DE102016114912B4 - Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Abstract

Halbleiterstruktur mit:einem Substrat (101);einer Gate-Struktur (102), die über dem Substrat (101) angeordnet ist;einem dielektrischen Material (103), das über dem Substrat (101) und der Gate-Struktur (102) angeordnet ist;einer leitenden Struktur (104), die in dem dielektrischen Material (103) verläuft; undeinem Hohlraum (105), der in dem dielektrischen Material (103) verläuft und oberhalb der Gate-Struktur (102) angeordnet ist,wobei der Hohlraum (105) einen ersten Teil oberhalb der Gate-Struktur (102), einen zweiten Teil oberhalb des ersten Teils und einen dritten Teil oberhalb des ersten Teils und des zweiten Teils aufweist, wobei der zweite Teil zwischen dem ersten Teil und dem dritten Teil angeordnet ist und eine Breite des zweiten Teils wesentlich kleiner als eine Breite des ersten Teils oder als eine Breite des dritten Teils ist, und wobei die Breite des ersten Teils oder die Breite des dritten Teils etwa 200 nm bis etwa 500 nm beträgt.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Elektronische Geräte, die Halbleiter-Bauelemente verwenden, sind für viele moderne Anwendungsbereiche wichtig. Mit dem Fortschritt der Elektronik werden die Halbleiter-Bauelemente immer kleiner, haben aber eine größere Funktionalität und größere Mengen von integrierten Schaltkreisen. Die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen umfasst normalerweise das Platzieren zahlreicher Komponenten über einem Halbleitersubstrat. Um die Komponenten voneinander elektrisch zu trennen, werden dielektrische Materialien oder Trennungsstrukturen verwendet. Dann werden die Komponenten durch Herstellen von leitenden Leitungen über dem Halbleitersubstrat miteinander verbunden.
  • Auf Grund der Verkleinerung der Halbleiter-Bauelemente nimmt die Dichte der Komponenten über dem Halbleitersubstrat weiter zu, während der Abstand zwischen den Komponenten weiter abnimmt. In einem solchen kleinen Halbleiter-Bauelement werden zahlreiche Herstellungsprozesse implementiert, und die Trennung der Komponenten wird schwierig. Eine höhere Komplexität der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen kann zu Unzulänglichkeiten führen, wie etwa schlechte elektrische Trennung, Entstehung von Rissen oder hoher Ausbeuteverlust der Halbleiter-Bauelemente. Da mehr unterschiedliche Komponenten mit verschiedenen Materialien involviert sind, gibt es zahlreiche Forderungen nach einer Modifizierung der Struktur der Halbleiter-Bauelemente und nach einer Verbesserung der Herstellungsprozesse. US 9 263 392 B1 beschreibt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, bei dem eine Maskenschicht in einer Aussparung und über einer Zwischenschicht-Dielektrikum-Schicht gebildet wird, wobei ein Hohlraum in der Aussparung gebildet wird. DE 10 2017 207 777 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einem Luftspalt, der sich durch eine Zwischenverbindungsschicht erstreckt. US 2016/0141240 A1 beschreibt einen Feldeffekttransistor mit einem Bereich niedriger dielektrischer Konstante, der zwischen Metallen angeordnet ist, die auf Kontaktsteckern gestapelt sind.
  • Figurenliste
  • Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
    • 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Halbleiterstruktur gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • Die 2 bis 5 sind schematische Schnittansichten von Halbleiterstrukturen, die einen Hohlraum mit verschiedenen Formen oder Konfigurationen aufweisen, gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht einer Halbleiterstruktur gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • Die 7 bis 10 sind schematische Schnittansichten von Halbleiterstrukturen mit einem Hohlraum mit verschiedenen Formen oder Konfigurationen gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • 11 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiterstruktur gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • Die 11A bis 11F sind schematische Darstellungen der Herstellung einer Halbleiterstruktur mit dem Verfahren von 11 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • 12 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiterstruktur gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
    • Die 12A bis 12L sind schematische Darstellungen der Herstellung einer Halbleiterstruktur mit dem Verfahren von 12 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Die nachstehende Beschreibung liefert viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Elemente des bereitgestellten Gegenstands. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Elemente und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Erfindung zu vereinfachen. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt ausgebildet werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element so ausgebildet werden können, dass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind. Darüber hinaus können in der vorliegenden Erfindung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholt werden. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Übersichtlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.
  • Darüber hinaus können hier zur Vereinfachung der Beschreibung der Beziehung eines Elements oder einer Struktur zu einem oder mehreren anderen Element(en) oder Struktur(en), die in den Figuren dargestellt sind, räumlich relative Begriffe verwendet werden, wie etwa „darunter“, „unter“, „untere(r)“/„unteres“, „über“, „obere(r)“/„oberes“ und dergleichen. Die räumlich relativen Begriffe sollen zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung andere Orientierungen des Bauelements bei Gebrauch oder bei Betrieb abdecken. Die Vorrichtung kann anders orientiert werden (um 90 Grad gedreht oder in anderen Orientierungen), und die räumlich relativen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können entsprechend ähnlich interpretiert werden.
  • In einer Halbleiterstruktur wird ein dielektrisches Material verwendet, um Halbleiter-Komponenten elektrisch voneinander zu trennen. Die Halbleiter-Komponenten werden in dem dielektrischen Material hergestellt und durch dieses getrennt. Da die Halbleiterstruktur immer kleiner wird, kommen die Komponenten dichter aneinander. Daher entsteht zwischen den Komponenten eine unerwünschte parasitäre Kapazität. Die parasitäre Kapazität kann dadurch minimiert werden, dass ein Luftspalt in dem dielektrischen Material hergestellt wird, um die Komponenten zu trennen. Da Luft eine niedrigere Dielektrizitätskonstante als dielektrische Materialien, wie etwa Siliciumdioxid, hat, kann die parasitäre Kapazität zwischen den Komponenten verringert werden. Dadurch werden auch Signallecks oder eine Kreuzkopplung zwischen Komponenten reduziert, und die Ansprechempfindlichkeit der Halbleiterstruktur wird verbessert.
  • In der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiterstruktur offenbart. Die Halbleiterstruktur weist Folgendes auf: ein Substrat; eine Gate-Struktur, die über dem Substrat angeordnet ist; ein dielektrisches Material, das über dem Substrat und der Gate-Struktur angeordnet ist; eine leitende Struktur, die in dem dielektrischen Material angeordnet ist; und einen Hohlraum, der über der Gate-Struktur angeordnet ist und in dem dielektrischen Material verläuft. Der Hohlraum ist mit Luft gefüllt oder ist im Vakuumzustand. Da der Hohlraum eine niedrige Dielektrizitätskonstante hat, wird die Trennung der leitenden Struktur verbessert und die parasitäre Kapazität wird verringert. Darüber hinaus wird der Hohlraum durch Entfernen eines Teils des dielektrischen Materials hergestellt. Das Volumen des Hohlraums kann durch Entfernen eines weiteren Teils des dielektrischen Materials vergrößert werden. Zum Beispiel wird ein Teil des dielektrischen Materials durch Trockenätzung entfernt, um eine Aussparung herzustellen, und dann wird ein weiterer Teil des dielektrischen Materials durch Nassätzung oder isotrope Ätzung seitlich entfernt, um das Volumen der Aussparung zu vergrößern. Die vergrößerte Aussparung wird dann mit dem dielektrischen Material zu einem Hohlraum abgedichtet. Dieser vergrößerte Hohlraum kann die parasitäre Kapazität weiter verringern. Dadurch wird die Leistung der Halbleiterstruktur verbessert.
