-
Die Erfindung betrifft eine Leiterplatte mit übereinander angeordneten Isolationsschichten, die jeweilig ein Glasgewebe, das in eine Kunststoffmatrix eingebettet ist, aufweisen.
-
Die Isolationsschichten bilden jeweilig eine Trägerschicht für auf Ihnen anordnete elektrisch leitende Leiterbahnen aus. Ein Glasgewebe besteht aus miteinander verwobenen aus Glasfilamenten gebildeten Glasfäden. Wenn die Haftung der Kunststoffmatrix zu den Glasfilamenten an manchen Stellen nachlässt oder an manchen Stellen, z.B. durch mechanische Einwirkungen, nicht mehr ordnungsgemäß vorhanden ist, können z.B. durch Einwirkung von Feuchte aus den Leiterbahnen (z.B. Kupferleiterbahnen) gelöste Metallionen (z.B. Kupferionen) in Richtung elektrischer Feldlinien an den Glasfilamenten des jeweiligen Isolationsschicht entlang wandern und sich an den Glasfilamenten anlagern. Es können sich somit elektrisch leitende Dendrite (Metalldendrite, insbesondere Kupferdendrite) zwischen zwei auf einer gemeinsamen Isolationsschicht angeordneten unterschiedliches elektrisches Potential aufweisenden Leiterbahnen ausbilden, die einen elektrischen Kurzschluss zwischen den beiden Leiterbahnen bewirken. Die Dendrite bilden sogenannte elektrisch leitende Filamente, die fachspezifisch auch als CAFs (Conductive Anodic Filament) bezeichnet werden. Verallgemeinert können sich somit im Laufe der Zeit zwischen beliebigen unterschiedliches elektrisches Potential aufweisenden Metallstrukturen (z.B. Leiterbahnen, Durchkontaktierungen etc.) der Leiterplatte durch die Dendrite elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Metallstrukturen ausbilden, die zu Kurzschlüssen führen.
-
Aus der
EP 2 040 520 A1 bzw. der parallelen
US 7 989 705 B2 ist es bekannt, zur Blockierung des Wachstums von elektrisch leitenden Dendriten, von einer Seite einer Leiterplatte Löcher in die Leiterplatte einzubringen. Dies führt aber zu einer starken mechanischen Schwächung der Leiterplatte. Weiterhin ist nur schwer sicherzustellen, dass wirklich alle betreffenden Glasfilamente unterbrochen werden. Weiterhin müssen, bei Löchern, die die Leiterplatte komplett durchdringen, für die Berechnung der Luft- und Kriechstrecken, die Lochinnenflächen als Außenkannte der Leiterplatte angesehen werden, was in der Regel zu einem vergrößerten Platzbedarf einer mittels der Leiterplatte ausgebildeten elektrischen Schaltung führt.
-
-
Aus der
EP 1 639 869 B1 ist eine Leiterplatte mit einer Ausnehmung bekannt in der eine Leiterbahn angeordnet ist.
-
Die WO 2008 / 113 767 A2 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, umfassend die Schritte: Bilden von zwei oder mehr metallisierten Durchkontaktierungen durch mindestens einen Teil einer Leiterplatte; und Bilden einer Isolationsöffnung zwischen den zwei oder mehr metallisierten Durchkontaktierungen, wodurch mindestens ein Teil der Metallisierung von mindestens einem der zwei oder mehr Durchkontaktierungen entfernt wird.
