DE102016119267A1

DE102016119267A1 - Anzeigevorrichtung und dessen Herstellverfahren

Info

Publication number: DE102016119267A1
Application number: DE102016119267.8A
Authority: DE
Inventors: Zhiyong XIONG; Yongzhi Wang
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Current assignee: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Cn; Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd Shangh Cn; Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2015-11-18
Filing date: 2016-10-10
Publication date: 2017-05-18
Also published as: US10211263B2; US20170141163A1; CN105226080A; CN105226080B

Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellverfahren dessen bereit. Die Pixeldefinierschicht (7) umfasst eine Vielzahl von Öffnungen; die organische lichtemittierende Schicht (6) umfasst einen Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht und einen Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht, der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht ist in der Vielzahl von Öffnungen der Pixeldefinierschicht (7) angeordnet; die organische lichtemittierende Schicht (6) ist über dem Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht gebildet, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden; eine dreidimensionale Vertiefung (5) ist in dem Substratmodul (1) unterhalb wenigstens eines der Farbsubpixel angeordnet, jede dreidimensionale Vertiefung (5) entspricht einer der Öffnungen; und der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen und die organische lichtemittierende Schicht (6) sind in der dreidimensionalen Vertiefung (5) angeordnet.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und dessen Herstellverfahren und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, welche einen niedrigen Stromverbrauch aufweist, und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
HINTERGRUND
Bei einem bestehenden organischen lichtemittierenden Dioden-(AMOLED)Feld mit aktiver Matrix ist die Pixelanordnung typischerweise eine reale Anordnung. Eine derartige Anordnung ist bezüglich Konstruktion, Layout-Design, Maskenherstellung und einem Herstellverfahren einfach.
Wie in 1a gezeigt umfasst ein konventionelles AMOLED-Feld ein Substratmodul 1', eine Passivierschicht 2', eine Einebnungsschicht 3', eine Pixeldefinierschicht 7', eine transparente leitfähige Schicht 4' und eine organische lichtemittierende Schicht 6'. Die Passivierschicht 2' ist über dem Substratmodul 1' gebildet und die Einebnungsschicht 3' ist über der Passivierschicht 2' gebildet. Die Pixeldefinierschicht 7' ist über einer Isolierschicht gebildet, welche eine Vielzahl von Öffnungen enthält und auf derselben Schicht angeordnet und aus demselben Material gemacht ist wie die Einebnungsschicht 3'. Die transparente leitfähige Schicht 4' ist an der Seite der Isolierschicht gebildet und umfasst einen Öffnungsbereich 4a' und einen Nicht-Öffnungsbereiche 4b' der transparenten leitfähigen Schicht. Der Öffnungsbereich 4a' der transparenten leitfähigen Schicht ist in der Vielzahl von Öffnungen der Pixeldefinierschicht 7' angeordnet und der Nicht-Öffnungsbereich 4b' der transparenten leitfähigen Schicht ist zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht 7' angeordnet. Die organische lichtemittierende Schicht 6' ist über dem Öffnungsbereich 4a' der transparenten leitfähigen Schicht gebildet, um entsprechend eine Vielzahl von Subpixeln zu bilden. Die Oberflächenfläche des Öffnungsbereichs 4a' der transparenten leitfähigen Schicht oder die Oberflächenfläche der organischen lichtemittierenden Schicht 6' ist die gleiche wie die Oberflächenfläche der Öffnung. Die lichtemittierende Fläche eines einzelnen Subpixels ist mit der Einebnungsfläche der Öffnung gleich. Wie in 1a gezeigt, gibt es drei Segmente der Öffnungsbereiche 4' der transparenten leitfähigen Schicht, welche jeweils entsprechend einem roten Subpixel R', einem grünen Subpixel G' und einem blauen Subpixel B' positioniert sind.
Darüber hinaus, wie in 1b gezeigt, bezeichnet ein Bezugszeichen 8' ein Durchgangsloch in der Isolierschicht, ein Bezugszeichen 9' bezeichnet einen TFT in einem Substratsmodul und ein Bezugszeichen 10' bezeichnet eine Katode einer organischen lichtemittierenden Einheit. Der Nicht-Öffnungsbereich 4b' der transparenten leitfähigen Schicht ist an dem TFT 9' in dem Nicht-Öffnungsbereich durch das Durchgangsloch 8' angeschlossen.
Allerdings ist mit der Popularität von Smartphones PPI (hohe Auflösung, die Anzahl von Pixel per Inch, Pixel per Inch) zu einem Hauptziel von AMOLED geworden.
Da lichtemittierende Pixelpunkte der AMOLED mit einer feinen Metallmaske durch einen Abscheidungsprozess hergestellt werden, wenn das Feld hergestellt wird, um eine hohe PPI aufzuweisen, werden Blendenverhältnisse der Pixel aufgrund der Anforderungen an das Verfahren und die Begrenzung der Maske reduziert.
Wenn das Blendenverhältnis der Pixel reduziert wird, reduziert sich die Fläche des lichtemittierenden Bereichs. In diesem Fall, da ein Strom für das gesamte Feld als feststehend vorgegeben ist, wird sich eine Stromdichte für jedes Pixel vergrößern. Wie in 2 gezeigt, kann der Kurve (J-V Kurve) der Stromdichte des AMOLED-Feldes gegen die Spannung entnommen werden, dass die Spannung mit der Stromdichte ansteigt.