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Halbleiterstruktur 100 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Bei einigen Ausführungsformen weist die Halbleiterstruktur 100 ein Substrat 101, eine Gate-Struktur 102, ein dielektrisches Material 103, eine leitende Struktur 104 und einen Hohlraum 105 auf. Bei einigen Ausführungsformen ist die Halbleiterstruktur 100 ein Teil eines Halbleiter-Bauelements. Bei einigen Ausführungsformen ist die Halbleiterstruktur 100 ein Teil eines Schalterstromkreises oder eines Schaltelements.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist das Substrat 101 ein Halbleitermaterial auf, wie etwa Silicium, Germanium, Galliumarsenid usw. Bei einigen Ausführungsformen ist das Substrat 101 ein Siliciumsubstrat, ein Siliciumwafer, ein Glassubstrat oder ein SOI-Substrat (SOI: Halbleiter auf Isolator). Bei einigen Ausführungsformen ist das Substrat 101 ein einkristallines oder polykristallines Siliciumsubstrat. Bei einigen Ausführungsformen weist das Substrat 101 mehrere elektrische Komponenten oder Schaltkreise auf.
  • Bei einigen Ausführungsformen hat das Substrat 101 eine erste Oberfläche 101a und eine zweite Oberfläche 101b, die der ersten Oberfläche 101a gegenüberliegt. Bei einigen Ausführungsformen befindet sich die erste Oberfläche 101a auf einer Vorderseite des Substrats 101, und die zweite Oberfläche 101b befindet sich auf einer Rückseite des Substrats 101. Bei einigen Ausführungsformen sind über der ersten Oberfläche 101a mehrere Schaltkreise oder Komponenten hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen weist die erste Oberfläche 101a einen aktiven Bereich auf, über dem Komponenten hergestellt sind.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird das Substrat 101 mit einem p-leitenden Dotanden, wie etwa Bor, oder einem n-leitenden Dotanden, wie etwa Phosphor, dotiert, um einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich zu erhalten. Bei einigen Ausführungsformen werden der Source-Bereich und der Drain-Bereich durch eine flache Grabenisolation (STI) elektrisch getrennt. Bei einigen Ausführungsformen ist die STI von dem Substrat 101 umgeben oder zumindest teilweise darin angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist die STI so konfiguriert, dass sie Komponenten, die in oder über dem Substrat 101 angeordnet sind, elektrisch voneinander trennt. Bei einigen Ausführungsformen weist die STI ein dielektrisches Material auf, wie etwa ein Oxid, Siliciumoxid usw.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist die Gate-Struktur 102 über dem Substrat 101 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist die Gate-Struktur 102 ein Teil eines Transistors. Bei einigen Ausführungsformen ist die Gate-Struktur 102 über der ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen wird die Gate-Struktur 102 durch die STI elektrisch getrennt. Bei einigen Ausführungsformen kann ein Strom von dem Source-Bereich über die Gate-Struktur 102 zu dem Drain-Bereich fließen. Bei einigen Ausführungsformen weist die Gate-Struktur 102 eine Gate-Elektrode 102a, einen Abstandshalter 102b und eine dielektrische Gate-Schicht 102c auf. Bei einigen Ausführungsformen weist die Gate-Elektrode 102a ein leitendes Material auf, wie etwa polykristallines Silicium (Polysilicium), Aluminium, Kupfer, Titan, Wolfram usw. Bei einigen Ausführungsformen weist der Abstandshalter 102b ein dielektrisches Material auf, wie etwa Siliciumoxid, Siliciumoxidnitrid, Siliciumnitrid usw. Bei einigen Ausführungsformen weist die dielektrische Gate-Schicht 102c ein dielektrisches Material auf, wie etwa Siliciumoxid, Siliciumoxidnitrid, Siliciumnitrid usw.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist das dielektrische Material 103 über dem Substrat 101 und der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist das dielektrische Material 103 über der ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 angeordnet und bedeckt die Gate-Struktur 102. Bei einigen Ausführungsformen weist das dielektrische Material 103 Siliciumoxid, Siliciumoxidnitrid, Siliciumnitrid usw. auf. Bei einigen Ausführungsformen weist das dielektrische Material 103 verschiedene dielektrische Schichten auf, die übereinander gestapelt sind. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das dielektrische Material 103 ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD) oder ein Zwischenmetall-Dielektrikum (IMD).
  • Bei einigen Ausführungsformen ist die leitende Struktur 104 in dem dielektrischen Material 103 angeordnet und verläuft darin. Bei einigen Ausführungsformen ist die leitende Struktur 104 länglich und verläuft in dem dielektrischen Material 103 und ist mit dem Substrat 101 oder der Gate-Struktur 102 elektrisch verbunden. Bei einigen Ausführungsformen wird die leitende Struktur 104 verlängert und verläuft durch mehrere Schichten des dielektrischen Materials 103. Bei einigen Ausführungsformen ist die leitende Struktur 104 ein elektrischer Kontakt zum elektrischen Verbinden mit einer Schaltung oder einer Komponente über oder in dem Substrat 101. Bei einigen Ausführungsformen weist die leitende Struktur 104 einen Steckteil 104a und einen oberen Metallteil 104b auf. Bei einigen Ausführungsformen weist die leitende Struktur 104 ein leitendes Material auf, wie etwa Kupfer, Silber, Aluminium, Titan, Wolfram usw.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 in dem dielektrischen Material 103 und über der Gate-Struktur 102 angeordnet. Der Hohlraum 105 ist jedoch durch einen Teil des dielektrischen Materials 103 von der Gate-Struktur 102 getrennt. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil des dielektrischen Materials 103 zwischen dem Hohlraum 105 und der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 angeordnet und verläuft in dem dielektrischen Material 103 entlang der Richtung der Dicke der Gate-Struktur 102. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 zu der Gate-Struktur 102 ausgerichtet. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 vertikal zu der Gate-Struktur 102 ausgerichtet. Der Begriff „vertikal ausgerichtet“ bedeutet hier, dass die Dehnungsrichtung des Hohlraums 105 virtuell durch die Gate-Struktur 102 verläuft. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 länglich und verläuft durch mehrere Schichten des dielektrischen Materials 103. Bei einigen Ausführungsformen grenzt die leitende Struktur 104 an die Gate-Struktur 102 und den Hohlraum 105 an.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum 105 von dem dielektrischen Material 103 umschlossen und abgedichtet. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 ein hohler Raum in dem dielektrischen Material 103. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 im Vakuumzustand (z. B. unter 1 mTorr). Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 mit Luft oder einem Gas, wie etwa einem Edelgas, gefüllt. Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum 105 ein Material mit einer Dielektrizitätskonstante (k) von etwa 1 auf. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 in dem dielektrischen Material 103 so konfiguriert, dass er die parasitäre Kapazität in der Halbleiterstruktur 100 verringert oder auf ein Minimum reduziert.
  • Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 eine Breite W und eine Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 ein hohes Seitenverhältnis. Bei einigen Ausführungsformen ist das Verhältnis der Breite W zu der Höhe H des Hohlraums 105 wesentlich größer als 1 : 2. Bei einigen Ausführungsformen beträgt das Verhältnis etwa 1 : 3 bis etwa 1 : 10. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Höhe H des Hohlraums 105 etwa 400 nm bis etwa 1200 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W des Hohlraums 105 etwa 100 nm bis etwa 500 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W des Hohlraums 105 etwa 250 nm bis etwa 450 nm.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum 105 einen länglichen Hauptteil 105a in dem dielektrischen Material 103 und einen von der Gate-Struktur 102 entfernten Endteil 105b auf, der mit dem Hauptteil 105a verbunden ist und sich von dem Hauptteil 105a aus und von der Gate-Struktur 102 weg verjüngt. Bei einigen Ausführungsformen erstreckt sich der Hauptteil 105a entlang der Höhe H des Hohlraums 105. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hauptteil 105a eine zylindrische Form. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hauptteil 105a eine gleichbleibende Breite W entlang der Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hauptteil 105a mehr als eine Breite entlang der Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen hat der Endteil 105b eine konische Konfiguration. Bei einigen Ausführungsformen hat der Endteil 105b mehr als eine Breite entlang der Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 die Form einer Kerze oder eines Tränentropfens. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der Hauptteil 105a und der Steckteil 104a in der gleichen Richtung. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der Hauptteil 105a und der Steckteil 104a vertikal in dem dielektrischen Material 103. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Hauptteil 105a in einer Richtung parallel zu einer Länge des Steckteils 104a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a in einer Richtung parallel zu einer Länge des Hauptteils 105a.
  • Die 2 bis 5 sind schematische Schnittansichten einer Halbleiterstruktur 100, die einen Hohlraum 105 mit verschiedenen Formen oder Konfigurationen aufweist. Bei einigen Ausführungsformen haben das Substrat 101, die Gate-Struktur 102, das dielektrische Material 103 und die leitende Struktur 104 ähnliche Konfigurationen, wie die, die vorstehend beschrieben worden sind oder in 1 gezeigt sind. Bei einigen Ausführungsformen, die in 2 gezeigt sind, verjüngt sich der Hohlraum 105 entlang seiner Höhe H und er hat mehr als eine Breite entlang seiner Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen verringert sich die Breite W des Hohlraums 105 schrittweise zu dem Endteil 105b hin. Bei einigen Ausführungsformen, die in 3 gezeigt sind, weist der Hohlraum 105 zwei konische Endteile 105b auf, die einander gegenüberliegen.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in den 4 und 5 gezeigt sind, weist der Hohlraum 105 einen ersten Teil 105c, einen zweiten Teil 105d, einen dritten Teil 105e und einen Endteil 105f auf. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Teil 105c über der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Teil 105c über oder neben der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d über dem ersten Teil 105c angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d mit dem ersten Teil 105c verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der dritte Teil 105c über dem ersten Teil 105c und dem zweiten Teil 105d angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der dritte Teil 105c mit dem zweiten Teil 105d verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der Endteil 105f über dem dritten Teil 105c angeordnet und mit diesem verbunden. Bei einigen Ausführungsformen verjüngt sich der Endteil 105f von dem dritten Teil 105c aus und von dem ersten Teil 105c oder dem zweiten Teil 105d weg. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d zwischen dem ersten Teil 105c und dem dritten Teil 105c angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der erste Teil 105c und der Steckteil 104a in der gleichen Richtung. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der erste Teil 105c und der Steckteil 104a vertikal in dem dielektrischen Material 103. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der erste Teil 105c in einer Richtung parallel zu der Länge des Steckteils 104a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a in einer Richtung parallel zu der Länge des ersten Teils 105c.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 4 gezeigt sind, ist eine Breite W1 des ersten Teils 105c wesentlich größer als eine oder gleich einer Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite Wi oder die Breite W3 etwa 200 nm bis etwa 500 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 250 nm bis etwa 450 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Volumen des ersten Teils 105c wesentlich größer als ein oder gleich einem Volumen des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Volumen des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als das Volumen des ersten Teils 105c oder als das Volumen des dritten Teils 105e.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 5 gezeigt sind, ist die Breite W1 des ersten Teils 105c wesentlich größer als eine oder gleich einer Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 200 nm bis etwa 500 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 250 nm bis etwa 450 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist eine Breite W2 des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als die Breite W1 des ersten Teils 105c oder als die Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W2 des zweiten Teils 105d etwa 80 nm bis etwa 220 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W2 des zweiten Teils 105d etwa 120 nm bis etwa 200 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des ersten Teils 105c wesentlich größer als das oder gleich dem Volumen des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als das Volumen des ersten Teils 105c oder als das Volumen des dritten Teils 105e.
  • 6 ist eine schematische Schnittansicht einer Halbleiterstruktur 200 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Bei einigen Ausführungsformen weist die Halbleiterstruktur 200 das Substrat 101, die Gate-Struktur 102, das dielektrische Material 103, die leitende Struktur 104 und den Hohlraum 105 auf, die ähnliche Konfigurationen wie die haben, die vorstehend beschrieben worden sind oder in einer der 1 bis 5 gezeigt sind.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist das dielektrische Material 103 eine erste dielektrische Schicht 103a, eine zweite dielektrische Schicht 103b und eine dritte dielektrische Schicht 103c auf. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste dielektrische Schicht 103a über dem Substrat 101 und der Gate-Struktur 102 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste dielektrische Schicht 103a über der ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste dielektrische Struktur 104 ein Zwischenschicht-Dielektrikum (ILD). Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite dielektrische Schicht 103b über der ersten dielektrischen Schicht 103a und dem Substrat 101 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 103c über der zweiten dielektrischen Schicht 103b, der ersten dielektrischen Schicht 103a und dem Substrat 101 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite dielektrische Schicht 103b oder die dritte dielektrische Schicht 103c ein Zwischenmetall-Dielektrikum (IMD). Bei einigen Ausführungsformen weisen die erste dielektrische Schicht 103a, die zweite dielektrische Schicht 103b und die dritte dielektrische Schicht 103c das gleiche Material oder voneinander verschiedene Materialien auf. Bei einigen Ausführungsformen weisen die erste dielektrische Schicht 103a, die zweite dielektrische Schicht 103b und die dritte dielektrische Schicht 103c ein dielektrisches Material auf, wie etwa Siliciumoxid, Siliciumoxidnitrid, Siliciumnitrid usw.