-
Die
DE 10 2013 216 493 A1 offenbart eine Leiterplatte mit einem ersten starren Leiterplattenabschnitt und einem zweiten starren Leiterplattenabschnitt, wobei der erste und der zweite starre Leiterplattenabschnitt mittels eines flexiblen Leiterplattenabschnitts verbunden sind, wobei die Leiterplatte einen Schichtstapel aus einer Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Leiterschichten und elektrisch isolierenden Isolationsschichten aufweist, wobei der Schichtstapel einen Teilstapel mit einer ersten Leiterschicht, einer zweiten Leiterschicht und einer zwischen der ersten und zweiten Leiterschicht angeordneten Isolationsschicht umfasst, wobei eine Anzahl von Schichten des Teilstapels geringer ist als die Mehrzahl von Schichten des Schichtstapels, wobei der flexible Leiterplattenabschnitt von dem Teilstapel gebildet wird, und wobei der erste und zweite starre Leiterplattenabschnitt jeweils von dem Schichtstapel gebildet werden.
-
Die US 2007 / 0 281 499 A1 offenbart eine Leiterplatte, welche eine erste Schicht umfasst, die eine Vielzahl von Rillen aufweist, die in einem gebogenen Bereich angeordnet sind, und jede Längsrichtung der Vielzahl von Rillen schneidet eine Biegerichtung, und eine zweite Schicht, die auf einer Fläche einer Seite angeordnet ist, die einer Fläche gegenüberliegt, auf der die Rillen der ersten Schicht angeordnet sind. Es ist Aufgabe der Erfindung eine Leiterplatte zu schaffen bei der das Ausbilden von einer, durch einen elektrisch leitenden Dendriten gebildete und entlang eines Glasfilaments der Leiterplatte verlaufende, elektrisch leitende Verbindung zwischen einer ersten und einer zweiten Metallstrukturen der Leiterplatte zuverlässig verhindert wird.
-
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leiterplatte mit übereinander angeordneten Isolationsschichten, die jeweilig ein Glasgewebe, das in eine Kunststoffmatrix eingebettet ist, aufweisen, und mit einer ersten und einer zweiten Metallstruktur, die voneinander elektrisch isoliert angeordnet sind, wobei zur Verhinderung eines Ausbildens eines elektrisch leitenden Dendriten, der die erste und zweite Metallstruktur elektrisch leitend miteinander verbindet, zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur eine erste und eine zweite Nut angeordnet sind, wobei die erste und zweite Nut in Richtung von erster zur zweiter Metallstruktur versetzt zueinander angeordnet sind und die erste Nut, ausgehend von einer ersten Seite der Leiterplatte, in die Leiterplatte hineinreicht und die Leiterplatte nicht komplett durchdringt, und die zweite Nut, ausgehend von einer der ersten Seite der Leiterplatte gegenüberliegend angeordneten zweiten Seite der Leiterplatte, in die Leiterplatte hineinreicht und die Leiterplatte nicht komplett durchdringt, wobei die erste Nut eine erste Tiefe und die zweite Nut eine zweite Tiefe aufweist, wobei die Summe von erster und zweiter Tiefe mindestens so groß ist wie der Abstand zwischen erster und zweiter Seite der Leiterplatte im Bereich der ersten und zweiten Nut, wobei die erste und/oder zweite Nut mit einem elektrisch nicht leitenden Material verfüllt ist.
-
Hierdurch wird bei Verwendung der Leiterplatte in Schmutzpartikel aufweisender Umgebung das Füllen der jeweiligen Nut mit Schmutzpartikeln verhindert.
-
Vorteilhafte Ausbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
-
Es erweist sich als vorteilhaft, wenn die Summe von erster und zweiter Tiefe größer ist als der Abstand zwischen erster und zweiter Seite der Leiterplatte im Bereich der ersten und zweiten Nut. Die erste und zweite Nut weisen dann eine derartige Tiefe auf, dass im Bereich der ersten und zweiten Nut alle übereinander angeordneten Glasgewebe der Leiterplatte mit hoher Zuverlässigkeit jeweilig durch zumindest eine der beiden Nuten durchtrennt sind.