Zum Beispiel mit zwei Blendenverhältnissen A und B (das Blendenverhältnis B ist kleiner als das Blendenverhältnis A) resultiert die Verringerung im Blendenverhältnis in einem 10- bis 15-prozentigen Anstieg in Bezug auf den Stromverbrauch des Produkts. Für ein tragbares Telefon ist diese Veränderung äußerst ungünstig. Wie die hohe PPI ohne zusätzlichen Anstieg in Bezug auf den Stromverbrauch realisiert werden kann, ist folglich zu einer wichtigen Fragestellung geworden.
Es wird in der Industrie ein Farbwiedergabeverfahren vorgeschlagen, welches hohe PPI ohne Reduzierung des Blindenverhältnisses gewährleisten kann. Jedoch hat ein derartiges Verfahren die folgenden Nachteile.

1. Der Anzeigeeffekt der Wiedergabe ist nicht so gut wie die reale Anordnung und weist ein Problem wie beispielsweise Schrägungunschärfe auf.
2. Der Schaltkreis (IC) wird komplizierter und erhöht die Kosten in signifikanter Weise.
3. Das Fehlen von Kern-Algorithmus-Patenten.

Angesichts des Obigen stellt der Erfinder eine Anzeigevorrichtung, welche einen niedrigen Stromverbrauch aufweist, und ein Herstellverfahren dessen bereit.
Darüber hinaus, da bei einem AMOLED-Feld aus dem Stand der Technik jedes Subpixels mit ausreichender Spannungstoleranz versehen ist, um die Spannung bei einem entsprechenden jeweiligen Subpixel zu gewährleisten, benötigen die Subpixel ausreichende Spannungstoleranz, um die Spannung der jeweiligen Subpixel zu gewährleisten. In diesem Fall können einige Subpixel eine Spannung aufweisen, die größer als die geforderte Spannung ist, was in überflüssiger Spannungsversorgung resultiert, und die resultierende Vergeudung bezüglich des Stromverbrauch kann einen Engpass in Bezug auf die gesamten Einstellungen verursachen.
Um die obigen Probleme zu überwinden, stellt die vorliegende Offenbarung ein Anzeigegerät mit einem niedrigen Stromverbrauch und ein Herstellverfahren dessen bereit.
ZUSAMMENFASSUNG
Um die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden, ist es das Ziel der vorliegenden Offenbarung, ein Anzeigegerät, bei dem die räumliche Struktur des Pixelbereichs geändert ist, um die Oberflächenfläche des lichtemittierenden Bereichs zu vergrößern, und ein Herstellverfahren dessen, was für verschiedene Anzeigegeräte angewendet werden kann, bereitzustellen.
Ein erstes Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es: durch Bereitstellen von Vertiefungen kann die lichtemittierende Fläche vergrößert werden, die Stromdichte kann verringert werden und der Stromverbrauch kann eingespart werden, selbst wenn die PPI hoch ist und das Blendenverhältnis reduziert ist.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Offenbarung ist es: durch Ausgleichen der Spannungen in den drei Subpixel kann das Problem bezüglich überflüssiger Spannung beseitig oder gemildert werden, wonach der Stromverbrauch eingespart werden kann.
Nach einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, welche eine Vielzahl von Farbsubpixeln umfasst. Die Anzeigevorrichtung umfasst:
ein Substratsmodul (1), welches ein TFT-Steuersubstrat und eine über dem TFT-Steuersubstrat gebildete Isolierschicht umfasst;
eine Pixeldefinierschicht, welche über der Isolierschicht gebildet ist, wobei die Pixeldefinierschicht eine Vielzahl von Öffnungen aufweist;
eine organische lichtemittierende Schicht, welche in der Vielzahl von Öffnungen gebildet ist, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden,
wobei eine dreidimensionale Vertiefung in der Isolierschicht unterhalb wenigstens eines der Farbsubpixel gebildet ist, jede dreidimensionale Vertiefung einer Öffnung der Pixeldefinierschicht entspricht, die organische lichtemittierende Schicht in jeder dreidimensionalen Vertiefung gebildet ist, um die Vielzahl von Subpixeln zu bilden.
Gegebenenfalls umfasst die Anzeigevorrichtung weiterhin eine transparente leitfähige Schicht, welche an der Oberfläche der Isolierschicht gebildet ist, wobei die transparente leitfähige Schicht einen Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht und einen Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht umfasst, wobei der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht in der Vielzahl von Öffnungen der Pixeldefinierschicht angeordnet ist und der Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht angeordnet ist;
wobei in jeder dreidimensionalen Vertiefung der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht an der Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung befestigt ist und ein Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in der dreidimensionalen Vertiefung eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer entsprechenden Öffnung der Pixeldefinierschicht ist.
Gegebenenfalls umfasst die Anzeigevorrichtung eine Einebnungsschicht und die dreidimensionale Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht nicht.
Gegebenenfalls umfasst die Anzeigevorrichtung eine Einebnungsschicht und eine Passivierschicht und die Einebnungsschicht ist über der Passivierschicht gebildet.
Gegebenenfalls durchdringt die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht.
Gegebenenfalls durchdringt die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht, aber sie durchdringt die Passivierschicht nicht.
Gegebenenfalls umfasst die Vielzahl von Subpixeln einen roten Subpixel, einen grünen Subpixel und einen blauen Subpixel, wobei ein jeweiliger Farbsubpixel einer jeweiligen dreidimensionalen Vertiefung einer jeweiligen Oberflächenfläche entspricht und jeder der Subpixel den gleichen Spannungswert aufweist.
Gegebenenfalls entspricht der rote Subpixel einer dreidimensionalen Vertiefung, welche eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer dreidimensionalen Vertiefung ist, welche dem grünen Subpixel entspricht.