  • Bei einigen Ausführungsformen verläuft die leitende Struktur 104 durch die und in der ersten dielektrischen Schicht 103a und durch die und in der zweiten dielektrischen Schicht 103b. Bei einigen Ausführungsformen weist die leitende Struktur 104 den Steckteil 104a, der von der ersten dielektrischen Schicht 103a umgeben ist, und den oberen Metallteil 104b auf, der von der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben ist. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a durch die erste dielektrische Schicht 103a, und der obere Metallteil 104b verläuft durch die zweite dielektrische Schicht 103b.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 103c über der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der leitenden Struktur 104 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die dritte dielektrische Schicht 103c mit dem Hohlraum 105 verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 von der ersten dielektrischen Schicht 103a, der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der dritten dielektrischen Schicht 103c umgeben. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 angeordnet und erstreckt sich von der ersten dielektrischen Schicht 103a bis zu der dritten dielektrischen Schicht 103c. Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum 105 von der dritten dielektrischen Schicht 103c umschlossen und abgedichtet. Bei einigen Ausführungsformen verläuft ein Teil der dritten dielektrischen Schicht 103c entlang der Höhe des Hohlraums 105 und konform mit dem Hohlraum 105. Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum 105 den Hauptteil 105a und den Endteil 105b auf. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hauptteil 105a von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben. Bei einigen Ausführungsformen ist der Endteil 105b von der dritten dielektrischen Schicht 103c umgeben. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der ersten dielektrischen Schicht 103a zwischen dem Hohlraum 105 und der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der dritten dielektrischen Schicht 103c zwischen dem Hohlraum 105 und der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der Hauptteil 105a und der Steckteil 104a in der gleichen Richtung. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der Hauptteil 105a und der Steckteil 104a vertikal in der ersten dielektrischen Schicht 103a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Hauptteil 105a in einer Richtung parallel zu der Länge des Steckteils 104a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a in einer Richtung parallel zu der Länge des Hauptteils 105a.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist das dielektrische Material 103 zwischen eine Deckschicht 106 geschichtet. Bei einigen Ausführungsformen weist die Deckschicht 106 ein Nitrid, wie etwa Siliciumnitrid etc., auf. Bei einigen Ausführungsformen weist die Deckschicht 106 eine erste Deckschicht 106a und eine zweite Deckschicht 106b auf. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste Deckschicht 106a zwischen der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen umgibt die erste Deckschicht 106a einen Teil der leitenden Struktur 104 oder den oberen Metallteil 104b der leitenden Struktur 104.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Deckschicht 106b zwischen der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der dritten dielektrischen Schicht 103c angeordnet oder ist zwischen der ersten dielektrischen Schicht 103a und der dritten dielektrischen Schicht 103c angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen verläuft ein Teil der zweiten Deckschicht 106 entlang der Höhe des Hohlraums 105 oder des Teils der dritten dielektrischen Schicht 103c. Bei einigen Ausführungsformen ist der Teil der zweiten Deckschicht 106b konform mit einer Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b und einer Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a. Bei einigen Ausführungsformen umgibt die zweite Deckschicht 106b den Hohlraum 105 und die dritte dielektrische Schicht 103c. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der zweiten Deckschicht 106b zwischen dem Hohlraum 105 und der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist die dritte dielektrische Schicht 103c zwischen die zweite Deckschicht 106b und den Hauptteil 105a des Hohlraums 105 geschichtet. Bei einigen Ausführungsformen haben die erste Deckschicht 106a und die zweite Deckschicht 106b das gleiche Material oder voneinander verschiedene Materialien.
  • Die 7 bis 10 sind schematische Schnittansichten der Halbleiterstruktur 200, die einen Hohlraum 105 mit verschiedenen Formen oder Konfigurationen aufweist. Bei einigen Ausführungsformen haben das Substrat 101, die Gate-Struktur 102, das dielektrische Material 103 (mit der ersten dielektrischen Schicht 103a, der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der dritten dielektrischen Schicht 103c) und die leitende Struktur 104 ähnliche Konfigurationen wie die, die vorstehend beschrieben worden sind oder in 6 gezeigt sind. Bei einigen Ausführungsformen haben die Halbleiterstrukturen 100, die in den 2 bis 5 gezeigt sind, ähnliche Konfigurationen wie die Halbleiterstrukturen 200, die jeweils in den 7 bis 10 gezeigt sind.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 7 gezeigt sind, verjüngt sich der Hohlraum 105 entlang seiner Höhe H und hat mehr als eine Breite entlang seiner Höhe H. Bei einigen Ausführungsformen nimmt die Breite W des Hohlraums 105 zu dem Endteil 105b hin schrittweise ab. Bei einigen Ausführungsformen, die in 8 gezeigt sind, weist der Hohlraum 105 zwei konische Endteile 105b auf, die einander gegenüberliegen.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in den 9 und 10 gezeigt sind, weist der Hohlraum 105 einen ersten Teil 105c, einen zweiten Teil 105d, einen dritten Teil 105e und einen Endteil 105f auf. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Teil 105c über der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Teil 105c über oder neben der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der erste Teil 105c von der ersten dielektrischen Schicht 103a umgeben. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der dritte Teil 105c des Hohlraums 105 und der obere Metallteil 104b der leitenden Struktur 104 durch die zweite dielektrische Schicht 103b. Bei einigen Ausführungsformen reicht der erste Teil 105c von dem zweiten Teil 105d oder dem dritten Teil 105c bis zu der Gate-Struktur 102. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a der leitenden Struktur 104 durch die erste dielektrische Schicht 103a und zu der Oberfläche 101a des Substrats 101. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der erste Teil 105c und der Steckteil 104a in der gleichen Richtung. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen der erste Teil 105c und der Steckteil 104a vertikal in der ersten dielektrischen Schicht 103a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der erste Teil 105c in einer Richtung parallel zu der Länge des Steckteils 104a. Bei einigen Ausführungsformen verläuft der Steckteil 104a in einer Richtung parallel zu der Länge des ersten Teils 105e.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d über dem ersten Teil 105c angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d mit dem ersten Teil 105c verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d von der ersten Deckschicht 106a umgeben.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist der dritte Teil 105c über dem ersten Teil 105c und dem zweiten Teil 105d angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der dritte Teil 105e mit dem zweiten Teil 105d verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der Endteil 105f über dem dritten Teil 105c angeordnet und ist mit diesem verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der dritte Teil 105c von der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben.
  • Bei einigen Ausführungsformen verjüngt sich der Endteil 105f von dem dritten Teil 105c aus und von dem ersten Teil 105c oder dem zweiten Teil 105d weg. Bei einigen Ausführungsformen ist der zweite Teil 105d zwischen dem ersten Teil 105c und dem dritten Teil 105c angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist der Endteil 105f von der dritten dielektrischen Schicht 103c umgeben. Bei einigen Ausführungsformen verjüngt sich der Endteil 105f von der zweiten dielektrischen Schicht 103b zu der dritten dielektrischen Schicht 103c hin.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 9 gezeigt sind, ist die Breite W1 des ersten Teils 105c wesentlich größer als die oder gleich der Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 200 nm bis etwa 500 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite Wi oder die Breite W3 etwa 250 nm bis etwa 450 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des ersten Teils 105c wesentlich größer als das oder gleich dem Volumen des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als das Volumen des ersten Teils 105c oder als das Volumen des dritten Teils 105e.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 10 gezeigt sind, ist die Breite W1 des ersten Teils 105c wesentlich größer als die oder gleich der Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 200 nm bis etwa 500 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W1 oder die Breite W3 etwa 250 nm bis etwa 450 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist die Breite W2 des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als die Breite W1 des ersten Teils 105c oder als die Breite W3 des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W2 des zweiten Teils 105d etwa 80 nm bis etwa 220 nm. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite W2 des zweiten Teils 105d etwa 120 nm bis etwa 200 nm. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des ersten Teils 105c wesentlich größer als das oder gleich dem Volumen des dritten Teils 105e. Bei einigen Ausführungsformen ist das Volumen des zweiten Teils 105d wesentlich kleiner als das Volumen des ersten Teils 105c oder als das Volumen des dritten Teils 105e.