-
In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste und zweite Tiefe jeweilig größer ist als die Hälfte des Abstands zwischen erster und zweiter Seite der Leiterplatte im Bereich der ersten und zweiten Nut. Hierdurch wird erreicht, dass die jeweilige Nut eine Mindesttiefe aufweist und sich eine Überlappung der ersten und zweiten Nut im Bereich der Mitte der Leiterplatte ausbildet.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste und zweite Tiefe jeweilig maximal 70%, insbesondere maximal 55%, des Abstands zwischen erster und zweiter Seite der Leiterplatte im Bereich der ersten und zweiten Nut beträgt. Hierdurch wird die, durch die erste und zweite Nut bedingte, mechanische Schwächung der Leiterplatte gering gehalten.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn dass die erste Nut eine erste Breite von mindestens 0,8mm, insbesondere von mindestens 1,0mm aufweist und die zweite Nut eine zweite Breite von mindestens 0,8mm, insbesondere von mindestens 1,0mm aufweist. Die Breite der ersten und zweiten Nut kann z.B. in Abhängigkeit des zulässigen Verschmutzungsgrades für den die Leiterplatte entsprechend Normen vorgesehen ist, gewählt werden, wobei mit steigendem Verschmutzungsgrad die Breite der Nutten zunimmt.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste Nut eine erste Breite und die zweite Nut eine zweite Breite aufweist, wobei der Abstand zwischen erster und zweiter Nut mindestens so groß ist wie die Hälfte der Summe von erster und zweiter Breite und maximal so groß ist wie das Fünffache der Summe von erster und zweiter Breite. Hierdurch wird die durch die erste und zweite Nut und bedingte mechanische Schwächung der Leiterplatte und der Platzbedarf einer mittels der Leiterplatte ausgebildeten elektrischen Schaltung gering gehalten.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste und zweite Nute eine derartige Länge und einen derartigen Verlauf aufweisen, dass zumindest alle Glasfäden aller Glasgewebe der Leiterplatte, die in Projektion in Normalenrichtung der Leiterplatte mit der ersten und mit der zweiten Metallstruktur einen Schnittpunkt aufweisen, von der ersten und/oder der zweiten Nut durchtrennt sind. Hierdurch ist sichergestellt, dass das Wachstum aller Dendrite, welche direkt entlang, von in eine Richtung von erster zur zweiter Metallstruktur verlaufenden Glasfilamenten des Glasgewebes wachsen, von zumindest eine der beiden Nuten blockiert wird.
-
Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste und die zweite Metallstruktur jeweilig in Form von mindestens einem Abschnitt mindestens einer jeweiligen elektrisch leitfähigen Leiterbahn ausgebildet sind. Dies stellt eine übliche Ausbildung der ersten und die zweiten Metallstruktur dar.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die erste Metallstruktur in Form von mindestens einem jeweiligen Abschnitt einer ersten und einer zweiten Leiterbahn, die auf unterschiedlichen Isolationsschichten angeordnet sind, ausgebildet ist, und die zweite Metallstruktur in Form von mindestens einem jeweiligen Abschnitt einer dritten und einer vierten Leiterbahn, ausgebildet ist, wobei die erste Leiterbahn auf derselben Isolationsschicht wie die dritte Leiterbahn und die zweite Leiterbahn auf derselben Isolationsschicht wie die vierte Leiterbahn angeordnet sind. Dies stellt eine übliche Ausbildung der ersten und die zweiten Metallstruktur dar.
-
Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die die erste und/oder die zweite Metallstruktur jeweilig zusätzlich mindestens eine durch die Leiterplatte hindurchgehende elektrisch leitfähige Durchkontaktierung mit umfasst. Dies stellt eine übliche Ausbildung der ersten und die zweiten Metallstruktur dar.
-
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die unten stehenden Figuren erläutert. Dabei zeigen:
- 1 eine Draufsicht auf eine erste Seite einer erfindungsgemäßen Leiterplatte,
- 2 eine Draufsicht auf eine der erste Seite gegenüberliegend angeordnete zweite Seite der erfindungsgemäßen Leiterplatte und
- 3 eine Schnittansicht der erfindungsgemäßen Leiterplatte.
