (18) mit einem Druck beaufschlagt.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 8, wherein the pressure adjustment unit ( 230 ) the room ( 18 ) is pressurized. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß Anspruch 8, wobei die Druckanpassungseinheit (230) einen Druck in dem Raum (18) reduziert.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to claim 8, wherein the pressure adjustment unit ( 230 ) a pressure in the room ( 18 ) reduced. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, aufweisend eine Temperaturanpassungseinheit (332), die den Wafer (10) erhitzt.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to one of claims 1 to 10, comprising a temperature adjustment unit ( 332 ), the wafer ( 10 ) heated. Wafer-Untersuchungsvorrichtung (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, aufweisend ein Gehäuse (28) zum optischen Blockieren der Lichtquelle (20), des Wafer-Haltemechanismus (16) und der Lichtempfangseinheit (22) von einem externen Raum.Wafer inspection device ( 100 . 200 . 300 ) according to one of claims 1 to 11, comprising a housing ( 28 ) for optically blocking the light source ( 20 ), the wafer-holding mechanism ( 16 ) and the light receiving unit ( 22 ) from an external room. Wafer-Untersuchungsverfahren, aufweisend: einen Lichtempfangsschritt, in dem bewirkt wird, dass in einem Zustand, in welchem eine erste Oberfläche eines Wafers (10) mit ausgestrahltem Licht bestrahlt wird, das von dem Wafer (10) geblockt wird und durch eine Fehlstelle (108) hindurchtritt, die von der ersten Oberfläche zu einer zweiten Oberfläche des Wafers (10) eindringt, und dass eine Lichtempfangseinheit (22), die auf der zweiten Oberflächenseite angeordnet ist, das ausgestrahlte, durch den Wafer (10) hindurchtretende Licht empfängt; und einen Feststellungsschritt, in dem das Vorhandensein/Fehlen der Fehlstelle (108) basierend auf einem durch die Lichtempfangseinheit (22) generierten Signal und basierend auf dem ausgestrahlten, durch den Wafer (10) hindurchtretenden Lichts festgestellt wird.A wafer inspection method comprising: a light receiving step of causing a state in which a first surface of a wafer ( 10 ) is irradiated with emitted light emitted by the wafer ( 10 ) is blocked and by a defect ( 108 passing from the first surface to a second surface of the wafer (FIG. 10 ), and that a light receiving unit ( 22 ) disposed on the second surface side, the emitted, through the wafer ( 10 ) receives light passing through; and a determining step in which the presence / absence of the defect ( 108 ) based on a light received by the light receiving unit ( 22 ) generated signal and based on the emitted, through the wafer ( 10 ) is detected by passing light. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß Anspruch 13, wobei das ausgestrahlte Licht eine Wellenlänge von 1100nm oder weniger aufweist.The wafer inspection method according to claim 13, wherein the emitted light has a wavelength of 1100 nm or less. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß Anspruch 13, wobei das ausgestrahlte Licht kein Infrarotlicht ist.A wafer inspection method according to claim 13, wherein the emitted light is not infrared light. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Lichtempfangseinheit (22) eine Empfindlichkeit für Frequenzen des ausgestrahlten Lichts aufweist.A wafer inspection method according to any one of claims 13 to 15, wherein said light receiving unit ( 22 ) has a sensitivity for frequencies of the emitted light. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 16, aufweisend das Signal weist ein Signal auf, das eine Helligkeit des ausgestrahlten, durch den Wafer hindurchtretenden Lichts repräsentiert, und der Feststellungsschritt weist den Schritt eines Vergleichens der Helligkeit mit einem Schwellenwert auf. A wafer inspection method according to any one of claims 13 to 16, wherein the signal comprises a signal representing a brightness of the emitted light passing through the wafer, and the determining step comprises the step of comparing the brightness with a threshold. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei das ausgestrahlte Licht von einer Lichtquelle (20) emittiert wird, die in einem Raum (18) angeordnet ist, der optisch durch den Wafer (10) und einen Wafer-Haltemechanismus (16) geblockt ist.Wafer inspection method according to one of claims 13 to 17, wherein the emitted light from a light source ( 20 ) emitted in a room ( 18 ) arranged optically through the wafer ( 10 ) and a wafer holding mechanism ( 16 ) is blocked. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß Anspruch 18, wobei der Lichtempfangsschritt aufweist den Schritt eines Adsorbierens des Wafers (10) an den Wafer-Haltemechanismus (16); und den Druckanpassungsschritt eines Anpassens eines Drucks des Raums (18).The wafer inspection method according to claim 18, wherein the light receiving step comprises the step of adsorbing the wafer ( 10 ) to the wafer holding mechanism ( 16 ); and the pressure adjusting step of adjusting a pressure of the space ( 18 ). Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei der Druckanpassungsschritt den Raum (18) mit einem Druck beaufschlagt.A wafer inspection method according to claim 19, wherein said pressure adjusting step occupies said space ( 18 ) is pressurized. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei der Druckanpassungsschritt einen Druck in dem Raum (18) reduziert.The wafer inspection method according to claim 19, wherein the pressure adjusting step measures a pressure in the space (FIG. 18 ) reduced. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 21, wobei der Lichtempfangsschritt den Schritt des Erhitzens des Wafers (10) aufweist.A wafer inspection method according to any one of claims 13 to 21, wherein the light receiving step comprises the step of heating the wafer (Fig. 10 ) having. Wafer-Untersuchungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 22, wobei der Lichtempfangsschritt den Schritt eines optischen Blockierens einer Lichtquelle (20), die das ausgestrahlte Licht emittiert, des Wafers (10) und der Lichtempfangseinheit (22) von einem externen Raum aufweist.A wafer inspection method according to any one of claims 13 to 22, wherein said light receiving step comprises the step of optically blocking a light source ( 20 ) emitting the emitted light of the wafer ( 10 ) and the light receiving unit ( 22 ) from an external room. Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung, aufweisend den Schritt des Ausführens des Wafer-Untersuchungsverfahrens gemäß einem der Ansprüche 13 bis 23.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of carrying out the wafer inspection method according to any one of claims 13 to 23.
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