  • In der vorliegenden Erfindung wird auch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur offenbart. Bei einigen Ausführungsformen wird eine Halbleiterstruktur mit einem Verfahren hergestellt, das eine Anzahl von Schritten aufweist, wobei die Beschreibung und Darstellung nicht als eine Beschränkung für die Reihenfolge der Schritte anzusehen sind. 11 ist eine Ausführungsform eines Verfahrens 300 zur Herstellung einer Halbleiterstruktur 100. Das Verfahren 300 weist eine Anzahl von Schritten (301, 302, 303, 304 und 305) auf.
  • Im Schritt 301 wird ein Substrat 101 erhalten oder bereitgestellt, wie in 11A gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist das Substrat 101 ein Siliciumsubstrat, ein Siliciumwafer, ein Glassubstrat oder ein SOI-Substrat, ein einkristallines oder ein polykristallines Siliciumsubstrat. Bei einigen Ausführungsformen weist das Substrat 101 mehrere elektrische Komponenten oder Schaltungen auf. Bei einigen Ausführungsformen hat das Substrat 101 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 302 wird eine Gate-Struktur 102 über dem Substrat 101 hergestellt, wie in 11B gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die Gate-Struktur 102 über einer ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen wird die Gate-Struktur 102 mit einem Gate-zuerst-Verfahren, einem Gate-zuletzt-Verfahren oder einem anderen geeigneten Verfahren hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen hat die Gate-Struktur 102 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 303 wird ein dielektrisches Material 103 über dem Substrat 101 und der Gate-Struktur 102 abgeschieden, wie in 11C gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird das dielektrische Material 103 über der ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 abgeschieden und bedeckt die Gate-Struktur 102. Bei einigen Ausführungsformen wird das dielektrische Material 103 durch Abscheidung, Aufschleudern, chemische Aufdampfung (CVD), Plasmaunterstützte chemische Aufdampfung (PECVD) oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen hat das dielektrische Material 103 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 304 wird eine leitende Struktur 104 hergestellt, wie in 11D gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen verläuft die leitende Struktur 104 in dem dielektrischen Material 103. Bei einigen Ausführungsformen wird die leitende Struktur 104 mit dem Substrat 101 oder der Gate-Struktur 102 elektrisch verbunden. Bei einigen Ausführungsformen werden einige Teile des dielektrischen Materials 103 mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Fotolithografie, Ätzung oder dergleichen, entfernt, um eine Vertiefung herzustellen, und dann wird ein leitendes Material, wie etwa Kupfer, Silber, Aluminium usw., mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Sputtern, Elektroplattierung oder dergleichen, in die Vertiefung gefüllt, um die leitende Struktur 104 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen hat die leitende Struktur 104 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 305 wird ein Hohlraum 105 hergestellt, wie in 11E oder 11F gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 angeordnet und verläuft in dem dielektrischen Material 103. Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen werden einige Teile des dielektrischen Materials 103 mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Lithografie und Ätzung, Trockenätzung, Nassätzung, isotrope Ätzung oder dergleichen, entfernt, um eine Aussparung herzustellen, und dann wird die Aussparung dadurch abgedichtet oder umschlossen, dass das dielektrische Material 103 weiter über der Aussparung abgeschieden wird, sodass der Hohlraum 105 entsteht. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 im Vakuumzustand oder wird mit Luft, einem Gas oder einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante von etwa 1 gefüllt. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 11E gezeigt sind, wird ein Hauptteil 105a des Hohlraums 105 dadurch hergestellt, dass einige Teile des dielektrischen Materials 103 entfernt werden. Bei einigen Ausführungsformen werden einige Teile des dielektrischen Materials 103 durch Trockenätzung oder ein anderes geeignetes Verfahren orthogonal entfernt, um den Hauptteil 105a des Hohlraums 105 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen wird ein konischer Endteil 105b des Hohlraums 105 durch weitere Abscheidung des dielektrischen Materials 103 über der Aussparung hergestellt.
  • Bei einigen Ausführungsformen, die in 11F gezeigt sind, wird die Aussparung dadurch vergrößert, dass weitere Teile des dielektrischen Materials 103 seitlich entfernt werden, sodass ein Hohlraum 105 mit einem größeren Volumen (zum Beispiel im Vergleich zu dem Hohlraum 105 von 11E) entsteht. Bei einigen Ausführungsformen werden weitere Teile des dielektrischen Materials 103 mit einem geeigneten Verfahren entfernt, wie etwa Nassätzung, isotrope Ätzung usw. Bei einigen Ausführungsformen entsteht der Hohlraum 105 mit einem ersten Teil 105e, einem zweiten Teil 105d und einem dritten Teil 1050, wenn die weiteren Teile des dielektrischen Materials 103 entfernt werden. Bei einigen Ausführungsformen werden weitere Teile des dielektrischen Materials 103 selektiv entfernt (da verschiedene Teile des dielektrischen Materials 103 unterschiedliche Ätzraten oder unterschiedliche Ätzselektivitäten für ein festgelegtes Ätzmittel haben), sodass das Volumen des ersten Teils 1050 und das Volumen des dritten Teils 1050 wesentlich größer als das Volumen des zweiten Teils 105d sind. Bei einigen Ausführungsformen wird ein konischer Endteil 105f des Hohlraums 105 durch weitere Abscheidung des dielektrischen Materials 103 über der vergrößerten Aussparung hergestellt.
  • 12 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 400 zur Herstellung einer Halbleiterstruktur 200. Das Verfahren 400 weist eine Anzahl von Schritten (401, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409 und 410) auf.
  • Im Schritt 401 wird ein Substrat 101 erhalten oder bereitgestellt, wie in 12A gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Schritt 401 dem Schritt 301 ähnlich. Im Schritt 402 wird eine Gate-Struktur 102 hergestellt, wie in 12B gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist der Schritt 402 dem Schritt 302 ähnlich.