-
In 1 ist eine Draufsicht auf eine erste Seite A einer erfindungsgemäßen Leiterplatte 1 dargestellt. In 2 ist eine Draufsicht auf eine der ersten Seite A gegenüberliegend angeordnete zweite Seite B der Leiterplatte 1 dargestellt, wobei 2 die Draufsicht auf die Leiterplatte 1 zeigt, wenn die in 1 dargestellte Leiterplatte 1 um 180° um eine virtuelle horizontale Achse gedreht wird. In 1 ist eine zweite Nut 9, da diese normalerweise in dieser Draufsicht nicht sichtbar wäre, gestrichelt dargestellt. Entsprechend ist in 2 eine erste Nut 8 gestichelt dargestellt. In 3 ist eine Schnittansicht der erfindungsgemäßen Leiterplatte 1, dargestellt, wobei der Schnitt durch die Leiterplatte 1 entlang der in 1 und 2 dargestellten Schnittlinie C verläuft. Die Leiterplatte 1 ist vorzugweise als Muli-Layer-Leiterplatte ausgebildet, d.h. sie weist vorzugsweise mehrere übereinander angeordnete strukturierte Metallschichten 10 auf, die durch Ihre Struktur elektrisch leitende Leiterbahnen ausbilden.
-
Die Leiterplatte 1 weist übereinander angeordnete Isolationsschichten 2 auf, die jeweilig ein Glasgewebe 11, das in eine Kunststoffmatrix 4 eingebettet ist, aufweisen. Das jeweilige Glasgewebe 11 weist miteinander verwobene Glasfäden 3 auf. Die Glasfäden 3 werden jeweilig durch mehrere Glasfilamente gebildet. Die Kunststoffmatrix liegt vorzugweise in Form einer Kunstharzmatrix vor, die insbesondere als Epoxidharzmatrix ausgebildet ist. In 1 und 2 ist ein Abschnitt des Glasgewebes 11, obwohl eigentlich in den beiden Ansichten nicht sichtbar, dargestellt. Wie in 3 dargestellt, können einige Glasfäden 3 auch einen Kontakt mit der ersten und zweite Metallstruktur 5 und 6 aufweisen.
-
Weiterhin weist die Leiterplatte 1 eine erste und eine zweite Metallstruktur 5 und 6 auf, die voneinander elektrisch isoliert angeordnet sind. Die erste und die zweite Metallstruktur 5 und 6 sind jeweilig vorzugsweise in Form von mindestens einem Abschnitt 5b', 5b'' bzw. 6b', 6b'' mindestens einer jeweiligen elektrisch leitfähigen Leiterbahn 5b bzw. 6b ausgebildet. Die erste Metallstruktur 5 ist vorzugsweise in Form von mindestens einem jeweiligen Abschnitt 5b', 5b'',5c', 5c'' einer ersten und einer zweiten Leiterbahn 5b und 5c, die auf unterschiedlichen Isolationsschichten 2 angeordnet sind, ausgebildet, und die zweite Metallstruktur 6 ist vorzugsweise in Form von mindestens einem jeweiligen Abschnitt 6b', 6b'', 6c', 6c'' einer dritten und einer vierten Leiterbahn 6b und 6c, ausgebildet ist, wobei die erste Leiterbahn 5b auf derselben Isolationsschicht 2 wie die dritte Leiterbahn 6b und die zweite Leiterbahn 5c auf derselben Isolationsschicht 2 wie die vierte Leiterbahn 6c angeordnet sind. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels sind die erste und dritte Leiterbahn 5b und 6b im Bereich der ersten Seite A der Leiterplatte 1 angeordnet und die zweite und vierte Leiterbahn 5c und 6c im Bereich der zweiten Seite B der Leiterplatte 1 angeordnet. Die erste und dritte Leiterbahn 5b und 6b, und die zweite und vierte Leiterbahn 5c und 6c sind dabei beim Ausführungsbeispiel auf einer jeweiligen äußersten Isolationsschicht 2 der Leiterplatte 1 angeordnet.