Gegebenenfalls entspricht der grüne Subpixel einer dreidimensionalen Vertiefung, welche eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer dreidimensionalen Vertiefung entspricht, welche dem blauen Subpixel entspricht.
Gegebenenfalls weisen für einen Farbsubpixel ein Strom (I), eine Spannung (V), eine Stromdichte (J) und eine Fläche (S) eines lichtemittierenden Bereichs die folgenden funkationale Beziehung auf:
J = F(V), I = JS, wobei J = F(V) einer Kurve der Stromdichte gegenüber der Spannung entspricht, und ein Wert des Stroms des Farbsubpixels ist ein bestimmbarer Stromwert eines Subpixels einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung eines bestimmten Typs;
eine funkationale Beziehung zwischen der Fläche (S) des lichtemittierenden Bereichs, des Stroms (I) und der Spannung (V) ist S = [I/F(V)], und basierend auf der funktionalen Beziehung zwischen der Fläche (S) des lichtemittierenden Bereichs, des Stroms (I) und der Spannung (V) kann eine Oberflächenfläche jedes Subpixels gemäß einer vorgegebenen Spannung bestimmt werden.
Gegebenenfalls ist die dreidimensionale Vertiefung aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmigen Nut, einer dreieckförmigen Nut, eine umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet.
Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Herstellverfahren einer Anzeigevorrichtung bereitgestellt, wobei die Anzeigevorrichtung eine Vielzahl von Farbsubpixeln umfasst. Das Herstellverfahren umfasst die folgenden Schritte:
Herstellen eines Substratmoduls, welches ein TFT-Steuersubstrat und eine über dem TFT-Steuersubstrat gebildete Isolierschicht umfasst, und Anordnen einer dreidimensionalen Vertiefung an einem Bereich des Substratmoduls, welcher wenigstens einem der Farbsubpixel entspricht;
Bilden einer transparenten leitfähigen Schicht an einer Oberfläche der Isolierschicht und der dreidimensionalen Vertiefungen;
Bilden einer Pixeldefinierschicht über der Pixeldefinierschicht, wobei die Pixeldefinierschicht eine Vielzahl von Öffnungen, die dreidimensionalen Vertiefungen, welche jeweils den Öffnungen der Pixeldefinierschicht entsprechen, einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in den Öffnungen, welcher einem Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, und einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht, welcher einem Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, umfasst; und
Bilden einer organischen lichtemittierenden Schicht in der Vielzahl von Öffnungen, wobei die organische lichtemittierende Schicht über der transparenten leitfähigen Schicht gebildet wird, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden.
Gegebenenfalls werden die dreidimensionalen Vertiefungen mit einer Graustufenmaske geätzt.
Gegebenenfalls werden die dreidimensionalen Vertiefungen, welche jeweils den Farbsubpixeln entsprechen, zu getrennten Zeiten geätzt.
Gegebenenfalls werden die dreidimensionalen Vertiefungen in der Isolierschicht angeordnet, wird der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht an der Oberfläche jeder dreidimensionalen Vertiefung befestigt und weist ein Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in der dreidimensionalen Vertiefung eine Oberflächenfläche auf, die größer als eine Oberflächenfläche einer entsprechenden Öffnung der Pixeldefinierschicht ist.
Gegebenenfalls umfasst die Isolierschicht eine Einebnungsschicht und die dreidimensionale Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht nicht, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Gegebenenfalls umfasst die Isolierschicht eine Einebnungsschicht und eine Passivierschicht und die Einebnungsschicht wird über der Passivierschicht gebildet.
Gegebenenfalls durchdringt die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Gegebenenfalls durchdringt die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Gegebenenfalls wird die dreidimensionale Vertiefung aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmigen Nut, einer dreieckförmigen Nut, einer umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet.
Bei der Anzeigevorrichtung und dem Herstellverfahren dessen nach der vorliegenden Offenbarung wird die räumliche Struktur des Pixelbereichs geändert, um die Oberflächenfläche des lichtemittierenden Bereich zu vergrößern, was bei verschiedenen Anzeigevorrichtungen angewendet werden kann. Dadurch kann die lichtemittierende Fläche vergrößert werden, die Stromdichte kann verringert werden, und der Stromverbrauch kann eingespart werden, selbst wenn die PPI hoch ist und das Blendenverhältnis verringert wird.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Weitere Merkmale, Ziele und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden anhand der ausführlichen Beschreibung nicht beschränkender Ausführungsformen mit Bezugnahme auf die folgenden beigefügten Zeichnungen deutlich.
1a ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer Anzeigevorrichtung aus dem Stand der Technik;
1b ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Subpixels einer Anzeigevorrichtung aus dem Stand der Technik;
2 ist ein Diagramm der Spannung gegen die Stromdichte einer Anzeigevorrichtung aus dem Stand der Technik;
3a ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
3b ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Subpixels einer ersten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
4 ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer zweiten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
5 ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer dritten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
6 eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer vierten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
7 ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer fünften Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
8 ist ein Diagramm der Spannung gegen den Strom einer Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung;
9 ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer sechsten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung; und
10 ist eine Querschnittansicht eines einzelnen Pixels einer siebten Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung; und
11 stellt ein Herstellverfahren einer Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung dar.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Beispielhafte Ausführungsformen werden nun in Gänze mit Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Doch können die exemplarischen Ausführungsformen in verschiedener Weise umgesetzt werden und sind nicht dahingehend zu verstehen, auf die hierin dargelegten Ausführungsformen beschränkt zu sein. Im Gegenteil werden diese Ausführungsformen bereitgestellt, um die vorliegende Offenbarung gründlich und vollständig dazulegen und das Konzept der exemplarischen Ausführungsformen an die Fachleute aus dem Stand der Technik zu vermitteln. Dieselben Bezugszeichen bezeichnen dieselben oder ähnliche Teile innerhalb der beigefügten Zeichnungen und eine wiederholte Beschreibung dessen wird vermieden.