  • Im Schritt 403 wird eine erste dielektrische Schicht 103a über dem Substrat 101 und der Gate-Struktur 102 abgeschieden, wie in 12C gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste dielektrische Schicht 103a über der ersten Oberfläche 101a des Substrats 101 abgeschieden und sie bedeckt die Gate-Struktur 102. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste dielektrische Schicht 103a durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste dielektrische Schicht 103a ein ILD. Bei einigen Ausführungsformen hat die erste dielektrische Schicht 103a eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird eine erste Deckschicht 106a über der ersten dielektrischen Schicht 103a abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen weist die erste Deckschicht 106a ein Nitrid auf. Bei einigen Ausführungsformen hat die erste Deckschicht 106a eine Ätzrate, die in Bezug auf ein vorgegebenes Ätzmittel von der Ätzrate der ersten dielektrischen Schicht 103a verschieden ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die erste Deckschicht 106a durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen hat die erste Deckschicht 106a eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 404 wird eine zweite dielektrische Schicht 103b über der ersten dielektrischen Schicht 103a abgeschieden, wie in 12D gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite dielektrische Schicht 103b durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite dielektrische Schicht 103b ein IMD. Bei einigen Ausführungsformen hat die zweite dielektrische Schicht 103b eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 405 wird eine leitende Struktur 104 hergestellt, wie in 12E gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen verläuft die leitende Struktur 104 durch die erste dielektrische Schicht 103a und die zweite dielektrische Schicht 103b. Bei einigen Ausführungsformen wird ein Teil der ersten dielektrischen Schicht 103a mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Fotolithografie, Ätzung oder dergleichen, entfernt, um eine erste Vertiefung herzustellen, und dann wird ein leitendes Material mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Sputtern, Elektroplattierung oder dergleichen, in die Vertiefung gefüllt, um einen Steckteil 104a der leitenden Struktur 104 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen wird ein Teil der zweiten dielektrischen Schicht 103b mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Fotolithografie, Ätzung oder dergleichen, entfernt, um eine zweite Vertiefung herzustellen, und dann wird ein leitendes Material mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Sputtern, Elektroplattierung oder dergleichen, in die Vertiefung gefüllt, um einen oberen Metallteil 104b der leitenden Struktur 104 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen hat die leitende Struktur 104 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird eine zweite Deckschicht 106b über der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der leitenden Struktur 104 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen weist die zweite Deckschicht 106b ein Nitrid auf. Bei einigen Ausführungsformen hat die zweite Deckschicht 106b das gleiche Material wie die erste Deckschicht 106a oder ein anderes Material. Bei einigen Ausführungsformen hat die zweite Deckschicht 106b eine Ätzrate, die in Bezug auf ein vorgegebenes Ätzmittel von der Ätzrate der ersten Deckschicht 106a verschieden ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen hat die zweite Deckschicht 106b eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 406 wird eine strukturierte Maske 107 über der zweiten dielektrischen Schicht 103b angeordnet, wie in 12F gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die strukturierte Maske 107 dadurch hergestellt, dass ein Fotoresist über der zweiten dielektrischen Schicht 103b abgeschieden wird und strukturiert wird. Bei einigen Ausführungsformen wird das Fotoresist dadurch strukturiert, dass ein Teil des Fotoresists entfernt wird, um die strukturierte Maske 107 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen wird ein erster Teil 103-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a, der ersten Deckschicht 106a, der zweiten dielektrischen Schicht 103b und der zweiten Deckschicht 106b von der strukturierten Maske 107 befreit.
  • Im Schritt 407 wird der in 12F gezeigte erste Teil 103-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b entfernt, wie in 12G gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird der erste Teil 103-1, der von der strukturierten Maske 107 befreit worden ist, entfernt. Bei einigen Ausführungsformen wird der erste Teil 103-1 mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Trockenätzung, orthogonal entfernt, um eine Aussparung 108 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen verläuft die Aussparung 108 durch die erste dielektrische Schicht 103a, die erste Deckschicht 106a, die zweite dielektrische Schicht 103b und die zweite Deckschicht 106b.
  • Bei einigen Ausführungsformen werden nach dem Schritt 407 ein Schritt 409 und ein Schritt 410 ausgeführt. Im Schritt 409 wird die strukturierte Maske 107 entfernt, wie in 12H gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die strukturierte Maske 107 mit einem geeigneten Verfahren entfernt, wie etwa Ätzen, Strippen usw. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b konform mit der Aussparung 108 abgeschieden, wie in 12H gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b entlang der Aussparung 108 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b entlang einer Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a, einer Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b und einer Seitenwand 106a-1 der ersten Deckschicht 106a abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der zweiten Deckschicht 106b von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben.
  • Im Schritt 410 wird eine dritte dielektrische Schicht 1030 über der zweiten dielektrischen Schicht 103b abgeschieden, um einen Hohlraum 105 herzustellen, wie in 12I gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 konform mit der zweiten Deckschicht 106b abgeschieden, um den Hohlraum 105 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der dritten dielektrischen Schicht 1030 von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 1030 umgeben. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen hat die dritte dielektrische Schicht 1030 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Im Schritt 305 wird der Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 konform mit der zweiten Deckschicht 106b abgeschieden, um den Hohlraum 105 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum 105 von der dritten dielektrischen Schicht 1030 umschlossen und abgedichtet. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum 105 im Vakuumzustand oder wird mit Luft, einem Gas oder einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante von etwa 1 gefüllt. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum 105, der einen Hauptteil 105a und einen konischen Endteil 105b hat, beim Abscheiden der dritten dielektrischen Schicht 1030 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen hat der Hohlraum 105 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 1 bis 10 gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird nach dem Schritt 407 ein Schritt 408 ausgeführt. Bei einigen Ausführungsformen wird nach dem Schritt 407 ein zweiter Teil 103-2 der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b von der strukturierten Maske 107 bedeckt, wie in 12G gezeigt ist. Wie in 12J gezeigt ist, wird im Schritt 408 der zweite Teil 103-2 der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b entfernt, sodass eine vergrößerte Aussparung 108 entsteht. Bei einigen Ausführungsformen wird der zweite Teil 103-2 mit einem geeigneten Verfahren, wie etwa Nassätzung, isotrope Ätzung usw., seitlich entfernt, sodass die vergrößerte Aussparung 108 entsteht. Bei einigen Ausführungsformen hat die vergrößerte Aussparung 108 ein größeres Volumen als die Aussparung 108 nach dem Schritt 407, wie in 12F oder 12G gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen werden nach dem Schritt 408 der Schritt 409 und der Schritt 410 ausgeführt. Im Schritt 409 wird die strukturierte Maske 107 entfernt, wie in 12K gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die strukturierte Maske 107 mit einem geeigneten Verfahren entfernt, wie etwa Ätzen, Strippen usw. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b konform mit der vergrößerten Aussparung 108 abgeschieden, wie in 12K gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b entlang der vergrößerten Aussparung 108 abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Deckschicht 106b entlang einer Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a, einer Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b und einer Seitenwand 106a-1 der ersten Deckschicht 106a abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der zweiten Deckschicht 106b von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 103b umgeben. Bei einigen Ausführungsformen reichen die Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a und die Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b in die erste dielektrische Schicht 103a bzw. die zweite dielektrische Schicht 103b hinein. Bei einigen Ausführungsformen hat die Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a oder die Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b eine gekrümmte Form oder eine Wölbung. Bei einigen Ausführungsformen ist die Seitenwand 103a-1 der ersten dielektrischen Schicht 103a oder die Seitenwand 130b-1 der zweiten dielektrischen Schicht 103b zu der ersten dielektrischen Schicht 103a bzw. zu der zweiten dielektrischen Schicht 103b hin gekrümmt.