-
Die auf einer gemeinsamen Isolationsschicht 2 angeordneten Leiterbahnen sind Bestanteil einer jeweilig strukturierten Metallschicht 10, die durch ihre Struktur die Leiterbahnen ausbildet.
-
Im Rahmen des Ausführungsbeispiels weist die erste und zweite Metallstruktur 5 und 6 auch im Inneren der Leiterplatte 1 zwischen den Isolationsschichten 2 angeordnete Leiterbahnen auf, die jeweilig in eine weitere Kunststoffmatrix 4' eingebettet sind. Die weitere Kunststoffmatrix 4' besteht vorzugsweise aus dem gleichen Kunststoff wie die Kunststoffmatrix 4 der Isolationsschicht 2. Die Schichten der Leiterplatte 1 sind stoffschlüssig miteinander verbunden.
-
Die erste und/oder die zweite Metallstruktur 5 bzw. 6 umfasst im Rahmen des Ausführungsbeispiels mindestens eine durch die Leiterplatte 1 hindurchgehende elektrisch leitfähige Durchkontaktierung 5a bzw. 6a auf. Die jeweilige Durchkontaktierung 5a bzw. 6a verbindet auf unterschiedlichen Isolationsschichten 2 angeordnete Leiterbahnen elektrisch leitend miteinander.
-
Die erste und zweite Metallstruktur 5 und 6 sind zum Aufweisen von hohen unterschiedlichen elektrischen Potentialen vorgesehen. Die elektrischen Spannungen, die zwischen den Leiterbahnen der jeweiligen Metallstruktur 5 und 6 auftreten können sind wesentlich kleiner als die elektrischen Spannungen, die zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur 5 und 6 auftreten können. So kann die erste und zweite Metallstruktur 5 und 6 derart zueinander elektrisch beanstandet angeordnet sein, dass die elektrischen Luft- und Kriechstecken, die zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur 5 und 6 vorhanden sind, für elektrische Spannungen vom mehr als 40V, insbesondere von mehr als 50V, ausgelegt sind.
-
Erfindungsgemäß ist, zur Verhinderung eines Ausbildens eines elektrisch leitenden Dendriten, der die erste und zweite Metallstruktur elektrisch leitend miteinander verbindet, zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur 5 und 6 eine längliche erste und eine längliche zweite Nut 8 und 9 angeordnet, wobei die erste und zweite Nut 8 und 9 in Richtung von erster Metallstruktur 5 zur zweiter Metallstruktur 6 versetzt zueinander angeordnet sind und die erste Nut 8, ausgehend von einer ersten Seite A der Leiterplatte 1, in die Leiterplatte 1 hineinreicht und die zweite Nut 9, ausgehend von einer der ersten Seite A der Leiterplatte 1 gegenüberliegend angeordneten zweiten Seite B der Leiterplatte 1, in die Leiterplatte 1 hineinreicht, wobei die erste Nut 8 eine erste Tiefe T1 und die zweite Nut 9 eine zweite Tiefe T2 aufweist, wobei die Summe von erster und zweiter Tiefe T1 und T2 mindestens so groß ist wie der Abstand C zwischen erster und zweiter Seite A und B der Leiterplatte 1 im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9, d.h. es gilt T1 + T2 ≥ C.
-
Der Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9 ist vorzugweise der Bereich zwischen der der ersten Metallstruktur 5 naheliegenden Wand 8' der ersten Nut 8 und der der zweiten Metallstruktur 6 naheliegenden Wand 9' der zweiten Nut 9.