Die Merkmale, Strukturen und Eigenschaften, die hierin beschrieben sind, können bei einer oder mehreren Ausführungsformen durch jedwede geeignete Art kombiniert werden. In der folgenden Beschreibung werden bestimmte Details zum gründlichen Verständnis der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt. Jedoch werden die Fachleute anerkennen, dass die technische Lehre der vorliegenden Offenbarung auch ohne eines oder mehrerer der bestimmten Details praktiziert oder mit anderen Verfahren, Komponenten oder Materialien werden kann. In einigen Fällen werden bekannte Strukturen, Material oder Verfahrensweisen nicht dargestellt oder im Detail beschrieben, um eine Verschleierung der vorliegenden Offenbarung zu vermeiden.
Wie in 3a gezeigt umfasst eine Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Offenbarung ein Substratmodul 1, eine Passivierschicht 2, eine Einebnungsschicht 3, eine Pixeldefinierschicht 7, eine transparente leitfähige Schicht 4 und eine organische lichtemittierende Schicht 6. Die Passivierschicht 2 ist über dem Substratmodul 1 gebildet und die Einebnungsschicht 3 ist über der Passivierschicht 2 gebildet. Die Pixeldefinierschicht 7 ist über einer Isolierschicht gebildet, weist eine Vielzahl von Öffnungen auf und kann in derselben Schicht angeordnet sein und aus demselben Material bestehen wie die Einebnungsschicht 3. Die transparente leitfähige Schicht 4 ist an der Oberfläche der Isolierschicht gebildet und umfasst einen Öffnungsbereich 4a und einen Nicht-Öffnungsbereich 4b der transparenten leitfähigen Schicht. Der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht ist in der Vielzahl von Öffnungen der Pixeldefinierschicht 7 angeordnet und der Nicht-Öffnungsbereich 4b der transparenten leitfähigen Schicht ist zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht 7 angeordnet. Die organische lichtemittierende Schicht ist über dem Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht gebildet, um entsprechend eine Vielzahl von Subpixeln zu bilden. Unterhalb wenigstens eines Farbsubpixel ist eine dreidimensionale Vertiefung 5 in dem Substratsmodul 1 bereitgestellt und jede dreidimensionale Vertiefung 5 entspricht einer Öffnung der Pixeldefinierschicht 7. Der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht ist auf der Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung 5 angeordnet. Die organische lichtemittierende Schicht ist über dem Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht gebildet, um entsprechend eine Vielzahl von Subpixeln zu bilden und auf der dreidimensionalen Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung 5 gebildet. In dem Fall, wo jedes der Subpixel dieselbe Oberflächenfläche besetzt, weist die dreidimensionale Oberfläche nach der vorliegenden Erfindung eine Oberflächenfläche auf, die größer als die Oberflächenfläche der ebenen Oberfläche nach dem Stand der Technik ist. Die dreidimensionale Vertiefung 5 ist innerhalb der Isolierschicht angeordnet und der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht ist an der Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung 5 befestigt. Die Oberflächenfläche des Öffnungsbereichs 4 der transparenten leitfähigen Schicht in der dreidimensionalen Vertiefung 5 ist größer als die Oberfläche, welche der Pixeldefinierschicht 7 entspricht. Drei Segmente der Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht entsprechen jeweils einem roten Subpixel R, einem grünen Subpixel G und einem blauen Subpixel B. Die Anzeigevorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann an einem Feld aufweisend irgendeine Struktur angewendet werden wie beispielsweise ein gekrümmtes Feld oder ein ebenes Feld, was nicht gemäß der vorliegenden Erfindung begrenzt ist.
Darüber hinaus, wie in 3b gezeigt, bezeichnet ein Bezugszeichen 8 ein Durchgangsloch in der Isolierschicht, ein Bezugszeichen 9 bezeichnet einen TFT in einem Substratsmodul und ein Bezugszeichen 10 bezeichnet eine Kathode einer organischen lichtemittierenden Einheit. Der Nicht-Öffnungsbereich 4b der transparenten leitfähigen Schicht ist an dem TFT 9 in dem Nicht-Öffnungsbereich durch das Durchgangsloch 8 angeschlossen.
Bei der vorliegenden Ausführungsform umfasst die Isolierschicht eine Einebnungsschicht 3 und die dreidimensionale Vertiefung 5 durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht. In alternativer Weise umfasst die Isolierschicht eine Einebnungsschicht 3 und die Passivierschicht 2 und die Einebnungsschicht 3 ist über der Passivierschicht 2 gebildet. In diesem Fall ist es möglich, dass die dreidimensionale Vertiefung 5 die Einebnungsschicht 3 nicht durchdringt oder dass die dreidimensionale Vertiefung 5 die Einebnungsschicht 3 durchdringt, aber nicht die Passivierschicht 2 durchdringt. Die dreidimensionale Vertiefung 5 ist aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmig Nut, einer dreieckförmigen Nut, einer umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet.
Nachstehend sind einige bestimmte Konfigurationen der dreidimensionalen Vertiefung 5 angegeben, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
Wieder bezugnehmend auf 3 sind die drei Segmente des Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend zu drei Subpixeln R, G und B (d.h. ein roter Subpixel R, ein grüner Subpixel B und ein blauer Subpixel B, nicht gezeigt) positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 5 jedes Subpixels ist eine dreieckförmige Nut, der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen lichtemittierenden Schicht 6 sind auf der Oberfläche der dreieckförmigen Nut angeordnet und jede dreieckförmige Nut durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht.