  • Im Schritt 410 wird eine dritte dielektrische Schicht 1030 über der zweiten dielektrischen Schicht 103b abgeschieden, um einen vergrößerten Hohlraum 105 herzustellen, wie in 12L gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 konform mit der zweiten Deckschicht 106b abgeschieden, um den vergrößerten Hohlraum 105 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der dritten dielektrischen Schicht 1030 von der ersten dielektrischen Schicht 103a und der zweiten dielektrischen Schicht 1030 umgeben. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 durch Abscheidung, Aufschleudern, CVD, PECVD oder ein anderes geeignetes Verfahren abgeschieden. Bei einigen Ausführungsformen hat die dritte dielektrische Schicht 1030 eine ähnliche Konfiguration wie die, die vorstehend beschrieben worden ist oder in einer der 6 bis 10 gezeigt ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen wird der vergrößerte Hohlraum 105 über der Gate-Struktur 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen wird die dritte dielektrische Schicht 1030 konform mit der zweiten Deckschicht 106b abgeschieden, um den vergrößerten Hohlraum 105 herzustellen. Bei einigen Ausführungsformen wird der vergrößerte Hohlraum 105 von der dritten dielektrischen Schicht 1030 umschlossen und abgedichtet. Bei einigen Ausführungsformen ist der vergrößerte Hohlraum 105 im Vakuumzustand oder wird mit Luft, einem Gas oder einem Material mit einer Dielektrizitätskonstante von etwa 1 gefüllt. Bei einigen Ausführungsformen hat der vergrößerte Hohlraum 105 einen ersten Teil 105e, einen zweiten Teil 105d, einen dritten Teil 1050 und einen konischen Endteil 105f. Bei einigen Ausführungsformen sind das Volumen des ersten Teils 1050 und das Volumen des dritten Teils 1050 wesentlich größer als das Volumen des zweiten Teils 105d.
  • In der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiterstruktur offenbart. Die Halbleiterstruktur weist einen Hohlraum auf, der über einer Gate-Struktur angeordnet ist und in einem dielektrischen Material verläuft. Der Hohlraum ist mit Luft gefüllt oder ist im Vakuumzustand. Durch das Vorhandensein des Hohlraums kann die parasitäre Kapazität in der Halbleiterstruktur auf ein Minimum reduziert werden. Darüber hinaus kann das Volumen des Hohlraums dadurch vergrößert werden, dass ein weiterer Teil des dielektrischen Materials seitlich entfernt wird. Durch den vergrößerten Hohlraum kann die parasitäre Kapazität weiter verringert werden.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist eine Halbleiterstruktur Folgendes auf: ein Substrat; eine Gate-Struktur, die über dem Substrat angeordnet ist; ein dielektrisches Material, das über dem Substrat und der Gate-Struktur angeordnet ist; eine leitende Struktur, die in dem dielektrischen Material verläuft; und einen Hohlraum, der in dem dielektrischen Material verläuft und über der Gate-Struktur angeordnet ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum über der Gate-Struktur angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen wird der Hohlraum von dem dielektrischen Material umschlossen und abgedichtet. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Verhältnis einer Breite zu einer Höhe des Hohlraums wesentlich größer als 1: 2. Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum einen länglichen Hauptteil in dem dielektrischen Material und einen von der Gate-Struktur entfernten Endteil auf, der mit dem Hauptteil verbunden ist und sich von dem Hauptteil aus und von der Gate-Struktur weg verjüngt. Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum einen ersten Teil über der Gate-Struktur, einen zweiten Teil über dem ersten Teil und einen dritten Teil über dem ersten Teil und dem zweiten Teil auf, wobei der zweite Teil zwischen dem ersten Teil und dem dritten Teil angeordnet ist und eine Breite des zweiten Teils wesentlich kleiner als eine Breite des ersten Teils oder als eine Breite des dritten Teils ist. Bei einigen Ausführungsformen ist die Breite des ersten Teils im Wesentlichen gleich der Breite des dritten Teils. Bei einigen Ausführungsformen beträgt die Breite des ersten Teils oder die Breite des dritten Teils etwa 250 nm bis etwa 450 nm, und die Breite des zweiten Teils beträgt etwa 80 nm bis etwa 220 nm. Bei einigen Ausführungsformen grenzt die leitende Struktur an die Gate-Struktur und den Hohlraum an. Bei einigen Ausführungsformen ist die leitende Struktur mit dem Substrat oder der Gate-Struktur elektrisch verbunden. Bei einigen Ausführungsformen ist der Hohlraum im Vakuumzustand oder ist mit Luft oder einem Gas gefüllt. Bei einigen Ausführungsformen ist die Gate-Struktur ein Transistor oder weist Polysilicium auf.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist eine Halbleiterstruktur Folgendes auf: ein Substrat; eine Gate-Struktur, die über dem Substrat angeordnet ist; eine erste dielektrische Schicht, die über dem Substrat und der Gate-Struktur angeordnet ist; eine zweite dielektrische Schicht, die über der ersten dielektrischen Schicht angeordnet ist; eine leitende Struktur, die durch die und in der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht verläuft; eine dritte dielektrische Schicht, die über der zweiten dielektrischen Schicht und der leitenden Struktur angeordnet ist; und einen Hohlraum, der über der Gate-Struktur angeordnet ist und von der ersten dielektrischen Schicht bis zu der dritten dielektrischen Schicht reicht.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist der Hohlraum Folgendes auf: einen ersten Teil, der von der ersten dielektrischen Schicht umgeben ist; einen zweiten Teil, der über dem ersten Teil angeordnet ist und von der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht umgeben ist; einen dritten Teil, der über dem zweiten Teil angeordnet ist und von der zweiten dielektrischen Schicht umgeben ist; und einen Endteil, der über dem dritten Teil angeordnet ist und von der dritten dielektrischen Schicht umgeben ist. Bei einigen Ausführungsformen verjüngt sich der Endteil von der zweiten dielektrischen Schicht zu der dritten dielektrischen Schicht. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Volumen des zweiten Teils wesentlich kleiner als ein Volumen des ersten Teils oder als ein Volumen des dritten Teils. Bei einigen Ausführungsformen weist die Halbleiterstruktur weiterhin eine erste Deckschicht, die zwischen der ersten dielektrischen Schicht und der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet ist, oder eine zweite Deckschicht auf, die zwischen der zweiten dielektrischen Schicht und der dritten dielektrischen Schicht angeordnet ist und konform mit einer Seitenwand der ersten dielektrischen Schicht oder mit einer Seitenwand der zweiten dielektrischen Schicht angeordnet ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur die folgenden Schritte auf: Erhalten eines Substrats; Herstellen einer Gate-Struktur über dem Substrat; Abscheiden eines dielektrischen Materials über dem Substrat und der Gate-Struktur; Herstellen einer leitenden Struktur, die in dem dielektrischen Material verläuft; und Herstellen eines Hohlraums, der über der Gate-Struktur angeordnet ist und in dem dielektrischen Material verläuft.
  • Bei einigen Ausführungsformen weist das Verfahren weiterhin die folgenden Schritte auf: Anordnen einer strukturierten Maske über dem dielektrischen Material; orthogonales Entfernen eines ersten Teils des dielektrischen Materials, das von der strukturierten Maske befreit worden ist; seitliches Entfernen eines zweiten Teils des dielektrischen Materials, das von der strukturierten Maske bedeckt ist; und Entfernen der strukturierten Maske von dem dielektrischen Material. Bei einigen Ausführungsformen wird der erste Teil des dielektrischen Materials durch Trockenätzung entfernt, oder der zweite Teil des dielektrischen Materials wird durch Nassätzung entfernt.