-
Die erste und zweite Nut 8 und 9 weisen somit eine derartige Tiefe auf, dass im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9 alle übereinander angeordneten Glasgewebe 11 der Leiterplatte 1 jeweilig durch zumindest eine der beiden Nuten 8 und 9 durchtrennt sind. Das Wachstum der Dendrite 7 entlang der Glasfilamente des Glasgewebes 11 wird somit von zumindest eine der beiden Nuten 8 und 9 blockiert. Das Ausbilden von, durch elektrisch leitende Dendrite gebildete und entlang von Glasfilamenten der Leiterplatte verlaufenden, elektrisch leitenden Verbindungen zwischen der ersten und zweiten Metallstruktur 5 und 6 der Leiterplatte wird somit zuverlässig verhindert. Weiterhin erhöhen die erste und zweite Nut 8 und 9, da sie die Leiterplatte 1 nicht komplett durchdringen, im vollkommenen Gegensatz zu Durchgangslöchern, die zwischen erster und zweiter Metallstruktur 5 und 6 vorhandene elektrische Kriechstrecke, so dass die erster und zweiter Metallstruktur 5 und 6 mit geringerem Abstand voneinander angeordnet werden können, was zu einem reduziertem Platzbedarf einer mittels der Leiterplatte 1 ausgebildeten elektrischen Schaltung führt.
-
Vorzugsweise ist die Summe von erster und zweiter Tiefe T1 und T2 größer als der Abstand C zwischen erster und zweiter Seite A und B der Leiterplatte 1 im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9, d.h. es gilt T1 + T2 > C. Die erste und zweite Nut 8 und 9 weisen somit eine derartige Tiefe auf, dass im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9 alle übereinander angeordneten Glasgewebe 11 der Leiterplatte 1 mit hoher Zuverlässigkeit jeweilig durch zumindest eine der beiden Nuten 8 und 9 durchtrennt sind. Es bildet sich im Inneren der Leiterplatte 1 eine Überlappung U der ersten und zweiten Nut 8 und 9 aus. Hierdurch kann auch bei Auftreten von Fertigungstoleranzen der Leiterplatte 1 sicher gestellt werden, dass alle übereinander angeordneten Glasgewebe 11 der Leiterplatte 1 durch zumindest eine der beiden Nuten 8 und 9 durchtrennt sind. Die erste und zweite Tiefe T1 und T2 sind dabei vorzugsweise jeweilig größer als die Hälfte des Abstands C zwischen erster und zweiter Seite A und B der Leiterplatte 1 im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9. Hierdurch wird erreicht, dass die jeweilige Nut 8 bzw. 9 eine Mindesttiefe aufweist und sich die Überlappung U der ersten und zweiten Nut 8 und 9 im Bereich der Mitte der Leiterplatte 1 ausbildet.
-
Die erste und zweite Tiefe T1 und T2 beträgt vorzugsweise jeweilig maximal 70%, insbesondere maximal 55%, insbesondere maximal 52% des Abstands C zwischen erster und zweiter Seite A und B der Leiterplatte 1 im Bereich BE der ersten und zweiten Nut 8 und 9. Hierdurch wird die durch die erste und zweite Nut 8 und 9 bedingte mechanische Schwächung der Leiterplatte 1 gering gehalten.
-
Die erste Nut 8 weist vorzugsweise eine erste Breite D1 von mindestens 0,8mm, insbesondere von mindestens 1,0mm auf und die zweite Nut 9 weist vorzugsweise eine zweite Breite D2 von mindestens 0,8mm, insbesondere von mindestens 1,0mm auf. Die jeweilige Breite der ersten und zweiten Nut 8 und 9 kann z.B. in Abhängigkeit des zulässigen Verschmutzungsgrades, für den die Leiterplatte 1 entsprechend Normen vorgesehen ist, gewählt werden, wobei mit steigendem Verschmutzungsgrad die zu wählende Breite der Nutten zunimmt.