Wie in 4 gezeigt sind die Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, dem grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 5 jedes Subpixels ist eine halbkugelförmige Vertiefung, der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen lichtemittierenden Schicht 6 sind auf der Oberfläche der halbkugelförmigen Vertiefung angeordnet und jede halbkugelförmige Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht.
Wie in 5 gezeigt sind die Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, den grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 5 jedes Subpixels ist eine tiefe dreieckförmige Nut, der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen lichtemittierenden Schicht sind auf der Oberfläche der tiefen dreieckförmigen Nut angeordnet und jede tiefe dreieckförmige Nut durchdringt die Eingebungsschicht 3, aber sie durchdringt nicht die Passivierungsschicht 2.
Wie in 6 gezeigt sind die drei Segmente der Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, dem grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 5 jedes Subpixels ist eine tiefe halbkugelförmige Vertiefung, der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen leitfähigen Schicht 6 sind auf der Oberfläche der tiefen halbkugelförmigen Vertiefung angeordnet und jede tiefe halbkugelförmige Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht 3, aber sie durchdringt nicht die Passivierschicht 2.
Wie in 7 gezeigt sind die drei Segmente der Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, dem grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung jedes Subpixels sind aufeinanderfolgende doppelte dreieckförmige Nuten, der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen lichtemittierenden Schicht sind auf der Oberfläche der aufeinanderfolgenden dreieckförmigen Nuten angeordnet und jede dreieckförmige Nut durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht.
Bezugnehmend auf das Diagramm der Spannung gegen die Stromdichte, wie in 2 gezeigt, und das Diagramm der Spannung gegen den Strom, wie in 8 gezeigt, weist für einen Subpixel ein Strom (I), eine Spannung (V), eine Stromdichte (J) und eine Fläche (S) eines lichtemittierenden Bereichs die folgenden grundlegenden Beziehungen auf: J = F(V), I = JS, wobei J = F(V) einer Kurve der Stromdichte gegen die Spannung entspricht und ein Wert des Stroms des Subpixel ein bestimmbarer Stromwert eines Subpixels einer anorganischen lichtemittierenden Vorrichtung eines bestimmten Typs ist.
Gemäß den obenstehenden Beziehungen und Kurven für eine Anzeigevorrichtung, wenn die Auflösung zunimmt und das Blendenverhältnis abnimmt, nimmt die lichtemittierende Fläche des entsprechenden Subpixel ab, die Stromdichte des Subpixels nimmt, die Spannung nimmt zu und der Stromverbrauch nimmt zu.
im Vergleich mit den ebenen Blenden aus dem Stand der Technik kann bei der vorliegenden Offenbarung durch Bereitstellen der dreidimensionalen Vertiefung 5, selbst wenn das PPI hoch ist und das Blendenverhältnis verringert wird, die Fläche der lichtemittierenden Fläche jedes Subpixel in effektiver Weise zunehmen, die Stromdichte abnehmen und die Spannung abnehmen, wonach der Stromverbrauch sinkt.
Auf der anderen Seite, wieder bezugnehmend auf das Diagramm der Spannung gegen die Stromdichte, wie in 2 gezeigt, und das Diagramm der Stromdichte gegen die Spannung, wie in 8 gezeigt, wenn die Fläche jedes Subpixels die gleiche ist, ist die von jedem Subpixel benötigte Spannung unterschiedlich. Nach dem Stand der Technik ist ein AMOLED-Feld typischerweise mit einer vorgegebenen Gesamtspannung darüber hinweg entworfen, wobei die Subpixel einen ausreichenden Spannungstoleranzbereich benötigen, um die Spannung für jeden Subpixel bereitzustellen. Mit dieser Konfiguration können einige Subpixel Spannungen aufweisen, die größer sind, als wie sie benötigt werden, was in überflüssigen Spannungsversorgungen resultiert und die resultierende Vergeudung bezüglich des Stromverbrauchs kann einen Engpass in Bezug auf die gesamten Einstellungen darstellen.
Angesichts des Obigen stellt die vorliegende Offenbarung unterschiedliche Oberflächenflächen für verschiedene Subpixel bereit, um die Spannungen der unterschiedlichen Subpixel auszugleichen, wonach das redundante Problem gelöst wird und Stromverbrauch eingespart wird.
Die Einstellungen der Oberflächenflächen unterschiedlicher Subpixel können wie folgt vorgenommen werden.
Dieselben oder die ähnlichen Spannungswert werden für unterschiedliche Subpixel eingestellt, eine Stromdichte (J), welche jedem Subpixel entspricht, wird aus der Kurve „J = F(V)" gewonnen und dann wird eine entsprechende Fläche des lichtemittierenden Bereichs des jeweiligen Subpixels auf Basis des erhaltenen Stromwertes des jeweiligen Subpixels und aus der funktionalen Beziehung „I = JS" erhalten.
Wie in 9 gezeigt umfassen die Subpixel einen roten Subpixel R, einen grünen Subpixel G und einen blauen Subpixel B. Die dreidimensionale Vertiefung, welche unterschiedlichen Subpixel entspricht, weist unterschiedliche Flächen auf, sodass die unterschiedlichen Farbsubpixel dieselbe Spannung aufweisen. Zum Beispiel weist eine dreidimensionale Vertiefung 51, welche dem roten Subpixel R entspricht, eine Fläche auf, die größer ist als eine Fläche einer dreidimensionalen Vertiefung 51, welche dem grünen Subpixel G entspricht, und die vorliegende Erfindung ist nicht hierauf beschränkt. Die dreidimensionale Vertiefung 52, welche dem grünen Subpixel G entspricht, weist eine Oberfläche auf, die größer ist als eine Oberfläche einer dreidimensionalen Vertiefung 53, welche dem blauen Subpixel B entspricht, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt.