Claims (18)

  1. Halbleiterstruktur mit: einem Substrat (101); einer Gate-Struktur (102), die über dem Substrat (101) angeordnet ist; einem dielektrischen Material (103), das über dem Substrat (101) und der Gate-Struktur (102) angeordnet ist; einer leitenden Struktur (104), die in dem dielektrischen Material (103) verläuft; und einem Hohlraum (105), der in dem dielektrischen Material (103) verläuft und oberhalb der Gate-Struktur (102) angeordnet ist, wobei der Hohlraum (105) einen ersten Teil oberhalb der Gate-Struktur (102), einen zweiten Teil oberhalb des ersten Teils und einen dritten Teil oberhalb des ersten Teils und des zweiten Teils aufweist, wobei der zweite Teil zwischen dem ersten Teil und dem dritten Teil angeordnet ist und eine Breite des zweiten Teils wesentlich kleiner als eine Breite des ersten Teils oder als eine Breite des dritten Teils ist, und wobei die Breite des ersten Teils oder die Breite des dritten Teils etwa 200 nm bis etwa 500 nm beträgt.
  2. Halbleiterstruktur nach Anspruch 1, wobei der Hohlraum (105) über der Gate-Struktur (102) angeordnet ist.
  3. Halbleiterstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Hohlraum (105) von dem dielektrischen Material (103) umschlossen und abgedichtet wird.
  4. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Verhältnis einer Breite zu einer Höhe des Hohlraums wesentlich größer als 1: 2 ist.
  5. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Hohlraum (105) einen länglichen Hauptteil in dem dielektrischen Material (103) und einen von der Gate-Struktur (102) entfernten Endteil (105b) aufweist, der mit dem Hauptteil (105a) verbunden ist und sich von dem Hauptteil (105a) aus und von der Gate-Struktur (102) weg verjüngt.
  6. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite des ersten Teils im Wesentlichen gleich der oder größer als oder kleiner als die Breite des dritten Teils ist.
  7. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Breite des ersten Teils oder die Breite des dritten Teils etwa 250 nm bis etwa 450 nm beträgt und die Breite des zweiten Teils etwa 80 nm bis etwa 220 nm beträgt.
  8. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das dielektrische Material (103) an die leitende Struktur (104), an die Gate-Struktur (102) und an den Hohlraum (105) angrenzt.
  9. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die leitende Struktur (104) mit dem Substrat (101) oder der Gate-Struktur (102) elektrisch verbunden ist.
  10. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Hohlraum (105) im Vakuumzustand ist oder mit Luft oder Gas gefüllt ist.
  11. Halbleiterstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gate-Struktur (102) Teil eines Transistor ist oder Polysilicium oder ein Metall-Gate aufweist.
  12. Halbleiterstruktur mit: einem Substrat (101); einer Gate-Struktur (102), die oberhalb des Substrats (101) angeordnet ist; einer ersten dielektrischen Schicht (103a), die oberhalb des Substrats (101) und der Gate-Struktur (102) angeordnet ist; einer zweiten dielektrischen Schicht (103b), die oberhalb der ersten dielektrischen Schicht (103a) angeordnet ist; einer leitenden Struktur (104), die sowohl durch die und in der ersten dielektrischen Schicht (103a) und als auch durch die und in der zweiten dielektrischen Schicht (103b) verläuft; einer dritten dielektrischen Schicht (103c), die oberhalb der zweiten dielektrischen Schicht (103b) und der leitenden Struktur (104) angeordnet ist; einem Hohlraum (105), der oberhalb der Gate-Struktur (102) angeordnet ist und von der ersten dielektrischen Schicht (103a) bis zu der dritten dielektrischen Schicht (103c) reicht; und einer zweiten Deckschicht (106b), die zwischen der zweiten dielektrischen Schicht (103b) und der dritten dielektrischen Schicht (103c) angeordnet ist und konform mit einer Seitenwand der ersten dielektrischen Schicht (103a) oder mit einer Seitenwand der zweiten dielektrischen Schicht (103b) angeordnet ist.
  13. Halbleiterstruktur nach Anspruch 12, wobei der Hohlraum (105) Folgendes aufweist: einen ersten Teil, der von der ersten dielektrischen Schicht (103a) umgeben ist; einen zweiten Teil, der oberhalb des ersten Teils angeordnet ist und von der ersten dielektrischen Schicht (103a) und der zweiten dielektrischen Schicht (103b) umgeben ist; einen dritten Teil, der oberhalb des zweiten Teils angeordnet ist und von der zweiten dielektrischen Schicht (103b) umgeben ist; und einen Endteil, der oberhalb des dritten Teils angeordnet ist und von der dritten dielektrischen Schicht (103c) umgeben ist.
  14. Halbleiterstruktur nach Anspruch 13, wobei sich der Endteil von der zweiten dielektrischen Schicht (103b) zu der dritten dielektrischen Schicht (103c) verjüngt.
  15. Halbleiterstruktur nach Anspruch 13 oder 14, wobei ein Volumen des zweiten Teils wesentlich kleiner als ein Volumen des ersten Teils oder als ein Volumen des dritten Teils ist.
  16. Halbleiterstruktur nach einem der Ansprüche 12 bis 15, die weiterhin Folgendes aufweist: eine erste Deckschicht (106a), die zwischen der ersten dielektrischen Schicht (103a) und der zweiten dielektrischen Schicht (103b) angeordnet ist
  17. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, mit den folgenden Schritten: Erhalten eines Substrats (101); Herstellen einer Gate-Struktur (102) über dem Substrat (101); Abscheiden eines Zwischenschicht- oder Zwischenmetall-Dielektrikums über dem Substrat (101) und der Gate-Struktur (102); Herstellen einer leitenden Struktur (104), die in dem Zwischenschicht- oder Zwischenmetall- Dielektrikum verläuft; und Herstellen eines Hohlraums (105), der oberhalb der Gate-Struktur (102) angeordnet ist und in dem Zwischenschicht- oder Zwischenmetall- Dielektrikum verläuft, wobei der erste Teil des Zwischenschicht- oder Zwischenmetall- Dielektrikums durch Trockenätzung entfernt wird und der zweite Teil des Zwischenschicht- oder Zwischenmetall-Dielektrikums durch Nassätzung entfernt wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, das weiterhin die folgenden Schritte aufweist: Anordnen einer strukturierten Maske (107) über dem Zwischenschicht- oder Zwischenmetall- Dielektrikum; Entfernen eines ersten Teils des dielektrischen Materials (103), das von der strukturierten Maske (107) befreit worden ist, orthogonal zu der strukturierten Maske; seitliches Entfernen eines zweiten Teils des Zwischenschicht- oder Zwischenmetall-Dielektrikums, das von der strukturierten Maske (107) bedeckt ist; und Entfernen der strukturierten Maske (107) von dem Zwischenschicht- oder Zwischenmetall- Dielektrikum.
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