-
Der Abstand E zwischen erster und zweiter Nut 8 und 9 ist vorzugsweise mindestens so groß ist wie die Hälfte der Summe von erster und zweiter Breite D1 und D2 und maximal so groß ist wie das Fünffache der Summe von erster und zweiter Breite D1 und D2, d.h. es gilt 0,5·(D1+D2) ≤ E ≤ 5·(D1+D2). Hierdurch wird die durch die erste und zweite Nut 8 und 9 bedingte mechanische Schwächung der Leiterplatte 1 und der Platzbedarf einer mittels der Leiterplatte 1 ausgebildeten elektrischen Schaltung gering gehalten.
-
Es sei angemerkt, dass die erste und zweite Breite D1 und D2 gleich oder unterschiedlich sein können. Weiterhin sei angemerkt, dass die erste und zweite Breite D1 und D2 vorzugsweise jeweilig maximal 10mm betragen.
-
Die erste und zweite Nute 8 und 9 weisen vorzugsweise eine derartige Länge und einen derartigen Verlauf auf, dass zumindest alle Glasfäden 3 aller Glasgewebe 11 der Leiterplatte 1, die in Projektion in Normalenrichtung N der Leiterplatte 1 mit der ersten und mit der zweiten Metallstruktur 5 und 6 einen Schnittpunkt aufweisen, von der ersten und/oder der zweiten Nut 8 und 9 durchtrennt sind. Hierdurch ist sichergestellt, dass das Wachstum aller Dendrite, welche entlang, direkt in eine Richtung von erster zur zweiter Metallstruktur verlaufenden, Glasfilamenten des Glasgewebes 11 wachsen, von zumindest eine der beiden Nuten 8 und 9 blockiert wird.
-
Die erste und/oder zweite Nut 8 bzw. 9 kann mit einem elektrisch nicht leitenden Material 12, wie z.B. einem Kunststoff (z.B. Epoxidharz) verfüllt sein. Vorzugsweise wird als Füllmaterial 12 für die erste und/oder zweite Nut 8 bzw. 9, das gleiche Material verwendet aus dem die Kunststoffmatrix 4 der Leiterplatte 1 ausgebildet ist. Durch das Verfüllen der jeweiligen Nut 8 bzw. 9 mit einem elektrisch nicht leitenden Material 12 kann, bei Verwendung der Leiterplatte 1 in Schmutzpartikel aufweisender Umgebung, das Füllen der jeweiligen Nut 8 bzw. 9 mit Schmutzpartikeln verhindert werden. Weiterhin wird bei Verwendung eines entsprechend festen Stoffes (z.B. Epoxidharz) als Füllmaterial 12, die durch die jeweilige Nut 8. bzw. 9 bedingte mechanische Schwächung der Leiterplatte 1, wesentlich reduziert.
-
Die erste und zweite Nut 8 und 9 werden vorzugsweise durch Fräsen in Leiterplatte 1 eingebracht.
-
Die erste Nut 8 weist eine in der Leiterplatte 1 angeordnete Bodenfläche 8a und die und zweite Nut 9 weist eine in der Leiterplatte 1 angeordnete Bodenfläche 9b auf. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels weist, wie 3 dargestellt, der Querschnitt der jeweilige Bodenfläche 8a bzw. 9a einem ebenen Verlauf auf, was nicht notweniger Weise so sein braucht. Der Querschnitt der jeweilige Bodenfläche 8a bzw. 9a kann z.B. auch V-förmig ausgebildet sein. Weiterhin kann der gesamte Querschnitt der jeweilige Nut eine beliebige Form aufweisen und z.B. auch V-förmig ausgebildet sein. Unter der Tiefe der jeweiligen Nut 8 bzw. 9 wird im Sinne der Erfindung die Tiefe bis zum tiefsten Punkt des Querschnitts der jeweiligen Nut 8 bzw. 9 verstanden.
-
Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können.