Wieder bezugnehmend auf 9 sind die drei Segmente der Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, dem grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 51 des roten Subpixels R ist eine tiefe dreieckförmige Nut und die tiefe dreieckförmige Nut durchdringt die Einebnungsschicht 3, aber sie durchdringt nicht die Passivierschicht 2. Die jeweilige dreidimensionale Vertiefung 52 des grünen Subpixels G und die dreidimensionale Vertiefung 53 des blauen Subpixel B ist eine halbkugelförmige Vertiefung und jede halbkugelförmige Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht. Die dreidimensionale Vertiefung 52 des grünen Subpixels G ist tiefer als die dreidimensionale Vertiefung 53 des blauen Subpixels B. Die dreidimensionale Vertiefung 51 (die Oberflächenfläche der dreieckförmigen Nut) des roten Subpixels R weist eine Oberflächenfläche auf, die größer ist als die der dreidimensionalen Vertiefung 52 (die tiefe halbkugelförmige Vertiefung) des grünen Subpixels G und die dreidimensionale Vertiefung 52 (die tiefe halbkugelförmige Vertiefung) des grünen Subpixels G weist eine Fläche auf, die größer als die der dreidimensionalen Vertiefung 53 (die flache halbkugelförmige Vertiefung) des blauen Subpixels B ist. Daher weist der Öffnungsbereich 4a einer transparenten leitfähigen Schicht (oder der organischen lichtemittierenden Schicht 6) in der dreieckförmigen Vertiefung 51 des roten Subpixels R eine Oberflächenfläche auf, die größer als die Oberflächenfläche des Öffnungsbereichs 4a der transparenten leitfähigen Schicht (oder der organischen lichtemittierenden Schicht 6) in der dreidimensionale Vertiefung 52 des grünen Subpixels G ist und der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht (oder der organischen lichtemittierenden Schicht 6) in der dreidimensionalen Vertiefung 52 des grünen Subpixels G weist eine Oberflächenfläche auf, die größer als eine Oberflächenfläche des Öffnungsbereichs 4a der transparenten leitfähigen Schicht (oder der organischen lichtemittierenden Schicht 6) in der dreidimensionalen Vertiefung 53 des blauen Subpixels B ist.
Bei der vorliegenden Offenbarung sind die Oberflächenflächen unterschiedlicher Farbsubpixel angepasst, um bei jedem der Subpixel zu vermeiden, dass er eine Spannung aufweist, die größer als benötigt ist. Die Anordnung unterschiedlicher Oberflächenflächen sorgt dafür, dass die drei Subpixel im Wesentlichen miteinander gleiche Spannungen aufweisen. Daher kann sie das überflüssige Spannungsversorgungsproblem vermeiden, Vergeudung bezüglich des Stromverbrauchs reduzieren und einen Engpass in Bezug auf die gesamten Einstellungen vermeiden.
Wie in 10 gezeigt sind die drei Segmente der Öffnungsbereiche 4a der transparenten leitfähigen Schicht jeweils entsprechend dem roten Subpixel R, dem grünen Subpixel G und dem blauen Subpixel B positioniert. Die dreidimensionale Vertiefung 51 des roten Subpixels R und die dreidimensionale Vertiefung 52 des grünen Subpixels G sind halbkugelförmige Vertiefungen und jede halbkugelförmige Vertiefung durchdringt die Einebnungsschicht 3 nicht. Die dreidimensionale Vertiefung 51 des roten Subpixels R ist tiefer als die dreidimensionale Vertiefung 52 des grünen Subpixels G. Der blaue Subpixel B (d.h. ein Ort, welcher dem mittleren Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht entspricht) kann eine konventionelle Ebene sein. Die dreidimensionale Vertiefung 51 des roten Subpixels R (die tiefe halbkugelförmige Vertiefung) weist eine Oberflächenfläche auf, die größer als die der dreidimensionale Vertiefung 52 (der flachen halbkugelförmigen Vertiefung) des grünen Subpixels B ist und die dreidimensionale Vertiefung 52 (die flache halbkugelförmige Vertiefung) des grünen Subpixels G weist eine Oberflächenfläche auf, die größer ist als die der dreidimensionalen Vertiefung 53 (die Ebene) des blauen Subpixels B. Die Ausführungsform, wie in 10 gezeigt, kann einen ähnlichen Effekt erzeugen, wie der nach 9, was hierin nicht wiederholt wird.
Die vorliegende Erfindung stellt ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung bereit, welche eine Vielzahl von Subpixeln umfasst. Wie 11 gezeigt, ist das Verfahren durch die folgenden Schritte gekennzeichnet:
bei Schritt (S1110), Herstellen eines Substratmoduls, welches ein TFT-Steuersubstrat und eine über dem TFT-Steuersubstrat gebildete Isolierschicht umfasst, und Anordnen einer dreidimensionalen Vertiefung an einem Bereich des Substratmoduls, welcher wenigstens einem der Farbsubpixel entspricht;
bei Schritt (S1120), Bilden einer transparenten leitfähigen Schicht an einer Oberfläche der Isolierschicht und der dreidimensionalen Vertiefungen;
bei Schritt (S1130), Bilden einer Pixeldefinierschicht über der Pixeldefinierschicht, wobei die Pixeldefinierschicht eine Vielzahl von Öffnungen, die dreidimensionalen Vertiefungen, welche jeweils den Öffnungen der Pixeldefinierschicht entsprechen, einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in den Öffnungen, welcher einem Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, und einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht, welcher einem Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, umfasst; und
bei Schritt (S1140), Bilden einer organischen lichtemittierenden Schicht in der Vielzahl von Öffnungen, wobei die organische lichtemittierende Schicht über der transparenten leitfähigen Schicht gebildet wird, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden.
Die dreidimensionale Vertiefung wird unterhalb wenigstens eines Farbsubpixel angeordnet. Jede dreidimensionale Vertiefung entspricht einer Öffnung der Pixeldefinierschicht 7. Der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht und der organischen lichtemittierenden Schicht 6 werden in der dreidimensionalen Vertiefung gebildet. Die dreidimensionale Vertiefung wird innerhalb der Isolierschicht angeordnet und der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht wird an der Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung angeordnet und der Öffnungsbereich 4a der transparenten leitfähigen Schicht weist eine Oberflächenfläche auf, die größer als eine Fläche der entsprechenden Öffnung der Pixeldefinierschicht 7 ist. Die dreidimensionale Vertiefung wird aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmigen Nut, einer dreieckförmigen Nut, einer umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet.
Die dreidimensionalen Vertiefungen werden mit einer Graustufenmaske geätzt, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt. Während des Verfahrens zur Bildung der dreidimensionalen Vertiefungen werden die dreidimensionalen Vertiefungen jeweils den Farbsubpixeln entsprechen zu getrennten Zeiten geätzt, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
Die Isolierschicht weist eine Einebnungsschicht 3 auf, wobei die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht durchdringt, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird. Wenn die Isolierschicht 7 eine Einebnungsschicht 3 und eine Passivierschicht 2 aufweist, kann die Einebnungsschicht 3 über der Passivierschicht 2 gebildet werden, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Die dreidimensionale Vertiefung kann die Einebnungsschicht 3 nicht durchdringen, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird. In alternativer Weise kann die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht 3 durchdringen, jedoch durchdringt sie die Passivierschicht 2 nicht, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird, jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt.
Die vorliegende Erfindung ist nicht an die Idee der ebenen Pixel-Aufbauweise nach dem Stand der Technik gebunden und stellt ein neues Verfahren bereit, welches eine reale Anordnung der hohen PPI bereitstellen kann, ohne dabei die Stromdichte zu reduzieren. Durch Bereitstellen einer dreidimensionalen „Vertiefungsstruktur" bei einem Subpixel kann eine „Oberflächenfläche“ eines lichtemittierenden Punkts vergrößert werden. Dadurch wird die Stromdichte und damit die Spannung nicht zunehmen und der Stromverbrauch wird nicht zunehmen.
Zusammenfassend verändern die Anzeigevorrichtung und ein Herstellverfahren dessen nach der vorliegenden Erfindung die räumliche Struktur des Pixelbereichs, vergrößern die Oberflächenfläche des lichtemittierenden Bereichs und können bei verschiedenen Anzeigevorrichtungen verwendet werden. Selbst bei einem hohen PPI wird die Stromdichte nicht zunehmen und die Spannung und der Stromverbrauch werden nicht zunehmen.
Das Vorstehende ist eine detaillierte Beschreibung der vorliegenden Offenbarung mit Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen. Sie ist nicht dahingehend zu verstehen, dass bestimmte Ausführungsformen nach der vorliegenden Offenbarung auf die Beschreibung beschränkt sind. Die Fachleute aus dem Stand der Technik können verschiedene Abwandlungen und Modifikationen innerhalb des Rahmens der Ansprüche vornehmen, ohne den wesentlichen Inhalt der vorliegenden Offenbarung zu beeinflussen.

Claims

Eine eine Vielzahl von Farbsubpixeln umfassende Anzeigevorrichtung, wobei die Anzeigevorrichtung umfasst: ein Substratmodul (1), welches ein TFT-Steuersubstrat und eine über dem TFT-Steuersubstrat gebildete Isolierschicht umfasst; eine Pixeldefinierschicht (7), welche über der Isolierschicht gebildet ist, wobei die Pixeldefinierschicht (7) eine Vielzahl von Öffnungen aufweist; und eine organische lichtemittierende Schicht (6), welche in der Vielzahl von Öffnungen gebildet ist, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden, wobei eine dreidimensionale Vertiefung (5) in der Isolierschicht unterhalb wenigstens eines der Farbsubpixel gebildet ist, jede dreidimensionale Vertiefung (5) einer Öffnung der Pixeldefinierschicht (7) entspricht, die organische lichtemittierende Schicht (6) in jeder dreidimensionalen Vertiefung (5) gebildet ist, um die Vielzahl von Subpixeln zu bilden.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 umfasst des weiteren eine transparente leitfähige Schicht (4), welche an der Oberfläche der Isolierschicht gebildet ist, wobei die transparente leitfähige Schicht (4) einen Öffnungsbereich (4a) der transparenten leitfähigen Schicht (4) und einen Nicht-Öffnungsbereich (4b) der transparenten leitfähigen Schicht (4) umfasst, wobei der Öffnungsbereich (4a) der transparenten leitfähigen Schicht (4) in der Vielzahl von Öffnungen der Pixeldefinierschicht (7) angeordnet ist und der Nicht-Öffnungsbereich (4b) der transparenten leitfähigen Schicht (4) zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht (7) angeordnet ist, wobei in jeder dreidimensionalen Vertiefung (5) der Öffnungsbereich (4a) der transparenten leitfähigen Schicht (4) an der Oberfläche der dreidimensionalen Vertiefung (5) befestigt ist und ein Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht (4) in der dreidimensionalen Vertiefung (5) eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer entsprechenden Öffnung der Pixeldefinierschicht (7) ist.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Isolierschicht eine Einebnungsschicht (3) umfasst und die dreidimensionale Vertiefung (5) die Einebnungsschicht (3) nicht durchdringt.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Isolierschicht eine Einebnungsschicht (3) und eine Passivierschicht (2) umfasst und die Einebnungsschicht (3) über der Passivierschicht (2) gebildet ist.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die dreidimensionale Vertiefung (5) die Einebnungsschicht nicht durchdringt.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei die dreidimensionale Vertiefung (5) die Einebnungsschicht (5) durchdringt, aber die Passivierschicht (5) nicht durchdringt.
Die Anzeigevorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Vielzahl von Subpixeln einen roten Subpixel, einen grünen Subpixel und einen blauen Subpixel umfasst, ein jeweiliger Farbsubpixel einer jeweiligen dreidimensionalen Vertiefung (5) einer jeweiligen Oberflächenfläche entspricht und jeder der Subpixel den gleichen Spannungswert aufweist.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei der rote Subpixel einer dreidimensionalen Vertiefung (51) entspricht, welche eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer dreidimensionalen Vertiefung (52) ist, welche dem grünen Subpixel entspricht.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei der grüne Subpixel einer dreidimensionalen Vertiefung (52) entspricht, welche eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer dreidimensionalen Vertiefung (52) ist, welche dem blauen Subpixel entspricht.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei für einen Farbsubpixel ein Strom (I), eine Spannung (V), eine Stromdichte (J) und eine Fläche (S) eines lichtemittierenden Bereichs die folgende funktionale Beziehung aufweist: J = F(V), I = JS, wobei J = F(V) einer Kurve der Stromdichte gegenüber der Spannung entspricht, und ein Wert des Stroms des Farbsubpixels ein bestimmbarer Stromwert eines Subpixels einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung eines bestimmten Typs ist; und eine funkationale Beziehung zwischen der Fläche (S) des lichtemittierenden Bereichs, des Stroms (I) und der Spannung (V) S = [I/F(V)] ist, und basierend auf der funktionalen Beziehung zwischen der Fläche (S) des lichtemittierenden Bereichs, des Stroms (I) und der Spannung (V) kann eine Oberflächenfläche jedes Subpixels gemäß einer vorgegebenen Spannung bestimmt werden.
Die Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die dreidimensionale Vertiefung (5) aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmigen Nut, einer dreieckförmigen Nut, eine umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet ist. Ein Herstellverfahren einer Anzeigevorrichtung, wobei die Anzeigevorrichtung eine Vielzahl von Farbsubpixeln umfasst, das Herstellverfahren umfasst die folgenden Schritte: Herstellen (S1110) eines Substratmoduls, welches ein TFT-Steuersubstrat und eine über dem TFT-Steuersubstrat gebildete Isolierschicht umfasst, und Anordnen einer dreidimensionalen Vertiefung an einem Bereich des Substratmoduls, welcher wenigstens einem der Farbsubpixel entspricht; Bilden (S1120) einer transparenten leitfähigen Schicht an einer Oberfläche der Isolierschicht und der dreidimensionalen Vertiefungen; Bilden (S1130) einer Pixeldefinierschicht über der Pixeldefinierschicht, wobei die Pixeldefinierschicht eine Vielzahl von Öffnungen, die dreidimensionalen Vertiefungen, welche jeweils den Öffnungen der Pixeldefinierschicht entsprechen, einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in den Öffnungen, welcher einem Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, und einen Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht zwischen der Isolierschicht und der Pixeldefinierschicht, welcher einem Nicht-Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht entspricht, umfasst; und Bilden (S1140) einer organischen lichtemittierenden Schicht in der Vielzahl von Öffnungen, wobei die organische lichtemittierende Schicht über der transparenten leitfähigen Schicht gebildet wird, um entsprechend die Vielzahl von Subpixeln zu bilden.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die dreidimensionalen Vertiefungen mit einer Graustufenmaske geätzt werden.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die dreidimensionalen Vertiefungen, welche jeweils den Farbsubpixeln entsprechen, zu getrennten Zeiten geätzt werden.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach einem beliebigen der Ansprüche 12 bis 14, wobei die dreidimensionalen Vertiefungen in der Isolierschicht angeordnet sind, der Öffnungsbereich der transparenten leitfähigen Schicht an der Oberfläche jeder dreidimensionalen Vertiefung befestigt ist und ein Abschnitt der transparenten leitfähigen Schicht in der dreidimensionalen Vertiefung (5) eine Oberflächenfläche aufweist, die größer als eine Oberflächenfläche einer entsprechenden Öffnung der Pixeldefinierschicht ist.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Isolierschicht eine Einebnungsschicht umfasst und die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht durchdringt, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Isolierschicht eine Einebnungsschicht und eine Passivierschicht umfasst und die Einebnungsschicht über der Passivierschicht gebildet wird.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17, wobei die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht nicht durchdringt, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 17, wobei die dreidimensionale Vertiefung die Einebnungsschicht durchdringt, aber die Passivierschicht nicht durchdringt, wenn die dreidimensionale Vertiefung geätzt wird.
Das Herstellverfahren der Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei die dreidimensionale Vertiefung aus wenigstens einer Vertiefung aus irgendeiner Form einer umgekehrten trapezförmigen Nut, einer dreieckigen Nut, einer umgekehrten pyramidenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten fasenförmigen Vertiefung, einer umgekehrten wirbelförmigen Vertiefung und einer halbkugelförmigen Vertiefung gebildet wird.